KR20210134161A - 표시 패널 - Google Patents

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KR20210134161A
KR20210134161A KR1020200052775A KR20200052775A KR20210134161A KR 20210134161 A KR20210134161 A KR 20210134161A KR 1020200052775 A KR1020200052775 A KR 1020200052775A KR 20200052775 A KR20200052775 A KR 20200052775A KR 20210134161 A KR20210134161 A KR 20210134161A
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light
layer
control unit
filter
light control
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KR1020200052775A
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이경희
이미화
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

일 실시예 발광 소자층에서 방출된 제1 광 영역의 광 흡수에 따라 상기 컨쥬게이션 결합이 길어져 가역적으로 변색되어 480nm 이상의 파장 영역의 광을 선택적으로 투과시키는 광변색(photochromic) 화합물을 포함하는 필터층을 포함하여, 적색광 발광영역과 녹색광 발광영역에서 발생하는 청색광 빛샘현상을 감소 시킬수 있는 표시 패널을 제공하고, 이를 포함하는 표시 장치에 높은 색순도 특성을 제공할 수 있다.

Description

표시 패널{DISPLAY PANEL}
본 발명은 표시 패널에 대한 것으로, 보다 상세하게는 조사되는 광의 파장에 따라 구조가 달라지는 광변색 화합물이 포함된 필터층을 갖는 표시 패널에 대한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 내비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시 장치들이 개발되고 있다. 이러한 표시 장치는 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 발광소자를 포함한 표시 패널을 포함하고 있다.
표시 장치의 선명한 색상 구현을 위해서, 적색, 녹색 및 청색 각각의 색 순도가 높아야 한다. 색 순도를 높이기 위하여 특정 파장의 빛을 선택적으로 흡수 또는 투과하는 재료들에 관한 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 발광 소자층에서 방출된 광이 조사되면 특정 파장을 선택적으로 투과시키는 구조로 변환되는 광변색 화합물 포함하는 필터층을 포함하여 빛샘효과를 감소시켜 색 순도가 개선된 표시 패널을 제공하는 것이다.
일 실시예는 발광 소자층, 상기 발광 소자층 상에 배치되고, 상기 발광 소자층에서 방출되는 제1 광의 파장을 변환하는 광변환체를 포함하는 광제어층, 및 상기 광제어층 상에 배치되고, 상기 제1 광 영역의 광 흡수에 따라 컨쥬게이션(conjugation) 결합이 가역적으로 길어져 480nm 이상의 파장 영역의 광을 선택적으로 투과시키는 광변색(photochromic) 화합물을 포함하는 필터층을 포함하는 표시 패널을 제공한다.
상기 광제어층은 평면 상에서 서로 이격되어 배치된 제1 광제어부, 제2 광제어부 및 제3 광제어부를 포함하고, 상기 제2 광제어부는 상기 제1 광을 녹색광으로 변환하는 제1 광변환체를 포함하고, 상기 제3 광제어부는 상기 제1 광을 적색광으로 변환하는 제2 광변환체를 포함할 수 있다.
상기 필터층은 상기 제1 광제어부와 중첩하는 제1 필터부, 및 상기 제2 및 제3 광제어부와 중첩하는 제2 필터부를 포함하고, 상기 제2 필터부는 상기 광변색 화합물을 포함하는 것일 수 있다.
상기 제2 필터부는 상기 제2 광제어부와 중첩하는 제1 서브필터부, 및 상기 제3 광제어부와 중첩하는 제2 서브필터부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 서브필터부는 평면 상에서 서로 이격된 것일 수 있다.
상기 광변색 화합물은 스파이로파이란(spirpyran), 스파이로옥사자인(spirooxazine), 다이아릴에텐(diaryl ethene), 아조벤젠(azobenzene), 헥사아릴바이이미다졸(hexaarylbiimidazole), 및 스파이로페리미딘(spiroperimidine) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예는 턴온(turn-on) 상태에서 제1 광을 방출하는 발광 소자층, 상기 발광 소자층 상에 배치되고, 상기 제1 광을 투과시키는 제1 광제어부, 상기 제1 광을 상기 제1 광보다 장파장의 제2 광으로 변환시키는 제2 광제어부, 및 상기 제1 광을 상기 제1 광보다 장파장이며 상기 제2 광과 상이한 제3 광으로 변환시키는 제3 광제어부를 포함하는 광제어층 및 상기 광제어층 상에 배치되고 광변색 화합물을 포함하는 필터층을 포함하고, 상기 광변색 화합물은 상기 제1 광 영역의 광 흡수에 따라 컨쥬게이션 결합이 가역적으로 길어져 480nm 이상의 파장 영역의 광을 선택적으로 투과시키는 표시 패널을 제공한다.
상기 광변색 화합물은 상기 발광 소자층의 턴오프 상태에서 제1 컨쥬게이션 결합을 갖는 제1 구조를 갖고, 상기 턴온 상태에서 상기 제1 컨쥬게이션 결합보다 결합길이가 긴 제2 컨쥬게이션 결합을 갖는 제2 구조를 갖는 것일 수 있다.
