KR20210105458A - 표시 장치 - Google Patents

Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 데이터 라인에 의해 데이터 신호를 제공받는 행렬 형상의 복수의 화소를 포함하는 활성 영역 및 상기 활성 영역의 제1 방향 일 측에 배치되고 패드부를 포함하는 비활성 영역을 포함하는 표시 장치로써, 상기 비활성 영역에 배치되며 상기 패드부와 연결된 복수의 비활성 팬아웃 배선, 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 활성 영역을 가로지르며 상기 복수의 화소에 연결된 복수의 신호 배선들 및 적어도 부분적으로 상기 활성 영역을 경유하며 상기 복수의 비활성 팬아웃 배선 중 일부와 상기 복수의 신호 배선 중 일부를 각각 연결하는 복수의 연결 배선들을 포함하되, 상기 복수의 연결 배선은 상기 제1 방향으로 연장된 제1 연장부, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 연장부 및 상기 제1 방향으로 연장된 제3 연장부를 포함하고, 복수의 상기 연결 배선들 중 서로 인접한 연결 배선들의 동일한 연장부들 사이에는 상기 연장부들이 이격된 방향을 따라 적어도 둘 이상의 상기 화소가 배치된다.

Description

표시 장치 {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.

표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 유기발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED), 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.

표시 장치는 표시가 이루어지는 활성 영역과 활성 영역 주변에 배치된 비활성 영역을 포함한다. 비활성 영역에는 활성 영역에 신호를 인가하는 배선들이 배치된다. 배선은 패드부로부터 팬아웃된 후 활성 영역 측으로 연장된다.

최근에는 얇은 베젤을 갖는 표시 장치가 선호되고 있다. 얇은 베젤을 위해 비활성 영역의 면적이 너무 줄어들면 팬아웃된 배선들이 지날 수 있는 경로가 부족해질 수 있다.

얇은 베젤 구조에서도 팬아웃된 배선들의 진행 경로를 확보하기 위해, 일부의 팬아웃 배선을 활성 영역으로 경유시키는 방법이 고려될 수 있다. 그러나, 팬아웃 배선을 활성 영역으로 경유시키면 데이터 신호들의 순서가 바뀌어 구동 칩의 추가적인 맵핑이 필요할 수 있다. 또한, 신호 배선이 영역별로 다른 도전층을 포함하여 이루어질 수 있는데, 이 경우 각 도전층의 공정 산포에 의해 영역별 휘도 차이가 발생할 수 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 활성 영역을 경유하는 연결 배선을 포함하면서도, 범용의 구동 칩을 적용할 수 있고, 도전층의 공정 산포에 의해 영역별 휘도 차이 발생을 줄일 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 데이터 라인에 의해 데이터 신호를 제공받는 행렬 형상의 복수의 화소를 포함하는 활성 영역 및 상기 활성 영역의 제1 방향 일 측에 배치되고 패드부를 포함하는 비활성 영역을 포함하는 표시 장치로써, 상기 비활성 영역에 배치되며 상기 패드부와 연결된 복수의 비활성 팬아웃 배선, 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 활성 영역을 가로지르며 상기 복수의 화소에 연결된 복수의 신호 배선들 및 적어도 부분적으로 상기 활성 영역을 경유하며 상기 복수의 비활성 팬아웃 배선 중 일부와 상기 복수의 신호 배선 중 일부를 각각 연결하는 복수의 연결 배선들을 포함하되, 상기 복수의 연결 배선은 상기 제1 방향으로 연장된 제1 연장부, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 연장부 및 상기 제1 방향으로 연장된 제3 연장부를 포함하고, 복수의 상기 연결 배선들 중 서로 인접한 연결 배선들의 동일한 연장부들 사이에는 상기 연장부들이 이격된 방향을 따라 적어도 둘 이상의 상기 화소가 배치된다.

상기 복수의 화소는 상기 제1 방향으로 배열된 화소들을 포함하는 복수의 화소 열 및 상기 제2 방향으로 배열된 화소들을 포함하는 복수의 화소 행을 포함하고, 상기 연결 배선의 상기 제2 연장부는 화소 행 사이 공간 중 일부에 배치될 수 있다.

상기 연결 배선 및 이와 인접한 다른 상기 연결 배선의 상기 제2 연장부들 사이에는 적어도 둘 이상의 상기 화소 행이 배치될 수 있다.

상기 연결 배선들 사이에 배치된 제1 더미 배선 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 더미 배선 패턴은 복수의 상기 연결 배선들의 상기 제2 연장부들 사이에 배치되고 상기 제2 방향으로 연장된 제1 서브 패턴을 포함할 수 있다.

상기 제1 서브 패턴은 상기 연결 배선들의 상기 제2 연장부가 배치되지 않은 상기 화소 행 사이 공간에 배치될 수 있다.

상기 제1 더미 배선 패턴은 상기 연결 배선들의 상기 제2 연장부와 분리되되, 상기 제2 연장부가 연장된 연장선 상에 놓이도록 배치된 복수의 제2 서브 패턴을 포함할 수 있다.

상기 제1 더미 배선 패턴들 중 적어도 일부는 상기 연결 배선과 직접 연결될 수 있다.

상기 활성 영역은 상기 비활성 영역과 인접하여 상기 연결 배선들이 배치된 활성 팬아웃 영역 및 상기 활성 팬아웃 영역 이외의 영역으로 상기 연결 배선들이 배치되지 않은 메인 활성 영역을 포함하고, 상기 메인 활성 영역에 배치되고 상기 제2 방향으로 연장된 제2 더미 배선 패턴 및 상기 메인 활성 영역에 배치되고 상기 제1 방향으로 연장된 제3 더미 배선 패턴을 더 포함할 수 있다.

상기 제2 더미 배선 패턴은 상기 신호 배선과 교차하며 복수의 상기 화소 열에 걸쳐 배치될 수 있다.

상기 제3 더미 배선 패턴은 상기 메인 활성 영역의 상기 화소 행에서 상기 화소 열 사이 공간에 배치될 수 있다.

상기 신호 배선들은 각각 상기 화소 열 사이 공간에 배치되고, 상기 연결 배선의 상기 제1 연장부 및 상기 제3 연장부는 각각 서로 다른 화소 열 사이 공간에 배치될 수 있다.

상기 연결 배선 및 이와 인접한 다른 상기 연결 배선의 상기 제1 연장부들 사이에는 적어도 둘 이상의 상기 화소 열이 배치될 수 있다.

상기 연결 배선 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 연장부와 상기 제3 연장부가 각각 동일한 화소 열 사이 공간에 배치될 수 있다.

상기 복수의 신호 배선들은 제1 데이터 도전층으로 이루어지고, 상기 복수의 연결 배선들은 상기 제1 데이터 도전층과 다른 제2 데이터 도전층으로 이루어질 수 있다.

상기 비활성 팬아웃 배선은 상기 연결 배선과 연결된 제1 비활성 팬아웃 배선 및 상기 신호 배선과 직접 연결된 제2 비활성 팬아웃 배선을 포함하고, 상기 제1 비활성 팬아웃 배선과 상기 제2 비활성 팬아웃 배선은 서로 다른 도전층으로 이루어질 수 있다.

상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소들이 배치된 활성 영역, 및 상기 활성 영역의 제1 방향 일측에 배치된 비활성 영역을 포함하는 표시 장치로서, 상기 비활성 영역에 배치되고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 교대 배열된 제1 비활성 팬아웃 배선과 제2 비활성 팬아웃 배선을 포함하는 복수의 비활성 팬아웃 배선, 상기 활성 영역에서 상기 비활성 팬아웃 배선을 상기 제1 방향으로 연장할 때 중첩하는 내측 활성 영역 및 상기 활성 영역에서 상기 비활성 팬아웃 배선과 비중첩하는 외측 활성 영역에 배치되고 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 신호 배선, 상기 활성 영역을 경유하여 상기 비활성 팬아웃 배선과 상기 외측 활성 영역에 배치된 상기 신호 배선을 연결하는 복수의 연결 배선 및 상기 활성 영역에 배치되되 상기 연결 배선과 교차하지 않는 복수의 더미 배선 패턴들을 포함하되, 상기 연결 배선은 상기 복수의 화소들 사이 공간을 따라 배치되며 상기 제1 방향으로 연장된 부분이 상기 제1 방향과 교차하는 상기 제2 방향으로 연장된 부분보다 길이가 길다.

상기 복수의 연결 배선과 상기 더미 배선 패턴들은 동일한 도전층으로 이루어질 수 있다.

상기 복수의 연결 배선은 상기 제1 방향으로 연장된 제1 연장부, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 연장부 및 상기 제1 방향으로 연장된 제3 연장부를 포함하고, 복수의 상기 연결 배선들 중 서로 인접한 연결 배선들의 상기 제2 연장부들 사이에는 적어도 둘 이상의 상기 화소가 배치될 수 있다.

상기 더미 배선 패턴은 상기 연결 배선들 사이에 배치되어 상기 제2 방향으로 연장된 제1 더미 배선 패턴, 상기 활성 영역 중 상기 연결 배선들이 배치되지 않은 영역에서 상기 제2 방향으로 연장된 제2 더미 배선 패턴 및 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 더미 배선 패턴 및 상기 제2 더미 배선 패턴과 교차하지 않는 제3 더미 배선 패턴을 포함할 수 있다.

상기 제1 더미 배선 패턴은 복수의 상기 연결 배선들의 상기 제2 연장부들 사이에 배치되고 상기 제2 방향으로 연장된 제1 서브 패턴; 및 상기 연결 배선들의 상기 제2 연장부와 분리되되 상기 제2 연장부가 연장된 연장선 상에 놓이도록 배치된 복수의 제2 서브 패턴을 포함하며, 상기 제3 더미 배선 패턴들 중 적어도 일부는 상기 연결 배선의 상기 제2 연장부와 상기 제1 서브 패턴 사이에 배치될 수 있다.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치는 활성 영역을 경유하는 연결 배선을 포함하고, 활성 영역 중 연결 배선이 배치되지 않은 영역에 배치된 더미 배선 패턴들을 포함한다. 연결 배선들은 활성 영역에서 가로 방향에 비해 세로 방향으로 확장된 형상을 갖도록 배치될 수 있고, 인접한 연결 배선들의 가로 방향 연장부들 사이에는 복수의 화소들이 배치될 수 있다. 연결 배선들은 이들 사이에 다른 더미 배선 패턴들이 배치될 수 있는 공간을 확보하여 연결 배선들 사이에도 복수의 더미 배선 패턴들이 배치될 수 있다.

이에 따라, 표시 장치는 활성 영역에서 연결 배선들이 배치된 영역과 그렇지 않은 영역에 각각 더미 배선 패턴들이 배치되어 이들이 서로 다른 영역으로 구분되어 시인되는 것을 방지할 수 있다. 표시 장치는 연결 배선들과 유사하게 배치된 더미 배선 패턴들을 포함함에 더하여, 활성 영역 전면에 걸쳐 더미 배선 패턴들이 배치될 수 있도록 연결 배선들의 경로를 설정함으로써, 활성 영역을 경유하는 연결 배선에 의한 외관 불량을 방지할 수 있다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 측면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 배열을 나타낸 배치도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 회로도이다.
도 5는 표시 장치의 일 화소의 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 배선들의 배치도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 데이터 라인을 구성하는 배선들을 나타낸 배치도이다.
도 8은 도 7의 VIII-VIII'선을 따라 자른 단면도이다.
도 9는 도 7의 IX-IX'선을 따라 자른 단면도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 표시 장치의 활성 영역에 배치된 복수의 배선들의 배열을 도시한 개략적인 배치도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 화소 배열을 나타내는 부분 배치도이다.
도 12는 도 11의 화소 배열에 데이터 라인의 배열을 도시한 부분 배치도이다.
도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 메인 활성 영역에 배치된 더미 배선 패턴들의 배열을 도시한 개략적인 배치도이다.
도 14는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 배선 배열을 도시한 개략적인 배치도이다.
도 15는 도 14의 표시 장치의 활성 팬아웃 영역에 배치된 데이터 라인의 배열을 도시한 부분 배치도이다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 활성 팬아웃 영역에 배치된 데이터 라인의 배열을 도시한 부분 배치도이다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 활성 팬아웃 영역에 배치된 데이터 라인의 배열을 도시한 부분 배치도이다.
도 18은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 메인 활성 영역에 배치된 더미 배선 패턴들의 배열을 도시한 개략적인 배치도이다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 20은 도 19의 표시 장치의 전개도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 1은 표시 장치가 벤딩되기 전 상태의 평면 형상을 도시한다. 도면에서, 제1 방향(DR1)은 평면도상 세로 방향을, 제2 방향(DR2)은 평면도상 가로 방향을 각각 가리킨다. 도 2는 도 1의 표시 장치의 측면도이다. 도 2는 표시 장치가 두께 방향으로 벤딩된 상태의 측면 형상을 도시한다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 동영상이나 정지영상을 표시하는 장치로서, 표시 장치(1)는 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 및 스마트 워치, 워치 폰, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기뿐만 아니라 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 사용될 수 있다.

표시 장치(1)는 표시 패널(10)을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)은 폴리이미드 등과 같은 가요성 고분자 물질을 포함하는 플렉서블 기판일 수 있다. 이에 따라, 표시 패널(10)은 휘어지거나, 절곡되거나, 접히거나, 말릴 수 있다.

표시 패널(10)은 화면을 표시하는 활성 영역(AAR) 및 표시가 이루어지지 않는 비활성 영역(NAR)을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)은 평면도상 활성 영역(AAR)과 비활성 영역(NAR)으로 구분될 수 있다. 비활성 영역(NAR)은 활성 영역(AAR)을 둘러싸도록 배치될 수 있다.

활성 영역(AAR)은 복수의 화소(PX; PX1, PX2, PX3)를 포함할 수 있다. 각 화소(PX)는 매트릭스 형상으로 배열될 수 있다. 각 화소는 발광층과 발광층의 발광량을 제어하는 회로층을 포함할 수 있다. 회로층은 배선, 전극 및 적어도 하나의 트랜지스터를 포함할 수 있다. 발광층은 유기 발광 물질을 포함할 수 있다. 발광층은 봉지막에 의해 밀봉될 수 있다. 각 화소(PX)의 구체적인 구성에 대해서는 후술하기로 한다.

표시 패널(10)은 메인 영역(MR)과 메인 영역(MR)의 제1 방향(DR1) 일측에 연결된 벤딩 영역(BR)을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)은 제1 방향(DR1) 일측에서 벤딩 영역(BR)과 연결되고, 두께 방향으로 벤딩되어 메인 영역(MR)과 두께 방향으로 중첩된 서브 영역(SR)을 더 포함할 수 있다.

메인 영역(MR)은 활성 영역(AAR)을 포함할 수 있다. 메인 영역(MR)의 활성 영역(AAR)의 주변 에지 부분에는 비활성 영역(NAR)이 위치할 수 있다.

메인 영역(MR)은 표시 장치(1)의 평면상 외형과 유사한 형상을 가질 수 있다. 메인 영역(MR)은 일 평면에 위치한 평탄 영역일 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니며, 메인 영역(MR)에서 벤딩 영역(BR)과 연결된 에지(변)를 제외한 나머지 에지들 중 적어도 하나의 에지가 휘어져 곡면을 이루거나 수직 방향으로 절곡될 수도 있다.

메인 영역(MR)에서 벤딩 영역(BR)과 연결된 에지(변)를 제외한 나머지 에지들 중 적어도 하나의 에지가 곡면을 이루거나 절곡되어 있는 경우, 해당 에지에도 활성 영역(AAR)이 배치될 수도 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고 곡면 또는 절곡된 에지는 화면을 표시하지 않는 비활성 영역(NAR)이 배치되거나, 활성 영역(AAR)과 비활성 영역(NAR)이 함께 배치될 수도 있다.

메인 영역(MR)의 비활성 영역(NAR)은 활성 영역(AAR)의 외측 경계로부터 표시 패널(10)의 에지까지의 영역에 놓일 수 있다. 메인 영역(MR)의 비활성 영역(NAR)에는 활성 영역(AAR)에 신호를 인가하기 위한 신호 배선이나 구동 회로들이 배치될 수 있다.

벤딩 영역(BR)은 메인 영역(MR)의 일 단변을 통해 연결될 수 있다. 벤딩 영역(BR)의 폭(제2 방향(DR2)의 폭)은 메인 영역(MR)의 폭(단변의 폭)보다 작을 수 있다. 메인 영역(MR)과 벤딩 영역(BR)의 연결부는 베젤의 폭을 줄이기 위해 L자 커팅 형상을 가질 수 있다.

벤딩 영역(BR)에서 표시 패널(10)은 표시면의 반대 방향으로 곡률을 가지고 벤딩될 수 있다. 표시 패널(10)이 벤딩 영역(BR)에서 벤딩됨에 따라 표시 패널(10)의 면이 반전될 수 있다. 즉, 상부를 향하는 표시 패널(10)의 일면이 벤딩 영역(BR)을 통해 측면 외측을 항하였다가 다시 하부를 향하도록 변경될 수 있다.

서브 영역(SR)은 벤딩 영역(BR)으로부터 연장된다. 서브 영역(SR)은 벤딩이 완료된 이후부터 시작하여 메인 영역(MR)과 평행한 방향으로 연장될 수 있다. 서브 영역(SR)은 표시 패널(10)의 두께 방향으로 메인 영역(MR)과 중첩할 수 있다. 서브 영역(SR)은 메인 영역(MR) 에지의 비활성 영역(NAR)과 중첩하고, 나아가 메인 영역(MR)의 활성 영역(AAR)과 중첩할 수 있다. 서브 영역(SR)의 폭은 벤딩 영역(BR)의 폭과 동일할 수 있지만 이에 제한되는 것은 아니다.

표시 패널(10)의 서브 영역(SR) 상에는 패드부(도 6의 'PDR')가 배치될 수 있다. 패드부에는 외부 장치가 실장(또는 부착)될 수 있다. 외부 장치의 예로는 구동칩(20), 연성 인쇄회로기판이나 경성 인쇄회로기판 이루어진 구동 기판(30) 등을 들 수 있고, 그 밖에 배선 연결 필름, 커넥터 등도 외부 장치로서 패드부에 실장될 수 있다. 서브 영역(SR)에 실장되는 외부 장치는 하나일 수도 있지만, 복수 개일 수도 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 2에 예시된 것처럼, 표시 패널(10)의 서브 영역(SR)에 구동칩(20)이 배치되고, 서브 영역(SR)의 단부에 구동 기판(30)이 부착될 수 있다. 이 경우, 표시 패널(10)은 구동칩(20)과 연결되는 패드부 및 구동 기판(30)과 연결되는 패드부를 모두 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 구동칩이 필름 상에 실장되고, 상기 필름이 표시 패널(10)의 서브 영역(SR)에 부착될 수도 있다.

구동칩(20)은 표시면과 동일한 면인 표시 패널(10)의 일면 상에 실장되되, 상술한 것처럼 벤딩 영역(BR)이 벤딩되어 반전됨에 따라 두께 방향으로 하부를 향하는 표시 패널(10)의 면에 실장되어 구동칩(20)의 상면이 하부를 향할 수 있다.

구동칩(20)은 이방성 도전 필름을 통해 표시 패널(10) 상에 부착되거나, 초음파 접합 본딩을 통해 표시 패널(10) 상에 부착될 수 있다. 구동칩(20)의 가로 방향 폭은 표시 패널(10)의 가로 방향 폭보다 작을 수 있다. 구동칩(20)은 서브 영역(SR)의 가로 방향(제2 방향(DR2))의 중앙부에 배치되고, 구동칩(20)의 좌측 에지와 우측 에지는 각각 서브 영역(SR)의 좌측 에지와 우측 에지로부터 이격될 수 있다.

구동칩(20)은 표시 패널(10)을 구동하는 집적 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 집적 회로는 데이터 신호를 생성하여 제공하는 데이터 구동 집적 회로일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 구동칩(20)은 표시 패널(10) 패드부에 마련된 배선 패드(도 6의 'WR_PD')에 연결되어 배선 패드 측으로 데이터 신호를 제공한다. 배선 패드에 연결된 배선(도 6의 'WR')들은 화소 측으로 연장되어 각 화소에 데이터 신호 등을 인가한다.

도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 배열을 나타낸 배치도이다.

도 3을 참조하면, 화소(PX)는 제1 색 화소(PX1), 제2 색 화소(PX2) 및 제3 색 화소(PX3)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 색 화소(PX1)는 적색 화소이고, 제2 색 화소(PX2)는 청색 화소이고, 제3 색 화소(PX3)는 녹색 화소일 수 있다. 각 화소(PX)는 행렬을 이루며 교대 배열될 수 있다.

각 화소(PX)는 발광 영역(EMA) 및 발광 영역(EMA)을 둘러싸는 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다. 각 색 화소(PX1, PX2, PX3) 내의 발광 영역(EMA)의 크기는 상이할 수 있다. 예를 들어, 제2 색 화소(PX2)의 발광 영역(EMA)은 제1 색 화소(PX1)의 발광 영역(EMA)보다 크고, 제3 색 화소(PX3)의 발광 영역(EMA)은 제1 색 화소(PX1)의 발광 영역(EMA)의 크기보다 작을 수 있다. 각 화소의 발광 영역(EMA)의 형상은 대체로 팔각형일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니고, 육각형, 원형, 마름모나 기타 다른 다각형, 모서리가 둥근 다각형 등의 형상을 가질 수 있다.

일부의 화소 열(PXC)(이하, 제1 화소 열(PXC1))은 제1 색 화소(PX1)와 제2 색 화소(PX2)가 제1 방향(DR1)(열 진행 방향)을 따라 교대 배열된다. 다른 일부의 화소 열(PXC)(이하, 제2 화소 열(PXC2))은 제3 색 화소(PX3)가 반복 배열된다. 제1 화소 열(PXC1)과 제2 화소 열(PXC2)은 제2 방향(DR2)(행 진행 방향)을 따라 교대 배열된다. 예를 들어, 홀수번째 화소 열(PXC)은 제1 화소 열(PXC1)이고, 짝수번째 화소 열(PXC)은 제2 화소 열(PXC2)일 수 있다.

하나의 화소 열(PXC)에 속하는 각 발광 영역(EMA)은 제1 방향(DR1)을 따라 대체로 정렬될 수 있다. 하나의 화소 열(PXC)의 발광 영역(EMA)은 이웃하는 화소 열(PXC)의 발광 영역(EMA)에 대해 엇갈리도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 열(PXC1)의 제1 색 화소(PX1)와 제2 색 화소(PX2)는 인접한 제2 화소 열(PXC2)의 서로 인접한 제3 색 화소(PX3)의 사이 공간에 제2 방향(DR2)을 따라 정렬되도록 배치되고, 제2 화소 열(PXC2)의 제3 색 화소(PX3)는 인접한 제1 화소 열(PXC1)의 서로 인접한 제1 색 화소(PX1)와 제2 색 화소(PX2)의 사이 공간에 제2 방향(DR2)을 따라 정렬되도록 배치될 수 있다.

화소 행(PXR)은 제3 색 화소(PX3)를 사이에 두고 제1 색 화소(PX1)와 제2 색 화소(PX2)가 교대 배열되는 형상을 갖는다. 제1 화소 행(PXR1)은 제1 색 화소(PX1), 제3 색 화소(PX3), 제2 색 화소(PX2), 제3 색 화소(PX3)의 반복 배열 단위를 갖고, 제2 화소 행(PXR2)은 제2 색 화소(PX2), 제3 색 화소(PX3), 제1 색 화소(PX1), 제3 색 화소(PX3)의 반복 배열 단위를 가질 수 있다. 제1 화소 행(PXR1)과 제2 화소 행(PXR2)은 제1 방향(DR1)(열 진행 방향)을 따라 교대 배열된다. 예를 들어, 홀수번째 화소 행(PXR)은 제1 화소 행(PXR1)이고, 짝수번째 화소 행(PXR)은 제2 화소 행(PXR2)일 수 있다. 하나의 화소 행(PXR)에서 제1 색 화소(PX1)와 제2 색 화소(PX2)의 발광 영역(EMA)은 제3 색 화소(PX3)의 발광 영역(EMA)에 비해 상대적으로 제1 방향(DR1) 타측에 치우치도록 배치될 수 있다. 즉, 화소 행(PXR)에서 각 화소(PX)의 발광 영역(EMA)은 제2 방향(DR2)을 따라 지그재그 배열될 수 있다.

동일 열에 속하는 화소(PX)들은 동일한 데이터 라인으로부터 데이터 신호를 제공받고, 동일 행에 속하는 화소(PX)들은 동일한 게이트 라인으로부터 게이트 신호를 제공받을 수 있다. 각 화소(PX)는 화소 회로에 의해 구동될 수 있다. 화소(PX) 회로는 복수의 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다. 도 4에 예시적인 화소(PX) 회로의 회로도가 도시되어 있다.

도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 회로도이다.

도 4를 참조하면, 화소 회로는 제1 트랜지스터(TR1), 제2 트랜지스터(TR2), 커패시터(Cst), 및 유기발광 다이오드(EL)를 포함할 수 있다. 각 화소(PX) 회로에는 주사 라인(SL), 데이터 라인(DL), 제1 전원 전압 라인(ELVDDL)이 연결된다.

제1 트랜지스터(TR1)는 구동 트랜지스터이고, 제2 트랜지스터(TR2)는 스위칭 트랜지스터일 수 있다. 도면에서는 제1 트랜지스터(TR1)와 제2 트랜지스터(TR2)가 모두 PMOS 트랜지스터인 경우를 예시하였지만, 제1 트랜지스터(TR1)와 제2 트랜지스터(TR2) 중 어느 하나 또는 전부는 NMOS 트랜지스터일 수도 있다.

제1 트랜지스터(TR1)의 제1 전극(소스 전극)은 제1 전원 전압 라인(ELVDDL)에 연결되고, 제2 전극(드레인 전극)은 유기발광 다이오드(EL)의 화소 전극(또는 애노드 전극)에 연결된다. 제2 트랜지스터(TR2)의 제1 전극(소스 전극)은 데이터 라인(DL)에 연결되고, 제2 전극(드레인 전극)은 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 전극에 연결된다. 커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 전극과 제1 전극 사이에 연결된다. 유기발광 다이오드(EL)의 공통 전극(또는 캐소드 전극)은 제2 전원 전압(ELVSS)을 제공받는다. 제2 전원 전압(ELVSS)은 제1 전원 전압 라인(ELVDDL)으로부터 제공되는 제1 전원 전압(ELVDD)보다 낮은 전압일 수 있다.

제2 트랜지스터(TR2)는 주사 라인(GL)에 인가된 주사 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)에 인가된 데이터 신호를 출력할 수 있다. 커패시터(Cst)는 제2 트랜지스터(TR2)로부터 수신한 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전할 수 있다. 제1 트랜지스터(TR1)는 커패시터(Cst)에 저장된 전하량에 대응하여 유기발광 다이오드(EL)에 흐르는 구동전류를 제어할 수 있다.

도 4의 등가 회로는 하나의 예시적인 실시예에 불과하며, 화소 회로는 더 많은 수(예컨대 7개)의 트랜지스터와 커패시터를 포함할 수 있다.

도 5는 표시 장치의 일 화소의 단면도이다. 도 5에서는 도 4의 2개의 트랜지스터 중 제1 트랜지스터(TR1)가 박막 트랜지스터 형태로 도시되어 있고, 제2 트랜지스터(TR2)에 대한 도시는 생략되어 있다.

도 5를 참조하여 화소(PX)의 단면 구조에 대해 상세히 설명한다. 표시 패널은 기판(100), 버퍼층(105), 반도체층(110), 제1 절연층(121), 제1 게이트 도전층(130), 제2 절연층(122), 제2 게이트 도전층(140), 제3 절연층(123), 제1 데이터 도전층(150), 제4 절연층(124), 제2 데이터 도전층(160), 제5 절연층(125), 화소 전극(170), 화소 전극(170)을 노출하는 개구부를 포함하는 화소 정의막(126), 화소 정의막(126)의 개구부 내에 배치된 유기층(190), 및 유기층(190)과 화소 정의막(126) 상에 배치된 공통 전극(180)을 포함할 수 있다. 상술한 각 층들은 단일막으로 이루어질 수 있지만, 복수의 막을 포함하는 적층막으로 이루어질 수도 있다. 각 층들 사이에는 다른 층이 더 배치될 수도 있다.

기판(100)은 그 위에 배치되는 각 층들을 지지한다. 기판(100)은 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 고분자 물질의 예로는 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate: PA), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene napthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terepthalate: PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate: CAT), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 기판(100)은 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉시블(flexible) 기판일 수 있다. 플렉시블 기판을 이루는 물질의 예로 폴리이미드(PI)를 들 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.

기판(100) 상에는 버퍼층(105)이 배치된다. 버퍼층(105)은 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다. 버퍼층(105)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다. 버퍼층(105)은 기판(100)의 종류나 공정 조건 등에 따라 생략될 수도 있다.

버퍼층(105) 상에는 반도체층(110)이 배치된다. 반도체층(110)은 화소(PX)의 박막 트랜지스터의 채널을 이룬다. 반도체층(110)은 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 반도체층(110)은 단결정 실리콘, 저온 다결정 실리콘, 비정질 실리콘이나, 산화물 반도체를 포함할 수도 있다. 상기 산화물 반도체는 예를 들어 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz)을 포함할 수 있다.

제1 절연층(121)은 게이트 절연 기능을 갖는 게이트 절연막일 수 있다. 제1 절연층(121)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층(121)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제1 절연층(121)은 단일막 또는 서로 다른 물질의 적층막으로 이루어진 다층막일 수 있다.

제1 절연층(121)은 반도체층(110) 상에 배치된다. 제1 절연층(121)은 대체로 기판(100)의 전체 면에 걸쳐 배치될 수 있다.

제1 게이트 도전층(130)은 제1 절연층(121) 상에 배치된다. 제1 게이트 도전층(130)은 화소(PX)의 박막 트랜지스터의 게이트 전극(131)과 그에 연결된 스캔 라인, 및 유지 커패시터 제1 전극(132)을 포함할 수 있다. 비활성 영역(NAR)의 제1 비활성 팬아웃 배선(도 8의 'NFW_1')도 제1 게이트 도전층(130)으로 이루어질 수 있다.

제1 게이트 도전층(130)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 제1 게이트 도전층(130)은 단일막 또는 다층막일 수 있다.

제1 게이트 도전층(130) 상에는 제2 절연층(122)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(122)은 층간 절연막 또는 게이트 절연막일 수 있다. 제2 절연층(122)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 아연 산화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.

제2 게이트 도전층(140)은 제2 절연층(122) 상에 배치된다. 제2 게이트 도전층(140)은 유지 커패시터 제2 전극을 포함할 수 있다. 비활성 영역(NAR)의 제2 비활성 팬아웃 배선(도 8의 'NFW_2')도 제2 게이트 도전층(140)으로 이루어질 수 있다. 제2 게이트 도전층(140)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 제2 게이트 도전층(140)은 제1 게이트 도전층(130)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제2 게이트 도전층(140)은 단일막 또는 다층막일 수 있다.

제2 게이트 도전층(140) 상에는 제3 절연층(123)이 배치된다. 제3 절연층(123)은 층간 절연막일 수 있다. 제3 절연층(123)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 아연 산화물 등의 무기 절연 물질이나 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제3 절연층(123)은 단일막 또는 서로 다른 물질의 적층막으로 이루어진 다층막일 수 있다.

제3 절연층(123) 상에는 제1 데이터 도전층(150)이 배치된다. 제1 데이터 도전층(150)은 제1 소스/드레인 도전층일 수 있다. 제1 데이터 도전층(150)은 화소(PX)의 박막 트랜지스터의 제1 전극(151)과 제2 전극(152)을 포함할 수 있다. 신호 배선(도 8의 'SW1', 'SW2')도 제1 데이터 도전층(150)으로 이루어질 수 있다. 박막 트랜지스터의 제1 전극(151)과 제2 전극(152)은 제3 절연층(123), 제2 절연층(122) 및 제1 절연층(121)을 관통하는 컨택홀을 통해 반도체층(110)의 소스 영역 및 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 화소(PX)의 제1 전원 전압 전극(153)도 제1 데이터 도전층(150)으로 이루어질 수 있다.

제1 데이터 도전층(150)은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 제1 데이터 도전층(150)은 단일막 또는 다층막일 수 있다. 예를 들어, 제1 데이터 도전층(150)은 Ti/Al/Ti, Mo/Al/Mo, Mo/AlGe/Mo, Ti/Cu 등의 적층구조로 형성될 수 있다.

제1 데이터 도전층(150) 상에는 제4 절연층(124)이 배치된다. 제4 절연층(124)은 제1 데이터 도전층(150)을 덮는다. 제4 절연층(124)은 층간 절연막 또는 비아층일 수 있다. 제4 절연층(124)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.

제4 절연층(124) 상에는 제2 데이터 도전층(160)이 배치된다. 제2 데이터 도전층(160)은 제2 소스/드레인 도전층일 수 있다. 제2 데이터 도전층(160)은 화소(PX)의 연결 전극(161)을 포함할 수 있다. 연결 배선(도 7의 'CNW') 또한 제2 데이터 도전층(160)으로 이루어질 수 있다. 연결 전극(161)은 제4 절연층(124)을 관통하는 컨택홀을 통해 화소(PX)의 박막 트랜지스터의 제2 전극(152)과 전기적으로 연결될 수 있다.

제2 데이터 도전층(160)은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 제2 데이터 도전층(160)은 단일막 또는 다층막일 수 있다. 제2 데이터 도전층(160)은 제1 데이터 도전층(150)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

제2 데이터 도전층(160) 상에는 제5 절연층(125)이 배치된다. 제5 절연층(125)은 제2 데이터 도전층(160)을 덮는다. 제5 절연층(125)은 비아층일 수 있다. 제5 절연층(125)은 상술한 제4 절연층(124)과 동일한 물질을 포함하거나, 제4 절연층(124)의 구성 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.

제5 절연층(125) 상에는 화소 전극(170)이 배치된다. 화소 전극(170)은 발광 소자의 애노드 전극일 수 있다. 화소 전극(170)은 제5 절연층(125)을 관통하는 컨택홀을 통해 제2 데이터 도전층(160)으로 이루어진 연결 전극(161)과 전기적으로 연결되고, 그를 통해 박막 트랜지스터의 제2 전극(152)과 연결될 수 있다. 화소 전극(170)은 화소(PX)의 발광 영역(EMA)과 적어도 부분적으로 중첩될 수 있다.

화소 전극(170)은 이에 제한되는 것은 아니지만 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 산화인듐(Induim Oxide: In2O3)의 일함수가 높은 물질층과 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 혼합물 등과 같은 반사성 물질층이 적층된 적층막 구조를 가질 수 있다. 일함수가 높은층이 반사성 물질층보다 위층에 배치되어 유기층(190)에 가깝게 배치될 수 있다. 화소 전극(170)은 ITO/Mg, ITO/MgF, ITO/Ag, ITO/Ag/ITO의 복수층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

화소 전극(170) 상에는 화소 정의막(126)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(126)은 화소(PX)의 비발광 영역(NEA)과 적어도 부분적으로 중첩할 수 있다. 화소 정의막(126)은 화소 전극(170)을 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 화소 정의막(126)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 아연 산화물 등의 무기 절연 물질이나 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 화소 정의막(126)은 단일막 또는 서로 다른 물질의 적층막으로 이루어진 다층막일 수 있다.

화소 정의막(126)의 개구부 내에는 발광층이 배치된다. 발광층은 무기 물질 또는 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 발광층은 유기층(190)을 포함할 수 있다. 유기층(190)은 유기 발광층, 정공 주입/수송층, 전자 주입/수송층을 포함할 수 있다. 유기층(190)은 발광 영역(EMA)과 중첩할 수 있다.

유기층(190)과 화소 정의막(126) 상에는 공통 전극(180)이 배치된다. 공통 전극(180)은 발광 소자의 캐소드 전극일 수 있다. 공통 전극(180)은 화소(PX)의 발광 영역(EMA) 뿐만 아니라 비발광 영역(NEA)에도 배치될 수 있다. 즉, 공통 전극(180)은 각 화소(PX)의 전면에 배치될 수 있다. 공통 전극(180)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag, Pt, Pd, Ni, Au Nd, Ir, Cr, BaF, Ba 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물 등)과 같은 일함수가 작은 물질층을 포함할 수 있다. 공통 전극(180)은 상기 일함수가 작은 물질층 상에 배치된 투명 금속 산화물층을 더 포함할 수 있다.

도면으로 도시하지는 않았지만, 공통 전극(180) 상부에는 봉지막이 배치될 수 있다. 봉지막은 무기막을 포함할 수 있다. 일 실시예에서 봉지막은 제1 무기막, 제1 무기막 상부의 유기막, 유기막 상부의 제2 무기막을 포함할 수 있다.

도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 배선들의 배치도이다.

도 6을 참조하면, 패드부(PDR)에서 배선 패드(WR_PD)들이 배열된 배선 패드(WR_PD) 행의 제2 방향(DR2)의 폭은 활성 영역(AAR)의 제2 방향(DR2)의 폭보다 작다. 보다 많은 활성 영역(AAR)을 커버하기 위해 배선(WR)은 배선 패드(WR_PD)로부터 활성 영역(AAR) 측으로 갈수록 펼쳐질 수 있다. 가장 바람직한 배선(WR)의 배열은 활성 영역(AAR) 인근의 비활성 영역(NAR)에서 배선(WR)들이 활성 영역(AAR) 전체를 커버하도록 배치되는 것일 것이다. 그러나, 표시 장치의 베젤이 줄어들면 배선(WR)들이 펼쳐질 수 있는 공간이 부족해질 수 있다. 표시 장치가 L자 커팅 형상을 갖거나, 코너 부위에 다른 배선(WR)들이 배치되어 해당 공간을 지나지 못하게 되면 그 공간은 더 부족해질 수 있다. 그 결과, 활성 영역(AAR)에 인접하는 비활성 영역(NAR)에서 패드부(PDR)로부터 연장된 배선(WR)의 제2 방향(DR2) 배열은 활성 영역(AAR)보다 작은 폭을 갖게 될 수 있다.

활성 영역(AAR)은 그에 인접하는 비활성 영역(NAR)에서의 패드부(PDR)로부터 연장된 배선(WR)의 배치 영역과의 상대적인 관계에 따라 내측 활성 영역(AAR_I) 및 외측 활성 영역(AAR_L; AAR_L1, AAR_L2)으로 구분될 수 있다. 내측 활성 영역(AAR_I)은 활성 영역(AAR)에 인접한 비활성 영역(NAR)의 패드부(PDR)로부터 연장된 배선(WR) 배열을 제1 방향(DR1) 타측으로 연장하였을 때 그에 중첩하는 활성 영역으로 정의되고, 외측 활성 영역(AAR_L)은 활성 영역(AAR)에 인접한 비활성 영역(NAR)의 패드부(PDR)로부터 연장된 배선 배열을 제1 방향(DR1) 타측으로 연장하였을 때 그에 비중첩하는 활성 영역(AAR)으로 정의될 수 있다. 도면에서는 내측 활성 영역(AAR_I)이 활성 영역(AAR)의 중앙부에 위치하고, 내측 활성 영역(AAR_I)의 제2 방향(DR2) 일측에 제1 외측 활성 영역(AAR_L1)이, 내측 활성 영역(AAR_I)의 제2 방향(DR2) 타측에 제2 외측 활성 영역(AAR_L2)이 위치하는 경우를 예시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 내측 활성 영역(AAR_I)과 외측 활성 영역(AAR_L)의 개수, 위치 등은 패드부(PDR)의 배선 패드(WR_PD) 행의 위치에 따라 다양하게 변형될 수 있다.

내측 활성 영역(AAR_I)에서 각 배선(WR)은 내측 활성 영역(AAR_I)에 인접한 비활성 영역(NAR)(즉, 내측 비활성 영역(NAR))으로부터 제1 방향(DR1)으로 연장됨으로써 해당 영역의 화소들에 인접 배치되어 신호를 인가할 수 있다. 반면, 외측 활성 영역(AAR_L)에서 각 배선(WR)은 내측 비활성 영역(NAR)으로부터 우회 배선(WR_CN)을 통해 외측(제2 방향(DR2) 일측 또는 타측)으로 이동한 후 해당 위치로부터 제1 방향(DR1)으로 연장됨으로써 해당 영역의 화소들에 인접 배치되어 신호를 인가할 수 있다. 우회 배선(WR_CN)은 내측 활성 영역(AAR_I)을 거쳐 외측 활성 영역(AAR_L)에 인접 위치하는 비활성 영역(NAR)(즉, 외측 비활성 영역(NAR))에까지 진행할 수 있다. 우회 배선(WR_CN)이 지나는 활성 영역(AAR)에는 다른 배선(WR)들이 배치되어 있으므로, 배선(WR)간 단락을 피하기 위해 우회 배선(WR_CN)은 활성 영역(AAR)의 다른 배선(WR)들과 다른 층에 위치하는 도전층으로 이루어질 수 있다.

도 7은 일 실시예에 따른 데이터 라인을 구성하는 신호 배선들을 나타낸 배치도이다. 도 8은 도 7의 VIII-VIII'선을 따라 자른 단면도이다. 도 9는 도 7의 IX-IX'선을 따라 자른 단면도이다.

도 7 내지 도 9를 참조하면, 데이터 라인(DL: DL1, DL2)은 제1 화소 열(PXC1)에 속하는 화소(PX)들에 제1 데이터 신호를 제공하는 제1 데이터 라인(DL1)과 제2 화소 열(PXC2)에 속하는 화소(PX)들에 제2 데이터 신호를 제공하는 제2 데이터 라인(DL2)을 포함한다. 제1 데이터 라인(DL1)과 제2 데이터 라인(DL2)은 패드부(PDR)로부터 활성 영역(AAR)의 화소(PX)에 이르기까지 여러 도전층을 이용하여 연결될 수 있다. 제1 데이터 라인(DL1)과 제2 데이터 라인(DL2)은 활성 영역(AAR) 전체에 걸쳐 제2 방향(DR2)을 따라 하나씩 교대 배열될 수 있다.

제1 데이터 라인(DL1)과 제2 데이터 라인(DL2)은 각각 내측 데이터 라인과 외측 데이터 라인으로 구분될 수 있다. 내측 데이터 라인은 내측 활성 영역(AAR_I)에 위치하는 화소(PX)들에 데이터 신호를 제공하는 데이터 라인이고, 외측 데이터 라인은 외측 활성 영역(AAR_L)에 위치하는 화소(PX)들에 데이터 신호를 제공하는 데이터 라인일 수 있다.

내측 데이터 라인은 비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2) 및 신호 배선(SW1, SW2)을 포함할 수 있다. 비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2)은 내측 비활성 영역(NAR)에 배치되고, 신호 배선(SW1, SW2)은 내측 비활성 영역(NAR)으로부터 활성 영역(AAR)에 걸쳐 배치될 수 있다.

내측 데이터 라인에 해당하는 제1 데이터 라인(DL1)은 제2 비활성 팬아웃 배선(NFW_2) 및 제1 신호 배선(SW1)을 포함할 수 있다. 내측 데이터 라인에 해당하는 제2 데이터 라인(DL2)은 제2 비활성 팬아웃 배선(NFW_2) 및 제2 신호 배선(SW2)을 포함할 수 있다.

내측 데이터 라인의 비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2)과 신호 배선(SW1, SW2)은 내측 활성 영역(AAR_I)에 인접한 비활성 영역(NAR)에 위치하는 내측 배선 컨택부(CNI)에서 상호 연결될 수 있다. 내측 배선 컨택부(CNI)에서 내측 데이터 라인의 비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2)과 신호 배선(SW1, SW2)은 직접 컨택할 수 있다.

외측 데이터 라인은 비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2)과 신호 배선(SW1, SW2) 외에 우회 배선(도 6의 'WR_CN')인 연결 배선(CNW)을 더 포함할 수 있다. 비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2)은 내측 비활성 영역(NAR)에 배치되고, 신호 배선(SW1, SW2)과 연결 배선(CNW)은 내측 비활성 영역(NAR)으로부터 활성 영역(AAR)에 걸쳐 배치될 수 있다.

외측 데이터 라인에 해당하는 제1 데이터 라인(DL1)은 제1 비활성 팬아웃 배선(NFW_1), 연결 배선(CNW) 및 제1 신호 배선(SW1)을 포함할 수 있다. 외측 데이터 라인에 해당하는 제2 데이터 라인(DL2)은 제1 비활성 팬아웃 배선(NFW_1), 연결 배선(CNW) 및 제2 신호 배선(SW2)을 포함할 수 있다. 연결 배선(CNW)은 활성 영역(AAR)을 경유하는 활성 팬아웃 배선일 수 있다.

외측 데이터 라인의 연결 배선(CNW)과 비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2)은 내측 비활성 영역(NAR)에 위치하는 내측 배선 컨택부(CNI)에서 상호 연결될 수 있다. 내측 배선 컨택부(CNI)에서 비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2)과 연결 배선(CNW)은 직접 컨택할 수 있다. 연결 배선(CNW)과 신호 배선(SW1, SW2)은 외측 활성 영역(AAR_L)에 인접한 비활성 영역(NAR)에 위치하는 외측 배선 컨택부에서 상호 연결될 수 있다. 외측 배선 컨택부에서 연결 배선(CNW)과 신호 배선(SW1, SW2)은 컨택 전극(CNE)을 통해 연결될 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 외측 배선 컨택부에서 연결 배선(CNW)과 신호 배선(SW1, SW2)은 컨택 전극(CNE) 없이 직접 컨택할 수도 있다. 이 경우, 외측 배선 컨택부에서 연결 배선(CNW)과 신호 배선(SW1, SW2) 중 적어도 하나는 도시된 컨택 전극(CNE)의 형상에 상응하는 구조(예컨대, 배선으로부터 제2 방향(DR2)으로 절곡된 절곡부)를 더 포함할 수 있을 것이다.

상술한 내측 데이터 라인은 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2)과 신호 배선(SW1, SW2)이 활성 영역(AAR)을 가로지르는 연결 배선(CNW) 없이 직접 연결되는 데이터 라인으로서, 직접 연결형 데이터 라인, 직통형 데이터 라인 또는 다이렉트형 데이터 라인으로 지칭될 수 있다. 반면, 외측 데이터 라인은 비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2)과 신호 배선(SW1, SW2)이 연결 배선(CNW)을 통해 연결되는 데이터 라인으로서, 간접 연결형 데이터 라인, 경유형 데이터 라인, 또는 인다이렉트형 데이터 라인으로 지칭될 수 있다.

비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2), 신호 배선(SW1, SW2), 연결 배선(CNW)은 서로 다른 층에 위치하는 도전층으로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2)은 게이트 도전층(130, 140)으로 이루어지고, 신호 배선(SW1, SW2)과 연결 배선(CNW)은 서로 다른 데이터 도전층(150, 160)으로 이루어질 수 있다.

구체적으로, 내측 또는 외측 데이터 라인인지 여부와 무관하게 제1 비활성 팬아웃 배선(NFW_1)은 제1 게이트 도전층(130)으로 이루어지고, 제2 비활성 팬아웃 배선(NFW_2)은 제2 게이트 도전층(140)으로 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 제1 비활성 팬아웃 배선(NFW_1)으로 제2 게이트 도전층(140)으로 이루어지고 제2 비활성 팬아웃 배선(NFW_2)이 제1 게이트 도전층(130)으로 이루어질 수도 있다.

제1 신호 배선(SW1)과 제2 신호 배선(SW2)은 내측 또는 외측 데이터 라인인지 여부와 무관하게 모두 제1 데이터 도전층(150)으로 이루어지고, 연결 배선(CNW)은 제2 데이터 도전층(160)으로 이루어질 수 있지만, 적용되는 도전층이 서로 반대로 바뀔 수도 있다.

도면에서는 연결 배선(CNW)이 하나의 도전층으로 이루어지고, 신호 배선(SW)이 연결 배선(CNW)과 다른 도전층으로 이루어진 것이 예시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 몇몇 실시예에서, 연결 배선(CNW)은 부분적으로 분리되어 하나 이상의 도전층으로 이루어지고, 이들 중 일부는 신호 배선(SW)과 동일한 도전층으로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 연결 배선(CNW) 중 신호 배선(SW)과 동일하게 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분들은 신호 배선(SW)과 동일한 층에 배치된 도전층으로 이루어지고, 연결 배선(CNW) 중 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분은 신호 배선(SW)과 다른 층에 배치된 도전층으로 이루어질 수 있다.

컨택 전극(CNE)은 연결 배선(CNW) 및 신호 배선(SW1, SW2)과 상이한 층에 배치되는 도전층으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 컨택 전극(CNE)은 도면에서 도시된 것처럼 제2 게이트 도전층(140)으로 이루어질 수 있지만, 제1 게이트 도전층(130)으로 이루어질 수도 있다.

한편, 비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2)는 배선 패드(WR_PD)에 연결되는데, 중간에 다른 도전층으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 벤딩 영역(BR)을 제1 데이터 도전층(150) 또는 제2 데이터 도전층(160)으로 통과한 후, 서브 영역(SR)에서는 제1 게이트 도전층(130) 또는 제2 게이트 도전층(140)을 이용하여 연장할 수 있다. 배선 패드(WP_PD)는 게이트 도전층(130, 140) 및 그에 컨택을 이용하여 연결된 데이터 도전층(150, 160)을 포함할 수 있다. 배선의 연장부에서 도전층이 달라질 때에는 해당 부위에 각 도전층 사이를 연결하는 컨택홀이 형성될 수 있다.

도 10은 일 실시예에 따른 표시 장치의 활성 영역에 배치된 복수의 배선들의 배열을 도시한 개략적인 배치도이다. 도 10에서는 설명의 편의 상 활성 영역(AAR)에 배치되는 복수의 연결 배선(CNW)들과 더미 배선 패턴(DMP)들 및 신호 배선(SW)들의 상대적인 배치만을 도시하였다.

도 10을 참조하면, 표시 장치(1)의 활성 영역(AAR)에는 복수의 배선들이 서로 교차하도록 배치될 수 있다. 활성 영역(AAR) 중 비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2)이 배치된 비활성 영역(NAR)과 인접한 영역에는 연결 배선(CNW)이 배치된 활성 팬아웃 영역(AAR_F)이 정의될 수 있다. 활성 영역(AAR) 중 활성 팬아웃 영역(AAR_F) 이외의 영역으로 연결 배선(CNW)이 배치되지 않은 메인 활성 영역(AAR_M)이 정의될 수 있다. 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에 배치된 연결 배선(CNW)은 내측 활성 영역(AAR_I)에 배치된 비활성 팬아웃 배선(NFW_1, NFW_2)과 외측 활성 영역(AAR_L)에 배치된 신호 배선(SW)들을 연결하도록 배치됨에 따라, 활성 영역(AAR) 중 일부 영역에만 배치될 수 있다. 제1 방향(DR1)으로 연장되는 신호 배선(SW)과 달리, 연결 배선(CNW)은 제2 방향(DR2)으로 연장되는 부분을 포함하게 되므로, 연결 배선(CNW)만 배치된 영역에는 제2 방향(DR2)으로 연장된 배선들이 외부에서 시인되는 불량이 발생할 수 있다.

이를 방지하기 위해, 활성 팬아웃 영역(AAR_F) 이외의 메인 활성 영역(AAR_M)에는 연결 배선(CNW)과 유사한 형상의 더미 배선 패턴(DMP)들이 배치될 수 있다. 더미 배선 패턴(DMP)들은 제1 방향(DR1) 또는 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 더미 배선 패턴(DMP)들은 연결 배선(CNW)과 동일한 층에 위치하는 도전층으로 이루어질 수 있고, 이들 중 일부는 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에서 연결 배선(CNW)들 사이에 배치될 수 있다. 더미 배선 패턴(DMP)들은 활성 영역(AAR) 전면에서 연결 배선(CNW)들이 배치된 활성 팬아웃 영역(AAR_F)과 메인 활성 영역(AAR_M)이 구분되어 시인되는 것을 방지할 수 있다. 이하, 다른 도면들을 더 참조하여 표시 장치(1)의 배선들의 배치 구조에 대하여 상세히 설명하기로 한다.

도 11은 일 실시예에 따른 화소 배열을 나타내는 부분 배치도이다. 도 12는 도 11의 화소 배열에 데이터 라인의 배열을 도시한 부분 배치도이다. 도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 메인 활성 영역에 배치된 더미 배선 패턴들의 배열을 도시한 개략적인 배치도이다. 도 11 내지 도 13에서는 설명의 편의상 각 화소의 형상을 직사각형으로 간소화하여 도시하였다. 도 12는 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에서 도 11의 화소 배열에 배치된 데이터 라인들을 도시하고 있고, 도 13은 메인 활성 영역(AAR_M)에서 도 11의 화소 배열에 배치된 더미 배선 패턴(DMP)들 및 신호 배선(SW)들을 도시하고 있다. 도 11 내지 도 13은 각 화소(PX)의 발광 영역(EMA)의 형상과는 무관하게 하나의 화소(PX)가 커버하는 공간을 개념적으로 도시한 것이며, 각 화소(PX)의 발광 영역(EMA)이 실제 직사각형 형상을 갖는 경우 뿐만 아니라, 도 3에 도시된 바와 같은 엇갈린 배열을 갖는 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.

도 11 내지 도 13을 참조하면, 제1 신호 배선(SW1)과 제2 신호 배선(SW2)은 화소(PX)의 경계(또는 화소 사이 공간)를 따라 배치될 수 있다. 여기서, 화소(PX)의 경계라 함은, 화소(PX)가 차지하고 있는 공간의 테두리 부위로서, 화소(PX)의 발광 영역(EMA) 외측 공간을 지칭할 수 있다. 이하의 실시예에서는 신호 배선(SW1, SW2)이 화소(PX)의 경계에 배치된 경우를 예시하지만, 신호 배선(SW1, SW2)은 화소(PX)의 발광 영역(EMA)과 부분적으로 중첩하도록 배치될 수도 있다. 표시 장치가 전면 발광형 표시 장치인 경우, 신호 배선(SW1, SW2)이 화소(PX)를 가로질러 발광 영역(EMA)과 중첩하더라도 발광 휘도에 영향을 주지 않을 수 있다.

활성 영역(AAR) 중 외측 활성 영역(AAR_L, 도 12 및 도 13의 'AAR_L2')에 배치된 복수의 화소 열, 예를 들어 제1 내지 제4 화소 열(PXC1, PXC2, PXC3, PXC4)에 데이터 신호를 제공하는 제1 신호 배선(SW1)과 제2 신호 배선(SW2)은 각 화소 열(PXC)의 제2 방향(DR2) 타측에 인접 배치될 수 있다. 반면, 내측 활성 영역(AAR_I)에 배치된 복수의 화소 열, 예를 들어 제5 내지 제8 화소 열(PXC5, PXC6, PXC7, PXC8)에 데이터 신호를 제공하는 제1 신호 배선(SW1)과 제2 신호 배선(SW2)은 각 화소 열(PXC)의 제2 방향(DR2) 일측에 인접 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 제1 신호 배선(SW1)과 제2 신호 배선(SW2)은 각 화소 열(PXC)의 제2 방향(DR2) 일측 또는 타측에 동일하게 배치될 수 있다. 또는, 제1 신호 배선(SW1)과 제2 신호 배선(SW2)은 각 화소 열(PXC)의 제2 방향(DR2) 일측 또는 타측에 교번적으로 배치될 수 있다.

제1 신호 배선(SW1)과 제2 신호 배선(SW2)은 화소 열 사이 공간(PXT_C#12, PXT_C#23, PXT_C#34, PXT_C#45, PXT_C#56, PXT_C#67, PXT_C#78)에 각각 배치될 수 있다. 다만, 외측 활성 영역(AAR_L2)과 내측 활성 영역(AAR_I)의 경계에 위치한 화소 열 사이 공간(PXT_C#45)에는 신호 배선(SW1, SW2)들이 배치되지 않을 수도 있다. 신호 배선(SW)들은 내측 활성 영역(AAR_I)과 외측 활성 영역(AAR_L)의 경계를 기준으로 대칭 구조로 배치될 수 있다.

연결 배선(CNW)은 활성 영역(AAR) 내에서 화소(PX)의 경계를 따라 배치될 수 있다. 연결 배선(CNW)은 절곡 구조를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 연결 배선(CNW)은 제1 방향(DR1)으로 연장하는 제1 연장부(CNW_1)와 제3 연장부(CNW_3) 및 제2 방향(DR2)으로 연장하는 제2 연장부(CNW_2)를 포함할 수 있다.

제1 연장부(CNW_1)는 내측 비활성 영역(NAR)으로부터 내측 활성 영역(AAR_I) 방향(즉, 제1 방향(DR1) 일측)으로 연장될 수 있다. 제1 연장부(CNW_1)의 제1 단부는 내측 비활성 영역(NAR)에 위치하고, 제2 단부는 내측 활성 영역(AAR_I)에 위치할 수 있다. 제1 연장부(CNW_1)의 제1 단부는 내측 배선 컨택부(CNI)에서 비활성 팬아웃 배선(NFW)과 연결될 수 있다.

제2 연장부(CNW_2)는 제1 연장부(CNW_1)와 연결되고, 제2 방향(DR2) 타측(또는 일측)으로 연장될 수 있다. 제2 연장부(CNW_2)는 내측 활성 영역(AAR_I)으로부터 외측 활성 영역(AAR_L) 방향으로 연장될 수 있다. 제2 연장부(CNW_2)의 제1 단부는 내측 활성 영역(AAR_I)에 위치하고, 제2 단부는 외측 활성 영역(AAR_L)에 위치할 수 있다.

제2 연장부(CNW_2)의 제1 단부는 제1 연장부(CNW_1)의 제2 단부와 연결되어 있을 수 있다. 제2 연장부(CNW_2)의 제1 단부 및/또는 제1 연장부(CNW_1)의 제2 단부에는 연결 배선(CNW)의 제1 절곡부가 배치될 수 있다. 제2 연장부(CNW_2)는 그 전체가 활성 영역(AAR) 내에 배치될 수 있다.

제3 연장부(CNW_3)는 제2 연장부(CNW_2)와 연결되고, 외측 활성 영역(AAR_L)으로부터 외측 비활성 영역(NAR) 방향(즉, 제1 방향(DR1) 일측)으로 연장될 수 있다. 제3 연장부(CNW_3)의 제1 단부는 외측 활성 영역(AAR_L)에 위치하고, 제2 단부는 외측 비활성 영역(NAR)에 위치할 수 있다. 제3 연장부(CNW_3)의 제1 단부는 제2 연장부(CNW_2)의 제2 단부와 연결되어 있을 수 있다. 제3 연장부(CNW_3)의 제1 단부 및/또는 제2 연장부(CNW_2)의 제2 단부에는 연결 배선(CNW)의 제2 절곡부가 배치될 수 있다. 제1 연장부(CNW_1)의 제2 단부는 외측 배선 컨택부에서 컨택 전극(CNE) 및/또는 그에 연결된 신호 배선(SW1, SW2)과 연결될 수 있다.

외측 데이터 라인의 신호 배선(SW1, SW2)은 내측 활성 영역(AAR_I)에서 멀어질수록 더 멀리 배치된 비활성 팬아웃 배선(NFW)과 연결될 수 있다. 즉, 복수의 외측 데이터 라인의 신호 배선(SW1, SW2) 중 내측 활성 영역(AAR_I)에 인접한 신호 배선(SW1, SW2)은 상대적으로 가까운 비활성 팬아웃 배선(NFW)에 연결될 수 있다. 외측 데이터 라인의 신호 배선(SW1, SW2)이 제2 방향(DR2) 타측으로 멀어질수록 제2 방향(DR2) 일측에 위치하는 비활성 팬아웃 배선(NFW)이 그에 연결될 수 있다. 상대적으로 더 외측에 위치하는 외측 데이터 라인의 연결 배선(CNW)은 그보다 내측에 위치하는 외측 데이터 라인의 연결 배선(CNW)을 평면도상 둘러싸는 형상으로 배치될 수 있다.

도 12에서는 제2 외측 활성 영역(AAR_L2) 및 그에 인접하는 내측 활성 영역(AAR_I)에 위치하는 5행 8열 구조의 화소 배열이 예시되어 있다. 제1 외측 활성 영역(AAR_L1) 및 그에 인접하는 내측 활성 영역(AAR_I)의 배선 배열은 도 12의 배선 배열에 대해 대체로 대칭 관계를 가질 수 있다.

도면상 가장 좌측에 배치된 열을 1번 열로 지칭하고, 우측으로 갈수록 열 번호가 증가하는 것으로 한다. 또한, 도면상 가장 하측에 배치된 행을 1번 행으로 지칭하고, 상측으로 갈수록 행 번호가 증가하는 것으로 지칭한다. 화소 간 사이 공간은 인접 화소 중 좌측의 화소 번호를 기재하여 표기한다. 예를 들어, 1번 화소와 2번 화소 사이의 공간은 '1번 화소 사이의 공간'으로 기재하여 표기한다. 연결 배선(CNW)은 경로가 짧은 순서대로 번호를 부여한다.

1번, 3번, 5번, 7번 화소 열(PXC#1, PXC#3, PXC#5, PXC#7)은 제1 화소 열(PXC1)에 해당하고, 2번, 4번, 6번, 8번 화소 열(PXC#2, PXC#4, PXC#6, PXC#8)은 제2 화소 열(PXC2)에 해당한다. 또한, 1번 내지 4번 화소 열(PXC#1, PXC#2, PXC#3, PXC#4)은 외측 활성 영역(AAR_L)에 배치된 화소 열(PXC)들이고, 5번 내지 8번 화소 열(PXC#5, PXC#6, PXC#7, PXC#8)은 내측 활성 영역(AAR_I)에 배치된 화소 열(PXC)들이다. 도면에서는 각 화소열(PXC)들을 'C#n(n은 1 내지 8 사이의 정수)'로 표현하였으나, 이들은 각각 1번 내지 8번 화소열(PXC#1~PXC#8)을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.

이와 유사하게, 활성 영역(AAR)에 배치된 복수의 화소행(PXR)들도 제1 방향(DR1) 타 측에서부터 1번 화소행(PXR#1)으로 정의되어 제1 방향(DR1) 일 측으로 갈수록 2번 내지 5번 화소행(PXR#2, PXR#3, PXR#4, PXR#5)으로 지칭될 수 있다. 도면에서는 각 화소행(PXR)들을 'R#n(n은 1 내지 5 사이의 정수)'로 표현하였으나, 이들은 각각 1번 내지 5번 화소행(PXR#1~PXR#5)을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.

내측 비활성 영역(NAR)에는 8개의 비활성 팬아웃 배선(NFW)이 배치된다. 도면상 좌측으로부터 1번, 3번, 5번, 7번 비활성 팬아웃 배선(NFW#1, NFW#3, NFW#5, NFW#7)은 연결 배선(CNW)에 연결되는 제2 화소 열(PXC2)에 연결되는 제2 데이터 라인(DL2)에 속하는 제1 비활성 팬아웃 배선(NFW_1)이다. 도면상 좌측으로부터 2번, 4번, 6번, 8번 비활성 팬아웃 배선(NFW#2, NFW#4, NFW#6, NFW#8)은 신호 배선(SW)과 직접 연결되는 제1 데이터 라인(DL1)에 속하는 제2 비활성 팬아웃 배선(NFW_2)이다.

1번 비활성 팬아웃 배선(NFW#1)은, 1번 연결 배선(CNW#1)을 통해 4번 화소 열(PXC#4)에 연결되는 신호 배선(SW)에 연결된다. 1번 연결 배선(CNW#1)의 제1 연장부(CNW_1)는 1번 화소 행(PXR#1)에서 4번 화소 열 사이 공간(PXT_C#45)에 배치된다. 1번 연결 배선(CNW#1)의 제2 연장부(CNW_2)는 4번 화소 열 사이 공간(PXT_C#45)에서 1번 화소 행 사이 공간(PXT_R#12)에 배치된다. 1번 연결 배선(CNW#1)의 제3 연장부(CNW_3)는 1번 화소 행(PXR#1)에서 4번 화소 열 사이 공간(PXT_C#45)에 배치되되, 제1 연장부(CNW_1)의 제2 방향(DR2) 타측에 배치된다. 1번 연결 배선(CNW#1)의 제3 연장부(CNW_3)는 컨택 전극(CNE)을 통해 3번 화소 열 사이 공간(PXT_R#34)에 배치되는 신호 배선(SW)에 연결된다.

2번 비활성 팬아웃 배선(NFW#2)은, 5번 화소 열 사이 공간(PXT_C#56)에 배치되며 5번 화소 열(PXC#5)에 연결되는 신호 배선(SW)에 연결된다.

이와 유사하게, 3번, 5번, 7번 비활성 팬아웃 배선(NFW#3, NFW#5, NFW#7)들은 각각 2번 연결 배선(CNW#2), 3번 연결 배선(CNW#3) 및 4번 연결 배선(CNW#4)과 연결된다. 4번, 6번, 8번 비활성 팬아웃 배선(NFW#4, NFW#6, NFW#8)은 각각 신호 배선(SW)들과 직접 연결될 수 있다.

연결 배선(CNW)의 제1 연장부(CNW_1)와 제3 연장부(CNW_3)는 활성 영역(AAR) 내에서 각 화소 열 사이 공간(PXT_C#12, C#23, C#34, C#45, C#56, C#67, C#78)에 배치될 수 있다. 반면, 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)는 활성 영역(AAR)의 화소 행 사이 공간(PXT_R) 중 일부 화소 행 사이 공간에만 배치될 수 있다.

화소 열 사이 공간(PXT_C)을 지나는 연결 배선(CNW)의 제1 연장부(CNW_1)와 제3 연장부(CNW_3)는 신호 배선(SW1, SW2)과 중첩하지 않지만, 화소 행 사이 공간(PXT_R)을 지나는 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)는 신호 배선(SW1, SW2)과 교차하고 해당 교차부에서 부분 중첩할 수 있다.

서로 다른 신호 배선(SW1, SW2)에 연결된 연결 배선(CNW)은 상호 간에 단락되지 않도록 서로 다른 위치에 이격되도록 배치된다. 일 실시예에서, 연결 배선(CNW)들의 제1 연장부(CNW_1)들 및 제3 연장부(CNW_3)들은 각 화소 열 사이 공간(PXT_C)에 배치되되, 제2 연장부(CNW_2)들은 적어도 둘 이상의 화소 행 사이 공간(PXT_R) 당 하나씩 배치될 수 있다.

예를 들어, 1번 연결 배선(CNW#1)의 제1 연장부(CNW_1)와 제3 연장부(CNW_3)는 4번 화소 열 사이 공간(PXT_C#45)에 배치된다. 2번 연결 배선(CNW#2)의 제1 연장부(CNW_1)는 5번 화소 열 사이 공간(PXT_C#56)에 배치되고 제3 연장부(CNW_3)는 3번 화소 열 사이 공간(PXT_C#34)에 배치된다. 이와 유사하게, 3번 연결 배선(CNW#3)과 4번 연결 배선(CNW#4)의 제1 연장부(CNW_1)와 제3 연장부(CNW_3)는 각 화소 열 사이 공간(PXT_C#12, PXT_C#23, PXT_C#67, PXT_C#78)에 배치될 수 있다. 1번 내지 4번 연결 배선(CNW#1, CNW#2, CNW#3, CNW#4)들의 각 제1 연장부(CNW_1) 또는 제3 연장부(CNW_3)들 사이의 간격은 일정할 수 있다. 제1 연장부(CNW_1)들 사이에는 하나의 화소 열(PXC)들이 배치되고, 이들 사이의 간격은 각 화소(PX)의 제2 방향(DR2) 폭과 유사할 수 있다.

반면, 연결 배선(CNW)들의 제2 연장부(CNW_2)는 적어도 둘 이상의 화소 행 사이 공간(PXT_R) 당 하나씩 배치될 수 있다. 예를 들어, 1번 연결 배선(CNW#1)의 제2 연장부(CNW_2)는 4번 화소 열 사이 공간(PXT_C#45)에서 1번 화소 행 사이 공간(PXT_R#12)에 배치되고, 2번 연결 배선(CNW#2)의 제2 연장부(CNW_2)는 3번 화소 열 사이 공간(PXT_C#34)으로부터 5번 화소 열 사이 공간(PXT_C#56)에 걸쳐 3번 화소 행 사이 공간(PXT_R#34)에 배치될 수 있다. 2번 화소 행 사이 공간(PXT_R#23)에는 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)가 배치되지 않을 수 있다. 이와 유사하게, 3번 연결 배선(CNW#3)의 제2 연장부(CNW_2)는 5번 화소 행 사이 공간(PXT_R)에 배치되고, 4번 화소 행 사이 공간(PXT_R#45)에는 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)가 배치되지 않을 수 있다.

이에 따라, 이웃하는 1번 내지 4번 연결 배선(CNW#1, CNW#2, CNW#3, CNW#4)들의 제2 연장부(CNW_2) 사이에는 적어도 둘 이상의 화소 행(PXR)들이 배치될 수 있다.

한편, 상술한 바와 같이, 연결 배선(CNW)은 활성 영역(AAR) 중 비활성 영역(NAR)과 인접관 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에만 배치될 수 있다. 이 경우, 활성 영역(AAR) 전면에서 일부 영역에만 배치된 연결 배선(CNW)들이 외부에서 시인되는 외관 불량이 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 활성 영역(AAR) 전면에는 복수의 더미 배선 패턴(DMP; DMP_1, DMP_2, DMP_3)들이 배치될 수 있다.

더미 배선 패턴(DMP)은 연결 배선(CNW)과 동일한 도전층으로 이루어질 수 있다. 연결 배선(CNW)이 제2 데이터 도전층(160)으로 이루어진 경우, 더미 배선 패턴(DMP) 또한 제2 데이터 도전층(160)으로 이루어진다. 더미 배선 패턴(DMP)은 연결 배선(CNW)과 함께(동시에) 형성될 수 있다.

더미 배선 패턴(DMP)은 연결 배선(CNW)으로부터 분리되어 있을 수 있다. 즉, 더미 배선 패턴(DMP)은 연결 배선(CNW)과 동일한 층에 형성되지만, 그로부터 이격되도록 배치될 수 있다. 더미 배선 패턴(DMP)은 전기적 신호를 직접적으로 인가받지 않는 플로팅 배선 패턴일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 더미 배선 패턴(DMP)들은 연결 배선(CNW) 중 일부와 연결될 수도 있다.

더미 배선 패턴(DMP)은 제2 방향(DR2)으로 연장된 제1 더미 배선 패턴(DMP_1) 및 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)과, 제1 방향(DR1)으로 연장된 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)을 포함할 수 있다. 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)은 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에 배치되고, 제2 더미 배선 패턴(DMP_2) 및 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)은 메인 활성 영역(AAR_M)에 배치될 수 있다.

제1 더미 배선 패턴(DMP_1)은 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에서 화소 행 사이 공간(PXT_R)에 배치될 수 있다. 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)은 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)가 배치되지 않는 화소 행 사이 공간(PXT_R)에 배치되어 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에서 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)만이 외부에서 시인되는 것을 완화할 수 있다.

제1 더미 배선 패턴(DMP_1)은 서로 다른 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)들 사이에 배치된 제1 서브 패턴(DMP#1)을 포함할 수 있다. 제1 서브 패턴(DMP#1)은 제2 연장부(CNW_2)들이 배치되지 않는 화소 행 사이 공간(PXT_R)인 2번, 4번 화소 행 사이 공간(PXT_R#23, PXT_R#45)에서 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치될 수 있다. 제1 서브 패턴(DMP#1)은 화소 행 사이 공간(PXT_R)에서 제2 방향(DR2)으로 이웃한 복수의 화소(PX)들에 걸쳐 배치될 수 있다. 예를 들어, 1번 연결 배선(CNW#1)과 2번 연결 배선(CNW#2)의 제2 연장부(CNW_2) 사이에 배치된 제1 서브 패턴(DMP#1)은 2번 화소 행 사이 공간(PXT_R#23)에 배치되어 4번 화소 열(PXC#4)과 5번 화소 열(PXC#5)에 걸쳐 배치될 수 있다. 제1 서브 패턴(DMP#1)은 제2 방향(DR2)으로 연장된 길이가 각 화소 열(PXC) 또는 화소(PX)의 제2 방향(DR2)으로 측정된 폭보다 클 수 있다.

또한, 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)은 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)와 동일한 화소 행 사이 공간(PXT_R)에 배치되되, 제2 연장부(CNW_2)가 배치되지 않는 화소 열 사이 공간(PXT_C)에 배치된 제2 서브 패턴(DMP#2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 1번 연결 배선(CNW#1)의 제2 연장부(CNW_2)는 4번 화소 열 사이 공간(PXT_C#45)에서 1번 화소 행 사이 공간(PXT_R#12)에 배치된다. 제2 서브 패턴(DMP#2)은 1번 화소 행 사이 공간(PXT_R#12)에서 4번 화소 열 사이 공간(PXT_C#45)을 제외한 다른 화소 열 사이 공간(PXT_C)에 각각 배치될 수 있다. 제2 서브 패턴(DMP#2)은 제2 방향(DR2)으로 연장된 길이가 각 화소 열(PXC) 또는 화소(PX)의 제2 방향(DR2)으로 측정된 폭과 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)들은 연결 배선(CNW)과 동일한 층에 배치된 도전층으로 이루어질 수 있고, 이들과 교차하여 전기적으로 단락되는 것을 방지하기 위해 연결 배선(CNW)들과 이격되도록 배치될 수 있다.

제2 더미 배선 패턴(DMP_2)은 메인 활성 영역(AAR_M)에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)은 메인 활성 영역(AAR_M)의 각 화소 행 사이 공간(PXT_R)에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)은 외측 활성 영역(AAR_L2)으로부터 내측 활성 영역(AAR_I)에 걸쳐 배치됨에 따라, 복수의 화소 열(PXC) 및 화소 열 사이 공간(PXT_C)에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)은 신호 배선(SW)들과 교차할 수도 있다.

제3 더미 배선 패턴(DMP_3)은 메인 활성 영역(AAR_M)에 배치되어 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)은 메인 활성 영역(AAR_M)의 각 화소 열 사이 공간(PXT_C)에 배치되되, 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)과 교차하지 않도록 이와 이격될 수 있다. 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들은 연결 배선(CNW)들의 제1 연장부(CNW_1) 또는 제3 연장부(CNW_3)들의 제1 방향(DR1)으로 연장된 연장선 상에 놓이도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)은 화소 행 사이 공간(PXT_R)에는 배치되지 않고, 각 화소 열 사이 공간(PXT_C)에서 인접한 화소(PX)의 제2 방향(DR2) 일측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들은 각 화소(PX)에 데이터 신호를 제공하는 신호 배선(SW)과 해당 화소(PX)를 기준으로 제2 방향(DR2) 반대편에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.

메인 활성 영역(AAR_M)에 배치된 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)은 분리되지 않은 하나의 연장 선으로 배치되고, 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)과 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들은 동일한 층에 배치된 다른 배선들과 교차하지 않도록 서로 분리된 복수의 패턴들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)의 제2 방향(DR2)으로 측정된 길이는 제1 더미 배선 패턴(DMP_1) 각각의 제2 방향(DR2)으로 측정된 길이보다 길 수 있다. 또한, 제2 더미 배선 패턴(DMP_3)의 제2 방향(DR2)으로 측정된 길이는 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)의 제1 방향(DR1)으로 측정된 길이보다 길고, 나아가 연결 배선(CNW)들의 제2 연장부(CNW_2)의 길이보다 더 길 수 있다.

활성 영역(AAR)에는 연결 배선(CNW)에 대응하여 이와 유사한 형상의 더미 배선 패턴(DMP)들이 배치된다. 이 중, 활성 팬아웃 영역(AAR_F)과 메인 활성 영역(AAR_M)에는 제2 방향(DR2)으로 연장된 복수의 배선들이 배열될 수 있다. 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에는 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)와 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)들이 배치되고, 메인 활성 영역(AAR_M)에는 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)들이 배치될 수 있다.

연결 배선(CNW) 및 더미 배선 패턴(DMP)들은 동일한 층에 배치된 도전층으로, 예를 들어 제2 데이터 도전층(160)으로 이루어질 수 있다. 제2 데이터 도전층(160) 상에는 제5 절연층(125)이 배치되고, 그 상부에는 화소 전극(170)이 배치된다. 상술한 바와 같이, 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)은 하나의 연장된 배선으로 이루어지나, 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)과 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)은 분리된 복수의 배선 패턴들로 이루어질 수 있다. 제2 데이터 도전층(160)에 배치된 배선들이 서로 분리되어 이격된 부분에는 그 상부에 배치된 제5 절연층(125)의 상면이 단차질 수 있고, 제2 데이터 도전층(160)에 배치된 배선들이 이격된 부분 상에 배치된 화소 전극(170)도 상면이 단차지게 형성될 수 있다. 이 경우, 활성 영역(AAR)의 전면에 걸쳐 배치된 화소 전극(170) 중 영역에 따라 외부에서 입사되는 광의 반사율이 차이가 날 수 있고, 이러한 차이로 인하여 패턴들이 외부에서 시인될 수 있다.

특히, 각 연결 배선(CNW)들이 화소 열 사이 공간(PXT_C)이나 화소 행 사이 공간(PXT_R)에서 최단 경로를 갖도록 배치될 경우, 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)은 길이가 짧은 제2 서브 패턴(DMP#2)만을 포함하게 될 수 있다. 이 경우, 제2 방향(DR2)으로 연장된 배선들 중 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에 배치된 제2 서브 패턴(DMP#2)과 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)는 메인 활성 영역(AAR_M)에 배치된 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)과 배치 및 길이 등에 차이로 인하여 활성 영역(AAR)간 반사율의 차이가 더 심화되어 일부 배선들이 외부에서 패턴으로 시인될 확률이 증가할 수 있다. 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에는 길이가 짧은 제2 서브 패턴(DMP#2)이 다수 배치되고, 메인 활성 영역(AAR_M)에는 길이가 긴 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)들이 배치됨에 따라 활성 팬아웃 영역(AAR_F)과 메인 활성 영역(AAR_M)의 반사율 차이가 증가하여 이들이 서로 다른 영역으로 구분될 수 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 각 연결 배선(CNW)들이 화소 열 사이 공간(PXT_C) 또는 화소 행 사이 공간(PXT_R)에서 최단 경로를 갖지 않고 이들 사이에 둘 이상의 화소 행(PXR) 또는 화소 열(PXC)이 배치되는 경로로 형성될 수 있다. 예컨대, 도 12와 같이 연결 배선(CNW)들은 제2 방향(DR2)에 비해 제1 방향(DR1)으로 더 확장된 형상을 갖는 경로로 배치된다. 연결 배선(CNW)들은 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분의 길이가 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분의 길이보다 길 수 있고, 복수의 연결 배선(CNW)들 사이 공간에는 더미 배선 패턴(DMP)들이 배치될 수 있는 공간이 확보될 수 있다. 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에서 연결 배선(CNW)들 사이에는 메인 활성 영역(AAR_M)에 배치된 더미 배선 패턴들(DMP_2, DMP_3)과 유사한 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)들이 배치되어 더미 배선 패턴(DMP)들의 배치에 의한 외관 불량을 완화할 수 있다. 표시 장치(1)는 활성 영역(AAR)에서 연결 배선(CNW)들이 배치된 영역(또는, 활성 팬아웃 영역(AAR_F))과 그렇지 않은 영역(또는, 메인 활성 영역(AAR_M))에 각각 더미 배선 패턴(DMP)들이 배치되어 이들이 서로 다른 영역으로 구분되어 시인되는 것을 방지할 수 있다. 표시 장치(1)는 연결 배선(CNW)들과 유사하게 배치된 더미 배선 패턴(DMP)들을 포함함에 더하여, 활성 영역(AAR) 전면에 걸쳐 더미 배선 패턴(DMP)들이 배치될 수 있도록 연결 배선(CNW)들의 경로를 설정함으로써, 활성 영역(AAR)을 경유하는 연결 배선(CNW)에 의한 외관 불량을 방지할 수 있다.

이하, 다른 도면들을 참조하여 표시 장치(1)의 다양한 실시예들에 대해 설명한다.

도 14는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 배선 배열을 도시한 개략적인 배치도이다. 도 15는 도 14의 표시 장치의 활성 팬아웃 영역에 배치된 데이터 라인의 배열을 도시한 부분 배치도이다.

도 14 및 도 15를 참조하면, 표시 장치(2)는 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들이 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에도 배치될 수 있다. 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에는 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)에 더하여 제1 방향(DR1)으로 연장된 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들이 더 배치될 수 있다. 본 실시예는 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들이 활성 영역(AAR) 전면에 걸쳐 배치됨에 따라 제1 방향(DR1)으로 연장된 배선들에 의한 외관 불량을 방지할 수 있는 점에서 차이가 있다.

활성 팬아웃 영역(AAR_F)에 배치된 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들은 각 화소 열 사이 공간(PXT_C) 중 연결 배선(CNW)의 제1 연장부(CNW_1) 및 제3 연장부(CNW_3)가 배치되지 않은 화소 행(PXR)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들 중 적어도 일부는 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)와 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)의 제1 서브 패턴(DMP#1) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들 중 적어도 일부는 연결 배선(CNW)의 제1 연장부(CNW_1) 및 제3 연장부(CNW_3)가 연장된 연장선 상에 놓이도록 배치될 수 있다.

예를 들어, 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들 중 일부는 4번 화소 열 사이 공간(PXT_C#45)에서 2번 내지 5번 화소 행(PXR#2, PXR#3, PXR#4, PXR#5)에 각각 배치될 수 있다. 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들은 제2 방향(DR2)으로 연장된 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2) 및 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)의 제1 서브 패턴(DMP#1) 사이에서 이들과 교차하지 않도록 이격될 수 있다. 4번 화소 열 사이 공간(PXT_C#45)에 배치된 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들은 1번 연결 배선(CNW#1)의 제1 연장부(CNW_1) 및 제3 연장부(CNW_3)와 제1 방향(DR1)으로 연장된 동일 선 상에 놓이도록 배치될 수 있다.

이와 유사하게, 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들 중 일부는 3번 화소 열 사이 공간(PXT_C#34) 및 5번 화소 열 사이 공간(PXT_C#56)에서 4번 및 5번 화소 행(PXR#4, PXR#5)에 각각 배치될 수 있다. 3번 화소 열 사이 공간(PXT_C#34) 및 5번 화소 열 사이 공간(PXT_C#56)에 배치된 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들은 2번 연결 배선(CNW#2)의 제1 연장부(CNW_1) 및 제3 연장부(CNW_3)와 제1 방향(DR1)으로 연장된 동일 선 상에 놓이도록 배치될 수 있다.

활성 팬아웃 영역(AAR_F)에 배치된 연결 배선(CNW)과 메인 활성 영역(AAR_M)에 배치된 더미 배선 패턴(DMP)들은 제1 방향(DR1)으로 연장된 배선들이 서로 다른 형상을 갖는다. 연결 배선(CNW)의 제1 연장부(CNW_1)와 제3 연장부(CNW_3)는 복수의 화소 행(PXR)에 걸쳐 배치되는 반면, 메인 활성 영역(AAR_M)에 배치된 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)은 하나의 화소 행(PXR)에만 배치될 수 있다. 이는 메인 활성 영역(AAR_M)에는 제1 방향(DR1)으로 연장된 배선들 중 제1 방향(DR1)으로 단선된 배선들만 배치되고, 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에는 제1 방향(DR1)으로 연장된 배선들 중 단선되지 않고 하나로 연결된 배선들만 배치된 것으로 시인될 수 있다. 제2 방향(DR2)으로 연장된 배선들과 유사하게, 제1 방향(DR1)으로 연장된 배선들의 배치에 의하여 메인 활성 영역(AAR_M)과 활성 팬아웃 영역(AAR_F)이 서로 구분되는 영역으로 시인될 수 있다. 연결 배선(CNW)들은 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에서 제2 방향(DR2)으로 배치된 제1 서브 패턴(DMP#1)이 배치될 수 있도록 제2 연장부(CNW_2)들 사이의 공간이 확보되도록 배치된다.

일 실시예에 따르면, 표시 장치(2)는 연결 배선(CNW)들이 확보한 공간 내에 메인 활성 영역(AAR_M)과 동일한 패턴으로 배치되는 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들이 더 배치됨으로써, 메인 활성 영역(AAR_M)과 활성 팬아웃 영역(AAR_F)은 거의 유사한 패턴의 배선들이 배치될 수 있다. 이에 따라, 각 영역별 외광의 반사율 차이가 감소하고, 이들이 서로 구분되는 영역으로 시인되는 외관 불량을 더욱 방지할 수 있다. 그 외 다른 설명들은 상술한 바와 동일하므로, 자세한 설명은 생략하기로 한다.

도 16은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 활성 팬아웃 영역에 배치된 데이터 라인의 배열을 도시한 부분 배치도이다.

도 16을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(3)는 복수의 더미 배선 패턴(DMP)들이 다른 배선들, 예를 들어 연결 배선(CNW)들과 연결될 수 있다. 더미 배선 패턴(DMP)들은 활성 영역(AAR) 내에서 플로팅 상태로 배치될 수 있으나, 본 실시예와 같이 연결 배선(CNW)들과 연결되어 동일한 전기 신호가 전달될 수 있다. 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에 배치된 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)들과 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들은 인접한 연결 배선(CNW)들 중 어느 하나와 직접 연결될 수 있다. 본 실시예는 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에 배치된 더미 배선 패턴(DMP)들이 플로팅 상태가 아닌 점에서 차이가 있다.

제1 더미 배선 패턴(DMP_1)의 제1 서브 패턴(DMP#1)들은 제2 방향(DR2) 일측으로 더 연장되어 연결 배선(CNW)의 제3 연장부(CNW_3)와 직접 연결될 수 있다. 제2 서브 패턴(DMP#2)들의 경우에도 제2 방향(DR2) 일측으로 더 연장되어 연결 배선(CNW)의 제1 연장부(CNW_1) 또는 제3 연장부(CNW_3)와 직접 연결될 수 있다. 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들도 제1 방향(DR1) 일측으로 더 연장되어 인접한 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)와 직접 연결될 수 있다.

다만, 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)들과 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들은 어느 한 연결 배선(CNW)과 연결되며, 다른 연결 배선(CNW)과 동시에 연결되지 않는다. 더미 배선 패턴(DMP)들이 복수의 연결 배선(CNW)과 연결되면 각 화소(PX)에 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터 라인들에 원하지 않는 신호가 전달될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 더미 배선 패턴(DMP)들은 어느 한 연결 배선(CNW)에만 직접 연결될 수 있다.

더미 배선 패턴(DMP)들은 일정한 배열을 이루며 연결 배선(CNW)들과 연결될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 더미 배선 패턴(DMP)들은 무작위의 규칙으로 연장되어 연결 배선(CNW)들과 연결될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 제1 서브 패턴(DMP#1)들은 제2 방향(DR2) 일 측으로 연장되어 연결 배선(CNW)의 제1 연장부(CNW_1)와 연결되고, 다른 제1 서브 패턴(DMP#1)들은 제2 방향(DR2) 타측으로 연장되어 연결 배선(CNW)의 제3 연장부(CNW_3)와 연결될 수 있다. 더미 배선 패턴(DMP)들이 방향성 없이 연장됨에 따라 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에서 더미 배선 패턴(DMP)들이 특정 패턴으로 시인되는 것이 방지될 수 있다.

도 17은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 활성 팬아웃 영역에 배치된 데이터 라인의 배열을 도시한 부분 배치도이다.

도 17을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(4)는 복수의 연결 배선(CNW)들이 제1 방향(DR1)보다 제2 방향(DR2)으로 확장된 형상을 갖는 경로로 배치될 수 있다. 즉, 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에 배치되는 화소 행 사이 공간(PXT_R)에는 각각 연결 배선(CNW)들의 제2 연장부(CNW_2)들이 배치되고, 화소 열 사이 공간(PXT_C) 중 일부에는 연결 배선(CNW)의 제1 연장부(CNW_1) 및 제3 연장부(CNW_3)가 배치되지 않을 수 있다. 본 실시예는 연결 배선(CNW)들이 배치되는 경로가 다른 점에서 차이가 있다.

예를 들어, 1번 연결 배선(CNW#1)의 제2 연장부(CNW_2)는 1번 화소 행 사이 공간(PXT_R#12)에 배치되고, 2번 연결 배선(CNW#2)의 제2 연장부(CNW_2)는 2번 화소 행 사이 공간(PXT_R#23)에 배치될 수 있다. 이와 유사하게, 3번 연결 배선(CNW#3)과 4번 연결 배선(CNW#4)의 제2 연장부(CNW_2)는 각각 3번 화소 행 사이 공간(PXT_R#34) 및 4번 화소 행 사이 공간(PXT_R#45)에 배치될 수 있다. 도 12의 실시예와 달리, 복수의 연결 배선(CNW)들의 제2 연장부(CNW_2) 사이의 간격은 각 화소 행(PXR)의 제1 방향(DR1) 폭과 실질적으로 동일한 수 있다. 복수의 제2 연장부(CNW_2)들은 각각 화소 행 사이 공간(PXT_R)에 배치된다.

1번 연결 배선(CNW#1)의 제1 연장부(CNW_1)와 제3 연장부(CNW_3)는 4번 화소 열 사이 공간(PXT_C#45)에 배치된다. 2번 연결 배선(CNW#2)의 제1 연장부(CNW_1)와 제3 연장부(CNW_3)는 각각 2번 화소 열 사이 공간(PXT_C#23)과 6번 화소 열 사이 공간(PXT_C#67)에 배치된다. 3번 화소 열 사이 공간(PXT_C#34)과 5번 화소 열 사이 공간(PXT_C#56)에는 연결 배선(CNW)의 제1 연장부(CNW_1)와 제3 연장부(CNW_3)가 배치되지 않을 수 있다. 이웃하는 연결 배선(CNW)의 제1 연장부(CNW_1) 및 제3 연장부(CNW_3)들 사이에는 적어도 둘 이상의 화소 열(PXC)이 배치될 수 있다.

제1 더미 배선 패턴(DMP_1)들은 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)와 함께 화소 행 사이 공간(PXT_R)에 배치될 수 있다. 연결 배선(CNW)의 제2 연장부(CNW_2)들이 각 화소 행 사이 공간(PXT_R)에 배치됨에 따라, 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)들은 제2 연장부(CNW_2)들 사이에는 배치되지 않고, 제2 연장부(CNW_2)가 제2 방향(DR2)으로 연장된 연장선 상에 놓이도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)들은 제2 서브 패턴(도 12의 'DMP#2')와 같은 배치를 가질 수 있다.

제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들은 각 화소 열 사이 공간(PXT_C)에 배치될 수 있다. 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들 중 일부는 연결 배선(CNW)의 제1 연장부(CNW_1) 및 제3 연장부(CNW_3)들이 배치되지 않은 화소 열 사이 공간(PXT_C)에서 이들 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들은 1번 연결 배선(CNW#1) 및 2번 연결 배선(CNW#2)의 제1 연장부(CNW_1) 및 제3 연장부(CNW_3) 사이에 위치하는 3번 화소 열 사이 공간(PXT_C#34)과 5번 화소 열 사이 공간(PXT_C#56)에 배치될 수 있다. 이러한 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)은 이웃하는 연결 배선(CNW)들의 제1 연장부(CNW_1) 및 제3 연장부(CNW_3)들 간의 사이에 배치될 수 있다.

또한, 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들은 연결 배선(CNW)의 제1 연장부(CNW_1) 및 제3 연장부(CNW_3)들이 배치된 화소 열 사이 공간(PXT_C)에도 배치될 수 있다. 이러한 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들은 연결 배선(CNW)의 제1 연장부(CNW_1) 및 제3 연장부(CNW_3)들이 제1 방향(DR1)으로 연장된 연장선 상에 놓이도록 배치될 수 있다.

본 실시예에 따른 표시 장치(4)는 연결 배선(CNW)이 제1 방향(DR1)보다 제2 방향(DR2)으로 확장된 형상을 갖는 경로로 배치된 점에서 차이가 있다. 그러나, 도 12의 실시예와 유사하게 연결 배선(CNW)들 사이에는 더미 배선 패턴(DMP)들이 배치될 공간이 확보될 수 있고, 상기 공간에 각각 제1 더미 배선 패턴(DMP_1)과 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)이 배치된다. 이에 따라, 활성 팬아웃 영역(AAR_F)과 메인 활성 영역(AAR_M)에 배치되는 더미 배선 패턴(DMP)들에 의한 외관 불량이 방지될 수 있다.

도 18은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 활성 영역에 배치된 더미 배선 패턴들의 배열을 도시한 개략적인 배치도이다.

도 18을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(5)는 메인 활성 영역(AAR_M)의 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)이 제1 방향(DR1)으로 연장되어 복수의 화소 행(PXR)에 걸쳐 배치되고, 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)이 제2 방향(DR2)으로 연장되되 각 화소 열(PXC)마다 배치될 수 있다. 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)은 화소 열 사이 공간(PXT_C)에서 이웃한 다른 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)과 분리될 수 있다. 본 실시예는 메인 활성 영역(AAR_M)의 더미 배선 패턴(DMP)들의 형상이 다른 점에서 차이가 있다.

더미 배선 패턴(DMP)은 활성 영역(AAR)에서 연결 배선(CNW)이 특정 패턴으로 시인되는 것을 방지하기 위해 배치된다. 메인 활성 영역(AAR_M)에 배치된 더미 배선 패턴(DMP)들은 외관 불량을 더 효과적으로 방지하기 위해 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에 배치된 연결 배선(CNW)과 유사한 형상으로 배치될 수 있다.

상술한 바와 같이, 연결 배선(CNW)들은 제2 방향(DR2)보다 제1 방향(DR1)으로 확장된 형상을 갖는 경로로 배치될 수 있다. 이 경우, 연결 배선(CNW)은 제1 연장부(CNW_1) 및 제3 연장부(CNW_3)의 제1 방향(DR1)으로 측정된 길이가 제2 연장부(CNW_2)의 제2 방향(DR2)으로 측정된 길이보다 길 수 있다. 활성 팬아웃 영역(AAR_F)에 배치된 연결 배선(CNW)들은 대체적으로 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상으로 시인될 수 있다. 이에 대응하여, 메인 활성 영역(AAR_M)에 배치된 더미 배선 패턴(DMP)들은 제1 방향(DR1)으로 연장된 제3 더미 배선 패턴(DMP_3)들과, 제2 방향(DR2)으로 연장되되 서로 분리되어 배치되는 제2 더미 배선 패턴(DMP_2)들을 포함할 수 있다. 특히, 제1 데이터 도전층(150)에 배치된 신호 배선(SW)들도 제1 방향(DR1)으로 연장되므로, 더미 배선 패턴(DMP)들도 이와 유사한 형상으로 배치될 수 있다. 표시 장치(5)는 더미 배선 패턴(DMP)들이 연결 배선(CNW)과 더 유사한 형상으로 배치되고, 메인 활성 영역(AAR_M)과 활성 팬아웃 영역(AAR_F) 간 영역이 구분되어 시인되는 외관 불량을 더욱 방지할 수 있다.

도 19는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다. 도 20은 도 19의 표시 장치의 전개도이다. 도 19 및 도 20은 표시 장치(6)가 다면 표시 장치로 적용될 수 있음을 예시한다.

도 19 및 도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(6)는 전면 활성 영역(AAR0), 측면 활성 영역(AAR1, AAR2, AAR3, AAR4), 및 코너 영역(C1, C2, C3, C4)을 포함한다.

전면 활성 영역(AAR0) 및 측면 활성 영역(AAR1, AAR2, AAR3, AAR4)은 영상을 표시하는 활성 영역(AAR)일 수 있다. 측면 활성 영역(AAR1, AAR2, AAR3, AAR4)은 전면 활성 영역(AAR0)에 대해 30° 내지 120°의 각도로 구부러져 있을 수 있다.

측면 활성 영역(AAR1, AAR2, AAR3, AAR4) 사이에는 코너 영역(C1, C2, C3, C4)이 위치할 수 있다. 코너 영역(C1, C2, C3, C4)은 제1 내지 제4 측면 활성 영역(AAR1, AAR2, AAR3, AAR4) 사이에 각각 위치하는 제1 내지 제4 코너 영역(C1, C2, C3, C4)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제4 코너 영역(C1, C2, C3, C4)은 전면 활성 영역(AAR0)의 장변과 단면이 만나는 네개의 코너에 각각 인접하여 배치될 수 있다. 제1 내지 제4 코너 영역(C1, C2, C3, C4)은 그 위치를 제외하고 그 기능이나 구성이 상호 실질적으로 동일할 수 있다. 코너 영역(C1, C2, C3, C4)은 영상을 표시하지 않는 비활성 영역(NAR)으로서, 배선이 경유하는 공간을 제공할 수 있다.

본 실시예의 경우, 도 6을 참조하여 설명한 바와 유사하게, 활성 영역(AAR) 전체의 폭에 비해 패드부(PDR)의 폭이 작다. 따라서, 패드부(PDR)로부터 연장된 배선(WR)의 배치 영역에 제1 방향(DR1)으로 중첩하는 제1 측면 활성 영역(AAR1), 전면 활성 영역(AAR0), 및 제3 측면 활성 영역(AAR3)의 부분은 직통형 배선을 통해 신호를 전달할 수 있지만, 제2 측면 활성 영역(AAR2)이나 제4 측면 활성 영역(AA4)은 직통형 배선을 통해 신호를 전달할 만한 비활성 영역(NAR)의 공간을 확보하기 어렵다. 제2 측면 활성 영역(AAR2)이나 제4 측면 활성 영역(AA4)에 대해서는 상술한 바와 같은 활성 영역(AAR)을 경유하는 우회 배선(WD_CN)을 활용한 경유형 배선을 통해 신호를 전달할 수 있으며, 이에 대한 구체적인 방법에 대해서는 앞서 상세히 설명하였으므로, 중복 설명은 생략하기로 한다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

1: 표시 장치
10: 표시 패널
20: 구동칩
30: 구동 기판
DL: 데이터 라인
SW: 신호 배선
CNW: 연결 배선
DMP: 더미 배선 패턴
NFW: 비활성 팬아웃 배선

Claims (20)

1. 데이터 라인에 의해 데이터 신호를 제공받는 행렬 형상의 복수의 화소를 포함하는 활성 영역 및 상기 활성 영역의 제1 방향 일 측에 배치되고 패드부를 포함하는 비활성 영역을 포함하는 표시 장치로써,
   상기 비활성 영역에 배치되며 상기 패드부와 연결된 복수의 비활성 팬아웃 배선;
   상기 제1 방향으로 연장되어 상기 활성 영역을 가로지르며 상기 복수의 화소에 연결된 복수의 신호 배선들; 및
   적어도 부분적으로 상기 활성 영역을 경유하며 상기 복수의 비활성 팬아웃 배선 중 일부와 상기 복수의 신호 배선 중 일부를 각각 연결하는 복수의 연결 배선들을 포함하되,
   상기 복수의 연결 배선은 상기 제1 방향으로 연장된 제1 연장부, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 연장부 및 상기 제1 방향으로 연장된 제3 연장부를 포함하고,
   복수의 상기 연결 배선들 중 서로 인접한 연결 배선들의 동일한 연장부들 사이에는 상기 연장부들이 이격된 방향을 따라 적어도 둘 이상의 상기 화소가 배치된 표시 장치.
2. 제1 항에 있어서,
   상기 복수의 화소는 상기 제1 방향으로 배열된 화소들을 포함하는 복수의 화소 열 및 상기 제2 방향으로 배열된 화소들을 포함하는 복수의 화소 행을 포함하고,
   상기 연결 배선의 상기 제2 연장부는 화소 행 사이 공간 중 일부에 배치된 표시 장치.
3. 제2 항에 있어서,
   상기 연결 배선 및 이와 인접한 다른 상기 연결 배선의 상기 제2 연장부들 사이에는 적어도 둘 이상의 상기 화소 행이 배치된 표시 장치.
4. 제2 항에 있어서,
   상기 연결 배선들 사이에 배치된 제1 더미 배선 패턴을 더 포함하고,
   상기 제1 더미 배선 패턴은 복수의 상기 연결 배선들의 상기 제2 연장부들 사이에 배치되고 상기 제2 방향으로 연장된 제1 서브 패턴을 포함하는 표시 장치.
5. 제4 항에 있어서,
   상기 제1 서브 패턴은 상기 연결 배선들의 상기 제2 연장부가 배치되지 않은 상기 화소 행 사이 공간에 배치된 표시 장치.
6. 제4 항에 있어서,
   상기 제1 더미 배선 패턴은 상기 연결 배선들의 상기 제2 연장부와 분리되되, 상기 제2 연장부가 연장된 연장선 상에 놓이도록 배치된 복수의 제2 서브 패턴을 포함하는 표시 장치.
7. 제4 항에 있어서,
   상기 제1 더미 배선 패턴들 중 적어도 일부는 상기 연결 배선과 직접 연결된 표시 장치.
8. 제4 항에 있어서,
   상기 활성 영역은 상기 비활성 영역과 인접하여 상기 연결 배선들이 배치된 활성 팬아웃 영역 및 상기 활성 팬아웃 영역 이외의 영역으로 상기 연결 배선들이 배치되지 않은 메인 활성 영역을 포함하고,
   상기 메인 활성 영역에 배치되고 상기 제2 방향으로 연장된 제2 더미 배선 패턴 및 상기 메인 활성 영역에 배치되고 상기 제1 방향으로 연장된 제3 더미 배선 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
9. 제8 항에 있어서,
   상기 제2 더미 배선 패턴은 상기 신호 배선과 교차하며 복수의 상기 화소 열에 걸쳐 배치된 표시 장치.
10. 제8 항에 있어서,
    상기 제3 더미 배선 패턴은 상기 메인 활성 영역의 상기 화소 행에서 상기 화소 열 사이 공간에 배치된 표시 장치.
11. 제2 항에 있어서,
    상기 신호 배선들은 각각 상기 화소 열 사이 공간에 배치되고,
    상기 연결 배선의 상기 제1 연장부 및 상기 제3 연장부는 각각 서로 다른 화소 열 사이 공간에 배치되는 표시 장치.
12. 제11 항에 있어서,
    상기 연결 배선 및 이와 인접한 다른 상기 연결 배선의 상기 제1 연장부들 사이에는 적어도 둘 이상의 상기 화소 열이 배치된 표시 장치.
13. 제2 항에 있어서,
    상기 연결 배선 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 연장부와 상기 제3 연장부가 각각 동일한 화소 열 사이 공간에 배치되는 표시 장치.
14. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 배선들은 제1 데이터 도전층으로 이루어지고,
    상기 복수의 연결 배선들은 상기 제1 데이터 도전층과 다른 제2 데이터 도전층으로 이루어지는 표시 장치.
15. 제14 항에 있어서,
    상기 비활성 팬아웃 배선은 상기 연결 배선과 연결된 제1 비활성 팬아웃 배선 및 상기 신호 배선과 직접 연결된 제2 비활성 팬아웃 배선을 포함하고,
    상기 제1 비활성 팬아웃 배선과 상기 제2 비활성 팬아웃 배선은 서로 다른 도전층으로 이루어진 표시 장치.
16. 복수의 화소들이 배치된 활성 영역, 및 상기 활성 영역의 제1 방향 일측에 배치된 비활성 영역을 포함하는 표시 장치로서,
    상기 비활성 영역에 배치되고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 교대 배열된 제1 비활성 팬아웃 배선과 제2 비활성 팬아웃 배선을 포함하는 복수의 비활성 팬아웃 배선;
    상기 활성 영역에서 상기 비활성 팬아웃 배선을 상기 제1 방향으로 연장할 때 중첩하는 내측 활성 영역 및 상기 활성 영역에서 상기 비활성 팬아웃 배선과 비중첩하는 외측 활성 영역에 배치되고 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 신호 배선;
    상기 활성 영역을 경유하여 상기 비활성 팬아웃 배선과 상기 외측 활성 영역에 배치된 상기 신호 배선을 연결하는 복수의 연결 배선; 및
    상기 활성 영역에 배치되되 상기 연결 배선과 교차하지 않는 복수의 더미 배선 패턴들을 포함하되,
    상기 연결 배선은 상기 복수의 화소들 사이 공간을 따라 배치되며 상기 제1 방향으로 연장된 부분이 상기 제1 방향과 교차하는 상기 제2 방향으로 연장된 부분보다 길이가 긴 표시 장치.
17. 제16 항에 있어서,
    상기 복수의 연결 배선과 상기 더미 배선 패턴들은 동일한 도전층으로 이루어진 표시 장치.
18. 제16 항에 있어서,
    상기 복수의 연결 배선은 상기 제1 방향으로 연장된 제1 연장부, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 연장부 및 상기 제1 방향으로 연장된 제3 연장부를 포함하고,
    복수의 상기 연결 배선들 중 서로 인접한 연결 배선들의 상기 제2 연장부들 사이에는 적어도 둘 이상의 상기 화소가 배치된 표시 장치.
19. 제18 항에 있어서,
    상기 더미 배선 패턴은 상기 연결 배선들 사이에 배치되어 상기 제2 방향으로 연장된 제1 더미 배선 패턴,
    상기 활성 영역 중 상기 연결 배선들이 배치되지 않은 영역에서 상기 제2 방향으로 연장된 제2 더미 배선 패턴 및
    상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 더미 배선 패턴 및 상기 제2 더미 배선 패턴과 교차하지 않는 제3 더미 배선 패턴을 포함하는 표시 장치.
20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 더미 배선 패턴은 복수의 상기 연결 배선들의 상기 제2 연장부들 사이에 배치되고 상기 제2 방향으로 연장된 제1 서브 패턴; 및
    상기 연결 배선들의 상기 제2 연장부와 분리되되 상기 제2 연장부가 연장된 연장선 상에 놓이도록 배치된 복수의 제2 서브 패턴을 포함하며,
    상기 제3 더미 배선 패턴들 중 적어도 일부는 상기 연결 배선의 상기 제2 연장부와 상기 제1 서브 패턴 사이에 배치된 표시 장치.

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