JP2023503434A - 荷電粒子結像システム - Google Patents
荷電粒子結像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023503434A JP2023503434A JP2022529383A JP2022529383A JP2023503434A JP 2023503434 A JP2023503434 A JP 2023503434A JP 2022529383 A JP2022529383 A JP 2022529383A JP 2022529383 A JP2022529383 A JP 2022529383A JP 2023503434 A JP2023503434 A JP 2023503434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- imaging system
- backscattered electron
- electron detector
- particle beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 320
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 49
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 33
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 16
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 16
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 11
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 238000003462 Bender reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/023—Means for mechanically adjusting components not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24475—Scattered electron detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
Abstract
Description
Claims (20)
- 軸を中心として第1の角度位置(5452)と第2の角度位置(5454)との間で回転可能な、後方散乱電子検出器モジュール、
を備える、二次荷電粒子結像システム。 - 前記後方散乱電子検出器モジュールが後方散乱電子検出器素子(1470)を備え、前記第2の角度位置(5454)において、
前記後方散乱電子検出器素子(1470)が信号荷電粒子ビーム(1102)の光軸(1103)上に配置され、
前記後方散乱電子検出器素子(1470)が前記ビームベンダ(1392)と前記レンズ系(1610)との間にあり、
前記後方散乱電子検出器素子(1470)が信号荷電粒子ビーム(1102)の後方散乱電子を収集するように構成され、
前記後方散乱電子検出器素子(1470)が信号荷電粒子ビーム(1102)の最小断面の点に、または前記最小断面の点に隣接して配置されている、
ことのうちの少なくとも1つが当てはまる、
請求項1に記載の二次荷電粒子結像システム。 - 前記後方散乱電子検出器モジュールがアパーチャ(1460)を備え、前記第1の角度位置(5452)において、
前記アパーチャ(1460)が前記第1の角度位置(5452)において信号荷電粒子ビーム(1102)の光軸(1103)上に配置され、
前記アパーチャ(1460)が前記第1の角度位置(5452)において信号荷電粒子ビーム(1102)の光軸(1103)上に配置され、
前記アパーチャ(1460)が、信号荷電粒子ビーム(1102)が前記アパーチャ(1460)を通過することを可能にするように構成され、
前記アパーチャ(1460)が、信号荷電粒子ビーム(1102)が前記アパーチャ(1460)を通過することを可能にするように構成されている、
ことのうちの少なくとも1つが当てはまる、
請求項1または2に記載の二次荷電粒子結像システム。 - ビームベンダ(1392)をさらに備える、請求項1~3のいずれか1項に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 前記二次荷電粒子結像システムが前記第1の角度位置(5452)において二次電子を検出するように構成されている、請求項1~4のいずれか1項に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 前記二次荷電粒子結像システムが前記第2の角度位置(5454)において後方散乱電子を検出するように構成されている、請求項1~5のいずれか1項に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 後方散乱電子検出器アクチュエータモジュール(3440)をさらに備える、請求項1~6のいずれか1項に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 前記後方散乱電子検出器アクチュエータモジュール(3440)が第1のリミットストップおよび第2のリミットストップを備える、請求項7に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 前記後方散乱電子モジュールが前記第1のリミットストップにおいて前記第1の角度位置(5452)にあり、前記後方散乱電子モジュールが前記第2のリミットストップにおいて前記第2の角度位置(5454)にある、請求項8に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 前記後方散乱電子検出器アクチュエータモジュール(3440)が前記後方散乱電子検出器モジュールを前記第1の角度位置(5452)と前記第2の角度位置(5454)との間で回転させるように構成されている、請求項7~9のいずれか1項に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 前記後方散乱電子モジュールがアーム(2420)を備え、前記アーム(2420)が前記軸にヒンジ継手ピン(3422)を備える、請求項1~10のいずれか1項に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 可撓性エンクロージャ(3430)をさらに備える、請求項1~11のいずれか1項に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 前記可撓性エンクロージャ(3430)が、第1の端部において、前記ヒンジ継手ピン(3422)と前記後方散乱電子検出器モジュールの後方散乱電子検出器素子(1470)との間で前記アーム(2420)に密封結合されている、請求項11および12に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 前記可撓性エンクロージャ(3430)が第2の端部においてハウジング(2220)に密封結合されている、請求項12または13に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 前記可撓性エンクロージャ(3430)が可撓性ホースまたはベローズである、請求項12~14のいずれか1項に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 前記可撓性エンクロージャ(3430)が前記後方散乱電子検出器モジュールの後方散乱電子検出器素子(1470)を真空状態に維持し、前記ヒンジ継手(3422;3424)を周囲条件に維持するように構成されている、請求項12~15のいずれか1項に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 前記第1の角度位置(5452)と前記第2の角度位置(5454)との角度分離が10度未満である、請求項1~16のいずれか1項に記載の二次荷電粒子結像システム。
- 請求項1~17のいずれか1項に記載の二次荷電粒子結像システムを備える荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1~17のいずれか1項に記載の二次荷電粒子結像システムを備えるマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