상기 제1 구조의 상기 광변색 화합물을 포함하는 상기 필터층은 가시광 파장영역 전체의 광을 투과시키고, 상기 제2 구조의 상기 광변색 화합물을 포함하는 상기 필터층은 480nm 이상의 파장 영역의 광을 선택적으로 투과시키는 것일 수 있다.
상기 제2 구조는 상기 제1 구조에 포함된 고리의 고리 닫힘 반응(ring-closing reaction)으로부터 유도되는 구조일 수 있다.
상기 제1 구조와 상기 제2 구조는 상기 제1 광의 수광 여부에 따라 가역적으로 변화되는 것일 수 있다.
상기 광변색 화합물은 스파이로파이란스파이로옥사자인, 다이아릴에텐, 아조벤젠, 헥사아릴바이이미다졸, 및 스파이로페리미딘 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 필터층은 제1 광제어부와 중첩하는 제1 필터부 및 상기 제2 및 제3 광제어부와 중첩하는 제2 필터부를 포함하고, 상기 제2 필터부는 상기 광변환 화합물 포함하는 것일 수 있다.
상기 제1 필터부는 상기 제1 광을 투과시키고, 상기 제2 필터부는 480nm 이상의 광을 선택적으로 투과시키는 것일 수 있다.
상기 제2 필터부는 상기 제2 광제어부와 중첩하는 제1 서브필터부, 및 상기 제3 광제어부와 중첩하는 제2 서브필터부를 포함하고, 상기 제1 서브필터부 및 상기 제2 서브필터부는 평면 상에서 서로 이격된 것일 수 있다.
상기 필터층 상에 배치된 상부 기판을 더 포함하는 것일 수 있다.
상기 제1 광은 청색광일 수 있다.
상기 발광 소자층은 두께 방향으로 적층된 복수 개의 발광층들을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예는 턴온 상태에서 제1 광을 방출하는 발광 소자층, 상기 발광 소자층 상에 배치되고, 상기 제1 광을 투과시키는 제1 광제어부, 상기 제1 광을 상기 제1 광보다 장파장인 제2 광으로 변환시키는 제2 광제어부, 및 상기 제1 광을 상기 제1 광보다 장파장이며 상기 제2 광과 상이한 제3 광으로 변환시키는 제3 광제어부를 포함하는 광제어층 및 상기 광제어층 상에 배치되고, 광변색 화합물을 포함하는 필터층을 포함하고, 상기 광변색 화합물은 턴오프 상태에서 가시광선 전 영역을 투과시키는 제1 구조를 갖고, 상기 턴온 상태에서 청색광을 차단하고 녹색광을 투과시키는 제2 구조를 갖는 제1 광변색 화합물 및 상기 턴오프 상태에서 가시광선 전 영역을 투과시키는 제3 구조를 갖고, 상기 턴온 상태에서 청색광을 차단하고 적색광을 투과시키는 제4 구조를 갖는 제2 광변색 화합물을 포함하는 표시 패널을 제공한다.
상기 필터층은 상기 제1 광제어부와 중첩하고, 제1 광을 투과시키는 제1 필터부, 상기 제2 광제어부와 중첩하고, 상기 제1 광변색 화합물을 포함하는 제2 필터부 및 상기 제3 광제어부와 중첩하고, 상기 제2 광변색 화합물을 포함하는 제3 필터부를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 필터부는 평면 상에서 서로 이격된 것일 수 있다.
상기 광변색 화합물은 스파이로파이란스파이로옥사자인, 다이아릴에텐, 아조벤젠, 헥사아릴바이이미다졸, 및 스파이로페리미딘 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예는 광변색 화합물을 포함하는 필터층을 포함한 표시 패널을 제공하여 빛샘효과를 감소 시켜 색순도가 개선된 표시 패널을 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 분해 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 패널의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 패널에 포함된 광변색 화합물의 구조 변화를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 패널의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 패널의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 패널의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 3의 발광 소자층의 일부를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 발광 소자층의 일부를 확대하여 나타낸 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면들을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치(DS)의 사시도이다.
도 1 및 이하 도면들에서는 제1 방향축(DR1) 내지 제3 방향축(DR3)을 도시하였으며, 본 명세서에서 설명되는 방향축은 상대적인 것으로 설명의 편의를 위하여 제3 방향축(DR3) 방향은 사용자에게 영상이 제공되는 방향으로 정의될 수 있다. 또한, 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)은 서로 직교하고, 제3 방향축(DR3)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면에 대한 법선 방향일 수 있다. 도 1에서 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면은 영상이 제공되는 표시면 일 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DS)는 윈도우(WP), 표시 패널(DP), 및 외부 케이스(HAU)를 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DS)에서 윈도우(WP)는 표시 패널(DP) 상에 배치되는 것일 수 있다. 윈도우(WP)는 유리, 또는 플라스틱을 포함하는 재질일 수 있다. 윈도우(WP)는 표시 패널(DP)로부터 제공되는 영상을 투과시키는 투과 영역(TA) 및 투과 영역(TA)에 인접한 베젤 영역(BA)을 포함한다.
