KR20220095573A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 119
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 27
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 for example Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 서브 화소를 포함하는 기판, 기판 상에 배치되는 복수의 박막 트랜지스터, 복수의 박막 트랜지스터 상에 배치되는 평탄화층, 평탄화층 상에 배치되고, 복수의 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 복수의 제1 전극, 평탄화층 상에 배치되고, 복수의 제1 전극과 이격된 복수의 제2 전극, 복수의 제1 전극 및 복수의 제2 전극 각각의 일부를 덮고, 발광 영역을 정의하도록 배치되는 뱅크, 발광 영역에 배치되고, 복수의 제1 전극 및 복수의 제2 전극에 전기적으로 연결된 복수의 LED 발광 소자, 및 뱅크 상에 배치되는 복수의 제1 도전 패턴을 포함한다. 이에, LED 발광 소자의 자가 정렬이 용이하게 이루어질 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 LED 발광 소자의 자가 정렬(self-align)이 용이하게 이루어질 수 있는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
현재 본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시 장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러 가지 표시 장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다.
구체적으로, 광원으로서 LED 발광 소자(Light Emitting Diode)를 사용하는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device) 및 자체 발광형 OLED를 사용하는 유기 발광 소자 표시 장치(Organic Light Emitting Diode Display Device) 등과 같은 평판 표시 장치(Flat Panel Display Device)는 얇은 두께와 낮은 소비전력으로 인해 차세대 표시 장치로서 각광을 받고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 도전 패턴을 통해 LED 발광 소자를 자가 정렬할 수 있는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 LED 발광 소자를 자가 정렬하기 위해 사용되는 도전 패턴을 터치 전극으로 구현 가능한 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 서브 화소를 포함하는 기판, 기판 상에 배치되는 복수의 박막 트랜지스터, 복수의 박막 트랜지스터 상에 배치되는 평탄화층, 평탄화층 상에 배치되고, 복수의 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 복수의 제1 전극, 평탄화층 상에 배치되고, 복수의 제1 전극과 이격된 복수의 제2 전극, 복수의 제1 전극 및 복수의 제2 전극 각각의 일부를 덮고, 발광 영역을 정의하도록 배치되는 뱅크, 발광 영역에 배치되고, 복수의 제1 전극 및 복수의 제2 전극에 전기적으로 연결된 복수의 LED 발광 소자, 및 뱅크 상에 배치되는 복수의 제1 도전 패턴을 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 복수의 서브 화소 각각에 복수의 박막 트랜지스터가 배치된 기판을 준비하는 단계, 복수의 박막 트랜지스터 상에 평탄화층을 형성하는 단계, 평탄화층 상에 서로 이격되는 복수의 제1 전극 및 복수의 제2 전극을 형성하는 단계, 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극 각각의 일부를 덮고, 발광 영역을 정의하는 뱅크를 형성하는 단계, 뱅크 상에 복수의 제1 도전 패턴을 형성하는 단계, 및 복수의 제1 도전 패턴에 전압을 인가하여 복수의 LED 발광 소자를 자가 정렬하는 단계를 포함한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 뱅크 상에 배치된 복수의 도전 패턴에 전압을 인가하여 LED 발광 소자를 자가 정렬함으로써, LED 발광 소자를 기판 상에 배치하는 공정이 간소화되고 비용이 감소될 수 있다.
본 발명은 LED 발광 소자를 자가 정렬하기 위해 사용하는 도전 패턴과 함께 추가적인 도전 패턴을 배치하여 터치 감지부를 구성할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II'에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 LED 발광 소자의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1의 II-II'에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 LED 발광 소자의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 복수의 화소가 배치되어 실질적으로 영상이 표시되는 영역이다. 표시 영역(DA)에는 영상을 표시하기 위한 발광 영역을 포함하는 화소 및 화소를 구동하기 위한 구동 회로가 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싼다. 비표시 영역(NDA)은 실질적으로 영상이 표시되지 않는 영역으로 표시 영역(DA)에 배치되는 화소 및 구동 회로를 구동하기 위한 다양한 배선, 구동 IC, 인쇄 회로 기판 등이 배치된다. 예를 들어, 비표시 영역(NDA)에는 게이트 드라이버 IC, 데이터 드라이버 IC와 같은 다양한 IC, VSS 배선 등이 배치될 수 있다.
복수의 화소는 매트릭스 형상으로 배열되고, 복수의 화소 각각은 복수의 서브 화소(SP)를 포함한다. 서브 화소(SP)는 하나의 색을 표시하기 위한 엘리먼트로서, 광이 발광되는 발광 영역 및 광이 발광되지 않는 비발광 영역을 포함하나, 본 발명에서는 광이 발광되는 발광 영역만을 서브 화소(SP)로 정의한다.
복수의 서브 화소(SP)는 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소는 제1 방향(x축 방향)으로 교번하며 반복 배열될 수 있다. 다른 예로 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소는 제1 방향을 따라 교번하며 지그재그(zigzag) 형태로 배열될 수 있다. 이 경우, 제1 서브 화소 및 제3 서브 화소는 제1 방향(x축 방향)으로 배열되고, 제2 서브 화소는 제1 서브 화소 및 제3 서브 화소와 제2 방향(y축 방향)으로 이격되어 제1 방향을 따라 배열 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
복수의 서브 화소(SP) 각각은 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 청색 서브 화소 및 백색 서브 화소 중 어느 하나 일수 있다. 예를 들어, 제1 서브 화소는 적색 서브 화소이고, 제2 서브 화소는 녹색 서브 화소이고, 제3 서브 화소는 청색 서브 화소일 수 있다. 이하에서는 제1 서브 화소는 적색 서브 화소, 제2 서브 화소는 녹색 서브 화소, 제3 서브 화소는 청색 서브 화소인 것으로 가정하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)를 설명한다. 이는 설명의 편의를 위해 각 서브 화소의 색상을 예시적으로 기재한 것일 뿐 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 각각의 서브 화소(SP)의 색상 및 배치는 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
도 2는 도 1의 II-II'에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판(110)은 표시 장치(100)의 다른 구성 요소를 지지하기 위한 지지 부재로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리 또는 수지 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(110)은 고분자 또는 폴리이미드(Polyimide, PI) 등과 같은 플라스틱을 포함하여 이루어질 수도 있고, 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 물질로 이루어질 수도 있다.
기판(110) 상에 버퍼층(111)이 배치된다. 버퍼층(111)은 기판(110)을 통한 수분 또는 불순물의 침투를 저감할 수 있다. 버퍼층(111)은 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 다만, 버퍼층(111)은 기판(110)의 종류나 트랜지스터(120)의 종류에 따라 생략될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
트랜지스터(120)는 버퍼층(111) 상에 배치된다. 트랜지스터(120)는 액티브층(121), 게이트 전극(122), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 포함한다.
액티브층(121)은 버퍼층(111) 상에 배치된다. 액티브층(121)은 산화물 반도체, 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘 등과 같은 반도체 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 액티브층(121)이 산화물 반도체로 형성된 경우, 액티브층(121)은 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역으로 이루어지고, 소스 영역 및 드레인 영역은 도체화된 영역일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
액티브층(121) 상에 게이트 절연층(112)이 배치된다. 게이트 절연층(112)은 액티브층(121)과 게이트 전극(122)을 절연시키기 위한 절연층으로, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
게이트 전극(122)은 게이트 절연층(112) 상에 배치된다. 게이트 전극(122)은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이에 대한 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
게이트 전극(122) 상에 층간 절연층(113)이 배치된다. 층간 절연층(113)에는 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 각각이 액티브층(121)에 접속하기 위한 컨택홀이 형성된다. 층간 절연층(113)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 층간 절연층(113) 상에 배치된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 서로 이격되어 액티브층(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이에 대한 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
공통 라인(CL)은 층간 절연층(113) 상에 배치된다. 공통 라인(CL)은 제2 전극(132)에 공통 전압을 전달하기 위한 배선일 수 있다 공통 라인(CL)은 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일하게 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이에 대한 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
소스 전극(123), 드레인 전극(124) 및 공통 라인(CL) 상에는 패시베이션층(114)이 배치된다. 패시베이션층(114)은 소스 전극(123), 드레인 전극(124) 및 공통 라인(CL)을 보호할 수 있다. 패시베이션층(114)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
패시베이션층(114) 상에는 평탄화층(115)이 배치된다. 평탄화층(115)은 기판(110)의 상부를 평탄화하는 절연층이다. 평탄화층(115)은 유기 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴(Photo Acryl)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
평탄화층(115)에는 상에는 제1 전극(131), 제2 전극(132) 및 뱅크(116)가 배치된다.
제1 전극(131)은 드레인 전극(124)의 일부를 노출하는 패시베이션층(114)과 평탄화층(115)에 형성된 제1 콘택홀을 통해 드레인 전극(124)과 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 제1 전극(131)은 박막 트랜지스터(120)가 온(on) 되면 데이터 라인을 통해 전달되는 데이터 전압을 인가받을 수 있다.
제2 전극(132)은 제1 전극(131)과 동일 평면 상에서 이격되어 배치된다. 제2 전극(132)은 공통 라인(CL)의 일부를 노출하는 게이트 절연막(112), 패시베이션층(114) 및 평탄화층(115)에 형성된 제2 콘택홀을 통해 공통 라인(CL)과 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 제2 전극(132)은 공통 라인(CL)을 통해 전달되는 공통 전압을 인가받을 수 있다.
제1 전극(131)과 제2 전극(132)은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(131)과 제2 전극(132)은, 예를 들어, 금속 물질 또는 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
복수의 LED 발광 소자(140)는 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)과 연결되어 각각의 서브 화소(SP)와 대응되는 파장의 광을 발광할 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 화소에 배치된 복수의 LED 발광 소자(140)는 청색 광을 발광하고, 제2 서브 화소에 배치된 복수의 LED 발광 소자(140)는 녹색 광을 발광하고, 제3 서브 화소에 배치된 복수의 LED 발광 소자(140)는 적색 광을 발광할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
LED 발광 소자(140)는 제1 소자 전극(141), 제1 도전성 반도체층(142), 활성층(143), 제2 도전성 반도체층(144) 및 제2 소자 전극(145)을 포함한다.
도 2를 참조하면, LED 발광 소자(140)는 제1 전극(131)과 제2 전극(132) 사이에 배치된다. LED 발광 소자(140)는 제1 소자 전극(141), 제1 도전성 반도체층(142), 활성층(143), 제2 도전성 반도체층(144) 및 제2 소자 전극(145)을 포함할 수 있다. 제1 소자 전극(141)은 제1 전극(131)의 일 단 상에 배치되어 컨택하고, 제2 소자 전극(145)은 제2 전극(132)의 일 단 상에 배치되어 컨택할 수 있다. 이에, LED 발광 소자(140)에 데이터 전압 및 공통 전압이 인가되어 활성층(143)에서 발광이 이루어질 수 있다. 도면에서는 LED 발광 소자(140)의 제1 소자 전극(141) 및 제2 소자 전극(145) 각각은 제1 전극(131)의 일 단 및 제2 전극(132)의 일 단 상에 배치되어 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)과 컨택하는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, LED 발광 소자(140)가 평탄화층(115) 상에 배치되어 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)의 단부와 컨택하는 것일 수도 있다. LED 발광 소자(140)의 구체적인 구조는 후술하도록 한다.
뱅크(116)는 발광 영역을 정의하는 절연층으로 평탄화층(116) 상에 형성된다. 뱅크(116)는 유기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 평탄화층(115)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 다르게는, 뱅크(116)는 LED 발광 소자(140)에서 발광된 광이 인접 서브 화소(SP)로 전달되어 혼색 현상이 발생하는 것을 방지하기 위해, 흑색 물질을 포함하여 광을 흡수하도록 구성될 수도 있다. 여기서 뱅크(116)는 필요에 따라 선택적으로 배치할 수 있으며, 이를 제외하는 것도 가능하다.
뱅크(116)는 복수의 제1 전극(131) 및 상기 복수의 제2 전극(132) 각각의 일부를 덮는다. 구체적으로, 뱅크(116)의 양 끝단 중 어느 하나는 제1 전극(131)의 타 단 상에 배치되어 컨택하고, 뱅크(116)의 양 끝단 중 다른 하나는 제2 전극(132)의 타 단 상에 배치되어 컨택할 수 있다. 뱅크(116)는 LED 발광 소자(140)와 서로 이격되어 배치된다. 여기서, 제1 전극(131)의 중앙 부분 및 제2 전극(132)의 중앙 부분은 뱅크(116) 및 LED 발광 소자(140)가 이격된 영역과 중첩한다.
뱅크(116) 상에는 복수의 제1 도전 패턴(150)이 형성될 수 있다. 복수의 제1 도전 패턴(150)은 제1 방향(x축 방향)으로 연장되어 형성된다.
복수의 제1 도전 패턴(150)은 투명전극으로 이루어질 수 있다. 예컨대 복수의 제1 도전 패턴(150)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZO(Zinc Oxide) 등의 산화물 등의 투명 도전성 재료, 또는 탄소 나노 튜브(CNT), 그래핀(Graphine), 실버 나노 와이어(Silver nanowire) 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 제1 도전 패턴(150)에 의하여 복수의 LED 발광 소자(140)의 자가 정렬이 용이하게 이루어질 수 있다. 구체적으로, 복수의 제1 도전 패턴(150) 중 홀수번째 제1 도전 패턴(150)과 짝수번째 제1 도전 패턴(150)에 상이한 전압이 인가되면, 복수의 LED 발광 소자(140)가 자가 정렬될 수 있다. 보다 구체적인 내용은 도 6a 내지 도 6f에서 상술한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 LED 발광 소자의 사시도이다.
도 3을 참조하면, LED 발광 소자(140)는 원기둥 형태의 발광 나노로드일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. LED 발광 소자(140)는 제1 소자 전극(141), 제1 도전성 반도체층(142), 활성층(143), 제2 도전성 반도체층(144) 및 제2 소자 전극(145)을 포함한다.
제1 소자 전극(141)은 활성층(143)으로 정공을 공급할 수 있다. 제1 소자 전극(141)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 또는 이에 대한 합금으로 구성될 수 있다. 또는, 제1 소자 전극(141)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수도 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 도전성 반도체층(142)은 제1 소자 전극(141) 상에 배치된다. 제1 도전성 반도체층(142)은 III-V족 반도체 물질을 포함하는 p형 반도체 층일 수 있다. 구체적으로, 제1 도전성 반도체층(142)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전성 반도체층(142)은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, 제1 도전성 도펀트, 예를 들어 마그네슘(Mg) 등이 도핑될 수 있다.
활성층(143)은 제1 도전성 반도체층(142) 상에 배치된다. 활성층(143)은 특정 색의 광을 발광하기 위한 층으로서, 적색 활성층, 녹색 활성층 및 청색 활성층 중 하나를 포함할 수 있다. 활성층(143)은 전계가 인가되었을 때, 전자-정공 쌍의 결합에 의하여 발광할 수 있다. 활성층(143)은 단일 또는 다중의 양자 우물 구조로 형성될 수 있다. 활성층(143)은 III-V족 반도체 물질을 포함할 수 있다.
제2 도전성 반도체층(144)은 활성층(143) 상에 배치된다. 제2 도전성 반도체층(144)은 III-V족 반도체 물질을 포함하는 n형 반도체 층일 수 있다. 구체적으로, 제2 도전성 반도체층(144)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 도전성 반도체층(144)은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, 제2 도전성 도펀트, 예를 들어 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 등이 도핑될 수 있다.
제2 소자 전극(145)은 활성층(143)으로 전자를 공급할 수 있다. 제2 소자 전극(145)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 또는 이에 대한 합금으로 구성될 수 있다. 또는, 제2 소자 전극(145)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수도 있으나, 이에 제한되지 않는다.
LED 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 제조하는 경우, 전사 공정을 통해 LED 발광 소자를 표시 장치에 배치하였다. 다만, 전사 공정을 통해 LED 발광 소자를 배치하는 경우, 공정 시간이 증가하고 수율이 저하되었다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 뱅크(116)에 LED 발광 소자(140)를 자가 정렬하기 위한 제1 도전 패턴(150)을 배치하고, 제1 도전 패턴(150)을 사용하여 LED 발광 소자(140)를 표시 장치에 배치할 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 복수의 LED 발광 소자(140)가 보다 정확한 위치에 균일하게 얼라인될 수 있으므로, 얼라인 불량이 최소화되고, 표시 장치(100)의 신뢰도가 향상될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 LED 발광 소자(140)를 자가 정렬하여 배치함으로써, 공정 시간을 감소시키고 비용을 절감할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 4의 표시 장치(200)는 도 1 내지 도 3의 표시 장치(100)와 비교하여 복수의 제2 도전 패턴(260)이 배치되어 터치 감지부(270)를 형성한 것을 제외하고는 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 뱅크(116), 복수의 제1 도전 패턴(150) 및 복수의 LED 발광 소자(140) 상에 절연층(217)이 배치된다. 절연층(217)은 투명한 절연층일 수 있다. 예를 들어, 절연층(217)은, 유기 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴(Photo Acryl)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
복수의 제2 도전 패턴(260)은 절연층(217) 상에 형성된다. 복수의 제2 도전 패턴(260)은 복수의 제1 도전 패턴(150)이 배열된 제1 방향(x축 방향)과 교차하는 제2 방향(y 축 방향)으로 배치된다. 도 4에서는 제1 방향 빛 제2 방향은 서로 직교하는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 도전 패턴(150) 및 제2 도전 패턴(260)은 상호 전기적으로 분리될 수 있다. 여기서 전기적으로 분리된다는 표현은 상호 물리적으로 분리됨으로써 상호 직접적으로 전기적 연결이 되지 않는다는 내용을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전 패턴(150) 및 제2 도전 패턴(260) 사이에는 절연층(217)이 배치될 수 있다.
복수의 제2 도전 패턴(260)은 복수의 제1 도전 패턴(150)과 서로 동일한 재질로 이루어질 수 있으며, 서로 상이한 재질로 이루어지는 것도 가능하다.
복수의 제1 도전 패턴(150) 및 복수의 제2 도전 패턴(260)은 터치 전극으로, 터치 감지부(270)의 구성이 될 수 있다. 여기서, 복수의 제1 도전 패턴(150)은 구동 신호의 인가를 위한 구동 전극일 수 있으며, 복수의 제2 도전 패턴(260)은 구동 신호에 기초하여, 터치 입력에 의한 상호 정전용량의 변화를 감지하는 센싱 전극일 수 있다.
제1 도전 패턴(150)과 제2 도전 패턴(260)이 교차하는 부분에는 감지노드(271)가 정의될 수 있으며, 감지노드(271)가 정의된 영역은 사용자로부터 인가되는 터치 입력을 감지할 수 있는 최소 단위이다. 여기서 하나의 감지노드(271)는 하나의 서브 화소(SP) 단위로 정의될 수도 있지만, 수개의 서브 화소(SP)에 대응하는 영역이 블록 단위로 묶이게 되어 하나의 감지노드(271)는 수개의 서브 화소(SP)에 대응하도록 정의될 수도 있다.
각 감지노드(271)는 좌표 값을 가질 수 있다. 예컨대, 감지노드(271)는 직교 좌표계에 대응되는 매트릭스 배열을 가지면서, 그에 상응하는 좌표값을 가질 수 있다.
터치센서 칩(미도시)은 복수의 제1 도전 패턴(150) 및 복수의 제2 도전 패턴(260) 사이에서 발생하는 상호 정전용량 변화에 기초하여 감지노드(271) 별로 감지신호를 획득하고, 터치 위치를 산출할 수 있다.
터치센서 칩(미도시)은 연성인쇄회로기판(Flexible Printed Circuit Board, FPCB)에 실장되거나 기판217 상에 COG(Chip-On-Glass) 형태 또는 COB(Chip-On-Board) 형태로 실장되어 제1 도전 패턴(150) 및 제2 도전 패턴(260)과 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)는, 복수의 제1 도전 패턴(150) 및 복수의 제2 도전 패턴(260)과 터치센서 칩(미도시)을 전기적으로 연결하는 복수의 라우팅 배선(RW1, RW2)을 더 포함할 수 있다. 구체적으로 복수의 라우팅 배선(RW1, RW2)은 복수의 제1 도전 패턴(150) 및 복수의 제2 도전 패턴(260) 외곽부에 형성되며, 복수의 제1 도전 패턴(150)의 일 단에 전기적으로 연결된 복수의 제1 라우팅 배선(RW1) 및 복수의 제2 도전 패턴(260)의 일 단에 전기적으로 연결된 복수의 제2 라우팅 배선(RW2)을 통해 복수의 제1 도전 패턴(150) 및 복수의 제2 도전 패턴(260)이 터치센서 칩(미도시)에 접속될 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)에서는 제1 도전 패턴(150)을 LED 발광 소자(140)의 자가 정렬에 이용하는 것뿐만 아니라, 제1 도전 패턴(150)과 교차되도록 제2 도전 패턴(260)을 배치하여 제1 도전 패턴(150) 및 제2 도전 패턴(260)을 터치 전극으로 활용할 수 있다. 이에, 터치 감지부(270)가 내재화된 표시 장치의 구현이 가능하다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)에서는 별도의 터치 감지부를 사용하지 않고, 제1 도전 패턴을 터치 감지부의 터치 전극으로 사용하여, 터치 감지부(270)의 제조 공정을 단순화하고, 터치 감지부(270)를 제조하기 위한 비용을 감소시킬 수 있다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 구체적으로, 도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)의 평탄화층(115) 상에 배치되는 제1 전극(131), 제2 전극(132), LED 발광 소자(140) 제1 도전 패턴(150) 및 제2 도전 패턴(260)의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
먼저, 도 6a를 참조하면, 복수의 서브 화소(SP) 각각에 복수의 박막 트랜지스터(120)가 배치된 기판(110)을 준비하고, 복수의 박막 트랜지스터(120) 상에 평탄화층(115)을 형성한다. 이어서, 평탄화층(115) 상에 서로 이격되는 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)을 형성한다. 예를 들어, 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)은 포토리소그래피 공정을 통해 동시에 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서, 도 6b를 참조하면, 평탄화층(115) 상에서 제1 전극(131)의 일 단 및 제2 전극(132)의 일 단 상에 뱅크(116)가 형성되고, 형성된 뱅크(116) 상에 제1 도전 패턴(150)을 형성한다. 예를 들어, 뱅크(116) 및 제1 도전 패턴(150)은 포토리소그래피 공정에 의해 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서, 도 6c를 참조하면, 뱅크에 의해 정의된 영역에는 LED 발광 소자 용액(140S)이 투입될 수 있다. 이때, LED 발광 소자 용액(140S)은 복수의 LED 발광 소자(140)를 용매에 혼합하여 제조될 수 있다. 용매는 아세톤, 물, 알코올 및 톨루엔 중 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
이어서, 도 6d를 참조하면, 제1 전극(131)과 제2 전극(132) 사이에 복수의 LED 발광 소자(140)를 자가 정렬한다. 복수의 LED 발광 소자(140)는 청색 광을 발광하는 제1 LED 발광 소자, 녹색 광을 발광하는 제2 LED 발광 소자 및 적색 광을 발광하는 제3 LED 발광 소자를 포함한다. 예를 들어, 제1 LED 발광 소자는 제1 서브 화소와 대응되도록 배치될 수 있다. 제2 LED 발광 소자는 제2 서브 화소와 대응되도록 배치될 수 있다. 제3 LED 발광 소자는 제3 서브 화소와 대응되도록 배치될 수 있다.
LED 발광 소자(140)의 자가 정렬 단계는 제1 LED 발광 소자(140)의 자가 정렬 단계, 제2 LED 발광 소자(140)의 자가 정렬 단계 및 제3 LED 발광 소자(140)의 자가 정렬 단계를 포함할 수 있다.
LED 발광 소자 용액(140S)의 투입 후, 복수의 제1 도전 패턴(150) 중 홀수번째 제1 도전 패턴(150)과 짝수번째 제1 도전 패턴(150)에 상이한 전압을 인가한다. 예를 들어, 홀수번째 제1 도전 패턴(150)에는 + (positive) 전압을 인가하고, 짝수번째 제1 도전 패턴(150)에는 - (negative) 전압을 인가할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 복수의 제1 도전 패턴(150)에 전압이 인가됨으로써, 제1 LED 발광 소자(140)의 제1 소자 전극(141)은 제1 전극(131) 쪽으로 얼라인(align)되고, 제2 소자 전극(145)은 제2 전극(132) 쪽으로 얼라인될 수 있다. 즉, 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)에 전압을 인가함에 따라 제1 LED 발광 소자(140)가 용이하게 자가 정렬될 수 있다.
다음으로, 제2 서브 화소와 대응되는 영역 및 제3 서브 화소와 대응되는 영역에도 제1 서브 화소와 동일한 공정을 진행한다. 이로부터 복수의 서브 화소(SP)에 LED 발광 소자(140)가 자가 정렬될 수 있다.
이어서, 도 6e를 참조하면, 복수의 LED 발광 소자(140)를 복수의 제1 전극(131) 및 복수의 제2 전극(132)에 연결시킨다. 구체적으로, 제1 도전 패턴(150)에 전압이 인가된 상태에서 용매를 건조하면, 복수의 LED 발광 소자(140)가 제1 전극(131) 및 제2 전극(132) 측으로 가라앉으면서 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)과 연결될 수 있다.
