KR20210088704A - Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium - Google Patents

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Abstract

본 개시는 안정된 오존 농도의 오존수를 기판에 공급하는 것이 가능한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 설명한다. 기판 처리 장치는, 오존 가스를 공급하도록 구성된 오존 가스 공급부와, 미리 정해진 수소 이온 농도를 나타내는 조정액을 공급하도록 구성된 조정액 공급부와, 오존 가스를 조정액에 용해시켜 오존수를 생성하도록 구성된 용해부와, 오존수에 의해 기판을 세정 처리하도록 구성된 적어도 하나의 처리 챔버와, 송액 라인을 통해 오존수를 용해부로부터 적어도 하나의 처리 챔버에 송액하도록 구성된 송액부를 구비한다.The present disclosure describes a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer-readable recording medium capable of supplying ozonated water with a stable ozone concentration to a substrate. The substrate processing apparatus includes: an ozone gas supply unit configured to supply ozone gas; a conditioning liquid supply unit configured to supply a conditioning liquid exhibiting a predetermined hydrogen ion concentration; a dissolving unit configured to dissolve ozone gas in the conditioning liquid to generate ozone water; and at least one processing chamber configured to clean the substrate by the evaporator, and a liquid delivery unit configured to supply ozone water from the dissolving unit to the at least one processing chamber through a liquid supply line.

Figure P1020217017997
Figure P1020217017997

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium

본 개시는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer-readable recording medium.

특허문헌 1은, 기판에 고농도 오존수를 공급함으로써, 기판에 부착되어 있는 부착물(예컨대, 레지스트막, 오염물, 산화막 등)을 제거하는 기판 처리 장치를 개시하고 있다.Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus that removes deposits (eg, resist film, contaminants, oxide film, etc.) adhering to a substrate by supplying high-concentration ozone water to the substrate.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2008-311256호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2008-311256

고농도 오존수의 오존 농도는 단시간에 감쇠하는 것이 알려져 있다. 그래서, 본 개시는 안정된 오존 농도의 오존수를 기판에 공급하는 것이 가능한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 설명한다.It is known that the ozone concentration of high-concentration ozone water decreases in a short time. Thus, the present disclosure describes a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer-readable recording medium capable of supplying ozonated water with a stable ozone concentration to a substrate.

기판 처리 장치의 일례는, 오존 가스를 공급하도록 구성된 오존 가스 공급부와, 미리 정해진 수소 이온 농도를 나타내는 조정액을 공급하도록 구성된 조정액 공급부와, 오존 가스를 조정액에 용해시켜 오존수를 생성하도록 구성된 용해부와, 오존수에 의해 기판을 세정 처리하도록 구성된 적어도 하나의 처리 챔버와, 송액 라인을 통해 오존수를 용해부로부터 적어도 하나의 처리 챔버에 송액하도록 구성된 송액부를 구비한다.An example of the substrate processing apparatus includes an ozone gas supply unit configured to supply ozone gas, a conditioning solution supply unit configured to supply a conditioning solution exhibiting a predetermined hydrogen ion concentration, and a dissolving unit configured to dissolve ozone gas in the conditioning solution to generate ozone water; and at least one processing chamber configured to clean the substrate with ozone water, and a liquid delivery unit configured to supply ozone water from the dissolving unit to the at least one processing chamber through a liquid supply line.

본 개시에 따른 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 의하면, 안정된 오존 농도의 오존수를 기판에 공급하는 것이 가능해진다.According to the substrate processing apparatus, the substrate processing method, and the computer-readable recording medium according to the present disclosure, it becomes possible to supply ozone water having a stable ozone concentration to the substrate.

도 1은 기판 처리 시스템의 일례를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 일례를 도시한 도면이다.
도 3은 기판 처리 시스템의 주요부의 일례를 도시한 블록도이다.
도 4는 컨트롤러의 하드웨어 구성의 일례를 도시한 개략도이다.
도 5는 웨이퍼의 처리 공정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6은 기판 처리 장치의 다른 예를 도시한 도면이다.1 is a plan view schematically illustrating an example of a substrate processing system.
2 is a diagram illustrating an example of a substrate processing apparatus.
3 is a block diagram showing an example of a main part of the substrate processing system.
4 is a schematic diagram showing an example of a hardware configuration of a controller.
5 is a flowchart illustrating a wafer processing process.
6 is a diagram illustrating another example of a substrate processing apparatus.

이하에, 본 개시에 따른 실시형태의 일례에 대해, 도면을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 이하의 설명에서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일 부호를 이용하는 것으로 하고, 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, an example of embodiment which concerns on this indication is described in more detail, referring drawings. In the following description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same functions, and repeated descriptions are omitted.

[기판 처리 시스템의 구성][Configuration of substrate processing system]

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해서, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the schematic structure of the substrate processing system which concerns on this embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, X-axis, Y-axis, and Z-axis orthogonal to each other are defined, and the positive Z-axis direction is the vertically upward direction.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다.As shown in FIG. 1 , the substrate processing system 1 includes a carry-in/out station 2 and a processing station 3 . The carrying-in/out station 2 and the processing station 3 are adjacently installed.

반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.The carrying-in/out station 2 is equipped with the carrier arrangement|positioning part 11 and the conveyance part 12. As shown in FIG. In the carrier arrangement section 11, a plurality of carriers C for accommodating a plurality of substrates and, in the present embodiment, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer W) in a horizontal state are disposed.

반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.The transfer unit 12 is provided adjacent to the carrier arrangement unit 11 , and includes a substrate transfer device 13 and a transfer unit 14 therein. The substrate transfer apparatus 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. In addition, the substrate transfer apparatus 13 can move in horizontal and vertical directions and pivot about a vertical axis, and use a wafer holding mechanism to hold the wafer W between the carrier C and the transfer unit 14 . ) is returned.

처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다.The processing station 3 is installed adjacent to the transport unit 12 . The processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16 . The plurality of processing units 16 are installed side by side on both sides of the transport unit 15 .

반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.The transfer unit 15 includes a substrate transfer device 17 therein. The substrate transfer apparatus 17 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. In addition, the substrate transfer apparatus 17 can move in horizontal and vertical directions and pivot about a vertical axis, and use a wafer holding mechanism to hold the wafer between the transfer unit 14 and the processing unit 16 . W) is conveyed.

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대해 미리 정해진 기판 처리를 행한다.The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer apparatus 17 .

또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이고, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.Further, the substrate processing system 1 includes a control device 4 . The control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 18 and a storage unit 19 . In the storage unit 19 , a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1 is stored. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19 .

또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.In addition, such a program may have been recorded in a computer-readable storage medium, and may be installed in the storage part 19 of the control apparatus 4 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer apparatus 13 of the carry-in/out station 2 takes out the wafer W from the carrier C arranged in the carrier arrangement unit 11 . Then, the taken out wafer W is placed on the transfer unit 14 . The wafer W placed in the transfer unit 14 is taken out from the transfer unit 14 by the substrate transfer apparatus 17 of the processing station 3 and loaded into the processing unit 16 .

처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.The wafer W carried in the processing unit 16 is processed by the processing unit 16 , and then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer apparatus 17 and placed in the transfer unit 14 . . Then, the processed wafer W placed in the transfer unit 14 is returned to the carrier C of the carrier arrangement unit 11 by the substrate transfer device 13 .

[기판 처리 장치의 구성][Configuration of substrate processing apparatus]

계속해서, 도 2 내지 도 4를 참조하여, 기판 처리 시스템(1)이 포함하는 기판 처리 장치(10)의 구성을 설명한다. 기판 처리 장치(10)는, 웨이퍼(W)에 오존수를 공급하여, 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 있는 부착물을 제거하는 기능을 갖는다.Then, with reference to FIGS. 2-4, the structure of the substrate processing apparatus 10 included in the substrate processing system 1 is demonstrated. The substrate processing apparatus 10 has a function of supplying ozone water to the wafer W to remove deposits adhering to the surface of the wafer W.

웨이퍼(W)는, 원판형을 나타내어도 좋고, 다각형 등 원형 이외의 판형을 나타내고 있어도 좋다. 웨이퍼(W)는, 일부가 절결된 절결부를 갖고 있어도 좋다. 절결부는, 예컨대, 노치(U자형, V자형 등의 홈)여도 좋고, 직선형으로 연장되는 직선부(이른바, 오리엔테이션·플랫)여도 좋다. 웨이퍼(W)는, 예컨대, 반도체 기판, 유리 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 기판 그 외의 각종 기판이어도 좋다. 웨이퍼(W)의 직경은, 예컨대 200 ㎜∼450 ㎜ 정도여도 좋다.The wafer W may have a disk shape, or may have a plate shape other than a circular shape, such as a polygon. The wafer W may have a cut-out part by which it was cut out. The cutout may be, for example, a notch (a groove such as a U-shape or a V-shape), or may be a straight-line portion extending in a straight line (so-called orientation flat). The wafer W may be, for example, a semiconductor substrate, a glass substrate, a mask substrate, an FPD (Flat Panel Display) substrate, or various other substrates. The diameter of the wafer W may be, for example, about 200 mm to 450 mm.

기판 처리 장치(10)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 처리 유닛(16)과, 오존수 공급부(100)와, 알칼리성 용액 공급부(200)와, 린스액 공급부(300)와, 배액부(排液部; 400)와, 배기부(500)와, 제어 장치(4)[제어부(18)]를 구비한다.As shown in FIG. 2 , the substrate processing apparatus 10 includes a plurality of processing units 16 , an ozone water supply unit 100 , an alkaline solution supply unit 200 , a rinse solution supply unit 300 , and a drain unit. (排液部; 400), an exhaust unit 500, and a control device 4 (control unit 18) is provided.

[처리 유닛][processing unit]

처리 유닛(16)은, 처리 챔버(16a)와, 회전 유지부(16b)와, 노즐(N1, N2)을 포함한다. 처리 챔버(16a)는, 도시하지 않은 게이트 밸브를 통해 웨이퍼(W)를 출납 가능하게 구성되어 있다. 회전 유지부(16b)는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전하도록 구성되어 있고, 처리 챔버(16a) 내에 배치되어 있다.The processing unit 16 includes a processing chamber 16a , a rotation holding unit 16b , and nozzles N1 and N2 . The processing chamber 16a is configured to allow the wafer W to be loaded and unloaded via a gate valve (not shown). The rotation holding unit 16b is configured to rotate while holding the wafer W, and is disposed in the processing chamber 16a.

노즐(N1, N2)은, 웨이퍼(W)가 회전 유지부(16b)에 유지되어 있는 상태에서 웨이퍼(W)의 상방에 위치하도록, 처리 챔버(16a) 내에 배치되어 있다. 노즐(N1)로부터는 오존수가 토출된다. 노즐(N2)로부터는 린스액이 토출된다. 또한, 도 2에서는, 3개의 처리 유닛[16(16A∼16C)]이 늘어서 있는 모습을 예시하고 있으나, 처리 유닛(16)의 수는 특별히 한정되지 않는다. 즉, 기판 처리 장치(10)는, 적어도 하나의 처리 유닛(16)을 구비하고 있어도 좋다.The nozzles N1 and N2 are disposed in the processing chamber 16a so as to be positioned above the wafer W while the wafer W is held by the rotation holding unit 16b. Ozone water is discharged from the nozzle N1. The rinse liquid is discharged from the nozzle N2. In addition, although the mode in which three processing units 16 (16A-16C) are lined up is illustrated in FIG. 2, the number of the processing units 16 is not specifically limited. That is, the substrate processing apparatus 10 may include at least one processing unit 16 .

[오존수 공급부][Ozone water supply part]

오존수 공급부(100)는, 오존수를 생성하는 기능과, 생성한 오존수를 웨이퍼(W)에 노즐(N1)을 통해 공급하는 기능을 갖는다. 오존수 공급부(100)는, 오존 가스 공급부(110)와, 조정액 공급부(120)와, 용해부(130)와, 송액부(140)를 포함한다.The ozone water supply unit 100 has a function of generating ozone water and a function of supplying the generated ozone water to the wafer W through the nozzle N1 . The ozone water supply unit 100 includes an ozone gas supply unit 110 , an adjustment liquid supply unit 120 , a dissolving unit 130 , and a liquid delivery unit 140 .

오존 가스 공급부(110)는, 산소로부터 오존 가스를 생성하도록 구성되어 있다. 오존 가스 공급부(110)는, 배관(D1)을 통해 용해부(130)에 접속되어 있고, 생성한 오존 가스를 용해부(130)에 공급한다. 조정액 공급부(120)는, 액원(121, 122)과, 순환 탱크(123)와, 펌프(124)와, 히터(125)와, 수소 이온 농도 모니터(126)와, 밸브(V1∼V3)를 포함한다.The ozone gas supply unit 110 is configured to generate ozone gas from oxygen. The ozone gas supply unit 110 is connected to the dissolving unit 130 through a pipe D1 , and supplies the generated ozone gas to the dissolving unit 130 . The adjustment liquid supply unit 120 includes the liquid sources 121 and 122 , the circulation tank 123 , the pump 124 , the heater 125 , the hydrogen ion concentration monitor 126 , and the valves V1 to V3 . include

액원(121)은, 산성 용액을 저류하도록 구성되어 있다. 산성 용액은, 유기산(예컨대, 시트르산, 아세트산, 탄산)의 용액이어도 좋고, 무기산(예컨대, 염산, 질산)의 용액이어도 좋으며, 유기산과 무기산이 혼합된 용액이어도 좋다. 유기산과 무기산(예컨대 염산)이 혼합되어 이루어지는 산성 용액을 이용하는 경우, 레지스트의 용해성이 높아질 수 있다. 액원(121)은, 배관(D2)을 통해 순환 탱크(123)에 접속되어 있고, 산성 용액을 순환 탱크(123)에 공급한다.The liquid source 121 is configured to store an acidic solution. The acidic solution may be a solution of an organic acid (eg, citric acid, acetic acid, carbonic acid), a solution of an inorganic acid (eg, hydrochloric acid, nitric acid), or a solution in which an organic acid and an inorganic acid are mixed. When an acidic solution in which an organic acid and an inorganic acid (eg, hydrochloric acid) are mixed is used, the solubility of the resist may increase. The liquid source 121 is connected to the circulation tank 123 through a pipe D2 , and supplies the acidic solution to the circulation tank 123 .

액원(122)은, 물[예컨대, 순수(純水), DIW(Deionized Water)]을 저류하도록 구성되어 있다. 액원(122)은, 배관(D2, D3)을 통해 순환 탱크(123)에 접속되어 있고, 물을 순환 탱크(123)에 공급한다. 배관(D3)은, 배관(D2)의 중도에 접속되어 있어도 좋다. 이 경우, 배관(D2, D3)의 합류 부분에 있어서 산성 용액과 물이 혼합되어, 조정액이 생성된다. 조정액은, 미리 정해진 수소 이온 농도를 나타내도록 조정된다. 조정액의 수소 이온 농도는, 예컨대, 액원(121)으로부터 공급되는 산성 용액의 유량 및 농도와, 액원(122)으로부터 공급되는 물의 유량에 기초하여 조정되어도 좋다. 조정액의 수소 이온 농도는, 예컨대, pH1∼pH4 정도여도 좋다.The liquid source 122 is configured to store water (eg, pure water, DIW (deionized water)). The liquid source 122 is connected to the circulation tank 123 through the pipes D2 and D3 , and supplies water to the circulation tank 123 . The pipe D3 may be connected to the middle of the pipe D2. In this case, an acidic solution and water are mixed in the merging part of piping D2, D3, and a adjustment liquid is produced|generated. The adjustment liquid is adjusted so as to exhibit a predetermined hydrogen ion concentration. The hydrogen ion concentration of the adjustment liquid may be adjusted, for example, based on the flow rate and concentration of the acidic solution supplied from the liquid source 121 and the flow rate of the water supplied from the liquid source 122 . The hydrogen ion concentration of the adjustment liquid may be, for example, about pH 1 to pH 4 .

순환 탱크(123)는, 조정액을 일시적으로 저류하면서, 배관(D4)을 통해 조정액을 순환시키도록 구성되어 있다. 조정액이 순환 탱크(123) 및 배관(D4)을 통해 순환함으로써, 순환의 과정에서 물과 산성 용액이 충분히 균일하게 혼합될 수 있다.The circulation tank 123 is configured to circulate the adjustment liquid through the pipe D4 while temporarily storing the adjustment liquid. By circulating the adjustment liquid through the circulation tank 123 and the pipe D4, water and the acidic solution can be sufficiently uniformly mixed in the course of the circulation.

배관(D4)은, 순환 탱크(123)의 하부와 상부를 연결하고 있다. 배관(D4)에는, 펌프(124)와, 히터(125)와, 수소 이온 농도 모니터(126)와, 밸브(V3)가 상류측으로부터 순서대로 접속되어 있다. 펌프(124)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 배관(D4)을 통해 순환 탱크(123) 내의 조정액을 하류측으로 송액하도록 구성되어 있다. 히터(125)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 조정액이 미리 정해진 온도(예컨대, 22℃∼85℃ 정도)가 되도록 조정액을 가열하도록 구성되어 있다.The pipe D4 connects the lower part and the upper part of the circulation tank 123 . A pump 124 , a heater 125 , a hydrogen ion concentration monitor 126 , and a valve V3 are sequentially connected to the pipe D4 from the upstream side. The pump 124 is operated based on the control signal from the control device 4, and is comprised so that the adjustment liquid in the circulation tank 123 may be liquid-fed downstream through the piping D4. The heater 125 is operated based on the control signal from the control device 4, and is comprised so that the adjustment liquid may be heated so that the adjustment liquid may become a predetermined temperature (for example, about 22 degreeC - 85 degreeC).

수소 이온 농도 모니터(126)는, 배관(D4)을 흐르는 조정액의 수소 이온 농도의 데이터를 취득하도록 구성되어 있다. 수소 이온 농도 모니터(126)에 의해 취득된 데이터는, 제어 장치(4)에 송신된다.The hydrogen ion concentration monitor 126 is configured to acquire data on the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid flowing through the pipe D4. The data acquired by the hydrogen ion concentration monitor 126 is transmitted to the control device 4 .

밸브(V1∼V3)는 각각, 배관(D2∼D4)의 중도에 설치되어 있다. 밸브(V1)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 배관(D2)을 흐르는 산성 용액의 유량을 제어하도록 구성되어 있다. 밸브(V2)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 배관(D3)을 흐르는 물의 유량을 제어하도록 구성되어 있다.The valves V1 to V3 are respectively provided in the middle of the pipes D2 to D4. The valve V1 operates based on a control signal from the control device 4 to control the flow rate of the acid solution flowing through the pipe D2. The valve V2 operates based on a control signal from the control device 4 to control the flow rate of water flowing through the pipe D3.

밸브(V3)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 조정액이 배관(D4) 및 순환 탱크(123)를 순환하는 유로와, 조정액이 순환 탱크(123)로부터 배관(D4, D5)을 통해 용해부(130)에 송액되는 유로를 전환 가능하게 구성되어 있다. 밸브(V3)는, 예컨대, 3방향 전자 밸브(솔레노이드 밸브)여도 좋다. 배관(D5)은, 밸브(V3)와 용해부(130)를 접속하고 있다.The valve V3 operates based on a control signal from the control device 4 , the flow path through which the adjustment liquid circulates through the pipe D4 and the circulation tank 123 , and the adjustment liquid flows from the circulation tank 123 to the pipe D4 . , D5) through the dissolving unit 130 is configured to be able to switch the flow path. The valve V3 may be, for example, a three-way solenoid valve (solenoid valve). The pipe D5 connects the valve V3 and the dissolution part 130 .

용해부(130)는, 오존 가스 공급부(110)로부터 공급된 오존 가스를, 조정액 공급부(120)로부터 공급된 조정액에 용해시켜 오존수를 생성하도록 구성되어 있다. 용해부(130)는, 예컨대, 다공질막의 1차측에 오존 가스를 흘리고, 다공질막의 2차측에 물을 흘림으로써 기액을 접촉시켜, 오존 가스를 물에 용해시키는 용해 모듈이어도 좋다.The dissolving unit 130 is configured to dissolve ozone gas supplied from the ozone gas supply unit 110 in the conditioning liquid supplied from the conditioning liquid supply unit 120 to generate ozone water. The dissolution unit 130 may be, for example, a dissolution module in which ozone gas is flowed to the primary side of the porous membrane and water is flowed to the secondary side of the porous membrane to contact gas-liquid to dissolve ozone gas in water.

송액부(140)는, 용해부(130)에 있어서 생성된 오존수를, 각 처리 유닛(16A∼16C) 또는 배액부(400)에 송액하는 기능을 갖는다. 송액부(140)는, 배관(D6∼D9)(송액 라인)과, 보조 히터(141)와, 온도 모니터(142)와, 오존 농도 모니터(143)와, 밸브(V4∼V6)를 포함한다.The liquid supply unit 140 has a function of supplying the ozone water generated in the dissolving unit 130 to each of the processing units 16A to 16C or the liquid drainage unit 400 . The liquid delivery unit 140 includes pipes D6 to D9 (liquid delivery line), an auxiliary heater 141 , a temperature monitor 142 , an ozone concentration monitor 143 , and valves V4 to V6 . .

배관(D6)은, 용해부(130)와 배액부(400)를 접속하도록 연장되어 있다. 배관(D6)에는, 보조 히터(141)와, 온도 모니터(142)와, 오존 농도 모니터(143)가 상류측으로부터 순서대로 접속되어 있다. 보조 히터(141)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 오존수가 미리 정해진 온도(예컨대, 22℃∼85℃ 정도)가 되도록 오존수를 가열하도록 구성되어 있다. 온도 모니터(142)는, 배관(D6)을 흐르는 오존수의 온도의 데이터를 취득하도록 구성되어 있다. 온도 모니터(142)에 의해 취득된 데이터는, 제어 장치(4)에 송신된다.The pipe D6 extends so as to connect the dissolving part 130 and the draining part 400 . The auxiliary heater 141 , the temperature monitor 142 , and the ozone concentration monitor 143 are sequentially connected to the pipe D6 from the upstream side. The auxiliary heater 141 is operated based on the control signal from the control device 4, and is comprised so that ozone water may be heated so that it may become a predetermined temperature (for example, about 22 degreeC - 85 degreeC). The temperature monitor 142 is configured to acquire data of the temperature of the ozone water flowing through the pipe D6. The data acquired by the temperature monitor 142 is transmitted to the control device 4 .

오존 농도 모니터(143)는, 배관(D6)을 흐르는 오존수의 오존 농도의 데이터를 취득하도록 구성되어 있다. 즉, 오존 농도 모니터(143)는, 용해부(130)의 하류측에서의 오존수의 오존 농도의 데이터를 취득한다. 오존 농도 모니터(143)에 의해 취득된 데이터는, 제어 장치(4)에 송신된다. 오존 농도 모니터(143)는, 용해부(130)로부터 오존 농도 모니터(143)까지의 경로 길이와, 용해부(130)로부터 각 처리 유닛(16A∼16C)까지[각 노즐(N1)까지]의 각 경로 길이가 대략 동등해지는 위치에 설정되어도 좋다.The ozone concentration monitor 143 is configured to acquire data on the ozone concentration of the ozone water flowing through the pipe D6. That is, the ozone concentration monitor 143 acquires data of the ozone concentration of the ozone water on the downstream side of the dissolving unit 130 . The data acquired by the ozone concentration monitor 143 is transmitted to the control device 4 . The ozone concentration monitor 143 includes a path length from the dissolving unit 130 to the ozone concentration monitor 143 , and a path length from the dissolving unit 130 to each processing unit 16A to 16C (to each nozzle N1 ). It may be set at the position where each path length becomes substantially equal.

배관(D7∼D9)은 각각, 배관(D6)의 중도에서 분기되어, 각 처리 유닛(16A∼16C)의 노즐(N1)에 접속되어 있다. 배관(D7, D8)은 각각, 미리 정해진 경로 길이를 확보하기 위한 조정부(D7a, D8a)를 포함하고 있어도 좋다. 조정부(D7a, D8a)는, 예컨대, 배관(D7, D8)이 부분적으로 사행(蛇行)한 것이어도 좋고, 배관(D7, D8)이 부분적으로 나선형으로 연장된 것이어도 좋다. 이들 조정부(D7a, D8a)의 존재에 의해, 용해부(130)로부터 각 처리 유닛(16A∼16C)까지[각 노즐(N1)까지]의 각 경로 길이가 모두 대략 동등하게 되어도 좋다. 또한, 배관(D9)도 조정부를 포함하고 있어도 좋다.The pipes D7 to D9 respectively branch off the middle of the pipe D6 and are connected to the nozzles N1 of the respective processing units 16A to 16C. The pipes D7 and D8 may include adjustment portions D7a and D8a for securing a predetermined path length, respectively. As for the adjustment parts D7a, D8a, for example, the pipes D7 and D8 may be partially meandering, and the pipes D7 and D8 may be partially spirally extended. Due to the presence of these adjustment units D7a and D8a, the path lengths from the dissolution unit 130 to each processing unit 16A to 16C (to each nozzle N1) may be substantially equal to each other. Moreover, the piping D9 may also include the adjustment part.

밸브(V4∼V6)는 각각, 배관(D7∼D9)의 중도에 설치되어 있다. 밸브(V4∼V6)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 배관(D7∼D9)을 흐르는 오존수에 알칼리성 용액 공급부(200)로부터 공급되는 알칼리 조정액을 혼합하도록 구성되어 있다. 밸브(V4∼V6)는, 예컨대, 혼합 수전(믹싱 밸브)이어도 좋다.The valves V4 to V6 are respectively provided in the middle of the pipes D7 to D9. The valves V4 to V6 operate based on a control signal from the control device 4 and are configured to mix the alkaline adjustment liquid supplied from the alkaline solution supply unit 200 with the ozone water flowing through the pipes D7 to D9. . The valves V4 to V6 may be, for example, a mixing faucet (mixing valve).

[알칼리성 용액 공급부][Alkaline solution supply part]

알칼리성 용액 공급부(200)는, 알칼리 조정액을 생성하는 기능과, 생성한 알칼리 조정액을 웨이퍼(W)에 노즐(N1)을 통해 공급하는 기능을 갖는다. 알칼리성 용액 공급부(200)는, 액원(201, 202)과, 순환 탱크(203)와, 펌프(204)와, 히터(205)와, 수소 이온 농도 모니터(206)와, 밸브(V7, V8)를 포함한다.The alkaline solution supply unit 200 has a function of generating an alkali adjusting liquid and a function of supplying the generated alkali adjusting liquid to the wafer W through the nozzle N1 . The alkaline solution supply unit 200 includes liquid sources 201 and 202 , a circulation tank 203 , a pump 204 , a heater 205 , a hydrogen ion concentration monitor 206 , and valves V7 and V8 . includes

액원(201)은, 알칼리성 용액을 저류하도록 구성되어 있다. 알칼리성 용액은, 예컨대 암모니아수여도 좋다. 액원(201)은, 배관(D10)을 통해 순환 탱크(203)에 접속되어 있고, 알칼리성 용액을 순환 탱크(203)에 공급한다.The liquid source 201 is configured to store an alkaline solution. The alkaline solution may be aqueous ammonia, for example. The liquid source 201 is connected to the circulation tank 203 via the pipe D10, and supplies the alkaline solution to the circulation tank 203 .

액원(202)은, 액원(122)과 마찬가지로, 물[예컨대, 순수, DIW(Deionized Water)]을 저류하도록 구성되어 있다. 액원(202)은, 배관(D10, D11)을 통해 순환 탱크(203)에 접속되어 있고, 물을 순환 탱크(203)에 공급한다. 배관(D11)은, 배관(D10)의 중도에 접속되어 있어도 좋다. 이 경우, 배관(D10, D11)의 합류 부분에 있어서 알칼리성 용액과 물이 혼합되어, 알칼리 조정액이 생성된다. 알칼리 조정액은, 미리 정해진 수소 이온 농도를 나타내도록 조정된다. 조정액의 수소 이온 농도는, 예컨대, 액원(201)으로부터 공급되는 알칼리성 용액의 유량 및 농도와, 액원(122)으로부터 공급되는 물의 유량에 기초하여 조정되어도 좋다. 알칼리 조정액의 수소 이온 농도는, 예컨대, pH9∼pH13 정도여도 좋다.Like the liquid source 122 , the liquid source 202 is configured to store water (eg, pure water, DIW (Deionized Water)). The liquid source 202 is connected to the circulation tank 203 through pipes D10 and D11 , and supplies water to the circulation tank 203 . The pipe D11 may be connected to the middle of the pipe D10. In this case, an alkaline solution and water are mixed in the merging part of piping D10, D11, and an alkali adjustment liquid is produced|generated. The alkali adjusting liquid is adjusted so as to exhibit a predetermined hydrogen ion concentration. The hydrogen ion concentration of the adjustment liquid may be adjusted, for example, based on the flow rate and concentration of the alkaline solution supplied from the liquid source 201 and the flow rate of the water supplied from the liquid source 122 . The hydrogen ion concentration of the alkali adjusting liquid may be, for example, about pH9 to pH13.

