KR20210128461A - 서셉터 온도에 국부적으로 영향을 미치는 수단을 갖는 cvd 반응기 - Google Patents

서셉터 온도에 국부적으로 영향을 미치는 수단을 갖는 cvd 반응기 Download PDF

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KR20210128461A
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아익스트론 에스이
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Abstract

본 발명은 서셉터(5)를 사용하여 기판들의 열 처리를 위한 디바이스 및 방법에 관한 것으로, 서셉터는 가열기(13)로 가열되고 회전 드라이브(20)에 의해 회전축(A)을 중심으로 회전 구동되어 적어도 하나의 가판을 홀딩한다. 수단(14, 14'; 15, 16)은 회전하는 서셉터(5)의 국부적 온도 차이를 균등화하기 위해 서셉터(5)의 회전 운동과 동기화된 국부적으로 제한된 방식으로 서셉터(5)로 또는 서셉터(5)로부터의 열 전달에 영향을 주기 위해 제공된다. 특히, 열전도 특성들이 변하는 온도 제어 가스는 공급 개구(14')를 통해 서셉터(5)와 냉각 유닛(30) 사이의 간극(10)으로 주기적으로 펄스식 방식으로 주기적으로 공급된다.

Description

서셉터 온도에 국부적으로 영향을 미치는 수단을 갖는 CVD 반응기
[0001] 본 발명은 적어도 하나의 기판을 수용하기 위한 서셉터(susceptor)를 이용한 기판들의 열 처리를 위한 디바이스에 관한 것으로, 이 서셉터는 가열기에 의해 가열될 수 있고, 그리고 회전 구동부(rotary drive)에 의해 회전 축을 중심으로 회전 구동될 수 있다
[0002] 본 발명은 추가로, 서셉터가 적어도 하나의 기판을 지지하고, 가열기에 의해 가열되고, 회전축을 중심으로 회전 구동되는, 기판들의 열 처리를 위한 방법에 관한 것이다.
[0003] US 8,249,436B2는, 국부적으로 제한된 열이 회전 축을 중심으로 회전하는 서셉터에 펄스식 레이저 빔에 의해 공급되는 디바이스 및 방법을 설명한다.
[0004] 위에서 설명된 유형의 디바이스들 및 방법들은 또한, 예컨대 DE 10 2009 044 276A1로부터 알려진 기술이다. 당해 유형의 디바이스는, 프로세스 챔버가 위치된 가스-밀폐 하우징을 갖는 CVD 반응기에 의해 구체화된다. 프로세스 챔버의 플로어는, 회전 축을 중심으로 회전 구동될 수 있는 서셉터에 의해 형성된다. 서셉터 상에는, 중앙 가스 유입구 유닛 주위에 균일한 주변 분포로 기판 홀더들이 위치되며, 그 기판 홀더들 각각은 기판을 지지하고, 퍼지 가스의 유동에 의해 회전 구동되고 부유 상태로 유지된다. 서셉터는 냉각제에 의해 냉각되는 유도 코일인 가열기 위에서 회전한다. 서셉터의 하부면의 온도는 제1 고온계(pyrometer)에 의해 측정된다. 기판 홀더 상에 놓인 기판들의 온도는 제2 고온계에 의해 측정된다. 유도 코일은, 서셉터가 프로세스 온도까지 가열될 수 있도록, 흑연으로 제조된 서셉터 내에 와전류들을 생성하는 고주파 교류장을 생성한다. 제조 결함들로 인해, 서셉터의 재료는 균질하게 분포된 전기 전도도를 갖지 않으며, 그에 따라, 낮은 전기 전도도를 갖는 존들 및 높은 전기 전도도를 갖는 존들이 형성된다. 따라서, 서셉터에서 유도된 와전류들은 상이한 전기 저항들에 의해 국부적으로 대향되며, 그에 따라, 서셉터는 상이한 방식으로 국부적으로 가열된다. 650℃의 평균 온도의 경우에, 서셉터 내의 온도 차이는 5K 내지 8K일 수 있다. 기판들이 배열되는 서셉터 상부면 상의 측방향 온도 프로파일을 가능한 한 균질하게 구성하는 것은 기술적 난제이다.
[0005] DE 10 2011 055 061A1로부터, CVD 반응기가 공지된 기술이며, 여기서, 고 열 전도성 가스와 열악한 열 전도성 가스의 가스 혼합물이 가열기와 서셉터의 하부면 사이의 간극(gap) 내로 공급될 수 있다.
[0006] 다음의 문서들은 또한 종래 기술에 속한다: EN 10 2005 056 536A1, EN 10 2009 043 960A1, EN 10 2011 053 498A1, EN 10 2013 109 155A1, EN 10 2014 104 218A1, EN 10 2017 105 333A1, US 2018/0182635A1, US 5 468 299A.
[0007] 본 발명의 기초가 되는 목적은, 서셉터의 국부적인 온도 차이들이 보상될 수 있는 조치들의 명세의 목적이다.
[0008] 이 목적은 청구항들에 특정된 본 발명에 의해 달성되며, 종속항들은 개개의 독립항들에 특정된 본 발명의 유리한 개량예들일뿐만 아니라 목적의 자율적 해법들을 나타낸다.
