KR20220033015A - 고압 에어를 이용하는 장치 - Google Patents
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- 239000003921 oil Substances 0.000 description 47
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- B01D46/4272—Special valve constructions adapted to filters or filter elements
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- B01D46/46—Auxiliary equipment or operation thereof controlling filtration automatic
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- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
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- G01N33/0047—Organic compounds
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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Abstract
(과제) 공급되는 고압 에어를 감시하고, 해당 고압 에어에 오일이 혼입된 것을 통지한다.
(해결수단) 고압 에어를 내부에서 이용하는 장치로서, 본체와, 고압 에어 공급원으로부터 고압 에어가 공급되고, 상기 고압 에어를 상기 본체 내부에 공급하는 에어 배관과, 상기 에어 배관 내를 통과하는 상기 고압 에어에 포함되는 오일을 제거하는 필터와, 상기 필터 통과 후의 상기 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지하는 가스 검지기와, 상기 가스 검지기가 상기 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지했을 때에 상기 고압 에어에 상기 오일이 혼입되어 있는 것을 통지하는 통지 유닛을 구비한다.
(해결수단) 고압 에어를 내부에서 이용하는 장치로서, 본체와, 고압 에어 공급원으로부터 고압 에어가 공급되고, 상기 고압 에어를 상기 본체 내부에 공급하는 에어 배관과, 상기 에어 배관 내를 통과하는 상기 고압 에어에 포함되는 오일을 제거하는 필터와, 상기 필터 통과 후의 상기 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지하는 가스 검지기와, 상기 가스 검지기가 상기 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지했을 때에 상기 고압 에어에 상기 오일이 혼입되어 있는 것을 통지하는 통지 유닛을 구비한다.
Description
본 발명은, 고압 에어의 공급 경로가 되는 배관이 접속되고, 고압 에어를 내부에서 이용하는 장치에 관한 것이다.
휴대 전화나 컴퓨터 등의 전자 기기에 사용되는 디바이스 칩은, 실리콘이나 실리콘 카바이드 등의 재료로 이루어지는 웨이퍼로부터 제조된다. 먼저, 웨이퍼의 표면에 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인을 설정하고, 웨이퍼의 표면의 분할 예정 라인에 의해 구획되는 각 영역에, IC(Integrated Circuit), LSI(Large Scale Integration) 등의 디바이스를 형성한다. 다음으로, 웨이퍼를 이면측으로부터 연삭하여 박화하고, 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 분할하면 개개의 디바이스 칩을 형성할 수 있다.
웨이퍼로부터 개개의 디바이스 칩을 형성하는 과정에서는, 웨이퍼를 연삭하는 연삭 장치나 웨이퍼를 분할하는 절삭 장치, 및 레이저 가공 장치 등의 장치가 사용된다(특허문헌 1 내지 3 참조). 그리고, 이들 장치에서는, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블의 흡인원의 구동, 가공된 웨이퍼의 세정, 및, 회전하는 스핀들의 베어링 등의 여러 가지 용도로 고압 에어가 이용된다.
장치의 외부에는, 고압 에어 공급원이 되는 에어 컴프레서 등이 설치된다. 그리고, 고압 에어 공급원으로서 기능하는 상기 에어 컴프레서가 공기를 압축하고, 배관을 통해 상기 장치에 고압 에어를 공급한다. 이때, 에어 컴프레서의 내부에서 사용되는 윤활유 등의 오일이 고압 에어에 혼입될 우려가 있다.
장치에 공급되는 고압 에어에 오일이 혼입되어 있으면, 해당 장치에서 가공되는 웨이퍼에 오일이 부착되어 웨이퍼의 품질의 저하가 발생하거나, 장치에서 사용되는 광학계에 오일이 부착되어 열화시키거나, 구동 기구에 오일이 부착되어 동작 불량을 일으키거나 한다. 그래서, 고압 에어가 통과하는 배관의 내부에 필터를 설치하고, 고압 에어에 혼입된 오일을 상기 필터로 제거한다는 대책이 취해진다.
그러나, 필터의 오일에 의한 오염이 진행되면, 고압 에어에 포함되는 오일을 그 필터로 제거할 수 없는 경우나, 그 필터에 포획된 오일이 그 필터로부터 방출되는 경우가 있다. 이들의 경우, 그대로 장치의 가동이 계속되면, 장치의 관리자 등이 알아차리지 못한 채 오일에 의한 문제가 확대되어, 큰 손실이 발생하는 경우도 있다.
