KR20220058768A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20220058768A
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진자경
김유철
김지혜
양진욱
염성오
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Abstract

일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 주사선, 제2 주사선, 및 데이터선에 접속되고, 발광 소자 및 스토리지 커패시터를 포함하는 화소; 및 외부에서 공급되는 가변 주파수 신호에 따라, 구동 주파수가 일정하게 유지되는 노멀 모드 또는 주파수 가변 모드로 상기 화소를 구동시키는 타이밍 제어부를 포함하고, 상기 노멀 모드에서, 상기 스토리지 커패시터로 데이터 전압이 공급될 때, 상기 발광 소자의 제1 전극 전압은 초기화되고, 상기 주파수 가변 모드에서, 상기 스토리지 커패시터로 상기 데이터 전압이 공급될 때, 상기 발광 소자의 제1 전극 전압은 초기화되지 않는다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조됨에 따라, 표시 장치에 대한 연구 개발이 지속적으로 이루어지고 있다.
본 발명은 구동 주파수가 변하는 주파수 가변 모드에서, 플리커가 발생하지 않는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 주사선, 제2 주사선, 및 데이터선에 접속되고, 발광 소자 및 스토리지 커패시터를 포함하는 화소; 및 외부에서 공급되는 가변 주파수 신호에 따라, 구동 주파수가 일정하게 유지되는 노멀 모드 또는 주파수 가변 모드로 상기 화소를 구동시키는 타이밍 제어부를 포함하고, 상기 노멀 모드에서, 상기 스토리지 커패시터로 데이터 전압이 공급될 때, 상기 발광 소자의 제1 전극 전압은 초기화되고, 상기 주파수 가변 모드에서, 상기 스토리지 커패시터로 상기 데이터 전압이 공급될 때, 상기 발광 소자의 제1 전극 전압은 초기화되지 않는다.
상기 발광 소자의 제1 전극 전압을 센싱하는 센싱부를 더 포함할 수 있다.
상기 주파수 가변 모드에서, 상기 센싱부는 상기 구동 주파수가 변경되는 첫 번째 프레임의 첫 번째 여백 기간에서 상기 발광 소자의 제1 전극 전압을 센싱할 수 있다.
상기 주파수 가변 모드에서, 센싱된 상기 발광 소자의 제1 전극 전압을 기초로, 상기 스토리지 커패시터에 저장된 전압을 보상하기 위한 보상 데이터 전압을 상기 화소에 공급하는 데이터 구동부를 더 포함할 수 있다.
상기 화소는, 제1 구동 전원과 상기 발광 소자 사이에 접속되고, 게이트 전극이 제1 노드에 접속되는 제1 트랜지스터; 상기 데이터선과 상기 제1 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극이 상기 제1 주사선에 접속되는 제2 트랜지스터; 및 상기 제1 트랜지스터와 상기 발광 소자가 결합되는 제2 노드와 센싱선 사이에 접속되고, 게이트 전극이 상기 제2 주사선에 접속되는 제3 트랜지스터를 포함하고, 상기 스토리지 커패시터는 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 접속될 수 있다.
상기 타이밍 제어부는 외부로부터 공급되는 제어 신호에 기초하여, 한 프레임을 데이터 기입 기간과 여백 기간으로 구분하고, 상기 구동 주파수가 변경된 후, 첫 번째 여백 기간은 제1 여백 기간일 수 있다.
상기 데이터 기입 기간에서, 상기 제2 트랜지스터는 상기 제1 주사선에 공급되는 제1 주사 신호에 의해 턴-온 되고, 상기 제3 트랜지스터는 턴-오프 상태로 유지될 수 있다.
상기 제1 여백 기간에서, 상기 제3 트랜지스터는 상기 제2 주사선에 공급되는 제2 주사 신호에 의해 턴-온 되고, 상기 제2 트랜지스터는 턴-오프 상태로 유지될 수 있다.
상기 제3 트랜지스터는 상기 제2 주사 신호에 응답하여, 미리 설정된 기간 동안 상기 제2 노드에 초기화 전압을 공급할 수 있다.
상기 제1 여백 기간에서, 상기 제2 노드에 상기 초기화 전압이 인가된 후, 상기 제2 노드의 전압이 센싱될 수 있다.
상기 제1 여백 기간에서, 상기 제3 트랜지스터의 제1 전극은 상기 센싱선을 통해 스위칭 소자에 연결되고, 상기 스위칭 소자는 상기 미리 설정된 기간동안 턴-온될 수 있다.
상기 스위칭 소자가 턴-오프되면, 상기 제3 트랜지스터의 제1 전극은 상기 센싱선을 통해 센싱 커패시터에 연결될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 주사선, 제2 주사선, 및 데이터선에 접속되고, 발광 소자를 포함하는 화소; 외부에서 공급되는 가변 주파수 신호에 따라, 구동 주파수가 일정하게 유지되는 노멀 모드 또는 주파수 가변 모드로 상기 화소를 구동시키고, 외부로부터 공급되는 제어 신호에 기초하여, 한 프레임을 데이터 기입 기간과 여백 기간으로 구분하는 타이밍 제어부; 상기 구동 주파수가 변경된 후, 첫 번째 여백 기간인 제1 여백 기간에, 상기 발광 소자의 제1 전극 전압을 센싱하는 센싱부; 및 센싱된 상기 발광 소자의 제1 전극 전압을 반영하여 보상된 데이터 전압을 상기 데이터선에 인가하는 데이터 구동부를 포함하고, 상기 화소는, 제1 구동 전원과 상기 발광 소자 사이에 접속되고, 게이트 전극이 제1 노드에 접속되는 제1 트랜지스터; 상기 데이터선과 상기 제1 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극이 상기 제1 주사선에 접속되는 제2 트랜지스터; 상기 제1 트랜지스터와 상기 발광 소자가 결합되는 제2 노드와 센싱선 사이에 접속되고, 게이트 전극이 상기 제2 주사선에 접속되는 제3 트랜지스터; 상기 제1 노드와 상기 발광 소자 사이에 접속되고, 게이트 전극이 발광 제어선에 접속되는 제4 트랜지스터; 및 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 포함한다.
상기 데이터 기입 기간에서, 상기 제4 트랜지스터는 턴-오프 될 수 있다.
상기 제1 여백 기간에서, 상기 제4 트랜지스터는 턴-오프 될 수 있다.
상기 데이터 기입 기간에서, 상기 제4 트랜지스터는 턴-오프 될 수 있다.
상기 데이터 기입 기간에서, 상기 제2 트랜지스터는 상기 제1 주사선에 공급되는 제1 주사 신호에 의해 턴-온 되고, 상기 제3 트랜지스터는 턴-오프 상태로 유지될 수 있다.
상기 제1 여백 기간에서, 상기 제3 트랜지스터는 상기 제2 주사선에 공급되는 제2 주사 신호에 의해 턴-온 되고, 상기 제2 트랜지스터는 턴-오프 상태로 유지될 수 있다.
상기 제3 트랜지스터는 상기 제2 주사 신호에 응답하여, 미리 설정된 기간 동안 상기 제2 노드에 초기화 전압을 공급할 수 있다.
상기 제1 여백 기간에서, 상기 제2 노드에 상기 초기화 전압이 인가된 후, 상기 제2 노드의 전압이 센싱될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 주파수 가변 모드에서 발광 소자의 애노드 전압을 초기화하지 않으므로, 주파수 가변 모드에서 표시 장치에 플리커가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 구동 주파수가 변경된 후, 화소에는 스토리지 커패시터에 저장된 전압에 대응한 보상 데이터 전압이 인가되므로, 화소는 애노드 전압이 초기화되지 않아도 원하는 휘도를 구현할 수 있다.
일 실시예에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 외부로부터 공급되는 영상 신호에 따른 표시 장치 구동의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3의 화소의 동작의 일 예를 나타내는 파형도이다.
도 5는 제1 트랜지스터의 게이트-소스 전압 변화를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6 내지 도 9는 화소의 동작의 일 예를 나타내는 파형도이다.
도 10은 발광 소자의 제1 전극의 미초기화에 의한 휘도 변화를 도시한 이미지이다.
