KR20210133302A - 높은 종횡비 홀들 및 높은 홀 밀도를 갖는 가스 분배 플레이트 - Google Patents

높은 종횡비 홀들 및 높은 홀 밀도를 갖는 가스 분배 플레이트 Download PDF

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산지브 발루자
차드 피터슨
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

프로세싱 챔버의 샤워헤드 조립체를 위한 가스 분배 플레이트는 적어도 제1 플레이트 및 제2 플레이트를 포함할 수 있다. 제1 플레이트는 적어도 약 100 um의 직경을 각각 갖는 제1 복수의 홀들을 포함할 수 있다. 제2 플레이트는 적어도 약 100 um의 직경을 각각 갖는 제2 복수의 홀들을 포함할 수 있다. 추가로, 제1 복수의 홀들 각각은 제2 복수의 홀들의 개개의 홀과 정렬되어, 복수의 상호연결된 홀들을 형성한다. 상호연결된 홀들 각각은 각각의 다른 상호연결된 홀들로부터 격리된다.

Description

높은 종횡비 홀들 및 높은 홀 밀도를 갖는 가스 분배 플레이트
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 프로세싱 챔버들을 위한 샤워헤드에 관한 것으로, 더 상세하게는, 프로세싱 챔버들에 대해 높은 종횡비 홀들 및 높은 홀 밀도를 갖는 샤워헤드에 관한 것이다.
[0002] 많은 종래의 샤워헤드 설계들에서, 샤워헤드는 프로세싱 가스가 유동할 수 있게 하는 복수의 홀들을 갖는 가스 분배 플레이트를 포함한다. 그러나, 홀들의 수 및 이들 홀들의 종횡비는 제한될 수 있다. 따라서, 샤워헤드를 통한 프로세싱 가스의 유동의 균일성이 제한된다. 가스 분배 플레이트 내의 홀들의 수를 제한하는 주요 인자는 홀들이 생성되는 프로세스이다. 예컨대, 홀들의 기계적 드릴링은 가스 분배 플레이트 상에 높은 레벨들의 응력을 가하여 잠재적으로 가스 분배 플레이트를 손상시킬 수 있고 그리고/또는 가스 분배 플레이트 내에 버(burr)들을 생성할 수 있다. 추가로, 기계적 드릴링은 시간이 많이 걸리며, 프로세스 제한될 수 있다. 예컨대, 많은 예시들에서, 기계적 드릴링은 약 500 um의 가장 작은 직경 사이즈로 이용가능한 스핀들 냉각제 공급 드릴(spindle coolant fed drill)들을 이용하며, 이는 드릴링될 수 있는 가장 작은 가능한 홀을 제한한다. 다른 절삭 드릴링 방법(subtractive drilling method)들은 초음파 드릴링 또는 마이크로 EDM(electrical discharge machining)을 포함하며, 이들 둘 모두는 시간이 많이 걸린다. 절삭 드릴링의 추가적인 예는, 통상적으로 약 10:1 종횡비로 제한되고 또한 시간이 많이 걸리는 레이저 드릴링을 포함한다. 따라서, 홀들을 생성하는 종래의 방법들은 홀들의 사이즈 및 홀들의 종횡비를 제한하면서, 가스 분배 플레이트의 제조 비용을 증가시킨다. 추가로, 종래의 홀 생성 방법들은 홀 밀도를 제한하며, 이는 가스 분배 플레이트를 통해 유동하는 프로세스 가스의 균일성을 제한한다.
[0003] 따라서, 가스 분배의 균일성을 개선시키기 위해, 비용-효과적인 방식으로 가스 분배 플레이트에 많은 수의 작은 직경의 홀들을 생성하기 위한 개선된 제조 방법들에 대한 필요성이 존재한다.
[0004] 일 실시예에서, 샤워헤드 조립체를 위한 가스 분배 플레이트는 제1 플레이트 및 제2 플레이트를 포함한다. 제1 플레이트는 적어도 약 100 um의 직경을 각각 갖는 제1 복수의 홀들을 포함할 수 있다. 제2 플레이트는 적어도 약 100 um의 직경을 각각 갖는 제2 복수의 홀들을 포함할 수 있다. 추가로, 제1 복수의 홀들 각각은 제2 복수의 홀들의 개개의 홀과 정렬되어, 복수의 상호연결된 홀들을 형성한다. 복수의 상호연결된 홀들 각각은 복수의 상호연결된 홀들의 각각의 다른 홀로부터 격리된다.
[0005] 일 실시예에서, 샤워헤드를 형성하기 위한 방법은 제1 플레이트에 제1 복수의 홀들을 생성하는 단계 및 제2 플레이트에 제2 복수의 홀들을 생성하는 단계를 포함한다. 제1 복수의 홀들 각각은 적어도 약 100 um의 직경을 갖고, 제2 복수의 홀들 각각은 약 100 um의 직경을 갖는다. 방법은, 복수의 상호연결된 홀들을 생성하기 위해 제1 복수의 홀들 각각을 제2 복수의 홀들의 개개의 홀과 정렬시키는 단계, 및 제1 플레이트를 제2 플레이트에 본딩(bond)하는 단계를 더 포함한다. 복수의 상호연결된 홀들 각각은 복수의 상호연결된 홀들의 각각의 다른 홀로부터 격리된다.
[0006] 일 실시예에서, 프로세싱 챔버는, 샤워헤드 조립체, 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부, 및 샤워헤드 조립체와 유체 커플링되고 샤워헤드 조립체에 프로세스 가스를 제공하도록 구성된 가스 공급부를 포함한다. 샤워헤드 조립체는 제1 플레이트 및 제2 플레이트를 포함하는 가스 분배 플레이트를 포함한다. 제1 플레이트는 적어도 약 100 um의 직경을 각각 갖는 제1 복수의 홀들을 포함한다. 제2 플레이트는 적어도 약 100 um의 직경을 각각 갖는 제2 복수의 홀들을 포함한다. 추가로, 제1 복수의 홀들 각각은 제2 복수의 홀들의 개개의 홀과 정렬되어, 복수의 상호연결된 홀들을 형성하고, 복수의 상호연결된 홀들 각각은 복수의 상호연결된 홀들의 각각의 다른 홀로부터 격리된다.
[0007] 본 개시내용의 위에서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들 중 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들이 단지 예시적인 실시예들만을 예시하는 것이므로, 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0008] 도 1 및 도 2a는 하나 이상의 실시예들에 따른 가스 분배 플레이트의 개략적인 단면도이다.
[0009] 도 2b는 하나 이상의 실시예들에 따른 가스 분배 플레이트의 일부의 개략적인 측면도이다.
[0010] 도 3은 하나 이상의 실시예들에 따른 가스 분배 플레이트의 개략적인 단면도이다.
[0011] 도 4a, 도 4b, 도 4c, 도 4d, 도 4e, 도 4f, 도 4g, 도 4h, 및 도 4i는 하나 이상의 실시예들에 따른 가스 분배 플레이트의 개략적인 단면도이다.
[0012] 도 5는 하나 이상의 실시예들에 따른, 가스 분배 플레이트를 형성하기 위한 방법의 흐름도를 예시한다.
[0013] 도 6은 하나 이상의 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 측면도이다.
[0014] 이해를 용이하게 하기 위하여, 도면들에 공통적인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가적인 인용 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다는 것이 고려된다.
[0015] 본 출원에 대한 실시예들은 샤워헤드 조립체를 위한 높은 종횡비 홀들을 갖는 가스 분배 플레이트를 포함한다. 가스 분배 플레이트는 프로세싱 가스가 유동할 수 있게 하는 복수의 홀들을 포함한다. 많은 예시들에서, 복수의 홀들 각각의 사이즈를 감소시킴으로써 그리고 복수의 홀들의 수를 증가시킴으로써, 프로세싱 동안 기판에 적용되는 프로세스 가스의 균일성이 또한 개선될 수 있다. 따라서, 다음의 개시내용의 실시예들은 많은 수의 작은 홀들을 갖는 가스 분배 플레이트, 및 적절한 강도를 위해 가스 분배 플레이트의 충분한 두께를 유지하면서 그러한 가스 분배 플레이트를 생성하기 위한 방법을 설명한다.
[0016] 도 1은 하나 이상의 실시예들에 따른 가스 분배 플레이트(100)를 예시한다. 가스 분배 플레이트(100)는 플레이트(1101) 및 플레이트(1102)를 포함한다. 플레이트(1101)는 플레이트(1102)에 연결되어, 가스 분배 플레이트(100)를 형성할 수 있다. 추가로, 가스 분배 플레이트(100)는 샤워헤드 조립체, 예컨대 도 6의 샤워헤드 조립체(616)의 일부일 수 있다.
[0017] 플레이트(1101)는 홀들(1121)을 포함한다. 추가로, 플레이트(1101)는 그 중에서도, 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 니켈, 니켈 합금, 또는 실리콘으로 형성될 수 있다. 홀들(1121)의 수는 약 50,000개 이상일 수 있다. 추가로, 홀들(1121)의 수는 약 100,000개 이상일 수 있다. 각각의 홀(1121)의 직경은 적어도 약 100 um일 수 있다. 추가로, 각각의 홀(1121)의 직경은 약 100 um 내지 약 600 um일 수 있다. 대안적으로, 각각의 홀(1121)의 직경은 약 100 um 미만 또는 약 600 um 초과일 수 있다. 추가로, 각각의 홀(1121)은 공통 사이즈(예컨대, 공통 직경)을 가질 수 있다. 대안적으로, 하나 이상의 홀들(1121)의 직경은 홀들(1121) 중 다른 홀의 직경과 상이하다.
[0018] 홀들(1121) 각각은 균일한 직경을 가질 수 있다. 예컨대, 홀들(1121) 각각의 종횡비는, 각각의 홀(1121) 내의 임의의 지점에서의 직경이 각각의 홀(1121) 내의 임의의 다른 지점에서의 직경과 동일하거나 또는 제조 허용오차 내에 있도록 실질적으로 일정할 수 있다. 추가로, 플레이트(1101)의 제1 측의 각각의 홀(1121)의 사이즈는 플레이트(1101)의 제2 측의 각각의 홀(1121)의 사이즈와 동일하거나 또는 제조 허용오차 내에 있다. 대안적으로, 도 4c의 실시예에 관해 더 상세히 설명될 바와 같이, 플레이트(1101)의 제1 측 상의 홀의 직경은 플레이트(1101)의 제2 측 상의 홀의 직경과 상이할 수 있다.
[0019] 플레이트(1101)의 두께(116)는 약 200 um 내지 약 900 um의 범위에 있을 수 있다. 대안적으로, 플레이트(1101)의 두께(116)는 약 200 um 미만 또는 약 900 um 초과일 수 있다.
[0020] 플레이트(1102)는 홀들(1122)을 포함한다. 플레이트(1102)는 그 중에서도, 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 니켈, 니켈 합금, 또는 실리콘으로 형성될 수 있다. 추가로, 플레이트(1102)는 플레이트(1101)와 동일한 재료 또는 플레이트(1101)와 상이한 재료로 형성될 수 있다. 홀들(1122)의 수는 약 50,000개 이상일 수 있다. 추가로, 홀들(1122)의 수는 약 100,000개 이상일 수 있다. 홀들(1122)의 수는 홀들(1121)의 수와 동일할 수 있다. 각각의 홀(1122)의 직경은 약 100 um 내지 약 600 um일 수 있다. 대안적으로, 각각의 홀(1122)의 직경은 약 100 um 미만 또는 약 600 um 초과일 수 있다. 추가로, 각각의 홀(1122)은 공통 사이즈(예컨대, 공통 직경)을 가질 수 있다. 대안적으로, 하나 이상의 홀들(1122)의 직경은 홀들(1122) 중 다른 홀의 직경과 상이하다. 부가적으로, 홀들(1122) 각각의 직경은 홀들(1121) 각각의 직경과 동일할 수 있거나, 또는 하나 이상의 홀들(1122)은 홀들(1121) 중 하나 이상 홀들의 직경과 상이하다.
[0021] 홀들(1122) 각각은 균일한 직경을 가질 수 있다. 예컨대, 홀들(1122) 각각의 종횡비는, 각각의 홀(1122) 내의 임의의 지점에서의 직경이 각각의 홀(1122) 내의 임의의 다른 지점에서의 직경과 동일하거나 또는 제조 허용오차 내에 있도록 실질적으로 일정할 수 있다. 추가로, 플레이트(1102)의 제1 측의 각각의 홀(1122)의 사이즈는 플레이트(1102)의 제2 측의 각각의 홀(1121)의 사이즈와 동일하거나 또는 제조 허용오차 내에 있다. 대안적으로, 적어도 도 4c의 실시예에 관해 더 상세히 설명될 바와 같이, 플레이트(1101)의 제1 측 상의 홀의 직경은 플레이트(1101)의 제2 측 상의 홀의 직경과 상이할 수 있다.
[0022] 플레이트(1102)의 두께(126)는 약 200 um 내지 약 900 um의 범위에 있을 수 있다. 대안적으로, 플레이트(1102)의 두께(126)는 약 200 um 미만 또는 약 900 um 초과일 수 있다.
[0023] 가스 분배 플레이트(100) 및 플레이트들(1101, 1102)은 원형 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 가스 분배 플레이트(100)는 약 200 mm 내지 약 350 mm의 범위의 직경을 갖는 원형 형상을 가질 수 있다. 대안적으로, 가스 분배 플레이트(100)는 약 200 mm 미만 또는 약 350 mm 초과의 직경을 가질 수 있다. 추가로, 가스 분배 플레이트(100)는 원형 형상 이외의 다른 형상들을 가질 수 있다. 예컨대, 가스 분배 플레이트(100)는 그 중에서도 타원형 형상 또는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 추가로, 가스 분배 플레이트(100)가 2개의 플레이트들, 예컨대 플레이트(1101) 및 플레이트(1102)를 포함하는 것으로 도시되지만, 가스 분배 플레이트(100)는 2개 초과의 플레이트들을 포함할 수 있다. 예컨대, 도 3에 예시된 바와 같이, 가스 분배 플레이트(100)는 플레이트들(110N)을 포함할 수 있으며, 여기서 N은 2보다 크다. 추가로, 가스 분배 플레이트(100)의 총 두께는 약 25.4 mm일 수 있다. 대안적으로, 가스 분배 플레이트(100)의 총 두께는 약 25.4 mm 미만 또는 약 25.4 mm 초과일 수 있다.
[0024] 플레이트들(1101, 1102)은 가스 분배 플레이트(100)를 형성하기 위해 함께 접합될 수 있다. 예컨대, 도 2a에 예시된 바와 같이, 플레이트들(1101, 1102)은 함께 접합되어, 가스 분배 플레이트(100) 및 복수의 상호연결된 홀들(212)을 형성할 수 있다.
[0025] 도 2a는 일 실시예에 따른 가스 분배 플레이트(100)를 예시한다. 도 2a의 가스 분배 플레이트(100)는, 홀들(1121) 각각이 홀들(1122)의 개개의 홀과 정렬되도록 플레이트들(1101, 1102)을 함께 접합 또는 커플링시킴으로써 형성되는 결합된 플레이트(210)를 포함한다. 홀들(1121) 각각을 홀들(1122)의 개개의 홀들과 정렬시키는 것은 복수의 상호연결된 홀들(212)을 형성한다. 상호연결된 홀들(212) 각각은 홀들(1121) 중 하나 및 홀들(1122) 중 하나로 형성된다. 추가로, 상호연결된 홀들(212) 각각은 서로 상호연결된 홀로부터 격리될 수 있다. 예컨대, 프로세싱 가스는 상호연결된 홀들(212) 각각을 통해 유동될 수 있지만, 상호연결된 홀들(212) 사이에서는 유동되지 않을 수 있다. 추가로, 상호연결된 홀들(212) 각각은 동일한 형상 및/또는 사이즈일 수 있다.
[0026] 결합된 플레이트(210)는 2보다 큰 수의 플레이트들로 형성될 수 있다. 예컨대, 결합된 플레이트(210)는 적어도 N개의 플레이트들로 형성될 수 있으며, 여기서 N은 3 이상이다. 결합된 플레이트(210)는 적어도 10개의 플레이트들로 형성될 수 있다. 추가로, 결합된 플레이트(210)는 적어도 100개의 플레이트들로 형성될 수 있다.
[0027] 도 2b는 하나 이상의 실시예들에 따른 결합된 플레이트(210)의 일부를 예시한다. 상호연결된 홀(212a)은 직경(214) 및 높이(216)를 갖는다. 추가로, 상호연결된 홀(212)의 종횡비는 높이(216) 대 직경(214)의 비율에 기반할 수 있다. 예컨대, 상호연결된 홀(212a)은 적어도 약 50 대 1의 종횡비를 가질 수 있다. 대안적으로, 상호연결된 홀(212a)은 약 50 대 1 미만 또는 약 50 대 1 초과의 종횡비를 가질 수 있다. 추가로, 상호연결된 홀들(212) 각각은 대략 동일한 종횡비를 가질 수 있다. 대안적으로, 상호연결된 홀(212a)은 약 25 대 1의 종횡비를 가질 수 있다.
[0028] 상호연결된 홀들(212) 각각의 상호연결된 홀의 직경은 실질적으로 균일할 수 있다. 예컨대, 상호연결된 홀의 임의의 지점에서, 직경은 상호연결된 홀의 임의의 다른 지점의 직경과 동일하거나 또는 제조 허용오차 내에 있다. 다른 방식으로 나타내면, 각각의 상호연결된 홀들의 종횡비는 각각의 상호연결된 홀의 전체에 걸쳐 (예컨대, 제조 허용오차 내에서) 균일하거나 실질적으로 유사하다. 추가로, 결합된 플레이트(210)의 제1 측(예컨대, 표면)에서의 각각의 상호연결된 홀(212)의 직경은 결합된 플레이트(210)의 제2 측(예컨대, 표면)에서의 각각의 상호연결된 홀(212)의 직경과 동일하다.
[0029] 도 3은 하나 이상의 실시예들에 따른 가스 분배 플레이트(100)를 예시한다. 도 3의 가스 분배 플레이트(100)는 플레이트(1101), 플레이트(1102), 및 플레이트(110N)를 접합시킴으로써 형성된 결합된 플레이트(300)를 포함하며, 여기서 N은 2보다 크다. 추가로, 플레이트(1101)의 홀들(1121), 플레이트(1102)의 홀들(1122), 및 플레이트(110N)의 홀들(112N)은 복수의 상호연결된 홀들을 생성하도록 정렬된다.
[0030] 도 4a는 하나 이상의 실시예들에 따른 가스 분배 플레이트(400a)의 플레이트들(4101 및 4102)을 예시한다. 2개의 플레이트들이 도 4a의 실시예에서 예시되지만, 대안적으로, 가스 분배 플레이트(400b)는 3개 이상의 플레이트들을 포함할 수 있다. 추가로, 플레이트(4101)는 플레이트(4102)에 본딩되어, 가스 분배 플레이트(400a)를 형성할 수 있다. 부가적으로, 가스 분배 플레이트(400a)는 샤워헤드 조립체, 예컨대 도 6의 샤워헤드 조립체(616)의 일부일 수 있다.
[0031] 플레이트(4101)는 홀들(4121)을 포함하며, 플레이트(1101 및 1102)의 홀과 유사하게 형성될 수 있다. 추가로, 플레이트(4102)는 홀들(4122)을 포함하며, 플레이트(1101 및 1102)의 홀과 유사하게 형성될 수 있다.
[0032] 홀들(4122) 각각의 직경은 홀들(4121) 각각의 직경과 상이할 수 있다. 예컨대, 플레이트(4101)의 표면(424)을 따르는 홀들(4121)의 직경은 플레이트(4102)의 표면(426)을 따르는 홀들(4122)의 직경보다 크다. 추가로, 표면(426)을 따른 홀들(4122)의 직경은 표면(428)을 따르는 홀들(4122)의 직경과 동일할 수 있거나 상이할 수 있다. 예컨대, 표면(426)을 따르는 홀들(4122)의 직경은 표면(428)을 따르는 홀들(4122)의 직경보다 크거나 작을 수 있다.
[0033] 상이한 직경들을 갖는 홀들을 갖는 플레이트들을 이용하는 것은 플레이트들에 함께 본딩되기 전에 플레이트들의 정렬을 보조할 수 있다. 예컨대, 상이한 직경의 홀들을 이용하는 것은, 서로 완전히 정렬된 공통 직경의 홀들을 이용하는 것과 비교하여 가스 유동을 위한 유사한 단면적을 유지하면서 홀들의 정렬에서 약간의 오프셋들을 허용한다.
[0034] 도 4b는 하나 이상의 실시예들에 따른 가스 분배 플레이트(400a)의 일부를 예시한다. 특히, 도 4b는 플레이트(4101)를 플레이트(4102)와 본딩한 이후 형성된 가스 분배 플레이트(400a)의 상호연결된 홀(440a)을 예시한다. 예컨대, 상호연결된 홀(440a)은 플레이트(4101)를 플레이트(4102)와 접합시킴으로써 형성되며, 홀들(4121) 중 하나 및 홀들(4122) 중 하나를 포함한다. 추가로, 상호연결된 홀(440)의 직경은 불균일하다(즉, 불균일한 직경). 예컨대, 표면(422)을 따르는 상호연결된 홀(440a)의 직경은 면(428)을 따르는 상호연결된 홀(440)의 직경과 상이하다. 도 4b에 예시된 바와 같이, 표면(422)을 따르는 상호연결된 홀(440a)의 직경은 표면(428)을 따르는 상호연결된 홀(440a)의 직경보다 크다. 대안적으로, 표면(422)을 따르는 상호연결된 홀(440a)의 직경은 표면(428)을 따르는 상호연결된 홀(440a)의 직경보다 작을 수 있다.
[0035] 도 4c는 하나 이상의 실시예들에 따른 가스 분배 플레이트(400b)의 플레이트들(4103 및 4104)을 예시한다. 2개의 플레이트들이 도 4c의 실시예에서 예시되지만, 대안적으로, 가스 분배 플레이트(400b)는 3개 이상의 플레이트들을 포함할 수 있다. 추가로, 플레이트(4103)는 플레이트(4104)에 본딩되어, 가스 분배 플레이트(400b)를 형성할 수 있다. 부가적으로, 가스 분배 플레이트(400b)는 샤워헤드 조립체, 예컨대 도 6의 샤워헤드 조립체(616)의 일부일 수 있다.
[0036] 플레이트(4103)는 홀들(4123)을 포함하며, 플레이트(1101 및 1102)의 홀과 유사하게 형성될 수 있다. 플레이트(4104)는 홀들(4124)을 포함하며, 플레이트(1101 및 1102)의 홀과 유사하게 형성될 수 있다.
[0037] 플레이트들(4101 및 4102)의 직경과 유사하게, 홀들(4123) 각각의 직경은 홀들(4124) 각각의 직경과 상이할 수 있다. 그러나, 홀들(4123) 및/또는 홀들(4124)은 테이퍼형 구역(tapered region)을 포함할 수 있다. 예컨대, 홀들(4124)은 테이퍼형 구역(434)을 포함한다. 따라서, 홀들(4124)의 직경은 불균일하다. 예컨대, 표면(426)을 따르는 홀들(4124)의 직경은 표면(428)을 따르는 홀들(4124)의 직경보다 크다. 부가적으로 또는 대안적으로, 홀들(4123)의 직경은 불균일할 수 있다. 예컨대, 표면들(422 및 424) 중 하나를 따르는 홀들(4123)의 직경은 표면들(422 및 424) 중 다른 하나를 따르는 홀들(4123)의 직경과 상이할 수 있다. 또한, 홀들(4123)은 테이퍼형 구역을 포함할 수 있다.
[0038] 도 4d는 하나 이상의 실시예들에 따른 가스 분배 플레이트(400b)의 일부를 예시한다. 특히, 도 4d는 플레이트(4103)를 플레이트(4104)와 본딩한 이후 형성된 가스 분배 플레이트(400b)의 상호연결된 홀(440b)을 예시한다. 예컨대, 상호연결된 홀(440a)은 플레이트(4103)를 플레이트(4104)와 접합시킴으로써 형성되며, 홀들(4123) 중 하나 및 홀들(4124) 중 하나를 포함한다. 따라서, 상호연결된 홀(440b)의 직경은 불균일하여, 표면(422)과 표면(428) 사이에서 상이하고, 상호연결된 홀(440b)은 테이퍼형 구역(434)을 포함한다. 표면(422)을 따르는 상호연결된 홀(440b)의 직경은 표면(428)을 따르는 상호연결된 홀(440b)의 직경보다 크거나 작을 수 있다.
[0039] 도 4e는 하나 이상의 실시예들에 따른 상호연결된 홀(440c)을 예시한다. 상호연결된 홀(440c)은 도 1, 도 3, 도 4a, 및/또는 도 4c의 실시예들에서 예시되고 대응하는 설명에서 설명된 바와 같이 2개 이상의 플레이트들 내의 홀들로 형성될 수 있다. 도 4e에 예시된 바와 같이, 상호연결된 홀(440c)은 표면(422)을 따라 배치된 테이퍼형 구역(444)을 포함한다. 추가로, 상호연결된 홀(440c)의 직경은 불균일하여, 표면(422 및 428) 사이에서 다양하다.
[0040] 도 4f는 하나 이상의 실시예들에 따른 상호연결된 홀(440d)을 예시한다. 상호연결된 홀(440d)은 도 1, 도 3, 도 4a, 및/또는 도 4c의 실시예들에서 예시되고 대응하는 설명에서 설명된 바와 같이 2개 이상의 플레이트들 내의 홀들로 형성될 수 있다. 도 4f에 예시된 바와 같이, 상호연결된 홀(440d)은 표면(422)을 따라 배치된 테이퍼형 구역(454) 및 표면(422 및 428) 사이에 배치된 테이퍼형 구역(456)을 포함한다. 추가로, 상호연결된 홀(440d)의 직경은 불균일하여, 표면(422 및 428) 사이에서 다양하다.
[0041] 도 4g는 하나 이상의 실시예들에 따른 상호연결된 홀(440e)을 예시한다. 상호연결된 홀(440e)은 도 1, 도 3, 도 4a, 및/또는 도 4c의 실시예들에서 예시되고 대응하는 설명에서 설명된 바와 같이 2개 이상의 플레이트들 내의 홀들로 형성될 수 있다. 도 4g에 예시된 바와 같이, 상호연결된 홀(440e)은 표면(422)을 따라 배치된 테이퍼형 구역들(464) 및 표면(428)을 따라 배치된 테이퍼형 구역(466)을 포함한다. 추가로, 상호연결된 홀(440e)의 직경은 불균일하여, 표면(422 및 428) 사이에서 다양하다. 표면(422)을 따르는 상호연결된 홀(440e)의 직경은 표면(428)을 따르는 상호연결된 홀(440e)의 직경과 (예컨대, 제조 허용오차 내에서) 유사할 수 있다. 대안적으로, 표면(422)을 따르는 상호연결된 홀(440e)의 직경은 표면(428)을 따르는 상호연결된 홀(440e)의 직경과 상이하다. 예컨대, 표면(422)을 따르는 상호연결된 홀(440e)의 직경은 표면(428)을 따르는 상호연결된 홀(440e)의 직경보다 크거나 또는 작다.
[0042] 도 4h는 하나 이상의 실시예들에 따른 상호연결된 홀(440f)을 예시한다. 상호연결된 홀(440f)은 도 1, 도 3, 도 4a, 및/또는 도 4c의 실시예들에서 예시되고 대응하는 설명에서 설명된 바와 같이 2개 이상의 플레이트들 내의 홀들로 형성될 수 있다. 도 4h에 예시된 바와 같이, 상호연결된 홀(440f)은 표면(428)을 따라 배치된 테이퍼형 구역(474)을 포함한다. 추가로, 상호연결된 홀(440f)의 직경은 불균일하여, 표면(422 및 428) 사이에서 다양하다.
[0043] 도 4i는 하나 이상의 실시예들에 따른 상호연결된 홀(440e)을 예시한다. 상호연결된 홀(440g)은 도 1, 도 3, 도 4a, 및/또는 도 4c의 실시예들에서 예시되고 대응하는 설명에서 설명된 바와 같이 2개 이상의 플레이트들 내의 홀들로 형성될 수 있다. 도 4i에 예시된 바와 같이, 상호연결된 홀(440g)은 표면(422)을 따라 배치된 테이퍼형 구역(484) 및 표면(428)을 따라 배치된 테이퍼형 구역(486)을 포함한다. 추가로, 상호연결된 홀(440g)의 직경은 불균일하여, 표면(422 및 428) 사이에서 다양하다. 하나 이상의 실시예들에서, 표면(422)을 따르는 상호연결된 홀(440g)의 직경은 표면(428)을 따르는 상호연결된 홀(440g)의 직경보다 크다. 대안적으로, 표면(428)을 따르는 상호연결된 홀(440g)의 직경은 표면(422)을 따르는 상호연결된 홀(440g)의 직경보다 클 수 있다.
[0044] 플레이트들(1101, 1102, 110N)은, 플레이트들을 손상시키지 않으면서 그리고 상호연결된 홀들 사이의 독립성을 유지하면서 플레이트들을 본딩하는 데 적합한 임의의 방법을 사용하여 본딩될 수 있다. 예컨대, 도 5는 하나 이상의 실시예들에 따른, 가스 분배 플레이트(100)를 생성하기 위해 플레이트들을 본딩하기 위한 방법의 흐름도를 예시한다. 동작(510)에서, 복수의 홀들이 제1 플레이트에 생성된다. 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 홀들(1121)이 플레이트(1101)에 생성된다. 홀들(1121)은 기계적 드릴링, 초음파 드릴링, 레이저 드릴링, 전기-방전 기계가공, 또는 임의의 다른 절삭 제조 방법의 프로세스를 통해 생성될 수 있다.
[0045] 동작(520)에서, 복수의 홀들이 제2 플레이트에 생성된다. 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 홀들(1122)이 플레이트(1102)에 생성된다. 홀들(1121)은 기계적 드릴링, 초음파 드릴링, 레이저 드릴링, 전기-방전 기계가공, 또는 임의의 다른 절삭 제조 방법의 프로세스를 통해 생성될 수 있다. 추가로, 임의의 수의 플레이트들에 홀들을 생성하기 위해 유사한 방법이 사용될 수 있다.
[0046] 동작(530)에서, 플레이트들이 본딩을 위해 준비된다. 예컨대, 플레이트들(110 및 410)의 표면들은, 플레이트들의 적절한 본딩을 용이하게 하기 위해 표면들이 평탄하고 깨끗한 것을 보장하도록 본딩을 위해 준비될 수 있다. 본딩을 위해 표면들을 준비하는 것은 그 중에서도, 표면들을 연마하는 것, 표면들을 래핑(lap)하는 것, 표면들을 세정하는 것, 및 표면들을 에칭하는 것 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
[0047] 동작(540)에서, 제1 플레이트의 복수의 홀들 각각은 제2 플레이트의 복수의 홀들의 개개의 홀과 정렬된다. 예컨대, 홀들(1121) 각각은 홀들(1122)의 개개의 홀과 정렬되어, 복수의 상호연결된 홀들(212)을 형성할 수 있다. 추가로, 결합된 플레이트를 형성하기 위해 2개 초과의 플레이트들이 이용되는 실시예들에서, 임의의 2개의 플레이트들로부터의 홀들은 복수의 상호연결된 홀들을 형성하도록 정렬될 수 있다. 상호연결된 홀들 각각은 가스 분배 플레이트(100)를 형성하는 데 이용되는 플레이트들 각각으로부터의 홀로 형성될 수 있다.
[0048] 동작(550)에서, 제1 플레이트는 제2 플레이트와 본딩된다. 예컨대, 플레이트들은 그 중에서도, 브레이징 방법(즉, 브레이징 기법) 또는 확산 본딩 방법(즉, 확산 본딩 기법)을 사용하여 함께 이루어질 수 있다.
[0049] 브레이징 방법에서, 홀들이 정렬되고, 플레이트들이 적층되며, 브레이즈(braze) 또는 충전제 시트가 플레이트들 사이에 배치 및 개재될 수 있다. 예컨대, 플레이트(1101)가 플레이트(1102)와 적층될 수 있고, 홀들(1121) 각각이 홀들(1122)의 개개의 홀과 정렬될 수 있다. 부가적으로, 브레이즈 시트들이 플레이트 상에 배치된 이후 그리고 플레이트들이 적층되기 전에, 대응하는 플레이트 내의 홀과 중첩될 수 있는 브레이즈 시트들의 부분들이 제거될 수 있다. 플레이트들(1101 및 1102)의 정렬 이후, 브레이징 프로세스가 완료될 수 있다. 예컨대, 브레이즈 시트들을 용융시키고 플레이트(1101)를 플레이트(1102)와 접합시키기 위해, 브레이즈 시트들의 용융 온도 이상의 온도가 가스 분배 플레이트(100)에 적용될 수 있다.
[0050] 확산 본딩 방법에서, 가스 분배 플레이트(100)의 각각의 플레이트가 적층될 수 있고, 각각의 플레이트의 홀들이 정렬될 수 있다. 예컨대, 플레이트(1101)가 플레이트(1102)와 적층될 수 있고, 홀들(1121) 각각이 홀들(1122)의 개개의 홀과 정렬될 수 있다. 플레이트들을 적층하고 홀들을 정렬시킨 이후, 확산 본딩 프로세스가 완료될 수 있다. 추가로, 홀들을 정렬시키는 것은, 플레이트들 각각의 원재료의 롤링 방향들이 정렬되도록 플레이트들을 배향시키는 것을 포함할 수 있다. 플레이트들의 롤링 방향들을 배향시키는 것은, 플레이트들에 대한 원재료의 방향에 기반한 재료 속성들의 어떠한 미스매치도 가스 분배 플레이트의 본딩 및 성능에 영향을 주지 않는 것을 보장할 수 있다. 롤링 방향은 플레이트들을 생성하는 데 이용되는 제조 프로세스의 결과로서 생성된 플레이트들의 표면 상의 구조적 라인들에 평행할 수 있다.
[0051] 동작(560)에서, 제1 플레이트 및 제2 플레이트를 본딩함으로써 형성된 가스 분배 플레이트가 세정된다. 예컨대, 일 실시예에서, 본딩 프로세스의 완료 이후, 가스 분배 플레이트는 임의의 적합한 화학적 세정 프로세스를 사용하여 세정될 수 있다. 동작(570)에서, 가스 분배 플레이트(100, 400)는, ALD(atomic layer deposition) 방법, 또는 프로세싱 가스가 여전히 상호연결된 홀들을 통과할 수 있도록 가스 분배 플레이트(100, 400) 상에 층을 증착시킬 수 있는 임의의 다른 프로세스를 사용하여 산화물로 코팅되어, 가스 분배 플레이트 상에 코팅을 형성할 수 있다. 예컨대, 가스 분배 플레이트(100, 400)는 그 중에서도, 알루미늄 산화물 또는 이트륨 산화물과 같은 산화물로 코팅될 수 있다.
[0052] 도 6은 일 실시예에 따른 프로세싱 챔버(600)의 개략적인 단면도를 예시한다. 프로세싱 챔버(600)는 그 내부에서 하나 이상의 기판들(640)을 프로세싱하는 데 사용될 수 있으며, 그 프로세싱하는 것은 기판(640) 상에 재료를 증착하는 것, 기판(640)의 가열, 기판(640)의 에칭, 또는 이들의 조합들의 프로세스들을 포함한다. 프로세싱 챔버(600)는 ALD(atomic layer deposition) 챔버일 수 있다. 추가로, 프로세싱 챔버(600)는 그 중에서도, CVD(chemical vapor deposition) 프로세싱 챔버, PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 프로세싱 챔버, 또는 PVD(physical vapor deposition) 프로세싱 챔버일 수 있다.
[0053] 하나 이상의 실시예들에서, 프로세싱 챔버(600)는 기판(640)을 지지하기 위해 내부에 배치된 기판 지지부(642)를 포함하는 내부 구역(611)을 갖는다. 기판 지지부(642)는 가열 엘리먼트(618), 및 기판 지지부(642)의 최상부 표면(544) 상에 기판(640)을 유지하는 엘리먼트, 이를테면 정전 척, 진공 척, 기판 유지 클램프 등을 포함한다. 기판 지지부(642)는 상승된 프로세싱 포지션과 하강된 포지션 사이에서 기판 지지부(642)를 이동시키는 리프트 시스템에 연결된 스템(stem)(610)에 커플링되고, 그 스템(610)에 의해 내부 구역(611)에 이동가능하게 배치되며, 하강된 포지션은 개구(624)를 통한 프로세스 챔버(600)로의 그리고 프로세스 챔버(600)로부터의 기판(640)의 이송을 용이하게 한다.
[0054] 프로세싱 챔버(600)는 가스 공급 소스(626)를 포함할 수 있다. 하나 이상의 실시예에서, 가스 공급 소스(626)는, 가스 소스로부터, 내부 구역(611)에 걸쳐 프로세스 가스들을 분배하기 위해 사용되는 샤워헤드 조립체(616)의 가스 분배 플레이트(100)로의 프로세스 가스 또는 가스들의 유량을 제어하기 위해 가스 소스와 내부 구역(611) 사이에 배치된 MFC(mass flow control) 디바이스를 포함할 수 있다. 예컨대, 프로세스 가스는 가스 유입구(614)를 통해 그리고 가스 분배 플레이트(100)의 홀들을 통해 유동될 수 있다. 샤워헤드 조립체(616)는 프로세싱 챔버(600)에 커플링된다. 예컨대, 샤워헤드 조립체(616)는 기판(640) 위에 가스 분배 플레이트(100)를 포지셔닝하기 위해 프로세싱 챔버(600)에 커플링될 수 있다. 가스 분배 플레이트(100)는 기판(640) 위에 중심설정될 수 있다. 추가로, 가스 분배 플레이트(100)는, 가스 분배 플레이트(100)의 에지들이 기판(640)의 에지들을 넘어 연장되도록 기판(640)보다 클 수 있다. 샤워헤드 조립체(616)는 프로세스 가스들로부터 내부 구역(611)에서 플라즈마를 생성하기 위해 RF 전력 소스에 연결될 수 있다. 게다가, 증착 프로세스는 기판(640) 상으로 막을 증착시키거나 성장시키기 위해 프로세싱 압력에서 기판(640)을 프로세싱하는 데 이용될 수 있다.
[0055] 스템(610)은 기판(640)을 프로세싱하기 위해 기판 지지부(642)를 상승된 프로세싱 포지션으로 이동시키도록 구성된다. 추가로, 진공 펌프(657)가 내부 구역(611)에 커플링되고, 내부 구역(611) 내의 압력을 제어할 수 있다.
[0056] 프로세스 가스, 이를테면 증착 가스 또는 세정 케미스트리(chemistry)가 가스 공급 소스(627)로부터 프로세싱 챔버(600)의 가스 유입구(613)를 통해 내부 구역(611) 내로 공급될 수 있다. 추가로, 프로세스 가스는 가스 배출구(636)를 통해 프로세스 가스 구역을 빠져나갈 수 있다. 가스 배출구(636)를 통한 프로세스 가스(세정 케미스트리를 포함함)의 제거는 가스 배출구(636)에 커플링된 진공 펌프(657)에 의해 용이하게 된다.
[0057] 위에서 설명된 프로세싱 챔버(600)는 프로세서 기반 시스템 제어기, 이를테면 제어기(630)에 의해 제어될 수 있다. 예컨대, 제어기(630)는 기판 프로세싱 시퀀스의 상이한 동작들 동안 다양한 전구체 가스들, 프로세스 가스들 및 퍼지 가스들의 유동을 제어하도록 구성된다. 추가적인 예로서, 제어기(630)는 다른 제어기 동작들 중에서, 가스들의 공급, 램프 동작, 또는 다른 프로세스 파라미터들을 제어하도록 구성된다.
[0058] 제어기(630)는 일반적으로, 프로세싱 챔버(600) 내의 컴포넌트들의 제어 및 자동화를 용이하게 하기 위해 사용된다. 제어기(630)는, 예컨대 컴퓨터, 프로그래밍가능 로직 제어기, 또는 임베디드 제어기일 수 있다. 제어기(630)는 통상적으로, CPU(central processing unit)(632), 메모리(634), 및 입력 및 출력(I/O)을 위한 지원 회로들을 포함한다. CPU(632)는 다양한 시스템 기능들, 기판 이동, 챔버 프로세스들, 및 제어 지원 하드웨어(예컨대, 센서들, 모터들, 가열기들 등)를 제어하기 위해 산업 현장들에서 사용되고 프로세싱 챔버(600)에서 수행되는 프로세스들을 모니터링하는 임의의 형태의 컴퓨터 프로세서들 중 하나일 수 있다. 메모리(634)는 CPU(632)에 연결되며, 로컬 또는 원격인 용이하게 이용가능한 비-휘발성 메모리, 이를테면 RAM(random access memory), 플래시 메모리, ROM(read only memory), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 임의의 다른 형태의 디지털 저장소 중 하나 이상일 수 있다. 소프트웨어 명령들 및 데이터는 CPU(632)에 명령하기 위해 코딩되어 메모리 내에 저장될 수 있다. 지원 회로들은 또한, 종래의 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 CPU(632)에 연결된다. 지원 회로들은 캐시, 전력 공급부들, 클록 회로들, 입력/출력 회로부, 서브시스템들 등을 포함할 수 있다. 제어기(630)에 의해 판독가능한 프로그램(예컨대, 소프트웨어 루틴 또는 컴퓨터 명령들)은 어느 태스크들이 프로세싱 챔버(600) 내의 컴포넌트들에 의해 수행가능한지를 결정한다. 바람직하게는, 프로그램은 제어기(630) 내의 프로세서에 의해 판독가능한 소프트웨어이며, 그 소프트웨어는 제어기(630)에 의해 제어되는 다양한 프로세스 태스크들 및 다양한 시퀀스들과 함께, 프로세싱 챔버(600) 내에서 수행되는 하나 이상의 프로세스들에서 이용되는 프로세스 변수들의 제어 및 전달의 모니터링, 실행 및 제어, 및 프로세싱 챔버(600) 내의 기판(640) 및 다른 컴포넌트들의 이동, 지지, 및/또는 포지셔닝에 관한 태스크들을 수행하기 위한 코드를 포함한다.
[0059] 기판의 프로세싱 동안 기판에 적용되는 프로세스 가스의 균일성을 증가시키기 위해 가스 분배 플레이트가 형성될 수 있다. 가스 분배 플레이트는 2개 이상의 플레이트들을 함께 접합시킴으로써 형성될 수 있다. 플레이트들 각각에는 복수의 홀들이 형성되어 있을 수 있으며, 플레이트들 중 제1 플레이트 내의 홀들 각각은 플레이트들 중 제2 플레이트 내의 개개의 홀과 정렬된다. 플레이트들이 접합될 때, 정렬된 홀들은 복수의 상호연결된 홀들을 형성한다. 추가로, 가스 분배 플레이트를 생성하도록 접합되는 더 얇은 플레이트들에 홀들을 형성함으로써, 홀들은, 홀들이 단일 플레이트로 형성되는 더 두꺼운 가스 분배 플레이트에 형성된 경우보다 더 높은 종횡비를 가질 수 있다. 추가로, 각각의 플레이트에 형성될 수 있는 홀들의 수는 단일 플레이트로 형성된 가스 분배 플레이트에 형성될 수 있는 홀들의 총 수보다 많을 수 있다.
[0060] 전술한 것이 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 발명의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 발명의 범위는 후속하는 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 샤워헤드 조립체를 위한 가스 분배 플레이트로서,
    제1 복수의 홀들을 포함하는 제1 플레이트 ― 상기 제1 복수의 홀들 각각은 적어도 약 100 um의 직경을 가짐 ―; 및
    상기 제1 플레이트에 커플링된 제2 플레이트를 포함하며,
    상기 제2 플레이트는 제2 복수의 홀들을 포함하고, 상기 제2 복수의 홀들 각각은 적어도 약 100 um의 직경을 갖고, 상기 제1 복수의 홀들 각각은 상기 제2 복수의 홀들의 개개의 홀과 정렬되어, 복수의 상호연결된 홀들을 형성하고, 상기 복수의 상호연결된 홀들 각각은 상기 복수의 상호연결된 홀들의 각각의 다른 홀로부터 격리되는, 샤워헤드 조립체를 위한 가스 분배 플레이트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 상호연결된 홀들 각각은 적어도 약 25 대 1의 종횡비를 갖는, 샤워헤드 조립체를 위한 가스 분배 플레이트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 복수의 홀들 각각 및 상기 제2 복수의 홀들 각각은 약 100 um 내지 약 600 um의 직경을 갖는, 샤워헤드 조립체를 위한 가스 분배 플레이트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 복수의 홀들 각각 및 상기 제2 복수의 홀들 각각 중 적어도 하나는 균일한 직경을 갖고,
    상기 제1 복수의 홀들 및 상기 제2 복수의 홀들 중 적어도 하나는 불균일한 직경을 갖는, 샤워헤드 조립체를 위한 가스 분배 플레이트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트는 약 100 um 내지 약 12.7 mm의 범위의 두께를 갖는, 샤워헤드 조립체를 위한 가스 분배 플레이트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가스 분배 플레이트는 상기 제2 플레이트에 커플링된 제3 플레이트를 더 포함하며,
    상기 제3 플레이트는 제3 복수의 홀들을 포함하고,
    상기 제3 복수의 홀들 각각은 상기 제1 복수의 홀들의 개개의 홀 및 상기 제2 복수의 홀들의 개개의 홀과 정렬되는, 샤워헤드 조립체를 위한 가스 분배 플레이트.
  7. 샤워헤드를 형성하기 위한 방법으로서,
    제1 플레이트에 제1 복수의 홀들을 생성하는 단계 ― 상기 제1 복수의 홀들 각각은 적어도 약 100 um의 직경을 가짐 ―;
    제2 플레이트에 제2 복수의 홀들을 생성하는 단계 ― 상기 제2 복수의 홀들 각각은 약 100 um의 직경을 가짐 ―;
    복수의 상호연결된 홀들을 생성하기 위해 상기 제1 복수의 홀들 각각을 상기 제2 복수의 홀들의 개개의 홀과 정렬시키는 단계 ― 상기 복수의 상호연결된 홀들 각각은 상기 복수의 상호연결된 홀들의 각각의 다른 홀로부터 격리됨 ―; 및
    상기 제1 플레이트를 상기 제2 플레이트에 본딩(bond)하는 단계를 포함하는, 샤워헤드를 형성하기 위한 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 플레이트를 상기 제2 플레이트에 본딩하는 단계는, 상기 제1 플레이트를 상기 제2 플레이트에 확산 본딩하는 단계 및 상기 제1 플레이트를 상기 제2 플레이트에 브레이징(brazing)하는 단계 중 하나를 포함하는, 샤워헤드를 형성하기 위한 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 상호연결된 홀들 각각은 약 25 대 1의 종횡비를 가지며,
    상기 제1 복수의 홀들 각각 및 상기 제2 복수의 홀들 각각은 약 100 um 내지 약 600 um의 범위의 직경을 갖는, 샤워헤드를 형성하기 위한 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1 플레이트의 롤링 방향을 상기 제2 플레이트의 롤링 방향과 정렬시키는 단계; 및
    상기 본딩된 제1 플레이트 및 제2 플레이트를 ALD(atomic layer deposition) 프로세스를 이용하여 코팅하는 단계를 더 포함하는, 샤워헤드를 형성하기 위한 방법.
  11. 프로세싱 챔버로서,
    가스 분배 플레이트를 포함하는 샤워헤드 조립체;
    기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부; 및
    상기 샤워헤드 조립체와 유체 커플링되고, 상기 샤워헤드 조립체에 프로세스 가스를 제공하도록 구성된 가스 공급부를 포함하며,
    상기 가스 분배 플레이트는,
    제1 복수의 홀들을 포함하는 제1 플레이트 ― 상기 제1 복수의 홀들 각각은 적어도 약 100 um의 직경을 가짐 ―; 및
    상기 제1 플레이트에 커플링된 제2 플레이트를 포함하고,
    상기 제2 플레이트는 제2 복수의 홀들을 포함하고, 상기 제2 복수의 홀들 각각은 적어도 약 100 um의 직경을 갖고, 상기 제1 복수의 홀들 각각은 상기 제2 복수의 홀들의 개개의 홀과 정렬되어, 복수의 상호연결된 홀들을 형성하고, 상기 복수의 상호연결된 홀들 각각은 상기 복수의 상호연결된 홀들의 각각의 다른 홀로부터 격리되는, 프로세싱 챔버.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 상호연결된 홀들 각각은 적어도 약 25 대 1의 종횡비를 갖는, 프로세싱 챔버.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1 복수의 홀들 각각 및 상기 제2 복수의 홀들 각각은 균일한 직경을 갖는, 프로세싱 챔버.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1 복수의 홀들의 직경은 상기 제2 복수의 홀들의 직경과 상이한, 프로세싱 챔버.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1 복수의 홀들 및 상기 제2 복수의 홀들 중 적어도 하나는 불균일한 직경을 갖는, 프로세싱 챔버.
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