KR20220103766A - 하전 입자 이미징 시스템 - Google Patents

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KR20220103766A
KR20220103766A KR1020227020709A KR20227020709A KR20220103766A KR 20220103766 A KR20220103766 A KR 20220103766A KR 1020227020709 A KR1020227020709 A KR 1020227020709A KR 20227020709 A KR20227020709 A KR 20227020709A KR 20220103766 A KR20220103766 A KR 20220103766A
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charged particle
electron detector
backscattered electron
particle beam
imaging system
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KR1020227020709A
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마티아스 펀케스
플로리안 람퍼스버거
스테판 라니오
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아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하
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Abstract

2차 하전 입자 이미징 시스템은: 후방산란된 전자 검출기 모듈을 포함하고, 후방산란된 전자 검출기 모듈은 축을 중심으로 제1 각도 위치(5452)와 제2 각도 위치(5454) 사이에서 회전가능하다.

Description

하전 입자 이미징 시스템
본 개시내용의 양상들은 특히, 시편 상에서의 이미지 생성을 위한 주사 하전 입자 빔 디바이스에 관한 것이다. 양상들은 특히, 2차 하전 입자 이미징 시스템에 관한 것이다. 다른 양상은 후방산란된 전자 검출기 모듈을 포함하는 주사 전자 현미경에 관한 것이다. 추가의 양상은 2차 하전 입자 이미징 시스템을 작동시키는 방법에 관한 것이다.
하전 입자 빔 장치들은, 제조 동안의 반도체 디바이스들의 검사, 리소그래피를 위한 노출 시스템들, 검출 디바이스들 및 시험 시스템들을 포함하지만 이에 제한되지 않는 복수의 산업 분야들에서 많은 기능들을 갖는다. 따라서, 마이크로미터 및 나노미터 규모 내의 시편들을 구조화 및 검사하는 것에 대한 요구가 높다.
마이크로미터 및 나노미터 규모의 프로세스 제어, 검사 또는 구조화는 종종, 하전 입자 빔 디바이스들, 예컨대, 전자 현미경들 또는 전자 빔 패턴 생성기들에서 생성되고 집속되는 하전 입자 빔들, 예를 들어, 전자 빔들을 이용하여 행해진다. 하전 입자 빔들은, 그들의 짧은 파장들로 인해, 예를 들어, 광자 빔들과 비교하여 우수한 공간 분해능을 제공한다.
하전 입자 빔 장치들은 전형적으로, 하전 입자 이미징 시스템을 사용한다. 하전 입자 이미징 시스템은 단일 빔 또는 다중 빔 이미징을 위해 구성될 수 있다. 이하에서 개선된 성능을 갖는 하전 입자 이미징 시스템을 설명한다.
상기 내용을 고려하여, 2차 하전 입자 이미징 시스템, 하전 입자 빔 디바이스, 및 2차 하전 입자 이미징 시스템을 작동시키는 방법이 제공된다.
일 양상에 따르면, 2차 하전 입자 이미징 시스템으로서, 2차 하전 입자 이미징 시스템은 후방산란된 전자 검출기 모듈을 포함하고, 후방산란된 전자 검출기 모듈은 축을 중심으로 제1 각도 위치와 제2 각도 위치 사이에서 회전가능하다.
일 양상에 따르면, 하전 입자 빔 디바이스는 2차 하전 입자 이미징 시스템을 포함한다.
일 양상에 따르면, 2차 하전 입자 이미징 시스템을 작동시키는 방법은, 후방산란된 전자 검출기를 축을 중심으로 제1 각도 위치와 제2 각도 위치 사이에서 회전시키는 단계를 포함한다.
본원에 설명된 실시예들과 조합될 수 있는 추가의 장점들, 피처들, 양상들 및 세부사항들은 종속 청구항들, 상세한 설명 및 도면들로부터 명백하다.
세부사항들은 도면들을 참조하여 이하에서 설명될 것이고, 도면들에서:
도 1은 본원에 설명된 실시예들에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템의 간략화된 개략적인 측면도이고,
도 2는 본원에 설명된 실시예들에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템의 간략화된 개략적인 상면도이고,
도 3은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 후방산란된 전자 검출기 모듈 및 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈의 간략화된 개략적인 측면도이고,
도 4a 및 4b는 기계적 힌지 조인트를 갖는 암의 간략화된 의사 3D 표현들이며, 암은 본원에 설명된 실시예들에 따른 후방산란된 전자 검출기 모듈의 것이고,
도 5a 및 5b는 본원에 설명된 실시예들에 따른, 제1 각도 위치 및 제2 각도 위치에서의 후방산란된 전자 검출기 모듈의 간략화된 개략적인 측면도들이고,
도 6a 및 6b는 본원에 설명된 실시예들에 따른, 제1 각도 위치 및 제2 각도 위치에서의 후방산란된 전자 검출기 모듈의 후방산란된 전자 검출기 요소 및 애퍼처의 간략화된 개략적인 근접 측면도들이고,
도 7은 본원에 설명된 실시예들에 따른 하전 입자 빔 디바이스의 간략화된 개략적인 측면도이고,
도 8은 본원에 설명된 실시예들에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템을 작동시키기 위한 방법 도면이다.
다양한 실시예에 대한 참조가 이제부터 상세히 이루어질 것이고, 그의 하나 이상의 예가 각각의 도면에 예시된다. 각각의 예는 설명으로서 제공되며, 제한을 의미하지 않는다. 예를 들어, 일 실시예의 일부로서 예시 또는 설명된 피처들은, 더 추가의 실시예를 생성하기 위해, 임의의 다른 실시예에서 또는 임의의 다른 실시예와 함께 사용될 수 있다. 본 개시내용이 그러한 수정들 및 변형들을 포함하는 것이 의도된다.
도면들에 대한 이하의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들 또는 유사한 구성요소들을 지칭한다. 일반적으로, 개별 실시예들에 대한 차이점들만이 설명된다. 달리 명시되지 않는 한, 일 실시예에서의 부분 또는 양상의 설명은 다른 실시예에서의 대응하는 부분 또는 양상에도 적용된다.
도면들에 사용되는 참조 번호들은 단지 예시를 위한 것이다. 본원에 설명되는 양상들은 임의의 특정 실시예로 제한되지 않는다. 대신에, 본원에 설명되는 임의의 양상은, 달리 명시되지 않는 한, 본원에 설명되는 임의의 다른 양상(들) 또는 실시예(들)와 조합될 수 있다.
도 1은 2차 하전 입자 이미징 시스템의 간략화된 개략적인 측면도를 도시한다. 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 2차 하전 입자 이미징 시스템은 후방산란된 전자 검출기 모듈을 포함한다.
후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)은 후방산란된 전자들, 예를 들어, 정축 후방산란된(on-axial backscattered) 전자들을 전자 빔 컬럼에서 수집하고/거나 검출하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 후방산란된 전자들은 신호 하전 입자 빔(1102)의 후방산란된 전자들일 수 있다. 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)은 신호 하전 입자 빔(1102)이 통과하는 것을 허용하도록 구성될 수 있다. 실시예들에 따르면, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)은, 예컨대, 제1 위치(5452)와 제2 위치(5454) 사이에서 이동가능하고/거나 회전가능하도록 구성될 수 있다. 제1 위치(5452) 및 제2 위치(5454)는 각도 위치들일 수 있다. 예에서, 후방산란된 전자 모듈(1400)은 신호 하전 입자 빔(1102)이, 제1 위치(5452)에 있는 후방산란된 전자 모듈을 통과하는 것을 허용하도록 구성될 수 있다. 후방산란된 전자 모듈(1400)은 제2 위치(5454)에서 신호 하전 입자 빔(1102)의 신호들 및/또는 후방산란된 전자들을 수집하고/거나 검출하도록 구성될 수 있다.
이에 따라, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)은 애퍼처(1460)를 포함할 수 있다. 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)은 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)를 포함할 수 있다. 애퍼처(1460) 및 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 후방산란된 전자 검출기 홀더(1450) 상에 배열될 수 있다. 애퍼처(1460) 및 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 평면에 또는 서로 평행한 평면들에 배열될 수 있다. 예를 들어, 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 후방산란된 전자 검출기 홀더(1450) 상에 지지되고 애퍼처(1460)는 후방산란된 전자 검출기 홀더(1450)에 형성된다. 다른 예에서, 애퍼처(1460)는 광학 축(1103) 상의 위치에 고정될 수 있고 후방산란된 전자 검출기 홀더(1450)는 제1 위치(5452)와 제2 위치(5454) 사이에서 이동가능하다. 광학 축(1103)은 신호 하전 입자 빔(1102)의 광학 축이다. 바람직한 실시예에서, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)이 제1 위치(5452)에 있을 때, 애퍼처(1460)는 광학 축(1103) 상에 배열되고 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 광학 축(1103) 외에 배열된다. 바람직한 실시예에서, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)이 제2 위치(5454)에 있을 때, 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 광학 축(1103) 상에 배열되고 애퍼처(1460)는 광학 축(1103) 외에 배열된다. '광학 축 상에(on the optical axis)'라는 문구는, 적어도 부분적으로, 바람직하게는 실질적으로, 신호 하전 입자 빔(1102)의 위치와 중첩되거나 일치하는 위치로서 이해될 수 있다. '광학 축 외에(off the optical axis)'라는 문구는, 적어도 부분적으로, 바람직하게는 실질적으로, 그리고 훨씬 더 바람직하게는 완전히, 신호 하전 입자 빔(1102)의 위치와 별개이거나 중첩되지 않는 위치로서 이해될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)은 후방산란된 전자 검출기 요소(1470) 및 애퍼처(1460)를 포함한다. 대안적으로, 애퍼처(1460)는 함몰부에 의해 대체될 수 있거나, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)은 신호 전자들 또는 신호 하전 입자 빔(1102)이, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400) 옆을 통과할 수 있을 정도로 충분히 큰 각도로 이동가능할 수 있다.
실시예들에서, 2차 하전 입자 광학 모듈 및/또는 빔 벤더가 존재할 수 있다. 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)은 2차 하전 입자 광학 모듈(1600) 전에 그리고/또는 빔 벤더(1392) 후에 배열될 수 있다. 예를 들어, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)은 2차 하전 입자 광학 모듈(1600)과 빔 벤더(1392) 사이에 배열될 수 있다. 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400), 애퍼처(1460) 및/또는 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 빔 벤더(1392) 후에 또는 하류에 배열될 수 있다. 후방산란된 전자 검출기 모듈은 빔 벤더에 바로 또는 직후에 또는 하류에 배열될 수 있다. 후방산란된 전자 검출기 요소(1470) 및/또는 애퍼처(1460)는 2차 하전 입자 광학 모듈(1600) 전에 또는 상류에 배열될 수 있다. 후방산란된 전자 검출기 모듈은 2차 하전 입자 광학 모듈(1600)에 바로 또는 직전에 또는 상류에 배열될 수 있다. '후/전' 및/또는 '하류/상류(downstream/upstream)'는 신호 하전 입자 빔(1102)의 전파에 관하여 이해될 수 있다. 예를 들어, '하류'는 '후'와 유사한 것으로 그리고 그 반대의 경우도 마찬가지인 것으로 이해될 수 있고, '상류'는 '전'과 유사한 것으로 이해될 수 있다.
이에 따라, 예에서, 2차 하전 입자 광학 모듈(1600) 및/또는 애퍼처(1460)는 제1 위치(5452)에서 기능적 위치에 있다. 다른 예에서, 신호 하전 입자 빔(1102)은 제1 위치(5452)에 있는 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)을 통과한다. 유사하게, 추가의 예에서, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400) 및/또는 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 제2 위치(5454)에서 기능적 위치에 있다. 또 다른 예에서, 신호 하전 입자 빔(1102)은 제2 위치(5454)에 있는 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400) 및/또는 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)에 의해 인터셉트되고/거나 검출된다. 이에 따라, 예에서, 2차 하전 입자 광학 모듈(1600), 애퍼처(1460), 및 빔 벤더(1392)는, 특히 그 순서로, 제1 위치(5452)에서 광학 축(1102) 상에 배열된다. 다른 예에서, 2차 하전 입자 광학 모듈(1600), 후방산란된 전자 검출기 요소(1460), 및 빔 벤더(1392)는, 특히 그 순서로, 제2 위치(5454)에서 광학 축(1102) 상에 배열된다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에서, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400) 및/또는 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 신호 하전 입자 빔(1102)의 최소 단면의 지점에 또는 그 지점에 인접하여 배열가능할 수 있다. 신호 하전 입자 빔(1102)의 최소 단면의 지점은 빔 벤더(1392) 후에 또는 하류에, 특히, 빔 벤더(1392) 바로 후에 있을 수 있다. 실시예들에서, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400) 및/또는 제2 렌즈(1616)를 빔 벤더(1392)에 가능한 한 가깝게 배열하는 것이 유익한 것으로 여겨진다.
위에서 설명된 바와 같은, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400), 예컨대, 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)의 배열은 후방산란된 전자 효율의 양호한 성능을 제공할 수 있다. 예를 들어, 검출 효율은, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400), 예컨대, 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)를 2차 하전 입자 광학 모듈(1600) 후에 또는 하류에 배열하는 것과 비교하여 최대 30%만큼 개선될 수 있다.
도 1은 2차 하전 입자 이미징 시스템의 간략화된 개략적인 측면도를 도시한다. 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 2차 하전 입자 이미징 시스템은 빔 벤더를 포함한다.
빔 벤더(1392)는 신호 하전 입자 빔(1102)을 벤딩하기 위한 것일 수 있다. 빔 벤더(1392)는 부채꼴, 특히, 반구형 부채꼴의 형상 또는 단면을 가질 수 있다. 빔 벤더(1392)는, 빔 벤더(1392)에 진입하는 신호 하전 입자 빔(1102)의 이동 방향이, 빔 벤더(1392)를 떠나는 신호 하전 입자 빔(1102)의 이동 방향과 비교할 때 상이하도록 신호 하전 입자 빔(1102)의 방향을 변경하게 구성될 수 있다. 빔 벤더(1392)는 신호 하전 입자 빔(1102)을 1차 하전 입자 빔(7101)으로부터 더 멀리 지향시키도록 배열될 수 있다. 예를 들어, 빔 벤더(1392)는 신호 하전 입자 빔(1102)을, 특히, 정전 수단에 의해 편향시킬 수 있다. 빔 벤더(1392)는 빔 분리의 수단의 하류에 배열될 수 있다. 빔 분리는 2차 하전 입자 빔으로부터 1차 하전 입자 빔을 분리하기 위한 수단으로서 이해될 수 있다. 2차 하전 입자 빔(1102)은 샘플(7350)로부터 기원하는 하전 입자 빔으로서 이해될 수 있다. 1차 하전 입자 빔(7101)은 샘플(7350) 상에 충돌하는 하전 입자 빔으로서 이해될 수 있다. 빔 벤더는 구형 또는 부채꼴 빔 벤더들일 수 있다. 빔 벤더(1392)는 하전 입자 빔을 편향시키고/거나 무비점수차로(stigmatically) 집속할 수 있다.
실시예들에서, 신호 하전 입자 빔(1102)에 작용하는 빔 벤더(1392)는, 신호 하전 입자 빔(1102)에 대해, 제2 렌즈(1616)의 상류에 배열된다. 도 1의 도면 평면에서, 빔 벤더(1392)는 제2 렌즈(1616)의 우측에 배열된다. 도시된 바와 같이, 신호 하전 입자 빔(1102)은 아래로부터 빔 벤더(1392)에 진입하고 빔 벤더(1392)를 통해 이동한다. 빔 벤더를 빠져나가는 신호 하전 입자 빔(1102)은 실질적으로 수평 방향을 따라 이동한다. 신호 하전 입자 빔(1102)은 빔 벤더(1392)로부터 렌즈 시스템(1610)의 제2 렌즈(1616)로 이동할 수 있다. 도 1에 예시된 바와 같이, 제2 렌즈(1616)는, 신호 하전 입자 빔(1102)에 대해, 빔 벤더(1392) 및/또는 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)의 하류에 배열될 수 있다. 바람직한 실시예에서, 제2 렌즈(1616)는 후방산란된 전자 검출기 모듈을 떠나는 신호 하전 입자 빔(1102)에 작용하는 다음 요소일 수 있다. 본원에 설명된 바와 같은, 2차 하전 입자 빔의 개방 각도는 빔 벤더(1392)를 빠져나가는 신호 하전 입자 빔의 개방 각도일 수 있다.
도 1은 2차 하전 입자 이미징 시스템의 간략화된 개략적인 측면도를 도시한다. 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 2차 하전 입자 이미징 시스템은 2차 하전 입자 광학 모듈을 포함한다.
실시예들에서, 2차 하전 입자 광학 모듈(1600)은 렌즈 시스템(1610)을 포함한다. 렌즈 시스템(1610)은 제1 렌즈(1612) 및 제2 렌즈(1616)를 포함할 수 있다. 제1 렌즈(1612)는 제2 렌즈(1616)로부터 이격될 수 있다. 예를 들어, 제1 렌즈(1612)와 제2 렌즈(1616) 사이의 거리는 40 내지 200 mm 범위에 있을 수 있다.
도 1의 도면 평면과 관련하여, 제1 렌즈(1612) 및/또는 제2 렌즈(1616)는 수직("상하") 방향을 따라 연장된다. 제1 렌즈(1612)는 애퍼처 플레이트(1650)와 제2 렌즈(1616) 사이에 배열될 수 있다.
도 1의 도면 평면에서, 신호 하전 입자 빔(1102)은 우측으로부터 좌측으로 이동한다. 신호 하전 입자 빔(1102)은 제2 렌즈(1616)의 우측으로부터 렌즈 시스템(1610)의 제2 렌즈(1616)에 진입한다. 도 1에 도시된 신호 하전 입자 빔(1102)은 제2 렌즈(1616)를 통해 그리고 후속하여 렌즈 시스템(1610)의 제1 렌즈(1612)를 통해 이동한다. 도시된 바와 같이, 렌즈 시스템(1610)을 통해 이동하는 신호 하전 입자 빔(1102)은 실질적으로 광학 축(1103)을 따라 이동한다.
제1 렌즈(1612) 및/또는 제2 렌즈(1616)는 신호 하전 입자 빔(1102)을 성형, 집속 및/또는 탈집속(defocusing)하도록 적응될 수 있다. 제1 렌즈(1612) 및/또는 제2 렌즈(1616)는 신호 하전 입자 빔(1102)의 개방 각도를 조정하도록 적응될 수 있다. 신호 하전 입자 빔(1102)은 원하는 대로 발산 또는 수렴하게 될 수 있다. 이에 따라, 검출기 배열(1900)에 의한 신호 하전 입자들의 수집 효율이 개선될 수 있다. 신호 하전 입자 빔(1102)의 개방 각도는, 신호 하전 입자 빔(1102)의 전파에 대해, 렌즈 시스템(1610)의 상류에 배열된 빔 벤더를 빠져나가는 신호 하전 입자 빔(1102)의 개방 각도일 수 있다.
렌즈 시스템(1610)은 신호 하전 입자 빔(1102)의 1개 또는 2개의 교차를 제공하도록 적응될 수 있다. 대안적으로, 렌즈 시스템(1610)은 신호 하전 입자 빔이 교차 없이 렌즈 시스템(1610)을 통과하는 것을 허용하도록 적응될 수 있다.
제1 렌즈(1612)는 정전 렌즈 부분 및/또는 자기 렌즈 부분을 포함할 수 있다. 제1 렌즈(1612)는 정전 렌즈 부분 및 자기 렌즈 부분 양쪽 모두를 포함하는 복합 렌즈일 수 있다. 유사하게, 제2 렌즈(1616)는 정전 렌즈 부분 및/또는 자기 렌즈 부분을 포함할 수 있다. 제1 렌즈(1612)의 정전 렌즈 부분 및/또는 제2 렌즈(1616)의 정전 렌즈 부분은 신호 하전 입자 빔을 성형, 집속 및/또는 탈집속하도록 적응될 수 있다. 제1 렌즈(1612) 및/또는 제2 렌즈(1616)의 자기 렌즈 부분은 대물 렌즈의 라머(Larmor) 회전을 보상하도록 적응될 수 있다.
제2 렌즈(1616)를 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400) 및/또는 빔 벤더(1392)에 가능한 한 가깝게 배열하는 것이 유익한 것으로 여겨진다. 또한, 제1 렌즈(1612)를 빔 벤더(1392)로부터 충분히 더 멀리 배열하는 것이 유익한 것으로 여겨진다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)과 제2 렌즈(1616) 사이의 거리는 60 mm 이하, 특히 45 mm 이하, 더 특히 35 mm 이하이다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 빔 벤더(1392)와 제1 렌즈(1612) 사이의 거리는 50 mm 이상, 더 특히 100 mm 이상, 예를 들어, 115 mm 이상이다.
제1 렌즈(1612)는 자기장을 생성하도록 적응된 제1 자기 렌즈 부분(1614)을 포함할 수 있다. 제1 자기 렌즈 부분(1614)은 자기장을 생성하기 위한 코일을 포함할 수 있다. 제1 자기 렌즈 부분(1614)은 철 클래딩(cladding)을 가질 수 있다. 유사하게, 제2 렌즈(1616)는 제2 자기 렌즈 부분(1618)을 포함할 수 있다. 제2 자기 렌즈 부분(1618)은 제1 자기 렌즈 부분(1614)과 비교하여 유사한 구성요소들을 포함할 수 있다. 제1 자기 렌즈 부분(1614) 및/또는 제2 자기 렌즈 부분(1618)은 신호 하전 입자 빔(1102)의 라머 회전을 보상하도록 적응될 수 있다. 라머 회전은 하전 입자 빔 디바이스의 대물 렌즈에 의해 생성된 자기장, 예를 들어, 자기장(도 1에 도시되지 않음)의 강도의 변동으로 인해 신호 하전 입자 빔(1102)에 도입될 수 있다. 제1 자기 렌즈 부분(1614) 및/또는 제2 자기 렌즈 부분(1618)은 신호 하전 입자 빔(1102)을 회전시키도록 적응될 수 있다. 신호 하전 입자 빔(1102)의 회전은 애퍼처 플레이트(1650)에 의해 한정된 광학 축(1103) 주위의 회전일 수 있고, 시계 방향 또는 반시계 방향 회전일 수 있다. 제1 자기 렌즈 부분(1614)은 신호 하전 입자 빔(1102)을 제1 각도(A1)만큼 회전시키도록 적응될 수 있다. 제1 각도(A1)는 -45 내지 45 도의 범위에 있을 수 있다. 이에 따라, -45 내지 45 도의 라머 회전은 제1 자기 렌즈 부분에 의해 보상될 수 있다. 제2 자기 렌즈 부분(1618)은 신호 하전 입자 빔(1102)을 제2 각도(A2)만큼 회전시키도록 적응될 수 있다. 제2 각도(A2)는 -45 내지 45 도의 범위에 있을 수 있다. 이에 따라, -45 내지 45 도의 라머 회전은 제2 자기 렌즈 부분에 의해 보상될 수 있다. 제1 렌즈가 제1 자기 렌즈 부분을 포함하고 제2 렌즈가 제2 자기 렌즈 부분을 포함하는 렌즈 시스템, 예컨대, 예를 들어, 도 1에 도시된 렌즈 시스템(1610)은 -|A1|-|A2| 내지|A1|+|A2|의 범위에 있는 총 각도만큼 신호 하전 입자 빔을 회전시키도록 적응될 수 있고, 여기서 |A1| 및 |A2|는, 각각, A1 및 A2의 절대 값들을 나타낸다. 이에 따라, -|A1|-|A2| 내지 |A1|+|A2|의 범위에 있는 라머 회전은 렌즈 시스템에 의해 보상될 수 있다. 예를 들어, -90 내지 90 도의 라머 회전은 보상될 수 있다.
제1 렌즈에 포함된 제1 자기 렌즈 부분 및/또는 제2 렌즈에 포함된 제2 자기 렌즈 부분을 이용하여 신호 하전 입자 빔의 라머 회전을 보상하는 것의 장점은, 라머 회전을 보상하기 위한 검출기 배열 및/또는 애퍼처 플레이트의 기계적 회전이 요구되지 않는다는 점이다.
제1 렌즈(1612)는 정전 렌즈 부분(도시되지 않음) 및 제1 자기 렌즈 부분(1614)을 포함하는 복합 렌즈일 수 있다. 정전 렌즈 부분은 포함하지만 제1 자기 렌즈 부분은 포함하지 않는 제1 렌즈와 비교하여, 복합 렌즈는 2차 하전 입자 빔에 영향을 주기 위한 추가적인 자유도를 제공한다. 특히, 제1 자기 렌즈 부분(1614)에 의해 제공되는 2가지의 그러한 추가적인 자유도는 제1 자기 렌즈 부분(1614)에 포함된 코일을 통과하는 전류의 크기 및 방향을 포함할 수 있다. 유사한 고려사항들이 제2 렌즈가 복합 렌즈인 실시예들에 적용된다.
제1 자기 렌즈 부분(1614)에 의해 생성된 자기장은 애퍼처 플레이트(1650) 상으로의 신호 하전 입자 빔(1102)의 집속에 영향을 줄 수 있다. 그러한 집속 효과는 제1 렌즈(1612)의 정전 렌즈 부분의 여기를 적절한 값으로 설정함으로써 보상되거나 더 확대될 수 있다. 예를 들어, 집속 효과는 정전 렌즈 부분의 굴절력을 감소시키거나 증가시킴으로써 영향을 받을 수 있다. 이에 따라, 신호 하전 입자 빔(1102)은 원하는 방식으로 성형, 집속 및/또는 탈집속될 수 있다. 이에 따라, 제1 자기 렌즈 부분(1614)과 정전 렌즈 부분의 조합된 작용을 통해, 제1 렌즈(1612)는 대물 렌즈의 라머 회전을 보상하고/거나 신호 하전 입자 빔(1102)을 성형, 집속 및/또는 탈집속하도록 구성될 수 있다. 유사한 고려사항들이 제2 렌즈가 복합 렌즈인 실시예들에 적용된다.
제1 렌즈(1612) 및 제2 렌즈(1616) 양쪽 모두가 자기 렌즈 부분을 포함하는, 도 1의 예시에 대한 대안으로서, 본원에 설명된 다른 실시예들에 따르면, 제1 렌즈(1612) 및 제2 렌즈(1616) 중 하나만이, 라머 회전을 보상하기 위한 자기 렌즈 부분을 포함하는 것일 수 있다. 실시예들에 따르면, 제1 렌즈 및 제2 렌즈 중 적어도 하나는 대물 렌즈의 라머 회전을 보상하기 위한 자기 렌즈 부분을 포함한다.
본원에 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또 다른 실시예들에 따르면, 제1 렌즈 및 제2 렌즈는 정전 렌즈 부분을 포함하거나 정전 렌즈 부분으로 구성된다. 예를 들어, 제1 렌즈 및 제2 렌즈는 자기 렌즈 부분을 포함하지 않는다. 특히 그러한 실시예들에 대한 선택적인 수정으로서, 라머 회전은 코일, 예를 들어, 라머 회전 코일에 의해 제공되거나 보상될 수 있다. 예를 들어, 라머 회전 코일은 제1 렌즈 및/또는 제2 렌즈의 하류에 있을 수 있다.
실시예들에 따르면, 2차 하전 입자 광학 모듈(1600)은 제어기(1630)를 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 제어기(1630)는 제1 렌즈(1612)의 여기 및 제2 렌즈(1616)의 여기를 제어하도록 구성될 수 있다. 제1 렌즈(1612)의 여기를 제어하는 것은 제1 렌즈(1612)의 정전 렌즈 부분의 여기를 제어하는 것 및/또는 제1 렌즈(1612)의 자기 렌즈 부분의 여기를 제어하는 것을 포함할 수 있다. 유사한 고려사항들이, 제2 렌즈(1616)가 정전 및/또는 자기 렌즈 부분을 포함하는 경우에 적용된다.
제1 렌즈(1612)의 정전 렌즈 부분은 전기장을 생성하기 위한 하나 이상의 전극을 포함할 수 있다. 전기장을 생성하기 위한 전극들에 전위가 인가될 수 있다. 전기장은 제어기(1630)의 제어 하에서 생성될 수 있다. 특히, 전기장의 강도는 제어기(1630)의 제어에 의해 제어되고, 결정되고, 그리고/또는 제어기의 제어 하에서 조정될 수 있다. 제1 렌즈(1612)의 자기 렌즈 부분은 자기장을 생성하기 위한 하나 이상의 코일을 각각 포함할 수 있다. 전류는 자기장을 생성하기 위한 코일들을 통과할 수 있다. 자기장은 제어기(1630)의 제어 하에서 생성될 수 있다. 특히, 자기장의 강도뿐만 아니라, 코일들을 통과하는 전류 방향에 의해 결정되는 자기장 방향도 제어기(1630)의 제어에 의해 제어되고, 결정되고, 그리고/또는 제어기의 제어 하에서 조정될 수 있다. 유사한 고려사항들이, 제2 렌즈(1616)에 포함된 정전 렌즈 부분 및/또는 자기 렌즈 부분에 적용된다. 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 제1 렌즈는 정전 렌즈 부분, 자기 렌즈 부분, 또는 양쪽 모두, 즉, 정전 렌즈 부분 및 자기 렌즈 부분을 포함할 수 있다. 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 제2 렌즈는 정전 렌즈 부분, 자기 렌즈 부분, 또는 양쪽 모두, 즉, 정전 렌즈 부분 및 자기 렌즈 부분을 포함할 수 있다. 제1 및/또는 제2 렌즈에 대해, 즉, 정전 렌즈 부분 및 자기 렌즈 부분을 갖는, 조합된 정전 자기 렌즈를 제공하는 것은, 특히 라머 회전에 대해, 신호 하전 입자 빔을 조정하는 데에 있어서 증가된 자유도를 허용할 수 있다.
제어기(1630)는 제1 렌즈(1612) 및 제2 렌즈(1616)의 여기를 독립적으로 제어하도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 제어기(1630)는 제2 렌즈(1616)에 의한 신호 하전 입자 빔(1102)의 집속, 탈집속 및/또는 성형을 제어하는 것과 독립적으로 제1 렌즈(1612)에 의한 신호 하전 입자 빔(1102)의 집속, 탈집속 및/또는 성형을 제어하는 것을 허용할 수 있다. 제1 렌즈(1612) 및 제2 렌즈(1616)의 여기들을 독립적으로 제어하는 것은, 2차 하전 입자 이미징 시스템의 토포그래피 검출 모드에서, 신호 하전 입자 빔(1102)의 제1 서브 빔이 제1 개구부(1653)를 통과하고 제1 검출 요소(1970)에 의해 검출되며, 신호 하전 입자 빔(1102)의 중심 서브 빔이 중심 개구부(1655)를 통과하고 중심 검출 요소(1950)에 의해 검출되며, 신호 하전 입자 빔(1102)의 제2 서브 빔이 제2 개구부(1657)를 통과하고 제2 검출 요소(1930)에 의해 검출되는 것을 제공한다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제어기(240)는 제1 렌즈(1612) 및 제2 렌즈(1616)의 여기들을 적응시킴으로써 토포그래피 검출 모드와 명시야 검출 모드 사이에서 스위칭하도록 구성될 수 있다. 제1 순간에, 제1 렌즈(1612) 및 제2 렌즈(1616)의 여기들은 토포그래피 검출 모드에서 신호 하전 입자 빔(1102)을 이미징하기 위해 제어기(1630)의 제어 하에서 제1 구성으로 설정될 수 있다. 제2, 예를 들어, 나중의 순간에, 제1 렌즈(1612) 및 제2 렌즈(1616)의 여기들은 명시야 검출 모드에서 신호 하전 입자 빔(1102)을 이미징하기 위해 제어기(1630)의 제어 하에서 제2 구성으로 설정될 수 있다. 이에 따라, 시스템의 융통성이 향상된다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 2차 하전 입자 이미징 시스템은, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)을 제1 위치(5452)와 제2 위치(5454) 사이에서 각각 회전시킴으로써 2차 하전 입자 검출 모드와 후방산란된 전자 검출 모드 사이에서 스위칭하도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 시스템의 융통성이 더 향상된다.
토포그래피 검출 모드에 따라서만 또는 명시야 검출 모드에 따라서만 작동하도록 구성된 시스템과 비교하여, 토포그래피 검출 모드와 명시야 검출 모드 사이에서 스위칭하도록 구성된 제어기를 갖는 것의 장점은, 예를 들어, 토포그래피 정보, 샘플 상의 결함들, 샘플의 화학적 구성성분들 등에 관련된, 샘플의 다수의 양상들이 단일 시스템에 의해 분석될 수 있다는 점이다.
도 1은 2차 하전 입자 이미징 시스템의 간략화된 개략적인 측면도를 도시한다. 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 2차 하전 입자 이미징 시스템은 애퍼처 플레이트를 포함한다.
애퍼처 플레이트(1650)는 제1 개구부(1653), 중심 개구부(1655) 및/또는 제2 개구부(1657)를 포함할 수 있다. 제1 개구부(1653)는 제2 개구부(1657)로부터 이격될 수 있다. 애퍼처 플레이트(1650)는 제1 렌즈(1612) 및/또는 제2 렌즈(1616)에 평행하게 배열되고/거나 그로부터 이격될 수 있다. 제1 개구부(1653)는 수직 방향에 대하여 애퍼처 플레이트(1650)의 상부 부분에 형성될 수 있다. 중심 개구부(1655)는 애퍼처 플레이트(1650)의 중심 부분에 형성될 수 있다. 제2 개구부(1657)는 애퍼처 플레이트(1650)의 하부 부분에 형성될 수 있다. 애퍼처 플레이트(1650)는 광학 축(1103)을 한정할 수 있다. 예에서, 애퍼처 플레이트(1650)의 중심과 제1 렌즈(1612)의 중심 사이의 거리는 40 내지 200 mm의 범위에 있을 수 있다.
애퍼처 플레이트(1650), 제1 렌즈(1612) 및/또는 제2 렌즈(1616)는 검출기 배열(1900)에 의해 한정된 평면에 평행할 수 있다.
제1 개구부(1653), 중심 개구부(1655), 및 제2 개구부(1657)에 추가적으로, 애퍼처 플레이트(1650)는 추가의 개구부들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 애퍼처 플레이트(1650)는 5개의 개구부들을 포함할 수 있다. 제1 개구부(1653), 제2 개구부(1657), 및 임의의 추가의 개구부들은 애퍼처 플레이트(1650)가 광학 축(1103)에 대해 4중 회전 대칭을 갖도록 광학 축(1103) 주위에 위치될 수 있다. 제1 개구부(1653), 제2 개구부(1657), 및 임의의 추가의 개구부들은 광학 축(1103)에 대해 방사상 외측 개구부들일 수 있다. 예에서, 중심 개구부(1655)의 직경 또는 대응하는 치수는 1 mm 내지 4 mm일 수 있다. 다른 예에서, 제1 개구부(1653), 제2 개구부(1657), 및/또는 추가의 개구부들은 3 mm 내지 15 mm 범위의 직경 또는 대응하는 치수를 가질 수 있다. 또 다른 예에서, 제1 개구부의 중심과 제2 개구부의 중심 사이의 거리는 4 내지 15 mm 범위에 있을 수 있다.
애퍼처 플레이트(1650)는 정수 N개의 추가의 개구부들을 포함할 수 있고, 여기서 제1 개구부(1653), 제2 개구부(1657), 및 N개의 추가의 개구부들은, 애퍼처 플레이트(1650)가 애퍼처 플레이트(1650)의 광학 축(1650)에 대해 N+2중 회전 대칭을 갖도록 애퍼처 플레이트(1650)의 광학 축(1103) 주위에 위치된다.
또 다른 예에서, 애퍼처 플레이트는 5 mm 이상의 두께를 가질 수 있고, 더 특히, 두께는 10 mm 내지 20 mm일 수 있다. 애퍼처 플레이트의 두께는 애퍼처 플레이트의 축 방향 및/또는 애퍼처 플레이트에 의해 한정되는 광학 축에 평행한 방향에서의 두께일 수 있다. 10 mm 내지 20 mm의 두께를 갖는 것은, 신호 하전 입자 빔의 서브 빔들의 증가된 분리를 제공할 수 있다. 증가된 분리는 검출 요소들이, 예를 들어, 제1 검출 요소, 제2 검출 요소 및/또는 중심 검출 요소가, 5 mm 직경을 갖는 표준 핀 다이오드들일 수 있는 검출기 배열의 활용을 허용한다. 이에 따라, 검출기 배열의 실현가능한 설계가 제공될 수 있다. 또한, 애퍼처 플레이트와 검출기 배열 사이에서 생성되는 가속 필드의 도달범위가 애퍼처 플레이트의 두께에 의해 영향을 받는다는 사실을 고려하면, 감소된 작동 전압은 적어도 5 mm의 애퍼처 플레이트의 최소 두께를 갖는 것으로부터의 유익한 부작용이다. 이에 따라, 더 양호한 높은 전압 내성, 신뢰성 및 안정성이 제공될 수 있다.
2차 하전 입자 빔의 전파에 관하여, 애퍼처 플레이트는 검출기 배열의 상류에 배열된다.
도 1은 2차 하전 입자 이미징 시스템의 간략화된 개략적인 측면도를 도시한다. 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 2차 하전 입자 이미징 시스템은 하나 이상의 편향 요소를 포함한다.
하나 이상의 편향 요소는 신호 하전 입자 빔(1102)에 영향을 주도록 구성될 수 있다. 하나 이상의 편향 요소를 제공함으로써, 신호 하전 입자 빔(1102)이 샘플로부터 검출기 배열(1900)로 전달될 때, 신호 하전 입자들에 의해 반송되는 정보가 더 쉽게 보존된다. 도시된 바와 같이, 제1 편향 요소(1720) 및 제2 편향 요소(1710)는 빔 벤더(1392)와 검출기 배열(1900) 사이에 배열될 수 있다. 대안적인 실시예들에 따르면, 2차 하전 입자 이미징 시스템은 제2 편향 요소(1710) 없이 제1 편향 요소(1720)를 포함할 수 있거나 그 반대일 수 있거나, 빔 벤더(1392)와 검출기 배열(1900) 사이에 배열된 추가적인 편향 요소들을 포함할 수 있다. 제3 편향 요소(도시되지 않음)가 빔 벤더(1392)와 제2 렌즈(1616) 사이에 제공될 수 있다. 대안적으로, 제3 편향 요소는, 신호 하전 입자 빔(1102)에 대해, 빔 벤더(1392)의 상류에 제공될 수 있다. 예를 들어, 제3 편향 요소는, 본원에 설명된 바와 같이, 빔 분리기와 빔 벤더 사이에 제공될 수 있다. 제3 편향 요소는 검출기 배열 상에서의 신호 하전 입자 빔의 정렬 및/또는 이미징을 개선한다. 이에 따라, 신호 생성, 및 그에 따른 콘트라스트가 개선될 수 있다. 개선된 신호 생성은, 특히, EBI 응용들에 대해, 더 양호한 처리량을 초래한다. 제3 편향 요소는, 빔 벤더(1392)를 떠나는 신호 하전 입자 빔(1102)이 통과하는 다음 편향 요소일 수 있다. 제3 편향 요소는, 신호 하전 입자 빔(1102)에 대해, 빔 벤더(1392) 또는 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400) 바로 하류에 배열될 수 있다. 대안적으로, 제3 편향 요소는 제1 렌즈(1612)와 검출기 배열(1900) 사이에 제공될 수 있다. 위에 설명된 바와 같이, 제3 편향 요소를 빔 벤더와 제2 렌즈 사이에 또는 제1 렌즈와 검출기 배열 사이에 제공하는 것은, 제3 편향 요소에 대한 잠재적 공간 제약이, 예를 들어, 제3 편향 요소가 빔 분리기와 빔 벤더 사이에 위치되는 것(신호 하전 입자 빔과 1차 하전 입자 빔 사이의 불충분한 분리)에 비해 중요하지 않다는 장점을 갖는다. 빔 분리기와 빔 벤더 사이에 제3 편향 요소를 배열하는 것은 신호 하전 입자 빔의 개선된 반주사(anti-scanning)를 제공할 수 있다. 특히, 시야의 중심에서 시작하는 신호 하전 입자 빔의 축에 대한 축외 위치로부터 나오는 신호 하전 입자 빔의 편차들이 더 쉽게 보상될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 제2 편향 요소(1710)는 제1 렌즈(1612)와 제2 렌즈(1616) 사이에 배열될 수 있다. 제2 편향 요소(1710)는 제2 렌즈(1616)로부터 제1 렌즈(1612)로 이동하는 신호 하전 입자 빔(1102)에 영향을 줄 수 있다. 제1 편향 요소(1720)는 애퍼처 플레이트(1650)와 제1 렌즈(1612) 사이에 배열될 수 있다. 제1 편향 요소(1720)는 제1 렌즈(1612)로부터 애퍼처 플레이트(11650)로 이동하는 신호 하전 입자 빔(1102)에 영향을 줄 수 있다. 제1 편향 요소(1720) 및/또는 제2 편향 요소(1710)는 도 1에 예시된 바와 같이 광학 축(1103)에 정렬될 수 있다. 광학 축(1103)은 제1 편향 요소(1720)를 통해 그리고/또는 제2 편향 요소(1710)를 통해 길이방향으로 연장될 수 있다.
신호 하전 입자 빔에 영향을 주기 위한 편향 요소, 예컨대, 예를 들어, 도 1에 도시된 제1 편향 요소(1720) 및/또는 제2 편향 요소(1710)는 정전 편향 부분 및/또는 자기 편향 부분을 포함할 수 있다. 정전 편향 부분은 정전 쌍극자, 사중극자 또는 더 고차의 다중극자 요소를 포함할 수 있다. 자기 편향 부분은 자기 쌍극자, 사중극자 또는 더 고차의 다중극자 요소를 포함할 수 있다. 편향 요소는 애퍼처 플레이트에 의해 한정된 광학 축의 대향 측들 상에 배열되고/거나 신호 하전 입자 빔의 대향 측들 상에 배열되는 2개의 편향 플레이트들을 포함할 수 있다. 2개의 방향들로의 편향을 위해, 2개의 수직 쌍극자 필드들이 제공될 수 있거나 2개의 편향기들이 제공될 수 있고, 2개의 편향기들은 2개의 편향기들의 작동에 따라 회전될 수 있는 하나의 쌍극자 필드를 허용하도록 작동될 수 있다. 예를 들어, 2개의 편향기들의 개별 필드들은 개별적으로, 70 ° 내지 110 °, 예컨대, 90 °의 각도를 에워쌀 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 편향 요소(1720) 및/또는 제2 편향 요소(1710)는 각각, 신호 하전 입자 빔을 제1 방향으로 편향시키기 위한 2개의 편향 플레이트들을 포함할 수 있다.
신호 하전 입자 빔에 영향을 주기 위한 편향 요소는, 예를 들어, 명시야 검출 모드에서, 신호 하전 입자 빔을 애퍼처 플레이트의 광학 축과 정렬시키도록 적응될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 편향 요소, 예를 들어, 본원에 설명된 바와 같은 제3 편향 요소는 신호 하전 입자 빔을 반주사하도록 적응될 수 있다. 신호 하전 입자 빔은, 1차 하전 입자 빔이 샘플에 걸쳐 주사되는 하전 입자 빔 디바이스에서 반주사될 수 있다. 샘플에 걸쳐 1차 하전 입자 빔을 주사하는 것은 신호 하전 입자 빔의 원치 않는 편향을 제공할 수 있고, 여기서, 검출기 배열에 충돌하는 신호 하전 입자 빔의 위치 및/또는 애퍼처 플레이트에 대한 신호 하전 입자 빔의 위치는 샘플에 걸쳐 주사되는 1차 하전 입자 빔 위치에 의존할 수 있다. 이러한 의존성은 불량한 검출 품질 및 흐린 이미지로 이어질 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 제1 편향 요소(1720)에 의한 그리고/또는 제2 편향 요소(1710)에 의한 신호 하전 입자 빔의 반주사는, 1차 하전 입자 빔을 주사하는 것으로부터 초래되는 신호 하전 입자 빔의 편향을 보상할 수 있고/거나 신호 하전 입자 빔을, 샘플에 걸쳐 주사되는 1차 하전 입자 빔의 위치에 관계없이, 타겟 축, 예를 들어, 애퍼처 플레이트에 의해 한정된 광학 축과 정렬시킬 수 있다. 이에 따라, 신호 하전 입자 빔의 축외 수차들이 회피될 수 있다. 신호 하전 입자 빔의 반주사는, 큰 시야를 갖는 하전 입자 빔 디바이스에 특히 유익할 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 하전 입자 빔 디바이스의 시야는 500 ㎛ 이상일 수 있다.