순환 탱크(203)는, 알칼리 조정액을 일시적으로 저류하면서, 배관(D12)을 통해 알칼리 조정액을 순환시키도록 구성되어 있다. 알칼리 조정액이 순환 탱크(203) 및 배관(D12)을 통해 순환함으로써, 순환의 과정에서 물과 알칼리성 용액이 충분히 균일하게 혼합될 수 있다.The circulation tank 203 is comprised so that an alkali adjustment liquid may be circulated through the piping D12, temporarily storing an alkali adjustment liquid. By circulating the alkali adjusting liquid through the circulation tank 203 and the pipe D12, water and the alkaline solution can be sufficiently uniformly mixed in the course of circulation.

배관(D12)은, 순환 탱크(203)의 하부와 상부를 연결하고 있다. 배관(D12)에는, 펌프(204)와, 히터(205)와, 수소 이온 농도 모니터(206)가 상류측으로부터 순서대로 접속되어 있다. 펌프(204)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 배관(D12)을 통해 순환 탱크(203) 내의 조정액을 하류측으로 송액하도록 구성되어 있다. 히터(205)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 알칼리 조정액이 미리 정해진 온도(예컨대, 22℃∼85℃ 정도)가 되도록 알칼리 조정액을 가열하도록 구성되어 있다.The pipe D12 connects the lower part and the upper part of the circulation tank 203 . A pump 204 , a heater 205 , and a hydrogen ion concentration monitor 206 are sequentially connected to the pipe D12 from the upstream side. The pump 204 is operated based on the control signal from the control device 4, and is comprised so that the adjustment liquid in the circulation tank 203 may be liquid-fed downstream through the piping D12. The heater 205 operates based on the control signal from the control device 4, and is comprised so that the alkali adjusting liquid may be heated so that it may become a predetermined temperature (for example, about 22 degreeC - 85 degreeC).

수소 이온 농도 모니터(206)는, 배관(D12)을 흐르는 알칼리 조정액의 수소 이온 농도의 데이터를 취득하도록 구성되어 있다. 수소 이온 농도 모니터(206)에 의해 취득된 데이터는, 제어 장치(4)에 송신된다.The hydrogen ion concentration monitor 206 is configured to acquire data on the hydrogen ion concentration of the alkali adjusting liquid flowing through the pipe D12. The data acquired by the hydrogen ion concentration monitor 206 is transmitted to the control device 4 .

배관(D12)에는, 그 중도에서 각각 분기된 배관(D13∼D15)이 접속되어 있다. 배관(D12)으로부터 분기된 배관(D13)은, 밸브(V4)에 접속되어 있다. 배관(D13)의 하류측에 있어서 배관(D12)으로부터 분기된 배관(D14)은, 밸브(V5)에 접속되어 있다. 배관(D14)의 하류측에 있어서 배관(D12)으로부터 분기된 배관(D15)은, 밸브(V6)에 접속되어 있다. 그 때문에, 알칼리성 용액 공급부(200)로부터 공급되는 알칼리 조정액은, 각 밸브(V4∼V6)에 있어서, 오존수 공급부(100)로부터 공급되는 오존수와 혼합된다.Pipes D13 to D15 branched in the middle are connected to the pipe D12. The pipe D13 branched from the pipe D12 is connected to the valve V4. A pipe D14 branched from the pipe D12 on the downstream side of the pipe D13 is connected to a valve V5. The pipe D15 branched from the pipe D12 on the downstream side of the pipe D14 is connected to the valve V6. Therefore, the alkali adjustment liquid supplied from the alkaline solution supply part 200 is mixed with the ozone water supplied from the ozone water supply part 100 in each valve V4 - V6.

밸브(V7, V8)는 각각, 배관(D10, D11)의 중도에 설치되어 있다. 밸브(V7)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 배관(D10)을 흐르는 알칼리성 용액의 유량을 제어하도록 구성되어 있다. 밸브(V8)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 배관(D11)을 흐르는 물의 유량을 제어하도록 구성되어 있다.The valves V7 and V8 are provided in the middle of the pipes D10 and D11, respectively. The valve V7 operates based on a control signal from the control device 4 to control the flow rate of the alkaline solution flowing through the pipe D10. The valve V8 operates based on a control signal from the control device 4 to control the flow rate of water flowing through the pipe D11.

[린스액 공급부][Rinse solution supply part]

린스액 공급부(300)는, 린스액을 웨이퍼(W)에 노즐(N2)을 통해 공급하는 기능을 갖는다. 린스액 공급부(300)는, 액원(301)과, 펌프(302)와, 밸브(V9∼V11)를 포함한다. 액원(301)은, 린스액을 저류하도록 구성되어 있다. 린스액은, 예컨대, 약액, 기판에 부착되어 있는 부착물 등을 씻어 버리기 위한 것이다. 린스액은, 물[예컨대, 순수, DIW(Deionized Water)]이어도 좋다. 액원(301)은, 배관(D16∼D19)을 통해 각 처리 유닛(16A∼16C)을 향해 연장되어 있다. 배관(D17∼D19)은 각각, 배관(D16)의 중도에서 분기되어, 각 처리 유닛(16A∼16C)의 노즐(N2)에 접속되어 있다. 그 때문에, 액원(301)으로부터 공급되는 린스액은, 각 처리 유닛(16A∼16C)의 노즐(N2)에 공급된다.The rinse liquid supply unit 300 has a function of supplying the rinse liquid to the wafer W through the nozzle N2 . The rinse liquid supply unit 300 includes a liquid source 301 , a pump 302 , and valves V9 to V11 . The liquid source 301 is configured to store a rinse liquid. The rinsing solution is for washing away, for example, a chemical solution, deposits adhering to the substrate, and the like. The rinse liquid may be water (eg, pure water, DIW (Deionized Water)). The liquid source 301 extends toward each of the processing units 16A to 16C through the pipes D16 to D19. The pipes D17 to D19 each branch in the middle of the pipe D16 and are connected to the nozzles N2 of the respective processing units 16A to 16C. Therefore, the rinse liquid supplied from the liquid source 301 is supplied to the nozzles N2 of each of the processing units 16A to 16C.

펌프(302)는, 배관(D16)의 중도에 설치되어 있다. 펌프(302)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 배관(D16)을 통해 린스액을 하류측으로 송액하도록 구성되어 있다. 밸브(V9∼V11)는 각각, 배관(D17∼D19)의 중도에 설치되어 있다. 밸브(V9∼V11)는 각각, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 배관(D17∼D19)을 흐르는 린스액의 유통량을 제어하도록 구성되어 있다.The pump 302 is provided in the middle of the pipe D16. The pump 302 is configured to operate based on a control signal from the control device 4 to supply the rinse liquid to the downstream side through the pipe D16. The valves V9 to V11 are respectively provided in the middle of the pipes D17 to D19. Each of the valves V9 to V11 operates based on a control signal from the control device 4 to control the flow amount of the rinse liquid flowing through the pipes D17 to D19.

[배액부][drainage part]

배액부(400)는, 배액 처리 유닛(401)과, 밸브(V12)를 포함한다. 배액 처리 유닛(401)은, 오존수에 포함되는 오존을 산소로 분해하도록 구성되어 있다. 오존의 분해에는, 예컨대, 오존 분해 촉매, 활성탄 등을 이용해도 좋다. 배액 처리 유닛(401)은, 배관(D6)에 의해, 용해부(130)와 접속되어 있다. 그 때문에, 배액 처리 유닛(401)에는, 배관(D6)을 통해, 오존수 공급부(100)에 있어서 생성되었으나 노즐(N1)에 공급되지 않은 오존수가 유입된다. 밸브(V12)는, 배관(D6)의 중도에 설치되어 있다. 밸브(V12)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 배관(D16)을 흐르는 오존수의 유량을 제어하도록 구성되어 있다.The drainage unit 400 includes a drainage processing unit 401 and a valve V12 . The drainage processing unit 401 is configured to decompose ozone contained in ozone water into oxygen. For decomposition of ozone, for example, an ozone decomposition catalyst, activated carbon, or the like may be used. The drainage processing unit 401 is connected to the dissolution unit 130 by a pipe D6 . Therefore, ozone water generated in the ozone water supply unit 100 but not supplied to the nozzle N1 flows into the drainage unit 401 through the pipe D6 . The valve V12 is provided in the middle of the pipe D6. The valve V12 operates based on a control signal from the control device 4 to control the flow rate of the ozone water flowing through the pipe D16.

배액 처리 유닛(401)은, 3개로 분기된 배관(D20)에 의해, 각 처리 유닛(16A∼16C)과 접속되어 있다. 그 때문에, 배액 처리 유닛(401)에는, 배관(D20)을 통해, 각 처리 유닛(16A∼16C)에 있어서 웨이퍼(W)의 세정 처리에 제공된 오존수가 유입된다. 배액 처리 유닛(401)에 의한 처리가 끝난 액체는, 계 밖으로 배출된다.The drainage processing unit 401 is connected to each processing unit 16A to 16C by a pipe D20 branched into three. Therefore, the ozone water provided for the cleaning process of the wafer W in each of the processing units 16A to 16C flows into the drainage processing unit 401 through the pipe D20 . The liquid that has been processed by the drainage processing unit 401 is discharged to the outside of the system.

[배기부][Exhaust]

배기부(500)는, 배기 처리 유닛(501)과, 펌프(502)를 포함한다. 배기 처리 유닛(501)은, 오존 가스를 산소로 분해하도록 구성되어 있다. 오존의 분해에는, 예컨대, 오존 분해 촉매, 활성탄 등을 이용해도 좋다. 배기 처리 유닛(501)은, 3개로 분기된 배관(D21)에 의해, 각 처리 유닛(16A∼16C)과 접속되어 있다. 그 때문에, 배기 처리 유닛(501)에는, 배관(D21)을 통해, 각 처리 유닛(16A∼16C)에서의 세정 처리 시에 내부에 발생한 오존 가스가 유입된다. 배기 처리 유닛(501)에 의한 처리가 끝난 기체는, 계 밖으로 배출된다.The exhaust unit 500 includes an exhaust treatment unit 501 and a pump 502 . The exhaust treatment unit 501 is configured to decompose ozone gas into oxygen. For decomposition of ozone, for example, an ozone decomposition catalyst, activated carbon, or the like may be used. The exhaust processing unit 501 is connected to each of the processing units 16A to 16C by a pipe D21 branched into three. Therefore, ozone gas generated inside during the cleaning process in each of the processing units 16A to 16C flows into the exhaust treatment unit 501 through the pipe D21. The gas that has been processed by the exhaust treatment unit 501 is discharged to the outside of the system.

펌프(502)는, 배관(D21)의 중도에 설치되어 있다. 펌프(502)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 배관(D21)을 통해 오존 가스를 하류측으로 송기(送氣)하도록 구성되어 있다.The pump 502 is provided in the middle of the pipe D21. The pump 502 is configured to operate based on a control signal from the control device 4 to blow ozone gas downstream through the pipe D21.

[제어 장치][controller]

제어 장치(4)는, 예컨대 도 3에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(10)를 제어하기 위한 기능적인 구성(기능 모듈)으로서, 수소 이온 농도 제어부(M1)와, 송액 제어부(M2)와, 배액 제어부(M3)와, 배기 제어부(M4)를 포함한다. 이들의 기능 모듈은, 제어 장치(4)의 제어부(18) 및 기억부(19)의 협동에 의해 구성된다. 또한, 기억부(19)는, 예컨대, 기록 매체(RM)로부터 판독한 프로그램, 웨이퍼(W)를 처리할 때의 각종 데이터(이른바 처리 레시피), 외부 입력 장치(도시하지 않음)를 통해 오퍼레이터로부터 입력된 설정 데이터 등을 기억하고 있어도 좋다.As shown, for example, in FIG. 3 , the control device 4 is a functional configuration (function module) for controlling the substrate processing apparatus 10 , and includes a hydrogen ion concentration control unit M1 , a liquid supply control unit M2 , and , a drainage control unit (M3) and an exhaust control unit (M4). These functional modules are constituted by cooperation of the control unit 18 and the storage unit 19 of the control device 4 . In addition, the storage unit 19 provides, for example, a program read from the recording medium RM, various data for processing the wafer W (so-called processing recipe), and an external input device (not shown) from the operator. You may memorize input setting data etc.

수소 이온 농도 제어부(M1)는, 오존 농도 모니터(143)가 취득하는 오존 농도에 따라, 조정액 공급부(120)에 있어서 생성되는 조정액의 수소 이온 농도를 조절하도록, 조정액 공급부(120)를 제어해도 좋다. 그런데, 조정액의 수소 이온 농도가 높을수록(pH가 낮을수록), 조정액에 오존 가스가 용해되기 쉬운 것이 알려져 있다. 그 때문에, 예컨대, 오존 농도 모니터(143)가 취득하는 오존 농도가 미리 정해진 값보다 낮은 경우에는, 수소 이온 농도 제어부(M1)는, 밸브(V1, V2)에 지시하여, 액원(121)으로부터의 산성 용액의 공급량을 늘리는 것과, 액원(122)으로부터의 물의 공급량을 줄이는 것 중 적어도 한쪽을 실행해도 좋다. 예컨대, 오존 농도 모니터(143)가 취득하는 오존 농도가 미리 정해진 값보다 높은 경우에는, 수소 이온 농도 제어부(M1)는, 밸브(V1, V2)에 지시하여, 액원(121)으로부터의 산성 용액의 공급량을 줄이는 것과, 액원(122)으로부터의 물의 공급량을 늘리는 것 중 적어도 한쪽을 실행해도 좋다.The hydrogen ion concentration control unit M1 may control the adjustment liquid supply unit 120 to adjust the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid generated in the adjustment liquid supply unit 120 according to the ozone concentration obtained by the ozone concentration monitor 143 . . By the way, it is known that ozone gas dissolves easily in a adjustment liquid, so that the hydrogen ion concentration of a adjustment liquid is high (pH is low). Therefore, for example, when the ozone concentration obtained by the ozone concentration monitor 143 is lower than a predetermined value, the hydrogen ion concentration control unit M1 instructs the valves V1 and V2 to At least one of increasing the supply amount of the acidic solution and decreasing the supply amount of water from the liquid source 122 may be performed. For example, when the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor 143 is higher than a predetermined value, the hydrogen ion concentration control unit M1 instructs the valves V1 and V2 to reduce the amount of the acid solution from the liquid source 121 . At least one of reducing the supply amount and increasing the supply amount of water from the liquid source 122 may be performed.

수소 이온 농도 제어부(M1)는, 수소 이온 농도 모니터(206)가 취득하는 수소 이온 농도에 따라, 알칼리성 용액 공급부(200)에 있어서 생성되는 알칼리 조정액의 수소 이온 농도를 조절하도록, 알칼리성 용액 공급부(200)를 제어해도 좋다. 예컨대, 수소 이온 농도 모니터(206)가 취득하는 수소 이온 농도가 미리 정해진 값보다 높은 경우에는, 수소 이온 농도 제어부(M1)는, 밸브(V7, V8)에 지시하여, 액원(201)으로부터의 알칼리성 용액의 공급량을 늘리는 것과, 액원(202)으로부터의 물의 공급량을 줄이는 것 중 적어도 한쪽을 실행해도 좋다. 예컨대, 수소 이온 농도 모니터(206)가 취득하는 수소 이온 농도가 미리 정해진 값보다 낮은 경우에는, 수소 이온 농도 제어부(M1)는, 밸브(V7, V8)에 지시하여, 액원(201)으로부터의 알칼리성 용액의 공급량을 줄이는 것과, 액원(202)으로부터의 물의 공급량을 늘리는 것 중 적어도 한쪽을 실행해도 좋다.The hydrogen ion concentration control unit M1 is configured to adjust the hydrogen ion concentration of the alkali adjusting solution generated in the alkaline solution supply unit 200 according to the hydrogen ion concentration obtained by the hydrogen ion concentration monitor 206 , the alkaline solution supply unit 200 . ) may be controlled. For example, when the hydrogen ion concentration acquired by the hydrogen ion concentration monitor 206 is higher than a predetermined value, the hydrogen ion concentration control unit M1 instructs the valves V7 and V8 to release the alkalinity from the liquid source 201 . At least one of increasing the supply amount of the solution and decreasing the supply amount of water from the liquid source 202 may be performed. For example, when the hydrogen ion concentration acquired by the hydrogen ion concentration monitor 206 is lower than a predetermined value, the hydrogen ion concentration control unit M1 instructs the valves V7 and V8 to generate alkalinity from the liquid source 201 . At least one of reducing the supply amount of the solution and increasing the supply amount of water from the liquid source 202 may be performed.

송액 제어부(M2)는, 순환 탱크(123) 및 배관(D4)을 통한 조정액의 순환과, 조정액의 용해부(130)에의 공급을 전환하도록, 펌프(124) 및 밸브(V3)를 제어해도 좋다. 송액 제어부(M2)는, 온도 모니터(142)가 취득하는 온도가 미리 정해진 값 이상이고, 수소 이온 농도 모니터(126, 206)가 취득하는 수소 이온 농도가 미리 정해진 값 이상이며, 또한, 오존 농도 모니터(143)가 취득하는 오존 농도가 미리 정해진 값 이상일 때에, 용해부(130)에 있어서 생성된 오존수를 처리 유닛(16A∼16C) 중 적어도 하나에 송액하도록, 펌프(124) 및 밸브(V3∼V6)를 제어해도 좋다. 이때, 송액 제어부(M2)는, 알칼리성 용액 공급부(200)에 있어서 생성된 알칼리 조정액이 오존수에 혼합되도록, 밸브(V3∼V6)를 제어해도 좋다. 송액 제어부(M2)는, 처리 유닛(16A∼16C) 중 어느 하나에 오존수가 송액되고 있는 경우에, 처리 유닛(16A∼16C)의 잔여에 오존수를 송액하지 않도록, 밸브(V3∼V6)를 제어해도 좋다. 송액 제어부(M2)는, 액원(301)의 린스액을 처리 유닛(16A∼16C) 중 적어도 하나에 송액하도록, 밸브(V9∼V11)를 제어해도 좋다.The liquid supply control unit M2 may control the pump 124 and the valve V3 so as to switch the circulation of the adjustment liquid through the circulation tank 123 and the pipe D4 and the supply of the adjustment liquid to the dissolving unit 130 . . In the liquid supply control unit M2, the temperature obtained by the temperature monitor 142 is equal to or greater than a predetermined value, the hydrogen ion concentration obtained by the hydrogen ion concentration monitors 126 and 206 is equal to or greater than the predetermined value, and the ozone concentration monitor When the ozone concentration obtained by 143 is equal to or greater than a predetermined value, the pump 124 and the valves V3 to V6 so as to supply the ozone water generated in the dissolving unit 130 to at least one of the processing units 16A to 16C. ) may be controlled. At this time, the liquid supply control part M2 may control the valves V3 - V6 so that the alkali adjustment liquid produced|generated in the alkaline solution supply part 200 may mix with ozone water. The liquid supply control unit M2 controls the valves V3 to V6 so that, when ozone water is being supplied to any one of the processing units 16A to 16C, the ozone water is not supplied to the remainder of the processing units 16A to 16C. good to do The liquid supply control unit M2 may control the valves V9 to V11 to supply the rinse liquid from the liquid source 301 to at least one of the processing units 16A to 16C.

배액 제어부(M3)는, 오존수가 처리 유닛(16A∼16C) 중 적어도 하나에 송액되지 않는 경우에, 오존수를 계 밖으로 배출하도록 밸브(V12)를 제어해도 좋다. 배액 제어부(M3)는, 온도 모니터(142)가 취득하는 온도가 미리 정해진 값 미만이고, 수소 이온 농도 모니터(126, 206)가 취득하는 수소 이온 농도가 미리 정해진 값 미만이며, 또는, 오존 농도 모니터(143)가 취득하는 오존 농도가 미리 정해진 값 미만일 때에, 용해부(130)에 있어서 생성된 오존수를 계 밖으로 배출하도록 밸브(V12)를 제어해도 좋다. 혹은, 배액 제어부(M3)는, 오존수가 처리 유닛(16A∼16C)의 어디에도 송액되지 않는 경우에, 오존수를 계 밖으로 배출하도록 밸브(V12)를 제어해도 좋다.The drainage control unit M3 may control the valve V12 to discharge the ozone water to the outside of the system when the ozone water is not fed to at least one of the treatment units 16A to 16C. The drainage control unit M3 is configured such that the temperature acquired by the temperature monitor 142 is less than a predetermined value, the hydrogen ion concentration acquired by the hydrogen ion concentration monitors 126 and 206 is less than a predetermined value, or the ozone concentration monitor When the ozone concentration obtained by reference numeral 143 is less than a predetermined value, the valve V12 may be controlled to discharge the ozone water generated in the dissolving unit 130 to the outside of the system. Alternatively, the drainage control unit M3 may control the valve V12 to discharge the ozone water to the outside of the system when the ozone water is not supplied to any of the processing units 16A to 16C.

배기 제어부(M4)는, 처리 유닛(16A∼16C) 내의 기체를 흡인하여 계 밖으로 배출하도록 펌프(502)를 제어해도 좋다.The exhaust control unit M4 may control the pump 502 to suck in the gas in the processing units 16A to 16C and discharge it to the outside of the system.

제어 장치(4)의 하드웨어는, 예컨대 하나 또는 복수의 제어용의 컴퓨터에 의해 구성된다. 제어 장치(4)는, 하드웨어 상의 구성으로서, 예컨대 도 4에 도시된 회로(4A)를 갖는다. 회로(4A)는, 전기 회로 요소(circuitry)로 구성되어 있어도 좋다. 회로(4A)는, 구체적으로는, 프로세서(4B)와, 메모리(4C)(기억부)와, 스토리지(4D)(기억부)와, 입출력 포트(4E)를 갖는다. 프로세서(4B)는, 메모리(4C) 및 스토리지(4D) 중 적어도 한쪽과 협동하여 프로그램을 실행하고, 입출력 포트(4E)를 통한 신호의 입출력을 실행함으로써, 전술한 각 기능 모듈을 구성한다. 입출력 포트(4E)는, 프로세서(4B), 메모리(4C) 및 스토리지(4D)와, 기판 처리 장치(10)의 각부 사이에서, 신호의 입출력을 행한다.The hardware of the control device 4 is constituted by, for example, one or a plurality of control computers. The control device 4 has, for example, a circuit 4A shown in FIG. 4 as a configuration on hardware. The circuit 4A may be constituted by an electric circuit element (circuitry). Specifically, the circuit 4A includes a processor 4B, a memory 4C (storage unit), a storage 4D (storage unit), and an input/output port 4E. The processor 4B executes a program in cooperation with at least one of the memory 4C and the storage 4D, and executes input/output of signals through the input/output port 4E, thereby configuring each of the above-described functional modules. The input/output port 4E inputs/outputs signals between the processor 4B, the memory 4C, and the storage 4D, and each part of the substrate processing apparatus 10 .

기판 처리 장치(10)는, 예컨대, 하나의 제어 장치(4)를 구비하고 있어도 좋고, 복수의 제어 장치(4)로 구성되는 컨트롤러군(제어부)을 구비하고 있어도 좋다. 기판 처리 장치(10)가 컨트롤러군을 구비하고 있는 경우에는, 상기한 기능 모듈이 각각, 하나의 제어 장치(4)에 의해 실현되어 있어도 좋고, 2개 이상의 제어 장치(4)의 조합에 의해 실현되어 있어도 좋다. 제어 장치(4)가 복수의 컴퓨터[회로(4A)]로 구성되어 있는 경우에는, 상기한 기능 모듈이 각각, 하나의 컴퓨터[회로(4A)]에 의해 실현되어 있어도 좋고, 2개 이상의 컴퓨터[회로(4A)]의 조합에 의해 실현되어 있어도 좋다. 제어 장치(4)는, 복수의 프로세서(4B)를 갖고 있어도 좋다. 이 경우, 상기한 기능 모듈이 각각, 하나 또는 복수의 프로세서(4B)에 의해 실현되어 있어도 좋다.The substrate processing apparatus 10 may be provided with the one control apparatus 4, and may be equipped with the controller group (control part) comprised by the some control apparatus 4, for example. When the substrate processing apparatus 10 is provided with a controller group, each of the above-described functional modules may be implemented by one control device 4 , or realized by a combination of two or more control devices 4 . it may be good When the control device 4 is constituted by a plurality of computers (circuit 4A), each of the above function modules may be realized by one computer (circuit 4A), or two or more computers [ circuit 4A]. The control device 4 may include a plurality of processors 4B. In this case, each of the above-described functional modules may be realized by one or a plurality of processors 4B.

[기판 처리 방법][Substrate processing method]

계속해서, 도 5를 참조하여, 웨이퍼(W)의 세정 처리 방법(기판 처리 방법)에 대해 설명한다. 먼저, 웨이퍼(W)를 세정 처리하기 위한 준비 처리를 행한다(단계 S1 참조). 준비 처리에서는, 송액 제어부(M2) 및 배액 제어부(M3)가, 수소 이온 농도 모니터(126), 온도 모니터(142) 및 오존 농도 모니터(143)로부터 입력되는 데이터에 기초하여, 펌프(124) 및 밸브(V12)를 제어한다.Then, with reference to FIG. 5, the cleaning processing method (substrate processing method) of the wafer W is demonstrated. First, a preparatory process for cleaning the wafer W is performed (refer to step S1). In the preparatory process, the liquid supply control unit M2 and the drainage control unit M3 control the pump 124 and the water discharge control unit M3 based on data input from the hydrogen ion concentration monitor 126 , the temperature monitor 142 , and the ozone concentration monitor 143 . Control the valve V12.

예컨대, 송액 제어부(M2) 및 배액 제어부(M3)는, 온도 모니터(142) 및 오존 농도 모니터(143)가 취득하는 데이터 모두가 미리 정해진 값 이상인지의 여부를 판단한다. 그 결과, 수소 이온 농도 모니터(126), 온도 모니터(142) 및 오존 농도 모니터(143)가 취득하는 데이터 중 어느 하나가 미리 정해진 값 미만인 경우에는, 오존수를 처리 유닛(16A∼16C)에 송액하지 않고 계 밖으로 배출하도록, 송액 제어부(M2)가 밸브(V4∼V6)를 폐쇄하고, 배액 제어부(M3)가 밸브(V12)를 개방한다.For example, the liquid supply control unit M2 and the liquid drainage control unit M3 determine whether or not all of the data acquired by the temperature monitor 142 and the ozone concentration monitor 143 are equal to or greater than a predetermined value. As a result, when any one of the data acquired by the hydrogen ion concentration monitor 126, the temperature monitor 142, and the ozone concentration monitor 143 is less than a predetermined value, the ozone water is not supplied to the processing units 16A to 16C. The liquid supply control unit M2 closes the valves V4 to V6, and the drainage control unit M3 opens the valve V12 so that the liquid is discharged outside the system.

수소 이온 농도 모니터(126)의 데이터가 미리 정해진 값 미만인 경우에는, 조정액의 수소 이온 농도가 미리 정해진 값 이상이 되도록, 수소 이온 농도 제어부(M1)가 밸브(V1, V2)를 제어해도 좋다. 온도 모니터(142)의 데이터가 미리 정해진 값 미만인 경우에는, 조정액의 온도가 미리 정해진 값 이상이 되도록, 제어 장치(4)가 히터(125)를 제어해도 좋다. 오존 농도 모니터(143)의 데이터가 미리 정해진 값 미만인 경우에는, 오존수의 오존 농도가 미리 정해진 값 이상이 되도록, 수소 이온 농도 제어부(M1)가 밸브(V1, V2)를 제어해도 좋다.When the data of the hydrogen ion concentration monitor 126 is less than a predetermined value, the hydrogen ion concentration control unit M1 may control the valves V1 and V2 so that the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid is equal to or greater than the predetermined value. When the data of the temperature monitor 142 is less than a predetermined value, the control apparatus 4 may control the heater 125 so that the temperature of an adjustment liquid may become more than a predetermined value. When the data of the ozone concentration monitor 143 is less than a predetermined value, the hydrogen ion concentration control unit M1 may control the valves V1 and V2 so that the ozone concentration of the ozone water is equal to or greater than the predetermined value.

한편, 수소 이온 농도 모니터(126), 온도 모니터(142) 및 오존 농도 모니터(143)가 취득하는 데이터 모두가 미리 정해진 값 이상인 경우에는, 송액 제어부(M2) 및 배액 제어부(M3)는, 웨이퍼(W)를 세정 처리하기 위한 준비가 갖춰진 것으로 판단한다(준비 처리 완료).On the other hand, when all of the data acquired by the hydrogen ion concentration monitor 126, the temperature monitor 142, and the ozone concentration monitor 143 is equal to or greater than a predetermined value, the liquid supply control unit M2 and the drainage control unit M3 control the wafer ( W) is judged to be ready for cleaning (preparation treatment complete).

준비 처리가 완료되면, 다음으로, 웨이퍼(W)의 반송 처리를 행한다(단계 S2 참조). 예컨대, 캐리어(C) 내의 하나의 웨이퍼(W)를 처리 유닛(16A)에 반송하도록, 제어 장치(4)가 기판 반송 장치(13, 17)를 제어한다. 이에 의해, 처리 유닛(16A) 내에 있어서, 웨이퍼(W)가 회전 유지부(16b)에 유지된다.When the preparatory process is completed, next, the wafer W transfer process is performed (refer to step S2). For example, the control apparatus 4 controls the substrate transfer apparatuses 13 and 17 so as to transfer one wafer W in the carrier C to the processing unit 16A. Accordingly, in the processing unit 16A, the wafer W is held by the rotation holding unit 16b.

