KR20210156203A - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 기록 매체 Download PDF

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KR20210156203A
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나오후미 오하시
다카시 야하타
유키노리 아부라타니
슌 마츠이
šœ 마츠이
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가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
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Abstract

본 발명은, 변형된 기판을 낙하시키지 않고 안정되게 반송하는 기술을 제공한다. 기판을 처리하는 처리실과, 처리실 내에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 처리실 내에 배치되어, 기판을 적재하는 기판 적재면을 갖는 기판 적재부와, 기판 적재면에 대하여 기판의 하면을 지지해서 당해 기판을 반송하는 암을 갖고, 암은, 기판을 지지하는 지지부가 경사를 갖고 구성되어 있는 기술이 제공된다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 기록 매체{SUBSTRATRE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIUM}
본 개시는, 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 기록 매체에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서, 기판 상에 막을 형성하는 처리가 행하여지는 경우가 있다(예를 들어 특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제2018-160507호 공보
막을 형성하는 과정에서, 기판이 변형되어버리는 경우가 있다. 변형된 기판은 불안정하므로, 당해 기판을 반송할 때 낙하시켜버릴 우려가 있다.
본 개시는, 변형된 기판을 낙하시키지 않고 안정되게 반송하는 기술을 제공한다.
일 양태에 의하면,
기판을 처리하는 처리실과,
상기 처리실 내에 가스를 공급하는 가스 공급부와,
상기 처리실 내에 배치되어, 기판을 적재하는 기판 적재면을 갖는 기판 적재부와,
상기 기판 적재면에 대하여 기판의 하면을 지지해서 당해 기판을 반송하는 암
을 갖고,
상기 암은, 기판을 지지하는 지지부가 경사를 갖고 구성되어 있는,
기술이 제공된다.
본 개시에 의하면, 변형된 기판을 낙하시키지 않고 안정되게 반송하는 기술을 제공할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 양태에 따른 다매엽식 기판 처리 장치에서의 주요부의 개략 단면도이다.
도 2는 본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치에서의 주요부의 개략 평면도이다.
도 3은 본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치에서의 주요부의 개략 평면도이다.
도 4는 본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치에서의 주요부의 개략 단면도이다.
도 5는 본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치에서의 가스 공급부를 설명하는 도면이다.
도 6은 본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치에서의 가스 공급부를 설명하는 도면이다.
도 7은 본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치에서의 컨트롤러의 개략 구성도이며, 컨트롤러의 제어계를 블록도로 나타내는 도면이다.
도 8은 본 개시의 일 양태에 따른 웨이퍼의 처리 상태를 설명하는 설명도이다.
도 9는 본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 공정의 개요의 흐름도이다.
도 10은 본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치에서의 로테이션 암의 동작을 도시하는 도면이다. 도 10의 (a)는 로테이션 암이 웨이퍼를 적재하기 전의 상태를 도시하는 도면이다. 도 10의 (b)는 로테이션 암이 웨이퍼의 적재를 개시한 상태를 도시하는 도면이다. 도 10의 (c)는 로테이션 암이 웨이퍼를 적재한 후의 상태를 도시하는 도면이다.
도 11은 본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치에서의 로테이션 암의 측면도이다.
도 12는 본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치에서의 로테이션 암과 웨이퍼의 관계를 도시하는 도면이다. 도 12의 (a)는 로테이션 암이 웨이퍼를 적재하고 있는 상태를 도시하는 도면이다. 도 12의 (b)는 로테이션 암이 회전하여 웨이퍼를 반송하고 있는 상태를 도시하는 도면이다.
도 13은 본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치에서의 로테이션 암과 웨이퍼의 관계를 도시하는 도면이다. 도 13의 (a)는 로테이션 암이 웨이퍼를 적재하고 있는 상태를 도시하는 도면이다. 도 13의 (b)는 로테이션 암이 회전하여 웨이퍼를 반송하고 있는 상태를 도시하는 도면이다.
도 14는 본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치에서의 로테이션 암이, 웨이퍼를 적재하고 있는 상태를 도시하는 도면이다.
<본 개시의 일 양태>
이하에, 본 개시의 일 양태에 대해서 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
먼저, 도 1 내지 도 7을 사용하여, 본 양태에 따른 기판 처리 장치의 구성에 대해서 설명한다. 본 양태에 따른 기판 처리 장치는, 반도체 장치의 제조 공정에서 사용되는 것으로, 처리 대상이 되는 기판을 복수매를 함께 처리하는 장치로서 구성되어 있다. 처리 대상이 되는 기판으로서는, 예를 들어, 반도체 장치(반도체 디바이스)가 만들어 넣어지는 반도체 웨이퍼 기판(이하, 단순히 「웨이퍼」라고 함)을 들 수 있다.
(처리 용기)
도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(200)는, 처리 용기(202)를 구비하고 있다. 처리 용기(202)는, 예를 들어 횡단면이 각형이며, 편평한 밀폐 용기로서 구성되어 있다. 처리 용기(202)는, 알루미늄(Al)이나 스테인리스(SUS) 등의 금속 재료에 의해 구성되어 있다. 처리 용기(202) 내에는, 실리콘 웨이퍼 등의 웨이퍼(100)를 처리하는 처리실(201)이 형성되어 있다. 처리실(201)은, 후술하는 가스 분산 구조(230), 기판 적재부로서의 베이스(210) 등으로 구성된다.
처리 용기(202)의 측면에는, 게이트 밸브(208)에 인접한 기판 반입출구(205)가 마련되어 있고, 웨이퍼(100)는 기판 반입출구(205)를 통해서 도시하지 않은 반송실과의 사이를 이동한다.
처리실(201)에는, 웨이퍼(100)를 가열하는 베이스(210)가 배치된다. 베이스(210)는, 후술하는 회전축(221)을 중심으로, 둘레 형상으로 복수 배치된다. 베이스(210)의 배치에 대하여 도 2를 사용해서 설명한다. 도 2는, 후술하는, 암으로서의 로테이션 암(222)의 부근을 상방으로부터 본 도면이다. 로봇 암(240)은, 처리 용기(202)의 외부에 배치되어, 웨이퍼(100)를 처리 용기(202)의 내외로 이동 탑재하는 기능을 갖는다. B-B'에 있어서의 종단면도가 도 1에 상당한다.
베이스(210)는, 예를 들어 4개 배치된다. 구체적으로는, 기판 반입출구(205)와 대향하는 위치로부터 시계 방향으로 베이스(210a, 210b, 210c, 210d)가 배치된다. 처리 용기(202)에 반입된 웨이퍼(100)는, 베이스(210a 내지 210d)의 순으로 이동된다.
베이스(210a 내지 210d)는 각각 웨이퍼(100)를 적재하는 기판 적재면(211(211a, 211b, 211c, 211d))과, 베이스(210)를 지지하는 샤프트(217(217a, 217b, 217c, 217b))와, 가열원으로서의 히터(213(213a, 213b, 213c, 213d))를 갖는다. 베이스(210)에는, 리프트 핀(207)이 관통하는 관통 구멍이, 리프트 핀(207)과 대응하는 위치에 각각 마련되어 있다. 샤프트(217)는 처리 용기(202)의 저부(204)를 관통하고 있다. 샤프트(217)는 처리 용기(202)와 절연되어 있다.
저부(204)를 관통하도록, 리프트 핀(207)이 마련되어 있다. 리프트 핀(207)은, 베이스(210)에 마련된 관통 구멍을 통과 가능한 위치에 배치된다. 리프트 핀(207)의 선단은, 기판 반입/반출 시 등에 웨이퍼(100)를 지지한다.
리프트 핀(207)의 하단에는, 리프트 핀 지지부(212(212a, 212b, 212c, 212d))가 마련된다. 각각의 리프트 핀 지지부(212a 내지 212d)에는, 리프트 핀 승강부(216(216a, 216b, 216c, 216d))가 마련된다. 리프트 핀 승강부(216)는 리프트 핀(207)을 승강시킨다. 리프트 핀 지지부(212a 내지 212d)와 리프트 핀 승강부(216a 내지 216d)는, 각각 베이스(210a 내지 210d)에 대응해서 마련된다. 리프트 핀(207), 리프트 핀 지지부(212), 리프트 핀 승강부(216)를 통합해서 웨이퍼 승강부라고 칭한다.
처리 용기(202)의 덮개부(203)이며, 각각의 기판 적재면(211a 내지 211d)과 대향하는 위치에는, 가스 분산 기구로서의 가스 분산 구조(230(230a, 230b, 230c, 230d))가 각각 마련되어 있다. 상방으로부터 보면, 도 3에 도시한 바와 같이, 4개의 가스 분산 구조(230)가 배치된다. 가스 분산 구조(230)는 덮개부(203)에 지지된다.
도 3에 도시한 바와 같이, 각각의 가스 분산 구조(230)에는, 가스 도입 구멍이 마련된다. 구체적으로는, 가스 분산 구조(230a)에는 가스 도입 구멍(231a)이, 가스 분산 구조(230b)에는 가스 도입 구멍(233b)이, 가스 분산 구조(230c)에는 가스 도입 구멍(231c)이, 가스 분산 구조(230d)에는 가스 도입 구멍(233d)이 마련된다. 가스 도입 구멍(231a, 231c)은 후술하는 제1 가스 공급관(311)과 연통된다. 가스 도입 구멍(233b, 233d)은 후술하는 공통 가스 공급관(341)과 연통된다. 또한, A-A'선에 있어서의 종단면도가 도 1에 상당한다.
가스 분산 구조(230a 내지 230d)와 기판 적재면(211a 내지 211d)의 사이의 공간을, 처리 공간(209(209a, 209b, 209c, 209d))이라고 칭한다. 본 양태에서는, 가스 분산 구조(230a)와 기판 적재면(211a)의 사이의 공간을 처리 공간(209a)이라고 칭한다. 가스 분산 구조(230b)와 기판 적재면(211b)의 사이의 공간을 처리 공간(209b)이라고 칭한다. 가스 분산 구조(230c)와 기판 적재면(211c)의 사이의 공간을 처리 공간(209c)이라고 칭한다. 가스 분산 구조(230d)와 기판 적재면(211d)의 사이의 공간을 처리 공간(209d)이라고 칭한다.
또한, 처리 공간(209)을 구성하는 구조를 처리실(201)이라고 칭한다. 본 양태에서는, 처리 공간(209a)을 구성하고, 적어도 가스 분산 구조(230a)와 베이스(210a)를 갖는 구조를 처리실(201a)이라고 칭한다. 처리 공간(209b)을 구성하고, 적어도 가스 분산 구조(230b)와 베이스(210b)를 갖는 구조를 처리실(201b)이라고 칭한다. 처리 공간(209c)을 구성하고, 적어도 가스 분산 구조(230c)와 베이스(210c)를 갖는 구조를 처리실(201c)이라고 칭한다. 처리 공간(209d)을 구성하고, 적어도 가스 분산 구조(230d)와 베이스(210d)를 갖는 구조를 처리실(201d)이라고 칭한다.
여기에서는, 처리실(201a)은, 적어도 가스 분산 구조(230a)와 베이스(210a)를 갖는다고 기재했지만, 웨이퍼(100)를 처리하는 처리 공간(209)을 구성하는 구조이면 되며, 가스 분산 구조(230) 등을 갖는 구조에 한정되는 것은 아니다. 다른 처리실(201b 내지 201d)도 마찬가지이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 베이스(210a 내지 210d)는, 회전축(221)을 중심으로 해서 둘레 형상으로 배치된다. 회전축(221) 상에는, 기판 적재면(예를 들어, 기판 적재면(211a))에 적재된 웨이퍼(100)의 하면을 지지하고, 인접하는 기판 적재면(예를 들어, 기판 적재면(211b))으로 반송하는, 로테이션 암(222)이 설치되어 있다. 본 양태에서는, 4개의 로테이션 암(222)은 회전축(221)에 설치되어 있다.
회전축(221)은 처리 용기(202)의 저부(204)를 관통하도록 구성되어 있다. 처리 용기(202)의 외측이며, 로테이션 암(222)과 다른 측에는 로테이션 암 승강 회전부(이하, 「암 승강부」라고 약칭하는 경우가 있음)(223)가 마련되어 있다. 암 승강 회전부(223)는, 회전축(221)을 승강, 회전시킴으로써, 로테이션 암(222)을 승강, 회전시킨다. 회전 방향은, 예를 들어 도 2에서의 화살표(225)의 방향(시계 방향)이다.
또한, 본 양태에서는, 로테이션 암(222)을 승강시키는 기능, 회전시키는 기능을 갖는 것을 암 승강 회전부라고 칭했지만, 어느 기능을 독립적으로 갖게 하는 구성으로 해도 된다. 그 경우, 암 회전부나 암 승강부라고 칭한다. 또한, 양쪽 혹은 어느 기능을 갖고 있는 구성의 경우, 암 제어부라고도 칭한다.
로테이션 암(222)의 구체적인 구성 및 동작에 대해서는 후술한다.
(배기계)
처리 용기(202)의 분위기를 배기하는 배기계(260)를 설명한다. 배기계(260)는, 각각의 처리 공간(209(209a 내지 209d))에 대응하도록 마련되어 있다(도 1 참조). 예를 들어, 처리 공간(209a)은 배기계(260a), 처리 공간(209b)은 배기계(260b), 처리 공간(209c)은 배기계(260c), 처리 공간(209d)은 배기계(260d)가 대응한다.
배기계(260)는, 처리 용기(202)에 마련된 배기 구멍(261(261a, 261b, 261c, 261d))과 연통하는 배기관(262(262a, 262b, 262c, 262d))을 갖고, 나아가 배기관(262)에 마련된 APC(Auto Pressure Controller)(266(266a, 266b, 266c, 266d))를 갖는다. APC(266)는 개방도 조정 가능한 밸브체(도시하지 않음)를 갖고, 컨트롤러(280)로부터의 지시에 따라서 배기관(262)의 컨덕턴스를 조정한다. 또한, 배기관(262)에 있어서 APC(266)의 상류측에는 밸브(267(267a, 267b, 267c, 267d))가 마련된다. 배기관(262), 밸브(267), APC(266)를 통합해서 배기계(260)라고 칭한다.
배기관(262)의 하류에는, DP(Dry Pump)(269(269a, 269b, 269c, 269d))가 마련된다. DP(269)는, 배기관(262)을 통해서 처리실(201)의 분위기를 배기한다. 본 실시 형태에서는 DP(269)를 배기계(260)마다 마련했지만, 그것에 한정하는 것은 아니며, 각 배기계에 공통되게 해도 된다.
(제1 가스 공급부)
도 5를 사용하여, 가스 도입 구멍(231a, 231c)에 연통되는 제1 가스 공급부(300)를 설명한다.
가스 도입 구멍(231a, 231c)과 공통 가스 공급관(301)이 연통하도록, 가스 분산 구조(230a, 230c)는, 밸브(302a, 302c), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(303a, 303c)를 통해서 공통 가스 공급관(301)에 접속된다. 각 처리실(201a, 201c)에의 가스 공급량은, 밸브(302a, 302c), MFC(303a, 303c)를 사용해서 조정된다. 공통 가스 공급관(301)에는, 제1 가스 공급관(311), 제2 가스 공급관(321)이 접속되어 있다.
제1 가스 공급관(311)에는, 상류 방향으로부터 차례로, 제1 가스원(312), MFC(313) 및 개폐 밸브인 밸브(314)가 마련되어 있다.
제1 가스원(312)은, 제1 원소를 함유하는 제1 가스(「제1 원소 함유 가스」라고도 칭함)원이다. 제1 원소 함유 가스는, 원료 가스, 즉, 처리 가스의 하나이다. 여기서, 제1 원소는 실리콘(Si)이다. 즉, 제1 원소 함유 가스는, Si 함유 가스이다. 구체적으로는, Si 함유 가스로서, 디클로로실란(SiH2Cl2, DCS라고도 칭함)이나 헥사클로로디실란(Si2Cl6, HCDS라고도 칭함) 가스가 사용된다.
주로, 제1 가스 공급관(311), MFC(313), 밸브(314)에 의해, 제1 가스 공급계(310)(Si 함유 가스 공급계라고도 함)가 구성된다.
제2 가스 공급관(321)에는, 상류 방향으로부터 차례로, 제2 가스원(322), MFC(323) 및 밸브(324)가 마련되어 있다.
제2 가스원(322)은, 제2 원소를 함유하는 제2 가스(이하, 「제2 원소 함유 가스」라고도 칭함)원이다. 제2 원소 함유 가스는, 처리 가스의 하나이다. 또한, 제2 원소 함유 가스는, 반응 가스로서 생각해도 된다.
여기서, 제2 원소 함유 가스는, 제1 원소와 다른 제2 원소를 함유한다. 제2 원소는, 예를 들어 산소(O)이다. 본 양태에서는, 제2 원소 함유 가스는, 예를 들어 O 함유 가스이다. 구체적으로는, O 함유 가스로서, 오존(O3) 가스가 사용된다.
주로, 제2 가스 공급관(321), MFC(323), 밸브(324)에 의해, 제2 가스 공급계(320)(반응 가스 공급계라고도 함)가 구성된다.
제1 가스 공급계, 제2 가스 공급계의 어느 것, 혹은 그 조합을 제1 가스 공급부(300)라고 칭한다.
(제2 가스 공급부)
도 6을 사용하여, 가스 도입 구멍(233b, 233d)에 연통되는 제2 가스 공급부(340)를 설명한다.
가스 도입 구멍(233b, 233d)과 공통 가스 공급관(341)이 연통하도록, 가스 분산 구조(230b, 230d)는, 밸브(342b, 342d), MFC(343b, 343d)를 통해서 공통 가스 공급관(341)에 접속된다. 각 처리실(201b, 201d)에의 가스 공급량은, 밸브(342b, 342d), MFC(343b, 343d)를 사용해서 조정된다. 공통 가스 공급관(341)에는, 제3 가스 공급관(351), 제4 가스 공급관(361)이 접속되어 있다.
제3 가스 공급관(351)에는, 상류 방향으로부터 차례로, 제3 가스원(352), MFC(353) 및 밸브(354)가 마련되어 있다.
제3 가스원(352)은 제1 원소 함유 가스원이다. 제1 가스원(312)과 마찬가지로, Si계 가스가 사용된다. 제3 가스원(352)은 제1 가스원(312)과 공유해도 된다.
주로, 제3 가스 공급관(351), MFC(353), 밸브(354)에 의해, 제3 가스 공급계(350)(Si 함유 가스 공급계라고도 함)가 구성된다.
제4 가스 공급관(361)에는, 상류 방향으로부터 차례로, 제4 가스원(362), MFC(363) 및 밸브(364)가 마련되어 있다.
제4 가스원(362)은, 제3 원소를 함유하는 제3 가스(이하, 「제3 원소 함유 가스」라고도 칭함)원이다. 제3 원소 함유 가스는, 처리 가스의 하나이다. 제3 원소 함유 가스는, 반응 가스로서 생각해도 된다.
여기서, 제3 원소 함유 가스는, 제2 원소와 다른 제3 원소를 함유한다. 제3 원소는, 예를 들어 질소(N)이다. 본 양태에서는, 제2 원소 함유 가스는, 예를 들어 N 함유 가스이다. 구체적으로는, N 함유 가스로서, 암모니아(NH3) 가스가 사용된다.
주로, 제4 가스 공급관(361), MFC(363), 밸브(364)에 의해, 제4 가스 공급계(360)(반응 가스 공급계라고도 함)가 구성된다.
또한, 제3 가스 공급계, 제4 가스 공급계의 어느 것, 혹은 그 조합을 제2 가스 공급부(340)라고 칭한다.
또한, 제1 가스 공급부(300)와 제2 가스 공급부(340)를 통합하여, 단순히 가스 공급부라고 칭해도 된다.
(컨트롤러)
기판 처리 장치(200)는, 기판 처리 장치(200)의 각 부의 동작을 제어하는 컨트롤러(280)를 갖고 있다. 컨트롤러(280)는 도 7에 기재된 바와 같이, 연산부(CPU)(280a), 일시 기억부(RAM)(280b), 기억부(280c), I/O 포트(280d)를 적어도 갖는다. 컨트롤러(280)는, I/O 포트(280d)를 통해서 기판 처리 장치(200)의 각 구성에 접속되어, 상위 장치(270)나 사용자의 지시에 따라서 기억부(280c)로부터 프로그램이나 레시피를 호출하고, 그 내용에 따라 각 구성의 동작을 제어한다.
송수신 제어는, 예를 들어 CPU(280a) 내의 송수신 지시부(280e)가 행한다. 또한, 컨트롤러(280)는 전용의 컴퓨터로서 구성해도 되고, 범용의 컴퓨터로서 구성해도 된다. 예를 들어, 상술한 프로그램을 저장한 외부 기억 장치(예를 들어, 자기 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리)(282)를 준비하여, 외부 기억 장치(282)를 사용해서 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨함으로써, 본 양태에 따른 컨트롤러(280)를 구성할 수 있다.
또한, 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은, 외부 기억 장치(282)를 통해서 공급하는 경우에 제한하지 않는다. 예를 들어, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용해도 되고, 상위 장치(270)로부터 수신부(283)를 통해서 정보를 수신하여, 외부 기억 장치(282)를 통하지 않고 프로그램을 공급하도록 해도 된다. 또한, 키보드나 터치 패널 등의 입출력 장치(281)를 사용하여, 컨트롤러(280)에 지시를 해도 된다.
또한, 기억부(280c)나 외부 기억 장치(282)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여, 단순히 기록 매체라고도 한다. 또한, 본 명세서에서 기록 매체라는 말을 사용한 경우에는, 기억부(280c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(282) 단체만을 포함하는 경우, 또는, 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다.
(2) 기판 처리 공정
이어서, 반도체 제조 공정의 일 공정으로서, 상술한 구성의 기판 처리 장치(200)를 사용하여, 웨이퍼(100)에 대한 처리를 행하는 기판 처리 공정에 대해서 설명한다. 여기에서는, 기판 처리 공정으로서, 도 8에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(100) 상에 절연막(102)과 희생막(112)을 교대로 적층하는 경우를 예로 든다. 도 9는, 웨이퍼(100) 상에 절연막(102)과 희생막(112)을 적층하기 위한 플로우이다. 이하의 설명에서, 각 부의 동작은 컨트롤러(280)에 의해 제어된다.
(제1 절연막 형성 공정: S02)
소정의 처리 공간(209)에 있어서, 웨이퍼(100)를 소정의 온도로 유지함과 함께, Si 함유 가스와 O 함유 가스를 웨이퍼(100) 상에 공급한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(100) 상에 절연막(102)(1)으로서의 SiO막이 형성된다.
(제1 희생막 형성 공정: S04)
소정의 처리 공간(209)에 있어서, 웨이퍼(100)를 소정의 온도로 유지함과 함께, Si 함유 가스와 N 함유 가스를 웨이퍼(100) 상에 공급한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(100) 상에 희생막(112)(1)으로서의 SiN막이 형성된다.
(제2 절연막 형성 공정: S06)
소정의 처리 공간(209)에 있어서, 웨이퍼(100)를 소정의 온도로 유지함과 함께, Si 함유 가스와 O 함유 가스를 웨이퍼(100) 상에 공급한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(100) 상에 절연막(102)(2)으로서의 SiO막이 형성된다.
(제2 희생막 형성 공정: S08)
소정의 처리 공간(209)에 있어서, 웨이퍼(100)를 소정의 온도로 유지함과 함께, Si 함유 가스와 N 함유 가스를 웨이퍼(100) 상에 공급한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(100) 상에 희생막(112)(2)으로서의 SiN막이 형성된다.
(판정 공정: S10)
제1 절연막 형성 공정 S02부터 제2 희생막 형성 공정 S08까지의 조합을 소정 횟수 행하였는지 여부를 판단한다. 즉, 절연막(102)과 희생막(112)이 소정층 형성되었는지 여부를 판단한다. 예를 들어, 절연막(102)과 희생막(112)의 합계 총 수의 원하는 수가 16층일 경우에는, 상술한 조합이 4회 반복되었는지 여부를 판단한다.
소정 횟수 행했다고 판단되면, 기판 처리 장치(200)에서의 처리를 종료하고, 소정 횟수 행하지 않았다고 판단되면, 제1 절연막 형성 공정(S02)으로 진행된다.
(3) 로테이션 암에 대해서
상술한 바와 같이, 로테이션 암(222)은, 기판 적재면(예를 들어, 기판 적재면(211a))에 적재된 웨이퍼(100)를 지지하여, 인접하는 기판 적재면(예를 들어, 기판 적재면(211b))으로 반송한다.
본 양태에서는, 로테이션 암(222)이 반송하는 웨이퍼(100)에는 SiO막과 SiN막이 적층된다. 일반적으로, SiO막은 압축 응력이 높고, SiN막은 인장 응력이 높은 것으로 알려져 있다. 즉, SiO막과 SiN막은, 막응력에 관해서 역의 특성을 갖는다. 이러한 응력의 성질은, 막이 가열되었을 경우에 현저해진다.
상술한 기판 처리 공정에서는, SiO막으로 구성되는 절연막(102)의 형성과 SiN막으로 구성되는 희생막(112)의 형성을 반복하는데, 일부 막에서는 절연막(102)과 희생막(112)이 동시에 존재한 상태에서 웨이퍼(100)를 가열 처리한다. 예를 들어, 희생막(112)(8)을 형성할 때(도 9 참조), SiN막을 형성하는 온도로 웨이퍼(100)를 가열한다. 그때, 희생막(112)(8)보다도 하방에 마련된 절연막(102(1) 내지 102(8))은 압축 응력이 높아지고, 희생막(112(1) 내지 112(7))은 인장 응력이 높아진다. 따라서, 절연막(102)과 희생막(112)의 사이에서 응력 차가 발생한다. 그 결과, 웨이퍼(100)가 변형되어버리는 경우가 있다.
예를 들어, 변형된 웨이퍼(100)를 반송할 때, 종래의 수평 자세의 막대 부재에 의해 형성된 로테이션 암에서는, 웨이퍼(100)를 낙하시킬 우려가 있다.
본건 개시자는, 웨이퍼(100)의 변형은, 기판 처리 공정에서의 다양한 조건에 대응해서 랜덤으로 발생하는 경우가 있으므로, 종래의 로테이션 암으로는, 지지부와 웨이퍼(100)의 접촉 방향을 규제할 수 없다는 지견을 얻었다.
이 지견에 기초하여, 본건 개시자는, 지지부와 웨이퍼(100)의 접촉 방향을 규제함으로써, 웨이퍼(100)의 낙하를 방지할 수 있다는 착상을 얻어, 변형 유무에 관계없이 웨이퍼(100)를 안정되게 반송하는 로테이션 암(222)을 완성시켰다. 이하에, 로테이션 암(222)의 구체적인 구성 및 동작에 대해서 설명한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 로테이션 암(222)은, 평면으로 보아, 직선형의 막대 부재가 복수의 모퉁이부를 갖고 연속하도록 형성되어 있다. 이 복수의 모퉁이부 근방에 의해, 웨이퍼(100)를 지지할 수 있도록 구성되어 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 로테이션 암(222)은, 웨이퍼(100)를 지지하는 지지부(222a)와, 만곡부(222b)를 갖고 있다. 도 10의 (a) 내지 도 10의 (c)에 도시하는 바와 같이, 지지부(222a)는, 측면으로 보아, 회전축(221) 근방으로부터 하방으로 경사를 갖고 구성되어 있다. 본 양태에서는, 지지부(222a)는 그 일부가 경사져 있고, 그 경사의 구배는 일률적으로 구성되어 있다. 로테이션 암(222)이 웨이퍼(100)를 반송함에 있어서, 지지부(222a)는, 경사의 상단측이 웨이퍼(100)의 단 에지 근방에 위치한 상태에서 웨이퍼(100)를 지지하도록 구성되어 있다(도 10의 (a) 내지 도 10의 (c) 참조). 또한, 만곡부(222b)는, 지지부(222a)의 하단 부분에, 상방을 향해서 만곡되어 마련되어 있다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(100)가 기판 적재면(211) 상에 적재되어 있을 때는, 4개의 로테이션 암(222)은, 인접하는 처리 공간(209)과 처리 공간(209)의 사이에 있고, 저부(204) 부근에 있는, 4개의 퇴피 공간(Y)에 각각 퇴피하고 있다.
기판 적재면(211) 상에 적재되어 있는 웨이퍼(100)를, 인접하는 기판 적재면(211)으로 반송할 때는, 도 4에 도시한 바와 같이, 리프트 핀(207)이 상승함으로써, 각 기판 적재면(211a 내지 211d)에 적재되어 있던 웨이퍼(100)가 각각 리프트 핀(207) 상에 적재된다.
4개의 로테이션 암(222)은 각각, 퇴피 공간(Y)으로부터 상승하여, 시계 방향으로 45° 회전함으로써 웨이퍼(100)의 하방에 배치된다. 이때, 지지부(222a)는, 지지부(222a)의 경사의 상단측이 웨이퍼(100)의 단 에지 근방에 위치한 상태에서 웨이퍼(100)를 지지한다. 그 후, 리프트 핀(207)이 하강함으로써, 로테이션 암(222)의 지지부(222a) 상에 웨이퍼(100)가 이동 탑재된다. 또한, 로테이션 암(222)은, 웨이퍼(100)를 지지한 상태에서, 예를 들어 시계 방향으로 90° 회전함으로써, 웨이퍼(100)를 인접하는 기판 적재면(211)의 상방으로 반송한다. 그 후, 리프트 핀(207)이 상승함으로써, 로테이션 암(222)에 지지되어 있던 웨이퍼(100)가 각각 리프트 핀(207) 상에 적재된다. 4개의 로테이션 암(222)은 각각, 시계 방향으로 45° 회전한 후, 퇴피 공간(Y)으로 하강한다. 그 후, 리프트 핀(207)이 하강함으로써, 리프트 핀(207) 상에 적재되어 있던 웨이퍼(100)가 각 기판 적재면(211a 내지 211d)에 적재된다(도 2 참조).
로테이션 암(222)은, 지지부(222a)가 경사를 갖고 구성되어 있다. 따라서, 변형된 웨이퍼(100)이어도, 로테이션 암(222)이 지지할 때는, 먼저, 지지부(222a)의 경사의 상단측이 웨이퍼(100)의 단 에지 근방을 지지한다(도 10의 (a), 도 10의 (b) 참조). 그 후, 경사의 상단측과 웨이퍼(100)의 단 에지 근방을 접촉 개시점으로 해서, 접촉 개시점에서의 접촉을 유지한 채, 경사의 하측을 향해서 지지부(222a)와 웨이퍼(100)의 하면의 접촉점을 증가시킬 수 있다(도 10의 (c) 참조). 이와 같이, 로테이션 암(222)은, 지지부(222a)와 웨이퍼(100)의 접촉 방향을 규제할 수 있으므로, 웨이퍼(100)를 지지했을 때의 웨이퍼(100)의 덜걱거림을 억제할 수 있어, 웨이퍼(100)의 낙하를 억제할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 로테이션 암(222)은, 지지부(222a)의 하단 부분에, 상방을 향해서 만곡되는 만곡부(222b)를 갖고 구성되어 있다. 도 11에 도시한 바와 같이, 만곡부(222b)는, 지지부(222a)의 하단 부분으로부터 상방을 향해서 점점 올라가도록 만곡된 만곡 부분(W)을 갖고 있다.
이 만곡 부분(W)이, 만곡부(222b)로 이동하는 웨이퍼(100)의 이동 저항으로 되어, 만곡부(222b)에의 웨이퍼(100)의 이동을 제한할 수 있다. 구체적으로는, 로테이션 암(222)이 웨이퍼(100)를 반송할 때, 웨이퍼(100)에 원심력이 가해져 지지부(222a)로부터 떨어지려 해도, 만곡 부분(W)에 의해, 만곡부(222b)에의 웨이퍼(100)의 이동을 제한할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(100)의 낙하를 보다 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 도 12에 기재된 바와 같이, 만곡부(222b)는, 웨이퍼(100)의 외주 측벽부(C)에 접촉하지 않는 곡률 반경을 갖고 있다. 여기서, 웨이퍼(100)의 외주 측벽부(C)란, 웨이퍼(100)의 상면 및 하면 이외의 외주 부분을 말한다. 웨이퍼(100)는, 반도체 장치의 제조 공정의 과정에서, 외주 측벽부가 모따기되는데, 가공 정밀도의 변동에 의해, 모따기 후의 외주 측벽부의 형상은 고유 차가 커서, 다각형상, 직선형 등을 형성하는 경우도 있으며, 도 12에 도시하는 바와 같이, R 형상을 형성하는 경우도 있다.
만곡부(222b)가, 웨이퍼(100)의 외주 측벽부(C)에 접촉하지 않는 곡률 반경을 갖는 일례로서, 만곡부(222b)에서의 만곡 부분(W)의 곡률 반경이, 웨이퍼(100)의 하면 근방에서의 외주 측벽부(C)의 곡률 반경보다도 큰 경우를 예로 들어 설명한다(도 12의 (a) 참조).
상술한 바와 같이, 웨이퍼(100)의 반송 시에 있어서는, 만곡 부분(W)에 의해, 만곡부(222b)에의 웨이퍼(100)의 이동을 제한할 수 있다. 또한, 만곡 부분(W)의 만곡은, 웨이퍼(100)의 하면 근방에서의 외주 측벽부(C)의 만곡보다도 완만하므로, 외주 측벽부(C)가 만곡부(222b)의 구성면에 접촉하는 것을 회피할 수 있다(도 12의 (b) 참조). 따라서, 웨이퍼(100)의 외주 측벽부(C)에 부착되어 있는 잉여 막의 박리를 피할 수 있으므로, 처리실(201) 내에 파티클을 발생시키는 것을 방지할 수 있다.
또한, 로테이션 암(222)이 웨이퍼(100)를 지지할 때, 웨이퍼(100)의 외주 측벽부(C)에서의 가장 만곡부(222b)측으로 돌출되어 있는 부분(E)의 위치는, 만곡부(222b)의 선단부(D)의 위치보다도 상방에 있도록 구성되어 있다(도 13의 (a) 참조). 이에 의해, 웨이퍼(100)의 반송 시에, 웨이퍼(100)가 만곡부(222b)로 이동하는 경우가 있다고 해도, 만곡부(222b)의 선단부(D)가 외주 측벽부(C)의 돌출 부분(E)에 접촉하는 것을 회피할 수 있다(도 13의 (b) 참조).
외주 측벽부(C)에 있어서, 가장 잉여 막이 부착되어 있는 곳은 돌출 부분(E) 주변이다. 또한, 만곡부(222b)에 있어서, 가장 잉여 막을 박리하는 곳은 선단부(D)이다. 따라서, 웨이퍼(100)가 만곡부(222b)로 이동했다고 해도, 선단부(D)의 돌출 부분(E)에의 접촉을 회피함으로써, 잉여 막의 박리를 최소한으로 억제할 수 있다.
또한, 로테이션 암(222)에서의 만곡부(222b)의 선단(F)의 위치와, 로테이션 암(222)의 타단의 위치(G)는, 소정의 범위의 차가 되도록 구성되어 있다(도 14 참조). 소정의 범위의 차란, 웨이퍼(100)에 상정할 수 있는 최대 변형이 생긴 경우에도, 지지부(222a)의 경사의 상단측이 웨이퍼(100)의 단 에지 근방에 위치한 상태에서 웨이퍼(100)를 지지할 수 있는 최소 경사를, 지지부(222a)가 갖고 있을 때의, 선단(F)의 위치와 타단(G)의 위치의 차를 말한다. 즉, 웨이퍼(100)에 상정할 수 있는 최대 변형이 생긴 경우에도, 웨이퍼(100)를 지지했을 때, 웨이퍼(100)의 덜걱거림을 억제할 수 있는 최소 경사를, 지지부(222a)가 갖고 있을 때의, 선단(F)의 위치와 타단(G)의 위치의 차를 말한다.
상술한 바와 같이, 웨이퍼(100)의 반송 시에 있어서의 웨이퍼(100)의 덜걱거림 억제를 위해서, 로테이션 암(222)은 지지부(222a)가 경사를 갖고 구성되어 있다. 지지부(222a)가 경사를 갖고 있으므로, 종래의 수평 자세의 로테이션 암과 비교하면, 웨이퍼(100)의 비적재 상태로부터 적재 상태까지의 로테이션 암(222)의 상하 방향의 이동 공간이 커져버린다.
로테이션 암(222)의 상하 방향의 이동 공간이 커지면, 처리실(201) 내에서의 로테이션 암(222)의 이동 공간의 높이(H)(도 4 참조)도 커져버린다. 로테이션 암(222)의 이동 공간의 높이(H)가 커지면, 각 처리 공간(209a 내지 209d)에서의 처리 가스 등이 혼합되어버려, 상술한 기판 처리 공정에 문제가 생겨버린다.
본 양태에서는, 처리 가스 등의 혼합을 회피하기 위해서, 만곡부(222b)의 선단(F)의 위치와, 로테이션 암(222)의 타단(G)의 위치의 차가 상술한 범위로 되도록 하였다. 즉, 본 양태의 로테이션 암(222)에 의하면, 처리실(201) 내에서의 로테이션 암(222)의 이동 공간의 높이(H)를 최소한으로 억제할 수 있으므로, 각 처리 공간(209a 내지 209d) 내의 압력을 높여서, 각각의 가스를 분리할 수 있어, 적절하게 처리하는 것이 가능하게 된다.
(4) 본 양태에 따른 효과
본 양태에 의하면, 이하에 나타내는 1개 또는 복수의 효과를 발휘한다.
(a) 본 양태의 로테이션 암(222)은, 지지부(222a)가 경사를 갖고 구성되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼(100)의 반송 시에 있어서, 로테이션 암(222)이 변형된 웨이퍼(100)를 지지할 때, 지지부(222a)와 웨이퍼(100)의 접촉 방향을 규제할 수 있으므로, 웨이퍼(100)를 지지했을 때의 웨이퍼(100)의 덜걱거림을 억제할 수 있다. 결과로서, 로테이션 암(222)은 웨이퍼(100)의 낙하를 방지할 수 있다.
(b) 본 양태에서는, 로테이션 암(222)이 웨이퍼(100)를 지지할 때, 경사의 상단측이 웨이퍼(100)의 단 에지 근방에 위치한 상태에서 웨이퍼(100)를 지지하도록 구성되어 있다. 이에 의해, 경사의 상단측과 웨이퍼(100)의 단 에지 근방을 접촉 개시점으로 하여, 접촉 개시점에서의 접촉을 유지한 채, 경사의 하측을 향해서 지지부(222a)와 웨이퍼(100)의 하면의 접촉점을 증가시킬 수 있다. 이와 같이, 로테이션 암(222)은, 지지부(222a)와 웨이퍼(100)의 접촉 방향을 규제할 수 있으므로, 웨이퍼(100)를 지지했을 때의 웨이퍼(100)의 덜걱거림을 억제할 수 있다. 결과로서, 로테이션 암(222)은 웨이퍼(100)의 낙하를 확실하게 억제할 수 있다.
(c) 본 양태의 로테이션 암(222)은, 지지부(222a)의 하단 부분에, 상방을 향해서 만곡되는 만곡부(222b)를 갖고 구성되어 있다. 만곡부(222b)는, 지지부(222a)의 하단 부분으로부터 상방을 향해서 점점 올라가도록 만곡된 만곡 부분(W)을 갖고 있다(도 11 참조). 이 만곡 부분(W)이, 만곡부(222b)로 이동하는 웨이퍼(100)의 이동 저항으로 되어, 만곡부(222b)에의 웨이퍼(100)의 이동을 제한할 수 있다. 이에 의해, 로테이션 암(222)은 웨이퍼(100)의 낙하를 확실하게 억제할 수 있다.
(d) 본 양태에서는, 로테이션 암(222)의 만곡부(222b)는, 웨이퍼(100)의 외주 측벽부(C)에 접촉하지 않는 곡률 반경을 갖도록 구성되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼(100)의 반송 시에 있어서, 외주 측벽부(C)가 만곡부(222b)의 구성면에 접촉하는 것을 회피할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(100)의 외주 측벽부(C)에 부착되어 있는 잉여 막의 박리를 피할 수 있으므로, 처리실(201) 내에 파티클을 발생시키는 것을 방지할 수 있다.
(e) 본 양태에서는, 로테이션 암(222)이 웨이퍼(100)를 지지할 때, 외주 측벽부(C)에서의 가장 상기 만곡부측으로 돌출되어 있는 부분(E)의 위치는, 만곡부(222b)의 선단부(D)의 위치보다도 상방에 있도록 구성되어 있다. 이에 의해, 로테이션 암(222)에 의한 웨이퍼(100)의 반송 시에 있어서, 만곡부(222b)의 선단부(D)가 외주 측벽부(C)의 돌출 부분(E)에 접촉하는 것을 회피할 수 있다. 웨이퍼(100)가 만곡부(222b)로 이동했다고 해도, 선단부(D)의 돌출 부분(E)에의 접촉을 회피함으로써, 잉여 막의 박리를 최소한으로 억제할 수 있다.
