KR20210149732A - 박막 형성용 원료, 박막의 제조 방법 및 신규의 스칸듐 화합물 - Google Patents

박막 형성용 원료, 박막의 제조 방법 및 신규의 스칸듐 화합물 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물을 함유하는 박막 형성용 원료, 당해 박막 형성용 원료를 사용한 박막의 제조 방법 및 신규의 스칸듐 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pct00010

(식 중, R1 은, 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는, 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.)

Description

박막 형성용 원료, 박막의 제조 방법 및 신규의 스칸듐 화합물
본 발명은, 박막 형성용 원료, 그 박막 형성용 원료를 사용한 박막의 제조 방법 및 신규의 화합물에 관한 것이다.
스칸듐 원소를 포함하는 박막 형성용 재료는, 특이적인 전기 특성을 나타내, 여러 가지 기술에 응용되고 있다. 예를 들어, 당해 재료는, DRAM 소자로 대표되는 메모리 소자의 전극 재료, 압전체 박막, 도프 재료 및 연료 전지용 재료 등으로서 사용되고 있다.
상기의 박막의 제조 방법으로는, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 도포 열 분해법이나 졸 겔법 등의 MOD 법, 화학 기상 성장법 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 조성 제어성, 단차 피복성이 우수한 것, 양산화에 적합한 것, 하이브리드 집적이 가능한 등의 많은 장점을 가지고 있기 때문에, ALD (Atomic Layer Deposition) 법을 포함하는 화학 기상 성장 (이하, 간단히 「CVD」 라고 기재하는 경우도 있다) 법이 최적의 제조 프로세스이다.
박막 형성용 원료로서 사용되는 스칸듐 화합물로는, 종래부터, 여러 가지 스칸듐 화합물이 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 및 2 에는, 특정한 구조를 갖는 디케톤기가 결합한 스칸듐 화합물이 개시되어 있다. 그러나, 특허문헌 1 및 2 에서 개시되어 있는 스칸듐 화합물은, 융점이 140 ℃ 이상인 것으로부터 화학 기상 성장용 원료로서 충분히 만족할 수 있는 화합물은 아니다.
미국 공개 제2009/0253270호 명세서 미국 공개 제2014/0084355호 명세서
CVD 법 등의 화합물을 기화시켜 박막을 형성하는 방법에 있어서, 원료로서 사용되는 화합물 (프리커서) 은, 융점이 낮아 액체의 상태로 수송이 가능할 것, 액체의 점도가 낮을 것, 증기압이 커 기화시키기 쉬울 것, 열 안정성이 높을 것, 및 고품질의 박막의 생산성이 높을 것이 요구된다. 특히, 융점이 낮아 액체의 상태로 수송이 가능할 것, 및 고품질의 박막의 생산성이 높을 것이 강하게 요구되고 있었지만, 종래의 스칸듐 화합물에 대하여 이들 점에서 충분히 만족할 수 있는 화합물은 없었다.
따라서, 본 발명의 목적은, 종래의 스칸듐 화합물보다 고품질의 박막을 높은 생산성으로 가능하고, 또한 낮은 융점을 갖는 스칸듐 화합물을 함유하는 박막 형성용 원료 및 그 원료를 사용한 스칸듐을 함유하는 박막을 형성하는 박막의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은, 검토를 거듭한 결과, 특정한 구조를 갖는 스칸듐 화합물을 함유하는 박막 형성용 원료, 및, 그 박막 형성용 원료를 사용하는 스칸듐 원자 함유 박막의 제조 방법이 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 지견하고, 본 발명에 도달하였다.
요컨대, 본 발명은, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 박막 형성 원료 및 그 원료를 사용한 박막의 제조 방법을 제공하는 것이다.
[화학식 1]
Figure pct00001
(식 중, R1 은, 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는, 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.)
또한, 본 발명은 하기 일반식 (2) 로 나타내는 화합물을 제공하는 것이다.
[화학식 2]
Figure pct00002
(식 중, R4 및 R5 는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 알킬기를 나타내고, R6 은, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.)
본 발명에 의하면, 융점이 낮은 스칸듐 화합물을 얻을 수 있고, 그 화합물은, CVD 법용의 박막 형성용 원료로서 적합하다. 특히, 본 발명에서 사용하는 스칸듐 화합물은 ALD 윈도우를 갖는 것으로부터, ALD 법용의 박막 형성용 원료로서 바람직하게 사용할 수 있다.
도 1 은, 본 발명에 관련된 박막의 제조 방법에 사용되는 화학 기상 성장용 장치의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2 는, 본 발명에 관련된 박막의 제조 방법에 사용되는 화학 기상 성장용 장치의 다른 예를 나타내는 개략도이다.
도 3 은, 본 발명에 관련된 박막의 제조 방법에 사용되는 화학 기상 성장용 장치의 또 다른 예를 나타내는 개략도이다.
도 4 는, 본 발명에 관련된 박막의 제조 방법에 사용되는 화학 기상 성장용 장치의 또 다른 예를 나타내는 개략도이다.
본 발명의 박막 형성용 원료는, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 박막 형성용 원료로서, CVD 법 등의 기화 공정을 갖는 박막 제조 방법의 프리커서로서 바람직한 것이고, ALD 법을 사용하여 박막을 형성할 수도 있다.
상기 일반식 (1) 에 있어서, R1 은, 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는, 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.
상기 일반식 (1) 에 있어서, R1 및 R3 으로 나타내는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 제 2 부틸기, 제 3 부틸기, 이소부틸기를 들 수 있고, R2 로 나타내는 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 알킬기로는, 예를 들어, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기를 들 수 있다.
상기 일반식 (1) 에 있어서, R1, R2 및 R3 은, 적용되는 박막의 제조 방법에 의해 적절히 선택된다. 화합물을 기화시키는 공정을 갖는 박막의 제조 방법에 사용하는 경우에는, R1, R2 및 R3 의 조합이, 상온 상압하에 있어서 액체 상태가 되어, 증기압이 커지는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 그 화합물의 융점이 낮아지는 것으로부터, R1 또는 R2 가 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 알킬기인 화합물이 바람직하고, R1 또는 R2 가 에틸기인 화합물이 보다 바람직하고, R1 및 R2 가 모두 에틸기인 화합물이 특히 바람직하다. 증기압이 높은 것으로부터, R3 이 수소 원자인 화합물이 바람직하다. 화합물의 일례로서, R1 및 R2 가 모두 에틸기이고, R3 이 수소 원자인 화합물을 들 수 있다 (하기 화합물 No. 7). 한편, 기화 공정을 수반하지 않는 MOD 법에 의한 박막의 제조 방법의 경우, 일반식 (1) 의 R1, R2 및 R3 은, 사용되는 용매에 대한 용해성, 박막 형성 반응 등에 따라, 임의로 선택될 수 있다.
상기 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물의 바람직한 구체예로는, 예를 들어, 하기 화합물 No. 1 ∼ No. 30 을 들 수 있다.
또한, 하기 화학식 중의 「Me」 는 메틸기를 나타내고, 「Et」 는 에틸기를 나타내고, 「nPr」 은 n-프로필기를 나타내고, 「iPr」 은 이소프로필기를 나타내고, 「nBu」 는 n-부틸기를 나타내고, 「tBu」 는 제 3 부틸기를 나타낸다.
[화학식 3]
Figure pct00003
[화학식 4]
Figure pct00004
상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 그 제조 방법에 의해 특별히 제한되는 것은 아니고, 주지의 반응을 응용하여 제조된다. 제조 방법으로는, 예를 들어, 대응하는 구조를 갖는 알칸디온 화합물과 부틸리튬 등의 알칸리튬을 반응시키고, 여기에 염화스칸듐을 반응시켜, 얻어진 반응 생성물을 증류 정제함으로써 얻을 수 있다.
상기 알칸디온 화합물로는, 3,5-헵탄디온, 3,5-옥탄디온, 4,6-노난디온, 2,6-디메틸-3,5-헵탄디온, 6-메틸-3,5-헵탄디온을 들 수 있고, 3,5-헵탄디온을 사용하는 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명의 박막 형성용 원료는, 상기 서술한 스칸듐 화합물을 박막의 프리커서로서 포함한다. 그 형태는, 그 박막 형성용 원료가 적용되는 제조 프로세스에 따라 상이하다. 예를 들어, 금속으로서 스칸듐만을 포함하는 박막을 제조하는 경우, 본 발명의 박막 형성용 원료는, 상기 서술한 스칸듐 화합물 이외의 금속 화합물 및 반금속 화합물을 포함하지 않는다. 한편, 2 종류 이상의 금속 및/또는 반금속을 포함하는 박막을 제조하는 경우, 본 발명의 박막 형성용 원료는, 상기 서술한 스칸듐 화합물에 더하여, 원하는 금속을 포함하는 화합물 및/또는 반금속을 포함하는 화합물 (이하, 「다른 프리커서」 라고 기재하는 경우도 있다) 을 함유할 수도 있다. 본 발명의 박막 형성용 원료는, 후술하는 바와 같이, 추가로, 유기 용제 및/또는 구핵성 시약을 함유해도 된다. 본 발명의 박막 형성용 원료는, 상기 설명한 바와 같이, 프리커서인 스칸듐 화합물의 물성이 CVD 법, ALD 법에 바람직하기 때문에, 특히, 화학 기상 성장용 원료 (이하, 「CVD 용 원료」 라고 기재하는 경우도 있다) 로서 유용하다.
본 발명의 박막 형성용 원료가 화학 기상 성장용 원료인 경우, 그 형태는 사용되는 CVD 법의 수송 공급 방법 등의 수법에 따라 적절히 선택되는 것이다.
상기의 수송 공급 방법으로는, CVD 용 원료를 그 원료가 저장되는 용기 (이하, 「원료 용기」 라고 기재하는 경우도 있다) 중에서 가열 및/또는 감압함으로써 기화시켜 증기가 되고, 필요에 따라 사용되는 아르곤, 질소, 헬륨 등의 캐리어 가스와 함께, 그 증기를 기체가 설치된 성막 챔버 내 (이하, 「퇴적 반응부」 라고 기재하는 경우도 있다) 로 도입하는 기체 수송법, CVD 용 원료를 액체 또는 용액의 상태로 기화실까지 수송하고, 기화실에서 가열 및/또는 감압함으로써 기화시켜 증기가 되고, 그 증기를 성막 챔버 내로 도입하는 액체 수송법이 있다. 기체 수송법의 경우에는, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물 그 자체를 CVD 원료로 할 수 있다. 액체 수송법의 경우에는, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물 그 자체 또는 그 화합물을 유기 용제에 녹인 용액을 CVD 용 원료로 할 수 있다. 이들 CVD 원료는 추가로 다른 프리커서나 구핵성 시약 등을 포함하고 있어도 된다.
또한, 다성분계의 CVD 법에 있어서는, CVD 용 원료를 각 성분 독립적으로 기화, 공급하는 방법 (이하, 「싱글 소스법」 이라고 기재하는 경우도 있다) 과, 다성분 원료를 미리 원하는 조성으로 혼합한 혼합 원료를 기화, 공급하는 방법 (이하, 「칵테일 소스법」 이라고 기재하는 경우도 있다) 이 있다. 칵테일 소스법의 경우, 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물과 다른 프리커서의 혼합물 혹은 그 혼합물을 유기 용제에 녹인 혼합 용액을 CVD 용 원료로 할 수 있다. 이 혼합물이나 혼합 용액은 추가로 구핵성 시약 등을 포함하고 있어도 된다.
상기의 유기 용제로는, 특별히 제한을 받지 않고 주지 일반의 유기 용제를 사용할 수 있다. 그 유기 용제로는, 예를 들어, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산메톡시에틸 등의 아세트산에스테르류 ; 테트라하이드로푸란, 테트라하이드로피란, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 디부틸에테르, 디옥산 등의 에테르류 ; 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 에틸부틸케톤, 디프로필케톤, 디이소부틸케톤, 메틸아밀케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논 등의 케톤류 ; 헥산, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 디메틸시클로헥산, 에틸시클로헥산, 헵탄, 옥탄, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소류 ; 1-시아노프로판, 1-시아노부탄, 1-시아노헥산, 시아노시클로헥산, 시아노벤젠, 1,3-디시아노프로판, 1,4-디시아노부탄, 1,6-디시아노헥산, 1,4-디시아노시클로헥산, 1,4-디시아노벤젠 등의 시아노기를 갖는 탄화수소류 ; 피리딘, 루티딘 등을 들 수 있고, 이들은, 용질의 용해성, 사용 온도와 비점, 인화점의 관계 등에 따라, 단독 또는 2 종류 이상의 혼합 용매로서 사용된다. 프리커서를 상기 유기 용제에 용해시켜 얻어지는 CVD 용 원료 (용액 상태) 는, 프리커서 전체의 양을 통상적으로 0.01 ∼ 2.0 몰/리터로 포함하고, 0.05 ∼ 1.0 몰/리터로 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 박막 형성용 원료가, 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물 이외의 금속 화합물 및 반금속 화합물을 포함하지 않는 경우, 그 프리커서 전체의 양이란, 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물의 양을 의미하고, 본 발명의 박막 형성용 원료가, 그 스칸듐 화합물에 더하여 다른 금속을 포함하는 화합물 및/또는 반금속을 포함하는 화합물을 함유하는 경우, 그 프리커서 전체의 양이란, 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물 및 다른 프리커서의 합계량을 의미한다.
또한, 다성분계의 CVD 법의 경우에 있어서, 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물과 함께 사용되는 다른 프리커서로는, 특별히 제한을 받지 않고, CVD 용 원료에 이용되고 있는 주지 일반의 프리커서를 사용할 수 있다.
상기의 다른 프리커서로는, 알코올 화합물, 글리콜 화합물, β-디케톤 화합물, 시클로펜타디엔 화합물, 유기 아민 화합물 등의 유기 배위자로서 사용되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 또는 2 종류 이상과 규소나 금속의 화합물을 들 수 있다. 또한, 프리커서의 금속종으로는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오브, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 망간, 철, 코발트, 로듐, 이리듐, 니켈, 팔라듐, 백금, 구리, 은, 금, 아연, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 게르마늄, 주석, 납, 안티몬, 비스무트, 이트륨, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오딤, 프로메튬, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스프로슘, 홀뮴, 에르븀, 튤륨, 이테르븀 또는 루테튬을 들 수 있다.
상기의 다른 프리커서의 유기 배위자로서 사용되는 알코올 화합물로는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로필알코올, 부탄올, 제 2 부틸알코올, 이소부틸알코올, 제 3 부틸알코올, 펜틸알코올, 이소펜틸알코올, 제 3 펜틸알코올 등의 알킬알코올류 ; 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-부톡시에탄올, 2-(2-메톡시에톡시)에탄올, 2-메톡시-1-메틸에탄올, 2-메톡시-1,1-디메틸에탄올, 2-에톡시-1,1-디메틸에탄올, 2-이소프로폭시-1,1-디메틸에탄올, 2-부톡시-1,1-디메틸에탄올, 2-(2-메톡시에톡시)-1,1-디메틸에탄올, 2-프로폭시-1,1-디에틸에탄올, 2-s-부톡시-1,1-디에틸에탄올, 3-메톡시-1,1-디메틸프로판올 등의 에테르알코올류 ; 디메틸아미노에탄올, 에틸메틸아미노에탄올, 디에틸아미노에탄올, 디메틸아미노-2-펜탄올, 에틸메틸아미노-2-펜탄올, 디메틸아미노-2-메틸-2-펜탄올, 에틸메틸아미노-2-메틸-2-펜탄올, 디에틸아미노-2-메틸-2-펜탄올 등의 디알킬아미노알콜류 등을 들 수 있다.
상기의 다른 프리커서의 유기 배위자로서 사용되는 글리콜 화합물로는, 1,2-에탄디올, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 2,4-헥산디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 2,2-디에틸-1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 2,4-부탄디올, 2,2-디에틸-1,3-부탄디올, 2-에틸-2-부틸-1,3-프로판디올, 2,4-펜탄디올, 2-메틸-1,3-프로판디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 2,4-헥산디올, 2,4-디메틸-2,4-펜탄디올 등을 들 수 있다.
또한, β-디케톤 화합물로는, 아세틸아세톤, 헥산-2,4-디온, 5-메틸헥산-2,4-디온, 헵탄-2,4-디온, 2-메틸헵탄-3,5-디온, 5-메틸헵탄-2,4-디온, 6-메틸헵탄-2,4-디온, 2,2-디메틸헵탄-3,5-디온, 2,6-디메틸헵탄-3,5-디온, 2,2,6-트리메틸헵탄-3,5-디온, 2,2,6,6-테트라메틸헵탄-3,5-디온, 옥탄-2,4-디온, 2,2,6-트리메틸옥탄-3,5-디온, 2,6-디메틸옥탄-3,5-디온, 2,9-디메틸노난-4,6-디온, 2-메틸-6-에틸데칸-3,5-디온, 2,2-디메틸-6-에틸데칸-3,5-디온 등의 알킬 치환 β-디케톤류 ; 1,1,1-트리플루오로펜탄-2,4-디온, 1,1,1-트리플루오로-5,5-디메틸헥산-2,4-디온, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로펜탄-2,4-디온, 1,3-디퍼플루오로헥실프로판-1,3-디온 등의 불소 치환 알킬 β-디케톤류 ; 1,1,5,5-테트라메틸-1-메톡시헥산-2,4-디온, 2,2,6,6-테트라메틸-1-메톡시헵탄-3,5-디온, 2,2,6,6-테트라메틸-1-(2-메톡시에톡시)헵탄-3,5-디온 등의 에테르 치환 β-디케톤류 등을 들 수 있다.
또한, 시클로펜타디엔 화합물로는, 시클로펜타디엔, 메틸시클로펜타디엔, 에틸시클로펜타디엔, 프로필시클로펜타디엔, 이소프로필시클로펜타디엔, 부틸시클로펜타디엔, 제 2 부틸시클로펜타디엔, 이소부틸시클로펜타디엔, 제 3 부틸시클로펜타디엔, 디메틸시클로펜타디엔, 테트라메틸시클로펜타디엔 등을 들 수 있고, 상기의 유기 배위자로서 사용되는 유기 아민 화합물로는, 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 이소프로필아민, 부틸아민, 제 2 부틸아민, 제 3 부틸아민, 이소부틸아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 에틸메틸아민, 프로필메틸아민, 이소프로필메틸아민 등을 들 수 있다.
상기의 다른 프리커서는, 당해 기술 분야에 있어서 공지이며, 그 제조 방법도 공지이다. 제조 방법의 일례를 들면, 예를 들어, 유기 배위자로서 알코올 화합물을 사용한 경우에는, 상기에 서술한 금속의 무기염 또는 그 수화물과, 그 알코올 화합물의 알칼리 금속 알콕시드를 반응시키는 것에 의해, 프리커서를 제조할 수 있다. 여기서, 금속의 무기염 또는 그 수화물로는, 금속의 할로겐화물, 질산염 등을 들 수 있고, 알칼리 금속 알콕시드로는, 나트륨알콕시드, 리튬알콕시드, 칼륨알콕시드 등을 들 수 있다.
상기의 다른 프리커서로서, 싱글 소스법의 경우에는, 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물과, 열 분해 및/또는 산화 분해의 거동이 유사한 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 상기의 다른 프리커서로서, 칵테일 소스법의 경우에는, 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물과, 열 분해 및/또는 산화 분해의 거동이 유사한 것에 더하여, 혼합시의 화학 반응 등에 의해, 프리커서로서의 원하는 특성을 저해하는 변화를 일으키지 않는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 박막 형성용 원료에는, 필요에 따라, 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물 및 다른 프리커서의 안정성을 부여하기 위해서, 구핵성 시약을 함유해도 된다. 그 구핵성 시약으로는, 글라임, 디글라임, 트리글라임, 테트라글라임 등의 에틸렌글리콜에테르류, 18-크라운-6, 디시클로헥실-18-크라운-6, 24-크라운-8, 디시클로헥실-24-크라운-8, 디벤조-24-크라운-8 등의 크라운에테르류, 에틸렌디아민, N,N'-테트라메틸에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, 펜타에틸렌헥사민, 1,1,4,7,7-펜타메틸디에틸렌트리아민, 1,1,4,7,10,10-헥사메틸트리에틸렌테트라민, 트리에톡시트리에틸렌아민 등의 폴리아민류, 사이클램, 사이클렌 등의 고리형 폴리아민류, 피리딘, 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린, N-메틸피롤리딘, N-메틸피페리딘, N-메틸모르폴린, 테트라하이드로푸란, 테트라하이드로피란, 1,4-디옥산, 옥사졸, 티아졸, 옥사티올란 등의 복소 고리 화합물류, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 아세토아세트산-2-메톡시에틸 등의 β-케토에스테르류 또는 아세틸아세톤, 2,4-헥산디온, 2,4-헵탄디온, 3,5-헵탄디온, 디피발로일메탄 등의 β-디케톤류를 들 수 있다. 이들 구핵성 시약의 사용량은, 프리커서 전체의 양 1 몰에 대하여 0.1 몰 ∼ 10 몰의 범위가 바람직하고, 1 ∼ 4 몰인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 박막 형성용 원료에는, 이것을 구성하는 성분 이외의 불순물 금속 원소분, 불순물 염소 등의 불순물 할로겐분, 및 불순물 유기분이 최대한 포함되지 않도록 한다. 불순물 금속 원소분은, 원소별로는 100 ppb 이하가 바람직하고, 10 ppb 이하가 보다 바람직하고, 총량으로는, 1 ppm 이하가 바람직하고, 100 ppb 이하가 보다 바람직하다. 특히, LSI 의 게이트 절연막, 게이트막, 배리어층으로서 사용하는 경우에는, 얻어지는 박막의 전기적 특성에 영향이 있는 알칼리 금속 원소 및 알칼리 토금속 원소의 함유량을 적게 할 필요가 있다. 불순물 할로겐분은, 100 ppm 이하가 바람직하고, 10 ppm 이하가 보다 바람직하고, 1 ppm 이하가 가장 바람직하다. 불순물 유기분은, 총량으로 500 ppm 이하가 바람직하고, 50 ppm 이하가 보다 바람직하고, 10 ppm 이하가 가장 바람직하다. 또한, 수분은, 화학 기상 성장용 원료 중에서의 파티클 발생이나, 박막 형성 중에 있어서의 파티클 발생의 원인이 된다. 그 때문에, 프리커서, 유기 용제 및 구핵성 시약에 대해서는, 각각 사용 전에 가능한 한 수분을 제거하는 것이 바람직하다. 프리커서, 유기 용제 및 구핵성 시약 각각의 수분량은, 10 ppm 이하인 것이 바람직하고, 1 ppm 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 박막 형성용 원료는, 형성되는 박막의 파티클 오염을 저감 또는 방지하기 위해서, 파티클이 최대한 포함되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 액상에서의 광 산란식 액중 입자 검출기에 의한 파티클 측정에 있어서, 0.3 ㎛ 보다 큰 입자의 수가 액상 1 ㎖ 중에 100 개 이하인 것이 바람직하고, 0.2 ㎛ 보다 큰 입자의 수가 액상 1 ㎖ 중에 1000 개 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.2 ㎛ 보다 큰 입자의 수가 액상 1 ㎖ 중에 100 개 이하인 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 박막 형성용 원료를 사용하여 박막을 제조하는 본 발명의 박막의 제조 방법은, 본 발명의 박막 형성용 원료를 기화시킨 증기, 및 필요에 따라 사용되는 반응성 가스를, 기체가 설치된 성막 챔버 내 (처리 분위기) 에 도입하고, 이어서, 프리커서를 기체 상에서 분해 및/또는 화학 반응시켜 금속을 함유하는 박막을 기체 표면에 성장, 퇴적시키는 CVD 법이다. 원료의 수송 공급 방법, 퇴적 방법, 제조 조건, 제조 장치 등에 대해서는, 특별히 제한을 받는 것이 아니고, 주지 일반의 조건 및 방법을 사용할 수 있다.
상기의 필요에 따라 사용되는 반응성 가스로는, 예를 들어, 산화성 가스로는 산소, 오존, 이산화질소, 일산화질소, 수증기, 과산화수소, 포름산, 아세트산, 무수 아세트산 등을 들 수 있고, 환원성 가스로는 수소를 들 수 있고, 또한, 질화물을 제조하는 가스로는, 모노알킬아민, 디알킬아민, 트리알킬아민, 알킬렌디아민 등의 유기 아민 화합물, 히드라진, 암모니아 등을 들 수 있고, 이들은 1 종류 또는 2 종류 이상 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 본 발명의 박막 형성용 원료는 오존과의 반응성이 양호한 것으로부터, 반응성 가스로서 1 종을 사용하는 경우에는 오존을 사용하는 것이 바람직하고, 반응성 가스로서 2 종류 이상의 혼합 가스를 사용하는 경우에는 적어도 오존을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 수송 공급 방법으로는, 전술한 기체 수송법, 액체 수송법, 싱글 소스법, 칵테일 소스법 등을 들 수 있다.
또한, 상기의 퇴적 방법으로는, 원료 가스 또는 원료 가스와 반응성 가스를 열만에 의해 반응시켜 박막을 퇴적시키는 열 CVD, 열과 플라즈마를 사용하는 플라즈마 CVD, 열과 광을 사용하는 광 CVD, 열, 광 및 플라즈마를 사용하는 광 플라즈마 CVD, CVD 의 퇴적 반응을 소 (素) 과정으로 나누어, 분자 레벨로 단계적으로 퇴적을 실시하는 ALD 를 들 수 있다.
상기 기체의 재질로는, 예를 들어, 실리콘 ; 질화규소, 질화티탄, 질화탄탈, 산화티탄, 질화티탄, 산화스칸듐, 산화지르코늄, 산화하프늄, 산화란탄 등의 세라믹스 ; 유리 ; 금속 코발트 등의 금속을 들 수 있다. 기체의 형상으로는, 판상, 구상, 섬유상, 인편 (鱗片) 상을 들 수 있다. 기체 표면은, 평면이어도 되고, 트렌치 구조 등의 삼차원 구조로 되어 있어도 된다.
또한, 상기의 제조 조건으로는, 반응 온도 (기체 온도), 반응 압력, 퇴적 속도 등을 들 수 있다. 반응 온도에 대해서는, 본 발명의 화합물이 충분히 반응하는 온도인 100 ℃ 이상이 바람직하고, 150 ℃ ∼ 400 ℃ 가 보다 바람직하고, 200 ℃ ∼ 350 ℃ 가 특히 바람직하다. 또한, 반응 압력은, 열 CVD 또는 광 CVD 의 경우, 10 ㎩ ∼ 대기압이 바람직하고, 플라즈마를 사용하는 경우, 10 ㎩ ∼ 2000 ㎩ 가 바람직하다.
또한, 퇴적 속도는, 원료의 공급 조건 (기화 온도, 기화 압력), 반응 온도, 반응 압력에 의해 컨트롤할 수 있다. 퇴적 속도는, 크면 얻어지는 박막의 특성이 악화되는 경우가 있고, 작으면 생산성에 문제를 일으키는 경우가 있기 때문에, 0.01 ㎚/분 ∼ 100 ㎚/분이 바람직하고, 1 ㎚/분 ∼ 50 ㎚/분이 보다 바람직하다. 또한, ALD 법의 경우에는, 원하는 막 두께가 얻어지도록 사이클의 횟수로 컨트롤된다.
상기의 제조 조건으로서 추가로, 박막 형성용 원료를 기화시켜 증기로 할 때의 온도나 압력을 들 수 있다. 박막 형성용 원료를 기화시켜 증기로 하는 공정은, 원료 용기 내에서 실시해도 되고, 기화실 내에서 실시해도 된다. 어느 경우에 있어서도, 본 발명의 박막 형성용 원료는 0 ℃ ∼ 150 ℃ 에서 증발시키는 것이 바람직하다. 또한, 원료 용기 내 또는 기화실 내에서 박막 형성용 원료를 기화시켜 증기로 하는 경우에 원료 용기 내의 압력 및 기화실 내의 압력은 모두 1 ㎩ ∼ 10000 ㎩ 인 것이 바람직하다.
본 발명의 박막의 제조 방법은, ALD 법을 채용하여, 상기의 수송 공급 방법에 의해, 박막 형성용 원료를 기화시켜 증기로 하고, 그 증기를 성막 챔버 내에 도입하는 원료 도입 공정 외에, 그 증기 중의 상기 화합물에 의해 상기 기체의 표면에 전구체 박막을 형성하는 전구체 박막 성막 공정, 미반응의 화합물 가스를 배기하는 배기 공정 및 그 전구체 박막을 반응성 가스와 화학 반응시켜, 그 기체의 표면에 금속을 함유하는 박막을 형성하는 금속 함유 박막 형성 공정을 가지고 있어도 된다.
이하에서는, 상기의 ALD 법의 각 공정에 대하여, 금속 산화물 박막을 형성하는 경우를 예로 상세하게 설명한다. 먼저, 상기 서술한 원료 도입 공정을 실시한다. 박막 형성용 원료를 증기로 할 때의 바람직한 온도나 압력은, CVD 법에 의한 박막의 제조 방법에서 설명한 조건과 동일하다. 다음으로, 성막 챔버에 도입한 증기와 기체의 표면이 접촉함으로써, 기체 표면에 전구체 박막을 형성한다 (전구체 박막 형성 공정). 이 때에, 기체를 가열하거나, 성막 챔버를 가열하여, 열을 가해도 된다. 이 공정에서 성막되는 전구체 박막은, 일반식 (1) 로 나타내는 화합물로부터 생성된 박막이거나, 또는 일반식 (1) 로 나타내는 화합물의 일부가 분해 및/또는 반응하여 생성된 박막이며, 목적으로 하는 금속 산화물 박막과는 상이한 조성을 갖는다. 본 공정이 실시될 때의 기체 온도는, 실온 ∼ 500 ℃ 가 바람직하고, 150 ℃ ∼ 350 ℃ 가 보다 바람직하다. 본 공정이 실시될 때의 계 (성막 챔버 내) 의 압력은 1 ㎩ ∼ 10000 ㎩ 가 바람직하고, 10 ㎩ ∼ 1000 ㎩ 가 보다 바람직하다.
다음으로, 미반응의 화합물 가스나 부생한 가스를 성막 챔버로부터 배기한다 (배기 공정). 미반응의 화합물 가스나 부생한 가스는, 성막 챔버로부터 완전하게 배기되는 것이 이상적이지만, 반드시 완전하게 배기될 필요는 없다. 배기 방법으로는, 질소, 헬륨, 아르곤 등의 불활성 가스에 의해 계 내를 퍼지하는 방법, 계 내를 감압함으로써 배기하는 방법, 이것들을 조합한 방법 등을 들 수 있다. 감압하는 경우, 계 내의 압력을, 0.01 ㎩ ∼ 300 ㎩ 로 하는 것이 바람직하고, 0.01 ㎩ ∼ 100 ㎩ 로 하는 것이 보다 바람직하다.
다음으로, 성막 챔버에 반응성 가스로서 산화성 가스를 도입하고, 그 산화성 가스의 작용 또는 산화성 가스 및 열의 작용에 의해, 상기의 전구체 박막 형성 공정에서 얻은 전구체 박막으로부터 금속 산화물 박막을 형성한다 (금속 산화물 함유 박막 형성 공정). 본 공정에 있어서 열을 작용시키는 경우의 온도는, 실온 ∼ 500 ℃ 가 바람직하고, 150 ∼ 350 ℃ 가 보다 바람직하다. 본 공정이 실시될 때의 계 (성막 챔버 내) 의 압력은 1 ㎩ ∼ 10000 ㎩ 가 바람직하고, 10 ㎩ ∼ 1000 ㎩ 가 보다 바람직하다. 본 발명의 화합물은, 산화성 가스와의 반응성이 양호하기 때문에, 잔류 탄소 함유량이 적은 고품질의 금속 산화물 박막을 얻을 수 있다.
본 발명의 박막의 제조 방법에 있어서, 상기와 같이 ALD 법을 채용했을 경우, 상기의 원료 도입 공정, 전구체 박막 형성 공정, 배기 공정 및 금속 산화물 함유 박막 형성 공정으로 이루어지는 일련의 조작에 의한 박막 퇴적을 1 사이클로 하고, 이 사이클을 필요한 막 두께의 박막이 얻어질 때까지 복수 회 반복해도 된다. 이 경우, 1 사이클 실시한 후, 상기 배기 공정과 동일하게 하여, 퇴적 반응부로부터 미반응의 화합물 가스 및 반응성 가스 (금속 산화물 박막을 형성하는 경우에는 산화성 가스), 추가로 부생한 가스를 배기한 후, 다음의 1 사이클을 실시하는 것이 바람직하다.
또한, 금속 산화물 박막의 ALD 법에 의한 형성에 있어서는, 플라즈마, 광, 전압 등의 에너지를 인가해도 되고, 촉매를 사용해도 된다. 그 에너지를 인가하는 시기 및 촉매를 사용하는 시기는, 특별히는 한정되지 않고, 예를 들어, 원료 도입 공정에 있어서의 화합물 가스 도입시, 전구체 박막 성막 공정 또는 금속 산화물 함유 박막 형성 공정에 있어서의 가온시, 배기 공정에 있어서의 계 내의 배기시, 금속 산화물 함유 박막 형성 공정에 있어서의 산화성 가스 도입시여도 되고, 상기의 각 공정의 사이여도 된다.
또한, 본 발명의 박막의 제조 방법에 있어서는, 박막 퇴적 후에, 보다 양호한 전기 특성을 얻기 위해서 불활성 분위기하, 산화성 분위기하 또는 환원성 분위기하에서 어닐 처리를 실시해도 되고, 단차 매립이 필요한 경우에는, 리플로 공정을 마련해도 된다. 이 경우의 온도는, 통상적으로, 200 ℃ ∼ 1000 ℃ 이고, 250 ℃ ∼ 500 ℃ 가 바람직하다.
본 발명의 박막 형성용 원료를 사용하여 박막을 제조하는 장치는, 주지의 화학 기상 성장법용 장치를 사용할 수 있다. 구체적인 장치의 예로는 도 1 과 같은 프리커서를 버블링 공급할 수 있는 장치나, 도 2 와 같이 기화실을 갖는 장치를 들 수 있다. 또한, 도 3 및 도 4 와 같이 반응성 가스에 대하여 플라즈마 처리를 실시할 수 있는 장치를 들 수 있다. 또한, 도 1 ∼ 도 4 와 같은 매엽식 장치에 한정하지 않고, 배치 노를 사용한 다수 장 동시 처리 가능한 장치를 사용할 수도 있다.
본 발명의 박막 형성용 원료를 사용하여 제조되는 박막은, 다른 프리커서, 반응성 가스 및 제조 조건을 적절히 선택함으로써, 메탈, 산화물 세라믹스, 질화물 세라믹스, 유리 등의 원하는 종류의 박막으로 할 수 있다. 그 박막은 전기 특성 및 광학 특성 등을 나타내는 것이 알려져 있다. 예를 들어, 금속 스칸듐 박막, 산화 스칸듐 박막, 스칸듐 합금 및 스칸듐 함유 복합 산화물 박막 등을 들 수 있다. 스칸듐 합금으로는, Al-Sc 합금을 들 수 있다. 이들 박막은 여러 가지 제품에 응용되고, 예를 들어 DRAM 소자로 대표되는 메모리 소자의 전극 재료, 저항막, 하드 디스크의 기록층에 사용되는 반자성막 및 고체 고분자형 연료 전지용의 촉매 재료 등의 제조에 널리 사용되고 있다.
또한, 상기 서술한 박막 형성용 원료 중, 일반식 (2) 로 나타내는 화합물은, 화합물로서도 신규이다. 본 발명의 신규의 화합물은, 융점이 낮고, ALD 법에 대한 적응이 가능하고, CVD 법 등의 기화 공정을 갖는 박막 제조 방법의 프리커서로서 특히 바람직한 화합물이다.
상기 일반식 (2) 에 있어서, R4 및 R5 는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 알킬기를 나타내고, R6 은, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 알킬기로는 예를 들어, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기를 들 수 있다.
상기 일반식 (2) 에 있어서, R4 또는 R5 가 에틸기인 경우에는 융점이 낮은 것으로부터 바람직하고, R4 및 R5 가 모두 에틸기인 경우에는 특히 바람직하다. 화합물의 증기압이 높은 것으로부터, R6 이 수소 원자인 것이 바람직하다. 화합물의 일례로서, R4 및 R5 가 모두 에틸기이고, R6 이 수소 원자인 화합물을 들 수 있다 (상기 화합물 No. 7).
상기 일반식 (2) 로 나타내는 화합물은, 그 제조 방법에 의해 특별히 제한되는 것은 아니고, 주지의 반응을 응용하여 제조된다. 제조 방법으로는, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물의 제조 방법과 동일하게, 예를 들어, 염화스칸듐과, 대응하는 구조의 알칸디온 화합물을 반응시켜, 증류 정제함으로써 얻을 수 있다.
상기 일반식 (2) 로 나타내는 신규의 화합물의 구체예로는, 예를 들어 상기 화합물 No. 7 ∼ 18 로 나타내는 화합물을 들 수 있다.
실시예
이하, 실시예, 제조예, 비교예 및 평가예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 이하의 실시예 등에 의해 전혀 제한을 받는 것은 아니다.
[실시예 1] 화합물 No. 7 의 합성
100 ㎖ 4 구 플라스크에 2.1 g (1.6 × 10-2 ㏖) 의 3,5-헵탄디온, 16 g (0.22 ㏖) 의 탈수 테트라하이드로푸란을 첨가하고, -40 ℃ 로 냉각시킨 후, 9.9 ㎖ (1.6 ㏖/ℓ) 의 n-부틸리튬/헥산 용액을 적하하였다. 실온으로 승온하고, 6 시간 교반하였다. 이것을 0.80 g (5.3 × 10-3 ㏖) 의 무수 ScCl3 과 20 g (0.22 ㏖) 의 톨루엔 혼합액에 적하하였다. 이 반응액에 10 g (0.11 ㏖) 의 톨루엔을 첨가하고, 오일 배스 110 ℃ 에서 12 시간 환류 교반하였다. 감압하, 오일 배스 80 ℃ 에서 탈용매를 실시하고, 20 g (0.23 ㏖) 의 헥산을 첨가하여 여과하였다. 여과액을 감압하, 오일 배스 70 ℃ 에서 탈용매하였다. 얻어진 등색 액체를 가열 온도 160 ℃, 압력 30 ㎩ 로 증류 정제를 실시하여, 무색 투명 액체 1.1 g 을 얻었다.
(분석치)
(1) 상압 TG-DTA
질량 50 ％ 감소 온도 : 253 ℃ (Ar 유량 : 100 ㎖/분, 승온 10 ℃/분)
(2) 감압 TG-DTA
질량 50 ％ 감소 온도 : 174 ℃ (Ar 유량 : 50 ㎖/분, 승온 10 ℃/분)
(3) 1H-NMR (중벤젠)
1.01 ppm (6H, triplet), 2.05 (4H, qualtet), 5.43 ppm (1H, singlet)
(4) 원소 분석 (이론치)
Sc : 10.7 ％ (10.56 ％), C : 59.3 ％ (59.15 ％), H : 7.6 ％ (7.75 ％), O : 22.4 ％ (22.54 ％)
[평가예 1 및 비교 평가예 1 ∼ 2] 스칸듐 화합물의 물성 평가
실시예 1 에서 얻어진 본 발명의 화합물 No. 7 그리고 하기의 비교 화합물 1 및 2 에 대하여, 25 ℃ 에 있어서의 상태를 육안으로 관측하였다. 25 ℃ 에 있어서 고체인 것에 대해서는, 융점 측정을 실시하였다. 이들 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 하기 비교 화합물 1 및 비교 화합물 2 의 화학식에 있어서 「Me」 는 메틸기를 나타내고, 「tBu」 는 제 3 부틸기를 나타낸다.
