KR20210158220A - 금속 물질을 포함하는 하우징을 갖는 전자 장치 - Google Patents
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Abstract
일 실시 예에서의 전자 장치는, 커버 글라스 및 상기 커버 글라스가 안착되는 하우징을 포함할 수 있다. 상기 하우징은 금속 물질로 형성되는 메탈 프레임을 포함하고, 상기 메탈 프레임에는 상기 커버 글라스가 안착되기 위한 안착 면이 형성될 수 있다. 상기 메탈 프레임은, 상기 전자 장치의 측면의 적어도 일부를 형성하는 제1 영역 및 상기 커버 글라스가 부착되는 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역에는 니켈(Ni)을 포함하는 아노다이징 층이 배치되고, 상기 제2 영역에는 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치될 수 있다. 이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시 예가 가능하다.
Description
본 개시에 따른 다양한 실시 예들은, 금속 물질을 포함하는 하우징을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
최근, 제조사들은 전자 장치의 디자인적 측면을 강화하는 추세에 있다. 특히, 제품의 강성을 증가시키면서 고급스러운 외관을 구현할 수 있는 금속(metal) 소재(예: 알루미늄)를 전자 장치에 적용하는 사례가 증가하고 있다.
전자 장치의 외관에 대하여 알루미늄 금속 소재가 사용되는 경우에, 제조사들은 아노다이징(anodizing) 공정을 통해 알루미늄 금속의 내식성(erosion resistance) 및 내마모성(wear resistance)을 개선할 수 있다. 아노다이징 공정은 알루미늄 금속에 대하여 산화 피막(Al2O3)을 생성하는 전기 화학적 공정을 의미할 수 있다. 알루미늄 금속에 대하여 산화 피막이 생성된 이후에는, 안료를 투입하는 착색 공정 및 투입된 안료가 외부로 박리되는 것을 방지하기 위하여 산화 피막의 미세공(micropore)을 메우는 봉공 공정이 순차적으로 진행될 수 있다.
한편, 최근 전자 장치(예: 스마트폰)는 기능적 요소 및 심미적 요소를 고려하여 베젤리스(bezel-less) 디자인을 채택하는 추세에 있다. 베젤의 두께가 얇아지면서 전자 장치의 무게가 감소하여 휴대성 및 편의성이 증가하고, 디스플레이 화면이 커지면서 컨텐츠에 대한 사용자의 몰입도 및 집중력이 증가할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치의 외관을 형성하는 메탈 프레임에 대하여 기재 테이프를 이용하여 디스플레이를 부착하였으나, 베젤의 두께가 감소함에 따라 기재 테이프에서 액상 접착제로 변경되는 추세에 있다. 기재 테이프는 접착력을 확보하기 위한 폭을 필요로 하나, 이와 달리 액상 접착제는 폭에 대한 제약없이 접착력을 확보할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치의 메탈 프레임에 아노다이징 공정을 적용한후, 메탈 프레임에 형성된 산화 피막에 대하여 투입된 안료의 박리 및 알루미늄 금속의 부식을 방지하기 위한 봉공 공정은 니켈(Ni) 성분이 포함된 봉공 처리제를 통해 수행될 수 있다. 봉공 처리제에 니켈 성분이 포함됨에 따라 전자 장치 외관의 내구성을 개선하고, 봉공 공정에서 안료의 박리를 신속하게 방지할 수 있다.
다만, 니켈 성분은 유해 물질로써 규제 대상에 해당하므로, 봉공 공정 이후에 표면 상의 니켈 성분을 제거하기 위한 별도의 수세 및 용출 과정을 필요로 한다. 별도의 용출 과정에 따라 표면 상에 열이 가해지게 되면, 액상 접착제에 대한 표면 에너지는 감소하게 된다. 액상 접착제에 대하여 표면 에너지가 감소한 표면은 접착력이 감소함을 의미할 수 있고, 해당 표면은 다른 구조물(예: 커버 글라스)과의 부착 정도가 저하될 수 있다.
따라서, 본 개시에 따른 다양한 실시 예에서는 서로 다른 봉공 처리제를 통한 아노다이징 공정을 수행함에 따라 외부로 노출되는 영역의 내구성을 유지하면서 구조물이 부착되는 본딩 영역의 접착력을 개선하고자 한다.
일 실시 예에서의 전자 장치는, 상기 전자 장치의 전면에 배치되는 커버 글라스; 및 상기 커버 글라스가 안착되는 하우징을 포함할 수 있다. 상기 하우징은 금속 물질로 형성되는 메탈 프레임을 포함하고, 상기 메탈 프레임에는 상기 커버 글라스가 안착되기 위한 안착 면이 형성될 수 있다. 상기 하우징의 상기 메탈 프레임은, 상기 전자 장치의 측면의 적어도 일부를 형성하는 제1 영역 및 상기 커버 글라스가 부착되는 제2 영역을 포함하고, 상기 메탈 프레임의 상기 제1 영역에는 니켈(Ni)을 포함하는 아노다이징 층이 배치되고, 상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역에는 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치될 수 있다.
일 실시 예에서의 웨어러블 전자 장치는, 사용자의 신체 일부에 장착될 수 있는 착용 부재 및 상기 착용 부재가 결합될 수 있는 결합 구조를 포함하는 하우징을 포함할 수 있다. 상기 하우징은 상기 웨어러블 전자 장치의 측면을 형성하는 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 상기 웨어러블 전자 장치의 내측으로 연장되는 제2 영역을 포함하는 메탈 프레임(metal frame)을 포함할 수 있다. 상기 웨어러블 전자 장치는, 상기 웨어러블 전자 장치의 전면을 형성하고 상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역에 안착되는 커버 글라스를 포함하고, 상기 메탈 프레임의 상기 제1 영역에는 니켈(Ni)이 포함된 아노다이징 층이 배치되고, 상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역에는 니켈이 포함되지 않는 아노다이징 층이 배치될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 예에 따르면 전자 장치의 외관 영역의 내구성을 유지하면서 본딩 영역의 접착력을 개선할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 예에 따르면 전자 장치의 금속 물질을 포함하는 하우징에서, 적어도 일부분의 영역에 서로 다른 아노다이징 공정을 수행함에 따라 메탈 프레임을 포함하는 하우징에 대하여 복수 개의 사양을 구현할 수 있다.
도 1a는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 전면을 나타내는 사시도를 도시한다.
도 1b는, 도 1a의 전자 장치의 후면을 나타내는 사시도를 도시한다.
도 1c는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 분해 사시도를 도시한다.
도 2a는 일 실시 예에 따른 메탈 프레임의 일부를 확대한 도면을 도시한다.
도 2b는 도 1a의 전자 장치를 A-A’ 방향으로 절단하여 y축 방향에서 바라본 단면도를 도시한다.
도 3은 일 실시 예에 따른 메탈 프레임의 제조 공정 및 커버 글라스와의 결합 과정을 나타내는 흐름도를 도시한다.
도 4는 일 실시 예에 따른 도 3의 301 공정에서의 메탈 프레임 및 메탈 프레임을 A-A’ 방향으로 절단한 단면도의 일부 영역을 도시한다.
도 5는 일 실시 예에 따른 도 3의 303공정에서의 메탈 프레임 및 메탈 프레임을 A-A’ 방향으로 절단한 단면도의 일부 영역을 도시한다.