처리 유닛(16A)에의 웨이퍼(W)의 반송 처리가 완료되면, 다음으로, 처리 유닛(16A)에의 오존수의 공급 처리를 행한다(단계 S3 참조). 예컨대, 오존수를 처리 유닛(16A)에 송액하도록 송액 제어부(M2)가 밸브(V4)를 개방하고 또한 밸브(V5, V6)를 폐쇄하며, 배액 제어부(M3)가 밸브(V12)를 폐쇄한다. 이에 의해, 처리 유닛(16A) 내의 웨이퍼(W)에 노즐(N1)로부터 오존수가 공급되어, 오존수에 의한 웨이퍼(W)의 세정 처리가 행해진다.When the transfer processing of the wafer W to the processing unit 16A is completed, next, an ozone water supply processing to the processing unit 16A is performed (refer to step S3). For example, the liquid supply control unit M2 opens the valve V4 and closes the valves V5 and V6, and the drainage control unit M3 closes the valve V12 so as to supply ozone water to the treatment unit 16A. Thereby, ozone water is supplied from the nozzle N1 to the wafer W in the processing unit 16A, and the cleaning process of the wafer W with the ozone water is performed.

처리 유닛(16A)에의 오존수의 공급 처리와 병행하여, 웨이퍼(W)의 반송 처리를 행한다(단계 S3 참조). 예컨대, 캐리어(C) 내의 하나의 웨이퍼(W)를 처리 유닛(16B)에 반송하도록, 제어 장치(4)가 기판 반송 장치(13, 17)를 제어한다. 이에 의해, 처리 유닛(16B) 내에 있어서, 웨이퍼(W)가 회전 유지부(16b)에 유지된다.In parallel with the process of supplying ozone water to the processing unit 16A, the transfer process of the wafer W is performed (refer to step S3). For example, the control apparatus 4 controls the substrate transfer apparatuses 13 and 17 so as to transfer one wafer W in the carrier C to the processing unit 16B. Accordingly, in the processing unit 16B, the wafer W is held by the rotation holding unit 16b.

처리 유닛(16A)에의 오존수의 공급 처리가 완료되면, 다음으로, 처리 유닛(16A)에의 린스액의 공급 처리를 행한다(단계 S4 참조). 예컨대, 린스액을 처리 유닛(16A)에 송액하도록 송액 제어부(M2)가 밸브(V9)를 개방하고 또한 밸브(V10, V11)를 폐쇄한다. 이에 의해, 처리 유닛(16A) 내의 웨이퍼(W)에 노즐(N2)로부터 린스액이 공급되어, 린스액에 의한 웨이퍼(W)의 린스 처리가 행해진다. 린스 처리된 웨이퍼(W)는, 예컨대, 기판 반송 장치(13, 17)에 의해 캐리어(C) 내로 복귀되어도 좋다.When the supply process of the ozone water to the processing unit 16A is completed, next, the supply process of the rinse liquid to the processing unit 16A is performed (refer to step S4). For example, the liquid supply control unit M2 opens the valve V9 and closes the valves V10 and V11 so as to supply the rinse liquid to the processing unit 16A. Accordingly, the rinse liquid is supplied from the nozzle N2 to the wafer W in the processing unit 16A, and the wafer W is rinsed with the rinse liquid. The rinsed wafer W may be returned into the carrier C by, for example, the substrate transfer apparatuses 13 and 17 .

처리 유닛(16A)에의 린스액의 공급 처리와 병행하여, 처리 유닛(16B)에의 오존수의 공급 처리를 행한다(단계 S4 참조). 예컨대, 오존수를 처리 유닛(16B)에 송액하도록 송액 제어부(M2)가 밸브(V5)를 개방하고 또한 밸브(V4, V6)를 폐쇄하며, 배액 제어부(M3)가 밸브(V12)를 폐쇄한다. 이에 의해, 처리 유닛(16B) 내의 웨이퍼(W)에 노즐(N1)로부터 오존수가 공급되어, 오존수에 의한 웨이퍼(W)의 세정 처리가 행해진다. 또한, 처리 유닛(16B)에의 오존수의 공급 처리는, 처리 유닛(16A) 내에의 오존수가 정지된 후에 행해져도 좋고, 처리 유닛(16A)에의 린스액의 공급 처리가 개시된 이후에 행해져도 좋다.In parallel with the processing of supplying the rinse liquid to the processing unit 16A, the processing of supplying ozone water to the processing unit 16B is performed (refer to step S4). For example, the liquid supply control unit M2 opens the valve V5 and closes the valves V4 and V6, and the drainage control unit M3 closes the valve V12 so as to supply ozone water to the treatment unit 16B. Thereby, ozone water is supplied from the nozzle N1 to the wafer W in the processing unit 16B, and the cleaning process of the wafer W with the ozone water is performed. In addition, the supply process of the ozone water to the processing unit 16B may be performed after the ozone water in the processing unit 16A is stopped, and may be performed after the supply process of the rinse liquid to the processing unit 16A is started.

처리 유닛(16A)에의 린스액의 공급 처리와 병행하여, 웨이퍼(W)의 반송 처리를 행한다(단계 S4 참조). 예컨대, 캐리어(C) 내의 하나의 웨이퍼(W)를 처리 유닛(16C)에 반송하도록, 제어 장치(4)가 기판 반송 장치(13, 17)를 제어한다. 이에 의해, 처리 유닛(16C) 내에 있어서, 웨이퍼(W)가 회전 유지부(16b)에 유지된다.In parallel with the process of supplying the rinse liquid to the processing unit 16A, the transfer process of the wafer W is performed (refer to step S4). For example, the control apparatus 4 controls the substrate transfer apparatuses 13 and 17 so as to transfer one wafer W in the carrier C to the processing unit 16C. Accordingly, in the processing unit 16C, the wafer W is held by the rotation holding unit 16b.

처리 유닛(16B)에의 오존수의 공급 처리가 완료되면, 다음으로, 처리 유닛(16B)에의 린스액의 공급 처리를 행한다(단계 S5 참조). 예컨대, 린스액을 처리 유닛(16B)에 송액하도록 송액 제어부(M2)가 밸브(V10)를 개방하고 또한 밸브(V9, V11)를 폐쇄한다. 이에 의해, 처리 유닛(16B) 내의 웨이퍼(W)에 노즐(N2)로부터 린스액이 공급되어, 린스액에 의한 웨이퍼(W)의 린스 처리가 행해진다. 린스 처리된 웨이퍼(W)는, 예컨대, 기판 반송 장치(13, 17)에 의해 캐리어(C) 내로 복귀되어도 좋다.When the supply process of ozone water to the processing unit 16B is completed, next, the supply process of the rinse liquid to the processing unit 16B is performed (refer step S5). For example, the liquid supply control unit M2 opens the valve V10 and closes the valves V9 and V11 so as to supply the rinse liquid to the processing unit 16B. Accordingly, the rinse liquid is supplied from the nozzle N2 to the wafer W in the processing unit 16B, and the wafer W is rinsed with the rinse liquid. The rinsed wafer W may be returned into the carrier C by, for example, the substrate transfer apparatuses 13 and 17 .

처리 유닛(16B)에의 린스액의 공급 처리와 병행하여, 처리 유닛(16C)에의 오존수의 공급 처리를 행한다(단계 S5 참조). 예컨대, 오존수를 처리 유닛(16C)에 송액하도록 송액 제어부(M2)가 밸브(V6)를 개방하고 또한 밸브(V4, V5)를 폐쇄하며, 배액 제어부(M3)가 밸브(V12)를 폐쇄한다. 이에 의해, 처리 유닛(16C) 내의 웨이퍼(W)에 노즐(N1)로부터 오존수가 공급되어, 오존수에 의한 웨이퍼(W)의 세정 처리가 행해진다. 또한, 처리 유닛(16C)에의 오존수의 공급 처리는, 처리 유닛(16B) 내에의 오존수가 정지된 후에 행해져도 좋고, 처리 유닛(16B)에의 린스액의 공급 처리가 개시된 이후에 행해져도 좋다.In parallel with the supply processing of the rinsing liquid to the processing unit 16B, the supply processing of ozone water to the processing unit 16C is performed (refer to step S5). For example, the liquid supply control unit M2 opens the valve V6 and closes the valves V4 and V5 so as to supply the ozone water to the treatment unit 16C, and the drainage control unit M3 closes the valve V12. Thereby, ozone water is supplied from the nozzle N1 to the wafer W in the processing unit 16C, and the cleaning process of the wafer W with the ozone water is performed. In addition, the supply process of the ozone water to the processing unit 16C may be performed after the ozone water in the processing unit 16B is stopped, and may be performed after the supply process of the rinse liquid to the processing unit 16B is started.

처리 유닛(16C)에의 오존수의 공급 처리가 완료되면, 다음으로, 처리 유닛(16C)에의 린스액의 공급 처리를 행한다(단계 S6 참조). 예컨대, 린스액을 처리 유닛(16C)에 송액하도록 송액 제어부(M2)가 밸브(V11)를 개방하고 또한 밸브(V9, V10)를 폐쇄한다. 이에 의해, 처리 유닛(16C) 내의 웨이퍼(W)에 노즐(N2)로부터 린스액이 공급되어, 린스액에 의한 웨이퍼(W)의 린스 처리가 행해진다. 린스 처리된 웨이퍼(W)는, 예컨대, 기판 반송 장치(13, 17)에 의해 캐리어(C) 내로 복귀되어도 좋다.When the supply process of ozone water to the processing unit 16C is completed, next, the supply process of the rinse liquid to the processing unit 16C is performed (refer step S6). For example, the liquid supply control unit M2 opens the valve V11 and closes the valves V9 and V10 so as to supply the rinse liquid to the processing unit 16C. Accordingly, the rinse liquid is supplied from the nozzle N2 to the wafer W in the processing unit 16C, and the wafer W is rinsed with the rinse liquid. The rinsed wafer W may be returned into the carrier C by, for example, the substrate transfer apparatuses 13 and 17 .

[작용][Action]

이상의 예에 의하면, 오존수의 처리 유닛(16)에의 공급 직전에 용해부(130)에 있어서 오존수가 생성된다. 그 때문에, 오존수의 오존 농도가 크게 감쇠해 버리기 전에, 오존수가 처리 유닛(16)에 공급된다. 따라서, 안정된 오존 농도의 오존수를 웨이퍼(W)에 공급하는 것이 가능해진다.According to the above example, ozone water is produced|generated in the dissolution part 130 just before supply to the processing unit 16 of ozone water. Therefore, the ozone water is supplied to the processing unit 16 before the ozone concentration of the ozone water is greatly attenuated. Accordingly, it becomes possible to supply ozone water having a stable ozone concentration to the wafer W.

이상의 예에 의하면, 오존 농도 모니터(143)가 취득하는 오존 농도에 따라, 조정액 공급부(120)에 있어서 생성되는 조정액의 수소 이온 농도가 조절된다. 그 때문에, 오존수의 오존 농도를 적절한 값으로 유지하는 것이 가능해진다.According to the above example, according to the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor 143, the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid produced|generated in the adjustment liquid supply part 120 is adjusted. Therefore, it becomes possible to maintain the ozone concentration of ozone water at an appropriate value.

그런데, 오존수의 오존 농도는, 용해부(130)에 있어서 오존수가 생성된 직후부터 감쇠하기 시작한다. 그래서, 이상의 예에 의하면, 용해부(130)로부터 오존 농도 모니터(143)까지의 경로 길이는, 용해부(130)로부터 각 처리 유닛(16A∼16C)까지의 경로 길이와 대략 동등하게 될 수 있다. 이 경우, 각 처리 유닛(16A∼16C)에 공급될 때의 오존수의 오존 농도를, 오존 농도 모니터(143)에 의해 간접적으로 취득할 수 있다. 따라서, 오존수에 의한 웨이퍼(W)의 세정 처리를 보다 정밀도 좋게 행하는 것이 가능해진다.However, the ozone concentration of the ozone water starts to decrease immediately after the ozone water is generated in the dissolving unit 130 . Thus, according to the above example, the path length from the dissolving unit 130 to the ozone concentration monitor 143 can be approximately equal to the path length from the dissolving unit 130 to each processing unit 16A to 16C. . In this case, the ozone concentration of the ozone water supplied to each of the processing units 16A to 16C can be obtained indirectly by the ozone concentration monitor 143 . Therefore, it becomes possible to perform the cleaning process of the wafer W with ozone water more accurately.

이상의 예에 의하면, 용해부(130)로부터 각 처리 유닛(16A∼16C)까지의 경로 길이는 대략 동등하게 될 수 있다. 그 때문에, 오존수가 용해부(130)로부터 각 처리 유닛(16A∼16C)에 도달하기까지의 오존 농도의 감쇠량이 대략 동등해진다. 따라서, 어느 처리 유닛(16)에서 웨이퍼(W)를 세정 처리해도, 균일한 세정 결과를 얻는 것이 가능해진다.According to the above example, the path lengths from the melting|dissolving part 130 to each processing unit 16A-16C can become substantially equal. Therefore, the attenuation amount of the ozone concentration from the dissolution part 130 to each processing unit 16A-16C becomes substantially equal. Accordingly, even if the wafer W is cleaned by any processing unit 16 , it becomes possible to obtain a uniform cleaning result.

이상의 예에 의하면, 조정액 공급부는 조정액을 순환시키도록 구성되어 있다. 그 때문에, 조정액이 순환하는 과정에서 물과 산성 용액이 충분히 균일하게 혼합된다. 따라서, 용해부(130)에 있어서 오존 가스를 조정액에 안정적으로 용해시키는 것이 가능해진다.According to the above example, the adjustment liquid supply part is comprised so that a adjustment liquid may be circulated. Therefore, water and the acidic solution are sufficiently uniformly mixed in the process of circulating the adjustment liquid. Therefore, it becomes possible to dissolve ozone gas in the adjustment liquid stably in the dissolving part 130 .

이상의 예에 의하면, 알칼리성 용액 공급부(200)가, 밸브(V4∼V6)를 통해 알칼리 조정액을 배관(D7∼D9)에 공급할 수 있다. 이 경우, 오존 가스의 조정액에의 용해성을 낮추는 알칼리성 용액이, 오존수의 생성 후에 오존수에 혼합된다. 그 때문에, 오존수의 오존 농도의 저하를 억제하면서, 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 부착물을 알칼리 성분에 의해서도 제거하는 것이 가능해진다.According to the above example, the alkaline solution supply part 200 can supply the alkali adjustment liquid to piping D7-D9 via valves V4-V6. In this case, the alkaline solution which lowers the solubility to the adjustment liquid of ozone gas is mixed with ozone water after generation|occurrence|production of ozone water. Therefore, it becomes possible to remove the deposit adhering to the wafer W also with an alkali component, suppressing the fall of the ozone concentration of ozone water.

