KR20210114010A - Film adhesive, adhesive sheet, and semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

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신타로 하시모토
유이 쿠니토
코헤이 타니구치
히사노리 오히라
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쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
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Abstract

반도체 소자와 상기 반도체 소자를 탑재하는 지지 부재를 접착하기 위한 필름상 접착제가 개시된다. 당해 필름상 접착제는, 열경화성 수지 성분과, 레벨링제를 함유한다.A film adhesive for adhering a semiconductor element and a support member for mounting the semiconductor element is disclosed. The said film adhesive contains a thermosetting resin component and a leveling agent.

Description

필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법Film adhesive, adhesive sheet, and semiconductor device and manufacturing method thereof

본 발명은, 필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a film adhesive, an adhesive sheet, and a semiconductor device and a method for manufacturing the same.

최근, 반도체 소자(반도체 칩)를 다단으로 적층한 스택 MCP(Multi Chip Package)가 보급되고 있으며, 휴대전화, 휴대 오디오 기기용의 메모리 반도체 패키지 등으로서 탑재되어 있다. 또, 휴대전화 등의 다기능화에 따라, 반도체 패키지의 고속화, 고밀도화, 고집적화 등도 추진되고 있다. 이에 따라, 반도체 칩 회로의 배선 재료로서 구리를 사용함으로써 고속화가 도모되고 있다. 또, 복잡한 탑재 기판에 대한 접속 신뢰성의 향상, 반도체 패키지로부터의 배열(排熱) 촉진의 관점에서, 구리를 소재로 한 리드 프레임 등이 사용되고 있다.In recent years, a stack MCP (Multi Chip Package) in which semiconductor elements (semiconductor chips) are stacked in multiple stages has been popularized, and is mounted as a memory semiconductor package for cellular phones and portable audio devices, and the like. In addition, along with the multifunctionality of mobile phones, etc., high speed, high density, high integration, etc. of semiconductor packages are being promoted. Accordingly, by using copper as a wiring material for a semiconductor chip circuit, the speed is achieved. Moreover, from a viewpoint of improving the connection reliability with respect to a complicated mounting board|substrate, and accelerating|stimulating the arrangement|sequence from a semiconductor package, the lead frame etc. which made copper a material are used.

그러나, 구리가 부식되기 쉬운 특성을 갖는 점, 및 저비용화의 관점에서, 회로면의 절연성을 확보하기 위한 코트재도 간략화되는 경향이 있는 점에서, 반도체 패키지는, 전기적 특성을 확보하기 어려워지는 경향이 있다. 특히, 반도체 칩을 다단 적층하는 반도체 패키지에서는, 부식에 의하여 발생한 구리 이온이 접착제 내부를 이동하여, 반도체 칩 내 또는 반도체 칩/반도체 칩 사이에서의 전기 신호의 로스가 일어나기 쉬운 경향이 있다.However, since copper has a property to be easily corroded and the coating material for securing the insulation of the circuit surface tends to be simplified from the viewpoint of cost reduction, the semiconductor package tends to have difficulty in securing electrical properties. have. In particular, in a semiconductor package in which semiconductor chips are stacked in multiple stages, copper ions generated by corrosion move inside the adhesive, and electric signal loss in the semiconductor chip or between semiconductor chips/semiconductor chips tends to occur.

또, 고기능화라는 관점에서, 복잡한 탑재 기판으로 반도체 소자를 접속시키는 경우가 많고, 접속 신뢰성을 향상시키기 위하여 구리를 소재로 한 리드 프레임이 선호되는 경향이 있다. 이와 같은 경우에 있어서도, 리드 프레임으로부터 발생하는 구리 이온에 의한 전기 신호의 로스가 문제가 되는 경우가 있다.Further, from the viewpoint of high functionality, semiconductor elements are often connected with a complicated mounting substrate, and in order to improve connection reliability, a lead frame made of copper tends to be preferred. Also in such a case, the loss of the electrical signal by the copper ion which generate|occur|produces from a lead frame may become a problem.

또한, 구리를 소재로 하는 부재를 사용한 반도체 패키지에 있어서는, 그 부재로부터 구리 이온이 발생하여, 전기적인 트러블을 일으킬 가능성이 높아, 충분한 내(耐)HAST성이 얻어지지 않는 경우가 있다.Moreover, in the semiconductor package using the member which uses copper as a raw material, copper ion generate|occur|produces from the member, the possibility of causing an electrical trouble is high, and sufficient HAST resistance may not be acquired.

전기 신호의 로스 등을 방지하는 관점에서, 반도체 패키지 내에서 발생하는 구리 이온을 포착하는 접착제의 검토가 행해지고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 에폭시기를 갖고, 또한, 카복실기를 갖지 않는 열가소성 수지와, 3급의 질소 원자를 환원자에 포함하는 복소환 화합물을 가지며, 양이온과 착체를 형성하는 유기계 착체 형성 화합물을 갖는 반도체 장치 제조용의 접착 시트가 개시되어 있다.From a viewpoint of preventing loss of an electrical signal, etc., examination of the adhesive agent which capture|acquires the copper ion which generate|occur|produces in a semiconductor package is performed. For example, in Patent Document 1, a thermoplastic resin having an epoxy group and not having a carboxyl group, and a heterocyclic compound containing a tertiary nitrogen atom as a reducing agent, an organic complex-forming compound that forms a complex with a cation An adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device having a

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2013-026566호Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-026566

그러나, 종래의 접착제에서는, 접착제 내의 구리 이온의 이동에 따른 트러블 억제의 점에 있어서 충분하지 않아, 아직 개선의 여지가 있다.However, in the conventional adhesive agent, in the point of trouble suppression accompanying the movement of copper ions in an adhesive agent, it is not enough, and there is still room for improvement.

따라서, 본 발명은, 접착제 내의 구리 이온의 이동에 따른 트러블을 충분히 억제하는 것이 가능한 필름상 접착제를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.Therefore, the main object of this invention is to provide the film adhesive which can fully suppress the trouble accompanying the movement of the copper ion in an adhesive agent.

본 발명자들이 예의 검토한 결과, 레벨링제를 이용함으로써, 접착제 내의 구리 이온의 이동에 따른 트러블을 충분히 억제하는 것이 가능한 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.As a result of these inventors earnestly examining, by using a leveling agent, it discovered that it was possible to fully suppress the trouble accompanying the movement of the copper ion in an adhesive agent, and came to complete this invention.

본 발명의 일 측면은, 반도체 소자와 반도체 소자를 탑재하는 지지 부재를 접착하기 위한 필름상 접착제로서, 필름상 접착제가, 열경화성 수지 성분과, 레벨링제를 함유하는, 필름상 접착제를 제공한다.One aspect of the present invention provides a film adhesive for adhering a semiconductor element and a support member for mounting the semiconductor element, wherein the film adhesive contains a thermosetting resin component and a leveling agent.

레벨링제를 이용함으로써, 접착제 내의 구리 이온의 이동을 충분히 억제할 수 있는 이유는 반드시 확실하지는 않지만, 본 발명자들은, 레벨링제가 접착제 표층에 개재함으로써, 접착제 표층에 있어서의 구리 이온의 도입 자체가 억제되기 때문이라고 생각하고 있다.Although it is not necessarily clear why the movement of copper ions in the adhesive can be sufficiently suppressed by using the leveling agent, the present inventors found that by interposing the leveling agent in the adhesive surface layer, the introduction of copper ions in the adhesive surface layer itself is suppressed. I think it is because

레벨링제는, 실록세인 구조를 갖는 화합물이어도 된다.The compound which has a siloxane structure may be sufficient as a leveling agent.

열경화성 수지 성분은, 열경화성 수지와, 경화제와, 아크릴 고무를 포함하고 있어도 된다.The thermosetting resin component may contain a thermosetting resin, a hardening|curing agent, and an acrylic rubber.

필름상 접착제의 두께는, 50μm여도 된다.The thickness of the film adhesive may be 50 µm.

본 발명의 다른 일 측면은, 기재와, 기재의 일방의 면 상에 마련된 상술한 필름상 접착제를 구비하는, 접착 시트를 제공한다. 기재는, 다이싱 테이프여도 된다.Another aspect of the present invention provides an adhesive sheet comprising a substrate and the above-described film adhesive provided on one surface of the substrate. A dicing tape may be sufficient as a base material.

본 발명의 다른 일 측면은, 반도체 소자와, 반도체 소자를 탑재하는 지지 부재와, 반도체 소자 및 지지 부재의 사이에 마련되고, 반도체 소자와 지지 부재를 접착하는 접착 부재를 구비하며, 접착 부재가, 상술한 필름상 접착제의 경화물인, 반도체 장치를 제공한다. 지지 부재는, 구리를 소재로 하는 부재를 포함하고 있어도 된다.Another aspect of the present invention includes a semiconductor element, a support member for mounting the semiconductor element, and an adhesive member provided between the semiconductor element and the support member to bond the semiconductor element and the support member, the adhesive member comprising: A semiconductor device, which is a cured product of the above-described film adhesive, is provided. The supporting member may include a member made of copper.

본 발명의 다른 일 측면은, 상술한 필름상 접착제를 이용하여, 반도체 소자와 지지 부재를 접착하는 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.Another aspect of the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of bonding a semiconductor element and a supporting member using the above-described film adhesive.

본 발명의 다른 일 측면은, 반도체 웨이퍼에, 상술한 접착 시트의 필름상 접착제를 첩부하는 공정과, 필름상 접착제를 첩부한 반도체 웨이퍼를 절단함으로써, 복수의 개편화된 필름상 접착제 부착 반도체 소자를 제작하는 공정과, 필름상 접착제 부착 반도체 소자를 지지 부재에 접착하는 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 반도체 장치의 제조 방법은, 지지 부재에 접착된 필름상 접착제 부착 반도체 소자에 대하여, 리플로 노(爐)를 이용하여 가열하는 공정을 더 구비하고 있어도 된다.Another aspect of the present invention is the step of affixing the above-described film adhesive of the adhesive sheet to the semiconductor wafer, and cutting the semiconductor wafer to which the film adhesive is affixed. The manufacturing method of a semiconductor device provided with the process of manufacturing, and the process of adhering a semiconductor element with a film adhesive to a support member is provided. The manufacturing method of a semiconductor device may further comprise the process of heating using a reflow furnace with respect to the semiconductor element with the film adhesive adhere|attached to the support member.

본 발명에 의하면, 접착제 내의 구리 이온의 이동에 따른 트러블을 충분히 억제하는 것이 가능한 필름상 접착제가 제공된다. 또, 본 발명에 의하면, 이와 같은 필름상 접착제를 이용한 접착 시트 및 반도체 장치가 제공된다. 또한, 본 발명에 의하면, 필름상 접착제 또는 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the film adhesive which can fully suppress the trouble accompanying the movement of the copper ion in an adhesive agent is provided. Moreover, according to this invention, the adhesive sheet and semiconductor device using such a film adhesive are provided. Further, according to the present invention, a method for manufacturing a semiconductor device using a film adhesive or an adhesive sheet is provided.

도 1은 필름상 접착제의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 2는 접착 시트의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 3은 접착 시트의 다른 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 4는 접착 시트의 다른 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 5는 접착 시트의 다른 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 6은 반도체 장치의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 7은 반도체 장치의 다른 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing which shows one Embodiment of a film adhesive.
2 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of an adhesive sheet.
3 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the adhesive sheet.
4 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the adhesive sheet.
5 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the adhesive sheet.
6 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device.
7 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of a semiconductor device.