도 6은 일 실시 예에 따른 도 3의 305공정에서의 메탈 프레임 및 메탈 프레임을 A-A’ 방향으로 절단한 단면도의 일부 영역을 도시한다.
도 7은 일 실시 예에 따른 도 3의 307공정에서의 메탈 프레임 및 메탈 프레임을 A-A’ 방향으로 절단한 단면도의 일부 영역을 도시한다.
도 8은 일 실시 예에 따른 메탈 프레임의 제1 영역 및 제2 영역에서의 물 접촉 각을 비교하는 도면을 도시한다.
도 9는 일 실시 예에 따른 웨어러블 전자 장치 및 웨어러블 전자 장치를 A-A’ 방향으로 절단한 단면도의 일부 영역을 도시한다.
도 10은 일 실시 예에 따른 측면 본딩 공법을 통해 메탈 프레임과 커버 글라스가 결합되는 과정을 도시한다.
도 11은 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도를 도시한다.
도 1b는, 도 1a의 전자 장치의 후면을 나타내는 사시도를 도시한다.
도 1c는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 분해 사시도를 도시한다.
도 2a는 일 실시 예에 따른 메탈 프레임의 일부를 확대한 도면을 도시한다.
도 2b는 도 1a의 전자 장치를 A-A’ 방향으로 절단하여 y축 방향에서 바라본 단면도를 도시한다.
도 3은 일 실시 예에 따른 메탈 프레임의 제조 공정 및 커버 글라스와의 결합 과정을 나타내는 흐름도를 도시한다.
도 4는 일 실시 예에 따른 도 3의 301 공정에서의 메탈 프레임 및 메탈 프레임을 A-A’ 방향으로 절단한 단면도의 일부 영역을 도시한다.
도 5는 일 실시 예에 따른 도 3의 303공정에서의 메탈 프레임 및 메탈 프레임을 A-A’ 방향으로 절단한 단면도의 일부 영역을 도시한다.
도 6은 일 실시 예에 따른 도 3의 305공정에서의 메탈 프레임 및 메탈 프레임을 A-A’ 방향으로 절단한 단면도의 일부 영역을 도시한다.
도 7은 일 실시 예에 따른 도 3의 307공정에서의 메탈 프레임 및 메탈 프레임을 A-A’ 방향으로 절단한 단면도의 일부 영역을 도시한다.
도 8은 일 실시 예에 따른 메탈 프레임의 제1 영역 및 제2 영역에서의 물 접촉 각을 비교하는 도면을 도시한다.
도 9는 일 실시 예에 따른 웨어러블 전자 장치 및 웨어러블 전자 장치를 A-A’ 방향으로 절단한 단면도의 일부 영역을 도시한다.
도 10은 일 실시 예에 따른 측면 본딩 공법을 통해 메탈 프레임과 커버 글라스가 결합되는 과정을 도시한다.
도 11은 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도를 도시한다.
도 1a는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 전면을 나타내는 사시도를 도시한다. 도 1b는, 도 1a의 전자 장치의 후면을 나타내는 사시도를 도시한다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 일 실시 예에서 전자 장치(100)는 제1 면(또는 전면)(110A), 제2 면(또는 후면)(110B) 및 제1 면(110A)과 제2 면(110B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(또는 측벽)(110C)을 포함하는 하우징(110)을 포함할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서는, 하우징은 도 1a 및 도 1b의 제1 면(110A), 제2 면(110B) 및 측면(110C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다.
일 실시 예에서, 제1 면(110A)은 적어도 일 부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(102)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 전면 플레이트(102)는 적어도 일측 단부(side edge portion)에서 제1 면(110A)으로부터 후면 플레이트(111)쪽으로 휘어져 심리스(seamless) 하게 연장된 곡면 부분을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 제2 면(110B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(111)에 의하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 후면 플레이트(111)는 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS) 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 후면 플레이트(111)는 적어도 일측 단부에서 제2 면(110B)으로부터 전면 플레이트(102)쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 곡면 부분을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 측면(110C)은 전면 플레이트(102) 및 후면 플레이트(111)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조(또는 측면 부재 또는 측벽)(118)에 의하여 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 후면 플레이트(111) 및 측면 베젤 구조(118)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 전자 장치(100)는 디스플레이(101), 오디오 모듈(103), 센서 모듈(미도시), 카메라 모듈(105, 106, 112, 113), 키 입력 장치(117) 및 커넥터 홀(108) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 전자 장치(100)는 구성 요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(117))를 생략하거나 다른 구성 요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 도시되지 않은 센서 모듈을 포함할 수 있다. 예컨대, 전면 플레이트(102)가 제공하는 영역 내에는 근접 센서 또는 조도 센서와 같은 센서가 디스플레이(101)에 통합되거나, 디스플레이(101)와 인접한 위치에 배치될 수 있다. 일 실시 예에서, 전자 장치(100)는 발광 소자를 더 포함할 수 있으며, 발광 소자는 전면 플레이트(102)가 제공하는 영역 내에서 디스플레이(101)와 인접한 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 발광 소자는 전자 장치(100)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시 예에서, 발광 소자는 전면에 배치되는 카메라 모듈(105)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자는 LED, IR LED 및 제논 램프를 포함할 수 있다.
디스플레이(101)는, 예를 들어, 전면 플레이트(102)의 상당 부분을 통하여 노출될 수 있다. 일 실시 예에서, 디스플레이(101)의 가장자리를 상기 전면 플레이트(102)의 인접한 외곽 형상(예: 곡면)과 대체로 동일하게 형성할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서, 디스플레이(101)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여 디스플레이(101)의 외곽과 전면 플레이트(102)의 외곽 간의 간격이 대체로 동일하게 형성될 수 있다. 또 다른 실시 예(미도시)에서, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 일부에 리세스 또는 개구부(opening)가 형성되고, 상기 리세스 또는 상기 개구부와 정렬되는 다른 전자 부품, 예를 들어, 전면에 배치되는 카메라 모듈(105), 도시되지 않은 근접 센서 또는 조도 센서가 포함될 수 있다.
일 실시 예(미도시)에서, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 배면에 배치되는 카메라 모듈(106, 112, 113), 지문 센서(미도시) 및 플래시(106) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 일 실시 예(미도시)에서, 디스플레이(101)는 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서(또는 “포스 센서”), 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 오디오 모듈(103)은 마이크 홀 및 스피커 홀을 포함할 수 있다. 마이크 홀은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시 예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수 개의 마이크가 배치될 수 있다. 일 실시 예에서, 스피커 홀과 마이크 홀이 하나의 홀로 구현되거나, 스피커 홀 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커). 일 실시 예에서, 스피커 홀은 외부 스피커 홀 및 통화용 리시버 홀(114)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 전자 장치(100)는 도시되지 않은 센서 모듈을 포함함으로써, 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 예를 들어, 센서 모듈은 하우징(110)의 제1 면(110A)에 배치된 근접 센서, 디스플레이(101)에 통합된 또는 인접하게 배치된 지문 센서, 및/또는 상기 하우징(110)의 제2 면(110B)에 배치된 생체 센서(예: HRM 센서)를 더 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 전자 장치(100)는 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 카메라 모듈은 전자 장치(100)의 제1 면(110A)에 배치된 제1 카메라 장치(105), 제2 면(110B)에 배치된 제2 카메라 장치(112, 113), 및/또는 플래시(106)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 카메라 장치(105) 및 제2 카메라 장치(112, 113)는 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 예를 들어, 플래시(106)는 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 2개 이상의 렌즈들(적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(100)의 한 면에 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 키 입력 장치(117)는 하우징(110)의 측면(110C)에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에서, 전자 장치(100)는 상기 언급된 키 입력 장치(117) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고, 포함되지 않은 키 입력 장치(117)는 디스플레이(101) 상에 소프트 키 등 다른 형태로 구현될 수 있다. 일 실시 예에서, 키 입력 장치(117)는 하우징(110)의 제2 면(110B)에 배치된 지문 센서(미도시)의 적어도 일부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 커넥터 홀(108)은 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터, 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있다. 예를 들어, 커넥터 홀(108)은 USB 커넥터 또는 이어폰 잭을 포함할 수 있다.
도 1c는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 분해 사시도를 도시한다.
도 1c를 참조하면, 전자 장치(100)는 디스플레이(101), 전면 플레이트(102)(또는 “커버 글라스”), 후면 플레이트(111), 측면 베젤 구조(118), 제 1 지지부재(119), 인쇄 회로 기판(140), 배터리(150), 제 2 지지부재(160)(예: 리어 케이스) 및/또는 안테나(170)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 전자 장치(100)의 구성 요소들 중 적어도 하나는 도 1a 및 도 1b의 전자 장치(100)의 구성 요소들 중 적어도 하나와 동일, 또는 유사할 수 있으므로, 이와 대응되거나 동일 또는 유사한 설명은 생략될 수 있다.
일 실시 예에서, 제 1 지지부재(119)는 전자 장치(100) 내부에 배치되어 측면 베젤 구조(118)와 연결될 수 있거나, 측면 베젤 구조(118)와 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 지지부재(119)는 금속 재질 및/또는 비금속(예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제 1 지지부재(119)의 일면에는 디스플레이(101)가 결합되고, 타면에는 인쇄 회로 기판(140)이 결합될 수 있다.
일 실시 예에서, 인쇄 회로 기판(140)에는 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 예를 들어, 프로세서는 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리는 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 예를 들어, 인터페이스는 HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 인터페이스는 전자 장치(100)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 인쇄 회로 기판(140)은 제1 인쇄 회로 기판(141) 및 제1 인쇄 회로 기판(141)과 커넥터(미도시)를 통해 연결되는 제2 인쇄 회로 기판(142)을 포함할 수 있다. 다만, 본 개시의 인쇄 회로 기판(140)은 상술한 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예(미도시)에 따른 인쇄 회로 기판(140)은 하나의 기판으로 형성될 수도 있다. 일 실시 예에서, 인쇄 회로 기판(140)은 배터리(150)와 동일 평면 상에 배치될 수 있으며, 인쇄 회로 기판(140)과 배터리(150)는 서로 회피하거나, 일부 중첩되도록 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 배터리(150)는 전자 장치(100)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 배터리(150)의 적어도 일부는 인쇄 회로 기판(140)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(150)는 전자 장치(100) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(100)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.
일 실시 예에서, 안테나(170)는 후면 플레이트(111)와 배터리(150) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시 예에서, 안테나(170)는 NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 안테나(170)는 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 다른 실시 예에서, 측면 베젤 구조(118) 및/또는 제1 지지부재(119)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 후면 플레이트(111)는 전자 장치(100)의 후면(예: 도 1b의 제2 면(110B))을 형성할 수 있다. 후면 플레이트(111)는 전자 장치(100)를 외부의 충격 또는 이물질로부터 보호할 수 있다.
일 실시 예에서, 전자 장치(100)는 유니바디(unibody) 구조의 하우징을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 1a 내지 1c에 도시된 구성 요소들 중 복수의 구성요소들이 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 측면 베젤 구조(118), 제1 지지 부재(119), 및 후면 플레이트(111)는 일체로 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 지지 부재(160) 역시 제1 지지 부재(119)와 일체로 형성되거나, 또는 생략될 수 있다.
일 실시 예에서, 전자 장치(100)의 하우징의 적어도 일부는 금속 물질로 형성된 메탈 프레임 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)의 하우징의 전부가 메탈 프레임으로 형성될 수 있다. 다른 예시에서, 전자 장치(100)의 하우징 중 측면에 해당하는 일부 영역 및 커버 전면 플레이트(102)가 배치(접합)되는 영역이 메탈 프레임으로 형성되고, 다른 구성(예: 후면 플레이트(111))는 비-메탈, 예를 들어 사출로 형성될 수 있다. 이는 예시적인 것이며, 다양한 실시 예에서, 전자 장치(100)의 하우징 중 전체적인 외관을 형성하는 부분은 금속 물질을 포함하고, 외관을 형성하지 않더라도 전면 플레이트(101)나 디스플레이 패널 등이 부착될 수 있는 부분에도 금속 물질이 포함될 수 있다. 본 문서에서 개시되는 다양한 실시 예에서 “메탈 프레임”이라 함은, 금속 물질을 구비한 하우징을 갖는 전자 장치(100)에 있어서, 서로 다른 아노다이징 처리가 적용되는 금속 부분으로 해석될 수 있다.
도 2a는 일 실시 예에 따른 메탈 프레임의 일부를 확대한 도면을 도시한다. 도 2b는 도 1a의 전자 장치를 A-A’ 방향으로 절단하여 y축 방향에서 바라본 단면도를 도시한다. 도 2a 및 도 2b에서의 메탈 프레임은 도 1a 내지 도 1c에서의 측면 베젤 구조(118)에 대응될 수 있다. 따라서 도 1a 내지 도 1c에서 “측면 베젤 구조(118)”에 대해 설명한 내용은 이하의 “메탈 프레임(118)”에도 적용될 수. 유사하게, 도 2b에서의 커버 글라스는 도 1a 내지 도 1c에서의 전면 플레이트(102)에 대응될 수 있고, 이후 “전면 플레이트(102)”는 “커버 글라스(102)”로 표현될 수 있다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 메탈 프레임(118)은 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(100))의 측면의 적어도 일부를 형성하는 제1 영역(200) 및 다른 구조물(예: 전면 플레이트(102))이 부착될 수 있는 제2 영역(210)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 메탈 프레임(118)의 제1 영역(200)은 전자 장치(100)의 외부(예: 전자 장치의 외측면)로 노출되도록 형성되고, 제2 영역(210)은 부품(예: 커버 글라스)이 부착되도록 전자 장치(100)의 내부에 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 메탈 프레임(118)은 전자 장치(100)의 하우징의 금속 물질에 해당하는 부분일 수 있다.
일 실시 예에서, 메탈 프레임(118)의 내식성 및 내마모성을 개선하기 위하여 아노다이징(anodizing) 공정이 수행될 수 있다. 아노다이징 공정은 알루미늄 금속 소재에 대한 후처리 공정으로, 알루미늄을 양극에 배치한 후에 전해액(예: 황산(H₂SO₄))에 의해 발생한 산소 분자가 상기 양극에 부착됨에 따라 알루미늄의 표면에 산화 피막을 생성하는 공정을 의미할 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 금속을 포함하는 메탈 프레임(118)에 아노다이징 공정이 수행되는 경우에, 메탈 프레임(118)의 표면에 산화 피막(Al2O3)이 생성될 수 있다. 산화 피막의 생성 이후에, 봉공 처리제를 통해 메탈 프레임(118) 외면에 생성된 산화 피막의 미세공(micropore)을 메우는 봉공 공정(sealing)이 순차적으로 수행될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 영역(200) 및 제2 영역(210)은 산화 피막의 미세공을 메우는 봉공 공정 상에 차이가 있으나, 이에 대한 구체적인 설명은 도 3에서 후술하고자 한다.
일 실시 예에서, 제1 영역(200)의 적어도 일 부분은 적어도 하나의 홀(202)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(200)은 적어도 하나의 홀(202)을 통해 물리적인 키 버튼(예: 사이드 키)과 결합 구조를 형성할 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 영역(200)은 메탈 프레임(118)의 외측 테두리를 따라 일정한 두께로 형성될 수 있으나, 제1 영역(200)의 두께는 제조사의 설계에 따라 다양하게 변경될 수도 있다. 예를 들어, 메탈 프레임(118)의 좌측단 및 우측단을 형성하는 제1 영역(200)은 메탈 프레임(118)의 상단 및 하단을 형성하는 제1 영역(200)에 비해 실질적으로 얇게 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 제2 영역(210)은 메탈 프레임(118)의 내측 테두리의 적어도 일부를 따라 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(210)은 메탈 프레임(118)의 내측 테두리에서 전면 플레이트(102)의 테두리 영역(예: 사각 테두리 중 가로 영역 및 세로 영역)에 대응되는 영역 전체에 형성될 수 있다. 또 다른 예를 들어, 제2 영역(210)은 메탈 프레임(118)의 내측 테두리에서 전면 플레이트(102)의 일부 테두리 영역(예: 사각 테두리 중 세로 영역)에 대응되는 영역에만 형성될 수도 있다. 일 실시 예에서, 제2 영역(210)은 약 1mm 내지 1.5mm 사이의 두께에 해당하는 폭으로 형성될 수 있다. 다만, 제2 영역(210)의 폭은 상기 두께에 한정되지 아니하고 제조사의 설계, 도포될 접착제의 종류, 부착될 구조물의 재질(예: 유리, 폴리머 등) 등에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
일 실시 예에서, 메탈 프레임(118)의 제2 영역(210) 및 커버 글라스(102)의 적어도 일 영역의 사이에는 접착층(220)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(210)의 적어도 일 부분에 액상 접착부재가 도포됨에 따라 접착층(220)이 형성되고, 메탈 프레임(118)의 제2 영역(210) 및 커버 글라스(102)의 적어도 일 영역은 상기 형성된 접착층(220)을 이용하여 결합될 수 있다.
도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 메탈 프레임의 제조 공정 및 커버 글라스와의 결합 과정을 나타내는 흐름도를 도시한다. 도 4는 일 실시 예에 따른 도 3의 301 공정에서의 메탈 프레임 및 메탈 프레임을 A-A’ 방향으로 절단하여 +z축 방향에서 바라본 단면도의 일부 영역을 도시한다. 도 5는 일 실시 예에 따른 도 3의 303 공정에서의 메탈 프레임 및 메탈 프레임을 A-A’ 방향으로 절단하여 +z축 방향에서 바라본 단면도의 일부 영역을 도시한다. 도 6은 일 실시 예에 따른 도 3의 305 공정에서의 메탈 프레임 및 메탈 프레임을 A-A’ 방향으로 절단하여 +z축 방향에서 바라본 단면도의 일부 영역을 도시한다. 도 7은 일 실시 예에 따른 도 3의 307 공정에서의 메탈 프레임 및 메탈 프레임을 A-A’ 방향으로 절단하여 +z축 방향에서 바라본 단면도의 일부 영역을 도시한다.
도 3의 메탈 프레임의 제조 공정을 설명함에 있어서, 도 4 내지 도 7의 구성을 참고하여 설명할 것이다.
도 3을 참조하면, 메탈 프레임(예: 도 1c의 메탈 프레임(118))의 제조 공정은 하우징 제작 공정(300)과 단말 제작 공정(350)을 포함할 수 있다. 하우징 제작 공정(300)은 형상 가공 공정(301), 1차 아노다이징 공정(303), 니켈 용출 공정(305), 표면 추가 가공 공정(307), 및 2차 아노다이징 공정(309)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 형상 가공 공정(301)은 CNC 공정 및 인서트 사출 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 CNC 공정을 통해 전자 장치(100)의 하우징의 외관이 외관을 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 CNC 공정에서, 금속 부재(예: 알루미늄 금속)에 대한 가이드 가공 동작이 수행되고, 제1 CNC 공정에 의해 생성된 가이드에 대한, 인서트(insert) 사출 동작이 수행될 수 있다. 추가적으로, 하우징의 내측 형상 가공 동작 및/또는 하우징의 외관 형상 가공 동작이 순차적으로 진행될 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 금속 부재에 대한 형상 가공 공정(301)을 통해 지지부재(119) 및 제1 영역(400)을 포함하는 메탈 프레임(118)이 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 형상 가공 공정(301)에서 생성된 메탈 프레임(118)의 표면은 후처리 가공(예: 아노다이징)이 수행되지 않은 상태의 알루미늄 소재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 후처리 가공이 수행되지 않은 제1 영역(400)은 외부로 노출되는 영역이므로, 퇴색 및 오염 물질의 흡착을 방지하고 내구성을 향상시키기 위한 1차 아노다이징 공정(303)이 수행될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 하우징 제작 공정(300)은 도 5에 도시된 바와 같이 메탈 프레임(118)의 표면에 대한 1차 아노다이징 공정(303)을 포함할 수 있다. 1차 아노다이징 공정(303)은 알루미늄 금속 상에 오염 물질을 제거하는 탈지 및 수세 공정, 자연 산화층을 제거하는 에칭 공정, 스머트(smut) 성분을 제거하는 디스머트 공정, 전자 장치(100)의 메탈 프레임(118)의 표면에 대한 산화 피막(Al2O3) 생성 공정, 생성된 산화 피막에 대하여 염색 안료를 삽입하는 착색 공정 및 산화 피막의 미세공(micropore)을 메우는 봉공 공정 순으로 수행될 수 있다. 다만, 상술한 일련의 과정 중 일부 공정(예: 착색 공정)은 생략될 수도 있다.
일 실시 예에 따르면, 1차 아노다이징 공정(303)에서 메탈 프레임(118)에 생성된 산화 피막의 미세공(예: 10nm 내지 20nm 직경의 구멍) 내에 염색 안료를 삽입하는 착색 공정 및 니켈을 포함하는 봉공 처리제를 통해 상기 미세공을 메우는 봉공 공정이 수행될 수 있다. 니켈을 포함하지 않는 봉공 처리제와 비교하였을 때, 상기 봉공 공정에서 니켈을 포함하는 봉공 처리제가 사용되면 상기 착색 공정에서 삽입된 염색 안료가 박리되기 전에 미세공이 빠르게 메워질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 니켈을 포함하는 봉공 처리제를 통해 1차 아노다이징 처리가 수행된 제1 영역(200)은 착색 공정에서 구현된 색상의 변화가 적고, 내식성 및 내구성이 향상될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 하우징 제작 공정(300)은 니켈을 포함하는 봉공 처리 이후, 니켈을 제거하는 니켈 용출 공정(305)을 포함할 수 있다. 하우징의 외측 표면에 존재하는 니켈은 인체에 유해한 성분이므로, 니켈을 이용한 봉공제를 사용한 경우, 니켈을 제거함으로써 인체에 유해한 영향을 방지할 수 있다.
도 3에서는 니켈 용출 공정(305)이 1차 아노다이징 공정(303) 이후에 수행되는 별도의 공정으로 설명하였으나, 다양한 실시 예에서 니켈 용출 공정(305)는 1차 아노다이징 공정(303)의 일부로 포함될 수 있다. 예를 들어, 1차 아노다이징 공정(303) 중에 니켈 용출이 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 하우징 제작 공정(300)은 표면 추가 가공 공정(307)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 CNC 공정을 통해 본딩 영역(예: 제2 영역(600))이 생성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 CNC 공정은 메탈 프레임(118)에서 커버 글라스가 부착될 수 있는 제2 영역(600)의 가공 공정, 홀 가공 공정, CNC 공정을 위한 가이드 삭제 동작을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 표면 추가 가공 공정(307)에서 생성된 메탈 프레임(118)의 제2 영역(600)은 후처리 가공이 수행되지 않은 상태의 알루미늄 소재를 포함할 수 있다. 후처리 가공이 수행되지 않은 제2 영역(600)은 도 4의 제1 영역(400)과 달리 접착력을 향상시키기 위한 2차 아노다이징 공정(309)이 수행될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 하우징 제작 공정(300)은 2차 아노다이징 공정(309)을 포함할 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이 메탈 프레임(118)의 본딩 영역에 대하여 2차 아노다이징 처리가 적용될 수 있다. 도 5에서의 1차 아노다이징 처리와 비교하였을 때, 2차 아노다이징 처리는 봉공 공정에서 사용되는 봉공 처리제의 니켈 포함 여부에 있어서 차이점을 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 2차 아노다이징 공정(309)에서 메탈 프레임(118)의 제2 영역(예: 도 6의 제2 영역(600))에는 니켈을 포함하지 않는 봉공 처리제를 통해 산화 피막의 미세공을 메우는 봉공 공정이 수행될 수 있다. 봉공 공정에서 니켈을 포함하는 봉공 처리제가 사용되는 경우에는, 금속 표면 상에 존재하는 니켈 성분을 제거하기 위한 별도의 용출 공정이 추가적으로 수행될 수 있다. 상기 용출 공정은 고온(예: 100℃)에서 수행되고, 금속 표면 상에 열이 가해짐에 따라 니켈 성분뿐만 아니라 소재의 접착력과 관련된 성분도 함께 제거될 수 있다. 예를 들어, 접착력에 구현에 관여하는 분자들까지 니켈과 함께 제거될 수 있다. 일 실시 예에서, 메탈 프레임(118)의 제2 영역(600)에 대하여 수행되는 봉공 공정에서 니켈을 포함하지 않는 봉공 처리제가 사용되는 경우에는, 상기 용출 공정이 생략될 수 있다. 상기 용출 공정이 생략됨에 따라, 메탈 프레임(118)의 제2 영역(210)은 금속 소재의 접착력과 관련된 성분이 유지되므로 제1 영역(200)보다 접착력이 높을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 하우징 제작 공정(300)이 수행됨에 따라서 하우징의 메탈 프레임(118)의 제1 영역(200)은 니켈을 포함하는 아노다이징 층이 위치되고, 제2 영역(210)은 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 니켈을 포함하는 아노다이징 층이 위치된 제1 영역(200)의 표면 강도는 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 위치된 제2 영역(210)의 표면 강도보다 클 수 있다. 제1 영역(200)의 표면 강도가 제2 영역(210)의 표면 강도보다 크다는 것은, 외부 충격 및/또는 환경에 대한 제1 영역(200)의 내구성이 제2 영역(210)의 내구성보다 높은 것을 의미할 수 있다.
하우징 제작 공정(300)에 따라 전자 장치(100)의 하우징 제작이 완료되면, 전자 장치(100)의 구성요소들을 하우징과 결합하는 단말 제작 공정(350)이 수행될 수 있다. 전자 장치(100)는 단말, 사용자 단말, 또는 세트(set) 등으로 참조될 수 있다. 또한 하우징 제작 공정(300)과 단말 제작 공정(350)은 동일 장소에서 일련의 작업을 통해 수행될 수 있으나, 지리적, 시간적인 차이를 두고 진행될 수도 있다.
일 실시 예에 따르면, 단말 제작 공정(300)은 접착제 도포 공정(311)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 메탈 프레임(118)의 제2 영역(210)에 대하여 접착제가 도포될 수 있다. 일 실시 예에서, 접착제는 액상형 접착 부재(예: 글루 형태, 젤 형태) 및 기재를 가지지 않는 접착 부재(예: 무기재 테이프) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 글루 형태의 접착제는 2차 아노다이징 처리가 수행된 제2 영역(210) 중 적어도 일 부분(예: 제2 영역의 가운데 부분)에 대하여 접착층(예: 도 2b의 접착층(220))을 형성하도록 도포될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 액상형 접착 부재 및 상기 기재를 가지지 않는 접착 부재는 제2 영역(210)의 폭에 영향을 받지 않고 접착력을 유지할 수 있다. 특히 제2 영역(210)에는 니켈 용출 공정(305)이 적용되지 않았기 때문에, 2차 아노다이징 처리에 따른 니켈-프리 봉공제에 의해 니켈을 포함한 경우에 비해 접착력이 개선된다.
일 실시 예에 따르면, 메탈 프레임(118)의 제2 영역(210)에 커버 글라스(예: 도 2b의 커버 글라스(102))가 부착되는 311 공정이 수행될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 커버 글라스(102)는 311 공정에서 메탈 프레임(118)에 대하여 적층 본딩 공법 또는 측면 본딩 공법 중 적어도 하나를 이용하여 부착될 수 있다. 적층 본딩 공법은 메탈 프레임(118)의 제2 영역(210)의 적어도 일부에 대하여 도포되는 접착제가 접착층을 형성하고, 상기 접착층의 상부면에 커버 글라스(102)가 부착되는 공법을 의미할 수 있다. 측면 본딩 공법은 메탈 프레임(118)의 제2 영역(210)의 적어도 일부 및 제3 영역(예: 도 10의 측면 영역(1030))의 적어도 일부에 대하여 접착제가 도포되고, 제2 영역(210)의 적어도 일부 및 제3 영역의 적어도 일부에 도포된 접착제를 이용하여 커버 글라스(102)가 부착되는 공법을 의미할 수 있다.
본 문서에 개시되는 실시 예들에서는 커버 글라스(102)가 하우징의 메탈 프레임(118)의 제2 영역(210)에 부착되는 예시를 중심으로 설명하였으나, 이는 설명의 편의를 위한 것이며 설명한 예시로 실시 예가 제한되는 것은 아니다. 본 문서에 개시되는 기술적 사상은, 니켈-프리 봉공제를 이용하여 접착력을 개선한 영역에 전자 장치(100)의 구성요소를 부착시키는 다양한 실시 예에 적용 가능하다. 예를 들어, 커버 글라스(102)와 별개인, 또는 일체로 생성되는 디스플레이 패널이 제2 영역(210)에 부착되는 경우에도 동일한 설명이 대응되는 방식으로 적용될 수 있다. 또한, 터치 패널, 편광 층, 또는 사출 구조물(예: 후면 커버)가 하우징의 메탈 영역에 접착되는 실시 예에도 적용 가능하다.
도 8은 일 실시 예에 따른 메탈 프레임의 제1 영역 및 제2 영역에서의 물 접촉 각을 비교하는 도면을 도시한다.
도 8을 참조하면, 메탈 프레임(예: 도 1c의 메탈 프레임(118))의 제1 영역(200)은 니켈을 포함하는 아노다이징 층(800)(예: 제1 아노다이징 층)을 포함할 수 있다. 니켈을 포함하는 아노다이징 층(800)은 도 3의 303 공정에 따라 알루미늄 금속(810)의 표면 상에 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 메탈 프레임(118)의 제2 영역(210)은 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층(820)(예: 제2 아노다이징 층)을 포함할 수 있다. 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층(820)은 도 3의 2차 아노다이징 공정(309)에 따라 알루미늄 금속(810)의 표면 상에 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 제1차 아노다이징 작업 이후, 제1 영역(200)의 금속 표면 상에 존재하는 니켈 성분을 제거하기 위한 별도의 용출 공정(예: 니켈 용출 공정(305)이 추가적으로 수행될 수 있다. 상기 용출 공정은 고온(예: 100℃)에서 수행되고, 금속 표면 상에 열이 가해짐에 따라 니켈 성분뿐만 아니라 접착력(예: 분자력) 구현에 관여하는 분자들까지 제거될 수 있다. 이러한 과정을 많이 거칠수록 표면 에너지 감소로 이어지는 원인이 될 수 있다. 제1 영역(200)은 제1차 아노다이징 후 공정에서 봉공 처리까지 완료된 상태이기 때문에, 제1 영역(200)에 대한2차 아노다이징 공정(309)이 단말기 외관 손상에 영향을 주지 않는다. 또한 2차 아노다이징 공정(309)가 적용되는 부분은 외부에서 시인되지 않는 단말기의 내부에 해당하고, 따라서 2차 아노다이징 공정(309)에서는 착색 공정이나 니켈이 포함된 봉공액 등의 사용이 필수적이지 않다.
일 실시 예에서, 제2차 아노다이징 이후, 상기 용출 공정없이 형성된 제2영역(210)의 표면 에너지는 제1영역(200)의 표면 에너지보다 클 수 있다. 표면 에너지는 상이한 두 물질(예: 금속 및 물)의 접촉 계면에 생기는 분자간 상호 작용력의 불균형에 의해 발생되는 에너지를 의미할 수 있다. 표면 에너지가 높으면 접착력(adhesiveness)이 향상되나, 표면 에너지는 직접적인 측정이 어려우므로 물(water) 접촉 각을 측정하여 계산될 수 있다. 상기 물 접촉 각은 고체(예: 알루미늄 금속) 표면 위에 물방울을 떨어뜨린 후에 정지된 상태의 물방울과 고체 표면이 이루는 각도를 의미할 수 있다. 물 접촉 각이 작을수록 고체 표면과 물의 결합력이 증가함을 의미하고, 고체 표면의 접착력이 증가함을 의미할 수 있다. 일 실시 예에서, 메탈 프레임(118)의 제2 영역(210)에 대한 물 접촉 각(840)은 제1 영역(200)에 대한 물 접촉 각(830)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(200)에 대한 물 접촉 각(830)이 약 29.4°인 경우에, 제1 영역(200)에 대한 충격 하중은 약 274.4Mj에 해당할 수 있다. 제2 영역(210)에 대한 물 접촉 각(840)이 약 12.6°인 경우에, 제2 영역(210)에 대한 충격 하중은 약 367.5Mj에 해당할 수 있다. 충격 하중이 증가할수록 접착력이 증가함을 의미하므로, 이는 제2 영역(210)의 접착력이 제1 영역(200)의 접착력보다 크다는 것을 의미한다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(100)는, 상기 전자 장치의 전면에 배치되는 커버 글라스; 및 상기 커버 글라스가 안착되는 하우징을 포함할 수 있다. 상기 하우징은 금속 물질로 형성되는 메탈 프레임을 포함하고, 상기 메탈 프레임에는 상기 커버 글라스가 안착되기 위한 안착 면이 형성될 수 있다. 상기 하우징의 상기 메탈 프레임은, 상기 전자 장치의 측면의 적어도 일부를 형성하는 제1 영역 및 상기 커버 글라스가 부착되는 제2 영역을 포함하고, 상기 메탈 프레임의 상기 제1 영역에는 니켈(Ni)을 포함하는 아노다이징 층이 배치되고, 상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역에는 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서, 상기 제2 영역의 상기 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층 및 상기 커버 글라스 사이에 접착층이 배치될 수 있다. 또한 상기 접착층은 액상 접착부재를 통해 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서, 상기 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치된 상기 제2 영역의 표면 에너지가 상기 니켈을 포함하는 아노다이징 층이 배치된 상기 제1 영역의 표면 에너지보다 클 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서, 상기 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치된 상기 제2 영역의 표면 강도가 상기 니켈을 포함하는 아노다이징 층이 배치된 상기 제1 영역의 표면 강도보다 작을 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서, 상기 메탈 프레임은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역과 구별되는 타 영역을 형성하는 지지부재를 더 포함하고, 상기 커버 글라스 및 상기 지지부재 사이에 형성되는 내부 공간에 디스플레이 모듈이 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서, 상기 메탈 프레임은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역을 연결하고 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 수직 단차를 형성하는 측면 영역을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서, 상기 메탈 프레임의 상기 측면 영역에는 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치되고, 상기 커버 글라스는 상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역 및 상기 측면 영역에 부착될 수 있다. 또한 상기 측면 영역의 높이는 상기 커버 글라스의 모서리 영역의 두께 및 접착층의 두께의 합에 대응할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서, 상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역의 폭은 1mm 내지 1.5mm 사이의 두께로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서, 상기 커버 글라스의 아래에 배치되는 디스플레이 패널을 더 포함하고, 상기 디스플레이 패널은 상기 하우징에 마련된 수용 공간에 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서, 상기 메탈 프레임은 상기 전자 장치의 후면을 형성하는 제3 영역을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치는, 상기 전자 장치의 후면을 형성하는 후면 커버를 더 포함하고, 상기 후면 커버는 상기 하우징의 상기 측면을 따라 형성되는 개구 중 상기 커버 글라스에 대향하는 면을 덮도록 배치될 수 있다.
도 9는 일 실시 예에 따른 웨어러블 전자 장치 및 웨어러블 전자 장치를 A-A’ 방향으로 절단한 단면도의 일부 영역을 도시한다. 도 9의 웨어러블 전자 장치(900)의 구성 요소의 적어도 일부는 도 1a의 전자 장치(100)의 구성 요소에 대응될 수 있으므로, 전술한 내용에 대응되거나 동일 또는 유사한 설명은 생략될 수 있다.
도 9를 참조하면, 웨어러블 전자 장치(900)는 하우징(905), 커버 글라스(902), 착용 부재(910) 및 메탈 프레임(918)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 착용 부재(910)는 하우징(905)의 적어도 일부(예: 메탈 프레임(918)의 일 부분)에 연결되고, 사용자의 신체 일부(예: 손목, 발목)에 웨어러블 전자 장치(900)를 탈착 가능하게 결착할 수 있다.
일 실시 예에서, 메탈 프레임(918)은 웨어러블 전자 장치(900)의 측면 테두리의 적어도 일부를 형성하는 제1 영역(920) 및 커버 글라스(902)가 부착되는 제2 영역(930)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 메탈 프레임(918)의 제1 영역(920)은 웨어러블 전자 장치(900)의 외측면으로 노출되도록 형성되고, 제2 영역(930)은 웨어러블 전자 장치(900)의 내부에 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 메탈 프레임(918)의 제1 영역(920)에는 도 3의 303 공정에 따라 니켈을 포함하는 아노다이징 층이 형성되고, 제2 영역(930)에는 도 3의 307 공정에 따라 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 영역(920)은 니켈을 포함하는 아노다이징 층이 배치됨에 따라 내식성 및 내구성이 향상될 수 있고, 제2 영역(930)은 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치됨에 따라 접착부재에 대한 접착력이 향상될 수 있다.
일 실시 예에서, 메탈 프레임(918)의 제2 영역(930) 및 커버 글라스(902)의 적어도 일 영역의 사이에는 접착층(940)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(930) 상에 액상 접착부재가 도포됨에 따라 접착층(940)이 형성되고, 메탈 프레임(918)의 제2 영역(930) 및 커버 글라스(902)의 적어도 일 영역은 형성된 접착층(940)을 통해 결합될 수 있다.
일 실시 예에 따른 웨어러블 전자 장치는, 사용자의 신체 일부에 장착될 수 있는 착용 부재; 및 상기 착용 부재가 결합될 수 있는 결합 구조를 포함하는 하우징, 상기 하우징은 상기 웨어러블 전자 장치의 측면을 형성하는 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 상기 웨어러블 전자 장치의 내측으로 연장되는 제2 영역을 포함하는 메탈 프레임(metal frame)을 포함함; 및 상기 웨어러블 전자 장치의 전면을 형성하고 상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역에 안착되는 커버 글라스를 포함할 수 있다. 또한 상기 메탈 프레임의 상기 제1 영역에는 니켈(Ni)이 포함된 아노다이징 층이 배치되고, 상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역에는 니켈이 포함되지 않는 아노다이징 층이 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따른 웨어러블 전자 장치에서, 상기 제2 영역의 상기 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층 및 상기 커버 글라스 사이에 접착층이 배치될 수 있다. 또한 상기 접착층은 액상 접착부재를 통해 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따른 웨어러블 전자 장치에서, 상기 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치된 상기 제2 영역의 표면 강도가 상기 니켈을 포함하는 아노다이징 층이 배치된 상기 제1 영역의 표면 강도보다 작을 수 있다.
일 실시 예에 따른 웨어러블 전자 장치에서, 상기 하우징은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역과 구별되는 타 영역을 형성하는 지지부재를 더 포함하고, 상기 커버 글라스 및 상기 지지부재 사이에 형성되는 내부 공간에 디스플레이 모듈이 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따른 웨어러블 전자 장치에서, 상기 메탈 프레임은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역을 연결하고 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 수직 단차를 형성하는 측면 영역을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 웨어러블 전자 장치에서, 상기 메탈 프레임의 상기 측면 영역에는 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치되고, 상기 커버 글라스는 상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역 및 상기 측면 영역에 부착될 수 있다.
도 10은 일 실시 예에 따른 측면 본딩 공법을 통해 메탈 프레임과 커버 글라스가 결합되는 과정을 도시한다.
도 10을 참조하면, 전자 장치(예: 도 1a의 전자 장치(100) 및/또는 도 9의 웨어러블 전자 장치(900))의 메탈 프레임(1018)은 전자 장치의 측면의 적어도 일부를 형성하는 제1 영역(1000), 커버 글라스가 부착되는 제2 영역(1010) 및 제1 영역(1000) 및 제2 영역(1010) 사이의 수직 단차를 형성하는 측면 영역(1030)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 측면 영역(1030)은 도 3의 305 공정을 통해 생성되는 본딩 영역에 포함될 수 있다. 예를 들어, 제2 CNC 공정을 통해 생성된 메탈 프레임(1018)의 본딩 영역은 제2 영역(1010) 및 측면 영역(1030)을 포함하고, 제2 영역(1010) 및 측면 영역(1030)은 도 3의 307 공정을 통해 2차 아노다이징 처리가 수행될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 영역(1010) 및 측면 영역(1030)은 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치됨에 따라 접착력이 향상될 수 있다.
일 실시 예에서, 메탈 프레임(1018)의 제2 영역(1010) 및 측면 영역(1030)에 대하여 접착제(1020)가 도포될 수 있다. 메탈 프레임(1018) 및 커버 글라스(1002)가 측면 본딩 공법을 통해 결합되는 경우에, 제2 영역(1010) 및 측면 영역(1030)에 대해 도포되는 접착제(1020)는 적층 본딩 공법(예: 제2 영역의 적어도 일 부분에 대해서만 접착제를 도포하는 공법)에서 도포되는 접착제보다 증량하여 도포될 수 있다.
일 실시 예에서, 증량하여 도포되는 접착제(1020)에 대해 커버 글라스(1002)가 부착되는 경우에, 접착제(1020)의 일부는 메탈 프레임(1018)의 제1 영역(1000)으로의 넘침이 발생할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 영역(1000)은 제2 영역(1010) 및 측면 영역(1030)에 대한 아노다이징 처리(예: 도 3의 307 공정에서의 2차 아노다이징 처리)와 구별되는 아노다이징 처리가 수행될 수 있다. 예를 들어, 2차 아노다이징 처리와 구별되는 아노다이징 처리가 수행된 제1 영역(1000)은 클리닝 전용 장비를 통해 넘친 접착제(1020)가 쉽게 제거될 수 있다. 일 실시 예에서, 측면 영역(1030)의 높이는 커버 글라스(1002)의 모서리 영역의 두께 및 접착제(1020)에 의해 형성되는 접착층의 두께의 합에 대응할 수 있다.
도 11은 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도를 도시한다.
도 11을 참조하면, 네트워크 환경(1100)에서 전자 장치(1101)는 제 1 네트워크(1198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(1102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(1199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(1104) 또는 서버(1108)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(1101)는 서버(1108)를 통하여 전자 장치(1104)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(1101)는 프로세서(1120), 메모리(1130), 입력 모듈(1150), 음향 출력 모듈(1155), 디스플레이 모듈(1160), 오디오 모듈(1170), 센서 모듈(1176), 인터페이스(1177), 연결 단자(1178), 햅틱 모듈(1179), 카메라 모듈(1180), 전력 관리 모듈(1188), 배터리(1189), 통신 모듈(1190), 가입자 식별 모듈(1196), 또는 안테나 모듈(1197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(1101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(1178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(1176), 카메라 모듈(1180), 또는 안테나 모듈(1197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(1160))로 통합될 수 있다.
프로세서(1120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(1140))를 실행하여 프로세서(1120)에 연결된 전자 장치(1101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(1120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(1176) 또는 통신 모듈(1190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(1132)에 저장하고, 휘발성 메모리(1132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(1134)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(1120)는 메인 프로세서(1121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(1123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(1101)가 메인 프로세서(1121) 및 보조 프로세서(1123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(1123)는 메인 프로세서(1121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(1123)는 메인 프로세서(1121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(1123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(1121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(1121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(1121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(1121)와 함께, 전자 장치(1101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(1160), 센서 모듈(1176), 또는 통신 모듈(1190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(1123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(1180) 또는 통신 모듈(1190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(1123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(1101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(1108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(1130)는, 전자 장치(1101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(1120) 또는 센서 모듈(1176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(1140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(1130)는, 휘발성 메모리(1132) 또는 비휘발성 메모리(1134)를 포함할 수 있다.
프로그램(1140)은 메모리(1130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(1142), 미들 웨어(1144) 또는 어플리케이션(1146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(1150)은, 전자 장치(1101)의 구성요소(예: 프로세서(1120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(1101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(1150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(1155)은 음향 신호를 전자 장치(1101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(1155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(1160)은 전자 장치(1101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(1160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디스플레이 모듈(1160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(1170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(1170)은, 입력 모듈(1150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(1155), 또는 전자 장치(1101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(1176)은 전자 장치(1101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(1176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(1177)는 전자 장치(1101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인터페이스(1177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(1178)는, 그를 통해서 전자 장치(1101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 단자(1178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(1179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(1179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(1180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(1180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(1188)은 전자 장치(1101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(1188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(1189)는 전자 장치(1101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(1189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(1190)은 전자 장치(1101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102), 전자 장치(1104), 또는 서버(1108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(1190)은 프로세서(1120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(1190)은 무선 통신 모듈(1192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(1194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(1198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(1199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(1104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은 가입자 식별 모듈(1196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(1198) 또는 제 2 네트워크(1199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(1101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(1192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은 전자 장치(1101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(1199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 무선 통신 모듈(1192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(1197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(1197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(1197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(1198) 또는 제 2 네트워크(1199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(1190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(1190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(1197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(1197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(1199)에 연결된 서버(1108)를 통해서 전자 장치(1101)와 외부의 전자 장치(1104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(1102, 또는 1104) 각각은 전자 장치(1101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(1101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(1102, 1104, 또는 1108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(1101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(1101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(1101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(1101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(1101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 외부의 전자 장치(1104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(1108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 외부의 전자 장치(1104) 또는 서버(1108)는 제 2 네트워크(1199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(1101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시 예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시 예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시 예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시 예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(1101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(1136) 또는 외장 메모리(1138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(1140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(1101))의 프로세서(예: 프로세서(1120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일 실시 예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어™)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
Claims (20)
- 전자 장치에 있어서,
상기 전자 장치의 전면에 배치되는 커버 글라스; 및
상기 커버 글라스가 안착되는 하우징, 상기 하우징은 금속 물질로 형성되는 메탈 프레임을 포함하고, 상기 메탈 프레임에는 상기 커버 글라스가 안착되기 위한 안착 면이 형성됨;
상기 하우징의 상기 메탈 프레임은,
상기 전자 장치의 측면의 적어도 일부를 형성하는 제1 영역 및 상기 커버 글라스가 부착되는 제2 영역을 포함하고,
상기 메탈 프레임의 상기 제1 영역에는 니켈(Ni)을 포함하는 아노다이징 층이 배치되고,
상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역에는 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치되는, 전자 장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제2 영역의 상기 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층 및 상기 커버 글라스 사이에 접착층이 배치되는, 전자 장치. - 청구항 2에 있어서,
상기 접착층은 액상 접착부재를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치된 상기 제2 영역의 표면 에너지가 상기 니켈을 포함하는 아노다이징 층이 배치된 상기 제1 영역의 표면 에너지보다 큰 것을 특징으로 하는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치된 상기 제2 영역의 표면 강도가 상기 니켈을 포함하는 아노다이징 층이 배치된 상기 제1 영역의 표면 강도보다 작은 것을 특징으로 하는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 메탈 프레임은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역과 구별되는 타 영역을 형성하는 지지부재를 더 포함하고,
상기 커버 글라스 및 상기 지지부재 사이에 형성되는 내부 공간에 디스플레이 모듈이 배치되는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 메탈 프레임은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역을 연결하고 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 수직 단차를 형성하는 측면 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자 장치. - 청구항 7에 있어서,
상기 메탈 프레임의 상기 측면 영역에는 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치되고,
상기 커버 글라스는 상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역 및 상기 측면 영역에 부착되는 것을 특징으로 하는, 전자 장치. - 청구항 7에 있어서,
상기 측면 영역의 높이는 상기 커버 글라스의 모서리 영역의 두께 및 접착층의 두께의 합에 대응하는 것을 특징으로 하는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역의 폭은 1mm 내지 1.5mm 사이의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 커버 글라스의 아래에 배치되는 디스플레이 패널을 더 포함하고,
상기 디스플레이 패널은 상기 하우징에 마련된 수용 공간에 배치되는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 메탈 프레임은 상기 전자 장치의 후면을 형성하는 제3 영역을 더 포함하는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 전자 장치의 후면을 형성하는 후면 커버를 더 포함하고,
상기 후면 커버는 상기 하우징의 상기 측면을 따라 형성되는 개구 중 상기 커버 글라스에 대향하는 면을 덮도록 배치되는, 전자 장치. - 웨어러블 전자 장치에 있어서,
사용자의 신체 일부에 장착될 수 있는 착용 부재;
상기 착용 부재가 결합될 수 있는 결합 구조를 포함하는 하우징, 상기 하우징은 상기 웨어러블 전자 장치의 측면을 형성하는 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 상기 웨어러블 전자 장치의 내측으로 연장되는 제2 영역을 포함하는 메탈 프레임(metal frame)을 포함함; 및
상기 웨어러블 전자 장치의 전면을 형성하고 상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역에 안착되는 커버 글라스를 포함하고,
상기 메탈 프레임의 상기 제1 영역에는 니켈(Ni)이 포함된 아노다이징 층이 배치되고,
상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역에는 니켈이 포함되지 않는 아노다이징 층이 배치되는, 웨어러블 전자 장치. - 청구항 14에 있어서,
상기 제2 영역의 상기 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층 및 상기 커버 글라스 사이에 접착층이 배치되는, 웨어러블 전자 장치. - 청구항 15에 있어서,
상기 접착층은 액상 접착부재를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는, 웨어러블 전자 장치. - 청구항 14에 있어서,
상기 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치된 상기 제2 영역의 표면 강도가 상기 니켈을 포함하는 아노다이징 층이 배치된 상기 제1 영역의 표면 강도보다 작은 것을 특징으로 하는, 웨어러블 전자 장치. - 청구항 11에 있어서,
상기 하우징은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역과 구별되는 타 영역을 형성하는 지지부재를 더 포함하고,
상기 커버 글라스 및 상기 지지부재 사이에 형성되는 내부 공간에 디스플레이 모듈이 배치되는, 웨어러블 전자 장치. - 청구항 11에 있어서,
상기 메탈 프레임은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역을 연결하고 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 수직 단차를 형성하는 측면 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는, 웨어러블 전자 장치. - 청구항 19에 있어서,
상기 메탈 프레임의 상기 측면 영역에는 니켈을 포함하지 않는 아노다이징 층이 배치되고,
상기 커버 글라스는 상기 메탈 프레임의 상기 제2 영역 및 상기 측면 영역에 부착되는 것을 특징으로 하는, 웨어러블 전자 장치.
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