(f) 본 양태에서는, 로테이션 암(222)에서의 만곡부(222b)의 선단(F)의 위치와, 로테이션 암(222)의 타단 위치(G)는, 소정의 범위의 차가 되도록 구성되어 있다. 이에 의해, 처리실(201) 내에서의 로테이션 암(222)의 이동 공간의 높이(H)를 최소한으로 억제할 수 있으므로, 각 처리 공간(209a 내지 209d) 내의 압력을 높여서, 각각의 가스를 분리할 수 있어, 적절하게 처리하는 것이 가능하게 된다(도 14 참조).
<본 개시의 다른 양태>
이상으로, 본 개시의 양태를 구체적으로 설명했지만, 본 개시가 상술한 양태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경이 가능하다.
(a) 상술한 양태에서는, 지지부(222a)는, 회전축(221)측으로부터 하방으로 경사를 갖고 구성되어 있는 것을 예로 들었지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 지지부(222a)가 회전축(221)측으로부터 상방으로 경사를 갖고 구성되어 있어도 된다. 이 경우에도, 로테이션 암(222)은, 웨이퍼(100)를 지지했을 때의 웨이퍼(100)의 덜걱거림을 억제하여, 웨이퍼(100)의 낙하를 방지할 수 있다.
(b) 또한, 상술한 양태에서는, 지지부(222a)는, 그 일부가 경사지고, 그 경사 구배는 일률적으로 구성되어 있는 것을 예로 들었지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 지지부(222a)는, 전체가 경사져서 구성되어 있어도 되고, 경사 구배가 변화되도록 구성되어 있어도 된다. 지지부(222a)의 전체가 경사질 경우에는, 지지부(222a)의 상단과 경사의 상단이 일치한다. 이러한 경우에도, 로테이션 암(222)은, 웨이퍼(100)를 지지했을 때의 웨이퍼(100)의 덜걱거림을 억제하여, 웨이퍼(100)의 낙하를 방지할 수 있다.
(c) 또한, 상술한 양태에서는, 지지부(222a)는, 평면으로 보아, 직선형의 막대 부재가 복수의 모퉁이부를 갖고 연속하도록 형성되어 있는 것을 예로 들었지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 지지부(222a)는, 웨이퍼(100)를 지지하는 영역을 갖고 있으면, 평면으로 보아, 곡선형으로 형성되어 있어도 된다. 이 경우에도, 로테이션 암(222)은, 웨이퍼(100)를 지지했을 때의 웨이퍼(100)의 덜걱거림을 억제하여, 웨이퍼(100)의 낙하를 방지할 수 있다.
(d) 또한, 상술한 양태에서는, 로테이션 암(222)을 예로 들어 설명했지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 로봇 암(240)이 상술한 구성을 갖고 있어도 된다. 이 경우에도, 로봇 암(240)은, 웨이퍼(100)를 지지했을 때의 웨이퍼(100)의 덜걱거림을 억제하여, 웨이퍼(100)의 낙하를 방지할 수 있다.
(e) 또한, 상술한 양태에서는, 웨이퍼(100)의 반송 시에 있어서, 외주 측벽부(C)에 부착되어 있는 잉여 막의 박리를 회피하는 구성으로서, 만곡부(222b)가, 외주 측벽부(C)에 접촉하지 않는 곡률 반경을 갖고 있는 경우와, 외주 측벽부(C)의 돌출 부분(E)의 위치가, 만곡부(222b)의 선단부(D)의 위치보다도 상방에 있는 경우를 예로 들어 설명하였다. 이것은, 2개의 경우가 다 갖추어졌을 때만 효과를 발휘하는 것을 나타내는 것은 아니다. 어느 한쪽의 경우를 충족하면 효과를 발휘하는 것이다.
(f) 또한, 상술한 양태에서는, 웨이퍼(100)가 변형되는 원인으로서, 적층막에서의 절연막(102)(SiO막)과 희생막(112)(SiN막)의 사이에서 생기는 응력 차를 예로 들어 설명했지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 웨이퍼(100)에 대하여 가열이 불균일하게 행해진 경우도 웨이퍼(100)가 변형되는 원인이 될 수 있다. 즉, 발생 원인을 막론하고, 변형이 생긴 웨이퍼(100)에 대해서는, 상술한 양태에서 설명한 로테이션 암(222)의 적용에 의해, 웨이퍼(100)를 지지했을 때의 웨이퍼(100)의 덜걱거림을 억제하여, 웨이퍼(100)의 낙하를 방지할 수 있다.
(g) 또한, 상술한 양태에서는, 웨이퍼(100) 상에 SiO막과 SiN막의 적층막이 형성되는 경우를 예로 들어 설명했지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 웨이퍼(100) 상에 SiO막, SiN막이 각각 단독으로 형성되어도 된다. 즉, 웨이퍼(100) 상에 형성된 막이 적층막인지 여부를 막론하고, 변형이 생긴 웨이퍼(100)에 대해서는, 상술한 양태에서 설명한 로테이션 암(222)의 적용에 의해, 웨이퍼(100)를 지지했을 때의 웨이퍼(100)의 덜걱거림을 억제하여, 웨이퍼(100)의 낙하를 방지할 수 있다.
(h) 또한, 상술한 양태에서는, 웨이퍼(100) 상에 SiO막이나 SiN막을 형성하는 것을 예로 들어 설명했지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 형성하는 막으로서는, 예를 들어 Ti 등의 금속 성분을 포함하는 막이어도 된다. 또한, Si나 금속 성분 등과 결합하는 것으로서 O나 N을 예로 들어 설명했지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 탄소나 다른 금속 등이어도 된다.
<본 개시의 바람직한 양태>
이하에, 본 개시의 바람직한 양태에 대해서 부기한다.
[부기 1]
본 개시의 일 양태에 의하면,
기판을 처리하는 처리실과,
상기 처리실 내에 가스를 공급하는 가스 공급부와,
상기 처리실 내에 배치되어, 기판을 적재하는 기판 적재면을 갖는 기판 적재부와,
상기 기판 적재면에 대하여, 기판의 하면을 지지해서 당해 기판을 반송하는 암
을 갖고,
상기 암은, 기판을 지지하는 지지부가 경사를 갖고 구성되어 있는,
기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 2]
바람직하게는,
상기 지지부는, 상기 경사의 상단측이 기판의 단 에지 근방에 위치한 상태에서 당해 기판을 지지하도록 구성되어 있는, 부기 1에 기재된 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 3]
바람직하게는,
상기 암은, 회전축에 설치되고,
상기 기판 적재부는, 상기 회전축을 중심으로 해서 둘레 형상으로 복수 배치되고,
상기 암은, 상기 회전축이 회전함으로써, 복수의 상기 기판 적재면의 사이에서 기판을 반송하는, 부기 1 또는 2에 기재된 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 4]
바람직하게는,
상기 암은, 상기 지지부의 하단 부분에, 상방을 향해서 만곡되는 만곡부를 더 갖고 구성되어 있는, 부기 1 내지 3 중 어느 한 양태에 기재된 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 5]
바람직하게는,
상기 만곡부는, 기판의 외주 측벽부에 접촉하지 않는 곡률 반경을 갖는, 부기 4에 기재된 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 6]
바람직하게는,
상기 암이 기판을 지지할 때, 상기 외주 측벽부에서의 가장 상기 만곡부측으로 돌출되어 있는 부분의 위치는, 상기 만곡부의 선단부의 위치보다도 상방에 있는, 부기 5에 기재된 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 7]
바람직하게는,
상기 암에서의 상기 만곡부의 선단의 위치와, 상기 암의 타단의 위치는, 소정의 범위의 차가 되도록 구성되어 있는, 부기 4 내지 6 중 어느 한 양태에 기재된 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 8]
본 개시의 다른 일 양태에 의하면,
처리실 내에서 기판을 처리하는 공정과,
가스 공급부로부터 상기 처리실 내에 가스를 공급하는 공정과,
상기 처리실 내에 배치되어, 기판을 적재하는 기판 적재면을 갖는 기판 적재부에 대하여, 기판의 하면을 지지해서 당해 기판을 반송하는 반송 공정
을 갖고,
기판을 지지하는 지지부가 경사를 갖고 구성되어 있는 암에 의해, 상기 반송 공정을 행하는
반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
[부기 9]
본 개시의 또 다른 일 양태에 의하면,
처리실 내에서 기판을 처리하는 수순과,
가스 공급부로부터 상기 처리실 내에 가스를 공급하는 수순과,
기판을 지지하는 지지부가 경사를 갖고 구성되어 있는 암에 의해, 상기 처리실 내에 배치되어, 기판을 적재하는 기판 적재면을 갖는 기판 적재부에 대하여, 기판의 하면을 지지해서 당해 기판을 반송하는 반송 수순
을 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램이 제공된다.

Claims (22)

  1. 기판을 처리하는 처리실과,
    상기 처리실 내에 가스를 공급하는 가스 공급부와,
    상기 처리실 내에 배치되어, 기판을 적재하는 기판 적재면을 갖는 기판 적재부와,
    상기 기판 적재면에 대하여 기판의 하면을 지지해서 당해 기판을 반송하는 암
    을 갖고,
    상기 암은, 기판을 지지하는 지지부가 경사를 갖고 구성되어 있는,
    기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지지부는, 상기 경사의 상단측이 기판의 단 에지 근방에 위치한 상태에서 당해 기판을 지지하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 암은, 회전축에 설치되고,
    상기 기판 적재부는, 상기 회전축을 중심으로 해서 둘레 형상으로 복수 배치되고,
    상기 암은, 상기 회전축이 회전함으로써, 복수의 상기 기판 적재면의 사이에서 기판을 반송하는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 암은, 상기 지지부의 하단 부분에, 상방을 향해서 만곡되는 만곡부를 더 갖고 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 만곡부는, 상기 기판의 외주 측벽부에 접촉하지 않는 곡률 반경을 갖는, 기판 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 암이 기판을 지지할 때, 상기 기판의 외주 측벽부에서의 가장 상기 만곡부측으로 돌출되어 있는 부분의 위치는, 상기 만곡부의 선단부의 위치보다도 상방에 있는, 기판 처리 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 암에서의 상기 만곡부의 선단의 위치와, 상기 암의 타단의 위치는, 소정의 범위의 차가 되도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 암은, 상기 지지부의 하단 부분에, 상방을 향해서 만곡되는 만곡부를 더 갖고 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 암은, 회전축에 설치되고,
    상기 기판 적재부는, 상기 회전축을 중심으로 해서 둘레 형상으로 복수 배치되고,
    상기 암은, 상기 회전축이 회전함으로써, 복수의 상기 기판 적재면의 사이에서 기판을 반송하는, 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 암은, 상기 지지부의 하단 부분에, 상방을 향해서 만곡되는 만곡부를 더 갖고 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 만곡부는, 상기 기판의 외주 측벽부에 접촉하지 않는 곡률 반경을 갖는, 기판 처리 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 암이 기판을 지지할 때, 상기 기판의 외주 측벽부에서의 가장 상기 만곡부측으로 돌출되어 있는 부분의 위치는, 상기 만곡부의 선단부의 위치보다도 상방에 있는, 기판 처리 장치.
  13. 제10항에 있어서, 상기 암에서의 상기 만곡부의 선단의 위치와, 상기 암의 타단의 위치는, 소정의 범위의 차가 되도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 암은, 상기 지지부의 하단 부분에, 상방을 향해서 만곡되는 만곡부를 더 갖고 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 만곡부는, 상기 기판의 외주 측벽부에 접촉하지 않는 곡률 반경을 갖는, 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 암이 기판을 지지할 때, 상기 외주 측벽부에서의 가장 상기 만곡부측으로 돌출되어 있는 부분의 위치는, 상기 만곡부의 선단부의 위치보다도 상방에 있는, 기판 처리 장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 암에서의 상기 만곡부의 선단의 위치와, 상기 암의 타단의 위치는, 소정의 범위의 차가 되도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  18. 제14항에 있어서, 상기 암이 기판을 지지할 때, 상기 기판의 외주 측벽부에서의 가장 상기 만곡부측으로 돌출되어 있는 부분의 위치는, 상기 만곡부의 선단부의 위치보다도 상방에 있는, 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 암에서의 상기 만곡부의 선단의 위치와, 상기 암의 타단의 위치는, 소정의 범위의 차가 되도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  20. 제14항에 있어서, 상기 암에서의 상기 만곡부의 선단의 위치와, 상기 암의 타단의 위치는, 소정의 범위의 차가 되도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  21. 처리실 내에서 기판을 처리하는 공정과,
    가스 공급부로부터 상기 처리실 내에 가스를 공급하는 공정과,
    상기 처리실 내에 배치되어, 기판을 적재하는 기판 적재면을 갖는 기판 적재부에 대하여 기판의 하면을 지지해서 당해 기판을 반송하는 반송 공정
    을 갖고,
    기판을 지지하는 지지부가 경사를 갖고 구성되어 있는 암에 의해, 상기 반송 공정을 행하는
    반도체 장치의 제조 방법.
  22. 처리실 내에서 기판을 처리하는 수순과,
    가스 공급부로부터 상기 처리실 내에 가스를 공급하는 수순과,
    기판을 지지하는 지지부가 경사를 갖고 구성되어 있는 암에 의해, 상기 처리실 내에 배치되어, 기판을 적재하는 기판 적재면을 갖는 기판 적재부에 대하여 기판의 하면을 지지해서 당해 기판을 반송하는 반송 수순
    을 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램을 기록하는 기록 매체.
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