KR20210095086A - 우수한 저장 안정성을 갖는 중합성 조성물, 봉지재 및 표시 장치 - Google Patents

우수한 저장 안정성을 갖는 중합성 조성물, 봉지재 및 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210095086A
KR20210095086A KR1020210009578A KR20210009578A KR20210095086A KR 20210095086 A KR20210095086 A KR 20210095086A KR 1020210009578 A KR1020210009578 A KR 1020210009578A KR 20210009578 A KR20210009578 A KR 20210009578A KR 20210095086 A KR20210095086 A KR 20210095086A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polymerizable composition
monomer
viscosity
curing
measured
Prior art date
Application number
KR1020210009578A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102602892B1 (ko
Inventor
남시욱
김경종
Original Assignee
코오롱인더스트리 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코오롱인더스트리 주식회사 filed Critical 코오롱인더스트리 주식회사
Publication of KR20210095086A publication Critical patent/KR20210095086A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102602892B1 publication Critical patent/KR102602892B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
    • H01L51/0034—
    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
  • Sealing Material Composition (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 아크릴기를 갖는 제1 모노머, 아크릴기를 가지며 상기 제1 모노머와 다른 점도를 갖는 제2 모노머, 자외선 흡수제 및 중합 개시제를 포함하며, 18 이하의 저장 변경 지수(Index of Storage Variation; ISV)를 갖는 중합성 조성물을 제공한다.

