KR20220032395A - 프로브 소켓 및 마이크로 led 검사 장치 - Google Patents

프로브 소켓 및 마이크로 led 검사 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220032395A
KR20220032395A KR1020200114118A KR20200114118A KR20220032395A KR 20220032395 A KR20220032395 A KR 20220032395A KR 1020200114118 A KR1020200114118 A KR 1020200114118A KR 20200114118 A KR20200114118 A KR 20200114118A KR 20220032395 A KR20220032395 A KR 20220032395A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
conductive particles
micro led
electrode patterns
temperature section
Prior art date
Application number
KR1020200114118A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102479250B1 (ko
Inventor
재 호 김
서강일
Original Assignee
아주대학교산학협력단
주식회사 에이엔케이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아주대학교산학협력단, 주식회사 에이엔케이 filed Critical 아주대학교산학협력단
Priority to KR1020200114118A priority Critical patent/KR102479250B1/ko
Publication of KR20220032395A publication Critical patent/KR20220032395A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102479250B1 publication Critical patent/KR102479250B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0441—Details
    • G01R1/0458—Details related to environmental aspects, e.g. temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0441—Details
    • G01R1/0466—Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06755—Material aspects
    • G01R1/06761—Material aspects related to layers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 프로브 소켓과 마이크로 LED 검사 장치에 관한 것으로서, 도전성 입자를 몰드 상에 단층으로 배열한 후 프로브 기판에 전사시키되, 도전성 입자의 전사 과정에서 공정 온도를 조절함으로써, 도전성 입자가 몰드 상에서의 위치를 그대로 유지하며 프로브 기판 상의 접착층에 관통 방식으로 매립될 수 있다. 따라서 프로브 기판의 전극 패턴과 마이크로 LED 소자의 패드부 사이를 전기적으로 연결하는 도전성 입자를 포함하는 프로브 소켓과, 이를 포함하는 마이크로 LED 검사 장치를 용이하게 구현할 수 있다.

Description

프로브 소켓 및 마이크로 LED 검사 장치{PROBE SOCKET AND MICRO LED INSPECTING DEVICE}
본 발명의 실시예들은, 프로브 소켓, 프로브 소켓을 포함하는 마이크로 LED 검사 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 디스플레이 시장에서 전력효율, 플렉서블 구현, 고해상도, 장수명 등의 측면에서 강점을 가진 마이크로 LED 디스플레이가 차세대 디스플레이로 부각되고 있다. 마이크로 LED는 이론적으로 저전력, 초대형, 플렉서블까지 가능하며, 기존 디스플레이와 달리 액정이나 유기재료를 필요로 하지 않아 그 크기를 5∼10㎛ 이하로 줄일 수 있고, 패키지 과정 없이 LED 칩 자체가 화소로 활용될 수 있다.
마이크로 LED는 제조된 이후 테스트 공정을 거치게 된다. 종래의 테스트 공정에 따르면, 웨이퍼 상에 제조된 LED에 작은 탐침을 직접 접촉시켜 전류를 인가하여 LED를 발광시키고, 각 LED 소자가 출력하는 전기적, 광학적 특성에 기초하여 LED의 양부를 판단하고, 불량 LED를 제외시키는 한편 정상 LED는 성능에 따라 등급별로 분류하였다. 하지만 종래의 탐침 검사 방법은 수십 마이크로 단위의 LED 소자를 검사하는데 있어서 효율적으로 전류를 인가하지 못하여 검사 시간이 길어지며, 탐침의 자주 파손되어 검사의 효율성이 떨어지는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 감안하여 한국 특허출원 10-2017-0103478호(출원일: 2017.8.16., 출원인: 삼성전자)는 LED 웨이퍼와 같은 크기의 프로브 시스템을 구현함으로써, LED 웨이퍼와 일대일 매칭이 가능하고, 한번에 복수 개의 LED를 발광시켜 휘도 및 파장을 검사할 수 있는 웨이퍼 프로브 카드 및 이를 포함하는 분석 장치 및 웨이퍼 프로브 카드의 제조방법을 개시한다.
이러한 웨이퍼 프로브 카드는 전도성 미세 패터닝이 가능한 공정을 이용하여 제조하고 있으며, 포토리소그라피 공정을 대표적인 예로 들 수 있다. 그러나 포토리소그라피 공정 기술은 도포-노광-식각 등의 공정이 반복적으로 이루어짐으로써 매우 복잡하고 공정 비용이 매우 높은 단점이 있다.
또한, 잉크젯, 그라비아, 디스펜서, EHD(Electrohydrodynamic) 젯팅 등의 인쇄 공정을 이용 할 수 있으나, 잉크 및 페이스트 사용으로 공정이 비교적 까다로우며 공정 환경에 대한 제약 사항이 매우 많은 단점이 있다.
본 발명의 일 양태에 따른 목적은, 미세 패터닝 공정 기술을 이용하여 제조 방법이 매우 간단하고 제조 원가를 절감할 수 있는 마이크로 LED 검사 장치용 프로브 소켓 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 양태에 따른 목적은, 도전성 입자의 단층 배열에 의해 접촉 저항을 최소화하여 신뢰성이 높은 마이크로 LED 검사 장치용 프로브 소켓 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사장치는 유전체층과 유전체층 상에 배치된 다수의 전극 패턴들을 포함하는 프로브 기판; 및 프로브 기판 상에 배치되는 프로브 소켓을 포함하고, 상기 프로브 소켓은 접착층과 이 접착층에 매립된 다수의 도전성 입자들을 포함하고, 도전성 입자 각각은 접착층의 일면에서 상기 다수의 전극 패턴들 중 하나의 전극 패턴과 접촉하고, 접착층의 타면에서 외부로 노출된다.
다수의 도전성 입자들은, 접착층이 제1 온도 구간에서 제1 점도를 갖는 상태일 때 접착층을 관통하도록 결합되고, 접착층이 제1 온도 구간과 상이한 제2 온도 구간에서 제1 점도보다 높은 제2 점도를 갖는 상태가 될 때 접착층에 의해 고정되어 배치될 수 있다.
제2 온도 구간은 제1 온도 구간보다 높은 온도 구간일 수 있다. 또는, 제2 온도 구간은 제1 온도 구간보다 낮은 온도 구간일 수 있다.
접착층은 제1 온도 구간에서 반액체 상태고, 제2 온도 구간에서 고체 상태로 경화될 수 있다.
다수의 도전성 입자들은, 절연 필름 상에 PDMS를 코팅하고 PDMS 상에 세라믹 입자 단층을 형성하는 단계; 점착제 필름에 포토 마스크를 이용하여 UV 광을 조사하여 전사 필름을 제조하는 단계; 세라믹 입자 단층 상에 전사 필름을 부착한 후 박리하여 PDMS 상의 특정 영역에 위치하는 세라믹 입자를 제거하는 단계; 세라믹 입자가 제거된 영역에 도전성 입자를 부착하여 특정 영역에 도전성 입자 단층을 형성한 몰드를 제조하는 단계; 접착층이 제1 온도 구간에서 제1 점도를 갖는 상태일 때 몰드를 접착층에 밀착시키는 단계; 및 접착층이 제2 온도 구간에서 제2 점도를 갖는 상태일 때 몰드와 접착층을 분리하는 단계를 통해 접착층 내에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 소켓은, 제1 온도 구간에서 제1 점도를 갖는 상태이고 제1 온도 구간과 상이한 제2 온도 구간에서 제1 점도보다 높은 제2 점도를 갖는 상태인 접착층, 및 접착층이 제1 온도 구간에서 제1 점도를 갖는 상태일 때 접착층을 관통하도록 결합되고, 접착층이 제2 온도 구간에서 제2 점도를 갖는 상태가 될 때 접착층에 의해 고정되며, 접착층의 일 면에서 접착층의 외부로 노출되는 부분과 접착층의 타 면에서 접착층의 외부로 노출되는 부분을 포함하는 다수의 도전성 입자들을 포함한다.
본 발명에 따른 마이크로 LED 검사 장치는 미세 패터닝 공정 기술을 이용하여 제조 방법이 매우 간단하고 제조 원가를 절감할 수 있을 뿐만 아니라, 단층 도전성 입자를 확실히 외부로 노출시킬 수 있어서 동작의 신뢰성이 높다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치를 소자 단위로 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a와 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치를 웨이퍼 단위로 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치에 이용된 도전성 입자의 구조, 장기 내열성 테스트 결과 및 경질/연질 코어를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치의 제조를 위한 입자 배열 단층 제조/전사 기술을 나타낸 도면이다.
도 5와 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치의 제조를 위한 골드 패턴 몰드 제조 과정의 일례를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 골드 패턴 몰드의 평면 사진을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 기판의 평면 사진을 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 접착층의 점도와 온도 구간 사이의 관계를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 소켓의 평면 사진을 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호를 부가하였다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 구성 요소를 추가로 가질 수 있다는 의미로 해석되어야 한다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우이더라도 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수의 구성 요소를 의미할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.
구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 한다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.
구성 요소들의 시간 관계 또는 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치(100)를 소자 단위로 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치(100)는 프로브 기판(110)과 프로브 소켓(120)을 포함할 수 있다.
프로브 기판(110)은 유전체층(111) 및 이 유전체층(111) 상에 배치된 다수의 전극 패턴들(112)을 포함할 수 있다. 다수의 전극 패턴들(112)은 유전체층(111) 상에서 일정한 패턴으로 배치될 수 있다. 다수의 전극 패턴들(112) 중 일부는 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
프로브 소켓(120)은 프로브 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 프로브 소켓(120)은 접착층(121) 및 이 접착층(112)에 단층 매립된 형태로 배치되는 다수의 도전성 입자들(122)을 포함할 수 있다.
접착층(121)은 일 예로, 에폭시 수지를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도전성 입자(122)를 접착층(121)에 배열하는 방법으로, 몰드 상에 미리 결정된 형태로 배치한 복수의 입자를 접착층(121)에 전사하는 방법이나 접착층(121)에 직접 앵커링/접촉하는 입자 정렬 방법을 사용할 수 있다. 도전성 입자(122)는 접착층(121) 내에 단층으로 매립되며, 각 도전성 입자(122)의 일단 또는 양단이 접착층(121) 외부로 노출될 수 있다.
일 실시예에서, 도전성 입자(122)를 접착층(121)에 일렬로 배열하는 기술은 소위 입자 배열 단층 제조/전사 기술(PAT: Particle Array Transfer Coating)이 사용될 수 있다.
입자 배열 단층 제조/전사 기술은 점착성의 유기 실리콘 패드에 배열하고자 하는 미세 입자를 도포-수세하여 단층으로 배열하고, 패턴이 형성되어 있는 필름에 단순 접촉식 전사 공정을 통하여 매우 간단하게 입자 단층 패턴을 형성할 수 있는 공정을 의미한다.
전술한 입자 배열 단층 제조/전사 기술은 유기 솔벤트 및 레진을 사용하지 않는 공정으로서 친환경적일 수 있다. 또한, 공정 중 입자의 투입량 및 온/습도의 영향이 거의 없기 때문에 공정 환경에 제약이 없고, 금속, 세라믹, 폴리머 등 입자 소재에 제한이 없으며, 단층 전사를 목적으로 하는 기재의 표면 특성에 대한 제약이 없다. 또한, 적용 대상에 대한 크기/면적 확장성이 우수하고, 입자 크기에 제한없이 미세 패턴을 자유로이 구현할 수 있는 이점이 있다.
도전성 입자(122)는 다수가 하나의 층을 이룰 수도 있고, 다수가 하나의 그룹을 이룰 수도 있다.
도전성 입자(122)의 평균 직경은 접착층(121)의 두께보다 클 수 있다. 일 예로, 도전성 입자(122)의 평균 직경은 대략 10nm 내지 50㎛일 수 있다.
도전성 입자(122)의 형상은 구형 또는 타원형이 바람직하나, 이에 한정되지 않는다.
도전성 입자(122)는 전하성 물질 및/또는 비전하성 물질을 포함할 수 있으며, 다른 성질을 갖는 물질들이 혼합된 것일 수도 있다.
도전성 입자(122)는 접착층(121)을 관통하는 형태로 매립 배열될 수 있다. 따라서, 도전성 입자(122)의 일단은 접착층(121)의 양면 중 프로브 기판(110)과 마주보는 면으로 돌출하여 프로브 기판(110)의 전극 패턴(112)과 접촉하고, 도전성 입자(122)의 타단은 접착층(121)의 양면 중 나머지 면으로 돌출될 수 있다. 도전성 입자(122)의 타단은 마이크로 LED 소자(200)와 접촉에 사용될 수 있다.
일 예로, 마이크로 LED 소자(200)는 광을 발산하는 발광부(210) 및 발광부(210)에 연결되며 전기적인 신호를 공급받는 패드부(220)를 포함할 수 있다.
도전성 입자(122)의 중심부는 접착층(121)에 매립된 형태로 고정되는 한편, 도전성 입자(122)의 일단이 프로브 기판(110) 상의 전극 패턴(112)과 접촉되고, 타단이 외부로 돌출되어 마이크로 LED 소자(200)의 패드부(220)와 접촉될 수 있다.
따라서 마이크로 LED 검사 장치(100)는 접착층(121)에 매립 배치되는 도전성 입자(122)를 통해 전기적인 신호를 프로브 기판(110)으로부터 마이크로 LED 소자(200)의 패드부(220)에 인가하여, 마이크로 LED 소자(200)의 동작 상태를 확인하고 그 불량 여부를 판단할 수 있다.
도 2a와 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치(100)를 웨이퍼 단위로 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치(100)는 유전체층(111)에 다수의 전극 패턴들(112)이 배치된 프로브 기판(110)과, 접착층(121)에 다수의 도전성 입자들(122)이 노출되는 방식으로 매립된 프로브 소켓(120)을 포함할 수 있다. 프로브 기판(110)과 프로브 소켓(120)은 상호 간 라미네이트되어 하나의 구성 요소로 일체화될 수 있다.
접착층(121)은 유전체층(111)에 기계적으로 연결되고, 도전성 입자(122)의 일단은 전극 패턴(112)에 기계적/전기적으로 연결될 수 있다.
프로브 기판(110)에 포함된 다수의 전극 패턴들(112) 중 동일한 행에 배치된 전극 패턴들(112)이 서로 전기적으로 연결되거나, 동일한 열에 배치된 전극 패턴들(112)이 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
다수의 전극 패턴들(112) 중 어느 하나의 행에 배치된 전극 패턴들(112)이 나머지 행에 배치된 전극 패턴들(112)과 독립적으로 구동될 수 있다. 또한, 다수의 전극 패턴들(112) 중 어느 하나의 열에 배치된 전극 패턴들(112)이 나머지 열에 배치된 전극 패턴들(112)과 독립적으로 구동될 수 있다.
또한, 다수의 전극 패턴들(112)은 일 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되고 제1 구동 신호를 공급받는 다수의 제1 전극 패턴들과, 제1 전극 패턴들과 나란히 배치되고 일 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되며 제1 구동 신호와 상이한 제2 구동 신호를 공급받는 다수의 제2 전극 패턴들을 포함할 수 있다.
이러한 경우, 다수의 도전성 입자들(122)은, 다수의 제1 전극 패턴들 각각과 접촉하는 다수의 제1 도전성 입자들과, 다수의 제2 전극 패턴들 각각과 접촉하는 다수의 제2 도전성 입자들을 포함할 수 있다. 제1 도전성 입자와 제2 도전성 입자는 일 방향과 교차하는 방향을 따라 교번하여 배치될 수 있다.
다수의 전극 패턴들(112)의 일부가 서로 전기적으로 연결되며 상이한 구동 신호를 공급받음으로써, 도전성 입자(122)를 통해 전기적인 신호가 마이크로 LED 소자(200)에 전달되어 마이크로 LED 소자(200)의 전기적 검사가 수행될 수 있다.
웨이퍼에 다수의 마이크로 LED 소자(200)가 형성되어 배열될 수 있으며, 각각의 마이크로 LED 소자(200)는 패드부(220)를 포함할 수 있다. 각각의 마이크로 LED 소자(200)의 패드부(220)는 일 예로, 애노드 패드와 캐소드 패드를 포함할 수 있다.
마이크로 LED 검사 장치(100)는 광학적 또는 기계적 또는 전기적 방법으로 웨이퍼와 정렬한 후 프로브 소켓(120)의 도전성 입자(122)와 마이크로 LED 소자(200)의 패드부(220)를 접촉시킨 후 전기 신호를 인가하여, 웨이퍼 상태에서 마이크 LED 소자(200)에 전기 신호를 공급한다.
전기 신호가 공급되면, 마이크로 LED 소자(200)는 소정의 색상으로 발광할 수 있다. 마이크로 LED 소자(200)의 하부에 배치된 비전 시스템(300)은 발광을 검사하여 양품 LED와 불량 LED를 구별할 수 있다. 비전 시스템(300)은 양품 LED와 불량 LED에 대한 좌표를 생성하고, 해당 좌표 정보를 픽앤플레이스(Pick & Place) 장비에 제공한다. 픽앤플레이스 장비는 불량 LED를 제외하고 양품 LED만 픽업하여 디스플레이 패널에 배치할 수 있다. 비전 시스템(300) 및 픽앤플레이스 장비는 본 발명의 요지와 상관이 없으므로 그 상세한 설명은 생략한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예는 다수의 도전성 입자들(122)을 접착층(121)에 관통 방식으로 매립한 프로브 소켓(120)을 마이크로 LED 소자(200)에 접촉시켜 마이크로 LED 소자(200)를 검사하는 방안을 제공한다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치(100)에 이용된 도전성 입자(122)의 구조, 장기 내열성 테스트 결과 및 경질/연질 코어를 나타낸 도면이다.
도 3a는 도전성 입자(122)를 도시하며, 도전성 입자(122)는 유전체 코어(122a), 유전체 코어(122a)를 둘러싸는 제1 도전성 도금층(122b), 및 제1 도전성 도금층(122b)을 둘러싸는 제2 도전성 도금층(122c)으로 구성될 수 있다. 제1 도전성 도금층(122b)은 유전체 코어(122a)와 제2 도전성 도금층(122c)을 상호 접속시킬 수 있다. 도전성 입자(122)의 형상은 대략 구형 또는 타원형일 수 있다.
유전체 코어(122a)의 평균 직경은 약 10nm 내지 50㎛일 수 있다. 제1 도전성 도금층(122b)의 평균 두께는 약 1nm 내지 10㎛일 수 있다. 제2 도전성 도금층(122c)의 평균 두께는 약 1 nm 내지 10㎛일 수 있다.
유전체 코어(122a)는 일 예로, 플라스틱 또는 세라믹옥사이드를 포함할 수 있다. 제1 도전성 도금층(122b)는 일 예로, 니켈 또는 구리 도금층을 포함할 수 있다. 제2 도전성 도금층(122c)는 일 예로, 골드를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 도전성 입자(122)는 골드 입자만으로 구성될 수도 있다.
도전성 입자(122)를 전술한 구조와 물질로 형성함으로써, 프로브 소켓(120)을 장시간 동안 고온의 환경에서 사용하더라도, 도전성 입자(122)의 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 3b는 도전성 입자(122)의 장기 테스트 결과를 도시한다. 도전성 입자(122)는 1000시간/150℃ 및 2000시간/150℃에서 평균 직경 및 10% 부하의 값에 직경 변화가 크지 않음을 확인할 수 있다.
도 3c는 유전체 코어(122a)가 수직력에 대하여 변형하는 정도를 나타내는 도면이다. 유전체 코어(122a)로서 경질 코어를 사용한 경우 수직력에 대하여 변형이 크지 않은 반면, 연질 코어를 사용한 경우 수직력에 대하여 변형이 큰 것을 확인할 수 있다. 일부 예들에서, 연질 코어를 사용할 경우, 수직력이 가해지면 원래 높이(100%)의 대략 20% 내지 50%까지 변형이 발생할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치(100)의 제조를 위한 입자 배열 단층 제조/전사 기술을 나타낸 도면이다.
본 발명이 사용하는 입자 배열 단층 제조/전사 기술은 다양한 패턴 사이즈(예: 40㎛, 60㎛, 20㎛, 210㎛)로 입자를 배열할 수 있다. 입자 재료는 일 예로, 폴리머 또는 금이 코팅된 폴리머일 수 있으며, 입자의 사이즈는 110㎛, 200㎛, 30㎛, 30㎛ 등과 같이 다양할 수 있다.
이와 같이, 입자 배열 단층 제조/전사 기술은 다양한 종류와 크기의 입자를 다양한 패턴으로 배치할 수 있으므로, 마이크로 LED 소자(200)의 검사를 위한 최적의 프로브 소켓(120)을 용이하게 구현할 수 있다.
도 5와 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 골드 패턴 몰드의 제조 방법을 예시하는 도면이다.
도 5를 참조하여 설명한다. PET(polyethylene terephthalate) 필름 기재에 PDMS(polydimethylsiloxane)를 코팅할 수 있다(S500). 경우에 따라, PDMS 이외에 폴리에틸렌(polyethylene, PE)이나 폴리비닐클로라이드(polyvinylchloride, PVC)가 사용될 수도 있다.
PDMS가 코팅된 기재에 5㎛의 크기를 갖는 SiO2 입자를 단층 배열하여, SiO2 입자가 단층 코팅된 필름을 제조한다(S510).
점착제 필름에 포토 마스크를 이용하여, UV 광을 조사하고 골드 입자가 부착될 영역의 점착력을 높인 전사 필름을 제조한다(S520). SiO2 입자가 코팅된 기재에 전사 필름을 부착한 후 박리하는 공정을 통해 SiO2 입자가 코팅된 기재의 특정 영역에서 SiO2 입자를 제거한다(S530).
SiO2 입자가 코팅된 기재에서 전사 필름의 점착력이 높아진 영역에 대응하는 영역에 배치된 SiO2 입자가 제거되면 홈 또는 홀이 형성되고, 홈 또는 홀의 하부에는 접착력이 있는 PDMS의 표면이 외부로 노출된다. 따라서 SiO2 입자의 제거에 의해 골드 입자가 부착될 영역이 형성될 수 있다.
SiO2 입자가 제거된 영역에 직경 20㎛의 골드 입자를 코팅함으로써 특정 영역에 골드 입자가 단층으로 배열된 몰드를 제조할 수 있다(S540).
일 예로, 도 6의 (a)와 같이, 몰드(600)를 형성할 기재 상에 세라믹 입자(700)를 단층 배열한다. 세라믹 입자(700)는 전술한 입자 배열 단층 제조/전사 기술에 의해 단층으로 배열될 수 있다.
특정 영역의 점착력이 높아진 전사 필름을 세라믹 입자(700) 단층에 부착하고 박리함으로써, 도 6의 (b)와 같이, 세라믹 입자(700)가 소정 패턴으로 단층이 배열된 몰드(600)를 만든다.
세라믹 입자(700)가 제거된 부분에 골드 입자와 같은 도전성 입자(122)를 배치함으로써, 도 6의 (c)와 같이, 마이크로 LED 검사 장치(100)의 프로브 소켓(120)을 제조하기 위한 몰드(600)를 제작할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 골드 패턴 몰드의 평면 사진을 나타낸 도면이다.
도 7에 도시된 몰드(600)는 대략 20㎛의 크기를 갖는 골드 입자 패턴 필름을 형성하기 위한 것이다. 앞에서 설명한 과정을 통해, 몰드(600) 상에 세라믹 입자(700)가 제거된 홈(800)(또는 홀)을 형성한다.
몰드(600)에 포함된 홈(800)에 골드 입자와 같은 도전성 입자(122)를 배치하여 몰드(600)를 완성한다. 완성된 몰드(600)를 접착층(121)에 접촉시키고 온도, 시간, 가압 상태를 조절하여 몰드(600)의 도전성 입자(122)를 접착층(121)에 관통 방식으로 매립한다.
일 실시예에서, 프로브 기판(110)에 접착층(121)을 배치한 상태에서, 도전성 입자(122)가 배치된 몰드(600)를 접착층(121)에 접촉시켜 도전성 입자(122)를 접착층(121)에 관통 방식으로 매립하여 프로브 소켓(120)을 제작할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 도전성 입자(122)가 배치된 몰드(600)를 접착층(121)에 접촉시켜 도전성 입자(122)를 접착층(121)에 관통 방식으로 매립하여 프로브 소켓(120)을 제조한 후, 프로브 기판(110) 상에 프로브 소켓(120)을 배치할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 기판(110)의 평면 사진을 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하여 설명한다. 유전체층(111) 상에 전극 패턴(112)을 포토 마스크를 이용하여 형성할 수 있다. 유전체층(111) 상에 배치된 전극 패턴(112) 사이의 간격은 몰드(600) 상에 도전성 입자(122)가 배치된 간격과 동일하거나 유사할 수 있다.
유전체층(111)과 전극 패턴(112)을 포함하는 프로브 기판(110) 상에 접착층(121)에 관통 방식으로 매립된 도전성 입자(122)를 포함하는 프로브 소켓(120)을 배치함으로써, 도전성 입자(122)가 전극 패턴(112)과 접촉되는 구조를 형성할 수 있다.
도 8은 전극 패턴(112)이 직선 형태인 경우를 예시적으로 나타내고 있으나, 유전체층(111) 상에 배치되는 전극 패턴(112)은 절곡된 형태를 포함하여 임의의 형태를 가질 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 소켓(120)의 제조 방법을 예시한 도면이다.
도 9를 참조하여 설명한다. 프로브 기판(110) 상에 에폭시 수지(B-stage)와 같은 접착층(121)을 코팅한다(S900).
S900 단계에서 준비된 프로브 기판(110) 상에 골드 입자와 같은 도전성 입자(122)의 패턴이 형성된 몰드(600)를 50℃ 내지 150℃(바람직하게는 80℃~100℃) 정도의 온도에서 가압 부착하여, 도전성 입자(122)를 접착층(121)에 전사한다(S910).
도전성 입자(122)를 접착층(121)에 전사하고 몰드(600)를 제거한 후, 도전성 입자(122)의 안정적인 부착을 위해 접착층(121)을 0℃ 내지 50℃ 또는 150℃ 내지 250℃의 온도에서 경화시킬 수 있으며, 일 예로, 150℃ 내지 200℃의 온도에서 경화시키는 것이 바람직하다(S920).
도전성 입자(122)를 접착층(121)에 전사하는 공정과 도전성 입자(122)를 접착층(121)에 고정시키는 공정에서 공정 온도를 상이하게 함으로써, 매우 작은 간격으로 배치된 도전성 입자(122)를 접착층(121)에 관통 방식으로 매립할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 접착층(121)의 점도와 온도 구간 사이의 관계의 예시를 나타낸 도면이다.
도 10을 참조하여 설명한다. 접착층(121)은 일 예로, 제1 온도 구간(TS1)에서 제1 점도를 가질 수 있다. 제1 온도 구간(TS1)은, 50℃ 내지 150℃의 범위일 수 있다. 접착층(121)은 제1 온도 구간(TS1)에서 반액체 상태일 수 있다.
접착층(121)은 제1 온도 구간(TS1)과 상이한 제2 온도 구간(TS2)에서 제1 점도보다 높은 제2 점도를 가질 수 있다. 제2 온도 구간(TS2)은 제1 온도 구간(TS1)보다 높은 온도를 갖는 구간(TS2a)일 수도 있고, 제1 온도 구간(TS1)보다 낮은 온도를 갖는 구간(TS2b)일 수도 있다.
접착층(122)은 제2 온도 구간(TS2)에서 경화되어 고체 상태일 수 있다.
프로브 기판(110) 상에 접착층(121)을 배치하고, 도전성 입자(122)를 접착층(121)에 관통 방식으로 매립하는 공정은 우선 접착층(121)이 제1 점도를 가져 반액체 상태인 제1 온도 구간(TS1)에서 실시한다. 제1 온도 구간(TS1)에서 접착층(121)은 점도가 낮은 반액체 상태이므로, 몰드(600)와 접착층(121)을 접촉시키는 것만으로 몰드(600)의 도전성 입자(122)가 접착층(121)을 쉽게 관통할 수 있다.
도전성 입자(122)가 접착층(121)에 관통 방식으로 매립된 상태를 유지할 수 있도록 접착층(121)의 점도를 높일 필요가 있다. 따라서 공정의 온도를 제1 온도 구간(TS1)과 상이한 제2 온도 구간(TS2)으로 변경시킴으로써, 접착층(121)은 제1 점도보다 높은 제2 점도를 가지게 되어 고체 상태로 경화된다.
제2 온도 구간(TS2)은 대략 150℃ 이상 200℃ 이하일 수 있다. 경우에 따라, 제2 온도 구간(TS2)은 0℃ 내지 30℃일 수 있다. 다만, 0℃ 내지 30℃의 온도가 제공되는 경우, 접착층(121)의 경화에 많은 시간이 소요될 수 있다.
접착층(121)이 고체 상태로 경화된 후 몰드(600)를 제거한다. 접착층(121)에 관통 방식으로 매립된 도전성 입자(122)는 접착층(121)의 경화에 의해 확실히 고정되며, 또한 매립 시의 간격이나 위치도 그대로 유지할 수 있어서 인접한 도전성 입자(122) 간에 단락 발생이 방지된다.
이상 상술한 바와 같이, 프로브 기판(110)에 배치된 전극 패턴(112)과 매우 작은 간격으로 배치되는 마이크로 LED 소자(200)의 패드부(220) 사이를 전기적으로 연결해주는 도전성 입자(122)를 포함하는 프로브 소켓(120)을 용이하게 구현할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치(100)의 평면 사진을 나타낸 도면이다. 도 11의 실시예들에 따른 마이크로 LED 검사 장치(100)는 직선 형태의 전극 패턴(112) 위에 골드 입자와 같은 도전성 입자(122)를 배치한 프로브 소켓(120)을 사용한다.
전술한 본 발명의 실시예들에 의하면, 도전성 미세 패터닝 공정 기술을 이용하여 제조 방법이 매우 간단하고, 제조 원가를 절감할 수 있는 마이크로 LED 검사 장치(100) 및 마이크로 LED 검사 장치(100)에 포함되는 프로브 소켓(120)이 제공된다.
본 발명의 실시예에 의하면, 입자 배열 단층 제조/전사 기술에 의해 도전성 입자(122)를 용이하게 접착층(121)에 매립할 수 있다. 도전성 입자(122)의 매립 과정에서 공정 온도를 조절해줌으로써, 도전성 입자(122)가 몰드(600) 상에서의 위치를 그대로 유지하며 접착층(121)에 관통 방식으로 매립될 수 있다.
따라서 프로브 기판(110)의 전극 패턴(112)과 마이크로 LED 소자(200)의 패드부(220)를 전기적으로 연결하는 도전성 입자(122)를 포함하는 프로브 소켓(120)을 용이하게 구현할 수 있다.
특히, 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 LED 검사 장치(100) 및 그 제조 방법은, 도전성 입자(122)를 단층으로 배열하여 도전성 입자(122)의 소모를 상대적 절감할 수 있고, 도전성 입자(122)의 단층화에 의한 접촉 저항의 최소화를 통하여 안정적인 물성을 확보할 수 있다. 또한, 수백 나노의 정밀도를 갖는 미세 패턴닝이 가능하여 전자 제품용 파인 피치(fine pitch) 용도에 적합하며, 대면적화가 용이하여 디스플레이 응용 등에 적합할 수 있다. 또한, 도전성 입자(122)의 패턴화가 용이하여 새로운 디자인에 대한 대응력이 우수하며, 도전성 입자(122)의 코어 특성 조절에 따라 프로브 소켓(120) 제품의 특성 변경이 용이할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 마이크로 LED 검사 장치 110: 프로브 기판
111: 유전체층 112: 전극 패턴
120: 프로브 소켓 121: 접착층
122: 도전성 입자 122a: 유전체 코어
122b: 제1 도전성 도금층 122c: 제2 도전성 도금층
200: 마이크로 LED 소자 210: 발광부
220: 패드부 300: 비전 시스템
600: 몰드 700: 세라믹 입자
800: 홈(또는 홀)

Claims (12)

  1. 유전체층과, 상기 유전체층 상에 배치된 다수의 전극 패턴들을 포함하는 프로브 기판; 및 상기 프로브 기판 상에 배치되는 프로브 소켓을 포함하는 마이크로 LED 검사 장치에 있어서,
    상기 프로브 소켓은 접착층 및 상기 접착층에 관통 방식으로 매립된 다수의 도전성 입자들을 포함하고,
    상기 도전성 입자 각각은 상기 접착층의 일면에서 상기 다수의 전극 패턴들 중 하나의 전극 패턴과 접촉하고, 상기 접착층의 타면에서 외부로 노출되며,
    상기 도전성 입자 각각은 상기 접착층이 제1 온도 구간에서 제1 점도를 갖는 상태일 때 상기 접착층에 가압되어 당해 접착층 내에 배치되고, 상기 접착층이 상기 제1 온도 구간과 상이한 제2 온도 구간에서 상기 제1 점도보다 높은 제2 점도를 갖는 상태가 될 때 상기 접착층에 의해 고정되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 온도 구간은 상기 제1 온도 구간보다 높은 온도 구간인 마이크로 LED 검사 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 온도 구간은 상기 제1 온도 구간보다 낮은 온도 구간인 마이크로 LED 검사 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 접착층은 제1 온도 구간에서 반액체 상태이고, 상기 제2 온도 구간에서 고체 상태로 경화되는 마이크로 LED 검사 장치
  5. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 도전성 입자들은,
    절연 필름 상에 PDMS를 코팅하고 상기 PDMS 상에 세라믹 입자의 단층을 형성하는 단계;
    점착제 필름에 포토 마스크를 이용하여 UV 광을 조사하여 전사 필름을 제조하는 단계;
    상기 세라믹 입자의 단층 상에 상기 전사 필름을 부착한 후 박리하여 상기 PDMS 상의 특정 영역에 위치하는 세라믹 입자를 제거하는 단계;
    상기 세라믹 입자가 제거된 영역에 상기 도전성 입자를 부착하여 상기 특정 영역에 도전성 입자 단층을 형성한 몰드를 제조하는 단계;
    상기 접착층이 상기 제1 온도 구간에서 상기 제1 점도를 갖는 상태일 때 상기 몰드를 상기 접착층 상에 밀착하여 상기 도전성 입자를 전사하는 단계; 및
    상기 접착층이 제2 온도 구간에서 제2 점도를 갖는 상태일 때 상기 몰드와 상기 접착층을 분리하는 단계를 통해 상기 접착층 내에 관통 방식으로 매립되는 마이크로 LED 검사 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 입자의 직경은 상기 세라믹 입자의 직경보다 큰 마이크로 LED 검사 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 입자의 직경은 상기 접착층의 두께보다 큰 마이크로 LED 검사 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 전극 패턴들 중 동일한 행에 배치된 전극 패턴들이 전기적으로 연결되거나, 동일한 열에 배치된 전극 패턴들이 전기적으로 연결된 마이크로 LED 검사 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 전극 패턴들 중 어느 하나의 행에 배치된 전극 패턴들이 나머지 행에 배치된 전극 패턴들과 독립적으로 구동되거나, 어느 하나의 열에 배치된 전극 패턴들이 나머지 열에 배치된 전극 패턴들과 독립적으로 구동되는 마이크로 LED 검사 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 전극 패턴들은,
    일 방향을 따라 전기적으로 연결되고, 제1 구동 신호를 공급받는 다수의 제1 전극 패턴들; 및
    상기 제1 전극 패턴들과 나란히 배치되고, 상기 일 방향을 따라 전기적으로 연결되며, 상기 제1 구동 신호와 상이한 제2 구동 신호를 공급받는 다수의 제2 전극 패턴들을 포함하는 마이크로 LED 검사 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 다수의 도전성 입자들은 상기 다수의 제1 전극 패턴들 각각과 접촉하는 다수의 제1 도전성 입자들과, 상기 다수의 제2 전극 패턴들 각각과 접촉하는 다수의 제2 도전성 입자들을 포함하고,
    상기 제1 도전성 입자와 상기 제2 도전성 입자는 상기 일 방향과 교차하는 방향을 따라 교번하여 배치되는 마이크로 LED 검사 장치.
  12. 제1 온도 구간에서 제1 점도를 갖고, 상기 제1 온도 구간과 상이한 제2 온도 구간에서 상기 제1 점도보다 높은 제2 점도를 갖는 접착층; 및
    다수의 도전성 입자들로서, 각각의 입자는 상기 접착층이 상기 제1 점도를 가질 때 상기 접착층을 관통하여 배치되고, 상기 접착층이 상기 제2 점도를 가질 때 상기 접착층에 의해 고정되며, 상기 접착층의 일 면에서 상기 접착층의 외부로 노출되는 부분과 상기 접착층의 타 면에서 상기 접착층의 외부로 노출되는 부분을 포함하는 상기 다수의 도전성 입자들을 포함하는 프로브 소켓.
KR1020200114118A 2020-09-07 2020-09-07 프로브 소켓 및 마이크로 led 검사 장치 KR102479250B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200114118A KR102479250B1 (ko) 2020-09-07 2020-09-07 프로브 소켓 및 마이크로 led 검사 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200114118A KR102479250B1 (ko) 2020-09-07 2020-09-07 프로브 소켓 및 마이크로 led 검사 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220032395A true KR20220032395A (ko) 2022-03-15
KR102479250B1 KR102479250B1 (ko) 2022-12-21

Family

ID=80816974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200114118A KR102479250B1 (ko) 2020-09-07 2020-09-07 프로브 소켓 및 마이크로 led 검사 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102479250B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878075A (ja) * 1994-09-02 1996-03-22 Hitachi Chem Co Ltd 微細電極の接続構造および微細電極を持つ電子部品の検査方法
JP2007232627A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 微細回路検査用異方導電性フィルム
KR20200012743A (ko) * 2018-07-26 2020-02-05 서강일 마이크로 led 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878075A (ja) * 1994-09-02 1996-03-22 Hitachi Chem Co Ltd 微細電極の接続構造および微細電極を持つ電子部品の検査方法
JP2007232627A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 微細回路検査用異方導電性フィルム
KR20200012743A (ko) * 2018-07-26 2020-02-05 서강일 마이크로 led 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102479250B1 (ko) 2022-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11251139B2 (en) Secure integrated-circuit systems
TWI681508B (zh) 有效率地微轉印微型裝置於大尺寸基板上
US11631781B2 (en) Display device, method of manufacturing the same and substrate of the same
US8988093B2 (en) Bumped semiconductor wafer or die level electrical interconnect
TW201735320A (zh) 微轉移可印刷電子元件
US11177154B2 (en) Carrier structure and micro device structure
WO2020093691A1 (zh) 一种微元件的转移装置及转移方法
CN113345878B (zh) 用于将microLED组装到基底上的方法和系统
CN108962914B (zh) 电子装置与其制造方法
CN111194481B (zh) 发光构件、显示设备和用于制造显示设备的方法
TWI533775B (zh) 具有訂製層之佈線基材
CN112133660A (zh) 利用可选择的表面粘附转移元件的转移基底
TW201902313A (zh) 電子裝置與其製造方法
KR102187881B1 (ko) 마이크로 led 검사용 프로브 소켓 디바이스 제조 방법
CN112557867A (zh) 检测装置及检测方法
KR20220032395A (ko) 프로브 소켓 및 마이크로 led 검사 장치
TW202230639A (zh) 基板結構與電子裝置
KR102385376B1 (ko) 마이크로 진공모듈을 이용한 마이크로 led 어레이 전사를 위한 기판, 마이크로 led 어레이, 마이크로 진공모듈 간의 배치 구조 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이 제작 방법
CN112864046B (zh) 基于刚度变化可选择地保持和释放对象的转移元件
JP7382396B2 (ja) 電装部品を含む転送部材
JP2020194089A (ja) 転写部材、転写部材の製造方法及び発光基板の製造方法
JP2020191423A (ja) 保持部材、転写部材、転写部材の製造方法及び発光基板の製造方法
KR20210062859A (ko) 소자 전사방법 및 이를 이용한 전자패널 제조방법
KR102392446B1 (ko) 마이크로 led 어레이 전사를 위하여 기판, 마이크로 led 어레이, 마이크로 진공모듈 간의 배치 구조 및 마이크로 진공모듈을 이용한 마이크로 led 어레이 전사 방법
KR102485495B1 (ko) 발광 칩을 포함한 전자 장치의 제조 방법 및 그 전자 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal