KR20220045604A - 전자 장치 - Google Patents

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KR20220045604A
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김기서
김재경
성은진
윤상록
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 표시 영역 및 비표시 영역이 정의된 표시 모듈, 상기 표시 모듈 상에 배치되고, 상기 비표시 영역에 중첩하는 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역에 인접한 비벤딩 영역이 정의되며, 상기 비벤딩 영역에 배치된 제1 부분 및 상기 제1 부분에서 연장되고 상기 벤딩 영역에 배치된 벤딩된 제2 부분을 포함하는 안테나층 및 상기 제2 부분과 상기 표시 모듈 사이에 배치된 스페이서를 포함하고, 상기 스페이서는 벤딩된 금속 플레이트를 포함한다.

Description

전자 장치 {ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 성능이 개선된 안테나를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치는 전자 모듈들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 휴대용 단말기 또는 웨어러블 장치일 수 있고, 전자 모듈들은 안테나 모듈, 카메라 모듈, 또는 배터리 모듈을 포함할 수 있다. 휴대용 단말기의 박형화 및 웨어러블 장치의 소형화에 따라 전자 모듈들이 실장 될 공간은 점차 감소되고 있다. 또한, 전자 장치가 고기능화되고, 고사양으로 발전함에 따라 전자 장치에 포함되는 전자 모듈들의 수가 증가하고 있다.
본 발명의 일 실시예는 안테나가 포함된 전자 장치의 베젤 영역의 크기를 줄이는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예는 전자 장치에 포함된 안테나의 성능을 개선시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예는 안테나의 벤딩 영역에서 표시 패널 방향으로 방사되는 신호를 차폐하는 금속 플레이트를 포함하여 안테나의 성능 열화를 방지하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 표시 영역 및 비표시 영역이 정의된 표시 모듈, 상기 표시 모듈 상에 배치되고, 상기 비표시 영역에 중첩하는 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역에 인접한 비벤딩 영역이 정의되며, 상기 비벤딩 영역에 배치된 제1 부분 및 상기 제1 부분에서 연장되고 상기 벤딩 영역에 배치된 벤딩된 제2 부분을 포함하는 안테나층 및 상기 제2 부분과 상기 표시 모듈 사이에 배치된 스페이서를 포함하고, 상기 스페이서는 벤딩된 금속 플레이트를 포함한다.
상기 스페이서는 상기 제2 부분과 인접한 제1 층, 상기 표시 모듈과 인접한 제2 층, 및 상기 제1 층과 상기 제2 층의 사이에 배치된 상기 금속 플레이트를 포함할 수 있다.
상기 제1 층의 상기 제2 부분과 맞닿는 접촉면의 곡률은 상기 제2 부분의 곡률과 동일할 수 있다.
상기 금속 플레이트의 곡률은 상기 제2 부분의 곡률과 동일할 수 있다.
상기 표시 모듈은 표시 패널 및 상기 표시 패널 위에 배치된 입력 센서를 포함하고, 상기 안테나층은 상기 입력 센서 위에 배치될 수 있다.
상기 표시 패널은 봉지층을 포함하고 상기 입력 센서는 상기 봉지층 상에 직접 배치될 수 있다.
상기 표시 모듈은 상기 표시 패널의 아래에 배치되어 상기 표시 패널을 보호하는 보호층을 더 포함하고, 상기 보호층은 적어도 하나의 금속층을 포함할 수 있다.
상기 금속 플레이트는 상기 적어도 하나의 금속층에서 연장될 수 있다.
상기 안테나층은 복수의 안테나들, 상기 복수의 안테나들과 전기적으로 각각 연결된 복수의 안테나 배선들, 및 상기 복수의 안테나 배선들과 전기적으로 각각 연결된 복수의 안테나 패드들을 더 포함할 수 있다.
상기 안테나층의 두께는 상기 입력 센서의 두께보다 클 수 있다.
상기 복수의 안테나들은 메쉬 형상을 가질 수 있다.
상기 안테나층은 제3 부분을 더 포함하고, 상기 제3 부분은 상기 제1 부분이 배치된 상기 표시 모듈의 일면과 반대면 상에 배치되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 상기 제3 부분을 연결할 수 있다.
상기 복수의 안테나들은 상기 제1 부분 상에 배치되고, 상기 복수의 안테나 배선들은 상기 제2 부분 상에 배치되며, 상기 복수의 안테나 패드들은 상기 제3 부분 상에 배치될 수 있다.
상기 제3 부분 상에 배치되고, 상기 안테나 패드들과 전기적으로 연결된 안테나 회로층을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 모듈은 적어도 하나의 금속층을 포함할 수 있다.
상기 안테나층의 상기 제2 부분의 두께는 상기 제1 부분의 두께보다 작을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 표시 영역 및 비표시 영역이 정의된 표시 모듈, 상기 표시 모듈 위에 배치되고, 상기 비표시 영역에 중첩하는 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역에 인접한 비벤딩 영역이 정의되며, 상기 비벤딩 영역에 배치된 제1 부분 및 상기 제1 부분에서 연장되어 상기 벤딩 영역에 배치되고 벤딩된 제2 부분을 포함하는 안테나층, 상기 제2 부분과 상기 표시 모듈 사이에 배치되는 금속 부재 및 상기 금속 부재와 상기 제2 부분의 사이에 배치된 스페이서를 포함한다.
상기 금속 부재는 상기 스페이서와 인접한 제1 면 및 상기 표시 모듈과 인접한 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면은 라운드 형상을 가지며 상기 제1 면의 곡률은 상기 제2 부분의 곡률과 동일할 수 있다.
상기 표시 모듈은 서로 이격된 복수 개의 금속층들을 포함할 수 있다.
상기 금속 부재는 단면상에서 반원 형상을 가지고 상기 반원 형상의 지름은 상기 복수 개의 금속층들 사이의 이격 거리와 실질적으로 동일할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 베젤 영역의 크기를 줄이도록 벤딩 부분을 가지는 안테나가 포함된 전자 장치에서 안테나의 성능을 개선시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 안테나의 벤딩 영역에서 표시 패널 방향으로 방사되는 신호를 차폐하는 금속 플레이트를 벤딩 영역에 배치하여 안테나의 열화를 방지하고 성능을 개선시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나층의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서 및 안테나층을 보여주는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 10a 내지 도 10b는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 효과를 보여주는 그래프이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결 된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 보여주는 사시도이다.
도 1에서, 전자 장치(ED)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(ED)는 휴대폰, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 또는 웨어러블 장치일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도 1에서는 전자 장치(ED)가 휴대폰인 것을 예시적으로 도시하였다. 전자 장치(ED)는 통신 장치일 수 있다.
전자 장치(ED)에는 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NAA)이 정의될 수 있다. 비표시 영역(NAA)은 표시 영역(AA)의 주변 영역일 수 있다. 전자 장치(ED)는 표시 영역(AA)을 통해 영상을 표시할 수 있다.
전자 장치(ED)의 두께 방향은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 교차하는 제3 방향(DR3)과 나란할 수 있다. 따라서, 전자 장치(ED)를 구성하는 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)을 기준으로 정의될 수 있다. 평면 상에서 보았다는 것은 전자 장치(ED)의 제3 방향(DR3)에서 보았다는 것으로 정의될 수 있다. 단면 상에서 보았다는 것은 전자 장치(ED)의 제3 방향(DR3)으로 자른 절단면을 제1 방향(DR1) 또는 제2 방향(DR2)에서 보았다는 것으로 정의될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 전자 장치(ED)는 윈도우(WD), 안테나층(AL) 및 표시 모듈(DM)을 포함할 수 있다.
윈도우(WD)는 광학적으로 투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 윈도우(WD)는 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 윈도우(WD)는 다층 구조 또는 단층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 윈도우(WD)는 접착제로 결합된 복수 개의 플라스틱 필름을 포함하거나, 접착제로 결합된 유리 기판과 플라스틱 필름을 포함할 수 있다.
평면 상에서 윈도우(WD)는 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)으로 구분될 수 있다. 투과 영역(TA)은 광학적으로 투명한 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 비해 상대적으로 광 투과율이 낮은 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 형상을 정의할 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접하며, 투과 영역(TA)을 에워쌀 수 있다.
베젤 영역(BZA)은 소정의 컬러를 가질 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 표시 모듈(200)의 주변 영역(NAA)을 커버하여 주변 영역(NAA)이 외부에서 시인되는 것을 차단할 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우(WD)에 있어서, 베젤 영역(BZA)은 생략될 수도 있다.
일 실시예에서, 윈도우(WD)는 박막 글라스를 포함할 수 있다. 박막 글라스는 30um이하의 두께를 가질 수 있다.
표시 모듈(DM)은 표시 패널(DP), 입력 센서(IS) 및 보호층(CP)을 포함할 수 있다.
표시 패널은 베이스층 및 표시층을 포함할 수 있다. 베이스층은 합성수지층을 포함할 수 있다. 합성수지층은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 베이스층은 다층구조를 가질 수 있다. 또는, 베이스층은 유리 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다.
표시층은 베이스층 위에 배치될 수 있다. 표시층은 영상을 실질적으로 생성하는 구성일 수 있다. 표시층은 발광형 표시층일 수 있다. 예를 들어, 표시층은 유기발광 표시층, 퀀텀닷 발광 표시층, 마이크로 엘이디 발광 표시층일 수 있다. 또는 표시층은 백라이트유닛(미도시) 또는 외부로부터 제공된 광의 투과율을 제어하는 투과율 제어층일 수 있다. 예를 들어, 표시층은 액정분자를 포함할 수 있다. 표시층에 관한 보다 자세한 설명은 도 4에서 설명한다.
입력 센서(IS)는 표시 패널(DP) 위에 배치될 수 있다. 입력 센서(IS)는 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다.
입력 센서(IS)는 연속된 공정을 통해 표시 패널(DP) 위에 형성될 수 있다. 이 경우, 입력 센서(IS)는 표시 패널(DP) 위에 직접 배치된다고 표현될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 입력 센서(IS)와 표시 패널(DP) 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 입력 센서(IS)와 표시 패널(DP) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다.
보호층(CP)은 표시 패널(DP)의 아래에 배치되어 표시 패널(DP)을 외부 충격 또는 간섭으로부터 보호할 수 있다. 도시되지 않았으나, 보호층은 다양한 기능층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 보호층은 방열층, 지지층 및 쿠션층을 포함할 수 있고, 배터리로부터 표시 패널(DP)을 차폐하는 차폐층 등을 포함할 수 있다. 보호층은 적어도 하나의 금속층을 포함할 수 있다.
안테나층(AL)은 입력 센서(IS) 위에 배치될 수 있다. 안테나층(AL)은 무선 통신 신호, 예를 들어 무선 주파수 신호(radio frequency signal)를 송신, 수신, 또는 송수신할 수 있다. 안테나층(AL)은 무선 주파수 소자(radio frequency device)로 지칭될 수 있다. 안테나층(AL)은 복수의 안테나들(또는 복수의 방사 부분들)을 포함할 수 있으며, 복수의 안테나들은 서로 동일한 주파수 대역을 송신, 수신, 또는 송수신하거나, 서로 다른 주파수 대역을 송신, 수신 또는 송수신할 수 있다.
안테나층(AL)은 연속된 공정을 통해 입력 센서(IS) 위에 형성될 수 있다. 즉, 안테나층(AL)은 입력 센서(IS) 위에 직접 배치될 수 있다. 따라서, 안테나층(AL)과 입력 센서(IS) 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않을 수 있다. 본 발명에 따르면, 표시 패널(DP), 입력 센서(IS), 및 안테나층(AL)이 연속된 공정에 의해 형성될 수 있고, 표시 패널(DP), 입력 센서(IS), 및 안테나층(AL) 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않을 수 있다. 따라서, 전자 장치(ED)의 투과율이 개선될 수 있으며, 박형의 전자 장치(ED)가 구현될 수 있다.
안테나층(AL)은 표시 영역(AA, 도 1 참조)에 제공될 수 있다. 전자 장치(ED)가 소형화 또는 박형화되거나, 표시 영역(AA, 도 1 참조)의 주변 영역(NAA, 도 1 참조)의 면적이 축소되더라도, 표시 영역(AA, 도 1 참조)의 면적이 확보되어 있기 때문에, 안테나층(AL)이 배치될 공간은 용이하게 확보될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 표시 패널(DP)은 회로층(201), 발광 소자층(202), 및 봉지층(203)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 복수 개의 절연층들 및 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 의해 절연층, 반도체층 및 도전층이 형성된다. 이후, 포토리소그래피의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이러한 방식으로 회로층(201) 또는 발광 소자층(202)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등이 형성된다. 이 후, 발광 소자층(202)을 커버하는 봉지층(203)이 형성될 수 있다.
베이스층(100)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 형성된다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 다층으로 형성될 수 있다. 다층의 무기층들은 배리어층 및/또는 버퍼층을 구성할 수 있다. 본 실시예에서 표시 패널(DP)은 버퍼층(BFL)을 포함하는 것으로 도시되었다.
버퍼층(BFL)은 베이스층(100)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있으며, 실리콘 옥사이드층과 실리콘나이트라이드층은 교대로 적층될 수 있다.
반도체 패턴은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘 또는 금속 산화물을 포함할 수도 있다.
도 4는 반도체 패턴의 일부분을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 반도체 패턴은 도핑영역과 비-도핑영역을 포함할 수 있다. 도핑영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다.
도핑영역은 비-도핑영역보다 전도성이 크고, 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 비-도핑영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
화소들 각각은 7개의 트랜지스터들, 하나의 커패시터, 및 발광 소자를 포함하는 등가회로를 가질 수 있으며, 화소의 등가회로도는 다양한 형태로 변형될 수 있다. 도 4에서는 화소에 포함되는 7개의 트랜지스터들 중 하나의 트랜지스터(100PC) 및 발광 소자(100PE)를 예시적으로 도시하였다.
트랜지스터(100PC)의 소스(C1), 액티브(A1), 및 드레인(D1)은 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스(C1) 및 드레인(D1)은 단면 상에서 액티브(A1)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다. 도 4에는 반도체 패턴으로부터 형성된 연결 신호 라인(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 연결 신호 라인(SCL)은 평면 상에서 트랜지스터(100PC)의 드레인(D1)에 연결될 수 있다. 따라서, 트랜지스터(100PC)의 드레인(D1)은 연결 신호 라인(SCL)을 통해 발광 소자(100PE)의 제1 전극(AE)과 연결될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(201)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
트랜지스터(100PC)의 게이트(G1)는 제1 절연층(10) 위에 배치된다. 게이트(G1)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(G1)는 액티브(A1)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(G1)는 마스크로 기능할 수 있다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 위에 배치되며, 게이트(G1)를 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 화소들에 공통으로 중첩할 수 있다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 본 실시예에서 제2 절연층(20)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 위에 배치될 수 있으며, 본 실시예에서 제3 절연층(30)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1, 제2, 및 제3 절연층들(10, 20, 30)을 관통하는 컨택홀(CNT-1)을 통해 연결 신호 라인(SCL)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제4 절연층(40)은 단층의 실리콘 옥사이드층일 수 있다. 제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 위에 배치될 수 있다. 제5 절연층(50)은 유기층일 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 위에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제6 절연층(60)은 유기층일 수 있다.
발광 소자(100PE)를 포함하는 발광 소자층(202)은 회로층(201) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자(100PE)는 제1 전극(AE), 발광층(EL), 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
제1 전극(AE)은 제6 절연층(60) 위에 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(60)을 관통하는 컨택홀(CNT-3)을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 연결될 수 있다.
화소 정의막(70)은 제6 절연층(60) 위에 배치되며, 제1 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다. 화소 정의막(70)에는 개구부(70-OP)가 정의된다. 화소 정의막(70)의 개구부(70-OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다.
도 4에 도시된 것과 같이, 표시 패널(DP)에는 발광 영역(PXA)과 발광 영역(PXA)에 인접한 주변 영역(NPXA)이 정의될 수 있다. 본 실시예에서 발광 영역(PXA)은 개구부(70-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부 영역에 대응하게 정의되었다. 발광 영역(PXA)은 복수로 제공될 수 있고, 주변 영역(NPXA)은 복수의 발광 영역들(PXA)을 에워쌀 수 있다. 발광 영역(PXA)과 주변 영역(NPXA)은 모두 전자 장치(ED)의 표시 영역(AA) 내에 정의될 수 있다.
발광층(EL)은 제1 전극(AE) 위에 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 개구부(70-OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EL)은 화소들 각각에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층(EL)이 화소들 각각에 분리되어 형성된 경우, 발광층들(EL) 각각은 청색, 적색, 및 녹색 중 적어도 하나의 색의 광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층(EL)은 화소들에 연결되어 공통으로 제공될 수도 있다. 이 경우, 발광층(EL)은 청색 광을 제공하거나, 백색 광을 제공할 수도 있다.
제2 전극(CE)은 발광층(EL) 위에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수의 화소들에 공통적으로 배치될 수 있다.
