KR20210102228A - 적층체 및 그 제조 방법, 원 편광판, 표시 장치 그리고 터치 패널 - Google Patents
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Abstract
열가소성 수지층과 도전층과 기재를 이 순서로 구비하고, 상기 열가소성 수지층은, 투습도가 5 g/m2·24h 이하이고, 25℃에서의 저장 탄성률이 1300 MPa 이하이고, 상기 도전층은, Sn, Pb, Ag, Cu, 및 Au 중의 적어도 1종의 원소를 포함하는, 적층체; 그리고, 상기 적층체를 포함하는, 원 편광판, 표시 장치, 터치 패널. 상기 적층체의 제조 방법도 제공된다. 상기 열가소성 수지층은, 바람직하게는 실릴기를 갖는 중합체를 포함한다. 상기 실릴기를 갖는 중합체는, 바람직하게는 블록 공중합체의 실릴기 변성물이다.
Description
본 발명은, 적층체 및 그 제조 방법, 원 편광판, 표시 장치 그리고 터치 패널에 관한 것이다.
종래, 도전성 부재로서, 유리판 상에 산화인듐 박막을 형성한 도전성 유리가 알려져 있다. 그러나, 도전성 유리는, 기재가 유리이기 때문에, 가요성이 떨어져, 용도에 따라서는 적용이 곤란하다. 이에, 가요성이 우수한 도전성 부재로서, 수지를 이용한 도전성 부재가 제안되어 있다(특허문헌 1).
특허문헌 1에는, 가요성 기재와, 이 가요성 기재 상에 형성된 도전층과, 이 도전층 상에 형성된 점착제층을 구비한 도전성 부재가 기재되어 있다. 이러한 도전성 부재는 터치 패널 등에 사용하는 경우가 있다. 이러한 경우, 그 사용 환경에 따라서는, 도전층에 포함되는 금속 재료가 이온화되어 이동하여 다시 금속으로서 생성되는 마이그레이션이라는 현상이 발생하는 일이 있었다. 마이그레이션이 발생하면, 터치 패널이 정상적으로 구동되지 않게 되기 때문에, 개선이 요구되고 있다.
본 발명은, 상기의 과제를 감안하여 창안된 것으로, 우수한 가요성을 갖고, 또한, 우수한 마이그레이션 방지 효과를 갖는 적층체 및 그 제조 방법; 상기의 적층체를 구비한 원 편광판 및 터치 패널; 그리고 상기 원 편광판을 구비한 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는, 상기의 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 행한 결과, 적층체가, 소정의 투습도 및 소정의 저장 탄성률을 갖는 열가소성 수지층과, 도전층과, 기재를 이 순서로 구비함으로써, 당해 적층체를, 가요성 및 마이그레이션 방지 효과가 우수한 것으로 할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은, 하기의 것을 포함한다.
[1] 열가소성 수지층과 도전층과 기재를 이 순서로 구비하고,
상기 열가소성 수지층은, 투습도가 5 g/m2·24h 이하이고, 25℃에서의 저장 탄성률이 1300 MPa 이하이고,
상기 도전층은, Sn, Pb, Ag, Cu, 및 Au 중의 적어도 1종의 원소를 포함하는, 적층체.
[2] 상기 열가소성 수지층이, 실릴기를 갖는 중합체를 포함하는, [1]에 기재된 적층체.
[3] 상기 실릴기를 갖는 중합체가, 블록 공중합체의 실릴기 변성물인, [2]에 기재된 적층체.
[4] 상기 실릴기를 갖는 중합체가, 방향족 비닐 단량체와 공액 디엔 단량체의 공중합체의 실릴기 변성물인, [2] 또는 [3]에 기재된 적층체.
[5] 상기 방향족 비닐 단량체에 기초하는 단위의 수소화율이 90% 이상이고, 또한 상기 공액 디엔 단량체에 기초하는 단위의 수소화율이 90% 이상인, [4]에 기재된 적층체.
[6] 상기 열가소성 수지층의 -40℃에서의 저장 탄성률 E1에 대한, 상기 열가소성 수지층의 100℃에서의 저장 탄성률 E2의 비(E2/E1)가, 15 이하인, [1] ~ [5] 중 어느 한 항에 기재된 적층체.
[7] 상기 기재의 투습도가, 3 g/m2·24h 이하인, [1] ~ [6] 중 어느 한 항에 기재된 적층체.
[8] 상기 기재가, 중합체를 포함하는 중합체 필름인, [1] ~ [7] 중 어느 한 항에 기재된 적층체.
[9] 상기 기재가, 지환식 구조 함유 중합체를 포함하는, [1] ~ [8] 중 어느 한 항에 기재된 적층체.
[10] 상기 기재가, 장척상의 필름이고, 당해 필름의 폭 방향에 대하여 경사 방향에 지상축을 갖는, [1] ~ [9] 중 어느 한 항에 기재된 적층체.
[11] 상기 기재의 25℃에서의 저장 탄성률이, 2000 ~ 3000 MPa인, [1] ~ [10] 중 어느 한 항에 기재된 적층체.
[12] 상기 열가소성 수지층의, 면내 방향의 위상차가, 10nm 이하인, [1] ~ [11] 중 어느 한 항에 기재된 적층체.
[13] 상기 열가소성 수지층 및 상기 기재 중 적어도 일방의 전체 광선 투과율이, 80% 이상인, [1] ~ [12] 중 어느 한 항에 기재된 적층체.
[14] [1] ~ [13] 중 어느 한 항에 기재된 적층체와, 편광판을 구비하는, 원 편광판.
[15] [14] 기재의 원 편광판을 구비하는 표시 장치.
[16] 상기 표시 장치가 유기 일렉트로루미네센스 장치인 [15] 기재의 표시 장치.
[17] [1] ~ [13] 중 어느 한 항에 기재된 적층체를 구비하는, 터치 패널.
[18] 상기 적층체의 상기 열가소성 수지층에 접하여 설치한 편광판을 구비하는, [17] 기재의 터치 패널.
[19] 상기 적층체와, 편광판을 구비하고,
상기 적층체의 상기 기재의 지상축에 대한, 상기 편광판의 흡수축이 이루는 각이 45°인, [17] 또는 [18] 기재의 터치 패널.
[20] [1] ~ [13] 중 어느 한 항에 기재된 적층체의 제조 방법으로서,
상기 기재 상에 상기 도전층을 형성하는 공정 1과,
상기 도전층 상에 상기 열가소성 수지층을 형성하는 공정 2를 포함하고,
상기 공정 2는, 상기 열가소성 수지층을 열압착하는 것, 또는 열가소성 수지를 포함하는 용액을 도포하는 것을 포함하는, 적층체의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 우수한 가요성을 갖고, 또한, 우수한 마이그레이션 방지 효과를 갖는 적층체 및 그 제조 방법; 상기의 적층체를 구비한 원 편광판 및 터치 패널; 그리고 상기 원 편광판을 구비한 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층체를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명에 대하여 실시형태 및 예시물을 나타내어 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 청구범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에 있어서 임의로 변경하여 실시할 수 있다.
본원에 있어서, 「장척상」의 필름이란, 필름의 폭에 대하여 5배 이상의 길이를 갖는 것을 말하며, 바람직하게는 10배 혹은 그 이상의 길이를 갖고, 구체적으로는 롤상으로 권취되어 보관 또는 운반되는 정도의 길이를 갖는 것을 말한다. 필름의 폭에 대한 길이의 비율의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 100,000배 이하로 할 수 있다.
본원에 있어서, 필름의 면내 방향의 위상차 Re는, 식 Re = (nx - ny) × d에 따라 산출한다. 여기서, nx는, 필름의 면내의 지상축 방향의 굴절률(면내의 최대 굴절률)이고, ny는, 필름의 면내의 지상축과 수직한 방향의 굴절률이고, d는, 필름의 두께(nm)이다. 측정 파장은, 별도로 언급하지 않는 한, 가시광 영역의 대표적인 파장인 590nm로 한다.
[1. 적층체의 개요]
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층체(10)를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층체(10)는, 열가소성 수지층(110)과, 도전층(120)과, 기재(130)를, 두께 방향에 있어서 이 순서로 구비한다. 본 발명에 있어서, 열가소성 수지층은, 소정의 투습도와, 소정의 저장 탄성률을 갖고, 도전층은, 소정의 원소를 포함한다.
[2. 열가소성 수지층]
열가소성 수지층은, 열가소성 수지로 형성된 층이다. 열가소성 수지층은 투습도가 5 g/m2·24h 이하이고, 25℃에서의 저장 탄성률이 1300 MPa 이하인 층이다. 열가소성 수지층의 투습도를 상기 범위로 하고, 또한 저장 탄성률을 상기 범위로 함으로써, 열가소성 수지층과 도전층의 밀착도를 높여, 마이그레이션 방지 효과를 향상시키면서, 적층체의 가요성을 향상시킬 수 있다.
열가소성 수지층의 투습도는 5 g/m2·24h 이하, 바람직하게는 4 g/m2·24h 이하, 보다 바람직하게는 3 g/m2·24h 이하이다. 열가소성 수지의 투습도의 하한값은 특별히 한정은 없으나, 바람직하게는, 1 g/m2·24h 이상, 보다 바람직하게는 2 g/m2·24h 이상이다. 투습도를 상한값 이하로 함으로써, 열가소성 수지층과 도전층의 밀착도를 높여, 마이그레이션 방지 효과를 향상시킬 수 있다.
열가소성 수지층의 투습도는, 리시법(측정 기기 L80-5000형(시스텍 일리노이사 제조), 온도 조건 40℃ 습도 90%)에 의해 측정할 수 있다.
열가소성 수지층의 25℃에서의 저장 탄성률은 1300 MPa 이하, 바람직하게는 1100 MPa 이하이고, 바람직하게는 100 MPa 이상이다. 열가소성 수지층의 25℃에서의 저장 탄성률을 상한값 이하로 함으로써 열가소성 수지층의 가요성을 우수한 것으로 할 수 있다.
열가소성 수지층의 -40℃에서의 저장 탄성률 E1에 대한, 열가소성 수지층의 100℃에서의 저장 탄성률 E2의 비(E2/E1)는, 바람직하게는 15 이하이고, 보다 바람직하게는 12 이하이다. E2/E1의 하한값은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 이상이고, 보다 바람직하게는 8 이상이다. E2/E1을 상기 상한값 이하로 함으로써, 온도차가 있는 환경하에서, 적층체의 가요성을 우수한 것으로 할 수 있다.
열가소성 수지층의 각 저장 탄성률은, 동적 점탄성 측정 장치를 사용하여, 주파수 1 Hz의 조건으로 측정할 수 있다. 구체적인 측정 조건은, 후술하는 실시예의 조건을 채용할 수 있다.
열가소성 수지층의 면내 방향의 위상차 Re는 바람직하게는 10nm 이하이고, 보다 바람직하게는 5nm 이하이다. Re의 하한은, 0nm로 할 수 있다.
[2.1. 열가소성 수지]
열가소성 수지층을 형성하는 열가소성 수지로는, 중합체(이하, 「중합체 X」라고도 한다)를 포함하고, 필요에 따라 임의의 성분을 더 포함할 수 있는 열가소성 수지를 사용할 수 있다. 중합체 X는, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다.
열가소성 수지가 포함하는 중합체 X로는, 실릴기를 갖는 중합체가 바람직하다. 실릴기를 갖는 중합체를 포함하는 열가소성 수지로부터 형성한 열가소성 수지층은, 다른 재료에 대하여 높은 밀착성을 나타낸다. 따라서, 실릴기를 갖는 중합체를 포함하는 수지로 형성된 열가소성 수지층은, 도전층에 대한 밀착성이 우수하므로, 물 등의 침입을 방지하여 마이그레이션을 유효하게 방지할 수 있고, 적층체 전체로서, 기계적 강도를 향상시킬 수 있다.
실릴기를 갖는 중합체로는, 블록 공중합체의 실릴기 변성물이 바람직하다. 블록 공중합체의 실릴기 변성물로는, 블록 공중합체 및 그 수소화물에 실릴기를 도입한 것을 들 수 있다. 또한, 실릴기를 갖는 중합체로는, 방향족 비닐 단량체와 공액 디엔 단량체의 공중합체의 실릴기 변성물이 바람직하다. 방향족 비닐 단량체와 공액 디엔 단량체의 공중합체의 실릴기 변성물로는, 방향족 비닐 단량체와 공액 디엔 단량체의 공중합체 또는 그 수소화물에, 실릴기를 도입한 것을 들 수 있다. 단, 본 발명에 있어서 사용하는 중합체 및 중합체의 구성 요소는, 그 제조 방법에 의해 한정되지 않는다.
실릴기를 갖는 중합체로는, 방향족 비닐 단량체 단위를 함유하는 중합체 블록[A]와, 공액 디엔 단량체 단위를 함유하는 중합체 블록[B]를 포함하는 블록 공중합체의 수소화물에 실릴기를 도입한 것, 및 방향족 비닐 단량체 단위를 함유하는 중합체 블록[A]와, 방향족 비닐 단량체 단위 및 공액 디엔 단량체 단위를 함유하는 중합체 블록[C]를 포함하는 블록 공중합체의 수소화물에 실릴기를 도입한 것이 보다 바람직하다.
이하, 실릴기를 갖는 중합체로서 호적한, 중합체 블록[A]와, 중합체 블록[B] 또는 중합체 블록[C]를 포함하는 블록 공중합체의 수소화물에 실릴기를 도입한 것에 대하여 설명하는데, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 이하의 설명에 있어서, 중합체 블록[A]와, 중합체 블록[B] 또는 중합체 블록[C]를 포함하는 블록 공중합체를, 블록 공중합체[1]이라고 부르는 경우가 있다. 또한, 블록 공중합체[1]의 수소화물을 수소화물[2]라고 부르는 경우가 있다.
블록 공중합체[1]은, 블록 공중합체[1]의 1 분자당 2개 이상의 중합체 블록[A]와, 블록 공중합체[1] 1 분자당 1개 이상의 중합체 블록[B] 또는 중합체 블록[C]를 갖는 것이 특히 바람직하다.
중합체 블록[A]는, 방향족 비닐 단량체 단위를 함유하는 중합체 블록이다. 여기서, 방향족 비닐 단량체 단위란, 방향족 비닐 화합물을 중합하여 형성되는 구조를 갖는 구조 단위를 말하며, 방향족 비닐 화합물 단위라고도 한다.
중합체 블록[A]가 갖는 방향족 비닐 단량체 단위에 대응하는 방향족 비닐 화합물로는, 예를 들어, 스티렌; α-메틸스티렌, 2-메틸스티렌, 3-메틸스티렌, 4-메틸스티렌, 2,4-디메틸스티렌, 2,4-디이소프로필스티렌, 4-t-부틸스티렌, 5-t-부틸-2-메틸스티렌 등의, 치환기로서 탄소수 1 ~ 6의 알킬기를 갖는 스티렌류; 4-클로로스티렌, 디클로로스티렌, 4-모노플루오로스티렌 등의, 치환기로서 할로겐 원자를 갖는 스티렌류; 4-메톡시스티렌 등의, 치환기로서 탄소수 1 ~ 6의 알콕시기를 갖는 스티렌류; 4-페닐스티렌 등의, 치환기로서 아릴기를 갖는 스티렌류; 1-비닐나프탈렌, 2-비닐나프탈렌 등의 비닐나프탈렌류; 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 흡습성을 낮게 할 수 있는 점에서, 스티렌, 치환기로서 탄소수 1 ~ 6의 알킬기를 갖는 스티렌류 등의, 극성기를 함유하지 않는 방향족 비닐 화합물이 바람직하고, 공업적 입수의 용이함에서, 스티렌이 특히 바람직하다.
중합체 블록[A]에 있어서의 방향족 비닐 단량체 단위의 함유율은, 바람직하게는 90 중량% 이상, 보다 바람직하게는 95 중량% 이상, 특히 바람직하게는 99 중량% 이상이다. 중합체 블록[A]에 있어서 방향족 비닐 단량체 단위의 양이 상기와 같이 많음으로써, 열가소성 수지층의 경도 및 내열성을 높일 수 있다.
중합체 블록[A]는, 방향족 비닐 단량체 단위 이외에, 임의의 구조 단위를 포함하고 있어도 된다. 중합체 블록[A]는, 임의의 구조 단위를, 1종류로 단독으로도 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 포함하고 있어도 된다.
중합체 블록[A]가 포함할 수 있는 임의의 구조 단위로는, 예를 들어, 공액 디엔 단량체 단위를 들 수 있다. 여기서, 공액 디엔 단량체 단위란, 공액 디엔 화합물을 중합하여 형성되는 구조를 갖는 구조 단위를 말하며, 공액 디엔 화합물 단위라고도 한다. 공액 디엔 단량체 단위에 대응하는 공액 디엔 화합물로는, 예를 들어, 중합체 블록[B]가 갖는 공액 디엔 단량체 단위에 대응하는 공액 디엔 화합물의 예로서 드는 것과 동일한 예를 들 수 있다.
또한, 중합체 블록[A]가 포함할 수 있는 임의의 구조 단위로는, 예를 들어, 방향족 비닐 화합물 및 사슬형 공액 디엔 화합물 이외의 임의의 불포화 화합물을 중합하여 형성되는 구조를 갖는 구조 단위를 들 수 있다. 임의의 불포화 화합물로는, 예를 들어, 사슬형 비닐 화합물, 고리형 비닐 화합물 등의 비닐 화합물; 불포화의 고리형 산 무수물; 불포화 이미드 화합물; 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 니트릴기, 알콕시카르보닐기, 하이드록시카르보닐기, 또는 할로겐기 등의 치환기를 갖고 있어도 된다. 이들 중에서도, 흡습성의 관점에서, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-헵텐, 1-옥텐, 1-노넨, 1-데센, 1-도데센, 1-에이코센, 4-메틸-1-펜텐, 4,6-디메틸-1-헵텐 등의 1 분자당 탄소수 2 ~ 20의 사슬형 올레핀; 비닐시클로헥산 등의 1 분자당 탄소수 5 ~ 20의 고리형 올레핀; 등의, 극성기를 갖지 않는 비닐 화합물이 바람직하고, 1 분자당 탄소수 2 ~ 20의 사슬형 올레핀이 보다 바람직하며, 에틸렌, 프로필렌이 특히 바람직하다.
중합체 블록[A]에 있어서의 임의의 구조 단위의 함유율은, 바람직하게는 10 중량% 이하, 보다 바람직하게는 5 중량% 이하, 특히 바람직하게는 1 중량% 이하이다.
블록 공중합체[1] 1 분자에 있어서의 중합체 블록[A]의 수는, 바람직하게는 2개 이상이고, 바람직하게는 5개 이하, 보다 바람직하게는 4개 이하, 특히 바람직하게는 3개 이하이다. 1 분자 중에 복수개 있는 중합체 블록[A]는, 서로 동일해도 되고, 달라도 된다.
중합체 블록[B]는, 공액 디엔 단량체 단위를 함유하는 중합체 블록이다. 상술한 바와 같이, 공액 디엔 단량체 단위란, 예를 들어 공액 디엔 화합물을 중합하여 형성되는 구조를 갖는 구조 단위를 말하며, 공액 디엔 화합물 단위라고도 한다.
이 중합체 블록[B]가 갖는 공액 디엔 단량체 단위에 대응하는 공액 디엔 화합물로는, 예를 들어, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, 1,3-펜타디엔 등의 사슬형 공액 디엔 화합물을 들 수 있다. 이들은, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다. 그 중에서도, 흡습성을 낮게 할 수 있는 점에서, 극성기를 함유하지 않는 사슬형 공액 디엔 화합물이 바람직하고, 1,3-부타디엔, 이소프렌이 특히 바람직하다.
중합체 블록[B]에 있어서의 공액 디엔 단량체 단위의 함유율은, 바람직하게는 90 중량% 이상, 보다 바람직하게는 95 중량% 이상, 특히 바람직하게는 99 중량% 이상이다. 중합체 블록[B]에 있어서 공액 디엔 단량체 단위의 함유율이 상기 범위임으로써, 열가소성 수지층의 가요성을 향상시킬 수 있다.
중합체 블록[B]는, 공액 디엔 단량체 단위 이외에, 임의의 구조 단위를 포함하고 있어도 된다. 중합체 블록[B]는, 임의의 구조 단위를, 1종류로 단독으로도 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 포함하고 있어도 된다.
중합체 블록[B]가 포함할 수 있는 임의의 구조 단위로는, 예를 들어, 방향족 비닐 화합물 단위, 그리고, 방향족 비닐 화합물 및 사슬형 공액 디엔 화합물 이외의 임의의 불포화 화합물을 중합하여 형성되는 구조를 갖는 구조 단위를 들 수 있다. 이들 방향족 비닐 화합물 단위, 그리고, 임의의 불포화 화합물을 중합하여 형성되는 구조를 갖는 구조 단위로는, 예를 들어, 중합체 블록[A]에 포함되어 있어도 되는 것으로서 예시한 것과 동일한 예를 들 수 있다.
중합체 블록[B]에 있어서의 임의의 구조 단위의 함유율은, 바람직하게는 10 중량% 이하, 보다 바람직하게는 5 중량% 이하, 특히 바람직하게는 1 중량% 이하이다. 중합체 블록[B]에 있어서의 임의의 구조 단위의 함유율이 상기 범위임으로써, 열가소성 수지층의 가요성을 향상시킬 수 있다.
블록 공중합체[1] 1 분자에 있어서의 중합체 블록[B]의 수는, 통상 1개 이상이지만, 2개 이상이어도 된다. 블록 공중합체[1]에 있어서의 중합체 블록[B]의 수가 2개 이상인 경우, 그들 중합체 블록[B]는, 서로 동일해도 되고, 달라도 된다.
중합체 블록[C]는, 방향족 비닐 단량체 단위 및 공액 디엔 단량체 단위를 함유하는 중합체 블록이다. 상술한 바와 같이, 공액 디엔 단량체 단위란, 예를 들어 공액 디엔 화합물을 중합하여 형성되는 구조를 갖는 구조 단위를 말하며, 공액 디엔 화합물 단위라고도 한다. 방향족 비닐 단량체 단위란, 예를 들어 방향족 비닐 단량체 단위를 중합하여 형성되는 구조를 갖는 구조 단위를 말하며, 방향족 비닐 화합물 단위라고도 한다.
중합체 블록[C]가 갖는 방향족 비닐 단량체 단위에 대응하는 방향족 비닐 화합물로는, 중합체 블록[A]가 갖는 방향족 비닐 단량체 단위에 대응하는 방향족 비닐 화합물로서 예시한 것을 들 수 있다. 중합체 블록[C]가 갖는 공액 디엔 단량체 단위에 대응하는 공액 디엔 화합물로는, 중합체 블록[B]가 갖는 공액 디엔 단량체 단위에 대응하는 공액 디엔 화합물로서 예시한 것을 들 수 있다.
중합체 블록[C]에 있어서의, 방향족 비닐 단량체 단위의 함유율은, 바람직하게는 30 중량% 이상, 보다 바람직하게는 40 중량% 이상이고, 바람직하게는 76 중량% 이하, 보다 바람직하게는 60 중량% 이하, 특히 바람직하게는 55 중량% 이하이다. 중합체 블록[C]에 있어서 방향족 비닐 단량체 단위의 함유율이 상기 범위임으로써, 열가소성 수지층의 경도 및 내열성을 높일 수 있다.
중합체 블록[C]에 있어서의 공액 디엔 단량체 단위의 함유율은, 바람직하게는 24 중량% 이상, 보다 바람직하게는 40 중량% 이상, 특히 바람직하게는 45 중량% 이상이고, 바람직하게는 70 중량% 이하, 보다 바람직하게는 60 중량% 이하이다. 중합체 블록[C]에 있어서 공액 디엔 단량체 단위의 함유율이 상기 범위임으로써, 열가소성 수지층의 가요성을 향상시킬 수 있다.
중합체 블록[C]는, 방향족 비닐 단량체 단위 및 공액 디엔 단량체 단위 이외에, 임의의 구조 단위를 포함하고 있어도 된다. 중합체 블록[C]는, 임의의 구조 단위를, 1종류로 단독으로도 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 포함하고 있어도 된다.
중합체 블록[C]가 포함할 수 있는 임의의 구조 단위로는, 예를 들어, 방향족 비닐 화합물 및 사슬형 공액 디엔 화합물 이외의 임의의 불포화 화합물을 중합하여 형성되는 구조를 갖는 구조 단위를 들 수 있다. 임의의 불포화 화합물을 중합하여 형성되는 구조를 갖는 구조 단위로는, 예를 들어, 중합체 블록[A]에 포함되어 있어도 되는 것으로서 예시한 것과 동일한 예를 들 수 있다.
중합체 블록[C]에 있어서의 임의의 구조 단위의 함유율은, 바람직하게는 10 중량% 이하, 보다 바람직하게는 5 중량% 이하, 특히 바람직하게는 1 중량% 이하이다. 중합체 블록[C]에 있어서의 임의의 구조 단위의 함유율이 상기 범위임으로써, 열가소성 수지층의 가요성을 향상시킬 수 있다.
블록 공중합체[1] 1 분자에 있어서의 중합체 블록[C]의 수는, 통상 1개 이상이지만, 2개 이상이어도 된다. 블록 공중합체[1]에 있어서의 중합체 블록[C]의 수가 2개 이상인 경우, 그들 중합체 블록[C]는, 서로 동일해도 되고, 달라도 된다.
블록 공중합체[1]의 블록의 형태는, 사슬형 블록이어도 되고, 래디얼형 블록이어도 된다. 그 중에서도, 사슬형 블록이, 기계적 강도가 우수하여 바람직하다. 블록 공중합체[1]이 사슬형 블록의 형태를 갖는 경우, 블록 공중합체[1]의 분자쇄의 양단이 중합체 블록[A]임으로써, 열가소성 수지층의 들러붙음을 원하는 낮은 값으로 억제할 수 있다.
블록 공중합체[1]의 특히 바람직한 블록의 형태는, [A]-[B]-[A] 및 [A]-[C]-[A]로 나타내어지는 바와 같이, 중합체 블록[B] 또는 [C]의 양단에 중합체 블록[A]가 결합한 트리블록 공중합체; [A]-[B]-[A]-[B]-[A] 및 [A]-[C]-[A]-[C]-[A]로 나타내어지는 바와 같이, 중합체 블록[A]의 양단에 중합체 블록[B] 또는 [C]가 결합하고, 그 양 중합체 블록[B] 또는 [C]의 타단에 각각 중합체 블록[A]가 더 결합한 펜타블록 공중합체;이다. 특히, [A]-[B]-[A] 및 [A]-[C]-[A]의 트리블록 공중합체인 것이, 제조가 용이하고 또한 물성을 원하는 범위에 용이하게 들어가게 할 수 있기 때문에, 특히 바람직하다.
블록 공중합체[1]에 있어서, 블록 공중합체[1]의 전체에서 차지하는 중합체 블록[A]의 중량분율 wA와, 블록 공중합체[1]의 전체에서 차지하는 중합체 블록[B]의 중량분율 wB의 비(wA/wB)는, 특정한 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기의 비(wA/wB)는, 바람직하게는 30/70 이상, 더욱 바람직하게는 40/60 이상, 특히 바람직하게는 45/55 이상이고, 바람직하게는 85/15 이하, 더욱 바람직하게는 70/30 이하, 특히 바람직하게는 55/45 이하이다. 상기의 비 wA/wB가 상기 범위의 하한값 이상임으로써, 열가소성 수지층의 강성 및 내열성을 향상시키거나, 복굴절을 작게 하거나 할 수 있다. 또한, 상기의 비 wA/wB가 상기 범위의 상한값 이하임으로써, 열가소성 수지층의 가요성을 향상시킬 수 있다. 여기서, 중합체 블록[A]의 중량분율 wA는, 중합체 블록[A] 전체의 중량분율을 나타내고, 중합체 블록[B]의 중량분율 wB는, 중합체 블록[B] 전체의 중량분율을 나타낸다.
블록 공중합체[1]에 있어서, 블록 공중합체[1]의 전체에서 차지하는 중합체 블록[A]의 중량분율 wA와, 블록 공중합체[1]의 전체에서 차지하는 중합체 블록[C]의 중량분율 wC의 비(wA/wC)는, 특정한 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기의 비(wA/wC)는, 바람직하게는 30/70 이상, 더욱 바람직하게는 40/60 이상, 특히 바람직하게는 45/55 이상이고, 바람직하게는 85/15 이하, 더욱 바람직하게는 70/30 이하, 특히 바람직하게는 55/45 이하이다. 상기의 비 wA/wC가 상기 범위의 하한값 이상임으로써, 열가소성 수지층의 강성 및 내열성을 향상시키거나, 복굴절을 작게 하거나 할 수 있다. 또한, 상기의 비 wA/wC가 상기 범위의 상한값 이하임으로써, 열가소성 수지층의 가요성을 향상시킬 수 있다. 여기서, 중합체 블록[A]의 중량분율 wA는, 중합체 블록[A] 전체의 중량분율을 나타내고, 중합체 블록[C]의 중량분율 wC는, 중합체 블록[C] 전체의 중량분율을 나타낸다.
상기의 블록 공중합체[1]의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 30,000 이상, 보다 바람직하게는 40,000 이상, 특히 바람직하게는 50,000 이상이고, 바람직하게는 200,000 이하, 보다 바람직하게는 150,000 이하, 특히 바람직하게는 100,000 이하이다.
또한, 블록 공중합체[1]의 분자량 분포(Mw/Mn)는, 바람직하게는 3 이하, 보다 바람직하게는 2 이하, 특히 바람직하게는 1.5 이하이고, 바람직하게는 1.0 이상이다.
상기 블록 공중합체[1]의 중량 평균 분자량(Mw) 및 분자량 분포(Mw/Mn)는, 테트라하이드로푸란(THF)을 용매로 하는 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(GPC)에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.
블록 공중합체[1]의 제조 방법으로는, 예를 들어, 국제 공개 제2015/099079호, 일본 공개특허공보 2016-204217호에 기재된 방법을 채용할 수 있다.
수소화물[2]는, 블록 공중합체[1]의 불포화 결합을 수소화하여 얻어지는 중합체이다. 여기서, 수소화되는 블록 공중합체[1]의 불포화 결합에는, 블록 공중합체[1]의 주쇄 및 측쇄의, 방향족성 및 비방향족성의 탄소-탄소 불포화 결합을 모두 포함한다.
수소화물[2]의 수소화율은, 바람직하게는 90% 이상, 보다 바람직하게는 97% 이상, 특히 바람직하게는 99% 이상이다. 또한, 수소화물[2]에 있어서, 방향족 비닐 단량체 단위의 수소화율이 90% 이상이고, 또한 공액 디엔 단량체 단위의 수소화율이 90% 이상인 것이 바람직하다. 수소화물[2]의 수소화율은, 별도로 언급하지 않는 한, 블록 공중합체[1]의 주쇄 및 측쇄의, 방향족성 및 비방향족성의 탄소-탄소 불포화 결합 중의 수소화된 결합의 비율이다. 수소화율이 높을수록, 열가소성 수지층의 투명성, 내열성, 및 내후성을 양호하게 할 수 있고, 나아가서는 열가소성 수지층의 복굴절을 작게 하기 쉽다. 여기서, 수소화물[2]의 수소화율은, 1H-NMR에 의한 측정에 의해 구할 수 있다. 수소화율의 상한은, 100%로 할 수 있다.
특히, 비방향족성의 탄소-탄소 불포화 결합의 수소화율은, 바람직하게는 95% 이상, 보다 바람직하게는 99% 이상이다. 비방향족성의 탄소-탄소 불포화 결합의 수소화율을 높임으로써, 열가소성 수지층의 내광성 및 내산화성을 더욱 높일 수 있다.
또한, 방향족성의 탄소-탄소 불포화 결합의 수소화율은, 바람직하게는 90% 이상, 보다 바람직하게는 93% 이상, 특히 바람직하게는 95% 이상이다. 방향족성의 탄소-탄소 불포화 결합의 수소화율을 높임으로써, 중합체 블록[A]를 수소화하여 얻어지는 중합체 블록의 유리 전이 온도가 높아지므로, 열가소성 수지층의 내열성을 효과적으로 높일 수 있다. 또한, 열가소성 수지의 광탄성 계수를 낮출 수 있다.
수소화물[2]의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 30,000 이상, 보다 바람직하게는 40,000 이상, 보다 더 바람직하게는 45,000 이상이고, 바람직하게는 200,000 이하, 보다 바람직하게는 150,000 이하, 보다 더 바람직하게는 100,000 이하이다. 수소화물[2]의 중량 평균 분자량(Mw)이 상기의 범위에 들어감으로써, 열가소성 수지층의 기계 강도 및 내열성을 향상시킬 수 있고, 나아가서는 열가소성 수지층의 복굴절을 작게 하기 쉽다.
수소화물[2]의 분자량 분포(Mw/Mn)는, 바람직하게는 3 이하, 보다 바람직하게는 2 이하, 특히 바람직하게는 1.8 이하이고, 바람직하게는 1.0 이상이다. 수소화물[2]의 분자량 분포(Mw/Mn)가 상기의 범위에 들어감으로써, 열가소성 수지층의 기계 강도 및 내열성을 향상시킬 수 있고, 나아가서는 열가소성 수지층의 복굴절을 작게 하기 쉽다.
수소화물[2]의 중량 평균 분자량(Mw) 및 분자량 분포(Mw/Mn)는, 테트라하이드로푸란을 용매로 한 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(GPC)에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로 측정할 수 있다.
상술한 수소화물[2]는, 블록 공중합체[1]을 수소화함으로써 제조할 수 있다. 수소화 방법으로는, 수소화율을 높게 할 수 있고, 블록 공중합체[1]의 사슬 절단 반응이 적은 수소화 방법이 바람직하다. 이러한 수소화 방법으로는, 예를 들어, 국제 공개 제2015/099079호, 일본 공개특허공보 2016-204217호에 기재된 방법을 들 수 있다.
상기 수소화물[2]로는, 실릴기가 도입된 것이 바람직하다. 수소화물[2] 중에서도 특히 실릴기가 도입된 것을, 이하, 적당히 「실릴기 변성물[3]」이라고 부르는 경우가 있다. 실릴기가 도입된 것에 의해, 실릴기 변성물[3]은, 다른 재료에 대하여 높은 밀착성을 나타낸다. 따라서, 실릴기 변성물[3]을 포함하는 열가소성 수지로 형성된 열가소성 수지층은, 도전층에 대한 밀착성이 우수하므로, 적층체의 전체로서 기계적 강도를 향상시킬 수 있다.
블록 공중합체의 실릴 변성물(실릴기 변성물[3])은, 상술한 블록 공중합체의 수소화물(수소화물[2])에 실릴기를 도입함으로써 얻어지는 중합체이다. 블록 공중합체에 도입되는 실릴기로는, 알콕시실릴기를 들 수 있다. 블록 공중합체에 도입되는 실릴기는, 상술한 수소화물[2]에 직접 결합하고 있어도 되며, 예를 들어 알킬렌기 등의 2가의 유기기를 통하여 간접적으로 결합하고 있어도 된다.
실릴기 변성물[3]에 있어서의 실릴기의 도입량은, 실릴기의 도입 전의 수소화물[2] 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.2 중량부 이상, 특히 바람직하게는 0.3 중량부 이상이고, 바람직하게는 10 중량부 이하, 보다 바람직하게는 5 중량부 이하, 특히 바람직하게는 3 중량부 이하이다. 실릴기의 도입량을 상기 범위에 들어가게 하면, 수분 등으로 분해된 실릴기끼리의 가교도가 과잉으로 높아지는 것을 억제할 수 있으므로, 열가소성 수지층의 밀착성을 높게 유지할 수 있다.
실릴기의 도입량은, 1H-NMR 스펙트럼으로 계측할 수 있다. 또한, 실릴기의 도입량의 계측시, 도입량이 적은 경우에는, 적산 횟수를 늘려 계측할 수 있다.
실릴기 변성물[3]의 중량 평균 분자량(Mw)은, 도입되는 실릴기의 양이 적기 때문에, 통상은, 실릴기를 도입하기 전의 수소화물[2]의 중량 평균 분자량(Mw)으로부터 크게 변화하지 않는다. 단, 실릴기를 도입할 때에는, 통상은 과산화물의 존재하에서 수소화물[2]를 변성 반응시키므로, 그 수소화물[2]의 가교 반응 및 절단 반응이 진행되어, 분자량 분포는 크게 변화하는 경향이 있다. 실릴기 변성물[3]의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 30,000 이상, 보다 바람직하게는 40,000 이상, 보다 더 바람직하게는 45,000 이상이고, 바람직하게는 200,000 이하, 보다 바람직하게는 150,000 이하, 보다 더 바람직하게는 100,000 이하이다. 또한, 실릴기 변성물[3]의 분자량 분포(Mw/Mn)는, 바람직하게는 3.5 이하, 보다 바람직하게는 2.5 이하, 특히 바람직하게는 2.0 이하이고, 바람직하게는 1.0 이상이다. 실릴기 변성물[3]의 중량 평균 분자량(Mw) 및 분자량 분포(Mw/Mn)가 이 범위이면, 열가소성 수지층의 양호한 기계 강도 및 인장 신장을 유지할 수 있다.
실릴기 변성물[3]의 중량 평균 분자량(Mw) 및 분자량 분포(Mw/Mn)는, 테트라하이드로푸란을 용매로 한 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(GPC)에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.
실릴기 변성물[3]은, 상술한 블록 공중합체[1]의 수소화물[2]에 알콕시실릴기를 도입함으로써 제조할 수 있다. 수소화물[2]에 알콕시실릴기를 도입하는 방법으로는, 예를 들어, 국제 공개 제2015/099079호, 일본 공개특허공보 2016-204217호에 기재된 방법을 들 수 있다.
열가소성 수지 중의 수소화물[2](실릴기 변성물[3]을 포함한다) 등의 중합체 X의 비율은, 바람직하게는 80 중량% ~ 100 중량%, 보다 바람직하게는 90 중량% ~ 100 중량%, 특히 바람직하게는 95 중량% ~ 100 중량%이다. 열가소성 수지에 있어서의 중합체의 비율이 상기 범위에 들어감으로써, 열가소성 수지의 저장 탄성률을 상술한 범위에 들어가게 하기 쉽다.
열가소성 수지층은, 상술한 중합체 X에 조합하여, 임의의 성분을 포함하고 있어도 된다. 임의의 성분으로는, 예를 들어, 무기 미립자; 산화 방지제, 열 안정제, 자외선 흡수제, 근적외선 흡수제 등의 안정제; 활제, 가소제 등의 수지 개질제; 염료나 안료 등의 착색제; 및 대전 방지제를 들 수 있다. 이들 임의의 성분으로는, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다. 본 발명의 효과를 현저하게 발휘시키는 관점에서는, 임의의 성분의 함유 비율은 적은 것이 바람직하다.
열가소성 수지층은, 통상, 높은 투명성을 갖는다. 열가소성 수지층의 구체적인 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 80% 이상, 보다 바람직하게는 85% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상이다. 전체 광선 투과율은, 자외·가시 분광계를 사용하여, 파장 400nm ~ 700nm의 범위에서 측정할 수 있다. 전체 광선 투과율의 상한은, 100%인 것이 바람직하지만, 100% 미만의 값으로 할 수 있다.
열가소성 수지층의 두께는, 바람직하게는 10μm 이상, 보다 바람직하게는 20μm 이상, 특히 바람직하게는 30μm 이상이고, 바람직하게는 100μm 이하, 보다 바람직하게는 80μm 이하, 특히 바람직하게는 60μm 이하이다. 열가소성 수지층의 두께가 상기 범위의 하한값 이상임으로써, 열가소성 수지층에 의해 도전층으로의 수분의 침입을 억제하여, 마이그레이션을 효과적으로 방지할 수 있다. 한편, 열가소성 수지층의 두께가, 상기 범위의 상한값 이하임으로써, 가요성을 효과적으로 높일 수 있다.
열가소성 수지층의 제조 방법에 제한은 없다. 열가소성 수지층의 제조 방법으로는, 예를 들어, 용융 성형법, 용액 유연법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 용매 등의 휘발성 성분의 열가소성 수지층으로의 잔류를 억제할 수 있는 점에서, 용융 성형법이 바람직하다. 나아가서는, 기계 강도 및 표면 정밀도가 우수한 열가소성 수지층을 얻기 위하여, 용융 성형법 중에서도, 압출 성형법, 인플레이션 성형법, 및 프레스 성형법이 바람직하고, 효율 좋게 간단히 열가소성 수지층을 제조할 수 있는 관점에서, 압출 성형법이 특히 바람직하다.
[3. 도전층]
본 발명에 있어서, 도전층은, Sn(주석), Pb(납), Ag(은), Cu(구리), 및 Au(금) 중의 적어도 1종의 원소를 포함한다. 상기 원소는, 마이그레이션을 발생시킬 수 있는 재료이지만, 본 발명에서는, 소정의 투습도와 소정의 저장 탄성률을 갖는 열가소성 수지층을 구비함으로써, 마이그레이션의 발생을 방지할 수 있다.
상기 원소 중, 바람직하게는 Ag, Cu, 및 Au이고, 보다 바람직하게는 Ag이다. 이들 금속은, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다. 이들 금속에 의해 도전층을 형성하는 경우, 도전층을 가는 선상으로 형성함으로써, 투명한 도전층을 얻을 수 있다. 예를 들어, 격자상으로 형성된 금속 메시층으로서 도전층을 형성함으로써, 투명한 도전층을 얻을 수 있다.
도전층은, 상기 원소를 포함하는 재료(이하 「도전 재료」라고도 한다)에 의해 형성된다. 이러한 도전 재료로는, 금속 재료를 들 수 있다. 여기서 말하는 금속 재료란, 소위 금속 산화물과는 달리, 금속 원자끼리가 금속 결합함으로써 형성된 재료이다. 이러한 금속 재료로는, 금속 입자 및 금속 나노와이어 등을 들 수 있다. 도전 재료는, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다.
도전층은, 예를 들어, 금속 입자를 포함하는 도전층 형성용 조성물을 도포하는 것을 포함하는 형성 방법에 의해 형성할 수 있다. 이 때, 상기의 도전층 형성용 조성물을 소정의 격자 패턴으로 인쇄함으로써, 금속 메시층으로서의 도전층을 얻을 수 있다. 또한, 예를 들어, 은염 및 은 나노 입자 등의 금속 입자를 포함하는 도전층 형성용 조성물을 도포하고, 노광 처리 및 현상 처리에 의해 금속 세선을 소정의 격자 패턴으로 형성함으로써, 도전층을 금속 메시층으로서 형성할 수 있다. 이러한 도전층 및 그 형성 방법의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2012-18634호, 일본 공개특허공보 2003-331654호를 참조할 수 있다.
금속 나노와이어란, 형상이 침상 또는 실상이고, 직경이 나노미터 사이즈인 도전성 물질을 말한다. 금속 나노와이어는 직선상이어도 되고, 곡선상이어도 된다. 이러한 금속 나노와이어는, 금속 나노와이어끼리가 간극을 형성하여 그물코상이 됨으로써, 소량의 금속 나노와이어라도 양호한 전기 전도 경로를 형성할 수 있어, 전기 저항이 작은 도전층을 실현할 수 있다. 또한, 금속 와이어는, 그물코상이 됨으로써, 그물코의 간극에 개구부를 형성하므로, 광 투과율이 높은 도전층을 얻을 수 있다.
금속 나노와이어의 굵기 d와 길이 L의 비(애스펙트비: L/d)는, 바람직하게는 10 ~ 100,000이고, 보다 바람직하게는 50 ~ 100,000이며, 특히 바람직하게는 100 ~ 10,000이다. 이와 같이 애스펙트비가 큰 금속 나노와이어를 사용하면, 금속 나노와이어가 양호하게 교차하여, 소량의 금속 나노와이어에 의해 높은 도전성을 발현시킬 수 있다. 그 결과, 투명성이 우수한 적층체를 얻을 수 있다. 여기서, 「금속 나노와이어의 굵기」란, 금속 나노와이어의 단면이 원상인 경우에는 그 직경을 의미하고, 타원상인 경우에는 그 단경을 의미하며, 다각형인 경우에는 가장 긴 대각선을 의미한다. 금속 나노와이어의 굵기 및 길이는, 주사형 전자 현미경 또는 투과형 전자 현미경에 의해 측정할 수 있다.
금속 나노와이어의 굵기는, 바람직하게는 500nm 미만이고, 보다 바람직하게는 200nm 미만이고, 더욱 바람직하게는 10nm ~ 100nm이며, 특히 바람직하게는 10nm ~ 50nm이다. 이에 의해, 도전층의 투명성을 높일 수 있다.
금속 나노와이어의 길이는, 바람직하게는 2.5μm ~ 1000μm이고, 보다 바람직하게는 10μm ~ 500μm이며, 특히 바람직하게는 20μm ~ 100μm이다. 이에 의해, 도전층의 도전성을 높일 수 있다.
금속 나노와이어에 포함되는 금속으로는, 도전성이 높은 금속이 바람직하다. 호적한 금속의 예로는, 금, 은, 및 구리를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 은이다. 또한, 상기 금속에 도금 처리(예를 들어, 금 도금 처리)를 행한 재료를 사용해도 된다. 또한, 상기의 재료는, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다.
금속 나노와이어의 제조 방법으로는, 임의의 적절한 방법이 채용될 수 있다. 예를 들어, 용액 중에서 질산은을 환원하는 방법; 전구체 표면에 프로브의 선단부로부터 인가 전압 또는 전류를 작용시켜, 프로브 선단부에서 금속 나노와이어를 인출하고, 그 금속 나노와이어를 연속적으로 형성하는 방법; 등을 들 수 있다. 용액 중에서 질산은을 환원하는 방법에 있어서는, 에틸렌글리콜 등의 폴리올, 및 폴리비닐피롤리돈의 존재하에서, 질산은 등의 은염의 액상 환원을 함으로써, 은 나노와이어가 합성될 수 있다. 균일 사이즈의 은 나노와이어는, 예를 들어, Xia, Y.etal., Chem.Mater.(2002), 14, 4736-4745, Xia, Y.etal., Nano letters(2003)3(7), 955-960에 기재된 방법에 준하여, 대량 생산이 가능하다.
금속 나노와이어를 포함하는 도전층은, 예를 들어, 금속 나노와이어를 용매에 분산시켜 얻어진 금속 나노와이어 분산액을 도포 및 건조시키는 것을 포함하는 형성 방법에 의해 형성할 수 있다.
금속 나노와이어 분산액에 포함되는 용매로는, 예를 들어, 물, 알코올계 용매, 케톤계 용매, 에테르계 용매, 탄화수소계 용매, 방향족계 용매 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 환경 부하 저감의 관점에서, 물을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 용매는, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다.
금속 나노와이어 분산액에 있어서의 금속 나노와이어의 농도는, 바람직하게는 0.1 중량% ~ 1 중량%이다. 이에 의해, 도전성 및 투명성이 우수한 도전층을 형성할 수 있다.
금속 나노와이어 분산액은, 금속 나노와이어 및 용매에 조합하여, 임의의 성분을 포함할 수 있다. 임의의 성분으로는, 예를 들어, 금속 나노와이어의 부식을 억제하는 부식 억제제, 도전성 나노와이어의 응집을 억제하는 계면 활성제, 도전성 나노와이어를 도전층에 유지하기 위한 바인더 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, 임의의 성분은, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다.
금속 나노와이어 분산액의 도포 방법으로는, 예를 들어, 스프레이 코트법, 바 코트법, 롤 코트법, 다이 코트법, 잉크젯 코트법, 스크린 코트법, 딥 코트법, 슬롯 다이 코트법, 볼록판 인쇄법, 오목판 인쇄법, 그라비아 인쇄법 등을 들 수 있다. 건조 방법으로는, 임의의 적절한 건조 방법(예를 들어, 자연 건조, 송풍 건조, 가열 건조)이 채용될 수 있다. 예를 들어, 가열 건조의 경우에는, 건조 온도는 100℃ ~ 200℃이고, 건조 시간은 1분 ~ 10분으로 할 수 있다.
도전층에 있어서의 금속 나노와이어의 비율은, 도전층의 전체 중량에 대하여, 바람직하게는 80 중량% ~ 100 중량%이고, 보다 바람직하게는 85 중량% ~ 99 중량%이다. 이에 의해, 도전성 및 광 투과성이 우수한 도전층을 얻을 수 있다.
도전층은, 상기 도전 재료와 함께, 상기 이외의 임의의 도전 재료를 포함하고 있어도 된다. 임의의 도전 재료로는, 카본 나노튜브, 도전성 폴리머 등을 들 수 있다.
카본 나노튜브로는, 예를 들어, 직경이 0.3nm ~ 100nm, 길이 0.1μm ~ 20μm 정도의, 소위 다층 카본 나노튜브, 2층 카본 나노튜브, 단층 카본 나노튜브 등이 사용된다. 그 중에서도, 도전성이 높은 점에서, 직경 10nm 이하, 길이 1μm ~ 10μm의 단층 혹은 2층 카본 나노튜브가 바람직하다. 또한, 카본 나노튜브의 집합체에는, 아몰퍼스 카본 및 촉매 금속 등의 불순물은, 포함되지 않는 것이 바람직하다. 카본 나노튜브의 제조 방법으로는, 임의의 적절한 방법이 채용될 수 있다. 바람직하게는, 아크 방전법으로 제작된 카본 나노튜브가 사용된다. 아크 방전법으로 제작된 카본 나노튜브는 결정성이 우수하기 때문에 바람직하다.
도전성 폴리머로는, 예를 들어, 폴리티오펜계 폴리머, 폴리아세틸렌계 폴리머, 폴리파라페닐렌계 폴리머, 폴리아닐린계 폴리머, 폴리파라페닐렌비닐렌계 폴리머, 폴리피롤계 폴리머, 폴리페닐렌계 폴리머, 아크릴계 폴리머로 변성된 폴리에스테르계 폴리머 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리티오펜계 폴리머, 폴리아세틸렌계 폴리머, 폴리파라페닐렌계 폴리머, 폴리아닐린계 폴리머, 폴리파라페닐렌비닐렌계 폴리머, 및 폴리피롤계 폴리머가 바람직하다.
그 중에서도, 특히, 폴리티오펜계 폴리머가 바람직하다. 폴리티오펜계 폴리머를 사용함으로써, 투명성 및 화학적 안정성이 우수한 도전층을 얻을 수 있다. 폴리티오펜계 폴리머의 구체예로는, 폴리티오펜; 폴리(3-헥실티오펜) 등의 폴리(3-C1-8알킬-티오펜); 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리(3,4-프로필렌디옥시티오펜), 폴리[3,4-(1,2-시클로헥실렌)디옥시티오펜] 등의 폴리(3,4-(시클로)알킬렌디옥시티오펜); 폴리티에닐렌비닐렌 등을 들 수 있다. 여기서, 「C1-8알킬」이란, 탄소 원자수가 1 ~ 8인 알킬기를 나타낸다. 또한, 상기의 도전성 폴리머는, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다.
도전성 폴리머는, 바람직하게는, 음이온성 폴리머의 존재하에서 중합된다. 예를 들어, 폴리티오펜계 폴리머는, 음이온성 폴리머의 존재하에서 산화 중합시키는 것이 바람직하다. 음이온성 폴리머로는, 카르복실기, 술폰산기, 또는 그 염을 갖는 중합체를 들 수 있다. 바람직하게는, 폴리스티렌술폰산 등의 술폰산기를 갖는 음이온성 폴리머가 사용된다.
도전층은, 상기와 같은 도전 재료로 형성되어 있으므로, 도전성을 갖는다. 도전층의 도전성은, 예를 들어, 표면 저항값으로 나타낼 수 있다. 도전층의 구체적인 표면 저항값은, 적층체의 용도에 따라 설정할 수 있다. 어느 실시형태에 있어서, 도전층의 표면 저항값은, 바람직하게는 1000 Ω/sq. 이하, 보다 바람직하게는 900 Ω/sq. 이하, 특히 바람직하게는 800 Ω/sq. 이하이다. 도전층의 표면 저항값의 하한에 특별한 제한은 없으나, 제조가 용이한 점에서, 바람직하게는 1 Ω/sq. 이상, 보다 바람직하게는 2.5 Ω/sq. 이상, 특히 바람직하게는 5 Ω/sq. 이상이다.
도전층은, 열가소성 수지층 및 기재 사이의 전체에 형성되어 있어도 되고, 일부에 형성되어 있어도 된다. 예를 들어, 도전층은, 소정의 평면 형상을 갖는 패턴으로 패턴화되어 형성되어 있어도 된다. 여기서 평면 형상이란, 층의 두께 방향에서 본 경우의 형상을 말한다. 도전층의 패턴의 평면 형상은, 적층체의 용도에 따라 설정할 수 있다. 예를 들어, 적층체를 회로 기판으로서 사용하는 경우, 도전층의 평면 형상은, 회로의 배선 형상에 대응한 패턴으로 형성해도 된다. 또한, 예를 들어, 적층체를 터치 패널용의 센서 필름으로서 사용하는 경우, 도전층의 평면 형상은, 터치 패널(예를 들어, 정전 용량 방식 터치 패널)로서 양호하게 동작하는 패턴이 바람직하고, 구체예를 들면, 일본 공표특허공보 2011-511357호, 일본 공개특허공보 2010-164938호, 일본 공개특허공보 2008-310550호, 일본 공표특허공보 2003-511799호, 일본 공표특허공보 2010-541109호에 기재된 패턴을 들 수 있다.
도전층은, 통상, 높은 투명성을 갖는다. 따라서, 가시광선은, 통상, 이 도전층을 투과할 수 있다. 도전층의 구체적인 투명성은, 적층체의 용도에 따라 조정할 수 있다. 도전층의 구체적인 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 80% 이상이고, 보다 바람직하게는 90% 이상, 더욱 바람직하게는 95% 이상이다.
도전층의 1층당의 두께는, 바람직하게는 0.01μm ~ 10μm, 보다 바람직하게는 0.05μm ~ 3μm, 특히 바람직하게는 0.1μm ~ 1μm이다.
[4. 기재]
기재로는, 중합체(이하, 「중합체 Y」라고도 한다)를 포함하는 중합체 필름을 사용할 수 있다. 중합체 필름으로는, 중합체 Y를 포함하고, 필요에 따라 임의의 성분을 더 포함하는 수지로 형성된 필름을 사용할 수 있다. 중합체 Y는, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다.
중합체 Y로는, 지환식 구조를 함유하는 중합체가 바람직하다. 이하, 지환식 구조를 함유하는 중합체를, 적당히 「지환식 구조 함유 중합체」라고 하는 경우가 있다.
지환식 구조 함유 중합체는, 기계적 강도가 우수하다. 또한, 지환식 구조 함유 중합체는, 통상, 투명성, 저흡수성, 내습성, 치수 안정성, 및 경량성이 우수하다.
지환식 구조 함유 중합체는, 반복 단위 중에 지환식 구조를 함유하는 중합체로, 예를 들어, 고리형 올레핀을 단량체로서 사용한 중합 반응에 의해 얻어질 수 있는 중합체 또는 그 수소화물 등을 들 수 있다. 또한, 상기의 지환식 구조 함유 중합체로는, 주쇄 중에 지환식 구조를 함유하는 중합체, 및 측쇄에 지환식 구조를 함유하는 중합체를 어느 것이나 사용할 수 있다. 그 중에서도, 지환식 구조 함유 중합체는, 주쇄에 지환식 구조를 함유하는 것이 바람직하다. 지환식 구조로는, 예를 들어, 시클로알칸 구조, 시클로알켄 구조 등을 들 수 있으나, 열 안정성 등의 관점에서 시클로알칸 구조가 바람직하다.
1개의 지환식 구조에 포함되는 탄소 원자의 수는, 바람직하게는 4개 이상, 보다 바람직하게는 5개 이상, 특히 바람직하게는 6개 이상이고, 바람직하게는 30개 이하, 보다 바람직하게는 20개 이하, 특히 바람직하게는 15개 이하이다. 1개의 지환식 구조에 포함되는 탄소 원자의 수가 상기 범위 내에 있음으로써, 기계적 강도, 내열성, 및 성형성이 고도로 밸런스된다.
지환식 구조 함유 중합체 중의 지환식 구조를 갖는 반복 단위의 비율은, 바람직하게는 30 중량% 이상, 보다 바람직하게는 50 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 70 중량% 이상, 특히 바람직하게는 90 중량% 이상이다. 지환식 구조를 갖는 반복 단위의 비율을 상기와 같이 많게 함으로써, 내열성을 높일 수 있다.
또한, 지환식 구조 함유 중합체에 있어서, 지환식 구조를 갖는 반복 단위 이외의 잔부는, 특별한 한정은 없고, 사용 목적에 따라 적당히 선택할 수 있다.
지환식 구조 함유 중합체로는, 결정성을 갖는 것 및 결정성을 갖지 않는 것 중 어느 것을 사용해도 되고, 양자를 조합하여 사용해도 된다. 여기서, 결정성을 갖는 중합체란, 융점 Mp를 갖는 중합체를 말한다. 또한, 융점 Mp를 갖는 중합체란, 즉, 시차 주사 열량계(DSC)로 융점 Mp를 관측할 수 있는 중합체를 말한다. 결정성을 갖는 지환식 구조 함유 중합체는 내용제성이므로, 기재의 재료로서 사용함으로써, 열가소성 수지층을, 용제에 용해된 열가소성 수지를 도포하는 것에 의해 형성할 수 있다. 또한, 기재의 재료로서 결정성을 갖는 지환식 구조 함유 중합체를 사용함으로써, 적층체의 기계적 강도를 특히 효과적으로 높일 수 있다. 기재의 재료로서 결정성을 갖지 않는 지환식 구조 함유 중합체를 사용한 경우에는, 적층체의 제조 비용을 낮출 수 있다.
결정성을 갖는 지환식 구조 함유 중합체로는, 예를 들어, 하기의 중합체(α) ~ 중합체(δ)를 들 수 있다. 이들 중에서도, 내열성이 우수한 적층체가 얻어지기 쉬운 점에서, 결정성을 갖는 지환식 구조 함유 중합체로는, 중합체(β)가 바람직하다.
중합체(α): 고리형 올레핀 단량체의 개환 중합체로서, 결정성을 갖는 것.
중합체(β): 중합체(α)의 수소화물로서, 결정성을 갖는 것.
중합체(γ): 고리형 올레핀 단량체의 부가 중합체로서, 결정성을 갖는 것.
중합체(δ): 중합체(γ)의 수소화물 등으로서, 결정성을 갖는 것.
구체적으로는, 결정성을 갖는 지환식 구조 함유 중합체로는, 디시클로펜타디엔의 개환 중합체로서 결정성을 갖는 것, 및 디시클로펜타디엔의 개환 중합체의 수소화물로서 결정성을 갖는 것이 보다 바람직하고, 디시클로펜타디엔의 개환 중합체의 수소화물로서 결정성을 갖는 것이 특히 바람직하다. 여기서, 디시클로펜타디엔의 개환 중합체란, 전체 구조 단위에 대한 디시클로펜타디엔 유래의 구조 단위의 비율이, 통상 50 중량% 이상, 바람직하게는 70 중량% 이상, 보다 바람직하게는 90 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 100 중량%인 중합체를 말한다.
결정성을 갖는 지환식 구조 함유 중합체는, 적층체를 제조하기 전에 있어서는, 결정화되어 있지 않아도 된다. 그러나, 적층체가 제조된 후에 있어서는, 당해 적층체에 포함되는 결정성을 갖는 지환식 구조 함유 중합체는, 통상, 결정화되어 있음으로써, 높은 결정화도를 가질 수 있다. 구체적인 결정화도의 범위는 원하는 성능에 따라 적당히 선택할 수 있으나, 바람직하게는 10% 이상, 보다 바람직하게는 15% 이상이다. 적층체에 포함되는 지환식 구조 함유 중합체의 결정화도를 상기 범위의 하한값 이상으로 함으로써, 적층체에 높은 내열성 및 내약품성을 부여할 수 있다. 결정화도는, X선 회절법에 의해 측정할 수 있다.
결정성을 갖는 지환식 구조 함유 중합체의 융점 Mp는, 바람직하게는 200℃ 이상, 보다 바람직하게는 230℃ 이상이고, 바람직하게는 290℃ 이하이다. 이러한 융점 Mp를 갖는 결정성을 갖는 지환식 구조 함유 중합체를 사용함으로써, 성형성과 내열성의 밸런스가 더욱 우수한 적층체를 얻을 수 있다.
상기와 같은 결정성을 갖는 지환식 구조 함유 중합체는, 예를 들어, 국제 공개 제2016/067893호에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.
한편, 결정성을 갖지 않는 지환식 구조 함유 중합체는, 예를 들어, (1) 노르보르넨계 중합체, (2) 단환의 고리형 올레핀 중합체, (3) 고리형 공액 디엔 중합체, (4) 비닐 지환식 탄화수소 중합체, 및 이들의 수소화물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 투명성 및 성형성의 관점에서, 노르보르넨계 중합체 및 이 수소화물이 보다 바람직하다.
노르보르넨계 중합체로는, 예를 들어, 노르보르넨계 모노머의 개환 중합체, 노르보르넨계 모노머와 개환 공중합 가능한 그 밖의 모노머와의 개환 공중합체, 및 그들의 수소화물; 노르보르넨계 모노머의 부가 중합체, 노르보르넨계 모노머와 공중합 가능한 그 밖의 모노머와의 부가 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 투명성의 관점에서, 노르보르넨계 모노머의 개환 중합체 수소화물이 특히 바람직하다.
상기의 지환식 구조 함유 중합체는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2002-321302호에 개시되어 있는 중합체에서 선택된다.
결정성을 갖지 않는 지환식 구조 함유 중합체를 포함하는 수지로는, 여러 가지 상품이 시판되고 있으므로, 그들 중, 원하는 특성을 갖는 것을 적당히 선택하여, 사용할 수 있다. 이러한 시판품의 예로는, 상품명 「ZEONOR」(닛폰 제온 주식회사 제조), 「아톤」(JSR 주식회사 제조), 「아펠」(미츠이 화학 주식회사 제조), 「TOPAS」(폴리플라스틱스사 제조)의 제품군을 들 수 있다.
기재에 포함되는 중합체 Y의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 10,000 이상, 보다 바람직하게는 15,000 이상, 특히 바람직하게는 20,000 이상이고, 바람직하게는 100,000 이하, 보다 바람직하게는 80,000 이하, 특히 바람직하게는 50,000 이하이다. 이러한 중량 평균 분자량을 갖는 중합체 Y는, 기계적 강도, 성형 가공성, 및 내열성의 밸런스가 우수하다.
기재에 포함되는 중합체 Y의 분자량 분포(Mw/Mn)는, 바람직하게는 1.2 이상, 보다 바람직하게는 1.5 이상, 특히 바람직하게는 1.8 이상이고, 바람직하게는 3.5 이하, 보다 바람직하게는 3.4 이하, 특히 바람직하게는 3.3 이하이다. 분자량 분포가 상기 범위의 하한값 이상임으로써, 중합체 Y의 생산성을 높여, 제조 비용을 억제할 수 있다. 또한, 상한값 이하임으로써, 저분자 성분의 양이 작아지므로, 고온 노출시의 완화를 억제하여, 적층체의 안정성을 높일 수 있다.
중합체 Y의 중량 평균 분자량 Mw 및 수평균 분자량 Mn은, 용매로서 시클로헥산(수지가 용해되지 않는 경우에는 톨루엔)을 사용한 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(이하, 「GPC」라고 약칭한다.)에 의해, 폴리이소프렌 환산(용매가 톨루엔일 때에는, 폴리스티렌 환산)의 값으로 측정할 수 있다.
기재에 있어서의 중합체 Y의 비율은, 내열성 및 내절곡성이 특히 우수한 적층체를 얻는 관점에서, 바람직하게는 80 중량% ~ 100 중량%, 보다 바람직하게는 90 중량% ~ 100 중량%, 더욱 바람직하게는 95 중량% ~ 100 중량%, 특히 바람직하게는 98 중량% ~ 100 중량%이다.
기재는, 상술한 중합체 Y에 조합하여, 임의의 성분을 포함하고 있어도 된다. 임의의 성분으로는, 열가소성 수지층이 포함할 수 있는 임의의 성분으로 예시한 것과 동일한 예를 들 수 있다. 임의의 성분은, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다.
중합체 Y를 포함하는 수지(「수지 Y」라고도 한다)의 유리 전이 온도 Tg는, 바람직하게는 130℃ 이상이다. 수지 Y가 상기와 같이 높은 유리 전이 온도 Tg를 가짐으로써, 수지 Y의 내열성을 높일 수 있으므로, 고온 환경에 있어서의 기재의 치수 변화를 억제할 수 있다. 기재가 상기와 같이 우수한 내열성을 가짐으로써, 도전층의 형성을 적절하게 행하는 것이 가능하다. 특히, 기재가 우수한 내열성을 갖는 것은, 미세한 패턴 형상을 갖는 도전층을 형성하고 싶은 경우에 유용하다. 수지 Y의 유리 전이 온도의 상한은, 수지 Y의 입수를 용이하게 하는 관점에서, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 190℃ 이하, 특히 바람직하게는 180℃ 이하이다. 유리 전이 온도는, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
기재는, 통상, 높은 투명성을 갖는다. 기재의 구체적인 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 80% 이상, 보다 바람직하게는 85% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상이다. 본 발명에 있어서는, 열가소성 수지층 및 기재층 중 적어도 일방의 전체 광선 투과율이 80% 이상인 것이 바람직하고, 쌍방의 전체 광선 투과율이 80% 이상이면 보다 바람직하다. 적어도 일방의 층의 전체 광선 투과율이 80% 이상이면, 적층체가 높은 투명성을 가지므로, 표시 장치 등에 사용하는 경우에 호적하다.
기재의 투습도는, 바람직하게는 3 g/m2·24h 이하, 보다 바람직하게는 2 g/m2·24h 이하이다. 기재의 투습도의 하한값은 특별히 한정은 없으나, 바람직하게는, 0 g/m2·24h 이상이다. 기재의 투습도를, 상한값 이하로 함으로써, 기재와 도전층의 밀착도를 높여, 마이그레이션 방지 효과를 향상시킬 수 있다. 기재의 투습도는, 리시법(측정 기기 L80-5000형(시스텍 일리노이사 제조), 온도 조건 40℃ 습도 90%)에 의해 측정할 수 있다.
기재의 25℃에서의 저장 탄성률은, 바람직하게는 2000 MPa 이상, 보다 바람직하게는 2500 MPa 이상이고, 바람직하게는 3000 MPa 이하이다. 기재의 저장 탄성률을 상한값 이하로 함으로써, 적층체의 가요성을 우수한 것으로 할 수 있다. 기재의 저장 탄성률은, 동적 점탄성 측정 장치를 사용하여, 주파수 1 Hz의 조건으로 측정할 수 있다.
기재의 두께는, 바람직하게는 1μm 이상, 보다 바람직하게는 10μm 이상, 특히 바람직하게는 15μm 이상이고, 바람직하게는 100μm 이하, 보다 바람직하게는 80μm 이하, 특히 바람직하게는 60μm 이하이다. 기재의 두께가 상기 범위의 하한값 이상임으로써, 기재에 의해 도전층으로의 수분의 침입을 억제할 수 있다. 따라서, 마이그레이션의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 한편, 기재의 두께가, 상기 범위의 상한값 이하임으로써, 적층체의 가요성을 효과적으로 높일 수 있다.
기재의 면내 방향의 위상차 Re는, 적층체의 용도에 따라 임의로 설정할 수 있다. 특히, 직선 편광판과 조합하여 원 편광판으로서 사용하는 경우에는, 1/4 파장판으로서 기능할 수 있는 면내 방향의 위상차 Re를 갖는 것이 바람직하다. 그 경우의 면내 방향의 위상차 Re는, 바람직하게는 100nm 이상, 보다 바람직하게는 110nm 이상이고, 바람직하게는 180nm 이하, 보다 바람직하게는 170nm 이하이다. 그 밖의 용도의 경우에는, 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 10nm 이하이고, 보다 바람직하게는 5nm 이하이다.
기재의 제조 방법에 제한은 없다. 기재의 제조 방법으로는, 예를 들어, 용융 성형법, 용액 유연법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 용매 등의 휘발성 성분의 기재로의 잔류를 억제할 수 있는 점에서, 용융 성형법이 바람직하다. 용융 성형법은, 더욱 상세하게는, 압출 성형법, 프레스 성형법, 인플레이션 성형법, 사출 성형법, 블로우 성형법, 연신 성형법 등으로 분류할 수 있다. 이들 방법 중에서도, 기계 강도 및 표면 정밀도가 우수한 기재를 얻기 위하여, 압출 성형법, 인플레이션 성형법, 및 프레스 성형법이 바람직하고, 효율 좋게 간단히 기재를 제조할 수 있는 관점에서, 압출 성형법이 특히 바람직하다.
기재의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 장척상의 필름인 것이 바람직하다. 또한, 기재는, 장척상의 필름으로서, 그 폭 방향에 대하여 경사 방향에, 지상축을 갖고 있는 필름인 것이 바람직하다. 경사 방향이란, 필름의 면내 방향으로서, 필름의 길이 방향 및 필름의 폭 방향의 어느 것과도 비평행한 방향을 말한다. 경사 방향에 지상축을 갖는 필름은, 장척상의 필름을, 폭 방향에 대하여 경사 방향으로 연신함으로써 얻을 수 있다. 경사 연신한 필름에서는, 광축의 방향이 필름의 폭 방향에 대하여 경사진 방향이 되므로, 기재로서 경사 방향에 지상축을 갖는 필름(경사 연신 필름)을 사용하면, 본 발명의 적층체를 롤·투·롤로 용이하게 제조할 수 있어 호적하다.
경사 연신의 방법 및 경사 연신에 사용하는 연신기는 특별히 제한되지 않고, 종래 공지의 텐터식 연신기를 사용할 수 있다. 또한, 텐터식 연신기에는, 횡1축 연신기, 동시 2축 연신기 등이 있으나, 장척의 필름을 연속적으로 경사 연신할 수 있는 것이면, 특별히 제한되지 않고, 여러 타입의 연신기를 사용할 수 있다.
[5. 임의의 층]
적층체는, 열가소성 수지층, 도전층, 및 기재 이외에, 임의의 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 적층체는, 열가소성 수지층의 도전층과는 반대측, 기재의 도전층과는 반대측 등의 위치에 임의의 층을 구비하고 있어도 된다. 임의의 층으로는, 예를 들어, 지지체층, 하드 코트층, 인덱스 매칭층, 접착층, 위상차층, 편광자층, 광학 보상층 등을 들 수 있다.
적층체에 있어서, 기재와 도전층은, 직접 접하고 있는 것이 바람직하다. 또한, 도전층과 열가소성 수지층은, 직접 접하고 있는 것이 바람직하다. 여기서, 어느 2층이 접하는 양태가 「직접」이란, 그들 2층 사이에 다른 층이 없는 것을 말한다. 나아가서는, 적층체는, 기재, 도전층, 및 열가소성 수지층만을 구비하는 3층 구조의 필름인 것이 특히 바람직하다.
[6. 적층체의 물성 및 두께]
적층체의 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 70% 이상, 보다 바람직하게는 80% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상이다. 적층체의 전체 광선 투과율이 하한값 이상이면, 광학 부재의 용도에 있어서 호적하다.
또한, 적층체의 헤이즈는, 적층체를 결합한 화상 표시 장치의 화상 선명성을 높이는 관점에서, 바람직하게는 5% 이하, 보다 바람직하게는 3% 이하, 특히 바람직하게는 1% 이하이고, 이상적으로는 0%이다.
적층체의 두께는, 바람직하게는 2μm 이상, 보다 바람직하게는 5μm 이상, 더욱 바람직하게는 7.5μm 이상, 특히 바람직하게는 10μm 이상이고, 바람직하게는 200μm 이하, 보다 바람직하게는 175μm 이하, 특히 바람직하게는 150μm 이하이다. 적층체의 두께가, 상기 범위의 하한값 이상임으로써, 적층체의 기계적 강도를 높여, 도전층을 형성할 때에 주름을 방지할 수 있다. 또한, 적층체의 두께가, 상기 범위의 상한값 이하임으로써, 적층체의 가요성을 양호하게 할 수 있고, 나아가서는 적층체의 박막화가 가능하다.
[7. 본 발명의 작용·효과]
본 발명에 있어서, 열가소성 수지층은 투습도가 5 g/m2·24h 이하이고, 25℃에서의 저장 탄성률이 1300 MPa 이하인 층이다. 즉, 본 발명에 있어서, 열가소성 수지층은 적절한 범위의 투습도를 가지므로, 도전층과의 밀착성을 높게 하고, 이에 의해 마이그레이션 방지 효과를 높일 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 열가소성 수지 필름은, 적절한 범위의 저장 탄성률을 가지므로, 적층체의 가요성을 우수한 것으로 할 수 있다. 그 결과, 본 발명에 의하면, 우수한 가요성과, 우수한 마이그레이션 방지 효과를 갖는 적층체를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 적층체는, 도전층을 지지하기 위한 층으로서 가요성을 갖는 기재 및 열가소성 수지층을 구비하므로, 도전성 유리와 비교하여, 통상은, 내충격성 및 가공성이 우수하다. 또한, 적층체는 통상 도전성 유리보다 경량이다.
[8. 적층체의 제조 방법]
적층체의 제조 방법에 제한은 없으나, 상술한 적층체는, 예를 들어, 기재 상에 도전층을 형성하는 공정 1과, 도전층 상에 열가소성 수지층을 형성하는 공정 2를 포함하는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다. 이러한 제조 방법에 의하면, 열가소성 수지층의 형성을 용이하게 행할 수 있으므로, 제조 방법의 간소화가 가능하다.
(공정 1)
공정 1은, 기재 상에 도전층을 형성하는 공정이다.
공정 1에서 사용하는 기재는, 예를 들어, 상술한 기재의 제조 방법에 의해, 수지 Y로부터 형성할 수 있다. 기재로서 경사 연신 필름을 사용하는 경우, 공정 1을 행하기 전에 연신 공정을 행한다.
공정 1에서는, 예를 들어, 상술한 도전층의 형성 방법에 의해, 기재 상에 도전층을 형성한다. 도전층은, 기재 상에, 임의의 층을 개재하여 간접적으로 형성해도 된다. 단, 도전층은, 기재 상에 직접 형성하는 것이 바람직하다.
(공정 2)
공정 2는, 도전층 상에 열가소성 수지층을 형성하는 공정이다.
공정 2에서는, 기재에 형성한 도전층 상에, 열가소성 수지층을 형성한다. 열가소성 수지층은, 도전층 상에, 임의의 층을 개재하여 간접적으로 형성해도 된다. 예를 들어, 상기의 열가소성 수지층의 제조 방법에 의해 제조한 열가소성 수지층을, 점착제 또는 접착제를 개재하여 도전층에 첩합함으로써 형성해도 된다. 단, 열가소성 수지층은, 도전층 상에 직접 형성하는 것이 바람직하다.
공정 2는, 열가소성 수지층을 열압착하는 것, 또는 열가소성 수지를 포함하는 용액을 도포하는 것을 포함하는 것이 바람직하다. 당해 방법에 의하면, 제조 방법을 간소화할 수 있다.
열가소성 수지층을 열압착하는 방법은, 상술한 열가소성 수지층의 제조 방법에 의해 제조한 열가소성 수지층을, 필요에 따라 가열하면서 도전층의 표면에 압착하는 방법이다.
열가소성 수지를 포함하는 용액을 도포하는 방법은, 열가소성 수지를 포함하는 용액을 도전층 상에 도포하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 도전층 상에 직접 열가소성 수지층을 형성하는 방법이다. 기재의 재료가 내용제성인 경우에는, 이 방법을 채용함으로써 용이하게 열가소성 수지층을 형성할 수 있다. 열가소성 수지를 포함하는 용액은, 열가소성 수지를 용제에 용해 또는 분산시킴으로써 얻을 수 있다.
적층체의 제조 방법은, 상술한 공정에 조합하여, 임의의 공정을 더 포함하고 있어도 된다.
[9. 적층체의 용도]
본 발명의 적층체는, 우수한 가요성을 갖고, 또한, 우수한 마이그레이션 방지 효과를 가지므로, 예를 들어, 원 편광판, 터치 패널 등의 광학 용도나, 회로 기판 등의 용도로 호적하게 사용할 수 있다.
[10. 원 편광판]
본 발명의 원 편광판은, 상기의 본 발명의 적층체와, 편광판을 구비한다. 원 편광판은, 예를 들어, 기재의 지상축과 편광판의 흡수축이 이루는 각 θ1이 45°가 되도록, 편광판을 적층체에 적층함으로써 얻을 수 있다. 기재의 지상축과 편광판의 흡수축이 이루는 각 θ1은, 예를 들어 ±5°, ±3°, ±2°, 또는 ±1°의 범위 내에서의 오차를 포함하고 있어도 된다. 이러한 양태로 하면, 예를 들어 원 편광판을 표시 장치에 사용한 경우에, 입사 외광의 반사광에 의해 표시 내용이 시인하기 어려워지는 것을 방지할 수 있다. 편광판은 장척 방향 또는 폭 방향에 흡수축을 갖는 장척의 필름이면, 기재의 지상축의 방향과 편광판의 흡수축의 방향을 적절한 각도로 설정하기 쉬워, 원 편광판의 제조를 용이한 것으로 할 수 있어 바람직하다.
편광판으로서 장척의 편광 필름을 사용하는 경우, 당해 편광 필름은, 예를 들어, 폴리비닐알코올 필름에 요오드 혹은 이색성 염료를 흡착시킨 후, 붕산욕 중에서 1축 연신함으로써 제조해도 된다. 또한, 예를 들어, 폴리비닐알코올 필름에 요오드 혹은 이색성 염료를 흡착시켜 연신하고, 또한 분자쇄 중의 폴리비닐알코올 단위의 일부를 폴리비닐렌 단위로 변성함으로써 제조해도 된다. 또한, 예를 들어, 그리드 편광판, 다층 편광판 등의, 편광을 반사광과 투과광으로 분리하는 기능을 갖는 편광 필름을 사용해도 된다. 이들 중에서도, 폴리비닐알코올을 포함하여 이루어지는 편광 필름이 바람직하다. 편광 필름의 편광도는, 바람직하게는 98% 이상, 보다 바람직하게는 99% 이상이다.
편광판과 적층체를 적층하는 경우, 접착제를 사용해도 된다. 접착제로는, 광학적으로 투명하면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 수성 접착제, 용제형 접착제, 2액 경화형 접착제, 자외선 경화형 접착제, 감압성 접착제 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 수성 접착제가 바람직하고, 특히 폴리비닐알코올계의 수성 접착제가 바람직하다. 한편, 접착제는, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다.
접착제에 의해 형성되는 층(접착층)의 평균 두께는, 바람직하게는 0.05μm 이상, 보다 바람직하게는 0.1μm 이상이고, 바람직하게는 5μm 이하, 보다 바람직하게는 1μm 이하이다.
편광판에 적층체를 적층하는 방법에 제한은 없으나, 편광판의 일방의 면에 접착제를 도포한 후, 롤 라미네이터를 사용하여 편광판과 적층체를 첩합하고, 건조시키는 방법이 바람직하다. 첩합 전에, 적층체의 표면에, 예를 들어 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리 등의 표면 처리를 실시해도 된다. 건조 시간 및 건조 온도는, 접착제의 종류에 따라 적당히 선택된다.
얻어진 원 편광판은, 필요에 따라 적당한 크기로 재단하여, 유기 일렉트로루미네센스 표시 소자(이하, 적당히 「유기 EL 표시 소자」라고 하는 경우가 있다.)의 반사 방지 필름으로서 사용할 수 있다.
[11. 표시 장치]
본 발명의 표시 장치는, 본 발명의 원 편광판을 구비한다. 본 발명의 표시 장치로는 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치(이하, 적당히 「유기 EL 표시 장치」라고 하는 경우가 있다.)가 바람직하다. 이러한 유기 EL 표시 장치에 있어서, 본 발명의 원 편광판은 반사 방지 필름으로서 사용할 수 있다.
본 발명의 원 편광판을 반사 방지 필름으로서 사용하는 경우, 유기 EL 표시 장치의 표면에, 상술한 원 편광판을, 편광판측의 면이 시인측을 향하도록 설치함으로써, 장치 외부로부터 입사한 광이 장치 내에서 반사되어 장치 외부로 출사하는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 유기 EL 표시 장치의 표시면의 번쩍임 등의 원하지 않는 현상을 억제할 수 있다.
[12. 터치 패널]
본 발명의 터치 패널은, 본 발명의 적층체를 구비한다.
터치 패널에 있어서, 적층체의 배치 방향은 한정되지 않지만, 시인측으로부터 순서대로, 열가소성 수지층, 도전층, 및 기재의 순서로 배열되도록 설치되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 터치 패널은, 적층체와, 적층체의 열가소성 수지층에 접하여 설치한 편광판을 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 적층체의 기재의 지상축에 대하여 편광판의 흡수축이 이루는 각 θ2가 45°가 되도록, 편광판을 설치하는 것이 바람직하다. 이러한 양태로 함으로써, 입사 외광의 반사광에 의해 표시 내용이 시인하기 어려워지는 것을 방지하는 것이 가능하게 된다. 적층체의 기재의 지상축에 대한 편광판의 흡수축의 각도 θ2는, 예를 들어 ±5°, ±3°, ±2°, 또는 ±1°의 범위 내에서의 오차를 포함하고 있어도 된다.
터치 패널은, 통상, 적층체에 조합하여, 화상 표시 소자를 구비한다. 화상 표시 소자로는, 예를 들어, 액정 표시 소자, 유기 일렉트로루미네센스 표시 소자(이하, 적당히 「유기 EL 표시 소자」라고 하는 경우가 있다.)를 들 수 있다. 통상, 적층체는, 상기의 화상 표시 소자의 시인측에 설치된다.
가요성을 갖는 터치 패널을 얻기 위해서는, 화상 표시 소자로서, 가요성을 갖는 화상 표시 소자(플렉서블 디스플레이 소자)를 채용하는 것이 바람직하다. 이와 같이 가요성을 갖는 화상 표시 소자로는, 예를 들어, 유기 EL 표시 소자를 들 수 있다.
유기 EL 표시 소자는, 통상, 기판 상에, 제 1 전극층, 발광층, 및 제 2 전극층을 이 순서로 구비하고, 제 1 전극층 및 제 2 전극층으로부터 전압이 인가됨으로써 발광층이 광을 발생시킬 수 있다. 유기 발광층을 구성하는 재료의 예로는, 폴리파라페닐렌비닐렌계, 폴리플루오렌계, 및 폴리비닐카르바졸계의 재료를 들 수 있다. 또한, 발광층은, 복수의 발광색이 다른 층의 적층체, 혹은 어느 색소의 층에 다른 색소가 도핑된 혼합층을 갖고 있어도 된다. 또한, 유기 EL 표시 소자는, 배리어층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층, 등전위면 형성층, 전하 발생층 등의 기능층을 구비하고 있어도 된다.
실시예
이하, 실시예를 나타내어 본 발명에 대하여 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 청구범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에 있어서 임의로 변경하여 실시할 수 있다.
이하의 설명에 있어서, 양을 나타내는 「%」 및 「부」는, 별도로 언급하지 않는 한, 중량 기준이다. 또한, 이하에 설명하는 조작은, 별도로 언급하지 않는 한, 상온 및 상압의 조건에서 행하였다.
[평가 방법]
[분자량의 측정 방법]
중합체의 중량 평균 분자량 및 수평균 분자량은, 테트라하이드로푸란을 용리액으로 하는 겔·퍼미에이션·크로마토그래피에 의한 표준 폴리스티렌 환산값으로서 38℃에서 측정하였다. 측정 장치로는, 토소사 제조 HLC8320GPC를 사용하였다.
[수소화율의 측정 방법]
중합체의 수소화율은, 1H-NMR 측정에 의해 측정하였다.
[유리 전이 온도 Tg의 측정 방법]
시차 주사 열량계(DSC)를 사용하여, 10℃/분으로 승온하여 시료의 유리 전이 온도 Tg를 구하였다.
[면내 위상차 Re의 측정 방법]
실시예 및 비교예(이하 「각 예」라고도 한다)에서 사용한 기재 및 열가소성 수지층의 Re는, 파장 590nm에서 위상차 측정 장치(Axometric사 제조 제품명 「Axoscan」)를 사용하여 측정하였다.
[전체 광선 투과율의 측정]
열가소성 수지층 및 기재의 전체 광선 투과율은, 자외·가시 분광계를 사용하여, 파장 400nm ~ 700nm의 범위에서 측정하였다.
[저장 탄성률의 측정 방법]
각 예에서 사용한 열가소성 수지층 및 기재의 저장 탄성률은, 동적 점탄성 장치(SII사 제조 「DMS6100」)를 사용하여, 25℃, 주파수 1 Hz의 조건으로 측정하였다. 열가소성 수지층에 대해서는, 25℃에서의 저장 탄성률에 더하여, -40℃ 및 100℃에서의 저장 탄성률을 측정하였다. 이들의 측정 결과를 이용하여, -40℃에서의 저장 탄성률 E1에 대한 100℃에서의 저장 탄성률 E2의 비(E2/E1)를 산출하였다.
[투습도의 측정 방법]
각 예에서 사용한 열가소성 수지층 및 기재의 투습도는, 각각, 리시법에 의해 측정하였다(측정 기기 L80-5000형(시스텍 일리노이사 제조), 온도 조건 40℃ 습도 90%).
[밀착성 평가 시험(크로스컷 박리 시험)]
각 예에서 제조한 적층체의 열가소성 수지층측에 스크래치를 내어 1mm × 1mm의 크기의 구획을 100개, 크로스컷상으로 형성하였다. 셀로판 테이프(니치반사 제조, 폭 24mm)를 100개의 상기 구획 상에 첩부하여 1초 이내에 떼어내고, 떼어진 기재의 구획 개수를 계수하여, 하기 평가 기준에 의해 평가하였다.
<평가 기준>
A: 100개의 크로스컷 시험(JIS 기준)에서, 박리수가 3개 이하이다.
B: 100개의 크로스컷 시험(JIS 기준)에서, 박리수가 4개 이상 10개 이하이다.
C: 100개의 크로스컷 시험(JIS 기준)에서, 박리수가 11개 이상이다.
[마이그레이션 방지 효과의 평가]
<실시예 1 ~ 6 및 비교예 2 ~ 6의 평가용 기판의 제작>
빗상의 도전층을 갖는 적층체를 제조하여 평가용 기판으로 하였다. 구체적으로는 각 예에서 사용하는 기재 상에, 바 코터를 사용하여, 은 잉크(시그마-알드리치 저팬 제조 「Silver Nanoparticle Ink」)를 도포하고, 120℃에서 60초간 건조시켰다. 이에 의해, 기재 상에 두께 0.7μm의 은 입자를 포함하는 층이 형성되었다. 이 위에 포지티브형 포토레지스트(닛폰 제온(주) 제조 「ZPP1700」)를 사용해 도포, 건조, 노광, 및 현상을 행하여 레지스트 패턴을 형성하였다. 그 후, 산성의 에칭액에 의해 에칭 처리를 행하여, 빗상의 전극 패턴을 작성하여 도전층을 얻었다. 각 전극의 라인 폭은 400μm이고, 전극 상호 간의 간극은 100μm였다. 다음으로, 각 예에서 사용하는 열가소성 수지층의 재료 및 형성 방법에 따라, 도전층이 형성된 기재 상에 열가소성 수지층을 형성하여 평가용 기판을 제조하였다.
<비교예 1의 평가용 기판의 제작>
비교예 1의 적층체의 제조시에, ITO층을 빗상으로 형성한 것에 대하여, 평가용 기판으로 하였다.
<평가 방법>
각 예의 평가용 기판을, 85℃, 90%RH의 습열 조건하에 정치하고, 이 상태에서 전극 간에 50V의 전압을 인가하여, 마이그레이션 시험을 행하였다. 빗형 전극의 저항값을 측정하여 급격하게 저항값이 내려갈 때까지의 시간(시간)을 측정하였다. 여기서 「급격하게 저항값이 내려간다」는 것은 저항값이 네 자릿수 이상 내려가는(통전해 버리는) 것을 말한다. 상기 시간은, 긴 편이, 마이그레이션 방지 효과가 높다.
[되접어 꺾음 시험에 의한 표면 변화의 평가]
각 예에서 제조한 적층체에 대하여, 되접어 꺾음 시험을 행하였다. 이 되접어 꺾음 시험에서는, 굴곡 시험기(유아사 시스템 기기사 제조 「TCDM111LH」)를 사용하여, 적층체에 대하여, 곡률 반경 5mm로의 되접어 꺾음 조작을 행하고, 도전층의 단선 및 각 층의 박리 현상 중의 적어도 일방이 일어났을 때의, 절곡의 횟수를 측정하였다. 절곡의 횟수가 많을수록 내절곡성이 높다.
[제조예 1. 열가소성 수지층 A의 제조]
(A-1. 블록 공중합체의 수소화물의 제조)
국제 공개 2014/077267호에 기재된 방법을 참고로 하여, 스티렌 25 부, 스티렌 26 부 및 이소프렌 24 부의 혼합물, 그리고 스티렌 25 부를 이 순서로 중합하여, 트리블록 공중합체 수소화물(ia1)(중량 평균 분자량 Mw = 81,000; 분자량 분포 Mw/Mn = 1.11; 주쇄 및 측쇄의 탄소-탄소 불포화 결합, 그리고, 방향고리의 탄소-탄소 불포화 결합의 수소화율 ≒ 100%)을 제조하였다.
(A-2. 실릴기 변성물의 제조)
또한, 상기 국제 공개 2014/077267호에 기재된 방법을 참고로 하여, 상기의 트리블록 공중합체 수소화물(ia1) 100 부에, 비닐트리메톡시실란 1.8 부를 결합시켜, 트리블록 공중합체 수소화물의 알콕시실릴 변성물(ia1-s)의 펠릿을 제조하였다.
(A-3. 열가소성 수지층의 제조)
사이드 피더 및 폭 400mm의 T 다이를 구비한 2축 압출기(토시바 기계사 제조 「TEM-37B」), 그리고, 캐스트 롤 및 이형 필름 공급 장치를 구비한 시트 인취기를 사용하여, 하기의 방법으로, 열가소성 수지층 A를 제조하였다.
알콕시실릴 변성물(ia1-s)를, 2축 압출기에 공급하여 용융 상태로 하였다. 이 용융 상태의 알콕시실릴 변성물(ia1-s)(용융 수지)를 T 다이로부터 캐스트 롤 상에 압출하여, 필름상으로 성형하였다. 이 압출은, 용융 수지 온도 180℃, T 다이 온도 180℃, 캐스트 롤 온도 40℃의 성형 조건으로 행하였다. 압출된 용융 수지는 캐스트 롤에 의해 냉각되어, 두께 50μm의 열가소성 수지층이 얻어졌다.
이 캐스트 롤 상에 압출한 열가소성 수지층의 편면에, 이형용의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 50μm)을 공급하고, 열가소성 수지층과 PET 필름을 겹쳐 롤상으로 권취하여, 회수하였다. 이에 의해, 열가소성 수지층 및 PET 필름을 구비하는 복층 필름의 필름 롤을 얻었다.
복층 필름의 필름 롤로부터 복층 필름을 인출하고, PET 필름을 박리하여, 열가소성 수지층 A를 얻었다. 이 열가소성 수지층 A의 투습도는 2 g/m2·24h이고, 25℃에서의 저장 탄성률은, 1000 MPa, E2/E1은 10이었다. 열가소성 수지층 A의 전체 광선 투과율은 92%, 면내 위상차 Re는 10nm였다.
[제조예 2. 열가소성 수지층 B의 제조]
(B-1. 블록 공중합체의 수소화물의 제조)
국제 공개 제2014/077267호에 기재된 방법을 참고로 하여, 스티렌 25 부, 이소프렌 50 부, 및 스티렌 25 부를 이 순서로 중합하여, 트리블록 공중합체 수소화물(ib1)(중량 평균 분자량 Mw = 48,200; 분자량 분포 Mw/Mn = 1.04; 주쇄 및 측쇄의 탄소-탄소 불포화 결합, 그리고, 방향고리의 탄소-탄소 불포화 결합의 수소화율 ≒ 100%)을 제조하였다.
(B-2. 실릴기 변성물의 제조)
또한, 상기 국제 공개 2014/077267호에 기재된 방법을 참고로 하여, 상기의 트리블록 공중합체 수소화물(ib1) 100 부에, 비닐트리메톡시실란 1.8 부를 결합시켜, 트리블록 공중합체 수소화물의 알콕시실릴 변성물(ib1-s)의 펠릿을 제조하였다.
(B-3. 열가소성 수지층의 제조)
제조예 1의 (A-3)에서 사용한 시트 인취기를 사용하여, 하기의 방법으로, 열가소성 수지층 B를 제조하였다.
알콕시실릴 변성물(ib1-s)를, 2축 압출기에 공급하였다. 이 알콕시실릴 변성물(ib1-s) 100 부에 대하여 수소화폴리부텐(니치유사 제조 「파르림(등록상표) 24」) 20 부의 비율이 되도록, 사이드 피더로부터 수소화폴리부텐을 연속적으로 공급하여, 상기의 알콕시실릴 변성물(ib1-s) 및 수소화폴리부텐을 포함하는 용융 수지를 얻었다. 그리고, 이 용융 수지를 T 다이로부터 캐스트 롤 상에 압출하여, 필름상으로 성형하였다. 이 압출은, 용융 수지 온도 180℃, T 다이 온도 180℃, 캐스트 롤 온도 40℃의 성형 조건으로 행하였다. 압출된 용융 수지는 캐스트 롤에 의해 냉각되어, 두께 50μm의 열가소성 수지층이 얻어졌다.
이 캐스트 롤 상에 압출한 열가소성 수지층의 편면에, 이형용의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 50μm)을 공급하고, 열가소성 수지층과 PET 필름을 겹쳐 롤상으로 권취하여, 회수하였다. 이에 의해, 열가소성 수지층 및 PET 필름을 구비하는 복층 필름의 필름 롤을 얻었다.
복층 필름의 필름 롤로부터 복층 필름을 인출하고, PET 필름을 박리하여, 열가소성 수지층 B를 얻었다. 이 열가소성 수지층 B의 투습도는 5 g/m2·24h이고, 25℃에서의 저장 탄성률은, 128 MPa, E2/E1은 10이었다. 열가소성 수지층 B의 전체 광선 투과율은 92%였다.
이하의 방법에 의해 열가소성 수지층 B를 제조하였다.
상술한 방법에 의해 얻어진 열가소성 수지층 및 PET 필름을 구비하는 복층 필름의 필름 롤로부터 복층 필름을 인출하고, PET 필름을 박리하여, 열가소성 수지층 B를 얻었다. 이 열가소성 수지층 B의 투습도는 5 g/m2·24h이고, 25℃에서의 저장 탄성률은, 12.8 MPa, E2/E1은 10이었다. 열가소성 수지층 B의 전체 광선 투과율은 90%, 면내 위상차 Re는 10nm였다.
[제조예 3. 열가소성 수지층 C의 제조]
제조예 2의 (B-1)에서 얻어진 트리블록 공중합체 수소화물(ib1)(실릴화 전의 중합체)을 사용하여, 이하의 방법에 의해 열가소성 수지층 C를 제조하였다.
(C-3) 열가소성 수지층 C의 제조
제조예 1의 (A-3)에서 사용한 시트 인취기를 사용하여 열가소성 수지층 C를 제조하였다.
제조예 1의 (A-3)에 있어서 알콕시실릴 변성물(ia1-s) 대신에, 트리블록 공중합체 수소화물(ib1)을, 2축 압출기에 공급한 것 이외에는, 제조예 1의 (A-3)과 동일한 조작을 행하여, 두께 50μm의 열가소성 수지층을 얻었다.
캐스트 롤 상에 압출한 열가소성 수지층의 편면에, 이형용의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 50μm)을 공급하고, 열가소성 수지층과 PET 필름을 겹쳐 롤상으로 권취하여, 회수하였다. 이에 의해, 열가소성 수지층 및 PET 필름을 구비하는 복층 필름의 필름 롤을 얻었다.
복층 필름의 필름 롤로부터 복층 필름을 인출하고, PET 필름을 박리하여, 열가소성 수지층 C를 얻었다. 이 열가소성 수지층 C의 투습도는 10 g/m2·24h이고, 25℃에서의 저장 탄성률은 128 MPa, E2/E1은 10이었다. 열가소성 수지층 C의 전체 광선 투과율은 92%, 면내 위상차 Re는 10nm였다.
[제조예 4. 열가소성 수지층 D의 제조]
제조예 2의 (B-1)에서 얻어진 트리블록 공중합체 수소화물(ib1)(실릴화 전의 중합체)과, 실란 커플링제를 사용하여, 이하의 방법에 의해 열가소성 수지층 D를 제조하였다.
(D-3) 열가소성 수지층 D의 제조
제조예 1의 (A-3)에서 사용한 시트 인취기를 사용하여 열가소성 수지층 D를 제조하였다.
제조예 1의 (A-3)에 있어서, 알콕시실릴 변성물(ia1-s) 대신에, 트리블록 공중합체 수소화물(ib1) 및 트리블록 공중합체 수소화물 100 부에 대하여 5 부의 실란 커플링제(3-아미노프로필트리에톡시실란(KE903 신에츠 화학사 제조))를, 2축 압출기에 공급한 것 이외에는, 제조예 1의 (A-3)과 동일한 조작을 행하여, 두께 50μm의 열가소성 수지층을 얻었다.
캐스트 롤 상에 압출한 열가소성 수지층의 편면에, 이형용의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 50μm)을 공급하고, 열가소성 수지층과 PET 필름을 겹쳐 롤상으로 권취하여, 회수하였다. 이에 의해, 열가소성 수지층 및 PET 필름을 구비하는 복층 필름의 필름 롤을 얻었다.
복층 필름의 필름 롤로부터 복층 필름을 인출하고, PET 필름을 박리하여, 열가소성 수지층 D를 얻었다. 이 열가소성 수지층 D의 투습도는 10 g/m2·24h이고, 25℃에서의 저장 탄성률은, 128 MPa, E2/E1은 10이었다. 열가소성 수지층 D의 전체 광선 투과율은 90%, 면내 위상차 Re는 10nm였다.
[실시예 1]
(1-1) 기재 A의 준비
기재로서, 결정성을 갖지 않는 지환식 구조 함유 중합체로서의 노르보르넨계 중합체로 형성된 수지 필름(닛폰 제온(주) 제조, 「제오노아 필름 ZF16」; 두께 50μm; 수지의 유리 전이 온도 160℃, 이하 「기재 A」라고도 한다)을 준비하였다. 기재 A의 25℃에서의 저장 탄성률을 측정한 결과, 2300 MPa였다. 또한, 기재 A의 투습도는 2 g/m2·24h, 면내 위상차 Re는 5nm였다. 기재 A의 전체 광선 투과율은 90%였다.
이 기재 A의 표면을 플라즈마 처리하였다. 질소 및 건조 공기를, 질소 유량 0.5 NL/분, 건조 공기 유량 0.1 NL/분으로 흘리면서, 25 kHz의 공진 주파수로, 기재 A에 대하여 5 cm/분의 이동 속도로 플라즈마를 조사하였다. 플라즈마 발생원과 필름의 거리는 5mm로 하였다.
(1-2) 도전층의 형성
금속 입자로서 은 나노 입자를 포함하는 도전층 형성용 조성물로서의 은 잉크(시그마-알드리치 저팬 제조 「Silver Nanoparticle Ink」)를 준비하였다.
플라즈마 처리를 행한 기재 A 상에, 바 코터를 사용하여, 상기의 은 잉크를 도포하고, 120℃에서 60초간 건조시켰다. 이에 의해, 기재 A 상에 두께 0.7μm의 은 입자를 포함하는 층이 형성되었다. 이 위에 포지티브형 포토레지스트(닛폰 제온(주) 제조, 「ZPP1700」)를 사용해 도포, 건조, 노광, 현상하여 패턴을 형성 후, 산성의 에칭액에 의해 에칭 처리를 행하여, 기재 A 상에 도전층을 형성하였다. 이에 의해 도전층을 구비하는 기재 A를 얻었다.
(1-3) 적층체의 제조
열가소성 수지층으로서 제조예 1에서 제조한 열가소성 수지층 A를 사용하여 적층체를 제조하였다.
도전층을 구비하는 기재 A를, 핫 플레이트 상에서 약 100℃로 가열한 뒤, 열가소성 수지층 A를 도전층 상에 올려 놓고, 0.3 MPa의 압력으로 열압착 처리를 행하였다. 이에 의해, 도전층 상에 열가소성 수지층을 열압착시킨 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체에 대하여, 되접어 꺾음 시험을 행하고, 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 2]
본 예에서는, 기재 A 대신에, 이하의 방법에 의해 제조한 결정성 수지 필름(기재 B)을 사용하고, 도전층 상에 열가소성 수지층을 형성하는 공정을, 열가소성 수지를 포함하는 용액을 도포하는 방법에 의해 행하여 적층체를 얻었다. 이하에 본 예의 적층체의 제조 방법에 대하여 설명한다.
(2-1) 기재 B의 준비
(2-1-1) 결정성 수지: 디시클로펜타디엔의 개환 중합체의 수소화물을 포함하는 결정성 COP 수지(y1)의 제조
금속제의 내압 반응기를, 충분히 건조시킨 후, 질소 치환하였다. 이 내압 반응기에, 시클로헥산 154.5 부, 디시클로펜타디엔(엔도체 함유율 99% 이상)의 농도 70% 시클로헥산 용액 42.8 부(디시클로펜타디엔의 양으로서 30 부), 및 1-헥센 1.9 부를 첨가하고, 53℃로 가온하였다.
테트라클로로텅스텐페닐이미드(테트라하이드로푸란) 착물(錯體) 0.014 부를 0.70 부의 톨루엔에 용해시켜, 용액을 조제하였다. 이 용액에, 농도 19%의 디에틸알루미늄에톡시드/n-헥산 용액 0.061 부를 첨가해 10분간 교반하여, 촉매 용액을 조제하였다.
이 촉매 용액을 내압 반응기에 첨가하여, 개환 중합 반응을 개시하였다. 그 후, 53℃를 유지하면서 4시간 반응시켜, 디시클로펜타디엔의 개환 중합체의 용액을 얻었다. 얻어진 디시클로펜타디엔의 개환 중합체의 수평균 분자량(Mn) 및 중량 평균 분자량(Mw)은, 각각 8,750 및 28,100이고, 이들로부터 구해지는 분자량 분포(Mw/Mn)는 3.21이었다.
얻어진 디시클로펜타디엔의 개환 중합체의 용액 200 부에, 정지제로서 1,2-에탄디올 0.037 부를 첨가하여, 60℃로 가온하고, 1시간 교반하여 중합 반응을 정지시켰다. 여기에, 하이드로탈사이트형 화합물(쿄와 화학 공업사 제조 「쿄와드(등록상표) 2000」)을 1 부 첨가하여, 60℃로 가온하고, 1시간 교반하였다. 그 후, 여과 조제(쇼와 화학 공업사 제조 「라디올라이트(등록상표) #1500」)를 0.4 부 첨가하고, PP 플리츠 카트리지 필터(ADVANTEC 토요사 제조 「TCP-HX」)를 사용하여 흡착제와 용액을 여과 분리하였다.
여과 후의 디시클로펜타디엔의 개환 중합체의 용액 200 부(중합체량 30 부)에, 시클로헥산 100 부를 첨가하고, 클로로하이드라이드카르보닐트리스(트리페닐포스핀)루테늄 0.0043 부를 첨가하여, 수소압 6 MPa, 180℃에서 4시간, 수소화 반응을 행하였다. 이에 의해, 디시클로펜타디엔의 개환 중합체의 수소화물을 포함하는 반응액이 얻어졌다. 이 반응액은, 수소화물이 석출되어 슬러리 용액이 되어 있었다.
상기의 반응액에 포함되는 수소화물과 용액을, 원심 분리기를 사용하여 분리하고, 60℃에서 24시간 감압 건조하여, 결정성을 갖는 디시클로펜타디엔의 개환 중합체의 수소화물 28.5 부를 얻었다. 이 수소화물의 수소화율은 99% 이상, 유리 전이 온도 Tg는 93℃, 융점 Mp는 262℃, 라세모·다이애드의 비율은 89%였다.
얻어진 디시클로펜타디엔의 개환 중합체의 수소화물 100 부에, 산화 방지제(테트라키스[메틸렌-3-(3',5'-디-t-부틸-4'-하이드록시페닐)프로피오네이트]메탄; BASF 저팬사 제조 「이르가녹스(등록상표) 1010」) 1.1 부를 혼합한 후, 내경 3mmΦ의 다이 구멍을 4개 구비한 2축 압출기(토시바 기계사 제조 「TEM-37B」)에 투입하였다. 2축 압출기를 사용한 열 용융 압출 성형에 의해, 수지를 스트랜드상의 성형체로 한 후, 스트랜드 커터로 세단하여, 결정성의 지환식 구조 함유 중합체를 포함하는 수지(결정성 COP 수지)(y1)의 펠릿을 얻었다. 이 결정성 COP 수지(y1)은, 결정성을 갖는 지환식 구조 함유 중합체로서 디시클로펜타디엔의 개환 중합체의 수소화물을 포함하는 수지이다.
상기의 2축 압출기의 운전 조건은, 이하와 같았다.
·배럴 설정 온도 = 270℃ ~ 280℃.
·다이 설정 온도 = 250℃.
·스크루 회전수 = 145 rpm.
·피더 회전수 = 50 rpm.
(2-1-2) 결정성 수지 필름의 제조
2.1.1.에서 얻어진 결정성 COP 수지(y1)을, 압출하여 스크루 온도 280℃에서 T 다이에 공급하고, 다이스 압출 온도 280℃에서 T 다이로부터 토출시키고, 60℃로 온도 조정된 냉각 롤에 캐스트하여, 결정성 COP 수지로 이루어지는 두께 15μm의 필름을 제조하였다. 당해 필름을, 170℃의 오븐 중에서 30초간 어닐하여, 결정성 수지 필름(기재 B)을 얻었다.
기재 B의 25℃에서의 저장 탄성률은 2500 MPa, 투습도는 2 g/m2·24h, 면내 위상차 Re는 5nm였다. 기재 B의 전체 광선 투과율은 90%였다.
(2-1-3) 기재 B의 플라즈마 처리
기재 B에 대하여, 실시예 1의 (1-1)의 기재 A의 플라즈마 처리와 동일한 조작을 행하여, 플라즈마 처리를 행하였다.
(2-2) 도전층의 형성
기재 A 대신에 기재 B를 사용한 것 이외에는, 실시예 1의 (1-2)와 동일한 조작을 행하여, 기재 B 상에 도전층을 형성하였다. 이에 의해 도전층을 구비하는 기재 B를 얻었다.
(2-3) 적층체의 제조
제조예 1에서 제조한 열가소성 수지층 A를 시클로헥산에 용해시켜, 열가소성 수지를 20 중량% 포함하는 용액(수지 용액)을 조제하였다. 이 수지 용액을, 도전층을 구비하는 기재 B 상에 슬릿 코트한 후, 90℃의 핫 플레이트 상에서, 60초간 가열하여, 두께가 35μm인 열가소성 수지층 A를 구비하는 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체에 대하여, 되접어 꺾음 시험을 행하고, 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 3]
기재 A 대신에, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(테이진 제조, PET 필름, 「기재 C」)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체에 대하여, 되접어 꺾음 시험을 행하고, 결과를 표 1에 나타냈다.
기재 C의 25℃에서의 저장 탄성률은 2300 MPa, 투습도는 10 g/m2·24h, 면내 위상차 Re는 150nm였다. 기재 C의 전체 광선 투과율은 88%였다.
[실시예 4]
열가소성 수지층 A 대신에, 제조예 2에서 제조한 열가소성 수지층 B를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체에 대하여, 되접어 꺾음 시험을 행하고, 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 5]
열가소성 수지층 A 대신에, 제조예 2에서 제조한 열가소성 수지층 B를 사용한 것, 기재 A 대신에 기재 B를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체에 대하여, 되접어 꺾음 시험을 행하고, 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 6]
열가소성 수지층 A 대신에, 제조예 2에서 제조한 열가소성 수지층 B를 사용한 것, 기재 A 대신에, 길이 방향에 대하여 45°의 방향에 지상축을 갖는 결정성을 갖지 않는 지환식 구조 함유 중합체를 포함하는 필름(제오노아 필름 ZD 시리즈, 두께 80μm, 「기재 D」)을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체에 대하여, 되접어 꺾음 시험을 행하고, 결과를 표 1에 나타냈다. 기재 D의 25℃에서의 저장 탄성률은 2000 MPa, 투습도는 2 g/m2·24h, 면내 위상차 Re는 140nm였다. 기재 D의 전체 광선 투과율은 92%였다.
[비교예 1]
열가소성 수지층 A 대신에, 에틸렌아세트산비닐 공중합체를 포함하는 수지의 필름(우베 마루젠 폴리에틸렌사 제조, UBE 폴리에틸렌 V115, EVA 필름, 두께 100μm)을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체에 대하여, 되접어 꺾음 시험을 행하고, 결과를 표 2에 나타냈다.
EVA 필름의 투습도는 50 g/m2·24h이고, 25℃에서의 저장 탄성률은 15 MPa, E2/E1은 250이었다. EVA 필름의 전체 광선 투과율은 89%이고, 면내 위상차 Re는 10nm였다.
[비교예 2]
열가소성 수지층 A 대신에, EVA 필름을 사용한 것, 기재 A 대신에 기재 C를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체에 대하여, 되접어 꺾음 시험을 행하고, 결과를 표 2에 나타냈다. EVA 필름은 비교예 1에서 사용한 것과 동일한 것을 사용하였다.
[비교예 3]
열가소성 수지층 A 대신에, 제조예 3에 의해 제조한 열가소성 수지층 C(실릴화 전의 트리블록 공중합체 수소화물을 포함하는 열가소성 수지층)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체에 대하여, 되접어 꺾음 시험을 행하고, 결과를 표 2에 나타냈다.
[비교예 4]
열가소성 수지층 A 대신에, 제조예 4에 의해 제조한 열가소성 수지층 D(실릴화 전의 트리블록 공중합체 수소화물과 실란 커플링제를 포함하는 열가소성 수지층)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체에 대하여, 되접어 꺾음 시험을 행하고, 결과를 표 2에 나타냈다.
[비교예 5]
열가소성 수지층 A 대신에, 테트라플루오로에틸렌과 에틸렌의 공중합체를 포함하는 수지 필름(AGC사 제조 「Fluon」, ETFE 필름, 두께 100μm)을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체에 대하여, 되접어 꺾음 시험을 행하고, 결과를 표 2에 나타냈다.
ETFE 필름의 투습도는 3 g/m2·24h이고, 25℃에서의 저장 탄성률은 2400 MPa, E2/E1은 30이었다. ETFE 필름의 전체 광선 투과율은 90%, 면내 위상차 Re는 100nm였다.
[실시예 7]
원 편광판이 최표면에 배치되어 있는 시판의 표시 장치(유기 EL 표시 소자)의 원 편광판을 떼어내고, 실시예 6의 적층체를, 열가소성 수지층이 최표면이 되도록 실장하여, 적층체를 구비하는 표시 장치를 얻었다. 표시 장치의 표시면에 적층체를 실장하기 전후에 있어서의 반사율을 오츠카 전자(주) 제조, 반사율 측정용 분광기 MCP-9800에 의해 측정한 결과, 표시 장치의 외광으로부터의 반사율을 95% 억제할 수 있었다.
상기의 실시예 1 ~ 6 및 비교예 1 ~ 5의 물성값 및 평가 시험의 결과를, 하기의 표 1 및 2에 나타낸다. 하기의 표에 있어서, 약칭의 의미는, 하기와 같다.
「HSIS 실릴 변성물」: 블록 공중합체 수소화물 실릴 변성물.
「Ag-NW」: 은 나노와이어.
「EVA」: EVA 필름.
「HSIS」: 블록 공중합체 수소화물.
「ETFE」: ETFE 필름.
「HSIS 실릴 변성물」: 블록 공중합체 수소화물 실릴 변성물.
「1000 <」: 1000시간 초과.
「100000 <」: 100000회 초과.
[결과]
표 1 및 표 2에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 요건을 만족하는 실시예의 적층체는, 마이그레이션 방지 효과가 우수하고, 내절곡성이 우수하였다. 그 결과, 본 발명의 요건을 만족하는 실시예의 적층체는, 마이그레이션 방지 효과가 우수하고, 또한 가요성이 우수한 것을 알 수 있었다.
10 … 적층체
110 … 열가소성 수지층
120 … 도전층
130 … 기재
110 … 열가소성 수지층
120 … 도전층
130 … 기재
Claims (20)
- 열가소성 수지층과 도전층과 기재를 이 순서로 구비하고,
상기 열가소성 수지층은, 투습도가 5 g/m2·24h 이하이고, 25℃에서의 저장 탄성률이 1300 MPa 이하이고,
상기 도전층은, Sn, Pb, Ag, Cu, 및 Au 중의 적어도 1종의 원소를 포함하는, 적층체. - 제 1 항에 있어서,
상기 열가소성 수지층이, 실릴기를 갖는 중합체를 포함하는, 적층체. - 제 2 항에 있어서,
상기 실릴기를 갖는 중합체가, 블록 공중합체의 실릴기 변성물인, 적층체. - 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 실릴기를 갖는 중합체가, 방향족 비닐 단량체와 공액 디엔 단량체의 공중합체의 실릴기 변성물인, 적층체. - 제 4 항에 있어서,
상기 방향족 비닐 단량체에 기초하는 단위의 수소화율이 90% 이상이고, 또한 상기 공액 디엔 단량체에 기초하는 단위의 수소화율이 90% 이상인, 적층체. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열가소성 수지층의 -40℃에서의 저장 탄성률 E1에 대한, 상기 열가소성 수지층의 100℃에서의 저장 탄성률 E2의 비(E2/E1)가, 15 이하인 적층체. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기재의 투습도가, 3 g/m2·24h 이하인, 적층체. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기재가, 중합체를 포함하는 중합체 필름인, 적층체. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기재가, 지환식 구조 함유 중합체를 포함하는, 적층체. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기재가, 장척상의 필름이고, 당해 필름의 폭 방향에 대하여 경사 방향에 지상축을 갖는, 적층체. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기재의 25℃에서의 저장 탄성률이, 2000 ~ 3000 MPa인, 적층체. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열가소성 수지층의, 면내 방향의 위상차가, 10nm 이하인, 적층체. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열가소성 수지층 및 상기 기재 중 적어도 일방의 전체 광선 투과율이, 80% 이상인, 적층체. - 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 적층체와, 편광판을 구비하는, 원 편광판.
- 제 14 항에 기재된 원 편광판을 구비하는 표시 장치.
- 제 15 항에 있어서,
상기 표시 장치가 유기 일렉트로루미네센스 장치인 표시 장치. - 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 적층체를 구비하는, 터치 패널.
- 제 17 항에 있어서,
상기 적층체의 상기 열가소성 수지층에 접하여 설치한 편광판을 구비하는, 터치 패널. - 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
상기 적층체와, 편광판을 구비하고,
상기 적층체의 상기 기재의 지상축에 대한, 상기 편광판의 흡수축이 이루는 각이 45°인, 터치 패널. - 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 적층체의 제조 방법으로서,
상기 기재 상에 상기 도전층을 형성하는 공정 1과,
상기 도전층 상에 상기 열가소성 수지층을 형성하는 공정 2를 포함하고,
상기 공정 2는, 상기 열가소성 수지층을 열압착하는 것, 또는 열가소성 수지를 포함하는 용액을 도포하는 것을 포함하는, 적층체의 제조 방법.
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