Description

우수한 저장 안정성을 갖는 중합성 조성물, 봉지재 및 표시 장치{POLYMERIZABLE COMPOSITION HAVING IMPROVED STABILITY OF STORAGE, ENCAPSULATION MATERIAL AND DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 우수한 저장 안정성을 갖는 중합성 조성물, 이러한 중합성 조성물에 의해 형성된 유기막을 포함하는 봉지재 및 이러한 봉지재를 포함하는 표시장치에 대한 것이다.
발광 소자는 빛을 발광할 수 있는 소자이다. 이러한 발광 소자들 중 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Device; OLED)는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트(contrast) 특성, 빠른 응답시간 및 낮은 소비 전력 등의 장점을 가지고 있어, 다양한 분야에서 사용되고 있다.
유기 발광 소자는 산소 또는 수분에 의해 열화되어 수명이 단축될 수 있다. 따라서, 유기 발광 소자의 열화를 방지하기 위해, 유기 발광 소자를 보호하는 봉지재(encapsulation material)가 사용될 수 있다. 유기 발광 소자를 보호용 봉지재는 유기막을 포함할 수 있으며, 이러한 유기막은 중합성 조성물에 의하여 만들어질 수 있다. 그런데, 중합성 조성물이 쉽게 변질되는 경우, 중합성 조성물에 의하여 형성된 유기막 및 이를 포함하는 봉지재의 성능이 보장될 수 없다. 봉지재가 안정적인 산소 또는 수분 차단 특성을 가지기 위해, 봉지재를 구성하는 유기막의 원료가 되는 중합성 조성물이 우수한 안정성을 가질 필요가 있다.
또한, 유기 발광 소자는 자외선에 의하여 열화될 수 있다. 따라서, 자외선으로부터 유기 발광 소자를 보호하는 것이 필요하다.
본 발명의 일 실시예는 봉지재의 제조에 사용될 수 있는 중합성 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는, 장시간에 걸쳐 저장되더라도 변질되지 않는 우수한 저장 안정성을 갖는, 중합성 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는 자외선을 흡수능을 갖는 유기막의 제조에 사용될 수 있는 중합성 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 일 실시예는, 우수한 저장 안정성을 갖는 중합성 조성물에 의하여 형성된 유기막을 포함하는 봉지재 및 이러한 봉지재를 포함하는 표시장치를 제공하고자 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예는, 아크릴기를 갖는 제1 모노머, 아크릴기를 가지며 상기 제1 모노머와 다른 점도를 갖는 제2 모노머, 380nm 내지 400nm 파장의 빛을 흡수하는 자외선 흡수제 및 중합 개시제를 포함하며, 저장 시험 전, 제1 가요성(Aa), 제1 점도(Ab), 제1 경화도(Ac), 제1 수축율(Ad) 및 제1 표면장력(Ae)을 가지며, 상온(25℃±10℃)에서 1년간 밀봉 저장 후, 제2 가요성(Ba), 제2 점도(Bb), 제2 경화도(Bc), 제2 수축율(Bd) 및 제2 표면장력(Be)을 가지며, 50℃에서 1년간 밀봉 저장 후, 제3 가요성(Ca), 제3 점도(Cb), 제3 경화도(Cc), 제3 수축율(Cd) 및 제3 표면장력(Ce)을 가지며, 18 이하의 저장 변경 지수(Index of Storage Variation; ISV)를 갖는, 중합성 조성물을 제공한다. 여기서, 상기 저장 변경 지수(ISV)는 하기 식 1로 구해진다.
[식 1]
ISV = (|Aa-Ba|/Aa)*100 + (|Aa-Ca|/Aa)*100 + (|Ab-Bb|/Ab)*100 + (|Ab-Cb|/Ab)*100 + (|Ac-Bc|/Ac)*100 + (|Ac-Cc|/Aa)*100 + (|Ad-Bd|/Ad)*100 + (|Ad-Cd|/Ad)*100 + (|Ae-Be|/Ae)*100 + (|Ae-Ce|/Ae)*100
본 발명의 다른 일 실시예는, 상기 중합성 조성물에 의하여 형성된 유기막을 포함하는 봉지재를 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는, 상기 봉지재를 포함하는 표시장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 낮은 저장 변경 지수를 가져, 장시간에 걸쳐 저장되더라도 물성이 변하지 않는, 우수한 저장 안정성을 가질 수 있다. 그에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물이 사용되는 경우, 중합성 조성물의 저장 시간에 상관없이, 우수한 수분 및 산소 차단 특성을 갖는 봉지재가 제조될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 380nm 내지 400nm 파장의 빛을 흡수하는 자외선 흡수제를 포함하여, 근자외선 영역의 빛을 효과적으로 흡수 및 차단할 수 있는 유기막의 제조에 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물에 의하여 제조된 유기막을 포함하는 봉지재를 포함하는 표시장치는 수분 및 산소에 대한 우수한 내성을 가지며, 장시간에 걸쳐 우수한 표시 품질을 유지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 일부에 대한 단면도이다.
본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예들을 설명하기 위한 것일 뿐, 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어를 해석함에 있어서는, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 반드시 통상적이거나 사전적인 의미로만 한정해서 해석할 것이 아니며, 본 명세서에서 기재하는 바에 따라 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석하여야 한다.
본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로, 본 발명이 도면에 도시된 사항에 의해 한정되는 것은 아니다.
본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)의 일부에 대한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시장치(100)는, 기판(510), 기판(510) 상의 박막 트랜지스터(TFT) 및 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 유기 발광 소자(570)를 포함한다. 유기 발광 소자(570)는 제1 전극(571), 제1 전극(571) 상의 유기 발광층(572) 및 유기 발광층(572) 상의 제2 전극(573)을 포함한다. 도 1에 개시된 표시장치(100)는 유기 발광 소자(570)를 포함하는 유기발광 표시장치이다.
기판(510)은 유리 또는 플라스틱으로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 기판(510)은 폴리이미드계 수지 또는 폴리이미드계 필름과 같은 플라스틱으로 만들어질 수 있다. 도시되지 않았지만, 기판(510) 상에 버퍼층이 배치될 수 있다.
기판(510) 상에 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된다. 박막 트랜지스터(TFT)는 반도체층(520), 반도체층(520)과 이격되어 반도체층(520)의 적어도 일부와 중첩하는 게이트 전극(530), 반도체층(520)과 연결된 소스 전극(541) 및 소스 전극(541)과 이격되어 반도체층(520)과 연결된 드레인 전극(542)을 포함한다.
도 1을 참조하면, 게이트 전극(530)과 반도체층(520) 사이에 게이트 절연막(535)이 배치된다. 게이트 전극(530) 상에 층간 절연막(551)이 배치되고, 층간 절연막(551) 상에 소스 전극(541) 및 소스 전극(541)이 배치될 수 있다.
평탄화막(552)은 박막 트랜지스터(TFT) 상에 배치되어 박막 트랜지스터(TFT)의 상부를 평탄화시킨다.
제1 전극(571)은 평탄화막(552) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(571)은 평탄화막(552)에 구비된 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된다.
뱅크층(580)은 제1 전극(571)의 일부 및 평탄화막(552) 상에 배치되어 화소 영역 또는 발광 영역을 정의한다. 예를 들어, 뱅크층(580)이 복수의 화소들 사이의 경계 영역에 매트릭스 구조로 배치됨으로써, 뱅크층(580)에 의해 화소 영역이 정의될 수 있다.
유기 발광층(572)은 제1 전극(571) 상에 배치된다. 유기 발광층(572)은 뱅크층(580) 상에도 배치될 수 있다. 유기 발광층(572)은 하나의 발광층을 포함할 수도 있고, 상하로 적층된 2개 이상의 발광층을 포함할 수도 있다. 이러한 유기 발광층(572)에서 적색, 녹색 및 청색 중 어느 하나의 색을 갖는 광이 방출될 수 있으며, 백색(White) 광이 방출될 수도 있다. 유기 발광층(572)은, 발광층에 더하여, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
제2 전극(573)은 유기 발광층(572) 상에 배치된다.
제1 전극(571), 유기 발광층(572) 및 제2 전극(573)이 적층되어 유기 발광 소자(570)가 이루어질 수 있다.
도시되지 않았지만, 유기 발광층(572)이 백색(White) 광을 발광하는 경우, 개별 화소는 유기 발광층(572)에서 방출되는 백색(White) 광을 파장 별로 필터링하기 위한 컬러 필터를 포함할 수 있다. 컬러 필터는 광의 이동경로 상에 형성된다.
제2 전극(573) 상에 봉지재(590)가 배치될 수 있다. 봉지재(590)는 다층의 박막으로 이루어질 수 있다. 다층의 박막으로 이루어진 봉지재(590)를 박막 봉지층이라고도 한다. 도 1을 참조하면, 봉지재(590)은 적어도 하나의 유기막(592) 및 적어도 하나의 무기막(591, 593)을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 유기막(592) 및 적어도 하나의 무기막(591, 593)은 교호적으로 배치될 수 있다.
봉지재(590)은 표시장치(100)의 표시 영역을 덮으며 표시 영역 외측까지 연장될 수 있다. 봉지재(590)은 제1 무기막(591), 유기막(592) 및 제2 무기막(593)을 포함할 수 있다.
제1 무기막(591)은 제2 전극(573)을 덮는다. 제1 무기막(591)은, 세라믹, 금속산화물, 금속질화물, 금속탄화물, 금속산질화물, 실리콘산화물, 실리콘질화물 및 실리콘산질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
유기막(592)은 제1 무기막(591) 상에 배치된다. 유기막(592)의 상면은 평탄면이 될 수 있다. 구체적으로, 유기막(592)은 표시 영역에 대응하는 부분의 상면이 대략 평탄하도록 할 수 있다. 유기막(592)은 아크릴, 메타아크릴(metacrylic), 폴리에스터, 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기막(592)은 중합성 조성물에 의하여 만들어질 수 있다. 유기막(592)은, 예를 들어, 중합성 조성물의 중합 및 경화에 의하여 만들어질 수 있다.
제2 무기막(593)은 유기막(592)을 덮는다. 제2 무기막(593)은, 세라믹, 금속산화물, 금속질화물, 금속탄화물, 금속산질화물, 실리콘산화물, 실리콘질화물 및 실리콘산질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 봉지재(590)는 제1 무기막(591), 유기막(592) 및 제2 무기막(593)을 포함하는 다층 구조를 가지기 때문에, 봉지재(590) 내에 크랙이 발생한다고 하더라도, 제1 무기막(591)과 유기막(592) 사이에서 또는 유기막(592)과 제2 무기막(593) 사이에서 그러한 크랙이 연결되지 않도록 할 수 있다. 이를 통해 외부로부터의 수분이나 산소 등이 유기 발광 소자(570)로 침투하게 되는 경로가 형성되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.
도 1을 참조하면, 봉지재(590) 상에 터치 패널(110)이 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 중합성 조성물을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 표시장치(100)의 봉지재(590)에 포함된 유기막(592)의 제조에 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 제1 모노머, 제2 모노머, 자외선 흡수제 및 중합 개시제를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 모노머 및 제2 모노머는 중합 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 모노머 및 제2 모노머는 광중합성을 가질 수 있다. 광 조사에 의하여, 제1 모노머 및 제2 모노머가 중합될 수 있다.
또한, 제1 모노머 및 제2 모노머는 광경화성을 가질 수 있다. 광 조사에 의하여, 제1 모노머 및 제2 모노머가 경화될 수 있다. 또한, 제1 모노머 및 제2 모노머의 중합에 의하여 형성된 중합체가 광 또는 열에 의하여 경화될 수 있다.
제1 모노머는 25℃에서 1 내지 100 cPs의 점도를 갖는다. 제1 모노머는 낮은 점도를 가지기 때문에 우수한 유동성을 갖는다. 그에 따라, 제1 모노머를 포함하는 중합성 조성물의 작업성이 향상된다. 25℃에서 제1 모노머의 점도가 1 cPs 미만인 경우 모노머의 제조 및 보관이 어렵다는 문제가 있고, 100 cPs를 초과하는 경우 잉크젯용 중합성 조성물의 제조가 용이하지 않다는 문제가 생길 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 25℃에서 제1 모노머의 점도가 1 내지 100 cPs의 범위로 조정될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 점도는, ASTM D 2196 에 규정된 방법에 따라, 25℃에서 Brookfield사의 모델 DV2T Viscometer 분석 장비를 이용하여, 토크 50%에서 측정될 수 있다. 이하 동일하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 모노머의 점도는, 25℃에서 1 내지 100 cPs일 수 있고, 1 내지 50 cPs일 수도 있다. 또한, 제1 모노머의 점도는, 25℃에서 1 내지 30 cPs일 수도 있고, 23 cPs 이하일 수도 있고, 5 내지 20 cPs일 수도 있다. 제1 모노머의 점도가 상기와 같은 범위일 때, 중합성 조성물을 이용한 잉크젯 코팅이 가능하고, 원활한 경화가 이루어질 수 있다.
제2 모노머는 제1 모노머와 다른 점도를 갖는다. 제2 모노머는 25℃에서 100 cPs 초과 300 cPs 이하의 점도를 갖는다. 고점도를 갖는 제2 모노머는 중합성 조성물의 안정성, 특히 저장 안정성을 향상시킬 수 있고, 중합성 조성물에 의하여 형성되는 유기막의 안정성을 향상시키며, 유기막의 수분 또는 산소 차단 효율이 향상되도록 할 수 있다. 25℃에서 제2 모노머의 점도가 100 cPs 이하인 경우 중합성 조성물을 이용하여 제조된 유기막의 수분 또는 산소 차단 효율이 저하될 수 있다는 문제점이 있다. 반면, 25℃에서 제2 모노머의 점도가 300 cPs를 초과하는 경우 중합성 조성물의 제조에 어려움이 발생할 수 있고, 중합성 조성물을 이용한 잉크젯 공정이 용이하지 않을 수 있다는 문제점이 있다.
제2 모노머의 점도는, 25℃에서, 100cPs 초과 200 cPs 이하일 수 있고, 120 cPs 내지 200 cPs일 수도 있고, 100 cPs 초과 150 cPs 이하일 수도 있고, 110 cPs 내지 140 cPs일 수도 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 낮은 점도를 갖는 제1 모노머에 의하여 중합성 조성물의 작업성 및 중합성이 향상될 수 있고, 높은 점도를 갖는 제2 모노머에 의하여 중합성 조성물의 안정성이 향상되고 유기막 형성시 수분 및 산소 차단 특성이 향상될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 모노머와 제2 모노머의 전체 100 중량부에 대하여, 제1 모노머의 함량은 50 내지 80 중량부이고, 제2 모노머의 함량은 20 내지 50 중량부일 수 있다. 제1 모노머와 제2 모노머의 전체 100 중량부에 대하여 제1 모노머의 함량이 50 중량부 미만인 경우, 고점도인 제2 모노머의 영향으로 중합성 모노머의 중합 속도가 저하될 수 있고, 중합성 조성물의 점도 조절이 어려워질 수 있다. 반면, 제1 모노머의 함량이 80중량부를 초과하고 제2 모노머의 함량이 20 중량부 미만인 경우, 중합성 모노머의 저장 안정성이 저하될 수 있고, 중합성 조성물의 점도 조절이 용이하지 않을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 25℃에서의 점도가 1 내지 100 cPs인 제1 모노머와 25℃에서 점도가 100 cPs 초과 300 cPs 이하인 제2 모노머를 5:5 내지 8:2의 범위로 혼합하는 경우, 원활한 광경화가 이루어져 안정적인 유기막(592)이 형성될 수 있다. 그 결과, 이러한 유기막(592)을 포함하는 봉지재(590)의 안정성이 향상될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 모노머 및 제2 모노머는 각각 아크릴기를 포함한다. 아크릴기는 "-C=O"기와 "-C=C-"기를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 아크릴기는 하기 화학식 1로 표현되는 부분을 지칭할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
본 발명의 일 실시예 따르면, 제1 모노머와 제2 모노머는 각각 하기 화학식 2로 표현되는 아크릴기를 가질 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00002
아크릴기를 갖는 제1 모노머와 제2 모노머로, 예를 들어, 아크릴레이트계 화합물이 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 모노머와 제2 모노머는 각각 아크릴레이트계 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 아크릴레이트계 화합물은 하기 화학식 3으로 표현되는 부분을 가질 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
본 발명의 일 실시예 따르면, 제1 모노머와 제2 모노머는 각각 하기 화학식 4로 표현되는 아크릴레이트기를 가질 수 있다.
[화학식 4]
Figure pat00004
본 발명의 일 실시예 따르면, 제1 모노머와 제2 모노머는 각각, 모노 알코올이나 다가 알코올의 단관능 (메트)아크릴레이트, 또는 모노 알코올이나 다가 알코올의 다관능 (메트)아크릴레이트일 수 있다. 여기서, 모노 알코올 또는 다가 알코올은 지방족기 및 방향족기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 지방족기는 측쇄형, 분지형 또는 고리형 탄화수소 화합물기를 포함할 수 있다.
또한, 제1 모노머와 제2 모노머는 각각, 단관능 중합성 모노머 또는 다관능 중합성 모노머일 수 있다.
제1 모노머는, 예를 들어, 도데칸디올 디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트 및 벤질(메트)아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 아크릴계 화합물이 모노머가 제1 모노머로 사용될 수도 있다.
제2 모노머는, 예를 들어, 페닐페녹시에틸 (메트)아크릴레이트 및 트리시클로데칸 디메탄올 디(메트)아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 아크릴계 화합물이 제2 모노머로 사용될 수도 있다.
이외에도, 2-데실-1-테트라데칸 (메트)아크릴레이트, 스테아릴 (메트)아크릴레이트, 2-옥틸-도데실 (메트)아크릴레이트, 2-헥실-데실 (메트)아크릴레이트, 이소-스테아릴 (메트)아크릴레이트, 라우릴 (메트)아크릴레이트, 트리데실 (메트)아크릴레이트 등이 필요에 따라 사용될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 모노머 및 제2 모노머 중 적어도 하나는 액상이다. 예를 들어, 제1 모노머 및 제2 모노머 모두 액상일 수도 있고, 온도에 따라, 제1 모노머 및 제2 모노머 중 어느 하나가 고상이 될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예 따른 자외선 흡수제는 380nm 내지 400nm 파장의 빛을 흡수할 수 있다. 자외선 흡수제를 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 자외선 영역의 빛을 효과적으로 흡수 및 차단할 수 있는 유기막의 제조에 사용될 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 자외선 흡수제는 400nm 파장 근방의 빛을 용이하게 흡수하여 차단할 수 있다.