[0009] 가장 먼저, 서셉터로의 또는 서셉터로부터의 열 공급 또는 열 제거가 적어도 하나의 국부적으로 제한된 열 영향 존에서 펄스식 방식으로 주기적으로 변경되는 수단이 제공되는 것이 제안된다. 수단은 서셉터의 회전 이동과 동기화된 방식으로 동작한다. 본 발명에 따른 방법을 이용하여, 서셉터로부터의 또는 서셉터로의 열 전달은 국부적으로 제한되고, 서셉터의 회전 이동과 동기화되는 방식으로 영향을 받는다. 열 영향 존들은, 디바이스의 하우징에 대한 위치에 고정된다. 열 영향 존이 연장되는 방위각 범위는 바람직하게는, 서셉터의 기판 홀더에 의해 점유되는 서셉터의 회전 중심에 대한 각도 범위 미만이다. 회전하는 서셉터의 열 영향 존에 열이 공급되거나 그로부터 제거되는 펄스 지속 기간은, 서셉터의 재료의 국부적으로 더 높은 전기 전도도로 인해 충분히 가열되지 않는 그러한 위치들, 즉 더 차가운 위치들에서 회전하는 서셉터로만 열이 전달되도록 선택된다. 디바이스는 제어 유닛을 가지며, 이는 서셉터의 국부적인 회전 각도가 검출될 수 있는 회전 각도 검출기와 상호 작용한다. 제어 유닛은, 예컨대 서셉터의 개별적인 회전들의 과정에서 동일한 위치가 항상 열에 노출되도록, 열 영향을 서셉터의 회전 운동과 동기화시킨다. 따라서, 하우징에 대해 고정되어 있는 열 유동은 바람직하게는, 서셉터의 각각의 회전과 함께 서셉터의 동일한 열 영향 존 상에 작용한다. 본 발명에 따르면, 열 영향 존의 구역에서 매체의 열 전도도가 주기적으로 변경되는 것이 제안된다. 특히, 매체가 서셉터와 온도 제어 유닛 사이에서 연장되도록 제공된다. 특히 바람직하게는, 열 영향 존의 구역에서, 서셉터와 냉각 유닛 사이에 배열된 물질의 열-전도 특성은 펄스식 방식으로 주기적으로 영향을 받고, 여기서 주기적 지속 기간은 서셉터의 일 회전을 위한 시간이며, 펄스 폭은 회전의 지속 기간보다 작다. 이러한 목적을 위해, 특히, 퍼지 가스가 유동하는 온도 제어 유닛과 서셉터 사이에서 연장되는 간극이 제공된다. 하나 또는 복수의 국부적인 공급 개구들이 간극에 제공될 수 있으며, 이 개구들을 통해 온도 제어 가스가 간극 내로 공급된다. 제1 열 전도도를 갖는 퍼지 가스가 간극을 통해 지속적으로 유동할 수 있다. 제1 퍼지 가스의 열 전도도와 상이한 열 전도도를 갖는 제2 퍼지 가스는, 펄스식으로 국부적으로 제한된 방식으로 공급 개구를 통해 주기적으로 공급된다. 특히, 간극을 통해 지속적으로 유동하는 제1 퍼지 가스가 수소, 즉, 높은 열 전도도를 갖는 가스로 제공되고, 그리고 질소에 대해, 다시 말해서, 더 낮은 열 전도도를 갖는 가스는 공급 개구를 통해 공급된다. 그러나, 다른 쌍들의 가스들, 예컨대 헬륨 및 아르곤이 또한 사용될 수 있다. 냉각 유닛은 바람직하게는, 서셉터가 가열되는 액체-냉각 유도 코일에 의해 형성된다. 특히, 서셉터의 범위의 평면에 대해 평행한 평면에 나선형으로 배열되는 유도 코일에 의해, 와전류들이 서셉터 내에 생성되며, 이는 흑연 또는 다른 열 전도 재료로 이루어진다. 와전류들의 국부적인 크기는 서셉터의 재료의 약간 교번하는 열 전도도에 의존하여서, 유도 코일에 의해 생성된 교번 전자기장은 서셉터에서 국부적으로 서로 다른 에너지 유동을 생성하며, 이는 국부적인 온도 차이들을 초래한다. 온도 제어 가스가 공급되는, 위에서 언급된 간극의 설계를 위해, 서셉터의 하부면으로부터 작은 간극 거리를 갖는, 서셉터와 유도 코일 사이에서 연장되는 플레이트가 제공될 수 있다. 종래 기술에서, 그러한 간극은 확산 장벽을 형성하도록 제공된다. 퍼지 가스는 반경 방향 외측방으로 배열된 가스 배출 유닛의 방향으로 반경 방향 내측방 위치로부터 간극을 통해 유동하며, 이는 서셉터 위에 배열된 프로세스 챔버 내로 공급되는 프로세스 가스가 유도 코일이 위치되는 구역으로 진입하는 것을 방지한다. 온도 제어 가스는, 일정한 가스 유동에 의해 형성된 이러한 확산 장벽 내로 공급된다. 퍼지 가스가 간극을 통해 유동하는 유동 속도는, 기판 홀더들의 반경 방향 외부 에지의 높이에서 서셉터의 주변 속도보다 더 크다. 특히, 간극을 통한 퍼지 가스의 유동은, 서셉터가 열 영향 존을 지나갈 때 간극에서 완전한 가스 교환이 발생할 정도로 크다. 그러나, 온도 제어 가스의 주기적인 스위칭-온(switching-on) 대신에, 밸브에 의해 제어되고 제1 가스 또는 제2 가스 중 하나의 유동인 일정한 가스 유동이 또한 공급 개구를 통과하도록 제공될 수 있다. 이러한 목적을 위해, 가스 라인이 공급 개구 내로 개방되는 경우, 밸브의 제어 하에서 요구되는 대로, 높은 열 전도도를 갖는 가스 또는 더 낮은 열 전도도를 갖는 가스가 공급되는 것이 특히 유리하다. 본 발명의 개량예에서, 복수의 열 영향 존들이 서셉터의 중심을 중심으로 주변 방향으로 배열되는 것이 제안되며, 이는 서셉터의 회전 축과 일치한다. 그러나, 이들과 조합하여 또는 별개로, 복수의 열 영향 존들이 또한, 서셉터의 회전 중심에 대하여 반경 방향으로 서로 뒤에 배열되는 것이 제공될 수 있으며, 여기서 이러한 열 영향 존들은 복사 가열기들에 의해 열이 공급되거나 서로 다른 열 전도도의 존들이 있다. 본 발명의 개량예에서, 기판 홀더들이 위치되는 주변 라인 상에 열 영향 존이 놓이도록 제공될 수 있다. 이것의 결과는, 회전하는 기판 홀더의 반경 방향 외부 구역만이 열 영향 존에 의해 영향을 받고, 그에 따라, 이러한 조치로 온도 프로파일이 또한 기판 홀더 상에서 조정될 수 있다는 것이다. 따라서, 특히, 열 전달에 영향을 미치는 수단으로, 기판 홀더의 반경 방향 외부 에지만이 영향을 받는 것이 제공된다. 서셉터의 표면 온도가, 특히 서셉터의 하부면 상에서 측정될 수 있는 온도 측정 지점들은 상이한 반경 방향 포지션들에 배열될 수 있다. 특히, 온도 측정 지점이 열 영향 존으로부터 반경 방향 내측방으로 그리고 그로부터 반경 방향 외측방으로 배열되도록 제공된다. 특히, 고온계의 도움으로 온도 측정 지점들에서 측정될 서셉터의 표면 온도가 제공된다. 특히, 이러한 목적을 위해 사용되는 광섬유 케이블이 제공된다.
[0010] 특성이 자율적인 본 발명의 일 변형에 따르면, 기판 홀더의 회전축을 중심으로 회전 구동되는 기판 홀더에 의해 지지되는 기판의 반경 방향 온도 프로파일에 영향을 미칠 목적으로, 열 영향 존이 회전 구동되는 서셉터의 중심을 중심으로 한 기판 홀더 회전축의 궤도 경로에 대해 반경 방향으로 오프셋되는 것이 제안된다. 여기서, 특히, 열 영향 존은, 서셉터의 회전 축에 대해, 궤도 경로로부터 반경 방향 내측방에, 또는 바람직하게는 궤도 경로로부터 반경 방향 외측방에 놓이는 것이 제안된다. 특히, 여기서, 서셉터와 온도 제어 유닛 사이에 위치된 가스가 되도록 열 전도 특성이 변화되는 매체가 제공되며, 냉각제로 냉각되는 RF 유도 코일이 온도 제어 유닛으로서 고려된다. 추가의 변형에서, 열 영향 존이 기판 홀더 회전축의 궤도 경로 상에 정확하게 놓이도록 제공된다. 본 발명의 이러한 변형들에서, 열 전도 특성은 펄스식 방식으로 주기적으로 변경될 필요가 없다. 특히, 기판 홀더가 원형 형상을 갖는 단지 하나의 기판만을 지지하며, 기판의 중심은 기판 홀더 회전축 상에 놓이는 것이 유리하다. 이러한 변형들을 이용하여, 기판의 반경 방향 온도 프로파일이 목표 방식으로 조정될 수 있다. 서셉터와 온도 제어 유닛 사이에 배열된 매체의 열 전도도에 영향을 미치는 목적들을 위해, 특히, 궤도 경로로부터 반경 방향 외측방으로 배열되거나, 궤도 경로로부터 반경 방향 내측방으로 배열되거나, 또는 궤도 경로 상에 배열된 가스 배출구 개구를 통해, 온도 제어 가스가 서셉터와 온도 제어 유닛 사이, 또는 서셉터, 및 서셉터와 온도 제어 유닛 사이에 배열된 플레이트 사이의 간극으로 공급되도록 제공된다. 여기서, 반경 방향으로 기판 홀더 회전축의 궤도 경로로부터 멀어지게 향하도록 온도 제어 가스의 유동 방향이 제공될 수 있다. 그런 다음, 궤도 경로로부터 반경 방향 외측방으로 배열된 가스 배출구 개구의 경우에, 유동 방향은 반경 방향 외측 방향이다. 그런 다음, 궤도 경로로부터 반경 방향 내측방으로 배열된 가스 배출구 개구의 경우에, 유동 방향은 반경 방향 내측방으로 지향된다. 그러나, 가스 배출구 개구가 궤도 경로로부터 반경 방향 내측방으로 배열되는 경우에도, 유동 방향이 기판 홀더 회전축에 대해 반경 방향 외측방으로 지향되는 것이 또한 가능하다.
[0011] 본 발명의 실시예들의 예들은 첨부된 도면들을 참조하여 다음에서 설명된다. 여기서,
도 1은, 서셉터(5)가 내부에 배열된 CVD 반응기의 개략적인 길이 방향 섹션을 도시하고,
도 2는 도 1에 따른, 서셉터(5)를 갖는 본 발명의 실시예의 제1 예의 예시를 도시하며,
도 3은 본 발명의 제1 실시예의 서셉터(5)에 대한 평면도를 도시하고,
도 4는 본 발명의 실시예의 제2 예의 도 1에 따른 예시를 도시하며,
도 5는 본 발명의 제2 실시예의 서셉터(5)에 대한 평면도를 도시하고,
도 6은 서셉터(5) 상의 열 영향 존에 대한 열 공급 또는 열 제거의 주기적으로 펄스식 영향의 시간 프로파일을 도시하며,
도 7은 본 발명의 실시예의 제3 예의 도 2에 따른 예시를 도시하고,
도 8은 본 발명의 실시예의 제4 예의 도 2에 따른 예시를 도시하며,
도 9는 본 발명의 실시예의 제5 예의 도 2에 따른 예시를 도시하고,
도 10은 본 발명의 실시예의 제7 예의 도 2에 따른 예시를 도시하며,
도 11은 도 4에 따른 실시예의 추가적인 예의 예시를 도시한다.
[0012] 일반적인 유형(도 1 참조)의 CVD 반응기는, 기밀성이고, 스테인리스 강으로 이루어질 수 있고, 냉각된 벽들을 가질 수 있는 CVD 반응기 하우징(1)을 갖는다. 특히, 이는 커버(2), 원형 실린더 형상이 되도록 설계될 수 있는 측벽(3), 및 커버(2) 반대편에 위치된 플로어(4)를 갖는다. 커버(2), 측벽(3) 및 플로어(4)는 냉각될 수 있다.
[0013] 가스 유입 유닛(6)에 의해, 프로세스 가스들이 프로세스 챔버 내로 공급될 수 있다. 프로세스 챔버는 프로세스 챔버 천장(11)에 의해 최상부에서, 그리고 서셉터(5)에 의해 최하부에서 경계가 정해진다. 서셉터(5)는 흑연 또는 다른 전기 전도성 재료로 제조되고, 그리고 축(A)을 중심으로 지지부(12)를 중심으로 회전 구동될 수 있다. 회전 구동부(20)는 이러한 목적을 실행한다. 서셉터(5)의 특정 회전 각도 포지션이 결정될 수 있는, 도시되지 않은 로터리 인코더들이 제공된다. 회전 각도는 도시되지 않은 제어 유닛에 전달된다.
[0014] 서셉터(5) 아래에는 가열기(13)가 위치되며, 가열기(13)는 액체-냉각 유도 코일로서 설계되며, 가열기(13)를 이용하여 RF 필드가 생성되고, 이는 서셉터(5) 내에 와전류들을 유도하며, 이 와전류들은 프로세스 온도로의 서셉터의 가열로 이어진다. 프로세스 온도들은, 전형적으로 600 내지 1,000℃의 범위에 있다.
[0015] 프로세스 챔버를 향하는 서셉터(5)의 상부면은 서셉터(5)의 중심을 중심으로 주변 방향으로 배열된 다수의 포켓들을 가지며, 포켓들 각각에는 기판 홀더(7)가 있으며, 프로세스 챔버를 향하는 기판 홀더의 상부면 상에서 기판을 지지하며, 기판은 프로세스 가스들, 예컨대 III-메인 그룹의 유기 금속 화합물들 및 V-메인 그룹의 수소화물들의 도입에 의해 단결정질 재료로 코팅될 수 있다. 기판들의 표면 온도는 제1 고온계(21)로 측정된다. 프로세스 가스는 반경 방향 외측방 방향으로 프로세스 챔버를 통해 유동하고, 그리고 환형 방식으로 서셉터(5)를 둘러싸는 가스 배출 유닛(9)에 의해 제거된다.
[0016] 서셉터(5)의 표면 온도는, 제2 고온계(22)에 의해 측정 지점(31)에서 측정된다. 제1 고온계(21) 및 제2 고온계(22)에 의해 측정된 온도 값들은 제어 유닛(도시되지 않음)에 전달된다. 조절 유닛은, 기판 온도 또는 서셉터 온도가 설정점 값으로 유지되도록 유도 코일(13)에 공급되는 전력을 조절하는 데 사용된다.
[0017] 서셉터(5)에 공급된 열 에너지는, 프로세스 챔버를 통해 프로세스 챔버 천장(2)으로 또는 측벽(3)을 향해 반경 방향으로 서셉터를 떠난다. 그러나, 서셉터(5)로부터의 가장 큰 열 유동은 유도 코일(13)을 통해 유동하는 냉각수로 이동한다. 따라서, 냉각 채널(30)을 갖는 유도 코일(13)은 서셉터(5)로부터 열을 추출하기 위한 냉각 유닛을 형성한다.
[0018] 도 2 및 도 3에 예시된 실시예의 예에서, 서셉터(5) 아래에 배열된 밀봉 플레이트(8)의 도움으로, 가스가 유동할 수 있는 간극(10)이 서셉터(5)와 가열기(13) 사이에 형성된다. 밀봉 플레이트(8)의 반경 방향 외부 에지는 가스 배출 유닛(9)의 단차부(19) 상에 지지된다. 반경 방향 내측방으로부터 제1 가스 유동(S1)이 간극(10) 내로 유동할 수 있고, 이는 확산 장벽을 형성하여, 프로세스 가스가 유도 코일(13)이 위치되는 반응기 하우징의 구역에 진입하는 것을 방지한다. 이러한 목적을 위해 일반적으로 수소가 사용된다.
[0019] 적어도 하나의 주변 포지션에서, 기판 홀더들(7)이 위치된 주변 존으로부터 반경 방향 내측방으로, 공급 개구(14')가 제공되며, 공급 개구(14') 내로 가스 라인(14)이 개방되며, 이와 함께, 제2 가스 유동(S2)이 간극(10) 내로 공급될 수 있다. 이러한 목적을 위해 질소가 바람직하게 사용된다. 도 6에 도시된 바와 같이 펄스식 질소 가스 유동은 도시되지 않은 밸브에 의해 간극(10) 내로 공급될 수 있으며, 그에 따라, 시간에 따라 변하는 열 전달에 대한 저항을 갖는 온도 제어 가스가 서셉터(5)의 회전 이동과 동기화된 방식으로 기판 홀더들(7) 아래의 간극(10)을 통해 유동한다. 가스 유동(S3)은 2개의 가스 유동들(S1및 S2)에 의해 형성되고, 서셉터(5)로부터 냉각 유닛(30)으로의 열 전달에 영향을 미친다. 가스 유동(S2)은, 복수의 기판 홀더들(7) 중 특정 기판 홀더(7)가 가스 유동(S2)을 나타내는 가스 유동(S3)이 유동하는 각진 영역 위를 이동하는 경우에만 가스 유동(S2)으로서, 질소가 수소 가스 유동(S1)과 혼합되도록, 서셉터(5)의 회전 이동과 동기화된다. 수소와 비교하여 질소의 감소된 열 전도도 때문에, 다른 기판 홀더들(7)의 다른 위치들에서 보다 이 기판 홀더(7) 아래의 서셉터(5)로부터 더 적은 열이 추출된다. 서셉터(5)의 국부적인 콜드 스폿들(cold spots)이 이러한 방식으로 보상될 수 있다. 이러한 변형에서, 열 영향 존은 서셉터(5)의 회전축(A)에 대해 미리 결정된 반경 방향 포지션에, 그리고 기판 홀더 회전축(B)에 대해 하우징에 대해 고정된 방위각 포지션에 위치된다. 열 영향이 서셉터(5)의 회전과 동기화된 방식으로 발생하기 때문에, 열 영향 존(17)은 또한 서셉터(5)에 대해 고정되어 있는데, 이는 열 전달이 항상 동일한 기판 홀더(7) 상에서 영향을 받기 때문이다.
[0020] 도 3 및 도 4는, 본 발명의 실시예의 제2 예를 도시한다. 여기서, 먼저, 스위칭 밸브(27)에 의해 가스 라인(14) 내로 요구되는 대로 수소 또는 질소가 공급될 수 있다는 것이 제공된다. 참조 번호들(28 및 29)은, 질소 가스 유동 또는 수소 가스 유동을 조정할 수 있는 질량 유동 제어기들을 나타낸다. 밸브(27)는, 다른 가스 유동을 "통기 라인"으로 지향시키는 스위칭 밸브의 형태를 취할 수 있다.
[0021] 상기 밸브 배열체는 또한 실시예의 다른 예들에서 제공될 수 있다. 그러나, 제2 가스 유동(S2)으로서 특정 양의, 예컨대 질소를 간극(10) 내로 공급하는 단지 하나의 질량 유동 제어기에 대한 제공이 또한 이루어질 수 있다.
[0022] 도 3 및 도 4에 예시된 실시예의 예에서, 공급 개구(14')가 또한, 기판 홀더들(7)이 위치되는 환형 주변 존에 위치되도록 제공될 수 있으며, 기판 홀더들(7) 각각은 서셉터(5)의 상부면의 포켓들에 있는 가스 쿠션 상에서 회전 구동식으로 배열된다. 특히, 공급 개구(14')는 기판 홀더(7)의 중심으로부터 반경 방향 외측방으로 오프셋되며, 그에 따라 기판 홀더(7)의 반경 방향 외부 존의 온도만이 간극(10)으로 공급되는 온도 제어 가스 및 이에 의해 형성되는 가스 유동(S3)에 의해 영향을 받는다. 기판 홀더(7)의 회전 이동 때문에, 여기서 반경 방향 외부 존이 온도-제어될 수 있고, 따라서 온도 프로파일이 생성될 수 있다.
[0023] 실시예의 예들에서 가스 유동(S3)의 유동 속도는, 각각의 기판 홀더(7)의 온도가 대응하는 짧은 펄스들 및 가능하게는 상이한 펄스 폭들을 갖는 다수의 펄스들에 의해 개별적으로 영향을 받을 수 있을 정도로 충분히 높다. 이러한 목적을 위해, 기판 홀더(7) 아래의 가스 유동의 유동 속도(S3)는 바람직하게는, 서셉터(5)의 회전 축(A)에 대해, 기판 홀더(7)의 반경 방향 외부 에지에서의 주변 속도에 따른 서셉터의 주변 속도보다 더 크다. 그러나, 바람직하게는, 유동 속도(S3)는 상기 주변 속도의 적어도 2배만큼 크다. 가스 유동(S3)은 바람직하게는 약 20cm/s이다.
[0024] 도 4는 또한 2개의 온도 측정 지점들(31, 31')을 도시하며, 여기서 온도 측정 지점(31)은 공급 개구(14')로부터 반경 방향 내측방에 제공되고, 그리고 온도 측정 지점(31')은 공급 개구(14')로부터 반경 방향 외측방에 제공된다. 그러나, 2개의 온도 측정 지점들(31, 31')의 그러한 배열체는 또한 도 2 및 도 3에 도시된 실시예의 다른 예들에서 제공될 수 있다. 특히, 측정 지점들(31, 31')에서의 온도들이 고온계들에 의해 측정되는 것이 제공된다. 이러한 목적을 위해, 광섬유 케이블들(24, 26)은 파이프들(23, 25)을 통해 인도되며, 파이프들(23, 25)은 도시되지 않은 고온계들에 연결된다.
[0025] 도 7에 예시된 실시예의 예에서, 복수의 열 영향 존들, 그리고 특히 복수의 공급 개구들(14')은 서셉터(5)의 회전 축(A)을 중심으로 주변 방향으로 배열되며, 여기서, 배열체는 균일하게 분산된다.
[0026] 도 8에 예시된 실시예의 제4 예는, 기판 홀더들(7)이 위치된 주변 존의 중심에 놓인 반경 방향 포지션들에 각각 배열되는 복수의 열 영향 존들 및 공급 개구들(14')을 도시한다. 그러나, 거기에 예시된 실시예의 예의 변형에서, 공급 개구(14')는 또한, 기판 홀더들(7) 중 일부 아래에만 또는 기판 홀더들(7) 중 하나 아래에만 배열될 수 있다. 대안적으로, 도 8에 예시된 실시예의 예에서, 기판 홀더 회전축들의 궤도 경로 상에 도시된 공급 개구(14')는 후자로부터 반경 방향으로 오프셋되도록 배열될 수 있다. 따라서, 공급 개구(14')는 서셉터(5)의 중심에 대하여 궤도 경로로부터 반경 방향 내측방으로 또는 궤도 경로로부터 반경 방향 외측방으로 위치될 수 있다. 하나 또는 복수의 공급 개구들(14')로부터 나오는 온도 제어 가스의 유동 방향은, 서셉터 회전 축에 대해 반경 방향 내측방 및 반경 방향 외측방 둘 모두로 지향될 수 있다.
[0027] 도 9에 예시된 실시예의 예에서, 복수의 열 영향 존들 및 공급 개구들(14')은 반경 방향으로 서로 뒤에 배열된다. 공급 개구들(14')은 필요에 따라 동작될 수 있다. 기판 홀더들(7)은 기판 홀더 회전축을 중심으로 회전될 수 있으며, 특히 각각은 원형 디스크의 형상으로 하나의 기판만을 지지한다. 이 실시예의 예에서, 선택된 공급 개구(14')로부터 빠져 나가는 온도 제어 가스의 가스 유동이 비-펄스식 방식으로, 즉, 지속적으로 서셉터의 하부면과 가열기 또는 냉각 유닛 사이의 중간 공간으로 빠져 나가게 할 수 있는 것이 제공될 수 있다. 그러나, 이러한 변형에서, 온도 제어 가스가 서셉터의 회전 이동과 동기화된 펄스식 방식으로 하나 또는 복수의 공급 개구들(14')로부터 나오게 하는 것이 또한 가능하다. 그러나, 가스가 비-펄스식 방식으로 공급 개구들(14')을 통해 유동하게 하는 것이 또한 가능하다. 상이한 가스 유량들 및/또는 상이한 유형들의 가스가 또한, 펄스식 또는 비-펄스식 방식으로 공급 개구들(14')로부터 빠져 나갈 수 있다. 이러한 목적을 위해, 복수의 공급 개구들(14')이 서셉터(5)의 중심에 대해 주변에 오프셋되어 배열되는 경우에 특히 유리하다. 상이한 가스들, 또는 상이한 가스들의 혼합물들이 또한, 상이한 펄스 레이트들로 상이한 공급 개구들(14')을 통해 빠져 나갈 수 있다.
[0028] 도 10에 예시된 실시예의 예에서, 기판 홀더들(7)이 위치되는 주변 존의 반경 방향 최외측 구역에 공급 개구(14')가 배열된다. 여기서, 열 영향 존 및 공급 개구(14')는 심지어 기판 홀더들(7)이 위치된 존으로부터 반경 방향 외측방으로 배열될 수 있다.
[0029] 적어도 하나의 열 영향 존(17)은 축(A)을 중심으로 하는 각도 범위로 제한된다. 이러한 방위각 범위는 최대 90도, 60도, 또는 45도, 또는 바람직하게는 최대 30도, 20도, 또는 최대 15도이다.
[0030] 도 11에 예시된 실시예의 예는 본질적으로 도 4에 예시된 실시예의 예에 대응하지만, 여기서, 공급 개구(14)가 기판 홀더 회전축(B)으로부터 반경 방향 외측방에 놓이게 되고, 회전축을 중심으로 기판 홀더(7)가 회전 구동되는 것이 제공된다. 이러한 목적을 위해, 기판 홀더(7)는 가스 쿠션 상에 놓이며, 이는 기판 홀더(7)와 서셉터(5) 사이의 중간 공간에 회전 임펄스가 공급되어, 기판 홀더(7)가 회전하게 된다. 여기서, 기판 홀더(7)는 바람직하게는 형상이 원형인 기판을 지지한다. 여기서, 중심과 회전축(B)은 바람직하게는 일치한다.
[0031] 공급 개구(14)를 통해 간극(10) 내로 공급되는 가스 유동은 외측 방향으로 간극(10)을 통해 유동한다. 여기서, 가스 유동은 또한, 일정한 방식으로, 또는 서셉터(5)의 회전과 동기화된 펄스식 방식으로 공급될 수 있다.
[0032] 예컨대, 질소일 수 있는 제1 가스 유동(S1)은 광섬유 케이블(24)을 포함할 수 있는 파이프(23)를 통해 간극(10) 내로 공급된다. 서셉터(5)의 회전축(A)에 대하여, 파이프(23)는 기판 홀더 회전축(B)의 궤도 경로로부터 반경 방향 내측방에 배열된다. 이러한 궤도 경로로부터 반경 방향 외측의 구역에는 상이한 열 전도도를 갖는 가스, 예컨대 수소를 공급하기 위한 공급 개구(14')가 위치되어, 기판 홀더(7)의 반경 방향 외부 구역에서, 기판 홀더 회전축(B)이 위치되는 중심의 영역에서의 열전달 특성과 상이한 열 전달 특성이 간극(10)에 있다.
[0033] 그러나, 도시되지 않은 일 변형에서, 공급 개구(14')는 또한, 기판 홀더(7)의 회전 축(B)으로부터 반경 방향 내측방으로 배열될 수 있고, 서셉터(5)의 회전 축(A)에 더 가깝게 놓일 수 있다. 기판 홀더(7)의 회전 축(B)은, 반응기 하우징(1) 내에서 서셉터(5)의 회전 축을 중심으로 하는 궤도 원을 설명한다. 공급 개구(14')는 또한 이 궤도 경로 상에 놓일 수 있다.
[0034] 상기 설명들은 출원 전체에 의해 포함되는 발명들을 설명하는 역할을 하며, 각각의 경우에, 적어도 다음과 같은 특징들의 조합들을 통해 독자적으로 종래 기술을 발전시키며, 여기서, 이들 특징들의 2 개, 복수 또는 모든 조합들이 또한 조합될 수 있는데, 즉 :
[0035] 디바이스로서, 이는 수단이 서셉터(5)와 온도 제어 유닛 사이에 배열된 매체의 열 전도도를 펄스식 방식으로 주기적으로 변경하는 것을 특징으로 한다.
[0036] 방법으로서, 이는 서셉터(5)와 온도 제어 유닛 사이에 배열된 매체의 열 전도 특성이 펄스식 방식으로 국부적으로 그리고 주기적으로 변경되는 것을 특징으로 한다.
[0037] 디바이스로서, 이는 열 영향 존(17)이 서셉터 회전축(A)에 대해, 서셉터 회전축(A)을 중심으로 하는 기판 홀더 회전축(B)의 궤도 경로로부터 반경 방향 내측방으로, 또는 외측방으로 또는 그 궤도 경로 상에 있는 영역인 것을 특징으로 한다.
[0038] 방법으로서, 이는 열 영향 존(17)이 서셉터 회전축(A)에 대해, 서셉터 회전축(A)을 중심으로 하는 기판 홀더 회전축(B)의 궤도 경로로부터 반경 방향 내측방으로, 또는 외측방으로 또는 그 궤도 경로 상에 있는 영역인 것을 특징으로 한다.
[0039] 디바이스 또는 방법으로서, 이는 서셉터(5)의 회전 시간과 함께 주기적으로, 회전 시간보다 더 짧은 시간 동안 또는 서셉터(5)의 회전 시간보다 더 긴 시간 동안, 인접한 서셉터(5)의 구역들에서 보다 국부적으로 제한된 열 영향 존들(17)에서 더 많은 열이 서셉터(5)에 공급되거나 또는 그로부터 제거되고, 그리고 수단은 이러한 목적을 위해 셋업되는 것을 특징으로 한다.
[0040] 디바이스 또는 방법으로서, 이는 온도 제어 유닛이, 특히 RF 유도 코일(13)의 냉각 채널에 의해 형성되는 냉각 유닛(30)이며, 전자기 교류장이 RF 유도 코일(13)에 의해 생성되며, 이 교류장은 전기 전도성 재료로 제조된 서셉터(5)를 가열하기 위해 서셉터(5)에 와전류들을 유도하는 것을 특징으로 한다.
[0041] 디바이스 또는 방법으로서, 이는 온도 제어 가스가 공급 개구(14')를 통해 서셉터(5)와 온도 제어 유닛, 특히 냉각 유닛(30) 사이의 간극(10) 내로 주기적으로 펄스화되거나 또는 일정한 유동으로 공급되며, 여기서, 특히 주기적으로 변하는 열 전도도 특성들을 갖는 온도 제어 가스가 공급되도록 제공되며, 여기서, 특히 가스 공급 라인(14)이 공급 개구(14') 내로 개방되도록 제공되며, 개구 내로, 높은 열 전도도를 갖는 가스 또는 더 낮은 열 전도도를 갖는 가스가 스위치오버 밸브(28)에 의해서 공급될 수 있거나, 또는 요구에 따라 공급되는 것을 특징으로 한다.
[0042] 디바이스, 또는 방법으로서, 이는 가열기(13)와 서셉터(5)의 하부면 사이에 배열된 밀봉 플레이트(8)에 의해 간극(10)이 형성되며, 이를 통해, 퍼지 가스의 일정한 제1 가스 유동(S1)을 통과시키고 제1 가스 유동(S1) 내로 온도 제어 가스의 제2 가스 유동(S2)이 공급되며, 여기서 제1 가스 유동(S1)과 제2 가스 유동(S2)은 기판을 지지하기 위한 목적으로 기판 홀더(7)와 가열기(13) 사이에 제3 가스 유동(S3)을 형성하며, 그의 유동 속도는 기판 홀더(7)의 반경 방향 외부 에지에서의 서셉터(5)의 주변 속도보다 더 큰 것을 특징으로 한다.
[0043] 디바이스 또는 방법으로서, 이는 복수의 열 영향 존들(17)이 제공되며, 여기서 열은 펄스식 방식으로 주기적으로 공급 또는 제거되며, 여기서 열 영향 존들(17)은 서셉터(5)의 중심에 대해 서로 상이한 방위각들로 배열되며, 그리고/또는 서셉터(5)의 중심에 대해 상이한 반경 방향 거리들로 배열되는 것을 특징으로 한다.
[0044] 디바이스 또는 방법으로서, 이는 열이 주기적으로 공급되거나 또는 펄스식 방식으로 제거되는 적어도 하나의 열 영향 존(17)이 서셉터(5)의 중심을 중심으로 주변 구역에 배열되며, 여기에 복수의 기판 홀더들이 위치되는 것을 특징으로 한다.
[0045] 디바이스 또는 방법으로서, 이는 열 영향 존(17)이 축(A)을 중심으로 최대 90도, 60도, 45도, 30도, 또는 15도의 각도 범위로 제한되는 것을 특징으로 한다.
[0046] 디바이스 또는 방법으로서, 이는 서셉터(5)의 표면의 온도를 측정할 목적으로 열 영향 존으로부터 반경 방향 외측방으로 그리고/또는 반경 방향 내측방으로 배열된 온도 측정 지점들(31, 31')을 특징으로 한다.
[0047] 디바이스 또는 방법으로서, 이는 온도 제어 가스가 서셉터 회전 축(A)에 대해 반경 방향 내측방으로 또는 반경 방향 외측방으로 지향되는 유동 방향을 갖는 것을 특징으로 한다.
[0048] 디바이스 또는 방법으로서, 이는 복수의 공급 개구들(14')이 서셉터 회전 축(A)에 대해 서로 상이한 반경 방향 거리들로 제공되며, 여기서 하나 또는 복수의 온도 제어 가스들은 필요에 따라 하나 또는 복수의 공급 개구들(14')을 통해 공급된다.
[0049] 개시된 모든 특징들은(개별적으로, 그러나 또한 서로 조합하여) 본 발명에 필수적이다. 본 출원의 개시내용은 또한 본원에 의해, 본 출원의 청구 범위에 이들 문서들의 특징들을 포함할 목적으로 관련된/첨부된 우선권 문헌들(이전 출원의 사본)의 전체 개시내용의 내용을 포함한다. 참조되는 청구항의 특징들이 없더라도, 종속 청구항들은 특히 이러한 청구항들에 기초하여 분할 출원들을 제출하기 위해 종래 기술의 독립적인 진보적인 개량예들을 특징으로 한다. 각각의 청구항에 명시된 발명은 추가적으로 상기 설명에 명시된 하나 또는 복수의 특징들, 특히 참조 번호들 및/또는 참조 번호들의 목록에 제공된 특징들을 가질 수 있다. 또한, 본 발명은 상기 설명에서 인용된 개별 특징들이 실현되지 않은 설계의 형태들에 관한 것이며, 특히 개별 특징들이 개개의 의도된 용도에 대해 인식 가능하게 제거될 수 있거나 동일한 기술적 효과를 갖는 다른 수단으로 대체될 수 있는 정도로 구현되지 않는다.
1 : 반응기 하우징
2 : 커버
3 : 측벽
4 : 플로어
5 : 서셉터
6 : 가스 유입 유닛
7 : 기판 홀더
8 : 밀봉 플레이트
9 : 가스 배출 유닛
10 : 간극
11 : 프로세스 챔버 천장
12 : 지지부
13 : 가열기
14 : 가스 라인
14' : 공급 개구
17 : 열 영향 존
19 : 단차부
20 : 회전 구동부
21 : 제1 고온계
22 : 제2 고온계
23 : 파이프
24 : 광섬유 케이블
25 : 파이프
26 : 광섬유 케이블
27 : 스위칭 밸브
28 : 질량 유동 제어기
29 : 질량 유동 제어기
30 : 냉각 채널
31 : 온도 측정 지점
31' : 온도 측정 지점
A : 서셉터 회전축
B : 기판 홀더 회전 축
S : 유동의 방향
S1 : 제1 가스 유동
S2 : 제2 가스 유동
S3 : 제3 가스 유동
Z : 회전 시간
a : 펄스 폭

Claims (15)

  1. 기판들의 열 처리를 위한 디바이스로서,
    서셉터(susceptor)(5) ― 상기 서셉터는 가열기(13)에 의해 가열될 수 있고 회전 구동부(20)에 의해 서셉터 회전축(A)을 중심으로 회전될 수 있고 그리고 적어도 하나의 기판을 수용하기 위한 적어도 하나의 기판 홀더(7)를 가짐 ―,
    수단(means)(14, 14') ― 상기 수단은 국부적으로 제한된 방식으로 그리고 서셉터(5)의 회전 운동과 동기화되는 방식으로 서셉터(5)의 온도에 영향을 미치는 목적들을 위함 ― 을 가지며,
    상기 수단은, 상기 서셉터(5)와 온도 제어 유닛 사이에 배열된 매체의 열 전도도를 펄스식 방식(pulsed manner)으로 주기적으로 변경하는,
    기판들의 열 처리를 위한 디바이스.
  2. 기판들의 열 처리를 위한 방법으로서,
    서셉터(5)가 적어도 하나의 기판을 지지하며, 가열기(13)에 의해 가열되고, 그리고 회전축(A)을 중심으로 회전 구동되며,
    상기 서셉터의 온도는(5) 회전 운동과 동기화되는 방식으로 국부적으로 제한된 지점들에서 영향을 받으며,
    상기 서셉터(5)와 온도 제어 유닛 사이에 배열된 매체의 열 전도 특성들은 펄스식 방식으로 국부적으로 그리고 주기적으로 변경되는,
    기판들의 열 처리를 위한 방법.
  3. 기판들의 열 처리를 위한 디바이스로서,
    서셉터(5) ― 상기 서셉터는 가열기(13)에 의해 가열될 수 있고 회전 구동부(20)에 의해 서셉터 회전축(A)을 중심으로 회전될 수 있고 그리고 서셉터의 회전축(A)에 대해 편심으로 배열되는 적어도 하나의 기판 홀더(7)를 지지하고 그리고 적어도 하나의 기판을 수용하기 위해 기판 홀더의 회전축(B)을 중심으로 회전될 수 있음 ―,
    수단(14, 14') ― 상기 수단은 서셉터(5)와 열 영향 존(17)의 구역에서 온도 제어 유닛 사이에 배열되는 매체의 열 전도도에 영향을 미치는 목적들을 위함 ― 을 가지며,
    상기 열 영향 존(17)은 서셉터 회전축(A)에 대해, 서셉터 회전축(A)을 중심으로 기판 홀더 회전축(B)의 궤도 경로로부터 반경 방향 내측방으로, 또는 궤도 경로로부터 외측방으로 또는 궤도 경로 상에 있는, 구역인,
    기판들의 열 처리를 위한 디바이스.
  4. 기판들의 열 처리를 위한 방법으로서,
    서셉터(5)가 서셉터 회전축(A)을 중심으로 회전 구동되고, 서셉터 회전축(A)에 대해 편심으로 배열된 적어도 하나의 기판 홀더(7)를 지지하며, 이는 기판 홀더 회전축(B)을 중심으로 회전하고, 적어도 하나의 기판을 지지하며,
    상기 서셉터(5)와 온도 제어 유닛 사이에 배열된 매체의 열 전도도는 열 영향 존(17)의 구역에서 수단(14, 14)에 의해 영향을 받으며,
    상기 열 영향 존(17)은 서셉터의 회전축(A)에 대해, 서셉터 회전 축(A)을 중심으로 기판 홀더 회전축(B)의 궤도 경로로부터 반경 방향 내측방으로 또는 궤도 경로로부터 외측방으로 또는 궤도 경로 상에 있는 구역인,
    기판들의 열 처리를 위한 방법.
  5. 제1 항 또는 제3 항에 따른 디바이스, 또는 제2 항 또는 제4 항에 따른 방법에 있어서,
    서셉터(5)의 회전 시간과 함께 주기적으로, 회전 시간보다 더 짧은 시간 동안 또는 서셉터(5)의 회전 시간보다 더 긴 시간 동안, 인접한 서셉터(5)의 구역들에서 보다 국부적으로 제한된 열 영향 존들(17)에서 더 많은 열이 서셉터(5)에 공급되거나 또는 그로부터 제거되고, 또는 수단은 이러한 목적을 위해 셋업되는,
    디바이스 또는 방법.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 제어 유닛은 냉각 유닛(30)이고, 그리고/또는
    상기 온도 제어 유닛은 RF 유도 코일(13)의 냉각 채널에 의해 형성되며,
    전자기 교류장(electromagnetic alternating field)은 RF 유도 코일(13)을 이용하여 생성되며, 이 전자기 교류장은 전기 전도성 재료로 제조된 서셉터(5)를 가열하는 목적들을 위해 서셉터에 와전류들을 유도하는,
    디바이스 또는 방법.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    온도 제어 가스가 공급 개구(14')를 통해 서셉터(5)와 온도 제어 유닛 또는 냉각 유닛(30) 사이의 간극(gap)(10) 내로 주기적으로 펄스식 방식으로 또는 일정한 유동으로, 공급 개구(14')를 통해 공급되며, 그리고/또는
    주기적으로 변하는 열 전도도 특성들을 갖는 온도 제어 가스가 서셉터(5)와 온도 제어 유닛 사이의 간극(10)에 공급되며, 그리고/또는
    가스 공급 라인(14)이 공급 개구(14') 내로 개방되며, 그 라인 내로 스위치오버 밸브(28)에 의해, 높은 열 전도도를 갖는 가스, 또는 더 낮은 열 전도도를 갖는 가스가 공급될 수 있거나, 또는 필요에 따라 공급되는,
    디바이스 또는 방법.
  8. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 간극(10)은 상기 가열기(13)와 상기 서셉터(5)의 하부면 사이에 배열된 밀봉 플레이트(8)에 의해 형성되며, 이를 통해, 퍼지 가스의 일정한 제1 가스 유동((S1)을 통과시키고, 상기 제1 가스 유동(S1) 내로 온도 제어 가스의 제2 가스 유동(S2)이 공급되며,
    상기 제1 가스 유동(S1)과 상기 제2 가스 유동(S2)은 기판을 지지하는 목적들을 위해 기판 홀더(7)와 가열기(13) 사이에 제3 가스 유동(S3)을 형성하며, 그의 유동 속도는 상기 기판 홀더(7)의 반경 방향 외부 에지에서의 서셉터(5)의 주변 속도보다 더 큰,
    디바이스 또는 방법.