이하, 도면을 적절히 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 이하의 실시형태에 있어서, 그 구성 요소(스텝 등도 포함한다)는, 특별히 명시한 경우를 제외하고, 필수는 아니다. 각 도면에 있어서의 구성 요소의 크기는 개념적인 것이며, 구성 요소 간의 크기의 상대적인 관계는 각 도면에 나타난 것에 한정되지 않는다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings suitably. However, this invention is not limited to the following embodiment. In the following embodiments, the constituent elements (including a step and the like) are not essential, except as otherwise specified. The sizes of the components in each drawing are conceptual, and the relative relationship between the sizes of the components is not limited to those shown in each drawing.

본 명세서에 있어서의 수치 및 그 범위에 대해서도 동일하며, 본 발명을 제한하는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서 "~"를 이용하여 나타난 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 각각 최솟값 및 최댓값으로서 포함하는 범위를 나타낸다. 본 명세서 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 하나의 수치 범위로 기재된 상한값 또는 하한값은, 다른 단계적인 기재의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환해도 된다. 또, 본 명세서 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타나 있는 값으로 치환해도 된다.It is the same also about the numerical value and the range in this specification, and this invention is not restrict|limited. In this specification, the numerical range indicated using "-" shows the range which includes the numerical value described before and after "-" as a minimum value and a maximum value, respectively. In the numerical range described step by step in this specification, the upper limit or lower limit described in one numerical range may be substituted with the upper limit or lower limit of the numerical range described in another stepwise range. In addition, in the numerical range described in this specification, you may substitute the upper limit or lower limit of the numerical range with the value shown in an Example.

본 명세서에 있어서, (메트)아크릴레이트는, 아크릴레이트 또는 그에 대응하는 메타크릴레이트를 의미한다. (메트)아크릴로일기, (메트)아크릴 공중합체 등의 다른 유사 표현에 대해서도 동일하다.In this specification, (meth)acrylate means an acrylate or a methacrylate corresponding thereto. The same applies to other analogous expressions such as (meth)acryloyl group and (meth)acryl copolymer.

일 실시형태에 관한 필름상 접착제는, 반도체 소자와 반도체 소자를 탑재하는 지지 부재를 접착하기 위한 필름상 접착제이며, 필름상 접착제가, 열경화성 수지 성분과, 레벨링제를 함유한다.The film adhesive according to one embodiment is a film adhesive for bonding a semiconductor element and a support member on which the semiconductor element is mounted, and the film adhesive contains a thermosetting resin component and a leveling agent.

필름상 접착제는, (A) 열경화성 수지 성분과, (B) 레벨링제를 함유하는 접착제 조성물을, 필름상으로 성형함으로써 얻을 수 있다. 필름상 접착제 및 접착제 조성물은, 반경화(B 스테이지) 상태를 거쳐, 경화 처리 후에 완전 경화(C 스테이지) 상태가 될 수 있는 것이어도 된다.A film adhesive can be obtained by shape|molding the adhesive composition containing (A) a thermosetting resin component and (B) a leveling agent into a film form. The film-like adhesive and adhesive composition may pass through a semi-cured (B-stage) state and may be in a fully cured (C-stage) state after curing treatment.

(A) 열경화성 수지 성분은, 일 실시형태에 있어서, (A1) 열경화성 수지와, (A2) 경화제와, (A3) 엘라스토머를 포함하는 것이어도 된다.(A) The thermosetting resin component may contain (A1) thermosetting resin, (A2) hardening|curing agent, and (A3) elastomer in one Embodiment.

(A1) 성분: 열경화성 수지(A1) component: thermosetting resin

(A1) 성분은, 접착성의 관점에서, 에폭시 수지여도 된다. 에폭시 수지는, 분자 내에 에폭시기를 갖는 것이면, 특별히 제한 없이 이용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트라이아진 골격 함유 에폭시 수지, 플루오렌 골격 함유 에폭시 수지, 트라이페놀메테인형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 자일릴렌형 에폭시 수지, 바이페닐아랄킬형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 다관능 페놀류, 안트라센 등의 다환 방향족류의 다이글리시딜에터 화합물 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, (A1) 성분은, 필름의 택킹(tacking)성, 유연성 등의 관점에서, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 또는 비스페놀 A형 에폭시 수지여도 된다.(A1) An epoxy resin may be sufficient as a component from an adhesive viewpoint. Epoxy resin can be used without a restriction|limiting in particular, as long as it has an epoxy group in a molecule|numerator. Examples of the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, bisphenol A novolak epoxy resin, bisphenol F Novolak-type epoxy resin, stilbene-type epoxy resin, triazine skeleton-containing epoxy resin, fluorene skeleton-containing epoxy resin, triphenolmethane-type epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin, xylylene-type epoxy resin, biphenyl aralkyl-type epoxy resin and diglycidyl ether compounds of polycyclic aromatics such as , naphthalene-type epoxy resins, polyfunctional phenols, and anthracene. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, (A1) component may be a cresol novolak-type epoxy resin, a phenol novolak-type epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, or a bisphenol A-type epoxy resin from the viewpoints of tacking properties and flexibility of the film. do.

에폭시 수지의 에폭시 당량은, 특별히 제한되지 않지만, 90~300g/eq 또는 110~290g/eq여도 된다. 에폭시 수지의 에폭시 당량이 이와 같은 범위에 있으면, 필름상 접착제의 벌크 강도를 유지하면서, 유동성을 확보할 수 있는 경향이 있다.Although the epoxy equivalent in particular of an epoxy resin is not restrict|limited, 90-300 g/eq or 110-290 g/eq may be sufficient. When the epoxy equivalent of an epoxy resin exists in such a range, there exists a tendency which fluidity|liquidity can be ensured, maintaining the bulk strength of a film adhesive.

(A2) 성분: 경화제(A2) Component: Hardener

(A2) 성분은, 에폭시 수지의 경화제가 될 수 있는 페놀 수지여도 된다. 페놀 수지는, 분자 내에 페놀성 수산기를 갖는 것이면 특별히 제한 없이 이용할 수 있다. 페놀 수지로서는, 예를 들면, 페놀, 크레졸, 레조신, 카테콜, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 페닐페놀, 아미노페놀 등의 페놀류 및/또는 α-나프톨, β-나프톨, 다이하이드록시나프탈렌 등의 나프톨류와 폼알데하이드 등의 알데하이드기를 갖는 화합물을 산성 촉매하에서 축합 또는 공축합시켜 얻어지는 노볼락형 페놀 수지, 알릴화 비스페놀 A, 알릴화 비스페놀 F, 알릴화 나프탈렌다이올, 페놀 노볼락, 페놀 등의 페놀류 및/또는 나프톨류와 다이메톡시파라자일렌 또는 비스(메톡시메틸)바이페닐로부터 합성되는 페놀아랄킬 수지, 나프톨아랄킬 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, 페놀 수지는, 페놀 노볼락형 페놀 수지 또는 나프톨아랄킬 수지여도 된다.(A2) The phenol resin which can become a hardening|curing agent of an epoxy resin may be sufficient as a component. A phenol resin can be used without a restriction|limiting in particular, if it has a phenolic hydroxyl group in a molecule|numerator. Examples of the phenol resin include phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol and aminophenol and/or naphthol such as α-naphthol, β-naphthol, and dihydroxynaphthalene. Novolak-type phenol resin obtained by condensing or co-condensing a compound having an aldehyde group, such as formaldehyde, with an acid catalyst, allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated naphthalenediol, phenol novolac, phenols such as phenol; and/or a phenol aralkyl resin and a naphthol aralkyl resin synthesized from naphthols and dimethoxyparaxylene or bis(methoxymethyl)biphenyl. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, a phenol novolak-type phenol resin or a naphthol aralkyl resin may be sufficient as a phenol resin.

페놀 수지의 수산기 당량은, 70g/eq 이상 또는 70~300g/eq여도 된다. 페놀 수지의 수산기 당량이 70g/eq 이상이면, 필름의 저장 탄성률이 보다 향상되는 경향이 있고, 300g/eq 이하이면, 발포, 아웃 가스 등의 발생에 의한 트러블을 방지하는 것이 가능해진다.The hydroxyl equivalent of a phenol resin may be 70 g/eq or more, or 70-300 g/eq. When the hydroxyl equivalent of a phenol resin is 70 g/eq or more, the storage elastic modulus of a film tends to improve more, and when it is 300 g/eq or less, it becomes possible to prevent the trouble by generation|occurrence|production, such as foaming and outgassing.

에폭시 수지의 에폭시 당량과 페놀 수지의 수산기 당량의 비(에폭시 수지의 에폭시 당량/페놀 수지의 수산기 당량)는, 경화성의 관점에서, 0.30/0.70~0.70/0.30, 0.35/0.65~0.65/0.35, 0.40/0.60~0.60/0.40, 또는 0.45/0.55~0.55/0.45여도 된다. 당해 당량비가 0.30/0.70 이상이면, 보다 충분한 경화성이 얻어지는 경향이 있다. 당해 당량비가 0.70/0.30 이하이면, 점도가 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있으며, 보다 충분한 유동성을 얻을 수 있다.Ratio of the epoxy equivalent of an epoxy resin and the hydroxyl equivalent of a phenol resin (epoxy equivalent of an epoxy resin/hydroxyl equivalent of a phenol resin) is 0.30/0.70-0.70/0.30, 0.35/0.65-0.65/0.35, 0.40 from a sclerosis|hardenable viewpoint /0.60-0.60/0.40, or 0.45/0.55-0.55/0.45 may be sufficient. There exists a tendency for more sufficient sclerosis|hardenability to be obtained as the said equivalent ratio is 0.30/0.70 or more. When the equivalence ratio is 0.70/0.30 or less, the viscosity can be prevented from becoming excessively high, and more sufficient fluidity can be obtained.

(A1) 성분 및 (A2) 성분의 합계의 함유량은, (A) 성분의 총 질량 100질량부에 대하여, 5~50질량부, 10~40질량부, 또는 15~30질량부여도 된다. (A1) 성분 및 (A2) 성분의 합계의 함유량이 5질량부 이상이면, 가교에 의하여 탄성률이 향상되는 경향이 있다. (A1) 성분 및 (A2) 성분의 합계의 함유량이 50질량부 이하이면, 필름 취급성을 유지할 수 있는 경향이 있다.(A1) Content of the sum total of a component and (A2) component may be 5-50 mass parts, 10-40 mass parts, or 15-30 mass parts with respect to 100 mass parts of total mass of (A) component. (A1) When content of the sum total of a component and (A2) component is 5 mass parts or more, there exists a tendency for an elasticity modulus to improve by bridge|crosslinking. (A1) There exists a tendency for film handleability to be maintainable as content of the sum total of a component and (A2) component is 50 mass parts or less.

(A3) 성분: 엘라스토머(A3) Component: Elastomer

(A3) 성분은, (메트)아크릴산 에스터에서 유래하는 구성 단위를 주성분으로서 갖는 아크릴 고무여도 된다. (A3) 성분에 있어서의 (메트)아크릴산 에스터에서 유래하는 구성 단위의 함유량은, 구성 단위 전체량을 기준으로 하여, 예를 들면, 70질량% 이상, 80질량% 이상, 또는 90질량% 이상이어도 된다. 아크릴 고무는, 에폭시기, 알코올성 또는 페놀성 수산기, 카복실기 등의 가교성 관능기를 갖는 (메트)아크릴산 에스터에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 것이어도 된다.The component (A3) may be an acrylic rubber having a structural unit derived from (meth)acrylic acid ester as a main component. (A3) The content of the structural unit derived from the (meth)acrylic acid ester in the component is, for example, 70% by mass or more, 80% by mass or more, or 90% by mass or more based on the total amount of the structural unit. do. The acrylic rubber may include a structural unit derived from (meth)acrylic acid ester having a crosslinkable functional group such as an epoxy group, an alcoholic or phenolic hydroxyl group, and a carboxyl group.

(A3) 성분의 유리 전이 온도(Tg)는, -50~50℃ 또는 -30~30℃여도 된다. (A3) 성분의 Tg가 -50℃ 이상이면, 접착제의 유연성이 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있는 경향이 있다. 이로써, 웨이퍼 다이싱 시에 필름상 접착제를 절단하기 쉬워져, 버(burr)의 발생을 방지하는 것이 가능해진다. (A3) 성분의 Tg가 50℃ 이하이면, 접착제의 유연성의 저하를 억제할 수 있는 경향이 있다. 이로써, 필름상 접착제를 웨이퍼에 첩부할 때에, 보이드를 충분히 매립하기 쉬워지는 경향이 있다. 또, 웨이퍼의 밀착성의 저하에 의한 다이싱 시의 치핑을 방지하는 것이 가능해진다. 여기에서, 유리 전이 온도(Tg)는, DSC(열시차 주사 열량계)(예를 들면, 주식회사 리가쿠제, Thermo Plus 2)를 이용하여 측정한 값을 의미한다.(A3) -50-50 degreeC or -30-30 degreeC may be sufficient as the glass transition temperature (Tg) of a component. (A3) It exists in the tendency which can prevent that the softness|flexibility of an adhesive agent becomes high that Tg of a component is -50 degreeC or more. Thereby, it becomes easy to cut|disconnect a film adhesive at the time of wafer dicing, and it becomes possible to prevent generation|occurrence|production of a burr. (A3) When Tg of component is 50 degrees C or less, there exists a tendency which can suppress the fall of the softness|flexibility of an adhesive agent. Thereby, when affixing a film adhesive to a wafer, there exists a tendency for a void to become fully easy to fill. Moreover, it becomes possible to prevent the chipping at the time of dicing by the fall of the adhesiveness of a wafer. Here, glass transition temperature (Tg) means the value measured using DSC (thermal differential scanning calorimeter) (For example, the Rigaku make, Thermo Plus 2).

(A3) 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은, 10만~300만 또는 20만~200만이어도 된다. (A3) 성분의 Mw가 이와 같은 범위에 있으면, 필름 형성성, 필름상에 있어서의 강도, 가요성, 택킹성 등을 적절히 제어할 수 있음과 함께, 리플로성이 우수하여, 매립성을 향상시킬 수 있다. 여기에서, Mw는, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)로 측정하고, 표준 폴리스타이렌에 의한 검량선을 이용하여 환산한 값을 의미한다.(A3) 100,000-3 million or 200,000-2 million may be sufficient as the weight average molecular weight (Mw) of a component. (A3) When Mw of component exists in such a range, while being able to control suitably film formability, the intensity|strength in a film, flexibility, tackability, etc., it is excellent in reflow property and improves embedding property can do it Here, Mw means the value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using the calibration curve by standard polystyrene.

(A3) 성분의 시판품으로서는, 예를 들면, SG-P3, SG-80H, HTR-860P-3CSP(모두 나가세 켐텍스 주식회사제) 등을 들 수 있다.(A3) As a commercial item of a component, SG-P3, SG-80H, HTR-860P-3CSP (all are the Nagase Chemtex Co., Ltd. make) etc. are mentioned, for example.

(A3) 성분의 함유량은, (A) 성분의 총 질량 100질량부에 대하여, 50~95질량부, 60~90질량부, 또는 70~85질량부여도 된다. (A3) 성분의 함유량이 이와 같은 범위에 있으면, 접착제 내의 구리 이온의 이동(투과)을 보다 충분히 억제할 수 있는 경향이 있다.(A3) 50-95 mass parts, 60-90 mass parts, or 70-85 mass parts may be sufficient as content of a component with respect to 100 mass parts of total mass of (A) component. (A3) When content of a component exists in such a range, there exists a tendency which the movement (permeation|transmission) of the copper ion in an adhesive agent can be suppressed more fully.

(A) 열경화성 수지 성분은, 다른 실시형태에 있어서, 에폭시기, 알코올성 또는 페놀성 수산기, 카복실기 등의 가교성 관능기를 갖는 엘라스토머와, 가교성 관능기와 반응할 수 있는 경화제를 포함하는 것이어도 된다. 가교성 관능기를 갖는 엘라스토머 및 가교성 관능기와 반응할 수 있는 경화제의 조합으로서는, 예를 들면, 에폭시기를 갖는 아크릴 고무 및 페놀 수지의 조합 등을 들 수 있다.(A) The thermosetting resin component, in another embodiment, may contain the elastomer which has crosslinkable functional groups, such as an epoxy group, alcoholic or phenolic hydroxyl group, and a carboxyl group, and a hardening|curing agent which can react with a crosslinkable functional group. Combinations of an elastomer having a crosslinkable functional group and a curing agent capable of reacting with a crosslinkable functional group include, for example, a combination of an acrylic rubber having an epoxy group and a phenol resin.

(B) 성분: 레벨링제(표면 조정제)(B) component: leveling agent (surface conditioning agent)

필름상 접착제가 (B) 성분을 함유함으로써, 접착제 표층의 구리 이온의 도입을 억제할 수 있다. (B) 성분은, 필름상 접착제의 표면 장력을 조정할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않지만, 실록세인 구조를 갖는 화합물(바꾸어 말하면, 폴리실록세인 또는 실리콘)이어도 된다. 이와 같은 (B) 성분으로서는, 예를 들면, 폴리에터 변성, 폴리에스터 변성, 아랄킬 변성, 페닐 변성 등의 폴리실록세인(실리콘) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.When the film adhesive contains the component (B), the introduction of copper ions into the adhesive surface layer can be suppressed. The component (B) is not particularly limited as long as it can adjust the surface tension of the film adhesive, and may be a compound having a siloxane structure (in other words, polysiloxane or silicone). As such component (B), polysiloxane (silicone), such as polyether modification, polyester modification, aralkyl modification, phenyl modification, etc. are mentioned, for example. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

실록세인 구조를 갖는 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면, BYK-307, BYK-310, BYK-333, BYK-377, BYK-378(모두 상품명, 빅케미·재팬 주식회사제), KF-945, KF-6204(모두 상품명, 신에쓰 가가쿠 고교 주식회사제) 등을 들 수 있다.As a commercial item of the compound which has a siloxane structure, For example, BYK-307, BYK-310, BYK-333, BYK-377, BYK-378 (all are brand names, the Big Chemie Japan Co., Ltd. make), KF-945, KF -6204 (all are brand names, the Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make) etc. are mentioned.

(B) 성분의 함유량은, (A) 성분의 총 질량 100질량부에 대하여, 0.1~5.0질량부, 0.15~2.0질량부, 또는 0.2~1.5질량부여도 된다. (B) 성분의 함유량이 0.1질량부 이상이면, 접착제 표층의 구리 이온의 도입을 보다 억제할 수 있는 경향이 있다.(B) 0.1-5.0 mass parts, 0.15-2.0 mass parts, or 0.2-1.5 mass parts may be sufficient as content of (B) component with respect to 100 mass parts of gross mass of (A) component. (B) When content of component is 0.1 mass part or more, there exists a tendency which can suppress more the introduction|transduction of the copper ion of adhesive agent surface layer.

필름상 접착제(접착제 조성물)는, (C) 무기 필러, (D) 커플링제, (E) 경화 촉진제 등을 더 함유하고 있어도 된다.The film adhesive (adhesive composition) may further contain (C) an inorganic filler, (D) a coupling agent, (E) a hardening accelerator, etc.

(C) 성분: 무기 필러(C) component: inorganic filler

(C) 성분으로서는, 예를 들면, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 붕산 알루미늄 위스커, 질화 붕소, 실리카 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, (C) 성분은, 용융 점도의 조정의 관점에서, 실리카여도 된다. (C) 성분의 형상은, 특별히 제한되지 않지만, 구상(球狀)이어도 된다.(C) As component, for example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, silica, etc. can be heard These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, silica may be sufficient as (C)component from a viewpoint of adjustment of melt viscosity. (C) Although the shape in particular of a component is not restrict|limited, Spherical shape may be sufficient.

(C) 성분의 평균 입경은, 유동성의 관점에서, 0.01~1μm, 0.01~0.8μm, 또는 0.03~0.5μm여도 된다. 여기에서, 평균 입경은, BET 비표면적으로부터 환산함으로써 구해지는 값을 의미한다.(C) From a fluid viewpoint, 0.01-1 micrometer, 0.01-0.8 micrometer, or 0.03-0.5 micrometer may be sufficient as the average particle diameter of component. Here, an average particle diameter means the value calculated|required by converting from a BET specific surface area.

(C) 성분의 함유량은, (A) 성분의 총 질량 100질량부에 대하여, 0.1~50질량부, 0.1~30질량부, 또는 0.1~20질량부여도 된다.(C) 0.1-50 mass parts, 0.1-30 mass parts, or 0.1-20 mass parts may be sufficient as content of (C)component with respect to 100 mass parts of gross mass of (A) component.

(D) 성분: 커플링제(D) component: coupling agent

(D) 성분은, 실레인 커플링제여도 된다. 실레인 커플링제로서는, 예를 들면, γ-유레이도프로필트라이에톡시실레인, γ-머캅토프로필트라이메톡시실레인, 3-페닐아미노프로필트라이메톡시실레인, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트라이메톡시실레인 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.(D) A silane coupling agent may be sufficient as a component. Examples of the silane coupling agent include γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, and 3-(2-aminoethyl). ) aminopropyl trimethoxysilane, etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

(E) 성분: 경화 촉진제(E) component: curing accelerator

(E) 성분은, 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 사용되는 것을 이용할 수 있다. (E) 성분으로서는, 예를 들면, 이미다졸류 및 그 유도체, 유기 인계 화합물, 제2급 아민류, 제3급 아민류, 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, 반응성의 관점에서 (E) 성분은, 이미다졸류 및 그 유도체여도 된다.(E) The component is not specifically limited, What is generally used can be used. (E) As a component, imidazole and its derivative(s), organophosphorus type compound, secondary amines, tertiary amines, quaternary ammonium salt etc. are mentioned, for example. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, imidazoles and its derivative(s) may be sufficient as (E) component from a reactive viewpoint.

이미다졸류로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-사이아노에틸-2-메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.Examples of the imidazoles include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1-cyanoethyl-2-methyl. Midazole, etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

필름상 접착제(접착제 조성물)는, 그 외의 성분을 더 함유하고 있어도 된다. 그 외의 성분으로서는, 예를 들면, 안료, 이온 포착제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.The film-like adhesive (adhesive composition) may further contain other components. As another component, a pigment, an ion trapping agent, antioxidant etc. are mentioned, for example.