이상의 예에 의하면, 수소 이온 농도 모니터(126), 온도 모니터(142) 및 오존 농도 모니터(143)가 취득하는 데이터 모두가 미리 정해진 값 이상인 경우에, 송액 제어부(M2) 및 배액 제어부(M3)는, 용해부(130)에 있어서 생성된 오존수를 처리 유닛(16A∼16C) 중 적어도 하나에 송액하도록, 펌프(124) 및 밸브(V3∼V6)를 제어할 수 있다. 이 경우, 처리 유닛(16)에 공급되는 오존수의 오존 농도가, 안정적으로 미리 정해진 값 이상으로 유지된다. 그 때문에, 균일한 세정 결과를 얻는 것이 가능해진다.According to the above example, when all of the data acquired by the hydrogen ion concentration monitor 126, the temperature monitor 142, and the ozone concentration monitor 143 is equal to or greater than a predetermined value, the liquid supply control unit M2 and the drainage control unit M3 are , the pump 124 and the valves V3 to V6 can be controlled so that the ozone water generated in the dissolving unit 130 is supplied to at least one of the treatment units 16A to 16C. In this case, the ozone concentration of the ozone water supplied to the processing unit 16 is stably maintained above a predetermined value. Therefore, it becomes possible to obtain a uniform washing|cleaning result.

이상의 예에 의하면, 처리 유닛(16B)에의 오존수의 공급 처리는, 처리 유닛(16A) 내에의 오존수가 정지된 후에 행해지고, 처리 유닛(16C)에의 오존수의 공급 처리는, 처리 유닛(16B) 내에의 오존수가 정지된 후에 행해질 수 있다. 즉, 처리 유닛(16A∼16C) 중 어느 하나에 오존수가 송액되고 있는 경우에, 처리 유닛(16A∼16C)의 잔여에는 오존수가 송액되지 않는다. 이 경우, 오존수에 의한 웨이퍼(W)의 세정 처리가 각 처리 유닛(16A∼16C)에 있어서 동시에 행해지지 않는다. 그 때문에, 안정된 오존 농도의 오존수가 각 처리 유닛(16A∼16C)에 공급된다. 따라서, 어느 처리 유닛(16A∼16C)에서 웨이퍼(W)를 세정 처리해도, 균일한 세정 결과를 얻는 것이 가능해진다.According to the above example, the supply processing of ozone water to the processing unit 16B is performed after the ozone water in the processing unit 16A is stopped, and the supply processing of the ozone water to the processing unit 16C is performed in the processing unit 16B. This can be done after the ozone water is stopped. That is, when ozone water is being fed to any one of the processing units 16A to 16C, the ozone water is not fed to the remainder of the processing units 16A to 16C. In this case, the cleaning process of the wafer W with ozone water is not performed simultaneously in each of the processing units 16A to 16C. Therefore, ozone water having a stable ozone concentration is supplied to each of the processing units 16A to 16C. Therefore, even if the wafer W is cleaned by any of the processing units 16A to 16C, it becomes possible to obtain a uniform cleaning result.

이상의 예에 의하면, 배액 제어부(M3)는, 오존수가 처리 유닛(16A∼16C) 중 적어도 하나에 송액되지 않는 경우에, 오존수를 계 밖으로 배출하도록 밸브(V12)를 제어할 수 있다. 이 경우, 오존수가 배관(D6∼D9)(송액 라인)에 체류하기 어려워지기 때문에, 오존수의 오존 농도를 보다 안정화시키는 것이 가능해진다.According to the above example, the drainage control unit M3 can control the valve V12 to discharge the ozone water out of the system when the ozone water is not supplied to at least one of the treatment units 16A to 16C. In this case, since ozone water becomes difficult to stay in the pipes D6 to D9 (liquid feeding line), it becomes possible to further stabilize the ozone concentration of the ozone water.

[변형예][Variation]

이상, 본 개시에 따른 실시형태에 대해 상세히 설명하였으나, 특허청구의 범위 및 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형을 상기한 실시형태에 가해도 좋다.As mentioned above, although embodiment which concerns on this indication was described in detail, you may add various deformation|transformation to the above-mentioned embodiment within the range which does not deviate from the scope of the claims and the summary.

(1) 도 6에 도시된 바와 같이, 조정액 공급부(120)는, 순환 탱크(123) 등을 포함하고 있지 않고, 액원(121)으로부터의 산성 용액과 액원(122)으로부터의 물이 혼합된 조정액을 순환시키지 않고 즉시 용해부(130)에 공급해도 좋다. 이 경우, 액원(121, 122)은 각각, 배관(D2, D3)을 통해 밸브(V13)에 접속되어 있어도 좋다. 배관(D2)에는 밸브(V1)가 설치되어 있어도 좋다. 배관(D3)에는 밸브(V2)와 히터(125)가 상류측으로부터 이 순서로 설치되어 있어도 좋다. 밸브(V13)는, 제어 장치(4)로부터의 제어 신호에 기초하여 동작하여, 배관(D2)을 흐르는 산성 용액과 배관(D3)을 흐르는 물을 혼합하도록 구성되어 있어도 좋다. 밸브(V13)는, 예컨대, 혼합 수전(믹싱 밸브)이어도 좋다.(1) As shown in FIG. 6 , the adjustment liquid supply unit 120 does not include a circulation tank 123 , and the adjustment liquid in which the acidic solution from the liquid source 121 and water from the liquid source 122 are mixed. may be supplied to the dissolving unit 130 immediately without circulation. In this case, the liquid sources 121 and 122 may be respectively connected to the valve V13 via the pipes D2 and D3. A valve V1 may be provided in the pipe D2. The valve V2 and the heater 125 may be provided in the pipe D3 in this order from the upstream side. The valve V13 may be configured to operate based on a control signal from the control device 4 to mix the acid solution flowing through the pipe D2 and the water flowing through the pipe D3. The valve V13 may be, for example, a mixing faucet (mixing valve).

(2) 용해부(130)는, 복수의 용해 모듈이 직렬로 접속된 것이어도 좋다. 이 경우, 상류측의 용해 모듈에 있어서 조정액에 용해되지 않은 오존 가스를 하류측의 용해 모듈에 공급하여 조정액에 더 용해시킬 수 있다. 그 때문에, 보다 높은 오존 농도의 오존수를 생성하는 것이 가능해진다. 용해부(130)는, 복수의 용해 모듈이 병렬로 접속된 것이어도 좋다. 이 경우, 용해 모듈에서 생성되는 오존수의 유량을 늘리는 것이 가능해진다.(2) As for the melting|dissolution part 130, what several melt|dissolution modules were connected in series may be sufficient. In this case, ozone gas not dissolved in the adjustment liquid in the upstream dissolution module can be supplied to the downstream dissolution module to be further dissolved in the adjustment liquid. Therefore, it becomes possible to produce|generate the ozone water of a higher ozone concentration. As for the dissolution part 130, what several dissolution modules were connected in parallel may be sufficient as it. In this case, it becomes possible to increase the flow rate of the ozone water produced|generated by a dissolution module.

(3) 오존수의 온도가 높을수록, 오존과 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 있는 부착물의 반응성이 높아지는 경향이 있는 한편, 오존수에 용존하고 있는 오존이 기체가 되어 방산해 버려 오존수의 오존 농도가 저하되는 경향이 있다. 그래서, 처리 유닛(16)은, 노즐(N1)로부터 토출된 오존수를 웨이퍼(W) 바로 위에 있어서 가열하도록 구성된 가열원을 더 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 웨이퍼(W)에의 토출 직전까지는 오존수의 온도가 상대적으로 낮기 때문에, 고농도의 오존수를 웨이퍼(W)에 공급할 수 있다. 또한, 노즐(N1)로부터 토출된 오존수가 웨이퍼(W) 바로 위에 있어서 가열됨으로써, 오존수로부터의 오존 가스의 방산을 최소한으로 억제하면서, 웨이퍼(W)의 부착물에 대한 오존의 반응성을 높일 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 부착물을 매우 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다.(3) The higher the temperature of the ozone water, the higher the reactivity of ozone and deposits adhering to the surface of the wafer W tends to increase. On the other hand, ozone dissolved in the ozone water becomes a gas and is dissipated, thereby decreasing the ozone concentration of the ozone water. tends to decline. Therefore, the processing unit 16 may further include a heating source configured to heat the ozone water discharged from the nozzle N1 directly above the wafer W. In this case, since the temperature of the ozone water is relatively low until just before the discharge to the wafer W, the high concentration ozone water can be supplied to the wafer W. In addition, since the ozone water discharged from the nozzle N1 is heated right above the wafer W, the ozone gas reactivity with respect to the deposits on the wafer W can be increased while minimizing the emission of ozone gas from the ozone water. Therefore, it becomes possible to very effectively remove the deposit adhering to the wafer W.

가열원은, 예컨대, 웨이퍼(W)를 이면측으로부터 가열하는 히터여도 좋고, 웨이퍼(W)의 이면에 고온의 온수 또는 증기를 분무하는 가열 유체 공급 기구여도 좋다. 이들의 경우, 처리 유닛(16) 내에 있어서, 웨이퍼(W)가 회전 유지부(16b)에 흡착 유지되어 있어도 좋고, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리가 물리적으로 유지되어도 좋다[이른바, 메커니컬 척에 의해 웨이퍼(W)가 유지되어도 좋다].The heating source may be, for example, a heater that heats the wafer W from the back side, or a heating fluid supply mechanism that sprays hot water or steam onto the back side of the wafer W. In these cases, in the processing unit 16, the wafer W may be adsorbed and held by the rotation holding unit 16b, or the periphery of the wafer W may be physically held (so-called by a mechanical chuck). The wafer W may be held].

가열원은, 예컨대, 전자 유도에 의해 가열되는 피가열체여도 좋다. 이 경우, 처리 유닛(16) 내에 있어서, 웨이퍼(W)는 피가열체에 지지된다.The heating source may be, for example, a heating target heated by electromagnetic induction. In this case, in the processing unit 16 , the wafer W is supported by a heating target.

가열원은, 예컨대, 노즐(N1)에 공급되기 직전의 오존수를 고속 승온하도록 구성된 히터여도 좋다.The heating source may be, for example, a heater configured to rapidly increase the temperature of the ozone water immediately before being supplied to the nozzle N1.

처리 유닛(16)은, 복수의 웨이퍼(W)를 하나의 처리조에 있어서 동시에 처리하는 배치(batch)식의 챔버여도 좋다. 이 경우, 가열원은, 처리조에 공급되기 직전의 오존수를 고속 승온하도록 구성된 히터여도 좋다.The processing unit 16 may be a batch-type chamber in which a plurality of wafers W are simultaneously processed in one processing tank. In this case, the heating source may be a heater configured to rapidly increase the temperature of the ozone water immediately before being supplied to the treatment tank.

(4) 처리 유닛(16)은, 자외선 등의 에너지선을 조사하도록 구성된 조사부를 더 포함하고 있어도 좋다. 제어 장치(4)는 오존수에 의한 웨이퍼(W)의 세정 처리 중에 웨이퍼(W)에 대해 에너지선을 조사하도록, 조사부를 제어하도록 해도 좋다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 있는 부착물을 보다 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다.(4) The processing unit 16 may further include an irradiation unit configured to irradiate energy rays such as ultraviolet rays. The control device 4 may control the irradiation unit so as to irradiate the wafer W with an energy ray during the cleaning process of the wafer W with ozone water. In this case, it becomes possible to remove the deposit adhering to the surface of the wafer W more effectively.

(5) 모든 처리 유닛(16)에 있어서 웨이퍼(W)의 세정 처리가 당분간 행해지지 않는 것과 같은 경우(세정 처리가 종료되고 나서 미리 정해진 시간 이상이 경과하는 경우)에는, 배액부(400)를 통해 오존수를 계 밖으로 배액하는 것을 대신하여, 오존수 공급부(100)에서의 오존수의 생성을 정지해도 좋다.(5) In the case where the cleaning process of the wafer W is not performed for a while in all the processing units 16 (when more than a predetermined time has elapsed after the cleaning process is finished), the draining unit 400 is Instead of draining the ozone water out of the system through the passage, the generation of the ozone water in the ozone water supply unit 100 may be stopped.

[예시][example]

예 1. 기판 처리 장치의 일례는, 오존 가스를 공급하도록 구성된 오존 가스 공급부와, 미리 정해진 수소 이온 농도를 나타내는 조정액을 공급하도록 구성된 조정액 공급부와, 오존 가스를 조정액에 용해시켜 오존수를 생성하도록 구성된 용해부와, 오존수에 의해 기판을 세정 처리하도록 구성된 적어도 하나의 처리 챔버와, 송액 라인을 통해 오존수를 용해부로부터 적어도 하나의 처리 챔버에 송액하도록 구성된 송액부를 구비한다. 이 경우, 오존수의 처리 챔버에의 공급 직전에 용해부에 있어서 오존수가 생성된다. 그 때문에, 오존수의 오존 농도가 크게 감쇠해 버리기 전에, 오존수가 처리 챔버에 공급된다. 따라서, 안정된 오존 농도의 오존수를 기판에 공급하는 것이 가능해진다.Example 1. An example of a substrate processing apparatus includes an ozone gas supply unit configured to supply ozone gas, a conditioning solution supply unit configured to supply a conditioning solution exhibiting a predetermined hydrogen ion concentration, and a solvent configured to dissolve ozone gas in the conditioning solution to generate ozone water and at least one processing chamber configured to perform dissection, cleaning treatment of the substrate with ozone water, and a liquid delivery unit configured to supply ozone water from the dissolving unit to the at least one processing chamber through a liquid supply line. In this case, ozone water is generated in the dissolving unit immediately before supply of the ozone water to the processing chamber. Therefore, the ozone water is supplied to the processing chamber before the ozone concentration of the ozone water is greatly attenuated. Accordingly, it becomes possible to supply ozone water having a stable ozone concentration to the substrate.

예 2. 예 1의 장치는, 송액 라인과 접속되어 있고, 오존수를 계 밖으로 배출하도록 구성된 배액부를 더 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 용해부에 있어서 오존수를 계속적으로 생성해 두고, 오존수에 의한 기판의 세정 처리를 행하지 않는 경우에는 배액부로부터 오존수를 배출할 수 있다. 그 때문에, 오존수가 송액 라인에 체류하기 어려워지기 때문에, 오존수의 오존 농도를 보다 안정화시키는 것이 가능해진다.Example 2. The apparatus of Example 1 may further include a drainage unit connected to the liquid supply line and configured to discharge ozone water out of the system. In this case, ozone water is continuously generated in the dissolution section, and ozone water can be discharged from the drain section when the substrate is not cleaned with ozone water. Therefore, since ozone water becomes difficult to stay in a liquid feeding line, it becomes possible to stabilize the ozone concentration of ozone water more.