[화학식 5]
Figure pct00005
Figure pct00006
표 1 의 결과로부터, 화합물 No. 7 은 비교 화합물 1 및 비교 화합물 2 보다 현저하게 낮은 융점을 가지고 있는 것을 알 수 있었다.
[실시예 2] 산화스칸듐 박막의 제조
화합물 No. 7 을 원자층 퇴적법용 원료로 하고, 도 1 에 나타내는 장치를 사용하여 이하의 조건의 ALD 법에 의해, 실리콘 웨이퍼 상에 산화스칸듐 박막을 제조하였다.
얻어진 박막의 조성을 X 선 광 전자 분광법에 의해 확인한 결과, 얻어진 박막은 산화 스칸듐이며, 잔류 탄소 함유량은 1.0 atom％ 보다 적었다. 또한, X 선 반사율법에 의한 막 두께 측정을 실시하고, 그 평균치를 산출한 결과, 막 두께는 평균 25.7 ㎚ 이며, 1 사이클당 얻어지는 막 두께는 평균 0.05 ㎚ 였다.
(조건)
기판 : 실리콘 웨이퍼
반응 온도 (실리콘 웨이퍼 온도) : 300 ℃
반응성 가스 : 오존
하기 (1) ∼ (4) 로 이루어지는 일련의 공정을 1 사이클로 하여, 500 사이클 반복하였다 :
(1) 원료 용기 온도 : 120 ℃, 원료 용기 내 압력 : 100 ㎩ 의 조건으로 기화시킨 원자층 퇴적법용 원료를 성막 챔버에 도입하고, 계 압력 : 100 ㎩ 로 30 초간 퇴적시킨다 ;
(2) 15 초간의 아르곤 퍼지에 의해, 퇴적하지 않은 원료를 제거한다 ;
(3) 반응성 가스를 성막 챔버에 도입하고, 계 압력 : 100 ㎩ 로 5 초간 반응시킨다 ;
(4) 15 초간의 아르곤 퍼지에 의해, 미반응의 반응성 가스 및 부생 가스를 제거한다.
[실시예 3] 산화스칸듐 박막의 제조
원자층 퇴적법용 원료로서 화합물 No. 1 을 사용한 것 이외에는 실시예 2 와 동일한 조건으로 산화스칸듐 박막을 제조하였다. 얻어진 박막의 조성을 X 선 광 전자 분광법에 의해 확인한 결과, 얻어진 박막은 산화 스칸듐이며, 잔류 탄소 함유량은 1.0 atom％ 보다 적었다. 또한, X 선 반사율법에 의한 막 두께 측정을 실시하고, 그 평균치를 산출한 결과, 막 두께는 평균 15.5 ㎚ 이며, 1 사이클당 얻어지는 막 두께는 평균 0.03 ㎚ 였다.
[비교예 1] 산화스칸듐 박막의 제조
원자층 퇴적법용 원료로서 비교 화합물 1 을 사용한 것 이외에는 실시예 2 와 동일한 조건으로 산화스칸듐 박막을 제조하였다. 얻어진 박막의 조성을 X 선 광 전자 분광법에 의해 확인한 결과, 얻어진 박막은 산화 스칸듐이며, 잔류 탄소 함유량은 5.0 atom％ 였다. 또한, X 선 반사율법에 의한 막 두께 측정을 실시하고, 그 평균치를 산출한 결과, 막 두께는 평균 5.1 ㎚ 이며, 1 사이클당 얻어지는 막 두께는 평균 0.01 ㎚ 였다.
실시예 2 및 3 의 결과로부터, 모두 잔류 탄소 함유량이 낮고, 높은 품질의 산화스칸듐 박막을 제조할 수 있었던 것을 알 수 있었다. 한편, 비교예 1 에서 얻어진 박막은 잔류 탄소 함유량이 매우 높아, 낮은 품질의 산화스칸듐 박막이 얻어지는 것을 알 수 있었다. 또한, 실시예 2 및 3 그리고 비교예 1 의 1 사이클당 얻어지는 막 두께를 비교하면, 실시예 2 및 3 은 비교예 1 의 3 배 이상이나 높은 생산성으로 산화스칸듐 박막을 제조할 수 있는 것을 알 수 있었다. 특히 실시예 2 에서는 매우 높은 생산성으로 산화스칸듐 박막을 제조할 수 있는 것을 알 수 있었다.
이상의 결과로부터, 본 발명에 의하면, ALD 법에 의해 고품질의 산화스칸듐 박막을 높은 생산성으로 제조할 수 있는 것을 알 수 있었다.

Claims (4)

  1. 하기 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물을 함유하는 박막 형성용 원료.
    Figure pct00007

    (식 중, R1 은, 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는, 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.)
  2. 기체의 표면에 스칸듐 원자를 함유하는 박막의 제조 방법으로서,
    제 1 항에 기재된 박막 형성용 원료를 기화시키는 공정,
    기화된 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물을 함유하는 증기를 처리 분위기에 도입하는 공정, 및
    그 화합물을 분해 및/또는 화학 반응시켜 상기 기체의 표면에 퇴적시키는 공정을 포함하는, 박막의 제조 방법.
  3. 기체의 표면에 스칸듐 원자를 함유하는 박막의 제조를 위한, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 스칸듐 화합물의 사용.
    Figure pct00008

    (식 중, R1 은, 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는, 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.)
  4. 하기 일반식 (2) 로 나타내는 스칸듐 화합물.
    Figure pct00009

    (식 중, R4 및 R5 는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 알킬기를 나타내고, R6 은, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.)
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