KR20220041740A - 검사 장치 제어 방법 및 검사 장치 - Google Patents

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Abstract

검사 대상체를 균등하게 가열할 수 있도록 제어 지령을 보정하기 위한, 검사 대상체를 구비한 기판을 탑재하는 스테이지와, 광을 조사하여 상기 기판을 가열하는 복수 개의 광원부를 포함하는 검사 장치의 제어 방법으로서, 상기 복수 개의 광원부를 개별적으로 점등하여 상기 기판의 복수 개의 제1 온도 분포를 취득하는 단계와, 상기 복수 개의 제1 온도 분포의 합을 나타내는 제2 온도 분포를 취득하는 단계와, 상기 제2 온도 분포에 기초하여 상기 복수 개의 광원부 중에서 적어도 하나 또는 복수 개의 광원부로부터 출력되는 광량을 보정하는 하나 또는 복수 개의 보정값을 구하는 단계와, 상기 적어도 하나 또는 복수 개의 광원부 각각으로부터 출력되는 광량에 대해 상기 하나 또는 복수 개의 보정값을 이용하여 각각 보정하는 단계를 포함한다.

Description

검사 장치 제어 방법 및 검사 장치{CONTROL METHOD OF INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION APPARATUS}
본 개시 내용은 검사 장치 제어 방법 및 검사 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 복수 개의 검사 대상 칩의 전기적 특성을 테스터(tester)에 의해 차례로 검사하는 프로버(prober)가 개시되어 있다. 프로버는 복수 개의 LED 유닛과, LED 유닛을 구동하는 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함한다. 복수 개의 LED 유닛은, 탑재대의 탑재면과는 반대쪽에서, 기판에 매트릭스 형태로 설치된 복수 개의 검사 대상 칩이 각각 위치하는 복수 개의 영역을 서로 독립적으로 가열하도록 구비된다. 제어부는, 검사 대상 칩을 검사할 때에, 상기 복수 개의 LED 유닛 중에서, 당해 검사가 이루어지는 검사 대상 칩의 영역과 당해 영역의 주변 영역 중 적어도 당해 검사가 이루어지는 검사 대상 칩의 영역에 대응하는 영역의 LED 유닛을 구동하도록, 제어 신호를 출력한다.
일본국 공개특허공보 특개2019-102645호
본 개시 내용은 검사 대상체를 균등하게 가열할 수 있도록 제어 지령을 보정할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시 내용의 일 양태에 의하면, 검사 대상체를 구비한 기판을 탑재하는 스테이지와, 광을 조사하여 상기 기판을 가열하는 복수 개의 광원부를 포함하는 검사 장치의 제어 방법으로서, 상기 복수 개의 광원부를 개별적으로 점등하여 상기 기판의 복수 개의 제1 온도 분포를 취득하는 단계와, 상기 복수 개의 제1 온도 분포의 합을 나타내는 제2 온도 분포를 취득하는 단계와, 상기 제2 온도 분포에 기초하여 상기 복수 개의 광원부 중에서 적어도 하나 또는 복수 개의 광원부로부터 출력되는 광량을 보정하는 하나 또는 복수 개의 보정값을 구하는 단계와, 상기 적어도 하나 또는 복수 개의 광원부 각각으로부터 출력되는 광량에 대해 상기 하나 또는 복수 개의 보정값을 이용하여 각각 보정하는 단계를 포함하는 검사 장치 제어 방법이 제공된다.
일 측면에 의하면, 검사 대상체를 균등하게 가열할 수 있도록 제어 지령을 보정할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 검사 장치의 구성을 설명하는 단면 모식도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 검사 장치에서의 웨이퍼 온도 조절 기구를 설명하는 단면 모식도의 일 예이다.
도 3은 검사시의 온도 조절 기구의 동작을 설명하는 단면 모식도의 일 예이다.
도 4는 검사시의 LED 구획의 일 예를 설명하는 평면도의 일 예이다.
도 5a와 도 5b는 웨이퍼(W) 내에서 검사 대상인 전자 디바이스(500)가 위치하는 부분 및 그 주위에서의 온도 분포의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 6은 검사 장치(10)의 각 LED 어레이(400)의 광량을 피드백 제어하는 제어 시스템의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 7은 열 화상을 취득하는 구성의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 보정값 C1~C12를 구하는 처리의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 9는 제1 열 화상의 일 예를 나타내는 도면이다.
[실시형태]
이하에서는, 도면을 참조하여, 본 개시 내용을 실시하기 위한 형태에 대해 설명한다. 한편, 본 명세서 및 도면에 있어 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙이며 중복되는 설명을 생략하는 경우가 있다.
<검사 장치>
본 실시형태에 따른 스테이지(탑재대, 11)를 구비한 검사 장치(10)에 대해, 도 1을 이용하여 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 검사 장치(10)의 구성을 설명하는 단면 모식도의 일 예이다.
검사 장치(10)는 웨이퍼(기판, W)에 형성된 복수 개의 전자 디바이스(검사 대상체) 각각의 전기적 특성을 검사하는 장치이다. 한편, 검사 대상체를 구비한 기판은 웨이퍼(W)에 한정되지 않으며 전자 디바이스가 배치된 캐리어, 유리 기판, 칩 단품 등일 수 있다. 검사 장치(10)는, 웨이퍼(W)를 탑재한 스테이지(11)를 수용하는 수용실(12)과, 수용실(12)에 인접하여 배치되는 로더(loader, 13)와, 수용실(12)을 덮도록 배치되는 테스터(14)를 구비한다.
수용실(12)은 내부가 공동(空洞)으로 되어 있는 케이스 형상을 갖는다. 수용실(12)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 탑재하는 스테이지(11)와, 스테이지(11)에 대향하도록 배치되는 프로브 카드(15)가 수용된다. 프로브 카드(15)는 웨이퍼(W)의 각 전자 디바이스의 전극에 대응하여 구비된 전극 패드, 납땜 범프 등에 대응하여 배치된 다수 개의 바늘 형상 프로브(접촉 단자, 16)를 구비한다.
스테이지(11)는 웨이퍼(W)를 스테이지(11)에 고정시키는 고정 기구(미도시)를 구비한다. 이로써 스테이지(11)에 대한 웨이퍼(W)의 상대 위치가 어긋나는 것을 방지한다. 또한, 수용실(12)에는 스테이지(11)를 수평 방향 및 상하 방향으로 이동시키는 이동 기구(미도시)가 구비된다. 이로써 프로브 카드(15)와 웨이퍼(W)의 상대 위치를 조정하여, 각 전자 디바이스의 전극에 대응하여 구비된 전극 패드, 납땜 범프 등을 프로브 카드(15)의 각 프로브(16)에 접촉시킨다.
로더(13)는 반송 용기인 FOUP(미도시)로부터 전자 디바이스가 배치된 웨이퍼(W)를 꺼내어 수용실(12) 내부의 스테이지(11)에 탑재하고 또한 검사가 행해진 웨이퍼(W)를 스테이지(11)로부터 제거하여 FOUP에 수용시킨다.
프로브 카드(15)는 인터페이스(17)를 통해 테스터(14)에 접속되며, 각 프로브(16)가 웨이퍼(W)에 있어 각 전자 디바이스의 전극에 대응하여 구비된 전극 패드, 납땜 범프 등에 접촉할 때에, 각 프로브(16)는, 테스터(14)로부터 인터페이스(17)를 통해 전력을 전자 디바이스로 공급하거나, 또는 전자 디바이스로부터의 신호를 인터페이스(17)를 통해 테스터(14)로 전달한다.
테스터(14)는 전자 디바이스가 탑재되는 마더 보드의 회로 구성의 일부를 재현하는 테스트 보드(미도시)를 구비하며, 테스트 보드는 전자 디바이스로부터의 신호에 기초하여 전자 디바이스의 불량 여부를 판단하는 테스터 컴퓨터(18)에 접속된다. 테스터(14)에서는, 테스트 보드를 교체함으로써 복수 개 종류의 마더 보드의 회로 구성을 재현할 수 있다.
제어 장치(19)는 스테이지(11)의 동작을 제어한다. 제어 장치(19)는 스테이지(11) 이동 기구(미도시)를 제어하여 스테이지(11)를 수평 방향 및 상하 방향으로 이동시킨다. 또한, 제어 장치(19)는 배선(20)에 의해 스테이지(11)에 접속된다. 제어 장치(19)는 배선(20)을 통해 후술하는 광 조사(照射) 기구(40)의 동작을 제어한다. 또한, 제어 장치(19)는 테스터(14)와 통신할 수 있도록 접속되어, 테스터(14)의 정보가 제어 장치(19)로 입력된다.
냉매 공급 장치(21)가 공급 배관(22) 및 복귀 배관(23)을 통해 스테이지(11)의 냉매 유로(31)에 접속되어, 냉매 공급 장치(21)와 스테이지(11)의 냉매 유로(31)와의 사이에서 냉매를 순환시킬 수 있다. 제어 장치(19)는 냉매 공급 장치(21)를 제어하여, 냉매 공급 장치(21)로부터 냉매 유로(31)로 공급되는 냉매의 온도, 유량 등을 제어한다.
한편, 제어 장치(19)와 냉매 공급 장치(21)는 로더(13) 내에 구비되는 것으로서 도시되어 있으나, 이에 한정되지는 않으며, 그 밖의 다른 곳에 구비될 수도 있다.
검사 장치(10)에서는, 전자 디바이스의 전기적 특성을 검사할 때에, 테스터 컴퓨터(18)가 각 프로브(16)를 통해 전자 디바이스에 접속된 테스트 보드로 데이터를 송신하고, 송신된 데이터가 당해 테스트 보드에 의해 제대로 처리되었는지 여부를 테스트 보드로부터의 전기 신호에 기초하여 판정한다.
이어서, 본 실시형태에 따른 검사 장치(10)에서의 웨이퍼(W) 온도 조절 기구에 대해, 도 2를 이용하여 설명한다. 도 2는 본 실시형태에 따른 검사 장치(10)에서의 웨이퍼(W) 온도 조절 기구를 설명하는 단면 모식도의 일 예이다. 한편, 도 2에서는 냉매의 흐름을 흰색 화살표 A로 나타낸다. 또한, 도 2에서는 광 조사 기구(40)는 상 방향으로 광을 조사한다.
스테이지(11)는 탑재부(30)와 광 조사 기구(40)를 구비한다.
탑재부(30)에는 전자 디바이스가 형성되는 웨이퍼(W)가 탑재된다. 탑재부(30)는 광 조사 기구(40)로부터 조사된 광을 투과시키는 투광성 부재로 형성된다. 이로써 광 조사 기구(40)로부터 조사된 광은 탑재부(30)를 투과하여 웨이퍼(W) 뒷면으로 조사(照射)된다. 또한, 스테이지(11)에는 냉매 유로(냉각부, 31)가 형성된다. 냉매가 냉매 공급 장치(21, 도1 참조)로부터 공급 배관(22, 도1 참조)을 통해 냉매 유로(31)로 공급된다. 냉매 유로(31)를 지난 냉매는 복귀 배관(23, 도1 참조)을 통해 냉매 공급 장치(21)로 돌아온다. 냉매로는, 예를 들어, 무색이며 광이 투과될 수 있는 액체인 물, GALDEN(상표) 등이 사용된다.
광 조사 기구(40)는 광을 조사하는 복수 개의 LED(41)를 구비한다. LED(41)는 평면시(平面視)로 보았을 때에 소정 영역씩 구획되어 있다(후술하는 도4 참조). 제어 장치(19)는 구획된 LED(41) 별로 점등 및 점등시의 광량을 제어할 수 있다. 한편, 광 조사 기구(40)에 대해 광원으로서 LED(41)를 사용하는 것으로 설명하였으나, 광원의 종류는 이에 한정되지 않는다.
광 조사 기구(40)로부터 방사된 광은 투광성 부재로 형성되는 탑재부(30) 및 냉매 유로(31)를 지난 냉매를 투과하여 웨이퍼(W) 뒷면으로 조사된다. 이로써, 광이 조사된 웨이퍼(W)가 승온하여 전자 디바이스도 승온된다. 한편, 탑재부(30)의 상면(웨이퍼(W)의 탑재면)에 광 흡수 부재를 구비할 수도 있다. 이러한 구성의 경우, 광 조사 기구(40)로부터 방사된 광이 광 흡수 부재로 조사되어 광 흡수 부재가 승온된다. 그리고, 광 흡수 부재로부터 웨이퍼(W)에 전열됨으로써 웨이퍼(W)에 형성된 전자 디바이스가 승온된다. 또한, 광 조사 기구(40)는 LED(41)를 점등시키는 구획을 제어함으로써, 광 조사 기구(40)에 의해 승온되는 웨이퍼(W) 영역을 제어할 수 있다.
프로브(16)는 전자 디바이스의 전극에 접촉한다. 테스터(14, 도1 참조)는 프로브(16)를 통해 전자 디바이스의 전극에 전압을 인가함으로써, 전자 디바이스 내부의 회로에 전류를 흐르게 할 수 있다.
도 3은 검사시의 온도 조절 기구의 동작을 설명하는 단면 모식도의 일 예이다. 도 4는 검사시의 LED 구획의 일 예를 설명하는 평면도의 일 예이다. 또한, 도 3에서는 검사 대상인 전자 디바이스(500)의 위치를 파선으로 나타냈다. 또한, 도 4에서는 평면시(平面視)로 보았을 때에 검사 대상인 전자 디바이스(500)의 위치를 점박이 모양으로 나타냈다. 또한, 검사 대상인 전자 디바이스(500)는 하나의 칩을 검사하는 구성일 수도 있으며 복수 개의 칩을 동시에 검사하는 구성일 수도 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 광 조사 기구(40)는 소정 영역씩 구획된 LED 어레이(400)를 구비한다. LED 어레이(400)는 광원부의 일 예이다. 도 4에는 일 예로서 97개의 LED 어레이(400)를 나타냈다. 각 구획의 LED 어레이(400)를 사각형으로 나타냈다. 각 LED 어레이(400)에는 복수 개의 LED(41, 도3 참조)가 구비되어 있다. 제어 장치(19)는 LED 어레이(400)별로 LED(41)의 점등 및 점등시 광량을 제어할 수 있다.
검사할 때에는 제어 장치(19)는 검사 대상인 전자 디바이스(500)의 위치를 포함하는 LED 어레이(400)와, 그 LED 어레이(400) 주위의 LED 어레이(400)를 점등시킴으로써, 전자 디바이스(500)에 광을 조사한다. 여기에서는, 일 예로서 전자 디바이스(500)가 2개의 LED 어레이(400) 영역에 걸쳐서 존재하므로, 2개의 LED 어레이(400)와, 2개의 LED 어레이(400)을 둘러싸는 10개의 LED 어레이(400), 합계 12개의 LED 어레이(400)를 포함하는 영역(401)에서 LED(41)를 점등시켜 전자 디바이스(500)에 광을 조사한다. 한편, 이하에서는, 영역(401) 중에서 전자 디바이스(500)가 존재하는 2개의 LED 어레이(400)를 포함하는 영역을 존재 영역(401A)이라 하며, 도 4에서 파선으로 나타냈다.
또한, 테스터(14)는 프로브(16)를 통해 전자 디바이스(500)에 전류를 흘려보내어 전자 디바이스(500)를 검사한다. 한편, 도 4에서는 광을 조사하는 LED 어레이(400)의 영역(401)에 해칭으로 나타냈다. 또한, 도 3에서는 광 조사 기구(40)로부터 조사되는 광을 검정 화살표 B로 나타냈다.
또한, 탑재부(30)의 냉매 유로(31)에는 냉매가 흐른다. 또한, 도 3에서 흰색 화살표 C로 나타내는 바와 같이, 전자 디바이스(500)의 열은 전자 디바이스(500)로부터 탑재부(30)로 균일하게 흡열된다. 이로써 검사 대상인 전자 디바이스(500)의 온도를 저하시킬 수 있다. 한편, 제어 장치(19)는, 스테이지(11)에 구비되는 복수 개의 온도 센서(미도시)의 검출값에 기초하여, 각 LED 어레이(400)의 광량을 피드백 제어할 수도 있다. 예를 들어, 제어 장치(19)는 스테이지(11)에 구비된 복수 개의 온도 센서(미도시)의 검출값에 기초하여 각 LED 어레이(400)의 광량을 피드백 제어한다.
또한, 제어 장치(19)는 테스터(14)로부터 전자 디바이스(500)에 공급하는 전력 정보를 테스터(14)로부터 취득한다. 제어 장치(19)가 취득한 정보에 기초하여 전자 디바이스(500)의 발열을 검지하는 구성일 수도 있다.
검사 장치(10)는 LED 어레이(400)마다 LED(41)의 점등 및 점등시 광량을 제어할 수 있으므로, 가열 영역을 한정할 수 있으며 전자 디바이스(500)의 급격한 발열에 대응할 수 있다. 반면에, 웨이퍼(W) 전체의 온도 균일성은 저하되므로, 전자 디바이스(500)의 온도 균일화를 위해 제어 지령을 보정하는 보정값을 취득한다.
도 5a 및 도 5b는 웨이퍼(W) 내에서 검사 대상인 전자 디바이스(500)가 위치하는 부분과 그 주위에서의 온도 분포의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 5a, 도 5b에서는, 도 4에 나타낸 영역(401) 내 12개의 LED 어레이(400)를 점등시켰을 때의 온도 분포를 나타낸다. 전자 디바이스(500)와 겹치는 2개의 LED 어레이(400)는 주위의 10개의 점등 LED 어레이(400)에 의해 둘러싸여 있으며, 주위의 10개의 LED 어레이(400)는 주변의 점등되지 않은 LED 어레이(400)에 둘러싸이게 된다.
도 5a에 나타내는 온도 분포는, 12개의 LED 어레이(400)의 출력이 같은 경우의 온도 분포이다. 이 경우에는, 도 5a에 나타내는 바와 같이, 전자 디바이스(500)와 겹치는 2개의 LED 어레이(400)의 존재 영역(401A) 내에서, 웨이퍼(W)의 온도는 가운데쪽이 가장 높으며, 가운데의 온도와 존재 영역(401A) 경계 부분의 온도 간 온도 차 T1은 비교적 크다.
한편, 도 5b에 나타내는 온도 분포는, 전자 디바이스(500)와 겹치는 2개의 LED 어레이(400)의 출력보다 주위의 10개의 LED 어레이(400)의 출력을 크게 한 경우의 온도 분포이다. 이 경우에는, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 전자 디바이스(500)와 겹치는 2개의 LED 어레이(400)의 존재 영역(401A) 내에서의 온도 균등화를 도모할 수 있으며, 가운데의 온도와 존재 영역(401A) 경계 부분의 온도 간 온도 차 T2는 비교적 작다.
이와 같은 LED 어레이(400)의 출력 조정을 수작업으로 하면 상당한 수고가 들게 되는 바, 검사 장치(10)의 제어 장치(19)는 각 LED 어레이(400)의 출력을 보정할 수 있는 보정부를 포함한다. 도 6은 검사 장치(10)의 각 LED 어레이(400)의 광량을 피드백 제어하는 제어 시스템의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 6에서는 검사 장치(10) 내의 제어 장치(19), LED 어레이(400), 탑재부(30)를 나타낸다. 탑재부(30)는 이른바 척(chuck)이며, 복수 개의 온도 센서(32)를 내장하고 있다. 온도 센서(32)는 탑재부(30)의 상면에 탑재되는 웨이퍼(W)의 온도를 검출할 수 있다면 어떠한 구성이어도 되며, 일 예로서 열전대 등을 사용할 수 있다.
제어 장치(19)는 제어부(19A)와 복수 개의 보정부(19B)를 구비한다. 제어 장치(19)는 제어부(19A)와 복수 개의 보정부(19B) 이외의 구성 요소도 포함하지만, 여기에서는 생략한다. 제어 장치(19)는 CPU(Central Processing Unit), RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), 내부 버스 등을 포함하는 컴퓨터에 의해 실현된다. 제어부(19A)와 복수 개의 보정부(19B)는 제어 장치(19)가 실행하는 프로그램의 기능(팩션)을 기능 블록으로 나타낸 것이다. 한편, 여기에서는 보정부(19B)가 컴퓨터의 기능 블록에 의해 실현되는 형태에 대해 설명하였으나, 보정부(19B)는 제어 장치(19) 외부에 구비될 수도 있으며 하드웨어로 실현되는 것일 수도 있다.
제어부(19A)는, 제어 장치(19)의 내부 메모리 등으로부터 읽어들이는 온도 설정 신호 SV(Set Variable)와, 온도 센서(32)로부터 입수하는 현재값 PV(Process Variable)에 기초하여 피드백 제어를 실시함으로써, 조작 지령 MV(Manipulative Variable)를 출력한다. 온도 설정 신호 SV는 검사 장치(10)의 유자에 의해 설정되는 목표 온도를 나타낸다. 조작 지령 MV는 제어 지령의 일 예이다. 검사할 때에는 전자 디바이스(500)에 가장 가까운 하나의 온도 센서(32)로부터 얻어지는 현재값 PV를 사용한다. 현재값 PV는 온도 센서(32)가 검출하는 현재의 온도를 나타낸다. 제어부(19A)는 조작 지령(MV)에 의해 각 LED 어레이(400)를 개별적으로 점등시킬 수 있다.
각 보정부(19B)는 각 LED 어레이(400)와 제어부(19A) 사이에 구비되어 있다. 보정부(19B)는 각 LED 어레이(400)에 대응하여 하나씩 구비되어 있다. 일 예로서 LED 어레이(400)가 97개 있는 경우에, 제어 장치(19)는 97개의 보정부(19B)를 포함한다. 도 6에서는 영역(401, 도4 참조)에 포함되는 12개의 LED 어레이(1)~(12)(400)와 12개의 보정부(19B)를 나타낸다. 한편, 12개의 LED 어레이 (1~(12)(400)에 대해서는, 일 예로서, (1)과 (2)가 전자 디바이스(500)와 겹치는 2개의 LED 어레이(400)이며, (3)~(12)가 주위의 10개의 LED 어레이(400)인 것으로 하여 설명한다. 즉, (1)과 (2)의 LED 어레이(400)는, 평면시로 보았을 때에 전자 디바이스(500)와 겹치는 2개의 LED 어레이(400)의 존재 영역(401A) 내에 있다. 평면시로 보았을 때에 (1)과 (2)의 LED 어레이(400)를 포함하는 영역은 제1 영역의 일 예이며, 존재 영역(401A)과 같다. 또한, 평면시로 보았을 때에 (3)~(12)의 LED 어레이(400)를 포함하는 영역은 제2 영역의 일 예이다.
보정부(19B)는, 일 예로서, 제어부(19A)가 출력하는 조작 지령 MV(Manupulated Variable)를 보정하여 LED 어레이(400)로 출력한다. 도 6에 나타내는 12개의 보정부(19B)는 각각 보정값 C1~C12를 가진다. 보정값 C1과 C2의 보정부(19B)가 (1)과 (2)의 LED 어레이(400)에 각각 접속되어 있으며, 보정값 C3~C12의 보정부(19B)가 (3)~(12)의 LED 어레이(400)에 각각 접속되어 있다.
전자 디바이스(500)가 균등하게 가열되도록, 보정값 C1~C12는 보정값 C1과 C2보다 보정값 C3~C12가 큰 값으로 설정된다. 도 5b에 나타내는 온도 분포를 얻기 때문이다. 또한 일 예로서 보정값 C1~C12의 각각은 대응되는 각 LED 어레이(400)에 포함되는 복수 개의 LED(41) 각각에 대한 보정값을 가진다. 그리하여, 모든 LED(41)의 발광 강도를 개별적으로 보정할 수가 있다. 또한, 보정값 C1~C12는, 일 예로서, 광 조사 기구(40)에서의 복수 개 LED(41)의 점등 패턴별로 값이 설정된다. 다만, 보정값 C1~C12의 각각은, 대응되는 각 LED 어레이(40)에 포함되는 복수 개의 LED(41)를 하나 또는 복수 개의 그룹으로 그룹핑하고 그룹별로 발광 강도를 보정하는 보정값일 수도 있다.
이어서, 보정값 C1~C12를 구하는 방법(취득 방법)에 대해 설명한다. 보정값 C1~C12를 구하기 위해 열 화상을 취득할 때에는, 일 예로서 실제 웨이퍼(W)가 아니라 방사율이 좋은 도료를 도포한 웨이퍼를 온도 측정용 웨이퍼로서 사용한다. 여기에서 방사율이 좋은 도료를 도포한 웨이퍼를 웨이퍼(Wa)라고 표기한다. 도 7은 열 화상을 취득하는 구성의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 탑재부(30)에 웨이퍼(Wa)를 탑재하고 전자 디바이스(500)를 프로브(16, 도3 참조)에 접촉시키지 않은 상태에서, 영역(401) 내 12개의 LED 어레이(400)를 하나씩 점등시켜 웨이퍼(Wa) 상방으로부터 IR(infrared, 적외선) 카메라(200, 열 화상 취득부의 일 예)에 의해 열 화상을 촬상하면 된다. 탑재부(30)에 웨이퍼(Wa)를 탑재하고 전자 디바이스(500)를 프로브(16, 도3 참조)에 접촉시키지 않은 상태는, 예를 들어, 테스터(14)와 프로브 카드(15)를 탈거한 상태에서 전자 디바이스(500)가 프로브(16, 도3 참조)에 접촉되지 않은 상태로 함으로써 실현할 수 있다. 또한, IR 카메라(200)는, 검사 장치(10)에 구비할 수 있으며, 열 화상을 취득할 때에만 검사 장치(10) 내에 구비할 수도 있다. 여기에서는, 일 예로서 IR 카메라(200)의 촬상 제어가 제어부(19A)에 의해 이루어지는 형태에 대해 설명한다. 또한, 여기에서는 IR 카메라(200)를 이용하여 열 화상을 취득하는 형태에 대해 설명하지만, 열 화상을 취득할 수 있으면 되며 IR 카메라(200)에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로는, 일 예로서 도 8에 나타내는 플로우에 따라 보정값 C1~C12를 구하면 된다. 도 8은 보정값 C1~C12를 구하는 처리의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다. 도 8에 나타내는 처리는 제어부(19A)에 의해 실행된다. 또한, 도 9는 제1 열 화상의 일 예를 나타내는 도면이다.
제어부(19A)는, 처리가 시작되면, 온도 설정 신호 SV가 나타내는 목표 온도가 설정되어 있는 조건 하에 조작 지령 MV를 출력하여 영역(401) 내 LED 어레이(400)를 한 개 점등시킨다(단계 S1). 즉, 영역(401) 내 LED 어레이(400)를 개별적으로 점등시킨다.
이어서, 제어부(19A)는 IR 카메라(200)로 하여금 웨이퍼(Wa)의 제1 열 화상을 촬상시킨다(단계 S2). 단계 S2에서 얻어지는 제1 열 화상은, 영역(401) 내 12개의 LED 어레이(400) 중 어느 하나를 점등시킨 상태에서 얻어지는 온도 분포를 나타낸다. 단계 S2에서 얻어지는 제1 열 화상으로부터 얻어지는 온도 분포가 제1 온도 분포의 일 예이다.
제어부(19A)는 12개의 제1 열 화상을 취득했는지 여부를 판정한다(단계 S3).
제어부(19A)가 12개의 제1 열 화상을 취득하지 않았다고 판정하면(S3: NO), 플로우를 단계 S1로 리턴시킨다. 그리하여, 단계 S1 및 S2의 처리가 12번 반복됨으로써, 도 9에 나타내는 바와 같은 제1 열 화상이 12개 취득된다.
제어부(19A)가 12개의 제1 열 화상을 취득했다고 판정하면(S3: YES), 존재 영역(401A) 내에 있는 모든 픽셀 각각에 대해, 12개의 제1 열 화상의 픽셀마다의 온도 합을 취한 제2 열 화상을 취득한다(단계 S4). 단계 S4에서는, 단계 S2를 12번 반복하여 얻어진 12개의 제1 열 화상 중 존재 영역(401A) 내에 있는 모든 픽셀에 대해, 픽셀마다의 온도 합을 취함으로써 제2 열 화상이 생성된다. 단계 S4에서 취득되는 제2 열 화상이 나타내는 온도 분포는, 존재 영역(401A) 내에 있는 모든 픽셀에 대해 12개의 제1 온도 분포의 픽셀마다의 온도 합을 취한 온도 분포이며, 제2 온도 분포의 일 예이다. 제1 열 화상은 웨이퍼(Wa)의 전체 영역에 포함되는 모든 픽셀에 대한 온도값을 가짐에 비해, 제2 열 화상은 존재 영역(401A) 내의 픽만에 대한 온도값만을 가진다.
제어부(19A)는, 단계 S4에서 구한 제2 열 화상을 사용하여, 온도 설정 신호 SV가 나타내는 목표 온도가 설정되어 있는 조건 하에 온도 차 T2(도5b 참조)가 최소로 되는 보정값 C1~C12를 구하기 위한 최적화 계산을 한다(단계 S5). 최적화 계산은 온도 설정 신호 SV가 나타내는 목표 온도가 설정되어 있는 조건 하에 온도 차 T2가 최소로 되는 보정값 C1~C12의 조합을 구하는 최적화 문제를 푸는 계산이다.
예를 들어, 단계 S4에서 얻어지는 제2 열 화상 중 하나의 픽셀의 온도는, 단계 S1, S2를 12번 반복하여 얻어지는 12개의 제1 열 화상의 존재 영역(401A)에 있어 대응하는 하나의 픽셀의 온도 합이므로, 이하의 식 (1)로 나타낼 수 있다.
Figure pat00001
식 (1)에서 Ttotal은 제2 열 화상 중 하나의 픽셀의 온도(12개의 제1 열 화상에서 대응하는 픽셀의 온도 합)를 나타내며, Ci는 보정값 C1~C12를 나타낸다. Ti는 제1 열 화상의 대응하는 픽셀의 온도를 나타내며, T0은 LED(41)를 점등시키지 않았을 때의 온도를 나타내는 바, 12개의 열 화상에 대해 T1~T12가 얻어진다. 식 (1)은, 제2 열 화상은 Ci의 함수이고, 보정값 Ci에 의해 제2 열 화상이 변화함을 나타낸다. 따라서, 보정값 Ci를 바꿨을 때의 온도 분포를 실제로 LED(41)를 점등하지 않고도 시뮬레이션으로 구할 수 있다.
제어부(19A)는 이하의 식 (2)로 나타내어지는 평가 함수 V가 최소로 되는 보정값 C1~C12를 구하는 최적화 문제를 푼다. 식 (2)에서 Tsv는 온도 설정 신호 SV가 나타내는 목표 온도이다.
Figure pat00002
식 (2)는 제2 열 화상의 모든 픽셀에 대해 식 (1)에서 구한 온도 Ttotal과 목표 온도 Tsv의 차분의 제곱합을 구하는 식이며, 바꾸어 말하면, 식 (1)에서 구한 온도 Ttotal과 목표 온도 Tsv의 차분의 제곱값에 대해 모든 픽셀분의 합을 구하는 식이다. 식 (2)의 평가 함수 V가 최소로 됨으로써, 온도 설정 신호 SV가 나타내는 목표 온도가 설정되어 있는 조건 하에 온도차 T2가 최소로 되는 보정값 C1~C12의 조합을 취득할 수 있다. 바꾸어 말하면, 최적화 계산에서는 목표 온도 Tsv에 가까운 온도 분포로 되도록 역 계산하여 보정값 Ci를 구한다. 한편, 식 (2)의 평가 함수는 일 예이며, 온도차 T2가 최소로 되는 보정값 C1~C12의 조합을 취득할 수 있는 것이라면 식 (2) 이외의 평가 함수를 사용할 수도 있다.
제어부(19A)는 최적화 계산에 의해 구해진 보정값 C1~C12를 취득한다(단계 S6). 이상으로부터, 온도 설정 신호 SV가 나타내는 목표 온도가 설정되어 있는 조건 하에 온도차 T2가 최소로 되는 보정값 C1~C12의 조합이 얻어진다.
제어부(19A)는 보정값 C1~C12를 12개의 보정부(19B)에 각각 설정한다(단계 S7). 이로써 12개의 보정부(19B)는 보정값 C1~C12를 곱한 조작 지령 CiMV(i는 1~12)를 출력한다. 그 결과, (1)~(12)의 LED 어레이(400)의 광량이 보정되어, 각 LED 어레이(400)에 의해 전자 디바이스(500)가 가열되는 가열량이 보정되게 된다. 이와 같은 보정값의 산출 및 설정은, 예를 들어, 검사 장치(10)를 공장으로부터 출하할 때, 검사 장치(10)의 유지보수할 때 등의 타이밍에서에 행할 수 있다.
이상과 같이, 온도 설정 신호 SV가 나타내는 목표 온도가 설정되어 있는 조건 하에, 영역(401) 내 12개의 LED 어레이(400)를 한 개씩(개별적으로) 점등시켜 전자 디바이스(500)를 가열한 상태에서 제1 열 화상을 취득한다. 그리고, 12개의 제1 열 화상 중 영역(401A) 내의 각 픽셀에 대한 온도 합을 나타내는 제2 열 화상을 취득한다. 제2 열 화상은 12개의 LED 어레이(400)를 점등시켜 전자 디바이스(500)를 가열한 상태에서의 온도 분포를 나타낸다. 그리고, 제2 열 화상에서 영역(401A) 내 각 픽셀에 대해 얻어진 온도 Ttotal을 사용하여 식 (2)에 따라 최적화 계산을 함으로써, 온도 설정 신호 SV가 나타내는 목표 온도가 설정되어 있는 조건 하에 온도차 T2가 최소로 되는 보정값 C1~C12의 조합을 취득하여 12개의 보정부(19B)에 설정한다.
따라서, 검사 대상체인 전자 디바이스(500)를 균등하게 가열할 수 있도록 제어 지령을 보정할 수 있는 검사 장치(10) 및 검사 장치(10) 제어 방법을 제공할 수 있다.
또한, 제1 열 화상을 IR 카메라(200)로 취득하므로, 제1 온도 분포를 용이하게 취득할 수 있으며, 보정값 C1~C12를 구하는 공정의 간이화를 도모할 수 있다.
또한, 영역(401)에 대해 얻어지는 12개의 제1 열 화상의 픽셀마다의 온도 합을 취함으로써 제2 열 화상을 생성하고, 제2 열 화상이 나타내는 제2 온도 분포를 취득하므로, LED 어레이(400)의 갯수가 많은 경우에도 정확하면서 효율적으로 제2 온도 분포를 취득할 수 있다.
또한, 제2 온도 분포를 취득함에 있어, 영역(401)에 대해 얻어지는 12개의 제1 열 화상의 픽셀 중에서 존재 영역(401A) 내의 픽셀마다의 온도 합을 취함으로써 제2 열 화상을 생성하고, 제2 열 화상이 나타내는 제2 온도 분포를 취득하므로, 보다 효율적으로 제2 온도 분포를 취득할 수 있다.
또한, 12개의 보정부(19B)의 보정값 C1~C12가, 제2 열 화상의 각 픽셀에서의 온도 합과 소정 온도의 차분의 제곱합을 최소로 하는 최적화 문제를 품으로써 구해지는 바, 여러 보정값 C1~C12의 조합을 실제로 해 보지 않고서도 계산에 의해 최적의 보정값 C1~C12의 조합을 구할 수가 있다. 바꾸어 말하면, 식 (2)로 나타내어지는 평가 함수 V를 최소화하는 보정값 C1~C12를 쉽고 효율적으로 구할 수 있다.
또한, 제1 온도 분포를 취득할 때에는 영역(401) 내 12개의 LED 어레이(400)를 한 개씩(개별적으로) 점등하므로, 한정된 가열 영역에서 전자 디바이스(500)의 급격한 발열에 대응해서 점등시킬 때의 보정값을 취득할 수 있다.
또한, 보정값 C1~C12는, 존재 영역(401A) 내의 LED 어레이(400)에 대응하는 2개의 보정부(19B)에 대한 보정값 C1, C2보다, 영역(401) 내에서 존재 영역(401A)의 주위에 있는 10개의 LED 어레이(400)에 대응하는 10개의 보정부(19B)에 대한 보정값 C3~C12가 더 큰 값으로 설정된다. 그리하여, 영역(401)의 중심부와 같이 온도가 높아지기 쉬운 부분에 대해서는 온도를 낮게 조정하고, 가장자리부와 같이 온도가 낮아지기 쉬운 부분에 대해서는 온도를 높게 조정할 수 있어서, 영역(401) 내에서의 온도 분포 균일화를 도모할 수 있다.
한편, 이상에서는 최적화 계산함으로써 보정값 C1~C12을 구하는 형태에 대해 설명하였으나, 보정값 C1~C12의 계산은 최적화 계산 이외의 계산 방법으로 할 수도 있다.
또한, 이상에서는 12개의 LED 어레이 (1)~(12)(400)에 각각 접속되는 12개의 보정부(19B)에 대한 12개의 보정값을 구하는 형태에 대해 설명하였으나, 예를 들어 어느 LED 어레이(400)에 접속되는 보정부(19B)에 대해서는 보정값을 구하지 않을 수도 된다. 보다 구체적으로는, 예를 들어 (1) 또는 (2)의 LED 어레이(400)에 접속되는 보정부(19B)에 대해서는 보정값을 구하지 않고 조작 지령 MV에 의해 LED 어레이(400)를 점등시킬 수도 있다. 이 경우에는, (1) 또는 (2)의 LED 어레이(400)에 접속되는 보정부(19B)는 조작 지령 MV를 그대로 출력할 수 있다. 또한, 복수 개의 보정부(19B)에 대해 보정값을 구하지 않는 구성으로 할 수도 있다.
또한, 이상에서는 광 조사 기구(40)는 웨이퍼(W)(또는 웨이퍼(Wa))의 뒷면쪽에서 광을 조사하는 것으로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 광 조사 기구(40)가 웨이퍼(W)의 앞면쪽에서 광을 조사하는 구성일 수도 있다.
이상에서 본 개시 내용에 따른 검사 장치 제어 방법 및 검사 장치의 실시형태에 대해 설명하였으나, 본 개시 내용은 상기 실시형태 등에 한정되지 않으며, 청구범위에 기재된 범주 내에서 각종의 변경, 수정, 치환, 부가, 삭제 및 조합이 가능하다. 이들 역시 당연히 본 개시 내용의 기술적 범위에 속한다.
본원은 일본 특허청에 2020년 9월 25일에 출원된 특허출원 2020-161313호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 그 전체 내용을 참조로써 여기에 원용한다.

Claims (10)

  1. 검사 대상체를 구비한 기판을 탑재하는 스테이지와, 광을 조사하여 상기 기판을 가열하는 복수 개의 광원부를 포함하는 검사 장치의 제어 방법으로서,
    상기 복수 개의 광원부를 개별적으로 점등하여 상기 기판의 복수 개의 제1 온도 분포를 취득하는 단계와,
    상기 복수 개의 제1 온도 분포의 합을 나타내는 제2 온도 분포를 취득하는 단계와,
    상기 제2 온도 분포에 기초하여, 상기 복수 개의 광원부 중에서 적어도 하나 또는 복수 개의 광원부로부터 출력되는 광량을 보정하는 하나 또는 복수 개의 보정값을 구하는 단계와,
    상기 적어도 하나 또는 복수 개의 광원부 각각으로부터 출력되는 광량에 대해, 상기 하나 또는 복수 개의 보정값을 이용하여 각각 보정하는 단계를 포함하는 검사 장치 제어 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 온도 분포를 취득하는 단계는 열 화상 취득부에서 상기 기판을 촬상하여 얻어지는 제1 열 화상이 나타내는 온도 분포를 상기 제1 온도 분포로서 취득하는 단계인 검사 장치 제어 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 온도 분포를 취득하는 단계는 복수 개의 상기 제1 열 화상에 있어 픽셀마다의 온도 합을 픽셀마다 갖는 제2열 화상이 나타내는 온도 분포를 상기 제2 온도 분포로서 취득하는 단계인 검사 장치 제어 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 열 화상은 상기 제1 열 화상 중의 존재 영역 내의 픽셀에 대해 상기 제1 열 화상에 있어 픽셀마다의 온도 합을 픽셀마다 갖는 열 화상이며,
    상기 존재 영역은 상기 복수 개의 광원부 중에서 평면시로 보았을 때에 상기 검사 대상체가 존재하는 하나 또는 복수 개의 광원부가 위치하는 영역인 검사 장치 제어 방법.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 하나 또는 복수 개의 보정값을 구하는 단계는, 최적화 계산에 의해, 상기 제2 열 화상의 각 픽셀에서의 온도 합과 소정 온도와의 차분의 제곱합을 최소로 하는 상기 하나 또는 복수 개의 보정값의 조합을 구하는 단계인 검사 장치 제어 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 소정 온도는 상기 검사 대상체를 검사할 때에 사용하는 설정 온도인 검사 장치 제어 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수 개의 광원부는 평면시로 보았을 때에 구획된 복수 개의 영역에 각각 배치되어 있으며,
    상기 복수 개의 영역은, 상기 검사 대상체가 위치하는 하나 또는 복수 개의 제1 영역과, 상기 하나 또는 복수 개의 제1 영역 주위의 복수 개의 제2 영역과, 상기 하나 또는 복수 개의 제1 영역 및 상기 복수 개의 제2 영역 이외의 영역을 포함하며,
    상기 제1 온도 분포를 취득할 때에는, 상기 복수 개의 광원부 중에 상기 하나 또는 복수 개의 제1 영역 및 상기 복수 개의 제2 영역에 대응하는 복수 개의 광원부만을 개별적으로 점등하는 검사 장치 제어 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 복수 개의 광원부 중에서 상기 하나 또는 복수 개의 제1 영역에 대응하는 하나 또는 복수 개의 광원부에 대한 보정값보다, 상기 복수 개의 광원부 중에서 상기 복수 개의 제2 영역에 대응하는 복수 개의 광원부에 대한 보정값이 더 큰 검사 장치 제어 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 또는 복수 개의 보정값을 구하는 단계는, 상기 제2 온도 분포에 기초하여 상기 복수 개의 광원부로부터 출력되는 광량을 보정하는 복수 개의 보정값을 구하는 단계이며,
    상기 하나 또는 복수 개의 보정값을 이용하여 광량을 보정하는 단계는, 상기 복수 개의 광원부 각각으로부터 출력되는 광량에 대해, 상기 복수 개의 보정값을 이용하여 각각 보정하는 단계인 검사 장치 제어 방법.
  10. 검사 대상체를 구비한 기판을 탑재하는 스테이지와,
    광을 조사하여 상기 기판을 가열하는 복수 개의 광원부와,
    상기 복수 개의 광원부를 제어하는 제어부와,
    상기 제어부로부터 상기 복수 개의 광원부 중에서 적어도 하나 또는 복수 개의 광원부에 각각 출력되는 하나 또는 복수 개의 제어 지령을 각각 보정하는 하나 또는 복수 개의 보정부를 포함하며,
    상기 제어부는,
    상기 복수 개의 광원부를 개별적으로 점등하여 상기 기판의 복수 개의 제1 온도 분포를 취득하는 단계와,
    상기 복수 개의 제1 온도 분포의 합을 나타내는 제2 온도 분포를 취득하는 단계와,
    상기 제2 온도 분포에 기초하여, 상기 적어도 하나 또는 복수 개의 광원부로부터 출력되는 광량을 상기 하나 또는 복수 개의 보정부에서 보정하는 하나 또는 복수 개의 보정값을 구하는 단계와,
    상기 적어도 하나 또는 복수 개의 광원부 각각으로부터 출력되는 광량에 대해, 상기 하나 또는 복수 개의 보정값을 이용하여 상기 하나 또는 복수 개의 보정부에서 각각 보정하는 단계를 포함하여 실행하도록 구성되는 것인 검사 장치.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6016383A (en) * 1990-01-19 2000-01-18 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method including an infrared camera to measure substrate temperature
US20130248504A1 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment apparatus for heating substrate by light irradiation
KR20170136988A (ko) * 2016-06-02 2017-12-12 아즈빌주식회사 온도 측정 장치
JP2019102645A (ja) 2017-12-01 2019-06-24 東京エレクトロン株式会社 プローバ
US20200013645A1 (en) * 2018-07-09 2020-01-09 Phoenix Electric Co., Ltd Led lamp for heating and wafer heating device including the same
KR20200123213A (ko) * 2018-03-05 2020-10-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 검사 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08285692A (ja) * 1995-04-07 1996-11-01 At & T Ipm Corp 放射加熱された本体の高温計による測定を含む半導体処理技術と、本技術を実行するための機器
US9716843B2 (en) * 2009-06-03 2017-07-25 Flir Systems, Inc. Measurement device for electrical installations and related methods
JP5403618B2 (ja) 2010-01-14 2014-01-29 独立行政法人産業技術総合研究所 熱物性測定装置および熱伝導イメージング装置
KR101809343B1 (ko) 2013-03-13 2017-12-14 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로리소그래픽 장치
WO2015107009A1 (en) 2014-01-17 2015-07-23 Koninklijke Philips N.V. Heating system comprising semiconductor light sources
EP3289758A1 (en) * 2015-04-27 2018-03-07 Flir Systems, Inc. Moisture measurement device with thermal imaging capabilities and related methods
CN107347225B (zh) * 2017-07-07 2019-02-05 厦门大学 一种针对荧光透明陶瓷大功率led光源的控制方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6016383A (en) * 1990-01-19 2000-01-18 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method including an infrared camera to measure substrate temperature
US20130248504A1 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment apparatus for heating substrate by light irradiation
KR20130108129A (ko) * 2012-03-22 2013-10-02 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 열처리 장치
KR20170136988A (ko) * 2016-06-02 2017-12-12 아즈빌주식회사 온도 측정 장치
JP2019102645A (ja) 2017-12-01 2019-06-24 東京エレクトロン株式会社 プローバ
KR20200089714A (ko) * 2017-12-01 2020-07-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 프로버
KR20200123213A (ko) * 2018-03-05 2020-10-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 검사 장치
US20200013645A1 (en) * 2018-07-09 2020-01-09 Phoenix Electric Co., Ltd Led lamp for heating and wafer heating device including the same
KR20200005995A (ko) * 2018-07-09 2020-01-17 페닉스덴키가부시키가이샤 가열용 ｌｅｄ 램프, 및 이를 구비한 웨이퍼 가열 유닛

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