예 3. 예 1 또는 예 2의 장치는, 송액 라인에 설치되어 있고, 용해부의 하류측에서의 오존수의 오존 농도를 취득하도록 구성된 오존 농도 모니터를 더 구비하고 있어도 좋다.Example 3. The apparatus of Example 1 or Example 2 may further include an ozone concentration monitor installed in the liquid feeding line and configured to acquire the ozone concentration of ozone water on the downstream side of the dissolving unit.

예 4. 예 3의 장치는, 오존 농도 모니터가 취득하는 오존 농도에 따라, 조정액 공급부에 있어서 생성되는 조정액의 수소 이온 농도를 조절하도록, 조정액 공급부를 제어하는 처리를 실행하는 제어부를 더 구비하고 있어도 좋다. 그런데, 조정액의 수소 이온 농도가 높을수록(pH가 작을수록) 오존 가스가 상기 조정액에 용해되기 쉽고, 조정액의 수소 이온 농도가 낮을수록(pH가 클수록) 오존 가스가 상기 조정액에 용해되기 어려운 경향이 있다. 그 때문에, 오존 농도 모니터가 취득한 오존 농도에 따라 조정액의 수소 이온 농도를 조절하도록 피드백 제어함으로써, 오존수의 오존 농도를 적절한 값으로 유지하는 것이 가능해진다.Example 4. The apparatus of Example 3 may further include a control unit that executes a process for controlling the adjustment liquid supply unit so as to adjust the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid generated in the adjustment liquid supply unit according to the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor good. However, the higher the hydrogen ion concentration of the adjusting solution (the lower the pH), the easier the ozone gas is dissolved in the adjusting solution, and the lower the hydrogen ion concentration of the adjusting solution (the higher the pH), the more difficult it is for ozone gas to dissolve in the adjusting solution. have. Therefore, it becomes possible to maintain the ozone concentration of ozone water at an appropriate value by performing feedback control so that the ozone concentration monitor may adjust the hydrogen ion concentration of an adjustment liquid according to the acquired ozone concentration.

예 5. 예 3 또는 예 4의 장치에 있어서, 용해부로부터 오존 농도 모니터까지의 송액 라인의 경로 길이는, 용해부로부터 적어도 하나의 처리 챔버까지의 송액 라인의 경로 길이와 대략 동등해도 좋다. 오존수의 오존 농도는, 용해부에 있어서 오존수가 생성된 직후부터 감쇠하기 시작한다. 그 때문에, 용해부로부터 적어도 하나의 처리 챔버까지의 송액 라인의 경로 길이와 동등한 위치에 오존 농도 모니터를 설치해 둠으로써, 적어도 하나의 처리 챔버에 공급될 때의 오존수의 오존 농도를 간접적으로 취득할 수 있다. 따라서, 오존수에 의한 기판의 세정 처리를 보다 정밀도 좋게 행하는 것이 가능해진다.Example 5. The apparatus of example 3 or 4, wherein the path length of the liquid delivery line from the dissolving unit to the ozone concentration monitor may be approximately equal to the path length of the liquid feeding line from the dissolving unit to the at least one processing chamber. The ozone concentration of the ozone water starts to decrease immediately after the ozone water is generated in the dissolving section. Therefore, by providing an ozone concentration monitor at a position equal to the path length of the liquid feeding line from the dissolving unit to the at least one treatment chamber, the ozone concentration of the ozone water supplied to the at least one treatment chamber can be obtained indirectly. have. Therefore, it becomes possible to perform the cleaning process of the board|substrate with ozone water more accurately.

예 6. 예 1∼예 5 중 어느 하나의 장치에 있어서, 적어도 하나의 처리 챔버는, 오존수에 의해 기판을 세정 처리하도록 구성된 제1 및 제2 처리 챔버를 포함하고, 송액 라인은, 용해부로부터 제1 처리 챔버와 제2 처리 챔버의 각각을 향해 분기되어 연장되어 있으며, 송액 라인 중 용해부로부터 제1 처리 챔버까지의 경로 길이는, 송액 라인 중 용해부로부터 제2 처리 챔버까지의 경로 길이와 대략 동등해도 좋다. 이 경우, 오존수가 용해부로부터 제1 처리 챔버에 도달하기까지의 오존 농도의 감쇠량과, 오존수가 용해부로부터 제2 처리 챔버에 도달하기까지의 오존 농도의 감쇠량이 대략 동등해진다. 그 때문에, 제1 및 제2 처리 챔버 중 어느 쪽에서 기판을 세정 처리해도, 균일한 세정 결과를 얻는 것이 가능해진다.Example 6. The apparatus of any one of Examples 1 to 5, wherein the at least one processing chamber includes first and second processing chambers configured to clean the substrate with ozone water, and the liquid delivery line is configured to branching and extending toward each of the first processing chamber and the second processing chamber, the path length from the dissolution part to the first processing chamber in the liquid supply line is equal to the path length from the dissolution part to the second processing chamber in the liquid supply line; It may be approximately equal. In this case, the attenuation amount of the ozone concentration until the ozone water reaches the first processing chamber from the dissolving section is approximately equal to the attenuation amount of the ozone concentration until the ozone water reaches the second processing chamber from the dissolving section. Therefore, even if the substrate is cleaned in either of the first and second processing chambers, it becomes possible to obtain a uniform cleaning result.

예 7. 예 1∼예 6 중 어느 하나의 장치에 있어서, 조정액 공급부는, 물과 산성 용액을 혼합하여 조정액을 생성하도록 구성되어 있어도 좋다.Example 7. The apparatus in any one of Examples 1-6 WHEREIN: The adjustment liquid supply part may be comprised so that water and an acidic solution may be mixed, and a adjustment liquid may be produced|generated.

예 8. 예 7의 장치에 있어서, 조정액 공급부는 조정액을 순환시키도록 구성되어 있어도 좋다. 이 경우, 조정액이 순환하는 과정에서 물과 산성 용액이 충분히 균일하게 혼합된다. 그 때문에, 용해부에 있어서 오존 가스를 조정액에 안정적으로 용해시키는 것이 가능해진다.Example 8. The apparatus of example 7 WHEREIN: The adjustment liquid supply part may be comprised so that the adjustment liquid may be circulated. In this case, water and the acidic solution are sufficiently uniformly mixed in the process of circulating the adjustment solution. Therefore, in a dissolution part, it becomes possible to melt|dissolve ozone gas in a adjusting liquid stably.

예 9. 예 1∼예 8 중 어느 하나의 장치는, 알칼리성 용액을 송액 라인에 공급하도록 구성된 알칼리성 용액 공급부를 더 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 오존 가스의 조정액에의 용해성을 낮추는 알칼리성 용액이, 오존수의 생성 후에 오존수에 혼합된다. 그 때문에, 오존수의 오존 농도의 저하를 억제하면서, 기판에 부착되어 있는 부착물을 알칼리 성분에 의해서도 제거하는 것이 가능해진다.Example 9. The apparatus according to any one of Examples 1 to 8 may further include an alkaline solution supply unit configured to supply an alkaline solution to the liquid feeding line. In this case, the alkaline solution which lowers the solubility to the adjustment liquid of ozone gas is mixed with ozone water after generation|occurrence|production of ozone water. Therefore, it becomes possible to remove the deposit adhering to the board|substrate also with an alkali component, suppressing the fall of the ozone concentration of ozone water.

예 10. 예 1∼예 9 중 어느 하나의 장치는, 조정액 또는 오존수의 온도를 취득하도록 구성된 온도 모니터와, 조정액의 수소 이온 농도를 취득하도록 구성된 수소 이온 농도 모니터와, 오존수의 오존 농도를 취득하도록 구성된 오존 농도 모니터와, 온도 모니터가 취득하는 온도가 미리 정해진 값 이상이고, 수소 이온 농도 모니터가 취득하는 수소 이온 농도가 미리 정해진 값 이상이며, 또한, 오존 농도 모니터가 취득하는 오존 농도가 미리 정해진 값 이상일 때에, 오존수를 용해부로부터 적어도 하나의 처리 챔버에 송액하도록 송액부를 제어하는 처리를 실행하는 제어부를 더 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 적어도 하나의 처리 챔버에 공급되는 오존수의 오존 농도가, 안정적으로 미리 정해진 값 이상으로 유지된다. 그 때문에, 균일한 세정 결과를 얻는 것이 가능해진다.Example 10. The apparatus according to any one of Examples 1 to 9 includes a temperature monitor configured to acquire a temperature of the adjustment liquid or ozone water, a hydrogen ion concentration monitor configured to acquire a hydrogen ion concentration of the adjustment liquid, and an ozone concentration configured to acquire the ozone concentration of the ozone water The configured ozone concentration monitor and the temperature obtained by the temperature monitor are equal to or greater than a predetermined value, the hydrogen ion concentration obtained by the hydrogen ion concentration monitor is greater than or equal to a predetermined value, and the ozone concentration obtained by the ozone concentration monitor is greater than or equal to a predetermined value In the above case, the control unit may further include a control unit that executes a process for controlling the liquid supply unit so that the ozone water is supplied from the dissolving unit to the at least one processing chamber. In this case, the ozone concentration of the ozone water supplied to the at least one processing chamber is stably maintained above a predetermined value. Therefore, it becomes possible to obtain a uniform washing|cleaning result.

예 11. 예 1∼예 10 중 어느 하나의 장치는, 제어부를 더 구비하고, 적어도 하나의 처리 챔버는, 오존수에 의해 기판을 세정 처리하도록 구성된 복수의 처리 챔버를 포함하며, 송액 라인은, 용해부로부터 복수의 처리 챔버의 각각을 향해 분기되어 연장되어 있고, 송액부는, 송액 라인을 통해 오존수를 용해부로부터 복수의 처리 챔버의 각각에 송액하도록 구성되어 있으며, 제어부는, 복수의 처리 챔버 중 하나의 처리 챔버에 오존수가 송액되고 있는 경우에, 복수의 처리 챔버 중 잔여의 처리 챔버에 오존수를 송액하지 않도록 송액부를 제어하는 처리를 실행해도 좋다. 이 경우, 오존수에 의한 기판의 세정 처리가 각 챔버에 있어서 동시에 행해지지 않는다. 그 때문에, 안정된 오존 농도의 오존수가 각 챔버에 공급된다. 따라서, 어느 처리 챔버에서 기판을 세정 처리해도, 균일한 세정 결과를 얻는 것이 가능해진다.Example 11. The apparatus of any one of Examples 1 to 10, further comprising a control unit, wherein the at least one processing chamber includes a plurality of processing chambers configured to clean the substrate with ozone water, and the liquid delivery line includes: branching from the dissection toward each of the plurality of processing chambers, the liquid supply unit is configured to supply ozone water from the dissolving unit to each of the plurality of processing chambers through a liquid supply line, and the control unit includes one of the plurality of processing chambers. In the case where ozone water is being supplied to the processing chamber of , a process for controlling the liquid supply unit so as not to supply the ozone water to the remaining processing chambers among the plurality of processing chambers may be performed. In this case, the cleaning process of the substrate with ozone water is not performed simultaneously in each chamber. Therefore, ozone water having a stable ozone concentration is supplied to each chamber. Therefore, it becomes possible to obtain a uniform cleaning result even when the substrate is cleaned in any processing chamber.

예 12. 예 1∼예 11 중 어느 하나의 장치는, 송액 라인에 설치되어 있고, 오존수를 계 밖으로 배출하도록 구성된 배액부와, 오존수가 적어도 하나의 처리 챔버에 송액되지 않는 경우에, 오존수를 계 밖으로 배출하도록 배액부를 제어하는 처리를 실행하는 제어부를 더 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 오존수가 송액 라인에 체류하기 어려워지기 때문에, 오존수의 오존 농도를 보다 안정화시키는 것이 가능해진다.Example 12. The apparatus according to any one of Examples 1 to 11 includes: a drainage unit configured to discharge ozone water out of the system installed in the liquid supply line; and, when ozone water is not supplied to the at least one treatment chamber, supply the ozone water You may further comprise a control part which performs the process of controlling the drainage part so that it may discharge to the outside. In this case, since ozone water becomes difficult to stay in the liquid feeding line, it becomes possible to further stabilize the ozone concentration of ozone water.

예 13. 기판 처리 방법의 일례는, 오존 가스와 미리 정해진 수소 이온 농도를 나타내는 조정액을 용해부에 공급하여, 오존 가스를 조정액에 용해시킴으로써 오존수를 생성하는 것과, 오존수에 의해 기판을 세정 처리하도록 구성된 적어도 하나의 처리 챔버에, 송액 라인을 통해 용해부로부터 오존수를 송액하는 것을 포함한다. 이 경우, 예 1의 장치와 동일한 작용 효과를 발휘한다.Example 13. An example of the substrate processing method is configured to supply ozone gas and a conditioning liquid having a predetermined hydrogen ion concentration to a dissolving unit, and to dissolve ozone gas in the conditioning liquid to generate ozone water, and to wash the substrate with ozone water and feeding the ozone water from the dissolving unit to the at least one treatment chamber through a liquid feeding line. In this case, the same effect as that of the device of Example 1 is exhibited.

예 14. 예 13의 방법은, 송액 라인을 흐르는 오존수의 오존 농도에 따라 조정액의 수소 이온 농도를 조절하는 것을 더 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 예 4의 장치와 동일한 작용 효과를 발휘한다.Example 14. The method of Example 13 may further include adjusting the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid according to the ozone concentration of the ozone water flowing through the liquid feeding line. In this case, the same operation and effect as the apparatus of Example 4 are exhibited.

예 15. 예 13 또는 예 14의 방법에 있어서, 오존수를 송액하는 것은, 조정액 또는 오존수의 온도가 미리 정해진 값 이상이고, 조정액의 수소 이온 농도가 미리 정해진 값 이상이며, 또한, 오존수의 오존 농도가 미리 정해진 값 이상일 때에, 오존수를 용해부로부터 적어도 하나의 처리 챔버에 송액하는 것을 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 예 10의 장치와 동일한 작용 효과를 발휘한다.Example 15. The method of Example 13 or Example 14, wherein the supply of ozone water includes: a temperature of the adjustment liquid or ozone water is equal to or greater than a predetermined value, a hydrogen ion concentration of the adjustment liquid is greater than or equal to a predetermined value, and the ozone concentration of the ozone water is When it is equal to or greater than a predetermined value, the method may include supplying the ozone water from the dissolving unit to the at least one processing chamber. In this case, the same operation and effect as the apparatus of Example 10 are exhibited.

예 16. 예 13∼예 15 중 어느 하나의 방법에 있어서, 적어도 하나의 처리 챔버는, 오존수에 의해 기판을 세정 처리하도록 구성된 복수의 처리 챔버를 포함하고, 오존수를 송액하는 것은, 복수의 처리 챔버 중 하나의 처리 챔버에 오존수가 송액되고 있는 경우에, 복수의 처리 챔버 중 잔여의 처리 챔버에 오존수를 송액하지 않는 것을 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 예 11의 장치와 동일한 작용 효과를 발휘한다.Example 16. The method of any one of examples 13 to 15, wherein the at least one processing chamber includes a plurality of processing chambers configured to clean the substrate with ozone water, and wherein the supplying of the ozone water comprises the plurality of processing chambers. In the case where ozone water is being supplied to one of the processing chambers, the method may include not supplying the ozone water to the remaining processing chambers among the plurality of processing chambers. In this case, the same operation and effect as the apparatus of Example 11 are exhibited.

예 17. 예 13∼예 16 중 어느 하나의 방법은, 오존수가 적어도 하나의 처리 챔버에 송액되고 있지 않은 경우에, 오존수를 계 밖으로 배출하는 것을 더 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 예 12의 장치와 동일한 작용 효과를 발휘한다.Example 17. The method in any one of Examples 13 to 16 may further include discharging the ozone water to the outside of the system when the ozone water is not being supplied to the at least one treatment chamber. In this case, the same operation and effect as the apparatus of Example 12 are exhibited.

예 18. 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체의 일례는, 예 13∼예 17 중 어느 하나의 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 이 경우, 예 13∼예 17 중 어느 하나의 방법과 동일한 작용 효과를 발휘한다. 본 명세서에 있어서, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체는, 일시적이지 않은 유형의 매체(non-transitory computer recording medium)(예컨대, 각종의 주기억 장치 또는 보조 기억 장치)여도 좋고, 전파 신호(transitory computer recording medium)(예컨대, 네트워크를 통해 제공 가능한 데이터 신호)여도 좋다.Example 18. In one example of the computer-readable recording medium, a program for causing the substrate processing apparatus to execute the substrate processing method according to any one of Examples 13 to 17 is recorded. In this case, the same effect as the method in any one of Examples 13 to 17 is exhibited. In the present specification, the computer-readable recording medium may be a non-transitory computer recording medium (eg, various main memory devices or auxiliary storage devices), or a radio signal (transitory computer recording medium) ( For example, it may be a data signal that can be provided via a network).

Claims (14)

오존 가스를 공급하도록 구성된 오존 가스 공급부와,
미리 정해진 수소 이온 농도를 나타내는 조정액을 공급하도록 구성된 조정액 공급부와,
상기 오존 가스를 상기 조정액에 용해시켜 오존수를 생성하도록 구성된 용해부와,
상기 오존수에 의해 기판을 세정 처리하도록 구성된 적어도 하나의 처리 챔버와,
송액 라인을 통해 상기 오존수를 상기 용해부로부터 상기 적어도 하나의 처리 챔버에 송액하도록 구성된 송액부
를 구비하는 기판 처리 장치.an ozone gas supply configured to supply ozone gas;
a adjusting liquid supply unit configured to supply a adjusting liquid exhibiting a predetermined hydrogen ion concentration;
a dissolving unit configured to dissolve the ozone gas in the conditioning solution to generate ozone water;
at least one processing chamber configured to clean a substrate with the ozone water;
a liquid-delivery unit configured to supply the ozone water from the dissolving unit to the at least one treatment chamber through a liquid-delivery line
A substrate processing apparatus comprising a. 제1항에 있어서,
상기 송액 라인과 접속되어 있고, 상기 오존수를 계(界) 밖으로 배출하도록 구성된 배액부(排液部)
를 더 구비하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
A drainage unit connected to the liquid supply line and configured to discharge the ozone water out of the system.
A substrate processing apparatus further comprising a. 제1항에 있어서,
상기 송액 라인에 설치되어 있고, 상기 용해부의 하류측에서의 상기 오존수의 오존 농도를 취득하도록 구성된 오존 농도 모니터
를 더 구비하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
An ozone concentration monitor installed in the liquid supply line and configured to acquire the ozone concentration of the ozone water on the downstream side of the dissolving unit
A substrate processing apparatus further comprising a. 제3항에 있어서,
상기 오존 농도 모니터가 취득하는 오존 농도에 따라, 상기 조정액 공급부에 있어서 생성되는 상기 조정액의 수소 이온 농도를 조절하도록, 상기 조정액 공급부를 제어하는 처리를 실행하는 제어부
를 더 구비하는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
A control unit that executes a process for controlling the adjustment liquid supply unit so as to adjust the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid generated in the adjustment liquid supply unit according to the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor
A substrate processing apparatus further comprising a. 제3항에 있어서, 상기 용해부로부터 상기 오존 농도 모니터까지의 상기 송액 라인의 경로 길이는, 상기 용해부로부터 상기 적어도 하나의 처리 챔버까지의 상기 송액 라인의 경로 길이와 대략 동등한 것인 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein a path length of the liquid supply line from the dissolving unit to the ozone concentration monitor is approximately equal to a path length of the liquid supply line from the dissolving unit to the at least one processing chamber. . 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 처리 챔버는, 상기 오존수에 의해 기판을 세정 처리하도록 구성된 제1 처리 챔버 및 제2 처리 챔버를 포함하고,
상기 송액 라인은, 상기 용해부로부터 상기 제1 처리 챔버 및 상기 제2 처리 챔버 각각을 향해 분기되어 연장되어 있으며,
상기 송액 라인 중 상기 용해부로부터 상기 제1 처리 챔버까지의 경로 길이는, 상기 송액 라인 중 상기 용해부로부터 상기 제2 처리 챔버까지의 경로 길이와 대략 동등한 것인 기판 처리 장치.2. The method of claim 1, wherein the at least one processing chamber comprises a first processing chamber and a second processing chamber configured to clean a substrate with the ozone water;
The liquid supply line is branched and extended from the dissolving unit toward each of the first processing chamber and the second processing chamber,
and a path length from the dissolution unit in the liquid supply line to the first processing chamber is substantially equal to a path length from the dissolution unit in the liquid supply line to the second processing chamber. 제1항에 있어서, 상기 조정액 공급부는, 물과 산성 용액을 혼합하여 상기 조정액을 생성하도록 구성되어 있는 것인 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the adjustment liquid supply unit is configured to generate the adjustment liquid by mixing water and an acidic solution. 제7항에 있어서, 상기 조정액 공급부는 상기 조정액을 순환시키도록 구성되어 있는 것인 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 7 , wherein the adjustment liquid supply unit is configured to circulate the adjustment liquid. 제1항에 있어서,
알칼리성 용액을 상기 송액 라인에 공급하도록 구성된 알칼리성 용액 공급부
를 더 구비하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
An alkaline solution supply unit configured to supply an alkaline solution to the liquid feeding line
A substrate processing apparatus further comprising a. 제1항에 있어서,
상기 조정액 또는 상기 오존수의 온도를 취득하도록 구성된 온도 모니터와,
상기 조정액의 수소 이온 농도를 취득하도록 구성된 수소 이온 농도 모니터와,
상기 오존수의 오존 농도를 취득하도록 구성된 오존 농도 모니터와,
상기 온도 모니터가 취득하는 온도가 미리 정해진 값 이상이고, 상기 수소 이온 농도 모니터가 취득하는 수소 이온 농도가 미리 정해진 값 이상이며, 또한, 상기 오존 농도 모니터가 취득하는 오존 농도가 미리 정해진 값 이상일 때에, 상기 오존수를 상기 용해부로부터 상기 적어도 하나의 처리 챔버에 송액하도록 상기 송액부를 제어하는 처리를 실행하는 제어부
를 더 구비하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
a temperature monitor configured to acquire a temperature of the adjustment liquid or the ozone water;
a hydrogen ion concentration monitor configured to acquire a hydrogen ion concentration of the adjustment solution;
an ozone concentration monitor configured to acquire the ozone concentration of the ozone water;
When the temperature obtained by the temperature monitor is equal to or higher than a predetermined value, the hydrogen ion concentration obtained by the hydrogen ion concentration monitor is equal to or higher than a predetermined value, and the ozone concentration obtained by the ozone concentration monitor is equal to or higher than a predetermined value, A control unit that executes a process for controlling the liquid supply unit to supply the ozone water from the dissolving unit to the at least one processing chamber
A substrate processing apparatus further comprising a. 제1항에 있어서,
제어부
를 더 구비하고,
상기 적어도 하나의 처리 챔버는, 상기 오존수에 의해 기판을 세정 처리하도록 구성된 복수의 처리 챔버를 포함하며,
상기 송액 라인은, 상기 용해부로부터 상기 복수의 처리 챔버 각각을 향해 분기되어 연장되어 있고,
상기 송액부는, 상기 송액 라인을 통해 상기 오존수를 상기 용해부로부터 상기 복수의 처리 챔버 각각에 송액하도록 구성되어 있으며,
상기 제어부는, 상기 복수의 처리 챔버 중 하나의 처리 챔버에 상기 오존수가 송액되고 있는 경우에, 상기 복수의 처리 챔버 중 잔여의 처리 챔버에 상기 오존수를 송액하지 않도록 상기 송액부를 제어하는 처리를 실행하는 것인 기판 처리 장치.According to claim 1,
control
provide more,
wherein the at least one processing chamber comprises a plurality of processing chambers configured to clean a substrate with the ozone water;
The liquid feeding line is branched and extended from the dissolving unit toward each of the plurality of processing chambers,
the liquid supply unit is configured to supply the ozone water from the dissolving unit to each of the plurality of processing chambers through the liquid supply line;
the control unit, when the ozonated water is being supplied to one of the plurality of processing chambers, executes a process of controlling the liquid supply so that the ozonated water is not supplied to the remaining processing chambers of the plurality of processing chambers; a substrate processing apparatus. 제1항에 있어서,
상기 송액 라인에 설치되어 있고, 상기 오존수를 계 밖으로 배출하도록 구성된 배액부와,
상기 오존수가 상기 적어도 하나의 처리 챔버에 송액되지 않는 경우에, 상기 오존수를 계 밖으로 배출하도록 상기 배액부를 제어하는 처리를 실행하는 제어부
를 더 구비하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
a drainage unit installed in the liquid supply line and configured to discharge the ozone water out of the system;
A control unit that executes a process for controlling the draining unit to discharge the ozone water out of the system when the ozone water is not supplied to the at least one treatment chamber
A substrate processing apparatus further comprising a. 오존 가스와 미리 정해진 수소 이온 농도를 나타내는 조정액을 용해부에 공급하여, 상기 오존 가스를 상기 조정액에 용해시킴으로써 오존수를 생성하는 것과,
상기 오존수에 의해 기판을 세정 처리하도록 구성된 적어도 하나의 처리 챔버에, 송액 라인을 통해 상기 용해부로부터 상기 오존수를 송액하는 것
을 포함하는 기판 처리 방법.supplying ozone gas and an adjustment liquid exhibiting a predetermined hydrogen ion concentration to a dissolving unit, and dissolving the ozone gas in the adjustment liquid to generate ozone water;
feeding the ozone water from the dissolving unit through a liquid feeding line to at least one processing chamber configured to clean a substrate with the ozone water.
A substrate processing method comprising a. 제13항에 기재된 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.A computer-readable recording medium in which a program for causing a substrate processing apparatus to execute the substrate processing method according to claim 13 is recorded.
KR1020217017997A 2018-11-14 2019-11-05 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium KR102654039B1 (en)

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117642845A (en) 2021-07-06 2024-03-01 东京毅力科创株式会社 Substrate processing system and substrate processing method

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004273838A (en) * 2003-03-10 2004-09-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for substrate treatment
JP2004327610A (en) * 2003-04-23 2004-11-18 Mitsubishi Electric Corp Method for removing photoresist of semiconductor wafer
JP2005019876A (en) * 2003-06-27 2005-01-20 Trecenti Technologies Inc Method of manufacturing semiconductor device, ozone water cleaning system, and ozone water concentration control system
JP2006278644A (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Kazutoshi Yamazaki Cleaning method and cleaning device
JP2008311256A (en) 2007-06-12 2008-12-25 Univ Of Tsukuba Photoresist removing device
JP2009141332A (en) * 2007-12-06 2009-06-25 Semes Co Ltd Device and method for feeding ozone-water mixed liquid, and substrate processing apparatus equipped therewith
JP2010177535A (en) * 2009-01-30 2010-08-12 Toyota Motor Corp Semiconductor wafer cleaning system

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11121417A (en) * 1997-10-09 1999-04-30 Mitsubishi Electric Corp Treating system and treating method for semiconductor substrates
JP2000164552A (en) * 1998-11-24 2000-06-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and method for substrate processing
JP2001035827A (en) * 1999-07-16 2001-02-09 Memc Kk High concentration ozone water, preparation method thereof and cleaning method using the same
JP2001137798A (en) * 1999-11-17 2001-05-22 Japan Organo Co Ltd Method and apparatus for supplying cleaning gas- dissolved water
JP4221736B2 (en) * 2000-07-18 2009-02-12 株式会社ササクラ Photoresist film removal method and apparatus
JP2004241726A (en) * 2003-02-07 2004-08-26 Sharp Corp Method and device for treating resist
JP4513122B2 (en) * 2004-03-31 2010-07-28 栗田工業株式会社 Ozone water supply method and ozone water supply device
JP2013045961A (en) * 2011-08-25 2013-03-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate cleaning method, substrate cleaning liquid and substrate processing apparatus
JP6168271B2 (en) * 2012-08-08 2017-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN105336645B (en) * 2014-08-14 2021-04-30 无锡华瑛微电子技术有限公司 Apparatus and method for treating semiconductor wafer surface with ozone-containing fluid

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004273838A (en) * 2003-03-10 2004-09-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for substrate treatment
JP2004327610A (en) * 2003-04-23 2004-11-18 Mitsubishi Electric Corp Method for removing photoresist of semiconductor wafer
JP2005019876A (en) * 2003-06-27 2005-01-20 Trecenti Technologies Inc Method of manufacturing semiconductor device, ozone water cleaning system, and ozone water concentration control system
JP2006278644A (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Kazutoshi Yamazaki Cleaning method and cleaning device
JP2008311256A (en) 2007-06-12 2008-12-25 Univ Of Tsukuba Photoresist removing device
JP2009141332A (en) * 2007-12-06 2009-06-25 Semes Co Ltd Device and method for feeding ozone-water mixed liquid, and substrate processing apparatus equipped therewith
JP2010177535A (en) * 2009-01-30 2010-08-12 Toyota Motor Corp Semiconductor wafer cleaning system

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