(D) 성분, (E) 성분, 및 그 외의 성분의 함유량은, (A) 성분의 총 질량 100질량부에 대하여, 0~30질량부여도 된다.0-30 mass parts may be sufficient as content of (D)component, (E)component, and another component with respect to 100 mass parts of total mass of (A) component.

도 1은, 필름상 접착제의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1에 나타내는 필름상 접착제(1)(접착 필름)는, 접착제 조성물을 필름상으로 성형한 것이다. 필름상 접착제(1)는, 반경화(B 스테이지) 상태여도 된다. 이와 같은 필름상 접착제(1)는, 접착제 조성물을 지지 필름에 도포함으로써 형성할 수 있다. 접착제 조성물의 바니시(접착제 바니시)를 이용하는 경우는, (A) 성분 및 (B) 성분, 및 필요에 따라 첨가되는 다른 성분을 용제 중에서 혼합하며, 혼합액을 혼합 또는 혼련하여 접착제 바니시를 조제하고, 접착제 바니시를 지지 필름에 도포하여, 용제를 가열 건조하여 제거함으로써 필름상 접착제(1)를 형성할 수 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing which shows one Embodiment of a film adhesive. The film adhesive 1 (adhesive film) shown in FIG. 1 shape|molded the adhesive agent composition into the shape of a film. The film adhesive 1 may be in a semi-cured (B-stage) state. Such a film adhesive 1 can be formed by apply|coating an adhesive composition to a support film. When using the varnish (adhesive varnish) of the adhesive composition, (A) component and (B) component, and other components added as necessary are mixed in a solvent, and the mixture is mixed or kneaded to prepare an adhesive varnish, and the adhesive The film adhesive 1 can be formed by apply|coating a varnish to a support film, and heat-drying and removing a solvent.

지지 필름은, 상기의 가열 건조에 견디는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 폴리에스터 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리이미드 필름, 폴리에터이미드 필름, 폴리에터나프탈레이트 필름, 폴리메틸펜텐 필름 등이어도 된다. 지지 필름은, 2종 이상을 조합한 다층 필름이어도 되고, 표면이 실리콘계, 실리카계 등의 이형제 등으로 처리된 것이어도 된다. 지지 필름의 두께는, 예를 들면, 10~200μm 또는 20~170μm여도 된다.The support film is not particularly limited as long as it withstands the heat drying described above, and for example, a polyester film, a polypropylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyimide film, a polyetherimide film, a polyethernaphthalate film, a poly A methylpentene film etc. may be sufficient. The multilayer film which combined 2 or more types may be sufficient as a support film, and what was processed with mold release agents, such as silicone type and a silica type, etc. may be sufficient as a support film. The thickness of the support film may be, for example, 10-200 µm or 20-170 µm.

혼합 또는 혼련은, 통상의 교반기, 뇌궤기, 3롤, 볼 밀 등의 분산기를 이용하며, 이들을 적절히 조합하여 행할 수 있다.Mixing or kneading can be performed by using a disperser such as a normal stirrer, a grinder, three rolls, or a ball mill, and combining them appropriately.

접착제 바니시의 조제에 이용되는 용제는, 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 것이면 제한은 없으며, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 이와 같은 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤계 용매, 다이메틸폼아마이드, 다이메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 톨루엔, 자일렌 등을 들 수 있다. 용제는, 건조 속도가 빠르고, 가격이 저렴한 점에서 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온 등이어도 된다.There is no restriction|limiting as long as the solvent used for preparation of an adhesive varnish can melt|dissolve, knead|mix, or disperse|distribute each component uniformly, A conventionally well-known thing can be used. Examples of such a solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, and toluene. , and xylene. Methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. may be sufficient as a solvent at a point with a quick drying rate and low price.

접착제 바니시를 지지 필름에 도포하는 방법으로서는, 공지의 방법을 이용할 수 있으며, 예를 들면, 나이프 코트법, 롤 코트법, 스프레이 코트법, 그라비어 코트법, 바 코트법, 커튼 코트법 등을 들 수 있다. 가열 건조의 조건은, 사용한 용제가 충분히 휘산하는 조건이면 특별히 제한은 없지만, 50~150℃에서, 1~30분간 가열하여 행할 수 있다.As a method of applying the adhesive varnish to the support film, a known method can be used, for example, a knife coat method, a roll coat method, a spray coat method, a gravure coat method, a bar coat method, a curtain coat method, etc. have. Although there will be no restriction|limiting in particular as long as the conditions of heat-drying are conditions in which the solvent used fully volatilizes, It can heat at 50-150 degreeC for 1 to 30 minutes, and can perform.

필름상 접착제의 두께는, 50μm여도 된다. 필름상 접착제의 두께가 50μm 이하이면, 반도체 소자와 반도체 소자를 탑재하는 지지 부재의 거리가 가까워지기 때문에, 구리 이온에 의한 트러블이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 본 실시형태에 관한 필름상 접착제는, 접착제 내의 구리 이온의 이동(투과)을 충분히 억제하는 것이 가능한 점에서, 그 두께를 50μm 이하로 하는 것이 가능해진다. 필름상 접착제(1)의 두께는, 40μm 이하, 30μm 이하, 20μm 이하, 또는 15μm 이하여도 된다. 필름상 접착제(1)의 두께의 하한은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 1μm 이상으로 할 수 있다.The thickness of the film adhesive may be 50 µm. Since the distance between a semiconductor element and the support member which mounts a semiconductor element becomes close that the thickness of a film adhesive is 50 micrometers or less, there exists a tendency for the trouble by a copper ion to become easy to generate|occur|produce. Since it is possible to fully suppress the movement (permeation|transmission) of the copper ion in an adhesive agent, the film adhesive which concerns on this embodiment becomes possible to make the thickness into 50 micrometers or less. The thickness of the film adhesive 1 may be 40 micrometers or less, 30 micrometers or less, 20 micrometers or less, or 15 micrometers or less. Although the minimum in particular of the thickness of the film adhesive 1 is not restrict|limited, For example, it can be 1 micrometer or more.

완전 경화(C 스테이지) 상태에 있어서의 필름상 접착제(1)(즉, 필름상 접착제의 경화물)의 구리 이온 투과 시간은, 200분 이상이어도 되고, 200분 이상, 300분 이상, 또는 500분 이상이어도 된다. 구리 이온에 의한 트러블은, 리플로 공정 등의 고온 처리 시에 발생하기 쉬운 경향이 있다. 그 때문에, 완전 경화(C 스테이지) 상태가 200분 이상임으로써, 구리 이온에 기인하는 트러블은 보다 발생하기 어려운 것이 예측된다.The copper ion permeation time of the film adhesive 1 (that is, the cured product of the film adhesive) in the fully cured (C stage) state may be 200 minutes or more, 200 minutes or more, 300 minutes or more, or 500 minutes It may be more than The trouble by copper ions tends to occur easily at the time of high-temperature processing, such as a reflow process. Therefore, when the state of complete hardening (C stage) is 200 minutes or more, it is predicted that the trouble resulting from a copper ion is more difficult to generate|occur|produce.

도 2는, 접착 시트의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 2에 나타내는 접착 시트(100)는, 기재(2)와, 기재(2) 상에 마련된 필름상 접착제(1)를 구비한다. 도 3은, 접착 시트의 다른 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 3에 나타내는 접착 시트(110)는, 기재(2)와, 기재(2) 상에 마련된 필름상 접착제(1)와, 필름상 접착제(1)의 기재(2)와는 반대 측의 면에 마련된 커버 필름(3)을 구비한다.2 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of an adhesive sheet. The adhesive sheet 100 shown in FIG. 2 is equipped with the base material 2 and the film adhesive 1 provided on the base material 2 . Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the adhesive sheet. The adhesive sheet 110 shown in FIG. 3 is provided on the surface opposite to the base material 2 of the base material 2, the film adhesive 1 provided on the base material 2, and the film adhesive 1 A cover film (3) is provided.

기재(2)는, 특별히 제한되지 않지만, 기재 필름이어도 된다. 기재 필름은, 상술한 지지 필름과 동일한 것이어도 된다.Although the base material 2 in particular is not restrict|limited, A base film may be sufficient. The base film may be the same as the support film described above.

커버 필름(3)은, 필름상 접착제의 손상 또는 오염을 방지하기 위하여 이용되며, 예를 들면, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 표면 박리제 처리 필름 등이어도 된다. 커버 필름(3)의 두께는, 예를 들면, 15~200μm 또는 70~170μm여도 된다.The cover film 3 is used in order to prevent damage or contamination of a film adhesive, For example, a polyethylene film, a polypropylene film, a surface release agent treatment film, etc. may be sufficient. The thickness of the cover film 3 may be 15-200 micrometers or 70-170 micrometers, for example.

접착 시트(100, 110)는, 상술한 필름상 접착제를 형성하는 방법과 동일하게, 접착제 조성물을 기재 필름에 도포함으로써 형성할 수 있다. 접착제 조성물을 기재(2)에 도포하는 방법은, 상술한 접착제 조성물을 지지 필름에 도포하는 방법과 동일해도 된다.The adhesive sheets 100 and 110 can be formed by apply|coating an adhesive composition to a base film similarly to the method of forming the film adhesive mentioned above. The method of apply|coating the adhesive composition to the base material 2 may be the same as the method of apply|coating the adhesive composition mentioned above to a support film.

접착 시트(110)는, 추가로 필름상 접착제(1)에 커버 필름(3)을 적층시킴으로써 얻을 수 있다.The adhesive sheet 110 can be obtained by laminating|stacking the cover film 3 on the film adhesive 1 further.

접착 시트(100, 110)는, 미리 제작한 필름상 접착제를 이용하여 형성해도 된다. 이 경우, 접착 시트(100)는, 롤 래미네이터, 진공 래미네이터 등을 이용하여 소정 조건(예를 들면, 실온(20℃) 또는 가열 상태)으로 래미네이팅함으로써 형성할 수 있다. 접착 시트(100)는, 연속적으로 제조를 할 수 있으며, 효율이 우수한 점에서, 가열 상태에서 롤 래미네이터를 이용하여 형성해도 된다.The adhesive sheets 100 and 110 may be formed using a film-like adhesive prepared in advance. In this case, the adhesive sheet 100 can be formed by laminating under predetermined conditions (eg, room temperature (20°C) or heated state) using a roll laminator, a vacuum laminator, or the like. The adhesive sheet 100 can be manufactured continuously, and since it is excellent in efficiency, you may form it using a roll laminator in a heated state.

접착 시트의 다른 실시형태는, 기재(2)가 다이싱 테이프인 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트이다. 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트를 이용하면, 반도체 웨이퍼에 대한 래미네이트 공정이 1회가 되는 점에서, 작업의 효율화가 가능하다.Another embodiment of the adhesive sheet is a dicing die-bonding integrated adhesive sheet in which the base material 2 is a dicing tape. When the dicing die-bonding integrated adhesive sheet is used, since the lamination process with respect to a semiconductor wafer becomes one time, work efficiency can be improved.

다이싱 테이프로서는, 예를 들면, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 또, 다이싱 테이프는, 필요에 따라, 프라이머 도포, UV 처리, 코로나 방전 처리, 연마 처리, 에칭 처리 등의 표면 처리가 행해져 있어도 된다. 다이싱 테이프는, 점착성을 갖는 것이어도 된다. 이와 같은 다이싱 테이프는, 상술한 플라스틱 필름에 점착성을 부여한 것이어도 되고, 상술한 플라스틱 필름의 편면에 점착제층을 마련한 것이어도 된다. 점착제층은, 감압형 또는 방사선 경화형 중 어느 것이어도 되고, 다이싱 시에는 반도체 소자가 비산하지 않는 충분한 점착력을 가지며, 그 후의 반도체 소자의 픽업 공정에 있어서는 반도체 소자를 손상시키지 않을 정도의 낮은 점착력을 갖는 것이면 특별히 제한되지 않고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다.As a dicing tape, plastic films, such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, a polyimide film, etc. are mentioned, for example. Moreover, the dicing tape may be surface-treated, such as a primer application|coating, UV treatment, a corona discharge treatment, a grinding|polishing process, and an etching process, as needed. The dicing tape may have adhesiveness. Such a dicing tape may be the one in which adhesiveness was provided to the above-mentioned plastic film, or the one in which the adhesive layer was provided in the single side|surface of the above-mentioned plastic film may be sufficient as it. The pressure-sensitive adhesive layer may be either of a pressure-sensitive type or a radiation-curing type, and has sufficient adhesive force so that the semiconductor element does not scatter during dicing, and has a low adhesive strength that does not damage the semiconductor element in the subsequent semiconductor element pickup process. It will not restrict|limit especially if it has, A conventionally well-known thing can be used.

다이싱 테이프의 두께는, 경제성 및 필름 취급성의 관점에서, 60~150μm 또는 70~130μm여도 된다.The thickness of a dicing tape may be 60-150 micrometers or 70-130 micrometers from a viewpoint of economical efficiency and film handling property.

이와 같은 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트로서는, 예를 들면, 도 4에 나타나는 구성을 갖는 것, 도 5에 나타나는 구성을 갖는 것 등을 들 수 있다. 도 4는, 접착 시트의 다른 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 5는, 접착 시트의 다른 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 4에 나타내는 접착 시트(120)는, 다이싱 테이프(7), 점착제층(6), 및 필름상 접착제(1)를 이 순서로 구비한다. 도 5에 나타내는 접착 시트(130)는, 다이싱 테이프(7)와, 다이싱 테이프(7) 상에 마련된 필름상 접착제(1)를 구비한다.As such a dicing and die-bonding integrated adhesive sheet, the thing which has the structure shown in FIG. 4, the thing which has the structure shown in FIG. 5, etc. are mentioned, for example. 4 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the adhesive sheet. 5 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the adhesive sheet. The adhesive sheet 120 shown in FIG. 4 is equipped with the dicing tape 7, the adhesive layer 6, and the film adhesive 1 in this order. The adhesive sheet 130 shown in FIG. 5 is equipped with the dicing tape 7 and the film adhesive 1 provided on the dicing tape 7 .

접착 시트(120)는, 예를 들면, 다이싱 테이프(7) 상에 점착제층(6)을 마련하고, 추가로 점착제층(6) 상에 필름상 접착제(1)를 적층시킴으로써 얻을 수 있다. 접착 시트(130)는, 예를 들면, 다이싱 테이프(7)와 필름상 접착제(1)를 첩합함으로써 얻을 수 있다.The adhesive sheet 120 can be obtained by providing the adhesive layer 6 on the dicing tape 7, and laminating|stacking the film adhesive 1 on the adhesive layer 6 further, for example. The adhesive sheet 130 can be obtained by bonding the dicing tape 7 and the film adhesive 1 together, for example.

필름상 접착제 및 접착 시트는, 반도체 장치의 제조에 이용되는 것이어도 되고, 반도체 웨이퍼 또는 이미 개편화되어 있는 반도체 소자(반도체 칩)에, 필름상 접착제 및 다이싱 테이프를 0℃~90℃에서 첩합한 후, 회전 블레이드, 레이저 또는 신장에 의한 분단으로 필름상 접착제 부착 반도체 소자를 얻은 후, 당해 필름상 접착제 부착 반도체 소자를, 유기 기판, 리드 프레임, 또는 다른 반도체 소자 상에 접착하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조에 이용되는 것이어도 된다.The film adhesive and the adhesive sheet may be those used for manufacturing a semiconductor device, and the film adhesive and the dicing tape are adhered to a semiconductor wafer or a semiconductor element (semiconductor chip) already separated into pieces at 0°C to 90°C. After combining, a semiconductor element with a film adhesive is obtained by division by a rotary blade, laser, or elongation, and then the semiconductor element with a film adhesive is adhered to an organic substrate, lead frame, or other semiconductor element. It may be used for manufacture of a semiconductor device.

반도체 웨이퍼로서는, 예를 들면, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 각종 세라믹, 갈륨 비소 등의 화합물 반도체 등을 들 수 있다.Examples of the semiconductor wafer include single crystal silicon, polycrystalline silicon, various ceramics, and compound semiconductors such as gallium arsenide.

필름상 접착제 및 접착 시트는, IC, LSI 등의 반도체 소자와, 42 알로이 리드 프레임, 구리 리드 프레임 등의 리드 프레임; 폴리이미드 수지, 에폭시 수지 등의 플라스틱 필름; 유리 부직포 등의 기재에 폴리이미드 수지, 에폭시 수지 등의 플라스틱을 함침, 경화시킨 것; 알루미나 등의 세라믹스 등의 반도체 탑재용 지지 부재 등을 첩합하기 위한 다이본딩용 접착제로서 이용할 수 있다.A film adhesive and an adhesive sheet, Semiconductor elements, such as IC and LSI, Lead frames, such as a 42 alloy lead frame and a copper lead frame; plastic films such as polyimide resin and epoxy resin; what impregnated and hardened plastics, such as a polyimide resin and an epoxy resin, into base materials, such as a glass nonwoven fabric; It can use as an adhesive agent for die bonding for bonding semiconductor mounting support members, such as ceramics, such as alumina, etc. together.

필름상 접착제 및 접착 시트는, 복수의 반도체 소자를 적층한 구조의 Stacked-PKG에 있어서, 반도체 소자와 반도체 소자를 접착하기 위한 접착제로서도 적합하게 이용된다. 이 경우, 일방의 반도체 소자가, 반도체 소자를 탑재하는 지지 부재가 된다.A film adhesive and an adhesive sheet are suitably used also as an adhesive agent for bonding a semiconductor element and a semiconductor element in the Stacked-PKG of the structure which laminated|stacked a plurality of semiconductor elements. In this case, one semiconductor element becomes a support member which mounts a semiconductor element.

필름상 접착제 및 접착 시트는, 예를 들면, 플립 칩형 반도체 장치의 반도체 소자의 이면을 보호하는 보호 시트, 플립 칩형 반도체 장치의 반도체 소자의 표면과 피착체의 사이를 밀봉하기 위한 밀봉 시트 등으로서도 이용할 수 있다.Film-like adhesives and adhesive sheets can be used also as, for example, a protective sheet for protecting the back surface of a semiconductor element of a flip-chip semiconductor device, a sealing sheet for sealing between the surface of a semiconductor element of a flip-chip semiconductor device, and an adherend, etc. can

필름상 접착제를 이용하여 제조된 반도체 장치에 대하여, 도면을 이용하여 구체적으로 설명한다. 또한, 최근에는 다양한 구조의 반도체 장치가 제안되고 있고, 본 실시형태에 관한 필름상 접착제의 용도는, 이하에 설명하는 구조의 반도체 장치에 한정되는 것은 아니다.The semiconductor device manufactured using the film adhesive is demonstrated concretely using drawings. In addition, semiconductor devices of various structures have been proposed in recent years, and the use of the film adhesive according to the present embodiment is not limited to the semiconductor devices of the structures described below.

도 6은, 반도체 장치의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 6에 나타내는 반도체 장치(200)는, 반도체 소자(9)와, 반도체 소자(9)를 탑재하는 지지 부재(10)와, 반도체 소자(9) 및 지지 부재(10)의 사이에 마련되고, 반도체 소자(9)와 지지 부재(10)를 접착하는 접착 부재(필름상 접착제의 경화물(1c))를 구비한다. 반도체 소자(9)의 접속 단자(도시하지 않음)는 와이어(11)를 통하여 외부 접속 단자(도시하지 않음)와 전기적으로 접속되며, 밀봉재(12)에 의하여 밀봉되어 있다.6 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device. The semiconductor device 200 shown in FIG. 6 is provided between the semiconductor element 9, the support member 10 on which the semiconductor element 9 is mounted, and the semiconductor element 9 and the support member 10, The adhesive member (hardened|cured material 1c of film adhesive) which adhere|attaches the semiconductor element 9 and the support member 10 is provided. A connection terminal (not shown) of the semiconductor element 9 is electrically connected to an external connection terminal (not shown) via a wire 11 , and is sealed with a sealing material 12 .

도 7은, 반도체 장치의 다른 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 7에 나타내는 반도체 장치(210)에 있어서, 1단째의 반도체 소자(9a)는, 접착 부재(필름상 접착제의 경화물(1c))에 의하여, 단자(13)가 형성된 지지 부재(10)에 접착되고, 1단째의 반도체 소자(9a) 상에 또한 접착 부재(필름상 접착제의 경화물(1c))에 의하여 2단째의 반도체 소자(9b)가 접착되어 있다. 1단째의 반도체 소자(9a) 및 2단째의 반도체 소자(9b)의 접속 단자(도시하지 않음)는, 와이어(11)를 통하여 외부 접속 단자와 전기적으로 접속되며, 밀봉재(12)에 의하여 밀봉되어 있다. 이와 같이, 본 실시형태에 관한 필름상 접착제는, 반도체 소자를 복수 중첩하는 구조의 반도체 장치에도 적합하게 사용할 수 있다.7 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of a semiconductor device. In the semiconductor device 210 shown in FIG. 7 , the semiconductor element 9a of the first stage is attached to the support member 10 on which the terminal 13 is formed by an adhesive member (cured product 1c of a film adhesive). It is adhered, and the second-stage semiconductor element 9b is also adhered on the first-stage semiconductor element 9a by an adhesive member (cured product 1c of a film-like adhesive). The connection terminals (not shown) of the first-stage semiconductor element 9a and the second-stage semiconductor element 9b are electrically connected to an external connection terminal through a wire 11 and sealed with a sealing material 12 , have. As described above, the film adhesive according to the present embodiment can also be suitably used for a semiconductor device having a structure in which a plurality of semiconductor elements are superimposed.

도 6 및 도 7에 나타내는 반도체 장치(반도체 패키지)는, 예를 들면, 반도체 소자와 지지 부재의 사이 또는 반도체 소자와 반도체 소자의 사이에 필름상 접착제를 개재시켜, 이들을 가열 압착하여 양자를 접착시키고, 그 후, 필요에 따라 와이어 본딩 공정, 밀봉재에 의한 밀봉 공정, 땜납에 의한 리플로를 포함하는 가열 용융 공정 등을 거침으로써 얻어진다. 가열 압착 공정에 있어서의 가열 온도는, 통상, 20~250℃, 하중은, 통상, 0.1~200N이며, 가열 시간은, 통상, 0.1~300초간이다.In the semiconductor device (semiconductor package) shown in Figs. 6 and 7, for example, a film adhesive is interposed between a semiconductor element and a support member or between a semiconductor element and a semiconductor element, and these are heat-compressed to bond the two. , and thereafter, as necessary, it is obtained by passing through a wire bonding step, a sealing step with a sealing material, a heat melting step including reflow with solder, and the like. The heating temperature in a thermocompression bonding process is 20-250 degreeC normally, a load is 0.1-200N normally, and a heating time is 0.1-300 second normally.

반도체 소자와 지지 부재의 사이 또는 반도체 소자와 반도체 소자의 사이에 필름상 접착제를 개재시키는 방법으로서는, 상술한 바와 같이, 미리 필름상 접착제 부착 반도체 소자를 제작한 후, 지지 부재 또는 반도체 소자에 첩부하는 방법이어도 된다.As a method of interposing a film adhesive between the semiconductor element and the support member or between the semiconductor element and the semiconductor element, as described above, a semiconductor element with a film adhesive is prepared in advance and then affixed to the support member or semiconductor element. may be a method.

지지 부재는, 구리를 소재로 하는 부재를 포함하는 것이어도 된다. 본 실시형태에 관한 반도체 장치는, 필름상 접착제의 경화물(1c)에 의하여 반도체 소자와 지지 부재가 접착되어 있기 때문에, 반도체 장치의 구성 부재로서 구리를 소재로 하는 부재를 이용하고 있는 경우이더라도, 당해 부재로부터 발생하는 구리 이온의 영향을 저감시킬 수 있으며, 구리 이온에 기인하는 전기적인 트러블의 발생을 충분히 억제할 수 있다.The supporting member may include a member made of copper. In the semiconductor device according to the present embodiment, since the semiconductor element and the supporting member are adhered to each other by the cured product 1c of the film adhesive, even when a member made of copper is used as a constituent member of the semiconductor device, The influence of the copper ion which generate|occur|produces from the said member can be reduced, and generation|occurrence|production of the electrical trouble resulting from a copper ion can fully be suppressed.

여기에서, 구리를 소재로 하는 부재로서는, 예를 들면, 리드 프레임, 배선, 와이어, 방열재 등을 들 수 있지만, 어느 부재에 구리를 이용한 경우에서도, 구리 이온의 영향을 저감시키는 것이 가능하다.Here, as the member made of copper, for example, a lead frame, wiring, wire, heat dissipation material, etc. are mentioned. Even when copper is used for any member, it is possible to reduce the influence of copper ions.

다음으로, 도 4에 나타내는 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트를 이용한 경우에 있어서의 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시형태에 대하여 설명한다. 또한, 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트에 의한 반도체 장치의 제조 방법은, 이하에 설명하는 반도체 장치의 제조 방법에 한정되는 것은 아니다.Next, one Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device in the case of using the dicing and die-bonding integrated adhesive sheet shown in FIG. 4 is demonstrated. In addition, the manufacturing method of the semiconductor device by the dicing die-bonding integrated adhesive sheet is not limited to the manufacturing method of the semiconductor device demonstrated below.

먼저, 접착 시트(120)(다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트)에 있어서의 필름상 접착제(1)에 반도체 웨이퍼를 압착하고, 이것을 접착 유지시켜 고정한다(마운트 공정). 본 공정은, 압착 롤 등의 압압 수단에 의하여 압압하면서 행해도 된다.First, a semiconductor wafer is crimped|bonded with the film adhesive 1 in the adhesive sheet 120 (dicing die-bonding integrated adhesive sheet), this is adhesively held and fixed (mounting process). You may perform this process, pressing by pressing means, such as a crimping|compression-bonding roll.

다음으로, 반도체 웨이퍼의 다이싱을 행한다. 이로써, 반도체 웨이퍼를 소정의 사이즈로 절단하여, 복수의 개편화된 필름상 접착제 부착 반도체 소자(반도체 칩)를 제조한다. 다이싱은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 회로면 측으로부터 통상의 방법에 따라 행할 수 있다. 또, 본 공정에서는, 예를 들면, 다이싱 테이프까지 절개를 행하는 풀 컷이라고 불리는 절단 방식, 반도체 웨이퍼에 절반 절개를 행하고 냉각하 끌어당김으로써 분단하는 방식, 레이저에 의한 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 이용하는 다이싱 장치로서는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 이용할 수 있다.Next, the semiconductor wafer is diced. Thereby, a semiconductor wafer is cut|disconnected to a predetermined size, and a plurality of individualized film-like semiconductor elements with adhesive (semiconductor chip) are manufactured. Dicing can be performed according to a conventional method from the circuit surface side of a semiconductor wafer, for example. Also, in this process, for example, a cutting method called full cut that cuts up to the dicing tape, a method in which a semiconductor wafer is cut in half and pulled by cooling, a cutting method with a laser, etc. can be adopted. have. It does not specifically limit as a dicing apparatus used at this process, A conventionally well-known thing can be used.

다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트에 접착 고정된 반도체 소자를 박리하기 위하여, 반도체 소자의 픽업을 행한다. 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 개개의 반도체 소자를 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트 측으로부터 니들에 의하여 밀어 올리고, 밀어 올려진 반도체 소자를 픽업 장치에 의하여 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.In order to peel the semiconductor element adhesively fixed to the dicing die-bonding integrated adhesive sheet, the semiconductor element is picked up. It does not specifically limit as a method of pickup, A conventionally well-known various method is employable. For example, the method of pushing up each semiconductor element with a needle from the dicing and die-bonding integrated adhesive sheet side, and picking up the pushed up semiconductor element with a pick-up apparatus etc. are mentioned.

여기에서 픽업은, 점착제층이 방사선(예를 들면, 자외선) 경화형인 경우, 당해 점착제층에 방사선을 조사한 후에 행한다. 이로써, 점착제층의 필름상 접착제에 대한 점착력이 저하되어, 반도체 소자의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체 소자를 손상시키지 않고, 픽업이 가능해진다.Pickup is performed here, after irradiating a radiation to the said adhesive layer, when an adhesive layer is a radiation (for example, ultraviolet-ray) hardening type. Thereby, the adhesive force with respect to the film adhesive of an adhesive layer falls, and peeling of a semiconductor element becomes easy. As a result, pickup becomes possible without damaging the semiconductor element.

다음으로, 다이싱에 의하여 형성된 필름상 접착제 부착 반도체 소자를, 필름상 접착제를 통하여 반도체 소자를 탑재하기 위한 지지 부재에 접착한다. 접착은 압착에 의하여 행해져도 된다. 다이본드의 조건으로서는, 특별히 한정되지 않고, 적절히 필요에 따라 설정할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 다이본드 온도 80~160℃, 본딩 하중 5~15N, 본딩 시간 1~10초의 범위 내에서 행할 수 있다.Next, the semiconductor element with a film adhesive formed by dicing is adhere|attached to the support member for mounting a semiconductor element via a film adhesive. Adhesion may be performed by crimping|compression-bonding. It does not specifically limit as conditions of a die-bonding, It can set suitably as needed. Specifically, for example, it can carry out within the range of 80 to 160 degreeC die bonding temperature, 5 to 15 N of bonding loads, and 1 to 10 second of bonding time.

필요에 따라, 필름상 접착제를 열경화시키는 공정을 마련해도 된다. 상기 접착 공정에 의하여 지지 부재와 반도체 소자를 접착하고 있는 필름상 접착제를 열경화시킴으로써, 보다 강고하게 접착 고정이 가능해진다. 열경화를 행하는 경우, 압력을 동시에 가하여 경화시켜도 된다. 본 공정에 있어서의 가열 온도는, 필름상 접착제의 구성 성분에 의하여 적절히 변경할 수 있다. 가열 온도는, 예를 들면, 60~200℃여도 된다. 또한, 온도 또는 압력은, 단계적으로 변경하면서 행해도 된다.You may provide the process of thermosetting a film adhesive as needed. By thermosetting the film adhesive which adhere|attaches the support member and the semiconductor element by the said bonding process, adhesive fixation becomes possible more strongly. When performing thermosetting, you may apply pressure simultaneously to harden|cure. The heating temperature in this process can be suitably changed with the structural component of a film adhesive. The heating temperature may be, for example, 60 to 200°C. In addition, you may carry out, changing temperature or pressure in stages.

다음으로, 지지 부재의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 소자 상의 전극 패드를 본딩 와이어로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정을 행한다. 본딩 와이어로서는, 예를 들면, 금선, 알루미늄선, 구리선 등이 이용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는, 80~250℃ 또는 80~220℃의 범위 내여도 된다. 가열 시간은 수 초~수 분간이어도 된다. 결선(結線)은, 상기 온도 범위 내에서 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의하여 행해져도 된다.Next, a wire bonding step of electrically connecting the tip of the terminal portion (inner lead) of the supporting member and the electrode pad on the semiconductor element with a bonding wire is performed. As a bonding wire, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire, etc. are used, for example. The temperature at the time of wire bonding may exist in the range of 80-250 degreeC or 80-220 degreeC. Heating time may be several seconds - several minutes. The connection may be performed by using a combination of vibration energy by ultrasonic waves and compression energy by applied pressurization in a state heated within the above temperature range.

다음으로, 밀봉 수지에 의하여 반도체 소자를 밀봉하는 밀봉 공정을 행한다. 본 공정은, 지지 부재에 탑재된 반도체 소자 또는 본딩 와이어를 보호하기 위하여 행해진다. 본 공정은, 밀봉용의 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉 수지로서는, 예를 들면 에폭시계의 수지여도 된다. 밀봉 시의 열 및 압력에 의하여 기판 및 잔사가 매립되어, 접착 계면에서의 기포에 의한 박리를 방지할 수 있다.Next, the sealing process of sealing a semiconductor element with sealing resin is performed. This process is performed in order to protect the semiconductor element or bonding wire mounted on the support member. This process is performed by shape|molding resin for sealing with a metal mold|die. As sealing resin, epoxy resin may be sufficient, for example. The substrate and the residue are buried by the heat and pressure during sealing, and peeling due to air bubbles at the bonding interface can be prevented.

다음으로, 후경화 공정에 있어서, 밀봉 공정으로 경화 부족의 밀봉 수지를 완전하게 경화시킨다. 밀봉 공정에 있어서, 필름상 접착제가 열경화되지 않는 경우에서도, 본 공정에 있어서, 밀봉 수지의 경화와 함께 필름상 접착제를 열경화시켜 접착 고정이 가능해진다. 본 공정에 있어서의 가열 온도는, 밀봉 수지의 종류에 따라 적절히 설정할 수 있으며, 예를 들면, 165~185℃의 범위 내이면 되고, 가열 시간은 0.5~8시간 정도여도 된다.Next, in a post-curing process, the sealing resin of insufficient hardening is completely hardened by a sealing process. Sealing process WHEREIN: Even when the film adhesive is not thermosetting, this process WHEREIN: In this process, the film adhesive is thermosetted together with hardening of sealing resin, and adhesive fixation becomes possible. The heating temperature in this process can be set suitably according to the kind of sealing resin, for example, what is necessary is just to exist in the range of 165-185 degreeC, and the heating time may be about 0.5 to 8 hours.

다음으로, 지지 부재에 접착된 필름상 접착제 부착 반도체 소자에 대하여, 리플로 노를 이용하여 가열한다. 본 공정에서는 지지 부재 상에, 수지 밀봉한 반도체 장치를 표면 실장해도 된다. 표면 실장의 방법으로서는, 예를 들면, 프린트 배선판 상에 미리 땜납을 공급한 후, 온풍 등에 의하여 가열 용융하고, 솔더링을 행하는 리플로 솔더링 등을 들 수 있다. 가열 방법으로서는, 예를 들면, 열풍 리플로, 적외선 리플로 등을 들 수 있다. 또, 가열 방법은, 전체를 가열하는 것이어도 되고, 국부를 가열하는 것이어도 된다. 가열 온도는, 예를 들면, 240~280℃의 범위 내여도 된다.Next, the semiconductor element with a film adhesive adhere|attached to the support member is heated using a reflow furnace. In this process, you may surface mount the resin-sealed semiconductor device on the support member. As a method of surface mounting, reflow soldering etc. which supply solder previously on a printed wiring board, heat-melt by warm air etc. and perform soldering are mentioned, for example. As a heating method, hot air reflow, infrared reflow, etc. are mentioned, for example. Moreover, heating the whole may be sufficient as the heating method, and heating a local part may be sufficient as it. Heating temperature may exist in the range of 240-280 degreeC, for example.

반도체 소자를 다층으로 적층하는 경우에는, 와이어 본딩 공정 등의 열이력이 많아져, 필름상 접착제와 반도체 소자의 계면에 존재하는 기포에 의한 박리에 대한 영향은 커질 수 있다. 그러나, 본 실시형태에 관한 필름상 접착제는, 특정 아크릴 고무를 이용함으로써, 응집력이 저하되고, 매립성이 향상되는 경향이 있다. 그 때문에, 반도체 장치 내에 기포가 유입되기 어려워, 밀봉 공정에 있어서의 기포를 용이하게 확산시킬 수 있으며, 접착 계면에서의 기포에 의한 박리를 방지할 수 있다.When a semiconductor element is laminated in multiple layers, the thermal history of a wire bonding process etc. increases, and the influence on peeling by the bubble existing at the interface of a film adhesive and a semiconductor element may become large. However, in the film adhesive according to the present embodiment, by using a specific acrylic rubber, the cohesive force decreases and the embedding property tends to be improved. Therefore, it is hard to flow in a bubble in a semiconductor device, the bubble in a sealing process can be diffused easily, and peeling by a bubble in an adhesion|attachment interface can be prevented.

실시예Example

이하에, 본 발명을 실시예에 근거하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although this invention is concretely demonstrated based on an Example, this invention is not limited to these.

[필름상 접착제의 제작][Production of film adhesive]

(실시예 1~3 및 비교예 1)(Examples 1-3 and Comparative Example 1)

<접착제 바니시의 조제><Preparation of adhesive varnish>

표 1에 나타내는 품명 및 조성비(단위: 질량부)로, (A1) 열경화성 수지로서의 에폭시 수지, (A2) 경화제로서의 페놀 수지, 및 (C) 무기 필러로 이루어지는 조성물에 사이클로헥산온을 첨가하여, 교반 혼합했다. 이것에, 표 1에 나타내는 (A3) 엘라스토머로서의 아크릴 고무를 첨가하여 교반하고, 표 1에 나타내는 (D) 커플링제, (E) 경화 촉진제, 및 (B) 레벨링제를 더 첨가하여, 각 성분이 균일해질 때까지 교반하여, 접착제 바니시를 조제했다. 또한, 표 1에 나타내는 (A3) 성분 및 (C) 성분의 수치는, 고형분의 질량부를 의미한다.With the product name and composition ratio (unit: parts by mass) shown in Table 1, cyclohexanone is added to a composition comprising (A1) an epoxy resin as a thermosetting resin, (A2) a phenol resin as a curing agent, and (C) an inorganic filler, followed by stirring. mixed To this, (A3) elastomer shown in Table 1 was added and stirred, and (D) coupling agent shown in Table 1, (E) curing accelerator, and (B) leveling agent were further added, and each component was It stirred until it became uniform, and the adhesive varnish was prepared. In addition, the numerical value of (A3) component and (C)component shown in Table 1 means mass parts of solid content.

(A) 열경화성 수지 성분(A) thermosetting resin component

(A1) 열경화성 수지(A1) thermosetting resin

(A1-1) YDCN-700-10(상품명, 신닛테쓰 스미킨 가가쿠 주식회사제, o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 209g/eq)(A1-1) YDCN-700-10 (trade name, manufactured by Shin-Nittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd., o-cresol novolak type epoxy resin, epoxy equivalent: 209 g/eq)

(A2) 경화제(A2) hardener

(A2-1) PSM4326(상품명, 군에이 가가쿠 고교 주식회사제, 페놀 노볼락 수지, 수산기 당량: 105g/eq)(A2-1) PSM4326 (trade name, manufactured by Gunei Chemical Industries, Ltd., phenol novolac resin, hydroxyl equivalent: 105 g/eq)

(A3) 엘라스토머(A3) Elastomer

(A3-1) SG-P3(상품명, 나가세 켐텍스 주식회사제, 에폭시기를 갖는 아크릴 고무의 메틸에틸케톤 용액, 아크릴 고무의 중량 평균 분자량: 85만)(A3-1) SG-P3 (trade name, manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., methyl ethyl ketone solution of acrylic rubber having an epoxy group, weight average molecular weight of acrylic rubber: 850,000)

(B) 레벨링제(B) leveling agent

(B1) BYK-333(상품명, 빅케미·재팬 주식회사제, 폴리에터 변성 폴리다이메틸실록세인)(B1) BYK-333 (trade name, made by Big Chemie Japan Co., Ltd., polyether-modified polydimethylsiloxane)

(C) 무기 필러(C) inorganic filler

(C1) SC2050-HLG(상품명, 아드마텍스 주식회사제, 실리카 필러 분산액, 평균 입경 0.50μm)(C1) SC2050-HLG (trade name, manufactured by Admatex Co., Ltd., silica filler dispersion, average particle size 0.50 µm)

(D) 커플링제(D) coupling agent

(D1) A-189(상품명, 닛폰 유니카 주식회사제, γ-머캅토프로필트라이메톡시실레인)(D1) A-189 (trade name, manufactured by Nippon Unica Co., Ltd., γ-mercaptopropyl trimethoxysilane)

(D2) A-1160(상품명, 닛폰 유니카 주식회사제, γ-유레이도프로필트라이에톡시실레인)(D2) A-1160 (trade name, manufactured by Nippon Unica Co., Ltd., γ-ureidopropyltriethoxysilane)

(E) 경화 촉진제(E) curing accelerator

(E1) 2PZ-CN(상품명, 시코쿠 가세이 고교 주식회사제, 1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸)(E1) 2PZ-CN (trade name, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole)

<필름상 접착제의 제작><Production of film adhesive>

제작한 접착제 바니시를 100메시의 필터로 여과하고, 진공 탈포했다. 기재 필름으로서, 두께 38μm의 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름을 준비하여, 진공 탈포 후의 접착제 바니시를 PET 필름 상에 도포했다. 도포한 접착제 바니시를, 90℃에서 5분간, 계속해서 130℃에서 5분간의 2단계로 가열 건조하여, B 스테이지 상태에 있는 실시예 1~3 및 비교예 1의 필름상 접착제를 얻었다. 필름상 접착제에 있어서는, 접착제 바니시의 도포량에 의하여, 두께 10μm가 되도록 조정했다.The produced adhesive varnish was filtered with a 100-mesh filter, and it vacuum-degassed. As a base film, the polyethylene terephthalate (PET) film which performed the mold release process of 38 micrometers in thickness was prepared, and the adhesive varnish after vacuum defoaming was apply|coated on the PET film. The applied adhesive varnish was heat-dried at 90° C. for 5 minutes and then at 130° C. for 5 minutes in two steps to obtain film adhesives of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 in a B-stage state. In the film adhesive, it adjusted so that it might become 10 micrometers in thickness with the application amount of the adhesive agent varnish.

[구리 이온 투과 시간의 측정][Measurement of copper ion permeation time]

<A액의 조제><Preparation of solution A>

무수 황산 구리 (II) 2.0g을 증류수 1020g에 용해시키고, 완전하게 황산 구리가 용해될 때까지 교반하여, 구리 이온 농도가 Cu 원소 환산으로 농도 500mg/kg인 황산 구리 수용액을 조제했다. 얻어진 황산 구리 수용액을 A액으로 했다.2.0 g of anhydrous copper sulfate (II) was dissolved in 1020 g of distilled water, stirred until copper sulfate was completely dissolved, and copper ion concentration prepared a copper sulfate aqueous solution having a concentration of 500 mg/kg in terms of Cu element. The obtained copper sulfate aqueous solution was made into A liquid.

<B액의 조제><Preparation of solution B>

무수 황산 나트륨 1.0g을 증류수 1000g에 용해시키고, 완전하게 황산 나트륨이 용해될 때까지 교반했다. 이것에 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)을 1000g 더 첨가하고, 교반했다. 그 후, 실온이 될 때까지 공랭하여 황산 나트륨 수용액을 얻었다. 얻어진 용액을 B액으로 했다.1.0 g of anhydrous sodium sulfate was dissolved in 1000 g of distilled water, and stirred until the sodium sulfate was completely dissolved. Another 1000 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added thereto, followed by stirring. Then, it air-cooled until it became room temperature, and the sodium sulfate aqueous solution was obtained. The obtained solution was made into B liquid.

<구리 이온 투과 시간의 측정><Measurement of copper ion permeation time>

B 스테이지 상태에 있는 실시예 1~3 및 비교예 1의 필름상 접착제를 170℃, 1시간동안 더 가열 건조하여, C 스테이지 상태에 있는 실시예 1~3 및 비교예 1의 필름상 접착제를 제작했다. C 스테이지 상태에 있는 실시예 1~3 및 비교예 1의 필름상 접착제(두께: 10μm)를, 각각 직경 약 3cm의 원상(圓狀)으로 잘라냈다. 다음으로, 두께 1.5mm, 외경 약 3cm, 내경 1.8cm의 실리콘 패킹 시트를 2매 준비했다. 원상으로 잘라낸 필름상 접착제를 2매의 실리콘 패킹 시트 사이에 끼워, 이것을 용적 50mL의 2개의 유리제 셀의 플랜지부 사이에 끼우고, 고무 밴드로 고정했다.The film adhesives of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 in the B-stage state were further heated and dried at 170° C. for 1 hour to prepare the film adhesives of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 in the C-stage state. did. The film adhesives (thickness: 10 micrometers) of Examples 1-3 and Comparative Example 1 in a C-stage state were cut out into circular shape with a diameter of about 3 cm, respectively. Next, two silicone packing sheets having a thickness of 1.5 mm, an outer diameter of about 3 cm, and an inner diameter of 1.8 cm were prepared. The film-like adhesive cut out into a circle shape was pinched|interposed between two silicone packing sheets, this was pinched|interposed between the flange parts of two glass cells with a volume of 50 mL, and it fixed with a rubber band.

다음으로, 일방의 유리제 셀에 A액을 50g 주입한 후, 타방의 유리제 셀에 B액을 50g 주입했다. 각 셀에 카본 전극으로서, Mars Carbon(스테들러 유한 합자회사제, φ2mm/130mm)을 삽입했다. A액 측을 양극, B액 측을 음극으로 하여, 양극과 직류 전원(주식회사 A&D제, 직류 전원 장치 AD-9723D)을 접속했다. 또, 음극과 직류 전원을, 전류계(산와 덴키 게이키 주식회사제, Degital multimeter PC-720M)를 개재하여 직렬로 접속했다. 실온하, 인가 전압 24.0V로 전압을 인가하고, 인가한 후부터 전륫값의 계측을 개시했다. 측정은 전륫값이 5μA를 초과할 때까지 행하고, 전륫값이 1μA가 된 시간을 구리 이온 투과 시간으로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다. 본 평가에서는, 투과 시간이 길수록, 구리 이온의 이동(투과)이 억제되고 있다고 할 수 있다.Next, after injecting|pouring 50g of A liquid into one glass cell, 50g of B liquids were inject|poured into the other glass cell. Mars Carbon (manufactured by Staedtler Co., Ltd., φ2mm/130mm) was inserted into each cell as a carbon electrode. The liquid A side was set as a positive electrode and the liquid B side was set as the negative electrode, and the positive electrode and a DC power supply (manufactured by A&D Co., Ltd., DC power supply AD-9723D) were connected. Moreover, the negative electrode and the DC power supply were connected in series via an ammeter (Digital multimeter PC-720M manufactured by Sanwa Denki Keiki Co., Ltd.). At room temperature, a voltage was applied at an applied voltage of 24.0 V, and the measurement of the voltage value was started after the application. The measurement was performed until the total grain value exceeded 5 µA, and the time when the total grain value became 1 µA was defined as the copper ion permeation time. A result is shown in Table 1. In this evaluation, it can be said that the movement (permeation|transmission) of a copper ion is suppressed, so that permeation|transmission time is long.

[경화 후 다이 시어 강도의 측정][Measurement of die shear strength after curing]

<반도체 장치의 제작><Production of semiconductor device>

다이싱 테이프(히타치 가세이 주식회사제, 두께 110μm)를 준비하고, B 스테이지 상태에 있는 실시예 1~3 및 비교예 1의 필름상 접착제(두께 10μm)를 첩부하여, 다이싱 테이프 및 필름상 접착제를 구비하는 다이싱-다이본딩 일체형 접착 시트를 제작했다. 다이싱-다이본딩 일체형 접착 시트의 필름상 접착제 측에 400μm 두께의 반도체 웨이퍼를, 스테이지 온도 70℃에서 래미네이팅하여, 다이싱 샘플을 제작했다.Prepare a dicing tape (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., 110 µm in thickness), and stick the film adhesives (10 µm in thickness) of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 in the B-stage state, and the dicing tape and the film adhesive A dicing-die-bonding integrated adhesive sheet provided was produced. A 400 µm thick semiconductor wafer was laminated on the film adhesive side of the dicing-die-bonding integrated adhesive sheet at a stage temperature of 70°C to prepare a dicing sample.

풀 오토 다이서 DFD-6361(주식회사 디스코제)을 이용하여, 얻어진 다이싱 샘플을 절단했다. 절단에는, 2매의 블레이드를 이용하는 스텝 컷 방식으로 행하고, 다이싱 블레이드 ZH05-SD3500-N1-xx-DD, 및 ZH05-SD4000-N1-xx-BB(모두 주식회사 디스코제)를 이용했다. 절단 조건은, 블레이드 회전수 4000rpm, 절단 속도 50mm/sec, 칩 사이즈 5mm×5mm로 했다. 절단은, 반도체 웨이퍼가 200μm 정도 남도록 1단계째의 절단을 행하고, 이어서, 다이싱 테이프에 20μm 정도의 절개가 행해지도록 2단계째의 절단을 행했다.The obtained dicing sample was cut|disconnected using the full auto dicer DFD-6361 (made by Disco Corporation). The cutting was performed by a step-cut method using two blades, and dicing blades ZH05-SD3500-N1-xx-DD and ZH05-SD4000-N1-xx-BB (all manufactured by Disco Corporation) were used. Cutting conditions were a blade rotation speed of 4000 rpm, a cutting speed of 50 mm/sec, and a chip size of 5 mm x 5 mm. The cutting|disconnection performed the 1st-stage cut|disconnection so that about 200 micrometers of semiconductor wafers might remain, and then performed the 2nd-step cut|disconnection so that the cut|disconnection of about 20 micrometers might be performed in the dicing tape.

계속해서, 절단에 의하여 얻어진 반도체 칩을 솔더 레지스트(다이요 홀딩스 주식회사, 상품명: AUS-308) 상에 열압착했다. 압착 조건은, 온도 120℃, 시간 1초, 압력 0.1MPa로 했다. 계속해서, 압착에 의하여 얻어진 샘플을 건조기에 넣어, 170℃, 1시간 경화시켰다. 솔더 레지스트에 압착한 반도체 칩을 경화시켜, 만능 본드 테스터(노드슨·어드밴스·테크놀로지 주식회사제, 상품명: 시리즈 4000)에 의하여 반도체 칩을 걸면서 끌어당김으로써, 반도체 칩과 솔더 레지스트의 경화 후 다이 시어 강도를 측정했다. 측정 조건은 스테이지 온도를 250℃로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다.Then, the semiconductor chip obtained by cutting|disconnection was thermocompression-bonded on the soldering resist (Taiyo Holdings Corporation, brand name: AUS-308). The crimping conditions were a temperature of 120°C, a time of 1 second, and a pressure of 0.1 MPa. Then, the sample obtained by crimping|compression-bonding was put in the dryer, and it hardened at 170 degreeC for 1 hour. After curing the semiconductor chip and the solder resist, the semiconductor chip is cured by curing the semiconductor chip pressed against the solder resist, and the semiconductor chip is pulled while being hooked by a universal bond tester (manufactured by Nordson Advance Technology Co., Ltd., trade name: Series 4000). The strength was measured. Measurement conditions made the stage temperature 250 degreeC. A result is shown in Table 1.

[표 1][Table 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1~3의 필름상 접착제는, 비교예 1의 필름상 접착제에 비하여, 구리 이온이 투과되기 어려워져 있었다. 이것은 레벨링제에 의하여 접착제의 표면 장력이 저하되어, 접착제 표층의 구리 이온의 도입을 억제하고 있다고 추정된다.As shown in Table 1, the film adhesive of Examples 1-3 had become difficult to permeate|transmit copper ion compared with the film adhesive of Comparative Example 1. It is presumed that the leveling agent lowers the surface tension of the adhesive and suppresses the introduction of copper ions into the adhesive surface layer.

이상으로부터, 본 발명의 필름상 접착제가, 접착제 내의 구리 이온의 이동에 따른 트러블을 충분히 억제하는 것이 가능한 것이 확인되었다.From the above, it was confirmed that the film adhesive of this invention can fully suppress the trouble accompanying the movement of the copper ion in an adhesive agent.

1…필름상 접착제
2…기재
3…커버 필름
6…점착제층
7…다이싱 테이프
9, 9a, 9b…반도체 소자
10…지지 부재
11…와이어
12…밀봉재
13…단자
100, 110, 120, 130…접착 시트
200, 210…반도체 장치One… film adhesive
2… write
3… cover film
6… adhesive layer
7… dicing tape
9, 9a, 9b... semiconductor device
10… support member
11… wire
12… sealant
13… Terminals
100, 110, 120, 130… adhesive sheet
200, 210… semiconductor device

Claims (11)

반도체 소자와 상기 반도체 소자를 탑재하는 지지 부재를 접착하기 위한 필름상 접착제로서,
상기 필름상 접착제가, 열경화성 수지 성분과, 레벨링제를 함유하는, 필름상 접착제.A film adhesive for adhering a semiconductor element and a support member for mounting the semiconductor element, comprising:
The said film adhesive contains a thermosetting resin component and a leveling agent. 청구항 1에 있어서,
상기 레벨링제가, 실록세인 구조를 갖는 화합물인, 필름상 접착제.The method according to claim 1,
The said leveling agent is a compound which has a siloxane structure, The film adhesive. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 열경화성 수지 성분이, 열경화성 수지와, 경화제와, 엘라스토머를 포함하는, 필름상 접착제.The method according to claim 1 or 2,
The said thermosetting resin component contains a thermosetting resin, a hardening|curing agent, and an elastomer, The film adhesive. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 필름상 접착제의 두께가, 50μm 이하인, 필름상 접착제.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The thickness of the said film adhesive is 50 micrometers or less, The film adhesive. 기재와,
상기 기재의 일방의 면 상에 마련된 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 필름상 접착제를 구비하는, 접착 시트.description and,
The adhesive sheet provided with the film adhesive in any one of Claims 1-4 provided on one surface of the said base material. 청구항 5에 있어서,
상기 기재가, 다이싱 테이프인, 접착 시트.6. The method of claim 5,
The adhesive sheet whose said base material is a dicing tape. 반도체 소자와,
상기 반도체 소자를 탑재하는 지지 부재와,
상기 반도체 소자 및 상기 지지 부재의 사이에 마련되고, 상기 반도체 소자와 상기 지지 부재를 접착하는 접착 부재를 구비하며,
상기 접착 부재가, 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 필름상 접착제의 경화물인, 반도체 장치.a semiconductor device,
a support member for mounting the semiconductor element;
an adhesive member provided between the semiconductor element and the support member and bonding the semiconductor element and the support member;
The semiconductor device in which the said adhesive member is a hardened|cured material of the film adhesive in any one of Claims 1-4. 청구항 7에 있어서,
상기 지지 부재가, 구리를 소재로 하는 부재를 포함하는, 반도체 장치.8. The method of claim 7,
The semiconductor device wherein the support member includes a member made of copper. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 필름상 접착제를 이용하여, 반도체 소자와 지지 부재를 접착하는 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.The manufacturing method of a semiconductor device provided with the process of adhere|attaching a semiconductor element and a support member using the film adhesive in any one of Claims 1-4. 반도체 웨이퍼에, 청구항 5 또는 청구항 6에 기재된 접착 시트의 상기 필름상 접착제를 첩부하는 공정과,
상기 필름상 접착제를 첩부한 상기 반도체 웨이퍼를 절단함으로써, 복수의 개편화된 필름상 접착제 부착 반도체 소자를 제작하는 공정과,
상기 필름상 접착제 부착 반도체 소자를 지지 부재에 접착하는 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.The process of affixing the said film adhesive of the adhesive sheet of Claim 5 or 6 to a semiconductor wafer;
A step of producing a plurality of individualized semiconductor elements with a film adhesive by cutting the semiconductor wafer to which the film adhesive is affixed;
The manufacturing method of a semiconductor device provided with the process of adhere|attaching the said semiconductor element with a film adhesive to a support member. 청구항 10에 있어서,
상기 지지 부재에 접착된 상기 필름상 접착제 부착 반도체 소자에 대하여, 리플로 노를 이용하여 가열하는 공정을 더 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.11. The method of claim 10,
The method of manufacturing a semiconductor device, further comprising a step of heating the semiconductor element with a film adhesive adhered to the support member using a reflow furnace.
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