본 발명은 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 공급되는 고압 에어를 감시하고, 그 고압 에어에 오일이 혼입되었을 때에 통지할 수 있는 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 고압 에어를 내부에서 이용하는 장치로서, 본체와, 고압 에어 공급원으로부터 고압 에어가 공급되고, 상기 고압 에어를 상기 본체 내부에 공급하는 에어 배관과, 상기 에어 배관 내를 통과하는 상기 고압 에어에 포함되는 오일을 제거하는 필터와, 상기 필터 통과 후의 상기 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지하는 가스 검지기와, 상기 가스 검지기가 상기 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지했을 때에 상기 고압 에어에 상기 오일이 혼입되어 있는 것을 통지하는 통지 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 장치가 제공된다.
바람직하게는, 상기 에어 배관에 상기 고압 에어를 공급하는 상기 고압 에어 공급원은 에어 컴프레서이다.
또한, 바람직하게는, 그 통지 유닛이 그 고압 에어에 그 오일이 혼입되어 있는 것을 통지한 경우에 그 에어 배관을 흐르는 그 고압 에어를 차단하는 차단 밸브를 구비한다.
또한, 바람직하게는, 상기 필터 통과 전의 상기 고압 에어에 포함되는 상기 유기 가스를 검지하는 보조 가스 검지기를 상기 에어 배관에 더 구비한다.
본 발명의 일 양태에 따른 장치에서는, 에어 배관 내를 통과하는 고압 에어에 포함되는 오일을 제거하는 필터와, 상기 필터 통과 후의 상기 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지하는 가스 검지기를 구비한다. 그리고, 상기 장치는, 가스 검지기가 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지했을 때에 상기 고압 에어에 그 오일이 혼입되어 있는 것을 통지하는 통지 유닛을 더 구비한다.
필터 통과 후의 고압 에어에 유기 가스가 포함되는 경우, 상기 필터의 오염이 진행되고 있고, 오일이 그 고압 에어에 혼입되어 있는 것이 이해된다. 그대로는, 오일이 혼입된 고압 에어가 장치 내부에 공급되게 되기 때문에, 예를 들어 에어 배관을 차단함으로써 고압 에어에 혼입된 오일이 장치의 내부에 침입하는 것을 저지할 수 있다. 그리고, 오염이 진행된 필터를 교환함으로써, 고압 에어에 혼입되는 오일을 필터로 충분히 제거할 수 있게 된다.
이와 같이, 본 발명의 일 양태에 관련된 장치에서는, 통지 유닛에 의한 통지를 받아 오일에 의한 문제가 심각화되기 전에 대처할 수 있기 때문에, 복구 작업에 필요로 하는 시간적 비용 및 금전적 비용도 적어도 된다.
따라서, 본 발명에 의하면, 공급되는 고압 에어를 감시하고, 그 고압 에어에 오일이 혼입되었을 때에 통지할 수 있는 장치가 제공된다.
도 1은 고압 에어가 공급되는 장치와, 고압 에어 공급원을 모식적으로 도시하는 사시도이다.
도 2(A)는 장치에 내장된 에어 배관의 일례를 모식적으로 도시하는 구성도이고, 도 2(B)는 장치에 내장된 에어 배관의 다른 일례를 모식적으로 도시하는 구성도이다.
도 2(A)는 장치에 내장된 에어 배관의 일례를 모식적으로 도시하는 구성도이고, 도 2(B)는 장치에 내장된 에어 배관의 다른 일례를 모식적으로 도시하는 구성도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 형태에 관한 실시형태에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 관한 장치(2)를 모식적으로 도시하는 사시도이다. 도 1에는, 장치(2)로 가공되는 웨이퍼(1)를 포함하는 프레임 유닛(11)을 모식적으로 나타내는 사시도가 포함되어 있다. 프레임 유닛(11)은, 개구를 구비하는 환형의 프레임(7)과, 상기 개구를 막도록 상기 프레임(7)에 접착된 다이싱 테이프(9)와, 개구의 내측에서 다이싱 테이프(9)에 배치된 웨이퍼(1)를 구비한다.
웨이퍼(1)는, 예컨대, Si(실리콘), SiC(실리콘 카바이드), GaN(질화갈륨), GaAs(갈륨비소), 혹은, 그 밖의 반도체 등의 재료, 또는, 사파이어, 유리, 석영 등의 재료로 이루어지는 대략 원판형의 기판 등이다.
웨이퍼(1)의 표면은, 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된다. 웨이퍼(1)의 표면의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에는, IC나 LSI, LED(Light Emitting Diode) 등의 디바이스가 형성된다. 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼(1)를 분할하면, 개개의 디바이스 칩이 형성된다.
본 실시형태에 따른 장치(2)는, 예컨대, 환형의 절삭 블레이드를 구비하는 절삭 장치이다. 웨이퍼(1)의 분할은, 예컨대, 상기 절삭 장치로 실시된다. 단, 본 실시형태에 따른 장치는 이것에 한정되지 않고, 웨이퍼(1) 등의 피가공물에 레이저 빔을 조사하는 레이저 가공 장치여도 좋고, 피가공물을 연삭 지석으로 연삭하는 연삭 장치여도 좋다. 이하, 본 실시형태에 따른 장치(2)가 절삭 장치인 경우를 예로 설명한다.
웨이퍼(1)는, 장치(2)에 반입되기 전에 다이싱 테이프(9) 및 프레임(7)과 일체화되어도 되고, 그리고, 웨이퍼(1)와, 다이싱 테이프(9)와, 프레임(7)을 포함하는 프레임 유닛(11)이 형성되어도 된다. 이 경우, 웨이퍼(1)가 분할되어 형성된 개개의 디바이스 칩은, 다이싱 테이프(9)에 지지된다. 그 후, 다이싱 테이프(9)를 확장함으로써 디바이스 칩 사이의 간격을 넓히면, 디바이스 칩의 픽업이 용이해진다.
도 1에 도시된 바와 같이, 장치(2)의 본체(4)의 모서리부에는, 카세트(13)가 배치되는 카세트 테이블(6)이 설치되어 있다. 카세트 테이블(6)은, 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 상하 방향(Z축 방향)으로 승강 가능하다. 도 1에서는, 카세트 테이블(6)에 배치된 카세트(13)의 윤곽을 2점 쇄선으로 나타내고 있다.
본체(4)의 상면의 카세트 테이블(6)에 인접하는 위치에는, Y축 방향(좌우 방향, 인덱싱 이송 방향)에 평행한 상태를 유지하면서 서로 접근, 이격되는 한쌍의 가이드 레일(8)을 포함하는 임시 배치 테이블(10)이 마련되어 있다. 또한, 본체(4)의 상면의 임시 배치 테이블(10)에 인접하는 위치에는, 카세트 테이블(6)에 배치된 카세트(13)에 수용된 프레임 유닛(11)을 카세트(13)로부터 반출하는 반출 유닛(12)이 설치되어 있다. 반출 유닛(12)은, 프레임(7)을 파지할 수 있는 파지부를 전면에 갖는다.
카세트(13)에 수용된 프레임 유닛(11)을 반출할 때에는, 반출 유닛(12)을 카세트(13)를 향해 이동시키고, 상기 파지부로 프레임(7)을 파지하고, 그 후, 반출 유닛(12)을 카세트(13)로부터 멀어지는 방향으로 이동시킨다. 그러면, 카세트(13)로부터 프레임 유닛(11)이 임시 배치 테이블(10)에 인출된다. 이 때, 한쌍의 가이드 레일(8)을 X축 방향으로 서로 근접하는 방향으로 연동시켜 이동시키고, 이 한쌍의 가이드 레일(8)로 프레임(7)을 끼워 넣으면, 프레임 유닛(11)을 미리 정해진 위치에 위치시킨다.
본체(4)의 상면의 카세트 테이블(6)에 인접하는 위치에는, X축 방향(전후 방향, 가공 이송 방향)으로 긴 개구(4a)가 형성되어 있다. 개구(4a) 내에는, 도시하지 않은 볼 나사식의 X축 이동 기구(가공 이송 유닛)와, X축 이동 기구의 상부를 덮는 벨로우즈형의 방진 방적 커버(26)가 배치되어 있다.
X축 이동 기구는, X축 이동 테이블(16)의 하부에 접속되어 있고, 이 X축 이동 테이블(16)을 X축 방향으로 이동시키는 기능을 갖는다. 예컨대, X축 이동 테이블(16)은, 카세트 테이블(6)에 근접하는 반출입 영역과, 후술하는 절삭 유닛(32)의 하방의 가공 영역 사이를 이동한다.
X축 이동 테이블(16) 상에는, 테이블 베이스(18)와, 상기 테이블 베이스(18)에 실리는 척 테이블(20)이 마련되어 있다. 척 테이블(20)은, 웨이퍼(1)를 포함하는 프레임 유닛(11)을 유지하는 기능을 가지며, 상면이 유지면(22)이 된다. 척 테이블(20)의 직경 방향 외측에는, 프레임(7)을 파지하는 클램프(24)가 설치되어 있다. 척 테이블(20)은, 전술한 X축 이동 기구에 의해 X축 방향으로 이동한다.
척 테이블(20)은, 유지면(22)에 노출된 다공질 부재를 구비한다. 척 테이블(20)의 내부에는, 일단이 상기 다공질 부재에 접속되고 타단이 흡인원(도시하지 않음)에 접속된 흡인로(도시하지 않음)가 배치된다. 예컨대, 상기 흡인원은 아스피레이터이며, 고압 에어가 공급됨으로써 흡인력을 발생시킨다.
임시 배치 테이블(10)로부터 척 테이블(20)로의 프레임 유닛(11)의 반송은, 본체(4)의 상면의 임시 배치 테이블(10) 및 개구(4a)에 인접하는 위치에 설치된 제1 반송 유닛(14)에 의해 실시된다. 제1 반송 유닛(14)은, 본체(4)의 상면으로부터 상방으로 돌출된 승강 가능함과 함께 회전 가능한 축부와, 축부의 상단으로부터 수평 방향으로 신장된 아암부와, 아암부의 선단 하방에 설치된 유지부를 갖는다. 그 유지부는, 예를 들어, 고압 에어를 이용하여 흡인력을 발생시키고, 그 흡인력으로 프레임 유닛(11)을 유지한다.
제1 반송 유닛(14)에 의해 임시 배치 테이블(10)로부터 척 테이블(20)에 프레임 유닛(11)을 반송할 때에는, X축 이동 테이블(16)을 이동시켜 척 테이블(20)을 반출입 영역에 위치시킨다. 그리고, 임시 배치 테이블(10)에 임시 배치되어 있는 프레임 유닛(11)의 프레임(7)을 상기 유지부에 의해 유지하고, 프레임 유닛(11)을 들어올려서, 상기 축부를 회전시켜 프레임 유닛(11)을 척 테이블(20)의 상방으로 이동시킨다.
그 후, 프레임 유닛(11)을 하강시켜 척 테이블(20)의 유지면(22)에 얹는다. 그리고, 클램프(24)로 프레임(7)을 고정하고, 척 테이블(20)로 프레임 유닛(11)의 다이싱 테이프(9)를 통해 웨이퍼(1)를 흡인 유지한다.
장치(2)는, X축 이동 테이블(16)의 반출입 영역으로부터 가공 영역으로의 이동 경로의 상방에, 개구(4a)를 가로지르도록 배치된 지지 구조(28)를 구비한다. 그리고, 지지 구조(28)에는 하방을 향한 촬상 유닛(30)이 설치되어 있다. 촬상 유닛(30)은, 절삭 유닛(32)의 하방의 가공 영역으로 이동하는 척 테이블(20)에 흡인 유지된 웨이퍼(1)의 표면을 촬상하고, 표면에 설치된 분할 예정 라인(3)의 위치 및 방향을 검출한다.
상기 가공 영역에는, 척 테이블(20)에 유지된 프레임 유닛(11)의 웨이퍼(1)를 절삭(가공)하는 절삭 유닛(가공 유닛)(32)이 설치되어 있다. 절삭 유닛(32)은, 원환형의 지석부를 외주에 구비하는 절삭 블레이드(34)와, 선단부에 절삭 블레이드(34)가 장착되고 상기 절삭 블레이드(34)의 회전축이 되는 Y축 방향을 따른 스핀들(36)을 구비한다. 회전하는 스핀들(36)의 베어링에서는, 고압 에어가 이용된다.
스핀들(36)의 기단 측에는, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)이 연결되어 있다. 척 테이블(20)로 유지된 프레임 유닛(11)에 포함되는 웨이퍼(1)에 회전하는 절삭 블레이드(34)를 절입시키면, 웨이퍼(1)를 절삭(가공)할 수 있다. 모든 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼(1)를 절삭하면, 웨이퍼(1)가 분할되어 개개의 디바이스 칩이 형성된다. 그 후, 척 테이블(20)은, X축 이동 기구에 의해 반출입 영역으로 이동된다.
본체(4)의 상면의 임시 배치 테이블(10) 및 개구(4a)에 인접하는 위치에는 개구(4b)가 형성되어 있고, 개구(4b)에는 가공 후의 프레임 유닛(11)을 세정하는 세정 유닛(38)이 수용되어 있다. 세정 유닛(38)은, 프레임 유닛(11)을 유지하는 스피너 테이블을 구비하고 있다. 스피너 테이블의 하부에는, 스피너 테이블을 소정의 속도로 회전시키는 회전 구동원(도시 생략)이 연결되어 있다.
장치(2)는, 반출입 영역에 위치된 척 테이블(20)로부터 세정 유닛(38)에 프레임 유닛(11)을 반송하는 제2 반송 유닛(40)을 구비한다. 제2 반송 유닛(40)은, Y축 방향을 따라 이동 가능한 아암부와, 아암부의 선단 하방에 설치된 유지부를 갖는다.
제2 반송 유닛(40)으로 척 테이블(20)로부터 세정 유닛(38)으로 프레임 유닛(11)을 반송할 때에는, 우선, 프레임 유닛(11)을 상기 유지부에서 유지한다. 그리고, 아암부를 Y축 방향을 따라 이동시키고, 프레임 유닛(11)을 세정 유닛(38)의 스피너 테이블 위에 얹는다. 그 후, 스피너 테이블로 프레임 유닛(11)을 유지하여 웨이퍼(1)를 세정한다.
세정 유닛(38)으로 웨이퍼(1)를 세정할 때에는, 스피너 테이블을 회전시키면서 웨이퍼(1)의 표면을 향해 세정용 유체(대표적으로는, 물과 고압 에어를 혼합한 혼합 유체)를 분사한다. 그 후, 고압 에어가 웨이퍼(1)의 표면에 공급되어서, 웨이퍼(1)가 건조된다. 그리고, 세정 유닛(38)으로 세정된 프레임 유닛(11)은, 카세트 테이블(6)에 실리는 카세트(13)에 수용된다.
카세트(13)에 프레임 유닛(11)을 수용할 때에는, 제1 반송 유닛(14)을 사용하여 세정 유닛(38)으로부터 임시 배치 테이블(10)에 프레임 유닛(11)을 반송한다. 그리고, 반출 유닛(12)을 카세트(13)를 향해 이동시켜 프레임 유닛(11)을 카세트(13)에 밀어넣는다.
이와 같이, 장치(2)에서는, 카세트(13)로부터 프레임 유닛(11)이 반출되고, 프레임 유닛(11)이 척 테이블(20)에서 흡인 유지되고, 프레임 유닛(11)에 포함되는 웨이퍼(1)가 절삭 유닛(32)으로 가공된다. 그 후, 프레임 유닛(11)이 세정 유닛(38)에서 세정되어 카세트(13)에 다시 수용된다. 장치(2)에서는, 카세트(13)로부터 차례로 프레임 유닛(11)이 반출되고, 척 테이블(20) 상에 있어서 절삭 유닛(32)으로 차례로 웨이퍼(1)가 절삭된다.
또한, 장치(2)는, 상기 장치(2)의 각 구성 요소를 제어하는 제어 유닛(60)을 구비한다. 제어 유닛은, CPU(Central Processing Unit) 등의 처리 장치 및 플래시 메모리 등의 기억 장치를 포함하는 컴퓨터에 의해 구성된다. 기억 장치에 기억되는 프로그램 등의 소프트웨어에 따라 처리 장치를 동작시킴으로써, 제어 유닛(60)은, 소프트웨어와 처리 장치(하드웨어 자원)가 협동한 구체적 수단으로서 기능한다.
상술한 바와 같이, 장치(2)에서는 다양한 개소에 있어서 다양한 용도로 고압 에어가 이용된다. 도 2(A)는 고압 에어 공급원(42)과, 장치(2)와, 접속 관계를 모식적으로 도시하는 구성도이다. 고압 에어는, 예컨대, 고압 에어 공급원(42)으로서 기능하는 컴프레서로 공기를 압축함으로써 생성된다. 그리고, 고압 에어는, 우레탄이나 염화비닐 등으로 형성된 내압 튜브 등의 에어 배관(44)을 통해 장치(2)에 공급된다.
이때, 에어 컴프레서의 내부에서 사용되는 윤활유 등의 오일이 고압 에어에 혼입되는 경우가 있다. 장치(2)에 공급되는 고압 에어에 오일이 혼입되어 있으면, 장치(2)로 가공되는 웨이퍼(1)에 오일이 부착되어 웨이퍼(1)로부터 제조되는 디바이스 칩에 전기 특성 불량이 생기는 경우가 있다.
또한, 촬상 유닛(30)에 오일이 부착되어, 상기 촬상 유닛(30)이 웨이퍼(1)의 분할 예정 라인을 적절하게 검출할 수 없는 상태가 되는 경우가 있다. 또한, 구동 기구에 오일이 부착되어 동작 불량을 야기하거나 한다. 그래서, 고압 에어가 통과하는 에어 배관(44)의 내부에 필터(46)를 설치하고, 고압 에어 공급원(42) 내를 통과하는 고압 에어에 포함되는 오일을 필터(46)로 제거한다는 대책이 취해진다.
그러나, 장치(2)를 장기간 가동하고 있는 동안에 필터(46)의 오일에 의한 오염이 진행되어, 상기 필터(46)로부터 오일이 방출되는 경우가 있다. 또한, 고압 에어 공급원(42)으로부터 에어 배관(44)에 공급된 고압 에어에 혼입된 오일을 필터(46)로 충분히 제거할 수 없게 된다. 그래서, 본 실시형태에 따른 장치(2)에서는, 공급되는 고압 에어를 감시하고, 해당 고압 에어에 오일이 혼입된 것을 검출 가능하게 하였다.
필터(46)의 오염이 진행되고, 필터(46) 통과 후의 고압 에어에 오일이 혼입될 때, 오일에 유래하는 유기 가스도 상기 고압 에어에 포함되게 된다. 그래서, 본 실시형태에 따른 장치(2)에서는, 필터(46) 통과 후의 고압 에어를 감시하고, 상기 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검출함으로써 상기 고압 에어에 오일이 혼입되어 있는 것을 검출하여 통지한다.
본 실시형태에 따른 장치(2)는, 도 2(A)에 나타내는 바와 같이, 필터(46) 통과 후의 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지하는 가스 검지기(48)를 구비한다. 가스 검지기(48)는 에어 배관(44)의 내부의 벽면에 설치된다. 가스 검지기(48)는 에어 배관(44)을 통과하는 고압 에어를 감시하고, 고압 에어에 포함되는 각종 성분에 관한 정보를 다음에 설명하는 통지 유닛(50)에 출력하는 기능을 구비한다. 예를 들어, 가스 검지기(48)에는, 센실리온(センシリオン) 가부시키가이샤제의 가스 센서 "SGP30"을 사용할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 장치(2)는, 가스 검지기(48)가 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지했을 때에 상기 고압 에어에 오일이 혼입되어 있는 것을 통지하는 통지 유닛(50)을 구비한다. 통지 유닛(50)은, 예를 들면, 장치(2)의 제어 유닛(60)의 기능에 의해 실현된다. 여기서, 통지 유닛(50)은, 해당 고압 에어에 오일이 혼입되어 있는 것을 통지하는 것 대신에 해당 고압 에어에 유기 가스가 포함되어 있는 것을 통지해도 된다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 장치(2)는, 각종 정보를 표시할 수 있는 표시 모니터(52)를 구비해도 된다. 또한, 장치(2)의 상태에 따라 소정의 색의 램프를 점등시키는 경보 램프(54)를 구비해도 된다. 또는, 경보음을 낼 수 있는 스피커(미도시)를 구비할 수 있다.
통지 유닛(50)은, 장치(2)에 고압 에어 공급원(42)으로부터 장치(2)에 공급되는 고압 에어에 유기 가스가 포함되는 것을 가스 검지기(48)가 검지한 경우, 예를 들면, 표시 모니터(52)에 경고 정보를 표시시킨다. 또는, 이상 상태를 나타내는 적색의 경보 램프(54)를 점등시킨다. 또는, 해당 스피커에 경보음을 발생시킨다. 이렇게 하여, 통지 유닛(50)은, 장치(2)의 사용자 등에 고압 에어에 유기 가스가 포함되어 있고, 오일이 혼입된 것을 알린다.
장치(2)는, 에어 배관(44)의 내부에 고압 에어의 흐름을 정지시키는 차단 밸브(56)를 더 구비해도 된다. 예를 들면, 차단 밸브(56)는, 통지 유닛(50)에 전기적으로 접속된 전자 밸브이며, 통지 유닛(50)으로부터의 지령을 받아 개폐 가능하다. 그리고, 통보 유닛(50)은, 장치(2)에 고압 에어 공급원(42)으로부터 장치(2)에 공급되는 고압 에어에 유기 가스가 포함되는 것을 가스 검지기(48)가 검지한 경우, 차단 밸브(56)를 작동시켜 고압 에어의 흐름을 차단하고, 장치(2)의 내부에 오일이 침입하는 것을 방지한다.
또한, 제어 유닛(60)에 의해 실현되는 통지 유닛(50)은, 고압 에어에 혼입된 유기 가스가 검출된 경우, 장치(2)의 각처에 문제를 진행시키지 않도록, 장치(2)의 가동을 가능한 한 빨리 정지시킨다. 그리고, 작업자는, 고압 에어 공급원(42)을 점검하거나, 또는, 필터(46)를 교환하는 등의 조치를 실시하여, 장치(2)를 재가동시킨다.
또한, 고압 에어의 공급이 정지하고 있는 동안에 장치(2)의 가동을 정지시키면, 장치(2)에서 실시되는 가공이 멈추어, 피가공물의 가공 효율이 저하되게 된다. 그래서, 고압 에어의 공급이 정지하고 있는 동안에, 다른 공급원으로부터 고압 에어를 장치(2)에 공급하여, 장치(2)의 가동을 계속해도 된다.
도 2(B)는 고압 에어가 2 개의 계통으로부터 공급되는 본 실시형태에 따른 장치(2a)의 구성을 모식적으로 나타내는 구성도이다. 도 2(B)에 나타내는 장치(2a)는, 제1 고압 에어 공급원(42a)으로부터 고압 에어가 공급되는 제1 에어 배관(44a)과, 제2 고압 에어 공급원(42b)으로부터 고압 에어가 공급되는 제2 에어 배관(44b)을 구비한다.
제1 에어 배관(44a)에는, 제1 고압 에어 공급원(42a)으로부터 공급된 고압 에어에 포함되는 오일을 제거하는 제1 필터(46a)와, 상기 제1 필터(46a)의 통과 후의 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지하는 제1 가스 검지기(48a)가 배치된다. 제1 가스 검지기(48a)는, 통지 유닛(50)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 제2 에어 배관(44b)에는, 제2 고압 에어 공급원(42b)으로부터 공급된 고압 에어에 포함되는 오일을 제거하는 제2 필터(46b)와, 상기 제2 필터(46b)의 통과 후의 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지하는 제2 가스 검지기(48b)가 배치된다. 제2 가스 검지기(48b)는, 통지 유닛(50)에 전기적으로 접속되어 있다.
그리고, 제1 에어 배관(44a)의 하류 측 및 제2 에어 배관(44b)의 하류 측에는, 삼방 밸브(58)가 접속된다. 삼방 밸브(58)는, 장치(2a)의 본체(4)의 내부를 향하는 내부 배관(44c)에 접속되어 있고, 제1 에어 배관(44a)과 제2 에어 배관(44b)의 한쪽과, 상기 내부 배관(44c)을 전환 가능하게 접속한다.
예컨대, 삼방 밸브(58)로 제1 에어 배관(44a) 및 내부 배관(44c)을 접속하고, 제1 고압 에어 공급원(42a)으로부터 공급되는 고압 에어를 장치(2a)에 공급한다. 이때, 제1 가스 검지기(48a)에서 고압 에어를 감시한다. 그리고, 그 고압 에어에 포함되는 유기 가스가 제1 가스 검지기(48a)에 의해 검출된 경우, 통지 유닛(50)은, 고압 에어로의 오일의 혼입을 작업자에게 통지함과 함께, 삼방 밸브(58)를 전환한다. 즉, 제2 고압 에어 공급원(42b)으로부터 공급되는 고압 에어가 장치(2a)에 공급된다.
이 경우, 제1 필터(46a)를 교환하는 작업이나 제1 고압 에어 공급원(42a)을 점검하는 작업 등을 실시하는 동안에도, 장치(2a)에는 고압 에어가 계속해서 공급된다. 그 때문에, 제1 고압 에어 공급원(42a) 등을 복구하는 작업을 실시하는 동안, 장치(2a)에서의 가공을 정지시킬 필요가 없다.
그 후, 제2 가스 검지기(48b)에서 제2 에어 배관(44b)을 흐르는 고압 에어를 감시하고, 그 고압 에어에 포함되는 유기 가스가 제2 가스 검지기(48b)에서 검출된 경우, 다시 삼방 밸브(58)를 전환한다. 즉, 제1 고압 에어 공급원(42a)으로부터 공급되는 고압 에어를 장치(2a)에 공급한다.
이와 같이, 한쪽의 고압 에어의 공급 계통에 문제가 생긴 경우에도, 해당 한쪽의 고압 에어의 공급 계통을 복구시키는 동안에 다른 쪽의 고압 에어의 공급 계통에서 장치(2a)에 고압 에어를 계속 공급한다. 또한, 고압 에어의 공급 계통의 수는 2 를 초과해도 되고, 3 이상의 고압 에어의 공급 계통이 준비되어도 된다.
이상에 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 장치는, 공급되는 고압 에어를 감시하여 상기 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검출할 수 있다. 그 때문에, 고압 에어 공급원(42, 42a, 42b)에서 사용되는 윤활유 등의 오일이 그 고압 에어에 혼입된 경우에 있어서도, 작업자 등은 그 오일에서 기인하는 문제가 확대되기 전에 그 문제에 대처 가능해진다.
또한, 상기 실시형태에서는, 고압 에어에 혼입된 오일을 제거하는 필터(46)보다 하류 측에 있어서 에어 배관(44)에 가스 검지기(48)가 설치되는 경우에 관해서 설명했지만, 본 발명의 일 양태에 따른 장치(2)는 이것에 한정되지 않는다. 즉, 장치(2)에서는, 가스 검지기(48)에 더하여, 에어 배관(44)의 내부의 필터(46)보다 상류측에 보조 가스 검지기가 마련되어도 좋다. 이 경우, 필터(46)의 전후에서 고압 에어를 감시할 수 있어, 오일의 발생원을 특정하기 쉬워진다.
예를 들면, 가스 검지기(48)에서 고압 에어에 포함되는 유기 가스가 검출되는 한편, 보조 가스 검지기에서 유기 가스가 검출되지 않는 경우, 필터(46)의 오염이 진행되어 당해 필터(46) 통과 후의 고압 에어에 오일이 혼입되어 있는 것을 확인할 수 있다. 또한, 보조 가스 검지기에서 유기 가스가 검출되는 경우, 고압 에어 공급원(42)에 어떠한 문제가 발생하고 있는 것이 이해된다.
그 밖에, 상기 실시형태에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다.
1 웨이퍼
3 분할 예정 라인
9 다이싱 테이프
7 프레임
11 프레임 유닛
13 카세트
2, 2a 장치
4 본체
4a, 4b 개구
6 카세트 테이블
8 가이드 레일
10 임시 배치 테이블
12 반출 유닛
14,40 반송 유닛
16 이동 테이블
18 테이블 베이스
20 척 테이블
22 유지면
24 클램프
26 방진 방적 커버
28 지지 구조
30 촬상 유닛
32 절삭 유닛
34 절삭 블레이드
36 스핀들
38 세정 유닛
42, 42a, 42b 고압 에어 공급원
44, 44a, 44b 에어 배관
44c 내부 배관
46,46a,46b 필터
48, 48a, 48b 가스 검지기
50 통지 유닛
52 표시 모니터
54 경보 램프
56 차단 밸브
58 삼방 밸브
60 제어 유닛
3 분할 예정 라인
9 다이싱 테이프
7 프레임
11 프레임 유닛
13 카세트
2, 2a 장치
4 본체
4a, 4b 개구
6 카세트 테이블
8 가이드 레일
10 임시 배치 테이블
12 반출 유닛
14,40 반송 유닛
16 이동 테이블
18 테이블 베이스
20 척 테이블
22 유지면
24 클램프
26 방진 방적 커버
28 지지 구조
30 촬상 유닛
32 절삭 유닛
34 절삭 블레이드
36 스핀들
38 세정 유닛
42, 42a, 42b 고압 에어 공급원
44, 44a, 44b 에어 배관
44c 내부 배관
46,46a,46b 필터
48, 48a, 48b 가스 검지기
50 통지 유닛
52 표시 모니터
54 경보 램프
56 차단 밸브
58 삼방 밸브
60 제어 유닛
Claims (4)
- 고압 에어를 내부에서 이용하는 장치로서,
본체와,
고압 에어 공급원으로부터 고압 에어가 공급되고, 상기 고압 에어를 상기 본체 내부에 공급하는 에어 배관과,
상기 에어 배관 내를 통과하는 상기 고압 에어에 포함되는 오일을 제거하는 필터와,
상기 필터 통과 후의 상기 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지하는 가스 검지기와,
상기 가스 검지기가 고압 에어에 포함되는 유기 가스를 검지했을 때에 상기 고압 에어에 상기 오일이 혼입되어 있는 것을 통지하는 통지 유닛
을 구비하는 것을 특징으로 하는 장치. - 제1항에 있어서, 상기 에어 배관에 상기 고압 에어를 공급하는 상기 고압 에어 공급원은, 에어 컴프레서인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 통지 유닛이 상기 고압 에어에 상기 오일이 혼입되어 있는 것을 통지한 경우에 상기 에어 배관을 흐르는 상기 고압 에어를 차단하는 차단 밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 필터 통과 전의 상기 고압 에어에 포함되는 상기 유기 가스를 검지하는 보조 가스 검지기를 상기 에어 배관에 더 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2020-150270 | 2020-09-08 | ||
JP2020150270A JP2022044891A (ja) | 2020-09-08 | 2020-09-08 | 高圧エアーを利用する装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220033015A true KR20220033015A (ko) | 2022-03-15 |
Family
ID=80266914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210108402A KR20220033015A (ko) | 2020-09-08 | 2021-08-18 | 고압 에어를 이용하는 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11946601B2 (ko) |
JP (1) | JP2022044891A (ko) |
KR (1) | KR20220033015A (ko) |
CN (1) | CN114156199A (ko) |
DE (1) | DE102021209624A1 (ko) |
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- 2021-08-18 KR KR1020210108402A patent/KR20220033015A/ko active Search and Examination
- 2021-08-25 US US17/445,892 patent/US11946601B2/en active Active
- 2021-09-01 DE DE102021209624.7A patent/DE102021209624A1/de active Pending
- 2021-09-03 CN CN202111030425.3A patent/CN114156199A/zh active Pending
- 2021-09-03 TW TW110132875A patent/TW202211315A/zh unknown
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Publication number | Publication date |
---|---|
US11946601B2 (en) | 2024-04-02 |
DE102021209624A1 (de) | 2022-03-10 |
JP2022044891A (ja) | 2022-03-18 |
TW202211315A (zh) | 2022-03-16 |
CN114156199A (zh) | 2022-03-08 |
US20220074552A1 (en) | 2022-03-10 |
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---|---|---|---|
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