TWI844799B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種顯示裝置,包含一基板,基板包含多個子像素。顯示裝置還包含設置於基板的多個薄膜電晶體及設置於這些薄膜電晶體一平坦化層。顯示裝置更包含設置於平坦化層且電性連接於這些薄膜電晶體的多個第一電極。顯示裝置還包含設置於平坦化層且分離於這些第一電極的多個第二電極。顯示裝置更包含遮蔽各個第一電極及第二電極的一部分且界定一發光區域的一堤防。顯示裝置還包含設置於發光區域中且電性連接這些第一電極及這些第二電極的多個發光二極體。顯示裝置更包含設置於堤防的多個第一導電圖案。因此,這些發光二極體可容易地自對準。
Description
本發明關於一種顯示裝置,特別地關於一種其內的發光二極體可容易地自對齊的顯示裝置及其製造方法。
隨著進入資訊的時代,視覺上顯示電子資訊訊號的顯示裝置領域快速地發展。因此,正在對於輕薄及低能源消耗的各種不同的顯示裝置進行研究。
具體地,諸如利用發光二極體作為光源的液晶顯示裝置及利用自發光有機發光二極體的有機發光二極體顯示裝置的平坦面板顯示裝置因其薄的厚度及低能源消耗而備受關注為下一代的顯示裝置。
本發明所欲達成的目的在於提供一種顯示裝置及其製造方法,其中發光二極體可利用導電圖案容易地自對齊(self-aligned)。
本發明所欲達成的另一目的在於提供一種顯示裝置及其製造方法,其中用來幫助發光二極體之自對齊的導電圖案以觸摸電極(touch electrode)實現。
本發明所欲達成的目的並不以上述為限,本領域具有通常知識者可以從下文清楚地理解上述未提到的其他目的。
根據本發明的一面向,顯示裝置包含一基板,基板包含多個子像素。顯示裝置還包含設置於基板的多個薄膜電晶體及設置於這些薄膜電晶體一平坦化層。顯示裝置更包含設置於平坦化層且電性連接於這些薄膜電晶體的多個第一電極。顯示裝置還包含設置於平坦化層且分離於這些第一電極的多個第二電極。顯示裝置更包含遮蔽各個第一電極及第二電極的一部分且界定一發光區域的一堤防。顯示裝置還包含設置於發光區域中且電性連接這些第一電極及這些第二電極的多個發光二極體。顯示裝置更包含設置於堤防的多個第一導電圖案。
根據本發明的另一面向,一種顯示裝置的製造方法包含準備一基板的步驟,其中基板包含分別設置於多個子像素中的多個薄膜電晶體。製造方法還包含將一平坦化層形成於這些薄膜電晶體上的步驟。製造方法更包含準備多個第一電極及多個第二電極的步驟,其中這些第一電極及這些第二電極在平坦化層上彼此分離。製造方法還包含準備一堤防的步驟,其中堤防遮蔽各個第一電極及第二電極的一部份且界定一發光區域。製造方法更包含於堤防上準備多個第一導電圖案的步驟。製造方法還包含透過將電壓施加至這些第一導電圖案促使多個發光二極體的自對齊的步驟。
示例性實施例的其他詳細內容包括在實施方式和圖式中。
根據本發明,透過將電壓施加至設置於堤防的多個導電圖案可使這些發光二極體自對齊。因此,可簡化將這些發光二極體設置於基板的步驟及減少成本。
且,根據本發明,觸摸感應測部可以透過設置額外的導電圖案與用於促進發光二極體自對準的導電圖案一起配置。
根據本發明的效果不限於以上示例的內容,本說明書中包括更多的各種效果。
以上關於本發明內容的說明及以下實施方式的說明係用以示範與解釋本發明的原理,並且提供本發明的專利申請範圍更進一步的解釋。
藉由結合圖式一起參閱以下詳細描述之示例性的實施例,本發明的特點及特徵與達成該特點及特徵的方法將是清楚的。然而,本發明並不以在此揭露的示例性實施例為限,而是將以各種不同的形式實現。所提供的示例性的實施例僅是範例,使得本領域具有通常知識者可完全理解本發明的揭露內容及範疇。因此,本發明將僅藉由所附的申請專利範圍的範疇界定。
用於描述本發明之示例性的實施例的圖式中所示之形狀、尺寸、比例、角度、數量等僅是範例,且本發明並不以此為限。通篇說明書中相同的元件符號通常代表相似的元件。此外,在本發明後續的說明書中,可能省略與技術有關的已知詳細解釋,以避免非必要地模糊了本發明的要旨。於此所使用的術語,如「包含」、「具有」及「由…構成」時,除非同時使用「僅」,應可理解還可加入其他的元件。除非有特別限定,以下所用之單數形式的用語也可包括複數形式。
即使沒有明確說明,元件也被解釋為包括一般的誤差範圍。
當使用諸如「上」、「之上」、「下」及「旁」之術語描述兩個部件之間的位置關係時,除非同時使用「立即」或「直接」等術語,一或多個部件可位於該二部件之間。
