KR20210125141A - 쿼츠 부품 재생 방법 및 쿼츠 부품 재생 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 쿼츠 부품을 재생하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 표면에 실리콘 및 질소를 포함하는 물질층과 쿼츠가 복합적으로 노출된 피 처리 쿼츠 부품을 재생하는 방법에 있어서, 상온 이상의 제1 온도로 가열한 불산 수용액에 상기 피 처리 쿼츠 부품을 노출시켜 재생한다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 적용되는 쿼츠 부품의 재생 방법 및 쿼츠 부품을 재생하는 쿼츠 부품 재생 장치에 관한 것이다.
플라즈마를 이용하여 반도체나 액정 디바이스를 제조하는 기판 처리장치의 내부 구성부품 중, 쿼츠 부재의 표면은 플라즈마 환경하에서의 연속 사용에 의해 열화됨으로써 소모되고, 소정량 소모된 시점에서 폐기처분되고 있었으나, 쿼츠 부재는 매우 고가이기 때문에, 재사용을 위한 재생 방법이 요구된다.
상기와 같은 요구에 응하는 것으로서, 소모된 부위를 제거하고 재생하는 쿼츠 부재의 재생 방법들이 제안되어 있다.
예를 들면 재생하는 쿼츠 부재를 처리 장치에서 탈거하여 그 표면을 물리적으로 연마하고, 폴리싱하여 재생하는 방법이 제안된다. 이러한 방법은 물리적 연마 과정에서 표면에 크랙 또는 스크레치가 생성되어 추후 재사용 될 때 플라즈마 공정 환경에서 파티클을 유발하는 원인으로 작용하는 문제가 있다. 또한, 물리적 연마 과정에서 쿼츠 부품의 두께 손실이 크게 일어나 부품의 재사용 가능 횟수가 감소한다.
다른 방법으로는 쿼츠 부재를 고온의 인산 또는 불산으로 재생하는 방법이 제안되나, 130°C 이상으로 가열된 고온의 인산으로 처리시에는 쿼츠 표면에 증착된 질화 오염물을 제거할 수는 있으나, 쿼츠 표면의 결함을 제거하지 못하며, 불산으로 처리시에는 쿼츠 표면에 증착된 질화 오염물과 쿼츠 표면의 결함 제거가 동시에 이루어질 수 있으나, 쿼츠에 대한 식각 속도가 매우 높아 식각량 조절이 어려운 문제가 있다.
본 발명은 쿼츠 부품의 재생 과정에서 필연적으로 발생하는 두께 손실률을 저감할 수 있는 쿼츠 부품 재생 방법 및 쿼츠 부품 재생 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 쿼츠 부품 표면의 질화 오염물을 제거하면서 동시에 쿼츠의 결함을 제거할 수 있는 쿼츠 부품 재생 방법 및 쿼츠 부품 재생 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 쿼츠 부품의 재사용 횟수를 증가시킬 수 있음에 따라 설비 유지비를 감소시킬 수 있는 쿼츠 부품 재생 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 쿼츠 부품의 재생에 소요되는 작업시간이 종래 대비 단축된 쿼츠 부품 재생 방법 및 쿼츠 부품 재생 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 쿼츠 부품을 재생하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 표면에 실리콘 및 질소를 포함하는 물질층과 쿼츠가 복합적으로 노출된 피 처리 쿼츠 부품을 재생하는 방법에 있어서, 상온 이상의 제1 온도로 가열한 불산 수용액에 상기 피 처리 쿼츠 부품을 노출시켜 재생한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 온도는 섭씨 60 내지 100도 일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 불산 수용액은 불산을 5 내지 10% 포함하는 불산 수용액 일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 불산 수용액에 대한 상기 피 처리 쿼츠 부품의 노출 시간은 1시간 이상일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 온도의 상기 불산 수용액에 상기 피 처리 쿼츠 부품을 노출시키기 전에, 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 불산 수용액에 상기 피 처리 쿼츠 부품을 노출시켜 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 온도는 섭씨 60 내지 100도이고, 상기 제2 온도는 상온 내지 섭씨 60도일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 온도의 상기 불산 수용액에 대한 상기 피 처리 쿼츠 부품의 노출 시간은 30분 이상이고, 상기 제1 온도의 상기 불산 수용액에 대한 상기 피 처리 쿼츠 부품의 노출 시간은 1시간 이상일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 온도의 상기 불산 수용액과 상기 제1 온도의 상기 불산 수용액은 불산을 5 내지 10% 포함하는 불산 수용액일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 피 처리 쿼츠 부품은 마이크로 웨이브 플라즈마 처리 장치의 안테나 하부에 유전체로 제공되는 부품일 수 있다.
또한 본 발명은 쿼츠 부품을 재생하기 위한 쿼츠 부품 재생 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 쿼츠 부품 재생 장치는, 불산 수용액을 수용할 수 있고 피 처리 쿼츠 부품이 침지될 수 있는 공간을 제공하는 처리조와; 상기 불산 수용액을 상기 처리조에 공급하는 액 공급 라인과; 상기 처리조에 수용된 상기 불산 수용액을 가열하는 가열 부재를 포함한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 액 공급 라인은 상기 처리조에 상기 불산 수용액을 상온으로 공급할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 가열 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 처리조에 수용된 상온의 상기 불산 수용액에 상기 피 처리 쿼츠 부품이 침지되고 제1 시간이 경과한 이후, 상기 가열 부재를 제어하여 상기 처리조에 수용된 상기 불산 수용액을 제1 온도로 가열할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 온도는 섭씨 60 내지 100도 일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 액 공급 라인이 공급하는 상기 불산 수용액은 불산을 5 내지 10% 포함하는 불산 수용액일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 쿼츠 부품의 재생 과정에서 필연적으로 발생하는 두께 손실률을 저감할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 쿼츠 부품 표면의 질화 오염물을 제거하면서 동시에 쿼츠의 결함을 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 쿼츠 부품의 재사용 횟수를 증가시킬 수 있음에 따라 설비의 유지비를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 쿼츠 부품의 재생에 소요되는 작업시간이 종래 대비 단축될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따라 재생된 쿼츠 부품은 향후 플라즈마 공정 환경에서 파티클로 작용할 수 있는 크랙 또는 스크래치가 없다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 피 처리 쿼츠 부품의 단면을 도시한 것이다.
도 2는 제1 실시 예에 따라, 피 처리 쿼츠 부품에 대하여 제1 온도의 불산 수용액에 노출시켜 처리하는 모습을 표현한 도면이다.
도 3은 제1 실시 예에 따라, 제1 온도의 불산 수용액에 의해 노출되어 처리된 피 처리 쿼츠 부품의 단면을 도시한 것이다.
도 4는 제2 실시 예에 따라, 피 처리 쿼츠 부품에 대하여 제2 온도의 불산 수용액에 노출시켜 처리하는 모습을 표현한 도면이다.
도 5는 제2 실시 예에 따라, 제2 온도의 불산 수용액에 의해 노출되어 처리된 피 처리 쿼츠 부품의 단면을 도시한 것이다.
도 6은 제2 실시 예에 따라, 제2 온도의 불산 수용액에 의해 노출되어 처리된 피 처리 쿼츠 부품에 대하여, 제1 온도의 불산 수용액에 노출시켜 처리하는 모습을 표현한 도면이다.
도 7은 제2 실시 예에 따라, 제2 온도에 불산 수용액에 의해 노출된 이후, 제1 온도의 불산 수용액에 노출되어 처리된 피 처리 쿼츠 부품의 단면을 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 쿼츠 부품 재생 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 제1 실시 예에 따라, 피 처리 쿼츠 부품에 대하여 제1 온도의 불산 수용액에 노출시켜 처리하는 모습을 표현한 도면이다.
도 3은 제1 실시 예에 따라, 제1 온도의 불산 수용액에 의해 노출되어 처리된 피 처리 쿼츠 부품의 단면을 도시한 것이다.
도 4는 제2 실시 예에 따라, 피 처리 쿼츠 부품에 대하여 제2 온도의 불산 수용액에 노출시켜 처리하는 모습을 표현한 도면이다.
도 5는 제2 실시 예에 따라, 제2 온도의 불산 수용액에 의해 노출되어 처리된 피 처리 쿼츠 부품의 단면을 도시한 것이다.
도 6은 제2 실시 예에 따라, 제2 온도의 불산 수용액에 의해 노출되어 처리된 피 처리 쿼츠 부품에 대하여, 제1 온도의 불산 수용액에 노출시켜 처리하는 모습을 표현한 도면이다.
도 7은 제2 실시 예에 따라, 제2 온도에 불산 수용액에 의해 노출된 이후, 제1 온도의 불산 수용액에 노출되어 처리된 피 처리 쿼츠 부품의 단면을 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 쿼츠 부품 재생 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 피 처리 쿼츠 부품(10)의 단면을 도시한 것이다. 도 1을 참조하여 설명한다.
피 처리 쿼츠 부품(10)은 실리콘 및 질소를 포함하는 물질층에 해당하는 질화 오염물과 식각된 쿼츠 표면이 복합적으로 노출된 쿼츠 부품이다. 일 예에 있어서, 피 처리 쿼츠 부품(10)은 마이크로 웨이브 플라즈마 처리 장치의 안테나 하부에 제공되는 유전체로 제공되는 부품일 수 있다. 마이크로 웨이브 플라즈마 처리 장치와 이에 제공되는 안테나 및 유전체에 관한 것은 본 출원인에 의해 출원되어 공개된 문헌인 대한민국공개특허공보 제10-2013-0122497호(KR10-2013-0122497A)의 안테나와 유전체 블록을 참고하면 명확하게 이해될 수 있다.
피처리 쿼츠 부품(10)은 쿼츠로 이루어지는 쿼츠층(1)의 표면과 실리콘 및 질소를 포함하는 물질층(2)의 표면이 복합적으로 노출된다. 쿼츠층(1)은 플라즈마 처리 장치에서 그 표면이 노출되어 식각됨에 따라 식각면(1a)이 형성될 수 있다. 또한, 쿼츠층(1)의 표면에는 결함(1b)이 존재한다. 또한, 쿼츠층(1)의 표면에는 플라즈마 처리 장치에서 생성된 실리콘 및 질소를 포함하는 물질이 부착된 것인 물질층(2)이 증착되어 있다.
도 2는 피 처리 쿼츠 부품(10)에 대하여 제1 온도의 불산 수용액(4)에 노출시켜 처리하는 모습을 표현한 도면이고, 도 3은 제1 온도의 불산 수용액에 의해 노출되어 처리된 피 처리 쿼츠 부품의 단면을 도시한 것이다. 도 2와 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시 예를 설명한다.
피 처리 쿼츠 부품(10)을 제1 온도의 불산 수용액(4)에 노출시켜 처리하면, 물질층(2)이 식각되어 제거되며, 쿼츠층(1)도 식각되어 결함(1b)이 제거된다. 불산 수용액(4)에 피 처리 쿼츠 부품(10)을 노출하는 방법은 다양하게 제공될 수 있으나, 일 예로 후술하는 도 8과 같이 침지 방식에 의할 수 있다.
불산 수용액(4)은 농도가 조절되어 제공된다. 불산 수용액(4)은 저농도의 불산 수용액으로 제공된다. 일 실시 예에 있어서 저농도의 불산 수용액이란 불산을 5 내지 10% 포함하는 불산 수용액이다. 저농도의 불산 수용액은 불산 수용액 내에서 모노플루오라이드(monofluoride; F-)의 함량이 높다. 불산 수용액에 모노플루오라이드의 함량이 높아질수록 실리콘 및 질소를 포함하는 물질층(2)의 제거 속도가 높아진다. 다만, 저농도의 불산 수용액은 쿼츠층(1)에 대한 식각을 충분히 행하지 못할 수 있음에 따라, 온도를 제1 온도로 제어한다.
일 실시 에에 의하면 제1 온도는 섭씨 60 내지 100도이다. 제1 온도로 가열된 저농도의 불산 수용액(4)은 쿼츠층(1)에 대한 식각을 행할 수 있다. 이로서, 쿼츠층(1)이 일정량 식각되어 결함(1b)이 제거된다.
피 처리 쿼츠 부품(10)에서 식각 대상이 되는 물질층(2)의 두께와 식각면(1a)의 깊이와 결함(1b)의 깊이에 따라 제1 온도로 가열된 저농도의 불산 수용액(4)에 노출시키는 시간이 상이할 수 있으나, 피 처리 쿼츠 부품(10)을 제1 온도로 가열된 저농도의 불산 수용액(4)에 노출시키는 시간은 1시간 이상인 것이 적절하다. 본 발명자들이 행한 실험에 따르면, 피 처리 쿼츠 부품(10)의 표면이 처리되어 적절한 조도를 갖는 재생 쿼츠 부재(1')가 될 때까지 불산 수용액(4)에 대한 피 처리 쿼츠 부품(10)의 노출 시간은 1시간 이상 5시간 이하였다.
도 4는 피 처리 쿼츠 부품에 대하여 제2 온도의 불산 수용액에 노출시켜 처리하는 모습을 표현한 도면이다. 도 5는 제2 온도의 불산 수용액에 의해 노출되어 처리된 피 처리 쿼츠 부품의 단면을 도시한 것이다. 도 6은 제2 온도의 불산 수용액에 의해 노출되어 처리된 피 처리 쿼츠 부품에 대하여, 제1 온도의 불산 수용액에 노출시켜 처리하는 모습을 표현한 도면이다. 도 7은 제2 온도에 불산 수용액에 의해 노출된 이후, 제1 온도의 불산 수용액에 노출되어 처리된 피 처리 쿼츠 부품의 단면을 도시한 것이다. 이하 도 4 내지 도 7을 순서대로 참조하여 본 발명의 제2 실시 예를 설명한다.
도 4에서 도시되는 바와 같이 피 처리 쿼츠 부품(10)을 제2 온도의 불산 수용액(5)에 노출시켜 처리하면, 물질층(2)이 식각되어 제거된다. 불산 수용액(5)에 피 처리 쿼츠 부품(10)을 노출하는 방법은 다양하게 제공될 수 있으나, 일 예로 후술하는 도 8과 같이 침지 방식에 의할 수 있다.
불산 수용액(5)은 농도가 조절되어 제공된다. 불산 수용액(5)은 저농도의 불산 수용액으로 제공된다. 일 실시 예에 있어서 저농도의 불산 수용액이란 불산을 5 내지 10% 포함하는 불산 수용액이다. 저농도의 불산 수용액은 불산 수용액 내에서 모노플루오라이드(monofluoride; F-)의 함량이 높다. 불산 수용액에 모노플루오라이드의 함량이 높아질수록 실리콘 및 질소를 포함하는 물질층(2)의 제거 속도가 높아진다. 제2 온도는 상온 내지 섭씨 60도이다. 바람직하게는 제2 온도는 가열되지 않은 상태인 상온이다. 제2 온도의 불산 수용액은 쿼츠층(1)에 대한 식각은 충분히 일어나지 않기 때문에 선택비가 조절되어 물질층(2)만을 제거할 수 있다.
피 처리 쿼츠 부품(10)에서 식각 대상이 되는 물질층(2)의 두께에 따라 제2 온도의 불산 수용액(5)에 노출시키는 시간이 상이할 수 있으나, 제2 온도의 불산 수용액(5)에 대한 피 처리 쿼츠 부품(10)의 노출 시간은 30분 이상인 것이 적절하다. 본 발명자들이 행한 실험에 따르면, 도 5에 도시된 바와 같이 피 처리 쿼츠 부품(10)의 표면이 처리되어 물질층(2)이 제거될 때까지 불산 수용액(5)에 대한 피 처리 쿼츠 부품(10)의 노출 시간은30분 이상 2시간 이하였다.
도 6에서 도시되는 바와 같이 물질층(2)이 제거된 피 처리 쿼츠 부품(10')을 제1 온도의 불산 수용액(4)에 노출시켜 처리하면, 쿼츠층(1)이 식각되어 제거된다. 불산 수용액(4)에 피 처리 쿼츠 부품(10')을 노출하는 방법은 다양하게 제공될 수 있으나, 일 예로 후술하는 도 8과 같이 침지 방식에 의할 수 있다.
불산 수용액(4)은 불산 수용액(5)을 제1 온도로 가열한 것으로 제공될 수 있다. 일 실시 에에 의하면 제1 온도는 섭씨 60 내지 100도이다. 제1 온도의 불산 수용액(4)은 쿼츠층(1)에 대한 식각을 행할 수 있다. 이로서, 쿼츠층(1'')이 일정량 식각되어 결함(1b)이 제거된다.
피 처리 쿼츠 부품(10')에서 식각 대상이 식각면(1a)의 깊이와 결함(1b)의 깊이에 따라 제1 온도의 불산 수용액(4)에 노출시키는 시간이 상이할 수 있으나, 피 처리 쿼츠 부품(10')을 제1 온도로 가열된 저농도의 불산 수용액(4)에 노출시키는 시간은 1시간 이상인 것이 적절하다. 본 발명자들이 행한 실험에 따르면, 피 처리 쿼츠 부품(10')의 표면이 처리되어 적절한 조도를 갖는 재생 쿼츠 부재(1''')가 될 때까지 불산 수용액(4)에 대한 피 처리 쿼츠 부품(10)의 노출 시간은 1시간 이상 3시간 이하였다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 쿼츠 부품 재생 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
쿼츠 부품 재생 장치는 처리조(110)와 액 공급 라인(130)와 가열 부재(115)를 포함한다.
처리조(110)는 불산 수용액을 수용할 수 있고 피 처리 쿼츠 부품이 침지될 수 있는 공간을 제공한다. 액 공급 라인(130)은 불산 수용액을 처리조(110)에 공급한다. 액 공급 라인(130)이 공급하는 불산 수용액은 농도가 조절된 것일 수 있다. 액 공급 라인(130)이 공급하는 불산 수용액은 불산을 5 내지 10% 포함하는 불산 수용액일 수 있다. 액 공급 라인(130)은 액 공급원(120)과 연결되어 액 공급원(120)에 저장된 불산 수용액을 처리조(110)로 공급할 수 있다. 액 공급 라인(130)은 불산 수용액을 상온의 상태로 처리조(110)로 공급할 수 있다. 가열 부재(115)는 처리조(110)에 수용된 불산 수용액을 가열한다. 제어기(미도시)는 가열 부재(115)를 제어한다.
이하 일 실시 예에 따른 쿼츠 부품 재생 장치를 이용하여 피 처리 쿼츠 부재(10)를 재생하는 방법을 설명한다. 먼저, 액 공급 라인(130)을 통해 공급된 상온의 불산 수용액이 처리조(110)에 수용된다. 처리조(110)에 적정량의 불산 수용액이 채워지면, 여기에 피 처리 쿼츠 부재(10)를 침지시킨다. 피 처리 쿼츠 부재(10)가 침지되고 제1 시간이 경과한 뒤, 제어기(미도시)는 가열 부재(115)를 제어하여, 처리조(110)에 수용된 불산 수용액을 제1 온도로 가열한다. 피 처리 쿼츠 부재(10)는 제1 온도로 가열된 불산 수용액에 제2 시간 동안 더 침지시킨다. 제1 시간은 30분 이상 2시간 이하이고, 제2 시간은 1시간 이상 3시간 이하일 수 있다 .제`1 온도는 섭씨 60도 내지 100도 일 수 있다.
상술한 장치 및 방법에 따르면 별도의 미세 연마 공정 없이 피 처리 쿼츠 부품의 질화 오염물을 제거하면서 동시에 쿼츠의 결함을 제거할 수 있고, 또한 표면 조도가 개선될 수 있다. 미세 연마 공정을 생략함에 따라 작업 소요 시간과 제작 단가를 감소시킬 수 있다. 또한 상술한 장치 및 방법에 따라 재생된 쿼츠 부품은 향후 플라즈마 공정 환경에서 파티클로 작용할 수 있는 크랙 또는 스크래치가 없다. 또한, 상술한 장치 및 방법에 따라 쿼츠 부품을 재생할 경우에 쿼츠 부품의 재생 과정에서 필연적으로 발생하는 두께 손실률을 저감할 수 있음에 따라 쿼츠 부품의 재사용 횟수를 증가시킬 수 있고, 설비의 유지비를 감소시킬 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (14)
- 표면에 실리콘 및 질소를 포함하는 물질층과 쿼츠가 복합적으로 노출된 피 처리 쿼츠 부품을 재생하는 방법에 있어서,
상온 이상의 제1 온도로 가열한 불산 수용액에 상기 피 처리 쿼츠 부품을 노출시켜 재생하는 쿼츠 부품 재생 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 온도는 섭씨 60 내지 100도인 쿼츠 부품 재생 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 불산 수용액은 불산을 5 내지 10% 포함하는 불산 수용액인 쿼츠 부품 재생 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 불산 수용액에 대한 상기 피 처리 쿼츠 부품의 노출 시간은 1시간 이상인 쿼츠 부품 재생 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 온도의 상기 불산 수용액에 상기 피 처리 쿼츠 부품을 노출시키기 전에,
상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 불산 수용액에 상기 피 처리 쿼츠 부품을 노출시켜 세정하는 단계를 더 포함하는 쿼츠 부품 재생 방법. - 제5 항에 있어서,
상기 제1 온도는 섭씨 60 내지 100도이고,
상기 제2 온도는 상온 내지 섭씨 60도인 쿼츠 부품 재생 방법. - 제5 항에 있어서,
상기 제2 온도의 상기 불산 수용액에 대한 상기 피 처리 쿼츠 부품의 노출 시간은 30분 이상이고,
상기 제1 온도의 상기 불산 수용액에 대한 상기 피 처리 쿼츠 부품의 노출 시간은 1시간 이상인 쿼츠 부품 재생 방법. - 제5 항에 있어서,
상기 제2 온도의 상기 불산 수용액과 상기 제1 온도의 상기 불산 수용액은 불산을 5 내지 10% 포함하는 불산 수용액인 쿼츠 부품 재생 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 피 처리 쿼츠 부품은 마이크로 웨이브 플라즈마 처리 장치의 안테나 하부에 유전체로 제공되는 부품인 쿼츠 부품 재생 방법 - 불산 수용액을 수용할 수 있고 피 처리 쿼츠 부품이 침지될 수 있는 공간을 제공하는 처리조와;
상기 불산 수용액을 상기 처리조에 공급하는 액 공급 라인과;
상기 처리조에 수용된 상기 불산 수용액을 가열하는 가열 부재를 포함하는 쿼츠 부품 재생 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 액 공급 라인은 상기 처리조에 상기 불산 수용액을 상온으로 공급하는 쿼츠 부품 재생 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 가열 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 처리조에 수용된 상온의 상기 불산 수용액에 상기 피 처리 쿼츠 부품이 침지되고 제1 시간이 경과한 이후,
상기 가열 부재를 제어하여 상기 처리조에 수용된 상기 불산 수용액을 제1 온도로 가열하는 쿼츠 부품 재생 장치. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 온도는 섭씨 60 내지 100도인 쿼츠 부품 재생 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 액 공급 라인이 공급하는 상기 불산 수용액은 불산을 5 내지 10% 포함하는 불산 수용액인 쿼츠 부품 재생 장치.
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