CN114628462A - 显示装置及配备该显示装置的电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示装置及配备该显示装置的电子设备。为了提高第二显示区域处的透光率并提高电子组件的性能,并且改善第二显示区域处的外部光的可见性,提供一种显示装置及配备该显示装置的电子设备,作为包括第一显示区域及配备有透射区域的第二显示区域的显示装置,包括:基板;多个第一发光元件,布置于所述基板上,并定义所述第一显示区域;多个第二发光元件,布置于所述基板上,并定义所述第二显示区域;光学功能层,布置于所述多个第一发光元件上,并包含对应于所述第二显示区域的孔;金属层,布置于所述多个第二发光元件上,并包括对应于所述第二显示区域的所述透射区域的贯通部;以及封盖层,夹设于所述多个第二发光元件与所述金属层之间。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示装置及配备该显示装置的电子设备。
背景技术
近来,显示装置的用途变得多种多样。并且,显示装置的厚度变薄且重量变轻,因此其使用范围趋于广泛。
随着扩大显示装置中的显示区域所占据的面积,并增加与显示装置组合或关联的多样的功能。作为在扩大面积的同时增加多样的功能的方案,正在对具有用于在显示区域内侧附加除图像显示以外的多样的功能的区域的显示装置进行研究。
发明内容
本发明的目的在于提供一种扩大显示区域以便在布置有电子组件的区域也能够显示图像并最小化电子组件的性能降低的显示装置及配备该显示装置的电子设备。然而,这些技术问题是示例性的,本发明的范围并不限于此。
根据本发明的一方面,提供一种显示装置,作为包括第一显示区域及配备有透射区域的第二显示区域的显示装置,包括:基板;多个第一发光元件,布置于所述基板上,并定义所述第一显示区域;多个第二发光元件,布置于所述基板上,并定义所述第二显示区域;光学功能层,布置于所述多个第一发光元件上,并包含对应于所述第二显示区域的孔;金属层,布置于所述多个第二发光元件上,并包括对应于所述第二显示区域的所述透射区域的贯通部;以及封盖层,夹设于所述多个第二发光元件与所述金属层之间。
根据本实施例,所述金属层可以包括选自包含锰(Mn)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、镍(Ni)、钴(Co)、铜(Cu)、铝(Al)、铬氮化物(CrNx)、钛氮化物(TiNx)、钛铝氮化物(TiAlNx)、钛碳化物(TiC)、钼氧化物(MoOx)、铬氧化物(CrOx)及钨氧化物(WOx)的组中的至少任意一个。
根据本实施例,所述金属层可以在平面上至少与所述多个第二发光元件重叠。
根据本实施例,所述金属层可以可以在平面上不与所述多个第一发光元件重叠。
根据本实施例,所述封盖层可以具有使从所述多个第二发光元件反射的光和从所述金属层反射的光彼此相消干涉的厚度。
根据本实施例,所述封盖层可以包括有机绝缘物。
根据本实施例,所述多个第二发光元件中的每一个可以包括:像素电极,布置于所述基板上;对向电极,布置于所述像素电极上;以及中间层,夹设于所述像素电极与所述对向电极之间。
根据本实施例,所述显示装置还可以包括:像素定义膜,覆盖所述多个第二发光元件中的每一个的所述像素电极的边缘,并包含定义所述多个第二发光元件中的每一个的发光区域的开口。
根据本实施例,所述像素定义膜可以包括遮光物质。
根据本实施例,所述显示装置还可以包括:封装层,布置于所述金属层上,并配备有至少一个无机层及至少一个有机层。
根据本实施例,所述显示装置还可以包括:遮光图案层,位于所述封装层上的所述第二显示区域,其中,所述遮光图案层可以包括包含遮光物质的主体部以及与所述主体部相邻的第一开口部及第二开口部。
根据本实施例,所述遮光图案层的所述第一开口部可以在平面上与所述多个第二发光元件中的至少一个重叠,所述遮光图案层的所述第二开口部可以在平面上与所述第二显示区域的所述透射区域重叠。
根据本实施例,在与所述基板的一表面垂直的虚拟平面上,所述遮光图案层的所述主体部的宽度可以小于所述像素定义膜的宽度。
根据本实施例,所述显示装置还可以包括:触摸感测层,夹设于所述封装层与所述遮光图案层之间,并包含感测电极及电连接于所述感测电极的迹线。
根据本发明的另一方面,提供一种电子设备,包括:显示装置,配备有具有彼此不同的分辨率的第一显示区域和第二显示区域;以及电子组件,与配备于所述第二显示区域的透射区域重叠,其中,所述显示装置包括:基板;多个第一发光元件,布置于所述基板上,并定义所述第一显示区域;多个第二发光元件,布置于所述基板上,并定义所述第二显示区域;光学功能层,布置于所述多个第一发光元件上,并包含对应于所述第二显示区域的孔;金属层,布置于所述多个第二发光元件上,并包括对应于所述第二显示区域的所述透射区域的贯通部;以及封盖层,夹设于所述多个第二发光元件与所述金属层之间,并具有预定的厚度,以使从所述多个第二发光元件反射的光和从所述金属层反射的光彼此相消干涉。
根据本实施例,所述封盖层可以包括:贯通部,对应于所述第二显示区域的所述透射区域。
根据本实施例,所述金属层可以在平面上至少与所述多个第二发光元件重叠,并且不与所述多个第一发光元件重叠。
根据本实施例,所述多个第二发光元件中的每一个可以包括:像素电极,布置于所述基板上;对向电极,布置于所述像素电极上;以及中间层,夹设于所述像素电极与所述对向电极之间,所述电子设备还可以包括:像素定义膜,覆盖所述多个第二发光元件中的每一个的所述像素电极的边缘,并包括遮光物质。
根据本实施例,所述电子设备还可以包括:封装层,布置于所述金属层上,并配备有至少一个无机层及至少一个有机层;触摸感测层,布置于所述封装层上,并包含感测电极及电连接于所述感测电极的迹线;以及遮光图案层,位于所述触摸感测层上的所述第二显示区域。
根据本实施例,所述遮光图案层可以包括包含遮光物质的主体部以及至少一部分被所述主体部围绕的第一开口部及第二开口部,所述遮光图案层的所述第一开口部可以在平面上与所述多个第二发光元件中的至少一个重叠,所述遮光图案层的所述第二开口部可以在平面上与所述第二显示区域的所述透射区域重叠。
根据用于实施本发明的具体内容、权利要求书及附图,除了上述内容之外的其他方面、特征、优点将变得明确。
这样的一般并具体的方面可以通过使用系统、方法、计算机程序或某种系统、方法和计算机程序的组合来实现。
根据如上所述地构成的本发明的一实施例,可以提供一种能够将布置有电子组件的区域作为第二显示区域而显示图像的显示装置及配备该显示装置的电子设备。进一步地,通过在所述光学功能层包括对应于所述第二显示区域的孔,能够提高第二显示区域的透光率并提高电子组件的性能。并且,通过布置于第二显示区域的封盖层及金属层,能够减小第二显示区域中的外部光的反射率并改善外部光的可见性。当然,本发明的范围并不受限于这些效果。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明的一实施例的电子设备的立体图。
图2是示意性地示出根据本发明的实施例的电子设备的一部分的剖视图。
图3是配备于根据本发明的一实施例的显示装置的任意一个像素电路的等效电路图。
图4a是示意性地示出根据本发明的一实施例的电子设备的显示装置的第一显示区域的一部分的平面图,图4b是示意性地示出根据本发明的一实施例的电子设备的显示装置中的第二显示区域的一部分的平面图。
图5a是示意性地示出根据本发明的一实施例的电子设备的显示装置的一部分的剖视图。
图5b是示意性地示出根据本发明的一实施例的电子设备的显示装置的一部分的剖视图。
图6是示意性地示出根据本发明的一实施例的电子设备的显示装置的一部分的剖视图。
图7是示意性地示出根据本发明的另一实施例的电子设备的显示装置的一部分的剖视图。
图8是摘取根据本发明的一实施例的电子设备的显示装置的一部分而示意性地示出的平面图。
图9是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的触摸感测层的平面图。
图10是示出根据本发明的一实施例的触摸感测层的堆叠结构的剖视图。
图11及图12分别是示出根据本发明的一实施例的触摸感测层中的第一导电层及第二导电层的平面图。
图13是示意性地示出根据本发明的另一实施例的电子设备的显示装置的一部分的剖视图。
图14是示意性地示出根据本发明的另一实施例的电子设备的显示装置的遮光图案层的布置的平面图。
图15是示意性地示出根据本发明的又一实施例的电子设备的显示装置的一部分的剖视图。
图16是示意性地示出根据本发明的又一实施例的电子设备的显示装置的金属层的布置的平面图。
附图标记说明:
1:电子设备 10:显示装置
100:基板 20:电子组件
200:发光元件 210:像素电极
220:中间层 230:对向电极
250:封盖层 270:金属层
270TH:贯通部 300:封装层
40:触摸感测层 50:遮光图案层
50-BP:主体部 50-OP1:第一开口部
50-OP2:第二开口部 60:光学功能层
60H:孔 DA1:第一显示区域
DA2:第二显示区域 TA:透射区域
具体实施方式
本发明可施加多样的变换,并可以具有多种实施例,将在附图中例示特定实施例并在详细说明中进行详细说明。参照与附图一起详细后述的实施例,将明确理解本发明的效果、特征以及达成这些的方法。然而,本发明并不限定于以下公开的实施例,其可以以多样的形态实现。
以下,参照附图详细说明本发明的实施例,在参照附图进行说明时,相同或对应的构成要素赋予相同的附图标记,并省略对此的重复说明。
在以下实施例中,第一、第二等术语并非限定性的含义,而是用于将一个构成要素区别于其他构成要素的目的。
在以下实施例中,单数形式包括复数形式,除非在上下文中另有明确说明。
在以下实施例中,“包括”或“具有”等术语指说明书上记载的特征或构成要素的存在,并不预先排除添加一个以上的其他特征或构成要素的可能性。
在以下实施例中,当膜、区域、构成要素等部分被称为在另一部分“上”或“之上”时,不仅包括在另一部分的紧邻的上方的情形,还可以包括另一膜、区域、构成要素等夹设于两者中间的情形。
在附图中,为了便于说明,构成要素的大小可能被扩大或缩小。例如,为了便于说明,任意地示出了附图中所示的各个构成的大小及厚度,因此本发明并非一定限于附图中所示的大小及厚度。
当某一实施例可以不同地实现的情况下的特定的工艺顺序可以与所说明的顺序不同地执行。例如,连续说明的两个工艺可以实质上同时执行,也可以以与所说明的顺序相反的顺序进行。
在本说明书中,“A和/或B”表示“A”、“B”、“A和B”的情况。并且,“A和B中的至少一个”表示“A”、“B”、“A和B”的情况。
在以下实施例中,当膜、区域、构成要素等被称为“连接”时,包括膜、区域、构成要素等被直接连接的情况和/或另一膜、区域、构成要素等夹设于膜、区域、构成要素的中间而被间接连接的情况。例如,在本说明书中,当膜、区域、构成要素等被称为“电连接”时,表示膜、区域、构成要素等直接电连接的情况和/或另一膜、区域、构成要素等夹设于两者中间而间接电连接的情况。
x轴、y轴及z轴不限定于直角坐标系上的三个轴,可以被解释为包括其的较广的含义。例如,x轴、y轴及z轴可以彼此正交,也可以指示彼此不正交的彼此不同的方向。
图1是示意性地示出根据本发明的一实施例的电子设备的立体图。
参照图1,电子设备1可以包括显示区域DA及与显示区域DA相邻的周边区域PA。电子设备1可以通过排列在显示区域DA的多个像素PX的阵列来提供图像。
多个像素PX可以包括布置于第一显示区域DA1的多个第一像素PX1及布置于第二显示区域DA2的多个第二像素PX2。多个第一像素PX1的阵列和多个第二像素PX2的阵列可以彼此不同。例如,如同在布置于第二显示区域DA2的多个第二像素PX2之间布置有透射区域TA,而在布置于第一显示区域DA1的多个第一像素PX1之间未布置透射区域TA,第二显示区域DA2的第二像素PX2的阵列与第一显示区域DA1的第一像素PX1的阵列可以彼此不同。
电子设备1可以利用从布置于第一显示区域DA1的第一像素PX1发出的光来提供第一图像,可以利用从布置于第二显示区域DA2的第二像素PX2发出的光来提供第二图像。在部分实施例中,第一图像及第二图像可以是通过电子设备1的显示区域DA来提供的任意一个图像的一部分。或者,在部分实施例中,电子设备1可以提供彼此独立的第一图像及第二图像。
第二显示区域DA2可以包括位于多个第二像素PX2之间的透射区域TA。透射区域TA是光可以透射的区域,第二像素PX2并未布置于此。
周边区域PA是不提供图像的非显示区域,可以完全或局部地围绕显示区域DA。在周边区域PA可以布置有用于向显示区域DA提供电信号或电源的驱动器等。在周边区域PA可以布置有作为能够使电子元件、印刷电路板等电连接的区域的垫。
如图1所示,第二显示区域DA2在平面上可以具有圆形形状或可以具有椭圆形形状。当然,本发明并不限于此,例如,第二显示区域DA2可以具有诸如四边形或条(bar)形之类的多边形形状。
第二显示区域DA2可以布置于第一显示区域DA1的内侧,或者可以布置于第一显示区域DA1的一侧。如图1所示,第二显示区域DA2可以完全被第一显示区域DA1围绕。作为部分实施例,第二显示区域DA2可以局部地被第一显示区域DA1围绕。例如,第二显示区域DA2可以位于第一显示区域DA1的一侧拐角部分处,并且局部地被第一显示区域DA1围绕。
第二显示区域DA2相对于显示区域DA的比率可以小于第一显示区域DA1相对于显示区域DA的比率。如图1所示,电子设备1可以包括一个第二显示区域DA2,或者可以包括两个以上的第二显示区域DA2。
如图1所示,电子设备1在平面上可以具有边角圆滑的四边形形状,但并不限于此。电子设备1可以具有多边形、圆形、椭圆形等多样的形状。
电子设备1可以是诸如移动电话(mobile phone)、智能电话(smart phone)、平板PC(tablet personal computer)、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP:portable multimedia player)、导航设备、超移动PC(UMPC:Ultra Mobile PC)等的便携式装置。并且,在一实施例中,电子设备1可以是诸如智能手表(smart watch)、手表电话(watch phone)、眼镜型显示器及头戴式显示器(HMD:head mounted display)等的可穿戴装置(wearable device)。
另外,以下对电子设备1作为发光元件(Light emitting element)包括有机发光二极管(OLED:Organic Light Emitting Diode)的情形进行说明,但是本发明的电子设备1并不限于此。作为另一实施例,电子设备1可以配备包括无机发光二极管的发光显示装置,即,无机发光显示装置(Inorganic Light Emitting Display)。无机发光二极管可以包括包含基于无机物半导体的材料的PN二极管。在向PN结二极管正向施加电压时,空穴和电子被注入,并且将由该空穴和电子的复合而产生的能量转换成光能,从而可以发出具有预定颜色的光。上述的无机发光二极管可以具有几微米至几百微米的宽度,在部分实施例中,无机发光二极管可以被称为微型LED。作为又一实施例,电子设备1可以配备量子点发光显示装置(Quantum dot Light Emitting Display)。
图2是示意性地示出根据本发明的实施例的电子设备的一部分的剖视图。
参照图2,电子设备1可以包括显示装置10及与显示装置10重叠的电子组件20。
显示装置10可以包括作为显示第一图像的区域的第一显示区域DA1和作为显示第二图像并与电子组件20重叠的区域的第二显示区域DA2。
显示装置10可以包括基板100、基板100上的显示层DISL、触摸感测层40、光学功能层60及布置于基板100下部的下部保护膜PF。显示层DISL可以包括包含薄膜晶体管TFT及绝缘层IL的像素电路层PCL、作为发光元件200的有机发光二极管OLED以及覆盖发光元件200的密封部件ENCM。在基板100与显示层DISL之间可以布置有缓冲层111。
基板100可以包括玻璃或高分子树脂。例如,包括高分子树脂的基板100可以具有能够进行弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)特性。作为一实施例,基板100可以是包括包含高分子树脂的层及无机层(未示出)的多层结构。
显示层DISL的发光元件200(即,有机发光二极管OLED)可以与薄膜晶体管TFT电连接。有机发光二极管OLED可以根据所包括的有机物的种类而发出彼此不同的颜色的光(例如,红色光、绿色光或蓝色光)。
显示层DISL的发光元件200通过发光区域而发出光,这样的发光区域可以定义为像素PX。像素PX可以定义为能够发出例如红色光、绿色光或蓝色光的区域。显示区域DA是提供图像的区域,由于通过像素PX的阵列来提供图像,因此多个发光元件200可以定义显示区域DA。
例如,多个第一发光元件200-1可以定义第一显示区域DA1,多个第二发光元件200-2可以定义第二显示区域DA2。具体而言,第一发光元件200-1发出光的发光区域可以定义为第一像素PX1,多个第一像素PX1的阵列提供图像的区域可以定义为第一显示区域DA1。并且,第二发光元件200-2发出光的发光区域可以定义为第二像素PX2,多个第二像素PX2的阵列提供图像的区域可以定义为第二显示区域DA2。
在第一显示区域DA1可以布置有与第一发光元件200-1电连接的薄膜晶体管TFT。作为一示例,在第二显示区域DA2也可以布置有与位于第二显示区域DA2的第二发光元件200-2电连接的薄膜晶体管TFT。作为另一示例,与第二发光元件200-2电连接的薄膜晶体管TFT可以位于周边区域PA(参照图1)而不是第二显示区域DA2。
第二显示区域DA2可以包括未布置薄膜晶体管TFT及发光元件200的透射区域TA。透射区域TA可以是从电子组件20发出的光/信号或入射到电子组件20的光/信号被透射(transmission)的区域。在显示装置10中,透射区域TA的透光率可以是约30%以上、约40%以上、约50%以上、约60%以上、约75%以上、约80%以上、约85%以上或者约90%以上。