當一個元件或層設置於另一元件或層時,另一元件或另一層可直接插入其他元件或其之間。
雖然諸如「第一」、「第二」等術語用來描述各種不同的元件,但這些元件並不受這些術語侷限。這些術語僅用來將一元件與其他元件進行區隔。因此,在本發明的技術概念中,下述中的第一元件可以是第二元件。
通篇說明書中,相似元件符號通常表示相似的元件
圖式所繪示之各個元件的尺寸及厚度用於方便描述,本發明並不以所示之元件的尺寸及厚度為限。
本發明的各個實施例的特徵可以部分或全部連結或相互結合,在技術上可以以多種方式配合及操作,且實施例可以獨立或相互關聯地實施。
以下,將參閱圖式詳細描述根據本發明之示例性實施例的顯示裝置及其製造方法。
圖1為根據本發明之示例性實施例的顯示裝置的平面圖。
參閱圖1,根據本發明之示例性實施例的顯示裝置100包含顯示區域DA及非顯示區域NDA。在顯示區域DA中,設置多個像素及顯示多個影像。在顯示區域DA中,可設置有這些像素,這些像素包含用於顯示影像的發光區域及用於驅動像素的驅動電路。非顯示區域NDA環繞顯示區域DA。在非顯示區域NDA中,不顯示影像,且設置有用於驅動設置在顯示區域DA之像素及驅動電路的各種線路、驅動器積體電路、印刷電路板等元件。舉例來說,在非顯示區域NDA中,可設置有諸如閘極驅動器積體電路及資料驅動器積體電路的各種積體電路、VSS線路等元件。
這些像素設置為矩陣的形式,且每個像素包含多個子像素SP。每個子像素SP為用於顯示單一顏色的元件,且包含散發出光的發光區域及未散發出光的不發光區域。然而,在本發明中,僅散發出光的發光區域可界定為子像素SP。
這些子像素SP可包含第一子像素、第二子像素及第三子像素,但並不以此為限。舉例來說,第一子像素、第二子像素及第三子像素可在第一方向上(X軸方向)以交錯的方式重複地設置。如另一示例,第一子像素、第二子像素及第三子像素可在第一方向上以「之」字形圖案交錯地設置。在這樣的狀況下,第一子像素及第三子像素可在第一方向(X軸方向)上設置。且,第二子像素可在第一方向上設置,而在第二方向(Y軸方向)上與第一子像素及第三子像素分離。然而,本發明並不以此為限。
各個子像素SP可為紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素及白色子像素之任一者。舉例來說,第一子像素可為紅色子像素,第二子像素可為綠色子像素,且第三子像素可為藍色子像素。以下,將假設第一子像素為紅色子像素,第二子像素為綠色子像素,且第三子像素為藍色子像素,描述根據本發明之示例性實施例的顯示裝置100。雖然為了方便描述而示出各個子像素的顏色,本發明並不以此為限。可以根據需要不同地改變各個子像素SP的顏色及配置。
圖2為沿圖1之線段II-II’之顯示裝置的剖視圖。
參閱圖2,基板110為用於支撐顯示裝置100之其他元件的支撐件,且可由絕緣材料製成。舉例來說,基板110可由玻璃、樹脂等材料所形成。此外,基板110可含有諸如聚合物(polymer)或聚醯亞胺(polyimide)的塑膠,或可由具有撓性的材料所製成。
緩衝層111設置於基板110上。緩衝層111可抑制水氣的滲透或穿透基板110的雜質。緩衝層111例如可形成為氧化矽(silicon oxide,SiOx)或氮化矽(silicon oxide,SiOx)的單層結構,或氧化矽或氮化矽的多層結構,但並不以此為限。然而,基於基板110的形式或薄膜電晶體120的形式而可形成有或不形成有緩衝層111,但並不以此為限。
薄膜電晶體120設置於緩衝層111上。薄膜電晶體120包含主動層121、閘極電極122、源極電極123及汲極電極124。
主動層121設置於緩衝層111上。主動層121可由半導體材料製成,如氧化半導體(oxide semiconductor)、非晶矽(amorphous silicon)或多晶矽(polysilicon),但並不以此為限。舉例來說,當主動層121由氧化半導體製成時,主動層121由通道區域(channel region)、源極區域(source region)及汲極區域(drain region)組成。各個源極區域及汲極區域可為導電區域,但並不以此為限。
閘極絕緣層112設置於主動層121。閘極絕緣層112可為用於將主動層121絕緣於閘極電極122的絕緣層。閘極絕緣層112可形成為氧化矽或氮化矽的單層結構,或氧化矽或氮化矽的多層結構,但並不以此為限。
閘極電極122設置於閘極絕緣層112上。閘極電極122可由導電材料製成,如銅、鋁、鉬、鎳、鈦、鉻或前述的合金,但並不以此為限。
層間絕緣層113設置於閘極電極122上。層間絕緣層113可包含用於將各個源極電極123及汲極電極124連接至主動層121的接觸孔。層間絕緣層113例如可形成為氧化矽或氮化矽的單層結構,或氧化矽或氮化矽的多層結構,但並不以此為限。
源極電極123及汲極電極124可設置於層間絕緣層113上。源極電極123及汲極電極124彼此分離而電性連接於主動層121。源極電極123及汲極電極124可由導電材料製成,如銅、鋁、鉬、鎳、鈦、鉻或前述的合金,但並不以此為限。
共用線路CL設置於層間絕緣層113上。共用線路CL可為用於將共同電壓傳送至第二電極132的線路。類似於源極電極123及汲極電極124,共用線路CL可由銅、鋁、鉬、鎳、鈦、鉻或前述的合金製成,但並不以此為限。
鈍化層114設置於源極電極123、汲極電極124及共用線路CL上。鈍化層114可保護源極電極123、汲極電極124及共用線路CL。鈍化層114例如可形成為氧化矽或氮化矽的單層結構,或氧化矽或氮化矽的多層結構,但並不以此為限。
平坦化層115設置於鈍化層114上。平坦化層115為用於平坦化基板110之上部的絕緣層。平坦化層115可由有機材料製成。舉例來說,平坦化層115例如可形成為聚醯亞胺或感光型丙烯酸(photo acryl)的單層結構或聚醯亞胺或感光型丙烯酸的多層結構,但並不以此為限。
第一電極131、第二電極132及堤防116設置於平坦化層115。
第一電極131透過第一接觸孔電性連接於汲極電極124,第一接觸孔形成於鈍化層114及平坦化層115中且暴露汲極電極124的一部分。因此,當薄膜電晶體120開啟時,第一電極131可接收透過資料線路傳送的資料電壓。
第二電極132與第一電極131設置於相同的平面上,而彼此相分離。第二電極132透過第二接觸孔電性連接於共用線路CL,第二接觸孔形成於閘極絕緣層112、鈍化層114及平坦化層115中且暴露共用線路CL的一部分。因此,第二電極132可接收透過共用線路CL傳送的共同電壓。
第一電極131及第二電極132可由導電材料製成。舉例來說,第一電極131及第二電極132可由金屬材料或透明導電材料製成。
多個發光二極體140可連接於第一電極131及第二電極132且可發出波長對應於各個子像素SP的光。舉例來說,設置於第一子像素中的這些發光二極體140可發出藍光,且設置於第二子像素中的這些發光二極體140可發出綠光。且,設置於第三子像素的這些發光二極體140可發出紅光,但本發明並不以此為限。
各個發光二極體140包含第一裝置電極141、第一導電半導體層142、主動層143、第二導電半導體層144及第二裝置電極145。
參閱圖2,各個發光二極體140設置於第一電極131及第二電極132之間。發光二極體140可包含第一裝置電極141、第一導電半導體層142、主動層143、第二導電半導體層144及第二裝置電極145。第一裝置電極141可設置於第一電極131的一端而接觸於第一電極131。第二裝置電極145可設置於第二電極132的一端而接觸於第二電極132。因此,將資料電壓及共同電壓施加於發光二極體140,使得主動層143可發出光。發光二極體140的第一裝置電極141及第二裝置電極145被繪示為分別設置於第一電極131的一端及第二電極132的一端而接觸於第一電極131及第二電極132。然而,本發明並不以此為限。舉例來說,發光二極體140可設置於平坦化層115而接觸於第一電極131及第二電極132的一端。後續將詳細描述發光二極體140的結構。
堤防116為用於界定發光區域的絕緣層,且形成在平坦化層115上。堤防116可由有機絕緣材料製成,且可與平坦化層115由相同的材料製成。或者,堤防116可含有黑色材料且吸收光,以抑制當從發光二極體140發出的光傳遞至相鄰的子像素SP時所發生的顏色混合。於此,堤防116可選擇性地設置為必要的,或可省略。
堤防116遮蔽各個這些第一電極131及這些第二電極132的一部分。具體地,堤防116之二端的任一者可設置於第一電極131的另一端而接觸於第一電極131。且,堤防116的另一端可設置於第二電極132的另一端而接觸於第二電極132。堤防116設置為分離於發光二極體140。於此,各個第一電極131的中心部及第二電極132的中心部重疊於堤防116及發光二極體140之間的分隔空間。
多個第一導電圖案150可形成於堤防116上。這些第一導電圖案150形成為在第一方向(X軸方向)延伸。
這些第一導電圖案150可形成為透明電極。舉例來說,這些第一導電圖案150可由諸如氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)或氧化鋅(zinc oxide,ZO)的透明導電氧化物、奈米碳管(carbon nanotube,CNT)、石墨烯奈米銀線(graphene silver nanowire)或類似物製成,但並不以此為限。
這些第一導電圖案150可有利於這些發光二極體140的自對齊(self-alignment)。具體地,當不同電壓分別施加於這些第一導電圖案150中奇數的第一導電圖案150及偶數的第一導電圖案150時,這些發光二極體140可自對齊。將參閱圖6A至6F描述更多細節。
圖3為根據本發明之示例性實施例之顯示裝置的發光二極體的立體圖。
參閱圖3,發光二極體140可為發光奈米柱(light emitting nanorod),其具有圓柱狀的外形,但並不以此為限。發光二極體140包含第一裝置電極141、第一導電半導體層142、主動層143、第二導電半導體層144及第二裝置電極145。
第一裝置電極141可將電洞(holes)提供至主動層143。第一裝置電極141可由鉬、鋁、鉻、金、銀、鈦、鎳、釹及銅或前述的合金製成。或者,第一裝置電極141可由透明導電材料製成,如氧化銦錫或氧化鋅,但並不以此為限。
第一導電半導體層142設置於第一裝置電極141上。第一導電半導體層142可為含有III-V族之半導體材料的P型半導體層。具體地,第一導電半導體層142可含有具In
xAl
yGa
1-x-yN (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1)之經驗公式的半導體材料。舉例來說,第一導電半導體層142可含有氮化鋁銦鎵(InAlGaN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁(AlN)及氮化銦(InN)之任一者,且可摻雜有第一導電摻雜物,如鎂(magnesium,Mg)等。
主動層143設置於第一導電半導體層142上。主動層143為用於發出特定顏色的光的層體,且可包含紅色主動層、綠色主動層及藍色主動層之其中一者。當電場被施加於主動層143時,主動層143可透過電洞對(electron-hole pairs)發出光。主動層143可具有單一量子井結構(single quantum well structure)或多量子井結構(multi quantum well structure)。主動層143可含有III-V族的半導體材料。
第二導電半導體層144設置於主動層143上。第二導電半導體層144可為含有III-V族之半導體材料的N型半導體層。具體地,第二導電半導體層144可含有具In
xAl
yGa
1-x-yN (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1)之經驗公式的半導體材料。舉例來說,第二導電半導體層144可含有氮化鋁銦鎵(InAlGaN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁(AlN)及氮化銦(InN)之任一者,且可摻雜有第二導電摻雜物,例如矽(silicon,Si)、鍺(germanium,Ge)、錫(tin,Sn)或類似物。
第二裝置電極145可將電子提供至主動層143。第二裝置電極145可由鉬、鋁、鉻、金、銀、鈦、鎳、釹及銅或前述的合金製成。或者,第二裝置電極145可由透明導電材料製成,如氧化銦錫或氧化鋅,但並不以此為限。
當製造包含發光二極體的顯示裝置時,發光二極體透過轉移製程(transfer process)設置於顯示裝置中。然而,若發光二極體透過轉移製程設置,則製程時間增加且製程良率下降。
在根據本發明之示例性實施例的顯示裝置100中,用於發光二極體140之自對齊的第一導電圖案150設置於堤防116上,且用來將發光二極體140設置於顯示裝置中。因此,在根據本發明之示例性實施例的顯示裝置100中,這些發光二極體140可更準確且均勻地對齊。因此,可最小化對準缺陷,且可改善顯示裝置100的可靠度。且,在根據本發明之示例性實施例的顯示裝置100中,發光二極體140透過自對齊設置。因此,可減少製程時間及成本。
圖4為根據本發明之另一示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。圖5為根據本發明之另一示例性實施例的顯示裝置的平面圖。除了設置多個第二導電圖案260以形成觸摸感測部270,圖4所示的顯示裝置200與圖1至3所示的顯示裝置100具有實質上相同的配置。因此,將省略重複性的描述。
參閱圖4,絕緣層217設置於堤防116、這些第一導電圖案150及這些發光二極體140上。絕緣層217可為透明的絕緣層。舉例來說,絕緣層217可由有機材料製成。舉例來說,絕緣層217例如可形成為聚醯亞胺或感光型丙烯酸(photo acryl)的單層結構或聚醯亞胺或感光型丙烯酸的多層結構,但並不以此為限。
這些第二導電圖案260形成於絕緣層217上。這些第二導電圖案260在第二方向(Y軸方向)上設置,其中第二方向(Y軸方向)與第一方向(X軸方向)相交,且這些第一導電圖案150在第一方向(X軸方向)上設置。圖4繪示第一方向與第二方向互相垂直,但本發明並不以此為限。
第一導電圖案150及第二導電圖案260可彼此電性分離。於此,彼此電性分離的第一導電圖案150及第二導電圖案260可物理上彼此分離,而因此可彼此不直接地電性連接。舉例來說,絕緣層217可設置於第一導電圖案150及第二導電圖案260之間。
這些第二導電圖案260可與這些第一導電圖案150由相同的材料製成。這些第二導電圖案260亦可與這些第一導電圖案150由不同的材料製成。
這些第一導電圖案150及這些第二導電圖案260可為觸摸電極且可作為觸摸感測部270的元件。於此,這些第一導電圖案150可為用於施加驅動訊號的驅動電極。且,這些第二導電圖案260可為感測電極,感測電極用來感測基於驅動訊號之觸摸輸入所引起的互電容(mutual capacitance)的變化。
感測節點271可被界定於第一導電圖案150及第二導電圖案260之間的相交處。感測節點271所被界定的區域為用於感測使用者的觸摸輸入的最小單元。於此,各個感測節點271可對於各個子像素SP被界定。或者,對應於數個子像素SP的區域可成組為塊單元(block unit),而因此各個感測節點271可對於該數個子像素SP被界定。
各個感測節點271可具有座標值。舉例來說,感測節點271可形成為對應於直角座標系統的矩陣形式,且可具有對應於其的座標值。
觸摸感測器晶片(touch sensor chip)(未繪示)可基於這些第一導電圖案150及這些第二導電圖案260之間所產生的互電容的變化從各個感測節點271取得感測訊號。並且,觸摸感測器晶片(未繪示)可計算觸摸位置。
觸摸感測器晶片(未繪示)可以覆晶玻璃構裝(chip-on-glass,COG)的方式或板上晶片封裝(chip-on-board,COB)的方式設置於基板110或撓性印刷電路板,且電性連接於第一導電圖案150及第二導電圖案260。
同時,如圖5所示,根據本發明之另一示例性實施例的顯示裝置200可更包含多個路由線路RW1、RW2。這些路由線路RW1、RW2用以將這些第一導電圖案150及這些第二導電圖案260電性連接於觸摸感測器晶片(未繪示)。具體地,這些路由線路RW1、RW2形成在這些第一導電圖案150及第二導電圖案260的外側。多個第一路由線路RW1電性連接於這些第一導電圖案150的一端,且多個第二路由線路RW2電性連接於這些第二導電圖案260的一端。這些第一路由線路RW1及這些第二路由線路RW2可將這些第一導電圖案150及這些第二導電圖案260連接於觸摸感測器晶片(未繪示)。
因此,在根據本發明之另一示例性實施例的顯示裝置200中,第一導電圖案150用於發光二極體140的自對齊。且,設置第二導電圖案260以與第一導電圖案150相交。因此,第一導電圖案150及第二導電圖案260可用作觸摸電極。如此一來,有可能實現內建有觸摸感測部270的顯示裝置。因此,在根據本發明之另一示例性實施例的顯示裝置200中,在未使用單獨的觸摸感測部的情況下,第一導電圖案150用作觸摸感測部的觸摸電極。故,有可能簡化觸摸感測部270的製造過程,且降低製造觸摸感測部270的成本。