도시되지 않았으나, 제1 전극(AE)과 발광층(EL) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 발광 영역(PXA)과 주변 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EL)과 제2 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층과 전자 제어층은 오픈 마스크를 이용하여 복수의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다.
봉지층(203)은 발광 소자층(202) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(203)은 순차적으로 적층된 무기층, 유기층, 및 무기층을 포함할 수 있으나, 봉지층(203)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다. 무기층들은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(202)을 보호하고, 유기층은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(202)을 보호할 수 있다. 무기층들은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
입력 센서(IS)는 베이스 절연층(301), 제1 감지 도전층(302), 감지 절연층(303) 및 제2 감지 도전층(304) 포함할 수 있다.
베이스 절연층(301)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 베이스 절연층(301)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 베이스 절연층(301)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 감지 도전층(302) 및 제2 감지 도전층(304) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide, ZnO), 또는 인듐주석아연산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
입력 센서(IS)는 상호정전용량의 변화를 통해 외부 입력에 대한 정보를 획득하거나, 자기정전용량의 변화를 통해 외부 입력에 대한 정보를 획득할 수 있다. 예를 들어, 입력 센서(IS)는 복수의 감지 전극들(310, 320, 도 4 참조)을 포함할 수 있다. 복수의 감지 전극들(310, 320, 도 4 참조) 각각은 제1 감지 도전층(302) 및/또는 제2 감지 도전층(304)에 포함된 패턴들로 구성될 수 있다.
감지 절연층(303)은 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또는, 감지 절연층(303)은 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
안테나층(AL)은 커버 절연층(305), 안테나 도전층(401) 및 안테나 절연층(402)을 포함할 수 있다.
커버 절연층(305)은 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또는, 커버 절연층(305)은 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
커버 절연층(305)은 특정 유전율을 가지는 유전체를 포함할 수 있다.
안테나 도전층(401)은 커버 절연층(305) 상에 배치될 수 있다. 안테나 도전층(401)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 안테나 도전층(401)은 앞서 설명된 제1 감지 도전층(302) 또는 제2 감지 도전층(304)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
안테나 도전층(401)은 복수의 안테나들(410, 도 4 참조)을 포함할 수 있다. 따라서, 복수의 안테나들(410, 도 4 참조)은 커버 절연층(305) 위에 직접 배치될 수 있다. 복수의 안테나들(410, 도 4 참조)의 하면은 커버 절연층(305)의 상면, 또는 입력 센서(IS)의 상면과 직접 접촉될 수 있다.
안테나 도전층(401)의 두께(401t)는 제1 감지 도전층(302) 및 제2 감지 도전층(304) 각각의 두께보다 두꺼울 수 있다. 예를 들어, 안테나 도전층(401)의 두께(401t)는 제1 감지 도전층(302)의 두께(302t)보다 1.3 배 이상 2 배 이하일 수 있다. 예를 들어, 제1 감지 도전층(302)의 두께(302t)는 2500옹스트롬 내지 3000옹스트롬일 수 있고, 안테나 도전층(401)의 두께(401t)는 4000옹스트롬 내지 6000옹스트롬일 수 있다. 따라서, 평면 상에서 보았을 때의 면적이 동일한 조건 하에서 안테나 도전층(401)의 저항은 제1 감지 도전층(302)의 저항보다 작을 수 있다.
안테나 절연층(402)은 안테나 도전층(401)을 커버하며, 상면에 평탄면을 제공할 수 있다. 안테나 절연층(402)은 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 감지 도전층(302), 제2 감지 도전층(304), 및 안테나 도전층(401)에는 개구들(300op, 400op)이 각각 정의될 수 있다. 예를 들어, 제2 감지 도전층(304)에 제공된 개구(300op)는 복수의 감지 전극들(310, 320, 도 4 참조)에 제공된 개구일 수 있고, 안테나 도전층(401)에 제공된 개구(400op)는 복수의 안테나들(410, 도 4 참조)에 제공된 개구일 수 있다.
표시 패널(DP)의 두께 방향, 예를 들어, 제3 방향(DR3)에서 보았을 때, 개구들(300op, 400op)은 발광 영역(PXA)을 에워쌀 수 있다. 즉, 표시 패널(DP)의 두께 방향(DR3)에서 보았을 때, 제1 감지 도전층(302), 제2 감지 도전층(304), 및 안테나 도전층(401) 각각에 포함된 도전 패턴들은 주변 영역(NPXA)과 중첩하고, 발광 영역(PXA)과 이격될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 평면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나층의 평면도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서 및 안테나층을 보여주는 평면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 베이스층(100)에는 제1 베이스 영역(101), 제2 베이스 영역(102), 및 제3 베이스 영역(103)이 정의될 수 있다. 제1 베이스 영역(101)은 도 4에 도시된 발광 영역(PXA) 및 주변 영역(NPXA)과 중첩하는 영역일 수 있다. 또한, 제1 베이스 영역(101)은 전자 장치(ED, 도 1 참조)의 표시 영역(AA)과 중첩하는 영역일 수 있다.
제2 베이스 영역(102)은 제1 베이스 영역(101)의 제1 엣지 부분(101e1)으로부터 연장될 수 있다. 제3 베이스 영역(103)은 제2 베이스 영역(102)으로부터 연장될 수 있다.
제2 베이스 영역(102)은 추후 전자 장치(ED, 도 1 참조)를 조립하는 과정에서 제1 베이스 영역(101)의 배면을 향해 벤딩하는 영역일 수 있다. 따라서, 전자 장치(ED, 도 1 참조)에서 제3 베이스 영역(103)은 제1 베이스 영역(101)의 배면에 배치될 수 있다.
입력 센서(IS)는 복수의 제1 감지 전극들(310, 이하 제1 감지 전극들), 복수의 제2 감지 전극들(320, 이하 제2 감지 전극들), 복수의 감지 배선들(330, 이하 감지 배선들), 및 복수의 감지 패드들(340, 이하 감지 패드들)을 포함할 수 있다.
제1 감지 전극들(310) 및 제2 감지 전극들(320)은 표시 영역(AA)에 배치될 수 있다. 입력 센서(IS)는 제1 감지 전극들(310)과 제2 감지 전극들(320) 사이의 상호정전용량의 변화를 통해 외부 입력에 대한 정보를 획득할 수 있다.
제1 감지 전극들(310)은 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배열될 수 있다. 제1 감지 전극들(310) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다. 제2 감지 전극들(320)은 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배열될 수 있다. 제2 감지 전극들(320) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장될 수 있다.
제1 감지 전극들(310) 각각은 복수의 감지 패턴들(311) 및 복수의 감지 패턴들(311) 중 서로 인접한 두 개의 감지 패턴들(311)에 전기적으로 연결된 브릿지 패턴(312)을 포함할 수 있다.
복수의 감지 패턴들(311)과 브릿지 패턴(312)은 서로 다른 층 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 브릿지 패턴(312)이 제1 감지 도전층(302)에 포함된 경우, 복수의 감지 패턴들(311)은 제2 감지 도전층(304)에 포함될 수 있다. 또는 브릿지 패턴(312)이 제2 감지 도전층(304)에 포함된 경우, 복수의 감지 패턴들(311)은 제1 감지 도전층(302)에 포함될 수 있다.
제2 감지 전극들(320) 각각은 복수의 제1 부분들(321) 및 복수의 제1 부분들(321) 중 서로 인접한 제1 부분들(321) 사이에 정의된 제2 부분(322)을 포함할 수 있다. 제1 부분들(321)은 감지 부분들로 지칭될 수 있고, 제2 부분(322)은 연결 부분, 또는 교차 부분으로 지칭될 수 있다.
제1 부분들(321)과 제2 부분(322)은 서로 연결된 일체의 형상을 가질 수 있다. 따라서, 제2 부분(322)은 제2 감지 전극들(320) 각각에서 브릿지 패턴(312)과 교차하는 일부분으로 정의될 수 있다. 제1 부분들(321)과 제2 부분(322)은 서로 동일한 층 상에 배치될 수 있으며, 또한, 제1 부분들(321)과 제2 부분(322)은 복수의 감지 패턴들(311)과 동일한 층 상에 배치될 수 있다.
제1 감지 전극들(310) 및 제2 감지 전극들(320) 각각은 감지 배선들(330) 중 적어도 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제1 감지 전극(310)은 2 개의 감지 배선들(330)에 연결될 수 있다. 제1 감지 전극(310)의 일단에는 하나의 감지 배선(330)이 전기적으로 연결되고, 제1 감지 전극(310)의 타단에는 다른 하나의 감지 배선(330)이 전기적으로 연결될 수 있다. 하나의 제2 감지 전극(320)에는 하나의 감지 배선(330)이 전기적으로 연결될 수 있다. 다만, 제1 감지 전극들(310) 및 제2 감지 전극들(320)에 대한 감지 배선들(330)의 연결 관계가 도시된 예에 제한되는 것은 아니다.
감지 패드들(340)은 감지 배선들(330)에 전기적으로 각각 연결될 수 있다. 감지 패드들(340)은 제3 베이스 영역(103) 위에 배치될 수 있다. 제3 베이스 영역(103) 상에는 구동칩 패드들(210)이 배치될 수 있다. 구동칩 패드들(210) 상에는 표시 모듈(DM)과 전기적으로 연결되는 구동칩(미도시)이 배치될 수 있다.
안테나층(AL)은 복수의 안테나들(410, 이하 안테나들), 복수의 안테나 배선들(420, 이하 안테나 배선들), 및 복수의 안테나 패드들(430, 이하 안테나 패드들)을 포함할 수 있다. 도 6에서는 4 개의 안테나들(410)을 예시적으로 도시하였으나, 전자 장치(ED, 도 1 참조)에 포함된 안테나들(410)의 수가 이에 제한되는 것은 아니다.
안테나층(AL)은 제1 부분(P1), 제2 부분(P2) 및 제3 부분(P3)을 포함할 수 있다. 제1 부분 내지 제3 부분들(P1, P2, P3)은 커버 절연층(305)을 포함할 수 있다. 제1 부분(P1)은 표시 영역(AA)에 중첩하고, 제2 부분(P2)은 벤딩 영역(BA)에 중첩할 수 있다. 제3 부분(P3)은 제2 부분(P2)에서 연장된다.
안테나 배선들(420)은 안테나들(410)에 전기적으로 각각 연결될 수 있다. 안테나 패드들(430)은 안테나 배선들(420)에 전기적으로 각각 연결될 수 있다. 안테나들(410)은 제1 부분(P1) 상에 배치되고, 안테나 배선들(420)은 제2 부분(P2) 상에 배치되고, 안테나 패드들(430)은 제3 부분(P3) 상에 배치될 수 있다. 안테나들(410)은 메쉬 형상을 가질 수 있다.
제3 부분(P3) 위에는 안테나 회로층(A-FPC, 도 2 참조)이 더 배치될 수 있다. 안테나 회로층(A-FPC, 도 2 참조)에는 안테나 구동칩(A-IC, 도 2 참조)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 안테나 구동칩(A-IC, 도 2 참조)이 실장된 필름이 전기적으로 연결되는 패드들이 추가로 제공될 수 있다.
도 7에서, 안테나들(410) 각각은 안테나 도전층(401)에 포함될 수 있다. 안테나들(410)은 표시 영역(AA)에 배치될 수 있다. 따라서, 안테나들(410) 각각은 제1 감지 전극들(310)의 일부 또는 제2 감지 전극들(320)의 일부와 중첩할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다. 도 8은 도 2의 X 내지 X'를 자른 절단면을 도시한다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 8은 안테나층(AL)의 제2 부분(P2)이 벤딩되지 않은 상태를 보여주고, 도 9는 도 8의 안테나층(AL)의 제2 부분(P2)이 벤딩된 상태를 도시한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 전자 장치(ED, 도 1 참조)는 윈도우(WD), 안테나층(AL) 및 표시 모듈(DM)을 포함할 수 있다. 전자 장치(ED)는 안테나층(AL) 상에 반사 방지층(POL)을 포함할 수 있다.
전자 장치(ED)는 입력 센서(IS)와 안테나층(AL) 사이에 제1 점착층(AD1)을 포함할 수 있다. 전자 장치(ED)는 윈도우와 반사 방지층(POL) 사이에 제2 점착층(AD2)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 및 제2 점착층들(AD1, AD2)은 생략될 수 있다.
입력 센서(IS)는 봉지층(203) 상에 직접 배치될 수 있다. 즉, 입력 센서(IS)와 봉지층(203) 상에는 다른 구성이 배치되지 않는다.
도 8 및 도 9에서, 벤딩 영역(BA)은 비표시 영역(NAA)에 정의될 수 있다. 비표시 영역(NAA)에는 차광 패턴(BM)이 배치되고, 벤딩 영역(BA)은 차광 패턴(BM)과 중첩할 수 있다. 도 8에서, 안테나층(AL)이 벤딩되지 않는 경우 안테나층(AL)이 외부에서 시인되지 않게 하기 위해 비표시 영역(NAA)의 차광 패턴(BM)의 길이는 길어진다. 도 9에서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 안테나층(AL)은 벤딩 영역(BA)에서 벤딩되어 차광 패턴(BM)의 길이를 줄일 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(ED, 도 1 참조)는 대드 스페이스(Dead Space)에 해당하는 차광 패턴(BM)이 포함된 베젤 영역을 줄일 수 있다.
도 9를 참조하면, 표시 모듈(DM)은 비벤딩 영역(NBA)에 배치될 수 있다. 비벤딩 영역(NBA)은 벤딩 영역(BA)에 인접하고, 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NAA)의 일부에 정의될 수 있다.
표시 모듈(DM)은 표시 패널(DP), 입력 센서(IS), 보호층(CP) 및 패턴필름(PF)을 포함할 수 있다.
패턴필름(PF)은 다양한 패턴들이 형성된 필름으로 박막 필름일 수 있다.
표시 패널(DP)은 표시층(DL), 제1 금속층(MTL1) 및 봉지층(203)을 포함할 수 있다.
제1 금속층(MTL1)은 표시 모듈(DM) 내측으로 입사되는 방사 신호를 반사시킬 수 있다. 즉, 제1 금속층(MTL1)은 안테나층(AL)의 하부 그라운드 역할을 할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 금속층(MTL1)은 캐소드 전극에 해당할 수 있다. 즉, 도 4에서 제2 전극(CE)은 제1 금속층(MTL1)일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시 모듈에 포함되는 금속 재질의 구성들은 제1 금속층(MTL1)에 해당될 수 있다.
표시층(DL)은 도 4의 회로층(201) 및 발광 소자층(202)을 포함할 수 있다.
보호층(CP)은 제1 보호층(CL1), 제2 보호층(CL2) 및 제2 금속층(MTL2)을 포함할 수 있다. 제2 금속층(MTL2)은 제1 보호층(CL1)과 제2 보호층(CL2) 사이에 배치될 수 있다. 제2 금속층(MTL2)은 표시 패널(DP)을 보호하기 위한 지지층 또는 차폐층에 해당할 수 있다. 제1 및 제2 금속층들(MTL1, MTL2)을 알루미늄, 구리, 서스(SUS) 등을 포함할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 제2 금속층(MTL2)은 안테나층(AL)의 하부 그라운드 역할을 할 수 있다. 표시 모듈(DM)에 관한 중복된 설명은 생략한다.
안테나층(AL)은 표시 모듈(DM)의 일면 상에 배치되는 제1 부분(P1) 및 타면 상에 배치되는 제3 부분(P3)을 포함할 수 있다. 제1 부분(P1)과 제3 부분(P3)은 제2 부분(P2)에 의해 연결될 수 있다. 제2 부분(P2)은 벤딩 영역(BA)에 배치되고, 제1 부분(P1) 및 제3 부분(P3)은 비벤딩 영역(NBA)에 배치될 수 있다. 제2 부분(P2)은 벤딩된 상태로 서로 표시 모듈(DM)의 반대면 상에 각각 배치되는 제1 부분(P1)과 제3 부분(P3)을 연결시킬 수 있다.
제1 부분(P1)과 표시 모듈(DM)의 상면 사이에는 빈 공간이 없다. 제3 부분(P3)과 표시 모듈(DM)의 하면 사이에는 빈공간이 없다. 여기에서 표시 모듈(DM)의 상면은 윈도우(WD)를 향하는 일면이고, 하면은 그 반대면에 해당할 수 있다. 측면(FP)은 상면과 하면을 잇는 면에 해당할 수 있다. 그러나, 제2 부분(P2)과 표시 모듈(DM)의 사이에는 빈 공간이 존재할 수 있다. 빈 공간은 제2 부분(P2)의 내측면(CP)과 표시 모듈(DM)의 측면(FP)에 의해서 정의될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 빈 공간은 스페이서(SPC)에 의해 채워질 수 있다. 즉, 제2 부분(P2)과 표시 모듈(DM) 사이에는 스페이서(SPC)가 배치될 수 있다. 스페이서(SPC)는 유전체를 포함할 수 있다. 스페이서(SPC)의 유전율은 아테나 특성을 고려해서 가변적으로 결정될 수 있다. 스페이서(SPC)는 제1 층(L1), 제2 층(L2) 및 금속 플레이트(MP)를 포함할 수 있다. 제1 층(L1)은 제2 부분(P2)에 인접하고, 제2 층(L2)은 표시 모듈에 인접할 수 있다. 제1 층(L1)의 제2 부분(P2)고 맞닿은 접촉면의 곡률은 제2 부분(P2)의 곡률과 실질적으로 동일할 수 있다.
제1 층(L1)과 제2 층(L2) 사이에는 금속 플레이트(MP)가 배치될 수 있다. 금속 플레이트(MP)는 알루미늄, 구리 등을 포함하는 금속일 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 금속 플레이트(MP)는 벤딩된 상태일 수 있다. 금속 플레이트(MP)의 곡률은 제2 부분(P2)의 곡률과 실질적으로 동일할 수 있다. 금속 플레이트(MP)는 제2 부분(P2)에서 방사되는 신호가 표시 모듈(DM) 내측으로 향하는 것을 막아줄 수 있다. 즉, 안테나층(AL)에서 방사되는 신호는 제1 및 제2 금속층들(MTL1, MTL2)뿐만 아니라, 금속 플레이트(MP)에 의해서 표시 모듈(DM) 내측으로 흡수되지 않고, 전자 장치(ED)의 바깥으로 방사될 수 있다. 따라서, 안테나 성능을 향상시킬 수 있다.
제2 부분(P2)과 금속 플레이트(MP)는 서로 이격될 수 있다. 제2 부분(P2)과 금속 플레이트(MP)의 이격 거리(WT1)는 적어도 50um 이상일 수 있다. 이격 거리(WT1)는 특별히 제한되지 않고, 안테나층(AL)의 안테나들의 임피던스 매칭 등 안테나 특성을 고려하여 결정될 수 있다. 다만, 하부 그라운드 역할을 하는 금속 플레이트(MP)와 안테나 간의 거리는 일정 이상 떨어질 필요가 있고, 그 거리는 최소한 50um 이상일 수 있다. 금속 플레이트(MP)의 두께는 안테나층(AL)의 두께보다 작을 수 있다.
안테나층(AL)의 두께는 표시 패널(DP) 및/또는 입력 센서(IS)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 복수의 안테나들(410, 도 6참조)의 두께들 각각도 표시 패널(DP) 및/또는 입력 센서(IS)의 두께보다 두꺼울 수 있다.
전자 장치(ED)는 안테나 회로층(A-FPC)을 포함할 수 있다. 안테나 회로층(A-FPC)은 안테나층(AL)의 제3 부분(P3) 상에 배치될 수 있다. 안테나 회로층(A-FPC) 상에는 안테나 구동칩(A-IC)이 배치될 수 있다.
도 10a 내지 도 10b는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도들이다.
도 10a를 참조하면, 제2 부분(P2)과 표시 모듈(DM)의 사이에는 금속 부재(MM)가 배치될 수 있다. 금속 부재(MM)는 표시 모듈(DM)의 측면에 접촉될 수 있다. 금속 부재(MM)와 제2 부분(P2)의 사이에는 스페이서(SPC)가 배치될 수 있다.
금속 부재(MM)는 스페이서(SPC)와 인접한 제1 면(S1) 및 표시 모듈(DM)의 측면(FP)과 맞닿은 제2 면(S2)을 포함할 수 있다. 제1 면(S1)은 라운드 형상을 가질 수 있다. 제1 면(S1)의 곡률은 제2 부분(P2)의 곡률과 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 면(S1)과 제2 부분(P2)은 50um 이상 이격될 수 있다. 즉, 스페이서(SPC)의 두께는 50um 이상일 수 있다.
일 실시예에서, 금속 부재(MM)는 반원 형상을 가질 수 있다. 금속 부재(MM)의 지름은 제1 금속층(MTL1)과 제2 금속층(MTL2) 사이의 이격 거리(WT2)와 실질적으로 동일할 수 있다. 즉, 금속 부재(MM)의 제2 면(S2)의 길이는 제1 금속층(MTL1)과 제2 금속층(MTL2) 사이의 이격 거리(WT2)와 실질적으로 동일할 수 있다.
도 10b에서, 제2 부분(P2)의 두께(TH2)는 제1 부분(P1) 또는 제3 부분(P3)의 두께(TH1)보다 작다. 즉, 제2 부분(P2)은 벤딩(bending)이 용이하도록 제1 부분(P1) 및 제3 부분(P3)의 두께보다 작은 두께를 가질 수 있다.
도 10c에서, 금속 플레이트(MP)는 보호층(CP)의 제2 금속층(MTL2)로부터 연장될 수 있다. 즉, 금속 플레이트(MP)는 제2 금속층(MTL2)의 일부일 수 있다. 금속 플레이트(MP)는 제2 금속층(MTL2)의 벤딩 영역(BA)에 중첩하는 일 부분일 수 있다. 제1 및 제2 보호층들(CL1, CL2)은 벤딩 영역(BA)까지 연장될 수 있다. 즉, 제1 및 제2 보호층들(CL1, CL2)은 안테나층(AL)의 제2 부분(P2)과 표시 모듈(DM) 사이의 빈 공간을 채울 수 있다.
본 실시예에서, 제1 및 제2 보호층들(CL1, CL2)은 특정 유전율을 가지는 유전체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 보호층들(CL1, CL2)은 적어도 하나의 절연층을 포함할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 효과를 보여주는 그래프이다. 표 1을 참조하여 도 11을 설명한다.
주파수 반사 계수(S11) 대역폭(BW)
비교예1(A) 28 -14.5 2.2
비교예2(B) 28 -17.2 2.6
비교예3(C) 28 -22.7 3.2
실시예(D) 28 -34.3 3.5
표 1은 일 실시예에 따른 본 발명의 효과를 보여주기 위한 실험예들을 보여준다. D는 본 발명의 일 실시예에 따른 효과를 보여준다. 도 11에서, A, B, C는 각각 비교예들을 보여준다. 비교예1(A), 비교예2(B), 비교예3(C)은 벤딩 영역의 제2 부분과 표시 모듈 사이에 빈공간(도 9 설명 참조)의 크기를 서로 달리한다. 빈 공간의 크기는 A>B>C의 순서일 수 있다. 본 발명의 실시예인 D의 경우 빈 공간이 스페이서 및 금속 플레이트에 의해 채워진 상태에 해당할 수 있다. 주파수는 28GHz를 기준으로 동일하게 설정한다.
표 1 및 도 11을 참조하면, 하부 그라운드 역할을 하는 금속 플레이트가 전혀 없는 경우(A)에서부터 부분적으로 배치된 경우(B, C)에 해당하는 비교예1(A) 내지 비교예3(C)의 경우에는 안테나의 성능의 지표인 반사 계수(S11)의 절대값이 낮다. 본 발명의 실시예(D)의 경우에는 금속 플레이트에 의해서 빈 공간을 통해 표시 모듈 내측으로 방사되는 신호들이 차폐되고, 비교예들 보다 반사 계수(S11) 절대값 및 대역폭(BW)이 큰 것을 알 수 있다. 즉, 빈 공간이 비어있을수록 안테나 효율은 떨어지고(비교예1 내지 비교예3), 빈 공간이 금속 플레이트 등에 의해 채워진 본 발명의 실시예(D)의 경우 안테나 효율은 증가하는 것을 알 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
ED: 전자 장치
DM: 표시 모듈
AL: 안테나층
SPC: 스페이서
MP: 금속 플레이트

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 비표시 영역이 정의된 표시 모듈;
    상기 표시 모듈 상에 배치되고, 상기 비표시 영역에 중첩하는 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역에 인접한 비벤딩 영역이 정의되며, 상기 비벤딩 영역에 배치된 제1 부분 및 상기 제1 부분에서 연장되고 상기 벤딩 영역에 배치된 벤딩된 제2 부분을 포함하는 안테나층; 및
    상기 제2 부분과 상기 표시 모듈 사이에 배치된 스페이서를 포함하고,
    상기 스페이서는 벤딩된 금속 플레이트를 포함하는 전자 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 제2 부분과 인접한 제1 층, 상기 표시 모듈과 인접한 제2 층, 및 상기 제1 층과 상기 제2 층의 사이에 배치된 상기 금속 플레이트를 포함하는 전자 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 층의 상기 제2 부분과 맞닿는 접촉면의 곡률은 상기 제2 부분의 곡률과 동일한 전자 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 금속 플레이트의 곡률은 상기 제2 부분의 곡률과 동일한 전자 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 표시 모듈은 표시 패널 및 상기 표시 패널 위에 배치된 입력 센서를 포함하고, 상기 안테나층은 상기 입력 센서 위에 배치된 전자 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 표시 패널은 봉지층을 포함하고 상기 입력 센서는 상기 봉지층 상에 직접 배치된 전자 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 표시 모듈은 상기 표시 패널의 아래에 배치되어 상기 표시 패널을 보호하는 보호층을 더 포함하고, 상기 보호층은 적어도 하나의 금속층을 포함하는 전자 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 금속 플레이트는 상기 적어도 하나의 금속층에서 연장된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 안테나층은 복수의 안테나들, 상기 복수의 안테나들과 전기적으로 각각 연결된 복수의 안테나 배선들, 및 상기 복수의 안테나 배선들과 전기적으로 각각 연결된 복수의 안테나 패드들을 더 포함하는 전자 장치.
  10. 제5항에 있어서, 상기 안테나층의 두께는 상기 입력 센서의 두께보다 큰 전자 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 복수의 안테나들은 메쉬 형상을 가지는 전자 장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 안테나층은 제3 부분을 더 포함하고, 상기 제3 부분은 상기 제1 부분이 배치된 상기 표시 모듈의 일면과 반대면 상에 배치되고,
    상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 상기 제3 부분을 연결하는 전자 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 복수의 안테나들은 상기 제1 부분 상에 배치되고, 상기 복수의 안테나 배선들은 상기 제2 부분 상에 배치되며, 상기 복수의 안테나 패드들은 상기 제3 부분 상에 배치되는 전자 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제3 부분 상에 배치되고, 상기 안테나 패드들과 전기적으로 연결된 안테나 회로층을 더 포함하는 전자 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 표시 모듈은 적어도 하나의 금속층을 포함하는 전자 장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 안테나층의 상기 제2 부분의 두께는 상기 제1 부분의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  17. 표시 영역 및 비표시 영역이 정의된 표시 모듈;
    상기 표시 모듈 위에 배치되고, 상기 비표시 영역에 중첩하는 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역에 인접한 비벤딩 영역이 정의되며, 상기 비벤딩 영역에 배치된 제1 부분 및 상기 제1 부분에서 연장되어 상기 벤딩 영역에 배치되고 벤딩된 제2 부분을 포함하는 안테나층;
    상기 제2 부분과 상기 표시 모듈 사이에 배치되는 금속 부재; 및
    상기 금속 부재와 상기 제2 부분의 사이에 배치된 스페이서를 포함하는 전자 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 금속 부재는 상기 스페이서와 인접한 제1 면 및 상기 표시 모듈과 인접한 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면은 라운드 형상을 가지며 상기 제1 면의 곡률은 상기 제2 부분의 곡률과 동일한 전자 장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 표시 모듈은 서로 이격된 복수 개의 금속층들을 포함하는 전자 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 금속 부재는 단면상에서 반원 형상을 가지고 상기 반원 형상의 지름은 상기 복수 개의 금속층들 사이의 이격 거리와 실질적으로 동일한 전자 장치.
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