KR20220017312A - 하우징을 포함하는 전자 장치 - Google Patents

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KR20220017312A
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concave
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이윤희
설기원
이종수
황용욱
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삼성전자주식회사
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Abstract

전자 장치가 개시된다. 상기 전자 장치는, 제1 금속을 포함하는 금속 부분을 포함하는 하우징; 및 상기 하우징 내부에 배치되고 상기 전자 장치의 제1 면을 통해 시각적으로 노출되는 디스플레이; 를 포함하고, 상기 금속 부분은 상기 제1 금속을 포함하는 제1 부분, 및 상기 제1 부분의 표면에 형성되고 상기 제1 금속을 포함하는 금속 산화물을 포함하는 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 전자 장치의 제2 면을 형성하고, 상기 제2 부분에는 상기 제1 부분을 향해 함몰되는 복수의 제1 오목 부분 및 복수의 제2 오목 부분을 포함하는 요철 구조가 형성되고, 상기 제1 오목 부분의 크기는 70마이크로미터 이하이고, 상기 제2 오목 부분의 크기는 3마이크로미터 이하일 수 있다. 이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시 예가 가능하다.

Description

하우징을 포함하는 전자 장치 {Electronic device including housing}
본 문서에서 개시되는 실시 예들은 하우징을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치의 하우징은 소정의 강성을 확보하기 위해 금속 재질을 포함할 수 있다. 또한, 사용자에게 심미감을 제공하기 위해, 하우징은 질감 및 광택을 가지도록 제조될 수 있다. 질감은 금속 모재에 블라스팅 공정을 통해 표면 조도를 변화시킴으로써 제공될 수 있다. 또한, 광택은 물리적인 연마 공정을 통해 제공될 수 있다.
종래에는 하우징의 질감 및 광택은 블라스팅 및 연마를 통해 금속 모재의 표면을 물리적으로 처리하여 구현될 수 있다. 예를 들어, 광택을 증가(유광, high glossy)시키거나, 블라스팅 공정을 통해 광택을 최소화(무광, matte)할 수 있다. 그러나, 물리적인 방법은 유광과 무광 사이의 반광택(semi glossy) 및/또는 부드럽고 고운 질감을 구현할 수 없다.
본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면, 유광과 무광 사이의 반광택 및/또는 부드럽고 고운 질감을 가지는 하우징을 제조하는 방법 및 이를 포함하는 전자 장치를 제공하고자 한다.
본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는, 제1 금속을 포함하는 금속 부분을 포함하는 하우징; 및 상기 하우징 내부에 배치되고 상기 전자 장치의 제1 면을 통해 시각적으로 노출되는 디스플레이; 를 포함하고, 상기 금속 부분은 상기 제1 금속을 포함하는 제1 부분, 및 상기 제1 부분의 표면에 형성되고 상기 제1 금속을 포함하는 금속 산화물을 포함하는 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 전자 장치의 제2 면을 형성하고, 상기 제2 부분에는 상기 제1 부분을 향해 함몰되는 복수의 제1 오목 부분 및 복수의 제2 오목 부분을 포함하는 요철 구조가 형성되고, 상기 제1 오목 부분의 크기는 70마이크로미터 이하이고, 상기 제2 오목 부분의 크기는 3마이크로미터 이하일 수 있다.
본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는, 제1 금속을 포함하는 금속 부분을 포함하는 하우징; 및 상기 하우징 내부에 배치되고 상기 하우징의 제1 면을 통해 시각적으로 노출되는 디스플레이; 를 포함하고, 상기 하우징은 상기 전자 장치의 표면의 일부를 형성하며 제1 표면 조도를 가지는 제1 영역, 및 상기 전자 장치의 표면의 다른 일부를 형성하며 제2 표면 조도를 가지는 제2 영역을 포함할 수 있다.
본 문서에 개시되는 실시 예들에 따른 전자 장치는, 광택 및 질감을 부여하기 위해 물리적 및 화학적 공정을 수행함으로써, 종래에 비해 다양한 광택 및 질감을 가지는 하우징을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하우징은 반광택 및 상대적으로 부드럽고 고운 질감을 가질 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1a는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 1b는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 펼침 상태의 사시도이다.
도 1c는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 접힘 상태의 사시도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 제조하기 위한 압출 공정을 도시한 도면이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 메탈 하우징의 단면도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 메탈 하우징의 단면을 촬영한 사진이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법을 도시한 순서도이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법의 일부 단계의 하우징의 금속 부분을 도시한 도면이다.
도 7에 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법의 일부 단계의 하우징의 금속 부분을 촬영한 사진이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1a는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 1b는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 펼침 상태의 사시도이다. 도 1c는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 접힘 상태의 사시도이다.
일 실시 예에 따른 폴더블 전자 장치(100)(이하, 전자 장치)는, 플렉서블 디스플레이(160)가 실질적으로 평면으로 형성되는 펼침 상태(예: 도 1b), 및 플렉서블 디스플레이(160)의 폴딩 영역(163)이 곡면으로 형성되는 접힘 상태(예: 도 1c)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 전자 장치(100)는, 제1 하우징(110), 제2 하우징(120), 힌지 구조물(190), 및 플렉서블 디스플레이(160)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 하우징(110)은 플렉서블 디스플레이(160)의 제1 평면 영역(161)의 적어도 일부가 배치되는 제1 플레이트(112), 제1 플레이트(112)를 둘러싸며 전자 장치(100)의 표면의 일부를 형성하는 제1 프레임(111), 및 제1 플레이트(112)와 마주보고 제1 프레임(111)과 연결되는 제1 커버(119)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 펼침 상태에서 제1 프레임(111)은 전자 장치(100)의 측면을 형성하고, 제1 커버(119)는 전자 장치(100)의 후면을 형성할 수 있다. 제1 플레이트(112)와 제1 커버(119) 사이의 공간은 제1 프레임(111)에 의해 둘러싸일 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 하우징(110) 내부에는 제1 배터리(116) 및 제1 회로 기판(115)이 배치될 수 있다. 제1 회로 기판(115)에는 전자 장치(100)의 다양한 기능을 수행하기 위한 다양한 전자 부품이 배치될 수 있다. 제1 회로 기판(115) 및 제1 배터리(116)는 연성 기판(미도시)을 통해 제2 회로 기판(125) 및 제2 배터리(126)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 배터리(116)는 제1 회로 기판(115)과 제2 회로 기판(125)에 배치된 전자 부품들, 및 플렉서블 디스플레이(160)에 전력을 공급할 수 있다.일 실시 예에서, 제2 하우징(120)은 플렉서블 디스플레이(160)의 제2 평면 영역(162)의 적어도 일부가 배치되는 제2 플레이트(122), 제2 플레이트(122)를 둘러싸며 전자 장치(100)의 표면의 일부를 형성하는 제2 프레임(121), 및 제2 플레이트(122)와 마주보고 제2 프레임(121)과 연결되는 제2 커버(129)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 펼침 상태에서 제2 프레임(121)은 전자 장치(100)의 측면을 형성하고, 제2 커버(129)는 전자 장치(100)의 후면을 형성할 수 있다. 제2 플레이트(122)와 제2 커버(129) 사이의 공간은 제2 프레임(121)에 의해 둘러싸일 수 있다.
일 실시 예에서, 제2 하우징(120) 내부에는 제2 배터리(126) 및 제2 회로 기판(125)이 배치될 수 있다. 제2 회로 기판(125)에는 전자 장치(100)의 다양한 기능을 수행하기 위한 다양한 전자 부품이 배치될 수 있다. 제2 회로 기판(125) 및 제2 배터리(126)는 연성 기판(미도시)을 통해 제1 회로 기판(115) 및 제1 배터리(116)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 배터리(126)는 제1 회로 기판(115)과 제2 회로 기판(125)에 배치된 전자 부품들, 및 플렉서블 디스플레이(160)에 전력을 공급할 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 하우징(110)은 제1 회전 축(R1)을 중심으로 회전하고, 제2 하우징(120)은 제2 회전 축(R2)을 중심으로 회전할 수 있다. 제1 하우징(110) 및 제2 하우징(120) 각각이 회전함에 따라, 전자 장치(100)는 접히거나 펼쳐질 수 있다.
일 실시 예에서, 플렉서블 디스플레이(160)는 실질적으로 평면으로 형성되는 제1 평면 영역(161)과 제2 평면 영역(162), 및 평면 또는 곡면으로 변형 가능하게 형성되는 폴딩 영역(163)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 평면 영역(161)은 제1 플레이트(112)의 적어도 일부 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 평면 영역(161)은 제1 플레이트(112)에 접착됨으로써 전자 장치가 접히거나 펼쳐질 때 평면으로 유지될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 평면 영역(162)은 제2 플레이트(122)의 적어도 일부 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 평면 영역(162)은 제2 플레이트(122)에 접착됨으로써 전자 장치가 접히거나 펼쳐질 때 평면으로 유지될 수 있다. 일 실시 예에서, 폴딩 영역(163)은 제1 평면 영역(161)과 제2 평면 영역(162) 사이에 형성되며 적어도 일부가 힌지 구조물(190)의 위에 배치될 수 있다. 폴딩 영역(163)은 접힘 상태에서 곡면으로 형성되고 펼침 상태에서 평면으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 힌지 구조물(190)은 제1 하우징(110) 및 제2 하우징(120)이 각각 제1 회전 축(R1) 및 제2 회전 축(R2)을 중심으로 회전하도록, 제1 하우징(110)과 제2 하우징(120)을 연결할 수 있다. 일 실시 예에서, 힌지 구조물(190)은 제1 회전 축(R1)을 중심으로 회전하도록 구성되는 제1 회전 부분(191), 및 제2 회전 축(R2)을 중심으로 회전하도록 구성되는 제2 회전 부분(192)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 회전 부분(191)은 제1 하우징(110)의 제1 플레이트(112)에 연결될 수 있다. 제2 회전 부분(192)은 제2 하우징(120)의 제2 플레이트(122)에 연결될 수 있다.
일 실시 예에서, 힌지 구조물(190)은 적어도 일부가 힌지 하우징(150) 내부에 수용될 수 있다. 힌지 하우징(150)는 펼침 상태(예: 도 1b)에서, 제1 하우징(110) 및 제2 하우징(120)에 의해 가려지고, 접힘 상태(예: 도 1c)에서 전자 장치(100)의 외관으로 노출될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 힌지 구조물(190)은 제1 힌지 구조물(190a) 및 제2 힌지 구조물(190b)을 포함할 수 있다. 제1 힌지 구조물(190a) 및 제2 힌지 구조물(190b)은 회전 축(R1, R2) 방향으로 이격되도록 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 전자 장치(100)가 접히거나 펼쳐질 때, 제1 하우징(110)은 제1 회전 부분(191)과 함께 제1 회전 축(R1)을 중심으로 제1 회전 방향으로 소정의 각도로 회전하고, 제2 하우징(120)은 제2 회전 부분(192)과 함께 제2 회전 축(R2)을 중심으로 제1 회전 방향에 반대되는 제2 회전 방향으로 소정의 각도로 회전할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제1 하우징(110)의 제1 프레임(111) 및 제1 커버(119)는 서로 다른 표면 조도를 가질 수 있다. 다양한 실시 예에서, 제2 하우징(120)의 제2 프레임(121) 및 제2 커버(129)는 서로 다른 표면 조도를 가질 수 있다. 다양한 실시 예에서, 제1 커버(119) 및 제2 커버(129)의 표면 조도는 3마이크로미터 이하일 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제1 하우징(110) 및 제2 하우징(120) 각각을 위에서 볼 때, 길게 연장되는 제1 가장자리(P1) 및 제1 가장자리(P1)에 수직하며 상대적으로 짧게 연장되는 제2 가장자리(P2)가 규정될 수 있다. 예를 들어, 제1 프레임(111) 및 제1 커버(119)의 제1 가장자리(P1)는 y축, 제1 회전 축(R1), 및 제2 회전 축(R2)에 평행할 수 있다. 예를 들어, 제2 프레임(121) 및 제2 커버(129)의 제1 가장자리(P1)는 y축, 제1 회전 축(R1), 및 제2 회전 축(R2)에 평행할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제1 하우징(110) 및 제2 하우징(120) 각각은 제1 가장자리(P1)가 연장된 방향으로 압출된 금속 모재(예: 도 2 의 금속 모재(202))로부터 제조될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제1 커버(119) 및 제2 커버(129) 중 적어도 하나에는 카메라 모듈이 노출되는 카메라 영역(128)이 형성될 수 있다. 카메라 영역(128)은 비금속 물질을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 하우징(110, 120)은 금속 물질로 이루어지는 금속 부분, 및 폴리머 물질로 이루어지는 폴리머 부분을 포함할 수 있다.
도 2는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 금속 부분을 제조하기 위한 압출 공정을 도시한 도면이다.
일 실시 예에서, 하우징(예: 도 1a 내지 도 1c의 제1 하우징(110) 및 제2 하우징(120))의 금속 부분은, 금속 모재(202)를 가공함으로써 제조될 수 있다. 예를 들어, 금속 모재(202)로부터 제조되는 하우징은 도 1a 내지 도 1c에 도시된 제1 프레임(111), 제2 프레임(121), 제1 플레이트(112), 제2 플레이트(122), 제1 커버(119), 및 제2 커버(129) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 커버(119) 및 제2 커버(129) 중 카메라 영역(128)은 제외될 수 있다.