도 6f를 참조하면, 복수의 제1 도전 패턴(150)과 교차하는 복수의 제2 도전 패턴(260)을 형성하여 터치 감지부(270)를 형성한다.
먼저, 복수의 제1 도전 패턴(150) 및 복수의 LED 발광 소자(140) 상에 절연층(217)을 형성한다. 이후, 절연층(217) 상에 복수의 제1 도전 패턴(150)과 교차하도록 복수의 제2 도전 패턴(260)을 형성한다. 제2 도전 패턴(260)은 제1 도전 패턴(150)과 동일한 방식으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 도전 패턴(150)과 제2 도전 패턴(260)의 교차 영역에 감지노드(271)가 형성되고 복수의 감지노드(271)를 정의하는 복수의 제1 도전 패턴(150) 및 복수의 제2 도전 패턴(260)으로 이루어진 영역인 터치 감지부(270)가 터치 입력을 수용할 수 있게 된다.
일반적인 LED 발광 소자를 포함하는 표시 장치의 경우, 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소와 대응되는 영역에 적색 LED 발광 소자, 녹색 LED 발광 소자 및 청색 LED 발광 소자를 직접 개별 전사하였다. 이에, 공정 시간 및 비용이 증가하고, 수율이 저하되는 단점이 존재한다.
이에, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)의 제조 방법에서는 평탄화층(115)에 복수의 LED 발광 소자(140)를 자가 정렬하기 위한 복수의 제1 도전 패턴(150)을 배치할 수 있다. 즉, 서로 인접한 2개의 뱅크(116) 사이에 LED 발광 소자(140)가 포함된 용액을 투입하고 제1 도전 패턴(150)에 전압을 인가함으로써, 복수의 LED 발광 소자(140)가 자가 정렬될 수 있다. 다시 말해서, 복수의 LED 발광 소자(140)의 제1 소자 전극(141)은 제1 전극(131)을 향하여 얼라인되고, LED 발광 소자(140)의 제2 소자 전극(145)은 제2 전극(132)을 향하여 얼라인될 수 있다. 이에, 복수의 서브 화소(SP)에 복수의 LED 발광 소자(140)를 용이하게 배치할 수 있다.
또한, 복수의 LED 발광 소자(140)의 자가 정렬은 각각의 서브 화소(SP) 별로 동시에 이루어질 수 있다. 구체적으로, 제1 LED 발광 소자(140)의 자가 정렬 시, 제1 서브 화소와 대응되는 영역 전체를 오픈하여 공정을 진행할 수 있다. 따라서, 복수의 제1 LED 발광 소자(140)의 자가 정렬은 복수의 제1 서브 화소 전체에서 동시에 이루어질 수 있다. 또한, 복수의 제2 LED 발광 소자(140)의 자가 정렬은 복수의 제2 서브 화소 전체에서 동시에 이루어질 수 있다. 또한, 복수의 제3 LED 발광 소자(140)의 자가 정렬은 복수의 제3 서브 화소 전체에서 동시에 이루어질 수 있다. 다시 말해서, 복수의 서브 화소(SP) 별로 LED 발광 소자(140)의 자가 정렬 공정이 한번씩 이루어질 수 있다. 이에, LED 발광 소자(140)의 개별 전사가 불필요하므로 공정이 간소화될 수 있다. 따라서, 공정 시간이 단축되고, 비용 절감이 가능하며, 수율이 향상될 수 있다.
더불어, 제1 도전 패턴(150)과 교차되도록 제2 도전 패턴(260)을 추가로 배치하여 제1 도전 패턴(150) 및 제2 도전 패턴(260)을 터치 전극으로 활용할 수 있다. 이에, 터치 감지부(270)가 내재화된 표시 장치의 구현이 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 서브 화소를 포함하는 기판, 기판 상에 배치되는 복수의 박막 트랜지스터, 복수의 박막 트랜지스터 상에 배치되는 평탄화층, 평탄화층 상에 배치되고, 복수의 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 복수의 제1 전극, 평탄화층 상에 배치되고, 복수의 제1 전극과 이격된 복수의 제2 전극, 복수의 제1 전극 및 복수의 제2 전극 각각의 일부를 덮고, 발광 영역을 정의하도록 배치되는 뱅크, 발광 영역에 배치되고, 복수의 제1 전극 및 복수의 제2 전극에 전기적으로 연결된 복수의 LED 발광 소자, 및 뱅크 상에 배치되는 복수의 제1 도전 패턴을 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 도전 패턴은 뱅크 상에서 제1 방향으로 연장하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 뱅크, 복수의 제1 도전 패턴 및 복수의 LED 발광 소자 상에 배치되는 절연층, 및 절연층 상에서 복수의 제1 도전 패턴과 교차하도록 제2 방향으로 배치되는 복수의 제2 도전 패턴을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 도전 패턴 및 복수의 제2 도전 패턴을 터치 전극으로 하는 터치 감지부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 터치 감지부는, 복수의 제1 도전 패턴의 일 단에 전기적으로 연결된 복수의 제1 라우팅 배선, 및 복수의 제2 도전 패턴의 일 단에 전기적으로 연결된 복수의 제2 라우팅 배선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, LED 발광 소자는 LED 발광 소자일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 복수의 서브 화소 각각에 복수의 박막 트랜지스터가 배치된 기판을 준비하는 단계, 복수의 박막 트랜지스터 상에 평탄화층을 형성하는 단계, 평탄화층 상에 서로 이격되는 복수의 제1 전극 및 복수의 제2 전극을 형성하는 단계, 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극 각각의 일부를 덮고, 발광 영역을 정의하는 뱅크를 형성하는 단계, 뱅크 상에 복수의 제1 도전 패턴을 형성하는 단계, 및 복수의 제1 도전 패턴에 전압을 인가하여 복수의 LED 발광 소자를 자가 정렬하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 LED 발광 소자를 자가 정렬하는 단계는 뱅크에 의해 정의된 공간에 용매 및 복수의 LED 발광 소자를 투입하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 LED 발광 소자를 자가 정렬하는 단계는 복수의 제1 도전 패턴 중 홀수번째 제1 도전 패턴과 짝수번째 제1 도전 패턴에 상이한 전압을 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 LED 발광 소자를 자가 정렬하는 단계는 전압이 인가된 상태에서 용매를 건조하여 복수의 LED 발광 소자를 복수의 제1 전극 및 복수의 제2 전극에 연결시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 터치 감지부를 형성하는 단계를 더 포함하고, 터치 감지부를 형성하는 단계는, 뱅크, 복수의 제1 도전 패턴 및 복수의 LED 발광 소자 상에 절연층을 형성하는 단계, 및 절연층 상에서 복수의 제1 도전 패턴과 교차하도록 복수의 제2 도전 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 터치 감지부는 복수의 제1 도전 패턴과 복수의 제2 도전 패턴으로 이루어질 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 200: 표시 장치
