KR20220100524A

KR20220100524A - 배기 링 어셈블리 및 플라스마 처리 장치

Info

Publication number: KR20220100524A
Application number: KR1020220000874A
Authority: KR
Inventors: 료타 사카네
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2021-01-08
Filing date: 2022-01-04
Publication date: 2022-07-15
Also published as: CN114758941A; US20220223388A1; JP2022107392A

Abstract

본 발명은, 배기 효율의 향상과 플라스마의 누설 억제를 양립하는 것이 가능한 배기 링을 제공한다. 기판 지지부의 주위에 배치되는 배기 링 어셈블리이며, 둘레 방향을 따라 교대로 배열되는 복수의 제1 배기 구멍 및 복수의 제1 막대 형상 부분을 갖는 제1 환상 부재이며, 각 제1 배기 구멍은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있고, 각 제1 막대 형상 부분은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있는 제1 환상 부재와, 상기 제1 환상 부재의 하방에 배치되어, 둘레 방향을 따라 교대로 배열되는 복수의 제2 배기 구멍 및 복수의 제2 막대 형상 부분을 갖는 제2 환상 부재이며, 각 제2 배기 구멍은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있고, 각 제2 막대 형상 부분은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있는 제2 환상 부재를 갖고, 상기 복수의 제1 막대 형상 부분과 상기 복수의 제2 막대 형상 부분은, 위에서 보아 서로 중복되어 있지 않고, 상기 복수의 제1 막대 형상 부분의 각각 및 상기 복수의 제2 막대 형상 부분의 각각 중의 적어도 하나는, 상향 테이퍼 형상을 갖고 있는 배기 링 어셈블리가 제공된다.

Description

배기 링 어셈블리 및 플라스마 처리 장치{EXHAUST RING ASSEMBLY AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}

본 개시는, 배기 링 어셈블리 및 플라스마 처리 장치에 관한 것이다.

특허문헌 1에는, 2개의 부재가 수평 방향으로 겹쳐서 배치되어 있는 평행형 배기 링이 제안되어 있다. 특허문헌 2에는, 2개의 부재가 수직 방향으로 겹쳐서 배치되어 있는 원통형 배기 링이 제안되어 있다.

어느 배기 링이든 배기 구멍을 갖는 2개의 부재가 겹쳐서 배치된 2중 구조를 갖고, 가스는, 가스의 흐름 방향에 대하여 상류측의 부재의 배기 구멍을 통과한 후, 대략 수직으로 흐름의 방향을 바꾸고, 또한 하류측의 부재의 배기 구멍을 통과할 때 대략 수직으로 흐름의 방향을 바꾸어서 가스를 배기하는 구조로 되어 있다.

일본 특허 공개 제2004-6574호 공보 일본 특허 공개 제2004-327767호 공보

그런데, 배기 링에서는, 배기 구멍을 크게 하여 개구율이 높아지면, 배기 효율이 향상되는 대신에, 플라스마 처리 공간으로부터 배기 공간에 플라스마가 누설되기 쉬워진다. 따라서, 배기 링의 배기 효율과 플라스마의 가둠 효과의 사이에는 트레이드 오프의 관계가 있다.

본 개시는, 배기 효율의 향상과 플라스마의 누설 억제를 양립하는 것이 가능한 배기 링을 제공한다.

본 개시의 일 양태에 의하면, 기판 지지부의 주위에 배치되는 배기 링 어셈블리이며, 둘레 방향을 따라 교대로 배열되는 복수의 제1 배기 구멍 및 복수의 제1 막대 형상 부분을 갖는 제1 환상 부재이며, 각 제1 배기 구멍은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있고, 각 제1 막대 형상 부분은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있는 제1 환상 부재와, 상기 제1 환상 부재의 하방에 배치되어, 둘레 방향을 따라 교대로 배열되는 복수의 제2 배기 구멍 및 복수의 제2 막대 형상 부분을 갖는 제2 환상 부재이며, 각 제2 배기 구멍은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있고, 각 제2 막대 형상 부분은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있는 제2 환상 부재를 갖고, 상기 복수의 제1 막대 형상 부분과 상기 복수의 제2 막대 형상 부분은, 위에서 보아 서로 중복되어 있지 않고, 상기 복수의 제1 막대 형상 부분의 각각 및 상기 복수의 제2 막대 형상 부분의 각각 중의 적어도 하나는, 상향 테이퍼 형상을 갖고 있는 배기 링 어셈블리가 제공된다.

하나의 측면에 의하면, 배기 효율의 향상과 플라스마의 누설 억제를 양립하는 것이 가능한 배기 링을 제공할 수 있다.

도 1은 일 실시 형태에 따른 플라스마 처리 시스템의 일례를 도시하는 도면이다.
도 2는 일 실시 형태에 따른 플라스마 처리 장치의 일례를 도시하는 종단면도이다.
도 3은 일 실시 형태에 따른 배기 링의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 일 실시 형태에 따른 배기 링의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 일 실시 형태에 따른 배기 링의 일부의 상면도 및 단면도이다.
도 6은 일 실시 형태 및 비교예에 따른 배기 링을 통과하는 가스의 흐름의 일례를 도시하는 도면이다.
도 7은 다른 비교예의 배기 링을 통과하는 가스의 흐름의 일례를 도시하는 도면이다.
도 8은 일 실시 형태에 따른 배기 링의 용사 방법의 일례를 비교예와 비교해서 도시하는 도면이다.
도 9는 일 실시 형태에 따른 배기 링의 용사 방법의 일례를 비교예와 비교해서 도시하는 도면이다.

이하, 도면을 참조하여 본 개시를 실시하기 위한 형태에 대해서 설명한다. 각 도면에 있어서 동일 구성 부분에는 동일 부호를 붙이고, 중복된 설명을 생략하는 경우가 있다.

[플라스마 처리 시스템]

먼저, 일 실시 형태에 따른 플라스마 처리 시스템에 대해서, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은, 일 실시 형태에 따른 플라스마 처리 시스템의 일례를 도시하는 도면이다. 일 실시 형태에 있어서, 플라스마 처리 시스템은, 플라스마 처리 장치(1) 및 제어부(2)를 포함한다. 플라스마 처리 장치(1)는, 플라스마 처리 챔버(10), 기판 지지부(11) 및 플라스마 생성부(12)를 포함한다. 플라스마 처리 챔버(10)는 플라스마 처리 공간을 갖는다. 또한, 플라스마 처리 챔버(10)는, 적어도 하나의 처리 가스를 플라스마 처리 공간에 공급하기 위한 적어도 하나의 가스 공급구와, 플라스마 처리 공간으로부터 가스를 배출하기 위한 적어도 하나의 가스 배출구를 갖는다. 가스 공급구는, 후술하는 가스 공급부(20)에 접속되고, 가스 배출구는, 후술하는 배기 시스템(40)에 접속된다. 기판 지지부(11)는, 플라스마 처리 공간 내에 배치되고, 기판을 지지하기 위한 기판 지지면을 갖는다.

플라스마 생성부(12)는, 플라스마 처리 공간 내에 공급된 적어도 하나의 처리 가스로부터 플라스마를 생성하도록 구성된다. 플라스마 처리 공간에서 형성되는 플라스마는, 용량 결합 플라스마(CCP; Capacitively Coupled Plasma), 유도 결합 플라스마(ICP; Inductively Coupled Plasma), ECR 플라스마(Electron-Cyclotron-resonance plasma), 헬리콘파 여기 플라스마(HWP: Helicon Wave Plasma), 또는 표면파 플라스마(SWP: Surface Wave Plasma) 등이어도 된다. 또한, AC(Alternating Current) 플라스마 생성부 및 DC(Direct Current) 플라스마 생성부를 포함하는, 다양한 타입의 플라스마 생성부가 사용되어도 된다. 일 실시 형태에 있어서, AC 플라스마 생성부에서 사용되는 AC 신호(AC 전력)는, 100kHz 내지 10GHz의 범위 내의 주파수를 갖는다. 따라서, AC 신호는, RF(Radio Frequency) 신호 및 마이크로파 신호를 포함한다. 일 실시 형태에 있어서, RF 신호는, 200kHz 내지 150MHz의 범위 내의 주파수를 갖는다.

제어부(2)는, 본 개시에서 설명되는 다양한 공정을 플라스마 처리 장치(1)에 실행시키는 컴퓨터 실행 가능한 명령을 처리한다. 제어부(2)는, 여기에서 설명되는 다양한 공정을 실행하도록 플라스마 처리 장치(1)의 각 요소를 제어하도록 구성될 수 있다. 일 실시 형태에 있어서, 제어부(2)의 일부 또는 모두가 플라스마 처리 장치(1)에 포함되어도 된다. 제어부(2)는, 예를 들어 컴퓨터(2a)를 포함해도 된다. 컴퓨터(2a)는, 예를 들어 처리부(CPU: Central Processing Unit)(2a1), 기억부(2a2) 및 통신 인터페이스(2a3)를 포함해도 된다. 처리부(2a1)는, 기억부(2a2)에 저장된 프로그램에 기초하여 다양한 제어 동작을 행하도록 구성될 수 있다. 기억부(2a2)는, RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Mem ory), HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid State Drive), 또는 이들의 조합을 포함해도 된다. 통신 인터페이스(2a3)는, LAN(Local Area Network) 등의 통신 회선을 통해서 플라스마 처리 장치(1)와의 사이에서 통신해도 된다.

[플라스마 처리 장치]

이어서, 플라스마 처리 장치(1)의 일례로서의 용량 결합 플라스마 처리 장치의 구성예에 대해서 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2는, 일 실시 형태에 따른 플라스마 처리 장치(1)의 일례를 도시하는 종단면도이다.

플라스마 처리 장치(1)는, 플라스마 처리 챔버(10), 가스 공급부(20), 전원(30) 및 배기 시스템(40)을 포함한다. 또한, 플라스마 처리 장치(1)는, 기판 지지부(11) 및 가스 도입부를 포함한다. 가스 도입부는, 적어도 하나의 처리 가스를 플라스마 처리 챔버(10) 내에 도입하도록 구성된다. 가스 도입부는, 샤워 헤드(13)를 포함한다. 기판 지지부(11)는, 플라스마 처리 챔버(10) 내에 배치된다. 샤워 헤드(13)는, 기판 지지부(11)의 상방에 배치된다. 일 실시 형태에 있어서, 샤워 헤드(13)는, 플라스마 처리 챔버(10)의 천장부(ceiling)의 적어도 일부를 구성한다. 플라스마 처리 챔버(10)는, 샤워 헤드(13), 플라스마 처리 챔버(10)의 측벽(10a) 및 기판 지지부(11)에 의해 규정된 플라스마 처리 공간(10s)을 갖는다. 측벽(10a)은 접지된다. 샤워 헤드(13) 및 기판 지지부(11)는, 플라스마 처리 챔버(10) 하우징과는 전기적으로 절연된다.

기판 지지부(11)는, 본체부(111) 및 링 어셈블리(112)를 포함한다. 본체부(111)는, 기판(웨이퍼)(W)을 지지하기 위한 중앙 영역(기판 지지면)(111a)과, 링 어셈블리(112)를 지지하기 위한 환상 영역(링 지지면)(111b)을 갖는다. 본체부(111)의 환상 영역(111b)은, 평면으로 보아 본체부(111)의 중앙 영역(111a)을 둘러싸고 있다. 기판(W)은, 본체부(111)의 중앙 영역(111a) 상에 배치되고, 링 어셈블리(112)는, 본체부(111)의 중앙 영역(111a) 상의 기판(W)을 둘러싸도록 본체부(111)의 환상 영역(111b) 상에 배치된다. 일 실시 형태에 있어서, 본체부(111)는, 베이스 및 정전 척을 포함한다. 베이스는, 도전성 부재를 포함한다. 베이스의 도전성 부재는, 하부 전극으로서 기능한다. 정전 척은, 베이스 상에 배치된다. 정전 척의 상면은, 기판 지지면(111a)을 갖는다. 링 어셈블리(112)는, 1개 또는 복수의 환상 부재를 포함한다. 1개 또는 복수의 환상 부재 중 적어도 하나는, 에지 링이다. 또한, 도시는 생략하지만, 기판 지지부(11)는, 정전 척, 링 어셈블리(112) 및 기판 중 적어도 하나를 타깃 온도로 조절하도록 구성되는 온도 조절 모듈을 포함해도 된다. 온도 조절 모듈은, 히터, 전열 매체, 유로, 또는 이들의 조합을 포함해도 된다. 유로에는, 브라인이나 가스와 같은 전열 유체가 흐른다. 또한, 기판 지지부(11)는, 기판(W)의 이면과 기판 지지면(111a) 사이에 전열 가스를 공급하도록 구성된 전열 가스 공급부를 포함해도 된다.

샤워 헤드(13)는, 가스 공급부(20)로부터의 적어도 하나의 처리 가스를 플라스마 처리 공간(10s) 내에 도입하도록 구성된다. 샤워 헤드(13)는, 적어도 하나의 가스 공급구(13a), 적어도 하나의 가스 확산실(13b), 및 복수의 가스 도입구(13c)를 갖는다. 가스 공급구(13a)에 공급된 처리 가스는, 가스 확산실(13b)을 통과해서 복수의 가스 도입구(13c)로부터 플라스마 처리 공간(10s) 내에 도입된다. 또한, 샤워 헤드(13)는 도전성 부재를 포함한다. 샤워 헤드(13)의 도전성 부재는, 상부 전극으로서 기능한다. 또한, 가스 도입부는, 샤워 헤드(13)에 더하여, 측벽(10a)에 형성된 1개 또는 복수의 개구부에 설치되는 1개 또는 복수의 사이드 가스 주입부(SGI: Side Gas Injector)를 포함해도 된다.

가스 공급부(20)는, 적어도 하나의 가스 소스(21) 및 적어도 하나의 유량 제어기(22)를 포함해도 된다. 일 실시 형태에 있어서, 가스 공급부(20)는, 적어도 하나의 처리 가스를, 각각에 대응하는 가스 소스(21)로부터 각각에 대응하는 유량 제어기(22)를 통해서 샤워 헤드(13)에 공급하도록 구성된다. 각 유량 제어기(22)는, 예를 들어 매스 플로우 컨트롤러 또는 압력 제어식 유량 제어기를 포함해도 된다. 또한, 가스 공급부(20)는, 적어도 하나의 처리 가스의 유량을 변조 또는 펄스화하는 적어도 하나의 유량 변조 디바이스를 포함해도 된다.

전원(30)은, 적어도 하나의 임피던스 정합 회로를 통해서 플라스마 처리 챔버(10)에 결합되는 RF 전원(31)을 포함한다. RF 전원(31)은, 소스 RF 신호 및 바이어스 RF 신호와 같은 적어도 하나의 RF 신호(RF 전력)를, 기판 지지부(11)의 도전성 부재 및/또는 샤워 헤드(13)의 도전성 부재에 공급하도록 구성된다. 이에 의해, 플라스마 처리 공간(10s)에 공급된 적어도 하나의 처리 가스로부터 플라스마가 형성된다. 따라서, RF 전원(31)은, 플라스마 생성부(12)의 적어도 일부로서 기능할 수 있다. 또한, 바이어스 RF 신호를 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 공급함으로써, 기판(W)에 바이어스 전위가 발생하여, 형성된 플라스마 중의 이온 성분을 기판(W)에 인입할 수 있다.

일 실시 형태에 있어서, RF 전원(31)은, 제1 RF 생성부(31a) 및 제2 RF 생성부(31b)를 포함한다. 제1 RF 생성부(31a)는, 적어도 하나의 임피던스 정합 회로를 통해서 기판 지지부(11)의 도전성 부재 및/또는 샤워 헤드(13)의 도전성 부재에 결합되어, 플라스마 생성용의 소스 RF 신호(소스 RF 전력)를 생성하도록 구성된다. 일 실시 형태에 있어서, 소스 RF 신호는, 13MHz 내지 150MHz의 범위 내의 주파수를 갖는다. 일 실시 형태에 있어서, 제1 RF 생성부(31a)는, 다른 주파수를 갖는 복수의 소스 RF 신호를 생성하도록 구성되어도 된다. 생성된 1개 또는 복수의 소스 RF 신호는, 기판 지지부(11)의 도전성 부재 및/또는 샤워 헤드(13)의 도전성 부재에 공급된다. 제2 RF 생성부(31b)는, 적어도 하나의 임피던스 정합 회로를 통해서 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 결합되어, 바이어스 RF 신호(바이어스 RF 전력)를 생성하도록 구성된다. 일 실시 형태에 있어서, 바이어스 RF 신호는, 소스 RF 신호보다도 낮은 주파수를 갖는다. 일 실시 형태에 있어서, 바이어스 RF 신호는, 400kHz 내지 13.56MHz의 범위 내의 주파수를 갖는다. 일 실시 형태에 있어서, 제2 RF 생성부(31b)는, 다른 주파수를 갖는 복수의 바이어스 RF 신호를 생성하도록 구성되어도 된다. 생성된 1개 또는 복수의 바이어스 RF 신호는, 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 공급된다. 또한, 다양한 실시 형태에 있어서, 소스 RF 신호 및 바이어스 RF 신호 중 적어도 하나가 펄스화되어도 된다.

또한, 전원(30)은, 플라스마 처리 챔버(10)에 결합되는 DC 전원(32)을 포함해도 된다. DC 전원(32)은, 제1 DC 생성부(32a) 및 제2 DC 생성부(32b)를 포함한다. 일 실시 형태에 있어서, 제1 DC 생성부(32a)는, 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 접속되어, 제1 DC 신호를 생성하도록 구성된다. 생성된 제1 DC 신호는, 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 인가된다. 일 실시 형태에 있어서, 제1 DC 신호가, 정전 척 내의 전극과 같은 다른 전극에 인가되어도 된다. 일 실시 형태에 있어서, 제2 DC 생성부(32b)는, 샤워 헤드(13)의 도전성 부재에 접속되어, 제2 DC 신호를 생성하도록 구성된다. 생성된 제2 DC 신호는, 샤워 헤드(13)의 도전성 부재에 인가된다. 다양한 실시 형태에 있어서, 제1 및 제2 DC 신호가 펄스화되어도 된다. 또한, 제1 및 제2 DC 생성부(32a, 32b)는, RF 전원(31)에 더하여 마련되어도 되고, 제1 DC 생성부(32a)가 제2 RF 생성부(31b) 대신에 마련되어도 된다.

배기 시스템(40)은, 예를 들어 플라스마 처리 챔버(10)의 저부에 마련된 가스 배출구(10e)에 접속될 수 있다. 배기 시스템(40)은, 압력 조정 밸브 및 진공 펌프를 포함해도 된다. 압력 조정 밸브에 의해, 플라스마 처리 공간(10s) 내의 압력이 조정된다. 진공 펌프는, 터보 분자 펌프, 드라이 펌프 또는 이들의 조합을 포함해도 된다.

기판 지지부(11)의 주위에는, 배기 링(50)(배기 링 어셈블리)이 배치되어 있다. 배기 링(50)은, 환상 부재이며, 플라스마 처리 챔버(10)의 측벽과 기판 지지부(11)의 측벽 사이에 마련된다. 배기 링(50)은, 플라스마 처리 챔버(10) 내를 플라스마 처리 공간(10s)과 배기 공간(10t)으로 격리한다. 배기 링(50)은, 2매의 판상 부재를 중첩시킨 2중 구조로 되어 있다.

[배기 링]

2중 구조의 배기 링에서는, 배기 구멍에 의한 개구율이 높아지면 배기 효율은 향상되지만, 플라스마 처리 공간(10s)으로부터 배기 공간(10t)에 플라스마가 누설되기 쉬워지고, 개구율이 낮아지면, 플라스마가 누설되기 어렵지만 배기 효율이 저하된다는 트레이드 오프의 관계가 있다. 즉, 플라스마 처리 공간(10s)으로부터의 배기 가스를 효율적으로 배기하기 위해서는, 배기 링(50)의 배기 구멍을 크게 해서 컨덕턴스를 높이는 방법이 있지만, 이것은 배기 링(50)으로부터 플라스마의 누설을 야기하는 것으로 이어진다. 한편, 플라스마가 누설되지 않도록 배기 구멍을 작게 해서 플라스마의 가둠 효과를 강화한 배기 링(50)에서는, 배기 가스의 흐름을 저해해버려, 배기 효율의 저하를 초래해버린다. 이러한 트레이드 오프를 고려하여, 본 실시 형태에서는, 배기 효율의 향상과 플라스마의 누설 억제가 양립된 배기 링(50)의 형상을 제안한다.

본 실시 형태에 따른 배기 링(50)의 형상에 대해서, 도 3 내지 도 6을 참조하면서 설명한다. 도 3은, 일 실시 형태에 따른 2중 구조의 배기 링(50)의 각 부재의 일례를 도시하는 도면이다. 도 4는, 일 실시 형태에 따른 평행형 배기 링(50) 및 원통형 배기 링(50)의 일례를 도시하는 도면이다. 도 5는, 일 실시 형태에 따른 배기 링(50)의 일부의 상면도 및 단면도이다. 도 6은, 일 실시 형태 및 비교예에 따른 배기 링(50)을 통과하는 가스의 흐름의 일례를 도시하는 도면이다.

도 3에 도시한 바와 같이, 배기 링(50)은, 복수의 배기 구멍을 갖는 환상의 제1 부재(50U)(제1 환상 부재)와, 복수의 배기 구멍을 갖는 환상의 제2 부재(50D)(제2 환상 부재)를 갖고, 제1 부재(50U)와 제2 부재(50D)는 겹쳐서 배치된다. 도 3의 (a)는 제1 부재(50U)를 상면에서 보았을 때의 도면이며, 도 3의 (b)는 제2 부재(50D)를 상면에서 보았을 때의 도면이다. 도 3의 (c)는 제1 부재(50U)와 제2 부재(50D)를 중첩시켜, 2중 구조로 한 배기 링(50)을 상면에서 보았을 때의 도면이다. 배기 링(50)은, 제1 부재(50U) 및 제2 부재(50D)의 직경 방향을 수평 방향으로 겹쳐서 배치하여, 2중 구조로 한 상태에서, 도 2에 도시하는 바와 같이 기판 지지부(11)의 주위에 수평 방향으로 배치된다. 즉, 도 2 및 도 3에 도시하는 배기 링(50)은, 평행형 배기 링이다.

도 3의 (a)의 제1 부재(50U)는, 동심원상으로 배치된 원형의 내측 프레임(50s1) 및 외측 프레임(50t1)과, 그 사이에 방사상으로 360도에 걸쳐서 걸쳐진 복수의 막대 형상의 기재(50a)(제1 막대 형상 부분)를 갖는다. 복수의 기재(50a)는, 내측 프레임(50s1)과 외측 프레임(50t1) 사이에 등피치로 배치되고, 이에 의해, 내측 프레임(50s1) 및 외측 프레임(50t1)의 사이에 방사상으로 복수의 슬릿이 형성된다. 방사상으로 형성된 복수의 슬릿은, 가스를 배기하는 배기 구멍(H1)(제1 배기 구멍)으로서 기능한다.

도 3의 (a)의 제1 부재(50U)의 영역(V)의 확대도(아랫 도면)를 참조하면, 기재(50a1, 50a2, 50a3 …)를 포함하는 기재(50a)의 상면이 모따기되어 있다. 예를 들어, 기재(50a2)의 상면의 양측이 모따기되어, 상면의 양옆에 경사면(a, b)이 형성되어 있다. 즉, 기재(50a)의 상면은 테이퍼 형상을 갖고 있다. 도 3의 (a)의 예에서는, 기재(50a)의 상면 중앙의 면(e)은 평탄한데, 평탄한 면(e)은 없어도 된다. 평탄한 면(e)이 있을 경우, 도 4의 (a)의 우측 도면 및 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 기재(50a)는, 상면의 중앙에 평탄한 면이 있고, 그 양옆에 경사면이 있는 형상으로 된다. 평탄한 면(e)이 없을 경우, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 기재(50a)는, 상면의 중앙에 평탄한 면이 없고, 경사면에 의해 중앙에 정점이 형성된 형상으로 된다.

도 3의 (b)의 제2 부재(50D)는, 동심원상으로 배치된 원형의 내측 프레임(50s2) 및 외측 프레임(50t2)과, 그 사이에 방사상으로 360도에 걸쳐서 걸쳐진 복수의 막대 형상의 기재(50b)(제2 막대 형상 부분)를 갖는다. 복수의 기재(50b)는, 내측 프레임(50s2)과 외측 프레임(50t2) 사이에 등피치로 배치되고, 이에 의해, 내측 프레임(50s2) 및 외측 프레임(50t2)의 사이에 방사상으로 복수의 슬릿이 형성된다. 방사상으로 형성된 복수의 슬릿은, 가스를 배기하는 배기 구멍(H2)(제2 배기 구멍)으로서 기능한다.

도 3의 (a)의 영역(V)과 동일한 배치의 도 3의 (b)의 영역(V)의 확대도(아랫 도면)를 참조하면, 기재(50b1, 50b2, 50b3 …)를 포함하는 기재(50b)의 상면이 모따기되어 있다. 예를 들어, 기재(50b2)의 상면의 양측이 모따기되어, 상면의 양옆에 경사면(c, d)이 형성되어 있다. 즉, 기재(50b)의 상면은 테이퍼 형상을 갖고 있다. 도 3의 (b)의 예에서는, 기재(50b)의 상면 중앙의 면(f)은 평탄한데, 평탄한 면(f)은 없어도 된다. 평탄한 면(f)이 있을 경우, 도 4의 (a)의 우측 도면에 도시하는 바와 같이, 기재(50b)는, 상면의 중앙에 평탄한 면이 있고, 그 양옆에 경사면이 있는 형상으로 된다. 평탄한 면(f)이 없을 경우, 도 5의 (a) 및 (b)에 도시하는 바와 같이, 기재(50b)는, 상면의 중앙에 평탄한 면이 없고, 경사면에 의해 중앙에 정점이 형성된 형상으로 된다.