- 軸を中心として後方散乱電子検出器モジュールを第1の角度位置(5452)と第2の角度位置(5454)との間で回転させること(802)を含む、二次荷電粒子結像システムを動作させる方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/688,985 | 2019-11-19 | ||
US16/688,985 US11094501B2 (en) | 2019-11-19 | 2019-11-19 | Secondary charged particle imaging system |
PCT/EP2020/080793 WO2021099105A1 (en) | 2019-11-19 | 2020-11-03 | Charged particle imaging system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023503434A true JP2023503434A (ja) | 2023-01-30 |
JP7437501B2 JP7437501B2 (ja) | 2024-02-22 |
Family
ID=73131724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022529383A Active JP7437501B2 (ja) | 2019-11-19 | 2020-11-03 | 荷電粒子結像システム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11094501B2 (ja) |
EP (1) | EP4062442A1 (ja) |
JP (1) | JP7437501B2 (ja) |
KR (1) | KR20220103766A (ja) |
CN (1) | CN114730683A (ja) |
TW (1) | TWI771795B (ja) |
WO (1) | WO2021099105A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11791128B2 (en) | 2021-10-13 | 2023-10-17 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Method of determining the beam convergence of a focused charged particle beam, and charged particle beam system |
US11810753B2 (en) * | 2021-10-13 | 2023-11-07 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Methods of determining aberrations of a charged particle beam, and charged particle beam system |
CN117113793B (zh) * | 2023-10-23 | 2024-01-26 | 之江实验室 | 磁约束带电粒子成像系统中粒子输运的模拟方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007200573A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡およびその制御方法 |
JP2010199002A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム装置 |
JP2011018506A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Jeol Ltd | 電子線装置 |
US20140284477A1 (en) * | 2011-11-25 | 2014-09-25 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged-particle radiation apparatus |
JP2018022592A (ja) * | 2016-08-02 | 2018-02-08 | 新日鐵住金株式会社 | 試料台およびそれを備えた電子顕微鏡 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0451415Y2 (ja) | 1984-09-20 | 1992-12-03 | ||
JP2760786B2 (ja) * | 1987-03-18 | 1998-06-04 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡およびその試料台移動方法 |
DE4216730C2 (de) * | 1992-05-20 | 2003-07-24 | Advantest Corp | Rasterelektronenstrahlgerät |
US5650628A (en) * | 1994-12-15 | 1997-07-22 | International Business Machines Corporation | Simultaneous deflections in charged-particle beams |
EP1517354B1 (en) * | 2003-09-11 | 2008-05-21 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Double stage charged particle beam energy width reduction system for charged particle beam system |
EP1517353B1 (en) * | 2003-09-11 | 2008-06-25 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam energy width reduction system for charged particle beam system |
US8101909B2 (en) * | 2008-01-25 | 2012-01-24 | Ionwerks, Inc. | Time-of-flight mass spectrometry of surfaces |
US8373136B2 (en) * | 2009-10-15 | 2013-02-12 | Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh | Achromatic beam deflector, achromatic beam separator, charged particle device, method of operating an achromatic beam deflector, and method of operating an achromatic beam separator |
WO2011066551A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | Ionwerks, Inc. | Time-of-flight spectrometry and spectroscopy of surfaces |
EP2510536B1 (en) | 2009-12-07 | 2018-11-28 | Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited | X-ray analyser |
EP2385542B1 (en) * | 2010-05-07 | 2013-01-02 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Electron beam device with dispersion compensation, and method of operating same |
US9442083B2 (en) * | 2012-02-14 | 2016-09-13 | Aribex, Inc. | 3D backscatter imaging system |
EP2654068B1 (en) * | 2012-04-16 | 2017-05-17 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Switchable multi perspective detector, optics therefore and method of operating thereof |
