KR20210124267A - 반도체 소자용 전자빔 검사 장비 및 전자빔 검사 어셈블리 - Google Patents

반도체 소자용 전자빔 검사 장비 및 전자빔 검사 어셈블리 Download PDF

Info

Publication number
KR20210124267A
KR20210124267A KR1020217025798A KR20217025798A KR20210124267A KR 20210124267 A KR20210124267 A KR 20210124267A KR 1020217025798 A KR1020217025798 A KR 1020217025798A KR 20217025798 A KR20217025798 A KR 20217025798A KR 20210124267 A KR20210124267 A KR 20210124267A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electron beam
beam inspection
optical axis
chamber
inspection equipment
Prior art date
Application number
KR1020217025798A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102544677B1 (ko
Inventor
레이 지앙
옌 자오
Original Assignee
쭝커 징위안 일렉트론 리미티드, 베이징 (중국)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쭝커 징위안 일렉트론 리미티드, 베이징 (중국) filed Critical 쭝커 징위안 일렉트론 리미티드, 베이징 (중국)
Publication of KR20210124267A publication Critical patent/KR20210124267A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102544677B1 publication Critical patent/KR102544677B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/21—Means for adjusting the focus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/33—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts
    • G01N2223/3308—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts object translates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/40—Imaging
    • G01N2223/418—Imaging electron microscope
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/50—Detectors
    • G01N2223/507—Detectors secondary-emission detector
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60—Specific applications or type of materials
    • G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
    • G01N2223/6116—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices semiconductor wafer
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60—Specific applications or type of materials
    • G01N2223/646—Specific applications or type of materials flaws, defects
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10—Image acquisition modality
    • G06T2207/10056—Microscopic image
    • G06T2207/10061—Microscopic image from scanning electron microscope
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20278—Motorised movement
    • H01J2237/20285—Motorised movement computer-controlled
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자용 전자빔 검사 장비 및 전자빔 검사 어셈블리를 제공한다. 전자빔 검사 장비는, 상면에 반도체 소자를 탑재하고, 수직되는 2개의 방향을 따라 평행이동가능한 테이블; 상기 반도체 소자의 이미지를 수집하여 상기 전자빔 검사 장비의 좌표계에서의 상기 반도체 소자의 위치를 확정하고, 제1 시야 및 제1 광축을 구비하는 조준 장치; 상기 반도체 소자에 전자빔을 투사하고, 상기 반도체 소자로부터 사출되는 전자빔을 검출하고, 제2 시야 및 상기 제1 광축과 중첩되지 않는 제2 광축을 구비하는 전자빔 검사 장치; 및 상기 반도체 소자의 피검사영역을 반사하여 상기 조준 장치내에 결상하는 반사장치를 포함하고, 상기 제1 시야는 상기 반사 장치의 반사에 의해 상기 상면의 제1 가시영역에 투영되고, 상기 제2 시야는 상기 전자빔의 광 경로를 따라 상기 상면의 제2 가시영역에 투영된다.

Description

반도체 소자용 전자빔 검사 장비 및 전자빔 검사 어셈블리
본 개시는 반도체 검사 기술분야에 관한 것으로서, 특히, 반도체 소자용 전자빔 검사 장비 및 전자빔 검사 어셈블리에 관한 것이다.
본 개시는 2019년 11월 27일 제출한 출원번호가 201911179973.5인 중국 특허 출원의 우선권을 주장하고, 인용을 통해 해당 출원의 모든 내용을 본 명세서에 포함시킨다.
반도체 소자, 예를 들어, 반도체 실리콘 웨이퍼의 제조과정에서는, 전자빔 검사 장치, 예를 들어, 주사전자현미경을 사용하여 반도체 소자가 생산과정에 나타나는 결함을 검사(예를 들어, 실리콘 웨이퍼의 패턴 검사를 실행)하는데, 상기 결함에는 실리콘 웨이퍼의 포토에칭공정 결함, 노광공정 결함 등이 포함되고, 이에 한정되지는 않는다. 상기 전자빔 검사 장치의 주요 동작원리는 고에너지 전자빔을 이용하여 검사물체의 표면을 충격함으로써, 피충격영역에 2차전자, 배면 산란 전자 등을 생성시키고, 이러한 2차전자, 배면 산란 전자를 수집하여 전기 신호를 생성함으로써, 검사물체 표면의 형태, 성분 등과 같은 피검사 물체의 각종 물리, 화학적 정보를 나타낸다.
본 발명은, 종래기술에 존재하는 상기 문제점 및 결함의 적어도 일부 측면을 해결하기 위해, 반도체 소자용 전자빔 검사 장비 및 전자빔 검사 어셈블리를 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 상기 기술방안은 다음과 같다.
본 개시의 제1 측면에 의하면, 반도체 소자용 전자빔 검사 장비에 있어서, 상면에 상기 반도체 소자를 탑재하고, 수직되는 2개의 방향을 따라 평행이동가능한 테이블; 상기 반도체 소자의 이미지를 수집함으로써 상기 전자빔 검사 장비의 좌표계에서의 상기 반도체 소자의 위치를 확정하도록 배치되고, 제1 시야 및 제1 광축을 구비하는 조준 장치; 및 상기 반도체 소자에 전자빔을 투사하고, 상기 반도체 소자로부터 사출되는 전자빔을 검출하도록 배치되고, 제2 시야 및 상기 제1 광축과 중첩되지 않는 제2 광축을 구비하는 전자빔 검사 장치를 포함하고, 상기 전자빔 검사 장비는 반사 장치를 더 포함하고, 상기 반도체 소자의 피검사영역은 상기 반사 장치에 의해 반사되어 상기 조준 장치내에 결상되고, 상기 제1 시야는 상기 반사 장치의 반사에 의해 상기 상면의 제1 가시영역에 투영되고, 상기 제2 시야는 상기 전자빔의 광 경로를 따라 상기 상면의 제2 가시영역에 투영되는 반도체 소자용 전자빔 검사 장비를 제공한다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 제1 광축과 상기 제2 광축은 0도가 아닌 각도를 이루고, 상기 제1 가시영역과 상기 제2 가시영역 각각의 중심은 이격되어 배치되거나 동심배치된다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 제1 가시영역과 상기 제2 가시영역이 동심배치될 경우, 상기 반사 장치는 제1 위치와 제2 위치사이에서 변환될 수 있고, 상기 피검사영역은 상기 제1 위치에 위치한 상기 반사 장치에 의해 반사되어 상기 조준 장치의 제1 시야내에 결상되고, 상기 제2 위치는 상기 전자빔의 광 경로를 벗어난다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 반사 장치는 제1 위치와 제2 위치사이에서 이동할 수 있다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 반사 장치는 제1 위치와 제2 위치사이에서 회전할 수 있다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 반사 장치가 상기 제1 위치에 있을 때, 상기 전자빔 검사 장치는 턴 오프되고, 상기 피검사영역은 상기 제1 가시영역에 위치하거나, 또는,
상기 반사 장치가 상기 제2 위치에 있을 때, 상기 전자빔 검사 장치는 턴온되고, 상기 피검사영역은 상기 제2 가시영역에 위치한다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 제1 위치는 상기 전자빔의 광 경로상에 있다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 제1 광축과 상기 제2 광축은 0도가 아닌 각도로 교차한다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 제1 광축과 상기 제2 광축은 수직으로 교차한다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 제1 광축은 상기 상면에 평행되고, 상기 제2 광축은 상기 상면에 수직된다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 제1 위치에서, 상기 반사 장치의 반사면의 법선은 상기 제1 광축 및 상기 제2 광축과 공면을 이루고, 상기 제1 광축 및 상기 제2 광축과 각각 45도 각을 이룬다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 제1 광축은 상기 제2 광축과 경사지게 교차한다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 조준 장치는 광학현미경이다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 전자빔 검사 장치는, 전자빔을 발사 및 입사하도록 배치되는 전자빔 소스; 전자빔을 편향시켜 반도체 소자의 피검사표면에 투사되도록 배치되는 편향기; 및입사 전자빔이 상기 피검사표면에 투사되어 생성된 사출 전자를 검출함으로써, 상기 피검사표면을 결상시키도록 배치되는 전자검출기를 포함한다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 전자빔 검사 장비는 제어 회로를 더 포함하고, 상기 제어 회로는, 소정의 조준 대책에 따라 상기 테이블을 제어하여 평행이동시킴으로써, 상기 반도체 소자를 상기 제1 가시영역내로 이동시키고, 상기 조준 장치가 수집한 상기 반도체 소자의 이미지를 처리함으로써, 상기 전자빔 검사 장비의 장비 좌표계에서의 상기 반도체 소자의 위치를 확정하고, 상기 테이블을 제어하여 상기 반도체 소자의 상기 피검사영역을 상기 제1 가시영역으로부터 상기 제2 가시영역내로 이동시키도록 배치된다.
본 개시의 실시예에 의하면, 상기 반사 장치는 평면 반사경, 곡면 반사경, 반사 프리즘 중 하나를 포함한다.
또한, 본 개시의 다른 측면에 의하면, 검사모듈 및 이송모듈을 포함하고, 상기 검사모듈은, 내부가 진공상태인 제1 챔버; 및 상기 제1 챔버내에 위치하는 상기의 전자빔 검사 장비를 포함하고, 상기 이송모듈은, 상기 제1 챔버에 인접하여 설치되고, 일측에서 제1 밸브를 거쳐 상기 제1 챔버에 연통되고, 반대측에서 제2 밸브를 거쳐 대기환경과 연통되는 제2 챔버; 상기 제2 챔버의 외부에 설치되어, 상기 반도체 소자를 대기환경으로부터 상기 제2 챔버내로 이동시키도록 배치되는 제1 로봇암; 및상기 제1 챔버내에 설치되어, 상기 반도체 소자를 상기 제2 챔버로부터 상기 제1 챔버내로 이동시키고, 나아가서 상기 테이블의 상기 상면에 이동시키도록 배치되는 제2 로봇암을 포함하는 전자빔 검사 어셈블리를 제공한다.
본 개시의 실시예에 의하면, 제2 챔버는 제1 밸브 및 제2 밸브가 동시에 턴 오프된 경우에 진공을 형성하도록 배치된다.
본 개시의 실시예에 의하면, 제2 챔버의 용적은 상기 제1 챔버의 용적보다 작다.
이하, 첨부된 예시적인 첨부도면을 참조하여, 본 개시의 실시예를 설명한다. 각 첨부도면에서, 대응되는 부호는 대응되는 부품을 의미한다. 다음과 같이 첨부도면을 간략적으로 설명한다.
도1은, 조준장치 및 전자빔 검사 장치를 포함하는 전자빔 검사 장비의 예시적인 구성예시도를 나타낸다.
도2는, 도1에 도시된 바와 같은 전자빔 검사 장비에서, 전자빔 검사 장비의 조준 장치 및 전자빔 검사 장치 각각의 가시영역을 위에서 본 도면이다.
도3은, 도1에 도시된 바와 같은 전자빔 검사 장비를 포함하는 전자빔 검사 어셈블리의 구성예시도를 나타낸다.
도4(a) 내지 도4(c)는, 본 개시의 실시예에 따른 전자빔 검사 장비의 구성예시도를 나타내고, 여기서, 조준 장치의 제1 광축과 전자빔 검사 장치의 제2 광축은 수직으로 교차하고, 도4(a)에서 반사 장치는 제1 위치(A)에 있고, 도4(b)에서 반사 장치는 제2 위치(B)로 이동하였고, 도4(c)에서 반사 장치는 제2 위치(B')로 회전하였다.
도4(d) 및 도4(e)는, 본 개시의 실시예에 따른 전자빔 검사 장비의 구성예시도를 나타내고, 여기서, 조준 장치의 제1 광축과 전자빔 검사 장치의 제2 광축은 예각 또는 둔각으로 경사지게 교차하도록 배치될 수 있고, 도4(d)에서 반사 장치는 제1 위치(A')에 있고, 도4(e)에서 반사 장치는 제2 위치(B'')로 이동하였다.
도5는, 도4(a) 내지 도4(d)와 같은 전자빔 검사 장비의 조준 장치 및 전자빔 검사 장치 각각의 가시영역을 위에서 본 도면이다.
도6(a) 내지 도6(c)는, 상기 반사 장치의 예시적인 구체적 형태를 나타낸다.
도7은, 도4(a) 내지 도4(d)에 도시된 바와 같은 전자빔 검사 장비를 포함하는 전자빔 검사 어셈블리의 구성예시도를 나타낸다.
도8은, 전자빔 검사 장비의 제어 회로의 예시적인 흐름도를 나타낸다.
이하, 실시예와 첨부도면을 참조하여 본 개시의 기술방안을 보다상세하게 설명한다. 본 명세서에 있어서, 동일하거나 유사한 도면 부호 및 자모는 동일하거나 유사한 부품을 나타낸다. 본 개시의 실시예에 대한 이하의 첨부도면을 참조한 설명은 본 개시의 전반적인 발명구상을 해석하기 위한 것으로서, 본 개시를 한정하는 것으로 이해해서는 아니된다.
첨부도면은 본 개시의 내용을 설명하기 위한 것이다. 첨부도면에서, 각 부품의 사이즈 및 형상은 반도체 소자용 전자빔 검사 장비 및 전자빔 검사 어셈블리의 부품의 실제적인 비례를 반영하지 않는다.
일반적으로, 전자빔 검사 장비는 전자빔 검사 장치(예를 들어, 주사전자현미경) 및 2차원 평면운동(심지어, 2차원 평면운동에 Z방향 운동이 추가된 3차원 운동)을 실행할 수 있는 테이블을 포함한다.
예를 들어, 실리콘 웨이퍼의 패턴 결함을 검사하기 위한 전자빔 검사 장치는, 확대배율 및 해상도가 모두 비교적 높지만, 전자빔의 빔 직경이 상대적으로 작은 점을 감안하면, 실제로 피검사 물체(예를 들어, 실리콘 웨이퍼)에 투사되어 형성되는 광점도 상대적으로 비교적 작다. 즉, 상기 전자빔 검사 장치의 시야의 크기라고도 불리는 관측가능 범위도 상대적으로 비교적 작다.
따라서, 예시적인 실시예에 있어서, 전자빔 검사 장비는, 검사과정에서 테이블을 여러번 이동시킴으로써 상기 피검사 물체의 위치를 조절하지 않고서도 피검사 물체의 특정 영역의 패턴을 정확하고 신속하게 상기 전자빔 검사 장치의 시야범위내로 보낼 수 있도록 하기 위해서는, 예를 들어, 별도로 상기 전자빔 검사 장비에 피검사 물체의 임시 조준 및 대략적인 위치확정 기능을 가진 광학적 조준 장치를 설치하여, 상기 전자빔 검사 장비 전체의 장비 좌표계에서의 상기 피검사 물체의 위치를 확정할 수 있다.
구체적으로는, 도1은 조준장치 및 전자빔 검사 장치를 포함하는 전자빔 검사 장비의 예시적인 구성예시도를 나타내고, 도2는 도1에 도시된 바와 같은 전자빔 검사 장비에서, 전자빔 검사 장비의 조준 장치 및 전자빔 검사 장치 각각의 가시영역을 위에서 본 도면이다.
도1에 도시된 바와 같이, 예시적인 실시예에 있어서, 전자빔 검사 장비(10)는, 전자빔 검사 장치(11), 테이블(13), 및 별도로 설치한 조준 장치(12)를 포함한다. 구체적으로는, 상기 전자빔 검사 장치(11)는 예를 들어 도시된 바와 같은 전자빔 경통 형태의 주사전자현미경이고, 전자빔을 생성하여 피검사 물체(20)(예를 들어, 피검사 실리콘 웨이퍼)의 표면의 특정 영역을 충격함과 동시에, 피검사 물체의 상기 특정 영역이 충격을 받아 생성하는 2차전자, 배면 산란 전자 등 신호를 수집 및 검출하도록 배치되고, 상기 신호는 증폭처리된 후 피검사 물체(20)(예를 들어, 피검사 실리콘 웨이퍼)의 표면의 상기 특정 영역의 형태 특징을 출력하여, 예를 들어 해당 영역의 패턴에 결함이 있는지 확정한다. 상기 조준 장치(12)는 예를 들어 광학현미경이고, 예를 들어 피검사 물체(20)인 반도체 소자의 이미지를 수집함으로써 상기 전자빔 검사 장비의 좌표계에서의 상기 반도체 소자의 위치를 확정하도록 배치된다. 상기 조준 장치는 제1 시야 및 제1 광축을 구비하고, 상기 전자빔 검사 장치는 제2 시야 및 제2 광축을 구비하고, 상기 제1 광축과 상기 제2 광축은 중첩되지 않고, 예를 들어, 도시된 바와 같이, 상기 조준 장치는 상기 전자빔 검사 장치(11)와 병렬적으로 설치되고, 보다 구체적으로는, 광축이 상기 전자빔 검사 장치(11)의 광축에 평행(예를 들어, 모두 테이블의 상면에 수직되도록 도시)되도록 배치되고, 피검사 물체(예를 들어, 피검사 실리콘 웨이퍼)에 대해 대략적인 위치확정을 실행하고, 장비 좌표계에서의 피검사 물체(20)(예를 들어, 피검사 실리콘 웨이퍼)의 패턴의 위치를 확정하도록 배치된다. 상기 테이블(13)은 예를 들어 수평으로 배치되고, 피검사 물체(20)(예를 들어, 피검사 실리콘 웨이퍼)를 탑재하고 2차원 운동(예를 들어, 수직되는 x-y 2개의 방향을 따라 각각 평행이동)을 실행함으로써, 피검사 물체의 특정 영역(이하, 피검사영역이라고 한다) (R)을 순차적으로 상기 조준 장치(12) 및 상기 전자빔 검사 장치(11) 각각의 가시범위 (이하, 가시영역이라고 한다)내로 이동시키도록 배치된다. 보다 구체적으로는, 상기 조준 장치(12)의 상기 제1 시야는 예를 들어 반사 장치의 반사에 의해 별도의 반사장치를 이용하지 않고 상기 상면의 제1 가시영역에 투영되고, 상기 전자빔 검사 장치(11)의 상기 제2 시야는 상기 전자빔의 광 경로를 따라 상기 상면의 제2 가시영역에 투영되고, 제1 가시영역과 제2 가시영역 각각의 중심은 이격되어 배치된다.
또한, 바람직하게는, 상기 전자빔 검사 장비(10)는 진공환경에서동작하고, 예를 들어, 진공챔버내에 설치함으로써 대기로 인한 전자빔의 감쇄를 최소화할 수 있다.
이하에서는, 상기 예시적인 전자빔 검사 장비(10)의 동작흐름을 구체적으로 설명한다. 우선, 피검사 물체(20)가 상기 테이블(13)에 놓여졌을 경우, 상기 테이블(13)은 소프트웨어 전자 제어 시스템에 의해 설정된 조준 대책에 따라 평면 2차원 운동을 실행함으로써, 피검사 물체(20)(예를 들어, 피검사 실리콘 웨이퍼)를 상기 조준 장치(12)의 관찰시야(즉, 상기 조준장치(12)의 상기 제1 시야가 (예를 들어, 반사를 거치거나 거치지 않고) 투영을 거쳐 상기 상면에 형성된 제1 가시영역과 등가적이다)내로 이송한다. 그 다음, 상기 조준 장치(12)는 광학적 결상 방식을 통해 상기 피검사 물체(20)의 이미지를 수집하고, 특정 알고리즘 소프트웨어로 수집된 광학적 이미지를 처리하면, 피검사 물체의 임시 조준 및 대략적인 위치확정을 실행할 수 있고, 이를 통해, 전체 전자빔 검사 장비(10)의 장비 좌표계에서의 상기 피검사 물체(20)의 위치의 구체적인 좌표를 확정할 수 있다. 그 다음, 상기 테이블(13)은 상기 피검사 물체(20)의 피검사영역(R)을 상기 전자빔 검사 장치(11)의 관찰 시야내(즉, 상기 전자빔 검사장치(11)의 상기 제2 시야가 상기 전자빔의 광 경로를 따라 투영됨으로써 상기 상면에 형성된 제2 가시영역과 등가적이다)로 이동시켜 정밀한 위치확정을 실행한 다음, 높은 해상도의 전자빔 패턴 검사를 실행한다.
이로부터 알수 있는 바와 같이, 예시적인 전자빔 검사 장비(10)에 별도로 상기 조준 장치(12)를 설치함으로써, 단지 2개 단계의 단일 이동(즉, 상기 테이블(13)이 설정된 조준 대책에 따라 상기 조준 장치(12)의 관찰 시야내로 이동하여, 임시 조준 및 대략적인 위치확정을 실행하는 것, 및 상기 테이블(13)에 의해 상기 피검사 물체(20)의 피검사영역(R)을 상기 전자빔 검사 장치(11)의 관찰 시야내로 이동시켜 정밀한 위치확정을 실행하는 것)만으로 상기 피검사 물체의 피검사 영역(R)을 정확하게 상기 전자빔 검사 장치의 관찰 시야내로 이동시킬 수 있어, 상기 피검사영역(R)의 위치를 상기 전자빔 검사 장치의 관찰 시야내에 고정시키기 위해 상기 테이블을 빈번하게 이동시켜 조준할 필요가 없게 된다.
또한, 예시적인 일예로서, 전자빔 검사 장치를 이용하여 실리콘 웨이퍼(예를 들어, 직경 300mm의 실리콘 웨이퍼, 이하, 300mm 실리콘 웨이퍼라고 함)에 대해 패턴 검사를 실행 할 경우, 실리콘 웨이퍼상의 임의의 영역의 패턴을 모두 검사가능하도록 하기 위해서는, 상기 조준 장치(12)의 관찰 시야가 테이블의 이동에 따라 전체 실리콘 웨이퍼를 커버가능하여야 한다. 300mm 실리콘 웨이퍼일 경우, 이에 대응하여, 상기 테이블(13)의 행정은 적어도 300mm이어야 한다. 다시 말하면, 평면상의 2차원 방향 중 임의의 한 방향에서의 상기 테이블(13)의 행정은 피검사 실리콘 웨이퍼의 직경이상이어야 한다.
상기 예시적인 전자빔 검사 장비(10)에서, 도1에 도시된 바와 같은 전자빔 검사 장비(10)의 조준 장치(12) 및 전자빔 검사 장치(11) 각각의 가시영역의 배치형태는 도2에 도시된 바와 같이, 상기 전자빔 검사 장비의 장비 좌표계에 배치된다. 이들 각각의 광축은 모두 테이블의 상면에 수직되므로, 각각의 가시영역은 각각의 시야의 상기 상면으로의 투영으로 볼 수 있다. 구체적으로는, 조준 장치(12)의 가시영역(Rfov1)의 직격은 예를 들어 1.5mm이고, 전자빔 검사 장치(11)의 가시영역(Rfov2)의 직경은 예를 들어 약 100μm로서, 전자는 후자보다 훨씬 크다. 또한, 상기 전자빔 검사 장비의 장비 좌표계에서, 조준장치(12)의 가시영역(Rfov1)의 중심은 도시된 바와 같이 x축의 마이너스 방향에 위치하고, 전자빔 검사 장치(11)의 가시영역(Rfov2)의 중심은 도시된 바와 같이 상기 전자빔 검사 장비의 장비 좌표계의 원점(O)에 위치한다. 여기서, 도2에 도시된 바와 같이, 피검사 물체(20)인 실리콘 웨이퍼의 중심도 예를 들어 도시된 바와 같이 상기 전자빔 검사 장비의 장비 좌표계의 원점(O)에 위치한다. 또한, 조준장치(12)의 경통의 광축의 상기 장비 좌표계로의 투영점은 예를 들어 도시된 바와 같이 조준장치(12)의 가시영역(Rfov1)의 중심과 일치하고, 상기 전자빔 검사 장치(11)의 경통의 광축의 상기 장비 좌표계로의 투영점은 예를 들어 도시된 바와 같이 전자빔 검사 장치(11)의 가시영역(Rfov2)의 중심과 일치하다. 도시된 바와 같이, 피검사 물체(20)인 실리콘 웨이퍼의 직경을 D1로 표시하고, 상기 전자빔 검사 장치(11)의 경통의 직경을 D2로 표시하고, 상기 조준 장치(12)의 경통의 직경을 D3으로 표시한다. 또한, 실리콘 웨이퍼의 변두리(즉, 외측 원주면)에는 각각 -x, +y, +x, -y 방향에 위치하는 4개의 최외측 포인트 a, b, c, d가 존재한다.
이때, 상기 조준 장치(12)의 광축과 상기 전자빔 검사 장치(11)의광축사이의 거리(L1)는 다음과 같다.
L1=D2/2+D3/2 (1)
y축상의 서로 반대되는 최외측의 2개의 포인트b, d의 경우, 이들이 각각 상기 조준 장치(12)의 가시영역(Rfov1)내로 들어가 관찰될 수 있도록 보장하기 위해, 테이블은 상기 전자빔 검사 장비의 장비 좌표계의 원점(O)(전자빔 검사 장치(11)의 광축의 상기 장비 좌표계로의 투영 포인트이기도 함)을 기준으로, y축을 따라 각각 -D1/2 및 +D1/2 이동하여야 한다. 따라서, 테이블의 y축에서의 총 행정(Sy)의 크기는 다음과 같다.
Sy=|+D1/2|+|-D1/2|=D1 (2)
x축의 부 방향의 최외측 포인트a의 경우, 해당 포인트a가 상기 조준 장치(12)의 가시영역(Rfov1)내로 들어가도록 보장하기 위해, 테이블은 x축을 따라 +D1/2 이동하여야 하고, x축의 정 방향의 최외측 포인트c의 경우, 해당 포인트c가 상기 조준 장치(12)의 가시영역(Rfov1)내로 들어가도록 보장하기 위해, 테이블은 x축을 따라 -(D1/2+L1) 이동하여야 한다. 이로 인해, 테이블의 x축에서의 총 행정(Sx)의 크기는 다음과 같다.
Sx=|+D1/2|+|-(D1/2+L1)|=D1+L1 (3)
따라서, 상기와 같은 예시적인 전자빔 검사 장비(10)에는, 별도로 설치한 상기 조준 장치(12)가 존재하고, 상기 조준 장치(12)의 광축과 상기 전자빔 검사 장치(11)의 광축이 거리(양자의 가시영역(Rfov1, Rfov2)의 중심사이의 거리이기도 함)L1만큼 이격되어 있으므로, 이들이 이격되어 있는 방향(x축 방향으로 도시됨)에서의 테이블의 행정은 L1만큼 증가된다. 또한, 상기 전자빔 검사 장치(11)의 직격D2 및 상기 조준 장치(12)의 직경D3이 크면 클수록, x축에서의 행정(Sx)도 커진다. 또한, 실리콘 웨이퍼 검사에 이용되는 상기 예시적인 전자빔 검사 장비(10)의 동작흐름으로부터 알수 있는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼의 피검사영역(R)은 먼저 상기 조준 장치(12)의 가시영역(Rfov1)에서 대략적인 위치확정을 실행한 다음, 상기 전자빔 검사 장치(11)의 가시영역(Rfov2)에서 정밀한 위치확정 및 검사를 실행하게 되는데, 대략적인 위치확정과 정밀한 위치확정의 2개 단계사이에서, 상기 테이블(13)은 적어도 L1만큼 이동함으로써, 상기 실리콘 웨이퍼의 피검사영역(R)이 상기 조준 장치(12)의 가시영역(Rfov1)과 상기 전자빔 검사 장치(11)의 가시영역(Rfov2)사이에서 변환되도록 하여야 한다.
도2에 도시된 바와 같은 조준 장치(12) 및 전자빔 검사 장치(11) 각각의 가시영역의 배치형태일 경우, 한편으로는, 상기 테이블의 x축 행정Sx은 y축 행정Sy에 비해 L1만큼 크므로, 테이블의 가공난이도가 증가하고, 운동 정밀도도 저하되게 되는데, 이는 검출 정밀도에 악영향을 미치게 되고 시스템의 제어난이도를 증가시킨다. 또한, 상기 전자빔 검사 장비(10)를 수용하는 진공챔버의 사이즈 및 중량도 증가하게 되므로, 전체 설치면적 및 제조코스트의 증가를 야기시키고, 진공을 형성하는 효율에 악영향을 미치게 되고, 이로 인해 상기 전자빔 검사 장비(10)와 관련하여 설치된 진동 완충장치의 부담을 가중시키게 된다. 다른 한편으로는, 실리콘 웨이퍼의 각 피검사영역(R)은 모두 먼저 대략적인 위치확정을 거친 다음 다시 정밀한 위치확정을 실행하므로, 즉, 실리콘 웨이퍼의 각 피검사영역(R)은 모두 점진적으로 상기 조준 장치(12)의 가시영역(Rfov1)으로부터 상기 전자빔 검사 장치(11)의 가시영역(Rfov2)으로 변환되므로, 이 기간동안, 상기 테이블의 가속, 등속, 감속 운동에는 일정한 시간이 걸리게 된다. 따라서, 실리콘 웨이퍼의 피검사영역(R)의 수가 많을 수록, 상기 테이블의 운동에 소요되는 시간도 길어지게 되는데, 이는 장비 전체의 검사 효율에 영향을 미치게 된다.
도3은, 도1에 도시된 바와 같은 전자빔 검사 장비를 포함하는 전자빔 검사 어셈블리(100)의 예시적인 구성예시도를 나타낸다. 상기 예시적인 전자빔 검사 어셈블리(100)는 예를 들어 검사모듈 및 이송모듈을 포함한다. 보다 구체적으로는, 상기 검사모듈은, 내부가 진공상태인 제1 챔버(C1), 및 상기 제1 챔버(C1)내에 위치하는 앞에서 설명한 예시적인 전자빔 검사 장비(10)를 포함한다. 또한, 상기 이송모듈은, 상기 제1 챔버(C1) 에 인접하여 설치되고, 일측에서 제1 밸브를 거쳐 상기 제1 챔버(C1)에 연통되고, 반대측에서 제2 밸브를 거쳐 대기환경과 연통되는 제2 챔버(C2); 상기 제2 챔버(C2)의 외부(예를 들어, 제3 챔버(C3))에 설치되어, 상기 반도체 소자(20)를 대기환경으로부터 상기 제2 챔버(C2)내로 이동시키도록 배치되는 제1 로봇암(MA1); 및 상기 제1 챔버(C1)내에 설치되어, 상기 반도체 소자(20)를 상기 제2 챔버(C2)로부터 상기 제1 챔버(C1)내로 이동시키고, 나아가서상기 테이블(13)의 상기 상면에 이동시키도록 배치되는 제2 로봇암(MA2)을 포함한다. 또한, 예를 들어, 피검사 반도체 소자(20)(예를 들어, 실리콘 웨이퍼)는 일반적으로 대기환경의 실리콘 웨이퍼 박스(WB)내에 수용되고, 검사를 시작할 때 제3 챔버(C3)중의 제1 로봇암(MA1)에 의해 제2 챔버(C2)내로 이동된다. 또한, 예를 들어, 제2 챔버(C2)는 제1 밸브 및 제2 밸브가 동시에 턴 오프된 경우에 진공을 형성하도록 배치된다.
상기 예시적인 전자빔 검사 어셈블리는 상기 예시적인 전자빔 검사 장비를 포함하고, 조준 장치(12)와 전자빔 검사 장치(11) 각각의 가시영역의 중심사이의 거리로 인해, 테이블의 행정 역시 증가되고, 장비 전체의 검사효율이 저하되는데, 여기서는, 설명을 생략한다.
도4(a) 내지 도4(d)는, 본 개시의 실시예에 따른 전자빔 검사 장비의 구성예시도를 나타낸다. 도5는, 도4(a) 내지 도4(d)와 같은 전자빔 검사 장비의 조준 장치 및 전자빔 검사 장치 각각의 가시영역을 위에서 본 도면이다.
본 개시의 이하의 실시예의 전반적인 기술적구상은 다음과 같다. 즉, 조준 장치(12) 및 전자빔 검사 장치(11)를 새로 배치함으로써, 테이블의 상면에서의 이들 각각의 가시영역을 동심배치할 수 있고, 이를 통해 각각의 가시영역의 중심사이의 거리(L1)를 생략함으로써, 상기 예시적인 실시예의 전자빔 검사 장비를 적어도 부분적으로 개량할 수 있다. 본 개시의 실시예의 전반적인 기술적구상에 따르면, 도4(a) 내지 도4(d)에 도시된 바와 같이, 본 개시의 실시예의 일 측면에 의하면, 상면에 반도체 소자(40)를 탑재하고, 수직되는 2개의 방향을 따라 평행이동가능한 테이블(33); 상기 반도체 소자의 이미지를 수집함으로써, 상기 전자빔 검사 장비의 좌표계에서의 상기 반도체 소자의 위치를 확정하도록 배치되고, 제1 시야 및 제1 광축을 구비하는 조준 장치(32); 및 상기 반도체 소자에 전자빔을 투사하고 상기 반도체 소자로부터 사출되는 전자빔을 검출하도록 배치되고, 제2 시야 및 상기 제1 광축과 0도가 아닌 각도를 이루는 제2 광축을 구비하는 전자빔 검사 장치(31)를 포함하는 반도체 소자(40)용 전자빔 검사 장비(30)를 제공하고, 상기 전자빔 검사 장비는, 상기 반도체 소자의 피검사영역을 상기 조준 장치를 향해 반사함으로써, 상기 반도체 소자의 피검사영역(R)을 반사하여 상기 조준 장치내에 결상하도록 배치되는 반사 장치(34)를 더 포함한다. 도4에 도시된 바와 같은 전자빔 검사 장비의 조준 장치 및 전자빔 검사 장치 각각의 가시영역을 위에서 본 도5로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 제1 시야는 상기 반사 장치(34)의 반사에 의해 상기 상면의 제1 가시영역(Rfov1)에 투영되고, 상기 제2 시야는 상기 전자빔의 광 경로를 따라 상기 상면의 상기 제1 가시영역과 동심배치된 제2 가시영역(Rfov2)에 투영된다.
이와 같은 배치형태를 통해, 특히, 별도로 설치한 반사 장치(34)를 통해, 조준 장치(32)의 광 경로의 방향 변경을 실현하였고, 나아가서, 상기 조준 장치(32)가 될수록 상기 전자빔 검사 장치(31)에 근접하게 설치되었을 경우, 전체 광 경로에서 상기 제1 광축과 상기 제2 광축이 줄곧 중첩되어 일치하는 방식이 아닌 방식으로 상기 테이블의 상면에서 각각의 제1 가시영역(Rfov1)과 제2 가시영역(Rfov2)의 중심사이의 거리가 0이 되도록 할 수 있어(즉, 제1 가시영역(Rfov1)과 제2 가시영역(Rfov2)의 동심배치), 중심사이의 거리가 0이 아님으로 인해 테이블의 행정이 증가되고 장비 전체의 검사 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 이와 같은 배치형태에 의하면, 상기 조준 장치(32)를 직접 상기 전자빔 검사 장치(31)와 동축으로 조준하거나 또는 삽입 설치하여 상기 제1 가시영역(Rfov1)과 상기 제2 가시영역(Rfov2)의 중심사이의 거리가 0이 되도록 할 필요가 없다(즉, 상기 조준 장치(32)의 전체 광 경로에서 줄곧 제1 광축과 제2 광축이 중첩되어 일치하도록 할 필요가 없다). 따라서, 간단한 광 경로 및 공간을 절약하는 부품 배치형태로 상기 상면에서의 제1 가시영역(Rfov1)과 제2 가시영역(Rfov2)의 중심사이의 거리가 0이 되도록 할 수 있고, 전체 광 경로에서 줄곧 제1 광축과 제2 광축이 중첩되어 일치하도록 유지하기 위해 직접 상기 조준 장치(32)와 상기 전자빔 검사 장치(31)를 동축으로 조준하거나 또는 삽입설치할 필요가 없으므로, 상기 조준 장치(32)자체의 부품을 직접 상기 전자빔 검사 장치(31)의 광 경로에 설치함으로 인해 상기 전자빔 검사 장치(31)내부의 진공 밀폐상태 및 전자빔의 정상적인 전파에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
도4(a) 내지 도4(c)는, 본 개시의 실시예에 따른 전자빔 검사 장비의 구성예시도를 나타내고, 여기서, 조준 장치의 제1 광축과 전자빔 검사 장치의 제2 광축은 수직으로 교차하고, 도4(a)에서 반사 장치는 제1 위치(A)에 있고, 도4(b)에서 반사 장치는 제2 위치(B)로 이동하였고, 도4(c)에서 반사 장치는 제2 위치(B')로 회전하였다.
본 개시의 또 다른 실시예에 있어서, 예를 들어, 상기 반사 장치(34)는 도4(a)에 도시된 바와 같은 제1 위치(A)와 도4(b), 도4(c)에 도시된 바와 같은 제2 위치(B, B')사이에서 변환될 수 있다. 여기서, 제1 위치(A)는 반사 장치(34)의 동작위치이고, 상기 피검사영역은 상기 제1 위치(A)에 있는 상기 반사 장치(34)에 의해 반사되어 상기 조준 장치의 제1 시야내에 결상된다. 예시적인 일예로서, 도4(a)에 도시된 바와 같이, 상기 제1 위치(A)는 예를 들어 상기 전자빔의 광 경로상에 위치한다. 제2 위치(B)는 반사 장치(34)의 비동작/대기 위치로서, 상기 제2 위치(B, B')는 상기 전자빔의 광 경로를 벗어나, 예를 들어 동작 상태에 있는 상기 전자빔 검사 장치(31)의 광 경로를 차단하지 않는다.
반사 장치(34)의 이와 같은 위치 변환을 통해, 조준 장치(32)와 전자빔 검사 장치(31)가 동시에 동작하지 않고, 서로의 광 경로를 간섭하지 않도록 보장할 수 있다.
보다 구체적으로는, 예를 들어, 상기 반사 장치(34)가 상기 제1 위치(A)에 있을 때, 상기 전자빔 검사 장치는 턴 오프되고, 상기 피검사영역(R)은 상기 제1 가시영역(Rfov1)에 위치한다. 상기 반사 장치(34)가 상기 제2 위치(B, B')에 있을 때, 상기 전자빔 검사 장치는 턴온되고, 상기 피검사영역(R)은 상기 제2 가시영역(Rfov2)에 위치한다. 따라서, 반사 장치(34)가 제1 위치(A)와 제2 위치(B, B')사이에서 변환됨에 따라, 상기 반도체 소자(예를 들어, 실리콘 웨이퍼)의 피검사영역(R)은 상기 조준 장치(32)의 상기 제1 가시영역(Rfov1)과 상기 전자빔 검사 장치(31)의 상기 제2 가시영역(Rfov2)사이에서 변환되고, 상기 제1 가시영역(Rfov1)과 상기 제2 가시영역(Rfov2)의 중심사이의 거리가 0이므로, 변환과정에서 테이블의 x축 및 y축을 따른 총 행정은 일정하게 유지된다.
반사 장치(34)의 이와 같은 위치변환 및 동시에 동작하지 않는 설정에 의하면, 조준 장치(32)와 전자빔 검사 장치(31)가 전혀 서로의 광 경로를 간섭하지 않도록 보다 확실하게 보장할 수 있다.
보다 구체적인 실시예에 있어서, 예를 들어, 도4(a) 및 도4(b)에 도시된 바와 같이, 상기 반사 장치는 예를 들어 모터의 구동에 의해 제1 위치(A)와 제2 위치(B)사이에서 이동함으로써, 두 위치사이에서 변환할 수 있다.
보다 구체적인 다른 실시예에 있어서도, 예를 들어, 도4(a) 및 도4(c)에 도시된 바와 같이, 상기 반사 장치(34)는 예를 들어 모터의 구동에 의해 제1 위치(A)와 제2 위치(B')사이에서 회전할 수 있는데, 예를 들어, 반사 장치(34)는 제1 위치(A)에서 상면의 제1 가시영역(Rfov1)으로부터의 광선을 상기 조준 장치(32)를 향해 반사함으로써, 상기 조준 장치(32)내부에서 거울면 결상을 실현하고, 이때, 예를 들어 상기 전자빔 검사 장치(31)의 광 경로를 차단하고, 일단 상기 반사 장치(34)가 회전하여 상기 제2 위치(B')에 위치하게 되면, 상기 전자빔 검사 장치(31)의 전자빔의 광 경로를 차단할 수 없게 된다. 이를 통해서도, 두 위치사이에서의 변환을 실현할 수 있다.
본 개시의 실시예에 있어서, 예를 들어, 상기 제1 광축과 상기 제2 광축은 0도가 아닌 각도로 교차한다.
예시적인 실시예에 있어서, 예를 들어, 상기 제1 광축과 상기 제2 광축은 수직으로 교차하고, 도4(a) 및 도4(b)에 도시된 바와 같이, 상기 제1 가시영역(Rfov1)과 상기 제2 가시영역(Rfov2)의 중심사이의 거리가 0이 되도록 한다. 즉, 동심배치한다.
나아가서, 예를 들어, 도4(a)에 도시된 바와 같이, 상기 제1 광축은 상기 상면에 평행되고, 상기 제2 광축은 상기 상면에 수직된다. 보다 구체적으로는, 도시된 바와 같이, 상기 제1 위치(A)에서, 상기 반사 장치(34)의 반사면의 법선은 상기 제1 광축 및 상기 제2 광축과 공면을 이루고, 상기 제1 광축 및 상기 제2 광축과 각각 45도 각을 이룬다. 따라서, 피검사영역(R)으로부터 도시된 연직 방향을 따라 반사 장치(34)를 향해 입사되는 광선, 예를 들어, 자연광은 도시된 반사 장치(34)의 반사면에 의해 반사되어 상기 조준 장치(32)의 제1 시야내로 들어가 반사 결상을 실현한다. 반사 장치(34)의 반사를 통해 피검사영역(R)으로부터 조준 장치(32)내로 결상되는 광선의 광 경로의 방향을 변경함으로써, 간단한 광 경로 및 공간을 절약하는 부품 배치형태를 통해 상기 테이블의 피검사 반도체 소자를 탑재하는 상면에서의 상기 제1 가시영역(Rfov1)과 상기 제2 가시영역(Rfov2)의 중심사이의 거리가 0이 되도록 할 수 있고, 상기 조준 장치(32)의 전체 광 경로에서 줄곧 제1 광축과 제2 광축이 중첩되어 일치하도록 할 필요가 없게 된다.
도4(d) 및 도4(e)는, 본 개시의 실시예에 따른 전자빔 검사 장비의 구성예시도를 나타내고, 여기서, 조준 장치의 제1 광축과 전자빔 검사 장치의 제2 광축은 예각 또는 둔각으로 경사지게 교차하도록 배치될 수 있고, 도4(d)에서 반사 장치는 제1 위치에 있고, 도4(e)에서 반사 장치는 제2 위치(B)로 이동하였다.
다른 예시적인 실시예에서는, 예를 들어, 도4(d) 및 도4(e)에 도시된 바와 같이, 상기 제1 광축과 상기 제2 광축이 예각 또는 둔각으로 경사지게 교차하도록 배치함으로써, 상기 제1 가시영역(Rfov1)과 상기 제2 가시영역(Rfov2)의 중심사이의 거리가 0이 되도록 할수 있다. 즉, 양자를 동심배치할 수 있다. 이렇게 하면, 간단한 광 경로 및 공간을 절약하는 부품 배치형태를 통해 상기 테이블의 피검사 반도체 소자를 탑재하는 상면에서의 상기 제1 가시영역(Rfov1)과 상기 제2 가시영역(Rfov2)의 중심사이의 거리가 0이 되도록 할 수 있고, 상기 조준 장치(32)의 전체 광 경로에서 줄곧 제1 광축과 제2 광축이 중첩되어 일치하도록 할 필요가 없게 된다.
본 개시의 실시예에 있어서, 상기 조준 장치(32)는 예를 들어 광학현미경이다.
본 개시의 실시예에 있어서, 보다 구체적으로는, 상기 전자빔 검사 장치(31)는, 예를들어, 전자빔을 발사 및 입사하도록 배치되는 전자빔 소스(35); 전자빔을 편향시켜 반도체 소자의 피검사표면에 투사되도록 배치되는 편향기(36); 및 입사 전자빔이 상기 피검사표면에 투사되어 생성된 사출 전자(예를 들어, 2차전자, 배면 산란 전자)를 검출함으로써, 상기 피검사표면을 결상시키도록 배치되는 전자검출기(37)를 포함한다.
본 개시의 실시예에 있어서, 상기의 전자빔 검사 장비(30)는 예를 들어 제어 회로(38)를 더 포함하고, 도7에 도시된 바와 같다. 도8은, 전자빔 검사 장비의 제어 회로의 예시적인 흐름도를 나타낸다. 도8에 도시된 바와 같이, 상기 제어 회로(38)는, 소정의 조준 대책에 따라 상기 테이블을 제어하여 평행이동시킴으로써, 상기 반도체 소자를 상기 제1 가시영역내로 이동시키고, 상기 조준 장치가 수집한 상기 반도체 소자의 이미지를 처리함으로써, 상기 전자빔 검사 장비의 장비 좌표계에서의 상기 반도체 소자의 위치를 확정하고, 상기 테이블을 제어하여 상기 반도체 소자의 상기 피검사영역을 상기 제1 가시영역으로부터 상기 제2 가시영역내로 이동시키도록 배치된다.
본 개시의 실시예에 있어서, 도6(a) 내지 도6(c)에 도시된 상기 반사 장치의 예시적인 구체적 형태와 같이, 상기 반사 장치(34)는 예를 들어 평면 반사경, 곡면 반사경, 또는 반사 프리즘을 포함한다.
도7은, 도4(a) 내지 도4(d)에 도시된 바와 같은 전자빔 검사 장비를 포함하는 전자빔 검사 어셈블리의 구성예시도를 나타낸다.
본 개시의 실시예의 전반적인 기술적구상에 따르면, 도7에 도시된 바와 같이, 본 개시의 실시예의 다른 측면에 있어서, 앞에서 설명한 전자빔 검사 장비(30)를 포함하는 전자빔 검사 어셈블리(300)를 더 개시하는데, 전자빔 검사 어셈블리(300)는 검사모듈 및 이송모듈을 포함한다. 보다 구체적으로는, 상기 검사모듈은, 내부가 진공상태인 제1 챔버(C1'), 및 상기 제1 챔버(C1')내에 위치하는 앞에서 설명한 전자빔 검사 장비(30)를 포함한다. 또한, 상기 이송모듈은, 상기 제1 챔버(C1')에 인접하여 설치되고, 일측에서 제1 밸브를 거쳐 상기 제1 챔버에 연통되고, 반대측에서 제2 밸브를 거쳐 대기환경과 연통되는 제2 챔버(C2'); 상기 제2 챔버(C2')의 외부에 설치되어, 상기 반도체 소자(40)를 대기환경으로부터 상기 제2 챔버(C2')내로 이동시키도록 배치되는 제1 로봇암(MA1'); 및 상기 제1 챔버(C1')내에 설치되어, 상기 반도체 소자(40)를 상기 제2 챔버(C2')로부터 상기 제1 챔버(C1')내로 이동시키고, 나아가서 상기 테이블(33)의 상기 상면에 이동시키도록 배치되는 제2 로봇암(MA2')을 포함한다.
대기환경과 동작환경의 역할을 하는 제1 챔버(C1')사이의 과도영역인 제2 챔버(C2')를 설치함으로써, 제2 챔버(C2')에 진공을 형성함과 동시에 제1 챔버(C1')내의 상기 전자빔 검사 장비의 검사 작업을 실행하여, 반도체 소자에 대한 이송 및 검사를 병행으로 실행할 수 있는데, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼에 대한 연속적인 검사과정을 실현할 수 있다.
또한, 본 개시의 실시예에 있어서, 예를 들어, 제2 챔버(C2')는 제1 밸브 및 제2 밸브가 동시에 턴 오프된 경우에 진공을 형성하도록 배치된다. 전자빔 검사 장비가 진공환경에서 동작하도록 보장함으로써, 검사에 대한 환경의 간섭 및 대기로 인한 전자빔의 감쇄를 방지할 수 있다.
또한, 본 개시의 실시예에 있어서, 제2 챔버의 용적은 상기 제1 챔버의 용적보다 작다. 따라서, 대기환경과 동작환경의 역할을 하는 제1 챔버(C1')사이의 과도영역인 제2 챔버(C2')를 설치하고, 제2 챔버(C2')의 용적을 상기 제1 챔버(C1')의 용적보다 작게 함으로써, 제2 챔버(C2')가 제1 챔버(C1')보다 보다 빠르게 진공을 형성할 수 있도록 한다. 실리콘 웨이퍼를 대기로부터 제1 챔버(C1')로 이송하여야 할 경우, 제2 챔버(C2')가 먼저 대기 상태로 되는데, 제1 챔버(C1')는 제1 밸브에 의해 제2 챔버(C2')와 격리되어 있으므로, 제1 챔버(C1')는 여전히 진공상태를 유지하게 되고, 실리콘 웨이퍼는 우선 제2 챔버(C2')로 이송된다. 이어서, 제2 챔버(C2')에 진공을 형성하는데, 제2 챔버(C2')의 체적이 작으므로, 신속히 진공상태를 형성할 수 있다. 이어서, 제1 밸브를 열고, 실리콘 웨이퍼는 계속하여 제1 챔버(C1')로 이송된다. 이렇게 함으로써, 장비의 검사효율을 현저하게 향상시킬 수 있다. 제2 챔버(C2')내에 2개이상의 실리콘 웨이퍼가 설치되어 있을 경우, 실리콘 웨이퍼를 이송하는 과정에, 제1 챔버(C1')의 정상적인 검사를 실현할 수 있다.
본 개시의 실시예의 전자빔 검사 어셈블리는 앞에서 설명한 전자빔 검사 장비를 포함하고, 전자빔 검사 장비의 구체적인 구조 및 대응하는 기술적효과는 유사하므로, 여기서는 설명을 생략한다.
본 개시의 실시예는 다음과 같은 유익한 기술적 효과가 있다.
본 개시의 실시예는 반도체 소자용 전자빔 검사 장비 및 전자빔 검사 어셈블리를 제공한다. 전자빔 검사 장비는, 2차원 평면 운동을 실행할 수 있는 테이블, 및 예를 들어 주사전자현미경과 같은 전자빔 검사 장치 외에도, 조준 장치 및 상기 반도체 소자의 피검사영역을 반사하여 상기 조준 장치내에 결상하도록 배치되는 반사 장치를 더 포함하고, 상기 반사 장치의 존재로 인해, 상기 조준 장치의 제1 시야는 상기 반사 장치의 반사에 의해 상기 상면의 제1 가시영역에 투영되고, 상기 전자빔 검사 장치의 제2 시야는 상기 전자빔의 광 경로를 따라 상기 상면의 상기 제1 가시영역과 동심배치된 제2 가시영역에 투영되어, 조준 장치(12) 및 전자빔 검사 장치(11) 각각의 가시영역사이의 중심거리가 0이 되도록 한다. 즉, 상기 제1 가시영역과 상기 제2 가시영역을 동심배치함으로써, 평면상의 2차원 방향에서의 테이블의 행정이 균일하도록 하고, 장비 운행중 테이블의 이동에 소요되는 시간을 단축시켜, 장비 전체의 검사효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 앞에서 설명한 본 개시의 실시예로부터 알수 있는 바와 같이, 임의의 2가지 또는 2가지 이상의 조합을 통해 얻은 임의의 기술방안도 본 개시의 보호범위에 속한다.
본 개시의 실시예는 점진적 방식으로 설명하였는데, 각 실시예에서는 다른 실시예와 다른 점에 대해 중점적으로 설명하였고, 각 실시예의 동일하거나 유사한 부분은 서로 참조할 수 있다.
상기에서 설명한 것은 단지 본 발명의 바람직한 실시예에 지나지 않으며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 취지 및 원칙을 벗어나지 않는 범위내에서 실행한 그 어떤 변경, 등가교체 및 개량 등은 모두 본 발명의 보호범위에 속한다.

Claims (19)

  1. 반도체 소자용 전자빔 검사 장비에 있어서,
    상면에 상기 반도체 소자를 탑재하고, 수직되는 2개의 방향을 따라 평행이동가능한 테이블;
    상기 반도체 소자의 이미지를 수집함으로써 상기 전자빔 검사 장비의 좌표계에서의 상기 반도체 소자의 위치를 확정하도록 배치되고, 제1 시야 및 제1 광축을 구비하는 조준 장치; 및
    상기 반도체 소자에 전자빔을 투사하고, 상기 반도체 소자로부터 사출되는 전자빔을 검출하도록 배치되고, 제2 시야 및 상기 제1 광축과 중첩되지 않는 제2 광축을 구비하는 전자빔 검사 장치를 포함하고,
    상기 전자빔 검사 장비는, 상기 반도체 소자의 피검사영역을 상기 조준 장치를 향해 반사함으로써, 상기 반도체 소자의 피검사영역을 반사하여 상기 조준 장치내에 결상하도록 배치되는 반사장치를 더 포함하고,
    상기 제1 시야는 상기 반사 장치의 반사에 의해 상기 상면의 제1 가시영역에 투영되고, 상기 제2 시야는 상기 전자빔의 광 경로를 따라 상기 상면의 제2 가시영역에 투영되는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 광축과 상기 제2 광축은 0도가 아닌 각도를 이루고, 상기 제1 가시영역과 상기 제2 가시영역 각각의 중심은 이격되어 배치되거나 동심배치되는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 가시영역과 상기 제2 가시영역이 동심배치될 경우, 상기 반사 장치는 제1 위치와 제2 위치사이에서 변환될 수 있고, 상기 피검사영역은 상기 제1 위치에 위치한 상기 반사 장치에 의해 반사되어 상기 조준 장치의 제1 시야내에 결상되고, 상기 제2 위치는 상기 전자빔의 광 경로를 벗어나는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 반사 장치는 제1 위치와 제2 위치사이에서 이동할 수 있는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 반사 장치는 제1 위치와 제2 위치사이에서 회전할 수 있는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 반사 장치가 상기 제1 위치에 있을 때, 상기 전자빔 검사 장치는 턴 오프되고, 상기 피검사영역은 상기 제1 가시영역에 위치하거나, 또는,
    상기 반사 장치가 상기 제2 위치에 있을 때, 상기 전자빔 검사 장치는 턴온되고, 상기 피검사영역은 상기 제2 가시영역에 위치하는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 제1 위치는 상기 전자빔의 광 경로상에 있는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서,
    상기 제1 광축과 상기 제2 광축은 0도가 아닌 각도로 교차하는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 광축과 상기 제2 광축은 수직으로 교차하는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 광축은 상기 상면에 평행되고, 상기 제2 광축은 상기 상면에 수직되는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 제1 위치에서, 상기 반사 장치의 반사면의 법선은 상기 제1 광축 및 상기 제2 광축과 공면을 이루고, 상기 제1 광축 및 상기 제2 광축과 각각 45도 각을 이루는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 제1 광축은 상기 제2 광축과 경사지게 교차하는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 조준 장치는 광학현미경인
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 전자빔 검사 장치는,
    전자빔을 발사 및 입사하도록 배치되는 전자빔 소스;
    전자빔을 편향시켜 반도체 소자의 피검사표면에 투사되도록 배치되는 편향기; 및
    입사 전자빔이 상기 피검사표면에 투사되어 생성된 사출 전자를 검출함으로써, 상기 피검사표면을 결상시키도록 배치되는 전자검출기를 포함하는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  15. 제1항에 있어서,
    제어 회로를 더 포함하고,
    상기 제어 회로는,
    소정의 조준 대책에 따라 상기 테이블을 제어하여 평행이동시킴으로써, 상기 반도체 소자를 상기 제1 가시영역내로 이동시키고,
    상기 조준 장치가 수집한 상기 반도체 소자의 이미지를 처리함으로써, 상기 전자빔 검사 장비의 장비 좌표계에서의 상기 반도체 소자의 위치를 확정하고,
    상기 테이블을 제어하여 상기 반도체 소자의 상기 피검사영역을 상기 제1 가시영역으로부터 상기 제2 가시영역내로 이동시키도록 배치되는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 반사 장치는 평면 반사경, 곡면 반사경, 반사 프리즘 중 하나를 포함하는
    반도체 소자용 전자빔 검사 장비.
  17. 검사모듈 및 이송모듈을 포함하고,
    상기 검사모듈은,
    내부가 진공상태인 제1 챔버; 및
    상기 제1 챔버내에 위치하는 제1항 내지 제16항 중 어느 한항의 전자빔 검사 장비를 포함하고,
    상기 이송모듈은,
    상기 제1 챔버에 인접하여 설치되고, 일측에서 제1 밸브를 거쳐 상기 제1 챔버에 연통되고, 반대측에서 제2 밸브를 거쳐 대기환경과 연통되는 제2 챔버;
    상기 제2 챔버의 외부에 설치되어, 상기 반도체 소자를 대기환경으로부터 상기 제2 챔버내로 이동시키도록 배치되는 제1 로봇암; 및
    상기 제1 챔버내에 설치되어, 상기 반도체 소자를 상기 제2 챔버로부터 상기 제1 챔버내로 이동시키고, 나아가서 상기 테이블의 상기 상면에 이동시키도록 배치되는 제2 로봇암을 포함하는
    전자빔 검사 어셈블리.
  18. 제17항에 있어서,
    제2 챔버는 제1 밸브 및 제2 밸브가 동시에 턴 오프된 경우에 진공을 형성하도록 배치되는
    전자빔 검사 어셈블리.
  19. 제17항에 있어서,
    제2 챔버의 용적은 상기 제1 챔버의 용적보다 작은
    전자빔 검사 어셈블리.
KR1020217025798A 2019-11-27 2019-12-26 반도체 소자용 전자빔 검사 장비 및 전자빔 검사 어셈블리 KR102544677B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911179973.5A CN110988003B (zh) 2019-11-27 2019-11-27 用于半导体器件的电子束检测设备、和电子束检测组件
CN201911179973.5 2019-11-27
PCT/CN2019/128760 WO2021103250A1 (en) 2019-11-27 2019-12-26 Electron beam detection apparatus for semiconductor device and electron beam detection assembly

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210124267A true KR20210124267A (ko) 2021-10-14
KR102544677B1 KR102544677B1 (ko) 2023-06-15

Family

ID=70087429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217025798A KR102544677B1 (ko) 2019-11-27 2019-12-26 반도체 소자용 전자빔 검사 장비 및 전자빔 검사 어셈블리

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11703467B2 (ko)
JP (1) JP7259065B2 (ko)
KR (1) KR102544677B1 (ko)
CN (1) CN110988003B (ko)
TW (1) TWI765427B (ko)
WO (1) WO2021103250A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4152045A1 (en) 2021-09-16 2023-03-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor for measuring distance and camera module including the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116088027A (zh) * 2021-05-27 2023-05-09 中科晶源微电子技术（北京）有限公司 探测器检测设备及使用其进行检测探测器的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11265675A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Hitachi Ltd 荷電粒子線装置
CN1820346A (zh) * 2003-05-09 2006-08-16 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
JP2006339169A (ja) * 2000-11-02 2006-12-14 Ebara Corp 電子線装置を用いたデバイス製造方法
CN109979793A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 Fei 公司 复合型sem-cl和fib-ioe显微术

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3189500B2 (ja) * 1993-06-25 2001-07-16 松下電器産業株式会社 電子部品の外観検査装置および外観検査方法
US6061323A (en) * 1996-07-30 2000-05-09 Seagate Technology, Inc. Data storage system having an improved surface micro-machined mirror
US5760901A (en) * 1997-01-28 1998-06-02 Zetetic Institute Method and apparatus for confocal interference microscopy with background amplitude reduction and compensation
JP2007207688A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Hitachi High-Technologies Corp ミラー電子顕微鏡およびミラー電子顕微鏡を用いた検査装置
CN100427923C (zh) 2006-03-08 2008-10-22 东华大学 多功能芯片检测装置
US7414245B2 (en) * 2006-04-20 2008-08-19 Trissel Richard G Scintillator-based micro-radiographic imaging device
US7897942B1 (en) * 2007-12-20 2011-03-01 Kla-Tencor Corporation Dynamic tracking of wafer motion and distortion during lithography
WO2009094451A2 (en) * 2008-01-22 2009-07-30 Board Of Regents, The University Of Texas System Systems, devices and methods for imaging and surgery
WO2012176106A2 (en) * 2011-06-24 2012-12-27 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging
CN102809881B (zh) * 2011-09-22 2015-01-21 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 光源系统及其应用的投影系统
JP5919761B2 (ja) * 2011-11-29 2016-05-18 リコーイメージング株式会社 カメラの可動ミラー衝撃吸収機構
KR20140028701A (ko) * 2012-08-30 2014-03-10 삼성전자주식회사 반도체 소자의 검사 방법 및 이에 사용되는 반도체 검사 장비
US9497379B2 (en) * 2013-08-22 2016-11-15 California Institute Of Technology Variable-illumination fourier ptychographic imaging devices, systems, and methods
US9194829B2 (en) * 2012-12-28 2015-11-24 Fei Company Process for performing automated mineralogy
US9134261B2 (en) * 2013-04-22 2015-09-15 Ebara Corporation Inspection apparatus
JP6294130B2 (ja) * 2014-04-04 2018-03-14 株式会社荏原製作所 検査装置
US20170084019A1 (en) * 2015-09-22 2017-03-23 Aidmics Biotechnology Co., Ltd. Detecting device, detecting module and detecting method
JP6386679B2 (ja) 2015-12-03 2018-09-05 松定プレシジョン株式会社 荷電粒子線装置及び走査電子顕微鏡
CN206480587U (zh) * 2017-03-01 2017-09-08 聚束科技（北京）有限公司 一种全自动化的扫描电子显微镜
EP3610493A4 (en) * 2017-04-11 2021-07-07 ASML Netherlands B.V. CHARGED PARTICLE SOURCE MODULE
WO2018233951A1 (en) * 2017-06-21 2018-12-27 Asml Netherlands B.V. METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING SUBSTRATE SURFACE VARIATIONS
US10896802B2 (en) * 2017-12-27 2021-01-19 Fei Company Combined SEM-CL and FIB-IOE microscopy
US10692694B2 (en) * 2017-12-27 2020-06-23 Fei Company Method and apparatus for enhancing SE detection in mirror-based light imaging charged particle microscopes
JP2019145304A (ja) * 2018-02-20 2019-08-29 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置のステージ駆動範囲制限方法およびプログラム
CN109502543B (zh) * 2018-12-29 2019-11-22 哈尔滨工业大学 一种纳米操作装置
JP2021131985A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置、荷電粒子線装置の試料アライメント方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11265675A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Hitachi Ltd 荷電粒子線装置
JP2006339169A (ja) * 2000-11-02 2006-12-14 Ebara Corp 電子線装置を用いたデバイス製造方法
CN1820346A (zh) * 2003-05-09 2006-08-16 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
CN109979793A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 Fei 公司 复合型sem-cl和fib-ioe显微术

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4152045A1 (en) 2021-09-16 2023-03-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor for measuring distance and camera module including the same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021103250A1 (en) 2021-06-03
CN110988003B (zh) 2021-08-13
JP7259065B2 (ja) 2023-04-17
US11703467B2 (en) 2023-07-18
TWI765427B (zh) 2022-05-21
JP2022524726A (ja) 2022-05-10
CN110988003A (zh) 2020-04-10
KR102544677B1 (ko) 2023-06-15
US20220317071A1 (en) 2022-10-06
TW202121476A (zh) 2021-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005249745A (ja) 試料表面検査方法および検査装置
KR102668150B1 (ko) 낮은 크로스토크를 갖는 다수 하전-입자 빔 장치
KR102544677B1 (ko) 반도체 소자용 전자빔 검사 장비 및 전자빔 검사 어셈블리
CN104076049A (zh) 采用扫描电子显微镜的检查系统
US20210265129A1 (en) Charged particle beam apparatus, sample alignment method of charged particle beam apparatus
CN109300760A (zh) 电子束控制装置和方法、电子束成像模块、电子束检测设备
US10871454B2 (en) Inspection method and apparatus
US11476077B2 (en) Interferometric stage positioning apparatus
TWI770449B (zh) 載物台設備、檢測設備及真空設備
TWI721500B (zh) 基板定位器件及電子束檢測工具
KR102641280B1 (ko) 기판에 대한 임계 치수 측정을 위한 방법, 및 기판 상의 전자 디바이스를 검사하고 절단하기 위한 장치
JP5302934B2 (ja) 試料表面検査方法および検査装置
KR100218857B1 (ko) 전자빔 셀 투사 리소그라피 시스템
TWI644179B (zh) 具有感測器組件之帶電粒子微影系統
JP6121727B2 (ja) 走査電子顕微鏡
US20230020745A1 (en) Stack alignment techniques
US20050122578A1 (en) Microscope arrangement for inspecting a substrate
KR20240093732A (ko) 낮은 크로스토크를 갖는 다수 하전-입자 빔 장치
JP2010177005A (ja) 荷電粒子線装置
JP2011154958A (ja) 真空内処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant