KR20220002198A - A Method for Preventing a Back Flow to Protect a Wafer and an Apparatus for the Same - Google Patents

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KR20220002198A
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이하균
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Abstract

The present invention relates to a backflow prevention method for semiconductor wafer protection, and to a device therefor. The backflow prevention method for semiconductor wafer protection includes the steps of: receiving, by a controller, an alarm signal generated from a vacuum pump installed in an exhaust line of a process chamber; and adjusting a gate valve and an isolation valve installed in the exhaust line according to the reception of the alarm signal.

Description

반도체 웨이퍼 보호를 위한 역류 방지 방법 및 이를 위한 장치{A Method for Preventing a Back Flow to Protect a Wafer and an Apparatus for the Same}A method for Preventing a Back Flow to Protect a Wafer and an Apparatus for the Same

본 발명은 반도체 웨이퍼 보호를 위한 역류 방지 방법 및 이를 위한 장치에 관한 것이고, 구체적으로 배기 라인으로부터 공정 챔버로 유입되는 기체에 포함된 입자 또는 이와 유사한 오염 물질에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하는 반도체 웨이퍼 보호를 위한 역류 방지 방법 및 이를 위한 장치를 제공하는 것이다.The present invention relates to a backflow prevention method for protecting a semiconductor wafer and an apparatus therefor, and specifically, semiconductor wafer protection for preventing contamination of the wafer by particles or similar contaminants contained in gas flowing into a process chamber from an exhaust line To provide a backflow prevention method and an apparatus therefor.

반도체용 웨이퍼 공정이 진행되는 공정 챔버는 예를 들어 진공 펌프(dry pump)에 의하여 진공 상태로 만들어질 수 있다. 공정 챔버를 진공 상태로 만드는 과정에서 진공 펌프에서 작동 오류가 발생되거나, 정전과 같은 돌발 상황의 발생으로 인하여 진공 펌프의 작동이 일시적으로 중단될 수 있다. 그리고 이로 인하여 공정 챔버와 진공 펌프를 연결하는 배기 라인으로부터 진공 챔버로 일시적으로 역류가 발생될 수 있다. 이와 같은 역류에 폴리머 입자를 포함하는 다양한 형태의 입자가 발생될 수 있고, 이로 인하여 웨이퍼가 오염될 수 있다, 특허공개번호 특2003-0009790은 반도체 제조 설비에서 백스트림 방지 장치에 대하여 개시한다. 또한 특허공개번호 10-2073789는 밸브의 차단 순간까지의 시간 지연이 상대적으로 감소되도록 하는 반도체 제조 장비용 백 스트림 방지 구조에 대하여 개시한다. 배기 라인으로부터 공정 챔버로 향하는 역류는 공정 챔버와 배기 라인 사이의 압력 조절 또는 유동 경로 차단의 방식으로 이루어질 수 있다. 예를 들어 다수 개의 밸브가 배기 라인 또는 공정 챔버의 유입 라인에 설치될 수 있고, 밸브에 의한 유동 경로의 차단은 동시에 또는 유동 압력의 조절이 가능한 방법으로 이루어질 수 있다. 그러나 선행기술은 이와 같은 방법으로 역류가 방지되는 방법에 대하여 개시하지 않는다.The process chamber in which the semiconductor wafer process is performed may be made in a vacuum state by, for example, a vacuum pump (dry pump). In the process of making the process chamber a vacuum state, an operation error may occur in the vacuum pump or the operation of the vacuum pump may be temporarily stopped due to an unexpected situation such as a power failure. And, due to this, a reverse flow may be temporarily generated from the exhaust line connecting the process chamber and the vacuum pump to the vacuum chamber. Various types of particles including polymer particles may be generated in such a backflow, which may contaminate the wafer. Patent Publication No. 2003-0009790 discloses a backstream prevention device in a semiconductor manufacturing facility. In addition, Patent Publication No. 10-2073789 discloses a back stream prevention structure for semiconductor manufacturing equipment that allows a time delay until the moment of closing of a valve to be relatively reduced. The counterflow from the exhaust line to the process chamber may be by way of pressure regulation or blockage of the flow path between the process chamber and the exhaust line. For example, a plurality of valves may be installed in the exhaust line or the inlet line of the process chamber, and the blocking of the flow path by the valve may be performed simultaneously or in a manner capable of adjusting the flow pressure. However, the prior art does not disclose a method for preventing backflow in this way.

본 발명은 선행기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로 아래와 같은 목적을 가진다.The present invention is to solve the problems of the prior art and has the following objects.

특허문헌 1: 특허공개번호 특2003-0009790(삼성전자주식회사, 2003.02.05. 공개) 반도체 제조장치의 파티클 백스트림 방지 장치Patent Document 1: Patent Publication No. 2003-0009790 (Samsung Electronics Co., Ltd., published on February 5, 2003) Device for preventing particle backstream of semiconductor manufacturing device 특허문헌 2: 특허등록번호 10-2073789(김태화, 2020.02.05. 공고) 반도체 제조 장비용 백 스트림 방지 구조Patent Document 2: Patent Registration No. 10-2073789 (Kim Tae-Hwa, Announced on February 5, 2020) Backstream prevention structure for semiconductor manufacturing equipment

본 발명의 목적은 배기 라인으로부터 공정 챔버로 향하는 역류로 인한 웨이퍼 오염을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 보호를 위한 역류 방지 방법 및 이를 위한 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a backflow prevention method and apparatus for protecting a semiconductor wafer capable of preventing wafer contamination due to a backflow from an exhaust line to a process chamber.

본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 반도체 웨이퍼의 보호를 위한 역류 방지 방법은 공정 챔버의 배기 라인에 설치된 진공 펌프로부터 발생된 경보 신호가 컨트롤러에 의하여 수신되는 단계; 및 경보 신호의 수신에 따라 배기 라인에 설치된 게이트 밸브 및 격리 밸브가 조절되는 단계를 포함한다.According to a preferred embodiment of the present invention, a backflow prevention method for protecting a semiconductor wafer includes: receiving, by a controller, an alarm signal generated from a vacuum pump installed in an exhaust line of a process chamber; and adjusting the gate valve and the isolation valve installed in the exhaust line according to the reception of the alarm signal.

본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 컨트롤러에 의하여 챔버 인터락이 되면서 기체 파이널 밸브가 닫히고, 이와 동시에 게이트 밸브 및 격리 밸브가 닫힌다.According to another suitable embodiment of the present invention, the gas final valve is closed while the chamber is interlocked by the controller, and the gate valve and the isolation valve are closed at the same time.

본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 게이트 밸브 또는 격리 밸브는 전자 작동 밸브가 되고 조절은 전기 신호의 전송에 의하여 이루어진다.According to another suitable embodiment of the invention, the gate valve or isolation valve is an electronically actuated valve and the regulation is effected by the transmission of an electrical signal.

본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 웨이퍼의 보호를 위한 역류 방지 장치는 공정 챔버의 배기 라인에 설치된 진공 펌프로부터 발생되는 경고 신호를 수신하는 역류 방지 수단; 및 역류 방지 수단에 의하여 챔버 인터락 과정에서 기체 파이널 밸브, 게이트 밸브 및 격리 밸브를 닫는 밸브 트리거 수단을 포함한다.According to another suitable embodiment of the present invention, a backflow preventing device for protecting a wafer includes a backflow preventing means for receiving a warning signal generated from a vacuum pump installed in an exhaust line of a process chamber; and valve trigger means for closing the gas final valve, the gate valve and the isolation valve in the chamber interlocking process by the non-return means.

본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 게이트 밸브는 전자 작동 밸브 구조가 되고, 격리 밸브는 공압 작동 방식이 된다.According to another suitable embodiment of the present invention, the gate valve is of an electromagnetically actuated valve construction, and the isolation valve is of a pneumatic actuated type.

본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 보호를 위한 역류 방지 방법은 배기 라인의 서로 다른 위치에 배치된 적어도 두 개의 밸브를 개폐를 조절하여 공정 챔버로 향하는 역류가 방지되도록 한다. 본 발명에 따른 역류 방지 방법은 배기 라인의 게이트 밸브와 터보 펌프의 격리 밸브(isolation valve)가 닫히면서 이와 동시에 공정 챔버의 파이널 밸브가 닫히도록 하는 것에 의하여 역류가 효과적으로 방지되도록 한다. 본 발명에 따른 역류 방지 장치는 챔버 인터락 수단에 의하여 게이트 밸브, 격리 밸브 또는 게이트 밸브의 개폐를 컨트롤러에 의하여 소프트웨어 방식으로 작동시키는 것에 의하여 공정 챔버 구조를 변경시키지 않으면서 역류 방지가 가능하다는 장점을 가진다.The backflow prevention method for protecting a semiconductor wafer according to the present invention controls opening and closing of at least two valves disposed at different positions of an exhaust line to prevent backflow to a process chamber. The backflow prevention method according to the present invention effectively prevents backflow by closing the gate valve of the exhaust line and the isolation valve of the turbo pump while simultaneously closing the final valve of the process chamber. The backflow prevention device according to the present invention has the advantage that it is possible to prevent backflow without changing the structure of the process chamber by operating the opening and closing of the gate valve, the isolation valve, or the gate valve in a software manner by means of a chamber interlock means. have

도 1은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 보호를 위한 역류 방지 방법의 실시 예를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 역류 방지 장치의 실시 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 역류 방지 구조의 다른 실시 예를 도시한 것이다.
1 illustrates an embodiment of a backflow prevention method for protecting a semiconductor wafer according to the present invention.
Figure 2 shows an embodiment of the backflow prevention device according to the present invention.
Figure 3 shows another embodiment of the backflow prevention structure according to the present invention.

아래에서 본 발명은 첨부된 도면에 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되지만 실시 예는 본 발명의 명확한 이해를 위한 것으로 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 아래의 설명에서 서로 다른 도면에서 동일한 도면 부호를 가지는 구성요소는 유사한 기능을 가지므로 발명의 이해를 위하여 필요하지 않는다면 반복하여 설명이 되지 않으며 공지의 구성요소는 간략하게 설명이 되거나 생략이 되지만 본 발명의 실시 예에서 제외되는 것으로 이해되지 않아야 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the embodiments shown in the accompanying drawings, but the embodiments are for a clear understanding of the present invention, and the present invention is not limited thereto. In the following description, components having the same reference numerals in different drawings have similar functions, so unless necessary for the understanding of the invention, the description will not be repeated and well-known components will be briefly described or omitted, but the present invention It should not be construed as being excluded from the embodiment of

도 1은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 보호를 위한 역류 방지 방법의 실시 예를 도시한 것이다.1 illustrates an embodiment of a backflow prevention method for protecting a semiconductor wafer according to the present invention.

도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼 보호를 위한 역류 방지 방법은 공정 챔버의 배기 라인에 설치된 진공 펌프로부터 발생된 경보 신호가 컨트롤러에 의하여 수신되는 단계; 및 경보 신호의 수신에 따라 배기 라인에 설치된 게이트 밸브 및 격리 밸브가 조절되는 단계를 포함한다.Referring to FIG. 1 , a backflow prevention method for protecting a semiconductor wafer includes receiving, by a controller, an alarm signal generated from a vacuum pump installed in an exhaust line of a process chamber; and adjusting the gate valve and the isolation valve installed in the exhaust line according to the reception of the alarm signal.

공정 챔버는 웨이퍼에 대한 식각 공정, 리소그래피 공정 또는 이와 관련된 공정이 진행되는 공간이 될 수 있다. 공정 챔버는 플라즈마 또는 이와 유사한 기체로 채워지거나, 공정을 위하여 진공 상태로 만들어질 수 있다. 공정 챔버를 진공 상태로 만들거나, 감압 상태로 만들기 위하여 공정 챔버에 예를 들어 스크러버와 같은 장치와 연결되는 배기 라인이 형성될 수 있다. 그리고 배기 라인에 설치되는 진공 펌프(dry pump)에 의하여 공정 챔버가 진공 상태 또는 감압 상태로 만들어질 수 있다. 진공 펌프의 작동 과정에서 오류가 발생되거나, 전력 공급이 일시적으로 중단되어 작동이 중단될 수 있다. 이와 같은 작동 오류로 인하여 배기 라인으로부터 공정 챔버로 역류가 발생될 수 있고, 이로 인하여 웨이퍼가 오염될 수 있으므로 배기 라인에 배치된 밸브에 의하여 배기 라인의 유동이 차단될 필요가 있다. 진공 펌프에서 작동 오류가 발생되면, 경보 신호(alarm signal)가 전송되고, 이에 따라 컨트롤러에 의하여 터보 펌프(turbo pump)에 배치된 격리 밸브(isolation valve)가 닫히고 이에 의하여 배기 라인의 유동이 차단될 수 있다. 그러나 밸브가 차단되는 과정에서 진공 챔버와 배기 라인 사이의 존재하는 일부의 기체가 공정 챔버로 유입되거나, 공정 챔버의 내부에서 와류가 발생될 수 있다. 그러므로 이와 같은 잔존 기체의 역류 또는 와류 발생이 효과적으로 방지되도록 밸브의 작동이 조절될 필요가 있다. 본 발명의 하나의 실시 예에 따르면, 진공 펌프로부터 발생되는 신호를 탐지하여 배기 라인에 배치된 적어도 두 개의 밸브의 작동이 조절될 수 있다. 예를 들어 터보 펌프에 연결된 격리 밸브와 공정 챔버의 아래쪽 또는 공정 챔버와 터보 펌프 사이에 배치된 게이트 밸브가 닫힐 수 있다. 이와 같이 배기 라인의 서로 다른 위치에 배치된 적어도 두 개의 밸브가 닫힐 수 있다. 두 개의 밸브는 순차적으로 닫힐 수 있지만 바람직하게 두 개의 밸브는 동시에 닫힐 수 있다. 또는 공정 챔버에 인접하여 위치하는 게이트 밸브의 작동이 개시되고, 이후 곧바로 격리 밸브가 닫힐 수 있다. 게이트 밸브와 같은 제1 밸브와 제1 밸브와 배기 라인의 다른 위치에 배치된 격리 밸브와 같은 제2 밸브는 전자 방식으로 작동되거나, 공압과 같은 압력 조절 방식으로 작동될 수 있다. 예를 들어 제1 밸브는 전기 신호에 의하여 작동되는 전자 개폐 밸브가 될 수 있고, 격리 밸브(isolation valve)는 유체 압력에 의하여 작동되는 공압 밸브와 같은 압력 작동 밸브가 될 수 있다. 격리 밸브는 예를 들어 공급되는 공기가 차단되고, 격리 밸브의 내부에 채워진 공기가 바이패스(bypass)가 되면 닫히는 공압 작동 밸브가 될 수 있다. 또는 제1, 2 밸브가 모두 공압 작동 구조를 가질 수 있다.The process chamber may be a space in which an etching process for a wafer, a lithography process, or a process related thereto is performed. The process chamber may be filled with plasma or similar gas, or may be evacuated for processing. An exhaust line connected to a device such as a scrubber may be formed in the process chamber to evacuate or depressurize the process chamber. In addition, the process chamber may be made in a vacuum state or a reduced pressure state by a vacuum pump (dry pump) installed in the exhaust line. An error may occur during the operation of the vacuum pump, or the operation may be stopped due to a temporary interruption of power supply. Due to such an operation error, a reverse flow may be generated from the exhaust line to the process chamber, which may contaminate the wafer. Therefore, it is necessary to block the flow of the exhaust line by a valve disposed in the exhaust line. If an operating error occurs in the vacuum pump, an alarm signal is sent, which causes the controller to close the isolation valve arranged in the turbo pump thereby blocking the flow of the exhaust line. can However, while the valve is blocked, a portion of the gas existing between the vacuum chamber and the exhaust line may flow into the process chamber, or a vortex may be generated inside the process chamber. Therefore, it is necessary to control the operation of the valve to effectively prevent the generation of such a reverse flow or vortex of the residual gas. According to one embodiment of the present invention, the operation of at least two valves disposed in the exhaust line may be controlled by detecting a signal generated from the vacuum pump. For example, an isolation valve connected to the turbopump and a gate valve disposed below the process chamber or between the process chamber and the turbopump may be closed. In this way, at least two valves disposed at different positions of the exhaust line may be closed. The two valves may be closed sequentially but preferably both valves may be closed simultaneously. Alternatively, an operation of a gate valve positioned adjacent to the process chamber may be initiated, and then the isolation valve may be immediately closed. A first valve, such as a gate valve, and a second valve, such as an isolation valve disposed at a different location in the exhaust line from the first valve, may be actuated electronically or may be actuated in a pressure regulating manner, such as pneumatically. For example, the first valve may be an electromagnetic on/off valve actuated by an electric signal, and the isolation valve may be a pressure actuated valve such as a pneumatic valve actuated by fluid pressure. The isolation valve may be, for example, a pneumatically actuated valve that closes when the supplied air is shut off and the air filled inside the isolation valve is bypassed. Alternatively, both the first and second valves may have a pneumatic actuation structure.

본 발명의 하나의 실시 예에 따르면, 컨트롤러에 의하여 챔버 인터락이 되면서 기체 파이널 밸브가 닫히고, 이와 동시에 게이트 밸브 및 격리 밸브가 닫힐 수 있다. 예를 들어 기체를 공정 챔버로 유입시키는 유입 도관에 기체 파이널 밸브가 설치될 수 있고, 유입 도관을 따라 유동되는 기체의 상태에 따라 기체 파이널 밸브의 개폐가 조절될 수 있다. 예를 들어 유입 도관을 따른 기체의 유동이 정해진 조건에 적합하지 않는 경우 장비의 작동을 위한 컨트롤러에 의하여 기체 파이널 밸브가 인터락이 될 수 있다. 배기 라인에 설치된 제1, 2 밸브는 이와 같은 챔버 인터락 과정에 기초하여 닫힐 수 있다. 예를 들어 진공 펌프로부터 오작동 신호가 발생되어 컨트롤러로 전송되면 컨트롤러는 챔버 인터락 과정에 따라 기체 파이널 밸브를 닫을 수 있다. 이와 함께 게이트 밸브 및 격리 밸브를 작동시켜 닫을 수 있다. 이와 같이 제1, 2 밸브를 챔버 인터락 과정에 따라 조절하는 것에 의하여 역류 방지를 위하여 별도로 부품 또는 장치가 설치될 필요가 없이 소프트웨어 작동 방식으로 역류 방지가 가능하도록 한다. 게이트 밸브 및 격리 밸브는 개폐 조절은 다양한 방법으로 이루어질 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다.According to one embodiment of the present invention, the gas final valve may be closed while the chamber is interlocked by the controller, and the gate valve and the isolation valve may be closed at the same time. For example, a gas final valve may be installed in an inlet conduit for introducing gas into the process chamber, and opening and closing of the gas final valve may be controlled according to a state of gas flowing along the inlet conduit. For example, if the flow of gas along the inlet conduit is not suitable for the prescribed conditions, the gas final valve may be interlocked by the controller for operation of the equipment. The first and second valves installed in the exhaust line may be closed based on such a chamber interlock process. For example, when a malfunction signal is generated from the vacuum pump and transmitted to the controller, the controller may close the gas final valve according to the chamber interlock process. It can also be closed by actuating the gate valve and isolating valve. As described above, by adjusting the first and second valves according to the chamber interlock process, it is possible to prevent backflow through a software operation method without the need to separately install parts or devices to prevent backflow. The opening/closing control of the gate valve and the isolation valve may be performed in various ways and is not limited to the presented embodiment.