110: 기판
111: 버퍼층
112: 게이트 절연층
113: 층간 절연층
114: 패시베이션층
115: 평탄화층
116: 뱅크
120: 트랜지스터
121: 액티브층
122: 게이트 전극
123: 소스 전극
124: 드레인 전극
131: 제1 전극
132: 제2 전극
140: LED 발광 소자
140S: LED 발광 소자 용액
141: 제1 소자 전극
142: 제1 도전성 반도체층
143: 활성층
144: 제2 도전성 반도체층
145: 제2 소자 전극
150: 제1 도전 패턴
217: 절연층
260: 제2 도전 패턴
270: 터치 감지부
271: 감지노드
SP: 서브 화소
CL: 공통 라인
RW1: 제1 라우팅 배선
RW2: 제2 라우팅 배선
110: 기판
111: 버퍼층
112: 게이트 절연층
113: 층간 절연층
114: 패시베이션층
115: 평탄화층
116: 뱅크
120: 트랜지스터
121: 액티브층
122: 게이트 전극
123: 소스 전극
124: 드레인 전극
131: 제1 전극
132: 제2 전극
140: LED 발광 소자
140S: LED 발광 소자 용액
141: 제1 소자 전극
142: 제1 도전성 반도체층
143: 활성층
144: 제2 도전성 반도체층
145: 제2 소자 전극
150: 제1 도전 패턴
217: 절연층
260: 제2 도전 패턴
270: 터치 감지부
271: 감지노드
SP: 서브 화소
CL: 공통 라인
RW1: 제1 라우팅 배선
RW2: 제2 라우팅 배선
Claims (11)
- 복수의 서브 화소를 포함하는 기판;
상기 기판 상에 배치되는 복수의 박막 트랜지스터;
상기 복수의 박막 트랜지스터 상에 배치되는 평탄화층;
상기 평탄화층 상에 배치되고, 상기 복수의 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 복수의 제1 전극;
상기 평탄화층 상에 배치되고, 상기 복수의 제1 전극과 이격된 복수의 제2 전극;
상기 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제2 전극 각각의 일부를 덮고, 발광 영역을 정의하도록 배치되는 뱅크;
상기 발광 영역에 배치되고, 상기 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제2 전극에 전기적으로 연결된 복수의 LED 발광 소자; 및
상기 뱅크 상에 배치되는 복수의 제1 도전 패턴을 포함하는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 제1 도전 패턴은 상기 뱅크 상에서 제1 방향으로 연장하도록 배치된, 표시 장치. - 제2항에 있어서,
상기 뱅크, 상기 복수의 제1 도전 패턴 및 상기 복수의 LED 발광 소자 상에 배치되는 절연층; 및
상기 절연층 상에서 상기 복수의 제1 도전 패턴과 교차하도록 제2 방향으로 배치되는 복수의 제2 도전 패턴을 더 포함하는, 표시 장치. - 제3항에 있어서,
상기 복수의 제1 도전 패턴 및 상기 복수의 제2 도전 패턴을 터치 전극으로 하는 터치 감지부를 더 포함하는, 표시 장치. - 제4항에 있어서,
상기 터치 감지부는,
상기 복수의 제1 도전 패턴의 일 단에 전기적으로 연결된 복수의 제1 라우팅 배선; 및
상기 복수의 제2 도전 패턴의 일 단에 전기적으로 연결된 복수의 제2 라우팅 배선을 더 포함하는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 LED 발광 소자는 발광 나노로드인, 표시 장치. - 복수의 서브 화소 각각에 복수의 박막 트랜지스터가 배치된 기판을 준비하는 단계;
상기 복수의 박막 트랜지스터 상에 평탄화층을 형성하는 단계;
상기 평탄화층 상에 서로 이격되는 복수의 제1 전극 및 복수의 제2 전극을 형성하는 단계;
상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 각각의 일부를 덮고, 발광 영역을 정의하는 뱅크를 형성하는 단계;
상기 뱅크 상에 복수의 제1 도전 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 복수의 제1 도전 패턴에 전압을 인가하여 복수의 LED 발광 소자를 자가 정렬하는 단계를 포함하는, 표시 장치 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 복수의 LED 발광 소자를 자가 정렬하는 단계는 상기 뱅크에 의해 정의된 공간에 용매 및 상기 복수의 LED 발광 소자를 투입하는 단계를 포함하는, 표시 장치 제조 방법. - 제8항에 있어서,
상기 복수의 LED 발광 소자를 자가 정렬하는 단계는 상기 복수의 제1 도전 패턴 중 홀수번째 제1 도전 패턴과 짝수번째 제1 도전 패턴에 상이한 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는, 표시 장치 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 복수의 LED 발광 소자를 자가 정렬하는 단계는 상기 전압이 인가된 상태에서 상기 용매를 건조하여 상기 복수의 LED 발광 소자를 상기 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제2 전극에 연결시키는 단계를 더 포함하는, 표시 장치 제조 방법. - 제7항에 있어서,
터치 감지부를 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 터치 감지부를 형성하는 단계는,
상기 뱅크, 상기 복수의 제1 도전 패턴 및 상기 복수의 LED 발광 소자 상에 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 절연층 상에서 상기 복수의 제1 도전 패턴과 교차하도록 복수의 제2 도전 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 터치 감지부는 상기 복수의 제1 도전 패턴과 상기 복수의 제2 도전 패턴으로 이루어지는, 표시 장치 제조 방법.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200187225A KR20220095573A (ko) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
TW110137132A TWI844799B (zh) | 2020-12-30 | 2021-10-06 | 顯示裝置及其製造方法 |
PCT/KR2021/014615 WO2022145657A1 (ko) | 2020-12-30 | 2021-10-19 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN202180067746.2A CN116349014A (zh) | 2020-12-30 | 2021-10-19 | 显示装置以及制造显示装置的方法 |
DE112021006707.9T DE112021006707T5 (de) | 2020-12-30 | 2021-10-19 | Anzeigevorrichtung und verfahren zum herstellen einer anzeigevorrichtung |
GB2302333.6A GB2616967A (en) | 2020-12-30 | 2021-10-19 | Display device and method for manufacturing display device |
US18/032,276 US20230395767A1 (en) | 2020-12-30 | 2021-10-19 | Display device and method for manufacturing display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200187225A KR20220095573A (ko) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220095573A true KR20220095573A (ko) | 2022-07-07 |
Family
ID=82259365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200187225A KR20220095573A (ko) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230395767A1 (ko) |
KR (1) | KR20220095573A (ko) |
CN (1) | CN116349014A (ko) |
DE (1) | DE112021006707T5 (ko) |
GB (1) | GB2616967A (ko) |
TW (1) | TWI844799B (ko) |
WO (1) | WO2022145657A1 (ko) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101932126B1 (ko) * | 2012-09-24 | 2018-12-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치 |
KR102631260B1 (ko) * | 2016-04-08 | 2024-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 표시장치 제조방법 |
KR102621662B1 (ko) * | 2017-01-09 | 2024-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
US10707265B2 (en) * | 2017-05-31 | 2020-07-07 | Iinolux Corporation | Display devices |
KR102600602B1 (ko) * | 2018-07-09 | 2023-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 포함한 표시 장치 |
CN111129270B (zh) * | 2018-10-31 | 2024-02-06 | 乐金显示有限公司 | 微型led显示装置 |
KR102430815B1 (ko) * | 2019-06-03 | 2022-08-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 픽셀 구조체 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR20200143628A (ko) * | 2019-06-13 | 2020-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널과 그를 포함하는 표시 장치 |
CN111834538B (zh) * | 2020-02-26 | 2021-07-06 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法 |
-
2020
- 2020-12-30 KR KR1020200187225A patent/KR20220095573A/ko active Search and Examination
-
2021
- 2021-10-06 TW TW110137132A patent/TWI844799B/zh active
- 2021-10-19 WO PCT/KR2021/014615 patent/WO2022145657A1/ko active Application Filing
- 2021-10-19 GB GB2302333.6A patent/GB2616967A/en active Pending
- 2021-10-19 US US18/032,276 patent/US20230395767A1/en active Pending
- 2021-10-19 DE DE112021006707.9T patent/DE112021006707T5/de active Pending
- 2021-10-19 CN CN202180067746.2A patent/CN116349014A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230395767A1 (en) | 2023-12-07 |
TWI844799B (zh) | 2024-06-11 |
DE112021006707T5 (de) | 2023-11-02 |
WO2022145657A1 (ko) | 2022-07-07 |
GB202302333D0 (en) | 2023-04-05 |
CN116349014A (zh) | 2023-06-27 |
GB2616967A (en) | 2023-09-27 |
TW202230774A (zh) | 2022-08-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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