일 실시 예에서, 금속 모재(202)는 압출 공정을 통해 제조될 수 있다. 압출 공정에서, 컨테이너(208) 내부에는 금속 물질이 수용되고, 금속 물질을 일 측으로 가압할 수 있다. 금속 모재(202)는 가압된 금속 물질이 다이(209)의 홀을 통과함으로써 소정의 형상으로 제조될 수 있다. 이 때, 금속 모재(202)가 압출되는 방향을 압출 방향(E)으로 규정할 수 있다. 압출 방향(E)은 가압 방향(F)과 평행하거나, 또는 다를 수 있다.
일 실시 예에서, 금속 모재(202)는 소정의 공정을 거쳐 도 1a에 도시된 제1 커버(119) 및 제2 커버(129)로 가공될 수 있다. 이 때, 금속 모재(202)의 압출 방향(E)은 도 1a에 도시된 y축 방향일 수 있다. 다양한 실시 예에서, 금속 모재(202)의 압출 방향(E)은 전자 장치(100)의 제1 회전 축(R1) 및 제2 회전 축(R2)에 평행한 방향일 수 있다. 다양한 실시 예에서, 금속 모재(202)의 압출 방향(E)은 제1 커버(119) 및 제2 커버(129)의 상대적으로 길게 연장된 가장자리의 연장 방향(예: 장변 방향)일 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제1 커버(119) 및 제2 커버(129) 외에도 전자 장치의 외관을 구성하는 금속 구조물은, 금속 모재(202)로부터 가공될 수 있다. 예를 들어, 도 1a 내지 도 1c에 도시된 제1 프레임(111), 제2 프레임(121), 및 힌지 하우징(150)은 금속 모재(202)로부터 가공됨으로써 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 금속 모재(202)는 순도 80% 이상의 알루미늄 합금일 수 있다.
도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 단면도이다. 도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 전자 현미경(SEM, scanning electron microscope)을 이용하여 촬영한 사진이다.
도 3은 이해를 돕기 위해, 도 4의(a)를 개략화한 개략도(schematic diagram)이다. 도 4의(a)는 하우징의 단면을 촬영한 사진이다. 도 4의(b)는 하우징의 표면을 촬영한 사진이다.
이하 언급되는 표면 조도(Ra)는 비접촉 방식으로 측정된 값일 수 있다. 예를 들어, 표면 조도는 레이저 측정기를 이용하여 측정된 값일 수 있다.
일 실시 예에서, 금속 부분(205)은 코팅 부분(210)(예: 코팅 층) 및 베이스 부분(220)을 포함할 수 있다. 코팅 부분(210)은 금속 부분(205) 중 표면에 인접한 부분이 산화되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 코팅 부분(210)은 산화 알루미늄을 포함할 수 있다. 베이스 부분(220)은 코팅 부분을 제외한 나머지 금속 부분일 수 있다.
일 실시 예에서, 금속 부분(205)의 표면에는 요철이 형성될 수 있다. 예를 들어, 요철은 금속 부분(205)의 코팅 부분(210)에 형성될 수 있다. 예를 들어, 코팅 부분(210)은, 금속 부분(205)의 표면에 요철이 형성된 후, 요철을 포함하는 부분이 양극 산화됨으로써 형성될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 요철은 빛을 난반사시켜 사용자에게 특유의 심미감을 제공할 수 있다. 요철의 형상 및/또는 구조에 따라, 전자 장치(100)의 외관을 형성하는 금속 부분(205)의 광택, 질감, 및/또는 컬러가 달라질 수 있다.
일 실시 예에서, 코팅 부분(210)이 요철은 제1 오목 부분(231) 및 제2 오목 부분(233)에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 오목 부분(231)은 상대적으로 크기(S1)가 크고, 제2 오목 부분(233)은 상대적으로 크기(S2)가 작을 수 있다. 제1 오목 부분(231) 및 제2 오목 부분(233)은 금속 부분(205)의 표면이 함몰된 부분을 포함할 수 있다.
본 문서에 개시되는 오목 부분(231, 233)의 크기(S1, S2)는, 하우징(200)의 금속 부분(205)의 단면을 볼 때, 함몰된 영역으로부터 연속적으로 연장되는 돌출 부분(예: 도 3의 A1, A2) 사이의 간격으로 규정될 수 있다. 예를 들어, 오목 부분(231, 233)의 크기는 함몰된 영역에 가장 인접한 돌출 부분(A1, A2) 사이의 간격으로 규정될 수 있다.
예를 들어, 도 3 및 도 4의(a)의 단면을 참조하면, 오목 부분(231, 233)의 크기는 단면으로 볼 때, 가장 인접한 일 측에 위치한 제1 돌출 부분(A1)과 타 측에 위치한 제2 돌출 부분(A2) 사이의 간격으로 규정될 수 있다.
예를 들어, 도 4의(b)를 참조하면, 오목 부분(231, 233)의 크기(S1, S2)는 코팅 부분(210)을 위에서 볼 때, 오목 부분(231, 233)에 인접한 돌출 부분들(A1, A2)을 연결하는 직선 거리로 규정될 수 있다. 예를 들어, 오목 부분(231, 233)의 크기(S1, S2)는 어떤 오목 부분을 규정하는 주변의 돌출 부분들을 연결하는 직선 거리 중 가장 큰 거리로 규정될 수 있다.
일 실시 예에서, 하우징(200)의 금속 부분(205)에 포함된 제1 오목 부분(231)은, 압출된 금속 모재(예: 도 2의 금속 모재(202))에 블라스팅 공정(예: 도 5의 동작 502)이 수행됨으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 블라스팅 공정은 세라믹 비드를 금속 모재(202)의 표면에 분사하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 오목 부분(231)의 크기는 금속 모재(202)의 표면에 충돌하는 세라믹 비드의 크기에 따라 달라질 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제1 오목 부분(231)의 크기는 70㎛ 이하의 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 오목 부분(231)의 주변부의 돌출 부분을 연결하는 직선을 측정할 때, 측정된 거리 중 가장 큰 거리는 70㎛ 이하일 수 있다.
일 실시 예에서, 하우징(200)의 금속 부분(205)은 알루미늄 합금을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 하우징(200)의 금속 부분(205)은 금속 복합체(203)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 복합체(203)는 알루미늄과 다른 금속이 물리적 및/또는 화학적으로 결합된 물질일 수 있다. 다양한 실시 예에서, 금속 복합체(203)는 FeAl3, CrAl3, Fe3SiAl12, Cr3SiAl12, Mg2Si, Mg(Zn2AlCu), 및 CrAl7 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 하우징(200)의 금속 부분(205)에 포함된 제2 오목 부분(233)은, 제1 오목 부분(231)이 형성된 금속 모재(예: 도 2의 금속 모재(202))에 에칭 공정(예: 도 5의 동작 504)이 수행됨으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 에칭 공정은 화학 물질을 이용하여 금속 모재(202)에 포함된 금속 복합체(203)를 용해하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 오목 부분(233)은 금속 복합체(203) 중 금속 모재(202)의 표면에 위치한 금속 복합체(203)가 용해됨으로써 형성될 수 있다. 따라서, 제2 오목 부분(233)은 에칭 공정을 통해 용해된 금속 복합체(203)의 위치에 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제2 오목 부분(233)은 제1 오목 부분(231)의 내부에 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 오목 부분(233)은 제1 오목 부분들(231) 사이의 영역에 형성될 수 있다. 도 4의(b)를 참조하면, 제2 오목 부분(233)의 일부는 제1 오목 부분(231) 내부에 형성되고, 다른 일부는 제1 오목 부분들(231) 사이에 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제2 오목 부분(233)의 크기는 3㎛ 이하의 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 오목 부분(233)의 주변부의 돌출 부분(A1, A2)을 연결하는 직선을 측정할 때, 측정된 거리 중 가장 큰 거리는 3㎛ 이하일 수 있다.
일 실시 예에 따른 하우징(200)에는, 블라스팅으로 구현할 수 없는 크기의 제2 오목 부분(233)이 형성될 수 있다. 블라스팅에서 분사되는 비드는 제2 오목 부분(233)과 같은 미세 요철을 형성하기에 너무 클 수 있다. 반면, 일 실시 예에 따른 하우징(200)에는, 화학적 방법을 통해, 금속 복합체(203) 크기의 약 500% 이내 수준의 미세 요철이 형성될 수 있다. 이는 특유의 질감 및 광택을 제공할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제2 오목 부분(233)은 금속 복합체(203)의 크기보다 크게 형성될 수 있다. 예를 들어, 에칭 공정에서, 화학 물질은 금속 복합체(203) 및 주변의 금속을 함께 용해시킬 수 있다. 다양한 실시 예에서, 제2 오목 부분(233)은 금속 복합체(203)의 크기의 500% 이하의 크기로 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제2 오목 부분들(233) 중 어느 하나는 이에 인접한 다른 하나와 100㎛ 이하의 간격으로 배열될 수 있다.
일 실시 예에서, 베이스 부분(220)의 내부에는 금속 복합체(203)의 적어도 일부가 위치할 수 있다. 예를 들어, 금속 모재(예: 도 2의 금속 모재(202))의 표면에 위치한 금속 복합체들(203)은, 에칭 공정(예: 도 5의 동작 504)이 수행됨에 따라 제거되고, 금속 모재(202)의 내부에 분포된 금속 복합체(203)는 베이스 부분(220)의 내부에 위치할 수 있다. 다양한 실시 예에서, 금속 복합체(203)의 일부는 코팅 부분(210)에 위치할 수 있다.
도 3 및 도 4의(a)에 도시된 단면은, 예를 들어 금속 부분(205)의 압출 방향(예: 도 1a의 y축 방향) 벡터, 및 전자 장치(100)의 내부로부터 외부를 향하는 방향(예: 도 1a의 z축 방향) 벡터를 포함하는 단면일 수 있다.
일 실시 예에서, 금속 복합체들(203)은 압출 방향(E)에 실질적으로 평행한 방향을 따라 배열될 수 있다. 예를 들어, 도 3 및 도 4에서 금속 복합체들(203)은 인접한 제2 오목 부분(233)과 함께 압출 방향(E)에 실질적으로 평행한 방향을 따라 정렬될 수 있다.
예를 들어, 금속 부분(205)의 단면에서 볼 때, 어느 하나의 제2 오목 부분(233)으로부터 압출 방향으로 분포된 제1 금속 복합체들(203-1), 및 다른 하나의 제2 오목 부분(233)으로부터 압출 방향으로 분포된 제2 금속 복합체들(203-2)이 규정될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제1 금속 복합체들(203-1) 및 제2 금속 복합체들(203-2)은 서로 100㎛ 이하의 간격으로 이격될 수 있다. 예를 들어, 제1 금속 복합체들(203-1) 및 제2 금속 복합체들(203-2)은 압출 방향에 수직한 방향으로 측정될 때, 100㎛ 이하의 간격으로 이격될 수 있다.
일 실시 예에서, 하우징의 금속 부분의 표면 조도(Ra)는 3㎛ 이하일 수 있다.
도 5는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법을 도시한 순서도이다. 도 6은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법의 일부 단계의 하우징의 금속 부분을 도시한 도면이다. 도 7에 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법의 일부 단계의 하우징의 금속 부분을 촬영한 사진이다.
도 5를 참조하면, 제조 방법은 금속 모재를 준비하는 동작(501), 금속 모재를 블라스팅 하는 동작(502), 블라스팅된 금속 모재를 화학 세척하는 동작(503), 화학 세척된 금속 모재를 제1 화학 에칭하는 동작(504), 제1 화학 에칭 후 제2 화학 에칭하는 동작(505), 양극 산화 동작(506), 및 봉공 처리 동작(507)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 금속 모재(예: 도 2의 금속 모재(202))를 준비하는 동작에서, 금속 모재(202)는 순도 80% 이상의 알루미늄 합금을 포함할 수 있다. 순도는 중량% 또는 몰%로 측정될 수 있다. 금속 모재(202)는 도 2에 도시된 바와 같이, 압출 공정을 통해 제조될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 금속 모재(202)는 소정의 형상으로 가공될 수 있다. 예를 들어, 금속 모재(202)는 프레스, CNC 가공, 캐스팅, 및 압출 중 적어도 하나의 공정이 수행됨으로써 제조될 수 있다.
일 실시 예에서, 금속 모재(202)를 블라스팅 하는 동작(501)에서, 금속 모재(202)의 표면에 요철을 형성할 수 있다. 예를 들어, 블라스팅 동작(501)을 통해 형성되는 요철은 도 3에 도시된 제1 오목 부분(231)일 수 있다. 블라스팅 동작(501)은 세라믹 비드 및/또는 STS를 금속 표면에 분사하는 동작을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에서, 세라믹 비드및/또는 STS는 공압식 분사기를 통해 분사될 수 있다. 예를 들어, 도 6의(a) 및 도 7의(a)를 참조하면, 금속 모재(202)의 표면은 분사되는 비드에 충돌함으로써, 오목하게 함몰될 수 있다. 블라스팅 동작(501)은 금속 모재(202)의 표면 조도(Ra)가 2㎛~5㎛가 되도록 수행될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 블라스팅 동작(501)은 B205 세라믹 비드(Zirconia 68%, Glassy 32%)를 공압식으로 분사하여 수행될 수 있다. 분사 압력은 2.0bar이고, 분사기와 금속 모재(202) 사이의 거리는 17㎝~20㎝일 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제조 방법(500)은, 블라스팅 동작(501) 전에, 금속 모재(202)를 물리적으로 연마하는 물리적 연마 동작(502)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 물리적 연마 동작은 금속 모재(202)를 폴리싱하는 동작을 포함할 수 있다. 예를 들어, 폴리싱 공정에서, 금속 모재(202)의 표면에 형성된 산화막이 제거될 수 있다.
일 실시 예에서, 블라스팅된 금속 모재(202)를 화학 세척 동작(503)을 통해 금속 모재(202)의 표면의 이물질이 제거될 수 있다. 화학 세척 동작(503)은, 전류를 인가하지 않고 화학 물질을 이용하여 화학적으로 수행될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 화학 물질은 알칼리 계면활성제 및 질산 중 적어도 하나를 포함하는 산성 물질, 및/또는 알칼리 물질을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에서, 화학 세척 동작(503)은, 40℃~60℃온도 범위에서 120초~240초 동안 수행될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 화학 물질은 40~120g/L의 농도일 수 있다.
일 실시 예에서, 화학 세척된 금속 모재(202)를 제1 화학 에칭하는 동작(504)에서, 제1 에칭 용액에 의해, 금속 모재(202)에 포함된 금속 복합체(203)의 일부가 용해될 수 있다. 예를 들어, 제1 화학 에칭 동작(504)은 제1 에칭 용액에 금속 모재(202)를 침전시켜 수행될 수 있다. 예를 들어, 도 6의(b) 및 도 7의(c)를 참조하면, 금속 모재(202)의 표면에 위치한 금속 복합체(203)의 일부(203a)가 용해되어 제2 오목 부분(233)(예: 도 3의 제2 오목 부분(233))이 형성될 수 있다. 금속 모재(202)의 내부에 위치한 금속 복합체들(203b)는 용해되지 않을 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제1 에칭 용액은 가성소다를 포함할 수 있다. 예를 들어, 가성소다는 20~100g/L의 농도일 수 있다. 다양한 실시 예에서, 제1 화학 에칭 동작은 20℃~100℃ 온도 범위에서 10초~120초 동안 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1 화학 에칭 동작(504)은 제1 에칭 용액에 금속 모재(202)를 침전시켜 수행될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 화학 에칭 동작(504)이 수행된 후, 제2 오목 부분(233)이 형성됨으로써, 제1 화학 에칭 동작(504)이 수행되기 전에 비해, 표면 조도(Ra)가 증가할 수 있다. 예를 들어, 표면 조도는 2.7㎛~3.1㎛일 수 있다. 다양한 실시 예에서, 제1 에칭 용액은 인산, 불산, 황산, 및 질산 중 적어도 하나를 포함하는 산성 물질, 및/또는 알칼리 물질을 포함할 수 있다.
일반적으로, 가성소다를 포함하는 에칭 용액을 이용한 에칭 동작은, 금속 모재의 표면에 형성된 산화막을 제거하기 위해 수행될 수 있다. 반면, 일 실시 예에 따른 제조 방법(500)의 제1 화학 에칭 동작(504)은, 금속 모재(202)의 표면에 요철(예: 제2 오목 부분(233))를 형성하기 위한 동작일 수 있다.
일 실시 예에 따른 제조 방법(500) 및 이에 의해 제조된 하우징(200)은, 블라스팅 동작(502)으로 구현할 수 없는 크기의 요철(예: 제2 오목 부분(233))을 구현할 수 있다. 블라스팅 동작에서 분사되는 비드의 크기는 10㎛ 이상의 물리적 제한을 가질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 화학적으로 금속 복합체(203)를 용해시켜 비드에 비해 작은 크기의 제2 오목 부분(233)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 하우징(200)에는 3㎛ 이하의 크기를 가지는 제2 오목 부분(233)이 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 화학 에칭 동작 후 제2 화학 에칭 동작(505)에서, 제2 에칭 용액에 의해 금속 모재(202)의 표면의 요철의 일부가 용해될 수 있다. 예를 들어, 도 7의(c) 및 도 7의(d)를 비교하면, 제2 화학 에칭 동작(505)이 수행됨에 따라, 금속 모재(202)의 표면 조도가 감소될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 화학 에칭 동작(505)이 수행된 후, 표면 조도는 2㎛~2.5㎛일 수 있다. 제2 에칭 용액은 인산, 질산 및/또는 황산을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에서, 제2 화학 에칭 동작(505)은 80℃~120℃ 온도 범위에서 20초~60초 동안 수행될 수 있다. 예를 들어, 제2 화학 에칭 동작(505)은 제2 에칭 용액에 금속 모재(202)를 침전시켜 수행될 수 있다.
일 실시 예에서, 양극 산화 동작(506)에서, 도 6의(c)를 참조하면, 금속 모재(202)의 표면에 피막(210)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 피막은 도 3에 도시된 코팅 부분으로 참조될 수 있다. 예를 들어, 피막(210)은 금속 모재(202)에 포함된 금속 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 모재(202)는 알루미늄 합금을 포함하고, 피막(210)은 산화 알루미늄을 포함할 수 있다. 양극 산화 동작(506)은 양극 산화가 가능한 임의의 용액에 금속 모재(202)를 침전시켜 수행될 수 있다. 예를 들어, 양극 산화가 가능한 용액은, 황산, 수산, 및 크롬산 중 적어도 하나를 포함하는 산성 용액 및 수산화나트륨 계열의 알칼리성 용액을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에서, 양극 산화 동작은 +5V~+20V 전압을 침전된 금속 모재(202)에 인가하여 수행될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 양극 산화 동작은 5℃~25℃ 온도 범위에서 10분~120분 동안 수행될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 도 6의(c)를 참조하면, 양극 산화 동작이 수행된 후, 금속 모재(202)의 피막(210)에는 공극(213)이 형성될 수 있다. 공극(213)에는 착색을 위한 염료가 주입될 수 있다.
일 실시 예에서, 봉공 처리 동작(507)에서, 염료가 주입된 공극(213)은 밀봉될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 봉공 처리 동작(507)은 금속 모재(202)를 봉공 처리 용액에 침전시키고, 25℃~110℃ 온도 범위에서 10분~120분 동안 수행될 수 있다.
종래의 비교 예에 따르면, 하우징에 블라스팅 공정을 수행하여 표면 거칠기를 조절하고 질감을 부여할 수 있다. 비교 예에 따르면, 추가적인 물리적 연마 공정을 통해 광택을 증가(유광, high glossy)시키거나, 블라스팅 공정을 통해 광택을 최소화(무광, matte)할 수 있다. 이에 따르면, 하우징의 질감 및 광택은 블라스팅 및 연마를 통해 물리적으로 구현될 수 있다. 따라서, 비교 예에 따른 전자 장치는 상대적으로 부드럽고 고운 질감 및/또는 반광택(semi glossy)을 구현할 수 없다.
일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징(200) 및 하우징(200)을 제조하는 방법(500)에 따르면, 블라스팅 동작(502)을 통해 물리적으로 금속 모재(202)의 표면에 제1 오목 부분(231)을 형성하고, 제1 화학 에칭 동작(504)을 통해 화학적으로 금속 모재(202)의 표면에 제2 오목 부분(233)을 형성하여, 상대적으로 부드럽고 고운 질감 및/또는 반광택(semi glossy)을 구현할 수 있다.
본 문서에 개시되는 실시 예들에 따른 전자 장치(100)는, 제1 금속을 포함하는 금속 부분(205)을 포함하는 하우징(110, 120); 및 상기 하우징(110, 120) 내부에 배치되고 상기 전자 장치(100)의 제1 면을 통해 시각적으로 노출되는 디스플레이(160);를 포함하고, 상기 금속 부분(205)은 상기 제1 금속을 포함하는 제1 부분(220), 및 상기 제1 부분(220)의 표면에 형성되고 상기 제1 금속을 포함하는 금속 산화물을 포함하는 제2 부분(210)을 포함하고, 상기 제2 부분(210)은 상기 전자 장치(100)의 제2 면을 형성하고, 상기 제2 부분(210)에는 상기 제1 부분(220)을 향해 함몰되는 복수의 제1 오목 부분(231) 및 복수의 제2 오목 부분(233)을 포함하는 요철 구조가 형성되고, 상기 제1 오목 부분(231)의 크기는 70마이크로미터 이하이고, 상기 제2 오목 부분(233)의 크기는 3마이크로미터 이하일 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 제2 부분(210)의 표면 조도는 3마이크로미터 이하일 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 금속 부분(205)은 상기 제1 금속 및 상기 제1 금속과 다른 제2 금속이 화학적 및/또는 물리적으로 결합된 복수의 금속 복합체(203)를 포함하고, 상기 복수의 금속 복합체(203)는 실질적으로 상기 복수의 제2 오목 부분(233) 각각으로부터 제1 방향으로 연장되는 가상의 직선을 따라 배열될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 복수의 제2 오목 부분(233)은 제2-1 오목 부분 및 상기 제2-1 오목 부분에 인접한 제2-2 오목 부분을 포함하고, 상기 제2 부분(210)의 표면을 따라 측정할 때, 상기 제2-1 오목 부분과 상기 제2-2 오목 부분 사이의 간격은 100마이크로미터 이하일 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 금속 부분은 상기 제1 금속 및 상기 제1 금속과 다른 제2 금속이 화학적 및/또는 물리적으로 결합된 복수의 금속 복합체를 포함하고, 상기 복수의 금속 복합체(203)는 상기 제2-1 오목 부분과 제1 방향으로 정렬되는 제1 금속 복합체(203-1), 및 상기 제2-2 오목 부분과 상기 제1 방향으로 정렬되는 제2 금속 복합체(203-2)를 포함하고, 상기 제1 방향에 수직한 방향으로 측정할 때, 상기 제1 금속 복합체(203-1) 및 상기 제2 금속 복합체(203-2) 사이의 간격은 100마이크로미터 이하일 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 복수의 금속 복합체(203) 중 적어도 일부는 상기 제1 부분(220)에 위치할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 복수의 금속 복합체(203) 중 적어도 일부는, 0.6마이크로미터 이하의 크기를 가질 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 전자 장치(100)를 위에서 볼 때, 상기 금속 부분은 제2 방향을 따라 제1 길이로 연장되는 제1 가장자리(P1), 및 상기 제2 방향에 수직한 방향을 따라 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 연장되는 제2 가장자리(P2)를 포함하고, 상기 제1 방향은 상기 제2 방향과 실질적으로 평행할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 제1 방향은 상기 금속 부분(205)의 압출 방향(E)과 실질적으로 평행할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 제2 부분(210)에는 표면으로부터 상기 제1 부분(220)을 향하는 방향으로 연장된 공극(213)이 형성되고, 상기 공극 내부에는 염료가 수용될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 복수의 제2 오목 부분(233)의 적어도 일부는 상기 제1 오목 부분(231)의 내부에 위치할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 금속 부분(205)은 상기 제1 금속 및 상기 제1 금속과 다른 제2 금속이 화학적 및/또는 물리적으로 결합된 복수의 금속 복합체(203)를 포함하고, 상기 제2 오목 부분(233)은 상기 복수의 금속 복합체(203) 중 일부(203a)가 용해됨으로써 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 제1 금속은 알루미늄을 포함하고, 상기 제2 부분은 알루미늄 산화물을 포함하는 코팅 층일 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 금속 복합체는 FeAl3, CrAl3, Fe3SiAl12, Cr3SiAl12, Mg2Si, Mg(Zn2AlCu), 및 CrAl7 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 문서에 개시되는 실시 예들에 따른 전자 장치(100)는, 제1 금속을 포함하는 금속 부분을 포함하는 하우징(110, 120); 및 상기 하우징(110, 120) 내부에 배치되고 상기 하우징(110, 120)의 제1 면을 통해 시각적으로 노출되는 디스플레이(160); 를 포함하고, 상기 하우징(110, 120)은 상기 전자 장치의 표면의 일부를 형성하며 제1 표면 조도를 가지는 제1 영역, 및 상기 전자 장치의 표면의 다른 일부를 형성하며 제2 표면 조도를 가지는 제2 영역을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 디스플레이(160)는, 평면 또는 곡면으로 변형되도록 형성되는 폴딩 영역(163)을 포함하는 플렉서블 디스플레이(160)를 포함하고, 상기 하우징은, 상기 플렉서블 디스플레이(160)의 일부 영역이 안착되는 제1 플레이트, 상기 제1 플레이트(112)를 둘러싸는 제1 프레임(111), 및 상기 제1 플레이트(112)와 마주보고 상기 제1 프레임(111)과 연결되는 제1 커버(119)를 포함하는 제1 하우징(110), 및 상기 플렉서블 디스플레이(160)의 일부 영역이 안착되는 제2 플레이트(122), 상기 제2 플레이트(122)를 둘러싸는 제2 프레임(121), 및 상기 제2 플레이트(122)와 마주보고 상기 제2 프레임(121)과 연결되는 제2 커버(129)를 포함하는 제2 하우징(120)을 포함하고, 상기 전자 장치(100)는, 상기 제1 하우징(110)이 제1 회전 축(R1)을 중심으로 회전하고 및 상기 제2 하우징(120)이 상기 제1 회전 축(R1)과 평행한 제2 회전 축(R2)을 중심으로 회전하도록 상기 제1 하우징(110) 및 상기 제2 하우징(120) 각각에 연결되는 힌지 구조물(190);을 더 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 제1 커버(119) 및 상기 제2 커버(129) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 영역은 상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(121) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제1 표면 조도는 3마이크로미터 이하일 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 제1 커버(119) 및 상기 제2 커버(129) 각각에는 요철 구조가 형성되고, 상기 요철 구조는 70마이크로미터 이하의 크기를 가지는 제1 오목 부분 및 3마이크로미터 이하의 크기를 가지는 제2 오목 부분(233)을 포함하고, 상기 제2 오목 부분(233)의 적어도 일부는 상기 제1 오목 부분(231) 내부에 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 제2 오목 부분(233) 중 어느 하나는 인접한 다른 하나와 100마이크로미터 이하로 이격될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 제1 오목 부분(231) 및 상기 제2 오목 부분(233) 각각은, 상기 제1 커버(119) 및 상기 제2 커버(129)의 표면에 형성되고, 상기 표면은 알루미늄 산화물을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 제1 커버(119) 및 상기 제2 커버(129)는 제1 금속 및 제2 금속이 화학적 및/또는 물리적으로 결합된 금속 복합체를 포함하고, 상기 제2 오목 부분(233)으로부터 상기 제1 회전 축(R1) 및 상기 제2 회전 축(R2)에 평행하게 연장되는 가상의 직선이 규정되고, 상기 금속 복합체(203)는 실질적으로 상기 가상의 직선을 따라 배열되고, 상기 제1 금속은 알루미늄을 포함하고, 상기 금속 복합체는 FeAl3, CrAl3, Fe3SiAl12, Cr3SiAl12, Mg2Si, Mg(Zn2AlCu), 및 CrAl7 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 및/또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및/또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C" 또는 "A, B 및/또는 C 중 적어도 하나" 등의 표현은 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1," "제2," "첫째," 또는 "둘째,"등의 표현들은 해당 구성요소들을, 순서 또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 해당 구성요소들을 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에 "(기능적으로 또는 통신적으로) 연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나, 다른 구성요소(예: 제 3 구성요소)를 통하여 연결될 수 있다.
본 문서에서, "~하도록 설정된(adapted to or configured to)"은 상황에 따라, 예를 들면, 하드웨어적 또는 소프트웨어적으로 "~에 적합한," "~하는 능력을 가지는," "~하도록 변경된," "~하도록 만들어진," "~를 할 수 있는," 또는 "~하도록 설계된"과 상호 호환적으로(interchangeably) 사용될 수 있다. 어떤 상황에서는, "~하도록 구성된 장치"라는 표현은, 그 장치가 다른 장치 또는 부품들과 함께 "~할 수 있는" 것을 의미할 수 있다. 예를 들면, 문구 "A, B, 및 C를 수행하도록 설정된 (또는 구성된) 프로세서"는 해당 동작들을 수행하기 위한 전용 프로세서(예: 임베디드 프로세서), 또는 메모리 장치(예: 메모리)에 저장된 하나 이상의 프로그램들을 실행함으로써, 해당 동작들을 수행할 수 있는 범용 프로세서(예: CPU 또는 AP)를 의미할 수 있다.
본 문서에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어(firmware)로 구성된 유닛(unit)을 포함하며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로 등의 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. "모듈"은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. "모듈"은 기계적으로 또는 전자적으로 구현될 수 있으며, 예를 들면, 어떤 동작들을 수행하는, 알려졌거나 앞으로 개발될, ASIC(application-specific integrated circuit) 칩, FPGAs(field-programmable gate arrays), 또는 프로그램 가능 논리 장치를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 장치(예: 모듈들 또는 그 기능들) 또는 방법(예: 동작들)의 적어도 일부는 프로그램 모듈의 형태로 컴퓨터로 판독 가능한 저장 매체(예: 메모리)에 저장된 명령어로 구현될 수 있다. 상기 명령어가 프로세서(예: 프로세서)에 의해 실행될 경우, 프로세서가 상기 명령어에 해당하는 기능을 수행할 수 있다. 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체는, 하드디스크, 플로피디스크, 마그네틱 매체(예: 자기테이프), 광기록 매체(예: CD-ROM, DVD, 자기-광 매체(예: 플롭티컬 디스크), 내장 메모리 등을 포함할 수 있다. 명령어는 컴파일러에 의해 만들어지는 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 구성 요소(예: 모듈 또는 프로그램 모듈) 각각은 단수 또는 복수의 개체로 구성될 수 있으며, 전술한 해당 서브 구성 요소들 중 일부 서브 구성 요소가 생략되거나, 또는 다른 서브 구성 요소를 더 포함할 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 일부 구성 요소들(예: 모듈 또는 프로그램 모듈)은 하나의 개체로 통합되어, 통합되기 이전의 각각의 해당 구성 요소에 의해 수행되는 기능을 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따른 모듈, 프로그램 모듈 또는 다른 구성 요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적, 병렬적, 반복적 또는 휴리스틱(heuristic)하게 실행되거나, 적어도 일부 동작이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 다른 동작이 추가될 수 있다.

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    제1 금속을 포함하는 금속 부분을 포함하는 하우징; 및
    상기 하우징 내부에 배치되고 상기 전자 장치의 제1 면을 통해 시각적으로 노출되는 디스플레이; 를 포함하고,
    상기 금속 부분은 상기 제1 금속을 포함하는 제1 부분, 및 상기 제1 부분의 표면에 형성되고 상기 제1 금속을 포함하는 금속 산화물을 포함하는 제2 부분을 포함하고,
    상기 제2 부분은 상기 전자 장치의 제2 면을 형성하고,
    상기 제2 부분에는 상기 제1 부분을 향해 함몰되는 복수의 제1 오목 부분 및 복수의 제2 오목 부분을 포함하는 요철 구조가 형성되고,
    상기 제1 오목 부분의 크기는 70마이크로미터 이하이고,
    상기 제2 오목 부분의 크기는 3마이크로미터 이하이고, 전자 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 부분의 표면 조도는 3마이크로미터 이하인 전자 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속 부분은 상기 제1 금속 및 상기 제1 금속과 다른 제2 금속이 화학적 및/또는 물리적으로 결합된 복수의 금속 복합체를 포함하고,
    상기 복수의 금속 복합체는 실질적으로 상기 복수의 제2 오목 부분 각각으로부터 제1 방향으로 연장되는 가상의 직선을 따라 배열되는 전자 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 제2 오목 부분은 제2-1 오목 부분 및 상기 제2-1 오목 부분에 인접한 제2-2 오목 부분을 포함하고,
    상기 제2 부분의 표면을 따라 측정할 때, 상기 제2-1 오목 부분과 상기 제2-2 오목 부분 사이의 간격은 100마이크로미터 이하인 전자 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 금속 부분은 상기 제1 금속 및 상기 제1 금속과 다른 제2 금속이 화학적 및/또는 물리적으로 결합된 복수의 금속 복합체를 포함하고,
    상기 복수의 금속 복합체는 상기 제2-1 오목 부분과 제1 방향으로 정렬되는 제1 금속 복합체, 및 상기 제2-2 오목 부분과 상기 제1 방향으로 정렬되는 제2 금속 복합체를 포함하고,
    상기 제1 방향에 수직한 방향으로 측정할 때, 상기 제1 금속 복합체 및 상기 제2 금속 복합체 사이의 간격은 100마이크로미터 이하인 전자 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 복수의 금속 복합체 중 적어도 일부는 상기 제1 부분에 위치하는 전자 장치.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 복수의 금속 복합체 중 적어도 일부는, 0.6마이크로미터 이하의 크기를 가지는 전자 장치.
  8. 청구항 3 및 청구항 5 중 어느 하나의 청구항에 있어서,
    상기 전자 장치를 위에서 볼 때, 상기 금속 부분은 제2 방향을 따라 제1 길이로 연장되는 제1 가장자리, 및 상기 제2 방향에 수직한 방향을 따라 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 연장되는 제2 가장자리를 포함하고,
    상기 제1 방향은 상기 제2 방향과 실질적으로 평행한 전자 장치.
  9. 청구항 3 및 청구항 5 중 어느 하나의 청구항에 있어서,
    상기 제1 방향은 상기 금속 부분의 압출 방향과 실질적으로 평행한 전자 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 부분에는 표면으로부터 상기 제1 부분을 향하는 방향으로 연장된 공극이 형성되고,
    상기 공극 내부에는 염료가 수용되는 전자 장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 제2 오목 부분의 적어도 일부는 상기 제1 오목 부분의 내부에 위치하는 전자 장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속 부분은 상기 제1 금속 및 상기 제1 금속과 다른 제2 금속이 화학적 및/또는 물리적으로 결합된 복수의 금속 복합체를 포함하고,
    상기 제2 오목 부분은 상기 복수의 금속 복합체 중 일부가 용해됨으로써 형성되는 전자 장치.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 금속은 알루미늄을 포함하고,
    상기 제2 부분은 알루미늄 산화물을 포함하는 코팅 층인 전자 장치.
  14. 청구항 3 및 청구항 12 중 어느 하나의 청구항에 있어서,
    상기 금속 복합체는 FeAl3, CrAl3, Fe3SiAl12, Cr3SiAl12, Mg2Si, Mg(Zn2AlCu), 및 CrAl7 중 적어도 하나를 포함하는 전자 장치.
  15. 전자 장치에 있어서,
    제1 금속을 포함하는 금속 부분을 포함하는 하우징; 및
    상기 하우징 내부에 배치되고 상기 하우징의 제1 면을 통해 시각적으로 노출되는 디스플레이; 를 포함하고,
    상기 하우징은 상기 전자 장치의 표면의 일부를 형성하며 제1 표면 조도를 가지는 제1 영역, 및 상기 전자 장치의 표면의 다른 일부를 형성하며 제2 표면 조도를 가지는 제2 영역을 포함하는 전자 장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 디스플레이는, 평면 또는 곡면으로 변형되도록 형성되는 폴딩 영역을 포함하는 플렉서블 디스플레이를 포함하고,
    상기 하우징은,
    상기 플렉서블 디스플레이의 일부 영역이 안착되는 제1 플레이트, 상기 제1 플레이트를 둘러싸는 제1 프레임, 및 상기 제1 플레이트와 마주보고 상기 제1 프레임과 연결되는 제1 커버를 포함하는 제1 하우징, 및
    상기 플렉서블 디스플레이의 일부 영역이 안착되는 제2 플레이트, 상기 제2 플레이트를 둘러싸는 제2 프레임, 및 상기 제2 플레이트와 마주보고 상기 제2 프레임과 연결되는 제2 커버를 포함하는 제2 하우징을 포함하고,
    상기 전자 장치는, 상기 제1 하우징이 제1 회전 축을 중심으로 회전하고 및 상기 제2 하우징이 상기 제1 회전 축과 평행한 제2 회전 축을 중심으로 회전하도록 상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징 각각에 연결되는 힌지 구조물;을 더 포함하고,
    상기 제1 영역은 상기 제1 커버 및 상기 제2 커버 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 제2 영역은 상기 제1 프레임 및 상기 제2 프레임 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 제1 표면 조도는 3마이크로미터 이하인 전자 장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 제1 커버 및 상기 제2 커버 각각에는 요철 구조가 형성되고,
    상기 요철 구조는 70마이크로미터 이하의 크기를 가지는 제1 오목 부분 및 3마이크로미터 이하의 크기를 가지는 제2 오목 부분을 포함하고,
    상기 제2 오목 부분의 적어도 일부는 상기 제1 오목 부분 내부에 형성되는 전자 장치.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 제2 오목 부분 중 어느 하나는 인접한 다른 하나와 100마이크로미터 이하로 이격된 전자 장치.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 제1 오목 부분 및 상기 제2 오목 부분 각각은, 상기 제1 커버 및 상기 제2 커버의 표면에 형성되고,
    상기 표면은 알루미늄 산화물을 포함하는 전자 장치.
  20. 청구항 17에 있어서,
    상기 제1 커버 및 상기 제2 커버는 제1 금속 및 제2 금속이 화학적 및/또는 물리적으로 결합된 금속 복합체를 포함하고,
    상기 제2 오목 부분으로부터 상기 제1 회전 축 및 상기 제2 회전 축에 평행하게 연장되는 가상의 직선이 규정되고,
    상기 금속 복합체는 실질적으로 상기 가상의 직선을 따라 배열되고,
    상기 제1 금속은 알루미늄을 포함하고,
    상기 금속 복합체는 FeAl3, CrAl3, Fe3SiAl12, Cr3SiAl12, Mg2Si, Mg(Zn2AlCu), 및 CrAl7 중 적어도 하나를 포함하는 전자 장치.
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