400nm 파장 근방의 빛은 표시장치의 신뢰성을 저하시킬 수 있다. 예를 들어, 400nm 파장 근방의 빛은 황변(yellowness)의 원인이 되어, 표시장치 및 표시소자를 손상시키는 원인이 될 수 있다. 또한, 표시장치의 RGB 화이트 밸런스 유지와 투과도 상승을 위해, 청색 파장대인 430nm 이상의 파장에서 표시장치의 광 투과도가 높아야 한다. 이를 위해, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 자외선 흡수제를 이용하여 400nm 파장 근방의 빛을 흡수하고 대신 청색 파장 영역인 430nm 파장 이상의 빛에 대한 투과도를 확보할 수 있도록 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은, 260 내지 380nm 파장 영역대의 자외선을 흡수할 수 있는 자외선 흡수제를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은, 260 내지 380nm 파장 영역대의 자외선을 흡수할 수 있는 벤조페논(benzophenone)계 자외선 흡수제, 벤조트리아졸(Benzotriazole)계 자외선 흡수제, 트리아졸(triazole)계 자외선 흡수제, 트리아진(Triazine)계 자외선 흡수제, 살리실레이트(salicylate)계 자외선 흡수제, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 자외선 흡수제, 옥사닐라이드(oxanilide)계 자외선 흡수제, 힌더드 아민(hindered amine)계 자외선 흡수제 및 금속착염계 자외선 흡수제 중 적어도 하나를 더 포함할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예 따르면, 자외선 흡수제의 함량은, 제1 모노머 및 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부에 대하여, 1 내지 5 중량부일 수 있다. 자외선 흡수제의 함량이, 제1 모노머 및 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부 대비, 1 중량부 미만일 경우, 자외선 흡수가 충분히 이루어지지 않을 수 있다. 반면, 자외선 흡수제의 함량이, 제1 모노머 및 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부 대비, 5 중량부를 초과하는 경우, 과량의 자외선 흡수제로 인하여 중합성 조성물의 중합성이 저하될 수 있고, 저장 안정성이 저하될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예 따르면, 자외선 흡수제의 함량은, 제1 모노머 및 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부에 대비, 2 내지 4 중량부일 수도 있다.
본 발명의 일 실시예 따르면, 자외선 흡수제는, 하기 화학식 5로 표현되는 인돌계 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00005
화학식 5에서, R1, R4, R5, R6, 및 R7은 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 할로겐기, 탄소수 1 내지 5개의 알킬기 및 탄소수 1 내지 5개의 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다.
화학식 5에서 R2는 질소 및 산소 원자 중 어느 하나 이상을 1 내지 3개 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 4 내지 10개의 선형, 분지형 또는 환형 탄화수소기일 수 있다. 또한, 화학식 5에서 R2는
Figure pat00006
,
Figure pat00007
,
Figure pat00008
,
Figure pat00009
,
Figure pat00010
,
Figure pat00011
,
Figure pat00012
,
Figure pat00013
,
Figure pat00014
,
Figure pat00015
및
Figure pat00016
로 이루어진 군으로부터 선택될 수도 있다.
화학식 5에서 R3는 질소 및 산소 원자 중 어느 하나 이상을 1 내지 3개 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 4 내지 10개의 선형, 분지형 또는 환형 탄화수소기일 수 있다. 또한, 화학식 5에서 R3는
Figure pat00017
,
Figure pat00018
,
Figure pat00019
,
Figure pat00020
,
Figure pat00021
,
Figure pat00022
,
Figure pat00023
,
Figure pat00024
,
Figure pat00025
,
Figure pat00026
및
Figure pat00027
로 이루어진 군으로부터 선택될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예 따르면, 인돌계 화합물은, 하기 화학식 6 내지 16으로 표현되는 화합물들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00028
[화학식 7]
Figure pat00029
[화학식 8]
Figure pat00030
[화학식 9]
Figure pat00031
[화학식 10]
Figure pat00032
[화학식 11]
Figure pat00033
[화학식 12]
Figure pat00034
[화학식 13]
Figure pat00035
[화학식 14]
Figure pat00036
[화학식 15]
Figure pat00037
[화학식 16]
Figure pat00038
본 발명의 일 실시예에 따르면, 중합 개시제는 제1 모노머 및 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부에 대하여 5 중량부 이하로 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 중합 개시제는, 제1 모노머 및 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부에 대하여, 1 내지 5 중량부로 사용될 수 있고, 3 내지 5 중량부로 사용될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중합 개시제로, 예를 들어, 광개시제가 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 중합 개시제는 광을 흡수하여 라디칼을 생성할 수 있다.
구체적으로, 중합 개시제는 광을 흡수하여 라디칼을 발생시켜, 제1 모노머 및 제2 모노머에 포함된 아크릴기에 라디칼을 제공할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 광 조사에 의한 라디칼 중합에 의해 중합성 조성물의 중합이 이루어질 수 있고, 경화가 이루어질 수도 있다.
중합 개시제는, 예를 들어, 분자 내에 헤테로 원자를 함유할 수 있고, 또한 아릴기를 포함할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 중합 개시제는 500nm 이하에서 파장에서 적어도 하나의 광 흡수 피크를 갖는다. 보다 구체적으로, 중합 개시제는 380~410nm 파장 범위에서 광 흡수 피크를 가질 수 있다. 이러한 중합 개시제가 사용됨에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 가시광선 영역의 파장을 갖는 광의 조사에 의하여, 중합성 조성물의 중합이 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 중합 개시제로, 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤(1-hydroxy cyclrohexylphenyl ketone, Irgacure 184)과 같은 하이드록시케톤계열의 광 개시제, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모포리닐)페닐]-1-부타논, Irgacure 369), 알파-아미노아세토페논(Irgacure 907) 등의 아미노케톤 계열의 광 개시제, 벤질디메틸케탈(Irgacure-651) 등의 벤질디메틸케탈 계열의 광 개시제, 페닐 비스(2,4,6,-트리메틸 벤조일)(Irgacure 819) 등의 비스-아실 포스파인(bis-acyl phosphine) 계열의 광 개시제, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀 옥사이드(TPO) 등의 모노-아실 포스파인(mono-acyl phosphine) 계열의 계열의 광 개시제가 사용될 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 중합 개시제는, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀 옥사이드[2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide; TPO], 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀 옥사이드[bis (2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide] 및 2,4,6-트리메틸벤조일에폭시페닐 포스핀 옥사이드[2,4,6-trimethylbenzoyl ethoxyphenyl phosphine oxide] 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은, 열안정제, 자외선 안정제 및 산화방지제로 이루어지는 그룹에서 선택되는 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 또한, 중합성 조성물은, 중합성 조성물에 악영향을 미치지 않는 범위 내에서, 계면활성제, 접착 보조제, 안정제, 접착 촉진제, 경화 촉진제, 열중합 억제제, 분산제, 가소제, 충전제, 소포제 등의 첨가제를 더 포함할 수도 있다.
첨가제가 사용되는 경우, 첨가제는 제1 모노머 및 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부에 대하여 0.001 내지 10 중량부의 함량으로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 중합성 조성물은 실리콘계 모노머를 포함하지 않는다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 실리콘계 모노머는, 모노머의 분자 구조에 실리콘(Si)을 포함하는 화합물을 지칭한다.
실리콘계 모노머를 포함하는 경우, 중합성 조성물의 점도 조절이 용이하지 않으며, 1년 정도 장시간 저장되거나 가혹한 조건 하에 저장되는 경우, 변질 도는 물성 저하가 발생될 수 있다. 따라서, 실리콘계 모노머를 포함하는 중합성 조성물에 의하여 제조된 유기막은 안정성이 저하될 수 있다.
또한, 실리콘계 모노머가 사용되는 경우, 고온 조건하에 실록산계 아웃가스가 발생할 수 있다. 따라서, 실리콘계 모노머를 포함하는 중합성 조성물의 유기 발광 소자의 봉지재로 사용되는 경우, 유기 발광 소자에 손상이 발생될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 중합성 조성물은 용매를 포함하지 않는다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 용매는 모노머, 자외선 흡수제, 중합 개시제 및 첨가제를 제외한 성분으로, 액상으로, 다른 성분들의 혼합을 도와주거나, 다른 성분들을 용해하기 위한 성분을 지칭한다. 용매로, 예를 들어, 다른 성분을 용해할 수 있는, 공지된 수성 용매, 유기 용매, 또는 양쪽성 용매가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 중합성 조성물은, 용매를 포함하지 않는, 무용제형 조성물로 제조될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 중합성 조성물이 무용제형 조성물로 제조되는 경우, 용매 건조공정이 생략될 수 있어 공정 효율이 향상될 수 있으며, 용매로 인한 기포가 발생되지 않아 중합성 조성물에 의하여 안정적인 유기막이 형성될 수 있기 때문에, 봉지재(590)의 기능 저하가 방지될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 잉크젯 프린팅에 적용될 수 있다. 잉크젯 프린팅을 위해 여러 개의 노즐을 포함하는 멀티헤드 장비가 사용될 수 있다. 잉크젯 프린팅에 적용될 수 있도록 하기 위해, 중합성 조성물의 점도 및 표면장력이 조정될 수 있다.
중합성 조성물의 점도가 30cPs를 초과하면, 중합성 조성물이 잉크젯 노즐에서 토출되기 어렵다. 또한, 중합성 조성물의 점도가 1cPs 미만이면, 중합성 조성물의 과도한 흐름성으로 인하여 적절한 두께의 유기막을 형성하기 어렵다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 1 내지 30cPs의 점도를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예 따르면, 중합성 조성물이 잉크젯 헤드로부터 용이하게 토출되도록 하기 위해, 중합성 조성물은 20 내지 45 mN/m 범위의 표면장력을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 우수한 저장 안정성을 갖는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 저장 시험 전, 제1 가요성(Aa), 제1 점도(Ab), 제1 경화도(Ac), 제1 수축율(Ad) 및 제1 표면장력(Ae)을 갖는다. 여기서, "저장 시험 전"이라는 것은, 저장 안정성 시험을 위해 중합성 조성물을 저장하기 전 상태를 의미한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, "저장 시험 전"을 "초기"라고 할 수도 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 따른 중합성 조성물은, 저장 시험 초기에, 제1 가요성(Aa), 제1 점도(Ab), 제1 경화도(Ac), 제1 수축율(Ad) 및 제1 표면장력(Ae)을 가질 수 있다.
상온(25℃±10℃)에서 1년간 밀봉 저장 후, 본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 제2 가요성(Ba), 제2 점도(Bb), 제2 경화도(Bc), 제2 수축율(Bd) 및 제2 표면장력(Be)을 갖는다.
제2 가요성(Ba), 제2 점도(Bb), 제2 경화도(Bc), 제2 수축율(Bd) 및 제2 표면장력(Be) 측정을 위해, 중합성 조성물은 캐니스터(Canister) 용기에 밀봉되어 상온 상태로 저장된다.
또한, 50℃에서 1년간 밀봉 저장 후, 본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 제3 가요성(Ca), 제3 점도(Cb), 제3 경화도(Cc), 제3 수축율(Cd) 및 제3 표면장력(Ce)을 갖는다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제3 가요성(Ca), 제3 점도(Cb), 제3 경화도(Cc), 제3 수축율(Cd) 및 제3 표면장력(Ce) 측정을 위해, 중합성 조성물은 캐니스터(Canister) 용기에 밀봉되어 50℃ (온도 오차 ±5℃) 상태로 저장된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 중합성 조성물은 18L 캐니스터(Canister) 용기 내에 밀봉되어 항온 상태로 저장될 수 있다. 저장 용기는 중합성 조성물과 반응하지 않는 안정적인 물질로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 유리 또는 스테인레스 재질의 저장 용기에 중합성 조성물이 저장될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 18 이하의 저장 변경 지수(Index of Storage Variation; ISV)를 갖는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 저장 변경 지수(ISV)는 하기 식 1로 구해진다.
[식 1]
ISV = (|Aa-Ba|/Aa)*100 + (|Aa-Ca|/Aa)*100 + (|Ab-Bb|/Ab)*100 + (|Ab-Cb|/Ab)*100 + (|Ac-Bc|/Ac)*100 + (|Ac-Cc|/Aa)*100 + (|Ad-Bd|/Ad)*100 + (|Ad-Cd|/Ad)*100 + (|Ae-Be|/Ae)*100 + (|Ae-Ce|/Ae)*100
제1 가요성(Aa)은, DIN EN ISO 14577-1 및 ASTM E 2546 규격에 따라 물성을 측정하는 나노인턴터(모델명: PICODENTOR HM500)에 의하여 측정될 수 있다. 저장 시험 전 중합성 조성물에 대하여, 나노인덴터인 PICODENTOR HM500을 사용하여 제1 가요성(Aa)이 측정된다. 구체적으로, ASTM E 2546 규격에 따라, 저장 시험 전 중합성 조성물을 50mm*50mm 유리 기판 상에 8㎛ 두께로 스핀 코팅하고, N2 분위기 하에서 자외선을 이용하여 경화시킨다. 구체적으로, LED 램프를 이용하여 395nm 파장의 빛을 1,500mJ/cm2 조사하여, 유리 기판에 코팅된 중합성 조성물을 경화시켜 유기막을 제조한다. 다음, 중합성 조성물에 의하여 형성된 유기막(경화막)에 2.0mN의 하중을 5초간 가하여 모듈러스(MPa)를 측정한다. 이와 같이 측정된 모듈러스(MPa) 값이 제1 가요성(Aa)에 해당된다.
제2 가요성(Ba)은, 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 밀봉 저장 후, 중합성 조성물의 샘플을 이용하여 측정된다. 제2 가요성(Ba) 측정 방법은 제1 가요성(Aa)의 측정 방법과 동일하다.
제3 가요성(Ca)은, 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 밀봉 저장 후, 중합성 조성물의 샘플을 이용하여 측정된다. 제3 가요성(Ca) 측정 방법은 제1 가요성(Aa)의 측정 방법과 동일하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 가요성(Aa)은 1867 내지 2185 MPa 범위일 수 있고, 제2 가요성(Ba)은 1833 내지 2128 MPa 범위일 수 있고, 제3 가요성(Ca)은 1822 내지 2130 MPa 범위 일 수 있다. 이러한 범위의 가요성을 갖는 중합성 조성물을 이용하여 제조된 유기막은 우수한 모듈러스를 가질 수 있으며, 우수한 기계적 특성을 가질 수 있다. 그 결과, 이러한 유기막을 포함하는 봉지재(590)가 산소, 수분 등을 효과적으로 차단할 수 있다.
제1 점도(Ab)는 ASTM D 2196에 규정된 방법에 따라, 저장 시험 전 중합성 조성물에 대하여, Brookfield 사의 DV2T Viscometer를 이용하여, 25℃에서 측정된다. 구체적으로, Brookfield 사의 DV2T 분석 장비에 중합성 조성물을 0.5ml 로딩하고, 토크를 50%로 설정하여 제1 점도(Ab)를 측정한다.
제2 점도(Bb)는, 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 밀봉 저장 후, 중합성 조성물의 샘플을 채취하여 측정된다. 제2 점도(Bb) 측정 방법은 제1 점도(Ab) 측정 방법과 동일하다.
제3 점도(Cb)는, 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 밀봉 저장 후, 중합성 조성물의 샘플을 채취하여 측정된다. 제3 점도(Cb) 측정 방법은 제1 점도(Ab) 측정 방법과 동일하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 25℃에서, 제1 점도(Ab)는 22.6 내지 25.2 cPs이고, 제2 점도(Bb)는 22.8 내지 25.5 cPs이고, 제3 점도(Cb)는 22.9 내지 25.6 cPs일 수 있다. 이러한 범위의 점도를 갖는 중합성 조성물을 이용하는 경우, 유기막이 효율적으로 제조될 수 있고, 그에 따라, 유기막을 포함하는 봉지재(590)의 산소, 수분 차단 효율이 향상될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 경화도는 경화 전과 후의 C=C 이중 결합 비율의 변화로부터 계산될 수 있다. 예를 들어, 경화 전 상태인 중합성 조성물의 C=C 이중 결합 비율과 경화 후 상태인 유기막의 C=C 이중 결합 비율로부터 경화도가 계산될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 경화도는 다음 참고식 1로 계산될 수 있다.
[참고식 1]
Figure pat00039
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 경화도(Ac)는 저장 시험 전 중합성 조성물에 대하여, PerkinElmer사의 Spectrum 100 FTIR Spectrometer를 이용하여 측정된다.
먼저, PerkinElmer사의 Spectrum 100 FTIR Spectrometer를 이용하여, 반사모드에서 저장 시험 전 중합성 조성물의 적외선 스펙트럼을 얻은 후, 파수 810cm-1의 피크 면적 및 파수 1720cm-1의 피크 면적을 계산한다.
파수 810cm-1의 피크는 C=C 이중 결합(double bond)의 피크에 해당되고, 파수 810cm-1의 피크 면적은 C=C 이중 결합의 양에 대응된다. 중합성 조성물의 경화가 진행될수록 C=C 이중 결합의 양이 감소되며, 파수 810cm-1의 피크 면적이 감소된다.
파수 1720cm-1의 피크는 C=O 결합(bond)의 피크에 해당되고, 파수 1720cm-1의 피크 면적은 C=O 결합의 양에 대응된다. 중합성 조성물의 경화가 진행되더라도 C=O 결합의 양에는 변화가 없거나 거의 없다. 따라서, 파수 1720cm-1의 피크 면적은 레퍼런스(reference) 값이 될 수 있다.
참고식 2와 같이, 중합성 조성물에 대하여 측정하여 얻어진 파수 810cm-1의 피크 면적을 파수 1720cm-1의 피크 면적으로 나눈 값이 "중합성 조성물의 C=C 비율"이 될 수 있다.
[참고식 2]
[중합성 조성물의 C=C 비율] = (중합성 조성물의 파수 810cm-1의 피크 면적)/(중합성 조성의 파수 1720cm-1의 피크 면적)
