CN116056505A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种显示装置及其制造方法。显示装置包括像素、设置在像素周围的第一焊盘电极、设置在第一焊盘电极上的缓冲层、设置在缓冲层上的第一绝缘层以及设置在第一绝缘层上的第二焊盘电极，第二焊盘电极通过第一绝缘层和缓冲层中的接触孔电连接到第一焊盘电极。第一台阶、在第一台阶下方的第二台阶和在第二台阶下方的第三台阶被限定在第一焊盘电极和第二焊盘电极周围的第一绝缘层和缓冲层上。

Description

显示装置及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2021年10月27日递交韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2021-0144616号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本文所描述的实施例涉及一种显示装置及其制造方法。

背景技术

将图像提供给用户的诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航系统和智能电视等的电子装置包括用于显示图像的显示装置。显示装置生成图像并通过显示屏将所生成的图像提供给用户。

通常，显示装置可以包括显示图像的像素、连接到像素的线路以及连接到线路的驱动器。驱动器通过线路将驱动信号提供到像素，并且像素响应于驱动信号而操作。

线路可以通过焊盘连接到驱动器。例如，线路和焊盘可以设置在基板上，并且焊盘可以连接到线路。驱动器可以设置在柔性电路板上，并且连接到驱动器的连接焊盘可以设置在柔性电路板上。焊盘可以通过结合工艺连接到连接焊盘。焊盘可以通过工艺由多个层形成。

应当理解，该背景技术部分部分地旨在为理解本技术而提供有用的背景。然而，该背景技术部分还可以包括不是本文所公开的主题的对应有效申请日之前相关领域的技术人员已知或了解的部分的思想、构思或认识。

发明内容

实施例提供一种包括具有简化的配置和改善的与连接焊盘的接触的焊盘的显示装置以及该显示装置的制造方法。

根据实施例，显示装置可以包括像素、设置在像素周围的第一焊盘电极、设置在第一焊盘电极上的缓冲层、设置在缓冲层上的第一绝缘层以及设置在第一绝缘层上的第二焊盘电极，第二焊盘电极通过第一绝缘层和缓冲层中的接触孔电连接到第一焊盘电极。第一台阶、在第一台阶下方的第二台阶和在第二台阶下方的第三台阶被限定在第一焊盘电极和第二焊盘电极周围的第一绝缘层和缓冲层上。

第一台阶可以被限定在第一绝缘层上，第二台阶可以被连续地限定在缓冲层和第一绝缘层上，并且第三台阶可以被限定在缓冲层上。

第二台阶可以设置在第一台阶外面，并且第三台阶可以设置在第二台阶外面。

第一台阶可以由第一绝缘层的与第二焊盘电极接触的第一上表面、第一绝缘层的从第一上表面的在平面图中与第二焊盘电极的端部重叠的端部向下延伸的第一侧表面、以及第一绝缘层的从第一侧表面的下端部平行于第一上表面向外延伸的第二上表面限定，第二台阶可以由第二上表面、第一绝缘层的从第二上表面的端部向下延伸并且设置在第一侧表面外面的第二侧表面、缓冲层的设置在第二侧表面下方并且与第二侧表面形成同一侧表面的第三侧表面、以及缓冲层的从第三侧表面的下端部平行于第二上表面向外延伸的第三上表面限定，并且第三台阶可以由第三上表面、缓冲层的从第三上表面的端部向下延伸并且设置在第三侧表面外面的第四侧表面、以及缓冲层的从第四侧表面的下端部平行于第三上表面向外延伸的第四上表面限定。

第一绝缘层的在第一上表面下方的下表面与第一绝缘层的在第二上表面下方的下表面可以共面，并且第三台阶可以由第一焊盘电极的厚度限定。

像素可以包括：晶体管，包括栅电极、源电极和漏电极；发光元件，设置在晶体管之上，并且电连接到漏电极；第一导电图案和第二导电图案，设置在晶体管下方；第一连接电极，电连接到第一导电图案和源电极；以及第二连接电极，电连接到第二导电图案、漏电极和发光元件，第一连接电极、第二连接电极和栅电极可以设置在同一层，第一焊盘电极、第一导电图案和第二导电图案可以设置在同一层，并且栅电极的一部分和第二焊盘电极可以设置在同一层。

栅电极、第一导电图案、第二导电图案和第一焊盘电极可以各自包括第一电极和设置在第一电极上的第二电极，栅电极的第一电极和第二焊盘电极可以设置在同一层，并且栅电极的第一电极和第二焊盘电极可以包含相同的材料。

第二焊盘电极和第一焊盘电极可以在一方向上延伸，并且第二焊盘电极可以在与该方向相交的另一方向上具有比第一焊盘电极的宽度大的宽度。

第一台阶可以被连续地限定在第一绝缘层和缓冲层上，并且第二台阶和第三台阶可以被限定在缓冲层上。

第一台阶可以由第一绝缘层的与第二焊盘电极接触的第一上表面、第一绝缘层的从第一上表面的在平面图中与第二焊盘电极的端部重叠的端部向下延伸的第一侧表面、缓冲层的设置在第一绝缘层的第一侧表面下方并且与第一侧表面形成同一侧表面的第二侧表面、以及缓冲层的从第二侧表面的下端部平行于第一上表面向外延伸的第二上表面限定，第二台阶可以由第二上表面、缓冲层的从第二上表面的端部向下延伸并且设置在第二侧表面外面的第三侧表面、以及缓冲层的从第三侧表面的下端部平行于第二上表面向外延伸的第三上表面限定，并且第三台阶可以由第三上表面、缓冲层的从第三上表面的端部向下延伸并且设置在第三侧表面外面的第四侧表面、以及缓冲层的从第四侧表面的下端部平行于第三上表面向外延伸的第四上表面限定。

第四上表面可以被设置为比第一焊盘电极的上表面低。

根据实施例，用于制造显示装置的方法可以包括：在基板的非显示区上提供第一焊盘电极，基板包括显示区和与显示区邻近的非显示区；在第一焊盘电极上顺序地提供缓冲层和第一绝缘层；在第一绝缘层上提供虚设金属，虚设金属通过第一绝缘层和缓冲层中的接触孔电连接到第一焊盘电极；在缓冲层上提供第二绝缘层以覆盖虚设金属；去除第二绝缘层的在平面图中与非显示区重叠的部分；在显示区上提供阳极；以及去除虚设金属的设置在虚设金属的第二焊盘电极上的虚设电极。第一台阶、第二台阶和第三台阶可以在向下方向上被连续地限定在第一焊盘电极和第二焊盘电极周围的第一绝缘层和缓冲层上。

第一台阶可以被限定在第一绝缘层上，第二台阶可以被连续地限定在第一绝缘层和缓冲层上，第三台阶可以被限定在缓冲层上，并且第一台阶和第二台阶可以在去除第二绝缘层的上述部分时形成。

第一绝缘层的设置在虚设金属周围的部分可以被定义为外部部分，并且在第二绝缘层的上述部分被去除的情况下，从外部部分的上表面到在外部部分的上表面与外部部分的下表面之间的部分，外部部分被去除。

方法可以进一步包括：在第二绝缘层上、显示区上提供第三绝缘层。阳极可以提供在第三绝缘层上。

提供阳极可以包括：在第三绝缘层和虚设金属上、显示区和非显示区上提供阳极；去除阳极的设置在非显示区上的部分；以及对非显示区执行灰化。

第一台阶可以被连续地限定在第一绝缘层和缓冲层上，第二台阶和第三台阶可以被限定在缓冲层上，并且第一台阶和第二台阶可以在对非显示区执行灰化时形成。

第一绝缘层的设置在虚设金属周围的部分可以被定义为外部部分，并且在第二绝缘层的上述部分被去除的情况下，外部部分被去除。

第二焊盘电极和第一焊盘电极可以在一方向上延伸，并且第二焊盘电极可以在与该方向相交的另一方向上具有比第一焊盘电极的宽度大的宽度。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的上述和其它目的和特征将变得显而易见。

图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图。

图2是在图1中图示的显示装置的示意性分解透视图。

图3是在图2中图示的显示模块的示意性截面图。

图4是在图3中图示的显示面板的示意性平面图。

图5是在图4中图示的显示区的一部分的示意性放大平面图。

图6是在图4中图示的任一像素的示意性截面图。

图7是图示与图5中的第一发射区、第二发射区和第三发射区相对应的滤色器层和光转换层的示意性截面图。

图8是图示在图4中图示的显示面板的显示区的一部分和非显示区的一部分的示意性截面图。

图9是在图8中图示的焊盘的放大图。

图10至图18是用于解释根据实施例的制造显示装置的方法的视图。

图19是在图18中图示的第一焊盘电极和第二焊盘电极的示意性平面图。

图20A是沿图19中图示的线I-I’截取的示意性截面图。

图20B是沿图19中图示的线II-II’截取的示意性截面图。

图21是图示根据实施例的围绕焊盘的台阶结构的视图。

图22是在图21中图示的焊盘的放大图。

图23至图31是用于解释根据实施例的制造显示装置的方法的视图。

具体实施方式

现在将在下文中参照其中示出各种实施例的附图更充分地描述本公开。但是，本公开可以以不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻且完整的，并将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。

在本说明书中，当提到一部件(或区、层、部分等)被称为“在”另一部分“上”、“连接到”或“耦接到”另一部件时，这意指该部件可以直接在该另一部件上、直接连接到或直接耦接到该另一部件，或者其间可以存在第三部件或其它部件。

将理解的是，术语“连接到”或“耦接到”可以包括物理连接或物理耦接或者电连接或电耦接。

相同的附图标记指代相同的部件。在附图中，为了有效描述，部件的厚度、比例和尺寸可能被夸大。

在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”及“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意指“A、B或者A和B”。术语“和”及“或”可以以结合或分离的方式使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。

在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个”旨在包括“选自……的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以被理解为意指“A、B或者A和B”。

诸如第一和第二等的术语可以被用于描述各种部件，但这些部件不应受这些术语限制。这些术语可以仅用于将一个部件与其它部件区分开。例如，第一部件可以被称为第二部件，并且类似地，第二部件也可以被称为第一部件，而不脱离本公开的范围。除非另外指明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。

例如，如在本文中使用的，单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指示。

诸如“下方”、“之下”、“上方”和“之上”的术语被用于描述在附图中图示的部件之间的关系。这些术语是相对概念，并且是基于在附图中图示的方向而描述的，但不限于此。

术语“重叠”或其变体意指第一对象可以在第二对象的上方或下方或一侧，并且反过来也一样。另外，术语“重叠”可以包括层叠、堆叠、面向或面对、在……之上延伸、覆盖或部分覆盖或者本领域普通技术人员所了解和理解的任何其它合适的术语。

当一元件被描述为“不”与另一元件“重叠”时，这可以包括这些元件彼此间隔开、彼此偏移、或设在彼此旁边或者本领域普通技术人员所了解和理解的任何其它合适的术语。

术语“面向”和“面对”意指第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件居于第一元件与第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对，尽管仍然彼此面对。

考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关联的误差(即测量系统的限制)，如在本文中使用的“约”或“近似”包括所陈述的值并且意指在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

除非在本文中另外定义或暗示，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如那些在通用词典中定义的术语应被解释为具有与相关领域的背景含义相同的含义，并且不应被解释为具有理想的或过于形式的含义，除非在本申请中明确定义为具有这样的含义。

应当理解的是，当在本文中使用时诸如“包括”、“包含”和“具有”及其变体的术语指明所陈述的特征、数量、步骤、操作、部件、部分或其组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、数量、步骤、操作、部件、部分或其组合的存在或添加。

短语“在平面图中”意指从顶部观察对象，并且短语“在示意性截面图中”意指从侧面观察对象被垂直切割的截面。

在下文中，将参照附图描述实施例。

图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图。

参照图1，根据实施例的显示装置DD可以具有长边在第一方向DR1上延伸并且短边在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸的矩形形状。然而，不限于此，在本公开的精神和范围内，显示装置DD可以具有诸如圆形形状或多边形形状等的各种形状。应当理解的是，在本文中公开的形状还可以包括与在本文中公开的形状相当的形状。

在下文中，与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面基本垂直相交的方向被定义为第三方向DR3。如在本文中使用的，表达“在平面图中”可以意指它在第三方向DR3上被观察。

显示装置DD的上表面可以被定义为显示表面DS，并且可以具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。由显示装置DD生成的图像IM可以通过显示表面DS提供给用户。

显示表面DS可以包括显示区DA和显示区DA周围的非显示区NDA。显示区DA可以显示图像，并且非显示区NDA可以不显示图像。非显示区NDA可以围绕显示区DA或可以与显示区DA邻近，并且可以限定显示装置DD的印刷有颜色的边界。

显示装置DD可以被用在诸如电视机、监视器或户外广告牌的大型电子装置中。显示装置DD可以被用在诸如个人计算机(例如平板计算机、笔记本计算机)、个人数字终端、汽车导航系统、游戏机、智能电话或相机的中小型电子装置中。然而，这些电子装置是说明性的，并且显示装置DD可以被用在其它电子装置中，而不脱离本公开的精神和范围。

图2是在图1中图示的显示装置的示意性分解透视图。

参照图2，显示装置DD可以包括窗口WM、显示模块DM和外壳HAU。窗口WM、显示模块DM和外壳HAU可以具有长边在第一方向DR1上延伸并且短边在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸的矩形形状。

窗口WM可以设置在显示模块DM上。窗口WM可以具有光学透明属性。例如，窗口WM可以包含玻璃或透明塑料。窗口WM可以保护显示模块DM免受外部冲击和刮擦。窗口WM的前表面可以对应于上面描述的显示装置DD的显示表面DS。

窗口WM的前表面可以包括透射区TA和边框区BA。透射区TA可以透射光，并且边框区BA可以印刷有颜色并且可以阻挡光。透射区TA可以与上面描述的显示区DA重叠，并且边框区BA可以与上面描述的非显示区NDA重叠。

显示模块DM可以设置在窗口WM与外壳HAU之间。显示模块DM可以包括显示区DA和显示区DA周围的非显示区NDA。非显示区NDA可以围绕显示区DA或可以与显示区DA邻近。显示区DA可以生成图像，并且非显示区NDA可以不生成图像。由显示区DA生成的图像可以通过透射区TA提供给用户。

显示模块DM可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的光转换部LCP。类似于显示模块DM，显示面板DP可以包括显示区DA和显示区DA周围的非显示区NDA。显示面板DP的显示区DA可以生成图像。非显示区NDA可以不被边框区BA暴露到外部。

在实施例中，显示面板DP可以是发射显示面板，并且不具体限于此。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发射层可以包含有机发光材料，并且无机发光显示面板的发射层可以包含无机发光材料。在本发明的精神和范围内，量子点发光显示面板的发射层可以包含量子点和量子棒等。在下文中，将描述作为有机发光显示面板的显示面板DP。

光转换部LCP可以接收由显示面板DP生成的光，并且可以转换接收到的光的颜色。此外，光转换部LCP可以降低外部光的反射率。后面将详细描述该配置。

外壳HAU可以设置在显示模块DM之下或下方，并且可以容纳显示模块DM。外壳HAU可以吸收外部冲击，并且可以阻挡外部异物和湿气，以保护显示模块DM。

显示装置DD可以进一步包括设置在显示面板DP与光转换部LCP之间的输入感测部(未图示)。输入感测部可以包括用于感测外部输入的多个感测部(未图示)。多个感测部可以以电容方式感测外部输入。

在显示面板DP的制造中，输入感测部可以被制造在显示面板DP上或被直接制造在显示面板DP上。然而，不限于此，输入感测部可以被制造为与显示面板DP分离的面板，并且可以通过粘合剂被附着到显示面板DP。

图3是在图2中图示的显示模块的示意性截面图。

图3中图示了显示模块DM的在第一方向DR1上观察的截面。

参照图3，显示模块DM可以包括显示面板DP、光转换部LCP、填充物FL和密封剂SAL。光转换部LCP可以设置在显示面板DP之上，并且填充物FL和密封剂SAL可以设置在光转换部LCP与显示面板DP之间。

密封剂SAL可以设置在光转换部LCP与显示面板DP之间以与非显示区NDA重叠。光转换部LCP和显示面板DP可以通过密封剂SAL彼此结合。密封剂SAL可以包括紫外线(UV)可固化材料。

填充物FL可以设置在光转换部LCP与显示面板DP之间以与显示区DA重叠。填充物FL可以朝向非显示区NDA延伸，并且可以与密封剂SAL接触。填充物FL可以包括硅树脂、环氧树脂和/或丙烯酸类热固性材料。

显示面板DP可以包括第一基板SUB1、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和薄膜封装层TFE。光转换部LCP可以包括第二基板SUB2、滤色器层CFL和光转换层LCL。

第二基板SUB2可以设置在第一基板SUB1之上，并且可以面对第一基板SUB1。电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED、薄膜封装层TFE、滤色器层CFL、光转换层LCL、填充物FL和密封剂SAL可以设置在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间。

第一基板SUB1和第二基板SUB2可以包含诸如聚酰亚胺(PI)的柔性塑料材料或者玻璃。类似于显示面板DP，第一基板SUB1在平面图中可以包括显示区DA和显示区DA周围的非显示区NDA。

电路元件层DP-CL可以设置在第一基板SUB1上。显示元件层DP-OLED可以设置在电路元件层DP-CL上。显示元件层DP-OLED可以设置在显示区DA上。

像素可以设置在电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED中。像素中的每一个可以包括设置在电路元件层DP-CL中的晶体管和设置在显示元件层DP-OLED中并连接到晶体管的发光元件。后面将详细描述像素的配置。

薄膜封装层TFE可以设置在电路元件层DP-CL上以覆盖显示元件层DP-OLED或与显示元件层DP-OLED重叠。薄膜封装层TFE可以保护像素免受湿气、氧气和外部异物的影响。

滤色器层CFL可以设置在第二基板SUB2之下或下方。滤色器层CFL在平面图中可以与显示区DA重叠。滤色器层CFL的一部分可以与非显示区NDA重叠。

光转换层LCL可以设置在滤色器层CFL之下或下方。光转换层LCL在平面图中可以与显示区DA重叠。光转换层LCL的一部分可以与非显示区NDA重叠。

密封剂SAL可以设置在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间以与非显示区NDA重叠。第一基板SUB1和第二基板SUB2可以通过密封剂SAL彼此结合。密封剂SAL可以设置在薄膜封装层TFE与滤色器层CFL之间。密封剂SAL可以围绕光转换层LCL。填充物FL可以设置在光转换层LCL与薄膜封装层TFE之间以与显示区DA重叠。

从显示元件层DP-OLED生成的光可以被提供到光转换层LCL。光转换层LCL可以转换从显示元件层DP-OLED提供的光的颜色。颜色转换后的光可以通过滤色器层CFL和第二基板SUB2输出到外部。

滤色器层CFL可以防止从外部提供到显示面板DP的外部光的反射。后面将详细描述滤色器层CFL的功能。

图4是在图3中图示的显示面板的示意性平面图。

参照图4，显示面板DP可以具有长边在第一方向DR1上延伸并且短边在第二方向上DR2延伸的矩形形状。显示面板DP的平面区可以包括显示区DA和围绕显示区DA(或与显示区DA邻近)的非显示区NDA。

显示面板DP可以包括像素PX11至PXmn、信号线GL1至GLm和DL1至DLn、栅驱动器电路GDC和焊盘PD。“m”和“n”是大于0的自然数。信号线GL1至GLm和DL1至DLn可以包括栅线GL1至GLm和数据线DL1至DLn。

像素PX11至PXmn可以以矩阵形式排布(或设置)，并且可以设置在显示区DA中。像素PX11至PXmn可以连接到栅线GL1至GLm和数据线DL1至DLn。

栅驱动器电路GDC可以设置在与显示面板DP的短边中的一个短边邻近的非显示区NDA中。栅驱动器电路GDC可以连接到栅线GL1至GLm。栅驱动器电路GDC可以通过氧化硅栅驱动器电路(OSG)工艺或非晶硅栅驱动器电路(ASG)工艺集成在显示面板DP上。

焊盘PD可以设置在与显示面板DP的长边中的一个长边邻近的非显示区NDA中。焊盘PD可以连接到数据线DL1至DLn。

尽管未图示，但是数据驱动器可以连接到焊盘PD。数据驱动器可以以集成电路芯片的形式制造，并且可以连接到焊盘PD。数据驱动器可以安装在柔性电路板(未图示)上，并且可以通过柔性电路板连接到焊盘PD。数据驱动器可以连接到设置在柔性电路板上的连接焊盘(未图示)，并且连接焊盘可以连接到焊盘PD。

栅线GL1至GLm可以在第一方向DR1上延伸，并且可以连接到像素PX11至PXmn和栅驱动器电路GDC。数据线DL1至DLn可以在第二方向DR2上延伸，并且可以连接到像素PX11至PXmn和焊盘PD。

栅驱动器电路GDC可以生成扫描信号，并且扫描信号可以通过栅线GL1至GLm施加到像素PX11至PXmn。数据驱动器可以生成数据电压，并且数据电压可以通过数据线DL1至DLn施加到像素PX11至PXmn。

像素PX11至PXmn可以响应于扫描信号而接收数据电压。像素PX11至PXmn可以通过发射具有与数据电压相对应的亮度的光来显示图像。

图5是在图4中图示的显示区的一部分的示意性放大平面图。

参照图5，显示区DA可以包括第一发射区PA1、第二发射区PA2、第三发射区PA3以及设置在第一发射区PA1、第二发射区PA2和第三发射区PA3中的每一个周围的非发射区NPA。第一发射区PA1、第二发射区PA2和第三发射区PA3可以与像素PX11至PXmn相对应。

第一发射区PA1和第三发射区PA3在平面图中可以具有相同的多边形形状。第一发射区PA1可以具有相对于在第二方向DR2上延伸的虚拟轴与第三发射区PA3的形状对称的形状。第二发射区PA2可以与第一发射区PA1和第三发射区PA3具有不同的多边形形状。

第一发射区PA1和第三发射区PA3可以在第一方向DR1和第二方向DR2上排布(或设置)。第一发射区PA1和第三发射区PA3可以在第一方向DR1上交替排布(或设置)。第二发射区PA2可以在第一方向DR1和第二方向DR2上排布(或设置)在第一发射区PA1与第三发射区PA3之间。

发射区PA1、PA2和PA3的形状和区域排布可以根据光的依赖于颜色的发光效率以各种方式设计，并且不限于图5中图示的实施例。

图6是在图4中图示的任一像素的示意性截面图。

参照图6，像素PXij可以包括晶体管TR、发光元件OLED、电容器CST、第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2。“i”和“j”是大于0的自然数。晶体管TR、发光元件OLED、电容器CST以及第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2可以设置在第一基板SUB1上。

尽管图示了一个晶体管TR，但是像素PXij实质上可以包括用于驱动发光元件OLED的多个晶体管。

发光元件OLED可以包括第一电极AE、第二电极CE、空穴控制层HCL、电子控制层ECL和发射层EML。第一电极AE可以被定义为阳极，并且第二电极CE可以被定义为阴极。发射层EML可以设置在第一电极AE与第二电极CE之间。

电容器CST可以包括第一电极CSE1和设置在第一电极CSE1之上的第二电极CSE2。第一电极CSE1和第二电极CSE2可以彼此绝缘。

显示区DA可以包括与像素PXij相对应的发射区PA和发射区PA周围的非发射区NPA。发光元件OLED可以设置在发射区PA中。发射区PA可以是上面描述的第一发射区PA1、第二发射区PA2和第三发射区PA3中的一个。

第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2以及第一电极CSE1可以设置在第一基板SUB1上。第一导电图案CPT1、第二导电图案CPT2和第一电极CSE1可以彼此间隔开。第一导电图案CPT1可以设置在第二导电图案CPT2与第一电极CSE1之间。第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2可以设置在晶体管TR之下或下方。

第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2以及第一电极CSE1可以使用相同的材料或相似的材料通过同时经受图案化而形成在第一基板SUB1上。第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2以及第一电极CSE1可以包含金属。

缓冲层BFL可以设置在第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2以及第一电极CSE1上。缓冲层BFL可以设置在第一基板SUB1上以覆盖第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2以及第一电极CSE1或者与第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2以及第一电极CSE1重叠。缓冲层BFL可以包括无机层。

半导体图案D、A和S可以设置在缓冲层BFL上。半导体图案D、A和S可以包含多晶硅、非晶硅或金属氧化物。半导体图案D、A和S可以设置在第二导电图案CPT2之上。

半导体图案D、A和S可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。半导体图案D、A和S可以包括重掺杂区和轻掺杂区。重掺杂区的导电率可以高于轻掺杂区的导电率，并且重掺杂区可以实质上用作晶体管TR的源电极S和漏电极D。轻掺杂区可以实质上对应于晶体管TR的有源(或沟道)区A。晶体管TR的源电极S、有源区A和漏电极D可以从半导体图案D、A和S形成。

第一绝缘层INS1可以设置在半导体图案D、A和S以及缓冲层BFL上。第一绝缘层INS1可以包括无机层。第一绝缘层INS1可以被图案化为一形状，并且可以被设置为与将在后面描述的栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2重叠。

栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2可以设置在第一绝缘层INS1上。栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2可以彼此间隔开。

栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2可以使用相同的材料或相似的材料通过同时经受图案化而形成在第一基板SUB1之上。栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2可以与第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2以及第一电极CSE1包含相同的材料或相似的材料。栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2可以包含金属。

第一绝缘层INS1可以被设置为在平面图中与栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2重叠。作为示例，第一绝缘层INS1可以被分成多个第一绝缘层INS1，并且多个第一绝缘层INS1可以被设置为分别与栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2重叠。第一绝缘层INS1在平面图中可以不设置在栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2周围。

第一绝缘层INS1的外围在平面图中可以从栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2的外围向外突出。

第一连接电极CNE1可以通过限定在第一绝缘层INS1和缓冲层BFL中的第一接触孔CH1连接到第一导电图案CPT1。第一连接电极CNE1可以通过限定在第一绝缘层INS1中的第二接触孔CH2连接到源电极S。尽管未图示，但是第一连接电极CNE1可以连接到供应要提供到发光元件OLED的电源的电源线。第一电压可以通过电源线提供到晶体管TR。

第二连接电极CNE2可以通过限定在第一绝缘层INS1和缓冲层BFL中的第三接触孔CH3连接到第二导电图案CPT2。第二连接电极CNE2可以通过限定在第一绝缘层INS1中的第四接触孔CH4连接到漏电极D。是半导体的漏电极D本身可以不具有高电流传输特性。在包含金属的第二导电图案CPT2连接到漏电极D的情况下，通过漏电极D的电流传输特性可以被改善。

第二绝缘层INS2可以设置在栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2上。第二绝缘层INS2可以包括无机层。第二绝缘层INS2可以设置在缓冲层BFL上以覆盖栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2或者与栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2重叠。

第三绝缘层INS3可以设置在第二绝缘层INS2上。第三绝缘层INS3可以包括有机层。第三绝缘层INS3可以提供平坦的上表面。晶体管TR和电容器CST设置在其中的缓冲层BFL、第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3可以被定义为电路元件层DP-CL。

第一电极AE可以设置在第三绝缘层INS3上。第一电极AE可以通过限定在第三绝缘层INS3和第二绝缘层INS2中的第五接触孔CH5连接到第二连接电极CNE2。由于第一电极AE连接到第二连接电极CNE2，因此漏电极D可以通过第二连接电极CNE2连接到发光元件OLED。此外，第二连接电极CNE2可以通过第一电极AE连接到发光元件OLED。

其中限定有用于暴露第一电极AE的一部分的像素开口PX_OP的像素限定膜PDL可以设置在第一电极AE和第三绝缘层INS3上。

空穴控制层HCL可以设置在第一电极AE和像素限定膜PDL上。尽管未图示，但是空穴控制层HCL可以包括空穴传输层和空穴注入层。

发射层EML可以设置在空穴控制层HCL上。发射层EML可以设置在像素开口PX_OP中。发射层EML可以包含有机材料和/或无机材料。发射层EML可以生成蓝光。

电子控制层ECL可以设置在发射层EML和空穴控制层HCL上。尽管未图示，但是电子控制层ECL可以包括电子传输层和电子注入层。空穴控制层HCL和电子控制层ECL可以公共地设置在发射区PA和非发射区NPA中。

第二电极CE可以设置在电子控制层ECL上。第二电极CE可以公共地设置在像素PX11至PXmn中。其中设置有发光元件OLED的层可以被定义为显示元件层DP-OLED。

薄膜封装层TFE可以设置在第二电极CE上，并且可以覆盖像素PXij或与像素PXij重叠。薄膜封装层TFE可以包括设置在第二电极CE上的第一封装层EN1、设置在第一封装层EN1上的第二封装层EN2以及设置在第二封装层EN2上的第三封装层EN3。第一封装层EN1和第三封装层EN3可以包括无机层，并且第二封装层EN2可以包括有机层。

第一封装层EN1和第三封装层EN3可以保护像素PXij免受湿气和/或氧气的影响。第二封装层EN2可以保护像素PXij免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。

第一电压可以通过晶体管TR施加到第一电极AE，并且具有比第一电压的电平低的电平的第二电压可以施加到第二电极CE。注入到发射层EML中的空穴和电子可以复合以形成激子，并且发光元件OLED可以随着激子跃迁到基态而发光。

图7是图示与图5中的第一发射区、第二发射区和第三发射区相对应的滤色器层和光转换层的示意性截面图。

在图7中，电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED、薄膜封装层TFE和填充物FL与滤色器层CFL和光转换层LCL一起图示。此外，电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和薄膜封装层TFE在图7中被图示为单层。

参照图7，显示区DA可以包括第一发射区PA1、第二发射区PA2、第三发射区PA3以及设置在第一发射区PA1、第二发射区PA2和第三发射区PA3中的每一个周围的非发射区NPA。第一发射区PA1、第二发射区PA2和第三发射区PA3可以生成第一光L1。例如，第一光L1可以是蓝光。

滤色器层CFL可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2、第三滤色器CF3、低折射层LRL和第一绝缘层IL1。尽管图示了一个第一滤色器CF1、一个第二滤色器CF2和一个第三滤色器CF3，但是可以提供多个第一滤色器CF1、多个第二滤色器CF2和多个第三滤色器CR3。

光转换层LCL可以包括第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2、透光层LTL、堤层BK和第二绝缘层IL2。尽管图示了一个第一量子点层QDL1、一个第二量子点层QDL2和一个透光层LTL，但是可以提供多个第一量子点层QDL1、多个第二量子点层QDL2和多个透光层LTL。

第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以设置在第二基板SUB2之下或下方。在平面图中，第一滤色器CF1可以与第一发射区PA1重叠，第二滤色器CF2可以与第二发射区PA2重叠，并且第三滤色器CF3可以与第三发射区PA3重叠。第一滤色器CF1可以包括红色滤色器。第二滤色器CF2可以包括绿色滤色器。第三滤色器CF3可以包括蓝色滤色器。

低折射层LRL可以设置在第二基板SUB2之下或下方以覆盖第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3或者与第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3重叠。低折射层LRL可以具有比第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2和透光层LTL的折射率小的折射率。低折射层LRL可以包括有机层和设置在有机层中以散射光的散射颗粒。第一绝缘层IL1可以设置在低折射层LRL之下或下方。第一绝缘层IL1可以包括无机层。

堤层BK可以设置在第一绝缘层IL1之下或下方。堤层BK在平面图中可以与非发射区NPA重叠。与第一发射区PA1、第二发射区PA2和第三发射区PA3重叠的开口QOP可以被限定在堤层BK中。开口QOP可以具有比上面描述的像素开口PX_OP的宽度大的宽度。堤层BK的颜色可以是黑色的。

第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及透光层LTL可以设置在开口QOP中。相应地，第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及透光层LTL在平面图中可以分别与第一发射区PA1、第二发射区PA2和第三发射区PA3重叠。第一量子点层QDL1可以与第一发射区PA1重叠，第二量子点层QDL2可以与第二发射区PA2重叠，并且透光层LTL可以与第三发射区PA3重叠。

第二绝缘层IL2可以设置在堤层BK、第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及透光层LTL之下或下方。第二绝缘层IL2可以包括无机层。

从第一发射区PA1、第二发射区PA2和第三发射区PA3生成的第一光L1可以被提供到第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及透光层LTL。从第一发射区PA1生成的第一光L1可以被提供到第一量子点层QDL1，并且从第二发射区PA2生成的第一光L1可以被提供到第二量子点层QDL2。从第三发射区PA3生成的第一光L1可以被提供到透光层LTL。

第一量子点层QDL1可以将第一光L1转换为第二光L2。第二量子点层QDL2可以将第一光L1转换为第三光L3。例如，第二光L2可以是红光，并且第三光L3可以是绿光。第一量子点层QDL1可以包括第一量子点(未图示)，并且第二量子点层QDL2可以包括第二量子点(未图示)。透光层LTL可以包括光散射颗粒(未图示)。

第一量子点可以将具有蓝色波段的第一光L1转换为具有红色波段的第二光L2。第二量子点可以将具有蓝色波段的第一光L1转换为具有绿色波段的第三光L3。第一量子点和第二量子点可以散射第二光L2和第三光L3。

透光层LTL可以在不执行光转换操作的情况下透射第一光L1。第一光L1可以在由透光层LTL的光散射颗粒散射后被输出。光散射颗粒可以包括在第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2中。

第一量子点层QDL1可以输出第二光L2，第二量子点层QDL2可以输出第三光L3，并且透光层LTL可以输出第一光L1。相应地，图像可以通过显示红色、绿色和蓝色的第二光L2、第三光L3和第一光L1而显示。

从光转换层LCL输出的第一光L1、第二光L2和第三光L3可以通过低折射层LRL、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及第二基板SUB2提供给用户。第一光L1、第二光L2和第三光L3可以在低折射层LRL中被折射，并且可以在由设置在低折射层LRL中的散射颗粒进一步散射之后被输出。

第一光L1的一部分可以在未被第一量子点进行光转换的情况下通过第一量子点层QDL1提供到第一滤色器CF1。例如，可能存在由于未与第一量子点接触而未被转换为第二光L2的第一光L1。第一滤色器CF1可以阻挡具有不同颜色的光。未在第一量子点层QDL1中进行转换的第一光L1可以被包括红色滤色器的第一滤色器CF1阻挡，并且可以不被向上输出。

第一光L1的一部分可以在未被第二量子点进行光转换的情况下通过第二量子点层QDL2提供到第二滤色器CF2。例如，可能存在由于未与第二量子点接触而未被转换为第三光L3的第一光L1。第二滤色器CF2可以阻挡具有不同颜色的光。未在第二量子点层QDL2中进行转换的第一光L1可以被包括绿色滤色器的第二滤色器CF2阻挡，并且可以不被向上输出。

外部光可以从显示装置DD上方朝向显示面板DP提供。外部光可以是白光。白光可以包括红光、绿光和蓝光。如果未使用第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3，则外部光可以在被显示面板DP内部的金属层(例如，线路)反射之后提供给用户。外部光可以像从镜子反射的光一样对用户是可见的。

第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以防止外部光的反射。第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以将外部光过滤为红光、绿光和蓝光。

作为示例，提供到第一滤色器CF1的外部光中的绿光和蓝光可以被包括红色滤色器的第一滤色器CF1阻挡。相应地，提供到第一滤色器CF1的外部光可以被第一滤色器CF1过滤为与从第一量子点层QDL1输出的光相同的红光。

提供到第二滤色器CF2的外部光中的红光和蓝光可以被包括绿色滤色器的第二滤色器CF2阻挡。相应地，提供到第二滤色器CF2的外部光可以被第二滤色器CF2过滤为与从第二量子点层QDL2输出的光相同的绿光。

提供到第三滤色器CF3的外部光中的红光和绿光可以被包括蓝色滤色器的第三滤色器CF3阻挡。相应地，提供到第三滤色器CF3的外部光可以被第三滤色器CF3过滤为与从透光层LTL输出的光相同的蓝光。因此，外部光可以被第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3阻挡，并且外部光的反射可以被减少。

颜色是黑色的堤层BK可以阻挡非发射区NPA中的不必要的光。例如，堤层BK可以防止非发射区NPA中第一光L1、第二光L2和第三光L3之间的颜色混合。

图8是图示在图4中图示的显示面板的显示区的一部分和非显示区的一部分的示意性截面图。图9是在图8中图示的焊盘的放大图。

图8图示像素PXij以及与显示区DA和非显示区NDA之间的边界邻近的焊盘PD的放大截面图。

参照图8和图9，像素PXij和焊盘PD可以设置在第一基板SUB1上。第一基板SUB1可以包括显示区DA和显示区DA周围的非显示区NDA。像素PXij可以设置在第一基板SUB1的显示区DA上，并且焊盘PD可以设置在第一基板SUB1的非显示区NDA上。相应地，焊盘PD可以设置在像素PXij周围。第三绝缘层INS3的与非显示区NDA邻近的部分可以具有台阶(附图标记未示出)(在下文中，称为第三绝缘层INS3的台阶部分)。

晶体管TR、电容器CST、第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2以及第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2在图8中被图示为比在图6中大。上面已经参照图6详细描述了晶体管TR、电容器CST、第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2以及第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2的配置，并且因此将省略关于其的描述。然而，下面将描述图8中图示的晶体管TR、电容器CST、第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2以及第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2的堆叠结构。

第一导电图案CPT1、第二导电图案CPT2和第一电极CSE1可以各自包括第一电极E1和设置在第一电极E1上的第二电极E2。栅电极G、第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和第二电极CSE2可以各自包括第一电极E1和设置在第一电极E1上的第二电极E2。第二电极E2可以比第一电极E1厚。在本说明书中，厚度可以被定义为相对于上面描述的第三方向DR3测量的数值。

第一电极E1和第二电极E2中的每一个可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)或铜(Cu)或其合金形成。例如，第一电极E1可以包含钛(Ti)，并且第二电极E2可以包含铜(Cu)。

第一电极AE在下文中被称为阳极。阳极AE可以包括第一导电层CL1、设置在第一导电层CL1上的第二导电层CL2以及设置在第二导电层CL2上的第三导电层CL3。第二导电层CL2可以设置在第一导电层CL1与第三导电层CL3之间。

第一导电层CL1和第三导电层CL3可以包含诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料。第二导电层CL2可以包含诸如银(Ag)的金属。第二导电层CL2可以比第一导电层CL1和第三导电层CL3厚。

第二绝缘层INS2可以不设置在焊盘PD上。焊盘PD可以包括第一焊盘电极PD1和设置在第一焊盘电极PD1上的第二焊盘电极PD2。

第一焊盘电极PD1可以与第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2设置在同一层中。第一焊盘电极PD1可以与第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2由相同的材料或相似的材料形成。例如，第一焊盘电极PD1可以包括第一电极E1和设置在第一电极E1上的第二电极E2。第一焊盘电极PD1的结构可以被限定为双堆叠结构。

第二焊盘电极PD2可以与栅电极G设置在同一层中。作为示例，第二焊盘电极PD2可以与栅电极G的第一电极E1由相同的材料或相似的材料形成，并且可以与栅电极G的第一电极E1设置在同一层中。例如，第二焊盘电极PD2可以包括第一电极E1。

缓冲层BFL可以设置在第一焊盘电极PD1上。缓冲层BFL可以设置在第一基板SUB1上以覆盖第一焊盘电极PD1或与第一焊盘电极PD1重叠。第一绝缘层INS1可以设置在缓冲层BFL上。接触孔CH可以被限定在第一绝缘层INS1和缓冲层BFL中。

第二焊盘电极PD2可以设置在第一绝缘层INS1上。第二焊盘电极PD2可以通过接触孔CH与第一焊盘电极PD1接触。第二焊盘电极PD2可以电连接到第一焊盘电极PD1。第二焊盘电极PD2可以连接到第一焊盘电极PD1的第二电极E2。

尽管未图示，但是设置在柔性电路板的下表面上的连接焊盘可以连接到第二焊盘电极PD2。将在根据实施例的显示装置的制造方法中说明这种配置。

在缓冲层BFL设置在第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2、第一电极CSE1以及第一焊盘电极PD1上的情况下，台阶可以依赖于第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2、第一电极CSE1以及第一焊盘电极PD1的厚度而形成在缓冲层BFL上。由于形成在缓冲层BFL上的台阶，缓冲层BFL可以具有波浪形的上表面。

作为示例，缓冲层BFL的在第一导电图案CPT1、第二导电图案CPT2、第一电极CSE1和第一焊盘电极PD1上的上表面可以位于(或设置在)比缓冲层BFL的在第一导电图案CPT1、第二导电图案CPT2、第一电极CSE1和第一焊盘电极PD1之间的上表面的位置高的位置。

台阶可以依赖于第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2、栅电极G和第二电极CSE2的厚度而形成在第二绝缘层INS2的上表面上。台阶可以依赖于半导体图案D、A和S的厚度而形成在第一绝缘层INS1上。然而，第一绝缘层INS1的台阶没有被图示。

三级台阶STP可以被限定在第一焊盘电极PD1和第二焊盘电极PD2周围的第一绝缘层INS1和缓冲层BFL上。三级台阶STP可以包括第一台阶ST1、第二台阶ST2和第三台阶ST3。

缓冲层BFL的侧表面和第一绝缘层INS1的侧表面可以形成在第二焊盘电极PD2周围，并且第一台阶ST1、第二台阶ST2和第三台阶ST3可以以阶梯的形式被限定在缓冲层BFL的侧表面和第一绝缘层INS1的侧表面上。第一台阶ST1、第二台阶ST2和第三台阶ST3可以被限定为三级阶梯的形式。第一台阶ST1、第二台阶ST2和第三台阶ST3可以具有从第三台阶ST3朝向第一台阶ST1而与第一绝缘层INS1接近的阶梯形式。

参照图9，第一台阶ST1、第二台阶ST2和第三台阶ST3可以在向下方向上被连续地限定在第一焊盘电极PD1和第二焊盘电极PD2周围的第一绝缘层INS1和缓冲层BFL上。第三台阶ST3可以是依赖于上面描述的第一焊盘电极PD1的厚度而被限定在缓冲层BFL上的台阶。

在第二焊盘电极PD2周围，缓冲层BFL可以被设置为依赖于第一焊盘电极PD1的厚度从第一焊盘电极PD1的外围在第一焊盘电极PD1上方突起。第三台阶ST3可以由于设置在第一基板SUB1上的缓冲层BFL与设置在第一焊盘电极PD1上的缓冲层BFL之间的高度差而形成。与第三台阶ST3相关的结构在图10中更清楚地图示，并且后面将参照图10进行详细描述。

第一台阶ST1和第二台阶ST2可以根据显示装置DD的制造方法而形成，并且后面将详细描述形成工艺。

第一台阶ST1可以被限定在第一绝缘层INS1上，并且第三台阶ST3可以被限定在缓冲层BFL上。第二台阶ST2可以被连续地限定在第一绝缘层INS1和缓冲层BFL上。

第三台阶ST3可以以阶梯的形式被限定在焊盘PD周围的缓冲层BFL上。第二台阶ST2可以位于(或设置在)第三台阶ST3上方，并且可以以阶梯的形式被限定在焊盘PD周围的第一绝缘层INS1和缓冲层BFL上。第一台阶ST1可以位于(或设置在)第二台阶ST2上方，并且可以以阶梯的形式被限定在焊盘PD周围的第一绝缘层INS1上。

第二台阶ST2可以设置在第一台阶ST1下方，并且可以设置在第一台阶ST1外面。第三台阶ST3可以设置在第二台阶ST2下方，并且可以设置在第二台阶ST2外面。

第一侧表面S1、第二侧表面S2、第三侧表面S3和第四侧表面S4可以被限定在第二焊盘电极PD2周围的第一绝缘层INS1和缓冲层BFL上。第一台阶ST1、第二台阶ST2和第三台阶ST3可以由第一侧表面S1、第二侧表面S2、第三侧表面S3和第四侧表面S4形成。后面将详细描述依赖于第一侧表面S1、第二侧表面S2、第三侧表面S3和第四侧表面S4的第一台阶ST1、第二台阶ST2和第三台阶ST3的结构。

第一台阶ST1可以由第一绝缘层INS1的第一上表面US1、第一绝缘层INS1的第一侧表面S1和第一绝缘层INS1的第二上表面US2限定。

第一上表面US1可以被定义为第一绝缘层INS1的与第二焊盘电极PD2接触的最上表面。第一上表面US1可以被定义为第一绝缘层INS1的其中没有限定接触孔CH的上表面。第一绝缘层INS1的限定接触孔CH的侧表面可以被定义为第一绝缘层INS1的内表面(附图标记未示出)。第二焊盘电极PD2可以设置在第一焊盘电极PD1的上表面、第一绝缘层INS1的内表面以及第一上表面US1上。

第一侧表面S1可以从第一上表面US1的与第二焊盘电极PD2的端部重叠的端部向下延伸。第一侧表面S1可以与第一上表面US1形成钝角。第一侧表面S1可以与第二焊盘电极PD2的端部形成同一侧表面。第二上表面US2可以从第一侧表面S1的下端部平行于第一上表面US1向外延伸。

第二台阶ST2可以由第一绝缘层INS1的第二上表面US2、第一绝缘层INS1的第二侧表面S2、缓冲层BFL的第三侧表面S3和缓冲层BFL的第三上表面US3限定。

第二侧表面S2可以从第二上表面US2的端部向下延伸，并且可以设置在第一侧表面S1外面。第三侧表面S3可以设置在第二侧表面S2下方，并且可以与第二侧表面S2形成同一侧表面。第二侧表面S2和第三侧表面S3可以与第二上表面US2形成钝角。第三上表面US3可以从第三侧表面S3的下端部平行于第二上表面US2向外延伸。第一绝缘层INS1的在第一上表面US1之下或下方的下表面和第一绝缘层INS1的在第二上表面US2之下或下方的下表面可以形成在同一平面。

第三台阶ST3可以由缓冲层BFL的第三上表面US3、缓冲层BFL的第四侧表面S4和缓冲层BFL的第四上表面US4限定。

第四侧表面S4可以从第三上表面US3的端部向下延伸，并且可以设置在第三侧表面S3外面。第四侧表面S4可以与第三上表面US3形成钝角。第四上表面US4可以从第四侧表面S4的下端部平行于第三上表面US3向外延伸。

图10至图18是用于解释根据实施例的制造显示装置的方法的视图。

图10、图11、图13至图15、图17和图18是与图8相对应的示意性截面图，并且图12和图16是与图9相对应的示意性截面图。

参照图10，第一导电图案CPT1和第二导电图案CPT2、晶体管TR、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2、电容器CST、缓冲层BFL以及第一至第三绝缘层INS1至INS3可以提供在第一基板SUB1的显示区DA上。第一焊盘电极PD1可以提供在第一基板SUB1的非显示区NDA上。

在非显示区NDA中，缓冲层BFL和第一绝缘层INS1可以顺序地提供在第一焊盘电极PD1上。缓冲层BFL可以提供在第一基板SUB1上以覆盖第一焊盘电极PD1或与第一焊盘电极PD1重叠。

虚设金属DMT可以提供在第一绝缘层INS1上。虚设金属DMT可以通过限定在第一绝缘层INS1和缓冲层BFL中的接触孔CH与第一焊盘电极PD1接触。虚设金属DMT可以电连接到第一焊盘电极PD1。

虚设金属DMT可以与栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2设置在同一层中。虚设金属DMT可以与栅电极G、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及第二电极CSE2使用相同的材料或相似的材料通过同时经受图案化而形成在第一基板SUB1之上。

虚设金属DMT可以包括第二焊盘电极PD2和设置在第二焊盘电极PD2上的虚设电极DME。第二焊盘电极PD2可以与第一电极E1包含相同的材料或相似的材料，并且虚设电极DME可以与第二电极E2包含相同的材料或相似的材料。虚设金属DMT的结构可以被限定为双堆叠结构。

设置在非显示区NDA之上的第一绝缘层INS1可以与设置在显示区DA之上的第一绝缘层INS1分离。在以下描述中，第一绝缘层INS1可以指设置在非显示区NDA之上的第一绝缘层INS1。

第一绝缘层INS1可以被设置为在平面图中与虚设金属DMT重叠。第一绝缘层INS1在平面图中可以设置为到达虚设金属DMT邻近的区域。第一绝缘层INS1的外围在平面图中可以向虚设金属DMT的外围外面突出。

在非显示区NDA中，第二绝缘层INS2可以提供在虚设金属DMT上。第二绝缘层INS2可以提供在缓冲层BFL上以覆盖虚设金属DMT或与虚设金属DMT重叠。第三绝缘层INS3可以不提供在非显示区NDA之上。

缓冲层BFL可以设置在第一导电图案CPT1、第二导电图案CPT2、第一电极CSE1和第一焊盘电极PD1上。缓冲层BFL可以设置在第一导电图案CPT1、第二导电图案CPT2、第一电极CSE1和第一焊盘电极PD1之间的第一基板SUB1上。设置在第一导电图案CPT1、第二导电图案CPT2、第一电极CSE1和第一焊盘电极PD1上的缓冲层BFL可以位于(或设置在)设置在或直接设置在第一基板SUB1上的缓冲层BFL上方。

根据该结构，缓冲层BFL的上表面可以在第一导电图案CPT1、第二导电图案CPT2、第一电极CSE1和第一焊盘电极PD1之间向下凹陷。相应地，高度差可以形成在设置在或直接设置在第一基板SUB1上的缓冲层BFL与设置在第一导电图案CPT1、第二导电图案CPT2、第一电极CSE1和第一焊盘电极PD1上的缓冲层BFL之间。根据该高度差，凹槽RES可以形成在第一电极CSE1与第一焊盘电极PD1之间的缓冲层BFL的上表面上。

由于第一焊盘电极PD1的厚度，设置在第一焊盘电极PD1上的缓冲层BFL可以位于(或设置在)设置在或直接设置在第一基板SUB1上的缓冲层BFL上方，使得凹槽RES可以形成。根据后面将要描述的制造工艺，缓冲层BFL的凹槽RES可以形成上面描述的第三台阶ST3。

参照图11，使用第三绝缘层INS3作为掩模，第二绝缘层INS2的设置在非显示区NDA上方的部分可以被去除。在平面图中，第二绝缘层INS2的与非显示区NDA重叠的部分可以通过干法蚀刻被去除。在第二绝缘层INS2被去除的情况下，第一绝缘层INS1的一部分可以被去除。在第二绝缘层INS2被去除的情况下，第三绝缘层INS3的上表面可以被去除到一深度。

图12是在图11中图示的第一焊盘电极和虚设金属的放大图。

参照图11和图12，在非显示区NDA之上的第二绝缘层INS2通过干法蚀刻被去除的情况下，第一绝缘层INS1可以被一起去除。使用虚设金属DMT作为掩模，第一绝缘层INS1的位于(或设置在)虚设金属DMT外面的部分可以被去除。在图12中，蚀刻之前的部分由虚线图示。

第一绝缘层INS1的位于(或设置在)虚设金属DMT外面的部分可以被定义为外部部分OTP。在第二绝缘层INS2被去除的情况下，外部部分OTP的一部分(而不是整个外部部分OTP)可以被去除。例如，从外部部分OTP的上表面到在外部部分OTP的上表面与下表面之间的部分，外部部分OTP可以被去除。

第一台阶ST1’和第二台阶ST2’可以通过去除外部部分OTP的一部分被限定在第一绝缘层INS1的外围。第二台阶ST2’可以设置在第一台阶ST1’下方，并且可以设置在第一台阶ST1’外面。

第三台阶ST3’可以由上面描述的凹槽RES形成。如上面描述的，第三台阶ST3’可以依赖于第一焊盘电极PD1的厚度而形成在缓冲层BFL上。第三台阶ST3’可以设置在第二台阶ST2’下方，并且可以设置在第二台阶ST2’外面。相应地，第一台阶ST1’、第二台阶ST2’和第三台阶ST3’可以在向下方向上连续地形成。第一台阶ST1’和第二台阶ST2’可以在第二绝缘层INS2的一部分被去除的步骤中形成。

第一绝缘层INS1的蚀刻速率和第二绝缘层INS2的蚀刻速率可以彼此不同。第一绝缘层INS1的蚀刻速率可以低于第二绝缘层INS2的蚀刻速率。例如，在第一绝缘层INS1包含氧化硅(SiO_x)并且第二绝缘层INS2包含氮化硅(SiN_x)的情况下，第一绝缘层INS1的蚀刻速率可以低于第二绝缘层INS2的蚀刻速率。

因为第一绝缘层INS1的蚀刻速率低于第二绝缘层INS2的蚀刻速率，所以即使非显示区NDA之上的第二绝缘层INS2的全部在干法蚀刻工艺中被去除，也可以去除外部部分OTP的一部分，而不是整个外部部分OTP。第一台阶ST1’和第二台阶ST2’可以通过去除外部部分OTP的一部分而形成在第一绝缘层INS1上。

三级阶梯的形式可以通过第一台阶ST1’、第二台阶ST2’和第三台阶ST3’而被限定在第一绝缘层INS1和缓冲层BFL上。第一台阶ST1’、第二台阶ST1’和第三台阶ST3’可以被定义为三级台阶。

参照图13，阳极AE可以提供在显示区DA和非显示区NDA之上。阳极AE可以设置在第三绝缘层INS3、缓冲层BFL、第一绝缘层INS1和虚设金属DMT上。

参照图14，光刻胶PR可以提供在显示区DA之上的阳极AE上。光刻胶PR可以与显示区DA和非显示区NDA之间的边界间隔开，并且可以与第三绝缘层INS3重叠。光刻胶PR可以与第三绝缘层INS3的台阶部分间隔开，并且可以提供在第三绝缘层INS3上。光刻胶PR可以不提供在非显示区NDA和第三绝缘层INS3的台阶部分上。

参照图15，使用光刻胶PR作为掩模，阳极AE的被光刻胶PR暴露的部分可以被去除。阳极AE可以通过湿法蚀刻工艺被去除。阳极AE可以以逐步方式被去除。第三导电层CL3和第二导电层CL2可以被蚀刻，并且之后第一导电层CL1可以被蚀刻。

阳极AE的设置在非显示区NDA和第三绝缘层INS3的台阶部分之上的部分可以被去除。相应地，阳极AE可以提供在第三绝缘层INS3上、显示区DA中。阳极AE可以不设置在非显示区NDA和第三绝缘层INS3的台阶部分之上。

在阳极AE被去除之后，灰化工艺可以被执行。第三绝缘层INS3必须设置在显示区DA之上，但不必设置在非显示区NDA之上。尽管未图示，但是在制造工艺中，第三绝缘层INS3可能残留在非显示区NDA之上而未被完全去除。为了去除第三绝缘层INS3的残留在非显示区NDA之上的材料，可以对非显示区NDA执行灰化工艺。

灰化工艺可以通过使用O₂气体的干法蚀刻被执行。在灰化工艺被执行的情况下，图12中图示的第一台阶ST1’、第二台阶ST2’和第三台阶ST3’可以被更深地蚀刻。结果，可以形成图15中图示的根据实施例的第一台阶ST1、第二台阶ST2和第三台阶ST3。

在第二绝缘层INS2的设置在非显示区NDA之上的部分被去除的步骤中形成的第一台阶ST1’和第二台阶ST2’可以通过灰化工艺被更深地蚀刻以形成第一台阶ST1和第二台阶ST2。例如，可以确定第一台阶ST1和第二台阶ST2在去除第二绝缘层INS2的一部分的步骤中(而不是灰化工艺中)基本上形成在第一绝缘层INS1上。

图16是在图15中图示的第一台阶、第二台阶和第三台阶的放大图。

在图16中，灰化之前的部分由虚线图示。

参照图16，第一台阶ST1’、第二台阶ST2’和第三台阶ST3’可以通过灰化工艺被更深地蚀刻以形成根据实施例的第一台阶ST1、第二台阶ST2和第三台阶ST3。上面已经参照图9详细描述了第一台阶ST1、第二台阶ST2和第三台阶ST3的配置，并且因此将省略关于其的描述。

参照图17，第二焊盘电极PD2上的虚设电极DME可以被去除。相应地，第一台阶ST1、第二台阶ST2和第三台阶ST3可以在向下方向上被连续地限定在第一焊盘电极PD1和第二焊盘电极PD2周围的第一绝缘层INS1和缓冲层BFL上。此外，包括第一焊盘电极PD1和第二焊盘电极PD2的焊盘PD可以被形成。

参照图18，像素限定膜PDL可以提供在阳极AE上。像素限定膜PDL可以提供在显示区DA之上。空穴控制层HCL、发射层EML、电子控制层ECL和第二电极CE可以提供在阳极AE上以形成发光元件OLED。发光元件OLED可以提供在显示区DA之上。

柔性电路膜FPC可以设置在焊盘PD之上，并且连接焊盘CPD可以设置在柔性电路膜FPC的下表面上。连接焊盘CPD可以被设置为在平面图中与焊盘PD重叠。连接焊盘CPD可以通过结合工艺与焊盘PD接触并电连接到焊盘PD。连接焊盘CPD可以与第二焊盘电极PD2接触。尽管未图示，但是连接到连接焊盘CPD的数据驱动器可以设置在柔性电路膜FPC上。

树脂RIN可以设置在彼此接触的第二焊盘电极PD2和连接焊盘CPD周围。树脂RIN可以设置在柔性电路膜FPC之下或下方，并且可以保护第二焊盘电极PD2和连接焊盘CPD，使得第二焊盘电极PD2和连接焊盘CPD不被暴露到外部。

为了形成焊盘，具有三堆叠结构或四堆叠结构的第二焊盘电极设置在第一焊盘电极PD1上。在下文中，包括具有三堆叠结构或四堆叠结构的第二焊盘电极的焊盘被称为比较焊盘。沉积工艺和蚀刻工艺可以被执行以形成具有三堆叠结构或四堆叠结构的第二焊盘电极。

在实施例中，包括第一焊盘电极PD1和第二焊盘电极PD2的焊盘PD可以通过使用具有双堆叠结构的第一焊盘电极PD1和具有双堆叠结构的虚设金属DMT而形成。相应地，用于焊盘PD的材料和层结构可以减少。结果，用于形成焊盘PD的沉积工艺和蚀刻工艺可以减少，并且焊盘PD的配置可以被简化。

第二绝缘层INS2可以设置在比较焊盘上，第二绝缘层INS2的在非显示区NDA之上的部分可以被去除以形成接触孔，并且连接焊盘CPD可以通过接触孔连接到比较焊盘。

然而，在实施例中，设置在非显示区NDA之上的第二绝缘层INS2的全部可以被去除。相应地，第二焊盘电极PD2的全部可以在结合工艺中被暴露。因为第二焊盘电极PD2被完全暴露并且连接到连接焊盘CPD，所以结合工艺可以更容易地执行。此外，被暴露的第二焊盘电极PD2可以具有比第一焊盘电极PD1的宽度大的宽度。下面将参照图19描述该结构。

图19是在图18中图示的第一焊盘电极和第二焊盘电极的示意性平面图。图20A是沿图19中图示的线I-I’截取的示意性截面图。图20B是沿图19中图示的线II-II’截取的示意性截面图。

参照图18和图19，第一焊盘电极PD1、第二焊盘电极PD2和接触孔CH可以被提供。第一焊盘电极PD1、第二焊盘电极PD2和接触孔CH可以在第二方向DR2上延伸。第一焊盘电极PD1、第二焊盘电极PD2和接触孔CH可以在第一方向DR1上排布(或设置)。

第二焊盘电极PD2可以分别设置在第一焊盘电极PD1上，并且第一焊盘电极PD1可以通过接触孔CH分别连接到第二焊盘电极PD2。第一焊盘电极PD1可以连接到线路LN。线路LN可以是上面描述的数据线DL1至DLn。在下文中，将描述一个第一焊盘电极PD1、一个第二焊盘电极PD2、一条线路LN和一个接触孔CH的配置。

参照图19、图20A和图20B，线路LN可以设置在第一焊盘电极PD1上。线路LN可以设置在第一绝缘层INS1上。线路LN可以包括上面描述的第一电极E1和第二电极E2。第一焊盘电极PD1可以通过限定在第一绝缘层INS1和缓冲层BFL中的接触孔CNH连接到对应的线路LN。

在第一方向DR1上第二焊盘电极PD2的宽度WT1可以大于第一焊盘电极PD1的宽度WT2。因为暴露到外部的第二焊盘电极PD2在第一方向DR1上具有比第一焊盘电极PD1的宽度大的宽度，所以在结合工艺中与连接焊盘CPD的附着性可以增加。

参照图19和图20B，在第二焊盘电极PD2之下或下方的第一焊盘电极PD1可以在第二方向DR2上延伸得比第二焊盘电极PD2长。第二焊盘电极PD2之下或下方的第一焊盘电极PD1可以在第二方向DR2上延伸，并且可以设置在第二绝缘层INS2之下或下方。

因为第一焊盘电极PD1从第二焊盘电极PD2下方到第二绝缘层INS2下方被连续地设置，所以缓冲层BFL也可以从第二焊盘电极PD2下方延伸到第二绝缘层INS2下方，并且可以设置在第一焊盘电极PD1上。相应地，参照图10描述的凹槽RES可以不形成在图20B中图示的缓冲层BFL上。相应地，由凹槽RES形成的第三台阶ST3也可以不形成在图20B中图示的缓冲层BFL上。第一台阶ST1和第二台阶ST2可以根据上面描述的工艺形成。

再次参照图18，三级台阶STP可以由第一台阶ST1、第二台阶ST2和第三台阶ST3形成在焊盘PD周围的第一绝缘层INS1和缓冲层BFL上。三级台阶STP可以具有比单级台阶或双级台阶的表面积大的表面积。树脂RIN可以设置在焊盘PD周围。因为三级台阶STP具有比单级台阶或双级台阶的表面积大的表面积，所以树脂RIN与三级台阶STP的接触可以增加。结果，树脂RIN可以被更牢固地附着到三级台阶STP。

图21是图示根据实施例的在焊盘周围的台阶结构的视图。图22是在图21中图示的焊盘的放大图。

图21是与图8相对应的示意性截面图，并且图22是与图9相对应的示意性截面图。除了三级台阶STP-1的结构与图8和图9中图示的三级台阶STP的结构不同之外，图21和图22中图示的部件与图8和图9中图示的部件基本相同。相应地，下面将描述三级台阶STP-1的结构，并且图21和图22中的与图8和图9中图示的部件相同的部件将被分配相同的附图标记。

参照图21和图22，第一台阶ST1-1、第二台阶ST2-1和第三台阶ST3-1可以在向下方向上被连续地限定在第一焊盘电极PD1和第二焊盘电极PD2周围的第一绝缘层INS1和缓冲层BFL上。

第一台阶ST1-1和第二台阶ST2-1可以根据显示装置DD的制造方法而形成，并且后面将详细描述形成工艺。第三台阶ST3-1可以依赖于第一焊盘电极PD1的厚度被限定在缓冲层BFL上。

第一台阶ST1-1可以被连续地限定在第一绝缘层INS1和缓冲层BFL上。第二台阶ST2-1和第三台阶ST3-1可以被限定在缓冲层BFL上。第二台阶ST2-1可以设置在第一台阶ST1-1下方，并且可以设置在第一台阶ST1-1外面。第三台阶ST3-1可以设置在第二台阶ST2-1下方，并且可以设置在第二台阶ST2-1外面。

第一台阶ST1-1可以由第一绝缘层INS1的第一上表面US1、第一绝缘层INS1的第一侧表面S1’、缓冲层BFL的第二侧表面S2’和缓冲层BFL的第二上表面US2’限定。第一上表面US1可以被定义为第一绝缘层INS1的与第二焊盘电极PD2接触的最上表面。

第一侧表面S1’可以从第一上表面US1的与第二焊盘电极PD2的端部重叠的端部向下延伸。第一侧表面S1’可以与第二焊盘电极PD2的端部形成同一侧表面。第二侧表面S2’可以设置在第一侧表面S1’下方，并且可以与第一侧表面S1’形成同一侧表面。第一侧表面S1’和第二侧表面S2’可以与第一上表面US1形成钝角。第二上表面US2’可以从第二侧表面S2’的下端部平行于第一上表面US1向外延伸。

第二台阶ST2-1可以由缓冲层BFL的第二上表面US2’、缓冲层BFL的第三侧表面S3’和缓冲层BFL的第三上表面US3’限定。

第三侧表面S3’可以从第二上表面US2’的端部向下延伸，并且可以设置在第二侧表面S2’外面。第三侧表面S3’可以与第二上表面US2’形成钝角。第三上表面US3’可以从第三侧表面S3’的下端部平行于第二上表面US2’向外延伸。

第三台阶ST3-1可以由缓冲层BFL的第三上表面US3’、缓冲层BFL的第四侧表面S4’和缓冲层BFL的第四上表面US4’限定。

第四侧表面S4’可以从第三上表面US3’的端部向下延伸，并且可以设置在第三侧表面S3’外面。第四侧表面S4’可以与第三上表面US3’形成钝角。第四上表面US4’可以从第四侧表面S4’的下端部平行于第三上表面US3’向外延伸。第四上表面US4’可以设置在比第一焊盘电极PD1的上表面的位置低的位置。

图23至图31是用于解释根据实施例的制造显示装置的方法的视图。

图23至图31可以与图10至图18相对应。

以下描述将聚焦于图10至图18中图示的制造方法与图23至图31中图示的制造方法之间的差异。

参照图23，在非显示区NDA中，第二绝缘层INS2可以提供在虚设金属DMT上。第三绝缘层INS3可以设置在第二绝缘层INS2上、显示区DA中。

参照图24，使用第三绝缘层INS3作为掩模，第二绝缘层INS2的设置在非显示区NDA之上的部分可以通过干法蚀刻被去除。在第二绝缘层INS2被去除的情况下，第一绝缘层INS1的一部分可以被去除。

图25是在图24中图示的第一焊盘电极和虚设金属的放大图。

参照图24和图25，在第二绝缘层INS2被去除的情况下，外部部分OTP的全部可以被去除。外部部分OTP可以被定义为设置在第二焊盘电极PD2的端部处从倾斜表面延伸的倾斜虚线LI外面的部分。外部部分OTP可以从其上表面到下表面被去除，并且因此整个外部部分OTP可以被去除。

干法蚀刻可以被执行，直到外部部分OTP被完全去除。在第二绝缘层INS2被去除的情况下，缓冲层BFL的在外部部分OTP周围的部分可以被进一步蚀刻。相应地，第一台阶ST1-1’可以被限定在第一绝缘层INS1上，并且第二台阶ST2-1’可以被限定在外部部分OTP周围的缓冲层BFL上。

依赖于第一焊盘电极PD1的厚度而形成在缓冲层BFL上的台阶可以被更深地蚀刻以形成第三台阶ST3-1’。第三台阶ST3-1’可以形成在第二台阶ST2-1’下方。相应地，第一台阶ST1-1’、第二台阶ST2-1’和第三台阶ST3-1’可以在向下方向上被连续地形成。

参照图26，阳极AE可以设置在第三绝缘层INS3、缓冲层BFL、第一绝缘层INS1和虚设金属DMT上。

参照图27，在显示区DA中，光刻胶PR可以与第三绝缘层INS3的台阶部分间隔开，并且可以提供在第三绝缘层INS3上。

参照图28，使用光刻胶PR作为掩模，阳极AE的被光刻胶PR暴露的部分可以通过湿法蚀刻被去除。之后，可以对非显示区NDA执行灰化工艺。

在灰化工艺被执行的情况下，图25中图示的第一台阶ST1-1’、第二台阶ST2-1’和第三台阶ST3-1’可以被更深地蚀刻。结果，可以形成图28中图示的根据实施例的第一台阶ST1-1、第二台阶ST2-1和第三台阶ST3-1。

图29是在图28中图示的第一台阶、第二台阶和第三台阶的放大图。

参照图29，在第一绝缘层INS1周围的缓冲层BFL可以通过灰化工艺被进一步蚀刻。相应地，第一台阶ST1-1可以被连续地限定在第一绝缘层INS1和缓冲层BFL上，并且第二台阶ST2-1和第三台阶ST3-1可以被限定在缓冲层BFL上。根据该工艺，缓冲层BFL的第四上表面US4’可以位于(或设置在)比第一焊盘电极PD1的上表面的位置低的位置。

参照图30，第二焊盘电极PD2上的虚设电极DME可以被去除。

参照图31，发光元件OLED可以被形成在显示区DA之上。连接焊盘CPD可以通过结合工艺与焊盘PD接触并电连接到焊盘PD。树脂RIN可以设置在彼此接触的第二焊盘电极PD2和连接焊盘CPD周围。

根据实施例，焊盘可以通过使用具有双堆叠结构的第一焊盘电极和具有双堆叠结构的虚设金属来形成。相应地，焊盘的配置可以被简化，并且用于形成焊盘的沉积工艺和蚀刻工艺可以减少。

第二焊盘电极的全部可以被向上暴露，并且被暴露的第二焊盘电极可以具有比第一焊盘电极的宽度大的宽度。相应地，在焊盘连接到连接焊盘的情况下，焊盘与连接焊盘的接触可以被改善，并且因此结合工艺可以更容易地执行。三级台阶可以被限定在焊盘周围的缓冲层和第一绝缘层上，并且因此焊盘周围的树脂可以被牢固地附着到三级台阶。

尽管已经参照本公开的实施例描述了本公开，但是对于本领域普通技术人员来说显而易见的是，可以对其进行各种改变和修改，而不背离如权利要求所阐述的本公开的精神和范围。

Claims (19)

1.一种显示装置，包括：

像素；

第一焊盘电极，设置在所述像素周围；

缓冲层，设置在所述第一焊盘电极上；

第一绝缘层，设置在所述缓冲层上；和

第二焊盘电极，设置在所述第一绝缘层上，所述第二焊盘电极通过所述第一绝缘层和所述缓冲层中的接触孔电连接到所述第一焊盘电极，

其中，第一台阶、在所述第一台阶下方的第二台阶和在所述第二台阶下方的第三台阶被限定在所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极周围的所述第一绝缘层和所述缓冲层上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一台阶被限定在所述第一绝缘层上，

所述第二台阶被连续地限定在所述缓冲层和所述第一绝缘层上，并且

所述第三台阶被限定在所述缓冲层上。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述第二台阶设置在所述第一台阶外面，并且

所述第三台阶设置在所述第二台阶外面。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述第一台阶由所述第一绝缘层的与所述第二焊盘电极接触的第一上表面、所述第一绝缘层的从所述第一上表面的在平面图中与所述第二焊盘电极的端部重叠的端部向下延伸的第一侧表面、以及所述第一绝缘层的从所述第一侧表面的下端部平行于所述第一上表面向外延伸的第二上表面限定，

所述第二台阶由所述第二上表面、所述第一绝缘层的从所述第二上表面的端部向下延伸并且设置在所述第一侧表面外面的第二侧表面、所述缓冲层的设置在所述第二侧表面下方并且与所述第二侧表面形成同一侧表面的第三侧表面、以及所述缓冲层的从所述第三侧表面的下端部平行于所述第二上表面向外延伸的第三上表面限定，并且

所述第三台阶由所述第三上表面、所述缓冲层的从所述第三上表面的端部向下延伸并且设置在所述第三侧表面外面的第四侧表面、以及所述缓冲层的从所述第四侧表面的下端部平行于所述第三上表面向外延伸的第四上表面限定。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，

所述第一绝缘层的在所述第一上表面下方的下表面与所述第一绝缘层的在所述第二上表面下方的下表面共面，并且

所述第三台阶由所述第一焊盘电极的厚度限定。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述像素包括：

晶体管，包括栅电极、源电极和漏电极；

发光元件，设置在所述晶体管之上，并且电连接到所述漏电极；

第一导电图案和第二导电图案，设置在所述晶体管下方；

第一连接电极，电连接到所述第一导电图案和所述源电极；以及

第二连接电极，电连接到所述第二导电图案、所述漏电极和所述发光元件，

所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述栅电极设置在同一层，

所述第一焊盘电极、所述第一导电图案和所述第二导电图案设置在同一层，并且

所述栅电极的一部分和所述第二焊盘电极设置在同一层。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

所述栅电极、所述第一导电图案、所述第二导电图案和所述第一焊盘电极各自包括：

第一电极；和

第二电极，设置在所述第一电极上，

所述栅电极的所述第一电极和所述第二焊盘电极设置在同一层，并且

所述栅电极的所述第一电极和所述第二焊盘电极包含相同的材料。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示装置，其中，

所述第二焊盘电极和所述第一焊盘电极在一方向上延伸，并且

所述第二焊盘电极在与所述方向相交的另一方向上具有比所述第一焊盘电极的宽度大的宽度。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一台阶被连续地限定在所述第一绝缘层和所述缓冲层上，并且

所述第二台阶和所述第三台阶被限定在所述缓冲层上。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

所述第一台阶由所述第一绝缘层的与所述第二焊盘电极接触的第一上表面、所述第一绝缘层的从所述第一上表面的在平面图中与所述第二焊盘电极的端部重叠的端部向下延伸的第一侧表面、所述缓冲层的设置在所述第一绝缘层的所述第一侧表面下方并且与所述第一侧表面形成同一侧表面的第二侧表面、以及所述缓冲层的从所述第二侧表面的下端部平行于所述第一上表面向外延伸的第二上表面限定，

所述第二台阶由所述第二上表面、所述缓冲层的从所述第二上表面的端部向下延伸并且设置在所述第二侧表面外面的第三侧表面、以及所述缓冲层的从所述第三侧表面的下端部平行于所述第二上表面向外延伸的第三上表面限定，并且

所述第三台阶由所述第三上表面、所述缓冲层的从所述第三上表面的端部向下延伸并且设置在所述第三侧表面外面的第四侧表面、以及所述缓冲层的从所述第四侧表面的下端部平行于所述第三上表面向外延伸的第四上表面限定。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第四上表面被设置为比所述第一焊盘电极的上表面低。

12.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

在基板的非显示区上提供第一焊盘电极，所述基板包括显示区和与所述显示区邻近的所述非显示区；

在所述第一焊盘电极上顺序地提供缓冲层和第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上提供虚设金属，所述虚设金属通过所述第一绝缘层和所述缓冲层中的接触孔电连接到所述第一焊盘电极；

在所述缓冲层上提供第二绝缘层以覆盖所述虚设金属；

去除所述第二绝缘层的在平面图中与所述非显示区重叠的部分；

在所述显示区上提供阳极；以及

去除所述虚设金属的设置在所述虚设金属的第二焊盘电极上的虚设电极，

其中，第一台阶、第二台阶和第三台阶在向下方向上被连续地限定在所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极周围的所述第一绝缘层和所述缓冲层上。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

所述第一台阶被限定在所述第一绝缘层上，

所述第二台阶被连续地限定在所述第一绝缘层和所述缓冲层上，

所述第三台阶被限定在所述缓冲层上，并且

所述第一台阶和所述第二台阶在去除所述第二绝缘层的所述部分时形成。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，

所述第一绝缘层的设置在所述虚设金属周围的部分被定义为外部部分，并且

在所述第二绝缘层的所述部分被去除的情况下，从所述外部部分的上表面到在所述外部部分的所述上表面与所述外部部分的下表面之间的部分所述外部部分被去除。

15.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：

在所述第二绝缘层上、所述显示区上提供第三绝缘层，

其中，所述阳极提供在所述第三绝缘层上。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，提供所述阳极包括：

在所述第三绝缘层和所述虚设金属上、所述显示区和所述非显示区上提供所述阳极；

去除所述阳极的设置在所述非显示区上的部分；以及

对所述非显示区执行灰化。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，

所述第一台阶被连续地限定在所述第一绝缘层和所述缓冲层上，

所述第二台阶和所述第三台阶被限定在所述缓冲层上，并且

所述第一台阶和所述第二台阶在对所述非显示区执行所述灰化时形成。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，

所述第一绝缘层的设置在所述虚设金属周围的部分被定义为外部部分，并且

在所述第二绝缘层的所述部分被去除的情况下，所述外部部分被去除。

19.根据权利要求12至18中任一项所述的方法，其中，

所述第二焊盘电极和所述第一焊盘电极在一方向上延伸，并且

所述第二焊盘电极在与所述方向相交的另一方向上具有比所述第一焊盘电极的宽度大的宽度。

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