제1 부재(50U)의 배기 구멍 이외의 부분과 제2 부재(50D)의 배기 구멍 이외의 부분의 상면은, 가스가 흐르는 상류측의 단부면으로 된다. 이에 의해, 배기 가스의 흐름을 좋게 할 수 있다. 또한, 제1 부재(50U)의 배기 구멍(H1) 이외의 부분이란 기재(50a) 부분이며, 제2 부재(50D)의 배기 구멍(H2) 이외의 부분이란 기재(50b) 부분이다.

내측 프레임(50s1)과 내측 프레임(50s2)은 동일한 직경을 갖고, 외측 프레임(50t1)과 외측 프레임(50t2)은 동일한 직경을 갖는다. 따라서, 제1 부재(50U)를 제2 부재(50D) 상에 겹친 도 3의 (c)의 상태에서는, 내측 프레임(50s2) 및 외측 프레임(50t2)은, 내측 프레임(50s1) 및 외측 프레임(50t1) 아래에 배치되어, 상면으로 보았을 때는 보이지 않는다.

또한, 본 실시 형태에 따른 배기 링(50)에서는, 제1 부재(50U)를 제2 부재(50D) 상에 겹쳐서, 도 4의 (a)의 B-B 단면에 도시하는 바와 같이, 제1 부재(50U)와 제2 부재(50D) 사이에 간격(갭)은 마련하지 않는다. 제1 부재(50U)와 제2 부재(50D) 사이에 간격을 마련하지 않아도, 기재(50a)와 기재(50b)는 접촉하지 않아, 배기 통로가 형성되어 있다. 단, 제1 부재(50U)와 제2 부재(50D)의 사이에 간격을 마련해도 된다. 또한, 배기 링(50)은, 제1 부재(50U) 및 제2 부재(50D)가 일체화된 형상이며, 내부에 도 4에 도시한 바와 같은 기재(50a) 및 기재(50b)의 사이의 슬릿이 형성된 구성이어도 된다.

도 5의 (a) 및 (b)에 도시하는 바와 같이, 제1 부재(50U)의 복수의 기재(50a)의 수평 방향의 폭은, 제2 부재(50D)의 복수의 기재(50b) 사이의 슬릿(배기 구멍(H2))의 폭과 동일하다. 제2 부재(50D)의 복수의 기재(50b)의 수평 방향의 폭은, 제1 부재(50U)의 복수의 기재(50a) 사이의 슬릿(배기 구멍(H1))의 폭과 동일하다. 이와 같이 하여 제1 부재(50U)의 슬릿과 제2 부재(50D)의 슬릿의 위상을 어긋나게 한다. 이에 의해, 제1 부재(50U)를 제2 부재(50D) 상에 겹친 상태에서는, 도 5의 (a) 및 (b)에 그 일부를 도시하는 바와 같이, 제1 부재(50U)에 형성된 슬릿(배기 구멍(H1)) 아래에, 상면으로 보았을 때 당해 슬릿의 폭 및 길이와 동일한 폭 및 길이의 기재(50b)가 배치된다. 또한, 제2 부재(50D)에 형성된 슬릿(배기 구멍(H2)) 상에, 상면으로 보았을 때 당해 슬릿의 폭 및 길이와 동일한 폭 및 길이의 기재(50a)가 배치된다.

이에 의해, 도 3의 (a) 및 (b)의 영역(V)과 동일한 배치의 도 3의 (c)의 영역(V)의 확대도, 도 5의 (a) 및 (b)에 도시하는 바와 같이, 상면으로 보았을 때 플라스마 처리 공간(10s)측에서 배기 공간(10t)은 보이지 않는다.

또한, 제1 부재(50U)의 배기 구멍(H)과 제2 부재(50D)의 배기 구멍(H)은, 상면측, 즉 가스가 흐르는 방향에서 보아 서로 중복되어 있지 않다. 또한, 제1 부재(50U)의 배기 구멍(H1) 이외의 부분과 제2 부재(50D)의 배기 구멍(H2) 이외의 부분은, 배기 가스의 흐름의 방향에서 보아 서로 중복되어 있지 않다. 이에 대해서, 도 5를 참조하면서 설명한다.

도 5의 (a)의 윗 도면은, 도 3의 (c)의 확대도(아랫 도면)의 영역(V2)을 더 확대하여, 모식적으로 도시한 도면이다. 도 5의 (a)의 아랫 도면은, 도 5의 (a)의 윗 도면의 I-I 단면을 나타내는 도면이다. 도 5의 (a)의 아랫 도면에 화살표로 나타내는 바와 같이, 배기 가스는, 지면 상으로부터 아래를 향해서 흐른다. 즉, 제1 부재(50U)의 기재(50a)의 상방으로부터 가스가 흘러, 기재(50a)의 사이의 배기 구멍(H1)을 통과하여, 제2 부재(50D)의 기재(50b)의 사이의 배기 구멍(H2)을 통과해서 하류측으로 흐른다. 배기 링(50)이 플라스마 처리 장치(1)에 배치될 때, 상류측은 플라스마 처리 공간(10s)이며, 하류측은 배기 공간(10t)이다.

도 5의 (a)의 아랫 도면에 도시하는 바와 같이, 제1 부재(50U)의 기재(50a)간의 배기 구멍(H1)과 제2 부재(50D)의 기재(50b)간의 배기 구멍(H2)은, 배기 가스의 흐름의 방향에서 보아 서로 중복되어 있지 않다. 단, 기계 가공상, 다소의 중복은 허용된다. 또한, 제1 부재(50U)의 배기 구멍(H1) 이외의 부분과 제2 부재(50D)의 배기 구멍(H2) 이외의 부분은, 배기 가스의 흐름의 방향에서 보아 서로 중복되어 있지 않다. 단, 기계 가공상, 다소의 중복은 허용된다.

또한, 제1 부재(50U)의 배기 구멍(H1) 이외의 부분과 제2 부재(50D)의 배기 구멍(H2) 이외의 부분의 적어도 상류측의 단부면(a, b, c, d)은, 테이퍼 형상을 갖고 있다. 테이퍼 형상의 단부면(a, b, c, d)은, 배기 가스의 흐름의 수직 방향을 기준으로 해서 각도가 45도로 형성되어 있다. 단, 이것에 한정되지 않고, 테이퍼 형상의 적어도 상류측의 단부면(a, b, c, d)은, 배기 가스의 흐름의 수직 방향을 기준으로 해서 각도가 45도 이상으로 형성될 수 있다.

기재(50a) 및 기재(50b)는 크기를 바꾸어도 된다. 기재(50a) 및 기재(50b)의 형상에 대해서도 이하의 변경이 가능하다. 예를 들어, 도 5의 (b)의 예에서는, 기재(50a) 및 기재(50b)의 단면 형상은 동일 형상의 마름모꼴이다. 이에 반해, 도 5의 (a)의 예에서는, 기재(50a) 및 기재(50b)의 단면 형상은 다른 형상으로, 기재(50b)는 마름모꼴이지만 기재(50a)는 육각형이다. 즉, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 상류측의 기재(50a)의 배기 가스가 흐르는 방향의 정점 및 대항하는 면이 평탄하게 형성되어도 된다.

또한 기재(50a) 및 기재(50b)의 좌우의 정점은 평탄하게 형성되어도 된다. 가스의 흐름을 양호하게 하기 위해서, 하류측의 기재(50b)의 가스가 흐르는 방향의 정점(단부면(c, d)으로부터 이루는 각)은, 평탄하게 하지 않는 편이 좋은 경우가 있다. 하류측의 기재(50b)의 가스가 흐르는 방향의 정점이 단부면(c, d)에 의해 90도 이하의 각도로 형성되어 있으면, 기재(50b)의 형상은, 마름모꼴, 육각형 외에, 삼각형이어도 되고, 다른 형상이어도 된다. 또한, 상류측의 기재(50a)의 가스가 흐르는 방향의 정점이 단부면(a, b)에 의해 90도 이하의 각도로 형성되어 있으면, 기재(50a)의 형상은, 마름모꼴, 육각형 외에, 삼각형이어도 된다.

도 6의 (a) 및 (b)에 도시하는 비교예에 따른 배기 링(150)에서는, 부재(150a)와 부재(150b)의 단면은 직사각형이며, 이들 부재의 단부면은 테이퍼 형상을 갖고 있지 않다. 이 경우, 지면 상의 가스가 흐르는 방향에서 보아 부재(150a)와 부재(150b)가 중복되는 도 6의 (a)와 부재(150a)와 부재(150b)가 중복되지 않는 도 6의 (b) 모두, 기재(50a) 로부터 기재(50b)에 배기 가스가 흐를 때의 가스의 절첩 각도가 약 90도로 된다. 또한, 기재(50b)로부터 기재(50b)의 하류측에 배기 가스가 흐를 때의 가스의 절첩 각도가 약 90도로 되어, 배기 링(50)을 통과한 배기 가스의 절첩 각도의 합계가 대략 180도로 된다.

이에 반해, 본 실시 형태에 따른 형상 및 배치의 기재(50a, 50b)를 갖는 배기 링(50)에 의하면, 도 5의 (a) 및 (b)에 도시하는 바와 같이, 기재(50a, 50b)의 단면을 보았을 때, 가스의 흐름의 수직 방향을 기준으로 해서 각도가 45도로 형성되어 있다. 그 결과, 도 6의 (c)에 도시하는 바와 같이, 기재(50a)로부터 기재(50b)에 배기 가스가 흐를 때의 가스의 절첩 각도가 약 45도로 되고, 기재(50b)로부터 기재(50b)의 하류측으로 가스가 흐를 때의 가스의 절첩 각도가 약 45도로 된다. 따라서, 배기 링(50)을 통과하는 가스의 절첩 각도의 합계가 대략 90도로 된다. 이에 의해, 본 실시 형태에 따른 배기 링(50)에 의하면, 배기 가스의 컨덕턴스가 비교예보다도 높아져서, 배기 효율을 향상시킬 수 있다.

도 7은, 다른 비교예의 배기 링을 통과하는 가스의 흐름의 일례를 도시하는 도면이다. 도 7의 (a)는, 셰브론(산형)의 슬릿을 배기 구멍으로서 마련한 배기 링(150)의 예이다. 도 7의 (b)는, 경사진 슬릿을 배기 구멍으로서 마련한 배기 링(150)의 예이다. 이들의 경우, 1개의 슬릿으로 대항면을 차폐할 수 있다. 이러한 배기 링(150)과 비교해도, 본 실시 형태에 따른 배기 링(50)에서는, 도 6의 (c)의 기재(50a) 및 기재(50b)에 나타내는 바와 같이, 배기 링(50)의 단면에서의 배기 구멍(H1) 및 배기 구멍(H2)의 체적률이 높아, 비교예보다도 배기 효율이 높다. 또한, 도 7의 (a) 및 (b)의 슬릿 형상에서는, 후술하는 용사에 의해 배기 구멍의 표면 전체면을 용사막으로 피막하는 것은 곤란하다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시 형태의 배기 링(50)에 의하면, 배기 링(50)의 단면에서의 배기 구멍(H)의 체적률이 높아, 배기 효율을 향상시킬 수 있다. 이에 더하여, 본 실시 형태의 배기 링(50)은, 플라스마 처리 공간(10s)측에서 배기 공간(10t)은 보이지 않는 구조를 갖는다. 이에 의해, 플라스마의 누설을 억제할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 배기 링(50)에 의하면, 배기 효율의 향상과 플라스마의 누설 억제를 양립할 수 있다.

이상에서는, 제1 부재(50U) 및 제2 부재(50D)가 간격을 두지 않고 겹쳐서 배치되어 있는 평행형 배기 링(50)에 대해서 설명하였다. 그러나, 제1 부재(50U)와 제2 부재(50D)는, 간격을 두고 겹쳐서 배치해도 된다.

도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이, 원통형 배기 링(50)이어도 된다. 이 경우, 제1 부재(50U) 및 제2 부재(50D)는 수직 방향으로 겹쳐서 배치되어 있다. 이 경우, 제1 부재(50U)가 내측에 배치되고, 제2 부재(50D)가 외측에 배치된다. 원통형 배기 링(50)의 내측으로부터 외측으로 배기 가스가 배기된다. 즉, 배기 가스의 흐름 방향은, 배기 링(50)의 내측으로부터 방사상으로 외측을 향하는 방향이다.

도 4의 (b)의 C-C 단면을 참조하면, 원통형 배기 링(50)에서도, 제1 부재(50U)와 제2 부재(50D)는 간격을 두지 않고 겹쳐서 배치되어 있다. 단, 제1 부재(50U)와 제2 부재(50D)는, 간격을 두고 겹쳐서 배치해도 된다.

