KR20220032622A - 에칭 챔버를 위한 저 접촉 면적 기판 지지부 - Google Patents

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KR20220032622A
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창훈 이
마이클 디. 윌워스
제프리 루드윅
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부의 실시예들이 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 지지부는, 페디스털 ― 페디스털은, 리프트 핀을 수용하도록 구성된 상부 표면, 페디스털의 에지 근처의 제1 환형 구역, 및 제1 환형 구역과 페디스털의 중심 사이에 배치된 제2 환형 구역을 가지며, 페디스털은 제1 환형 구역을 따라 규칙적인 간격들로 상부 표면으로부터 연장되는 제1 복수의 홀들 및 제2 환형 구역을 따라 규칙적인 간격들로 상부 표면으로부터 연장되는 제2 복수의 홀들을 포함함 ―; 및 제1 복수의 홀들 및 제2 복수의 홀들의 각각의 홀에 배치된, 알루미늄 산화물을 포함하는 비-금속 볼을 포함하며, 비-금속 볼들 각각의 상부 표면은 지지 표면을 정의하기 위해 페디스털의 상부 표면에 대해 상승된다.

Description

에칭 챔버를 위한 저 접촉 면적 기판 지지부
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱 장비에 관한 것이다.
[0002] 기판 지지부들은 전형적으로, 프로세싱되는 기판을 지지하기 위해 반도체 프로세싱 챔버들에서 사용된다. 기판 지지부의 타입은, 이를테면, 에칭 프로세스를 위한 프로세싱 동안 기판에 대한 열적 커플링을 제공하기 위해 가열된 페디스털을 포함할 수 있다. 그러나, 페디스털과의 높은 기판 접촉 면적은 기판의 후방의 입자 오염, 기판의 스크래칭, 또는 기판 지지부에 대한 기판의 점착으로 인한 기판 파손을 초래할 수 있다.
[0003] 따라서, 본 발명자들은 개선된 기판 지지부들의 실시예들을 제공하였다.
[0004] 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부들의 실시예들이 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 지지부는, 페디스털 ― 페디스털은, 리프트 핀을 수용하도록 구성된 상부 표면, 페디스털의 에지 근처의 제1 환형 구역, 및 제1 환형 구역과 페디스털의 중심 사이에 배치된 제2 환형 구역을 가지며, 페디스털은 제1 환형 구역을 따라 규칙적인 간격들로 상부 표면으로부터 연장되는 제1 복수의 홀들 및 제2 환형 구역을 따라 규칙적인 간격들로 상부 표면으로부터 연장되는 제2 복수의 홀들을 포함함 ―; 및 제1 복수의 홀들 및 제2 복수의 홀들의 각각의 홀에 배치된, 알루미늄 산화물을 포함하는 비-금속 볼(non-metal ball)을 포함하며, 비-금속 볼들 각각의 상부 표면은 지지 표면을 정의하기 위해 페디스털의 상부 표면에 대해 상승된다.
[0005] 일부 실시예들에서, 기판을 프로세싱하기 위한 장치는, 프로세스 챔버; 및 프로세스 챔버에 적어도 부분적으로 배치된 기판 지지 조립체를 포함하며, 기판 지지 조립체는, 기판을 지지하도록 구성된 지지 표면을 정의하기 위해 제1 플레이트의 상부 표면으로부터 떨어져 연장되는 복수의 비-금속 볼들을 갖는 제1 플레이트 ― 복수의 비-금속 볼들은 제1 플레이트의 중심을 중심으로 제1 링을 따라 규칙적인 간격들로 그리고 제1 링과 동심인 제2 링을 따라 규칙적인 간격들로 배치됨 ―, 제1 플레이트에 커플링된 제2 플레이트 ― 제2 플레이트는 제1 플레이트의 외경보다 더 큰 외경, 및 제2 플레이트의 상부 주변 표면으로부터 상방향으로 연장되는 복수의 핀들을 가지며, 상부 주변 표면은 제1 플레이트의 외측 측벽으로부터 반경방향 외측으로 연장되는 제2 플레이트의 일부분에 의해 정의됨 ―, 및 제2 플레이트에 커플링된 샤프트를 포함한다.
[0006] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는, 내부 볼륨을 갖는 챔버 바디; 내부 볼륨에 배치되고 그리고 복수의 비-금속 볼들을 갖는 페디스털 ― 복수의 비-금속 볼들은 알루미늄 산화물을 포함하고, 그리고 상부 표면으로부터 엘리베이팅된 포지션에 기판을 지지하도록 구성된 지지 표면을 정의하기 위해 페디스털의 상부 표면으로부터 떨어져 연장되며, 복수의 비-금속 볼들은 페디스털의 중심을 중심으로 제1 링을 따라 규칙적인 간격들로 그리고 제1 링과 동심인 제2 링을 따라 규칙적인 간격들로 배치됨 ―; 지지 표면에 대해 기판을 상승 또는 하강시키도록 구성된 리프트 핀을 갖는 리프트 메커니즘을 포함하며, 리프트 핀은 페디스털의 외측 측벽으로부터 페디스털의 중심을 향해 연장되는 페디스털의 리세스를 통과할 수 있다.
[0007] 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 아래에서 설명된다.
[0008] 위에서 간략히 요약되고 아래에서 더 상세히 논의되는 본 개시내용의 실시예들은 첨부된 도면들에 도시된 본 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세싱 챔버의 개략도를 묘사한다.
[0010] 도 2는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 페디스털의 등각도를 묘사한다.
[0011] 도 3은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 페디스털의 평면도를 묘사한다.
[0012] 도 4는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 페디스털의 부분 단면도를 묘사한다.
[0013] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 그려지지 않으며, 명확성을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다.
[0014] 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부들의 실시예들이 본원에서 제공된다. 기판 지지부는 기판을 지지하기 위한 상부 표면을 갖는 페디스털을 포함한다. 기판 지지부는 유리하게, 기판이 기판 지지부 상에 배치될 때 기판과의 낮은 접촉 면적을 갖는 지지 표면을 정의하기 위해, 페디스털의 상부 표면에 대해 상승된 비-금속 엘리먼트들을 포함한다. 비-금속 엘리먼트들은 유리하게, 기판에 대한 적절한 열적 커플링을 제공하면서 기판에 대한 낮은 접촉 면적을 제공하도록 포지셔닝된다. 기판에 대한 낮은 접촉 면적은 유리하게, 기판 스크래칭, 오염, 또는 점착을 감소시키거나 방지한다.
[0015] 도 1은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버(예컨대, 플라즈마 프로세싱 챔버)의 개략적인 측면도를 묘사한다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 프로세싱 챔버는 에칭 프로세싱 챔버이다. 그러나, 상이한 프로세스들을 위해 구성된 다른 타입들의 프로세싱 챔버들이 또한, 본원에서 설명되는 기판 지지부의 실시예들과 함께 사용될 수 있거나 또는 기판 지지부의 실시예들과 함께 사용되기 위해 변형될 수 있다.
[0016] 챔버(100)는 기판 프로세싱 동안에 챔버 내부 볼륨(120) 내에 대기 압력 미만의 압력(sub-atmospheric pressure)들을 유지하도록 적절하게 구성된 진공 챔버이다. 챔버(100)는, 챔버 내부 볼륨(120)의 상부 절반에 로케이팅된 프로세싱 볼륨(122)을 에워싸는 덮개(104)에 의해 커버되는 챔버 바디(106)를 포함한다. 챔버(100)는 또한, 다양한 챔버 컴포넌트들과 이온화된 프로세스 재료 사이의 원하지 않는 반응을 방지하기 위해 그러한 컴포넌트들을 둘러싸는 하나 이상의 차폐부들을 포함할 수 있다. 챔버 바디(106) 및 덮개(104)는 금속, 이를테면, 알루미늄으로 제조될 수 있다. 챔버 바디(106)는 접지(116)에 대한 커플링을 통해 접지될 수 있다.
[0017] 기판 지지부(124)는, 기판(108), 이를테면, 예컨대 반도체 웨이퍼, 또는 다른 그러한 기판을 지지하고 유지하기 위해 챔버 내부 볼륨(120) 내에 배치된다. 기판 지지부(124)는 일반적으로, 페디스털(136) 및 페디스털(136)을 지지하기 위한 중공 지지 샤프트(112)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 페디스털(136)은 원형 알루미늄 피스이다. 중공 지지 샤프트(112)는, 예컨대 후방 가스들, 프로세스 가스들, 진공 척킹, 유체들, 냉각제들, 전력 등을 페디스털(136)에 제공하기 위한 도관을 제공한다. 일부 실시예들에서, 슬릿 밸브(132)가 챔버 바디(106) 및 덮개(104) 중 적어도 하나에 커플링되어, 챔버(100) 내외로의 기판(108)의 전달을 가능하게 한다.
[0018] 일부 실시예들에서, 중공 지지 샤프트(112)는 프로세싱 포지션(도 1에서 도시된 바와 같음)과 전달 포지션(미도시) 사이의 페디스털(136)의 수직 이동을 제공하는 리프트 메커니즘(113), 이를테면, 액추에이터 또는 모터에 커플링된다. 벨로우즈 조립체(110)가 중공 지지 샤프트(112) 주위에 배치되고, 페디스털(136)과 챔버(100)의 최하부 표면(126) 사이에 커플링되어, 챔버(100) 내로부터의 진공 손실을 방지하면서 페디스털(136)의 수직 모션을 가능하게 하는 가요성 밀봉부를 제공한다. 벨로우즈 어셈블리(110)는 또한 하부 벨로우즈 플랜지(128)를 포함하며, 하부 벨로우즈 플랜지(128)는 최하부 표면(126)과 접촉하는 o-링 또는 다른 적절한 밀봉 엘리먼트와 접촉하여 챔버 진공의 손실을 방지하는 것을 돕는다.
[0019] 기판 리프트(144)는, 샤프트(142)에 연결된 플랫폼(140) 상에 장착된 리프트 핀들(109)을 포함할 수 있으며, 샤프트(142)는, 기판(108)이 페디스털(136) 상에 배치되거나 또는 페디스털(136)로부터 제거될 수 있도록 기판 리프트(144)를 상승 및 하강시키기 위한 제2 리프트 메커니즘(138)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 플랫폼(140)은 후프 형상을 갖는다. 일부 실시예들에서, 플랫폼(140)은 후프 형상을 갖고, 리프트 핀들(109)은 플랫폼(140)으로부터 반경방향 내측으로 연장된다. 페디스털(136)은 리프트 핀들(109)을 수용하기 위한 스루-홀들 또는 리세스들을 포함할 수 있다.
[0020] 챔버(100)는, 챔버(100)를 배기시키는 데 사용되는 스로틀 밸브(미도시) 및 진공 펌프(미도시)를 포함하는 진공 시스템(114)에 커플링되고 그와 유체 연통한다. 챔버(100) 내부의 압력은 스로틀 밸브 및/또는 진공 펌프를 조정함으로써 조절될 수 있다. 챔버(100)는 또한, 챔버(100) 내에 배치된 기판을 프로세싱하기 위해 챔버(100)에 하나 이상의 프로세스 가스들을 공급할 수 있는 프로세스 가스 공급부(118)에 커플링되고 그와 유체 연통한다. 일부 실시예들에서, 기판 지지부(124)는 페디스털(136)의 상부 표면(115)으로부터 진공 시스템(141)으로 연장되는 도관(150)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 진공 시스템(141)은 페디스털(136)의 상부 표면(115)에서 진공 척킹을 제공하도록 구성된 진공 펌프를 포함한다.
[0021] 기판의 온도를 제어하기 위해 페디스털(136)의 온도가 조정될 수 있다. 예컨대, 페디스털(136)은 매립된 하나 이상의 가열 엘리먼트들(148), 이를테면, 저항성 가열기를 사용하여 가열될 수 있다. 하나 이상의 가열 엘리먼트들(148)은 하나 이상의 가열 엘리먼트들(148)에 전력을 제공하기 위한 가열기 전력 공급부(146)에 커플링된다.
[0022] 동작 시에, 예컨대, 하나 이상의 프로세스들을 수행하기 위해 챔버 내부 볼륨(120)에 플라즈마(102)가 생성될 수 있다. 플라즈마(102)는, 챔버 내부 볼륨(120) 가까이의 또는 챔버 내부 볼륨(120) 내의 하나 이상의 전극들을 통해 플라즈마 전력 소스(예컨대, RF 플라즈마 전력 공급부(130))로부터 프로세스 가스로 전력을 커플링시켜 프로세스 가스를 점화시키고 플라즈마(102)를 생성함으로써, 생성될 수 있다.
[0023] 도 2는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 페디스털의 등각도를 묘사한다. 페디스털(200)은 도 1과 관련하여 설명된 바와 같은 페디스털(136)일 수 있다. 일부 실시예들에서, 페디스털(200)은, 제2 플레이트(228) 상에 배치되고 제2 플레이트(228)에 커플링된 제1 플레이트(226)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1 플레이트(226)는 페디스털(200)의 상부 부분을 정의하고, 제2 플레이트(228)는 페디스털(200)의 하부 부분을 정의한다. 일부 실시예들에서, 제1 플레이트(226)는 제2 플레이트(228)에 브레이징된다. 페디스털(200)의 제1 플레이트(226)는 기판을 지지하도록 구성된 상부 표면(216)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 제2 플레이트(228)는 중공 지지 샤프트(112)에 커플링된다.
[0024] 일부 실시예들에서, 제1 플레이트(226)는 페디스털(200)의 상부 주변 에지에 노치(notch)(218)를 생성하기 위해 제2 플레이트(228)의 직경보다 작은 직경을 갖는다. 노치(218)는 제2 플레이트(228)의 상부 주변 표면(222)과 제1 플레이트(226)의 외측 측벽(220)에 의해 정의된다. 일부 실시예들에서, 상부 주변 표면(222)은 제1 플레이트(226)의 외측 측벽(220)으로부터 반경방향 외측으로 연장되는 제2 플레이트(228)의 일부분에 의해 정의된다. 일부 실시예들에서, 제1 플레이트(226)로부터 반경방향 외측으로 연장되는 제2 플레이트(228)의 일부분에 의해 립(lip)이 정의된다.
[0025] 페디스털(200)은 페디스털(200)의 에지 근처의 제1 환형 구역(232), 및 제1 환형 구역(232)과 페디스털(200)의 중심 사이에 배치된 제2 환형 구역(230)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 페디스털(200)은 페디스털의 중심에 중앙 개구(202)를 포함한다. 중앙 개구(202)는 도관(150)에 유동적으로 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 개구들(206)이 중앙 개구(202) 근처에 배치된다. 하나 이상의 개구들(206)은 페디스털(200)을 기판 지지부(124)의 다른 컴포넌트들에 커플링시키기 위한 패스너를 수용하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 상부 표면(216)은 진공 척킹을 제공하기에 적절한 패턴을 갖는 홈들(234)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 상부 표면(216)은 홈들(234)을 포함하지 않는다.
[0026] 일부 실시예들에서, 페디스털(200)은 페디스털(200)의 외측 측벽(212)으로부터 반경방향 내측으로 연장되는 하나 이상의 리세스들(214)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 리세스들(214)은 제1 플레이트(226) 및 제2 플레이트(228) 둘 모두 내로 연장된다. 하나 이상의 리세스들(214)은 하나 이상의 리프트 핀들(109)을 수용하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 리세스들(214)은 3개의 리프트 핀들(109)을 수용하기 위해 3개의 리세스들(214)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 리세스들(214) 중 2개의 리세스들(214)은 제3 리세스(214)보다 서로 더 가깝다.
[0027] 일부 실시예들에서, 페디스털(200)은 상부 표면(216)으로부터 연장되는 제1 복수의 홀들(205)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1 복수의 홀들(205)은 제1 환형 구역(232)을 따라 규칙적인 간격들로 배치된다. 일부 실시예들에서, 페디스털(200)은 제2 환형 구역(230)을 따라 규칙적인 간격들로 상부 표면(216)으로부터 연장되는 제2 복수의 홀들(210)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1 복수의 홀들(205)은 6개의 홀들이다. 일부 실시예들에서, 제2 복수의 홀들(210)은 4개의 홀들이다.
[0028] 일부 실시예들에서, 복수의 핀들(208)은 제2 플레이트(228)의 상부 주변 표면(222)으로부터 상방향으로 연장된다. 일부 실시예들에서, 복수의 핀들(208) 중 적어도 하나의 핀(208)은 하나 이상의 리세스들(214) 중 인접한 리세스들(214) 사이에 배치된다. 일부 실시예들에서, 복수의 제2 홀들(204)이 상부 주변 표면(222)으로부터 제2 플레이트(228)를 적어도 부분적으로 관통하여 연장된다. 일부 실시예들에서, 복수의 제2 홀들(204) 중 적어도 하나의 홀(204)은 복수의 핀들(208) 중 인접한 핀들(208) 사이에 배치된다. 일부 실시예들에서, 복수의 제2 홀들(204)의 각각의 홀(204)은 복수의 핀들(208) 중 인접한 핀들(208) 사이에 배치된다. 일부 실시예들에서, 포커스 링이 제2 플레이트(228)의 상부 주변 표면(222) 상에 배치되고, 복수의 핀들(208) 및 복수의 홀들(204)을 통해 제 위치에 홀딩된다.
[0029] 도 3은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 페디스털의 평면도를 묘사한다. 일부 실시예들에서, 페디스털(200)은 진공 척킹을 위한 홈들(예컨대, 홈들(234))을 포함할 수 있으며, 이들은 명확성을 위해 도 3에서 생략된다. 페디스털(200)은, 제1 복수의 홀들(205) 및 제2 복수의 홀들(210)의 각각의 홀에 배치된 복수의 비-금속 엘리먼트들(310)을 포함한다. 복수의 비-금속 엘리먼트들(310)은 기판을 지지하도록 구성된 지지 표면을 정의하기 위해 제1 플레이트(226)의 상부 표면(216)으로부터 떨어져 연장된다. 일부 실시예들에서, 복수의 비-금속 엘리먼트들(310)은 비-금속 볼들이다. 일부 실시예들에서, 복수의 비-금속 볼들(310)은 알루미늄 산화물(Al2O3)(예컨대, 사파이어)로 제조된다.
[0030] 일부 실시예들에서, 제1 복수의 홀들(205) 내의 복수의 비-금속 엘리먼트들(310)은 페디스털(200)의 중심을 중심으로 제1 링(308)을 따라 규칙적인 간격들로 배치된다. 일부 실시예들에서, 제1 링(308)은 페디스털의 중심으로부터 약 10.5 인치 내지 약 11.5 인치 떨어져 있다. 일부 실시예들에서, 복수의 비-금속 엘리먼트들(310)은 제1 링과 동심인 제2 링(304)을 따라 규칙적인 간격들로 배치된다. 일부 실시예들에서, 제2 링(304)은 페디스털의 중심으로부터 약 4.0 인치 내지 약 5.0 인치 떨어져 있다. 제1 링(308) 및 제2 링(304) 각각을 따라 규칙적인 간격들로 배치된 복수의 비-금속 엘리먼트들(310)은 유리하게, 기판(108)의 변형을 감소시키거나 방지하기에 충분한 지지를 제공하면서 기판(108)과 페디스털(200) 사이에 낮은 접촉 면적을 제공한다. 복수의 비-금속 엘리먼트들(310)은 유리하게, 기판(108)에 대한 적절한 열적 커플링을 제공하면서 기판(108)의 변형을 감소시키거나 방지하기에 충분한 지지를 제공하도록 포지셔닝된다.
[0031] 도 4는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 페디스털의 부분 단면도를 묘사한다. 제2 플레이트(228)의 하부 표면(412)은 중공 지지 샤프트(112)에 커플링될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 구 형상을 갖는 비-금속 엘리먼트(310)가 제2 복수의 홀들(210)의 홀(210)에 배치된다. 비-금속 엘리먼트(310)는 홀(210)의 최하부 표면(406) 상에 놓이고 홀(210)의 측벽들(408) 사이에 피팅(fit)된다.
[0032] 비-금속 엘리먼트(310)는 페디스털(200)의 상부 표면(216)에 대해 일정 거리(410)만큼 상승된 상부 표면(404)을 갖는다. 일부 실시예들에서, 비-금속 엘리먼트(310)의 상부 표면(404)은 페디스털(200)의 상부 표면(216)으로부터 약 0.005 인치 내지 약 0.015 인치의 거리(410)만큼 상승된다. 일부 실시예들에서, 홀(210)은 비-금속 엘리먼트(310)의 직경보다 약간 더 작은 직경을 갖는다. 일부 실시예들에서, 비-금속 엘리먼트(310)는 약 0.10 인치 내지 약 0.20 인치의 직경을 갖는다.
[0033] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판 지지부로서,
    페디스털 ― 상기 페디스털은, 리프트 핀을 수용하도록 구성된 상부 표면, 상기 페디스털의 에지 근처의 제1 환형 구역, 및 상기 제1 환형 구역과 상기 페디스털의 중심 사이에 배치된 제2 환형 구역을 가지며, 상기 페디스털은 상기 제1 환형 구역을 따라 규칙적인 간격들로 상기 상부 표면으로부터 연장되는 제1 복수의 홀들 및 상기 제2 환형 구역을 따라 규칙적인 간격들로 상기 상부 표면으로부터 연장되는 제2 복수의 홀들을 포함함 ―; 및
    상기 제1 복수의 홀들 및 상기 제2 복수의 홀들의 각각의 홀에 배치된, 알루미늄 산화물을 포함하는 비-금속 볼(non-metal ball)을 포함하며,
    상기 비-금속 볼들 각각의 상부 표면은 지지 표면을 정의하기 위해 상기 페디스털의 상부 표면에 대해 상승되는,
    기판 지지부.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 페디스털에 배치된 가열 엘리먼트를 더 포함하는,
    기판 지지부.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 복수의 홀들은 6개의 홀들인,
    기판 지지부.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 복수의 홀들에 배치된 상기 비-금속 볼들 각각은 상기 페디스털의 중심으로부터 약 10.5 인치 내지 약 11.5 인치 떨어져 있는,
    기판 지지부.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 복수의 홀들은 4개의 홀들인,
    기판 지지부.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 복수의 홀들에 배치된 상기 비-금속 볼들 각각은 상기 페디스털의 중심으로부터 약 4.0 인치 내지 약 5.0 인치 떨어져 있는,
    기판 지지부.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제2 리프트 핀 및 제3 리프트 핀을 각각 수용하기 위해, 상기 페디스털의 외측 측벽으로부터 반경방향 내측으로 연장되는 제2 리세스 및 제3 리세스를 더 포함하는,
    기판 지지부.
  8. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 페디스털은 상부 부분 및 하부 부분, 및 상기 페디스털의 하부 부분으로부터 반경방향 외측으로 연장되는 립(lip)을 포함하는,
    기판 지지부.
  9. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비-금속 볼의 상부 표면은 상기 페디스털의 상부 표면으로부터 약 0.005 인치 내지 약 0.015 인치 상승되는,
    기판 지지부.
  10. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 표면은 상기 리프트 핀을 수용하도록 구성된, 외측 측벽으로부터 반경방향 내측으로 연장되는 리세스를 포함하는,
    기판 지지부.
  11. 프로세스 챔버로서,
    내부 볼륨을 갖는 챔버 바디;
    상기 내부 볼륨에 배치된, 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 따른 기판 지지부; 및
    상기 지지 표면에 대해 기판을 상승 또는 하강시키도록 구성된 리프트 핀을 갖는 리프트 메커니즘을 포함하며,
    상기 리프트 핀은 상기 페디스털의 외측 측벽으로부터 상기 페디스털의 중심을 향해 연장되는 상기 페디스털의 리세스를 통과할 수 있는,
    프로세스 챔버.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 환형 구역은 상기 제2 환형 구역과 동심인,
    프로세스 챔버.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 복수의 비-금속 볼들은 약 0.10 인치 내지 약 0.20 인치의 직경을 갖는,
    프로세스 챔버.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 비-금속 볼의 상부 표면은 상기 페디스털의 상부 표면으로부터 약 0.005 인치 내지 약 0.015 인치 상승되는,
    프로세스 챔버.
  15. 프로세스 챔버로서,
    내부 볼륨을 갖는 챔버 바디;
    상기 내부 볼륨에 배치된, 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 따른 기판 지지부 ― 상기 기판 지지부의 페디스털은 상기 페디스털의 상부 표면을 정의하는 상부 표면을 갖는 제1 플레이트 및 상기 제1 플레이트의 하부 표면에 커플링된 제2 플레이트를 포함하며, 상기 제2 플레이트는 상기 제1 플레이트의 외경보다 더 큰 외경을 가짐 ―; 및
    상기 제2 플레이트에 커플링된 샤프트를 포함하는,
    프로세스 챔버.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제2 플레이트의 상부 주변 표면으로부터 복수의 핀들이 상방향으로 연장되는,
    프로세스 챔버.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 플레이트의 상부 주변 표면 상에 배치되고 그리고 상기 복수의 핀들을 통해 제 위치에 홀딩되는 포커스 링을 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  18. 제15 항 내지 제17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비-금속 볼들은 사파이어로 제조되는,
    프로세스 챔버.
  19. 제15 항 내지 제17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 비-금속 볼들은 상기 제1 플레이트의 상부 표면으로부터 약 0.005 인치 내지 약 0.015 인치 떨어져 연장되는,
    프로세스 챔버.
  20. 제15 항 내지 제17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 비-금속 볼들은 약 0.10 인치 내지 약 0.20 인치의 직경을 갖는,
    프로세스 챔버.
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