圖6A至6F為解釋根據本發明之另一示例性實施例之顯示裝置的製造方法的剖視圖。具體地,圖6A至6F為解釋設置於根據本發明之另一示例性實施例之顯示裝置200的平坦化層115的第一電極131、第二電極132、發光二極體140、第一導電圖案150及第二導電圖案260的製造方法的剖視圖。
首先,參閱圖6A,準備包含多個薄膜電晶體120的基板110,其中這些薄膜電晶體120分別設置於多個子像素SP中。然後,平坦化層115形成在這些薄膜電晶體120上。此後,第一電極131及第二電極132形成在平坦化層115上而彼此分離。舉例來說,第一電極131及第二電極132可透過光蝕刻製程(photolithography process)同時形成,但本發明並不以此為限。
然後,參閱圖6B,堤防116形成於第一電極131的一端、第二電極132的一端及平坦化層115。第一導電圖案150形成於堤防116上。舉例來說,堤防116及第一導電圖案150可透過光蝕刻製程形成,但本發明並不以此為限。
然後,參閱圖6C,可將發光二極體溶液140S提供至堤防116所界定的區域。於此,可經由混合這些發光二極體140與溶劑準備發光二極體溶液140S。溶劑可包含丙酮(acetone)、水、酒精及甲苯之任一者,但並不以此為限。
此後,參閱圖6D,各個發光二極體140自對齊於第一電極131及第二電極132之間。這些發光二極體140包含發出藍光的第一發光二極體、發出綠光的第二發光二極體及發出紅光的第三發光二極體。舉例來說,第一發光二極體可對應於第一子像素設置。第二發光二極體可對應於第二子像素設置。第三發光二極體可對應於第三子像素設置。
發光二極體140的自對齊可包含第一發光二極體140的自對齊、第二發光二極體140的自對齊及第三發光二極體140的自對齊。
在提供發光二極體溶液140S之後,不同的電壓分別施加於這些第一導電圖案150中奇數的第一導電圖案150及偶數的第一導電圖案150。舉例來說,正(+)電壓可施加於奇數的第一導電圖案150,而負(-)電壓可施加於偶數的第一導電圖案150,但本發明並不以此為限。當電壓施加於這些第一導電圖案150時,第一發光二極體140的第一裝置電極141可朝第一電極131對齊,且第二裝置電極145可朝第二電極132對齊。也就是說,當電壓施加於第一電極131及第二電極132時,第一發光二極體140可容易地自對齊。
然後,對於第一子像素進行的步驟亦對於對應於第二子像素的區域及對應於第三子像素的區域進行。因此,這些發光二極體140可於各個子像素SP中自對齊。
然後,參閱圖6E,這些發光二極體140連接於這些第一電極131及這些第二電極132。具體地,若溶劑在電壓施加於第一導電圖案150的狀態下乾涸,則這些發光二極體140可朝第一電極131及第二電極132沉降。因此,這些發光二極體140可連接於第一電極131及第二電極132。
參閱圖6F,形成與第一導電圖案150相交的這些第二導電圖案260,以形成觸摸感測部270。
首先,絕緣層217形成於這些第一導電圖案150及這些發光二極體140。接著,這些第二導電圖案260形成於絕緣層217以與第一導電圖案150相交。第二導電圖案260可與第一導電圖案150以相同的方式形成。如此一來,感測節點271形成於第一導電圖案150及第二導電圖案260之間的相交處。且,由界定這些感測節點271的這些第一導電圖案150及這些第二導電圖案260形成的觸摸感測部270接收觸摸輸入。
至於包含發光二極體的習知顯示裝置,紅色發光二極體、綠色發光二極體及藍色發光二極體分別直接轉移至對應於紅色子像素、綠色子像素及藍色子像素的區域。因此,製程時間及成本增加,且製程良率下降。
然而,在根據本發明之另一示例性實施例的顯示裝置200的製造方法中,用於這些發光二極體140之自對齊的這些第一導電圖案150可設置於平坦化層115上。也就是說,含有發光二極體140的溶液被提供至相鄰的二個堤防116之間,且電壓施加於第一導電圖案150。因此,這些發光二極體140可自對齊。換句話說,在各個發光二極體140中,第一裝置電極141可朝第一電極131對齊,且第二裝置電極145可朝第二電極132對齊。因此,這些發光二極體140可容易地設置於這些子像素SP中。
且,這些發光二極體140的自對齊可同時地在對應的子像素SP中進行。具體地,當第一發光二極體140自對齊時,對應於第一子像素的整個區域可為開放的,且可進行該步驟。因此,可於所有的第一子像素中同時進行多個第一發光二極體140的自對齊。且,可於所有的第二子像素中同時進行多個第二發光二極體140的自對齊。再者,可於所有的第三子像素中同時進行多個第三發光二極體140的自對齊。換句話說,可一次地於各個子像素SP中進行發光二極體140的自對齊。因此,不需要轉移各個發光二極體140,這讓步驟有可能簡化。因此,可降低製程時間及成本,且可改善製程良率。
並且,可進一步設置第二導電圖案260以與第一導電圖案150相交,且第一導電圖案150及第二導電圖案260可用作觸摸電極。如此一來,有可能實現內建有觸摸感測部270的顯示裝置。
本發明之示例性實施例亦可如下所述:
根據本發明的一面向,提供一種顯示裝置。顯示裝置包含一基板,基板包含多個子像素。顯示裝置更包含設置於基板的多個薄膜電晶體。顯示裝置更包含設置於這些薄膜電晶體一平坦化層。顯示裝置更包含設置於平坦化層且電性連接於這些薄膜電晶體的多個第一電極。顯示裝置更包含設置於平坦化層且分離於這些第一電極的多個第二電極。顯示裝置更包含遮蔽各個第一電極及第二電極的一部分且界定一發光區域的一堤防。顯示裝置更包含設置於發光區域中且電性連接這些第一電極及這些第二電極的多個發光二極體。顯示裝置更包含設置於堤防的多個第一導電圖案。
這些第一導電圖案可設置於堤防以於一第一方向上延伸。
顯示裝置可更包含一絕緣層。絕緣層設置於堤防、這些第一導電圖案及這些發光二極體上。顯示裝置可更包含多個第二導電圖案,這些第二導電圖案於一第二方向上設置於絕緣層上,以與這些第一導電圖案相交。
顯示裝置可包含一觸摸感測部,這些第一導電圖案及這些第二導電圖案用作觸摸感測部中的觸摸電極。
觸摸感測部可包含多個第一路由線路,這些第一路由線路電性連接於這些第一導電圖案的一端。觸摸感測部可包含多個第二路由線路,這些第二路由線路電性連接於這些第二導電圖案的一端
發光二極體可為發光奈米柱。
根據本發明另一面向,提供一種顯示裝置的製造方法。
一種顯示裝置的製造方法包含準備一基板的步驟,其中基板包含分別設置於多個子像素中的多個薄膜電晶體。製造方法更包含將一平坦化層形成於這些薄膜電晶體上的步驟。製造方法更包含準備多個第一電極及多個第二電極的步驟,其中這些第一電極及這些第二電極在平坦化層上彼此分離。製造方法更包含準備一堤防的步驟,其中堤防遮蔽各個第一電極及第二電極的一部份且界定一發光區域。製造方法更包含於堤防上準備多個第一導電圖案的步驟。製造方法更包含透過將電壓施加至這些第一導電圖案促使多個發光二極體的自對齊的步驟。
促使這些發光二極體的自對齊的步驟可包含將一溶劑及這些發光二極體提供至堤防所界定的空間內的步驟。
促使這些發光二極體的自對齊的步驟可更包含分別將不同的電壓施加至這些第一導電圖案中奇數的這些第一導電圖案及偶數的這些第一導電圖案的步驟。
促使這些發光二極體的自對齊的步驟可更包含透過使溶劑在電壓施加的狀態下乾涸,將這些發光二極體連接至這些第一電極及這些第二電極的步驟。
顯示裝置的製造方法可更包含準備一觸摸感測部的步驟。準備觸摸感測部的步驟可包含於堤防、這些第一導電圖案及這些發光二極體上準備一絕緣層的步驟。準備觸摸感測部的步驟可更包含於絕緣層上準備多個第二導電圖案,而與這些第一導電圖案相交。準備觸摸感測部的步驟可更包含觸摸感測部包含這些第一導電圖案及這些第二導電圖案。
雖然已經參照圖式詳細描述了本發明的示例性實施例,但是本發明不限於此並且可以在不脫離本發明的技術構思的情況下以多種不同的形式實施。因此,所提供之本發明的示例性實施例僅用於說明目的,而不旨在限制本發明的技術構思。本發明的技術構思的範圍不限於此。因此,應當理解,上述示例性實施例在所有方面都是示例性的,並不限制本發明。本發明的保護範圍應以所附申請專利範圍為準,與其等同範圍內的所有技術構思均應理解為落入本發明的保護範圍中。
100:顯示裝置
110:基板
111:緩衝層
112:閘極絕緣層
113:層間絕緣層
114:鈍化層
115:平坦化層
116:堤防
120:薄膜電晶體
121:主動層
122:閘極電極
123:源極電極
124:汲極電極
131:第一電極
132:第二電極
140:發光二極體
140S:發光二極體溶液
141:第一裝置電極
142:第一導電半導體層
143:主動層
144:第二導電半導體層
145:第二裝置電極
150:第一導電圖案
200:顯示裝置
217:絕緣層
260:第二導電圖案
270:觸摸感測部
271:感測節點
DA:顯示區域
NDA:非顯示區域
SP:子像素
CL:共用線路
RW1,RW2:路由線路
本發明之上述及其他目的、特徵以及優點將從以下結合圖式的詳細描述中更清楚的理解,其中:
圖1為根據本發明之示例性實施例的顯示裝置的平面圖。
圖2為沿圖1之線段II-II’之顯示裝置的剖視圖。
圖3為根據本發明之示例性實施例之顯示裝置的發光二極體的立體圖。
圖4為根據本發明之另一示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。
圖5為根據本發明之另一示例性實施例的顯示裝置的平面圖。
圖6A至6F為解釋根據本發明之另一示例性實施例之顯示裝置的製造方法的剖視圖。
150:第一導電圖案
200:顯示裝置
260:第二導電圖案
270:觸摸感測部
271:感測節點
RW1,RW2:路由線路
Claims (11)
- 一種顯示裝置,包含:一基板,包含多個子像素;多個薄膜電晶體,設置於該基板;一平坦化層,設置於該些薄膜電晶體;多個第一電極,設置於該平坦化層且電性連接於該些薄膜電晶體;多個第二電極,設置於該平坦化層且分離於該些第一電極;一堤防,遮蔽各個該些第一電極及該些第二電極的一部分且界定一發光區域;多個發光二極體,設置於該發光區域中且電性連接該些第一電極及該些第二電極;以及多個第一導電圖案,設置於該堤防;其中,該些第一導電圖案透過該堤防電性絕緣於該些第一電極及該些第二電極。
- 如請求項1所述之顯示裝置,其中該些第一導電圖案設置於該堤防以於一第一方向上延伸。
- 如請求項2所述之顯示裝置,更包含:一絕緣層,設置於該堤防、該些第一導電圖案及該些發光二極體上;以及多個第二導電圖案,於一第二方向上設置於該絕緣層上,以與該些第一導電圖案相交。
- 如請求項3所述之顯示裝置,更包含:一觸摸感測部,該些第一導電圖案及該些第二導電圖案用作該觸摸感測部中的觸摸電極。
- 如請求項4所述之顯示裝置,其中該觸摸感測部更包含:多個第一路由線路,電性連接於該些第一導電圖案的一端;以及多個第二路由線路,電性連接於該些第二導電圖案的一端。
- 如請求項1所述之顯示裝置,其中該些發光二極體為發光奈米柱。
- 一種顯示裝置的製造方法,包含:準備一基板的步驟,其中該基板包含分別設置於多個子像素中的多個薄膜電晶體;將一平坦化層形成於該些薄膜電晶體上的步驟;準備多個第一電極及多個第二電極的步驟,其中該些第一電極及該些第二電極在該平坦化層上彼此分離;準備一堤防的步驟,其中該堤防遮蔽各個該些第一電極及該些第二電極的一部份且界定一發光區域;於該堤防上準備多個第一導電圖案的步驟,其中該些第一導電圖案透過該堤防電性絕緣於該些第一電極及該些第二電極;以及 透過將電壓施加至該些第一導電圖案促使多個發光二極體的自對齊的步驟。
- 如請求項7所述之顯示裝置的製造方法,其中促使該些發光二極體的自對齊的步驟包含將一溶劑及該些發光二極體提供至該堤防所界定的空間內的步驟。
- 如請求項8所述之顯示裝置的製造方法,其中促使該些發光二極體的自對齊的步驟更包含分別將不同的電壓施加至該些第一導電圖案中奇數的該些第一導電圖案及偶數的該些第一導電圖案的步驟。
- 如請求項9所述之顯示裝置的製造方法,其中促使該些發光二極體的自對齊的步驟更包含透過使該溶劑在電壓施加的狀態下乾涸,將該些發光二極體連接至該些第一電極及該些第二電極的步驟。
- 如請求項7所述之顯示裝置的製造方法,更包含:準備一觸摸感測部的步驟,其中,準備該觸摸感測部的步驟包含:於該堤防、該些第一導電圖案及該些發光二極體上準備一絕緣層的步驟;以及於該絕緣層上準備多個第二導電圖案,而與該些第一導電圖案相交,以及該觸摸感測部包含該些第一導電圖案及該些第二導電圖案。
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US20180350871A1 (en) | 2017-05-31 | 2018-12-06 | Innolux Corporation | Display devices |
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20180350871A1 (en) | 2017-05-31 | 2018-12-06 | Innolux Corporation | Display devices |
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