TWI770449B - 載物台設備、檢測設備及真空設備 - Google Patents

載物台設備、檢測設備及真空設備 Download PDF

Info

Publication number
TWI770449B
TWI770449B TW108145445A TW108145445A TWI770449B TW I770449 B TWI770449 B TW I770449B TW 108145445 A TW108145445 A TW 108145445A TW 108145445 A TW108145445 A TW 108145445A TW I770449 B TWI770449 B TW I770449B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
stage
positioning
stage apparatus
connection
object support
Prior art date
Application number
TW108145445A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202032612A (zh
Inventor
德 里特 喬漢斯 修伯特司 安東尼奧斯 范
彼得 保羅 漢潘尼斯
歐拉德 艾可 庫伊科
傑夫 古森
彼特斯 威爾赫瑪斯 弗利蕭爾斯
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW202032612A publication Critical patent/TW202032612A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI770449B publication Critical patent/TWI770449B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/0216—Means for avoiding or correcting vibration effects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2007—Holding mechanisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20221—Translation
    • H01J2237/20235—Z movement or adjustment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

本發明揭示一種載物台設備，其包含：一物件支撐件，其經組態以支撐一物件；一定位裝置，其經組態以定位該物件支撐件；一第一連接配置，其經組態以將該物件支撐件連接至該定位裝置，該第一連接配置包含至少一個阻尼連接；及一第二連接配置，其經組態以將該物件支撐件連接至該定位裝置，該第二連接配置包含至少一個實質上剛性的連接。

Description

載物台設備、檢測設備及真空設備
本發明之描述係關於一種用於經組態以檢測諸如半導體裝置之試樣的電子束檢測設備之載物台定位裝置。
在半導體製程中，不可避免地產生缺陷。此等缺陷可影響裝置效能，甚至會導致故障。裝置良率會因此受影響，從而導致成本增加。為了控制半導體製程良率，缺陷監測至關重要。可用於缺陷監測之一個工具為使用一或多個電子束掃描試樣之目標部分的掃描電子顯微鏡(SEM)。
由諸如SEM之檢測設備進行檢測的物件(諸如晶圓或基板)受位置誤差影響，且尤其受動態(例如振動)位置誤差及熱位置誤差二者影響。期望減少此等位置誤差貢獻因素中之一者，且較佳地兩者。
在本發明之一第一態樣中，提供一種載物台設備，其包含：一物件支撐件，其經組態以支撐一物件；一定位裝置，其經組態以定位該物件支撐件；一第一連接配置，其經組態以將該物件支撐件連接至該定位裝置，該第一連接配置包含至少一個阻尼連接；及一第二連接配置，其經組態以 將該物件支撐件連接至該定位裝置，該第二連接配置包含至少一個實質上剛性的連接。
本發明之其他態樣包含：一粒子束設備、一電子束設備、一電子束檢測設備、一微影設備、一度量衡設備或一真空設備，其包含該第一態樣之該載物台設備，其中，在該真空設備之情況下，該真空設備包含一真空腔室，且該載物台設備中之至少部分配置於該真空腔室中。
下文參考隨附圖式詳細地描述本發明之其他態樣、特徵及優點以及本發明之各種實施例的結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此類實施例。基於本文中所包含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。
100:電子束檢測系統
110:殼體
120:裝載埠
130:設備前端模組
140:處置器機器人
150:裝載鎖
160:真空腔室
170:電子光學系統
180:定位裝置
190:物件
200:電子光學系統
202:電子束
210:電子槍
212:電子源
214:抑制器
216:陽極
218:孔徑
220:聚光器
240:成像系統
242:孔徑
244:偵測器
246:濾光器
248:消隱器
250:偏轉器
252:偏轉器
254:偏轉器
256:偏轉器
260:磁軛
262:線圈
270:電極/延遲器
300:樣本/EBI系統
302:z載物台
305:xy載物台
310:物件轉移系統控制器
315:裝載/鎖控制器
320:偵測器控制器
325:電子光學控制器
330:載物台控制器
335:系統控制器電腦
340:影像處理電腦
345:通信匯流排
350:工作站
470:載物台設備
472:基板支撐件
474:定位裝置
476:硬性機械連接
570:載物台設備
572:基板支撐件
574:定位裝置
580:硬性機械連接
582:阻尼連接
584:阻尼材料
1001:電磁屏蔽件
現在將參考隨附圖式藉助於實例來描述本發明之實施例，在隨附圖式中：圖1A及1B為根據本發明之實施例之電子束檢測工具的示意性說明；圖2A及2B為可應用於本發明之實施例中之電子光學系統的示意性說明；圖3示意性地描繪EBI系統之可能的控制架構；圖4用(a)前視圖及(b)平面視圖示意性地描繪包含如當前在檢測設備上所使用之區塊及基板支撐件的載物台設備；圖5用(a)前視圖及(b)平面視圖示意性地描繪根據本發明之實施例之包含區塊及基板支撐件的載物台設備；及圖6(其包含圖6(a)及圖6(b))更詳細地展示圖5中所描繪之基板支撐件 及其用於連接至區塊的連接配置。
現將參考隨附圖式來更全面地描述本發明之各種實例實施例，在隨附圖式中展示本發明之一些實例實施例。在該等圖式中，出於清楚起見可誇示層及區之厚度。
本文中揭示本發明之詳細說明性實施例。然而，出於描述本發明之實例實施例之目的，本文中所揭示之特定結構及功能細節僅僅係代表性的。然而，本發明可以許多替代形式體現，且不應被解釋為僅限於本文中所闡述之實施例。
因此，雖然本發明之實例實施例能夠實現各種修改及替代形式，但本發明之實施例在圖式中藉助於實例展示且將在本文中詳細描述。然而，應理解，不欲將本發明之實例實施例限於所揭示之特定形式，而相反地，本發明之實例實施例將涵蓋屬於本發明之範疇內的所有修改、等效者及替代方案。貫穿圖之描述，類似編號係指類似元件。
如本文中所使用，術語「晶圓」一般係指由半導體材料或非半導體材料形成的基板。此半導體材料或非半導體材料之實例包括但不限於單晶矽、砷化鎵及磷化銦。此類基板在半導體製造設施中可為常見的及/或可在半導體製造設施中進行處理。
術語「基板」可為晶圓(如上所述)或玻璃基板，且術語「圖案化裝置」可為「倍縮光罩」，其亦可被稱作「光罩」。
在本發明中，「軸向」意謂「在設備、管柱或諸如透鏡之裝置的光軸方向上」，而「徑向」意謂「在垂直於光軸之方向上」。通常，光軸自陰極開始且在試樣處終止。光軸在所有圖式中始終係指z軸。
術語交越係指電子束聚焦之點。
術語虛擬源意謂自陰極發射之電子束可經追蹤回至「虛擬」源。
根據本發明之檢測工具係關於帶電粒子源，尤其係關於可經施加至SEM、電子束檢測工具或EBDW之電子束源。在此技術中，電子束源亦可被稱作電子槍(e-gun/Electron Gun)。
關於圖式，應注意，所述圖並不按比例繪製。特定而言，可能會極大地誇示圖中一些元件的比例以強調該等元件的特性。亦應注意，該等圖未按相同比例繪製。在多於一個圖中展示之可按類似方式組態的元件已使用相同參考編號指示。
在圖式中，為了清楚起見，可誇示每一組件及每一組件之間的相對尺寸。在以下圖式描述內，相同或類似參考編號係指相同或類似組件或實體，且僅描述關於個別實施例之差異。
因此，雖然本發明之實例實施例能夠實現各種修改及替代形式，但本發明之實施例在圖式中藉助於實例展示且將在本文中詳細描述。然而，應理解，不欲將本發明之實例實施例限於所揭示之特定形式，而相反地，本發明之實例實施例將涵蓋屬於本發明之範疇內的所有修改、等效者及替代方案。
圖1A及1B示意性地描繪根據本發明之實施例的電子束(electron beam/e-beam)檢測(EBI)系統100的俯視圖及橫截面視圖。如所展示之實施例包含殼體110、充當介面以收納待檢驗之物件並輸出已檢驗之物件的一對裝載埠120。如所展示之實施例進一步包含被稱作設備前端模組(EFEM)130之物件轉移系統，其經組態以處置物件及/或將物件輸送 至裝載埠及自裝載埠輸送物件。在如所展示之實施例中，EFEM 130包含處置器機器人140，其經組態以在EBI系統100之裝載埠與裝載鎖150之間輸送物件。裝載鎖150為在殼體110外且在EFEM中存在的大氣環境與在EBI系統100之真空腔室160中存在的真空環境之間的介面。在如所展示之實施例中，真空腔室160包含電子光學系統170，其經組態以將電子束投影至待檢測物件(例如半導體基板或晶圓)上。EBI系統100進一步包含定位裝置180，其經組態以使物件190相對於由電子光學系統170產生之電子束位移。在實施例中，定位裝置180至少部分地配置於真空腔室160內。
在實施例中，定位裝置可包含多個定位器之級聯式配置，用於在實質上水平的平面中定位物件之此XY載物台及用於在豎直方向上定位物件之Z載物台。
在實施例中，定位裝置可包含粗略定位器與精細定位器之組合，該粗略定位器經組態以遍及相對較大的距離提供物件之粗略定位，該精細定位器經組態以遍及相對較小的距離提供物件之精細定位。
在實施例中，定位裝置180進一步包含物件台，該物件台用於在由EBI系統100執行之檢測製程期間固持物件。在此實施例中，藉助於諸如靜電夾具或真空夾具之夾具可將物件190夾持至物件台上。此夾具可整合於物件台中。
根據本發明，定位裝置180包含用於定位物件台之第一定位器及用於定位第一定位器及物件台之第二定位器。
在實施例中，真空腔室160包含用以屏蔽外部電磁影響之電磁屏蔽件1001。此電磁屏蔽件1001亦可被稱作電磁干涉(EMI)屏蔽件。
在實施例中，電磁屏蔽件1001經組態以屏蔽檢測工具100 之偵測器免受外部影響。
圖2A示意性地描繪如可應用於根據本發明之電子束檢測工具或系統中的電子光學系統200之實施例。電子光學系統200包含被稱作電子槍210之電子束源，及成像系統240。
電子槍210包含電子源212、抑制器214、陽極216、一組孔徑218及聚光器220。電子源212可為肖特基(Schottky)發射器。更特定而言，電子源212包括陶瓷基板、兩個電極、鎢絲及鎢銷。兩個電極並聯地固定至陶瓷基板，且兩個電極之另一側分別連接至鎢絲之兩端。鎢稍微彎曲以形成供置放鎢銷之尖端。接著，ZrO2經塗佈於鎢銷之表面上，且經加熱至1300℃從而熔融且覆蓋鎢銷，但露出鎢銷之銷尖(pinpoint)。熔融ZrO2可使得鎢之功函數降低且減小發射電子之能量障壁，且因此有效地發射電子束202。接著，藉由向抑制器214施加負電，抑制電子束202。因此，具有較大散佈角之電子束經抑制成初級電子束202，且因此電子束202之亮度得以增強。藉由陽極216之正電荷，可提取電子束202，且接著可藉由使用具有不同孔徑大小之可調諧孔徑218以消除在孔徑外部的不必要電子束來控制電子束202之庫侖(Coulomb)強制力。為了聚集電子束202，向電子束202應用聚光器220，其亦提供放大率。圖2中所展示之聚光器220可為例如可聚集電子束202之靜電透鏡。另一方面，聚光器220亦可為磁透鏡。
如圖2B中所展示之成像系統240包含：消隱器248；一組孔徑242；偵測器244；四組偏轉器250、252、254及256；一對線圈262；磁軛260；濾光器246；及電極270。電極270用於使電子束202延遲及偏轉，且歸因於上部磁極件與樣本300之組合而進一步具有靜電透鏡功 能。此外，線圈262及磁軛260經組態為磁物鏡。
藉由加熱電子銷及向陽極216施加電場來產生上文所描述之電子束202，以使為了使電子束202保持穩定，必須長時間加熱電子銷。對於使用者終端而言，此確實為耗時且不便的。因此，向經聚集電子束202應用消隱器248，以使電子束202暫時偏離樣本而非將其切斷。
應用偏轉器250及256以在較大視場內掃描電子束202，且偏轉器252及254用於使電子束202在較小視場內掃描。所有偏轉器250、252、254及256可控制電子束202之掃描方向。偏轉器250、252、254及256可為靜電偏轉器或磁偏轉器。磁軛260之開口面向樣本300，該開口使磁場融入樣本300中。另一方面，電極270置放於磁軛260之開口下方，且因此樣本300將不受損傷。為了校正電子束202之色像差，延遲器270、樣本300及上部磁極件形成透鏡以消除電子束202之色像差。
此外，當電子束202轟擊至樣本300中時，二次電子將自樣本300之表面發出。接下來，藉由濾光器246將二次電子導引至偵測器244。
圖3示意性地描繪EBI系統300之可能控制架構。如圖1中所指示，EBI系統包含裝載埠120、物件轉移系統130、裝載/鎖150、電子光學系統170及定位裝置180(例如包括z載物台302及xy載物台305)。如所說明，EBI系統之此等各種組件可配備有相應控制器，亦即，連接至物件轉移系統130之物件轉移系統控制器310、裝載/鎖控制器315、載物台控制器330、偵測器控制器320(用於控制偵測器244)及電子光學控制器325。舉例而言，此等控制器可例如經由通信匯流排345通信地連接至系統控制器電腦335及影像處理電腦340。在如所展示之實施例中，系統控制器電腦 335及影像處理電腦340可連接至工作站350。
裝載埠120將物件190(例如晶圓)裝載至物件轉移系統130，且物件轉移系統控制器310控制物件轉移系統130以將物件190轉移至裝載/鎖150。裝載/鎖控制器315控制腔室160之裝載/鎖150，使得待檢驗之物件190可固定於亦被稱作電子夾具的夾具355(例如靜電夾具)上。定位裝置(例如z載物台302及xy載物台305)使得物件190能夠在載物台控制器330之控制下移動。在實施例中，z載物台302之高度可例如使用諸如壓電致動器的壓電組件進行調整。電子光學控制器325可控制電子光學系統170之所有情況，且偵測器控制器320可接收來自電子光學系統(偵測器244)之電信號且將該等電信號轉換成影像信號。系統控制器電腦335可操作以將命令發送至對應控制器。在接收到影像信號之後，影像處理電腦340可處理影像信號以識別缺陷。
在微影裝置、度量衡裝置及檢測裝置(諸如上文所描述之彼等裝置)中，使用載物台設備來準確地定位物件(諸如已使用經圖案化光束暴露結構的基板或晶圓或用於圖案化微影設備中之光束的倍縮光罩(或光罩))。此載物台設備可包含用以定位物件支撐件之短衝程載物台且亦包含用以定位短衝程載物台及物件支撐件之長衝程載物台，其中本文中所揭示之連接配置經組態以至少部分地將物件支撐件連接至短衝程載物台。短衝程載物台有時被稱作區塊或鏡面區塊(如其可包含在其表面上之一或多個鏡面以使得能夠實現干涉定位量測(IFM))。
貫穿描述，將使用術語定位裝置且可將其理解為描述用於定位基板支撐件(例如作為用於定位晶圓之晶圓載物台的一部分)之任何此組件或任何其他等效載物台組件。定位裝置支撐基板支撐件(有時被稱作 基板台/晶圓台)、夾具或尤其係在基板靜電地保持/夾持於基板支撐件上時支撐電子夾具。貫穿描述，將使用術語基板支撐件且可將其理解為描述用於支撐基板之任何此組件或任何其他等效載物台組件。此外，將使用術語載物台設備來描述至少定位裝置及基板支撐件與將其等連接在一起之連接配置的組合，及可能地形成載物台設備之一部分的任何其他組件，例如馬達、量測裝置、夾持組件等。載物台設備可為倍縮光罩載物台設備或晶圓載物台設備。
載物台設備可包含用於在三個正交線性軸中及三個正交旋轉軸中精確定位基板支撐件之定位裝置。舉例而言，儘管可使用其他保持/夾持方法，但亦可使用靜電力將基板夾持於基板支撐件上。定位裝置例如藉由將基板支撐件剛性地安裝於定位裝置上來支撐基板支撐件。定位裝置(例如鏡面區塊)可設置有作為干涉計系統之一部分的鏡面，該干涉計系統用以相對於檢測設備之其他部分至少部分地判定基板之定位。
然而，此載物台設備之缺陷為基板支撐件可例如歸因於在檢測期間發熱(例如歸因於檢測光束輻射或載物台致動器熱裝載)而變形。基板支撐件之變形可經轉移至定位裝置上，亦使該定位裝置變形，從而產生熱誤差。舉例而言，基板支撐件之變形可影響使用定位裝置上之鏡面執行的干涉量測之準確度，其繼而影響相對於輻射光束(例如電子束)定位基板之精確度。此外，熱誤差可由基板支撐件與定位裝置(例如短衝程載物台及/或精細定位載物台)之間的熱膨脹係數差異引起。當載物台設備形成檢測裝置或度量衡裝置(諸如SEM裝置)之一部分時，此熱誤差可(取決於應用)導致高達約200nm或更多之影像漂移(就時間及定位二者而言)，該等影像漂移可在大於所需準確度(例如應將影像漂移維持在10nm以下)的 兩個數量級之區中。
載物台定位不準確之另一重要貢獻因素由動態誤差引起。動態誤差可(例如)由系統振動(諸如由載物台設備之定位引起的彼等系統振動)引起。歸因於高速定位且因此載物台設備之較高加速度，故基板支撐件在定位動作期間(例如在檢測、量測或圖案化製程期間)振動。特定而言，豎直(高頻率)振動模式可由此類動作激發，該等動作通常無阻尼且不可量測。就檢測裝置或度量衡裝置而言，此類動態誤差可產生高達約5nm或更多之局部XY影像移位誤差；應將此等誤差維持在例如1nm以下。
已觀察到，定位裝置與基板支撐件之間的連接在位置準確度中具有較大影響。圖4(a)及(b)分別展示典型之載物台設備470的前視圖及平面視圖。其展示安裝於定位裝置474上之基板支撐件472。藉助於實例，載物台設備可包含用於檢測裝置之晶圓載物台設備、包含電子夾具之基板支撐件472及包含鏡面區塊的定位裝置474。基板支撐件472藉由硬性機械連接476(在此實例中存在三個此類硬性機械連接476)連接至定位裝置474，以便在不具有變形及滯後之情況下實現較高加速度。然而，此等硬性機械連接476意謂前述熱變形及動態振動趨向於直接自基板支撐件472傳輸至定位裝置474及/或直接自定位裝置474傳輸至基板支撐件472。
圖5(a)及(b)分別展示解決所提出之熱及振動問題的載物台設備570之前視圖及平面視圖。同樣，載物台設備570包含安裝於定位裝置574上之基板支撐件572，基板支撐件572及定位裝置574與基板支撐件472及定位裝置474基本上相似。然而，載物台設備570具有連接配置，該連接配置具有至少一個阻尼連接。更特定而言，在此實施例中，連接配置包含基板支撐件572與定位裝置574之間的連接580、582，該等連接580、 582已經最佳化以減少熱及振動影響。圖6(a)以經改善之細節展示相同配置(圖中未展示定位裝置)的橫截面。
連接580、582包含硬性機械連接580。本圖展示單個硬性機械連接580。然而，在另一實施例中，複數個硬性連接(或在此文獻中亦作為剛性連接)亦係可能的。在提供多個硬性連接之情況下，阻尼連接582有助於阻尼振動。
在所說明之實例中，(單個)硬性機械連接580可位於基板支撐件572之中心處。更特定而言，硬性機械連接580可位於幾何中心或重心處。可理解，在僅存在單個硬性連接之情況下，硬性連接之部位變成基板支撐件572之熱變形的中心，在該中心處，單個硬性連接處之基板支撐件572之熱位移實質上為零，且基板支撐件572歸因於熱變形而在單個硬性連接周圍膨脹或收縮。
連接580、582亦包含阻尼連接582，其在介面中具有阻尼材料584以提供阻尼連接。阻尼材料可為任何適合之材料，諸如例如適合之塑料或橡膠材料。在所展示之特定實例中，存在四個(例如均勻地隔開的)阻尼連接582。然而，阻尼連接之數目及其在基板支撐件572上之配置可改變。圖6(b)展示具有阻尼材料584之阻尼連接582中的一者之細節。
阻尼材料584用以阻尼基板支撐件572之振動，以減少該等振動向定位裝置574轉移及對定位裝置574產生的影響。更特定而言，阻尼連接582使得在振動頻率(通常在100Hz至5000Hz之間)下，阻尼材料包含損耗因數及/或阻尼(例如豎直)模式形狀的阻尼比率。此外，阻尼材料應在低頻率(例如低於10Hz或低於1Hz)下具有低硬度，亦即，具有低楊氏模數。此確保連接為低頻相容的，以在不使定位裝置574變形之情況下允 許基板支撐件572變形。此將基板支撐件572之熱變形與定位裝置574解耦(避免過度約束)。
因此，對適合之阻尼材料的選擇應包含識別材料，該材料在較高頻率下(例如在大約100Hz下或在大約1000Hz或更高下)具有高損耗因數且亦在低頻率(例如低於1Hz或10Hz)下具有低楊氏模數。藉助於實例，阻尼材料可具有大於0.2、大於1、大於1.2或在為1.4的區中之損耗因數(至少在特定頻率範圍內，其中特定頻率範圍在100Hz與10kHz之間的另一頻率範圍內，例如在1100Hz或大約1100Hz或更高下)。阻尼材料亦可包含楊氏模數，該楊氏模數在0.1Hz、1Hz及/或10Hz之數量級的頻率下(例如在1Hz下)低於1GPa、低於0.1GPa或更佳地低於0.01GPa。
可在以下條項中描述其他實施例：
1.一種載物台設備，其包含：一物件支撐件，其經組態以支撐一物件；一定位裝置，其經組態以定位該物件支撐件；一第一連接配置，其經組態以將該物件支撐件連接至該定位裝置，該第一連接配置包含至少一個阻尼連接；及一第二連接配置，其經組態以將該物件支撐件連接至該定位裝置，該第二連接配置包含至少一個實質上剛性的連接。
2.如條項1之載物台設備，其中該第二連接配置包含僅一個實質上剛性的連接。
3.如條項2之載物台設備，其中該僅一個實質上剛性的連接位於該物件支撐件之一幾何中心或一重心處。
4.如任一前述條項之載物台設備，其中該至少一個阻尼連接包含複 數個阻尼連接。
5.如條項4之載物台設備，其中該複數個阻尼連接包含三個或四個阻尼連接。
6.如任一前述條項之載物台設備，其中該至少一個阻尼連接經組態以至少阻尼該物件支撐件的一振動。
7.如條項6之載物台設備，其中該至少一個阻尼連接經組態以至少阻尼該物件支撐件的至少一個感興趣之豎直振動模式。
8.如任一前述條項之載物台設備，其中該至少一個阻尼連接包含一阻尼材料。
9.如條項8之載物台設備，其中該阻尼材料包含橡膠。
10.如條項8或9之載物台設備，其中該阻尼材料在高於100Hz之頻率下具有一高損耗因數。
11.如條項8至10中任一項之載物台設備，其中該阻尼材料至少在一特定頻率範圍內具有大於0.2之一損耗因數，其中該特定頻率範圍在100Hz與10kHz之間的一另一頻率範圍內。
12.如條項8至10中任一項之載物台設備，其中該阻尼材料至少在該特定頻率範圍內具有大於1之一損耗因數，其中該特定頻率範圍在100Hz與10kHz之間的該另一頻率範圍內。
13.如條項8至10中任一項之載物台設備，其中該阻尼材料至少在該特定頻率範圍內具有大於1.2之一損耗因數，其中該特定頻率範圍在100Hz與10kHz之間的該另一頻率範圍內。
14.如條項8至13中任一項之載物台設備，其中該阻尼材料在低於1Hz或低於10Hz之頻率下具有一低硬度。
15.如條項14之載物台設備，其中該阻尼材料在低於1Hz或低於10Hz之頻率下具有低於1GPa的一楊氏模數。
16.如條項14之載物台設備，其中該阻尼材料在低於1Hz或低於10Hz之頻率下具有低於0.1GPa的一楊氏模數。
17.如條項14之載物台設備，其中該阻尼材料在低於1Hz或低於10Hz之頻率下具有低於0.01GPa的一楊氏模數。
18.如任一前述條項之載物台設備，其中該物件支撐件包含一靜電夾具及/或一真空夾具。
19.如任一前述條項之載物台設備，其中該定位裝置包含用以定位該物件支撐件之一短衝程載物台，且包含用以定位該短衝程載物台及該物件支撐件之一長衝程載物台，且其中該第一連接配置及該第二連接配置經組態以至少部分地將該物件支撐件連接至該短衝程載物台。
20.如任一前述條項之載物台設備，其中該物件為一基板或一圖案化裝置。
21.如任一前述條項之載物台設備，其中該定位裝置經組態以按小於1000nm的一定位誤差控制對該物件支撐件之定位。
22.如條項1至20中任一項之載物台設備，其中該定位裝置經組態以按小於100nm或小於10nm之一定位誤差控制對該物件支撐件之該定位。
23.如條項1至20中任一項之載物台設備，其中該定位裝置經組態以按小於1nm或小於0.1nm之一定位誤差控制對該物件支撐件之該定位。
24.一種度量衡設備，其包含如任一前述條項之用於固持及定位一物件的載物台設備。
25.如條項24之度量衡設備，其包含一掃描電子顯微鏡檢測設備，其可操作以在由該物件支撐件所保持的一物件上對一或多個特徵進行成像。
26.一種微影設備，其包含如條項1至24中任一項之用於固持及定位一物件的載物台設備。
27.一種設備，其包含如條項1至23中任一項之用於固持及定位一物件的載物台設備，其中該設備為一粒子束設備、一電子束設備、一電子束檢測設備、一微影設備、一度量衡設備。
28.一種設備，其包含如條項1至23之用於固持及定位一物件的載物台設備，其中該設備為一真空設備，其包含一真空腔室且該載物台設備之至少部分配置於該真空腔室中。
總體而言，阻尼連接與硬性中心連接之組合產生基板支撐件與定位裝置的硬性水平連接，從而在不具有變形及滯後之情況下實現較高加速度，感興趣之(例如豎直)基板支撐件振動模式之阻尼使得系統在基板支撐件相對於定位裝置沈降及熱解耦之後準確得多。藉由增加阻尼，總載物台設備之(伺服)控制變得更簡單，從而產生更穩固且準確之系統；此外，(伺服)控制對動態變化變得不大敏感。定位裝置可經組態以(例如)按小於0.1nm、1nm、10nm、100nm或1000nm之定位誤差控制對物件支撐件的定位。
本文中所揭示之載物台設備在以下設備內找到適用性且可包含以下設備之一部分：例如粒子束設備、電子束設備、電子束檢測設 備、度量衡設備(包括散射計設備)、真空設備、倍縮光罩檢測工具或微影設備。在一些實例中，物件可為倍縮光罩(或光罩)，而非基板(用於圖案化微影設備中之光束)，因此載物台設備為倍縮光罩載物台。
關於微影設備所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如具有為或為約365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有在5nm至20nm之範圍內的波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。
術語「透鏡」在內容背景允許的情況下可指各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用容易地修改及/或調適此類特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的含義及範圍內。應理解，本文中之片語或術語係出於例如描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或片語應由熟習此項技術者鑒於教示及導引進行解譯。
本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
572:基板支撐件
580:硬性機械連接
582:阻尼連接
584:阻尼材料

Claims (15)

  1. 一種載物台設備，其包含：一物件支撐件，其經組態以支撐一物件；一定位裝置，其經組態以定位(position)該物件支撐件；一第一連接配置，其經組態以將該物件支撐件連接至該定位裝置，該第一連接配置包含至少一個阻尼連接(damped connection)；及一第二連接配置，其經組態以將該物件支撐件連接至該定位裝置，該第二連接配置包含至少一個實質上剛性(substantially rigid)的連接。
  2. 如請求項1之載物台設備，其中該第二連接配置包含僅一個實質上剛性的連接。
  3. 如請求項2之載物台設備，其中該僅一個實質上剛性的連接位於該物件支撐件之一幾何中心或一重心處。
  4. 如請求項1之載物台設備，其中該至少一個阻尼連接包含三個或四個阻尼連接。
  5. 如請求項1之載物台設備，其中該至少一個阻尼連接經組態以至少阻尼該物件支撐件的一振動。
  6. 如請求1項之載物台設備，其中該至少一個阻尼連接包含一阻尼材 料。
  7. 如請求項6之載物台設備，其中該阻尼材料包含橡膠。
  8. 如請求項6之載物台設備，其中該阻尼材料至少在一特定頻率範圍內具有大於0.2、1或1.2之一損耗因數，其中該特定頻率範圍在100Hz與10kHz之間的一另一頻率範圍內。
  9. 如請求項6之載物台設備，其中該阻尼材料在低於1Hz或低於10Hz之頻率下具有低於1GPa、0.1GPa或0.01GPa的一楊氏模數。
  10. 如請求項1之載物台設備，其中該物件支撐件包含一靜電夾具及/或一真空夾具。
  11. 如請求項1之載物台設備，其中該定位裝置包含用以定位該物件支撐件之一短衝程載物台，且包含用以定位該短衝程載物台及該物件支撐件的一長衝程載物台，且其中該第一連接配置及該第二連接配置經組態以至少部分地將該物件支撐件連接至該短衝程載物台。
  12. 如請求項1之載物台設備，其中該物件為一基板或一圖案化裝置。
  13. 如請求項1之載物台設備，其中該定位裝置經組態以按小於1000nm、100nm、10nm、1nm或0.1nm的一定位誤差控制對該物件支撐件 之定位。
  14. 一種檢測設備，其包含如請求項1之用於固持及定位一物件的載物台設備，其中該檢測設備為一粒子束設備、一電子束設備、一電子束檢測設備、一微影設備、或一度量衡設備。
  15. 一種真空設備，其包含如請求項1之用於固持及定位一物件的載物台設備，其中該真空設備包含一真空腔室且該載物台設備之至少部分配置於該真空腔室中。
TW108145445A 2018-12-14 2019-12-12 載物台設備、檢測設備及真空設備 TWI770449B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18212802.5A EP3667696A1 (en) 2018-12-14 2018-12-14 Stage apparatus suitable for electron beam inspection apparatus
EP18212802.5 2018-12-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202032612A TW202032612A (zh) 2020-09-01
TWI770449B true TWI770449B (zh) 2022-07-11

Family

ID=64665733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108145445A TWI770449B (zh) 2018-12-14 2019-12-12 載物台設備、檢測設備及真空設備

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11764030B2 (zh)
EP (1) EP3667696A1 (zh)
CN (1) CN113272933A (zh)
TW (1) TWI770449B (zh)
WO (1) WO2020120098A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3667696A1 (en) * 2018-12-14 2020-06-17 ASML Netherlands B.V. Stage apparatus suitable for electron beam inspection apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070103666A1 (en) * 2005-11-08 2007-05-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008016509A (ja) * 2006-07-03 2008-01-24 Nuflare Technology Inc 荷電ビーム描画装置用低振動ステージ駆動装置
US20080067967A1 (en) * 2006-09-20 2008-03-20 Asml Netherlands B.V. Stage apparatus and lithographic apparatus
TWI303355B (en) * 2003-12-24 2008-11-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, chuck system thereof and device manufacturing method
CN102207240A (zh) * 2010-03-31 2011-10-05 上海微电子装备有限公司 具有减振装置的精密运动平台
TW201530265A (zh) * 2014-01-31 2015-08-01 Ａｓｍｌ荷蘭公司 載台定位系統及微影裝置

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4464030A (en) * 1982-03-26 1984-08-07 Rca Corporation Dynamic accuracy X-Y positioning table for use in a high precision light-spot writing system
US4667415A (en) * 1985-11-29 1987-05-26 Gca Corporation Microlithographic reticle positioning system
JPH0727042B2 (ja) * 1986-12-02 1995-03-29 キヤノン株式会社 ステ−ジ装置
US5179516A (en) * 1988-02-18 1993-01-12 Tokkyo Kiki Kabushiki Kaisha Variation control circuit having a displacement detecting function
EP0410647B1 (en) * 1989-07-24 1994-12-07 Tokkyo Kiki Kabushiki Kaisha Method of controlling positions and vibrations and active vibration control apparatus therefor
US5178357A (en) * 1989-08-16 1993-01-12 Platus David L Vibration isolation system
JP3073879B2 (ja) * 1994-03-25 2000-08-07 キヤノン株式会社 除振装置
US5750989A (en) * 1995-02-10 1998-05-12 Molecular Imaging Corporation Scanning probe microscope for use in fluids
JP3224489B2 (ja) * 1995-03-28 2001-10-29 キヤノン株式会社 空気バネ式除振装置
KR980006398A (ko) * 1996-06-21 1998-03-30 마에다 시게루 진동 감쇄장치
US6252234B1 (en) * 1998-08-14 2001-06-26 Nikon Corporation Reaction force isolation system for a planar motor
JP2002534783A (ja) * 1998-12-29 2002-10-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 素子配置機械
AU6061100A (en) * 1999-07-01 2001-01-22 General Nanotechnology, Llc Object inspection and/or modification system and method
TW504605B (en) * 1999-12-03 2002-10-01 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the same, the device and mask
TWI264617B (en) * 1999-12-21 2006-10-21 Asml Netherlands Bv Balanced positioning system for use in lithographic apparatus
JP2002021922A (ja) * 2000-07-11 2002-01-23 Delta Tooling Co Ltd 磁気回路を利用した除振機構
DE10043128C2 (de) * 2000-08-31 2003-05-08 Univ Hannover Tilgervorrichtung zur Absorption einer unerwünschten Erregung
JP2002221249A (ja) * 2000-11-27 2002-08-09 Canon Inc 能動制振装置、その制御方法および能動制振装置を備えた露光装置
JP2005507278A (ja) * 2001-10-29 2005-03-17 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 医療検査装置とフレーム及び患者テーブルの結合体との組立体、並びにこのような結合体
KR100522885B1 (ko) * 2002-06-07 2005-10-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
KR20060056387A (ko) * 2003-09-11 2006-05-24 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 제진 방법 및 장치
US7817243B2 (en) * 2004-04-12 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Vibration isolation system
US20060033043A1 (en) * 2004-08-13 2006-02-16 Nikon Corporation Stacked six degree-of-freedom table
US7782446B2 (en) * 2007-03-01 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Stage system and lithographic apparatus comprising such stage system
JP2008256155A (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Canon Inc 除振装置、演算装置、露光装置及びデバイス製造方法
NL2003772A (en) * 2008-12-11 2010-06-14 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method to compensate for the effect of disturbances on the projection system of a lithographic apparatus.
EP2221668B1 (en) * 2009-02-24 2021-04-14 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning assembly
TW201100975A (en) * 2009-04-21 2011-01-01 Nikon Corp Moving-object apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
NL2006714A (en) * 2010-06-07 2011-12-08 Asml Netherlands Bv Displacement device, lithographic apparatus and positioning method.
CN103370655B (zh) * 2010-12-14 2016-03-16 迈普尔平版印刷Ip有限公司 光刻系统和在该光刻系统中处理基板的方法
JP5936430B2 (ja) * 2012-04-27 2016-06-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子顕微鏡
NL2010759C2 (en) * 2012-05-14 2015-08-25 Mapper Lithography Ip Bv Modulation device and power supply arrangement.
CN104321702B (zh) * 2012-05-22 2016-11-23 Asml荷兰有限公司 传感器、光刻设备以及器件制造方法
CN102734379B (zh) * 2012-06-09 2013-12-11 哈尔滨工业大学 基于电磁与静压气浮复合支撑的主动隔振装置
CN103576464B (zh) * 2012-07-20 2016-03-09 上海微电子装备有限公司 一种推顶机构及具有该推顶机构的光刻装置
CN104769500B (zh) * 2012-08-21 2018-07-31 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
US10649347B2 (en) * 2013-10-29 2020-05-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2927945B1 (en) * 2014-04-04 2023-05-31 Nordson Corporation X-ray inspection apparatus for inspecting semiconductor wafers
JP6523623B2 (ja) * 2014-07-07 2019-06-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置およびステージ制御方法
JP6006828B1 (ja) * 2015-04-30 2016-10-12 ヤマウチ株式会社 防振ゴム
MX2017016513A (es) * 2015-06-15 2018-05-28 3M Innovative Properties Co Material de capa multiple de amortiguamiento.
EP3353706A4 (en) * 2015-09-15 2019-05-08 SZ DJI Technology Co., Ltd. SYSTEM AND METHOD FOR MONITORING UNIFORM TARGET TRACKING
KR20180059861A (ko) * 2015-09-30 2018-06-05 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 및 디바이스 제조 방법, 그리고 물체의 이동 방법
KR20180058798A (ko) * 2015-09-30 2018-06-01 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 및 디바이스 제조 방법
WO2017080823A1 (en) * 2015-11-10 2017-05-18 Asml Netherlands B.V. Vibration isolation system and lithographic apparatus
JP6633986B2 (ja) * 2016-07-20 2020-01-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
KR102296327B1 (ko) * 2016-09-30 2021-09-01 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 이동 방법, 노광 장치, 노광 방법, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
EP3332954B1 (en) * 2016-11-25 2023-12-27 Aida Engineering, Ltd. Sliding frictional force generation mechanism and die cushion for press machine
EP3376289A1 (en) * 2017-03-17 2018-09-19 ASML Netherlands B.V. Stage system and metrology tool
JP6872429B2 (ja) * 2017-06-07 2021-05-19 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
WO2019042905A1 (en) * 2017-08-31 2019-03-07 Asml Netherlands B.V. ELECTRON BEAM INSPECTION TOOL
WO2019211123A1 (en) * 2018-05-02 2019-11-07 Asml Netherlands B.V. E-beam apparatus
EP3667696A1 (en) * 2018-12-14 2020-06-17 ASML Netherlands B.V. Stage apparatus suitable for electron beam inspection apparatus
EP3670958A1 (en) * 2018-12-21 2020-06-24 ASML Netherlands B.V. Positioning device, stiffness reduction device and electron beam apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI303355B (en) * 2003-12-24 2008-11-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, chuck system thereof and device manufacturing method
US20070103666A1 (en) * 2005-11-08 2007-05-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008016509A (ja) * 2006-07-03 2008-01-24 Nuflare Technology Inc 荷電ビーム描画装置用低振動ステージ駆動装置
US20080067967A1 (en) * 2006-09-20 2008-03-20 Asml Netherlands B.V. Stage apparatus and lithographic apparatus
CN102207240A (zh) * 2010-03-31 2011-10-05 上海微电子装备有限公司 具有减振装置的精密运动平台
TW201530265A (zh) * 2014-01-31 2015-08-01 Ａｓｍｌ荷蘭公司 載台定位系統及微影裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US11764030B2 (en) 2023-09-19
WO2020120098A1 (en) 2020-06-18
US20200194222A1 (en) 2020-06-18
EP3667696A1 (en) 2020-06-17
TW202032612A (zh) 2020-09-01
CN113272933A (zh) 2021-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI719467B (zh) 電子束設備
US20200203117A1 (en) Electron beam inspection tool and method of controlling heat load
TWI770449B (zh) 載物台設備、檢測設備及真空設備
TWI784396B (zh) 電子束設備
US11476077B2 (en) Interferometric stage positioning apparatus
JP7271631B2 (ja) 電子ビーム検査装置のステージ位置決め
TW202020923A (zh) 基板定位器件及電子束檢測工具
TWI754250B (zh) 基板定位裝置及電子束檢測工具
TWI834093B (zh) 用於ｓｅｍ度量衡工具之雙聚焦解決方案