도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 12는 도 11의 표시 장치에 포함되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 13a 및 도 13b는 도 12의 화소의 동작의 일 예를 나타내는 파형도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하, 본 발명의 실시예들과 관련된 도면들을 참고하여, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하도록 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 표시부(100), 주사 구동부(200), 데이터 구동부(300), 센싱부(400), 전원 공급부(500), 및 타이밍 제어부(600)를 포함할 수 있다.
표시 장치(1000)는 평면 표시 장치, 플렉서블(flexible) 표시 장치, 커브드(curved) 표시 장치, 폴더블(foldable) 표시 장치, 벤더블(bendable) 표시 장치, 스트레쳐블(stretchable) 표시 장치일 수 있다. 또한, 표시 장치(1000)는 투명 표시 장치, 헤드 마운트(head-mounted) 표시 장치, 웨어러블(wearable) 표시 장치 등에 적용될 수 있다. 또한, 표시 장치(1000)는 스마트폰, 태블릿, 스마트 패드, TV, 모니터 등의 다양한 전자 기기에 적용될 수 있다.
표시 장치(1000)는 복수의 자발광 소자들을 포함하는 자발광 표시 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(1000)는 유기 발광 소자들을 포함하는 유기 발광 표시 장치, 무기 발광 소자들을 포함하는 표시 장치, 또는 무기 물질 및 유기 물질이 복합적으로 구성된 발광 소자들을 포함하는 표시 장치일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 표시 장치(1000)는 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 퀀텀닷 표시 장치 등으로 구현될 수도 있다.
표시부(100)는 데이터선(DL), 제1 주사선(SC), 제2 주사선(SS), 및 센싱선(SL)에 접속되는 화소(PX)를 포함한다. 표시부(100)는 복수의 데이터선(DL), 복수의 제1 주사선(SC), 복수의 제2 주사선(SS), 및 복수의 센싱선(SL)에 각각 접속되는 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다.
화소(PX)는 외부로부터 제1 구동 전원(VDD)의 전압, 제2 구동 전원(VSS)의 전압, 및 초기화 전압(Vint)을 공급받을 수 있다. 화소(PX)의 구체적인 구성은 이하 도 2에서 살펴본다.
한편, 도 1에서는 제1 주사선(SC) 및 제2 주사선(SS)이 화소(PX)에 접속되는 것으로 도시되었으나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 실시예에 따라, 화소(PX)의 회로 구조에 대응하여 표시부(100)에는 하나 이상의 발광 제어선 등이 추가로 형성될 수 있다.
주사 구동부(200)는 타이밍 제어부(600)로부터 주사 제어 신호(SCS)를 수신한다. 주사 구동부(200)는 주사 제어 신호(SCS)에 응답하여 제1 주사선(SC)들로 각각 제1 주사 신호를 공급하고, 제2 주사선(SS)들로 각각 제2 주사 신호를 공급할 수 있다.
주사 구동부(200)는 제1 주사선(SC)들로 제1 주사 신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 예를 들면, 제1 주사 신호는 화소(PX)에 포함된 트랜지스터가 턴-온될 수 있도록 게이트-온 전압으로 설정될 수 있다. 또한, 제1 주사 신호는 화소(PX)에 데이터 신호를 인가하는데 이용될 수 있다.
또한, 주사 구동부(200)는 제2 주사선(SS)들로 제2 주사 신호를 공급할 수 있다. 예를 들면, 제2 주사 신호는 화소(PX)에 포함된 트랜지스터가 턴-온될 수 있도록 게이트-온 전압으로 설정될 수 있다. 제2 주사 신호는 화소(PX)에 흐르는 구동 전류를 센싱(또는, 추출)하거나 화소(PX)에 초기화 전압(Vint)을 인가하는데 이용될 수 있다. 제1 주사 신호와 제2 주사 신호가 공급되는 타이밍 및 파형은 데이터 기입 기간(또는, 액티브(active) 기간), 센싱 기간, 여백 기간(또는, 블랭크(blank) 기간) 등에 따라 다르게 설정될 수 있다.
한편, 도 1에는 하나의 주사 구동부(200)가 제1 주사 신호와 제2 주사 신호를 모두 출력하는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시예에 따라, 주사 구동부(200)는 제1 주사 신호를 표시부(100)에 공급하는 제1 주사 구동부 및 제2 주사 신호를 표시부(100)에 공급하는 제2 주사 구동부를 포함할 수 있다. 즉, 제1 주사 구동부 및 제2 주사 구동부는 별개의 구성으로 구현될 수 있다.
데이터 구동부(300)는 타이밍 제어부(600)로부터 데이터 제어 신호(DCS)를 수신한다. 데이터 구동부(300)는 데이터 제어 신호(DCS)에 응답하여 디지털 영상 데이터(DAT)를 아날로그 데이터 신호(또는, 데이터 전압)로 변환하고, 데이터 신호를 데이터선(DL)들에 각각 공급할 수 있다. 즉, 데이터 구동부(300)는 한 프레임 기간 중 화소(PX)들 각각의 데이터 기입 기간 중에 데이터 신호(또는, 데이터 전압)를 표시부(100)에 공급할 수 있다. 데이터 신호는 유효 영상을 표시하기 위한 데이터 전압으로써, 디지털 영상 데이터(DAT)에 대응하는 전압일 수 있다.
센싱부(400)는 센싱선(SL)들을 통해 센싱 기간 동안 화소(PX)로부터 소정의 전압 및/또는 전류를 공급받고, 공급받은 소정의 전압에 대응하여 센싱 데이터를 생성한다. 본 실시예에서, 센싱 기간은 구동 주파수가 변경된 후, 첫 번째 프레임의 첫 번째 여백 기간일 수 있다.
센싱부(400)는 추출되는 소정의 전압 및/또는 전류에 기초하여 화소(PX)에 포함되는 발광 소자 및/또는 구동 트랜지스터의 특성(예를 들면, 게이트-소스 전압, 이동도 특성, 문턱 전압 특성, 열화 특성 등)을 산출하고, 산출된 특성에 대응한 센싱 데이터를 타이밍 제어부(600)로 공급할 수 있다. 일 실시예에서, 센싱부(400)는 구동 주파수(프레임 레이트)가 변경되면, 첫 번째 프레임의 첫 번째 여백 기간에서 화소(PX)를 통해 발광 소자(LD)의 제1 전극의 전압(또는, 스토리지 커패시터(도 3의 Cst)의 전압)을 센싱할 수 있다.
또한, 센싱부(400)는 화소(PX)들의 열화 정보가 포함된 센싱 데이터를 생성하고, 생성된 센싱 데이터를 타이밍 제어부(600)에 공급할 수 있다. 타이밍 제어부(600)는 센싱 데이터에 기초하여 디지털 영상 데이터(DAT) 및/또는 데이터 신호를 보상할 수 있다. 일 실시예에서, 센싱 데이터는 구동 트랜지스터(도 3의 T1)와 연결된 스토리지 커패시터(도 3의 Cst)에 저장된 전압을 포함할 수 있다. 이에 따라, 구동 주파수(프레임 레이트)가 변경되면, 데이터 구동부(300)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압을 고려한 보상 데이터 전압을 데이터선(DL)들을 통해 표시부(100)로 공급할 수 있다.
전원 공급부(500)는 제1 구동 전원(VDD) 전압, 제2 구동 전원(VSS) 전압, 및 초기화 전압(Vint)을 전원선들을 통해 표시부(100)에 공급할 수 있다. 일 예로, 전원선들은 표시부(100) 내에 구비될 수 있다. 또한, 전원선들은 화소(PX)들에 대해 행 단위, 열 단위, 또는 블록 단위로 각각 연결될 수도 있다.
제1 구동 전원(VDD) 및 제2 구동 전원(VSS)은 화소(PX)들을 발광시키기 위한 구동 전원이다. 제1 구동 전원(VDD) 전압은 화소(PX)에 포함되는 발광 소자(LD)의 애노드(Anode)에 제공되는 하이 레벨 전압일 수 있고, 제2 구동 전원(VSS) 전압은 화소(PX)에 포함되는 발광 소자(LD)의 캐소드(Cathode)에 제공되는 로우 레벨 전압일 수 있다.
초기화 전압(Vint)은 화소(PX)에 포함되는 발광 소자(LD)의 애노드를 초기화(또는, 리셋)시키기 위한 전압이다. 초기화 전압(Vint)은 제2 구동 전원(VSS) 전압과 다른 전압 레벨을 가질 수 있다.
타이밍 제어부(600)는 외부의 그래픽 기기와 같은 화상 소스로부터 제어 신호(CTL) 및 영상 신호(RGB)를 수신할 수 있다. 타이밍 제어부(600)는 외부로부터 공급되는 제어 신호(CTL)에 대응하여 데이터 제어 신호(DCS) 및 주사 제어 신호(SCS)를 생성할 수 있다. 타이밍 제어부(600)에서 생성된 데이터 제어 신호(DCS)는 데이터 구동부(300)로 공급되고, 주사 제어 신호(SCS)는 주사 구동부(200)로 공급될 수 있다. 또한, 타이밍 제어부(600)는 외부로부터 공급된 영상 신호(RGB)가 재정렬된 디지털 영상 데이터(DAT)를 데이터 구동부(300)에 공급할 수 있다.
일 실시예에서, 타이밍 제어부(600)는 외부에서 공급되는 가변 주파수 신호에 따라, 구동 주파수(프레임 레이트)가 일정하게 유지되는 노멀 모드(Normal mode) 또는 주파수가 변경되는 주파수 가변 모드로 표시부(100)의 화소(PX)를 구동시킬 수 있다. 또한, 타이밍 제어부(600)는 구동 주파수(프레임 레이트)가 가변되는 경우, 제어 신호(CTL)에 기초하여 한 프레임을 데이터 기입 기간과 여백 기간으로 구분할 수 있다.
타이밍 제어부(600)는 주파수 가변 모드에서, 센싱부(400)로부터 제공받은 화소(PX)들의 센싱 데이터에 기초하여 디지털 영상 데이터(DAT) 및/또는 데이터 신호를 데이터 구동부(300)에 제공할 수 있다. 이에 따라, 구동 주파수(프레임 레이트)가 변경되면, 데이터 구동부(300)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압을 고려한 보상 데이터 전압을 데이터선(DL)들을 통해 표시부(100)로 공급할 수 있다.
이하에서는 도 2를 참조하여, 구동 주파수가 변경될 때, 표시 장치의 구동의 일 예를 살펴본다.
도 2는 외부로부터 공급되는 영상 신호에 따른 표시 장치 구동의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 외부로부터 공급되는 영상 신호(RGB)는 그래픽 프로세서 등에 의해서 렌더링된 신호일 수 있다. 영상 신호(RGB)의 프레임 레이트(Frame rate)는 그래픽 프로세서의 렌더링 시간에 따라서 변경될 수 있다. 이하, 프레임 레이트는 프레임 주파수, 즉, 1초당 전송되는 프레임의 수(frame per second)를 의미한다. 프레임 레이트가 클수록 한 프레임의 시간 및 여백 기간은 짧고, 프레임 레이트가 작을수록 한 프레임의 시간 길이 및 여백 기간은 길 수 있다.
일 실시예에서, 그래픽 프로세서의 렌더링 시간에 따라 영상 신호(RGB)의 프레임 레이트가 달라지는 경우, 표시 장치의 프레임 레이트도 변경될 수 있다.
영상 신호(RGB)는 타이밍 제어부(도 1의 600)에서 신호 처리된 후, 한 프레임 지연되어, 데이터 구동부(도 1의 300)에 의해 데이터 신호(DS)(또는, 데이터 전압)로 출력될 수 있다. 일 실시예에서, 데이터 신호(DS)는 타이밍 제어부(600)로부터 공급되는 데이터 인에이블 신호(DE)에 기초하여 출력될 수 있다.
표시 장치의 프레임 레이트는 외부로부터 수신되는 영상 신호(RGB)의 한 프레임 지연된 프레임의 프레임 레이트와 동일하다. 예컨대, 표시 장치의 "A" 데이터 신호(DS)가 출력되는 프레임(Fa)의 프레임 레이트는 "B" 영상 신호(RGB)가 수신되는 프레임(F2)의 프레임 레이트와 동일할 수 있다. 표시 장치의 "B" 데이터 신호(DS)가 출력되는 프레임(Fb)의 프레임 레이트는 "C" 영상 신호(RGB)가 수신되는 프레임(F3)의 프레임 레이트와 동일할 수 있다.
표시 장치의 한 프레임은 데이터 신호(DS)가 출력되는 데이터 기입 기간과 여백 기간을 포함할 수 있다. 프레임들(Fa, Fb, Fc, Fd) 각각에서 데이터 신호(DS) "A", "B", "C" 및 "D"가 출력되는 데이터 기입 기간들(APa, APb, APc, APd)의 시간의 길이는 서로 동일할 수 있다.
여백 기간들(BPa, BPb, BPc, BPd)의 시간의 길이는 프레임들(Fa, Fb, Fc, Fd) 각각의 프레임 레이트와 데이터 기입 기간들(APa, APb, APc, APd)의 차에 따라서 달라질 수 있다.
도 2에 도시된 예에서, "A" 데이터 신호(DS)가 출력되는 프레임(Fa)의 프레임 레이트가 "B" 데이터 신호(DS)가 출력되는 프레임(Fb)의 프레임 레이트보다 작으므로, 여백 기간(BPa)의 길이가 여백 기간(BPb)의 길이보다 길 수 있다.
이와 같이, 프레임 레이트가 불규칙하게 변하더라도 프레임들(Fa, Fb, Fc, Fd) 각각의 여백 기간들(BPa, BPb, BPc, BPd)의 길이가 제어됨으로써 그래픽 프로세서의 프레임 생성과 표시 장치의 프레임 출력 간의 불일치에 의한 영상 티어링(tearing), 입력 프레임의 일부가 사라지는 인풋-랙(input lag)이 개선될 수 있다.
다만, 프레임 레이트가 변경될 때, 한 프레임당 여백 기간의 길이가 달라지고, 여백 기간에 발광 소자(도 3의 LD)의 애노드 전압을 초기화하지 않음으로써, 표시 장치에서는 플리커가 인지될 수 있다. 프레임 레이트가 정수배로 변경될 때에는, 한 프레임의 여백 기간에 발광 소자(LD)의 제1 전극 전압을 일정하게 초기화시킴으로써, 표시 장치에서 플리커가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 그러나, 프레임 레이트가 정수배가 아닌, 비 정수배로 변경될 때에는, 발광 소자(LD)의 제1 전극 전압을 초기화시키는 시점이 일정하지 않으므로, 표시 장치에서는 여전히 플리커가 인지될 수 있다.
그러므로, 본 실시예에서는 발광 소자(LD)의 제1 전극 전압을 초기화하지 않음으로써, 프레임 레이트가 정수배가 아닌 프레임 레이트로 변경되어도, 표시 장치에서 플리커가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 프레임 레이트가 변경된 후, 화소(PX)에는 보상 데이터 전압이 인가되므로, 표시 장치는 발광 소자(LD)의 초기화와 무관하게 원하는 휘도로 구현될 수 있다.
이하에서는, 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 실시예에 따른 표시 장치의 화소를 살펴본다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이고, 도 4a 및 도 4b는 도 3의 화소의 동작의 일 예를 나타내는 파형도이며, 도 5는 제1 트랜지스터의 게이트-소스 전압 변화를 개략적으로 도시한 도면이다.
먼저, 도 3을 참조하면, 화소(PX)는 발광 소자(LD), 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
화소(PX)는 스위칭 소자(SW)에 의해 초기화 전압(Vint)을 인가하는 초기화 전원에 연결될 수 있고, 센싱 커패시터(Csense)에 연결될 수도 있다. 또한, 스위칭 소자(SW), 초기화 전원, 및 센싱 커패시터(Csense)는 센싱부(도 1의 400)를 구성할 수 있다.
발광 소자(LD)는 제1 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성할 수 있다. 발광 소자(LD)는 제2 노드(N2)에 접속되는 제1 전극과 제2 구동 전원(VSS)에 접속되는 제2 전극을 포함한다. 일 실시예에서, 제1 전극은 애노드일 수 있고, 제2 전극은 캐소드일 수 있다. 실시예에 따라, 제1 전극이 캐소드일 수 있고, 제2 전극이 애노드일 수 있다.
일 실시예에서, 발광 소자(LD)는 무기 물질로 형성되는 무기 발광 소자일 수 있다. 실시예에 따라, 발광 소자(LD)는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드일 수 있다. 또한, 발광 소자(LD)는 무기 물질 및 유기 물질이 복합적으로 구성된 발광 소자일 수도 있다.
도 3에서, 발광 소자(LD)는 복수의 무기 발광 소자들이 제2 구동 전원(VSS)과 제2 노드(N2) 사이에 직렬로 연결된 형태가 도시되어 있지만 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 실시예에 따라, 발광 소자(LD)는 복수의 무기 발광 소자들이 병렬 및/또는 직렬로 연결된 형태를 가질 수도 있다. 도시되지 않았지만, 화소(PX)는 발광 소자(LD)의 기생 커패시터를 더 포함할 수 있다. 기생 커패시터에는 제1 트랜지스터(T1)로부터 발생된 구동 전류에 따른 전압차가 저장될 수 있다. 이에 따라, 화소(PX)가 한 프레임 동안 비교적 안정적인 휘도로 발광할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제1 구동 전원(VDD)에 접속되고, 제2 전극은 발광 소자(LD)의 제1 전극(또는, 제2 노드(N2))에 접속될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 전극은 드레인 전극일 수 있고, 제2 전극은 소스 전극일 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)의 전압에 대응하여, 발광 소자(LD)로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다. 이 때, 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이의 전압(즉, 게이트-소스 전압)이 문턱 전압 보다 높을 때, 턴-온될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)의 제1 전극은 데이터선(DL)에 접속되고, 제2 전극은 제1 노드(N1)(또는, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극)에 접속될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 주사선(SC)에 접속될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 제1 주사선(SC)으로 제1 주사 신호(예를 들면, 하이 레벨 전압)가 공급될 때 턴-온되어, 데이터선(DL)으로부터 데이터 전압을 제1 노드(N1)로 전달할 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 센싱선(SL)에 접속되고, 제2 전극은 제2 노드(N2)(또는, 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극)에 접속될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 제2 주사선(SS)에 접속될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제2 주사선(SS)으로 제2 주사 신호(예를 들면, 하이 레벨 전압)가 공급될 때 턴-온되어, 센싱선(SL)과 제2 노드(N2)를 전기적으로 접속시킬 수 있다.
일 실시예에서, 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온되면, 미리 설정된 시간 동안 센싱선(SL)을 통해 초기화 전압(Vint)이 제2 노드(N2)로 공급될 수 있다. 또한, 일정 시간이 경과하면, 센싱선(SL)을 통해 제2 노드(N2)의 전압을 센싱할 수 있다.
구체적으로, 프레임 레이트가 변경될 때, 첫 번째 여백 기간에서(즉, 제1 여백 기간에서) 미리 설정된 시간 동안 스위칭 소자(SW)가 턴-온되어 센싱선(SL) 및 제3 트랜지스터(T3)를 경유하여 제2 노드(N2)로 초기화 전압(Vint)이 공급된다. 그러면, 제1 여백 기간에서 미리 설정된 시간 동안 제2 노드(N2)가 초기화 전압(Vint)으로 초기화될 수 있다.
이후, 스위칭 소자(SW)가 턴-오프되어 초기화 전압(Vint)이 센싱선(SL)으로 공급되지 않는다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(T1)로부터 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 제2 노드(N2)로 공급되고, 제2 노드(N2)에는 제1 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 전류에 대응하는 전압이 인가된다. 제2 노드(N2)에 인가된 전압은 센싱 커패시터(Csense)에 저장되고, 센싱부(400)는 센싱 커패시터(Csense)에 저장된 전압을 이용하여 센싱 데이터를 생성할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속된다. 이러한 스토리지 커패시터(Cst)는 한 프레임 동안 제1 노드(N1)로 공급되는 데이터 신호에 대응하는 데이터 전압을 충전할 수 있다. 이에 따라, 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이의 전압 차에 대응하는 전압을 저장할 수 있다. 즉, 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극 사이의 전압 차에 대응하는 전압을 저장할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 따라 제1 트랜지스터(T1)의 턴-온, 턴-오프 여부가 결정될 수 있다.
센싱 커패시터(Csense)는 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극과 접지 전원 사이에 접속될 수 있다. 이러한 센싱 커패시터(Csense)는 적어도 하나의 여백 기간 동안 제2 노드(N2)에 인가된 전압을 저장할 수 있다.
한편, 본 발명에서 화소(PX)의 회로 구조는 도 3에 의하여 한정되지는 않는다. 일 예로, 발광 소자(LD)는 제1 구동 전원(VDD)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극 사이에 위치될 수도 있다.
또한, 도 3에서는 트랜지스터를 NMOS로 도시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 일 예로, 제1 내지 제3 트랜지스터(T1, T2, T3) 중 적어도 하나는 PMOS로 구현될 수 있다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 각 화소(PX)에 대한 구동은 데이터 기입 기간(DP)과 여백 기간(BP)을 포함할 수 있다. 한 프레임에서 여백 기간(BP)은 프레임 레이트에 대응하여 다르게 설정될 수 있다. 도 4a 및 도 4b에서는 설명의 편의성을 위하여 어느 하나의 화소(PX)로 공급되는 구동 파형을 도시하기로 한다.
도 4a에서는 표시 장치가 노멀 모드(Normal mode)로 구동될 때, 화소(PX)의 동작을 도시하였다. 또한, 노멀 모드에서 구동 주파수가 기본 주파수(fo)로 인가되는 일 예를 도시하였다. 예를 들면, 기본 주파수(fo)는 240Hz일 수 있다.
데이터 기입 기간(DP)에서, 제2 트랜지스터(T2)에는 제1 주사선(SC)을 통해 제1 주사 신호가 공급되고, 제3 트랜지스터(T3)에는 제2 주사선(SS)을 통해 제2 주사 신호가 공급될 수 있다. 또한, 데이터 기입 기간(DP)에서 스위칭 소자(SW)는 턴-온 상태를 유지할 수 있다.
이 때, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되어, 제1 노드(N1)에는 데이터 전압(DATA)이 인가될 수 있다. 또한, 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온되어, 제2 노드(N2)에는 초기화 전압(Vint)이 인가될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터 전압(DATA)과 초기화 전압(Vint) 차이의 전압이 저장될 수 있다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(T1)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 대응하는 전류를 발광 소자(LD)로 인가할 수 있다. 따라서, 발광 소자(LD)는 소정의 휘도로 빛을 생성할 수 있다.
여백 기간(BP)에서, 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)는 턴-오프 상태일 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 의해 발광 소자(LD)로 전류를 인가할 수 있다.
이후, 다음 프레임의 데이터 기입 기간(DP)에서, 제2 트랜지스터(T2)와 제3 트랜지스터(T3)에는 각각 제1 주사 신호 및 제2 주사 신호가 공급될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온됨에 따라, 제1 노드(N1)로 데이터 전압(DATA)이 인가되고, 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온됨에 따라, 제2 노드(N2)로 초기화 전압(Vint)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 제2 노드(N2)에 연결된 발광 소자(LD)의 제1 전극 전압은 프레임마다 초기화될 수 있다.
도 4b에서는 표시 장치가 주파수 가변 모드로 구동될 때, 도 3의 화소(PX)의 동작을 도시하였다. 또한, 도 4b에서는 기본 주파수(fo)에서 제1 주파수(f1)로 프레임 레이트가 가변된 이후의 동작을 도시하였다. 제1 주파수(f1)는 기본 주파수(fo)보다 작은 값일 수 있다.
데이터 기입 기간(DP)에서, 제2 트랜지스터(T2)는 제1 주사선(SC)에서 공급되는 제1 주사 신호에 의해 턴-온되어, 제1 노드(N1)로 데이터 전압(DATA)을 기입할 수 있다. 이 때, 제3 트랜지스터(T3)에는 제2 주사선(SS)을 통해 제2 주사 신호가 인가되지 않은 바, 제3 트랜지스터(T3)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다. 즉, 일 실시예에 따른 표시 장치에서는 프레임 레이트가 변경된 후, 제2 노드(N2), 즉, 발광 소자(LD)의 제1 전극 전압을 초기화하지 않기 위해, 제3 트랜지스터(T3)에 대해 턴-오프 상태를 유지시킨다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)에 인가된 데이터 전압(DATA)을 기초로 발광 소자(LD)로 구동 전류를 인가할 수 있다. 이에 따라, 발광 소자(LD)는 소정의 휘도로 발광할 수 있다.
기본 주파수(fo)에서 제1 주파수(f1)로 프레임 레이트가 변경된 후, 첫 번째 여백 기간(즉, 제1 여백 기간(BP1))에서, 제2 트랜지스터(T2)는 턴-오프 되고, 제3 트랜지스터(T3)는 제2 주사 신호(하이 레벨 전압)에 의해 턴-온될 수 있다. 이 때, 센싱선(SL)은 스위칭 소자(SW)에 의해 초기화 전원에 연결되어, 제2 노드(N2)에는 초기화 전압(Vint)이 인가될 수 있다. 여기서, 스위칭 소자(SW)는 제2 노드(N2)가 초기화되는 미리 설정된 시간 동안, 턴-온(또는, 단락)될 수 있다.
미리 설정된 시간 이후, 스위칭 소자(SW)가 턴-오프(또는, 개방(open))되면, 제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 센싱선(SL)을 통해 센싱 커패시터(Csense)에 접속될 수 있다. 즉, 센싱선(SL)은 센싱 커패시터(Csense)에 연결된다.
이후, 제1 트랜지스터(T1)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 대응하는 전류를 제2 노드(N2)로 공급하고, 센싱 커패시터(Csense)에는 제2 노드(N2)에 대응되는 센싱 전압(Vsensing)이 저장된다.
센싱 커패시터(Csense)에 저장된 센싱 전압(Vsensing)은 센싱부(도 1의 400)로 제공된다. 센싱부(400)는 센싱 커패시터(Csense)에 저장된 센싱 전압(Vsensing)을 이용하여 센싱 데이터를 생성하고, 생성된 센싱 데이터를 타이밍 제어부(600)로 공급한다. 타이밍 제어부(600)는 센싱 데이터를 이용하여 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 등이 보상되도록 디지털 영상 데이터(DAT)를 생성하여 데이터 구동부(300)로 공급할 수 있다.
보다 상세히 설명하면, 표시 장치가 주파수 가변 모드로 구동되는 경우, 화소(PX)로 데이터 전압(DATA)이 공급될 때, 제2 노드(N2)에는 초기화 전압(Vint)이 공급되지 않는다. 이에 따라, 스토리지 커패시터(Cst)에 데이터 전압(DATA)이 저장되는 기간 동안, 제2 노드(N2)는 초기화 전압(Vint)으로 유지되지 않고, 스토리지 커패시터(Cst)에는 원하는 전압이 충전되지 않을 수 있다.
따라서, 일 실시예에 따른 표시 장치에서는, 주파수 가변 모드에서, 첫 번째 여백 기간(BP1) 동안 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 대응하는 센싱 데이터를 생성하고, 센싱 데이터에 대응하여 디지털 영상 데이터(DAT)를 보상할 수 있다. 이에 따라, 다음 프레임 기간부터 제2 노드(N2)로 초기화 전압(Vint)이 공급되지 않더라도, 보상된 데이터 전압에 의해 원하는 휘도의 영상을 구현할 수 있다.
추가적으로, 일 실시예에서는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압이 보상될 수 있도록, 주파수 가변 모드에서, 첫 번째 프레임에 공급되는 데이터들이 타이밍 제어부(도 1의 600)에 임시 저장될 수 있다. 타이밍 제어부(600)는 첫 번째 여백 기간(BP1) 동안 임시 저장된 데이터와 센싱 데이터를 비교하여, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압을 파악하고, 원하는 전압이 저장될 수 있도록 디지털 영상 데이터(DAT)를 보상할 수 있다.
도 5에는 데이터 보상을 위한 제1 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 전압(Vgs) 변화가 도시되어 있다.
도 3, 도 4a, 및 도 5를 참조하면, 노멀 모드(Normal mode)로 구동될 때, 제2 노드(N2)에 연결된 발광 소자(LD)의 제1 전극 전압은 프레임마다 초기화될 수 있다.
이에 따라, 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압은 일정하게 유지될 수 있다. 그러므로, 제1 트랜지스터(T1)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 대응하는 전류를 발광 소자(LD)로 일정하게 인가할 수 있다.
이후, 도 3, 도 4b, 및 도 5를 참조하면, 프레임 레이트가 변경된 후, 데이터 기입 기간(DP)에서 제1 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 전압(Vgs)을 살펴본다.
제3 트랜지스터(T3)가 턴-오프되는 경우, 제2 노드(N2)에는 초기화 전압(Vint)보다 높은 전압이 인가될 수 있다. 제2 노드(N2)가 초기화 전압(Vint)보다 높은 전압으로 설정되는 경우, 스토리지 커패시터(Cst)에는 원하는 전압이 충전되지 않고, 이에 따라 원하는 휘도를 구현할 수 없다.
이에 따라, 일 실시예에서는, 프레임 레이트가 변경된 후 첫 번째 여백 기간(BP1)에서, 제3 트랜지스터(T3)를 턴-온시켜, 제2 노드(N2)에 초기화 전압을 인가하고, 제2 노드(N2)의 전압을 센싱할 수 있다. 이에 따라, 센싱된 제2 노드(N2)의 전압을 반영하여, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압을 보상하기 위해, 제1 노드(N1)에 인가되는 데이터 전압을 보상할 수 있다.
즉, 프레임 레이트가 변경된 후, 화소(PX)에는 보상 데이터 전압이 인가되므로, 표시 장치는 발광 소자(LD)의 초기화와 무관하게 원하는 휘도로 구현될 수 있다.
또한, 일 실시예에서는 주파수 가변 모드에서, 발광 소자(LD)의 제1 전극 전압을 초기화하지 않음으로써, 표시 장치에서 플리커가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이하에서는, 도 6 내지 도 9를 참조하여 프레임 레이트가 정수배 또는 정수배가 아닌 경우로 변경되는 일 예를 살펴본다.
도 6 내지 도 9는 화소의 동작의 일 예를 나타내는 파형도이다. 도 6 내지 도 9에서는 전술한 도 1 내지 도 5를 참조하여 함께 설명한다.
도 6은 표시 장치의 구동 주파수가 120Hz로 변경되어 구동되는 일 예를 도시하였다. 도 7은 표시 장치의 구동 주파수가 60Hz로 변경되어 구동되는 일 예를 도시하였다.
도 6 및 도 7에 도시된 파형도는, 노멀 모드에서 기본 주파수가 240Hz로 구동되었고, 주파수 가변 모드에서, 구동 주파수가 기본 주파수의 정수배로 변경되어 구동될 때의 파형도를 예시적으로 도시한 것이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 한 프레임의 데이터 기입 기간(DP)에서, 제2 트랜지스터(T2)는 제1 주사선(SC)에서 공급되는 제1 주사 신호에 의해 턴-온되어, 제1 노드(N1)로 데이터 전압(DATA)을 기입할 수 있다. 이 때, 제3 트랜지스터(T3)에는 제2 주사선(SS)을 통해 제2 주사 신호가 인가되지 않은바, 제3 트랜지스터(T3)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다.
일 실시예에서, 제3 트랜지스터(T3)는 데이터 기입 기간(DP)에서 턴-오프 상태를 유지하는바, 발광 소자(LD)의 제1 전극에는 일정한 전류가 계속 인가될 수 있다. 이에 따라, 발광 소자(LD)의 제1 전극 전압은 초기화되지 않음으로써, 프레임 레이트가 변경되어도 표시 장치에서는 플리커가 발생하지 않을 수 있다.
이후, 첫 번째 여백 기간(BP1)에서, 제3 트랜지스터(T3)는 턴-온 되고, 제2 트랜지스터(T2)는 턴-오프된다. 이 때, 제3 트랜지스터(T3)에는 일정 시간 동안 초기화 전압(Vint)이 먼저 인가되어, 제2 노드(N2)에는 초기화 전압(Vint)이 인가될 수 있다. 그리고, 센싱부(도 1의 400)는 센싱선(SL)을 통해 제2 노드(N2)의 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 타이밍 제어부(도 1의 600)에 공급할 수 있다.
타이밍 제어부(600)는 센싱 데이터를 이용하여 스토리지 커패시터(Cst)의 저장 전압 등이 보상되도록 디지털 영상 데이터(DAT)를 생성하여 데이터 구동부(300)로 공급할 수 있다. 이에 따라, 프레임 레이트가 변경된 후, 화소(PX)에는 보상 데이터 전압이 인가되므로, 원하는 휘도로 표시 장치를 구현될 수 있다.
도 8은 표시 장치의 구동 주파수가 70Hz로 변경되어 구동되는 일 예를 도시하였다. 도 9는 표시 장치의 구동 주파수가 120Hz으로 변경되고, 70Hz로 변경되어 구동되는 일 예를 도시하였다.
도 8 및 도 9에 도시된 파형도는, 노멀 모드에서 기본 주파수가 240Hz로 구동되었고, 주파수 가변 모드에서, 구동 주파수가 기본 주파수의 정수배가 아닌 주파수로 변경되어 구동될 때의 파형도를 예시적으로 도시한 것이다.
먼저, 도 8을 참조하면, 한 프레임의 데이터 기입 기간(DP)에서, 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온 되고, 제3 트랜지스터(T3)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다.
이후, 첫 번째 여백 기간(BP1)에서, 제3 트랜지스터(T3)는 턴-온 되고, 제2 트랜지스터(T2)는 턴-오프된다. 이 때, 제3 트랜지스터(T3)에는 일정 시간 동안 초기화 전압(Vint)이 먼저 인가되어, 제2 노드(N2)에는 초기화 전압(Vint)이 인가될 수 있다. 그리고, 센싱부(도 1의 400)는 센싱선(SL)을 통해 제2 노드(N2)의 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 타이밍 제어부(도 1의 600)에 공급할 수 있다.
타이밍 제어부(600)는 센싱 데이터를 이용하여 스토리지 커패시터(Cst)의 저장 전압 등이 보상되도록 디지털 영상 데이터(DAT)를 생성하여 데이터 구동부(300)로 공급할 수 있다. 이에 따라, 프레임 레이트가 변경된 후, 화소(PX)에는 보상 데이터 전압이 인가되므로, 원하는 휘도로 표시 장치를 구현될 수 있다.
도 9를 참조하면, 120Hz로 구동되는 한 프레임의 데이터 기입 기간(DP)에서, 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온 되고, 제3 트랜지스터(T3)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다.
이후, 첫 번째 여백 기간(BP1)에서, 제3 트랜지스터(T3)는 턴-온 되고, 제2 트랜지스터(T2)는 턴-오프 된다. 이 때, 제3 트랜지스터(T3)에는 일정 시간 동안 초기화 전압(Vint)이 먼저 인가되어, 제2 노드(N2)에 초기화 전압(Vint)이 인가될 수 있다. 그리고, 센싱부(도 1의 400)는 센싱선(SL)을 통해 제2 노드(N2)의 전압을 센싱할 수 있다.
그리고, 70Hz에서 구동되는 다음 프레임에서도 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)는 도 8에 도시된 것과 유사하게 동작할 수 있다. 70Hz로 주파수가 변경된 후, 데이터 기입 기간(DP)에서는 제3 트랜지스터(T3)가 턴-오프 상태를 유지할 수 있다. 그리고, 첫 번째 여백 기간(BP1)에서, 제3 트랜지스터(T3)를 통해 제2 노드(N2)의 전압을 센싱할 수 있다.
이와 같이, 일 실시예에서는 주파수 가변 모드에서 주파수가 변경될 때마다, 첫 번째 여백 기간(BP1)에서 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압을 보상하기 위해 데이터 전압을 보정할 수 있다. 이에 따라, 발광 소자(LD)의 제1 전극 전압이 초기화되지 않더라도 원하는 휘도의 영상을 구현할 수 있다.
또한, 일 실시예에서는 주파수 가변 모드에서 발광 소자(LD)의 전압을 초기화하지 않기 때문에, 주파수 가변 모드에서 플리커 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이하에서는, 도 10을 참조하여, 표시 장치의 휘도 개선 효과를 살펴본다.
도 10은 발광 소자의 제1 전극의 미 초기화에 의한 휘도 변화를 도시한 이미지이다.
도 10을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치에서는 발광 소자(LD)의 애노드(또는, 제1 전극)를 초기화하지 않음(미 초기화)으로써, 발광 소자(LD)의 제1 전극을 초기화하는 비교예보다 휘도 변화가 감소함을 확인할 수 있다.
즉, 일 실시예에 따르면, 주파수 가변 모드에서 발광 소자의 애노드 전압을 초기화하지 않으므로, 주파수 가변 모드에서 표시 장치에 플리커가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이하, 도 11 내지 도 13b를 참조하여, 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 예를 살펴본다.
도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이고, 도 12는 도 11의 표시 장치에 포함되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이며, 도 13a 및 도 13b는 도 12의 화소의 동작의 일 예를 나타내는 파형도이다.
도 11, 도 12, 도 13a, 및 도 13b는 도 1, 도 3, 도 4a, 및 도 4b와 유사한바, 이하에서는 중복 설명을 방지하기 위해, 차이점을 중심으로 서술한다.
도 11을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 표시부(100), 주사 구동부(200), 데이터 구동부(300), 센싱부(400), 전원 공급부(500), 타이밍 제어부(600), 및 발광 구동부(700)를 포함할 수 있다.
타이밍 제어부(600)는 외부로부터 공급되는 제어 신호(CTL)에 대응하여 데이터 제어 신호(DCS), 주사 제어 신호(SCS), 및 발광 제어 신호(ECS)를 생성할 수 있다. 타이밍 제어부(600)에서 생성된 데이터 제어 신호(DCS)는 데이터 구동부(300)로 공급되고, 주사 제어 신호(SCS)는 주사 구동부(200)로 공급될 수 있다. 또한, 타이밍 제어부(600)에서 생성된 발광 제어 신호(ECS)는 발광 구동부(700)로 공급될 수 있다.
일 실시예에서, 타이밍 제어부(600)는 외부에서 공급되는 가변 주파수 신호에 따라, 구동 주파수(프레임 레이트)가 일정하게 유지되는 노멀 모드(Normal mode) 또는 주파수가 변경되는 주파수 가변 모드로 표시부(100)의 화소(PX)를 구동시킬 수 있다. 또한, 타이밍 제어부(600)는 구동 주파수(프레임 레이트)가 가변되는 경우, 제어 신호(CTL)에 기초하여 한 프레임을 데이터 기입 기간과 여백 기간으로 구분할 수 있다.
타이밍 제어부(600)는 주파수 가변 모드에서, 센싱부(400)로부터 제공받은 화소(PX)들의 센싱 데이터에 기초하여 디지털 영상 데이터(DAT) 및/또는 데이터 신호를 데이터 구동부(300)에 제공할 수 있다. 이에 따라, 구동 주파수(프레임 레이트)가 변경되면, 데이터 구동부(300)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압을 고려한 보상 데이터 전압을 데이터선(DL)들을 통해 표시부(100)로 공급할 수 있다.
발광 구동부(700)는 타이밍 제어부(600)로부터 발광 제어 신호(ECS)를 수신한다. 발광 구동부(700)는 발광 제어 신호(ECS)에 응답하여 발광 제어선(EM)들로 각각 발광 신호를 공급할 수 있다. 일 예로, 발광 신호는 발광 신호를 공급받는 트랜지스터가 턴-온될 수 있는 전압 레벨을 가질 수 있다.
도 11에서, 발광 구동부(700)는 주사 구동부(200)의 일측에 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 실시예에 따라, 발광 구동부(700)는 표시부(100)를 사이에 두고 주사 구동부(200)와 마주보도록 위치할 수도 있다.
도 12를 참조하면, 화소(PX)는 발광 소자(LD), 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
화소(PX)는 스위칭 소자(SW)에 의해 초기화 전압(Vint)을 인가하는 초기화 전원에 연결될 수 있고, 센싱 커패시터(Csense)에 연결될 수도 있다. 또한, 스위칭 소자(SW), 초기화 전원, 및 센싱 커패시터(Csense)는 센싱부(도 11의 400)를 구성할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제1 구동 전원(VDD)에 접속되고, 제2 전극은 발광 소자(LD)의 제1 전극(또는, 제2 노드(N2))에 접속될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 전극은 드레인 전극일 수 있고, 제2 전극은 소스 전극일 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)의 전압에 대응하여, 발광 소자(LD)로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다. 이 때, 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이의 전압(즉, 게이트-소스 전압)이 문턱 전압 보다 높을 때, 턴-온될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)의 제1 전극은 데이터선(DL)에 접속되고, 제2 전극은 제1 노드(N1)(또는, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극)에 접속될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 주사선(SC)에 접속될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 제1 주사선(SC)으로 제1 주사 신호(예를 들면, 하이 레벨 전압)가 공급될 때 턴-온되어, 데이터선(DL)으로부터 데이터 전압을 제1 노드(N1)로 전달할 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 센싱선(SL)에 접속되고, 제2 전극은 제2 노드(N2)(또는, 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극)에 접속될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 제2 주사선(SS)에 접속될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제2 주사선(SS)으로 제2 주사 신호(예를 들면, 하이 레벨 전압)가 공급될 때 턴-온되어, 센싱선(SL)과 제2 노드(N2)를 전기적으로 접속시킬 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)의 제1 전극은 제2 노드(N2)에 접속되고, 제2 전극은 발광 소자(LD)의 제1 전극에 접속될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 발광 제어선(EM)에 접속될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 발광 제어선(EM)으로 발광 신호(예를 들면, 하이 레벨 전압)가 공급될 때 턴-온되어, 제2 노드(N2)와 발광 소자(LD)의 제1 전극을 전기적으로 접속시킬 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속된다. 이러한 스토리지 커패시터(Cst)는 한 프레임 동안 제1 노드(N1)로 공급되는 데이터 신호에 대응하는 데이터 전압을 충전할 수 있다. 이에 따라, 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이의 전압 차에 대응하는 전압을 저장할 수 있다. 즉, 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극 사이의 전압 차에 대응하는 전압을 저장할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 따라 제1 트랜지스터(T1)의 턴-온, 턴-오프 여부가 결정될 수 있다.
센싱 커패시터(Csense)는 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극과 접지 전원 사이에 접속될 수 있다. 이러한 센싱 커패시터(Csense)는 적어도 하나의 여백 기간 동안 제2 노드(N2)에 인가된 전압을 저장할 수 있다.
도 13a 및 도 13b를 참조하면, 각 화소(PX)에 대한 구동은 데이터 기입 기간(DP)과 여백 기간(BP)을 포함할 수 있다.
도 13a 및 도 13b에서는 설명의 편의성을 위하여 어느 하나의 화소(PX)로 공급되는 구동 파형을 도시하기로 한다.
도 13a에서는 표시 장치가 노멀 모드(Normal mode)로 구동될 때, 화소(PX)의 동작을 도시하였다. 예를 들면, 노멀 모드(Normal mode)에서 구동 주파수는 240Hz일 수 있다.
데이터 기입 기간(DP)에서, 제2 트랜지스터(T2)에는 제1 주사선(SC)을 통해 제1 주사 신호가 공급되고, 제3 트랜지스터(T3)에는 제2 주사선(SS)을 통해 제2 주사 신호가 공급될 수 있다. 또한, 제4 트랜지스터(T4)는 턴-오프되어, 제2 노드(N2)와 발광 소자(LD)의 제1 전극 사이의 연결을 일정 기간 차단할 수 있다.
이 때, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되어, 제1 노드(N1)에는 데이터 전압(DATA)이 인가될 수 있다. 또한, 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온되어, 제2 노드(N2)에는 초기화 전압(Vint)이 인가될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터 전압(DATA)과 초기화 전압(Vint) 차이의 전압이 저장될 수 있다. 그리고, 일정 기간 이후, 제4 트랜지스터(T4)는 발광 제어선(EM)에서 공급는 발광 신호에 의해, 턴-온될 수 있다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(T1)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 대응하는 전류를 발광 소자(LD)로 인가할 수 있다. 따라서, 발광 소자(LD)는 소정의 휘도로 빛을 생성할 수 있다.
도 13b에서는 표시 장치가 주파수 가변 모드로 구동될 때, 도 12의 화소(PX)의 동작을 도시하였다. 예를 들면, 주파수 가변 모드에서, 주파수는 기본 주파수인 240Hz에서 정수배가 아닌 110Hz로 변경되었다.
데이터 기입 기간(DP)에서, 제2 트랜지스터(T2)는 제1 주사선(SC)에서 공급되는 제1 주사 신호에 의해 턴-온되어, 제1 노드(N1)로 데이터 전압(DATA)을 기입할 수 있다. 이 때, 제3 트랜지스터(T3)에는 제2 주사선(SS)을 통해 제2 주사 신호가 인가되지 않은바, 제3 트랜지스터(T3)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다.
또한, 데이터 기입 기간(DP)에서, 제4 트랜지스터(T4)는 턴-오프되어, 제2 노드(N2)와 발광 소자(LD)의 제1 전극 사이의 연결을 차단할 수 있다. 이에 따라, 데이터 전압(DATA)이 제1 노드(N1)로 인가될 때, 발광 소자(LD)는 발광하지 않을 수 있다. 반면, 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)에서 인가된 데이터 전압(DATA)을 기초로 구동 전류를 인가하는바, 제2 노드(N2)의 전압은 점점 높아질 수 있다.
그리고, 일정 기간 이후, 제4 트랜지스터(T4)는 발광 제어선(EM)에서 공급는 발광 신호에 의해, 턴-온될 수 있다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(T1)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 대응하는 전류를 발광 소자(LD)로 인가할 수 있다. 따라서, 발광 소자(LD)는 소정의 휘도로 빛을 생성할 수 있다.
주파수가 110Hz로 변경된 후, 첫 번째 여백 기간(BP1)에서, 제2 트랜지스터(T2)는 턴-오프 되고, 제3 트랜지스터(T3)는 제2 주사 신호(하이 레벨 전압)에 의해 턴-온될 수 있다. 이 때, 센싱선(SL)은 스위칭 소자(SW)에 의해 초기화 전원에 연결되어, 제2 노드(N2)에는 초기화 전압(Vint)이 인가될 수 있다. 여기서, 스위칭 소자(SW)는 제2 노드(N2)가 초기화되는 시간 동안, 턴-온(또는, 단락(short))될 수 있다.
미리 설정된 시간 이후, 스위칭 소자(SW)가 턴-오프(개방(open))되면, 센싱선(SL)은 센싱 커패시터(Csense)에 연결된다. 또한, 제4 트랜지스터(T4)는 턴-오프될 수 있다. 이에 따라, 제2 노드(N2)와 발광 소자(LD) 사이의 연결을 차단할 수 있으므로, 제3 트랜지스터(T3)에 의해 제2 노드(N2)에 초기화 전압을 인가시키고, 제2 노드(N2)의 전압을 센싱할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 대응하는 전류를 제2 노드(N2)로 공급하고, 센싱 커패시터(Csense)에는 제2 노드(N2)에 대응되는 센싱 전압(Vsensing)이 저장된다.
센싱 커패시터(Csense)에 저장된 센싱 전압(Vsensing)은 센싱부(도 11의 400)로 제공된다. 센싱부(400)는 센싱 커패시터(Csense)에 저장된 센싱 전압(Vsensing)을 이용하여 센싱 데이터를 생성하고, 생성된 센싱 데이터를 타이밍 제어부(600)로 공급한다.
타이밍 제어부(600)는 센싱 데이터를 이용하여 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 등이 보상되도록 디지털 영상 데이터(DAT)를 생성하여 데이터 구동부(300)로 공급할 수 있다.
보다 상세히 설명하면, 표시 장치가 주파수 가변 모드로 구동되는 경우, 화소(PX)로 데이터 전압(DATA)이 공급될 때, 제2 노드(N2)에는 초기화 전압(Vint)이 공급되지 않는다. 이에 따라, 스토리지 커패시터(Cst)에 데이터 전압(DATA)이 저장되는 기간 동안, 제2 노드(N2)는 초기화 전압(Vint)으로 유지되지 않고, 스토리지 커패시터(Cst)에는 원하는 전압이 충전되지 않을 수 있다.
따라서, 일 실시예에 따른 표시 장치에서는, 주파수 가변 모드에서, 첫 번째 여백 기간(BP1) 동안 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 대응하는 센싱 데이터를 생성하고, 센싱 데이터에 대응하여 디지털 영상 데이터(DAT)를 보상할 수 있다. 이에 따라, 다음 프레임 기간부터 제2 노드(N2)로 초기화 전압(Vint)이 공급되지 않더라도, 보상된 데이터 전압에 의해 원하는 휘도의 영상을 구현할 수 있다.
추가적으로, 일 실시예에서는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압이 보상될 수 있도록, 주파수 가변 모드에서, 첫 번째 프레임에 공급되는 데이터들이 타이밍 제어부(도 1의 600)에 임시 저장될 수 있다. 타이밍 제어부(600)는 첫 번째 여백 기간(BP1) 동안 임시 저장된 데이터와 센싱 데이터를 비교하여, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압을 파악하고, 원하는 전압이 저장될 수 있도록 디지털 영상 데이터(DAT)를 보상할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정해져야만 할 것이다.
1000: 표시 장치 100: 표시부
200: 주사 구동부 300: 데이터 구동부
400: 센싱부 500: 전원 공급부
600: 타이밍 제어부 700: 발광 구동부
SC: 제1 주사선 SS: 제2 주사선
DL: 데이터선 SL: 센싱선
EM: 발광 제어선

Claims (20)

  1. 제1 주사선, 제2 주사선, 및 데이터선에 접속되고, 발광 소자 및 스토리지 커패시터를 포함하는 화소; 및
    외부에서 공급되는 가변 주파수 신호에 따라, 구동 주파수가 일정하게 유지되는 노멀 모드 또는 주파수 가변 모드로 상기 화소를 구동시키는 타이밍 제어부를 포함하고,
    상기 노멀 모드에서, 상기 스토리지 커패시터로 데이터 전압이 공급될 때, 상기 발광 소자의 제1 전극 전압은 초기화되고,
    상기 주파수 가변 모드에서, 상기 스토리지 커패시터로 상기 데이터 전압이 공급될 때, 상기 발광 소자의 제1 전극 전압은 초기화되지 않는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자의 제1 전극 전압을 센싱하는 센싱부를 더 포함하는 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 주파수 가변 모드에서, 상기 센싱부는 상기 구동 주파수가 변경되는 첫 번째 프레임의 첫 번째 여백 기간에서 상기 발광 소자의 제1 전극 전압을 센싱하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 주파수 가변 모드에서, 센싱된 상기 발광 소자의 제1 전극 전압을 기초로, 상기 스토리지 커패시터에 저장된 전압을 보상하기 위한 보상 데이터 전압을 상기 화소에 공급하는 데이터 구동부를 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화소는,
    제1 구동 전원과 상기 발광 소자 사이에 접속되고, 게이트 전극이 제1 노드에 접속되는 제1 트랜지스터;
    상기 데이터선과 상기 제1 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극이 상기 제1 주사선에 접속되는 제2 트랜지스터; 및
    상기 제1 트랜지스터와 상기 발광 소자가 결합되는 제2 노드와 센싱선 사이에 접속되고, 게이트 전극이 상기 제2 주사선에 접속되는 제3 트랜지스터를 포함하고,
    상기 스토리지 커패시터는 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 접속되는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 타이밍 제어부는 외부로부터 공급되는 제어 신호에 기초하여, 한 프레임을 데이터 기입 기간과 여백 기간으로 구분하고,
    상기 구동 주파수가 변경된 후, 첫 번째 여백 기간은 제1 여백 기간인 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 데이터 기입 기간에서,
    상기 제2 트랜지스터는 상기 제1 주사선에 공급되는 제1 주사 신호에 의해 턴-온 되고,
    상기 제3 트랜지스터는 턴-오프 상태로 유지되는 표시 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 여백 기간에서,
    상기 제3 트랜지스터는 상기 제2 주사선에 공급되는 제2 주사 신호에 의해 턴-온 되고,
    상기 제2 트랜지스터는 턴-오프 상태로 유지되는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터는 상기 제2 주사 신호에 응답하여, 미리 설정된 기간 동안 상기 제2 노드에 초기화 전압을 공급하는 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 여백 기간에서, 상기 제2 노드에 상기 초기화 전압이 인가된 후, 상기 제2 노드의 전압이 센싱되는 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 여백 기간에서, 상기 제3 트랜지스터의 제1 전극은 상기 센싱선을 통해 스위칭 소자에 연결되고,
    상기 스위칭 소자는 상기 미리 설정된 기간동안 턴-온되는 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 스위칭 소자가 턴-오프되면, 상기 제3 트랜지스터의 제1 전극은 상기 센싱선을 통해 센싱 커패시터에 연결되는 표시 장치.
  13. 제1 주사선, 제2 주사선, 및 데이터선에 접속되고, 발광 소자를 포함하는 화소;
    외부에서 공급되는 가변 주파수 신호에 따라, 구동 주파수가 일정하게 유지되는 노멀 모드 또는 주파수 가변 모드로 상기 화소를 구동시키고, 외부로부터 공급되는 제어 신호에 기초하여, 한 프레임을 데이터 기입 기간과 여백 기간으로 구분하는 타이밍 제어부;
    상기 구동 주파수가 변경된 후, 첫 번째 여백 기간인 제1 여백 기간에, 상기 발광 소자의 제1 전극 전압을 센싱하는 센싱부; 및
    센싱된 상기 발광 소자의 제1 전극 전압을 반영하여 보상된 데이터 전압을 상기 데이터선에 인가하는 데이터 구동부를 포함하고,
    상기 화소는,
    제1 구동 전원과 상기 발광 소자 사이에 접속되고, 게이트 전극이 제1 노드에 접속되는 제1 트랜지스터;
    상기 데이터선과 상기 제1 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극이 상기 제1 주사선에 접속되는 제2 트랜지스터;
    상기 제1 트랜지스터와 상기 발광 소자가 결합되는 제2 노드와 센싱선 사이에 접속되고, 게이트 전극이 상기 제2 주사선에 접속되는 제3 트랜지스터;
    상기 제1 노드와 상기 발광 소자 사이에 접속되고, 게이트 전극이 발광 제어선에 접속되는 제4 트랜지스터; 및
    상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 데이터 기입 기간에서,
    상기 제4 트랜지스터는 턴-오프 되는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 여백 기간에서,
    상기 제4 트랜지스터는 턴-오프 되는 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 데이터 기입 기간에서,
    상기 제4 트랜지스터는 턴-오프 되는 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 데이터 기입 기간에서,
    상기 제2 트랜지스터는 상기 제1 주사선에 공급되는 제1 주사 신호에 의해 턴-온 되고,
    상기 제3 트랜지스터는 턴-오프 상태로 유지되는 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 여백 기간에서,
    상기 제3 트랜지스터는 상기 제2 주사선에 공급되는 제2 주사 신호에 의해 턴-온 되고,
    상기 제2 트랜지스터는 턴-오프 상태로 유지되는 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터는 상기 제2 주사 신호에 응답하여, 미리 설정된 기간 동안 상기 제2 노드에 초기화 전압을 공급하는 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 여백 기간에서, 상기 제2 노드에 상기 초기화 전압이 인가된 후, 상기 제2 노드의 전압이 센싱되는 표시 장치.
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