CN116093111A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示装置。该显示装置包括显示区域和位于显示区域外部的外围区域，并且进一步包括：基板；多个第一金属图案，沿基板的边缘布置在基板上，并且彼此隔开布置在外围区域中；绝缘层，设置在多个第一金属图案上；以及公共电源层，设置在外围区域中、绝缘层上，并且经由限定在绝缘层中的第一接触孔而电连接到多个第一金属图案。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2021年11月5日提交的第10-2021-0151667号韩国专利申请的优先权以及从该申请获得的所有权益，该申请的内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示装置，并且更具体地，涉及具有强抗静电性的显示装置。
背景技术
显示装置越来越易于受到流入其中的外部静电的影响，显示装置不仅用作诸如智能电话或平板个人计算机(“PC”)的便携式电子设备的显示屏，而且还用作诸如电视机、监视器或广告牌的各种产品的显示屏。此外，在显示装置中提供的电子元件或电路的静电敏感度已经增加。
发明内容
根据现有技术的显示装置具有的问题在于，发光元件或像素电路可能由于在显示装置的制造或使用期间产生的静电流入显示区域而被损坏，这导致显示装置中的缺陷。
一个或多个实施例包括能够有效地使静电放电或分散的显示装置。然而，这样的方面仅是示例性的，并且本公开的范围不由此受到限制。
附加方面将部分地在下面的描述中被阐述，并且将部分地根据描述显而易见，或者可以通过实践所呈现的实施例而习得。
根据一个或多个实施例，包括显示区域和位于显示区域外部的外围区域的显示装置被提供，该显示装置包括：基板；多个第一金属图案，沿基板的边缘布置在基板上，并且彼此隔开布置在外围区域中；绝缘层，设置在多个第一金属图案上；以及公共电源层，设置在外围区域中、绝缘层上，并且经由限定在绝缘层中的第一接触孔而电连接到多个第一金属图案。
根据实施例，多个第一金属图案中的每个第一金属图案可以包括多个狭缝。
根据实施例，多个第一金属图案中的每个第一金属图案可以具有沿基板的边缘的宽度和沿与该边缘交叉的方向的长度，并且多个第一金属图案中的每个第一金属图案的长度可以大于多个第一金属图案中的每个第一金属图案的宽度。
根据实施例，在平面图中，多个第一金属图案可以围绕显示区域的至少一部分。
根据实施例，显示装置可以进一步包括：薄膜晶体管，设置在显示区域中、基板上，并且包括半导体层和与半导体层重叠的栅电极；以及底部金属层，介于基板与薄膜晶体管之间。
根据实施例，多个第一金属图案可以与底部金属层隔开布置，与底部金属层在同一层中，并且可以与底部金属层包括相同的材料。
根据实施例，多个第一金属图案可以与栅电极隔开布置，与栅电极在同一层中，并且可以与栅电极包括相同的材料。
根据实施例，显示装置可以进一步包括：多个第二金属图案，设置在多个第一金属图案上，并且位于外围区域中，其中，多个第一金属图案与底部金属层隔开布置，与底部金属层在同一层中，并且与底部金属层包括相同的材料，并且多个第二金属图案与栅电极隔开布置，与栅电极在同一层中，并且与栅电极包括相同的材料。
根据实施例，多个第二金属图案可以经由限定在绝缘层中的第二接触孔而电连接到公共电源层。
根据实施例，显示装置可以进一步包括：像素电极，设置在基板上，并且位于显示区域中；对电极，在像素电极上；以及中间层，在像素电极与对电极之间，其中，对电极电连接到公共电源层，并且绝缘层包括无机绝缘材料。
根据实施例，显示装置可以进一步包括：封装基板，被布置为面向基板；以及密封剂，位于外围区域中，介于基板与封装基板之间，并且包括面向显示区域的内表面和与内表面相反的外表面。
根据实施例，多个第一金属图案中的每个第一金属图案可以在平面图中向外突出超过密封剂的外表面。
根据实施例，在平面图中，第一接触孔可以被放置为比密封剂的外表面靠近显示区域。
根据实施例，在平面图中，公共电源层的边缘可以被放置为比密封剂的外表面靠近显示区域。
根据实施例，显示装置可以进一步包括：多个第二金属图案，设置在绝缘层下方、与多个第一金属图案在不同的层中，其中，公共电源层经由限定在绝缘层中的第二接触孔而电连接到多个第二金属图案，并且在平面图中，第二接触孔被放置为比密封剂的外表面靠近显示区域。
根据实施例，显示装置可以进一步包括：封装层，覆盖显示区域，并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
根据实施例，在平面图中，多个第一金属图案中的每个第一金属图案可以向外突出超过至少一个无机封装层的边缘。
根据实施例，在平面图中，封装层的至少一个无机封装层可以从显示区域延伸至外围区域，并且可以覆盖公共电源层的全部。
根据实施例，在平面图中，第一接触孔可以被放置为比至少一个无机封装层的边缘靠近显示区域。
根据实施例，显示装置可以进一步包括：多个第二金属图案，与多个第一金属图案设置在不同的层中，并且在绝缘层下方，其中，公共电源层经由限定在绝缘层中的第二接触孔而电连接到多个第二金属图案，并且在平面图中，第二接触孔被放置为比至少一个无机封装层的边缘靠近显示区域。
根据实施例，显示装置可以进一步包括：有机发光器件，设置在基板上，并且包括像素电极、在像素电极上的对电极和在像素电极与对电极之间的中间层；封装层，覆盖有机发光器件，并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；封装基板，被布置为面向基板；量子点层，在封装基板的一个表面上以面向像素电极；以及密封剂，位于外围区域中，介于基板与封装基板之间，并且包括面向显示区域的内表面和与内表面相反的外表面。
根据实施例，在平面图中，至少一个无机封装层可以被放置为比密封剂靠近显示区域以与密封剂隔开，并且多个第一金属图案中的每个第一金属图案向外突出超过密封剂的外表面。
根据实施例，在平面图中，公共电源层的边缘可以被放置为比密封剂的外表面靠近显示区域，并且被放置为比至少一个无机封装层的边缘远离显示区域。
根据实施例，公共电源层的边缘可以被放置为比密封剂的外表面靠近显示区域，并且被放置为比至少一个无机封装层的边缘靠近显示区域。
根据一个或多个实施例，显示装置包括：基板，包括多个像素；多个第一金属图案，沿基板的边缘彼此隔开布置在基板上；公共电源层，经由第一接触孔电连接到多个第一金属图案，并且向多个像素施加恒定电压；封装基板，被布置为面向基板；以及密封剂，设置在基板与封装基板之间以围绕多个像素，并且包括靠近基板的边缘的外表面和靠近多个像素的内表面，其中，多个第一金属图案中的每个第一金属图案的靠近基板的边缘的端部被布置为比密封剂的外表面靠近基板的边缘，并且第一接触孔被设置在密封剂的外表面与内表面之间。
除了以上描述的那些方面、特征和优点之外的其他方面、特征和优点将根据下面的附图、权利要求和详细描述变得显而易见，以体现以下的公开。
这些一般和特定的实施例可以通过使用系统、方法、计算机程序或其组合来实现。
附图说明
根据下面结合附图的实施例的描述，这些和/或其他方面将变得显而易见且更容易理解，在附图中：
图1是根据一个或多个实施例的显示装置的示意性透视图；
图2A和图2B是根据本公开的实施例的显示装置的示意性截面图；
图3是根据一个或多个实施例的显示装置中的任何一个像素电路的等效电路图；
图4是根据一个或多个实施例的显示装置的示意性平面图；
图5是示出根据一个或多个实施例的显示装置的一部分的示意性放大平面图；
图6是示出根据一个或多个实施例的显示装置的一部分的示意性截面图；
图7是示出根据一个或多个实施例的显示装置的一部分的示意性截面图；
图8是示出根据一个或多个实施例的显示装置的一部分的示意性截面图；
图9是示出根据一个或多个实施例的显示装置的一部分的示意性放大平面图；
图10是沿图9的线X-X’截取的显示装置的示意性截面图；
图11是示出根据一个或多个实施例的显示装置的一部分的示意性放大平面图；
图12是沿图11的线XI-XI’截取的显示装置的示意性截面图；并且
图13是根据一个或多个实施例的显示装置的一部分的示意性截面。
具体实施例
现在将详细地参考其示例在附图中被图示的实施例，在附图中，相同的附图标记始终指相同的元件。就此而言，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在本文中阐述的描述。相应地，以下仅通过参考附图来描述实施例以解释本描述的方面。
可以对本实施例应用各种修改，并且具体实施例将在附图中被图示并在详细描述部分中被描述。参考以下结合附图的详细描述，本实施例的效果和特征以及用以实现该效果和特征的方法将更清楚。然而，本实施例可以以各种形式被实现，不限于以下所呈现的实施例。
在下文中，将参考附图详细描述示例性实施例，并且在参考附图的描述中，相同或对应的组成元件由相同的附图标记指示，并且其冗余描述被省略。
在下面的实施例中，将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中被使用以描述各种部件，但是这些部件不应受这些术语的限制，并且这些术语仅被用于将一个部件与另一部件区分开。
在下面的实施例中，单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指示。
在下面的实施例中，将进一步理解，在本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指明所陈述的特征或部件的存在，但是不排除一个或多个其他的特征或部件的存在或附加。
在下面的实施例中，将理解，当层、区或部件被称为“形成在”另一层、区或部件“上”时，该层、区或部件可以直接或间接地形成在该另一层、区或部件上，并且，例如，可以存在居间层、区或部件。
为了便于解释，附图中的部件的尺寸可以被夸大。换言之，由于为了便于解释而任意地图示附图中的部件的尺寸和厚度，因此下面的实施例不限于此。
当某个实施例可以被不同地实现时，特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时被执行或者以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
在说明书中，诸如“A和/或B”的表述可以包括A、B、或者A和B。诸如“A和B中的至少一个”的表述可以包括A、B、或者A和B。
在下面的实施例中，将理解，当层、区或部件被称为“连接到”另一层、区或部件时，该层、区或部件可以直接连接到该另一层、区或部件，或者经由居间层、区或部件间接连接到该另一层、区或部件。例如，在说明书中，当层、区或部件被称为电连接到另一层、区或部件时，该层、区或部件可以直接电连接到该另一层、区或部件，或者经由居间层、区或部件间接电连接到该另一层、区或部件。
x方向、y方向和z方向不限于直角坐标系的三个轴对应的方向，并且可以在更广泛的意义上被解释。例如，x方向、y方向和z方向可以彼此垂直，或者可以表示不彼此垂直的不同方向。
图1是根据一个或多个实施例的显示装置1的示意性透视图。
参考图1，显示装置1可以包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的外围区域PA。显示装置1可以通过显示区域DA中的多个像素PX的阵列来提供图像。像素PX可以被限定为其中发光元件发光的发光区域。换言之，可以通过由发光元件通过像素PX发射的光来提供图像。发光元件可以被像素电路驱动。发光元件和像素电路可以布置在显示区域DA中。此外，电连接到像素电路的各种信号布线和电源布线等可以布置在显示区域DA中。
作为其中不提供图像的区域的外围区域PA可以完全地或部分地围绕显示区域DA。用以向显示区域DA提供电信号或电力的各种布线和驱动电路等可以布置在外围区域PA中。
当在垂直于显示装置1的一个表面的方向上观看时，显示装置1可以具有近似矩形形状。例如，如图1中图示的，显示装置1通常可以具有包括例如在x方向上延伸的短边和在y方向上延伸的长边的矩形平面形状。如图1中图示的，在x方向上的短边和在y方向上的长边相交的角可以具有直角形状，或者可以具有带有一定曲率的圆形形状。显示装置1的平面形状不限于矩形，并且可以具有各种形状，诸如多边形(诸如三角形等)、圆形、椭圆形和无定形等。
尽管图1图示了具有平坦的显示表面的显示装置1，但是本公开不限于此。在另一实施例中，显示装置1可以包括3D显示表面或弯曲的显示表面。当显示装置1包括3D显示表面时，显示装置1可以包括指示不同方向的多个显示区域，例如，多边形柱型显示表面。在另一实施例中，当显示装置1包括弯曲的显示表面时，显示装置1可以以各种形式被实现，诸如柔性的、可折叠的或可卷曲的显示装置等。
在下面的描述中，为了便于解释，尽管显示装置1被描述为用于智能电话，但是根据本公开的显示装置1不限于此。显示装置1不仅可以用作诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(“PMP”)、导航设备和超移动个人电脑(“UMPC”)等的便携式电子装置的显示屏，而且还可以用作诸如电视机、笔记本电脑、监视器、广告牌和物联网(“IOT”)设备等各种产品的显示屏。此外，根据实施例的显示装置1可以用于诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(“HMD”)的可穿戴设备。此外，根据实施例的显示装置1可以用作交通工具的仪表面板的显示器、布置在交通工具的中央仪表盘或仪表板上的中央信息显示器(“CID”)、取代交通工具的侧后视镜的车内后视镜显示器或者布置在前座的背面作为用于交通工具的后座的娱乐的显示器。
此外，在下面的描述中，尽管显示装置1被描述为包括有机发光二极管(“OLED”)的发光显示装置，但是根据本公开的显示装置1不限于此。在另一实施例中，显示装置1可以是包括无机发光二极管的发光显示装置，即，无机发光显示装置。在另一实施例中，显示装置1可以是量子点发光显示装置。
图2A和图2B是根据本公开的实施例的沿图1的线II-II’截取的显示装置1的示意性截面图。
参考图2A，显示装置1可以包括基板100和设置在基板100上的显示层200。作为示例，基板100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。例如，基板100可以包括包含SiOx作为主要成分的玻璃材料，或者包括诸如强化塑料的树脂。
显示层200可以位于显示区域DA中，并且可以包括像素电路和电连接到像素电路的发光元件。像素电路可以包括存储电容器和多个薄膜晶体管。发光元件可以被像素电路驱动，并且可以通过像素来发光。发光元件可以包括发光二极管(例如，OLED)。
显示层200可以被封装构件覆盖。例如，显示层200可以被封装基板300覆盖。封装基板300可以包括玻璃材料或聚合物树脂。例如，封装基板300可以包括包含SiOx作为主要成分的玻璃材料，或者包括诸如强化塑料的树脂。
封装基板300可以被设置为面向基板100，并且密封剂ST可以设置在基板100与封装基板300之间。密封剂ST可以位于外围区域PA中，并且被提供在基板100与封装基板300之间。密封剂ST可以将基板100和封装基板300结合在一起。密封剂ST可以完全地围绕显示层200。例如，当从与基板100的上表面垂直的方向上观看时，即，在平面图中，显示区域DA可以被密封剂ST完全地围绕。
参考图2B，显示装置1’可以包括基板100’、基板100’上的显示层200以及作为封装构件覆盖显示层200的封装层400。封装层400可以在平面图中覆盖显示区域DA的全部，并且覆盖外围区域PA的至少一部分。
封装层400可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，图2B图示了包括第一无机封装层410、第二无机封装层430以及在第一无机封装层410和第二无机封装层430之间的有机封装层420的封装层400。
第一无机封装层410和第二无机封装层430可以各自包括一种或多种无机绝缘材料。第一无机封装层410和第二无机封装层430可以各自包括一种或多种诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)的无机绝缘材料。在实施例中，第一无机封装层410和第二无机封装层430可以通过化学气相沉积(“CVD”)方法等被形成。
有机封装层420可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。例如，有机封装层420可以包括丙烯酸树脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯和聚丙烯酸等。
在实施例中，基板100’可以包括聚合物树脂，并且可以被形成为多层。例如，如图2B中图示的，基板100’可以具有第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104的堆叠结构。
第一基底层101和第二基底层103可以各自包括聚合物树脂。例如，第一基底层101和第二基底层103可以各自包括聚酰亚胺(“PI”)、聚醚砜(“PES”)、聚芳酯、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚碳酸酯(“PC”)、三乙酸纤维素(“TAC”)或/和乙酸丙酸纤维素(“CAP”)等。
分别作为阻挡层以防止外部异物渗入的第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括无机材料，诸如SiOx、SiNx和SiOxNy。
正因如此，当显示装置1’包括具有包括聚合物树脂的多层结构的基板100’以及封装层400时，显示装置1’的柔性可以被提高。
图3是根据一个或多个实施例的显示装置1中的任何一个像素电路的等效电路图。
参考图3，像素电路PC可以包括存储电容器和多个薄膜晶体管，并且像素电路PC可以电连接到有机发光二极管OLED。在实施例中，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。
开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以基于从扫描线SL输入的扫描信号或开关电压将从数据线DL输入的数据信号或数据电压传输到驱动薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和经由驱动电压线PL供应的驱动电力电压ELVDD之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以对应于在存储电容器Cst中存储的电压的值而控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED的公共电极(例如，阴极)可以接收公共电力电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以通过驱动电流发射具有一定亮度的光。
尽管像素电路PC被描述为包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。例如，像素电路PC可以包括三个或更多个薄膜晶体管和/或两个或更多个存储电容器。在实施例中，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而以各种方式被改变。在下面的描述中，为了便于解释，像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况被描述。
图4是根据一个或多个实施例的显示装置1的示意性平面图。如在本文中使用的，“平面图”为在z方向上观看的视图。
参考图4，显示装置1可以包括基板100，并且在显示装置1中被提供并且在以下被描述的各种组成元件可以设置在基板100上。在平面图中，基板100可以包括限定基板100形状的多个边缘100E。例如，基板100可以包括在x方向上延伸的第一边缘100E1和第二边缘100E2以及在y方向上延伸的第三边缘100E3和第四边缘100E4。第一边缘100E1和第二边缘100E2可以位于相反侧，并且第三边缘100E3和第四边缘100E4可以位于相反侧。
显示装置1可以包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的外围区域PA。
像素电路PC可以布置在显示区域DA中。像素电路PC可以电连接到在x方向上延伸的扫描线SL以及在与x方向交叉的y方向上延伸的数据线DL和驱动电压线PL。像素电路PC可以驱动作为发光元件被提供的有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
在平面图中，外围区域PA可以围绕显示区域DA。例如，外围区域PA可以完全地或部分地围绕显示区域DA。作为其中不布置有机发光二极管OLED的区域的外围区域PA可以是其中不提供图像的非显示区域。焊盘部分20、驱动单元40和42、驱动电源层60和公共电源层70等可以布置在外围区域PA中。
焊盘部分20可以布置在基板100的一侧，例如，布置在基板100的第一边缘100E1的一侧。焊盘部分20可以布置在显示区域DA的外部，并被暴露而不被绝缘层覆盖，并且可以电连接到印刷电路板(未示出)，例如，电连接到其上安装有数据驱动电路等的柔性印刷电路板。焊盘部分20可以包括印刷电路板和各种电子元件等电附接至其的第一至第四端子21、22、23和24。
驱动单元40和42可以布置在例如显示区域DA的两侧。如图4中图示的，驱动单元40和42可以分别被提供在基板100的第三边缘100E3与显示区域DA之间以及基板100的第四边缘100E4与显示区域DA之间。驱动单元40和42可以各自包括例如扫描驱动电路。扫描驱动电路可以生成扫描信号并经由扫描线SL将扫描信号传输到每个像素电路PC。驱动单元40和42可以连接到焊盘部分20的第一端子21，并且可以通过第一端子21从外部控制单元接收电信号。尽管驱动单元40和42被描述为布置在显示区域DA的两侧，但是本公开不限于此。在另一实施例中，仅驱动单元40和42中的一个可以被提供并布置在显示区域DA的一侧。在一些实施例中，驱动单元40和42可以进一步包括发光控制电路。
驱动电源层60可以布置在显示区域DA的一侧，例如，在焊盘部分20与显示区域DA之间。驱动电源层60可以连接到焊盘部分20的第二端子22，并且可以通过第二端子22从外部电力单元接收驱动电力电压ELVDD的施加。驱动电源层60可以经由驱动电压线PL将驱动电力电压ELVDD提供给每个像素电路PC。
公共电源层70可以部分地围绕显示区域DA。例如，是其中基板100的第一边缘100E1的一侧为开口的环状形式的公共电源层70可以沿基板100的第二至第四边缘100E2、100E3和100E4延伸。公共电源层70可以连接到焊盘部分20的第三端子23，并且可以通过第三端子23从外部电力单元接收公共电力电压ELVSS的施加。公共电源层70可以将公共电力电压ELVSS提供给每个有机发光二极管OLED的对电极。
以上描述的数据线DL可以电连接到焊盘部分20的第四端子24，并且可以通过第四端子24从印刷电路板接收数据信号。
在实施例中，封装基板300可以设置在基板100上，并且密封剂ST可以提供在基板100与封装基板300之间。例如，封装基板300可以在平面图中具有小于基板100的面积，并且布置在基板100的第一边缘100E1的一侧处的焊盘部分20可以被暴露而不被封装基板300覆盖。
密封剂ST可以包括例如无机材料(诸如，玻璃料)。在另一实施例中，密封剂ST可以包括环氧树脂等。密封剂ST可以位于外围区域PA中，并且如图4中图示的，密封剂ST可以在平面图中完全地围绕显示区域DA。相应地，由基板100、封装基板300和密封剂ST形成的空间可以被外部阻挡，从而可以防止外部湿气或杂质渗入显示装置1。
根据实施例，显示装置1可以包括位于外围区域PA中的多个金属图案80。金属图案80可以沿边缘100E被放置并布置在基板100上。在平面图中，金属图案80可以围绕显示区域DA的至少一部分。在示例中，如在图4中图示的，金属图案80可以沿基板100的第二边缘100E2、第三边缘100E3和第四边缘100E4布置，并且可以围绕显示区域DA的三个侧。在另一实施例中，金属图案80可以沿基板100的第一至第四边缘100E1、100E2、100E3和100E4中的所有布置，并且可以完全地围绕显示区域DA。
布置在基板100最外侧的金属图案80可以在显示装置1的使用期间防止外部静电流入显示装置1。此外，金属图案80可以用于使在显示装置1的制造或使用期间产生的静电放电或分散。相应地，可以防止导致显示装置1的缺陷的、由于静电侵入到显示区域DA中而对有机发光二极管OLED和/或像素电路PC等造成损伤。
图5是示出根据一个或多个实施例的显示装置1的一部分的示意性放大平面。图5可以对应于图4的显示装置1的部分V。
参考图5，在平面图中，金属图案80可以位于外围区域PA中以彼此隔开。例如，金属图案80可以在沿基板100的边缘100E的方向上彼此隔开布置。换言之，金属图案80可以各自具有岛形状或孤立的形状。
在实施例中，金属图案80中的每个金属图案80可以包括多个狭缝SLT。狭缝SLT中的每个狭缝SLT可以通过在金属图案80的厚度方向(例如，z方向)上穿透金属图案80中的对应的一个金属图案80来形成。狭缝SLT中的每个狭缝SLT可以在从显示区域DA到外部的方向(即，y方向)上延伸。
如以上描述的，由于金属图案80彼此隔开布置，并且金属图案80中的每个金属图案80包括多个狭缝SLT，如在平面图中所见，金属图案80的总面积可以被减少。由于金属图案80的总面积减少，因此金属图案80的总电容可以被减少。由于静电的电荷可能由于各种物理接触等积聚在金属图案80中，因此在显示装置1的制造期间，积聚在金属图案80中的电荷的最大量可以通过减少金属图案80的总电容被减少。相应地，积聚的电荷流入显示区域DA，并且因此，损坏绝缘层的不利影响可以被降低。
金属图案80中的每个金属图案80可以在从显示区域DA到基板100的边缘100E中的每个的方向上延伸。详细地，金属图案80中的每个金属图案80可以具有沿基板100的边缘100E(即，x方向)的宽度W和在与边缘100E交叉的方向(即，y方向)上的长度。例如，宽度W可以是0.1毫米(mm)至1.0mm。在金属图案80中的每个金属图案80中，长度L可以大于宽度W。如上的金属图案80可以用作避雷针。换言之，外部静电可以优先被金属图案80导入，并且被防止通过其他路径流入显示区域DA。
在实施例中，公共电源层70可以经由第一接触孔CNT1电连接到金属图案80。为此，公共电源层70可以在平面图中与金属图案80的至少一部分重叠。第一接触孔CNT1可以位于公共电源层70和金属图案80彼此重叠的区域中。在实施例中，为了减少在平面图中公共电源层70与金属图案80之间的重叠区，第一接触孔CNT1可以位于公共电源层70和金属图案80中的每个的端部。
金属图案80可以从公共电源层70接收公共电力电压ELVSS的施加。换言之，金属图案80可以接收恒定电压的施加。相应地，在显示装置1的制造或使用期间产生的静电可以被稳定且有效地放电或分散。例如，在显示装置1的制造期间积聚的电荷可以被有效地放电或分散到金属图案80，并且在显示装置1的制造或使用期间被金属图案80导入的外部静电可以被有效地放电或分散。
图6是根据一个或多个实施例的显示装置1的示意性截面图，该示意性截面图对应于沿图5的线VI-VI’截取的显示装置1的截面图。
参考图6，显示装置1(参见图2A)可以包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的外围区域PA。像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED可以位于显示区域DA中。密封剂ST、公共电源层70、连接导电层215和金属图案80等可以位于外围区域PA中。显示装置1的组成元件布置在基板100上。
基板100可以包括各种材料，例如，玻璃材料、石英、金属材料或聚合物树脂(诸如PET、PEN和聚酰亚胺等)，并且具有单层或多层结构。为了便于解释，尽管图6的基板100被描述为具有包括玻璃材料的单层结构，但是本公开不限于此。
缓冲层111可以设置在基板100上。缓冲层111可以减少或阻挡来自基板100外部的异物、湿气或外部空气的渗入，并且为基板100提供平坦化的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化硅(SiOx)、SiNx、氮氧化硅(SiON)的无机材料、有机材料、或者有机/无机复合物，并且可以具有无机材料和有机材料的单层或多层结构。
像素电路PC可以设置在缓冲层111上。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。为了便于图示，图6图示了一个薄膜晶体管TFT和一个存储电容器Cst，并且像素电路PC的堆叠结构被相应地描述。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、在平面图中与半导体层Act重叠的栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。半导体层Act可以包括多晶硅、非晶硅或氧化物半导体材料。半导体层Act可以包括沟道区以及布置在沟道区的两侧的源区和漏区。作为具有比沟道区的电阻小的电阻的区域的源区和漏区可以通过杂质掺杂工艺或导电工艺被形成。
栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等的导电材料，并且可以具有包括以上描述的材料的多层或单层结构。例如，栅电极GE可以包括Mo层和Al层，或者具有Mo/Al/Mo的多层结构。
源电极SE和漏电极DE也可以包括包含Mo、Al、Cu和Ti等的导电材料，并且可以具有包括以上描述的材料的多层或单层结构。例如，源电极SE和漏电极DE可以包括Ti层和Al层，或者可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。源电极SE和漏电极DE可以各自连接到半导体层Act的源区和漏区。在一些实施例中，源区和漏区可以分别与薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE相对应。
存储电容器Cst可以包括在平面图中彼此重叠的第一电容器板Cst1和第二电容器板Cst2。
在一些实施例中，如图6中图示的，存储电容器Cst可以被设置为与薄膜晶体管TFT重叠，并且在这种情况下，第一电容器板Cst1可以是薄膜晶体管TFT的栅电极GE。然而，本公开不限于此，并且在另一实施例中，存储电容器Cst可以在平面图中不与薄膜晶体管TFT重叠。在这种情况下，第一电容器板Cst1可以是与薄膜晶体管TFT的栅电极GE分开的独立的组成元件。
第二电容器板Cst2可以包括Al、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、Mo、Ti、钨(W)和/或Cu，并且可以是以上描述的材料的单层或多层。在实施例中，第二电容器板Cst2可以是包括Mo的金属层。
为了确保半导体层Act与栅电极GE之间的绝缘，第一栅绝缘层112可以被提供在半导体层Act与栅电极GE之间。第一栅绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、氧化铪(HfO2)或ZnO2等。第一栅绝缘层112可以是包括以上描述的无机绝缘材料的单层或多层。
第二栅绝缘层113可以被提供在栅电极GE与存储电容器Cst的第二电容器板Cst2之间。第二栅绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2等，并且可以包括以上描述的材料的单层或多层。
层间绝缘层114可以设置在存储电容器Cst的第二电容器板Cst2上。层间绝缘层114可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2等，并且可以包括以上描述的材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以设置在层间绝缘层114上。此外，导电线CL可以设置在层间绝缘层114上。导电线CL可以对应于例如图3的驱动电压线PL。导电线CL可以与源电极SE和漏电极DE在同一工艺中形成，并且可以与源电极SE和漏电极DE包括相同的材料。
钝化层115可以设置在源电极SE、漏电极DE和导电线CL上。钝化层115可以覆盖源电极SE、漏电极DE和导电线CL。钝化层115可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2等，并且可以是包括以上描述的无机绝缘材料的单层或多层。
平坦化层117可以设置在钝化层115上。平坦化层117可以具有平坦的上表面，使得设置在平坦的上表面上的像素电极210可以被平坦地形成。为此，在形成平坦化层117之后，化学机械抛光可以被执行以提供平坦的上表面。
平坦化层117可以具有包括有机材料或无机材料的单层或多层结构。例如，平坦化层117可以包括有机绝缘材料。正因如此，平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯(“BCB”)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)、聚苯乙烯(“PS”)或亚克力的有机绝缘材料。
有机发光二极管OLED可以设置在平坦化层117上。有机发光二极管OLED可以具有堆叠结构，该堆叠结构包括例如像素电极210、在像素电极210上的对电极230以及在像素电极210与对电极230之间的中间层220。
像素电极210可以设置在平坦化层117上。像素电极210可以通过钝化层115上的接触金属CM而电连接到薄膜晶体管TFT。例如，像素电极210可以经由穿透平坦化层117的接触孔而与接触金属CM接触，并且接触金属CM可以经由穿透钝化层115的接触孔而与薄膜晶体管TFT的源电极SE或漏电极DE接触。接触金属CM可以包括低电阻金属材料。
像素电极210可以包括诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)、氧化铟(“In2O3”)、氧化铟镓(“IGO”)或氧化铝锌(“AZO”)的导电氧化物。在另一实施例中，像素电极210可以包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射膜。在另一实施例中，像素电极210可以进一步包括在以上描述的反射膜上方/下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的膜。在一些实施例中，像素电极210可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以设置在平坦化层117上。在平面图中与像素电极210的一部分重叠的开口119OP可以限定在像素限定层119中。像素限定层119的开口119OP可以暴露像素电极210的中心部分，并且限定从有机发光二极管OLED发射的光的发光区域。例如，开口119OP的尺寸/宽度可以对应于发光区域的尺寸/宽度。相应地，像素PX(参见图1)的尺寸和/或宽度可以取决于像素限定层119的与像素PX相对应的开口119OP的尺寸和/或宽。
像素限定层119可以覆盖像素电极210的边缘。像素限定层119可以用以通过增加在像素电极210的边缘与在像素电极210上方的对电极230之间的距离来防止在像素电极210的边缘处发生电弧等。
像素限定层119可以通过诸如旋涂等方法由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂等的有机绝缘材料形成。
中间层220可以在平面图中被布置为与像素电极210重叠，并且可以包括发光层。中间层220的发光层可以包括发射特定颜色的光的聚合物或低分子量有机材料。可替代地，发光层可以包括无机发光材料或量子点。发光层可以发射红光、绿光或蓝光。发光层可以遍及像素电极210一体地形成，或者可以被图案化为与每个像素电极210相对应。
在一些实施例中，中间层220可以包括分别设置在发光层下方和上方的第一功能层和第二功能层。第一功能层可以包括例如空穴传输层，或者空穴传输层和空穴注入层。作为设置在发光层上方的组成元件的第二功能层可以包括电子传输层和/或电子注入层。第一功能层和/或第二功能层可以是覆盖显示区域DA的全部的公共层，如以下描述的对电极230。
对电极230可以设置在像素限定层119和像素电极210上，以在平面图中与像素电极210重叠。在实施例中，对电极230可以一体地形成为与像素电极210重叠。对电极230可以覆盖显示区域DA的全部。对电极230可以为透光电极或反射电极。在一些实施例中，对电极230可以是透明或半透明电极，并且可以包括具有相对小的功函数的、包括Li、Ca、Al、Ag、Mg和其化合物(例如，LiF)或者包括诸如氟化锂/钙(LiF/Ca)或氟化锂/铝(LiF/Al)的多层结构的金属薄膜。此外，除了金属薄膜之外，对电极230可以进一步包括包含诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3等的透明导电氧化物(“TCO”)膜。
在一些实施例中，封盖层(未示出)可以形成在对电极230上。封盖层可以包括有机绝缘材料和/或诸如LiF、SiOx、SiNx和SiOxNy的无机绝缘材料。
根据实施例，显示装置1可以包括被提供在基板100与薄膜晶体管TFT之间的底部金属层BML。作为示例，底部金属层BML可以直接设置在基板100的上表面上，并且被缓冲层111覆盖。底部金属层BML可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo和Cu中的一种或多种金属材料。
在一些实施例中，底部金属层BML可以包括遮光材料。底部金属层BML可以被布置为在平面图中与薄膜晶体管TFT重叠。在一些实施例中，底部金属层BML可以连接到导电线CL，并且可以经由导电线CL接收恒定电压的施加。底部金属层BML可以提高和/或稳定薄膜晶体管TFT的特性。
以上描述的在基板100上的堆叠结构，例如，从底部金属层BML到对电极230的堆叠结构可以形成显示层200。
在实施例中，显示装置1可以包括被布置为面向基板100的封装基板300。封装基板300可以设置在基板100上方，使得显示层200介于基板100和封装基板300之间。封装基板300可以包括透明材料。例如，封装基板300可以包括玻璃材料或塑料材料，诸如PET、PEN和聚酰亚胺等，但是本公开不限于此。
密封剂ST可以介于基板100与封装基板300之间，并且位于外围区域PA中。密封剂ST可以附接到例如封装基板300，并且可以附接到基板100上的钝化层115。密封剂ST可以包括面向显示区域DA的内表面S2和作为与内表面S2相反的表面的外表面S1。如以上描述的，密封剂ST可以防止外部湿气、异物和外部空气渗入显示装置1的显示区域DA。
根据实施例，金属图案80可以布置在基板100上、外围区域PA中。金属图案80可以与显示区域DA隔开布置。金属图案80可以阻挡外部静电流入显示区域DA。
在平面图中，金属图案80中的每个金属图案80可以被布置为比密封剂ST的外表面S1远离显示区域DA。例如，金属图案80中的每个金属图案80可以包括面向显示区域DA的内边缘80E2和与内边缘80E2相反的外边缘80E1，并且金属图案80中的每个金属图案80的外边缘80E1可以被放置为比密封剂ST的外表面S1靠近基板100的边缘100E。相应地，外部静电可以被优先导入到靠近基板100的边缘100E的金属图案80，并且可以被防止经由其他路径流入显示区域DA。
在实施例中，金属图案80可以与底部金属层BML在同一工艺中形成，可以与底部金属层BML包括相同的材料，并且可以被图案化为与底部金属层BML隔开。金属图案80可以介于基板100与缓冲层111之间，并且缓冲层111可以设置在金属图案80上。此外，缓冲层111上的绝缘层(例如，第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114)可以设置在金属图案80上。金属图案80可以被缓冲层111以及绝缘层112、113和114覆盖。正因如此，由于金属图案80被缓冲层111以及绝缘层112、113和114很厚地覆盖，因此即使如以上描述的当金属图案80比密封剂ST远离显示区域DA时，金属图案80也可以被保护免受外部异物、外部空气和外部湿气的影响。
公共电源层70可以位于外围区域PA中，并且设置在金属图案80上方，使得至少一个绝缘层介于公共电源层70与金属图案80之间。例如，公共电源层70可以设置在层间绝缘层114上，并且缓冲层111、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114可以介于公共电源层70与金属图案80之间。在实施例中，公共电源层70可以与导电线CL、源电极SE和漏电极DE在同一工艺中形成，并且可以包括与导电线CL、源电极SE和漏电极DE相同的材料。
在平面图中，公共电源层70可以与金属图案80部分地重叠。在平面图中，第一接触孔CNT1可以位于其中公共电源层70和金属图案80中的每个金属图案80彼此重叠的区域中。公共电源层70可以经由第一接触孔CNT1电连接到金属图案80。第一接触孔CNT1可以限定在公共电源层70与金属图案80之间的绝缘层中。例如，第一接触孔CNT1可以被形成为穿透缓冲层111、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114。
在显示装置1的制造期间，通过在形成金属图案80之后执行的工艺，电荷可能积聚在金属图案80中。当积聚的电荷流入显示区域DA时，像素电路PC和/或有机发光二极管OLED可能被损坏。然而，由于公共电源层70电连接到金属图案80，因此恒定电压(例如，公共电力电压ELVSS)可以被施加到金属图案80。相应地，积聚在金属图案80中的电荷可以被有效地分散或放电。另外，在显示装置1的使用期间，通过金属图案80流入的外部静电可以被有效地分散或放电。
在实施例中，在平面图中，第一接触孔CNT1可以相比于密封剂ST的外表面S1位于内侧(即，靠近显示区域DA)。此外，在平面图中，公共电源层70的边缘可以相比于密封剂ST的外表面S1位于内侧。例如，公共电源层70可以包括面向显示区域DA的内边缘70E2和与内边缘70E2相反的外边缘70E1。公共电源层70的外边缘70E1和内边缘70E2两者可以相比于密封剂ST的外表面S1位于内侧。即，外边缘70E1和内边缘70E2两者可以被放置为比外表面S1靠近显示区域DA。在一些实施例中，图6图示了公共电源层70的外边缘70E1相比于密封剂ST的外表面S1位于内侧，并且被布置为在平面图中与密封剂ST重叠。正因如此，由于在平面图中第一接触孔CNT1和公共电源层70的任何部分相比于密封剂ST的外表面S1都不被布置在外侧(被放置为远离显示区域DA)，因此公共电源层70和第一接触孔CNT1可以被密封剂ST保护，并且相应地，可以有效地减少外部异物、外部湿气和外部空气等通过公共电源层70和第一接触孔CNT1渗入显示区域DA。
公共电源层70可以电连接到有机发光二极管OLED的对电极230。例如，公共电源层70可以通过连接导电层215而电连接到对电极230。连接导电层215例如可以与像素电极210在同一工艺中形成，并且可以与像素电极210包括相同的材料。对电极230可以从显示区域DA延伸至外围区域PA，并且可以接触连接导电层215的上表面。此外，连接导电层215可以经由限定于在连接导电层215之下的钝化层115中的接触孔而接触公共电源层70。相应地，对电极230可以从公共电源层70接收公共电力电压ELVSS。
图7是示出根据一个或多个实施例的显示装置1的一部分的示意性截面图。图7示出了修改后的图6的实施例，并且因此，附图中的冗余描述被省略，并且下面仅呈现它们之间的区别。
参考图7，金属图案80可以与薄膜晶体管TFT的栅电极GE在同一工艺中形成，可以与薄膜晶体管TFT的栅电极GE包括相同的材料，并且可以被图案化为与栅电极GE隔开。例如，金属图案80可以设置在第一栅绝缘层112与第二栅绝缘层113之间。在这种情况下，第二栅绝缘层113、层间绝缘层114和钝化层115可以设置在金属图案80上。将金属图案80和公共电源层70彼此电连接的第二接触孔CNT2可以限定在第二栅绝缘层113和层间绝缘层114中。正因如此，由于金属图案80被下方的缓冲层111和第一栅绝缘层112覆盖并且被上方的第二栅绝缘层113和层间绝缘层114覆盖，因此即使如以上描述的当金属图案80相比于密封剂ST的外表面S1位于外侧(即，远离显示区域DA)时，金属图案80也可以被保护免受外部异物、外部空气和外部湿气的影响。
图8是示出根据一个或多个实施例的显示装置1的一部分的示意性截面图。图8示出了修改后的图6的实施例，并且因此，附图中的冗余描述被省略，并且以下仅呈现它们之间的区别。
参考图8，金属图案80可以包括设置在不同层上的多个第一金属图案81和多个第二金属图案82。第一金属图案81和第二金属图案82可以都位于外围区域PA中，并且可以与显示区域DA隔开布置。在平面图中，第一金属图案81和第二金属图案82可以至少部分地彼此重叠。
在实施例中，第一金属图案81可以与底部金属层BML在同一工艺中形成，可以与底部金属层BML包括相同的材料，并且可以被图案化为与底部金属层BML隔开。例如，第一金属图案81可以介于基板100与缓冲层111之间。
第二金属图案82可以设置在第一金属图案81上方。例如，第二金属图案82可以与薄膜晶体管TFT的栅电极GE在同一工艺中形成，可以与薄膜晶体管TFT的栅电极GE包括相同的材料，并且可以被图案化为与栅电极GE间隔开。例如，第二金属图案82可以设置在第一栅绝缘层112上且在第二栅绝缘层113和层间绝缘层114下方。
正因如此，由于金属图案80中的每个金属图案80包括设置在不同层上的第一金属图案81和第二金属图案82，因此可以在同一区域中设置更多数量的金属图案80，并且相应地，可以提高通过金属图案80执行的防静电功能。
公共电源层70可以电连接到第一金属图案81和第二金属图案82中的每个。例如，公共电源层70可以经由第一接触孔CNT1电连接到第一金属图案81，并且经由第二接触孔CNT2电连接到第二金属图案82。第一接触孔CNT1可以限定在缓冲层111和绝缘层中，例如，可以限定在介于公共电源层70与第一金属图案81之间的缓冲层111、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114中。第二接触孔CNT2可以限定在绝缘层中，例如，可以限定在介于公共电源层70与第二金属图案82之间的第二栅极绝缘层113和层间绝缘层114中。
在平面图中，第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2两者可以相比于密封剂ST的外表面S1位于内侧(即，靠近显示区域DA)。相应地，可以减少外部湿气、异物和外部空气通过第一接触孔CNT1和/或第二接触孔CNT2渗入显示区域DA。
图9是示出根据一个或多个实施例的显示装置1’的一部分的示意性放大平面图，并且图10是沿图9的线X-X’截取的显示装置1’的示意性截面图。
参考图9和图10，显示装置1’可以包括覆盖显示区域DA并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的封装层400。在实施例中，封装层400可以包括以上参考图2B描述的第一无机封装层410、第二无机封装层430以及在第一无机封装层410和第二无机封装层430之间的有机封装层420，并且因此，它们的冗余描述被省略。
在实施例中，在平面图中，金属图案80中的每个金属图案80可以向外突出(即，突出显示区域DA的外侧)超过至少一个无机封装层的边缘。例如，金属图案80中的每个金属图案80可以包括面向显示区域DA的内边缘80E2和与内边缘80E2相反的外边缘80E1，并且金属图案80中的每个金属图案80的外边缘80E1可以被布置为比第一无机封装层410的边缘410E和第二无机封装层430的边缘430E中的每个靠近基板100的边缘100E。相应地，外部静电可以优先被导入到靠近基板100的边缘100E的金属图案80，并且外部静电可以被有效地防止通过其他路径渗入显示区域DA。
在实施例中，在平面图中，封装层400的第一无机封装层410和第二无机封装层430可以从显示区域DA延伸至外围区域PA，并且可以覆盖公共电源层70的全部。相应地，可以减少外部异物、外部湿气和外部空气等通过公共电源层70渗入显示区域DA。
在实施例中，金属图案80可以包括设置在不同层上的第一金属图案81和第二金属图案82。第一金属图案81可以与底部金属层BML在同一工艺中形成，可以与底部金属层BML包括相同的材料，并且可以被图案化为与底部金属层BML间隔开。第二金属图案82可以设置在第一金属图案81上方。例如，第二金属图案82可以与薄膜晶体管TFT的栅电极GE在同一工艺中形成，可以与薄膜晶体管TFT的栅电极GE包括相同的材料，并且可以被图案化为与栅电极GE间隔开。
正因如此，由于金属图案80中的每个金属图案80包括设置在不同层上的第一金属图案81和第二金属图案82，因此可以在同一区域中设置更多数量的金属图案80，并且相应地，可以提高通过金属图案80执行的防静电功能。
公共电源层70可以电连接到第一金属图案81和第二金属图案82中的每个。例如，公共电源层70可以经由第一接触孔CNT1电连接到第一金属图案81，并且经由第二接触孔CNT2电连接到第二金属图案82。
在平面图中，第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2两者可以相比于至少一个无机封装层的边缘位于内侧(即，靠近显示区域DA)。例如，在平面图中，第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2可以相比于第一无机封装层410的边缘410E和第二无机封装层430的边缘430E位于内侧。相应地，可以减少外部湿气、异物和外部空气通过第一接触孔CNT1和/或第二接触孔CNT2渗入显示区域DA。
在以上描述的图9和图10的实施例中，金属图案80被描述为设置在不同层上，但是本公开不限于此。在另一实施例中，在包括封装层400的显示装置1’中，金属图案80可以设置在一层上，如在图6和图7的实施例中。例如，如在图6中，包括图9和图10的封装层400的显示装置1’可以包括与底部金属层BML在同一工艺中形成并且设置在缓冲层111下方的金属图案80，或者，如在图7中，可以包括与栅电极GE在同一工艺中形成并且布置在第一栅绝缘层112与第二栅绝缘层113之间的金属图案80。
图11是示出根据一个或多个实施例的显示装置1”的一部分的示意性放大平面图，并且图12是沿图11的线XI-XI’截取的显示装置1”的示意性截面图。
参考图11和12，显示装置1”可以包括被布置为面向基板100的封装基板300以及覆盖显示区域DA并包括至少一个无机封装层410和430和至少一个有机封装层420的封装层400。
在实施例中，封装基板300可以包括玻璃材料或聚合物树脂，这在以上参考图2A被描述，并且因此，它们的冗余描述被省略。
在实施例中，堤层530被形成，在堤层530中，开口530OP在平面图中与在像素限定层119中限定的开口119OP重叠，位于堤层530的开口530OP中的量子点层520和位于量子点层520与封装基板300之间的滤色器层510等可以被提供在封装基板300的面向显示层200的一个表面上。
在实施例中，量子点层520可以将穿过量子点层520的、属于第一波段的波长的光转换为属于第二波段的波长的光，并且滤色器层510可以是仅透射穿过量子点层520并具有属于第二波段的波长的光的层。例如，第一波段可以为约450纳米(nm)至约495nm，并且第二波段可以为约625nm至约780nm。在这种情况下，从发光层发射的蓝光在穿过量子点层520的同时，可以被转换为约625nm至约780nm的波长的红光，并且在穿过量子点层520的光当中，仅约625nm至约780nm的波长的红光可以穿过滤色器层510。滤色器层510可以增加发射到外部的红光的色纯度。
在实施例中，量子点层520可以将穿过量子点层520的、属于第一波段的波长的光转换为属于第三波段的波长的光，并且滤色器层510可以是在穿过量子点层520的光当中仅透射具有属于第三波段的波长的光的层。例如，第一波段可以为约450nm至约495nm，并且第三波段可以为约495nm至约570nm。在这种情况下，从发光层发射的蓝光在穿过量子点层520的同时，可以被转换为约495nm至约570nm的波长的绿光，并且在穿过量子点层520的光当中，仅约495nm至约570nm的波长的绿光可以穿过滤色器层510。滤色器层510可以增加发射到外部的绿光的色纯度。
在实施例中，量子点层520可以不位于堤层530的开口530OP中，或者透光层而不是量子点层520可以设置在开口530OP中，并且布置在透光层与封装基板300之间的滤色器层510可以为仅透射第一波段的波长的光的层。例如，当第一波段为约450nm至约495nm时，从发光层发射的蓝光可以穿过透光层，并且在穿过透光层的光当中，仅约450nm至约495nm的波长的蓝光可以穿过滤色器层510。滤色器层510可以增加发射到外部的蓝光的色纯度。
尽管以上描述的实施例是关于在图12的截面图中图示的一个像素的各种实施例，但是本实施例的显示装置1”可以包括包含以上描述的实施例的所有像素的多个单位像素。
例如，一个单位像素的第一像素可以包括发射在第一波段中的波长的光的发光层、将从发光层发射的在第一波段中的波长的光转换为在第二波段中的波长的光的第一量子点层以及在穿过第一量子点层的光当中仅透射在第二波段中的波长的光的第一滤色器层。该单位像素的第二像素可以包括发射在第一波段中的波长的光的发光层、将从发光层发射的在第一波段中的波长的光转换为在第三波段中的波长的光的第二量子点层以及在穿过第二量子点层的光当中仅透射在第三波段中的波长的光的第二滤色器层。该单位像素的第三像素可以包括发射在第一波段中的波长的光的发光层、透光层以及在穿过透光层的光当中仅透射在第一波段中的波长的光的第三滤色器层。例如，由于一个单位像素的第一像素至第三像素的发光层发射蓝光，从发光层发射的蓝光分别穿过第一量子点层、第二量子点层和透光层，并且穿过第一量子点层、第二量子点层和透光层的光分别穿过第一滤色器层至第三滤色器层，第一像素至第三像素可以分别发射红光、绿光和蓝光。相应地，该单位像素可以发射白光。在中间层220中包括的发光层可以被图案化为单独地与在像素限定层119中限定的每个开口119OP相对应，或者可以一体地形成为在平面图中与像素电极210完全地重叠。
在实施例中，封装层400的第一无机封装层410和第二无机封装层430可以从显示区域DA延伸至外围区域PA。与图10的实施例的显示装置1’不同，根据本实施例的第一无机封装层410和第二无机封装层430可以在平面图中与公共电源层70的一部分重叠，并且可以不覆盖公共电源层70的全部。
密封剂ST可以设置在基板100与封装基板300之间。密封剂ST可以位于外围区域PA中，可以介于基板100与封装基板300之间，并且可以被布置为在平面图中与封装层400的第一无机封装层410和第二无机封装层430隔开。密封剂ST可以将基板100和封装基板300彼此结合。密封剂ST可以完全地围绕显示层200。例如，当从与基板100的上表面垂直的方向上观看时，即，在平面图中，显示区域DA可以被密封剂ST完全地围绕。
在实施例中，在平面图中，金属图案80中的每个金属图案80可以向外突出(即，突出显示区域DA的外侧)超过密封剂ST的边缘。例如，金属图案80中的每个金属图案80可以包括面向显示区域DA的内边缘80E2和与内边缘80E2相反的外边缘80E1，并且金属图案80中的每个金属图案80的外边缘80E1可以被布置为比密封剂ST的外表面S1靠近基板100的边缘100E。相应地，外部静电可以优先被导入到靠近基板100的边缘100E的金属图案80，并且外部静电可以被防止通过其他路径流入显示区域DA。
在实施例中，金属图案80可以包括设置在不同层上的第一金属图案81和第二金属图案82，这在以上参考图8被描述，并且因此，它们的冗余描述被省略。
公共电源层70可以分别经由第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2而电连接到第一金属图案81和第二金属图案82中的每个。
在平面图中，第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2两者可以相比于密封剂ST的外表面S1位于内侧(即，靠近显示区域DA)。此外，在平面图中，公共电源层70的边缘可以相比于密封剂ST的外表面S1位于内侧。例如，公共电源层70可以包括面向显示区域DA的内边缘70E2和与内边缘70E2相反的外边缘70E1，并且公共电源层70的外边缘70E1和内边缘70E2两者可以相比于密封剂ST的外表面S1位于内侧(即，靠近显示区域DA)。正因如此，在平面图中，由于第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2以及公共电源层70的任何部分都不被布置为相比于密封剂ST的外表面S1在外侧(即，远离显示区域DA)，因此公共电源层70以及第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2可以被密封剂ST有效地保护，并且相应地，可以减少外部异物、外部湿气和外部空气等通过公共电源层70以及第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2渗入显示区域DA。
图13示出了修改后的图12的实施例，并且因此，附图中的冗余描述被省略，并且以下仅呈现了它们之间的区别。
与图12的实施例相比，封装层400的第一无机封装层410和第二无机封装层430可以在平面图中进一步朝向密封剂ST延伸以与密封剂ST重叠。例如，在平面图中，第一无机封装层410和第二无机封装层430可以覆盖公共电源层70的全部。相应地，公共电源层70的外边缘70E1和内边缘70E2两者可以相比于密封剂ST的外表面S1以及第一无机封装层410和第二无机封装层430的边缘这两者位于内侧(即，靠近显示区域DA)。通过用第一无机封装层410和第二无机封装层430以及密封剂ST来双重覆盖第一接触孔CNT1和/或第二接触孔CNT2，可以有效地减少外部湿气、异物和外部空气通过第一接触孔CNT1和/或第二接触孔CNT2渗入显示区域DA。
在以上描述的图12和图13的实施例中，金属图案80被描述为布置在不同层上，但是本公开不限于此。在另一实施例中，与图6和图7的实施例相同，金属图案80可以布置在一层上。例如，图12和图13的显示装置1”可以包括如图6中所示的、与底部金属层BML在同一工艺中形成并且布置在缓冲层111下方的金属图案80，或者如图7中所示的、与栅电极GE在同一工艺中形成并且布置在第一栅绝缘层112与第二栅绝缘层113之间的金属图案80。
在以上描述的图12和图13的实施例中，密封剂ST的上表面被描述为直接接触封装基板300，但是在其他实施例中，可以进行各种修改，使得在平面图中堤层530可以延伸至密封剂ST以与密封剂ST部分地重叠，或者量子点层520和/或滤色器层510可以延伸至密封剂ST以与密封剂ST部分地重叠。
尽管以上仅主要描述了显示装置，但是本公开不限于此。例如，制造显示装置的方法也落入本发明的范围内。
根据以上描述的实施例，由于提供了电连接到公共电源层的多个金属图案，因此可以实现能够有效地使静电放电或分散的显示装置。本公开的范围不受以上效果的限制。
应理解，在本文中描述的实施例应仅在描述性意义上被考虑，并且不为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被考虑为可用于其他实施例中的其他类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在一个或多个实施例中进行形式和细节上的各种修改，而不背离由所附权利要求限定的精神和范围。

Claims (25)

1.一种显示装置，包括显示区域和位于所述显示区域外部的外围区域，所述显示装置包括：
基板；
多个第一金属图案，沿所述基板的边缘布置在所述基板上，并且彼此隔开布置在所述外围区域中；
绝缘层，设置在所述多个第一金属图案上；以及
公共电源层，设置在所述外围区域中、所述绝缘层上，并且经由限定在所述绝缘层中的第一接触孔而电连接到所述多个第一金属图案。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个第一金属图案中的每个第一金属图案包括多个狭缝。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个第一金属图案中的每个第一金属图案具有沿所述基板的所述边缘的宽度和沿与所述边缘交叉的方向的长度，并且
所述多个第一金属图案中的每个第一金属图案的所述长度大于所述多个第一金属图案中的每个第一金属图案的所述宽度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中，
在平面图中，所述多个第一金属图案围绕所述显示区域的至少一部分。
5.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
薄膜晶体管，设置在所述显示区域中、所述基板上，并且包括半导体层和与所述半导体层重叠的栅电极；以及
底部金属层，介于所述基板与所述薄膜晶体管之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述多个第一金属图案与所述底部金属层隔开布置，与所述底部金属层在同一层中，并且与所述底部金属层包括相同的材料。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述多个第一金属图案与所述栅电极隔开布置，与所述栅电极在同一层中，并且与所述栅电极包括相同的材料。
8.根据权利要求5所述的显示装置，进一步包括：
多个第二金属图案，设置在所述多个第一金属图案上，并且位于所述外围区域中，
其中，所述多个第一金属图案与所述底部金属层隔开布置，与所述底部金属层在同一层中，并且与所述底部金属层包括相同的材料，并且
所述多个第二金属图案与所述栅电极隔开布置，与所述栅电极在同一层中，并且与所述栅电极包括相同的材料。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述多个第二金属图案经由限定在所述绝缘层中的第二接触孔而电连接到所述公共电源层。
10.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
像素电极，设置在所述基板上，并且位于所述显示区域中；
对电极，在所述像素电极上；以及
中间层，在所述像素电极与所述对电极之间，
其中，所述对电极电连接到所述公共电源层，并且
所述绝缘层包括无机绝缘材料。
11.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
封装基板，被布置为面向所述基板；以及
密封剂，位于所述外围区域中，介于所述基板与所述封装基板之间，并且包括面向所述显示区域的内表面和与所述内表面相反的外表面。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述多个第一金属图案中的每个第一金属图案在平面图中向外突出超过所述密封剂的所述外表面。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
在平面图中，所述第一接触孔被放置为比所述密封剂的所述外表面靠近所述显示区域。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
在平面图中，所述公共电源层的边缘被放置为比所述密封剂的所述外表面靠近所述显示区域。
15.根据权利要求11所述的显示装置，进一步包括：
多个第二金属图案，设置在所述绝缘层下方、与所述多个第一金属图案在不同的层中，
其中，所述公共电源层经由限定在所述绝缘层中的第二接触孔而电连接到所述多个第二金属图案，并且
在平面图中，所述第二接触孔被放置为比所述密封剂的所述外表面靠近所述显示区域。
16.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
封装层，覆盖所述显示区域，并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
在平面图中，所述多个第一金属图案中的每个第一金属图案向外突出超过所述至少一个无机封装层的边缘。
18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
在平面图中，所述封装层的所述至少一个无机封装层从所述显示区域延伸至所述外围区域，并且覆盖所述公共电源层的全部。
19.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
在平面图中，所述第一接触孔被放置为比所述至少一个无机封装层的边缘靠近所述显示区域。
20.根据权利要求16所述的显示装置，进一步包括：
多个第二金属图案，与所述多个第一金属图案设置在不同的层中，并且在所述绝缘层下方，
其中，所述公共电源层经由限定在所述绝缘层中的第二接触孔而电连接到所述多个第二金属图案，并且
在平面图中，所述第二接触孔被放置为比所述至少一个无机封装层的边缘靠近所述显示区域。
21.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
有机发光器件，设置在所述基板上，并且包括像素电极、在所述像素电极上的对电极和在所述像素电极与所述对电极之间的中间层；
封装层，覆盖所述有机发光器件，并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；
封装基板，被布置为面向所述基板；
量子点层，在所述封装基板的一个表面上以面向所述像素电极；以及
密封剂，位于所述外围区域中，介于所述基板与所述封装基板之间，并且包括面向所述显示区域的内表面和与所述内表面相反的外表面。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，
在平面图中，所述至少一个无机封装层被放置为比所述密封剂靠近所述显示区域以与所述密封剂隔开，并且所述多个第一金属图案中的每个第一金属图案向外突出超过所述密封剂的所述外表面。
23.根据权利要求21所述的显示装置，其中，
在平面图中，所述公共电源层的边缘被放置为比所述密封剂的所述外表面靠近所述显示区域，并且被放置为比所述至少一个无机封装层的边缘远离所述显示区域。
24.根据权利要求21所述的显示装置，其中，
所述公共电源层的边缘被放置为比所述密封剂的所述外表面靠近所述显示区域，并且被放置为比所述至少一个无机封装层的边缘靠近所述显示区域。
25.一种显示装置，包括：
基板，包括多个像素；
多个第一金属图案，沿所述基板的边缘彼此隔开布置在所述基板上；
公共电源层，经由第一接触孔电连接到所述多个第一金属图案，并且向所述多个像素施加恒定电压；
封装基板，被布置为面向所述基板；以及
密封剂，设置在所述基板与所述封装基板之间以围绕所述多个像素，并且包括靠近所述基板的边缘的外表面和靠近所述多个像素的内表面，
其中，所述多个第一金属图案中的每个第一金属图案的靠近所述基板的所述边缘的端部被布置为比所述密封剂的所述外表面靠近所述基板的所述边缘，并且所述第一接触孔被设置在所述密封剂的所述外表面与所述内表面之间。
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