어느 타입의 배기 링(50)이든, 제1 부재(50U) 및 제2 부재(50D)는, 배기 가스의 흐름 방향으로 제2 부재(50D)의 두께의 절반 이상의 거리를 두고 겹쳐서 배치되어도 된다. 즉, 제2 부재(50D)의 기재(50b)의 가스의 흐름 방향에 대하여 상류측을 향하는 정점은, 기재(50b)의 두께의 절반 이하이면, 가스의 흐름 방향으로 제1 부재(50U)에 오버랩해도 된다. 기재(50b)의 두께의 절반을 초과해서 가스의 흐름 방향으로 제2 부재(50D)를 제1 부재(50U)에 오버랩시키면, 배기 효율이 나빠진다.

또한, 제1 부재(50U)와 제2 부재(50D)가 일체로 형성되어도 된다. 도 4의 (a)에 도시하는 평행형 배기 링(50)에서도, 제1 부재(50U)와 제2 부재(50D)가 일체로 형성되어도 된다.

이상, 형상을 적정화함으로써, 배기 링(50)을 2중 구조로 했을 때의 배기 효율의 악화를 방지하여, 배기 효율의 향상과 플라스마의 누설 억제를 양립하는 것이 가능한 배기 링(50)에 대해서 설명하였다.

[용사]

이어서, 도 8 및 도 9를 참조하여, 일 실시 형태에 따른 배기 링(50)의 용사 방법의 일례에 대해서, 비교예의 배기 링(150)과 비교해서 설명한다. 도 8 및 도 9는, 일 실시 형태에 따른 배기 링(50)의 용사 방법의 일례를, 비교예의 배기 링(150)과 비교해서 도시하는 도면이다. 배기 링(50)은, 플라스마 처리 공간(10s)으로부터 배기 공간(10t)에 배기 가스를 배기하기 위해 플라스마 처리 공간(10s)과 배기 공간(10t)을 연통하는 복수의 배기 구멍(H)을 갖는다. 배기 링(50)의 표면은, 배기 구멍(H)의 내부도 포함해서 플라스마에 폭로된다. 따라서, 제1 부재(50U) 및 제2 부재(50D)의 표면에는, 용사막이 형성되어 있다. 제1 부재(50U) 및 제2 부재(50D)의 표면은, 플라스마 내성이 있는 Y₂O₃ 등의 용사막에 의해 피복되는 것이 바람직하다.

그러나, 도 8의 (a)에 도시하는 바와 같이, 비교예의 직사각 형상의 배기 링(150)에서는, 배기 구멍의 애스펙트비에 따라서는 배기 구멍의 내부에 스프레이한 용사재의 입자가 전달되지 않는 위치(P1)가 생긴다. 도 8의 (a)의 예에서는, 스프레이하는 용사재의 배기 구멍(H)의 측벽에 대한 각도가 45도 미만으로, 배기 구멍이 가늘어서 위치(P1)까지 용사재가 전달되지 않기 때문에, 배기 구멍(H)의 표면 전체를 용사막에 의해 피막할 수 없다.

도 9의 (a)의 예에서는, 제1 부재(150U)와 제2 부재(150D)가 겹쳐 있는 부분(예를 들어, P3)에서는, 용사의 스프레이가 도달하지 않는 경우가 있다. 대책으로서는, 용사재를 스프레이하는 각도를 바꾸는 것을 들 수 있지만, 용사막의 두께가 불균일해지는 것이 염려된다. 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 배기 링(50)의 형상에 따라서는 각도를 부여하여 용사재를 스프레이할 수 없기 때문에, 배기 구멍(H)의 내부에 용사막을 코팅할 수 없는 경우가 있다. 도 8의 (b)의 예에서는, x 방향으로 이동하면서 용사재를 스프레이하면, 배기 링(50)의 모퉁이부의 내부를 용사할 수 없다.

도 9의 (b)의 예는, 배기 구멍의 애스펙트비(E)가 크고 또한 가스의 유로(F)를 확보하기 위해서 간격을 두고 배치된 제1 부재(150U) 및 제2 부재(150D)에 용사재를 스프레이한다. 이 경우, 첫번째의 용사에서는 배기 구멍(H)의 측면과 제1 부재(150U)의 상면을 용사한다. 계속해서, 두번째의 용사에서는 배기 구멍(H)의 저면(제2 부재(150D)의 상면)과 제1 부재(150U)의 상면을 용사한다. 그렇게 하면, 2회 용사한 제1 부재(150U)의 상면에서는, 다른 부분보다도 용사 횟수가 많기 때문에 용사막(51)의 막 두께에 차가 생겨서, 용사막(51)을 균등하게 형성할 수 없다.

이에 반해, 본 실시 형태에 따른 배기 링(50)에서는, 배기 구멍(H)을 형성하는 테이퍼 형상의 단부면은, 배기 가스의 흐름의 수직 방향을 기준으로 해서 각도(θ)가 45도 이상으로 형성되기 때문에, 배기 구멍(H) 내의 전체를 용사막에 의해 피복할 수 있다. 따라서, 도 9의 (c)에 도시하는 바와 같이, 용사재를 배기 링(50)에 대하여 수직으로 스프레이해도 배기 구멍(H1, H2) 내에 대하여 θ가 45도 이상인 용사 각도를 얻을 수 있기 때문에, 배기 구멍(H) 전체에 용사막을 형성할 수 있다. 즉, 본 실시 형태에 따른 배기 링(50)에 의하면, 용사재를 배기 링(50)에 대하여 수평하게 이동시키면서 수직으로 스프레이하면 된다. 본 실시 형태에 따른 배기 링(50)에서는, 배기 구멍(H) 내를 1회의 용사로 피복할 수 있다. 이에 의해 막 두께를 균일하게 할 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 배기 링(50)에 의하면, 전체의 형상과 배기 가스가 흐르는 방향의 입구 형상을 적정화하였다. 이에 의해, 기재(50a) 및 기재(50b)의 단면의 배기 구멍(H)의 체적률을 높게 유지하면서도 플라스마 처리 공간(10s)측에서 본 배기 링(50)에 간극이 없어, 플라스마의 누설 억제를 도모할 수 있다. 이에 더하여, 배기 링(50) 내에서의 배기 가스의 흐름의 절첩 각도를 90도 미만의 각도에서 배기할 수 있어, 배기 효율의 향상을 도모할 수 있다. 이와 같이 하여 배기 효율의 향상과 플라스마의 누설 억제를 양립하는 배기 링(50)을 제공할 수 있다. 또한 이 배기 링(50)의 형상에 의하면, 배기 링(50)의 표면에 균일하게 용사막을 피복할 수 있다.

금회 개시된 실시 형태에 따른 배기 링 및 플라스마 처리 장치는, 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태에서 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시 형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 다른 구성도 취할 수 있으며, 또한 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.

본 개시의 플라스마 처리 장치(1)는, ALD(Atomic Layer Deposition) 장치, CCP(Capacitively Coupled Plasma), ICP(Inductively Coupled Plasma), RLSA(Radial Line Slot Antenna), ECR(Electron Cyclotron Resonance Plasma), HWP(Helicon Wave Plasma)의 어느 타입의 장치에서든 적용 가능하다.

Claims

기판 지지부의 주위에 배치되는 배기 링 어셈블리이며,
둘레 방향을 따라 교대로 배열되는 복수의 제1 배기 구멍 및 복수의 제1 막대 형상 부분을 갖는 제1 환상 부재이며, 각 제1 배기 구멍은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있고, 각 제1 막대 형상 부분은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있는 제1 환상 부재와,
상기 제1 환상 부재의 하방에 배치되어, 둘레 방향을 따라 교대로 배열되는 복수의 제2 배기 구멍 및 복수의 제2 막대 형상 부분을 갖는 제2 환상 부재이며, 각 제2 배기 구멍은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있고, 각 제2 막대 형상 부분은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있는 제2 환상 부재를 갖고,
상기 복수의 제1 막대 형상 부분과 상기 복수의 제2 막대 형상 부분은, 위에서 보아 서로 중복되어 있지 않고,
상기 복수의 제1 막대 형상 부분의 각각 및 상기 복수의 제2 막대 형상 부분의 각각 중의 적어도 하나는, 상향 테이퍼 형상을 갖고 있는,
배기 링 어셈블리.
제1항에 있어서, 상기 복수의 제1 막대 형상 부분의 각각은, 상향 테이퍼 형상을 갖고 있고,
상기 복수의 제2 막대 형상 부분의 각각은, 상향 테이퍼 형상을 갖고 있는, 배기 링 어셈블리.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 제1 막대 형상 부분의 각각 및 상기 복수의 제2 막대 형상 부분의 각각 중의 적어도 하나는, 하향 테이퍼 형상을 갖고 있는, 배기 링 어셈블리.
제2항에 있어서, 상기 복수의 제1 막대 형상 부분의 각각은, 하향 테이퍼 형상을 또한 갖고 있으며,
상기 복수의 제2 막대 형상 부분의 각각은, 하향 테이퍼 형상을 또한 갖고 있는, 배기 링 어셈블리.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 제1 막대 형상 부분의 각각 및 상기 복수의 제2 막대 형상 부분의 각각 중의 적어도 하나는, 상기 상향 테이퍼 형상에 있어서 수평 방향에 대하여 45도 이상 경사져 있는 경사면을 갖는, 배기 링 어셈블리.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 환상 부재는, 상기 복수의 제1 막대 형상 부분 상에 형성되는 제1 용사막을 포함하고,
상기 제2 환상 부재는, 상기 복수의 제2 막대 형상 부분 상에 형성되는 제2 용사막을 포함하는, 배기 링 어셈블리.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 막대 형상 부분과 상기 제2 막대 형상 부분 사이에 간극이 형성되고, 상기 간극은, 상기 제2 환상 부재의 두께의 절반 이상의 거리를 갖는, 배기 링 어셈블리.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 제1 막대 형상 부분 각각의 하단부의 높이는, 상기 복수의 제2 막대 형상 부분 각각의 상단부의 높이와 대략 일치하고 있는, 배기 링 어셈블리.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 막대 형상 부분과 상기 제2 막대 형상 부분은, 옆에서 보아 서로 중복되어 있는, 배기 링 어셈블리.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 환상 부재 및 상기 제2 환상 부재는, 일체형으로 형성되어 있는, 배기 링 어셈블리.
기판 지지부의 주위에 배치되는 배기 링 어셈블리이며,
둘레 방향을 따라 교대로 배열되는 복수의 제1 배기 구멍 및 복수의 제1 막대 형상 부분을 갖는 제1 환상 부재이며, 각 제1 배기 구멍은, 세로 방향을 따라 연장되어 있고, 각 제1 막대 형상 부분은, 세로 방향을 따라 연장되어 있는 제1 환상 부재와,
상기 제1 환상 부재의 주위에 배치되고, 둘레 방향을 따라 교대로 배열되는 복수의 제2 배기 구멍 및 복수의 제2 막대 형상 부분을 갖는 제2 환상 부재이며, 각 제2 배기 구멍은, 세로 방향을 따라 연장되어 있고, 각 제2 막대 형상 부분은, 세로 방향을 따라 연장되어 있는 제2 환상 부재를 갖고,
상기 복수의 제1 막대 형상 부분과 상기 복수의 제2 막대 형상 부분은, 직경 방향에 있어서 서로 중복되어 있지 않고,
상기 복수의 제1 막대 형상 부분의 각각 및 상기 복수의 제2 막대 형상 부분의 각각 중의 적어도 하나는, 내향 테이퍼 형상 또는 외향 테이퍼 형상을 갖고 있는,
배기 링 어셈블리.
제11항에 있어서, 상기 제1 막대 형상 부분은, 내향 테이퍼 형상 및 외향 테이퍼 형상 중의 적어도 하나를 갖고 있고,
상기 제2 막대 형상 부분은, 내향 테이퍼 형상 및 외향 테이퍼 형상 중의 적어도 하나를 갖고 있는, 배기 링 어셈블리.
적어도 하나의 가스 공급구 및 적어도 하나의 가스 배출구를 갖는 플라스마 처리 챔버와,
상기 플라스마 처리 챔버 내에 배치되는 기판 지지부와,
상기 기판 지지부의 주위에 배치되는 배기 링 어셈블리를 구비하고,
상기 배기 링 어셈블리는,
둘레 방향을 따라 교대로 배열되는 복수의 제1 배기 구멍 및 복수의 제1 막대 형상 부분을 갖는 제1 환상 부재이며, 각 제1 배기 구멍은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있고, 각 제1 막대 형상 부분은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있는 제1 환상 부재와,
상기 제1 환상 부재의 하방에 배치되어, 둘레 방향을 따라 교대로 배열되는 복수의 제2 배기 구멍 및 복수의 제2 막대 형상 부분을 갖는 제2 환상 부재이며, 각 제2 배기 구멍은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있고, 각 제2 막대 형상 부분은, 직경 방향을 따라서 연장되어 있는 제2 환상 부재를 포함하고,
상기 복수의 제1 막대 형상 부분과 상기 복수의 제2 막대 형상 부분은, 위에서 보아 서로 중복되어 있지 않고,
상기 복수의 제1 막대 형상 부분의 각각 및 상기 복수의 제2 막대 형상 부분의 각각 중의 적어도 하나는 상향 테이퍼 형상을 갖고 있는,
플라스마 처리 장치.