KR20210122654A - Px로 pta를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템 및 공정 - Google Patents

Px로 pta를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템 및 공정 Download PDF

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Abstract

본 발명은 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템을 제공하며, 해당 시스템은 반응기와 상기 반응기 내부에 배치된 마이크로 인터페이스 장치를 포함하며, 상기 반응기는 쉘, 상기 쉘 내부에 동심으로 배치된 내부 탱크 및 상기 쉘 외부에 부분적으로 배치된 순환 열교환 장치를 포함하며, 상기 내부 탱크의 하단은 폐쇄되게 상기 쉘의 내부 바닥면에 연결되고 상단은 오픈되어 있으며, 상기 쉘과 상기 내부 탱크 사이의 영역은 제 1 반응 영역이고, 상기 내부 탱크 내부는 위에서 아래로 순차적으로 제 2 반응 영역과 제 3 반응 영역이며, 상기 순환 열교환 장치는 상기 내부 탱크와 상기 마이크로 인터페이스 장치에 각각 연결된다. 본 발명은 기존 기술에 따른 PX로 PTA를 생성하는 과정에서 반응 용매인 아세트산이 고온 고압 하에서 대량으로 낭비되고 제품 TA를 적시에 꺼낼 수 없는 문제를 효과적으로 해결하였으며, 에너지 소비를 대폭 줄이고 아세트산 용매를 절약하며, 반응 효율을 향상시켰다.

Description

PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템 및 공정{BUILT-IN MICRO INTERFACIAL ENHANCED REACTION SYSTEM AND PROCESS FOR PTA PRODUCTION WITH PX}
본 발명은 화학 공업 기술 분야에 관한 것으로, 더 상세하게는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템 및 공정에 관한 것이다.
PX(p-자일렌)로 TA (테레프탈산)를 생성하는 산화 반응 과정은 매우 복잡하며, 주로 4개 단계를 포함한다. 즉, p-자일렌(PX) -> p-톨루 알데히드(TALD) -> p-톨루산(p-TA) -> p-카르복시 벤즈알데히드(4-CBA) -> 테레프탈산(TA)이며, 해당 반응 과정에서 4가지 산화 반응은 직렬 반응으로, 일반적으로 아세트산을 용매로 사용하며, 코발트 아세테이트, 망간 아세테이트 및 브롬화 수소산 (또는 테트라 브로모 메탄)을 촉매로 한다.
현재, 기존 PTA 생성 기술에서 산화 반응 과정의 4개 주요 단계가 모두 동일한 반응기에서 수행되고 있으며, 상술한 4 단계의 반응 속도 상수는 10 배 이상 차이가 나지만 혼합 반응 공정을 적용하여, 상이한 반응에 대해 상이한 조건을 제공하지 않아, 반응 용매 아세트산이 고온 고압 환경에서 대량 낭비됨과 동시에, 적시에 제품 TA를 꺼내지 못하여 에너지 소비가 높고 아세트산 소비량이 크며 반응 효율이 낮다.
이를 고려하여, 본 발명은 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템 및 공정을 개시하며, 기존기술에 따른 PX로 PTA를 생성하는 과정에서 반응 용매 아세트산이 고온 고압 하에서 대량 낭비되고 적시에 제품 TA를 꺼낼 수 없는 문제를 해결할 수 있다.
일 측면에서, 본 발명은 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템을 개시하며, 해당 시스템은 반응기와 상기 반응기 내부에 배치된 마이크로 인터페이스 장치를 포함하며, 상기 반응기는 쉘, 상기 쉘 내부에 동심으로 배치된 내부 탱크 및 상기 쉘 외부에 부분적으로 배치된 순환 열교환 장치를 포함하며, 상기 내부 탱크의 하단은 폐쇄되게 상기 쉘의 내부 바닥면에 연결되고 상단은 오픈되어 있으며, 상기 쉘과 상기 내부 탱크 사이의 영역은 제 1 반응 영역이고, 상기 내부 탱크 내부는 위에서 아래로 순차적으로 제 2 반응 영역과 제 3 반응 영역이며, 상기 순환 열교환 장치는 상기 내부 탱크와 상기 마이크로 인터페이스 장치에 각각 연결되며;
상기 마이크로 인터페이스 장치는 제 1 마이크로 인터페이스 생성기와 제 2 마이크로 인터페이스 생성기를 포함하고, 상기 제 1 마이크로 인터페이스 생성기는 각각 상기 제 1 반응 영역, 제 2 반응 영역 및 제 3 반응 영역의 바닥부에 배치되어, 반응 원료로 사용되는 공기를 직경이 1μm 이상 1mm 미만인 미세 기포로 분해시키며, 상기 제 2 마이크로 인터페이스 생성기는 상기 제 2 반응 영역의 상단에 배치되고, 제 2 반응 영역의 바닥부에 배치된 제 1 마이크로 인터페이스 생성기와 서로 마주보며, 상기 순환 열교환 장치에 의해 이송되는 상기 제 2 반응 영역 내부의 반응액의 동력의 작용하에, 상기 반응기 상단에 집합된 미 반응 공기를 그 내부로 흡입하여 상기 미세 기포로 분해한다.
더 나아가, 전술한 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템에서, 상기 제 1 반응 영역은 p-자일렌을 p-톨루 알데히드로, p-톨루 알데히드를 p-톨루산으로 전환하는 반응 영역이고, 상기 제 2 반응 영역은 상기 p-톨루산을 p-카르복시 벤즈알데히드로 전환하는 반응 영역이며, 제 3 반응 영역은 p-카르복시 벤즈알데히드를 테레프탈산으로 전환하는 반응 영역이다.
더 나아가, 전술한 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템에서, 상기 내부 탱크의 높이는 상기 쉘 높이의 4/5이다.
더 나아가, 전술한 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템에서, 상기 제 1 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내 전체 반응 체적의 45 %를 차지한다.
더 나아가, 전술한 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템에서, 상기 제 2 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내 전체 반응 체적의 53.5%를 차지한다.
더 나아가, 전술한 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템에서, 상기 제 3 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내 전체 반응 체적의 1.5%를 차지한다.
더 나아가, 전술한 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템에서, 상기 제 1 마이크로 인터페이스 생성기는 공압식이고, 상기 제 2 마이크로 인터페이스 생성기는 유압식이다.
다른 측면에 의하면, 본 발명은 다음 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 공정을 개시한다:
p-자일렌, 아세트산 및 촉매의 혼합물을 반응기 하단을 통해 반응기 쉘과 내부 탱크 사이의 제 1 반응 영역에 투입시킴과 동시에, 공기를 제 1 반응 영역의 바닥부에 배치된 마이크로 인터페이스 생성기 내부로 통과시킴으로써, 직경이 1μm 이상, 1mm 미만의 미세 기포로 파쇄시켜, 액상 물질과 함께 에멀젼을 형성하고, 상기 촉매의 작용하에 p-자일렌을 p-톨루 알데히드로 전환시킴과 동시에, p-톨루 알데히드를 p-톨루산으로 전환시키며, 그 중에서 미 반응된 상기 공기는 액체 표면을 떠나 상기 반응기의 상측으로 상승한다;
제 1 반응 영역 내의 상술한 반응이 계속 진행됨에 따라, 반응 혼합액은 상기 제 1 반응 영역에서 상기 내부 탱크로 넘쳐 흐름과 동시에, 상기 내부 탱크 상부에 배치된 제 2 반응 영역의 바닥부에 위치한 제 1 마이크로 인터페이스 생성기를 통해 해당 영역으로 상기 미세 기포로 파쇄된 공기를 통과시키며, 상기 촉매의 작용하에, 혼합액 중의 상기 p-톨루산과 반응하여 p-카르복시 벤즈알데히드를 생성하고, 그 중에서 미 반응 공기는 액체 표면을 떠나 상기 반응기의 상측으로 상승하며, 순환 열교환 장치의 동력 작용하에, 상기 제 2 반응 영역의 상부에 배치된 제 2 마이크로 인터페이스 생성기의 흡입 작용에 의해, 공기 덕트를 통해 해당 영역 바닥부로 이송되어 상기 p-카르복시 벤즈알데히드의 생성 반응에 계속 참여하며, 수차의 사이클을 경과한 후, 압력의 푸시하에, 배기 가스는 상기 반응기 상단 출구로부터 배기 가스 처리 유닛으로 투입된다;
상기 제 2 반응 영역 내에서 반응에 의해 생성된 상기 p-카르복시 벤즈알데히드는 방파 그리드를 통과하여 해당 영역 하단의 제 3 반응 영역으로 이동하고, 해당 영역 바닥부에 배치된 제 1 마이크로 인터페이스 생성기에 의해 연통된 상기 미세 기포와 상기 촉매의 작용하에 산화 반응을 일으켜 테레프탈산을 생성하고, 미 반응 혼합물은 상기 반응기 하부 출구를 통해 배출되어 후속의 분리 및 정제 섹션으로 투입된다.
더 나아가, 전술한 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 공정에서, 상기 제 1 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내의 전체 반응 체적의 45 %를 차지하고, 상기 제 2 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내의 전체 반응 체적의 53.5%를 차지하며, 상기 제 3 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내의 전체 반응 체적의 1.5%를 차지한다.
더 나아가, 전술한 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 공정에서, 상기 제 1 마이크로 인터페이스 생성기는 공압식이고, 상기 제 2 마이크로 인터페이스 생성기는 유압식이다.
기존 기술과 비교하여, 본 발명의 유익한 효과는, 본 발명에서 제공하는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템 및 공정은 PX로 PTA를 생성하는 4 단계 반응의 속도 차이를 고려하여, 단계적인 반응 이념을 적용하여 반응기 내부를 3개의 서로 다른 반응 영역으로 구분하고 각 반응영역에서 서로 다른 반응 단계가 실행됨으로써 동일한 반응기 내에서 서로 다른 반응 단계에 서로 다른 조건을 부여하여, 아세트산 용매가 고온 산화 조건을 견딜 수 없는 문제를 해결하였으며, p-TA 산화 반응의 용매로 물을 사용하여, 기존 기술에 따른 PX로 PTA를 생성하는 과정에서 반응 용매인 아세트산이 고온 고압 하에서 대량으로 낭비되고 제품 TA를 적시에 꺼낼 수 없는 문제를 효과적으로 해결하였으며, 에너지 소비를 대폭 줄이고 아세트산 용매를 절약하며, 반응 효율을 향상시켰다.
특히, 본 발명에 따른 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템 및 공정에 의하면, 반응기 내부의 각 반응 영역에 마이크로 인터페이스 생성기를 배치하여, 각 반응기 내부에서 공기를 파쇄함으로써 직경이 1μm 이상, 1mm 미만인 미세 기포로 파쇄되어 액상 물질과 함께 에멀젼을 형성하며, 공기와 액상 물질 사이의 물질 전달 면적을 효과적으로 증가시키고, 액체막의 두께를 감소시키고 물질 전달 저항을 감소시키며, 에너지 소비를 효과적으로 줄이고 반응 효율을 향상시켰다.
더 나아가, 본 발명에 따른 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템 및 공정에 의하면, 순환 열교환 장치를 배치함으로써, 반응이 진행되는 과정에 반응과정의 온도를 효과적으로 제어하고, 반응기 내부의 다양한 반응 물질 사이의 혼합의 균일성을 보장하고, 반응물 각각이 충분히 반응에 참여할 수 있도록 보장하여, 반응물의 이용률을 크게 향상시키는 동시에, 국부 온도가 고르지 않아 발생하는 부반응을 방지하여 생성물의 품질을 어느 정도 향상시킨다.
아래의 바람직한 실시예의 상세한 설명을 통해, 다양한 기타 이점 및 유익한 효과는 당업자에게 명백해질 것이다. 도면은 단지 바람직한 실시예를 설명하기 위한 목적으로만 사용되며 본 발명을 제한하는 것으로 간주되지 않는다. 전체 도면에서, 동일한 구성 요소를 나타내기 위해 동일한 참조 부호가 사용된다. 도면에서:
도 1은 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템의 개략적인 구조도이다.
도면에서: 10은 쉘, 11은 내부 탱크, 13은 제 1 반응 영역, 14는 제 2 반응 영역, 15는 제 3 반응 영역, 16은 파이프, 17은 방파 그리드, 18은 거품 제거망, 19는 공기 덕트, 20은 제 1 마이크로 인터페이스 생성기, 21은 제 2 마이크로 인터페이스 생성기, 121은 열교환기, 122는 압력 펌프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 본 발명의 예시적인 실시예가 도면에 도시되었지만, 본 발명은 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명되는 실시예에 의해 제한되어서는 안됨을 이해해야 한다. 반대로, 이러한 실시예는 본 발명의 내용을 보다 철저히 이해하고 본 발명의 범위를 당업자에게 완전히 전달하기 위해 제공된다. 본 발명의 실시예와 실시예의 특징은 충돌이 없는 경우 서로 결합될 수 있다는 점에 유의해야 한다. 이하, 도면을 참조하고 실시예를 결합하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템은 반응기와 상기 반응기 내부에 배치된 마이크로 인터페이스 장치를 포함하며, 여기서, 반응기는 쉘(10), 쉘(10) 내부에 배치된 내부 탱크(11) 및 순환 열교환 장치를 포함하고; 상기 내부 탱크(11)의 하단은 상기 쉘(10)의 내부 바닥면에 연결되고 상단은 개방되며; 상기 쉘(10)과 상기 내부 탱크(11) 사이의 영역은 제 1 반응 영역(13)이고, 상기 제 1 반응 영역(13)은 p-자일렌을 p-톨루 알데히드로, p-톨루 알데히드를 p-톨루산으로 전환(즉, PX로 PTA를 생성하는 처음 2개 단계의 산화 반응)하는 반응 영역이며, 상기 내부 탱크(11) 내부는 위에서 아래로 순차적으로 제 2 반응 영역(14) 및 제 3 반응 영역(15)이고, 상기 제 2 반응 영역(14)은 상기 p-톨루산을 p-카르복시 벤즈알데히드로 전환(즉, PX로 PTA를 생성하는 3번째 단계의 산화 반응)하는 반응 영역이며, 상기 제 3 반응 영역(15)은 상기 p-카르복시 벤즈알데히드를 테레프탈산으로 전환(즉, PX로 PTA를 생성하는 4번째 단계의 산화 반응)하는 반응 영역이며; 상기 순환 열교환 장치는 상기 내부 탱크 (11)와 상기 마이크로 인터페이스 장치에 각각 연결되며, 이는 열교환기(121)와 압력 펌프(122)가 파이프(16)를 통해 연결되어 형성되고, 반응 과정에서 온도를 효과적으로 제어하는 동시에, 반응기 내부의 각 반응 물질의 혼합 균일성을 보장하여 각 반응물이 반응에 충분히 참여할 수 있도록 하며, 이로써 반응물의 이용률을 크게 향상시키고, 동시에 국부 온도 불균형으로 인한 부반응의 발생을 방지하고 제품의 품질을 어느 정도 향상시킨다. 또한, 상기 쉘(10)의 상단부에는 배기 가스 채널이 구비되고, 바닥부에는 상기 제 3 반응 영역(15)의 반응 생성물인 테레프탈산을 꺼내기 위한 혼합 물질이 제공된다. 본 발명에서는 PX로 PTA를 생성하는 4단계 반응의 속도 차이를 고려하여, 단계적인 반응 이념을 적용하여 반응기 내부를 3개의 서로 다른 반응 영역, 즉 제 1 반응 영역, 제 2 반응 영역 및 제 3 반응 영역으로 구분하고 각 반응영역에서 서로 다른 반응 단계가 실행됨으로써, 동일한 반응기 내에서 서로 다른 반응 단계에 서로 다른 조건을 부여하여, 아세트산 용매가 고온 산화 조건을 견딜 수 없는 문제를 해결하였으며, p-TA 산화 반응의 용매로 물을 사용하여, 기존 기술에 따른 PX로 PTA를 생성하는 과정에서 반응 용매인 아세트산이 고온 고압 하에서 대량으로 낭비되고 제품 TA를 적시에 꺼낼 수 없는 문제를 효과적으로 해결하였으며, 에너지 소비를 대폭 줄이고 아세트산 용매를 절약하며, 반응 효율을 향상시켰다.
본 실시예에서, 상기 반응기는 쉘(10), 상기 쉘(10) 내부에 동심으로 배치된 내부 탱크(11) 및 상기 쉘(10) 외부에 부분적으로 배치된 순환 열교환 장치를 포함하고, 상기 내부 탱크(11)의 하단은 폐쇄되게 상기 쉘(10) 의 내부 바닥면에 연결되고 상단은 오픈되어 있으며, 반응기의 축 방향에서 상향으로 상기 쉘(10) 높이의 4/5 위치까지 연장되고, 상기 쉘(10)과 상기 내부 탱크(11) 사이의 환형 영역은 PX로 PTA를 생성하는 첫 2개 단계 산화반응을 진행하는 제 1 반응 영역(13)이고, 상기 제 1 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내의 전체 반응 체적의 45 %를 차지하고, 상기 내부 탱크(11) 내부는 위에서 아래로 순차적으로 PX로 PTA를 생성하는 제 3 단계 산화반응을 진행하는 제 2 반응 영역(14)과 PX로 PTA를 생성하는 제 4 단계 산화반응을 진행하는제 3 반응 영역(15)이며, 상기 제 2 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내의 전체 반응 체적의 53.5%를 차지하며, 상기 제 3 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내의 전체 반응 체적의 1.5%를 차지하고, 2개 영역 사이에는 방파 그리드(17)가 배치되며; 상기 순환 열교환 장치는 상기 내부 탱크(11)와 상기 마이크로 인터페이스 장치에 각각 연결되고, 이는 열교환기(121)와 압력 펌프(122)가 파이프(16)를 통해 연결되어 형성되며, 반응 과정에서 온도를 효과적으로 제어하는 동시에, 이와 연결된 제 2 마이크로 인터페이스 생성기에 동력을 제공하여 반응기 내부의 각 반응 물질의 혼합 균일성을 보장하여 각 반응물이 반응에 충분히 참여할 수 있도록 하며, 이로써 반응물의 이용률을 크게 향상시키고, 동시에 국부 온도 불균형으로 인한 부반응의 발생을 방지하고 제품의 품질을 어느 정도 향상시킨다. 또한, 상기 쉘(10) 상부에는 거품 제거망(18)이 배치되며, 상단부에는 배기 가스 채널이 배치되고, 바닥부에는 상기 제 3 반응 영역(15)에서의 반응 생성물인 테레프탈산을 꺼내기 위한 혼합 물질이 구비된다. 본 실시예에서는 PX로 PTA를 생성하는 4개 단계 반응의 속도 차이를 고려하여, 단계적인 반응 이념을 적용하여 반응기 내부를 3개의 서로 다른 반응 영역으로 구분하고, 각 반응영역에서 서로 다른 반응 단계가 실행됨으로써, 동일한 반응기 내에서 서로 다른 반응 단계에 서로 다른 조건을 부여하여, 서로 다른 반응 단계의 반응 난이도 도는 반응 시간에 따라 각 반응 영역의 반응 체적을 결정함으로써, PX로 PTA를 생성하는 과정의 각 반응이 모두 충분히 진행되도록 하며, 이로써 아세트산 용매가 고온 산화 조건을 견딜 수 없는 문제를 해결함과 동시에, 각 반응 영역의 반응 효율을 대폭 향상시키고, 최종으로 생성물의 수율을 효과적으로 향상시킨다.
마이크로 인터페이스 장치는 제 1 마이크로 인터페이스 생성기(20)과 제 2 마이크로 인터페이스 생성기(21)를 포함하고, 상기 제 1 마이크로 인터페이스 생성기(20)는 각각 상기 제 1 반응 영역(13), 제 2 반응 영역(14) 및 제 3 반응 영역(15)의 바닥부에 배치되어, 반응기 내부의 각 반응기 영역 내에서 반응 원료인 공기를 직경 1μm 이상, 1mm 미만의 미세 기포로 파쇄함으로써, 다양한 반응 단계에 반응 원료를 제공하는데 사용되며; 상기 제 2 마이크로 인터페이스 생성기(21)는 상기 제 2 반응 영역(14)의 상단에 배치되고, 제 2 반응 영역(14)의 바닥부에 배치된 제 1 마이크로 인터페이스 생성기(20)와 마주보게 배치되며, 상기 순환 열교환 장치에 의해 이송된 상기 제 2 반응 영역(14) 내부 반응액의 동력 작용하에 상기 반응기 상단에 집합된 미 반응 공기를 그 내부로 흡입하여 상기 미세 기포로 파쇄하는데 사용된다. 마이크로 인터페이스 생성기의 특정 구조는 본 발명자의 선행 특허, 예를 들어 공개 번호 CN106215730A인 특허에 의해 구현되었으며, 마이크로 인터페이스 생성기의 핵심은 기포의 파쇄에 있으며, 이에 대해 여기서는 설명을 생략한다.
마이크로 인터페이스 생성기(4)의 반응 메커니즘 및 제어 방법에 관해서는 본 발명자의 선행 특허 CN107563051B에 이미 개시되어 있으며, 여기서는 설명을 생략한다. 본 발명에서는 반응기 내부의 각 반응 영역에 마이크로 인터페이스 생성기를 배치함으로써 각 반응 영역 내부에서 공기를 직경 1μm 이상, 1mm 미만의 미세 기포로 파쇄하여 액상 물질과 함께 에멀젼을 형성하여, 공기와 액상 물질 사이의 물질 전달 면적을 효과적으로 증가시키고 액체막의 두께를 줄이며 물질 전달 저항을 감소시켜 에너지 소비를 효과적으로 줄이고 반응 효율을 향상시킨다.
본 실시예에서, 제 1 마이크로 인터페이스 생성기(20)와 제 2 마이크로 인터페이스 생성기(21), 상기 제 1 마이크로 인터페이스 생성기 (20)는 공압식 마이크로 인터페이스 생성기이며, 각각 상기 제 1 반응 영역(13), 제 2 반응 영역(14) 및 제 3 반응 영역(15)의 바닥부에 배치되고, 반응기 내부의 각 반응기 영역내에서 반응 원료로 사용되는 공기를 직경 1μm 이상, 1mm 미만의 미세 기포로 파쇄하는데 사용되며, 상이한 단계의 반응에 반응 원료를 제공한다; 상기 제 2 마이크로 인터페이스 생성기(21)는 유압식 마이크로 인터페이스 생성기이며, 각각 제 2 반응 영역(14)의 상단에 배치되고 제 2 반응 영역(14)의 바닥부에 배치된 제 1 마이크로 인터페이스 생성기(20)와 서로 마주보며, 상기 순환 열교환 장치에 의해 이송되는 상기 제 2 반응 영역(14) 내부 반응액의 동력 작용하에 상기 반응기 상단에 집합된 미 반응 공기를 그 내부로 흡입하여 상기 미세 기포로 파쇄한다. 실시예에서, 반응기 내부의 각 반응 영역에 마이크로 인터페이스 생성기를 배치함으로써, 각 반응 영역 내부에서 공기를 직경이 1μm 이상, 1 mm 미만인 미세 기포로 파쇄하여 액상 물질과 함께 에멀젼을 형성하여, 공기와 액상 물질 사이의 물질 전달 면적을 효과적으로 증가시키고 액체막의 두께를 줄이며 물질 전달 저항을 감소시켜 에너지 소비를 효과적으로 줄이고 반응 효율을 향상시킨다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에서 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템의 작동 과정은 다음과 같다:
먼저, 원료인 p-자일렌, 아세트산 및 촉매(코발트 아세테이트, 망간 아세테이트, 브롬화 수소산)의 혼합물이 반응기 하단을 통해 반응기의 쉘(10)과 내부 탱크(11) 사이의 제 1 반응 영역(13)의 내부(해당 영역의 체적은 반응기 내부 총 반응 체적의 45 %를 차지하며, 이렇게 설정된 출발점은 PX로 PTA를 생성하는 첫 2개 반응에 필요한 시간이 약 전체 4단계 반응 총 시간의 45 %를 차지하기 때문)로 투입된다. 동시에, 공기는 반응기의 제 1 반응 영역(13) 바닥부의 제 1 마이크로 인터페이스 생성기(20) 내부로 투입되어, 직경이 1μm 이상, 1 mm 미만인 미세 기포로 파쇄되며, 해당 영역의 액상 물질과 혼합되어 에멀젼을 형성하여 공기와 액상 반응 물질 사이의 접촉 면적을 효과적으로 증대시켜, 해당 영역 내 반응을 촉진시킨다. 해당 영역 내에서는 PX로 PTA를 생성하는 첫 2개 단계의 반응이 진행되는 바, 즉 p-자일렌을 p-톨루 알데히드로 전환하고, p-톨루 알데히드를 p-톨루산으로 전환하며, 내부 탱크 내부까지 넘치며, 미 반응 가스는 액체 표면 (파상선)을 떠나 기포 제거망(18)을 통과하여 반응기의 상부로 상승한다. 해당 영역에서, 유체는 안정적인 플러그 흐름을 나타내며, 주로 1 단계 반응 PX→TALD 및 2 단계 반응 TALD→p-TA를 완료한다.
그 후, 상기 내부 탱크 상부에 배치된 제 2 반응 영역 바닥부의 제 1마이크로 인터페이스 생성기를 이용하여 해당 영역에 상기 미세 기포로 파쇄된 공기를 도입하며, 해당 영역의 액상 물질과 혼합되어 에멀젼을 형성하며, 상기 촉매의 작용하에 혼합액 중의 p-톨루산과 반응하여 p-카르복시 벤즈알데히드를 생성한다. 그 중, 미 반응 가스는 액체 표면(파상선)을 떠나 기포 제거망(18)을 통과하여 반응기의 상부로 상승하며, 미 반응 공기는 액체 표면을 떠나 상기 반응기의 상부로 상승하고, 순환 열교환 장치의 동력 작용하에 상기 제 2 반응 영역(14)의 상부에 배치된 제 2 마이크로 인터페이스 생성기(21)의 흡입 작용에 의해, 공기 덕트 (19)를 통해 내부 탱크(11) 내부의 상부에 위치한 제 2 반응 영역(14)의 바닥부로 이송되어 반응에 계속 참여하며, 수차의 사이클을 경과한 후, 압력의 푸시하에, 배기 가스는 상기 반응기 상단 출구로부터 배기 가스 처리 유닛으로 투입됨으로써 공기 중의 산소의 이용률을 향상시킬 수 있다. 해당 영역에서, 위아래로 대향하는 두 개의 마이크로 인터페이스 생성기(제 1 마이크로 인터페이스 생성기(20) 및 제 2 마이크로 인터페이스 생성기(21))는 제 3 단계 반응인 p-TA→4-CBA (이 단계는 반응 속도가 가장 느리기 때문에 완전 혼합 흐름의 효과를 발생하여 물질 전달을 향상시키고 반응을 가속화해야 한다. 동시에, 해당 영역의 체적은 반응기 내 총 반응 체적의 53.5 %를 차지하며, 이유는 위와 같음)를 진행하기 위해 격렬한 완전 혼합 흐름이 발생해야 한다. 동시에, 해당 영역 내의 물질은 반응기 외부의 순환 열교환 장치를 통해 온도 제어를 진행하며, 제 2 반응 영역(14)에서 제 2 마이크로 인터페이스 생성기(21)에 의해 발생된 기포는 아래로 이동하고, 제 1 마이크로 인터페이스 생성기(20)에서 생성된 기포는 아래로 이동하여 양자는 격렬하게 충돌함으로써 유체의 난기류를 강화하고 더 작은 기포를 생성하며 기체와 액체 두가지 상의 접촉 면적을 더욱 증가시키고 물질 전달 및 반응을 가속화한다.
마지막으로, 제 2 반응 영역(14)의 생성물은 방파 그리드(17)를 통해 제 3 반응 영역(15)으로 투입(해당 영역의 체적은 반응기 내부 전체 반응 체적의 1.5 %를 차지하고 그 이유는 위와 동일함)되며, 방파 그리드(17)의 작용하에, 해당 영역은 다시 플러그 흐름으로 전환되고, 제 4 단계의 반응인 4-CBA→TA가 수행된다. 즉, p-카르복시 벤즈알데히드가 테레프탈산으로 전환된다. 공기는 해당 반응 영역 하부의 제 1 마이크로 인터페이스 생성기(20)를 통해 해당 반응 영역으로 투입되어 산화 반응을 진행한다. 반응 생성물(테레프탈산 TA)은 미 반응 PX, 용매, 촉매 및 부산물 등과 함께 반응기 하단의 출구 파이프를 통해 배출되고, 후속의 분리 및 정제 섹션으로 투입된다.
본 발명에서 제공하는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템 및 공정은 PX로 PTA를 생성하는 4 단계 반응의 속도 차이를 고려하여, 단계적인 반응 이념을 적용하여 반응기 내부를 3개의 서로 다른 반응 영역으로 구분하고 각 반응영역에서 서로 다른 반응 단계가 실행됨으로써 동일한 반응기 내에서 서로 다른 반응 단계에 서로 다른 조건을 부여하여, 아세트산 용매가 고온 산화 조건을 견딜 수 없는 문제를 해결하였으며, p-TA 산화 반응의 용매로 물을 사용하여, 기존 기술에 따른 PX로 PTA를 생성하는 과정에서 반응 용매인 아세트산이 고온 고압 하에서 대량으로 낭비되고 제품 TA를 적시에 꺼낼 수 없는 문제를 효과적으로 해결하였으며, 에너지 소비를 대폭 줄이고 아세트산 용매를 절약하며, 반응 효율을 향상시켰다.
특히, 본 발명에 따른 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템 및 공정에 의하면, 반응기 내부의 각 반응 영역에 마이크로 인터페이스 생성기를 배치하여, 각 반응기 내부에서 공기를 파쇄함으로써 직경이 1μm 이상, 1mm 미만인 미세 기포로 파쇄되어 액상 물질과 함께 에멀젼을 형성하며, 공기와 액상 물질 사이의 물질 전달 면적을 효과적으로 증가시키고, 액체막의 두께를 감소시키고 물질 전달 저항을 감소시키며, 에너지 소비를 효과적으로 줄이고 반응 효율을 향상시켰다.
더 나아가, 본 발명에 따른 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템 및 공정에 의하면, 순환 열교환 장치를 배치함으로써, 반응이 진행되는 과정에 반응과정의 온도를 효과적으로 제어하고, 반응기 내부의 다양한 반응 물질 사이의 혼합의 균일성을 보장하고, 반응물 각각이 충분히 반응에 참여할 수 있도록 보장하여, 반응물의 이용률을 크게 향상시키는 동시에, 국부 온도가 고르지 않아 발생하는 부반응을 방지하여 생성물의 품질을 어느 정도 향상시킨다.
당연히, 당업자는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 전제하에본 발명에 대해 다양한 변경 및 수정을 실행할 수 있다. 만일 본 발명의 이러한 수정 및 변경이 본 발명의 청구 범위 및 그 동등한 기술의 범위 내에 속한다면, 본 발명은 또한 이러한 수정 및 변경을 포함하도록 의도된다.

Claims (10)

  1. PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템에 있어서,
    반응기와 상기 반응기 내부에 배치된 마이크로 인터페이스 장치를 포함하며,
    상기 반응기는 쉘, 상기 쉘 내부에 동심으로 배치된 내부 탱크 및 상기 쉘 외부에 부분적으로 배치된 순환 열교환 장치를 포함하며, 상기 내부 탱크의 하단은 폐쇄되게 상기 쉘의 내부 바닥면에 연결되고 상단은 상기 반응기의 상단으로 연장되고, 상기 쉘과 상기 내부 탱크 사이의 영역은 제 1 반응 영역이고, 상기 내부 탱크 내부는 위에서 아래로 순차적으로 제 2 반응 영역과 제 3 반응 영역이며, 상기 순환 열교환 장치는 상기 내부 탱크와 상기 마이크로 인터페이스 장치에 각각 연결되며;
    상기 마이크로 인터페이스 장치는 제 1 마이크로 인터페이스 생성기와 제 2 마이크로 인터페이스 생성기를 포함하고, 상기 제 1 마이크로 인터페이스 생성기는 각각 상기 제 1 반응 영역, 제 2 반응 영역 및 제 3 반응 영역의 바닥부에 배치되어, 반응 원료로 사용되는 공기를 직경이 1μm 이상 1mm 미만인 미세 기포로 분해시키며, 상기 제 2 마이크로 인터페이스 생성기는 상기 제 2 반응 영역의 상단에 배치되고, 제 2 반응 영역의 바닥부에 배치된 제 1 마이크로 인터페이스 생성기와 서로 마주보며, 상기 순환 열교환 장치에 의해 이송되는 상기 제 2 반응 영역 내부의 반응액의 동력의 작용하에, 상기 반응기 상단에 집합된 미 반응 공기를 그 내부로 흡입하여 상기 미세 기포로 분해하는 것을 특징으로 하는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제 1 반응 영역은 p-자일렌을 p-톨루 알데히드로, p-톨루 알데히드를 p-톨루산으로 전환하는 반응 영역이고, 상기 제 2 반응 영역은 상기 p-톨루산을 p-카르복시 벤즈알데히드로 전환하는 반응 영역이며, 상기 제 3 반응 영역은 p-카르복시 벤즈알데히드를 테레프탈산으로 전환하는 반응 영역인 것을 특징으로 하는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 내부 탱크의 높이는 상기 쉘 높이의 4/5인 것을 특징으로 하는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제 1 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내 전체 반응 체적의 45 %를 차지하는 것을 특징으로 하는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제 2 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내 전체 반응 체적의 53.5%를 차지하는 것을 특징으로 하는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제 3 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내 전체 반응 체적의 1.5%를 차지하는 것을 특징으로 하는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제 1 마이크로 인터페이스 생성기는 공압식이고, 상기 제 2 마이크로 인터페이스 생성기는 유압식인 것을 특징으로 하는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 시스템.
  8. PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 공정에 있어서,
    p-자일렌, 아세트산 및 촉매의 혼합물을 반응기 하단을 통해 반응기 쉘과 내부 탱크 사이의 제 1 반응 영역에 투입시킴과 동시에, 공기를 상기 제 1 반응 영역의 바닥부에 배치된 마이크로 인터페이스 생성기 내부로 통과시킴으로써, 직경이 1μm 이상, 1mm 미만의 미세 기포로 파쇄시켜, 액상 물질과 함께 에멀젼을 형성하고, 상기 촉매의 작용하에 p-자일렌을 p-톨루 알데히드로 전환시킴과 동시에, p-톨루 알데히드를 p-톨루산으로 전환시키며, 그 중에서 미 반응된 상기 공기는 액체 표면을 떠나 상기 반응기의 상측으로 상승하는 단계;
    제 1 반응 영역 내의 상술한 반응이 계속 진행됨에 따라, 반응 혼합액은 상기 제 1 반응 영역에서 상기 내부 탱크로 넘쳐 흐름과 동시에, 상기 내부 탱크 상부에 배치된 제 2 반응 영역의 바닥부에 위치한 제 1 마이크로 인터페이스 생성기를 통해 해당 영역으로 상기 미세 기포로 파쇄된 공기를 통과시키며, 상기 촉매의 작용하에, 혼합액 중의 상기 p-톨루산과 반응하여 p-카르복시 벤즈알데히드를 생성하고, 그 중에서 미 반응 공기는 액체 표면을 떠나 상기 반응기의 상측으로 상승하며, 순환 열교환 장치의 동력 작용하에, 상기 제 2 반응 영역의 상부에 배치된 제 2 마이크로 인터페이스 생성기의 흡입 작용에 의해, 공기 덕트를 통해 해당 영역 바닥부로 이송되어 상기 p-카르복시 벤즈알데히드의 생성 반응에 계속 참여하는 단계;
    상기 제 2 반응 영역 내에서 반응에 의해 생성된 상기 p-카르복시 벤즈알데히드는 방파 그리드를 통과하여 해당 영역 하단의 제 3 반응 영역으로 이동하고, 해당 영역 바닥부에 배치된 제 1 마이크로 인터페이스 생성기에 의해 연통된 상기 미세 기포와 상기 촉매의 작용하에 산화 반응을 일으켜 테레프탈산을 생성하고, 미 반응 혼합물은 상기 반응기 하부 출구를 통해 배출되어 후속의 분리 및 정제 섹션으로 투입되는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 공정.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제 1 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내의 전체 반응 체적의 45 %를 차지하고, 상기 제 2 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내의 전체 반응 체적의 53.5%를 차지하며, 상기 제 3 반응 영역의 체적은 상기 반응기 내의 전체 반응 체적의 1.5%를 차지하는 것을 특징으로 하는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 공정.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제 1 마이크로 인터페이스 생성기는 공압식이고, 상기 제 2 마이크로 인터페이스 생성기는 유압식인 것을 특징으로 하는 PX로 PTA를 생성하는 내장 마이크로 인터페이스 장치 강화 반응 공정.
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