다음, 저장 시험 전 중합성 조성물을 50mm*50mm 유리 기판에 8㎛ 두께로 스핀 코팅하고, N2 분위기 하에 자외선을 이용하여 경화시킨다. 구체적으로, LED 램프를 이용하여 395nm 파장의 빛을 1,500mJ/cm2 조사하여, 유리 기판에 코팅된 중합성 조성물을 경화시켜 유기막을 제조한다. PerkinElmer사의 Spectrum 100 FTIR Spectrometer를 사용하여, 유기막에 대하여, 반사모드(ATR)로 파수 0 내지 2000 cm-1의 범위에서 적외선 스텍트럼을 측정한다. 적외선 스펙트럼을 이용하여, 파수 810cm-1의 피크 면적 및 파수 1720cm-1의 피크 면적을 계산한다. 참고식 3과 같이, 유기막에 대하여 측정하여 얻어진 파수 810cm-1의 피크 면적을 파수 1720cm-1의 피크 면적으로 나눈 값이 "유기막의 C=C 비율"이 될 수 있다.
[참고식 3]
[유기막의 C=C 비율] = (유기막의 파수 810cm-1의 피크 면적)/(유기막의 파수 1720cm-1의 피크 면적)
다음, 참고식 2에서 얻어진 "중합성 조성물의 C=C 비율"과 참고식 3에서 얻어진 "유기막의 C=C 비율"을 이용하여, 참고식 1에 따라 경화도를 계산한다. 그 결과값이 제1 경화도(Ac)에 해당된다.
제2 경화도(Bc)는, 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 밀봉 저장 후, 중합성 조성물의 샘플을 채취하여 측정된다. 제2 경화도(Bc) 측정 방법은 제1 경화도(Ac) 측정 방법과 동일하다.
제3 경화도(Cc)는, 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 밀봉 저장 후, 중합성 조성물의 샘플을 채취하여 측정된다. 제3 경화도(Cc) 측정 방법은 제1 경화도(Ac) 측정 방법과 동일하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 경화도(Ac)는 91.9 내지 93.1%이고, 제2 경화도(Bc)는 91.1 내지 92.9%이고, 제3 경화도(Cc)는 91.0 내지 92.7%일 수 있다. 이러한 경화도 특성을 갖는 중합성 조성물에 의하여 제조된 유기막은 우수한 경화도를 가져, 유기 발광 소자를 효율적으로 보호할 수 있고, 산소, 수분 등을 효율적으로 차단할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 수축율은, 특정 규격의 용기에서 중합성 조성물이 경화될 때, 경화 전과 후의 지름 변화로부터 계산된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 수축율(Ad)은, 11.5mm의 내경 지름을 갖는 유리관에 채워진 저장 시험 전 중합성 조성물의 경화 전과 경화 후 지름의 변화로부터 계산된다.
먼저, 11.5mm의 내경 지름 및 100mm의 높이를 갖는 유리관에 중합성 조성물 2g을 채운다. 이 경우, 경화 전 중합성 조성물의 직경은 11.5mm라고 할 수 있다.
다음, 자외선을 조사하여 유리관에 채워진 중합성 조성물을 경화시킨다. 구체적으로, LED 램프를 이용하여 395nm 파장의 빛을 5,000mJ/cm2의 광량으로 조사하여 중합성 조성물을 경화시킨다. 경화 후 유리관을 파괴하고, 중합성 조성물에 의하여 형성된 막대 형태의 경화물을 획득한다. 획득된 막대 형태의 경화물을 30분 동안 상온에서 에이징(Aging)한다. 다음, 막대 형태의 경화물의 아래에서 10mm 지점의 지름을 측정한다. 막대 형태의 경화물의 아래에서 10mm 지점의 지름이 "경화 후 지름"에 해당된다. 다음, "경화 전 지름"인 11.5mm와, 경화 후 지름을 이용하여, 참고식 4에 따라 수축율을 계산한다. 계산된 값이 제1 수축율(Ad)이 된다.
[참고식 4]
Figure pat00040
제2 수축율(Bd)은, 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 밀봉 저장 후, 중합성 조성물의 샘플을 채취하여 측정된다. 제2 수축율(Bd) 측정 방법은 제1 수축율(Ad) 측정 방법과 동일하다.
제3 수축율(Cd)은, 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 밀봉 저장 후, 중합성 조성물의 샘플을 채취하여 측정된다. 제3 수축율(Cd) 측정 방법은 제1 수축율(Ad) 측정 방법과 동일하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 수축율(Ad)은 2.6 내지 2.9% 이고, 제2 수축율(Bd)은 2.6 내지 3.0%이고, 제3 수축율(Cd)은 2.6 내지 3.1%일 수 있다. 이러한 수축율 특성을 갖는 중합성 조성물을 이용하여 유기막을 제조하는 경우, 유기막의 변형이 방지되어, 유기막을 포함하는 봉지재(590)에 변형이 발생되는 것이 방지될 수 있다. 그 결과, 봉지재(590)의 내구성이 향상되며, 산소, 수분 등이 효율적으로 차단될 수 있고, 산소, 수분 차단 성능이 유지될 수 있다.
제1 표면장력(Ae)은 ISO 304에 규정된 방법에 따라, 저장 시험 전 중합성 조성물에 대하여, KRUSS사 Tension Meter K9으로 O-Ring을 이용하여 측정된다. 구체적으로, KRUSS사 Tension Meter K9을 이용하여, O-Ring에 중합성 조성물 20g을 투입하여, Max 모드에서 제1 표면장력(Ae)을 측정한다.
제2 표면장력(Be)은, 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 밀봉 저장 후, 중합성 조성물의 샘플을 채취하여 측정된다. 제2 표면장력(Be) 측정 방법은 제1 표면장력(Ae) 측정 방법과 동일하다.
제3 표면장력(Ce)은, 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 밀봉 저장 후, 중합성 조성물의 샘플을 채취하여 측정된다. 제3 표면장력(Ce) 측정 방법은 제1 표면장력(Ae) 측정 방법과 동일하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 표면장력(Ae)은 35.2 내지 36.1 mN/m이고, 제2 표면장력(Be)은 35.3 내지 36.2 mN/m이고, 제3 표면장력(Ce)은 35.2 내지 36.3 mN/m일 수 있다. 이러한 표면장력 특성을 갖는 중합성 조성물은 충분한 표면장력을 가져, 잉크젯 헤드로부터 용이하게 토출될 수 있다. 그에 따라, 중합성 조성물이 잉크젯 장비에 의해 원활히 분사될 수 있다.
중합성 조성물의 표면장력이 지나치게 크면 중합성 조성물로 이루어진 잉크 방울이 비산되는 현상이 발생하고, 표면장력이 지나치게 작으면 코팅 대상과의 충돌시 용액의 퍼짐성 혹은 분산성이 필요이상으로 증가할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예 따르면, 제1 표면장력(Ae), 제2 표면장력(Be) 및 제3 표면장력(Ce)이 상기와 같이 조정된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 중합성 조성물이 18 이하의 저장 변경 지수(ISV)를 갖는 경우, 중합성 조성물이 우수한 저장 안정성을 가질 수 있다. 그에 따라, 사용 기간 동안 품질 편차가 적거나 거의 없어, 중합성 조성물에 의하여 제조되는 유기막의 신뢰성이 보장될 수 있다. 그 결과, 유기막을 포함하는 봉지재(590) 및 표시장치(100)의 안정성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 100cPs 이하의 저점도를 갖는 제1 모노머와 100cPs를 초과하는 고점도를 갖는 제2 모노머가 소정의 비율로 혼합됨으로써, 가요성, 점도, 경화도, 수축율, 표면장력 측면에서 안정성이 보장될 수 있는 중합성 조성물이 제조될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 중합성 조성물의 저장 변경 지수(ISV)는 1 내지 18일 수 있으며, 3 내지 17일 수도 있으며, 5 내지 16.5일 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 낮은 수분 농도를 갖는다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 45ppm 이하의 수분(H2O) 농도를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 41ppm 이하의 수분(H2O) 농도를 가질 수도 있다.
본 발명의 일 실시에에 따르면, 중합성 조성물이 낮은 수분 농도를 가짐에 따라, 수분에 의한 중합성 조성물의 변질 등이 방지되어, 중합성 조성물이 우수한 저장 안정성을 가질 수 있다. 중합성 조성물이 우수한 저장 안정성을 가짐에 따라, 장시간 보관 후 사용되더라도, 중합성 조성물의 품질 저하가 발생되지 않거나 거의 발생되지 않아, 중합성 조성물에 의하여 제조되는 유기막의 신뢰성이 보장되고, 그 결과, 유기막을 포함하는 봉지재(590) 및 표시장치(100)의 안정성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물이 45ppm 이하의 낮은 수분(H2O) 농도를 가짐에 따라, 중합성 조성물에 의하여 형성되는 유기막 및 봉지재(590) 역시 낮은 수분 농도를 가져, 유기 발광 소자(570)가 효율적으로 보호될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 중합성 조성물의 수분(H2O) 농도는 칼피셔(Karl Fisher) 방법에 따라 METROHM사의 831KF Coulomter 장치를 이용하여 칼피셔 적정 모드에서 측정될 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예는, 본 발명의 일 실시예 따른 중합성 조성물에 의하여 제조된 유기막을 제공한다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기막은, 본 발명의 일 실시예 따른 중합성 조성물의 중합 및 경화에 의하여 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 광 조사에 의해 중합성 조성물의 중합 및 경화가 이루어질 수 있다. 광 조사에 적용되는 광으로, 예를 들어, 마이크로파, 적외선, 자외선, 감마선과 같은 전자기파, 혹은 알파-입자선, 프로톤빔, 뉴트론빔 등의 전자선과 등이 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 500nm 이하의 파장을 갖는 광의 조사에 의하여 중합성 조성물의 중합이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 가시광선 또는 자외선에 의해 중합성 조성물의 중합이 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르며, 중합성 조성물의 중합을 위하여, 파장 290 내지 450nm의 광이 조사될 수 있으며, 중심 파장이 380 내지 410nm인 광이 조사될 수도 있다. 광의 세기는, 예를 들어, 400 mW/cm2 이하일 수 있고, 100 내지 400 mW/cm2 범위일 수도 있다. 광 조사에서 광량은 300 내지 2500 mJ/cm2일 수도 있고, 500 내지 1500 mJ/cm2 범위일 수도 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 유기막은 0.5 내지 100㎛의 두께를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 유기막은 1 내지 90㎛의 두께를 가질 수 있고, 5 내지 70㎛의 두께를 가질 수도 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는, 본 발명의 일 실시예 따른 중합성 조성물에 의하여 형성된 유기막을 포함하는 봉지재(590)를 제공한다. 봉지재(590)는 도 1에 도시된 바와 같다. 봉지재(590)는 제1 무기막(591), 유기막(592) 및 제2 무기막(593)을 포함할 수 있으며, 도 1의 유기막(592)은 본 발명의 일 실시예 따른 중합성 조성물에 의하여 만들어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물이 적용되는 경우, 중합성 조성물은 상온에서 1년 이상 저장된 후 사용되더라도, 우수한 물성 및 수명특성을 갖는 유기막(592)이 제조될 수 있으며, 그에 따라, 우수한 수분 및 산소 차단 특성을 갖는 봉지재(590)가 제조될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예 따른 중합성 조성물에 의하여 형성된 유기막(592)은 우수한 광투과성을 가지기 때문에, 봉지재(590)가 적용된 표시장치(100)의 시인성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는 상기와 같은 봉지재(590)를 포함하는 표시장치(100)를 제공한다. 표시장치(100)는, 예를 들어, 도 1에 도시된 구성을 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는, 중합성 조성물의 제조방법을 제공한다. 이하, 중복을 피하기 위하여 중합성 조성물을 구성하는 각 성분에 대한 상세한 설명은 생략된다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 중합성 조성물의 제조방법은, 제1 모노머, 제2 모노머, 자외선 흡수제 및 중합 개시제를 혼합하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 중합성 조성물을 제조하기 위해, 먼저 중합성 조성물 제조에 사용되는 탱크를 세정한다.
탱크 세정을 위해, 아세톤이 사용될 수 있다. 예를 들어, 아세톤을 이용하여 탱크 및 배관을 세정할 수 있다.
다음, 제1 모노머, 제2 모노머, 자외선 흡수제 및 중합 개시제를 탱크에 투입하고 혼합하여 혼합액을 제조한다.
구체적으로, 제1 모노머와 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부에 대하여, 50 내지 80 중량부의 제1 모노머, 20 내지 50 중량부의 제2 모노머가 사용된다. 또한, 제1 모노머와 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부에 대하여 1 내지 5 중량부의 자외선 흡수제 및 5 중량부 이하의 중합 개시제가 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 중합 개시제는, 제1 모노머와 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부에 대하여, 1 내지 5 중량부로 사용될 수 있고, 3 내지 5 중량부로 사용될 수도 있다.
중합 개시제가 고체인 경우, 중합 개시제는 모노머에 용해된다. 중합 개시제는 제1 모노머에 용해될 수도 있고, 제2 모노머에 용해될 수도 있고, 제1 모노머와 제2 모노머가 혼합된 모노머 용액에 용해될 수도 있다.
중합 개시제 용해를 위해, 소량의 모노머 별도로 사용될 수도 있다. 예를 들어, 제1 모노머의 일부를 이용하여 중합 개시제를 용해한 후, 제1 모노머에 용해된 중합 개시제 용액을 제1 모노머와 제2 모노머의 혼합액에 첨가할 수 있다. 또는, 제2 모노머의 일부를 이용하여 중합 개시제를 용해한 후, 제2 모노머에 용해된 중합 개시제 용액을 제1 모노머와 제2 모노머의 혼합액에 첨가할 수 있다.
고체 상태인 중합 개시제가 완전히 용해되지 않은 상태로 존재하는 경우, 중합성 조성물의 장기 보관 중 중합 개시제가 석출될 수 있고, 중합성 조성물의 헤이즈(Haze)가 증가할 수 있다. 그 결과, 중합성 조성물을 이용하여 유기막을 형성하는 과정에서 중합 및 경화가 원활하게 이루어지지 않을 수 있고, 중합성 조성물에 의하여 형성된 유기막의 광학 특성이 저하될 수 있다. 따라서, 중합 개시제를 모노머에 완전히 용해 시키는 것이 중요하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 모노머, 제2 모노머, 자외선 흡수제 및 중합 개시제의 혼합액을 40℃에서 교반 속도 100RPM으로 4시간 교반한다. 그에 따라, 제1 모노머, 제2 모노머, 자외선 흡수제 및 중합 개시제를 포함하는 혼합액이 만들어진다.
다음, 상기 제조된 혼합액을 순환 여과한다.
구체적으로, 혼합액 내의 이물질과 미세 파티클을 제거하기 위하여 탱크 하단과 포장라인 사이에 0.05㎛ 필터를 장착하고, 탱크의 온도를 23℃±5℃로 유지한 상태에서, 순도 99.999%의 질소 가스(N2)를 1.2kgf/cm2 압력으로 탱크에 분사하면서, 교반 속도 50rpm으로 순환 여과를 실시한다. 질소 가스(N2)는 퍼지(purge) 가스로 사용되며, 질소 가스(N2)에 의해 혼합액에 포함된 수분이 제거된다.
순환 여과는 20 시간 이상 진행되며, 순환 여과 동안 혼합액에 포함된 수분이 제거되어, 중합성 조성물이 완성된다. 이러한 순환 여과의 결과, 본 발명의 일 실시예에 따른 중합성 조성물은 45ppm 이하의 수분(H2O) 농도를 가질 수 있다.
또한, 순환 여과에 의해, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 중합성 조성물은 미용해 입자를 포함하지 않거나 거의 포함하지 않게 된다. 구체적으로, 중합성 조성물은 입경 0.5㎛ 이상의 입자를 포함하지 않으며, 입경 0.5㎛ 미만의 입자를 22개/L 이하로 포함할 수 있다. 중합성 조성물에 입자들이 존재하는 경우, 중합성 조성물에 의하여 형성되는 유기막에 핀홀 등이 생기는 문제가 발생할 수 있으므로, 중합성 조성물 내의 입자를 최소화 하는 필요하다.
이와 같이 완성된 중합성 조성물은 캐니스터(Canister) 용기에 보관된다. 저장 안정성을 위해, 캐니스터(Canister) 용기에 중합성 조성물을 투입한 후, 질소 가스가 충진된 후 밀봉될 수 있다.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 이하에서 설명되는 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들 실시예 또는 비교예에 의하여 한정하는 것은 아니다.
<실시예 및 비교예>
<모노머>
중합성 조성물 제조를 위해 하기 표 1의 모노머들이 사용되었다.
모노머 화합물 점도 (cPs)
제1 모노머 A1 1,12-도데칸디올 디메타크릴레이트 11.7
A2 3-페녹시벤질 아크릴레이트
[(3-phenoxyphenyl)methyl prop-2-enoate]		 20
A3 벤질 아크릴레이트 2.2
제2 모노머 B1 2-페닐페녹시에틸 아크릴레이트 138
B2 트리시클로데칸 디메탄올 디아크릴레이트 135
비교 모노머 C1 3-(트리메톡시실릴)프로필 메타크릴레이트
[3-(trimethoxysilyl)propyl methacrylate]		 200
1,12-도데칸디올 디메타크릴레이트(1,12-Dodecanediol Dimethacrylate)(제1 모노머 A1)은 하기 화학식 17로 표현될 수 있다.
[화학식 17]
Figure pat00041
3-페녹시벤질 아크릴레이트[(3-phenoxyphenyl)methyl prop-2-enoate](제1 모노머 A2)는 하기 화학식 18로 표현될 수 있다.
[화학식 18]
Figure pat00042
벤질 아크릴레이트(Benzyl acrylate)(제1 모노머 A3)는 하기 화학식 19로 표현될 수 있다.
[화학식 19]
Figure pat00043
2-페닐페녹시에틸 아크릴레이트(2-Phenylphenoxyethyl acrylate)(제2 모노머 B1)는 하기 화학식 20으로 표현될 수 있다.
[화학식 20]
Figure pat00044
트리시클로데칸 디메탄올 디아크릴레이트(Tricyclodecane dimethanol diacrylate)(제2 모노머 B2)는 하기 화학식 21로 표현될 수 있다.
[화학식 21]
Figure pat00045
3-(트리메톡시실릴)프로필 메타크릴레이느[3-(trimethoxysilyl)propyl methacrylate] (비교 모노머 C1)는 하기 화학식 22로 표현될 수 있다.
[화학식 22]
Figure pat00046
<중합성 조성물의 제조>
제1 모노머(A1, A2, A3), 제2 모노머(B1, B2), 비교 모노머(C1), 자외선 흡수제 및 중합 개시제를 하기 표 2의 중량부로 사용하여, 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 2에 따른 중합성 조성물을 제조하였다.
자외선 흡수제로 화학식 6으로 표현되는 인돌계 화합물이 사용되었다.
[화학식 6]
Figure pat00047
자외선 흡수제는, 제1 모노머 및 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부에 대하여 3 중량부로 사용되었다.
중합 개시제로서 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)포스핀 옥사이드[diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphine oxide, TPO]가 사용되었다. 중합 개시제로 사용된 TPO는 380nm 파장 근처에서 흡수 피크를 갖는다. 중합 개시제는, 제1 모노머 및 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부에 대하여 3 중량부로 사용되었다.
표 2에서 각 성분의 함량은 중량부이다.
구분 제1 모노머 제2 모노머 비교
모노머		 자외선 차단제 중합
개시제
A1 A2 A3 B1 B2 C1 인돌계 TPO
실시예 1 65 - - 35 - - 3 3
실시예 2 - 65 - - 35 - 3 3
실시예 3 65 - - - 35 - 3 3
실시예 4 - 65 - 35 - - 3 3
실시예 5 50 - 15 35 - - 3 3
실시예 6 - 50 15 - 35 - 3 3
비교예 1 65 - - - - 35 3 3
비교예 2 - 65 - - - 35 3 3
<실시예 1>
먼저, 아세톤을 이용하여 탱크 및 배관을 세정하였다.
표 2에 개시된 함량비에 따라 130g의 제1 모노머 A1, 70g의 제2 모노머 B1, 6g의 자외선 흡수제(화학식 6으로 표현되는 인돌계 화합물) 및 6g의 중합 개시제(TPO)를 탱크에 투여하여 혼합액을 제조하였다.
자외선 흡수제 및 중합 개시제가 완전히 용해되도록 하기 위해, 혼합액을 40℃에서 교반 속도 100RPM으로 4시간 교반하였다. 그 결과, 제1 모노머, 제2 모노머, 자외선 흡수제 및 중합 개시제를 포함하는 혼합액이 만들어졌다.
다음, 혼합액을 순환 여과하였다. 구체적으로, 탱크에 0.05㎛ 규격의 필터를 장착하고, 탱크의 온도를 23℃±5℃로 유지한 상태에서, 순도 99.999%의 질소 가스(N2)를 1.2kgf/cm2 압력으로 탱크에 분사하면서, 교반 속도 50rpm으로 순환 여과를 실시하였다. 질소 가스(N2)는 퍼지(purge) 가스로 사용되며, 질소 가스(N2)에 의해 수분이 제거되었다.
이와 같이 완성된 실시예 1에 따른 중합성 조성물은 질소가 충진된 캐니스터(Canister) 용기에 저장된 후 밀봉된다.
<실시예 2>
표 2에 개시된 함량비에 따라, 130g의 제1 모노머 A2 및 70g의 제2 모노머 B2를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 중합성 조성물을 제조하였다.
<실시예 3>
표 2에 개시된 함량비에 따라, 130g의 제1 모노머 A1 및 70g의 제2 모노머 B2를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 중합성 조성물을 제조하였다.
<실시예 4>
표 2에 개시된 함량비에 따라, 130g의 제1 모노머 A2 및 70g의 제2 모노머 B1을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 중합성 조성물을 제조하였다.
<실시예 5>
표 2에 개시된 함량비에 따라, 100g의 제1 모노머 A1, 30g의 제1 모노머 A3 및 70g의 제2 모노머 B1을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 중합성 조성물을 제조하였다.
<실시예 6>
표 2에 개시된 함량비에 따라, 100g의 제1 모노머 A2, 30g의 제1 모노머 A3 및 70g의 제2 모노머 B2을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 중합성 조성물을 제조하였다.
<비교예 1>
표 2에 개시된 함량비에 따라, 130g의 제1 모노머 A1 및 70g의 비교 모노머 C1을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 중합성 조성물을 제조하였다.
<비교예 2>
표 2에 개시된 함량비에 따라, 130g의 제1 모노머 A2 및 70g의 비교 모노머 C1을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 중합성 조성물을 제조하였다.
<물성 측정>
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 제조된 중합성 조성물에 대하여 다음과 같이 물성을 평가하였다.
(1) 점도 측정
측정 규격: ASTM D 2196에 규정된 방법에 따라 측정
측정 장치: Brookfield 사의 DV2T Viscometer
측정 조건: Cone Plate Mode
측정 온도: 25℃
측정 방법: 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물 0.5ml 로딩하고, 토크 50%로 설정하여 점도를 측정하였다.
(2) 수분 농도 측정
측정 규격: 칼피셔(Karl Fisher) 방법에 따라 측정
측정 장치: METROHM 사의 831KF Coulomter 모델
측정 조건: 칼피셔 적정 모드
측정 방법: 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물 0.5g을 주사기로 채취하고, ~~처리하고, 수분측정기에 주입하여 수분 농도를 측정하였다.
측정 결과는 하기 표 3에 기재되어 있다.
(3) 입자 수 측정[입경 0.5㎛ 미만의 입자]
측정 장치: NanoVision Technology사의 SLS-1200 모델
측정 조건: 크린룸에서 Sample Mode
측정 방법: Clean Bottle을 이용하여 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물 200g을 채취하고, 5ml의 흡입 속도로 측정 장치에 주입하여, 단위 체적 리터(L) 당 입자 수를 측정하였다.
측정 결과는 하기 표 3에 기재되어 있다.
구분 점도 (cPs) 수분 농도 (ppm) 입자 수 (개/L)
실시예 1 23.0 29 3
실시예 2 24.8 35 4
실시예 3 22.6 32 5
실시예 4 25.2 34 5
실시예 5 22.6 41 3
실시예 6 23.8 38 4
비교예 1 32.0 42 5
비교예 2 34.2 41 5
<저장 변경 지수(ISV) 측정>
(1) 가요성 측정
측정 규격: ASTM E 2546에 규정된 방법에 따라 측정
측정 장치: 나노인텐터. Helmut Fischer 사의 PICODENTOR HM500 모델
측정 조건: F: 2.0mN/5s, C=5.0S
측정 방법: 중합성 조성물을 50mm*50mm 유리 기판에 8㎛ 두께로 스핀코팅하고, N2 분위기 하에서 LED 램프를 이용하여 395nm 파장의 자외선을 1,500mJ/cm2 조사하여, 유리 기판에 코팅된 중합성 조성물을 경화시켜 유기막을 제조한다. 다음, 중합성 조성물에 의하여 형성된 유기막(경화막)에 2.0mN 하중을 5초간 가하여 모듈러스(MPa)를 측정한다. 측정된 모듈러스(MPa) 값이 가요성에 해당된다.
제1 가요성(Aa): 저장 시험 전, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물에 대하여 측정된 가요성을 제1 가요성(Aa)이라 한다.
제2 가요성(Ba): 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 캐니스터 용기에 밀봉 저장 후 측정된 중합성 조성물의 가요성을 제2 가요성(Ba)이라 한다.
제3 가요성(Ca): 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 캐니스터 용기에 밀봉 저장 후 측정된 중합성 조성물의 가요성을 제3 가요성(Ca)이라 한다.
그 결과는 하기 표 4와 같다.
표 4에서, 가요성 지수는 "(|Aa-Ba|/Aa)*100"와 "(|Aa-Ca|/Aa)*100"의 합으로 계산된다.
가요성 지수 = (|Aa-Ba|/Aa)*100 + (|Aa-Ca|/Aa)*100
구분 제1 가요성
(Aa)(MPa)		 제2 가요성
(Ba)(MPa)		 제3 가요성
(Ca)(MPa)		 (|Aa-Ba|/Aa) *100 (|Aa-Ca|/Aa) *100 가요성 지수
실시예 1 2,134 2,111 2,102 1.1 1.5 2.6
실시예 2 2,132 2,100 2,085 1.5 2.2 3.7
실시예 3 2,090 2,042 2,031 2.3 2.8 5.1
실시예 4 2,185 2,128 2,130 2.6 2.5 5.1
실시예 5 2,012 1,986 1,978 1.3 1.7 3.0
실시예 6 1,867 1,833 1,822 1.8 2.4 4.2
비교예 1 1,735 1,617 1,612 6.8 7.1 13.9
비교예 2 1,656 1,581 1,572 4.5 5.1 9.6
표 4를 참조하면, 실시예 1 내지 6에 따른 중합성 조성물은 낮은 가요성 지수를 가져, 장기간 저장 후 가요성의 변화가 작으며, 가요성 측면에서 매우 안정적인 조성물임을 확인할 수 있다. 반면, 비교예 1 내지 2에 따른 중합성 조성물은 높은 가요성 지수를 가져, 장기간 저장 후 가요성의 변화가 크다는 것을 확인할 수 있다.
(2) 점도 측정
측정 규격: ASTM D 2196에 규정된 방법에 따라 측정
측정 장치: Brookfield 사의 DV2T 모델
측정 온도: 25℃
측정 방법: 중합성 조성물을 0.5ml 로딩하여, 토크 50%로 설정하여 측정한다.
제1 점도(Ab): 저장 시험 전, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물에 대하여 측정된 점도를 제1 점도(Ab)라 한다.
제2 점도(Bb): 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 캐니스터 용기에 밀봉 저장 후 측정된 중합성 조성물의 점도를 제2 점도(Bb)라 한다.
제3 점도(Cb): 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 캐니스터 용기에 밀봉 저장 후 측정된 중합성 조성물의 점도를 제3 점도(Cb)라 한다.
그 결과는 하기 표 5와 같다.
표 5에서, 점도 지수는 "(|Ab-Bb|/Ab)*100"와 "(|Ab-Cb|/Ab)*100"의 합으로 계산된다.
점도 지수 = (|Ab-Bb|/Ab)*100 + (|Ab-Cb|/Ab)*100
구분 제1 점도
(Ab)(cPs)		 제2 점도
(Bb)( cPs)		 제3 점도
(Cb)( cPs)		 (|Ab-Bb|/Ab) *100 (|Ab-Cb|/Ab) *100 점도 지수
실시예 1 23.0 23.2 23.3 0.9 1.2 2.1
실시예 2 24.8 25.0 25.1 1.1 1.3 2.4
실시예 3 22.6 22.8 22.9 1.2 1.4 2.6
실시예 4 25.2 25.5 25.6 1.3 1.4 2.7
실시예 5 22.6 23.0 23.0 1.9 2.0 3.9
실시예 6 23.8 24.2 24.4 1.4 2.1 3.5
비교예 1 32.0 34.4 34.6 7.5 8.3 15.8
비교예 2 34.2 36.9 37.2 8.1 9.0 17.1
표 5를 참조하면, 실시예 1 내지 6에 따른 중합성 조성물은 낮은 점도 지수를 가져, 장기간 저장 후 점도의 변화가 작으며, 점도 측면에서 매우 안정적인 조성물임을 확인할 수 있다. 반면, 비교예 1 내지 2에 따른 중합성 조성물은 높은 점도 지수를 가져, 장기간 저장 후 점도의 변화가 크다는 것을 확인할 수 있다.
(3) 경화도 측정
측정 장치: PerkinElmer사의 Spectrum 100 FTIR Spectrometer
측정 조건: 반사 모드
광원: UV LED 395nm 광원 (Phoseon사 FE300 3W)
광량: 1,500mJ/cm2
측정 방법: 경화도는 경화 전과 후의 C=C 이중 결합 비율의 변화로부터 계산된다. 구체적으로, 경화 전 상태인 "중합성 조성물의 C=C 이중 결합 비율"과 경화 후 상태인 "유기막의 C=C 이중 결합 비율"로부터, 다음 참고식 1에 따라 계산된다.
[참고식 1]
Figure pat00048
먼저, PerkinElmer사의 Spectrum 100 FTIR Spectrometer를 이용하여, 반사모드에서 중합성 조성물의 적외선 스펙트럼을 얻은 후, 파수 810cm-1의 피크 면적 및 파수 1720cm-1의 피크 면적을 계산한다.
파수 810cm-1의 피크는 C=C 이중 결합(double bond)의 피크에 해당되고, 파수 810cm-1의 피크 면적은 C=C 이중 결합의 양에 대응된다. 중합성 조성물의 경화가 진행될수록 C=C 이중 결합의 양이 감소되며, 파수 810cm-1의 피크 면적이 감소된다.
파수 1720cm-1의 피크는 C=O 결합(bond)의 피크에 해당되고, 파수 1720cm-1의 피크 면적은 C=O 결합의 양에 대응된다. 중합성 조성물의 경화가 진행되더라도 C=O 결합의 양에는 변화가 없거나 거의 없다. 따라서, 파수 1720cm-1의 피크 면적은 레퍼런스(reference) 값이 될 수 있다.
참고식 2와 같이, 중합성 조성물에 대하여 측정하여 얻어진 파수 810cm-1의 피크 면적을 파수 1720cm-1의 피크 면적으로 나눈 값이 "중합성 조성물의 C=C 비율"이 될 수 있다.
[참고식 2]
[중합성 조성물의 C=C 비율] = (중합성 조성물의 파수 810cm-1의 피크 면적)/(중합성 조성의 파수 1720cm-1의 피크 면적)
다음, 중합성 조성물을 50mm*50mm 유리 기판에 8㎛ 두께로 스핀 코팅하고, N2 분위기 하에 자외선을 이용하여 경화시킨다. 구체적으로, LED 램프를 이용하여 395nm 파장의 빛을 1,500mJ/cm2 조사하여, 유리 기판에 코팅된 중합성 조성물을 경화시켜 유기막을 제조한다. PerkinElmer사의 Spectrum 100 FTIR Spectrometer를 사용하여, 유기막에 대하여, 반사모드(ATR)로 파수 0 내지 2000 cm-1의 범위에서 적외선 스텍트럼을 측정한다. 적외선 스펙트럼을 이용하여, 파수 810cm-1의 피크 면적 및 파수 1720cm-1의 피크 면적을 계산한다. 참고식 3과 같이, 유기막에 대하여 측정하여 얻어진 파수 810cm-1의 피크 면적을 파수 1720cm-1의 피크 면적으로 나눈 값이 "유기막의 C=C 비율"이 될 수 있다.
[참고식 3]
[유기막의 C=C 비율] = (유기막의 파수 810cm-1의 피크 면적)/(유기막의 파수 1720cm-1의 피크 면적)
다음, 참고식 2에서 얻어진 "중합성 조성물의 C=C 비율"과 참고식 3에서 얻어진 "유기막의 C=C 비율"을 이용하여, 참고식 1에 따라 경화도를 계산한다.
제1 경화도(Ac): 저장 시험 전, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물에 대하여 측정된 경화도를 제1 경화도(Ac)라 한다.
제2 경화도(Bc): 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 캐니스터 용기에 밀봉 저장 후 측정된 중합성 조성물의 경화도를 제2 경화도(Bc)라 한다.
제3 경화도(Cc): 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 캐니스터 용기에 밀봉 저장 후 측정된 중합성 조성물의 경화를 제3 경화도(Cc)라 한다.
그 결과는 하기 표 6과 같다.
표 6에서, 경화도 지수는 "(|Ac-Bc|/Ac)*100"와 "(|Ac-Cc|/Ac)*100"의 합으로 계산된다.
경화도 지수 = (|Ac-Bc|/Ac)*100 + (|Ac-Cc|/Ac)*100
구분 제1 경화도
(Ac)(%)		 제2 경화도
(Bc)(%)		 제3 경화도
(Cc)(%)		 (|Ac-Bc|/Ac) *100 (|Ac-Cc|/Ac) *100 경화도 지수
실시예 1 93.1 92.82 92.63 0.3 0.5 0.8
실시예 2 92.8 92.24 92.24 0.6 0.6 1.2
실시예 3 92.6 92.32 92.14 0.3 0.5 0.8
실시예 4 92.1 91.64 91.46 0.5 0.7 1.2
실시예 5 91.9 91.16 91.07 0.8 0.9 1.7
실시예 6 92.3 91.84 91.75 0.5 0.6 1.1
비교예 1 90.1 84.24 83.70 6.5 7.1 13.6
비교예 2 90.8 86.17 85.35 5.1 6.0 11.1
표 6을 참조하면, 실시예 1 내지 6에 따른 중합성 조성물은 낮은 경화도 지수를 가져, 장기간 저장 후 경화도의 변화가 작으며, 경화도 측면에서 매우 안정적인 조성물임을 확인할 수 있다. 반면, 비교예 1 내지 2에 따른 중합성 조성물은 높은 경화도 지수를 가져, 장기간 저장 후 경화도의 변화가 크다는 것을 확인할 수 있다.
(4) 수축율 측정
측정 장치: 버니어 캘리퍼스 (Mitutoyo사 CD-20CPX)
광원: UV LED 395nm 광원 (Phoseon사 FE300 3W)
광량: 1,500mJ/cm2
측정 방법:
먼저, 11.5mm의 내경 지름 및 100mm의 높이를 갖는 유리관에 중합성 조성물 2g을 채운다. 따라서, 경화 전 중합성 조성물의 직경은 11.5mm라고 할 수 있다.
다음, 자외선을 조사하여 유리관에 채워진 중합성 조성물을 경화시킨다. 구체적으로, LED 램프를 이용하여 395nm 파장의 빛을 5,000mJ/cm2의 광량으로 조사하여 중합성 조성물을 경화시킨다. 경화 후 유리관을 파괴하고, 중합성 조성물에 의하여 형성된 막대 형태의 경화물을 획득한다. 획득된 막대 형태의 경화물을 30분 동안 상온에서 에이징(Aging)한다. 다음, 막대 형태의 경화물의 아래에서 10mm 지점의 지름을 측정한다. 막대 형태의 경화물의 아래에서 10mm 지점의 지름이 "경화 후 지름"에 해당된다. 다음, "경화 전 지름"인 11.5mm와, 경화 후 지름을 이용하여, 참고식 4에 따라 수축율을 계산한다.
[참고식 4]
Figure pat00049
제1 수축율(Ad): 저장 시험 전, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물에 대하여 측정된 수축율을 제1 수축율(Ad)이라 한다.
제2 수축율(Bd): 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 캐니스터 용기에 밀봉 저장 후 측정된 중합성 조성물의 수축율을 제2 수축율(Bd)이라 한다.
제3 수축율(Cd): 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 캐니스터 용기에 밀봉 저장 후 측정된 중합성 조성물의 수축율을 제3 수축율(Cd)이라 한다.
그 결과는 하기 표 7과 같다.
표 7에서, 수축율 지수는 "(|Ad-Bd|/Ad)*100"와 "(|Ad-Cd|/Ad)*100"의 합으로 계산된다.
수축율 지수 = (|Ad-Bd|/Ad)*100 + (|Ad-Cd|/Ad)*100
구분 제1 수축율
(Ad)(%)		 제2 수축율
(Bd)(%)		 제3 수축율
(Cd)(%)		 (|Ad-Bd|/Ad) *100 (|Ad-Cd|/Ad) *100 수축율 지수
실시예 1 2.6 2.66 2.66 1.8 2.1 3.9
실시예 2 2.9 2.99 3.01 2.8 3.3 6.1
실시예 3 2.7 2.78 2.80 2.7 3.4 6.1
실시예 4 2.9 2.92 2.94 2.6 3.1 5.7
실시예 5 2.9 2.95 2.97 2.7 3.4 6.1
실시예 6 2.9 2.99 3.02 2.9 3.7 6.6
비교예 1 3.0 3.27 3.28 8.8 8.9 17.7
비교예 2 3.0 3.29 3.32 8.1 9.1 17.2
표 7을 참조하면, 실시예 1 내지 6에 따른 중합성 조성물은 낮은 수축율 지수를 가져, 장기간 저장 후 수축율의 변화가 작으며, 수축율 측면에서 매우 안정적인 조성물임을 확인할 수 있다. 반면, 비교예 1 내지 2에 따른 중합성 조성물은 높은 수축율 지수를 가져, 장기간 저장 후 수축율의 변화가 크다는 것을 확인할 수 있다.
(5) 표면장력 측정
측정 규격: ISO 304에 규정된 방법에 따라 측정
측정 장치: KRUSS사 Tension Meter K9
측정 모드: O-Ring, Max Mode
측정 방법: KRUSS사 Tension Meter K9을 이용하여, O-Ring에 중합성 조성물을 20g을 인가하고, Max 측정 모드에서 표면장력(Ae)을 측정한다.
제1 표면장력(Ae): 저장 시험 전, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물에 대하여 측정된 표면장력을 제1 표면장력(Ae)이라 한다.
제2 표면장력(Be): 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 캐니스터 용기에 밀봉 저장 후 측정된 중합성 조성물의 표면장력을 제2 표면장력(Be)이라 한다.
제3 표면장력(Ce): 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 각각 제조된 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 캐니스터 용기에 밀봉 저장 후 측정된 중합성 조성물의 표면장력을 제3 표면장력(Ce)이라 한다.
그 결과는 하기 표 8과 같다.
표 8에서, 표면장력 지수는 "(|Ae-Be|/Ae)*100"와 "(|Ae-Ce|/Ae)*100"의 합으로 계산된다.
표면장력 지수 = (|Ae-Be|/Ae)*100 + (|Ae-Ce|/Ae)*100
구분 제1표면장력
(Ae)(mN/m)		 제2표면장력
(Be)(mN/m)		 제3표면장력
(Ce)(mN/m)		 (|Ae-Be|/Ae) *100 (|Ae-Ce|/Ae) *100 표면장력 지수
실시예 1 36.1 36.17 36.21 0.2 0.3 0.5
실시예 2 35.8 35.91 35.87 0.3 0.2 0.5
실시예 3 35.9 36.01 35.97 0.3 0.2 0.5
실시예 4 35.7 35.84 35.81 0.4 0.3 0.7
실시예 5 35.5 35.64 35.64 0.4 0.4 0.8
실시예 6 35.2 35.38 35.27 0.5 0.2 0.7
비교예 1 33.2 33.50 33.47 0.9 0.8 1.7
비교예 2 33.5 33.80 33.87 0.9 1.1 2.0
표 8을 참조하면, 실시예 1 내지 6에 따른 중합성 조성물은 낮은 표면장력 지수를 가져, 장기간 저장 후 표면장력의 변화가 작으며, 표면장력 측면에서 매우 안정적인 조성물임을 확인할 수 있다. 반면, 비교예 1 내지 2에 따른 중합성 조성물은 높은 표면장력 지수를 가져, 장기간 저장 후 표면장력의 변화가 크다는 것을 확인할 수 있다.
<저장 변경 지수>
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 제조된 중합성 조성물의 저장 변경 지수(Index of Storage Variation; ISV)는 하기 식 1로 계산된다.
[식 1]
ISV = (|Aa-Ba|/Aa)*100 + (|Aa-Ca|/Aa)*100 + (|Ab-Bb|/Ab)*100 + (|Ab-Cb|/Ab)*100 + (|Ac-Bc|/Ac)*100 + (|Ac-Cc|/Aa)*100 + (|Ad-Bd|/Ad)*100 + (|Ad-Cd|/Ad)*100 + (|Ae-Be|/Ae)*100 + (|Ae-Ce|/Ae)*100
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 제조된 중합성 조성물의 저장 변경 지수(ISV)는 하기 표 9와 같다.
구분 저장 변경 지수
실시예 1 9.9
실시예 2 13.9
실시예 3 15.1
실시예 4 15.4
실시예 5 15.5
실시예 6 16.1
비교예 1 62.7
비교예 2 57.0
표 9를 참조하면, 실시예 1 내지 6에 따른 중합성 조성물은 낮은 저장 변경 지수를 가져, 장기간 저장 성능이 우수한 안정적인 조성물임을 확인할 수 있다. 반면, 비교예 1 내지 2에 따른 중합성 조성물은 높은 저장 변경 지수를 가져, 안정적이지 못한 조성물임을 확인할 수 있다.
이상 설명된 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 조합 또는 변형되어 실시될 수 있다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 광학 필름 200: 표시장치
TFT: 박막 트랜지스터
570: 유기 발광 소자 571: 제1 전극
572: 유기 발광층 573: 제2 전극
590: 봉지재 591, 593: 무기막
592: 유기막

Claims (14)

  1. 아크릴기를 갖는 제1 모노머;
    아크릴기를 가지며, 상기 제1 모노머보다 큰 점도를 갖는 제2 모노머;
    380nm 내지 400nm 파장의 빛을 흡수하는 자외선 흡수제; 및
    중합 개시제;를 포함하며,
    저장 시험 전, 제1 가요성(Aa), 제1 점도(Ab), 제1 경화도(Ac), 제1 수축율(Ad) 및 제1 표면장력(Ae)을 가지며,
    상온(25℃±10℃)에서 1년간 밀봉 저장 후, 제2 가요성(Ba), 제2 점도(Bb), 제2 경화도(Bc), 제2 수축율(Bd) 및 제2 표면장력(Be)을 가지며,
    50℃에서 1년간 밀봉 저장 후, 제3 가요성(Ca), 제3 점도(Cb), 제3 경화도(Cc), 제3 수축율(Cd) 및 제3 표면장력(Ce)을 가지며,
    18 이하의 저장 변경 지수(Index of Storage Variation; ISV)를 갖는, 중합성 조성물:
    상기 저장 변경 지수(ISV)는 하기 식 1로 구해지며,
    [식 1]
    ISV = (|Aa-Ba|/Aa)*100 + (|Aa-Ca|/Aa)*100 + (|Ab-Bb|/Ab)*100 + (|Ab-Cb|/Ab)*100 + (|Ac-Bc|/Ac)*100 + (|Ac-Cc|/Aa)*100 + (|Ad-Bd|/Ad)*100 + (|Ad-Cd|/Ad)*100 + (|Ae-Be|/Ae)*100 + (|Ae-Ce|/Ae)*100
    상기 제1 가요성(Aa)은, ASTM E 2546 규격에 따라, 상기 저장 시험 전 상기 중합성 조성물을 50mm*50mm 유리 기판에 8㎛ 두께로 스핀코팅하고 경화하여 제조된 유기막에 2.0mN 하중을 5초간 가하여 측정된 모듈러스(MPa) 값으로 측정되고,
    상기 제1 점도(Ab)는 ASTM D 2196 에 규정된 방법에 따라, 25℃에서 Brookfield 사의 DV2T 분석 장비에 상기 저장 시험 전 상기 중합성 조성물을 0.5ml 로딩하고, 토크를 50%로 설정하여 측정되고,
    상기 제1 경화도(Ac)는 상기 저장 시험 전 상기 중합성 조성물의 C=C 이중 결합 비율과 상기 중합성 조성물을 경화하여 얻어진 유기막의 C=C 이중 결합 비율로부터 계산되고
    상기 제1 수축율(Ad)은 11.5mm의 내경 지름을 갖는 유리관에 채워진 저장 시험 전 중합성 조성물의 경화 전과 경화 후 지름의 변화로부터 계산 되고,
    상기 제1 표면장력(Ae)은 ISO 304에 규정된 방법에 따라, 상기 저장 시험 전 상기 중합성 조성물에 대하여, KRUSS사 Tension Meter K9으로 O-Ring을 이용하여 Max 모드에서 측정되고,
    상기 제2 가요성(Ba)은, 상기 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 밀봉 저장 후 얻어진 상기 중합성 조성물의 샘플에 대해, 상기 제1 가요성(Aa) 측정과 동일한 방법으로 측정되며,
    상기 제2 점도(Bb)는, 상기 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 밀봉 저장 후 얻어진 상기 중합성 조성물의 샘플에 대해, 상기 제1 점도(Ab) 측정과 동일한 방법으로 측정되며,
    상기 제2 경화도(Bc)는, 상기 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 밀봉 저장 후 얻어진 상기 중합성 조성물의 샘플에 대해, 상기 제1 경화도(Ac) 측정과 동일한 방법으로 측정되며,
    상기 제2 수축율(Bd)은, 상기 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 밀봉 저장 후 얻어진 상기 중합성 조성물의 샘플에 대해, 상기 제1 수축율(Ad) 측정과 동일한 방법으로 측정되며,
    상기 제2 표면장력(Be)은, 상기 중합성 조성물을 상온(25℃±10℃)에서 1년간 밀봉 저장 후 얻어진 상기 중합성 조성물의 샘플에 대해, 상기 제1 표면장력(Ae) 측정과 동일한 방법으로 측정되며,
    상기 제3 가요성(Ca)은, 상기 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 밀봉 저장 후 얻어진 상기 중합성 조성물의 샘플에 대해, 상기 제1 가요성(Aa) 측정과 동일한 방법으로 측정되며,
    상기 제3 점도(Cb)는, 상기 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 밀봉 저장 후 얻어진 상기 중합성 조성물의 샘플에 대해, 상기 제1 점도(Ab) 측정과 동일한 방법으로 측정되며,
    상기 제3 경화도(Cc)는, 상기 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 밀봉 저장 후 얻어진 상기 중합성 조성물의 샘플에 대해, 상기 제1 경화도(Ac) 측정과 동일한 방법으로 측정되며,
    상기 제3 수축율(Cd)은, 상기 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 밀봉 저장 후 얻어진 상기 중합성 조성물의 샘플에 대해, 상기 제1 수축율(Ad) 측정과 동일한 방법으로 측정되며,
    상기 제3 표면장력(Ce)은, 상기 중합성 조성물을 50℃에서 1년간 밀봉 저장 후 얻어진 상기 중합성 조성물의 샘플에 대해, 상기 제1 표면장력(Ae) 측정과 동일한 방법으로 측정된다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 모노머는 25℃에서 1 내지 100 cPs의 점도를 가지며,
    제2 모노머는 25℃에서 100 cPs 초과 300 cPs 이하의 점도를 갖는, 중합성 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 모노머 및 상기 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부에 대하여,
    상기 제1 모노머의 함량은 50 내지 80 중량부이고, 상기 제2 모노머의 함량은 20 내지 50 중량부인, 중합성 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 흡수제의 함량은, 상기 제1 모노머 및 상기 제2 모노머의 전체 중량 100 중량부에 대하여, 1 내지 5 중량부인, 중합성 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 흡수제는, 하기 화학식 5로 표현되는 인돌계 화합물을 포함하는, 중합성 조성물.
    [화학식 5]
    Figure pat00050

    상기 화학식 5에서, R1, R4, R5, R6, 및 R7은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 할로겐기, 탄소수 1 내지 5개의 알킬기 및 탄소수 1 내지 5개의 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나이고,
    R2는 질소 및 산소 원자 중 어느 하나 이상을 1 내지 3개 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 4 내지 10개의 선형, 분지형 또는 환형 탄화수소기이거나,
    Figure pat00051
    ,
    Figure pat00052
    ,
    Figure pat00053
    ,
    Figure pat00054
    ,
    Figure pat00055
    ,
    Figure pat00056
    ,
    Figure pat00057
    ,
    Figure pat00058
    ,
    Figure pat00059
    ,
    Figure pat00060
    및
    Figure pat00061
    로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    R3는 질소 및 산소 원자 중 어느 하나 이상을 1 내지 3개 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 4 내지 10개의 선형, 분지형 또는 환형 탄화수소기이거나,
    Figure pat00062
    ,
    Figure pat00063
    ,
    Figure pat00064
    ,
    Figure pat00065
    ,
    Figure pat00066
    ,
    Figure pat00067
    ,
    Figure pat00068
    ,
    Figure pat00069
    ,
    Figure pat00070
    ,
    Figure pat00071
    및
    Figure pat00072
    로 이루어진 군으로부터 선택되는, 중합성 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 인돌계 화합물은, 하기 화학식 6 내지 16으로 표현되는 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는, 중합성 조성물.
    [화학식 6]
    Figure pat00073

    [화학식 7]
    Figure pat00074

    [화학식 8]
    Figure pat00075

    [화학식 9]
    Figure pat00076

    [화학식 10]
    Figure pat00077

    [화학식 11]
    Figure pat00078

    [화학식 12]
    Figure pat00079

    [화학식 13]
    Figure pat00080

    [화학식 14]
    Figure pat00081

    [화학식 15]
    Figure pat00082

    [화학식 16]
    Figure pat00083
  7. 제1항에 있어서,
    상기 중합 개시제는 500nm 이하에서 파장에서 적어도 하나의 광 흡수 피크를 갖는, 중합성 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    실리콘계 모노머를 포함하지 않는, 중합성 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    용매를 포함하지 않는, 중합성 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    1 내지 30cPs의 점도를 갖는, 중합성 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    45ppm 이하의 수분(H2O) 농도를 갖는, 중합성 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    입경 0.5㎛ 미만의 입자를 22개/L 이하로 포함하는, 중합성 조성물.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 중합성 조성물에 의하여 형성된 유기막을 포함하는 봉지재.
  14. 제13항의 봉지재를 포함하는 표시장치.
KR1020210009578A 2020-01-22 2021-01-22 우수한 저장 안정성을 갖는 중합성 조성물, 봉지재 및 표시 장치 KR102602892B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20200008311 2020-01-22
KR1020200008311 2020-01-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210095086A true KR20210095086A (ko) 2021-07-30
KR102602892B1 KR102602892B1 (ko) 2023-11-16

Family

ID=76991785

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210009579A KR102602893B1 (ko) 2020-01-22 2021-01-22 우수한 잉크젯 특성을 갖는 중합성 조성물, 봉지재 및 표시 장치
KR1020210009578A KR102602892B1 (ko) 2020-01-22 2021-01-22 우수한 저장 안정성을 갖는 중합성 조성물, 봉지재 및 표시 장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210009579A KR102602893B1 (ko) 2020-01-22 2021-01-22 우수한 잉크젯 특성을 갖는 중합성 조성물, 봉지재 및 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
KR (2) KR102602893B1 (ko)
CN (2) CN115003704A (ko)
WO (2) WO2021150074A1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160150256A (ko) * 2015-06-19 2016-12-29 삼성에스디아이 주식회사 유기발광표시장치
KR20170108792A (ko) * 2016-03-18 2017-09-27 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치용 편광판 및 이를 포함하는 발광표시장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101297653B1 (ko) * 2011-06-28 2013-08-20 동우 화인켐 주식회사 점착제 조성물, 이를 포함하는 편광판 및 액정표시장치
DE102011085034A1 (de) * 2011-10-21 2013-04-25 Tesa Se Klebemasse insbesondere zur Kapselung einer elektronischen Anordnung
TW201546153A (zh) * 2014-05-22 2015-12-16 Jx Nippon Oil & Energy Corp 聚合物微粒組成物及其作為光擴散劑之使用
KR101712700B1 (ko) * 2014-06-12 2017-03-07 제일모직주식회사 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이를 사용한 유기발광소자 표시장치
KR20160049953A (ko) * 2014-10-28 2016-05-10 삼성에스디아이 주식회사 광경화 조성물, 이를 포함하는 유기보호층, 및 이를 포함하는 장치
TWI576414B (zh) * 2015-11-20 2017-04-01 財團法人工業技術研究院 封裝組合物及包含其之封裝結構
JP6742256B2 (ja) * 2017-02-16 2020-08-19 株式会社菱晃 硬化性樹脂組成物及びその硬化物、並びにコーティング材、シート及びフィルム
KR102329621B1 (ko) * 2017-07-19 2021-11-23 덕산네오룩스 주식회사 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102097804B1 (ko) * 2017-12-04 2020-04-06 삼성에스디아이 주식회사 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이로부터 제조된 유기발광소자 표시장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160150256A (ko) * 2015-06-19 2016-12-29 삼성에스디아이 주식회사 유기발광표시장치
KR20170108792A (ko) * 2016-03-18 2017-09-27 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치용 편광판 및 이를 포함하는 발광표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN114981317A (zh) 2022-08-30
KR102602893B1 (ko) 2023-11-16
WO2021150074A1 (ko) 2021-07-29
KR20210095087A (ko) 2021-07-30
KR102602892B1 (ko) 2023-11-16
WO2021150073A1 (ko) 2021-07-29
CN115003704A (zh) 2022-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11914172B2 (en) Light absorbing body-containing film and backlight unit
US10619092B2 (en) Wavelength conversion film
CN110894361B (zh) 光固化封装组合物、封装结构及半导体器件
US10948767B2 (en) Phosphor-containing film and backlight unit
US10781369B2 (en) Wavelength conversion member and backlight unit
US10479931B2 (en) Polymer molding composition, wavelength converter, backlight unit, and liquid crystal display device
US10377113B2 (en) Functional laminated film
CN102210192B (zh) 有机el元件的面密封剂、显示装置的制造方法和显示装置
KR101886432B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 이의 제조 방법
US11136496B2 (en) Phosphor-containing film and backlight unit
JP7171792B2 (ja) 光学的に透明なせん断増粘流体及びそれを含む光学ディスプレイデバイス
CN110982346A (zh) 墨水组合物、封装结构及半导体器件
CN113185544A (zh) 一种用于封装薄膜的化合物、包含其的油墨组合物及封装结构
TWI651358B (zh) 密封材及其硬化物
CN115305017A (zh) 一种高折射率光学有机胶水组合物及其制备方法与使用方法
KR102602892B1 (ko) 우수한 저장 안정성을 갖는 중합성 조성물, 봉지재 및 표시 장치
KR102607357B1 (ko) 저장 안정성이 우수한 중합성 조성물, 봉지재 및 표시 장치
KR101210987B1 (ko) 투명막 형성용 잉크젯 조성물 및 이의 제조방법
CN114015277A (zh) 一种用于oled封装的油墨组合物及其应用
KR101831642B1 (ko) 광경화성 코팅조성물
KR20140038661A (ko) 광학소자용 보호막
KR20230022967A (ko) 표시 소자용 봉지제, 그의 경화물 및 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant