CN110988003A - 用于半导体器件的电子束检测设备、和电子束检测组件 - Google Patents

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Abstract

披露了用于半导体器件的电子束检测设备和电子束检测组件。电子束检测设备包括：工作台，以顶面承载所述半导体器件且能够沿正交的两方向平移；瞄准装置，采集所述半导体器件的图像来确定所述半导体器件在所述电子束检测设备的坐标系中的位置，且具备第一视场和第一光轴；电子束检测装置，向所述半导体器件投射电子束和检测从所述半导体器件出射的电子束，且具备第二视场和与所述第一光轴不叠合的第二光轴；和反射装置，将所述半导体器件的待测区域反射成像到所述瞄准装置内；所述第一视场利用所述反射装置的反射而投影到所述顶面上的第一可视区域，所述第二视场沿着所述电子束的光路投影到所述顶面上的第二可视区域。

Description

用于半导体器件的电子束检测设备、和电子束检测组件
技术领域
本公开涉及半导体检测技术领域，尤其涉及一种用于半导体器件的电子束检测设备、和一种电子束检测组件。
背景技术
在半导体器件例如半导体硅片的制造过程中，电子束检测装置例如扫描电镜被用来检测半导体器件在生产过程中出现的缺陷(例如执行硅片图形检测)，所述缺陷包括但不限于硅片光刻工艺缺陷、曝光工艺缺陷等。所述电子束检测装置的主要工作原理是利用高能电子束轰击检测物体的表面，被轰击区域会产生二次电子、背散射电子等，通过采集这些二次电子、背散射电子来生成电信号，由此体现了被检测物体的各种物理、化学信息，诸如检测物体表面的形貌、成分等。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面，本发明提供了用于半导体器件的电子束检测设备、和电子束检测组件。
为实现上述目的，所述技术方案如下：
根据本公开的第一方面，提供了一种用于半导体器件的电子束检测设备，包括：工作台，以顶面承载所述半导体器件且能够沿正交的两方向平移；瞄准装置，配置成通过采集所述半导体器件的图像来确定所述半导体器件在所述电子束检测设备的坐标系中的位置，且具备第一视场和第一光轴；和电子束检测装置，配置成通过向所述半导体器件投射电子束和检测从所述半导体器件出射的电子束，且具备第二视场和与所述第一光轴不叠合的第二光轴；其中，所述电子束检测设备还包括反射装置，所述半导体器件的待测区域被所述反射装置反射成像到所述瞄准装置内；且所述第一视场利用所述反射装置的反射而投影到所述顶面上的第一可视区域，所述第二视场沿着所述电子束的光路投影到所述顶面上的第二可视区域。
根据本公开的实施例，所述第一光轴与所述第二光轴成非零角度，且所述第一可视区域与所述第二可视区域各自中心间隔开布置或同心布置。
根据本公开的实施例，在所述第一可视区域与所述第二可视区域同心布置的情况下，所述反射装置能够在第一位置与第二位置之间切换，所述待测区域被位于所述第一位置处的所述反射装置反射成像到所述瞄准装置的第一视场内，且所述第二位置偏离所述电子束的光路。
根据本公开的实施例，所述反射装置能够在第一位置与第二位置之间移动。
根据本公开的实施例，所述反射装置能够在第一位置与第二位置之间转动。
根据本公开的实施例，所述反射装置在所述第一位置处时，所述电子束检测装置关闭，且所述待测区域位于所述第一可视区域；或
所述反射装置在所述第二位置处时，所述电子束检测装置开启，且所述待测区域位于所述第二可视区域。
根据本公开的实施例，所述第一位置处于所述电子束的光路中。
根据本公开的实施例，所述第一光轴与所述第二光轴以非零角度相交。
根据本公开的实施例，所述第一光轴与所述第二光轴正交地相交。
根据本公开的实施例，所述第一光轴与所述顶面平行，所述第二光轴与所述顶面垂直。
根据本公开的实施例，在所述第一位置处，所述反射装置的反射面的法线与所述第一光轴和所述第二光轴共面，且与所述第一光轴和所述第二光轴中的每一个成45度角。
根据本公开的实施例，所述第一光轴与所述第二光轴倾斜地相交。
根据本公开的实施例，所述瞄准装置是光学显微镜。
根据本公开的实施例，所述电子束检测装置包括：电子束源，被配置成发射入射电子束；偏转器，被配置成偏转电子束投射至半导体器件的待测表面；和电子检测器，被配置成通过检测由入射电子束投射至所述待测表面而产生的出射电子来成像所述待测表面。
根据本公开的实施例，所述电子束检测设备还包括：控制电路，所述控制电路配置成：通过根据预设的对准策略控制所述工作台平移来将所述半导体器件移入所述第一可视区域；通过对所述瞄准装置所采集的所述半导体器件的图像进行处理来确定所述半导体器件在所述电子束检测设备的设备坐标系中的位置；和控制所述工作台将所述半导体器件的所述待测区域从所述第一可视区域移入所述第二可视区域。
根据本公开的实施例，所述反射装置包括如下之一：平面反射镜、曲面反射镜、反射棱镜。
另外，根据本公开的另一方面，提供了一种电子束检测组件，包括检测模组和传输模组，所述检测模组包括：第一腔室，其内部呈真空状态；和前述电子束检测设备，位于所述第一腔室内，以及所述传输模组包括：第二腔室，与所述第一腔室毗邻设置，所述第二腔室在一侧处经由第一阀门与所述第一腔室连通、且在相反侧经由第二阀门与大气环境连通；第一机械臂，设置于所述第二腔室外部且配置成将所述半导体器件从大气环境移入所述第二腔室；和第二机械臂，设置于所述第一腔室内且配置成将所述半导体器件从所述第二腔室移入所述第一腔室，且进一步移至所述工作台的所述顶面。
根据本公开的实施例，第二腔室配置成在第一阀门和第二阀门同时关闭的情况下抽真空。
根据本公开的实施例，第二腔室的容积小于所述第一腔室的容积。
附图说明
现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本公开的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件。附图的简要描述如下：
图1示出示例性的电子束检测设备的结构示意图，其包括瞄准装置和电子束检测装置；
图2以俯视角度示出，在如图1所示的电子束检测设备中，电子束检测设备的瞄准装置和电子束检测装置各自的可视区域；
图3示出包括如图1所示的电子束检测设备的电子束检测组件的结构示意图；
图4(a)至图4(c)示出根据本公开实施例的电子束检测设备的结构示意图，其中瞄准装置的第一光轴与电子束检测装置的第二光轴呈正交地相交，图4(a)中反射装置处于第一位置，图4(b)中反射装置移动至第二位置B，图4(c)中反射装置旋转至第二位置B’；
图4(d)和图4(e)示出根据本公开实施例的电子束检测设备的结构示意图，其中瞄准装置的第一光轴与电子束检测装置的第二光轴可以布置成以锐角或钝角倾斜地相交，图4(d)中反射装置处于第一位置，图4(e)中反射装置移动至第二位置B；
图5以俯视角度示出，如图4(a)至图4(d)的电子束检测设备的瞄准装置和电子束检测装置各自的可视区域；
图6(a)至6(c)示出所述反射装置的示例性具体形式。
图7示出包括如图4(a)至图4(d)所示的电子束检测设备的电子束检测组件的结构示意图。
具体实施方式
下面将对本公开的技术方案通过实施例结合附图的方式进行进一步的详细解释。在说明书中，相同或相似的附图标记和字母指示相同或相似的部件。参照附图对本公开实施例的以下说明旨在对本公开的总体发明构思进行解释，不应当理解为对本公开的一种限制。
附图被用于说明本公开的内容。附图中各部件尺寸和形状不反映用于半导体器件的电子束检测设备和电子束检测组件的部件的真实比例。
通常，电子束检测设备包括电子束检测装置(例如扫描电镜)、以及能够执行二维平面运动(甚至于二维平面运动加Z向运动的三维运动)的工作台。
考虑到例如用于硅片图形缺陷检测的电子束检测装置中，虽然其放大倍率和分辨率均相对较高，但由于电子束由于束径相对较小，导致实际上投射到待检测物体(例如硅片)上形成的光斑也相对较小、即所述电子束检测装置的可观测范围或称为视场大小是相对较小的。
因而，在示例性实施例中，对于电子束检测设备而言，为了便利于在其检测过程中将待检测物体上特定区域的图形准确快速地送入所述电子束检测装置的视场范围内、而无需利用工作台多次移动来调整所述待检测物体的定位，则例如额外地在所述电子束检测设备中设置一种具备用于待检测物体的预对准和粗定位功能的光学瞄准装置，其实现了确定所述待检测物体在整个所述电子束检测设备的设备坐标系中的位置。
具体地，图1示出示例性的电子束检测设备的结构示意图，其包括瞄准装置和电子束检测装置；图2以俯视角度示出，在如图1所示的电子束检测设备中，电子束检测设备的瞄准装置和电子束检测装置各自的可视区域。
如图1所示，在示例性实施例中，一种电子束检测设备10包括：电子束检测装置11、工作台13、以及额外地设置的瞄准装置12。具体地，所述电子束检测装置11例如为呈图示的电子束镜筒形式的扫描电镜，被配置成用于产生电子束并轰击到待检测物体20(例如待检测硅片)的表面上的特定区域，同时采集并且检测由待检测物体的所述特定区域受轰击而产生的二次电子、背散射电子等信号，所述信号经放大处理后输出待检测物体20(例如待检测硅片)的表面的所述特定区域的形貌特征，例如确定该区域的图形是否有缺陷。所述瞄准装置12例如为光学显微镜，其配置成通过采集所述半导体器件的图像来确定所述半导体器件在所述电子束检测设备的坐标系中的位置。所述瞄准装置具备第一视场和第一光轴，所述电子束检测装置具备第二视场和与第二光轴；并且所述第一光轴和所述第二光轴不叠合，例如如图所示般所述瞄准装置成与所述电子束检测装置11并列设置，更具体地布置成其光轴与所述电子束检测装置11的光轴平行(例如图示为均与工作台的顶面垂直)，且配置成用于对待检测物体(例如待检测硅片)进行粗定位并且确定待检测物体20(例如待检测硅片)的图形在设备坐标系中的位置。所述工作台13例如水平置放，且配置成用于承载待检测物体20(例如待检测硅片)并且执行二维运动(例如沿正交的x-y两方向分别平移)以将待检测物体上的特定区域(下文简称待测区域)R依次运动到所述瞄准装置12和所述电子束检测装置11各自的可视范围(下文称为可视区域)内；更具体地，所述瞄准装置12的所述第一视场利用所述反射装置的反射而投影到所述顶面上的第一可视区域，且所述电子束检测装置11的所述第二视场沿着所述电子束的光路投影到所述顶面上的第二可视区域，第一可视区域与第二可视区域各自的中心间隔开布置。
并且，优选地，所述电子束检测设备10工作于真空环境中，例如置于真空腔室内，以最小化大气对于电子束的衰减。
下面具体阐明上述示例性的电子束检测设备10的工作流程。首先，在待检测物体20置于所述工作台13上的情况下，所述工作台13根据软件电控系统设定的对准策略执行平面二维运动以将待检测物体20(例如待检测硅片)送入所述瞄准装置12的观察视场内。随后，所述瞄准装置12以光学成像方式对所述待检测物体20进行图像采集；并且通过特定的算法软件对所采集的光学图像进行处理就可以对待检测物体进行预对准、粗定位，由此确定所述待检测物体20在所述电子束检测设备10的整个设备坐标系中的位置的具体坐标。接下来，所述工作台13将所述待检测物体20上的待测区域R送入所述电子束检测装置11的观察视场内进行精细定位，然后进行高分辨率的电子束图形检测。
由此可知，通过在示例性的电子束检测设备10中额外地设置所述瞄准装置12，实现了仅需通过两个阶段的单次移动(即，分别为：所述工作台13按照设定的对准策略移入所述瞄准装置12的观察视场内来实现的预对准、粗定位；以及所述工作台13将所述待检测物体20上的待测区域R送入所述电子束检测装置11的观察视场内进行的精细定位)即可准确地将所述待检测物体上的待测区域R送入所述电子束检测装置的观察视场，避免了为将所述待测区域R定位到所述电子束检测装置的观察视场而频繁地移动所述工作台进行对准。
并且，作为示例，在对电子束检测装置对硅片(如具备300mm直径的硅片，下文简称300mm硅片)进行图形检测时，如果要求硅片上任意区域的图形都要能被检测到，则需要所述瞄准装置12的观察视场能够由于工作台的移动而覆盖整个硅片。对于300mm硅片，相应地要求所述工作台13的行程必须至少为300mm。换言之，所述工作台13在平面的二维方向中的任一方向上的行程需大于或等于所检测硅片的直径。
在所述示例性的电子束检测设备10中，如图1所示的电子束检测设备10中瞄准装置12和电子束检测装置11各自可视区域的布置方式在图2中示出，由于它们各自的光轴均垂直于工作台顶面，则各自的可视区域可视为各自的视场在所述顶面上的投影；具体地，瞄准装置12的可视区域Rfov1直径例如为1.5mm，电子束检测装置11的可视区域Rfov2直径例如为约100μm，前者远大于后者。其中，如图2所示，作为待检测物体20的硅片的直径图示为D1，所述电子束检测装置11的镜筒的直径为D2，所述瞄准装置12的镜筒的直径为D3。并且，硅片的周缘(即外圆周)上存在着分别位于-x，+y，+x，-y方向上的四个最外侧点a、b、c、d。
则所述瞄准装置12的光轴与所述电子束检测装置11的光轴相距的距离L1如下：
L1＝D2/2+D3/2 (1)
对于y轴上的彼此相反的最外侧两点b、d，为了确保它们分别进入所述瞄准装置12的可视区域Rfov1以便被观察到，则以所述电子束检测设备的设备坐标系的原点O(同时也是电子束检测装置11的光轴在所述设备坐标系上的投影点)为基准，工作台需沿y轴分别移位为-D1/2和+D1/2。由此工作台在y轴的总行程大小Sy如下：
Sy＝|+D1/2|+|-D1/2|＝D1 (2)
对于x轴的负向上的最外侧点a，为了确保它进入所述瞄准装置12的可视区域Rfov1，则工作台需沿x轴移位+D1/2；对于x轴的正向上的最外侧点c，为了确保它进入所述瞄准装置12的可视区域Rfov1，则工作台需沿x轴移位-(D1/2+L1)。由此工作台在x轴的总行程大小Sx如下：
Sx＝|+D1/2|+|-(D1/2+L1)|＝D1+L1 (3)
这意味着，在如上所述的示例性的电子束检测设备10中，由于存在额外地设置的所述瞄准装置12且所述瞄准装置12的光轴与所述电子束检测装置11的光轴间隔开距离(也是二者可视区域Rfov1、Rfov2的中心距)L1，会导致沿着它们间隔开的方向(图示为x轴方向)上的工作台行程增加L1；且所述电子束检测装置11的直径D2和所述瞄准装置12的直径D3越大，则x轴上的行程Sx越大。并且，基于用于硅片检测的上述示例性的电子束检测设备10的工作流程可知，硅片上的待测区域R会首先在所述瞄准装置12的可视区域Rfov1中进行粗定位，之后在所述电子束检测装置11的可视区域Rfov2中进行精细定位和检测，在粗定位与精细定位两阶段之间，所述工作台13需要至少移动L1来进行所述硅片上的待测区域R在所述瞄准装置12的可视区域Rfov1与所述电子束检测装置11的可视区域Rfov2之间的切换。
在如图2所示的瞄准装置12和电子束检测装置11各自可视区域的布置方式情况下，由此可知：一方面，所述工作台的x轴行程Sx相比于y轴行程Sy增大L1，工作台的加工难度也会相应增加，同时运动精度会降低，这会不利地影响检测精度和增加系统的控制难度；另外，容纳所述电子束检测设备10的真空腔室的尺寸和重量会增加，导致增加的整体占地面积和制造成本，并且不利地影响抽真空的效率和由此增加隔振器的负载。另一方面，由于硅片上的每个待测区域R均会先进行粗定位再进行精细定位，即硅片上每个待测区域R均需循序地从所述瞄准装置12的可视区域Rfov1切换至所述电子束检测装置11的可视区域Rfov2，在此期间，所述工作台的加速、匀速、减速运动会耗费一段时间；因而，当硅片上的待测区域R的数目越多，所述工作台的运动所耗费的时间越长，这会影响到设备的整体检测效率。
图3示出包括如图1所示的电子束检测设备的示例性的电子束检测组件100的结构示意图。所述示例性的电子束检测组件100例如包括检测模组和传输模组。更具体地，所述检测模组包括：第一腔室C1，其内部呈真空状态；和前述的示例性的电子束检测设备10，位于所述第一腔室C1内。并且，所述传输模组包括：第二腔室C2，与所述第一腔室C1毗邻设置，所述第二腔室C2在一侧处经由第一阀门与所述第一腔室C1连通、且在相反侧经由第二阀门与大气环境连通；第一机械臂MA1，设置于所述第二腔室C2外部(例如在第三腔室C3中)且配置成将所述半导体器件20从大气环境移入所述第二腔室C2；和第二机械臂MA2，设置于所述第一腔室C1内且配置成将所述半导体器件20从所述第二腔室C2移入所述第一腔室C1，且进一步移至所述工作台13的所述顶面。并且，例如，待检测的半导体器件20(例如硅片)通常被容置于大气环境下的硅片盒WB内，并且在检测开始时由第三腔室C3中的第一机械臂MA1移入第二腔室C2。另外，例如，第二腔室C2配置成在第一阀门和第二阀门同时关闭的情况下抽真空。
所述示例性的电子束检测组件包括所述示例性的电子束检测设备，且由于存在有瞄准装置12和电子束检测装置11各自可视区域之间的中心距，则也会导致工作台行程增大和设备整体检测效率的降低，在此不再赘述。
图4(a)至图4(d)示出根据本公开实施例的电子束检测设备的结构示意图。图5以俯视角度示出，如图4(a)至图4(d)的电子束检测设备的瞄准装置和电子束检测装置各自的可视区域。
本公开的下文实施例的总体技术构思在于，通过重新布置瞄准装置12和电子束检测装置11，使得它们各自的在工作台的顶面上的可视区域实现同心布置，由此省去各自可视区域之间的中心距L1，以至少部分地进一步改进上述示例性实施例的电子束检测设备。根据本公开实施例的总体技术构思，如图4(a)至图4(d)所示，在本公开实施例的一方面中，提出了一种用于半导体器件40的电子束检测设备30，包括：工作台33，以顶面承载所述半导体器件40且能够沿正交的两方向平移；瞄准装置32，配置成通过采集所述半导体器件的图像来确定所述半导体器件在所述电子束检测设备的坐标系中的位置，且具备第一视场和第一光轴；和电子束检测装置31，配置成通过向所述半导体器件投射电子束和检测从所述半导体器件出射的电子束，且具备第二视场和与所述第一光轴成非零角度的第二光轴；其中，所述电子束检测设备还包括反射装置34，配置成将所述半导体器件的待测区域R反射成像到所述瞄准装置内；且在以俯视角度示出如图4的电子束检测设备的瞄准装置和电子束检测装置各自的可视区域的图5中可见，所述第一视场利用所述反射装置34的反射而投影到所述顶面上的第一可视区域Rfov1，所述第二视场沿着所述电子束的光路投影到所述顶面上的与所述第一可视区域同心布置的第二可视区域Rfov2。
通过这种布置方式，特别是额外设置的反射装置34，实现了瞄准装置32的光路转向，进而实现了在所述瞄准装置32尽可能靠近于所述电子束检测装置31而设置的情况下以在其整个光路中所述第一光轴并非始终与所述第二光轴叠合一致的方式在所述工作台的顶面处实现了各自的第一可视区域Rfov1与第二可视区域Rfov2之间的零中心距(即第一可视区域Rfov1与第二可视区域Rfov2的同心布置)，避免了由于该中心距的存在导致工作台行程增大和设备整体检测效率的降低。
同时，通过这种布置方式，也无需通过所述瞄准装置32直接同轴地与所述电子束检测装置31对齐或套设来实现所述第一可视区域Rfov1与所述第二可视区域Rfov2的零中心距(即无需在所述瞄准装置32的整个光路中始终保持第一光轴与第二光轴叠合一致)；由此，以简单的光路和节省空间的部件布置方式来实现了在所述顶面处第一可视区域Rfov1与第二可视区域Rfov2的零中心距，而无需为了在光路全程保持第一光轴与第二光轴始终叠合一致来直接同轴地对齐或套设所述瞄准装置32与所述电子束检测装置31，由此也避免了由于所述瞄准装置32本身的零部件直接设置于所述电子束检测装置31的光路上而对所述电子束检测装置31内部的真空密封工况和电子束的正常传播造成影响。
图4(a)至图4(c)示出根据本公开实施例的电子束检测设备的结构示意图，其中瞄准装置的第一光轴与电子束检测装置的第二光轴呈正交地相交，图4(a)中反射装置处于第一位置，图4(b)中反射装置移动至第二位置B，图4(c)中反射装置旋转至第二位置B’。
在本公开的进一步的实施例中，例如，所述反射装置34能够在如图4(a)所示的第一位置A与如图4(b)、4(c)所示的第二位置B,B’之间切换。其中，第一位置A为反射装置34的工作位置，所述待测区域被位于所述第一位置A处的所述反射装置34反射成像到所述瞄准装置的第一视场内。作为示例，如图4(a)所示，所述第一位置A例如处于所述电子束的光路中。第二位置B为反射装置34的非工作/闲置位置，所述第二位置B,B’偏离所述电子束的光路，从而不遮挡例如处于工作状态的所述电子束检测装置31的光路。
通过反射装置34的这种位置切换，能够确保瞄准装置32与电子束检测装置31不会同时工作且不会彼此干扰光路。
更具体地，例如，当所述反射装置34在所述第一位置A处时，所述电子束检测装置关闭，且所述待测区域R位于所述第一可视区域Rfov1。当所述反射装置34在所述第二位置B,B’处时，所述电子束检测装置开启，且所述待测区域R位于所述第二可视区域Rfov2。由此，实现了随着反射装置34在第一位置A与第二位置B,B’之间切换，所述半导体器件(例如硅片)上的待测区域R在所述瞄准装置32的所述第一可视区域Rfov1与所述电子束检测装置31的所述第二可视区域Rfov2之间切换；且由于所述第一可视区域Rfov1与所述第二可视区域Rfov2的零中心距，使得工作台在切换中沿x轴和y轴的总行程保持一致。
通过反射装置34的这种位置切换和不同时工作的设置，能够进一步确保瞄准装置32与电子束检测装置31完全不会彼此干扰光路。
在更具体的实施例中，例如，如图4(a)和图4(b)所示，所述反射装置例如在电机的驱动下在第一位置A与第二位置B之间移动，以实现在两位置之间的切换。
在更具体的替代实施例中，例如，如图4(a)和图4(c)所示，所述反射装置34也例如在电机的驱动下在第一位置A与第二位置B’之间转动，其中例如反射装置34在第一位置A将来自顶面处的第一可视区域Rfov1的光线朝向所述瞄准装置32反射以在其内部实现镜面成像、并且此时例如阻挡所述电子束检测装置31的光路，且一旦所述反射装置34转动至所述第二位置B’就位则无法遮挡所述电子束检测装置31的电子束的光路。由此也实现在两位置之间的切换。
在本公开的实施例中，例如，所述第一光轴与所述第二光轴以非零角度相交。
在示例性实施例中，例如，所述第一光轴与所述第二光轴正交地相交，如图4(a)和图4(b)所示，使得所述第一可视区域Rfov1与所述第二可视区域Rfov2中心距为零即二者同心布置。
进一步地，例如，如图4(a)所示，所述第一光轴与所述顶面平行，所述第二光轴与所述顶面垂直。更具体地，如图所示，在所述第一位置A处，所述反射装置34的反射面的法线与所述第一光轴和所述第二光轴共面，且与所述第一光轴和所述第二光轴中的每一个成45度角。从而使得由待测区域R处沿图示的竖直方向朝向反射装置34入射的光线例如自然光被所示反射装置34的反射面反射进入所述瞄准装置32的第一视场内实现反射成像。通过反射装置34的反射对从待测区域R成像至瞄准装置32内的光线的光路进行了转向，从而以简单的光路和节省空间的部件布置方式来实现了在所述工作台的承载待测半导体器件的顶面处的所述第一可视区域Rfov1与所述第二可视区域Rfov2中心距为零，而无需在所述瞄准装置32的整个光路中始终保持第一光轴与第二光轴叠合一致。
图4(d)和图4(e)示出根据本公开实施例的电子束检测设备的结构示意图，其中瞄准装置的第一光轴与电子束检测装置的第二光轴可以布置成以锐角或钝角倾斜地相交，图4(d)中反射装置处于第一位置，图4(e)中反射装置移动至第二位置B。
在替代的示例性实施例中，例如，如图4(d)和图4(e)所示，所述第一光轴与所述第二光轴可以布置成以锐角或钝角倾斜地相交，使得所述第一可视区域Rfov1与所述第二可视区域Rfov2中心距为零即二者同心布置。如此，也便利了以简单的光路和节省空间的部件布置方式来实现了在所述工作台的承载待测半导体器件的顶面处的所述第一可视区域Rfov1与所述第二可视区域Rfov2中心距为零，而无需在所述瞄准装置32的整个光路中始终保持第一光轴与第二光轴叠合一致。
在本公开的实施例中，所述瞄准装置32例如是光学显微镜。
在本公开的实施例中，所述电子束检测装置31例如更具体地包括：电子束源，被配置成发射入射电子束；偏转器，被配置成偏转电子束投射至半导体器件的待测表面；和电子检测器，被配置成通过检测由入射电子束投射至所述待测表面而产生的出射电子来成像所述待测表面。
在本公开的实施例中，所述的电子束检测设备30例如还包括：控制电路，例如图7所示，所述控制电路配置成：通过根据预设的对准策略控制所述工作台平移来将所述半导体器件移入所述第一可视区域；通过对所述瞄准装置所采集的所述半导体器件的图像进行处理来确定所述半导体器件在所述电子束检测设备的设备坐标系中的位置；和控制所述工作台将所述半导体器件的所述待测区域从所述第一可视区域移入所述第二可视区域。
在本公开的实施例中，如图6(a)至6(c)所示所述反射装置的示例性具体形式，所述反射装置34例如包括：平面反射镜、曲面反射镜、或反射棱镜。
图7示出包括如图4(a)至图4(d)所示的电子束检测设备的电子束检测组件的结构示意图。
根据本公开实施例的总体技术构思，如图7所示，在本公开实施例的一方面中，还披露了一种包括如前述电子束检测设备30的电子束检测组件300，包括：检测模组和传输模组。更具体地，所述检测模组包括：第一腔室C1’，其内部呈真空状态；和根据前述的电子束检测设备30，位于所述第一腔室C1’内。并且，所述传输模组包括：第二腔室C2’，与所述第一腔室C1’毗邻设置，所述第二腔室C2’在一侧处经由第一阀门与所述第一腔室连通、且在相反侧经由第二阀门与大气环境连通；第一机械臂MA1’，设置于所述第二腔室C2’外部且配置成将所述半导体器件40从大气环境移入所述第二腔室C2’；和第二机械臂MA2’，设置于所述第一腔室C1’内且配置成将所述半导体器件40从所述第二腔室C2’移入所述第一腔室C1’，且进一步移至所述工作台33的所述顶面。
通过设置作为大气环境与充当工作环境的第一腔室C1’之间的过渡区的第二腔室C2’，能够在对于第二腔室C2’抽真空的同时进行第一腔室C1’内的所述电子束检测设备的检测工作，由此实现并行地传输和检测半导体器件例如硅片的连续检测过程。
并且，在本公开的实施例中，例如，第二腔室C2’配置成在第一阀门和第二阀门同时关闭的情况下抽真空。确保电子束检测设备工作于真空环境下，避免环境对于检测的干扰以及避免电子束由于大气的衰减。
另外，在本公开的实施例中，第二腔室的容积小于所述第一腔室的容积。因此，通过设置作为大气环境与充当工作环境的第一腔室C1’之间的过渡区的第二腔室C2’，且由于第二腔室C2’的容积小于所述第一腔室C1’的容积，导致对于第二腔室C2’抽真空比对于第一腔室C1’抽真空更快。当需要硅片从大气传到第一腔室C1’时，第二腔室C2’首先达到大气状态，由于第一腔室C1’被第一阀门与第二腔室C2’隔开，第一腔室C1’仍处于真空状态，硅片先传到第二腔室C2’，之后第二腔室C2’抽真空，由于其体积较小，能够快速抽到真空状态，之后第一阀门打开，硅片再传到第一腔室C1’。如此，可以显著提高设备检测效率。当第二腔室C2’内置放两片硅片以上时，还可以在传输硅片过程中，实现第一腔室C1’正常检测。
本公开实施例的电子束检测组件包括前述的电子束检测设备，因而其包括的电子束检测设备的具体构造和相应的技术效果类似，在此不再赘述。
本公开实施例具备如下优越的技术效果：
本公开实施例提出了一种用于半导体器件的电子束检测设备和一种电子束检测组件。电子束检测设备中除了能够执行二维平面运动的工作台、和电子束检测装置例如扫描电镜，还额外地包括瞄准装置和配置成将所述半导体器件的待测区域反射成像到所述瞄准装置内反射装置，且由于所述反射装置的存在使得所述瞄准装置的第一视场利用所述反射装置的反射而投影到所述顶面上的第一可视区域，所述电子束检测装置的第二视场沿着所述电子束的光路投影到所述顶面上的与所述第一可视区域同心布置的第二可视区域，导致瞄准装置12和电子束检测装置11各自可视区域之间中心距为零，即所述第一可视区域与所述第二可视区域同心布置，使得工作台在平面的二维方向上行程均一，设备运行中工作台移动所耗费时间减少，设备的整体检测效率提高。
另外，根据前述的本公开实施例可以理解，经由任意两种或两种以上的组合的任何技术方案，也落入本公开的保护范围内。
本公开的实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (19)

1.一种用于半导体器件的电子束检测设备，包括：
工作台，以顶面承载所述半导体器件且能够沿正交的两方向平移；
瞄准装置，配置成通过采集所述半导体器件的图像来确定所述半导体器件在所述电子束检测设备的坐标系中的位置，且具备第一视场和第一光轴；和
电子束检测装置，配置成通过向所述半导体器件投射电子束和检测从所述半导体器件出射的电子束，且具备第二视场和与所述第一光轴不叠合的第二光轴；
其中，
所述电子束检测设备还包括反射装置，配置成将所述半导体器件的待测区域反射成像到所述瞄准装置内；且
所述第一视场利用所述反射装置的反射而投影到所述顶面上的第一可视区域，所述第二视场沿着所述电子束的光路投影到所述顶面上的第二可视区域。
2.根据权利要求1所述的电子束检测设备，其中，所述第一光轴与所述第二光轴成非零角度，且所述第一可视区域与所述第二可视区域各自中心间隔开布置或同心布置。
3.根据权利要求2所述的电子束检测设备，其中，在所述第一可视区域与所述第二可视区域同心布置的情况下，所述反射装置能够在第一位置与第二位置之间切换，所述待测区域被位于所述第一位置处的所述反射装置反射成像到所述瞄准装置的第一视场内，且所述第二位置偏离所述电子束的光路。
4.根据权利要求3所述的电子束检测设备，其中，所述反射装置能够在第一位置与第二位置之间移动。
5.根据权利要求3或4所述的电子束检测设备，其中，所述反射装置能够在第一位置与第二位置之间转动。
6.根据权利要求3所述的电子束检测设备，其中，所述反射装置在所述第一位置处时，所述电子束检测装置关闭，且所述待测区域位于所述第一可视区域；或
所述反射装置在所述第二位置处时，所述电子束检测装置开启，且所述待测区域位于所述第二可视区域。
7.根据权利要求3所述的电子束检测设备，其中，所述第一位置处于所述电子束的光路中。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子束检测设备，其中，
所述第一光轴与所述第二光轴以非零角度相交。
9.根据权利要求8所述的电子束检测设备，其中，
所述第一光轴与所述第二光轴正交地相交。
10.根据权利要求9所述的电子束检测设备，其中，所述第一光轴与所述顶面平行，所述第二光轴与所述顶面垂直。
11.根据权利要求9或10所述的电子束检测设备，其中，在所述第一位置处，所述反射装置的反射面的法线与所述第一光轴和所述第二光轴共面，且与所述第一光轴和所述第二光轴中的每一个成45度角。
12.根据权利要求8所述的电子束检测设备，其中，
所述第一光轴与所述第二光轴倾斜地相交。
13.根据权利要求1所述的电子束检测设备，其中，所述瞄准装置是光学显微镜。
14.根据权利要求1所述的电子束检测设备，其中，所述电子束检测装置包括：
电子束源，被配置成发射入射电子束；
偏转器，被配置成偏转电子束投射至半导体器件的待测表面；和
电子检测器，被配置成通过检测由入射电子束投射至所述待测表面而产生的出射电子来成像所述待测表面。
15.根据权利要求1所述的电子束检测设备，还包括：控制电路，所述控制电路配置成：
通过根据预设的对准策略控制所述工作台平移来将所述半导体器件移入所述第一可视区域；
通过对所述瞄准装置所采集的所述半导体器件的图像进行处理来确定所述半导体器件在所述电子束检测设备的设备坐标系中的位置；和
控制所述工作台将所述半导体器件的所述待测区域从所述第一可视区域移入所述第二可视区域。
16.根据权利要求1所述的电子束检测设备，其中，所述反射装置包括如下之一：平面反射镜、曲面反射镜、反射棱镜。
17.一种电子束检测组件，包括：
检测模组，包括：
第一腔室，其内部呈真空状态；和
根据权利要求1至16中任一项所述的电子束检测设备，位于所述第一腔室内，以及
传输模组，包括：
第二腔室，与所述第一腔室毗邻设置，所述第二腔室在一侧处经由第一阀门与所述第一腔室连通、且在相反侧经由第二阀门与大气环境连通；
第一机械臂，设置于所述第二腔室外部且配置成将所述半导体器件从大气环境移入所述第二腔室；和
第二机械臂，设置于所述第一腔室内且配置成将所述半导体器件从所述第二腔室移入所述第一腔室，且进一步移至所述工作台的所述顶面。
18.根据权利要求17所述的电子束检测组件，其中，第二腔室配置成在第一阀门和第二阀门同时关闭的情况下抽真空。
19.根据权利要求17所述的电子束检测组件，其中，第二腔室的容积小于所述第一腔室的容积。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022246881A1 (zh) * 2021-05-27 2022-12-01 中科晶源微电子技术（北京）有限公司 探测器检测设备及使用其进行检测探测器的方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4152045A1 (en) 2021-09-16 2023-03-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor for measuring distance and camera module including the same

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1104329A (zh) * 1993-06-25 1995-06-28 松下电器产业株式会社 电子元件的外观检查装置及外观检查方法
CN102809881A (zh) * 2011-09-22 2012-12-05 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 光源系统及其应用的投影系统
CN104870986A (zh) * 2012-12-28 2015-08-26 Fei公司 用于执行自动化矿物学的过程
US9267903B2 (en) * 2012-08-30 2016-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods and apparatuses for inspecting semiconductor devices using electron beams
CN206480587U (zh) * 2017-03-01 2017-09-08 聚束科技（北京）有限公司 一种全自动化的扫描电子显微镜
CN109502543A (zh) * 2018-12-29 2019-03-22 哈尔滨工业大学 一种纳米操作装置
CN110176378A (zh) * 2018-02-20 2019-08-27 日本株式会社日立高新技术科学 带电粒子束装置、载台驱动范围限制方法和记录介质

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6061323A (en) * 1996-07-30 2000-05-09 Seagate Technology, Inc. Data storage system having an improved surface micro-machined mirror
US5760901A (en) * 1997-01-28 1998-06-02 Zetetic Institute Method and apparatus for confocal interference microscopy with background amplitude reduction and compensation
JPH11265675A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Hitachi Ltd 荷電粒子線装置
JP4217257B2 (ja) 2000-11-02 2009-01-28 株式会社荏原製作所 電子線装置を用いたデバイス製造方法
CN1820346B (zh) * 2003-05-09 2011-01-19 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
JP2007207688A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Hitachi High-Technologies Corp ミラー電子顕微鏡およびミラー電子顕微鏡を用いた検査装置
CN100427923C (zh) * 2006-03-08 2008-10-22 东华大学 多功能芯片检测装置
US7414245B2 (en) * 2006-04-20 2008-08-19 Trissel Richard G Scintillator-based micro-radiographic imaging device
US7897942B1 (en) * 2007-12-20 2011-03-01 Kla-Tencor Corporation Dynamic tracking of wafer motion and distortion during lithography
WO2009094451A2 (en) * 2008-01-22 2009-07-30 Board Of Regents, The University Of Texas System Systems, devices and methods for imaging and surgery
WO2012176106A2 (en) 2011-06-24 2012-12-27 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging
JP5919761B2 (ja) 2011-11-29 2016-05-18 リコーイメージング株式会社 カメラの可動ミラー衝撃吸収機構
US9497379B2 (en) * 2013-08-22 2016-11-15 California Institute Of Technology Variable-illumination fourier ptychographic imaging devices, systems, and methods
US9134261B2 (en) * 2013-04-22 2015-09-15 Ebara Corporation Inspection apparatus
JP6294130B2 (ja) * 2014-04-04 2018-03-14 株式会社荏原製作所 検査装置
CN106546515A (zh) 2015-09-22 2017-03-29 亿观生物科技股份有限公司 检测装置、检测模块及检测方法
US10497535B2 (en) * 2015-12-03 2019-12-03 Matsusada Precision, Inc. Charged particle beam device and scanning electron microscope
TWI793114B (zh) 2017-04-11 2023-02-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 帶電粒子源模組及具有所述帶電粒子源模組之曝光系統
US11092902B2 (en) * 2017-06-21 2021-08-17 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for detecting substrate surface variations
US10692694B2 (en) * 2017-12-27 2020-06-23 Fei Company Method and apparatus for enhancing SE detection in mirror-based light imaging charged particle microscopes
CN109979793B (zh) 2017-12-27 2023-11-07 Fei 公司 复合型sem-cl和fib-ioe显微术
US10896802B2 (en) * 2017-12-27 2021-01-19 Fei Company Combined SEM-CL and FIB-IOE microscopy
JP2021131985A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置、荷電粒子線装置の試料アライメント方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1104329A (zh) * 1993-06-25 1995-06-28 松下电器产业株式会社 电子元件的外观检查装置及外观检查方法
CN102809881A (zh) * 2011-09-22 2012-12-05 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 光源系统及其应用的投影系统
US9267903B2 (en) * 2012-08-30 2016-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods and apparatuses for inspecting semiconductor devices using electron beams
CN104870986A (zh) * 2012-12-28 2015-08-26 Fei公司 用于执行自动化矿物学的过程
CN206480587U (zh) * 2017-03-01 2017-09-08 聚束科技（北京）有限公司 一种全自动化的扫描电子显微镜
CN110176378A (zh) * 2018-02-20 2019-08-27 日本株式会社日立高新技术科学 带电粒子束装置、载台驱动范围限制方法和记录介质
CN109502543A (zh) * 2018-12-29 2019-03-22 哈尔滨工业大学 一种纳米操作装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022246881A1 (zh) * 2021-05-27 2022-12-01 中科晶源微电子技术（北京）有限公司 探测器检测设备及使用其进行检测探测器的方法

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