尽管未在图2中示出,在第二显示区域DA2可以布置有下部金属层。下部金属层可以布置于在第二显示区域DA2布置的发光元件200的下部。在薄膜晶体管TFT布置于第二显示区域DA2的情况下,下部金属层可以布置于薄膜晶体管TFT的下部。例如,在基板100与薄膜晶体管TFT之间可以布置有下部金属层。下部金属层可以防止从电子组件20发出或从电子组件20反射的光入射到布置于第二显示区域DA2的薄膜晶体管TFT。据此,可以防止或最小化薄膜晶体管TFT的性能降低。
发光元件200可以被封装层300或者诸如密封基板(未示出)之类的密封部件ENCM覆盖。作为选择性的实施例,如图2所示,有机发光二极管OLED可以被封装层300覆盖。作为一实施例,封装层300可以包括一个无机封装层及至少一个有机封装层。例如,封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及它们之间的有机封装层320。
触摸感测层40可以获取基于外部输入(例如,触摸事件)的坐标信息。触摸感测层40可以包括触摸电极及与触摸电极连接的触摸布线。触摸感测层40可以以自电容方式或互电容方式来感测外部输入。
触摸感测层40可以形成在密封部件ENCM上。或者,触摸感测层40可以单独形成在触摸基板上之后通过诸如光学透明粘合剂(OCA:Optically Clear Adhesive)之类的粘合层而结合到密封部件ENCM上。作为一实施例,如图2所示,触摸感测层40可以直接形成在密封部件ENCM的紧邻的上方,在此情况下,粘合层可以不夹设在触摸感测层40与密封部件ENCM之间。
光学功能层60可以包括防反射层。防反射层可以减小从外部朝向显示装置10而入射的光(外部光)的反射率。在部分实施例中,光学功能层60可以包括偏振膜(例如,圆偏振膜)。
根据本发明的一实施例,光学功能层60可以配备与第二显示区域DA2对应的孔60H。例如,所述孔60H可以对应于整个第二显示区域DA2。在此,构成要素之间彼此“对应”可以表示如下的情形:在沿着垂直于基板100的一表面的方向观察显示装置10时,构成要素之间彼此重叠。所述孔60H可以是光学功能层60的一部分沿着厚度方向全部被去除而形成的贯通孔(through-hole)。据此,可以显著提高第二显示区域DA2中的透光率(例如,透射区域TA处的透光率)。作为部分实施例,所述孔60H可以填充有诸如光学透明树脂(OCR:optically clear resin)之类的透明的物质。
下部保护膜PF可以附着于基板100的下表面。粘合层(未示出)可以夹设于下部保护膜PF与基板100之间。或者,下部保护膜PF可以直接形成在基板100的下表面上,在此情况下,粘合层不夹设于下部保护膜PF与基板100之间。
下部保护膜PF可以起到支撑并保护基板100的作用。作为选择性的实施例,下部保护膜PF可以配备有与第二显示区域DA2对应的开口PF-OP。下部保护膜PF的开口PF-OP是下部保护膜PF的一部分沿厚度方向被去除而形成的凹入的部分。在部分实施例中,下部保护膜PF的开口PF-OP可以通过将下部保护膜PF的一部分沿厚度方向全部去除而形成,在此情况下,可以具有如图2所示的贯通孔(through-hole)的形状。在部分实施例中,下部保护膜PF的开口PF-OP可以通过使下部保护膜PF的一部分沿厚度方向局部地被去除而具有盲孔(blind-hole)的形状。
通过使下部保护膜PF配备有开口PF-OP,可以提高第二显示区域DA2的透光率(例如,透射区域TA的透光率)。下部保护膜PF可以包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET,polyethyelene terephthalate)或聚酰亚胺(PI,polyimide)之类的有机绝缘物。
电子组件20可以位于第二显示区域DA2。电子组件20可以是利用光或声音的电子元件。例如,电子元件可以是诸如接近传感器之类的测量距离的传感器、识别用户的身体的一部分(例如,指纹、虹膜、面部等)的传感器、输出光的小型灯具或者捕获图像的图像传感器(例如,相机)等。利用光的电子元件可以利用可见光、红外线光、紫外线光等多样的波长带的光。利用声音的电子元件可以利用超声波或其他频带的声音。在部分实施例中,电子组件20可以包括诸如发光部和受光部之类的子组件。发光部和受光部可以是一体化的结构,或者可以是物理分离的结构,一对发光部和受光部可以构成一个电子组件20。
在第二显示区域DA2中,可以布置有一个电子组件20,或者可以布置有多个电子组件20。在电子设备1包括多个电子组件20的情况下,电子设备1可以包括与电子组件20的数量对应的数量的第二显示区域DA2。例如,电子设备1可以包括彼此隔开的多个第二显示区域DA2。在部分实施例中,多个电子组件20可以布置于一个第二显示区域DA2。例如,电子设备1可以包括条形的第二显示区域DA2,并且多个电子组件20可以沿着第二显示区域DA2的长度方向彼此隔开而布置。
图3是配备于根据本发明的一实施例的显示装置的任意一个像素电路的等效电路图。
参照图3,显示装置10(参照图2)可以包括:像素电路PC,位于像素电路层PCL(参照图2);以及有机发光二极管OLED,通过像素电路PC接收驱动电流而发光。
像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)以及存储电容器(storage capacitor)。根据一实施例,如图3所示,像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2以及存储电容器Cap。作为一示例,第一薄膜晶体管T1可以是驱动薄膜晶体管(driving TFT),第二薄膜晶体管T2可以是开关薄膜晶体管(switching TFT)。第二薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL及数据线DL,并且可以根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn而将通过数据线DL输入的数据信号Dm传递至第一薄膜晶体管T1。
存储电容器Cap可以连接到第二薄膜晶体管T2及驱动电压线PL,并且可以存储与施加到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD和施加到第二薄膜晶体管T2的任意的电压之间的差相对应的电压。
第一薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cap,并且可以与存储在存储电容器Cap的电压值对应而控制从驱动电压线PL流向有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED的对向电极连接到公共电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以借由驱动电流而发出具有预定亮度的光来显示图像。
图3说明了像素电路PC包括两个薄膜晶体管及一个存储电容器的情况,但是本发明并不限于此。例如,像素电路PC可以包括三个以上的薄膜晶体管和/或两个以上的存储电容器。作为一实施例,像素电路PC也可以包括七个薄膜晶体管及一个存储电容器。薄膜晶体管及存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而多样地改变。然而,为了便于说明,以下对像素电路PC包括两个薄膜晶体管及一个存储电容器的情况进行说明。
图4a是示意性地示出根据本发明的一实施例的电子设备的显示装置的第一显示区域的一部分的平面图,图4b是示意性地示出根据本发明的一实施例的电子设备的显示装置中的第二显示区域的一部分的平面图。
参照图4a,在第一显示区域DA1可以布置有第一像素PX1。第一像素PX1可以包括第一红色像素Pr1、第一绿色像素Pg1及第一蓝色像素Pb1。作为部分实施例,如图4a所示,第一红色像素Pr1、第一绿色像素Pg1及第一蓝色像素Pb1可以以五片瓦图案布置。作为另一实施例,第一红色像素Pr1、第一绿色像素Pg1及第一蓝色像素Pb1可以以条纹图案布置。
第一红色像素Pr1、第一绿色像素Pg1及第一蓝色像素Pb1可以具有彼此不同的大小(或者宽度)。例如,第一蓝色像素Pb1可以大于第一红色像素Pr1及第一绿色像素Pg1,并且第一红色像素Pr1可以大于第一绿色像素Pg1。在部分实施例中,第一绿色像素Pg1可以具有矩形形状,并且相邻的第一绿色像素Pg1可以沿彼此不同的方向延伸。
参考图4b,在第二显示区域DA2可以布置有第二像素PX2。第二像素PX2可以包括第二红色像素Pr2、第二绿色像素Pg2及第二蓝色像素Pb2。作为部分实施例,第二红色像素Pr2、第二绿色像素Pg2及第二蓝色像素Pb2可以以五片瓦图案布置。作为另一实施例,第二红色像素Pr2、第二绿色像素Pg2及第二蓝色像素Pb2可以以条纹图案布置。
第二显示区域DA2可以包括透射区域TA。在第二显示区域DA2中,透射区域TA可以布置为与第二像素PX2相邻。例如,第二像素PX2可以包括将透射区域TA置于之间并相互隔开的至少两个第二像素PX2。由于第二显示区域DA2包括透射区域TA,因此第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以具有彼此不同的分辨率。例如,第二显示区域DA2中的每相同面积的第二像素PX2的数量可以少于第一显示区域DA1中的每相同面积的第一像素PX1的数量。
第二显示区域DA2可以包括包含至少一个第二像素PX2的像素组PG和透射区域TA。像素组PG可以定义为将多个第二像素PX2以预先设定的单位分组的像素集合体。作为一示例,图4b示出了八个第二像素PX2构成一个像素组PG,并且彼此相邻的像素组PG将透射区域TA置于之间而布置。
作为一示例,像素组PG可以被四个透射区域TA围绕。像素组PG和透射区域TA可以沿着x方向和y方向交替布置,例如,像素组PG和透射区域TA可以以网格形状布置。
本发明并非一定限定于此,包括于一个像素组PG的第二像素PX2的数量可以根据第二显示区域DA2的分辨率而实现变形设计。并且,布置于一个像素组PG周围的透射区域TA的平面上的形状及布置也可以以多样的方式实现变形设计。
透射区域TA是用于使光透射的区域,第二像素PX2可以不布置于此。并且,像素电路PC(参照图3)及与像素电路PC电连接的各种布线可以不布置于透射区域TA。
图5a及图5b分别是示意性地示出根据本发明的一实施例的电子设备的显示装置的一部分的剖视图。图5a及图5b可以与沿图4a的A-A'线而截取的显示装置的横截面及沿图4b的B-B'线而截取的显示装置的横截面相对应。
首先,参照图5a,显示装置10可以配备有基板100。作为一实施例,基板100可以是包括包含高分子树脂的基底层及无机层的多层结构。例如,基板100可以包括依次堆叠的第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103及第二阻挡层104。第一基底层101和第二基底层103可以包括聚酰亚胺(PI:polyimide)、聚醚砜(PES:polyethersulfone)、聚芳酯(polyarylate)、聚醚酰亚胺(PEI:polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN:polyethyelenene napthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET:polyethyeleneterepthalate)、聚苯硫醚(PPS:polyphenylene sulfide)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和/或醋酸丙酸纤维素(CAP:cellulose acetate propionate)。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅之类的无机绝缘物。这种基板100可以具有柔性特性。
在基板100上可以布置有缓冲层111。缓冲层111可以减少或阻断异物、湿气或外部空气从基板100的下部渗透,并可以在基板100上提供平坦面。缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅之类的无机绝缘物,并可以构成为包括上述物质的单层或多层结构。
像素电路层PCL可以布置于缓冲层111上。像素电路层PCL可以包括:像素电路PC,配备有薄膜晶体管TFT及存储电容器Cap;以及绝缘层IL,布置于像素电路PC的构成要素的下方和/或上方。
像素电路PC可以分别布置于第一显示区域DA1及第二显示区域DA2中,作为一示例,第一显示区域DA1的像素电路PC和第二显示区域DA2的像素电路PC可以具有相同的结构。作为另一示例,第一显示区域DA1的像素电路PC和第二显示区域DA2的像素电路PC可以具有彼此不同的结构。以下,为了便于说明,将针对第一显示区域DA1的像素电路PC和第二显示区域DA2的像素电路PC具有相同结构的情况进行说明,并以第一显示区域DA1的像素电路PC为中心进行说明。
像素电路PC的薄膜晶体管TFT可以包括:半导体层Act;栅电极GE,与半导体层Act的沟道区域重叠;以及源电极SE和漏电极DE,分别连接于半导体层Act的源极区域和漏极区域。
缓冲层111上的半导体层Act可以包括多晶硅。或者,半导体层Act可以包括非晶(amorphous)硅,或者可以包括氧化物半导体,或者可以包括有机半导体等。半导体层Act可以包括沟道区域以及分别布置于沟道区域两侧的漏极区域和源极区域。所述漏极区域和源极区域可以是掺杂有杂质的区域。
栅电极GE可以包括低电阻金属物质。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质,并可以形成为包括上述材料的多层或单层。
第一栅极绝缘层112可以夹设于半导体层Act与栅电极GE之间。例如,第一栅极绝缘层112可以包括诸如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO和/或ZnO2)等的无机绝缘物。
第二栅极绝缘层113可以配备为覆盖所述栅电极GE。与所述第一栅极绝缘层112类似地,第二栅极绝缘层113可以包括诸如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO和/或ZnO2)等的无机绝缘物。
作为一实施例,存储电容器Cap可以与薄膜晶体管TFT重叠而布置。存储电容器Cap可以包括彼此重叠的第一电极CE1和第二电极CE2。在部分实施例中,薄膜晶体管TFT的栅电极GE可以包括存储电容器Cap的第一电极CE1。
在第二栅极绝缘层113上可以布置有存储电容器Cap的第二电极CE2。第二电极CE2可以与其下方的栅电极GE重叠。此时,将第二栅极绝缘层113置于之间而重叠的栅电极GE及第二电极CE2可以形成存储电容器Cap。即,与第二电极CE2重叠的栅电极GE可以用作存储电容器Cap的第一电极CE1。在另一实施例中,存储电容器Cap也可以形成为不与薄膜晶体管TFT重叠。
第二电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu),并且可以是上述材料的单层或多层。
层间绝缘层115可以覆盖第二电极CE2。层间绝缘层115可以包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO和/或ZnO2)等。层间绝缘层115可以是包括上述无机绝缘物的单层或多层。
漏电极DE及源电极SE可以分别位于层间绝缘层115上。漏电极DE及源电极SE分别通过形成于其下部的绝缘层的接触孔而与漏极区域及源极区域连接。漏电极DE及源电极SE可以包括具有良好的导电性的材料。漏电极DE及源电极SE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质,并可以形成为包括上述材料的多层或单层。作为一实施例,漏电极DE及源电极SE可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第一平坦化绝缘层116可以覆盖漏电极DE及源电极SE。第一平坦化绝缘层116可以包括一般通用高分子(聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA:Polymethylmethacrylate)或聚苯乙烯(PS:Polystyrene)等)、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子及其共混物之类的有机绝缘物。
第二平坦化绝缘层117可以布置于第一平坦化绝缘层116上。第二平坦化绝缘层117可以包括与第一平坦化绝缘层116相同的物质,可以包括一般通用高分子(聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA:Polymethylmethacrylate)或聚苯乙烯(PS:Polystyrene)等)、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子及其共混物之类的有机绝缘物。
在上述的结构的像素电路层PCL上可以布置有发光元件200。在一实施例中,各个发光元件200作为有机发光二极管OLED,可以包括配备像素电极210、布置于像素电极210上的对向电极230以及夹设于像素电极210与对向电极230之间的中间层220的堆叠结构。例如,发光元件200可以包括布置于第一显示区域DA1的第一发光元件200-1及布置于第二显示区域DA2的第二发光元件200-2。第一发光元件200-1可以通过第一像素PX1而发光,第二发光元件200-2可以通过第二像素PX2而发光。作为一示例,第一发光元件200-1和第二发光元件200-2可以具有彼此相同的结构,为了便于说明,以下将以第一发光元件200-1为中心进行说明。
像素电极210可以布置于第二平坦化绝缘层117上。像素电极210可以通过形成在第二平坦化绝缘层117的接触孔而连接到第一平坦化绝缘层116上的接触金属CM。接触金属CM可以通过形成在第一平坦化绝缘层116的接触孔而与像素电路PC的薄膜晶体管TFT电连接。因此,像素电极210可以通过接触金属CM与像素电路PC电连接,并可以从像素电路PC接收驱动电流。
像素电极210可以包括诸如铟锡氧化物(ITO:indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO:indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO:zinc oxide)、铟氧化物(In2O3:indium oxide)、铟镓氧化物(IGO:indium gallium oxide)或铝锌氧化物(AZO:aluminum zinc oxide)之类的导电性氧化物。作为另一实施例,像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。作为又一实施例,像素电极210可以在上述反射膜的上方/下方进一步包括利用ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。作为又一实施例,像素电极210可以具有依次堆叠的ITO层/Ag层/ITO层的三层结构。
在像素电极210上可以布置有像素定义膜120。像素定义膜120可以包括覆盖像素电极210的边缘并与像素电极210的中心部分重叠的开口120OP。开口120OP可以定义从有机发光二极管OLED发出的光的发光区域。开口120OP的大小/宽度可以对应于发光区域的大小/宽度。因此,像素PX的大小和/或宽度可以取决于对应的像素定义膜120的开口120OP的大小和/或宽度。
像素定义膜120可以增加像素电极210的边缘与像素电极210上部的对向电极230之间的距离,从而可以起到防止在像素电极210的边缘产生电弧等的作用。像素定义膜120是诸如聚酰亚胺、聚酰胺(Polyamide)、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO:hexamethyldiSL-1oxane)及酚醛树脂等的有机绝缘物质,可以通过旋涂等方法来形成。
中间层220可以包括形成为与像素电极210对应的发光层。发光层可以包括发出预定颜色的光的高分子或低分子有机物。或者,发光层可以包括无机发光物质,或者可以包括量子点。
作为一实施例,中间层220可以包括分别布置于发光层的下方和上方的第一功能层(未示出)及第二功能层(未示出)。第一功能层是布置于发光层下方的构成要素,例如,可以包括空穴传输层(HTL:Hole Transport Layer),或者可以包括空穴传输层及空穴注入层(HIL:Hole Injection Layer)。第二功能层是布置于发光层上的构成要素,可以包括电子传输层(ETL:Electron Transport Layer)和/或电子注入层(EIL:Electron InjectionLayer)。与后述的对向电极230一样,第一功能层和/或第二功能层可以是以完全覆盖基板100的方式形成的公共层。
对向电极230可以布置于像素电极210上,并可以与像素电极210重叠。对向电极230可以利用功函数较低的导电性物质形成。例如,对向电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金等的(半)透明层。或者,对向电极230可以在包括上述物质的(半)透明层上还包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3之类的层。对向电极230可以形成为一体,以便完全覆盖第一显示区域DA1、第二显示区域DA2。
根据本发明的一实施例,在发光元件200上可以配备有封盖层250。封盖层250(capping layer)可以包括有机绝缘物和/或诸如硅氮化物之类的无机绝缘物。在封盖层250包括有机绝缘物的情况下,封盖层250可以包括有机绝缘物,例如,三胺(triamine)衍生物、咔唑联苯(carbazole biphenyl)衍生物、亚芳基二胺(arylenediamine)衍生物、铝络复合物(Alq3)、丙烯酸(acrylic)、聚酰亚胺(polyimide)、聚酰胺(polyamide)等。
在封盖层250上可以布置有封装层300。封装层300可以与发光元件200重叠。同上所述,封装层300包括至少一个无机封装层及至少一个有机封装层,作为一实施例,图5示出了封装层300包括第一无机封装层310、有机封装层320及第二无机封装层330的堆叠结构的情形。
第一无机封装层310及第二无机封装层330可以包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锌氧化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物中的一种以上的无机物。有机封装层320可以包括聚合物(polymer)系物质。聚合物系材料可以包括丙烯酸系树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺及聚乙烯等。作为一实施例,有机封装层320可以包括丙烯酸酯(acrylate)。有机封装层320可以通过固化单体或涂覆聚合物而形成。有机封装层320可以具有透明性。
在封装层300上可以布置有包括感测电极及电连接于所述感测电极的迹线的触摸感测层40,在触摸感测层40上可以布置有光学功能层60。同上所述,触摸感测层40可以获取基于外部输入(例如,触摸事件)的坐标信息。光学功能层60可以减小从外部朝向显示装置10而入射的光(外部光)的反射率,和/或提高从显示装置10发出的光的色纯度。
作为一实施例,光学功能层60可以包括相位延迟器(retarder)和/或偏振器(polarizer)。相位延迟器可以是薄膜型或液晶涂覆型,可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以是薄膜型或液晶涂覆型。薄膜型可以包括拉伸型合成树脂膜,液晶涂覆型可以包括以预定排列方式排列的液晶。相位延迟器及偏振器还可以包括保护膜。
作为另一实施例,光学功能层60可以包括相消干涉结构物。相消干涉结构物可以包括布置于彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉,据此可以减小外部光反射率。
在光学功能层60上可以布置有覆盖窗(未示出)。覆盖窗可以具有较高透光率以透射从发光元件200发出的光,并且可以具有较薄厚度以最小化显示装置10的重量。并且,覆盖窗可以具有较强的强度及硬度以保护显示装置10免受外部冲击的影响。例如,覆盖窗可以包括玻璃或塑料。
作为一实施例,在触摸感测层40与光学功能层60之间以及光学功能层60与覆盖窗之间可以分别布置有粘合部件(未示出)。所述粘合部件可以无限制地采用本技术领域中已知的普通粘合部件。例如,所述粘合部件可以是压敏粘合剂(PSA:pressure sensitiveadhesive)或光学透明粘合剂(OCA)。
另外,参照显示装置10的第二显示区域DA2,电子组件20可以布置为与显示装置10的第二显示区域DA2重叠。在显示装置10的第二显示区域DA2可以布置有使从电子组件20发出或朝向电子组件20的光透射的透射区域TA。
基板100上的绝缘层可以分别包括与透射区域TA相对应的孔。例如,第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115、第一平坦化绝缘层116、第二平坦化绝缘层117及像素定义膜120可以分别包括位于透射区域TA并且彼此重叠的第一孔H1、第二孔H2、第三孔H3、第四孔H4、第五孔H5、第六孔H6。并且,对向电极230可以包括与透射区域TA重叠的第七孔H7。据此,可以提高透射区域TA处的透光率。
根据本发明的一实施例,光学功能层60可以布置于多个第一发光元件200-1上。光学功能层60可以与第一显示区域DA1重叠,但可以不与第二显示区域DA2重叠。例如,光学功能层60可以包括与第二显示区域DA2相对应的孔60H(参照图2)。
作为比较例,在光学功能层60布置为与第二显示区域DA2重叠的情况下,可以大大减小第二显示区域DA2的透射区域TA处的透光率。例如,在光学功能层60包括圆偏振膜的情况下,穿过光学功能层60的外部光的透光率可以为约45%。在此情况下,可能降低与第二显示区域DA2重叠而布置的电子组件20的性能。例如,在电子组件20为诸如相机等的成像装置的情况下,如果第二显示区域DA2的透射区域TA处的透光率较低,则成像装置的灵敏度和由成像装置拍摄的图像的画质等可能降低。
然而,根据本发明的一实施例,由于光学功能层60不与第二显示区域DA2重叠,因此可以减小在第二显示区域DA2中因光学功能层60而引起的的透光率的损失。因此,可以提高第二显示区域DA2的透射区域TA处的透光率,并且可以提高电子组件20的性能。
另外,为了提高第二显示区域DA2的透射区域TA处的透光率而使光学功能层60不与第二显示区域DA2重叠,因此,可能发生在第二显示区域DA2中外部光的反射率会增加的问题。
为了解决这样的问题,根据本发明的一实施例,显示装置10可以配备有位于第二显示区域DA2的金属层270。即,金属层270可以布置成与第二显示区域DA2重叠。金属层270可以布置于多个第二发光元件200-2上,例如,可以夹设于多个第二发光元件200-2与封装层300之间。
作为一实施例,金属层270可以与第二显示区域DA2重叠,但是可以不与第一显示区域DA1重叠。金属层270可以在平面上至少与所述多个第二发光元件200-2重叠,但是可以不与多个第一发光元件200-1重叠。即,金属层270可以仅位于第二显示区域DA2。作为一实施例,金属层270可以以与多个第二发光元件200-2重叠的方式在第二显示区域DA2中形成为一体,。在此情况下,封装层300例如可以在第一显示区域DA1与封盖层250的上表面直接接触,并可以在第二显示区域DA2与金属层270的上表面直接接触。
作为一实施例,金属层270可以包括具有相对较低的光反射率和相对较高的光吸收率的金属物质。例如,金属层270可以包括选自包含锰(Mn)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、镍(Ni)、钴(Co)、铜(Cu)、铝(Al)、铬氮化物(CrNx)、钛氮化物(TiNx)、钛铝氮化物(TiAlNx)、钛碳化物(TiC)、钼氧化物(MoOx)、铬氧化物(CrOx)及钨氧化物(WOx)的组中的至少任意一个。据此,入射到第二显示区域DA2上的外部光的一部分被金属层270吸收,从而能够降低外部光的反射率并改善由外部光引起的可见性的问题。
作为一实施例,金属层270可以包括与第二显示区域DA2的透射区域TA相对应的贯通部270TH。金属层270的贯通部270TH可以与绝缘层的第一孔H1、第二孔H2、第三孔H3、第四孔H4、第五孔H5、第六孔H6及对向电极230的第七孔H7重叠。据此,可以提高透射区域TA处的透光率。由于金属层270配备有贯通部270TH,因此封装层300可以在第二显示区域DA2的透射区域TA与封盖层250的上表面直接接触。如果,封盖层250包括与透射区域TA相对应的孔,则封装层300可以在透射区域TA与缓冲层111的上表面直接接触。
另外,同上所述,入射到第二显示区域DA2上的外部光的一部分可以被金属层270吸收,但是另一部分可以被金属层270反射,并且外部光的剩余部分可以透射金属层270。透射金属层270的外部光可以在多个第二发光元件200-2处反射,例如,可以在多个第二发光元件200-2中的每一个的对向电极230和/或像素电极210处反射。根据本发明的一实施例,为了降低在第二显示区域DA2中的外部光的反射率并改善由外部光引起的可见性的问题,可以配备夹设于多个第二发光元件200-2与金属层270之间的封盖层250,使得从多个第二发光元件200-2反射的光和从金属层270反射的光彼此相消干涉。以下,将在下文中参照图6进行关于此的详细说明。
封盖层250可以布置为不仅与第一显示区域DA1重叠,还与第二显示区域DA2重叠。在一实施例中,封盖层250可以包括有机绝缘物。例如,封盖层250可以包括诸如三胺(triamine)衍生物、咔唑联苯(carbazole biphenyl)衍生物、亚芳基二胺(arylenediamine)衍生物、铝络复合物(Alq3)、丙烯酸(acrylic)、聚酰亚胺(polyimide)、聚酰胺(polyamide)等的有机绝缘物。
参照图5b,基板100上的绝缘层可以分别覆盖透射区域TA。例如,第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115、第一平坦化绝缘层116及第二平坦化绝缘层117可以覆盖透射区域TA。然而,像素定义膜120可以包括位于透射区域TA的第六孔H6。并且,对向电极230可以包括与透射区域TA重叠的第七孔H7。
图6是示意性地示出根据本发明的一实施例的电子设备的显示装置的一部分的剖视图,可以与图5a的显示装置的VI部分相对应。
参照图6,从外部入射到显示装置10(参照图5a)的外部光L0可以穿过封装层300(参照图5a)的有机封装层320及第一无机封装层310之后在金属层270及对向电极230处反射。
根据本发明的一实施例,从金属层270反射的第一光L1与从对向电极230反射的第二光L2可以产生相消干涉,据此可以减小外部光反射率。为此,封盖层250可以夹设于金属层270与对向电极230之间。封盖层250可以具有与金属层270的折射率不同的折射率,并且可以具有预定的厚度dt,使得从金属层270反射的第一光L1与从对向电极230反射的第二光L2之间的相位差成为约180度。
具体而言,由于第一光L1与第二光L2之间的光路径差异取决于封盖层250的厚度dt,因此可以通过调节封盖层250的厚度dt来调节第一光L1与第二光L2之间的相位差。根据封盖层250的厚度dt,第一光L1和第二光L2可以彼此相消干涉。即,封盖层250的厚度dt可以确定为使得从金属层270反射的第一光L1和从对向电极230反射的第二光L2能够彼此相消干涉。
从外部入射的外部光L0的一部分也可以在像素电极210反射。考虑到这一点,封盖层250的厚度dt可以确定为使得从金属层270反射的第一光L1、从对向电极230反射的第二光L2及从像素电极210反射的第三光L3能够彼此完全相消干涉。据此,可以减小外部光的反射率并改善由外部光引起的可见性的问题。
图7是示意性地示出根据本发明的另一实施例的电子设备的显示装置的一部分的剖视图,可以与图5a的显示装置的VII部分相对应。
参照图7,根据本发明的一实施例,像素定义膜120还可以追加包括遮光物质,例如,遮光物质可以包括包含铬(Cr)或钼(Mo)等的不透明金属物质、黑色墨水和/或染料等。据此,像素定义膜120可以吸收从外部入射的外部光L0的一部分,并可以进一步减小第二显示区域DA2中的外部光的反射率。
图8是摘取根据本发明的一实施例的电子设备的显示装置的一部分而示意性地示出的平面图,以光学功能层的平面上的形状为中心而示出。
参照图8,光学功能层60可以配备有与第二显示区域DA2相对应的孔60H。例如,光学功能层60的孔60H可以与整个第二显示区域DA2相对应。据此,光学功能层60可以与第一显示区域DA1重叠,而不与第二显示区域DA2重叠。其目的在于,同上所述,这是为了减少在第二显示区域DA2中由光学功能层60引起的透光率的损失。
作为一实施例,光学功能层60的孔60H可以通过利用诸如冲压(punching)工艺等的机械工艺去除光学功能层60中与所述孔60H相对应的部分来形成。作为另一实施例,利用诸如漂白(bleaching)工艺等的化学工艺,可以将光学功能层60中与所述孔60H相对应的部分制成光学透明的状态,由此可以形成光学功能层60的孔60H。当然,本发明并不限于这样的方法,只要是能够以物理或光学方式去除光学功能层60的一部分(即,孔所处的部分)的方法,则可以不受限地利用。
作为比较例,可以考虑在光学功能层60中形成仅对应于第二显示区域DA2中的透射区域TA的图案孔。在此情况下,由于仅对应于透射区域TA的图案孔的大小(即,面积)相对非常小,并且图案孔的设计也应根据透射区域TA的设计的改变而改变,因此在形成这样的图案孔方面可能存在工艺上的困难。然而,根据本发明的一实施例,由于形成与整个第二显示区域DA2相对应的孔60H,因此可以减少工艺上的困难。
图9是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的触摸感测层的平面图。
参照图9,触摸感测层40可以包括第一感测电极410、连接到第一感测电极410的第一迹线(first trace line)415-1至415-4、第二感测电极420以及连接到第二感测电极420的第二迹线(second trace line)425-1至425-5。第一感测电极410及第二感测电极420可以布置于显示区域DA,并且第一迹线415-1至415-4及第二迹线425-1至425-5可以布置于周围区域PA。
第一感测电极410可以沿着±y方向排列,第二感测电极420可以沿着与±y方向交叉的±x方向排列。沿着±y方向排列的第一感测电极410可以借由相邻的第一感测电极410之间的第一连接电极411而彼此连接,并且可以形成各个第一感测线410C1至410C4。沿着±x方向排列的第二感测电极420可以借由相邻的第二感测电极420之间的第二连接电极421而彼此连接,并且可以分别形成第二感测线420R1至420R5。第一感测线410C1至410C4与第二感测线420R1至420R5可以交叉。例如,第一感测线410C1至410C4与第二感测线420R1至420R5可以彼此垂直交叉。
第一感测线410C1至410C4可以通过形成在周边区域PA的第一迹线415-1至415-4而连接到感测信号垫部440的垫。例如,第一迹线415-1至415-4分别可以具有分别连接于第一感测线410C1至410C4的上侧及下侧的双路由(double routing)结构。分别连接于第一感测线410C1至410C4的上侧及下侧的第一迹线415-1至415-4可以分别连接到对应的垫。
第二感测线420R1至420R5可以通过形成在周边区域PA的第二迹线425-1至425-5而连接到感测信号垫部440的垫。例如,第二迹线425-1至425-5可以分别连接到对应的垫。
图9示出了各个第一迹线415-1至415-4分别连接于第一感测线410C1至410C4的上侧及下侧的双路由结构,这样的结构可以提高感测灵敏度(或触摸灵敏度)。然而,本发明并不限于此。作为另一实施例,第一迹线415-1至415-4可以具有连接到第一感测线410C1至410C4的上侧或下侧的单路由结构。
图10是示出根据本发明的一实施例的触摸感测层的堆叠结构的剖视图。
参照图10,触摸感测层40可以包括第一导电层CML1及第二导电层CML2。第一绝缘层43可以夹设于第一导电层CML1与第二导电层CML2之间,并且第二绝缘层45可以布置于第二导电层CML2上。上述的参照图9说明的第一感测电极410(参照图9)、第一连接电极411(参照图9)、第二感测电极420(参照图9)、第二连接电极421(参照图9)中的每一个可以包括在第一导电层CML1和第二导电层CML2中的一个。
第一导电层CML1及第二导电层CML2可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼(Mo)、钔(Md)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)及它们的合金。透明导电层可以包括诸如铟锡氧化物(ITO:indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO:indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO:zinc oxide)、铟锡锌氧化物(ITZO:indium tin zinc oxide)等的透明的导电性氧化物。除此之外,透明导电层可以包括诸如PEDOT之类的导电性高分子、金属纳米线、石墨烯(graphene)等。
第一导电层CML1及第二导电层CML2可以是单层或多层。单层的第一导电层CML1及第二导电层CML2可以包括金属层或透明导电层,金属层及透明导电层的物质同上所述。第一导电层CML1及第二导电层CML2中的一个可以包括单个金属层。单个金属层可以包括钼层或钼和钔(MoMd)的合金层。第一导电层CML1和第二导电层CML2中的一个可以包括多层金属层。例如,多层金属层可以包括钛层/铝层/钛层的三层,或者可以包括钼层/钔层的两层。或者,多层金属层可以包括金属层及透明导电层。第一导电层CML1及第二导电层CML2可以具有彼此不同的堆叠结构或相同的堆叠结构。例如,第一导电层CML1可以包括金属层,并且第二导电层CML2可以包括透明导电层。或者,第一导电层CML1及第二导电层CML2可以包括相同的金属层。
可以考虑感测灵敏度来确定第一导电层CML1和第二导电层CML2的物质以及配备于第一导电层CML1和第二导电层CML2的感测电极的布置。RC延迟会影响感测灵敏度,由于包括金属层的感测电极的电阻相比于透明导电层的电阻较小,RC值可能减小,因此感应电极之间定义的电容器的充电时间可能减小。相比于金属层,包括透明导电层的感测电极不会被用户看到,并且可以由于输入面积的增加而增加电容。
第一绝缘层43及第二绝缘层45可以分别包括无机绝缘物和/或有机绝缘物。无机绝缘物可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等,有机绝缘物可以包括高分子有机物。
上文中参照图9说明的第一感测电极410和第二感测电极420以及第一连接电极411和第二连接电极421中的一部分可以位于第一导电层CML1,剩余部分可以位于第二导电层CML2。作为一实施例,第一导电层CML1可以包括第一连接电极411,第二导电层CML2可以包括第一感测电极410和第二感测电极420以及第二连接电极421。作为另一实施例,第一导电层CML1可以包括第一感测电极410和第二感测电极420以及第二连接电极421,第二导电层CML2可以包括第一连接电极411。作为又一实施例,第一导电层CML1可以包括第一感测电极410和第一连接电极411,第二导电层CML2可以包括第二感测电极420和第二连接电极421,并且在此情况下,由于第一感测电极410和第一连接电极411配备于同一层并连接为一体,而且第二感测电极420和第二连接电极421也配备于同一层,因此在第一导电层CML1与第二导电层CML2之间的绝缘层可以不配备接触孔。
另外,图10示出了触摸感测层40包括第一导电层CML1、第一绝缘层43、第二导电层CML2及第二绝缘层45的情形,但是作为另一实施例,在第一导电层CML1下方还可以进一步布置有包括无机绝缘物或有机绝缘物的层。
图11及图12分别是示出根据本发明的一实施例的触摸感测层中的第一导电层及第二导电层的平面图。
参照图11及图12,第一感测电极410和第二感测电极420以及第一连接电极411和第二连接电极421可以具有网格(或栅格(grid)、网格)形状。在第一感测电极410及第二感测电极420包括金属层的情况下,为了防止被用户可见和/或为了透射通过各个像素PX发出的光,第一感测电极410和第二感测电极420可以具有如图11及图12所示的网格形状。
如图11及图12的放大图所示,第一感测电极410及第二感测电极420可以分别包括包含孔410H、420H的网格形状的金属层。类似地,第一连接电极411及第二连接电极421也可以包括网格形状的金属层,并可以分别包括孔411H、421H。所述孔410H、420H、411H、421H可以布置为与像素PX重叠。
如图11所示,第一导电层CML1可以包括第一连接电极411。第一连接电极411可以将形成于与第一连接电极411不同的层上的第一感测电极410彼此电连接。将相邻的第一感测电极410电连接的第一连接电极411可以通过形成于第一绝缘层43(参照图6)的接触孔CNT而连接到第一感测电极410。
如图12所示,第二导电层CML2可以包括第一感测电极410、第二感测电极420及第二连接电极421。第二感测电极420可以借由形成在与第二感测电极420相同的层上的第二连接电极421而彼此连接。例如,第二感测电极420可以包括与第二连接电极421相同的物质,并可以形成为一体。第一感测电极410可以借由形成在与第一感测电极410不同的层上的第一连接电极411而彼此电连接。第一感测电极410可以通过形成在第一绝缘层43的接触孔CNT而连接到第一感测电极410。
图13是示意性地示出根据本发明的另一实施例的电子设备的显示装置的一部分的剖视图。将省略针对与在上文中参照图5a说明的构成要素相同或对应的构成要素的说明,将以不同之处为主进行说明。
参照图13,触摸感测层40可以位于第一显示区域DA1及第二显示区域DA2,并且可以布置于封装层300上。同上所述,触摸感测层40可以包括第一导电层CML1及第二导电层CML2、在第一导电层CML1与第二导电层CML2之间的第一绝缘层43以及在第二导电层CML2上的第二绝缘层45。第一导电层CML1及第二导电层CML2可以分别布置成与像素定义膜120重叠而不与像素PX重叠,以便透射通过像素PX发出的光。
根据本发明的一实施例,显示装置10还可以包括布置于封装层300上并位于第二显示区域DA2的遮光图案层50。例如,遮光图案层50可以布置于触摸感测层40上。即,触摸感测层40可以夹设于封装层300与遮光图案层50之间。当然,本发明并不限于此,作为另一示例,遮光图案层50可以夹设于触摸感测层40与封装层300之间。
作为一实施例,遮光图案层50可以包括包含遮光物质的主体部50-BP以及与主体部50-BP相邻的第一开口部50-OP1及第二开口部50-OP2。例如,遮光物质可以包括诸如铬(Cr)或钼(Mo)等的金属物质、黑色墨水和/或染料等。遮光图案层50可以吸收从外部入射的外部光的一部分,从而能够进一步减小第二显示区域DA2中的外部光的反射率。另外,在减小外部光的反射率的角度上,遮光图案层50可以优选地布置于触摸感测层40上。
作为一实施例,遮光图案层50的主体部50-BP可以布置为与像素定义膜120重叠。遮光图案层50的第一开口部50-OP1可以与多个第二发光元件200-2中的至少一个重叠,并且第二开口部50-OP2可以与第二显示区域DA2的透射区域TA重叠。从多个第二发光元件200-2发出的光可以通过第一开口部50-OP1而穿过。并且,通过第二开口部50-OP2可以防止透射区域TA的透光率的降低。
作为一实施例,在垂直于基板100的一表面的虚拟平面上(即,在横截面上),遮光图案层50的主体部50-BP的宽度W1可以等于或小于像素定义膜120的宽度W2。从第二发光元件200-2发出的光大致上在垂直于基板100的一表面的方向(例如,+z方向)上行进,但是部分光可以在相对于+z方向倾斜的方向上行进。在此情况下,当遮光图案层50的主体部50-BP的宽度W1大于像素定义膜120的宽度W2时,会阻挡从第二发光元件200-2发出的光的一部分,从而显示装置10的亮度可能降低。为了防止这种情况,根据本发明的一实施例,遮光图案层50的主体部50-BP的宽度W1可以等于或小于像素定义膜120的宽度W2。
图14是示意性地示出根据本发明的另一实施例的电子设备的显示装置的遮光图案层的布置的平面图。
参照图14,遮光图案层50的第一开口部50-OP1及第二开口部50-OP2可以分别被遮光图案层50的主体部50-BP至少局部地围绕。作为一示例,图14示出了第一开口部50-OP1及第二开口部50-OP2被主体部50-BP整体围绕的情形,但本发明并不限于此。根据第二显示区域DA2的多个第二发光元件200-2的形状及布置,遮光图案层50的第一开口部50-OP1及第二开口部50-OP2的平面上的形状及布置可以多样地改变。
同上所述,遮光图案层50的第一开口部50-OP1可以与多个第二发光元件200-2中的任意一个重叠,并且第二开口部50-OP2可以与第二显示区域DA2的透射区域TA重叠。由此,从多个第二发光元件200-2发出的光可以通过第一开口部50-OP1而穿过,因此能够防止亮度的降低。并且,可以防止通过透射区域TA入射的外部光的透光率的降低。
图15是示意性地示出根据本发明的又一实施例的电子设备的显示装置的一部分的剖视图。将省略针对与在上文中参照图5a及图13说明的构成要素相同或对应的构成要素的说明,以下将以不同之处为主进行说明。
参照图15,金属层270可以布置成在平面上至少与多个第二发光元件200-2重叠,金属层270可以配备为多个,并且可以布置为一个金属层270与一个第二发光元件200-2重叠。即,多个金属层270可以不形成为一体,而是相互隔开布置。
作为一实施例,各个金属层270可以在平面上不与遮光图案层50重叠,并且可以布置为与遮光图案层50的第一开口部50-OP1对应。即,为了减小在不与遮光图案层50重叠的区域的外部光的反射率,金属层270可以位于至少不与遮光图案层50重叠的区域。
作为一实施例,各个金属层270可以具有比像素定义膜120的开口120OP的面积更大的面积。这里,“面积”是指在垂直于基板100的一表面的方向上观察时的平面上的面积。即,各个金属层270的面积可以大于各个第二像素PX2的面积。作为部分实施例,各个金属层270的面积可以大于第二发光元件200-2的像素电极210的面积,或者各个金属层270可以具有与第二发光元件200-2的像素电极210相同的面积。
图16是示意性地示出根据本发明的又一实施例的电子设备的显示装置的金属层的布置的平面图。
参照图16,各个金属层270在平面上可以具有岛(island)形态或孤立的(isolated)形态。作为一实施例,各个金属层270可以具有与第二像素PX2的平面上的形状对应的形状。例如,在第二像素PX2以五片瓦图案布置的情况下,金属层270也可以以五片瓦图案布置。作为另一示例,在第二像素PX2以条纹图案布置的情况下,金属层270也可以布置为条纹图案。当然,本发明并不限于这种金属层270的平面上的形状。在任何情况下,金属层270都可以布置为至少与第二像素PX2重叠。由此,可以减小不与遮光图案层50(参照图15)重叠的第二像素PX2中的外部光的反射率。
到目前为止,仅以显示装置及配备该显示装置的电子设备为主进行了说明,但本发明并不限于此。例如,用于制造这样的显示装置及配备该显示装置的电子设备的制造方法也属于本发明的范围。
尽管已经参考附图中所示的实施例说明了本发明,但是这些实施例仅是示例性的,并且本技术领域中具有普通知识的技术人员将理解,可以从本发明进行多样的变形及等同的其他实施例。因此,本发明的真正的技术保护范围应由所附的权利要求书的技术思想来确定。
Claims (20)
1.一种显示装置,作为包括第一显示区域及配备有透射区域的第二显示区域的显示装置,包括:
基板;
多个第一发光元件,布置于所述基板上,并定义所述第一显示区域;
多个第二发光元件,布置于所述基板上,并定义所述第二显示区域;
光学功能层,布置于所述多个第一发光元件上,并包含对应于所述第二显示区域的孔;
金属层,布置于所述多个第二发光元件上,并包括对应于所述第二显示区域的所述透射区域的贯通部;以及
封盖层,夹设于所述多个第二发光元件与所述金属层之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述金属层包括选自包含锰、钛、钼、钨、铬、镍、钴、铜、铝、铬氮化物、钛氮化物、钛铝氮化物、钛碳化物、钼氧化物、铬氧化物及钨氧化物的组中的至少任意一个。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述金属层在平面上至少与所述多个第二发光元件重叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述金属层在平面上不与所述多个第一发光元件重叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述封盖层具有使从所述多个第二发光元件反射的光和从所述金属层反射的光彼此相消干涉的厚度。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述封盖层包括有机绝缘物。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述多个第二发光元件中的每一个包括:
像素电极,布置于所述基板上;
对向电极,布置于所述像素电极上;以及
中间层,夹设于所述像素电极与所述对向电极之间。
8.根据权利要求7所述的显示装置,还包括:
像素定义膜,覆盖所述多个第二发光元件中的每一个的所述像素电极的边缘,并包含定义所述多个第二发光元件中的每一个的发光区域的开口。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述像素定义膜包括遮光物质。
10.根据权利要求8所述的显示装置,还包括:
封装层,布置于所述金属层上,并配备有至少一个无机层及至少一个有机层。
11.根据权利要求10所述的显示装置,还包括:
遮光图案层,位于所述封装层上的所述第二显示区域,
其中,所述遮光图案层包括包含遮光物质的主体部以及与所述主体部相邻的第一开口部及第二开口部。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,
所述遮光图案层的所述第一开口部在平面上与所述多个第二发光元件中的至少一个重叠,
所述遮光图案层的所述第二开口部在平面上与所述第二显示区域的所述透射区域重叠。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,
在与所述基板的一表面垂直的虚拟平面上,所述遮光图案层的所述主体部的宽度小于所述像素定义膜的宽度。
14.根据权利要求11所述的显示装置,还包括:
触摸感测层,夹设于所述封装层与所述遮光图案层之间,并包含感测电极及电连接于所述感测电极的迹线。
15.一种电子设备,包括:
显示装置,配备有具有彼此不同的分辨率的第一显示区域和第二显示区域;以及
电子组件,与配备于所述第二显示区域的透射区域重叠,
其中,所述显示装置包括:
基板;
多个第一发光元件,布置于所述基板上,并定义所述第一显示区域;
多个第二发光元件,布置于所述基板上,并定义所述第二显示区域;
光学功能层,布置于所述多个第一发光元件上,并包含对应于所述第二显示区域的孔;
金属层,布置于所述多个第二发光元件上,并包括对应于所述第二显示区域的所述透射区域的贯通部;以及
封盖层,夹设于所述多个第二发光元件与所述金属层之间,并具有预定的厚度,以使从所述多个第二发光元件反射的光和从所述金属层反射的光彼此相消干涉。
16.根据权利要求15所述的电子设备,其中,
所述封盖层包括:贯通部,对应于所述第二显示区域的所述透射区域。
17.根据权利要求15所述的电子设备,其中,
所述金属层在平面上至少与所述多个第二发光元件重叠,并且不与所述多个第一发光元件重叠。
18.根据权利要求15所述的电子设备,其中,
所述多个第二发光元件中的每一个包括:像素电极,布置于所述基板上;对向电极,布置于所述像素电极上;以及中间层,夹设于所述像素电极与所述对向电极之间,
所述电子设备还包括:像素定义膜,覆盖所述多个第二发光元件中的每一个的所述像素电极的边缘,并包括遮光物质。
19.根据权利要求18所述的电子设备,还包括:
封装层,布置于所述金属层上,并配备有至少一个无机层及至少一个有机层;
触摸感测层,布置于所述封装层上,并包含感测电极及电连接于所述感测电极的迹线;以及
遮光图案层,位于所述触摸感测层上的所述第二显示区域。
20.根据权利要求19所述的电子设备,其中,
所述遮光图案层包括包含遮光物质的主体部以及至少一部分被所述主体部围绕的第一开口部及第二开口部,
所述遮光图案层的所述第一开口部在平面上与所述多个第二发光元件中的至少一个重叠,
所述遮光图案层的所述第二开口部在平面上与所述第二显示区域的所述透射区域重叠。
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