편향 요소를 이용하여 신호 하전 입자 빔의 반주사를 제공하기 위해, 편향 요소에 편향 전압이 인가될 수 있다. 편향 전압은 1차 하전 입자 빔의 주사로부터 초래되는 신호 하전 입자 빔의 편향을 보상하기 위해 1차 하전 입자 빔의 주사와 동기화될 수 있다.
신호 하전 입자 빔을 반주사하도록 구성된 편향 요소는, 신호 하전 입자 빔에 대하여, 애퍼처 플레이트의 상류에, 제1 렌즈의 상류에, 그리고/또는 제1 렌즈와 제2 렌즈 사이에 배열될 수 있다. 애퍼처 플레이트의 하류에서 신호 하전 입자 빔을 반주사하는 것과 비교하여, 애퍼처 플레이트의 상류에서의 반주사는, 신호 하전 입자 빔이 타겟 축과 더 용이하게 정렬될 수 있다는 장점을 갖는다. 또한, 에너지 필터가, 광학 축(1103)에 대한 신호 하전 입자 빔의 위치에 대해 증가된 감도를 갖기 때문에, 애퍼처 플레이트의 상류에서의 반주사는 에너지 필터가 애퍼처 플레이트에 제공되는 시스템들에 유리할 수 있다.
도 1은 2차 하전 입자 이미징 시스템의 간략화된 개략적인 측면도를 도시한다. 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 2차 하전 입자 이미징 시스템은 검출기 배열을 포함한다.
검출기 배열(1900)은 제1 검출 요소(1970), 중심 검출 요소(1950), 및/또는 제2 검출 요소(1930)를 포함할 수 있다. 제2 검출 요소(1930)는 제1 검출 요소(1970)로부터 이격될 수 있다. 제1 검출 요소(1970), 중심 검출 요소(1950), 및/또는 제2 검출 요소(1930)는 검출기 배열(1900)의 홀더에 의해 지지될 수 있다. 홀더는 제1 검출 요소(1970), 중심 검출 요소(1950), 및/또는 제2 검출 요소(1930)가 부착될 수 있는 홀더 플레이트를 포함할 수 있다. 도 1에 예시된 바와 같이, 제1 검출 요소(1970), 중심 검출 요소(1950), 및/또는 제2 검출 요소(1930)는, 각각, 수직 방향에 대해, 검출기 배열(1900)의 상부, 중심, 및/또는 하부 부분에 배열될 수 있다. 제1 검출 요소(1970) 및 제1 개구부(1653)는 광학 축(1102)을 포함하는 기준 평면의 제1 측 상에 배열될 수 있다. 제2 검출 요소(1930) 및 제2 개구부(1657)는 기준 평면의 제2 측 상에 배열될 수 있고, 여기서 제2 측은 제1 측에 대향한다.
제1 검출 요소(1970), 중심 검출 요소(1950), 및 제2 검출 요소(1930)에 추가적으로, 검출기 배열(1900)은 추가의 검출 요소들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 검출기 배열(1900)은 5개의 검출 요소들, 및/또는 애퍼처 플레이트(1650)에 제공된 개구부들의 개수와 동일한 개수의 검출 요소들을 포함할 수 있다. 검출 요소들 각각은 애퍼처 플레이트(1650)의 하나의 대응하는 개구부와 연관될 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 검출기 배열(1900)은 정수 N개의 추가의 검출 요소들을 포함하고, 정수 N은 영이거나 영보다 크다.
예를 들어, 검출기 배열(1900)의 검출 요소, 예컨대, 제1 검출 요소(1970), 중심 검출 요소(1950), 및/또는 제2 검출 요소(1930)는, 예를 들어, 핀 다이오드 검출기 또는 신틸레이터 검출기(scintillator detector)일 수 있다. 특히 EBI 응용들의 경우, 매우 빠른 센서들에 대한 필요성을 초래하는 높은 처리량이 요구된다. 이에 따라, 핀 다이오드 검출기들이 사용될 수 있다. 획득가능한 대역폭은 핀 다이오드 검출기의 크기에 의존할 수 있다. 1 ㎟ 이하의 센서 영역이 활용될 수 있다.
검출기 배열(1900)의 제1 검출 요소(1970), 중심 검출 요소(1950), 제2 검출 요소(1930), 및/또는 추가의 검출 요소들은 서로 공간적으로 분리될 수 있는 개별 검출기들일 수 있다. 검출기 배열의 검출 요소들에 의해 획득된 개별 신호들은 콘트라스트를 향상시키기 위해 조합(예를 들어, 감산)될 수 있다. 예를 들어, 서로 근접하여 배열되는 검출 요소들, 예를 들어, 분할된 핀 다이오드들과 비교하여, 공간적으로 분리된 검출 요소들을 갖는 것은 활성 세그먼트들을 분리시키는 핀 다이오드 영역에 관련된 문제들(예를 들어, 대전, 신호 손실, 누화)이 더 쉽게 극복될 수 있다는 장점을 제공한다. 또한, 공간적으로 분리된 검출 요소들은 덜 비싸고, 더 짧은 개발 사이클, 센서 설계에서의 개선된 유연성 및/또는 상용화까지의 더 빠른 시간을 갖는다.
제1 검출 요소와 제2 검출 요소 사이의 거리는 1 내지 20 mm 범위에 있을 수 있다. 제1 검출 요소와 중심 검출 요소 사이의 거리는 1 내지 14 mm 범위에 있을 수 있다.
예를 들어, 명시야 검출기와 비교하여, 본원에 설명된 바와 같은, 다수의 검출 요소들을 포함하는 검출기 배열(1900)은, 예를 들어, 물리적 결함들로부터 초래되는, 샘플의 토포그래피의 변화들에 대해 향상된 감도를 제공한다. 다수의 검출 요소들은, 샘플에서의 출발 각도들의 특정 범위들 내의 2차 하전 입자들만을 수집할 수 있다. 이에 따라, 예를 들어, 결함 검사 툴들 및 검토 툴들 또는 임계 치수 툴들에 대한, 검사된 피처들 및/또는 결함들의 향상된 콘트라스트가 제공될 수 있다.
검출기 배열(1900)은 통합형 검출기 배열일 수 있다. 제1 검출 요소(1970), 중심 검출 요소(1950), 및/또는 제2 검출 요소(1930)는 검출기 배열 내로 통합될 수 있다. 검출기 배열(1900)의 검출 요소들은 통합형 검출기 배열에서 서로 분리될 수 있다. 검출기 배열(1900)의 검출 요소들은 검출기 배열(1900) 내에 또는 검출기 배열(1900)에 고정적으로 위치될 수 있다. 검출기 배열(1900)의 검출 요소들은 검출기 배열(1900)의 홀더 또는 홀더 플레이트 상에 고정될 수 있다.
도 1은 2차 하전 입자 이미징 시스템의 간략화된 개략적인 측면도를 도시한다. 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 2차 하전 입자 이미징 시스템은 신호 하전 입자 빔(1102) 및/또는 광학 축(1103)을 포함한다.
광학 축(1103)은 애퍼처 플레이트(230)의 중심을 통해 연장될 수 있다. 도 1의 도면 평면에 대하여, 광학 축(1103)은 수직 방향에 수직인 수평("좌측-우측") 방향을 따라 연장된다. 도시된 바와 같이, 신호 하전 입자 빔(1102)은 광학 축(1103)을 따라 이동할 수 있다. 대안적으로, 또는 추가적으로, 광학 축(1103)은 신호 하전 입자 빔(1102), 2차 하전 입자 광학 모듈(1600), 애퍼처 플레이트(1650), 및/또는 검출기 배열(1900)의 것일 수 있다.
광학 축(1103)은 중심 검출 요소(1950)를 통해 연장될 수 있다. 광학 축(1103)은 애퍼처 플레이트(1650)에 의해 한정된 평면에, 제1 렌즈(1612)에 의해 한정된 평면에, 및/또는 제2 렌즈(1616)에 의해 한정된 평면에 수직이거나 실질적으로 수직일 수 있다. "실질적으로 수직"이라는 용어는 90 내지 110 도의 각도를 지칭할 수 있다. 광학 축(1103)은 애퍼처 플레이트(1650), 제1 렌즈(1612) 및/또는 제2 렌즈(1616)의 대칭 축일 수 있다. 광학 축(1103)은 애퍼처 플레이트(1650), 제1 렌즈(1612) 및/또는 제2 렌즈(1616)의 대칭 축일 수 있다.
도 2는 본원에 설명된 실시예들에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템의 간략화된 개략적인 상면도를 도시한다. 도 2에 예시된 바와 같이, 하우징(2220)이 제공될 수 있다. 하우징(2220)은 신호 하전 입자 빔(1102)에게 진공 격납 및/또는 진공 상태를 제공할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 하우징(2220)은 2차 하전 입자 이미징 시스템의 적어도 일부 요소들, 예컨대, 빔 벤더(1392), 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400), 및 2차 하전 입자 광학 모듈(1600)을 수납할 수 있다. 이에 따라, 빔 벤더(1392), 후방산란된 전자 검출기 홀더(1450), 후방산란된 전자 검출기 요소(1470), 애퍼처(1460), 및/또는 2차 하전 입자 광학 모듈(1600)이 하우징(2220) 내에 배열될 수 있다. 바람직한 실시예에서, 빔 벤더(1392)는 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)의 상류에 배열되고, 이는 차례로, 2차 하전 입자 광학 모듈(1600)의 상류에 배열된다.
실시예들에 따르면, 암(2420), 예를 들어, 강성 암이 제공될 수 있다. 암(2420)은 후방산란된 전자 검출기 홀더(1450), 후방산란된 전자 검출기 요소(1470), 및/또는 애퍼처(1460)에 연결되고/거나 이를 지지할 수 있다. 암은 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)에 포함될 수 있다. 예에서, 암(2420)은 하우징(2220) 내로 연장되고, 하우징(2220) 외부로 연장되고, 그리고/또는 하우징(2220)의 측을 통해 연장된다. 암(2420)은 회전가능할 수 있다. 암(2420)은 축을 중심으로 회전할 수 있다. 축은 하우징(2220) 내부에 배열될 수 있다. 축은 하우징(2220)의 중심보다 하우징(2220)의 측에 더 가까울 수 있다. 이에 따라, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400), 후방산란된 전자 검출기 홀더(1450), 애퍼처(1460), 및/또는 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 축을 중심으로 회전가능할 수 있다.
도 3은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 후방산란된 전자 검출기 모듈 및 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈의 간략화된 개략적인 측면도를 도시한다. 실시예들에 따르면, 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440), 베어링 모듈(3260), 힌지 조인트 슬롯(3424), 힌지 조인트 핀(3422), 및/또는 가요성 인클로저(3430)가 제공될 수 있다.
실시예들에 따르면, 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440)은, 예를 들어, 암(2420)을 작동시킴으로써, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)을 작동시키도록, 특히, 이동시키도록, 바람직하게는 회전시키거나 기울이도록 구성된다. 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440)은 공압 액추에이터 및/또는 기계적 액추에이터를 포함할 수 있다. 다른 예에서, 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440)은 제1 한계 정지부 및 선택적으로 제2 한계 정지부를 포함한다. 제1 한계 정지부는 제1 각도 위치(5452)에 대응할 수 있다. 제2 한계 정지부는 제2 각도 위치(5454)에 대응할 수 있다. 예에서, 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440)은 스위치, 예컨대, 기계적 스위치, 공압 스위치, 또는 전기 스위치에 의해 작동된다. 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440)은 제1 각도 위치(5452)와 제2 각도 위치(5454) 사이에서 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400) 및/또는 암(2420)을 회전시키도록 구성될 수 있다. 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440)은 하우징(2220), 베어링 모듈(3260), 암(2420), 및/또는 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)에 결합되거나, 그와 통합되거나, 그에 포함될 수 있다. 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440)은 하우징(2220) 및/또는 베어링 모듈(3260)의 외부면 상에 그리고/또는 외부에; 하우징(2220), 베어링 모듈(3260), 및/또는 암(2420)의 일부로서; 그리고/또는 암(2420)의 단부 부분 상에 배열될 수 있다.
실시예들에 따르면, 암(2420)은 힌지 조인트 핀(3422)을 포함한다. 힌지 조인트 핀(3422)은 힌지 조인트 슬롯(3424) 내에서 그리고/또는 힌지 조인트 슬롯의 일부로서 회전하도록 구성될 수 있다. 힌지 조인트 슬롯(3434)은 베어링 모듈(3260)의 일부에 연결되고/거나 베어링 모듈의 일부일 수 있다. 힌지 조인트 핀(3433) 및 힌지 조인트 슬롯(3434)은 암(2420) 및/또는 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)의 회전 및/또는 기울임을 위한 축 및/또는 힌지 조인트로서 작동할 수 있다.
실시예들에 따르면, 가요성 인클로저(3430)는 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)의 진공 격납 및/또는 진공 상태를 제공하도록 구성된다. 가요성 인클로저(3430)는 힌지 조인트 핀(3422), 힌지 조인트 슬롯(3424), 및/또는 베어링 모듈(3260)을 주변 압력, 상태, 환경 및/또는 조건으로 유지하도록 구성될 수 있다. 가요성 인클로저(3430)는 가능하게는 밀폐 또는 밀봉 방식으로 제1 단부 부분에서 하우징(2220) 및/또는 베어링 모듈(3260)에 결합, 부착 및/또는 연결될 수 있다. 가요성 인클로저(3430)는 유사하게, 가능하게는 밀폐 또는 밀봉 방식으로 제2 단부 부분에서 암(2420)에, 바람직하게는, 축 및/또는 힌지 조인트 핀(3422), 후방산란된 전자 검출기 요소(1470), 애퍼처(1460), 및/또는 후방산란된 전자 검출기 홀더(1450) 사이에서 결합, 부착 및/또는 연결될 수 있다. 예에서, 가요성 인클로저(3430)는 호스, 벨로우, 가요성이고/거나 진공 사용에 적합하다. 또 다른 예에서, 가요성 인클로저(3430)는 가요성 벨로우이고, 공기와 진공 사이에 밀봉을 제공하고, 힌지 조인트 핀(3422) 및 힌지 조인트 슬롯(3424)의 이동 부분들, 또는 일부 회전 조인트, 및/또는 베어링 모듈(3260)의 이동 부분들을 공기 측 또는 주변 측 상에서 유지하고, 그리고/또는 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)를 진공 측 상에서 그리고/또는 하우징(2220) 내부에서 유지한다. 가요성 인클로저(3430)는 사전인장될 수 있고, 바람직하게는 조립된 조건에서 사전인장될 수 있고, 바람직하게는 축방향으로 사전인장될 수 있다. 사전인장된 가요성 인클로저(3430)는 베어링 모듈(3260) 및/또는 하우징(2220)에 대하여 암(2420)에 힘을 인가하고/거나 암(2420)을 당길 수 있다. 가요성 인클로저(3430)는 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)의 회전의 축, 힌지 조인트 핀(3422), 힌지 조인트 슬롯(3424) 및/또는 암(2420)의 적어도 일부를 에워싸기에 적합할 수 있다.
실시예들에 따르면, 베어링 모듈(3260)은 축방향 베어링이다. 베어링 모듈(3260)은 암(2420) 및/또는 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)을 지지하도록 구성될 수 있다. 베어링 모듈(3260) 및/또는 하우징(2220)은 암(2420)에 반력을 제공할 수 있다. 반력은 가요성 인클로저(3430)의 사전인장력 미만일 수 있고, 작동 조건 및/또는 조립 조건에서 진공력에 의해 균형이 제공된다. 예에서, 반력은 40 N 또는 0 N 내지 100 N일 수 있다. 다른 예에서, 사전인장된 가요성 인클로저(3430)는 60 N 또는 반력 초과의 사전인장력을 가질 수 있다.
실시예들에 따르면, 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 원형, 정사각형 또는 다각형 단면 및/또는 형상을 가질 수 있다. 애퍼처(1460)는 유사하게, 원형, 정사각형, 삼각형 또는 다각형 단면을 가질 수 있다.
도 4a 및 4b는 본원에 설명된 실시예들에 따른 암, 힌지 조인트의 간략화된 의사 3D 표현들이다.
실시예들에 따르면, 힌지 조인트 핀(3422) 및/또는 힌지 조인트 슬롯(3424)은 힌지 조인트를 형성할 수 있다. 힌지 조인트 슬롯(3424)은 U 형상 슬롯에 있을 수 있다. 힌지 조인트 슬롯(3424)은 힌지 조인트 핀(3422)에 반력을 제공하기에 적합할 수 있다. 힌지 조인트 슬롯은 베어링 모듈(3260) 상에 배열될 수 있다. 힌지 조인트 핀(3422)은 암(2420) 상에 배열될 수 있다. 힌지 조인트 핀(3422)은 복수의 핀들, 예를 들어, 2개의 핀들일 수 있고/거나 암(2420)의 정반대의 대향 측들 상에 배열될 수 있다. 유사하게, 힌지 조인트 슬롯(3424)은 복수의 슬롯들, 예를 들어, 2개의 슬롯들일 수 있고/거나, 암(2420)의 단면 측, 또는 직경 또는 임계 치수와 적어도 동일한 거리만큼 분리될 수 있다. 힌지 조인트 핀(3422)은 암(2420) 상에 연결 각도 또는 다각형 링을 포함할 수 있다. 각도 또는 다각형 링은 힌지 조인트 슬롯(3424)을 위한 가이드, 조립 가이드, 및/또는 상보 면으로서 적합할 수 있다.
도 5a 및 5b는 본원에 설명된 실시예들에 따른, 제1 각도 위치 및 제2 각도 위치에서의 후방산란된 전자 검출기 모듈의 간략화된 개략적인 측면도들이다. 실시예들에 따르면, 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400) 및/또는 암(2420)은 제1 각도 위치(5452)와 제2 각도 위치(5454) 사이에서 스위칭가능하고, 회전가능하고, 기울임가능하고, 그리고/또는 이동가능할 수 있다. 제1 각도 위치(5452)에서, 애퍼처(1460)는 작동적이도록 그리고/또는 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 비작동적이도록 구성될 수 있다. 제2 각도 위치(5454)에서, 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 작동적이도록 그리고/또는 애퍼처(1460)는 비작동적이도록 구성될 수 있다. 제1 각도 위치(5452)는 제1 한계 정지부 및/또는 최대 회전 위치/최대 기울임 위치에 있는 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440) 및/또는 암(2420)에 대응할 수 있다. 유사하게, 제2 각도 위치(5454)는 제2 한계 정지부 및/또는 최저 회전 위치/최저 기울임 위치에 있는 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440) 및/또는 암(2420)에 대응할 수 있다. 제1 각도 위치(5452)와 제2 각도 위치(5454) 사이의 각도 거리 및/또는 간격은 적어도 0 도 및/또는 10 도 미만, 바람직하게는 2 내지 5 도의 범위에 있을 수 있다. 회전은 축을 중심으로 할 수 있다. 회전은 힌지 조인트 핀(3422)을 중심으로 할 수 있다.
도 6a 및 6b는 본원에 설명된 실시예들에 따른, 제1 각도 위치 및 제2 각도 위치에서의 후방산란된 전자 검출기 모듈의 후방산란된 전자 검출기 요소 및 애퍼처의 간략화된 개략적인 근접 측면도들이다. 실시예들에 따르면, 빔 벤더 차폐부(beam bender shield)가 있을 수 있다. 예에서, 빔 벤더 차폐부(6394)는 고전압 차폐부이다. 빔 벤더 차폐부(6394)는 차폐 애퍼처(6396)를 포함할 수 있다. 차폐 애퍼처(6396)는 원형, 정사각형, 삼각형, 또는 다각형 단면 또는 형상을 가질 수 있다. 차폐 애퍼처(6396)는 애퍼처(1460) 또는 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)와 유사하거나 동일한 단면을 가질 수 있다. 예에서, 차폐 애퍼처(6396) 및/또는 애퍼처(1460)는, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 삼각형 형상을 갖는다. 예에서, 차폐 애퍼처(6396) 및 애퍼처(1460)는 동일한 크기일 수 있다. 다른 예에서, 차폐 애퍼처(6396) 및/또는 애퍼처(1460) 중 적어도 하나는 원형 형상을 갖는 반면, 다른 하나는 삼각형 형상을 갖는다.
신호 하전 입자 빔(1102)을 편향시키기 위해 사용되는 빔 벤더(1392), 예를 들어, 부채꼴 빔 벤더에서 수차들이 발생할 수 있다. 예를 들어, 전기장의 육중극자 성분은 부채꼴 빔 벤더(1392)를 통과하는 신호 하전 입자 빔(예를 들어, 2차 전자 번들)에 3중 수차들을 도입할 수 있다. 부채꼴 빔 벤더(1392) 내부의 신호 하전 입자 빔(1102)의 폭이 증가함에 따라, 육중극자 성분의 양이 증가하는 것이 신호 하전 입자 빔(1102)을 변형시킨다. 신호 하전 입자 빔(1102)에 대해 실질적으로 삼각형 형상의 통로 영역, 예컨대, 이등변 삼각형의 형상을 갖는 애퍼처, 예컨대, 차폐 애퍼처(6396) 또는 애퍼처(1460)는 주변 필드의 육중극자 성분을 감소시킬 수 있거나 신호 하전 입자 빔(1102) 상의 육중극자 수차를 감소시킬 수 있다. 신호 하전 입자 빔(1102)에 대해 실질적으로 원형 형상의 통로 영역을, 예컨대, 원의 형상으로 갖는 애퍼처, 예컨대, 차폐 애퍼처(6396) 또는 애퍼처(1460)는, 예를 들어, 부채꼴 빔 벤더(1392)로부터의 편향 필드들의 원치 않는 영향을 감소시키거나 최소화할 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 바람직한 실시예에서, 차폐 애퍼처(6396)는 애퍼처(1460)의 상류에 있을 수 있다. 차폐 애퍼처(6396)는 삼각형 형상일 수 있다. 애퍼처(1460)는 원형 형상일 수 있다. 대안적으로, 빔 벤더(1392)의 하류 측에 위치되는, 애퍼처(1460) 및/또는 차폐 애퍼처(6396) 중 적어도 하나는 2개의 측들을 가질 수 있는데, 빔 벤더(1392)를 향하는 제1 측은 실질적으로 원형 형상이고, 빔 벤더(1392)를 등지는 제2 측은 실질적으로 삼각형 형상이다.
일부 실시예들에서, 차폐 애퍼처(6396)는 애퍼처(1460)의 상류에 있을 수 있다. 차폐 애퍼처(6396)는 신호 하전 입자 빔에 대해 실질적으로 삼각형 형상 통로 영역을 가질 수 있다. 이에 따라, 차폐 애퍼처(6396)의 삼각형 형상은 전기 주변 필드의 육중극자 성분을 최소화할 수 있다. 애퍼처(1460)는 차폐 애퍼처(6396)의 하류에 있을 수 있다. 애퍼처(1460)는 신호 하전 입자 빔(1102)에 대해 실질적으로 원형 형상의 통로 영역을 가질 수 있다. 애퍼처(1460)의 원형 형상은 신호 하전 입자 빔(1102)에 대한 전기 주변 필드의 영향을 최소화할 수 있다. 대안적으로, 애퍼처(1460)는 신호 하전 입자 빔(1102)에 대한 전기 주변 필드의 육중극자 성분의 영향을 최소화하기 위해 실질적으로 삼각형 형상의 통로 영역을 가질 수 있다. 대안적으로, 또는 추가적으로, 차폐 애퍼처(6396)는 신호 하전 입자 빔(1102)에 대해 실질적으로 원형 형상의 통로 영역을 가질 수 있다. 차폐 애퍼처(6396)의 원형 형상은 신호 하전 입자 빔(1102)에 대한 전기 주변 필드의 영향을 최소화할 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 바람직한 실시예에서, 애퍼처(1460)는 실질적으로 삼각형 형상을 갖고, 차폐 애퍼처(6396)는 실질적으로 삼각형 형상을 갖고, 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 실질적으로 원형 형상을 갖는다.
다른 예에서, 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 애퍼처(1460) 또는 차폐 애퍼처(6396)의 치수 또는 높이와 동일하거나 그보다 작거나 그보다 큰 직경의 원형 형상을 갖는다. 제1 각도 위치(5452)는 애퍼처(1460)의 작동에 또는 2차 전자 검출 모드에 대응할 수 있다. 제2 위치(5454)는 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)의 작동에 또는 후방산란된 전자 검출 모드에 대응할 수 있다. 제1 각도 위치(5452) 및 제2 각도 위치(5454)는 각도 위치들의 2가지의 가능한 순서 중 하나로서 이해되고, 역순이, 관련 요소들, 구성요소들, 작동들 및 효과들의 대응하는 반전으로 동등하게 가능하다.
도 7은 본원에 설명된 실시예들에 따른 하전 입자 빔 디바이스의 간략화된 개략적인 측면도를 도시한다. 예에서, 하전 입자 빔 디바이스는 주사 전자 현미경일 수 있다. 추가의 예에서, 하전 입자 빔 디바이스는 다중 빔 디바이스일 수 있다. 하전 입자 빔 디바이스는 하전 입자 빔 방출기, 빔 분리기, 및/또는 대물 렌즈를 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 빔 방출기(7310)는 1차 하전 입자 빔(7101)을 방출하기 위한 것이다. 빔 방출기(7310)는, 예를 들어, 전자 총일 수 있다. 하전 입자 빔 디바이스는 1차 하전 입자 빔(7101)을 샘플(7350) 상에 집속하기 위한 대물 렌즈(7370)를 포함할 수 있다. 하전 입자 빔 디바이스는 샘플(7350)로부터 나오는 신호 하전 입자 빔(1102)으로부터 1차 하전 입자 빔(7101)을 분리하기 위한 빔 분리기(7330)를 포함할 수 있다. 하전 입자 빔 디바이스는 본원에 설명된 실시예들에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템을 포함할 수 있다. 신호 하전 입자 빔(1102)의 전파와 관련하여, 2차 하전 입자 이미징 시스템은 빔 분리기(7330)의 하류에 배열될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 빔 방출기(7310)로부터 방출된 1차 하전 입자 빔(7101)은 빔 방출기(7310)로부터 빔 분리기(7330)로 이동할 수 있다. 더 도시된 바와 같이, 1차 하전 입자 빔(7101)은 빔 분리기(7330)에서 편향될 수 있다. 더 도시된 바와 같이, 1차 하전 입자 빔(7101)은 빔 분리기(7330)로부터, 1차 하전 입자 빔(7101)을 샘플(7350) 상에 집속하도록 적응된 대물 렌즈(7370)로 이동할 수 있다. 도 7에 예시된 예시적인 실시예에 따르면, 1차 하전 입자 빔(7101)은, 빔 분리기(7330)로부터 대물 렌즈(7370)를 통해 샘플(7350)로 이동할 때, 대물 렌즈(7370)에 의해 한정된 광학 축을 따라 이동한다. 샘플(7350)에 1차 하전 입자 빔(7101)이 충돌할 시에, 신호 하전 입자 빔(1102)이 생성된다. 도 7에 도시된 바와 같이, 신호 하전 입자 빔(1102)은 샘플(7350)로부터 빔 분리기(7330)로 이동할 수 있고, 여기서 신호 하전 입자 빔(1102)은 1차 하전 입자 빔(7101)의 반대 방향으로 이동할 수 있다. 빔 분리기(7330)는 1차 하전 입자 빔(7101)에 대해 그리고 신호 하전 입자 빔(1102)에 대해 작용하고 1차 하전 입자 빔(7101)을 신호 하전 입자 빔(1102)으로부터 분리하도록 적응된다. 도시된 바와 같이, 신호 하전 입자 빔(1102)은 빔 분리기(7330)에서 편향될 수 있다. 편향은, 빔 분리기를 떠나는 신호 하전 입자 빔이 1차 하전 입자 빔(7101)으로부터 멀리 지향되도록 이루어질 수 있다. 신호 하전 입자 빔(1102)은 빔 분리기(7330)로부터 2차 하전 입자 이미징 시스템으로 이동한다.
빔 분리기(7330)는 자기장을 생성하도록 적응된, 예를 들어, 하나 이상의 코일을 포함하는 자기 빔 분리 부분을 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 빔 분리기(7330)는 전기장을 생성하도록 적응된, 예를 들어, 하나 이상의 전극을 포함하는 정전 빔 분리 부분을 포함할 수 있다. 전기장 및/또는 자기장은 빔 분리기(7330)를 통과하는 1차 하전 입자 빔(7101) 및/또는 신호 하전 입자 빔(1102)에 작용할 수 있다. 자기장 및/또는 전기장의 영향 하에서, 1차 하전 입자 빔(7101) 및 신호 하전 입자 빔(1102)은 빔 분리기(7330)에서 편향될 수 있다.
하전 입자 빔 디바이스는, 이하의 것: 스테이지 - 스테이지는 작동 거리를 변화시키기 위해 대물 렌즈(7370)에 대해 이동가능할 수 있음 -; 1차 하전 입자 빔(7101)의 랜딩 에너지를 변화시키도록 적응된 샘플 전압 공급원; 신호 하전 입자 빔(1102)에 작용하는 추출 필드의 강도를 변화시키도록 적응된 하나 이상의 프록시 전극; 자기장을 생성하도록 적응된, 대물 렌즈(7370)에 포함된 자기 대물 렌즈 부분 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 위에서 더 설명된 바와 같이, 제어기(1630)의 작용 하에서, 신호 하전 입자 빔(1102)은, 적어도 하나의 제1 작동 파라미터의 변동과 독립적으로 그리고/또는 적어도 하나의 제2 작동 파라미터의 변동과 독립적으로, 예를 들어, 토포그래피 검출 모드 또는 명시야 검출 모드에서 애퍼처 플레이트(1650) 상에 맵핑될 수 있다.
도 7에 도시된 하전 입자 빔 디바이스는 본원에 설명된 실시예들에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템을 포함한다. 도 7에 도시된 2차 하전 입자 이미징 시스템은, 위에서 논의된 바와 같이, 빔 벤더(1392)를 포함한다. 위에서 더 논의된 바와 같이, 신호 하전 입자 빔(1102)은 빔 분리기(7330)에 의해 1차 하전 입자 빔(7101)으로부터 멀리 지향된다. 빔 벤더(1392)는, 도 7에 예시된 바와 같이, 신호 하전 입자 빔(1102)을 1차 하전 입자 빔(7101)으로부터 더 멀리 지향시킬 수 있다.
도 8은 본원에 설명된 실시예들에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템을 작동시키기 위한 방법 도면이다. 일 실시예에 따르면, 2차 하전 입자 이미징 시스템을 작동시키는 방법이 제공된다. 방법은, 예를 들어, 작동(802)에 예시된 바와 같이, 후방산란된 전자 검출기 모듈을 축을 중심으로 제1 각도 위치(5452)와 제2 각도 위치(5454) 사이에서 회전시키는 단계를 포함한다. 실시예들에서, 제1 작동 모드 및 제2 작동 모드는 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)을 회전시킴으로써 제공될 수 있다. 제1 작동 모드에서, 신호 전자들 또는 신호 하전 입자 빔(1102)은 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)을 통과할 수 있다. 제2 작동 모드에서, 신호 전자들 또는 신호 하전 입자 빔(1102)은 후방산란된 전자 검출기 모듈(1400)의 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)에 충돌할 수 있다.
이하의 장점들 중 적어도 하나가, 본원에 설명된 실시예들에 의해 실현될 수 있다. 후방산란된 전자 검출기는 광학 축 안팎으로 이동될 수 있다. 후방산란된 전자 검출기가 광학 축 밖으로 이동될 때, 2차 전자 광학계를 갖는 종래의 2차 전자 검출기가 사용될 수 있다. 후방산란된 전자 검출기를 2차 전자 광학계 전에 배치함으로써, 관여된 랜딩 에너지들에 따라, 효율, 특히, 검출 효율이, 예를 들어, 30%까지 개선된다. 후방산란된 전자 검출의 효율은 2차 전자 광학계가 없는 단일 빔 시스템과 비슷하다. 다른 장점은 다중 빔 시스템이, 후방산란된 전자 검출 능력과 조합될 수 있다는 것이다. 2차 전자 광학계를 갖는 단일 빔 시스템들 또는 다중 빔 시스템들에 대해, 정축 후방산란된 전자 검출이 단일 빔 모드에서 제공될 수 있다. 2차 전자 광학계는 다중 빔 시스템들에 대해 특히 유리하다. 정축 2차 전자들 및 후방산란된 전자들은 단순한 기계적 스위칭을 갖는 하나의 컬럼에서 검출될 수 있다. 다중 빔 컬럼들은 후방산란된 전자 검출을 사용하여 결함들을 검출하기 위해 사용될 수 있다. 특정한 장점은 다중 빔 컬럼들이 단일 빔 모드, 2차 전자 검출 모드뿐만 아니라 후방산란된 전자 검출 모드에서 단순한 방식으로 사용될 수 있다는 것이다. 다른 특정한 장점은 기울임 또는 회전 운동 개념이 컬럼 내부의, 특히, 컬럼 외부의 최소 공간 요건을 허용한다는 것이다. 컬럼 외부 및 하우징 내부에 최소 공간이 필요하다. 선형 작동 운동과 비교하여 기울임 또는 회전 개념에서는 훨씬 더 적은 공간이 필요하다. 추가의 장점은 검출기를 빔 벤더 후에 위치시킴으로써 검출 효율 및 접근성 양쪽 모두가 최적화된다는 점이다. 1차 빔 근처의 공간이 특히 긴밀할 수 있다. 또 다른 장점은 빔 벤더 후의 지점에서 전자 빔이, 가장 작은 단면을 가질 수 있다는 점이다. 작은 단면은 양호한 검출 효율을 허용한다. 게다가, 이동 부분들이 진공 격납 외부에 있고 오염이 회피된다. 이러한 개념은 전자 빔 검사 및 전자 빔 마스크 검사에 유리할 수 있다.
추가의 실시예들이 다음과 같이 설명된다.
제1 실시예에 따르면, 후방산란된 전자 검출기 모듈을 포함하는 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 후방산란된 전자 검출기 모듈은 축을 중심으로 제1 각도 위치(5452)와 제2 각도 위치(5454) 사이에서 회전가능하다.
제2 실시예에 따르면, 제1 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 후방산란된 전자 검출기 모듈은 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)를 포함한다.
제3 실시예에 따르면, 제2 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 후방산란된 전자 검출기 모듈은 애퍼처(1460)를 포함한다.
제4 실시예에 따르면, 빔 벤더(1392)를 더 포함하는, 제2 실시예 또는 제3 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재한다.
제5 실시예에 따르면, 제2 실시예 내지 제4 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 애퍼처(1460)는 제1 각도 위치(5452)에서 신호 하전 입자 빔(1102)의 광학 축(1103) 상에 배열된다.
제6 실시예에 따르면, 제4 실시예 또는 제5 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 애퍼처(1460)는 제1 각도 위치(5452)에서 렌즈 시스템(1610)과 빔 벤더(1392) 사이에 배열된다.
제7 실시예에 따르면, 제3 실시예 내지 제6 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 애퍼처(1460)는 신호 하전 입자 빔(1102)이 제1 각도 위치(5452)에서 애퍼처(1460)를 통과하는 것을 허용하도록 구성된다.
제8 실시예에 따르면, 제1 실시예 내지 제7 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 2차 하전 입자 이미징 시스템은 제1 각도 위치(5452)에서 2차 전자들을 검출하도록 구성된다.
제9 실시예에 따르면, 제2 실시예 내지 제8 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 제2 각도 위치(5454)에서 신호 하전 입자 빔(1102)의 광학 축(1103) 상에 배열된다.
제10 실시예에 따르면, 제3 실시예 내지 제9 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 제2 각도 위치(5454)에서 렌즈 시스템(1610)과 빔 벤더(1392) 사이에 배열된다.
제11 실시예에 따르면, 제2 실시예 내지 제10 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 후방산란된 전자 검출기 요소(1460)는 신호 하전 입자 빔(1102)의 후방산란된 전자들을 제2 각도 위치(5454)에서 수집하도록 구성된다.
제12 실시예에 따르면, 제1 실시예 내지 제11 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 2차 하전 입자 이미징 시스템은 후방산란된 전자를 제2 각도 위치(5454)에서 검출하도록 구성된다.
제13 실시예에 따르면, 제2 실시예 내지 제12 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)는 제2 각도 위치(5454)에서 신호 하전 입자 빔(1102)의 최소 단면의 지점에 또는 최소 단면의 지점에 인접하여 배열된다.
제14 실시예에 따르면, 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440)을 더 포함하는, 제1 실시예 내지 제13 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재한다.
제15 실시예에 따르면, 제14 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440)은 제1 한계 정지부 및 제2 한계 정지부를 포함한다.
제16 실시예에 따르면, 제15 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 후방산란된 전자 모듈은 제1 한계 정지부에서 제1 각도 위치(5452)에 있고, 후방산란된 전자 모듈은 제2 한계 정지부에서 제2 각도 위치(5454)에 있다.
제17 실시예에 따르면, 제14 실시예 내지 제16 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440)은 후방산란된 전자 검출기 모듈을 제1 각도 위치(5452)와 제2 각도 위치(5454) 사이에서 회전시키도록 구성된다.
제18 실시예에 따르면, 제1 실시예 내지 제17 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 후방산란된 전자 모듈은 암(2420)을 포함하고, 암(2420)은 축에 힌지 조인트 핀(3422)을 포함한다.
제19 실시예에 따르면, 가요성 인클로저(3430)를 더 포함하는, 제1 실시예 내지 제18 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재한다.
제20 실시예에 따르면, 제2 실시예, 제18 실시예 및 제19 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 가요성 인클로저(3430)는 제1 단부 부분에서 힌지 조인트 핀(3422)과 후방산란된 전자 검출기 요소(1470) 사이에서 암(2420)에 밀폐 결합된다.
제21 실시예에 따르면, 제2 실시예, 제18 실시예 및 제19 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 가요성 인클로저(3430)는 제2 단부 부분에서 하우징(2220)에 밀폐 결합된다.
제22 실시예에 따르면, 제19 실시예 내지 제21 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 가요성 인클로저(3430)는 가요성 호스 또는 벨로우이다.
제23 실시예에 따르면, 제19 실시예 내지 제22 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 가요성 인클로저(3430)는 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)를 진공 조건으로 유지하고 힌지 조인트(3422, 3424)를 주변 조건으로 유지하도록 구성된다.
제24 실시예에 따르면, 제1 실시예 내지 제23 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템이 존재하고, 여기서, 제1 각도 위치(5452)와 제2 각도 위치(5454)의 각도 분리는 10 도 미만이다.
제25 실시예에 따르면, 제1 실시예 내지 제24 실시예 중 임의의 실시예에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템을 포함하는 하전 입자 빔 디바이스가 존재한다.
제26 실시예에 따르면, 제25 실시예에 따른 하전 입자 빔 디바이스가 존재하고, 여기서, 하전 입자 빔 디바이스는 다중 빔 하전 입자 빔 디바이스이다.
제27 실시예에 따르면, 후방산란된 전자 검출기 모듈을 축을 중심으로 제1 각도 위치(5452)와 제2 각도 위치(5454) 사이에서 회전시키는 단계(802)를 포함하는, 2차 하전 입자 이미징 시스템을 작동시키는 방법이 존재한다.

Claims (20)

  1. 2차 하전 입자 이미징 시스템으로서,
    후방산란된 전자 검출기 모듈
    을 포함하고, 상기 후방산란된 전자 검출기 모듈은 축을 중심으로 제1 각도 위치(5452)와 제2 각도 위치(5454) 사이에서 회전가능한, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 후방산란된 전자 검출기 모듈은 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)를 포함하고, 상기 제2 각도 위치(5454)에서, 이하의 것:
    상기 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)가 신호 하전 입자 빔(1102)의 광학 축(1103) 상에 배열되는 것,
    상기 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)가 상기 빔 벤더(1392)와 상기 렌즈 시스템(1610) 사이에 있는 것,
    상기 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)가 신호 하전 입자 빔(1102)의 후방산란된 전자들을 수집하도록 구성되는 것, 및
    상기 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)가 신호 하전 입자 빔(1102)의 최소 단면의 지점에 또는 상기 최소 단면의 지점에 인접하여 배열되는 것
    중 적어도 하나가 적용되는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 후방산란된 전자 검출기 모듈은 애퍼처(1460)를 포함하고, 상기 제1 각도 위치(5452)에서, 이하의 것:
    상기 애퍼처(1460)가 상기 제1 각도 위치(5452)에서 신호 하전 입자 빔(1102)의 광학 축(1103) 상에 배열되는 것,
    상기 애퍼처(1460)가 상기 제1 각도 위치(5452)에서 신호 하전 입자 빔(1102)의 광학 축(1103) 상에 배열되는 것,
    상기 애퍼처(1460)가 신호 하전 입자 빔(1102)이 상기 애퍼처(1460)를 통과하는 것을 허용하도록 구성되는 것, 및
    상기 애퍼처(1460)가 신호 하전 입자 빔(1102)이 상기 애퍼처(1460)를 통과하는 것을 허용하도록 구성되는 것
    중 적어도 하나가 적용되는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    빔 벤더(1392)를 더 포함하는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 2차 하전 입자 이미징 시스템은 상기 제1 각도 위치(5452)에서 2차 전자들을 검출하도록 구성되는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 2차 하전 입자 이미징 시스템은 후방산란된 전자를 상기 제2 각도 위치(5454)에서 검출하도록 구성되는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440)을 더 포함하는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440)은 제1 한계 정지부(limit stop) 및 제2 한계 정지부를 포함하는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 후방산란된 전자 모듈은 상기 제1 한계 정지부에서 상기 제1 각도 위치(5452)에 있고, 상기 후방산란된 전자 모듈은 상기 제2 한계 정지부에서 상기 제2 각도 위치(5454)에 있는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 후방산란된 전자 검출기 액추에이터 모듈(3440)은 상기 후방산란된 전자 검출기 모듈을 상기 제1 각도 위치(5452)와 상기 제2 각도 위치(5454) 사이에서 회전시키도록 구성되는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 후방산란된 전자 모듈은 암(2420)을 포함하고, 상기 암(2420)은 상기 축에 힌지 조인트 핀(3422)을 포함하는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    가요성 인클로저(flexible enclosure)(3430)를 더 포함하는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  13. 제11항 및 제12항에 있어서,
    상기 가요성 인클로저(3430)는 제1 단부 부분에서 상기 후방산란된 전자 검출기 모듈의 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)와 상기 힌지 조인트 핀(3422) 사이에서 상기 암(2420)에 밀폐 결합되는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 가요성 인클로저(3430)는 제2 단부에서 하우징(2220)에 밀폐 결합되는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  15. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가요성 인클로저(3430)는 가요성 호스 또는 벨로우(bellow)인, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  16. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가요성 인클로저(3430)는 상기 후방산란된 전자 검출기 모듈의 후방산란된 전자 검출기 요소(1470)를 진공 조건으로 유지하고 상기 힌지 조인트(3422; 3424)를 주변 조건으로 유지하도록 구성되는, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 각도 위치(5452)와 상기 제2 각도 위치(5454)의 각도 분리는 10 도 미만인, 2차 하전 입자 이미징 시스템.
  18. 하전 입자 빔 디바이스로서,
    제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템을 포함하는, 하전 입자 빔 디바이스.
  19. 다중 빔 하전 입자 빔 디바이스로서,
    제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 2차 하전 입자 이미징 시스템을 포함하는, 다중 빔 하전 입자 빔 디바이스.
  20. 2차 하전 입자 이미징 시스템을 작동시키는 방법으로서,
    후방산란된 전자 검출기 모듈을 축을 중심으로 제1 각도 위치(5452)와 제2 각도 위치(5454) 사이에서 회전시키는 단계(802)를 포함하는, 방법.
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