DE102013208959A1 (de) * | 2013-05-15 | 2014-11-20 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vorrichtung zur massenselektiven Bestimmung eines Ions |
US10354836B2 (en) * | 2014-03-09 | 2019-07-16 | Ib Labs, Inc. | Methods, apparatuses, systems and software for treatment of a specimen by ion-milling |
JP6346016B2 (ja) | 2014-07-17 | 2018-06-20 | 日本電子株式会社 | 放射線分析装置 |
DE102014115157A1 (de) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | Carl Zeiss Ag | Optische Kohärenztomographie zur Messung an der Retina |
DE102014226985B4 (de) * | 2014-12-23 | 2024-02-08 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Analysieren eines Objekts, Computerprogrammprodukt sowie Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens |
US9679743B2 (en) * | 2015-02-23 | 2017-06-13 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Sample processing evaluation apparatus |
US10473786B2 (en) * | 2015-11-05 | 2019-11-12 | Arete Associates | Continuous wave laser detection and ranging |
US10324045B2 (en) * | 2016-08-05 | 2019-06-18 | Kla-Tencor Corporation | Surface defect inspection with large particle monitoring and laser power control |
US20200174102A1 (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | Seagate Technology Llc | Large field of view measurement devices for lidar |
US10991544B2 (en) * | 2019-05-29 | 2021-04-27 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, objective lens module, electrode device, and method of inspecting a specimen |
DE102019208661A1 (de) * | 2019-06-13 | 2020-12-17 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts und Teilchenstrahlgerät zum Ausführen des Verfahrens |
-
2019
- 2019-11-19 US US16/688,985 patent/US11094501B2/en active Active
-
2020
- 2020-11-03 EP EP20801214.6A patent/EP4062442A1/en active Pending
- 2020-11-03 CN CN202080079517.8A patent/CN114730683A/zh active Pending
- 2020-11-03 KR KR1020227020709A patent/KR20220103766A/ko unknown
- 2020-11-03 JP JP2022529383A patent/JP7437501B2/ja active Active
- 2020-11-03 WO PCT/EP2020/080793 patent/WO2021099105A1/en unknown
- 2020-11-10 TW TW109139114A patent/TWI771795B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007200573A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡およびその制御方法 |
JP2010199002A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム装置 |
JP2011018506A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Jeol Ltd | 電子線装置 |
US20140284477A1 (en) * | 2011-11-25 | 2014-09-25 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged-particle radiation apparatus |
JP2018022592A (ja) * | 2016-08-02 | 2018-02-08 | 新日鐵住金株式会社 | 試料台およびそれを備えた電子顕微鏡 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021099105A1 (en) | 2021-05-27 |
JP7437501B2 (ja) | 2024-02-22 |
EP4062442A1 (en) | 2022-09-28 |
TW202121475A (zh) | 2021-06-01 |
KR20220103766A (ko) | 2022-07-22 |
CN114730683A (zh) | 2022-07-08 |
US20210151284A1 (en) | 2021-05-20 |
US11094501B2 (en) | 2021-08-17 |
TWI771795B (zh) | 2022-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10978270B2 (en) | Charged particle beam device, interchangeable multi-aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device | |
JP6641011B2 (ja) | 複数の荷電粒子ビームの装置 | |
CN109427524B (zh) | 带电粒子束装置、用于带电粒子束装置的孔布置和用于操作带电粒子束装置的方法 | |
EP3408829B1 (en) | Apparatus of plural charged-particle beams | |
JP6099113B2 (ja) | ツインビーム荷電粒子ビームコラム及びその作動方法 | |
JP7437501B2 (ja) | 荷電粒子結像システム | |
US9305740B2 (en) | Charged particle beam system and method of operating thereof | |
KR102207766B1 (ko) | 이차 전자 광학계 & 검출 디바이스 | |
JP4308253B2 (ja) | 検出ユニット・スイッチを備える荷電粒子ビーム装置とそれを操作するための方法 | |
JP2022506149A (ja) | 電磁複合レンズ及びそのようなレンズを備えた荷電粒子光学システム | |
TWI812993B (zh) | 致動器配置、其製造方法、真空腔室及電子光學柱 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220519 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230406 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230926 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7437501 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |