KR20210117164A - 표시 장치 - Google Patents

Abstract

표시 장치는 표시 영역 및 표시 영역과 인접하여 위치하는 비표시 영역을 갖는 기판, 기판 상의 표시 영역에 배치되는 복수의 화소열들 및 기판 상의 비표시 영역에 배치되고, 복수의 점등 검사 트랜지스터들을 포함하며, 화소열들에 점등 검사 전압을 제공하는 점등 검사 회로부를 포함한다. 점등 검사 트랜지스터들 각각은 기판 상의 비표시 영역에 배치되고, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 갖는 액티브 패턴, 액티브 패턴 상의 채널 영역에 배치되는 게이트 전극, 게이트 전극을 커버하고, 액티브 패턴의 소스 영역의 일부를 노출시키며 게이트 전극의 제1 측면으로부터 7 um 이상 이격되어 위치하는 제1 콘택홀을 포함하는 층간 절연층 및 제1 콘택홀을 통해 액티브 패턴의 소스 영역과 접촉하는 소스 전극을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 자세하게는, 본 발명은 표시 품질이 향상된 표시 장치에 관한 것이다.

유기 발광 표시 장치는 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 얇은 두께, 낮은 소비 전력 등의 장점을 가지고 있기 때문에, 최근 중점적으로 개발되고 있다.

한편, 점등 검사를 통해 표시 장치가 손상되었는지 여부(예를 들어, 배선, 화소 등이 손상되었는지 여부 등)가 검출될 수 있다. 이 경우, 점등 검사를 위한 점등 검사 트랜지스터가 표시 장치에 형성되는데, 표시 장치의 제조 공정에서 발생되는 정전기에 의해 점등 검사 트랜지스터에 절연 파괴 현상(breakdown)이 발생될 수 있다. 절연 파괴 현상이 발생하게 되면, 절연층이 절연성을 잃고 도전성을 갖게 되며, 점등 검사 트랜지스터에서 단락(short) 현상이 발생될 수 있다. 표시 장치의 구동 시, 데이터 전압이 점등 검사 트랜지스터를 통해 화소로 제공되므로, 상기 단락 현상에 의해 표시 장치의 표시 품질이 저하될 수 있다.

본 발명의 목적은 표시 품질이 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.

다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적으로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.

본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역과 인접하여 위치하는 비표시 영역을 갖는 기판, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 복수의 화소열들 및 상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 배치되고, 복수의 점등 검사 트랜지스터들을 포함하며, 상기 화소열들에 점등 검사 전압을 제공하는 점등 검사 회로부를 포함하고, 상기 점등 검사 트랜지스터들 각각은 상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 배치되고, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 갖는 액티브 패턴, 상기 액티브 패턴 상의 상기 채널 영역에 배치되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 커버하고, 상기 액티브 패턴의 상기 소스 영역의 일부를 노출시키며 상기 게이트 전극의 제1 측면으로부터 7 um 이상 이격되어 위치하는 제1 콘택홀을 포함하는 층간 절연층 및 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 액티브 패턴의 상기 소스 영역과 접촉하는 소스 전극을 포함할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 층간 절연층은 상기 액티브 패턴의 상기 드레인 영역의 일부를 노출시키며 상기 게이트 전극의 제2 측면으로부터 7 um 이상 이격되어 위치하는 제2 콘택홀을 더 포함하고, 상기 점등 검사 트랜지스터들 각각은 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 액티브 패턴의 상기 드레인 영역과 접촉하는 드레인 전극을 더 포함할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 게이트 전극의 상기 제1 측면으로부터 상기 제1 콘택홀이 이격된 거리와 상기 게이트 전극의 상기 제2 측면으로부터 상기 제2 콘택홀이 이격된 거리는 동일할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 게이트 전극의 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이의 길이는 3 um 내지 4 um일 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 콘택홀과 상기 제2 콘택홀 사이의 거리는 17 um 이상일 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 점등 검사 트랜지스터들 각각은 상기 기판과 상기 층간 절연층 사이에 개재되고, 상기 액티브 패턴을 커버하는 게이트 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 콘택홀들 각각은 상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 액티브 패턴의 상기 소스 및 드레인 영역들의 각각의 일부를 노출시킬 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 배치되고, 데이터 전압을 생성하는 데이터 구동부를 더 포함하고, 상기 점등 검사 회로부는 상기 화소열들과 상기 데이터 구동부 사이에 배치될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 기판 상의 상기 비표시 영역에서 상기 점등 검사 회로부와 상기 화소열들 사이에 배치되는 디멀티플렉서를 더 포함하고, 상기 디멀티플렉서는 상기 데이터 구동부로부터 상기 데이터 전압을 수신하여 상기 데이터 전압을 상기 화소열들에 제공할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 소스 전극은 상기 데이터 구동부와 인접하여 위치하고, 상기 드레인 전극은 상기 디멀티플렉서와 인접하여 위치할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 배치되며, 상기 점등 검사 회로부와 전기적으로 연결되고, 상기 점등 검사 전압의 전압 레벨을 측정하는 정전기 방지 회로부를 더 포함하고, 상기 정전기 방지 회로부가 상기 점등 검사 전압의 전압 레벨을 기설정된 전압 레벨보다 높은 것으로 측정하는 경우, 상기 점등 검사 전압이 상기 점등 검사 트랜지스터들로 제공되지 않을 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 점등 검사 트랜지스터들 각각의 상기 게이트 전극의 상기 제1 측면으로부터 상기 제1 콘택홀이 이격되는 최대 거리는 상기 기설정된 전압에 대응하여 결정될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 화소열들은 제1 색을 표시하는 제1 화소 및 제2 색을 표시하는 제2 화소가 반복적으로 배열되는 제1 화소열, 제3 색을 표시하는 제3 화소가 배열되는 제2 화소열 및 상기 제2 화소 및 상기 제1 화소가 반복적으로 배열되는 제3 화소열을 포함할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 점등 검사 회로부는 상기 제1 화소열 및 상기 제3 화소열에 포함되는 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소에 교번하여 상기 점등 검사 전압을 인가할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 점등 검사 트랜지스터들은 제1 점등 검사 트랜지스터, 제2 점등 검사 트랜지스터 및 제3 점등 검사 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 및 제2 점등 검사 트랜지스터들은 상기 제1 화소열 및 상기 제3 화소열에 전기적으로 연결되며, 상기 제3 점등 검사 트랜지스터는 상기 제2 화소열에 전기적으로 연결될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 점등 검사 전압은 제1 점등 검사 전압, 제2 점등 검사 전압 및 제3 점등 검사 전압을 포함하고, 상기 제1 점등 검사 트랜지스터는 제1 검사 제어 신호에 기초하여 상기 제1 화소에 상기 제1 점등 검사 전압을 제공하며, 상기 제2 점등 검사 트랜지스터는 제2 검사 제어 신호에 기초하여 상기 제2 화소에 상기 제2 점등 검사 전압을 제공하고, 상기 제3 점등 검사 트랜지스터는 제3 검사 제어 신호에 기초하여 상기 제3 화소에 상기 제3 점등 검사 전압을 제공할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 화소열들에 제공되는 데이터 전압을 생성하는 데이터 구동부, 상기 화소열들에 제공되는 스캔 신호를 생성하는 게이트 구동부 및 상기 데이터 구동부 및 상기 게이트 구동부를 제어하는 제어 신호를 생성하는 타이밍 제어부를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 7 um 이상의 제1 거리를 갖는 점등 검사 트랜지스터를 포함할 수 있다. 그에 따라, 점등 검사 트랜지스터의 전하 이동도가 낮아질 수 있고, 상기 표시 장치의 제조 공정에서 발생되는 정전기에 의한 절연 파괴 현상이 발생되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 표시 장치는 점등 검사를 수행할 수 있고, 점등 검사를 통해 상기 표시 장치가 손상되었는지 여부(예를 들어, 배선, 화소 등이 손상되었는지 여부 등)가 검출될 수 있다. 또한, 점등 검사 트랜지스터가 단락되지 않을 수 있으므로, 상기 표시 장치의 구동 시 표시 품질이 향상될 수 있다.

다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.

도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 표시 장치를 나타내는 회로도이다.
도 5는 도 3의 표시 장치에 포함되는 점등 검사 트랜지스터를 설명하기 위한 평면도이다.
도 6은 도 5의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 도 3의 표시 장치의 블록도이다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 1 및 도 2는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면들이다.

도 1 및 2를 참조하면, 모기판(10)에는 도 3의 표시 장치(1000)가 각기 형성될 복수의 셀 영역들(40)이 격자 형상으로 배열될 수 있다. 모기판(10)이 복수의 개구들이 형성된 마스크(20)와 정렬된 후, 증착원(30)으로부터 증착 물질(31)이 상기 개구들을 통과하여 모기판(10)의 셀 영역(40)에 증착될 수 있다. 여기서, 셀 영역(40)은 도 3의 표시 영역(DA) 및 도 3의 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착 물질(31)은 표시 영역(DA)에 배치되는 화소(예를 들어, 도 3의 PX)에 포함되는 유기 물질일 수 있다. 이 경우, 표시 영역(DA)에는 상기 유기 물질의 하부에 배치되는 화소 트랜지스터들이 배치될 수 있고, 비표시 영역(NDA)에는 상기 화소의 점등 검사를 위한 점등 검사 트랜지스터들(예를 들어, 도 4의 TR1, TR2 또는 TR3)이 배치될 수 있다. 이 때, 모기판(10)과 마스크(20)를 일렬로 정렬하는 과정에서, 모기판(10)의 중앙부(A)가 처질 수 있다. 모기판(10)의 중앙부(A)가 처짐에 따라, 모기판(10)의 중앙부(A)는 마스크(20)에 가까워지거나 또는 접촉하게 될 수 있다. 이 경우, 금속으로 형성된 마스크(20)와 가까워지거나 또는 접촉하게 된 모기판(10)의 중앙부(A)에서 정전기가 발생할 수 있으며, 이로 인해 중앙부(A)에 위치하는 상기 점등 검사 트랜지스터가 손상될 수 있다. 예를 들어, 모기판(10)을 마스크(20)와 일렬로 정렬시키기 위해, 모기판(10)의 정렬 속도를 대략 300mm/s로 설정하고 모기판(10)과 마스크(20) 사이의 거리를 대략 5mm로 설정할 수 있다. 이 경우, 모기판(10)의 중앙부(A)에서 대략 500V의 전압 레벨을 갖는 정전기가 발생할 수 있다. 이로 인해 모기판(10)의 중앙부(A)에 위치하는 셀 영역들(40)에서 제조된 표시 장치(1000)의 상기 점등 검사 트랜지스터에 절연 파괴 현상(breakdown)이 발생될 수 있다. 절연 파괴 현상이 발생하게 되면, 상기 점등 검사 트랜지스터에 포함되는 절연층(예를 들어, 도 6의 게이트 절연층(250) 또는 층간 절연층(270))이 절연성을 잃고 도전성을 갖게 되며, 상기 점등 검사 트랜지스터에서 단락(short) 현상이 발생될 수 있다. 표시 장치(1000)의 구동 시, 데이터 전압이 상기 점등 검사 트랜지스터를 통해 상기 화소로 제공되므로, 상기 단락 현상에 의해 표시 장치(1000)의 표시 품질이 저하될 수 있다.

도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다. 예를 들면, 도 1 및 2에 도시된 복수의 셀 영역들(40) 각각에 표시 장치(1000)가 형성될 수 있고, 셀 컷팅을 수행하여 표시 장치(1000)가 모기판(10)으로부터 분리될 수 있다.

도 3을 참조하면, 표시 장치(1000)는 기판(100), 데이터 라인들(DL), 복수의 화소열들(110, 120, 130), 점등 검사 회로부(200), 디멀티플렉서(300), 데이터 구동부(400) 및 정전기 방지 회로부(500)를 포함할 수 있다. 기판(100)은 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)과 인접하여 위치하는 비표시 영역(NDA)을 가질 수 있다.

데이터 라인들(DL)은 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 데이터 라인들(DL)은 열 방향으로 연장되고, 상기 열 방향에 수직하는 행 방향으로 나란히 배열될 수 있다. 데이터 라인들(DL)은 화소열들(110, 120, 130)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다.

화소열들(110, 120, 130)은 데이터 라인들(DL)과 평행하게 배치될 수 있다. 화소열들(110, 120, 130) 각각은 화소들(PX)을 포함할 수 있고, 표시 장치(1000)의 점등 검사 시, 화소들(PX)은 데이터 라인들(DL)을 통해 제공되는 점등 검사 전압에 응답하여 발광할 수 있다.

일 실시예에서, 화소열들(110, 120, 130)은 제1 화소열(110), 제2 화소열(120) 및 제3 화소열(130)을 포함할 수 있다. 제1 화소열(110)은 제1 색을 표시하는 제1 화소(R) 및 제2 색을 표시하는 제2 화소(B)를 포함하고, 제1 화소(R)와 제2 화소(B)가 반복적으로 배열될 수 있다. 제2 화소열(120)은 제3 색을 표시하는 제3 화소(G)를 포함할 수 있고, 제3 화소(G)가 반복적으로 배열될 수 있다. 제3 화소열(130)은 제1 화소(R) 및 제2 화소(B)를 포함하고, 제1 화소(R)와 제2 화소(B)가 반복적으로 배열될 수 있다. 이 때, 제3 화소열(130)에 포함되는 제1 화소(R) 및 제2 화소(B)는, 제1 화소열(110)에 포함되는 제1 화소(R) 및 제2 화소(B)와 반대 순서로 배열될 수 있다. 예를 들어, 제1 색은 적색이고, 제2 색은 청색이며, 제3 색은 녹색일 수 있다.

일 실시예에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에는 제1 화소열(110), 제2 화소열(120), 제3 화소열(130) 및 제2 화소열(120)이 반복적으로 배치될 수 있다. 한편, 화소열들(110, 120, 130)이 배치되는 순서는 이에 한정되지 아니하며, 또한 도 3에서는 8개의 화소열들(110, 120, 130)을 도시하였으나, 화소열들(110, 120, 130)이 배치되는 개수는 이에 한정되지 아니한다.

점등 검사 회로부(200)는 기판(100) 상의 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 점등 검사 회로부(200)는 표시 장치(1000)의 점등 검사 시 데이터 라인들(DL)을 통해 화소열들(110, 120, 130)에 점등 검사 전압을 제공할 수 있다.

일 실시예에서, 점등 검사 회로부(200)는 제1 화소열(110) 및 제3 화소열(130)에 포함되는 제1 화소(R) 및 제2 화소(B)에 교번하여 점등 검사 전압을 인가할 수 있다. 예를 들어, 점등 검사 회로부(200)는 제1 화소(R)를 발광시키는 제1 점등 검사 전압을 인가하여, 제1 화소(R)의 점등 불량을 검출할 수 있다. 이후, 점등 검사 회로부(200)는 제2 화소(B)를 발광시키는 제2 점등 검사 전압을 인가하여, 제2 화소(B)의 점등 불량을 검출할 수 있다.

일 실시예에서, 점등 검사 회로부(200)는 제2 화소열(120)에 포함되는 제3 화소(G)에 점등 검사 전압을 인가할 수 있다. 예를 들어, 점등 검사 회로부(200)는 제3 화소(G)를 발광시키는 제3 점등 검사 전압을 인가하여, 제3 화소의 점등 불량을 검출할 수 있다.

또한, 점등 검사 회로부(200)는 표시 장치(1000)의 구동 시 동작하지 않을 수 있다. 예를 들어 표시 장치(1000)의 구동 시, 표시 장치(1000)는 점등 검사 회로부(200)에 포함되는 점등 검사 트랜지스터를 턴오프시킬 수 있다.

디멀티플렉서(300)는 기판(100) 상의 비표시 영역(NDA)에서 점등 검사 회로부(200)와 화소열들(110, 120, 130) 사이에 배치될 수 있다. 디멀티플렉서(300)는 표시 장치(1000)의 구동 시 데이터 구동부(400)로부터 데이터 전압을 수신하여 데이터 라인들(DL)을 통해 화소열들(110, 120, 130)에 상기 데이터 전압을 인가할 수 있다.

데이터 구동부(400)는 상기 데이터 전압을 생성할 수 있고, 표시 장치(1000)의 구동 시 디멀티플렉서(300) 및 데이터 라인들(DL)을 통해 화소열들(110, 120, 130)로 상기 데이터 전압을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 데이터 구동부(400)는 기판(100) 상의 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 데이터 구동부(400)는 칩-온-필름(COF) 형태로 연성 인쇄 회로 기판(flexible printed circuit board FPCB) 상에 배치될 수도 있다.

정전기 방지 회로부(500)는 기판(100) 상의 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 정전기 방지 회로부(500)는 도 4를 참조하여 자세히 설명하기로 한다.

도 4는 도 3의 표시 장치를 나타내는 회로도이다.

도 3 및 4를 참조하면, 점등 검사 회로부(200)는 제1 내지 제3 점등 검사 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)을 포함할 수 있다. 표시 장치(1000)의 점등 검사 시, 제1 내지 제3 점등 검사 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)은 제1 내지 제3 화소들(R, G, B)에 점등 검사 전압을 제공할 수 있다. 이를 위해, 제1 및 제2 점등 검사 트랜지스터들(TR1, TR2)은 제1 화소열(110) 및 제3 화소열(130)에 전기적으로 연결되고, 제3 점등 검사 트랜지스터(TR3)는 제2 화소열(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)는 제1 검사 제어 신호(LCS_R)에 기초하여 제1 화소(R)에 제1 점등 검사 전압(LS_R)을 제공할 수 있다. 제1 검사 제어 신호(LCS_R)는 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)를 턴온 및 턴오프시키는 전압 레벨들을 가질 수 있고, 제1 점등 검사 전압(LS_R)은 제1 화소(R)을 발광시키는 전압 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 게이트 단자는 제1 검사 제어 신호(LCS_R)을 제공받고, 소스 단자는 제1 점등 검사 전압(LS_R)을 제공받으며, 드레인 단자는 제1 화소열(110) 또는 제3 화소열(130)로 제1 점등 검사 전압(LS_R)을 제공할 수 있다.

제2 점등 검사 트랜지스터(TR2)는 제2 검사 제어 신호(LCS_B)에 기초하여 제2 화소(B)에 제2 점등 검사 전압(LS_B)을 제공할 수 있다. 제2 검사 제어 신호(LCS_B)는 제2 점등 검사 트랜지스터(TR2)를 턴온 및 턴오프시키는 전압 레벨들을 가질 수 있고, 제2 점등 검사 전압(LS_B)은 제2 화소(B)을 발광시키는 전압 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 점등 검사 트랜지스터(TR2)의 게이트 단자는 제2 검사 제어 신호(LCS_B)을 제공받고, 소스 단자는 제2 점등 검사 전압(LS_B)을 제공받으며, 드레인 단자는 제1 화소열(110) 또는 제3 화소열(130)로 제2 점등 검사 전압(LS_B)을 제공할 수 있다.

제1 화소(R)는 제1 점등 검사 전압(LS_R)을 제공받아 발광할 수 있으며, 제2 화소(B)는 제2 점등 검사 전압(LS_B)을 제공받아 발광할 수 있다. 예를 들어, 제1 점등 검사 전압(LS_R)의 전압 레벨은 제2 점등 검사 전압(LS_B)의 전압 레벨보다 높을 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 점등 검사 회로부(200)는 제1 화소(R) 및 제2 화소(B)에 교번하여 점등 검사 전압을 인가할 수 있다. 이를 위해, 제1 검사 제어 신호(LCS_R)와 제2 검사 제어 신호(LCS_B)는 교번하여 제1 및 제2 점등 검사 트랜지스터들(TR1, TR2)에 각각 제공될 수 있다.

제3 점등 검사 트랜지스터(TR3)는 제3 검사 제어 신호(LCS_G)에 기초하여 제3 화소(G)에 제3 점등 검사 전압(LS_G)을 제공할 수 있다. 제3 검사 제어 신호(LCS_G)는 제3 점등 검사 트랜지스터(TR3)를 턴온 및 턴오프시키는 전압 레벨들을 가질 수 있고, 제3 점등 검사 전압(LS_G)은 제3 화소(G)을 발광시키는 전압 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 점등 검사 트랜지스터(TR3)의 게이트 단자는 제3 검사 제어 신호(LCS_G)을 제공받고, 소스 단자는 제3 점등 검사 전압(LS_G)을 제공받으며, 드레인 단자는 제2 화소열(120)로 제3 점등 검사 전압(LS_G)을 제공할 수 있다.

디멀티플렉서(300)는 복수의 제어 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 표시 장치(1000)의 구동 시, 상기 제어 트랜지스터들은 제어 신호들(CS_1, CS_2)에 기초하여 제1 내지 제3 화소들(R, G, B)에 데이터 전압을 제공할 수 있다.

상술한 바와 같이, 표시 장치(1000)의 구동 시, 데이터 구동부(400)는 데이터 전압을 생성할 수 있고, 디멀티플렉서(300) 및 데이터 라인들(DL)을 통해 제1 내지 제3 화소들(R, G, B)로 데이터 전압을 제공할 수 있다.

정전기 방지 회로부(500)는 점등 검사 회로부(200)와 전기적으로 연결되고, 점등 검사 회로부(200)로 제공되는 제1 내지 제3 점등 검사 전압들(LS_R, LS_G, LS_B)의 전압 레벨들을 측정할 수 있다. 정전기 방지 회로부(500)가 제1 내지 제3 점등 검사 전압들(LS_R, LS_G, LS_B) 중 적어도 하나의 점등 검사 전압의 전압 레벨을 기설정된 전압 레벨보다 높은 것으로 측정하는 경우, 상기 적어도 하나의 점등 검사 전압은 제1 내지 제3 점등 검사 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)로 제공되지 않을 수 있다. 다시 말하면, 정전기 방지 회로부(500)는 제1 내지 제3 점등 검사 전압들(LS_R, LS_B, LS_G)을 전달하는 배선들 중 적어도 하나의 배선에 발생된 정전기가 제1 내지 제3 점등 검사 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)로 제공되지 않도록 할 수 있다. 예를 들어, 정전기 방지 회로부(500)의 상기 기설정된 전압 레벨이 대략 6.5V이고 상기 적어도 하나의 배선을 통해 전달되는 전압의 전압 레벨이 대략 7V인 경우, 정전기 방지 회로부(500)는 상기 대략 7V의 전압이 제1 내지 제3 점등 검사 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)로 제공되지 않도록 할 수 있다.

도 5는 도 3의 표시 장치에 포함되는 점등 검사 트랜지스터를 설명하기 위한 평면도이고, 도 6은 도 5의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 3, 4, 5 및 6을 참조하면, 도 4의 제1 내지 제3 점등 검사 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3) 각각은 액티브 패턴(240), 게이트 절연층(250), 게이트 전극(260), 층간 절연층(270), 소스 전극(280) 및 드레인 전극(290)을 포함할 수 있다.

기판(100) 상에 버퍼층(230), 액티브 패턴(240), 게이트 절연층(250), 게이트 전극(260), 층간 절연층(270), 소스 전극(280) 및 드레인 전극(290)이 순차적으로 배치될 수 있다.

버퍼층(230)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(230)은 기판(100)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 액티브 패턴(240)으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 버퍼층(230)은 액티브 패턴(240)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 액티브 패턴(240)이 균일하게 형성되도록 할 수 있다. 한편, 다른 실시예에서, 표시 장치(1000)는 버퍼층(230)을 포함하지 않을 수도 있다.

액티브 패턴(240)은 버퍼층(230) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 액티브 패턴(240)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등의 실리콘 반도체 또는 금속 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 액티브 패턴(510)은 소스 영역(243), 드레인 영역(245) 및 소스 영역(243)과 드레인 영역(245) 사이의 채널 영역(241)을 가질 수 있다. 액티브 패턴(240)의 소스 및 드레인 영역들(243, 245)에는 불순물이 도핑될 수 있다. 그에 따라, 액티브 패턴(240)의 채널 영역(241)은 소스 및 드레인 영역들(243, 245)에 비해 도전성이 낮고, 저항이 높을 수 있다. 게이트 절연층(250)은 기판(100)과 층간 절연층(270) 사이에 개재되고, 액티브 패턴(240)을 커버할 수 있다. 제1 및 제2 콘택홀들(281, 291) 각각의 일부는 게이트 절연층(250)에 형성될 수 있고, 액티브 패턴(240)의 소스 및 드레인 영역들(243, 245) 각각의 일부를 노출시킬 수 있다. 게이트 절연층(250)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(250)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 등으로 이루어질 수 있다.

게이트 전극(260)은 게이트 절연층(250) 상의 채널 영역(241)에 배치될 수 있다. 게이트 전극(260)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(260)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 서로 다른 금속층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 한편, 게이트 전극(260)은 도 4를 참조하여 설명한 게이트 단자에 대응할 수 있다.

한편, 게이트 전극(260)은 제1 측면 및 상기 제1 측면과 대향하는 제2 측면을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(260)은 소스 전극(280)과 마주보는 상기 제1 측면 및 상기 제1 측면과 대향하며 드레인 전극(290)과 마주보는 상기 제2 측면을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이의 거리는 게이트 전극(260)의 길이(LEN)와 동일할 수 있다.

층간 절연층(270)은 게이트 전극(260)을 커버할 수 있고, 제1 및 제2 콘택홀들(281, 291) 각각의 일부가 형성될 수 있다. 다시 말하면, 게이트 절연층(250) 및 층간 절연층(270)의 제1 부분을 제거하여 제1 콘택홀(281)이 형성될 수 있고, 게이트 절연층(250) 및 층간 절연층(270)의 제2 부분을 제거하여 제2 콘택홀(291)이 형성될 수 있다. 즉, 게이트 절연층(250) 및 층간 절연층(270)이 제1 및 제2 콘택홀들(281, 291)을 포함할 수 있다. 층간 절연층(270)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 층간 절연층(270)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 등으로 이루어질 수 있다.

제1 콘택홀(281)은 액티브 패턴(240)의 소스 영역(243)의 일부를 노출시키며 게이트 전극(260)의 상기 제1 측면으로부터 대략 7 um 이상 이격되어 위치할 수 있다. 다시 말하면, 게이트 전극(260)과 제1 콘택홀(281) 사이의 제1 거리(DIS_1)는 대략 7 um 이상일 수 있다.

제2 콘택홀(291)은 액티브 패턴(240)의 드레인 영역(245)의 일부를 노출시키며 게이트 전극(260)의 상기 제2 측면으로부터 대략 7 um 이상 이격되어 위치할 수 있다. 다시 말하면, 게이트 전극(260)과 제2 콘택홀(291) 사이의 제2 거리(DIS_2)는 대략 7 um 이상일 수 있다.

일 실시예에서, 제1 콘택홀(281)과 제2 콘택홀(291) 사이의 거리는 대략 17 um 이상일 수 있다.

소스 전극(280)은 층간 절연층(270) 상에 배치될 수 있고, 제1 콘택홀(281)을 통해 액티브 패턴(240)의 소스 영역(243)과 접촉할 수 있다. 소스 전극(280)은 금속, 합금, 도전 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(280)은 Au, Ag, Cu, Ni, Cr, Al, W, Mo, Ti, Ta 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 서로 다른 금속층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 또한, 소스 전극(280)은 도 4를 참조하여 설명한 소스 단자에 대응할 수 있다. 그에 따라, 소스 전극(280)은 데이터 구동부(400)와 인접하여 위치하고, 데이터 구동부(400)와 전기적으로 연결되어, 데이터 구동부(400)로부터 데이터 전압을 제공받을 수 있다.

드레인 전극(290)은 층간 절연층(270) 상에 배치될 수 있고, 제2 콘택홀(291)을 통해 액티브 패턴(240)의 드레인 영역(245)과 접촉할 수 있다. 드레인 전극(290)은 금속, 합금, 도전 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 드레인 전극(290)은 소스 전극(280)과 함께 형성될 수 있으며, 그에 따라 소스 전극(280)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 드레인 전극(290)은 도 4를 참조하여 설명한 드레인 단자에 대응할 수 있다. 그에 따라, 드레인 전극(290)은 디멀티플렉서(300)와 인접하여 위치하고, 디멀티플렉서(300)와 전기적으로 연결되어, 디멀티플렉서(300)에 데이터 전압을 제공할 수 있다.

제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 전하 이동도는 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)를 이루는 구성 요소들의 길이 및 구성 요소들 사이의 거리에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(280)이 채워지는 제1 콘택홀(281)과 게이트 전극(260)의 상기 제1 측면 사이의 제1 거리(DIS_1) 및 드레인 전극(290)이 채워지는 제2 콘택홀(291)과 게이트 전극(260)의 상기 제2 측면 사이의 제2 거리(DIS_2)가 길어짐에 따라, 소스 영역(243)에서 드레인 영역(245)으로 이동하는 전하의 이동 거리가 증가할 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 거리들(DIS_1, DIS_2)이 길어짐에 따라, 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 전하 이동도가 낮아질 수 있다. 또한, 소스 및 드레인 영역들(243, 245)에 비해 저항이 높은 채널 영역(241)의 길이(LEN)가 길어질수록, 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 전하 이동도가 낮아질 수 있다.

한편, 상술한 바와 같이 표시 장치(1000)의 제조 공정에서, 모기판(도 1 및 2의 10)의 중앙부(도 1 및 2의 A)가 처짐에 따라, 상기 중앙부는 마스크(도 1 및 2의 20)에 가까워지거나 접촉하게 될 수 있고, 그로 인해 상기 중앙부에는 대략 500V의 전압 레벨을 갖는 정전기가 발생될 수 있다. 상기 정전기로 인한 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 절연 파괴 현상을 방지하기 위해, 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 제1 및 제2 거리들(DIS_1, DIS_2) 각각은 대략 7 um 이상일 수 있다. 다시 말하면, 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)가 대략 7 um 이상의 제1 또는 제2 거리들(DIS_1, DIS_2)을 가지도록 설계됨으로써, 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 전하 이동도가 낮아질 수 있고, 그에 따라 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 절연 파괴 현상이 방지될 수 있다.

또한, 일 실시예에서, 게이트 전극(260)의 길이(LEN)는 대략 3 um 내지 대략 4 um일 수 있다. 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)가 대략 3 um 내지 대략 4 um의 길이(LEN)를 갖는 게이트 전극(260)을 포함함으로써, 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 전하 이동도가 낮아질 수 있고, 그에 따라 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 절연 파괴 현상이 방지될 수 있다.

하기의 표 1은, 게이트 전극(260)의 길이(LEN)이 대략 3.5 um인 경우, 제1 및 제2 거리들(DIS_1, DIS_2) 각각의 변화에 따라 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)에 절연 파괴 현상이 발생했는지 여부를 나타내는 표이다. 하기의 표와 같이, 제1 및 제2 거리들(DIS_1, DIS_2) 각각이 대략 3.2 um, 대략 3.3 um, 대략 3.5 um, 및 대략 6 um인 경우(즉, CASE 1 내지 CASE 4의 경우), 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)에 절연 파괴 현상이 발생하였다. 반면, 제1 및 제2 거리들(DIS_1, DIS_2) 각각이 대략 7 um, 대략 8.7 um 및 대략 11 um인 경우(즉, CASE 5 내지 CASE 7의 경우), 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)에 절연 파괴 현상이 발생하지 않았다.

	각각의 제1 및 제2 거리들 (um)	절연 파괴 현상 발생 여부
CASE 1	3.2	발생함
CASE 2	3.3	발생함
CASE 3	3.5	발생함
CASE 4	6	발생함
CASE 5	7	발생하지 않음
CASE 6	8.7	발생하지 않음
CASE 7	11	발생하지 않음

한편, 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 제1 및 제2 거리들(DIS_1, DIS_2) 각각의 최대 거리는 정전기 방지 회로부(500)의 상기 기설정된 전압에 대응하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 제1 및 제2 거리들(DIS_1, DIS_2) 각각의 최대 거리는 대략 11 um 일 수 있다. 상술한 바와 같이, 정전기 방지 회로부(500)가 점등 검사 전압의 전압 레벨을 기설정된 전압 레벨보다 높은 것으로 측정하는 경우, 상기 점등 검사 전압은 제1 내지 제3 점등 검사 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)로 제공되지 않을 수 있다. 예를 들어, 정전기 방지 회로부(500)의 상기 기설정된 전압 레벨은 대략 6.5V일 수 있다. 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 제1 거리(DIS_1) 또는 제2 거리(DIS_2)가 대략 11 um 이상인 경우, 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 전하 이동도가 낮아질 수 있다. 그에 따라, 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)는 대략 6.5V 이하의 전압 레벨을 갖는 점등 검사 전압을 전달하지 못할 수 있고, 그에 따라 표시 장치(1000)는 점등 검사를 수행하지 못할 수 있다. 그러나, 점등 검사 전압의 전압 레벨이 대략 6.5V 이상으로 설정되는 경우, 정전기 방지 회로부(500)에 의해 상기 점등 검사 전압은 제1 내지 제3 점등 검사 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)로 제공되지 않을 수 있다.

일 실시예에서, 제1 및 제2 거리들(DIS_1, DIS_2)은 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 거리(DIS_1)가 제2 거리(DIS_2)보다 짧은 경우, 소스 영역(243)에서 채널 영역(241)으로 이동하는 전하의 이동 거리가, 채널 영역(241)에서 드레인 영역(245)으로 이동하는 전하의 이동 거리보다 짧아질 수 있다. 이 경우, 표시 장치(1000)의 제조 공정에서 발생되는 정전기가 소스 영역(243)에 집중하여 제공될 수 있고, 그에 따라 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)에 절연 파괴 현상이 발생될 수 있다. 정전기가 소스 또는 드레인 영역(243, 245)에 집중하여 제공되는 것을 방지하기 위해, 제1 및 제2 거리들(DIS_1, DIS_2)은 동일할 수 있다.

한편, 제2 및 제3 점등 검사 트랜지스터들(TR2, TR3) 각각의 구조는 상술한 제1 점등 검사 트랜지스터(TR1)의 구조와 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 소스 및 드레인 전극들(280, 290) 상에는 표시층이 더 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 표시 장치(1000)가 액정 표시 장치인 경우, 상기 표시층은 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 액정층을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 표시 장치(1000)가 유기 발광 표시 장치인 경우, 상기 표시층은 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함할 수 있다.

도 7은 도 3의 표시 장치의 블록도이다.

도 3 및 7을 참조하면, 표시 장치(1000)는 표시 패널(600), 데이터 구동부(400), 게이트 구동부(700) 및 타이밍 제어부(800)를 포함할 수 있다.

표시 패널(600)은 데이터 라인들(DL), 게이트 라인들 및 데이터 라인들(DL)과 상기 게이트 라인에 연결된 화소들(PX), 점등 검사 회로부(200), 디멀티플렉서(300) 및 정전기 방지 회로부(500)를 포함할 수 있다. 표시 패널(600)은 데이터 라인들(DL)을 통해 데이터 전압(DS)을 제공받을 수 있고, 상기 게이트 라인들을 통해 게이트 신호(GS)를 제공받을 수 있다.

상기 게이트 라인들은 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 라인들은 행 방향으로 연장되고, 상기 행 방향에 수직하는 열 방향으로 나란히 배열될 수 있다. 상기 게이트 라인들과 데이터 라인들(DL)이 교차하는 영역에 화소들(PX)이 형성될 수 있다.

데이터 구동부(400)는 타이밍 구동부(800)로부터 제공되는 영상 데이터(RGB') 및 데이터 제어 신호(DCTRL)에 기초하여 데이터 전압(DS)을 생성하고, 데이터 라인들(DL)을 통해 복수의 화소들(PX)에 데이터 전압(DS)을 제공할 수 있다. 예를 들어, 데이터 제어 신호(DCTRL)는 출력 데이터 인에이블 신호, 수평 개시 신호 및 로드 신호를 포함할 수 있다.

게이트 구동부(700)는 타이밍 제어부(800)로부터 제공되는 게이트 제어 신호(GCTRL)에 기초하여 게이트 신호(GS)를 생성하고, 상기 게이트 라인들을 통해 복수의 화소들(PX)에 게이트 신호(GS)를 제공할 수 있다. 예를 들어, 게이트 제어 신호(GCTRL)는 수직 개시 신호, 클록 신호 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 구동부(700)는 기판(100) 상의 비표시 영역(NDA)에 직접 실장될 수 있다. 다른 실시예에서, 게이트 구동부(700)는 COF 형태로 FPCB 상에 배치될 수 있다.

타이밍 제어부(800)는 외부로부터 입력 영상 데이터(RGB) 및 제어 신호(CTRL)를 제공받을 수 있다. 예를 들어, 입력 영상 데이터(RGB)는 적색 영상 데이터, 녹색 영상 테이터 및 청색 영상 데이터를 포함하는 RGB 데이터일 수 있다. 제어 신호(CTRL)는 수직 동기 신호, 수평 동기 신호, 입력 데이터 인에이블 신호, 마스터 클록 신호 등을 포함할 수 있다. 타이밍 제어부(800)는 입력 영상 데이터(RGB) 및 제어 신호(CTRL)에 기초하여, 게이트 제어 신호(GCTRL), 데이터 제어 신호(DCTRL) 및 영상 데이터(RGB')를 생성할 수 있다. 또한, 타이밍 제어부(800)는 게이트 제어 신호(GCTRL)를 게이트 구동부(700)에 제공하고, 데이터 제어 신호(DCTRL) 및 영상 데이터(RGB')를 데이터 구동부(400)에 제공할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(1000)는 7 um 이상의 제1 거리(DIS_1)를 갖는 제1 내지 제3 점등 검사 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)을 포함할 수 있다. 그에 따라, 제1 내지 제3 점등 검사 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)의 전하 이동도들이 낮아질 수 있고, 표시 장치(1000)의 제조 공정에서 발생되는 정전기에 의한 절연 파괴 현상이 발생되지 않을 수 있다. 따라서, 표시 장치(1000)는 점등 검사를 수행할 수 있고, 점등 검사를 통해 표시 장치(1000)가 손상되었는지 여부(예를 들어, 배선, 화소(PX) 등이 손상되었는지 여부 등)가 검출될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 점등 검사 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)이 단락되지 않을 수 있으므로, 표시 장치(1000)의 구동 시 표시 품질이 향상될 수 있다.

상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.

본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 적용될 수 있다.

이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

1000 : 표시 장치 10 : 모기판
20 : 마스크 100 : 기판
110, 120, 130 : 제1 내지 제3 화소열 200 : 점등 검사 회로부
300 : 디멀티플렉서 400 : 데이터 구동부
500 : 정전기 방지 회로부 DL : 데이터 라인들
TR1, TR2, TR3 : 제1 내지 제3 점등 검사 트랜지스터
240 : 액티브 패턴 260 : 게이트 전극
280 : 소스 전극 290 : 드레인 전극
281 : 제1 콘택홀 282 : 제2 콘택홀
600 : 표시 패널 700 : 게이트 구동부
800 : 타이밍 제어부

Claims (16)

1. 표시 영역 및 상기 표시 영역과 인접하여 위치하는 비표시 영역을 갖는 기판;
   상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 복수의 화소열들; 및
   상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 배치되고, 복수의 점등 검사 트랜지스터들을 포함하며, 상기 화소열들에 점등 검사 전압을 제공하는 점등 검사 회로부를 포함하고,
   상기 점등 검사 트랜지스터들 각각은,
   상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 배치되고, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 갖는 액티브 패턴;
   상기 액티브 패턴 상의 상기 채널 영역에 배치되는 게이트 전극;
   상기 게이트 전극을 커버하고, 상기 액티브 패턴의 상기 소스 영역의 일부를 노출시키며 상기 게이트 전극의 제1 측면으로부터 7 um 이상 이격되어 위치하는 제1 콘택홀을 포함하는 층간 절연층; 및
   상기 제1 콘택홀을 통해 상기 액티브 패턴의 상기 소스 영역과 접촉하는 소스 전극을 포함하는 표시 장치.
2. 제1 항에 있어서, 상기 층간 절연층은,
   상기 액티브 패턴의 상기 드레인 영역의 일부를 노출시키며 상기 게이트 전극의 제2 측면으로부터 7 um 이상 이격되어 위치하는 제2 콘택홀을 더 포함하고,
   상기 점등 검사 트랜지스터들 각각은,
   상기 제2 콘택홀을 통해 상기 액티브 패턴의 상기 드레인 영역과 접촉하는 드레인 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
3. 제2 항에 있어서, 상기 게이트 전극의 상기 제1 측면으로부터 상기 제1 콘택홀이 이격된 거리와 상기 게이트 전극의 상기 제2 측면으로부터 상기 제2 콘택홀이 이격된 거리는 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
4. 제2 항에 있어서, 상기 게이트 전극의 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이의 길이는 3 um 내지 4 um인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
5. 제2 항에 있어서, 상기 제1 콘택홀과 상기 제2 콘택홀 사이의 거리는 17 um 이상인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
6. 제2 항에 있어서, 상기 점등 검사 트랜지스터들 각각은,
   상기 기판과 상기 층간 절연층 사이에 개재되고, 상기 액티브 패턴을 커버하는 게이트 절연층을 더 포함하고,
   상기 제1 및 제2 콘택홀들 각각은 상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 액티브 패턴의 상기 소스 및 드레인 영역들의 각각의 일부를 노출시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
7. 제2 항에 있어서,
   상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 배치되고, 데이터 전압을 생성하는 데이터 구동부를 더 포함하고,
   상기 점등 검사 회로부는 상기 화소열들과 상기 데이터 구동부 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
8. 제7 항에 있어서,
   상기 기판 상의 상기 비표시 영역에서 상기 점등 검사 회로부와 상기 화소열들 사이에 배치되는 디멀티플렉서를 더 포함하고,
   상기 디멀티플렉서는 상기 데이터 구동부로부터 상기 데이터 전압을 수신하여 상기 데이터 전압을 상기 화소열들에 제공하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
9. 제8 항에 있어서, 상기 소스 전극은 상기 데이터 구동부와 인접하여 위치하고, 상기 드레인 전극은 상기 디멀티플렉서와 인접하여 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
10. 제1 항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 비표시 영역에 배치되며, 상기 점등 검사 회로부와 전기적으로 연결되고, 상기 점등 검사 전압의 전압 레벨을 측정하는 정전기 방지 회로부를 더 포함하고,
    상기 정전기 방지 회로부가 상기 점등 검사 전압의 전압 레벨을 기설정된 전압 레벨보다 높은 것으로 측정하는 경우, 상기 점등 검사 전압이 상기 점등 검사 트랜지스터들로 제공되지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
11. 제10 항에 있어서, 상기 점등 검사 트랜지스터들 각각의 상기 게이트 전극의 상기 제1 측면으로부터 상기 제1 콘택홀이 이격되는 최대 거리는 상기 기설정된 전압에 대응하여 결정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
12. 제1 항에 있어서, 상기 화소열들은,
    제1 색을 표시하는 제1 화소 및 제2 색을 표시하는 제2 화소가 반복적으로 배열되는 제1 화소열;
    제3 색을 표시하는 제3 화소가 배열되는 제2 화소열; 및
    상기 제2 화소 및 상기 제1 화소가 반복적으로 배열되는 제3 화소열을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
13. 제12 항에 있어서, 상기 점등 검사 회로부는 상기 제1 화소열 및 상기 제3 화소열에 포함되는 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소에 교번하여 상기 점등 검사 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
14. 제13 항에 있어서, 상기 점등 검사 트랜지스터들은 제1 점등 검사 트랜지스터, 제2 점등 검사 트랜지스터 및 제3 점등 검사 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 점등 검사 트랜지스터들은 상기 제1 화소열 및 상기 제3 화소열에 전기적으로 연결되며,
    상기 제3 점등 검사 트랜지스터는 상기 제2 화소열에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
15. 제14 항에 있어서, 상기 점등 검사 전압은 제1 점등 검사 전압, 제2 점등 검사 전압 및 제3 점등 검사 전압을 포함하고,
    상기 제1 점등 검사 트랜지스터는 제1 검사 제어 신호에 기초하여 상기 제1 화소에 상기 제1 점등 검사 전압을 제공하며,
    상기 제2 점등 검사 트랜지스터는 제2 검사 제어 신호에 기초하여 상기 제2 화소에 상기 제2 점등 검사 전압을 제공하고,
    상기 제3 점등 검사 트랜지스터는 제3 검사 제어 신호에 기초하여 상기 제3 화소에 상기 제3 점등 검사 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
16. 제1 항에 있어서,
    상기 화소열들에 제공되는 데이터 전압을 생성하는 데이터 구동부;
    상기 화소열들에 제공되는 스캔 신호를 생성하는 게이트 구동부; 및
    상기 데이터 구동부 및 상기 게이트 구동부를 제어하는 제어 신호를 생성하는 타이밍 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.

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