도 2는 본 발명에 따른 역류 방지 장치의 실시 예를 도시한 것이다.Figure 2 shows an embodiment of the backflow prevention device according to the present invention.

도 2를 참조하면, 웨이퍼 보호를 위한 역류 방지 장치는 공정 챔버(21)의 배기 라인에 설치된 진공 펌프(23)로부터 발생되는 경고 신호를 수신하는 역류 방지 수단(24); 및 역류 방지 수단(24)에 의하여 챔버 인터락 과정에서 기체 파이널 밸브(27), 게이트 밸브(28) 및 격리 밸브(29)를 닫는 밸브 트리거 수단(26)을 포함한다. 선택적으로 게이트 밸브(28)는 전자 작동 밸브 구조가 되고, 격리 밸브(29)는 공압 작동 방식이 될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the backflow preventing device for wafer protection includes a backflow preventing means 24 for receiving a warning signal generated from a vacuum pump 23 installed in an exhaust line of a process chamber 21 ; and valve trigger means 26 for closing the gas final valve 27 , the gate valve 28 and the isolation valve 29 in the chamber interlocking process by the non-return means 24 . Optionally, the gate valve 28 may be of an electromagnetically actuated valve construction, and the isolation valve 29 may be of a pneumatic actuation type.

공정 챔버(21)의 웨이퍼의 고정을 위한 진공 척이 설치될 수 있고, 공정 챔버(21)의 내부로 기체를 유도하는 유입 도관에 기체 파이널 밸브(27)가 설치될 수 있다. 공정 챔버(21)의 배기 라인에 터보 펌프(22) 및 진공 펌프(23)가 설치되어 공정 챔버(21)를 진공 상태 또는 감압 상태로 만들 수 있다. 공정 챔버(21)와 터보 펌프(22) 사이에 게이트 밸브(28)가 설치되고, 터보 펌프(22)와 진공 펌프(23) 사이에 격리 밸브(isolation valve)(29)가 설치될 수 있다. 터보 펌프(22) 및 진공 펌프(23)의 작동에 의하여 공정 챔버(21)의 내부가 고진공 상태, 저진공 상태 또는 감압 상태로 만들어질 수 있다. 진공 펌프(23)의 작동 과정 또는 다른 탐지 센서에 의하여 작동 오류가 발생되면 오류 신호(Error Signal)가 역류 방지 수단(24)에 의하여 수신될 수 있다. 역류 방지 수단(24)은 이와 같은 오류 신호를 탐지 또는 수신할 수 있는 소프트웨어 또는 하드웨어가 될 수 있고, 수신된 오류 신호가 장비의 작동을 제어하는 컨트롤러(25)로 전송될 수 있다. 컨트롤러(25)는 밸브 트리거(26)로 작동 오류에 따른 닫힘 신호를 전송할 수 있고, 밸브 트리거(26)은 챔버 인터락 신호를 발생시키면서 이와 동시에 게이트 밸브(28) 및 격리 밸브(29)을 닫기 위한 신호를 발생시킬 수 있다. 이에 따라 기체 파이널 밸브(27)가 닫히면서 게이트 밸브(28) 및 격리 밸브(29)가 닫히고 이에 따라 공정 챔버(21)로 기체 유입이 차단되어 웨이퍼의 오염이 방지될 수 있다. 이와 같은 작동 구조에서 진공 펌프(23)의 작동 오류 신호가 챔버 인터락 신호가 될 수 있고, 이에 따라 챔버 인더락이 되면서 이와 동시에 게이트 밸브(28)와 격리 밸브(29)가 닫히는 것에 의하여 공정 챔버(21) 내부의 압력 상승이 방지되면서 터보 펌프(22)에서 발생되는 와류로 인한 웨이퍼의 입자(particle)이 방지될 수 있다. 챔버 인터락은 예를 들어 ATM(atmosphere) 스위치, 1/2 ATM 스위치 또는 챔버 리드 개방과 같은 것이 될 수 있지만 이에 제한되지 않는다.A vacuum chuck for fixing the wafer in the process chamber 21 may be installed, and a gas final valve 27 may be installed in an inlet conduit for guiding gas into the process chamber 21 . A turbo pump 22 and a vacuum pump 23 are installed in the exhaust line of the process chamber 21 to make the process chamber 21 in a vacuum state or a reduced pressure state. A gate valve 28 may be installed between the process chamber 21 and the turbo pump 22 , and an isolation valve 29 may be installed between the turbo pump 22 and the vacuum pump 23 . By the operation of the turbo pump 22 and the vacuum pump 23 , the interior of the process chamber 21 may be made into a high vacuum state, a low vacuum state, or a reduced pressure state. When an operation error is generated by the operation process of the vacuum pump 23 or other detection sensors, an error signal may be received by the backflow prevention means 24 . The backflow prevention means 24 may be software or hardware capable of detecting or receiving such an error signal, and the received error signal may be transmitted to the controller 25 controlling the operation of the equipment. The controller 25 may transmit a closing signal according to an operation error to the valve trigger 26 , and the valve trigger 26 generates a chamber interlock signal and at the same time closes the gate valve 28 and the isolation valve 29 . can generate a signal for Accordingly, as the gas final valve 27 is closed, the gate valve 28 and the isolation valve 29 are closed, thereby blocking the inflow of gas into the process chamber 21 , thereby preventing contamination of the wafer. In such an operating structure, an operation error signal of the vacuum pump 23 may be a chamber interlock signal, and accordingly, the chamber in the lock occurs while the gate valve 28 and the isolation valve 29 are closed at the same time to close the process chamber. (21) While the internal pressure rise is prevented, the particles of the wafer due to the vortex generated by the turbo pump 22 can be prevented. The chamber interlock can be, for example, but not limited to, an ATM (atmosphere) switch, a 1/2 ATM switch, or a chamber lid opening.

도 3은 본 발명에 따른 역류 방지 구조의 다른 실시 예를 도시한 것이다.Figure 3 shows another embodiment of the backflow prevention structure according to the present invention.

도 3을 참조하면, 진공 펌프(23)에서 발생되는 오류 신호가 역류 방지 모듈(24)로 전송되고, 역류 방지 모듈(24)에 의하여 개폐 제어 유닛(31)이 작동되어 게이트 밸브(28) 및 격리 밸브(29)가 닫힐 수 있다. 역류 방지 모듈(24)은 공정 진행을 위하여 장비를 제어하는 장비 컨트롤러의 일부가 될 수 있고, 소프트웨어 또는 하드웨어 형태가 될 수 있다. 또는 역류 방지 모듈(24)은 진공 펌프(23)의 작동 상태를 모니터링을 하면서 작동 오류 신호를 처리하는 독립적인 모듈이 될 수 있다. 역류 방지 모듈(24)에서 진공 펌프(23)의 오류 신호를 탐지하면 개폐 제어 유닛(31)이 작동되어 게이트 밸브(28) 및 격리 밸브(29)로 닫힘 신호가 전송되어 동시에 닫힐 수 있다. 위에서 설명된 것처럼 게이트 밸브(28)는 전자 작동 구조를 가질 수 있고, 격리 밸브(29)는 전자 작동 구조 또는 공압 작동 구조가 될 수 있다. 또한 개폐 제어 유닛(31)은 밸브 개폐를 위한 신호를 발생시킬 수 있는 하드웨어 또는 소프트웨어가 될 수 있고 이에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.Referring to FIG. 3 , an error signal generated from the vacuum pump 23 is transmitted to the backflow prevention module 24 , and the opening/closing control unit 31 is operated by the backflow prevention module 24 to operate the gate valve 28 and The isolation valve 29 may be closed. The backflow prevention module 24 may be a part of an equipment controller that controls equipment for process progress, and may be in the form of software or hardware. Alternatively, the backflow prevention module 24 may be an independent module that processes an operation error signal while monitoring the operation state of the vacuum pump 23 . When the backflow prevention module 24 detects an error signal of the vacuum pump 23 , the opening/closing control unit 31 is operated to transmit a closing signal to the gate valve 28 and the isolation valve 29 so that they can be closed at the same time. As described above, the gate valve 28 may have an electronically actuated configuration, and the isolation valve 29 may be of an electronically actuated configuration or a pneumatically actuated configuration. In addition, the opening/closing control unit 31 may be hardware or software capable of generating a signal for opening and closing the valve, and the present invention is not limited thereby.

위에서 본 발명은 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되었지만 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 제시된 실시 예를 참조하여 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. 본 발명은 이와 같은 변형 및 수정 발명에 의하여 제한되지 않으며 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의하여 제한된다.Although the present invention has been described in detail above with reference to the presented embodiment, those skilled in the art will be able to make various modifications and modified inventions without departing from the technical spirit of the present invention with reference to the presented embodiment. . The present invention is not limited by these variations and modifications, but is limited only by the claims appended hereto.

21: 공정 챔버 22: 터보 펌프
23: 진공 펌프 24: 역류 방지 수단
25: 컨트롤러 26: 밸브 트리거 수단
27: 기체 파이널 밸브 28: 게이트 밸브
29: 격리 밸브
21: process chamber 22: turbo pump
23: vacuum pump 24: backflow prevention means
25: controller 26: valve trigger means
27: gas final valve 28: gate valve
29: isolation valve

Claims (1)

공정 챔버의 배기 라인에 설치된 진공 펌프로부터 발생된 경보 신호가 컨트롤러에 의하여 수신되는 단계; 및
경보 신호의 수신에 따라 터보 펌프와 진공 펌프 사이에 설치된 격리 밸브와 공정 챔버와 터보 펌프 사이에 설치된 게이트 밸브가 닫히는 단계를 포함하고,
컨트롤러에 의하여 수신된 경보 신호에 따라 기체를 공정 챔버로 유입시키는 유입 도관에 설치된 기체 파이널 밸브가 닫히는 챔버 인터락 과정에서 격리 밸브 및 게이트 밸브가 동시에 닫히도록 하는 닫힘 신호가 컨트롤러에 의해 전송되며,
게이트 밸브(28)는 전자 작동 밸브 구조가 되고, 격리 밸브(29)는 공압 작동 방식이 되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 보호를 위한 역류 방지 방법.
receiving, by a controller, an alarm signal generated from a vacuum pump installed in an exhaust line of the process chamber; and
Comprising the step of closing the isolation valve installed between the turbo pump and the vacuum pump and the gate valve installed between the process chamber and the turbo pump according to the reception of the alarm signal,
In accordance with the alarm signal received by the controller, a closing signal is transmitted by the controller to cause the isolation valve and the gate valve to close simultaneously during the chamber interlock process in which the gas final valve installed in the inlet conduit for introducing gas into the process chamber is closed,
A method for preventing backflow for protecting a semiconductor wafer, characterized in that the gate valve (28) is of an electromagnetically operated valve structure, and the isolation valve (29) is of a pneumatic operation.
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