  9. 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 열 영향 존들(17)이 제공되며, 상기 존들에서 열은 펄스식 방식으로 주기적으로 공급 또는 제거되며,
    상기 열 영향 존들(17)은 상기 서셉터(5)의 중심에 대해 서로 상이한 방위각들로 배열되며, 그리고/또는 상기 서셉터(5)의 중심에 대해 상이한 반경 방향 거리들로 배열되는,
    디바이스 또는 방법.
  10. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    열이 주기적으로 공급되거나 또는 펄스식 방식으로 제거되는 적어도 하나의 열 영향 존(17)이 상기 서셉터(5)의 중심을 중심으로 주변 구역에 배열되며, 상기 구역에 복수의 기판 홀더들이 위치되는,
    디바이스 또는 방법.
  11. 제1 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 영향 존(17)은 축(A)을 중심으로 최대 90도, 60도, 45도, 30도 또는 15도의 각도 범위로 제한되는,
    디바이스 또는 방법.
  12. 제1 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 서셉터(5)의 표면의 온도를 측정하는 목적들을 위해 열 영향 존으로부터 반경 방향 외측방으로 그리고/또는 반경 방향 내측방으로 배열된 온도 측정 지점들(31, 31')을 특징으로 하는,
    디바이스 또는 방법.
  13. 제1 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 제어 가스는 상기 서셉터 회전축(A)에 대하여 반경 방향 내측방으로 또는 반경 방향 외측방으로 지향되는 유동 방향을 갖는,
    디바이스 또는 방법.
  14. 제1 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 공급 개구들(14')이 상기 서셉터 회전 축(A)에 대해 서로 상이한 반경 방향 거리들로 제공되며,
    하나 또는 복수의 온도 제어 가스들은 필요에 따라 하나 또는 복수의 공급 개구들(14')을 통해 공급되는,
    디바이스 또는 방법.
  15. 제1 항 내지 제14 항 중 어느 한 항의 특징화된 특징들 중 하나 이상을 특징으로 하는,
    디바이스 또는 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018121854A1 (de) * 2018-09-07 2020-03-12 Aixtron Se Verfahren zum Einrichten oder zum Betrieb eines CVD-Reaktors
DE102020107517A1 (de) 2020-03-18 2021-09-23 Aixtron Se Suszeptor für einen CVD-Reaktor
CN112797723B (zh) * 2021-01-13 2024-04-12 珠海格力电器股份有限公司 冰箱及其控温方法
DE102021103368A1 (de) 2021-02-12 2022-08-18 Aixtron Se CVD-Reaktor mit einem ein Gaseinlassorgan umgebenden Temperrierring
KR20230147730A (ko) * 2021-02-24 2023-10-23 에바텍 아크티엔게젤샤프트 이동하는 기판의 온도 측정을 위한 기판 처리 장치 및 이동하는 기판의 온도를 측정하는 방법
DE102022130987A1 (de) 2022-11-23 2024-05-23 Aixtron Se Verfahren zum Einrichten eines CVD-Reaktors

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5155336A (en) * 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
US5468299A (en) * 1995-01-09 1995-11-21 Tsai; Charles S. Device comprising a flat susceptor rotating parallel to a reference surface about a shaft perpendicular to this surface
US6001183A (en) * 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
DE10064942A1 (de) * 2000-12-23 2002-07-04 Aixtron Ag Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten
US20020144786A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-10 Angstron Systems, Inc. Substrate temperature control in an ALD reactor
KR100539240B1 (ko) * 2003-08-01 2005-12-27 삼성전자주식회사 복수의 백사이드 가스 유로를 가지는 ｃｖｄ 장치 및 이를이용한 박막 형성 방법
DE102005055252A1 (de) * 2005-11-19 2007-05-24 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit gleitgelagerten Suszeptorhalter
DE102005056536A1 (de) * 2005-11-28 2007-05-31 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit widerstandsbeheiztem Suszeptor
DE102006018514A1 (de) * 2006-04-21 2007-10-25 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zur Steuerung der Oberflächentemperatur eines Substrates in einer Prozesskammer
DE102007026348A1 (de) * 2007-06-06 2008-12-11 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor
CN102017101B (zh) 2008-05-02 2014-06-04 应用材料公司 用于旋转基板的非径向温度控制系统
US8288288B1 (en) * 2008-06-16 2012-10-16 Novellus Systems, Inc. Transferring heat in loadlocks
DE102010000554A1 (de) * 2009-03-16 2010-09-30 Aixtron Ag MOCVD-Reaktor mit einer örtlich verschieden an ein Wärmeableitorgan angekoppelten Deckenplatte
DE102009043848A1 (de) * 2009-08-25 2011-03-03 Aixtron Ag CVD-Verfahren und CVD-Reaktor
DE102009043960A1 (de) * 2009-09-08 2011-03-10 Aixtron Ag CVD-Reaktor
DE102009044276A1 (de) 2009-10-16 2011-05-05 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit auf einem mehrere Zonen aufweisenden Gaspolster liegenden Substrathalter
DE102011053498A1 (de) * 2011-09-12 2013-03-14 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung der Verformung eines Substrates
DE102011055061A1 (de) 2011-11-04 2013-05-08 Aixtron Se CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor
US9385004B2 (en) * 2013-08-15 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Support cylinder for thermal processing chamber
DE102013109155A1 (de) * 2013-08-23 2015-02-26 Aixtron Se Substratbehandlungsvorrichtung
DE102014104218A1 (de) * 2014-03-26 2015-10-01 Aixtron Se CVD-Reaktor mit Vorlaufzonen-Temperaturregelung
TWI671429B (zh) * 2016-07-02 2019-09-11 美商應用材料股份有限公司 在空間ald處理腔室中用以增加沉積均勻性的裝置
US20180182635A1 (en) * 2016-12-27 2018-06-28 Tokyo Electron Limited Focus ring and substrate processing apparatus
DE102017105333A1 (de) * 2017-03-14 2018-09-20 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Behandlung eines Substrates
DE102017105947A1 (de) * 2017-03-20 2018-09-20 Aixtron Se Suszeptor für einen CVD-Reaktor

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Publication number Publication date
WO2020169385A2 (de) 2020-08-27
EP3928349A2 (de) 2021-12-29
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US20230383408A1 (en) 2023-11-30
CN113454264A (zh) 2021-09-28
TW202035784A (zh) 2020-10-01
US20220106687A1 (en) 2022-04-07
JP7475357B2 (ja) 2024-04-26
EP3928349B1 (de) 2024-03-20
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DE102019104433A1 (de) 2020-08-27
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