투과 영역(TA)은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)에 의하여 정의되는 평면 상에서 표시 장치(DS)의 중심부에 배치될 수 있다. 베젤 영역(BA)은 투과 영역(TA)의 주변부에 배치되어 투과 영역(TA)을 둘러싼 프레임 형상을 가질 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 윈도우(WP)는 투과 영역(TA)만을 포함할 수 있으며, 이 경우, 베젤 영역(BA)은 생략될 수 있다. 또한, 베젤 영역(BA)은 투과 영역(TA)의 적어도 일 측에만 배치되는 것일 수 있다.
한편, 도 1에 도시된 것과 달리 일 실시예의 표시 장치(DS)에서 윈도우(WP)는 생략될 수 있다.
평면 상에서, 영상이 표시되는 표시 패널(DP)의 면은 표시면으로 정의된다. 표시면은 영상이 표시되는 표시 영역(DA) 및 영상이 표시되지 않는 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 평면 상에서 표시 패널(DP)의 중앙에 정의되어, 윈도우(WP)의 투과 영역(TA)과 중첩할 수 있다.
외부 케이스(HAU)는 표시 패널(DP)의 표시면인 상부면이 노출되도록 표시 패널(DP)을 커버하여 배치될 수 있다. 외부 케이스(HAU)는 표시 패널(DP)의 측면과 바닥면을 커버하며, 상부면 전체를 노출시키는 것일 수 있다.
도 2는 도 1의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다. 도 3은 도 1의 I-I'선에 대응하는 표시 패널(DP-a)의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다. 도 4는 도 1의 I-I'선에 대응하는 표시 패널(DP-b)의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다. 도 5는 도 1의 I-I'선에 대응하는 표시 패널(DP-c)의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 패널(DP)은 비발광 영역(NPXA) 및 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함할 수 있다. 일 실시예의 표시 패널(DP)은 적색광, 녹색광, 청색광을 발광하는 3개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함하는 것일 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각의 면적은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 이때 면적은 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다. 평면은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 나란한 면일 수 있다.
도 2를 참조하면, 일 실시예의 표시 패널(DP)은 베이스기판(SUB), 베이스기판(SUB) 상에 배치된 회로층(CL), 회로층(CL) 상에 배치된 발광 소자층(LED), 발광 소자층(LED) 상에 배치된 봉지층(TFE), 봉지층(TFE) 상에 배치된 광제어층(CCL), 광제어층(CCL) 상에 배치된 필터층(CFL), 필터층(CFL) 상에 배치된 오버코트층(OC)을 포함할 수 있다.
베이스기판(SUB)은 폴리머 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 또는 석영 기판 등일 수 있다. 베이스기판(SUB)은 투명한 절연 기판일 수 있다. 베이스기판(SUB)은 리지드하거나 플렉서블한 것일 수 있다.
회로층(CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)을 포함할 수 있다. 트랜지스터들은 각각 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 회로층(CL)은 후술하는 발광 소자층(LED)의 발광 소자들(LED-1, LED-2, LED-3)을 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다.
발광 소자층(LED)은 제1 내지 제3 발광 소자들(LED-1, LED-2, LED-3)을 포함하는 것일 수 있다. 발광 소자들(LED-1, LED-2, LED-3) 각각은 화소정의막(PDL)로 구분되는 것일 수 있다. 발광 소자층(LED)은 적색 발광 영역들(PXA-R)과 중첩되는 제1 발광 소자들(LED-1), 녹색 발광 영역들(PXA-G)과 중첩되는 제2 발광 소자들(LED-2) 및 청색 발광 영역들(PXA-B)과 중첩되는 제3 발광 소자들(LED-3)을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 발광 소자들(LED-1, LED-2, LED-3)은 각각 순차적으로 적층된 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 발광 소자(LED-1, LED-2, LED-3)의 제1 광을 방출하는 발광층(EML)은 일체의 형상을 가지며, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 제1 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 광은 청색광을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 발광 소자층(LED)은 410 nm 내지 480nm 파장 영역의 광을 생성할 수 있다.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 비발광 영역(NPXA)은 화소 정의막(PDL)에 의해 구분될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 정의하는 것일 수 있다. 비발광 영역들(NPXA)은 화소 정의막(PDL)과 대응하는 영역일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 고분자 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate)계 수지 또는 폴리이미드(Polyimide)계 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함할 수 있다.
봉지층(TFE)은 발광 소자층(LED) 상에 배치되어 발광 소자층(LED)을 밀봉한다. 봉지층(TFE)는 수분/산소로부터 발광 소자층(LED)을 보호하고, 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(LED)을 보호하는 역할을 할 수 있다. 봉지층(TFE)은 무기층들(IL1, IL2) 및 유기층(OL)이 교대로 반복하여 적층된 구조를 가질 수 있다. 도 3에서는 봉지층(TFE)이 제1 무기층(IL1), 제1 무기층(IL1) 상에 배치된 유기층(OL) 및 유기층(OL) 상에 배치된 제2 무기층(IL2, IL2-a)을 포함하는 것으로 도시하였다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 봉지층(TFE)은 도 2에 도시된 제1 무기층(IL1), 유기층(OL), 및 제2 무기층(IL2) 이외에 적어도 하나의 무기층 및 유기층을 각각 더 포함할 수 있다.
봉지층(TFE) 상에는 광제어층(CCL)이 배치될 수 있다. 광제어층(CCL)은 발광 소자층(LED)에서 방출되는 제1 광의 파장을 변환하는 광변환체(QD-R, QD-G)를 포함할 수 있다. 광변환체(QD-R, QD-G)는 제1 광을 녹색광으로 변환하는 제1 광변환체(QD-G) 및 제1 광을 적색광으로 변환하는 제2 광변환체(QD-R)를 포함할 수 있다.
일 실시예의 광제어층(CCL)은 광변환체(QD-R, QD-G)를 포함하는 적어도 하나의 광제어부(CCP2, CCP3)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서 광변환체(QD-R, QD-G)는 양자점일 수 있다.
본 발명의 발광층은 양자점(Quantum Dot) 물질을 포함할 수 있다. 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-VI족 화합물은 In2S3, In2Se3 등과 같은 이원소 화합물; InGaS 3 , InGaSe3 등과 같은 삼원소 화합물; 또는 이의 임의의 조합;을 포함할 수 있다.
I-III-VI족 화합물은 AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, AgGaS2, CuGaS2 CuGaO2, AgGaO2, AgAlO2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 또는 AgInGaS2, CuInGaS2 등의 사원소 화합물로부터 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 한편, III-V족 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, III- II-V족 화합물로 InZnP 등이 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
광제어층(CCL)은 제1 광을 투과시키는 제1 광제어부(CCP1), 제1 광변환체(QD-G)을 포함하는 제2 광제어부(CCP2) 및 제2 광변환체(QD-R)를 포함하는 제3 광제어부(CCP3)를 포함할 수 있다. 제1 광제어부(CCP1)는 투명 수지로 형성된 것이거나, 또는 청색 안료 또는 염료를 더 포함하는 것일 수 있다. 제1 광제어부(CCP1)는 발광 소자층(LED)에서 생성된 제1 광을 투과시키는 것일 수 있다. 제1 광제어부(CCP1)는 제1 광을 포함한 자외선 및 가시광선 영역의 광을 모두 투과시킬 수 있다.
제2 광제어부(CCP2)는 발광 소자층(LED)에서 생성된 제1 광을 제2 광으로 변환시키고, 제3 광제어부(CCP3)는 발광 소자층(LED)에서 생성된 제1 광을 제3 광으로 변환시키는 것일 수 있다. 전술한 바와 같이 발광 소자층(LED)은 제1 광인 청색광을 발광하는 것일 수 있다. 한편, 제2 광제어부(CCP2)에서 변환된 제2 광은 녹색광이고, 제3 광제어부(CCP3)에서 변환된 제3 광은 적색광일 수 있다. 즉, 제1 광제어부(CCP1)는 청색광을 투과시키고, 제2 광제어부(CCP2)는 청색광을 녹색광으로 변환시키고, 제3 광제어부(CCP3)는 청색광을 적색광으로 변환시키는 것일 수 있다.
광제어부들(CCP1, CCP2, CPP3)은 서로 이격될 수 있고, 그 사이에는 차광부(BM)가 배치될 수 있다. 차광부(BM)는 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함할 수 있다. 차광부(BM)는 빛샘 현상을 방지하고, 인접하는 광제어부들(CCP1, CCP2, CPP3) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다.
일 실시예의 필터층(CFL)은 필터부들(B-CFP, Y-CFP)을 포함하는 것일 수 있다. 필터층(CFL)은 상기 광제어층(CCL) 상에 배치되고, 광변색 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 광변색 화합물은 발광 소자층(LED)에서 방출된 제1 광 영역의 광 흡수에 따라 컨쥬게이션 결합이 길어져 가역적으로 변색되어 450nm 이상의 파장 영역의 광을 투과시키는 것일 수 있다. 일 실시예에서 제1 광은 청색광일 수 있다. 또한, 일 실시예에서 제1 광은 자외선 광을 포함하는 것일 수 있다.
제1 광제어부(CCP1)에 대응하는 제1 필터부(B-CFP), 제2 광제어부(CCP) 및 3 광제어부(CCP3) 대응하는 제2 필터부(Y-CFP)를 포함할 수 있다. 제2 필터부는 일체로 제2 광제어부(CCP2) 및 제3 광제어부(CCP3)와 중첩하는 것일 수 있다. 제1 필터부(B-CFP)는 청색광을 투과시키고, 녹색광 및 적색광을 차단할 수 있다. 또한, 제2 필터부(Y-CFP)는 녹색광 및 적색광을 투과시키고, 청색광을 차단할 수 있다.
일 실시예에서 필터층의 제2 필터부(Y-CFP)는 광변색 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예에서 필터층의 제1 필터부(B-CFP)는 광변색 화합물을 포함하지 않고, 제2 필터부(Y-CFP)에만 광변색 화합물이 포함될 수 있다. 광변색 화합물은 청색광과 반응 하면 구조가 변화되어 450nm 파장 이상의 광만을 투과시키도록 변환되는 것일 수 있다. 광변색 화합물은 발광 소자층(LED)이 턴오프 상태이면 가시광선 전 영역을 투과시키는 제1 구조를 갖고, 발광 소자층(LED)이 턴온 상태이면 480nm 파장 이상의 광만을 투과시키는 제2 구조를 가질 수 있다. 발광 소자층(LED)이 턴온 상태이면 제1 광이 방출되고, 광변색 화합물이 제1 광을 수광할 수 있다. 한편, 본 명세서에서 발광 소자층(LED)의 턴온(turn-on) 상태는 회로층(CL)으로부터 제공된 구동 신호에 의해 발광 소자층(LED)의 발광 소자들(LED-1, LED-2, LED-3)이 제1 광을 방출하는 상태를 나타낸다. 또한, 턴오프(trun-off) 상태는 발광 소자층(LED)에서 광이 방출되지 않는 상태를 나타낸다.
발광 소자층(LED)에서 방출되어 제2 광제어부(CCP2) 및 제3 광제어부(CCP3)로 제공된 제1 광 중 일부는 광변환체(R-QD, G-QD)를 여기시켜 제2 광 또는 제3 광을 방출하는데 사용되지 못하고 제2 광제어부 및 제3 광제어부를 투과한다. 제2 광제어부 및 제3 광제어부를 투과하여 방출된 제1 광은 제2 광 또는 제3 광과 혼색되어 표시 장치(DS)의 색순도를 감소시킨다. 일 실시예에서 필터층(CFL)은 광제어층(CCL)으로부터 공급된 제1 광을 흡수하여 특정 파장의 광을 선택적으로 투과시키는 광변색 화합물을 포함함으로써 빛샘효과를 감소시시키고, 이에 따라 표시 패널의 색순도 특성을 개선할 수 있다.
도 3을 참조하면, 일 실시예의 필터층(CFL)에 포함된 화합물은 컨쥬게이션 결합을 갖는다. 예를 들어, 제1 구조의 광변색 화합물은 제1 컨쥬게이션 결합을 갖고, 제2 구조는 제1 컨쥬게이션 결합보다 긴 제2 컨쥬게이션 결합을 가질 수 있다. 다만 이는 예시적인 것일 뿐, 발광 소자층(LED)이 턴오프 상태이면 가시광선 전 영역을 투과시키는 제1 구조를 갖고, 발광 소자층(LED)이 턴온 상태이면 480nm 이상의 광을 선택적으로 투과시키는 제2 구조를 갖는 광변색 화합물이라면 본 발명의 필터층(CFL)에 사용될 수 있다.
제1 컨쥬게이션 결합을 갖는 제1 구조에 포함된 고리의 고리 닫힘 반응(ring-closing reaction)을 통해 제1 컨쥬게이션 결합보다 긴 제2 컨쥬게이션 결합을 갖는 제2 구조의 광변색 화합물이 될 수 있다. 다만 이는 예시적인 것일 뿐 본 발명의 제1 구조의 광변색 화합물에서 제2 구조의 광변색 화합물로 변환되는 반응이라면 이에 제한되지 않는다. 즉 제1 구조의 광변색 화합물보다 제2 구조의 광변색 화합물이 컨쥬게이션 결합의 길이가 길어진다면 다른 종류의 반응이라도 가능하다. 예를 들어 트랜스(trans) 구조인 제1 구조의 광변색 화합물이 제1 광을 수광하여 시스(cis) 구조인 제2 구조의 화합물로 변하는 반응일 수 있다.
광변색 화합물의 제1 구조와 제2 구조는 가역적일 수 있다. 예를 들어, 제1 구조를 갖는 광변색 화합물에 제1 광이 조사되면 제1 구조의 고리가 고리 닫힘 반응이 일어나서 제2 구조를 갖는 광변색 화합물이 되고, 제2 구조를 갖는 광변색 화합물은 가시광선이 조사되면 광변색 화합물의 고리가 고리 열림 반응(ring-opening reaction)이 일어나 제1 구조의 광변색 화합물이 될 수 있다. 도 3에서 제1 광(L1)은 자외선이고, 제2 광(L2) 가시광선일 수 있다.
제2 필터부(Y-CFP)는 스파이로파이란(spirpyran), 스파이로옥사자인(spirooxazine), 다이아릴에텐(diarylethene), 아조벤젠(azobenzene), 헥사아릴바이이미다졸(hexaarylbiimidazole), 및 파이로페리미딘(spiroperimidine) 중 적어도 하나의 광변색 화합물을 포함할 수 있다.
필터층(CFL) 상에는 오버코트층(OC)이 배치될 수 있다. 오버코트층(OC)은 평탄화층일 수 있다. 예를 들어, 필터층(CFL)에 도시된 필터부들(B-CFP, Y-CFP) 각각의 높이가 다른 경우, 평탄화하기 위해 오버코트층(OC)이 배치될 수 있다. 또한, 오버코트층(OC)은 오버코트층(OC)의 하측에 배치된 구성을 보호하는 역할을 할 수 있다.
이하, 도 4 내지 도 6을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 패널을 설명한다. 일 실시예에 다른 표시 패널에 대한 설명에 있어서 상술한 도 1 내지 도 3에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도를 나타낸다. 도 4를 참조하면, 일 실시예의 표시 패널(DP-a)에서 제2 필터부(Y-CFP1, Y-CFP2)는 제2 광제어부(CCP2)와 중첩하는 제1 서브필터부(Y-CFP1), 제3 광제어부(CCP3)와 중첩하는 제2 서브필터부(Y-CFP2)를 포함하고, 제1 서브필터부(Y-CFP1)와 제2 서브필터부(Y-CFP2)는 평면상 이격된 구조일 수 있다. 본 실시예에서 평면은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)에 의해 정의되는 평면과 평행한 것일 수 있다.
도 5에 도시된 일 실시예에 따른 표시 패널(DP-b)은 도 2에 도시된 일 실시예의 표시 패널(DP)과 비교하여제2 필터부(G-CFP-b)와 제3 필터부(R-CFP-b)에서 차이가 있다.
도 5를 참조하면, 일 실시예 따른 필터층(CFL-b)은 제1 광제어부(CCP1)와 대응하는 제1 필터부(B-CFP-b), 제2 광제어부(CCP2)와 대응하는 제2 필터부(G-CFP-b), 제3 광제어부(CCP3)와 대응하는 제3 필터부(R-CFP-b)를 포함할 수 있다. 제1 필터부(B-CFP-b)에 관한 내용은 상술한 도 3에 관한 설명과 동일한 바 생략한다.
일 실시예에 따른 표시 패널(DP-b)에서 필터층(CFL-b)은 광변색 화합물을 포함한다. 일 실시예에서 광변색 화합물은 제1 광변색 화합물과 제2 광변색 화합물을 포함할 수 있다. 제1 광변색 화합물은 발광 소자층(LED)이 턴오프 상태이면 가시광선 전 영역을 투과시키는 제1 구조를 갖고, 발광 소자층(LED)이 턴온 상태이면 청색광을 차단하면서 녹색광을 투과시키는 제2 구조를 갖는 것일 수 있다. 제2 광변색 화합물은 발광 소자층(LED)이 턴오프 상태이면 가시광선 전 영역을 투과시키는 제3 구조를 갖고, 발광 소자층(LED)이 턴온 상태이면 청색광을 차단하면서 적색광을 투과시키는 제4 구조를 갖는 것일 수 있다. 제1 구조 및 제2 구조는 도 3을 참조하여 설명한 내용과 동일하고, 제3 구조 및 제4 구조는 제1 구조와 제2 구조와의 관계와 대응되는 관계를 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 구조의 컨쥬게이션 길이보다 제4 구조의 컨쥬게이션 길이가 길 수 있다.
제1 광변색 화합물과 제2 광변색 화합물은 서로 상이한 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 광변색 화합물 및 제2 광변색 화합물은 제1 광에 의하여 변환되기 전에 각각 서로 상이한 제1 구조 및 제2 구조를 갖고, 변환 후 각각 서로 상이한 파장 영역의 광을 투과시키는 제2 구조 및 제4 구조를 가질 수 있다.
제1 광제어부(CCP1)와 중첩하는 제1 필터부(B-CFP-b)는 제1 광을 투과시키고, 제2 광제어부(CCP2)와 중첩하는 제2 필터부(G-CFP-b)는 제1 광변색 화합물을 포함하고, 제3 광제어부(CCP3)와 중첩하는 제3 필터부(R-CFP-b)는 제2 광변색 화합물을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 필터부(B-CFP-b, G-CFP-b, R-CFP-b)는 서로 평면상 이격된 것일 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 패널(DP-c)를 나타낸 것이다. 본 실시예의 표시 패널(DP-c)에 관한 내용 중, 도 2 내지 도 3을 참조하여 설명한 표시 패널(DP) 및 광변색 화합물에 관한 내용 중 동일한 내용은 생략한다.
일 실시예에 따른 표시 패널(DP-c)은 필터층(CFL-c) 상부에 상부 기판(BS2)을 더 포함한 것일 수 있다. 상부 기판(BS2)은 필터층(CFL-c) 상에 배치되는 것일 수 있다. 상부 기판(BS2)은 필터층(CFL-c)이 배치되는 지지부의 역할을 하는 것일 수 있다. 상부 기판(BS2)은 폴리머 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 또는 석영 기판 등일 수 있다. 상부 기판(BS2)은 투명한 절연 기판일 수 있다. 상부 기판(BS2)은 리지드하거나 플렉서블한 것일 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 패널에 포함된 발광 소자층의 일 부분의 확대도이다. 도 7은 도 2의 표시 패널(DP)의 "AA" 영역을 확대하여 나타낸 것이다. 도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(LED-1) 은 제1 전극(EL1-1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)을 포함한다. 도시 되지 않았으나 제2 전극(EL2) 상에 캡핑층 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서 발광 소자(LED-1)는 제1 전극(EL1-1)과 제2 전극(EL2) 사이에 하나의 발광층(EML)을 포함하는 것일 수 있다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)에 포함된 발광 소자의 일 실시예를 나타낸 도면이다. 도 8을 참조하면, 발광 소자(LED-1)는 복수의 발광층들(EML-1, EML-2??EML-n)을 포함할 수 있다. 복수의 발광층들(EML-1, EML-2??EML-n)들은 두께 방향으로 순차적으로 적층되어 제공되는 것일 수 있다. 복수의 발광층들(EML-1, EML-2??EML-n )들은 피크 파장이 서로 상이한 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 각각의 발광층(EML-n)들은 청색광을 방출하는 것이나, 각 발광층(EML-n)에서 방출되는 청색광의 피크 파장의 중심 값은 서로 상이할 수 있다.
한편, 도면에 도시되지는 않았으나 일 실시예에서 발광 소자층(LED)은 복수 개의 발광 유닛들을 포함하는 탠덤(Tandem) 구조의 발광 소자층(LED)일 수 있다. 즉, 일 실시예에서 발광 소자층(LED)은 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML) 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 발광 유닛을 복수 개 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 발광 소자층(LED, 도2)은 두께 방향으로 적층된 복수 개의 발광 유닛들을 포함하는 것일 수 있다. 발광 유닛들은 모두 동일한 색의 광을 방출하거나, 또는 서로 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다.
도 8에 도시돤 바와 같이, 복수 개의 발광층(EML-1, EML-2??EML-n)을 포함하는 경우 발광 소자층(LED, 도 2)에서 방출되는 제1 광의 반치폭이 커지게 된다. 이에 따라, 제2 광제어부(CCP2, 도 2) 또는 제3 광제어부(CCP3)를 통해 제2 광 또는 제3 광으로 변환되지 못하고 투과되는 제1 광의 파장 영역도 넓어지게 된다. 이러한 빛샘현상으로 표시 장치의 색 순도가 저하된다. 일 실시예의 필터층(CFL)은 광변환 화합물을 포함하여, 넓은 파장 영역대의 광을 차단 할 수 있어, 특정 파장영역의 광을 흡수하는 안료 또는 염료를 포함하는 색필터층에 비해 색 순도를 높일 수 있는 효과가 크다.
일 실시예의 표시 패널(DP)은 발광 소자층(LED, 도 2)에서 방출된 제1 광과, 상기 제1 광 영역의 광 흡수에 따라 컨쥬게이션(conjugation) 결합이 가역적으로 길어져 480nm 이상의 파장 영역의 광을 선택적으로 투과시키는 광변색(photochromic) 화합물을 포함하는 필터층(CFL)을 포함함으로써, 빛샘현상을 감소시킬 수 있는 표시 패널(DP)을 제공할 수 있고, 이 표시 패널을 포함하여 휘도 및 색순도가 높은 표시 장치(DS)를 제공할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DP: 표시 패널 LED: 발광 소자층
CCL: 광제어층 CFL: 필터층
BS2: 상부 기판
CCP1, CCP2, CCP3: 제1, 2, 3 광제어부
B-CFP, G-CFP, R-CFP: 제1, 2, 3 필터부
EML: 발광층
QD-G, QD-R: 제1, 2 광변환체

Claims (20)

  1. 발광 소자층;
    상기 발광 소자층 상에 배치되고, 상기 발광 소자층에서 방출되는 제1 광의 파장을 변환하는 광변환체를 포함하는 광제어층; 및
    상기 광제어층 상에 배치되고, 상기 제1 광 영역의 광 흡수에 따라 컨쥬게이션(conjugation) 결합이 가역적으로 길어져 480nm 이상의 파장 영역의 광을 선택적으로 투과시키는 광변색(photochromic) 화합물을 포함하는 필터층; 을 포함하는 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광제어층은 평면 상에서 서로 이격되어 배치된 제1 광제어부, 제2 광제어부 및 제3 광제어부를 포함하고,
    상기 제2 광제어부는 상기 제1 광을 녹색광으로 변환하는 제1 광변환체를 포함하고,
    상기 제3 광제어부는 상기 제1 광을 적색광으로 변환하는 제2 광변환체를 포함하는 표시 패널.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 필터층은 상기 제1 광제어부와 중첩하는 제1 필터부; 및
    상기 제2 및 제3 광제어부와 중첩하는 제2 필터부를 포함하고,
    상기 제2 필터부는 상기 광변색 화합물을 포함하는 표시 패널.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 필터부는 상기 제2 광제어부와 중첩하는 제1 서브필터부; 및
    상기 제3 광제어부와 중첩하는 제2 서브필터부를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 서브필터부는 평면 상에서 서로 이격된 표시 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 광변색 화합물은 스파이로파이란(spirpyran), 스파이로옥사자인(spirooxazine), 다이아릴에텐(diaryl ethene), 아조벤젠(azobenzene), 헥사아릴바이이미다졸(hexaarylbiimidazole), 및 스파이로페리미딘(spiroperimidine) 중 적어도 하나를 포함하는 표시 패널.
  6. 턴온(turn-on) 상태에서 제1 광을 방출하는 발광 소자층;
    상기 발광 소자층 상에 배치되고, 상기 제1 광을 투과시키는 제1 광제어부, 상기 제1 광을 상기 제1 광보다 장파장의 제2 광으로 변환시키는 제2 광제어부, 및 상기 제1 광을 상기 제1 광보다 장파장이며 상기 제2 광과 상이한 제3 광으로 변환시키는 제3 광제어부를 포함하는 광제어층; 및
    상기 광제어층 상에 배치되고 광변색 화합물을 포함하는 필터층을 포함하고,
    상기 광변색 화합물은 상기 제1 광 영역의 광 흡수에 따라 컨쥬게이션 결합이 가역적으로 길어져 480nm 이상의 파장 영역의 광을 선택적으로 투과시키는 것인 표시 패널.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 광변색 화합물은 상기 발광 소자층의 턴오프 상태에서 제1 컨쥬게이션 결합을 갖는 제1 구조를 갖고, 상기 턴온 상태에서 상기 제1 컨쥬게이션 결합보다 결합길이가 긴 제2 컨쥬게이션 결합을 갖는 제2 구조를 갖는 표시 패널.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 구조의 상기 광변색 화합물을 포함하는 상기 필터층은 가시광 파장영역 전체의 광을 투과시키고, 상기 제2 구조의 상기 광변색 화합물을 포함하는 상기 필터층은 480nm 이상의 파장 영역의 광을 선택적으로 투과시키는 표시 패널.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제2 구조는 상기 제1 구조에 포함된 고리의 고리 닫힘 반응(ring-closing reaction)으로부터 유도되는 구조인 표시 패널.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1 구조와 상기 제2 구조는 상기 제1 광의 수광 여부에 따라 가역적으로 변화되는 표시 패널.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 광변색 화합물은 스파이로파이란스파이로옥사자인, 다이아릴에텐, 아조벤젠, 헥사아릴바이이미다졸, 및 스파이로페리미딘 중 적어도 하나를 포함하는 표시 패널.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 필터층은 제1 광제어부와 중첩하는 제1 필터부 및;
    상기 제2 및 제3 광제어부와 중첩하는 제2 필터부를 포함하고,
    상기 제2 필터부는 상기 광변환 화합물 포함하는 표시 패널.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 필터부는 상기 제1 광을 투과시키고,
    상기 제2 필터부는 480nm 이상의 광을 선택적으로 투과시키는 표시 패널.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제2 필터부는 상기 제2 광제어부와 중첩하는 제1 서브필터부; 및 상기 제3 광제어부와 중첩하는 제2 서브필터부를 포함하고,
    상기 제1 서브필터부 및 상기 제2 서브필터부는 평면 상에서 서로 이격된 표시 패널.
  15. 제6항에 있어서,
    상기 필터층 상에 배치된 상부 기판을 더 포함하는 표시 패널.
  16. 제6항에 있어서,
    상기 제1 광은 청색광인 표시 패널.
  17. 제6항에 있어서,
    상기 발광 소자층은 두께 방향으로 적층된 복수 개의 발광층들을 포함하는 표시 패널.
  18. 턴온 상태에서 제1 광을 방출하는 발광 소자층;
    상기 발광 소자층 상에 배치되고, 상기 제1 광을 투과시키는 제1 광제어부, 상기 제1 광을 상기 제1 광보다 장파장인 제2 광으로 변환시키는 제2 광제어부, 및 상기 제1 광을 상기 제1 광보다 장파장이며 상기 제2 광과 상이한 제3 광으로 변환시키는 제3 광제어부를 포함하는 광제어층; 및
    상기 광제어층 상에 배치되고, 광변색 화합물을 포함하는 필터층을 포함하고,
    상기 광변색 화합물은 턴오프 상태에서 가시광선 전 영역을 투과시키는 제1 구조를 갖고, 상기 턴온 상태에서 청색광을 차단하고 녹색광을 투과시키는 제2 구조를 갖는 제1 광변색 화합물; 및
    상기 턴오프 상태에서 가시광선 전 영역을 투과시키는 제3 구조를 갖고, 상기 턴온 상태에서 청색광을 차단하고 적색광을 투과시키는 제4 구조를 갖는 제2 광변색 화합물을 포함하는 표시 패널.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 필터층은 상기 제1 광제어부와 중첩하고, 제1 광을 투과시키는 제1 필터부;
    상기 제2 광제어부와 중첩하고, 상기 제1 광변색 화합물을 포함하는 제2 필터부; 및
    상기 제3 광제어부와 중첩하고, 상기 제2 광변색 화합물을 포함하는 제3 필터부를 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 필터부는 평면 상에서 서로 이격된 표시 패널.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 광변색 화합물은 스파이로파이란스파이로옥사자인, 다이아릴에텐, 아조벤젠, 헥사아릴바이이미다졸, 및 스파이로페리미딘 중 적어도 하나를 포함하는 표시 패널.
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