JP7236461B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM - Google Patents

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM Download PDF

Info

Publication number
JP7236461B2
JP7236461B2 JP2020556088A JP2020556088A JP7236461B2 JP 7236461 B2 JP7236461 B2 JP 7236461B2 JP 2020556088 A JP2020556088 A JP 2020556088A JP 2020556088 A JP2020556088 A JP 2020556088A JP 7236461 B2 JP7236461 B2 JP 7236461B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
ozone
water
unit
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020556088A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2020100661A1 (en
Inventor
勝 天井
志信 田中
郁雄 須中
興司 香川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of JPWO2020100661A1 publication Critical patent/JPWO2020100661A1/en
Priority to JP2022208155A priority Critical patent/JP7530954B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7236461B2 publication Critical patent/JP7236461B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。 The present disclosure relates to substrate processing apparatuses, substrate processing methods, and computer-readable recording media.

特許文献１は、基板に高濃度オゾン水を供給することにより、基板に付着している付着物（例えば、レジスト膜、汚染物、酸化膜など）を除去する基板処理装置を開示している。 Patent Literature 1 discloses a substrate processing apparatus that removes deposits (eg, resist film, contaminants, oxide film, etc.) adhering to a substrate by supplying high-concentration ozone water to the substrate.

特開２００８－３１１２５６号公報JP 2008-311256 A

高濃度オゾン水のオゾン濃度は短時間で減衰することが知られている。そこで、本開示は、安定したオゾン濃度のオゾン水を基板に供給することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。 It is known that the ozone concentration of high-concentration ozonated water attenuates in a short time. Accordingly, the present disclosure describes a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer-readable recording medium capable of supplying ozone water with a stable ozone concentration to a substrate.

基板処理装置の一例は、オゾンガスを供給するように構成されたオゾンガス供給部と、所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、オゾンガスを調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、送液ラインを通じてオゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部とを備える。 An example of a substrate processing apparatus includes an ozone gas supply unit configured to supply ozone gas, an adjustment liquid supply unit configured to supply adjustment liquid exhibiting a predetermined hydrogen ion concentration, and an ozone gas dissolved in the adjustment liquid. at least one processing chamber configured to perform a cleaning process on the substrate with the ozone water; and the at least one treatment of the ozone water from the dissolution unit through the liquid feed line. a liquid delivery section configured to deliver liquid to the chamber.

本開示に係る基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、安定したオゾン濃度のオゾン水を基板に供給することが可能となる。 According to the substrate processing apparatus, the substrate processing method, and the computer-readable recording medium according to the present disclosure, it is possible to supply ozone water with a stable ozone concentration to the substrate.

図１は、基板処理システムの一例を概略的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of a substrate processing system. 図２は、基板処理装置の一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of a substrate processing apparatus. 図３は、基板処理システムの主要部の一例を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing an example of main parts of the substrate processing system. 図４は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of the hardware configuration of the controller. 図５は、ウエハの処理工程を説明するためのフローチャートである。FIG. 5 is a flow chart for explaining the wafer processing steps. 図６は、基板処理装置の他の例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing another example of the substrate processing apparatus.

以下に、本開示に係る実施形態の一例について、図面を参照しつつより詳細に説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。 An example of an embodiment according to the present disclosure will be described below in more detail with reference to the drawings. In the following description, the same reference numerals will be used for the same elements or elements having the same functions, and redundant description will be omitted.

［基板処理システムの構成］
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。[Configuration of substrate processing system]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to this embodiment. Hereinafter, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis and Z-axis are defined to be orthogonal to each other, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertically upward direction.

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a loading/unloading station 2 and a processing station 3 . The loading/unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacently.

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。 The loading/unloading station 2 includes a carrier placement section 11 and a transport section 12 . A plurality of carriers C for accommodating a plurality of substrates, in this embodiment, semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers W) in a horizontal state are mounted on the carrier mounting portion 11 .

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。 The transfer section 12 is provided adjacent to the carrier mounting section 11 and includes a substrate transfer device 13 and a transfer section 14 therein. The substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. As shown in FIG. In addition, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the transfer section 14 using the wafer holding mechanism. conduct.

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。 The processing station 3 is provided adjacent to the transport section 12 . The processing station 3 comprises a transport section 15 and a plurality of processing units 16 . A plurality of processing units 16 are arranged side by side on both sides of the transport section 15 .

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。 The transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside. The substrate transfer device 17 has a wafer holding mechanism for holding the wafer W. As shown in FIG. In addition, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate about the vertical axis, and transfers the wafer W between the transfer section 14 and the processing unit 16 using the wafer holding mechanism. I do.

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。 The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer device 17 .

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。 The substrate processing system 1 also includes a control device 4 . Control device 4 is, for example, a computer, and includes control unit 18 and storage unit 19 . The storage unit 19 stores programs for controlling various processes executed in the substrate processing system 1 . The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing programs stored in the storage unit 19 .

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 The program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium. Examples of computer-readable storage media include hard disks (HD), flexible disks (FD), compact disks (CD), magnet optical disks (MO), and memory cards.

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。 In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer device 13 of the loading/unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier platform 11, and receives the taken out wafer W. It is placed on the transfer section 14 . The wafer W placed on the transfer section 14 is taken out from the transfer section 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16 .

処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。 The wafer W loaded into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16 , then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 and placed on the delivery section 14 . Then, the processed wafer W placed on the transfer section 14 is returned to the carrier C on the carrier placement section 11 by the substrate transfer device 13 .

［基板処理装置の構成］
続いて、図２～図４を参照して、基板処理システム１が含む基板処理装置１０の構成を説明する。基板処理装置１０は、ウエハＷにオゾン水を供給して、ウエハＷの表面に付着している付着物を除去する機能を有する。[Configuration of substrate processing apparatus]
Next, the configuration of the substrate processing apparatus 10 included in the substrate processing system 1 will be described with reference to FIGS. 2 to 4. FIG. The substrate processing apparatus 10 has a function of supplying ozone water to the wafer W to remove deposits adhering to the surface of the wafer W. FIG.

ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。ウエハＷは、一部が切り欠かれた切り欠き部を有していてもよい。切り欠き部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。 The wafer W may have a disk shape, or may have a plate shape such as a polygonal shape other than a circular shape. The wafer W may have a cutout portion that is partially cut out. The notch may be, for example, a notch (a U-shaped, V-shaped groove, etc.) or a linear portion extending linearly (so-called orientation flat). The wafer W may be, for example, a semiconductor substrate, a glass substrate, a mask substrate, an FPD (Flat Panel Display) substrate, or other various substrates. The diameter of the wafer W may be, for example, approximately 200 mm to 450 mm.

基板処理装置１０は、図２に示されるように、複数の処理ユニット１６と、オゾン水供給部１００と、アルカリ性溶液供給部２００と、リンス液供給部３００と、排液部４００と、排気部５００と、制御装置４（制御部１８）とを備える。 As shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus 10 includes a plurality of processing units 16, an ozone water supply section 100, an alkaline solution supply section 200, a rinse liquid supply section 300, a liquid discharge section 400, and an exhaust section. 500 and a control device 4 (control unit 18).

［処理ユニット］
処理ユニット１６は、処理チャンバ１６ａと、回転保持部１６ｂと、ノズルＮ１，Ｎ２とを含む。処理チャンバ１６ａは、図示しないゲートバルブを介してウエハＷを出し入れ可能に構成されている。回転保持部１６ｂは、ウエハＷを保持して回転するように構成されており、処理チャンバ１６ａ内に配置されている。[Processing unit]
The processing unit 16 includes a processing chamber 16a, a spin holder 16b, and nozzles N1 and N2. The processing chamber 16a is configured such that the wafer W can be taken in and out through a gate valve (not shown). The rotary holding part 16b is configured to hold and rotate the wafer W, and is arranged in the processing chamber 16a.

ノズルＮ１，Ｎ２は、ウエハＷが回転保持部１６ｂに保持されている状態でウエハＷの上方に位置するように、処理チャンバ１６ａ内に配置されている。ノズルＮ１からはオゾン水が吐出される。ノズルＮ２からはリンス液が吐出される。なお、図２では、３つの処理ユニット１６（１６Ａ～１６Ｃ）が並んでいる様子を例示しているが、処理ユニット１６の数は特に限定されない。すなわち、基板処理装置１０は、少なくとも一つの処理ユニット１６を備えていてもよい。 The nozzles N1 and N2 are arranged in the processing chamber 16a so as to be positioned above the wafer W while the wafer W is held by the spin holder 16b. Ozone water is discharged from the nozzle N1. A rinse liquid is discharged from the nozzle N2. Although FIG. 2 illustrates three processing units 16 (16A to 16C) arranged side by side, the number of processing units 16 is not particularly limited. That is, the substrate processing apparatus 10 may have at least one processing unit 16 .

［オゾン水供給部］
オゾン水供給部１００は、オゾン水を生成する機能と、生成したオゾン水をウエハＷにノズルＮ１を通じて供給する機能とを有する。オゾン水供給部１００は、オゾンガス供給部１１０と、調整液供給部１２０と、溶解部１３０と、送液部１４０とを含む。[Ozonated water supply part]
The ozone water supply unit 100 has a function of generating ozone water and a function of supplying the generated ozone water to the wafer W through the nozzle N1. The ozone water supply unit 100 includes an ozone gas supply unit 110 , a conditioning liquid supply unit 120 , a dissolution unit 130 , and a liquid supply unit 140 .

オゾンガス供給部１１０は、酸素からオゾンガスを生成するように構成されている。オゾンガス供給部１１０は、配管Ｄ１を介して溶解部１３０に接続されており、生成したオゾンガスを溶解部１３０に供給する。調整液供給部１２０は、液源１２１，１２２と、循環タンク１２３と、ポンプ１２４と、ヒータ１２５と、水素イオン濃度モニタ１２６と、バルブＶ１～Ｖ３とを含む。 The ozone gas supply unit 110 is configured to generate ozone gas from oxygen. The ozone gas supply unit 110 is connected to the dissolving unit 130 via the pipe D1 and supplies the generated ozone gas to the dissolving unit 130 . The adjustment liquid supply unit 120 includes liquid sources 121 and 122, a circulation tank 123, a pump 124, a heater 125, a hydrogen ion concentration monitor 126, and valves V1 to V3.

液源１２１は、酸性溶液を貯留するように構成されている。酸性溶液は、有機酸（例えば、クエン酸、酢酸、炭酸）の溶液であってもよいし、無機酸（例えば、塩酸、硝酸）の溶液であってもよいし、有機酸と無機酸とが混合された溶液であってもよい。有機酸と無機酸（例えば塩酸）とが混合されてなる酸性溶液を用いる場合、レジストの溶解性が高まりうる。液源１２１は、配管Ｄ２を介して循環タンク１２３に接続されており、酸性溶液を循環タンク１２３に供給する。 The liquid source 121 is configured to store an acidic solution. The acidic solution may be a solution of an organic acid (eg, citric acid, acetic acid, carbonic acid), a solution of an inorganic acid (eg, hydrochloric acid, nitric acid), or a mixture of an organic acid and an inorganic acid. It may be a mixed solution. When using an acidic solution in which an organic acid and an inorganic acid (for example, hydrochloric acid) are mixed, the solubility of the resist can be enhanced. The liquid source 121 is connected to the circulation tank 123 via the pipe D2 and supplies the acid solution to the circulation tank 123 .

液源１２２は、水（例えば、純水、ＤＩＷ（Deionized Water））を貯留するように構成されている。液源１２２は、配管Ｄ２，Ｄ３を介して循環タンク１２３に接続されており、水を循環タンク１２３に供給する。配管Ｄ３は、配管Ｄ２の中途に接続されていてもよい。この場合、配管Ｄ２，Ｄ３の合流部分において酸性溶液と水とが混合され、調整液が生成される。調整液は、所定の水素イオン濃度を示すように調整される。調整液の水素イオン濃度は、例えば、液源１２１から供給される酸性溶液の流量及び濃度と、液源１２２から供給される水の流量とに基づいて調整されてもよい。調整液の水素イオン濃度は、例えば、ｐＨ１～ｐＨ４程度であってもよい。 The liquid source 122 is configured to store water (eg, pure water, DIW (Deionized Water)). The liquid source 122 is connected to the circulation tank 123 through the pipes D2 and D3 and supplies water to the circulation tank 123 . The pipe D3 may be connected to the middle of the pipe D2. In this case, the acidic solution and water are mixed at the confluence of the pipes D2 and D3 to generate the adjustment liquid. The adjustment liquid is adjusted to exhibit a predetermined hydrogen ion concentration. The hydrogen ion concentration of the adjustment liquid may be adjusted, for example, based on the flow rate and concentration of the acidic solution supplied from the liquid source 121 and the flow rate of water supplied from the liquid source 122 . The hydrogen ion concentration of the adjustment liquid may be, for example, about pH 1 to pH 4.

循環タンク１２３は、調整液を一時的に貯留しつつ、配管Ｄ４を通じて調整液を循環させるように構成されている。調整液が循環タンク１２３及び配管Ｄ４を通じて循環することで、循環の過程で水と酸性溶液とが十分均一に混合されうる。 The circulation tank 123 is configured to temporarily store the adjustment liquid and circulate the adjustment liquid through the pipe D4. By circulating the adjustment liquid through the circulation tank 123 and the pipe D4, the water and the acid solution can be sufficiently uniformly mixed in the process of circulation.

配管Ｄ４は、循環タンク１２３の下部と上部とをつないでいる。配管Ｄ４には、ポンプ１２４と、ヒータ１２５と、水素イオン濃度モニタ１２６と、バルブＶ３とが上流側から順に接続されている。ポンプ１２４は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ４を通じて循環タンク１２３内の調整液を下流側に送液するように構成されている。ヒータ１２５は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、調整液が所定温度（例えば、２２℃～８５℃程度）となるように調整液を加熱するように構成されている。 A pipe D4 connects the lower part and the upper part of the circulation tank 123 . A pump 124, a heater 125, a hydrogen ion concentration monitor 126, and a valve V3 are connected to the pipe D4 in this order from the upstream side. The pump 124 is configured to operate based on a control signal from the control device 4 and feed the adjustment liquid in the circulation tank 123 downstream through the pipe D4. The heater 125 is configured to operate based on a control signal from the control device 4 and heat the adjustment liquid so that the adjustment liquid reaches a predetermined temperature (for example, about 22° C. to 85° C.).

水素イオン濃度モニタ１２６は、配管Ｄ４を流れる調整液の水素イオン濃度のデータを取得するように構成されている。水素イオン濃度モニタ１２６によって取得されたデータは、制御装置４に送信される。 The hydrogen ion concentration monitor 126 is configured to acquire hydrogen ion concentration data of the adjustment liquid flowing through the pipe D4. Data acquired by the hydrogen ion concentration monitor 126 is transmitted to the control device 4 .

バルブＶ１～Ｖ３はそれぞれ、配管Ｄ２～Ｄ４の中途に設けられている。バルブＶ１は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ２を流れる酸性溶液の流量を制御するように構成されている。バルブＶ２は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ３を流れる水の流量を制御するように構成されている。 The valves V1 to V3 are provided midway along the pipes D2 to D4, respectively. The valve V1 is configured to operate based on a control signal from the control device 4 and control the flow rate of the acidic solution flowing through the pipe D2. The valve V2 is configured to operate based on a control signal from the control device 4 and control the flow rate of water flowing through the pipe D3.

バルブＶ３は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、調整液が配管Ｄ４及び循環タンク１２３を循環する流路と、調整液が循環タンク１２３から配管Ｄ４，Ｄ５を通じて溶解部１３０に送液される流路とを切り替え可能に構成されている。バルブＶ３は、例えば、３方向電磁弁（ソレノイドバルブ）であってもよい。配管Ｄ５は、バルブＶ３と溶解部１３０とを接続している。 The valve V3 is operated based on a control signal from the control device 4, and has a channel through which the adjustment liquid circulates through the pipe D4 and the circulation tank 123, and the adjustment liquid is sent from the circulation tank 123 to the dissolving section 130 through the pipes D4 and D5. It is configured to be switchable between the flow path in which the liquid is supplied. Valve V3 may be, for example, a three-way electromagnetic valve (solenoid valve). A pipe D5 connects the valve V3 and the dissolving section 130 .

溶解部１３０は、オゾンガス供給部１１０から供給されたオゾンガスを、調整液供給部１２０から供給された調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成されている。溶解部１３０は、例えば、多孔質膜の１次側にオゾンガスを流し、多孔質膜の２次側に水を流すことで気液を接触させて、オゾンガスを水に溶解させる溶解モジュールであってもよい。 The dissolving unit 130 is configured to dissolve the ozone gas supplied from the ozone gas supply unit 110 in the adjustment liquid supplied from the adjustment liquid supply unit 120 to generate ozone water. The dissolution unit 130 is, for example, a dissolution module that causes ozone gas to flow on the primary side of the porous membrane and water to flow on the secondary side of the porous membrane to bring the gas and liquid into contact and dissolve the ozone gas in water. good too.

送液部１４０は、溶解部１３０において生成されたオゾン水を、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃ又は排液部４００に送液する機能を有する。送液部１４０は、配管Ｄ６～Ｄ９（送液ライン）と、補助ヒータ１４１と、温度モニタ１４２と、オゾン濃度モニタ１４３と、バルブＶ４～Ｖ６とを含む。 The liquid sending unit 140 has a function of sending the ozone water generated in the dissolving unit 130 to each of the processing units 16A to 16C or the liquid draining unit 400 . The liquid feeding unit 140 includes pipes D6 to D9 (liquid feeding lines), an auxiliary heater 141, a temperature monitor 142, an ozone concentration monitor 143, and valves V4 to V6.

配管Ｄ６は、溶解部１３０と排液部４００とを接続するように延びている。配管Ｄ６には、補助ヒータ１４１と、温度モニタ１４２と、オゾン濃度モニタ１４３とが上流側から順に接続されている。補助ヒータ１４１は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、オゾン水が所定温度（例えば、２２℃～８５℃程度）となるようにオゾン水を加熱するように構成されている。温度モニタ１４２は、配管Ｄ６を流れるオゾン水の温度のデータを取得するように構成されている。温度モニタ１４２によって取得されたデータは、制御装置４に送信される。 The pipe D6 extends to connect the dissolving section 130 and the drain section 400 . An auxiliary heater 141, a temperature monitor 142, and an ozone concentration monitor 143 are connected to the pipe D6 in this order from the upstream side. The auxiliary heater 141 operates based on a control signal from the control device 4 and is configured to heat the ozonated water to a predetermined temperature (for example, about 22° C. to 85° C.). The temperature monitor 142 is configured to acquire temperature data of the ozone water flowing through the pipe D6. Data acquired by the temperature monitor 142 is transmitted to the controller 4 .

オゾン濃度モニタ１４３は、配管Ｄ６を流れるオゾン水のオゾン濃度のデータを取得するように構成されている。すなわち、オゾン濃度モニタ１４３は、溶解部１３０の下流側におけるオゾン水のオゾン濃度のデータを取得する。オゾン濃度モニタ１４３によって取得されたデータは、制御装置４に送信される。オゾン濃度モニタ１４３は、溶解部１３０からオゾン濃度モニタ１４３までの経路長と、溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃまで（各ノズルＮ１まで）の各経路長とが略同等となる位置に設定されてもよい。 The ozone concentration monitor 143 is configured to acquire data on the ozone concentration of the ozone water flowing through the pipe D6. That is, the ozone concentration monitor 143 acquires data on the ozone concentration of the ozonized water on the downstream side of the dissolving section 130 . Data acquired by the ozone concentration monitor 143 is transmitted to the control device 4 . The ozone concentration monitor 143 is set at a position where the path length from the dissolving section 130 to the ozone concentration monitor 143 and each path length from the dissolving section 130 to each processing unit 16A to 16C (to each nozzle N1) are substantially equal. may be

配管Ｄ７～Ｄ９はそれぞれ、配管Ｄ６の中途から分岐して、各処理ユニット１６Ａ～１６ＣのノズルＮ１に接続されている。配管Ｄ７，Ｄ８はそれぞれ、所定の経路長を確保するための調整部Ｄ７ａ，Ｄ８ａを含んでいてもよい。調整部Ｄ７ａ，Ｄ８ａは、例えば、配管Ｄ７，Ｄ８が部分的に蛇行したものであってもよいし、配管Ｄ７，Ｄ８が部分的に螺旋状に延びたものであってもよい。これらの調整部Ｄ７ａ，Ｄ８ａの存在により、溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃまで（各ノズルＮ１まで）の各経路長がいずれも略同等とされてもよい。なお、配管Ｄ９も調整部を含んでいてもよい。 The pipes D7 to D9 branch off from the middle of the pipe D6 and are connected to the nozzles N1 of the respective processing units 16A to 16C. The pipes D7 and D8 may respectively include adjusting portions D7a and D8a for ensuring predetermined path lengths. The adjustment portions D7a and D8a may be, for example, the pipes D7 and D8 that partially meander, or the pipes D7 and D8 that partially extend spirally. Due to the existence of these adjusting sections D7a and D8a, the path lengths from the dissolving section 130 to the processing units 16A to 16C (to the nozzles N1) may be substantially the same. Note that the pipe D9 may also include an adjustment section.

バルブＶ４～Ｖ６はそれぞれ、配管Ｄ７～Ｄ９の中途に設けられている。バルブＶ４～Ｖ６は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ７～Ｄ９を流れるオゾン水にアルカリ性溶液供給部２００から供給されるアルカリ調整液を混合するように構成されている。バルブＶ４～Ｖ６は、例えば、混合水栓（ミキシングバルブ）であってもよい。 The valves V4 to V6 are provided in the middle of the pipes D7 to D9, respectively. The valves V4 to V6 are configured to operate based on control signals from the control device 4, and to mix the ozone water flowing through the pipes D7 to D9 with the alkaline adjustment liquid supplied from the alkaline solution supply unit 200. Valves V4-V6 may be, for example, mixing faucets.

［アルカリ性溶液供給部］
アルカリ性溶液供給部２００は、アルカリ調整液を生成する機能と、生成したアルカリ調整液をウエハＷにノズルＮ１を通じて供給する機能とを有する。アルカリ性溶液供給部２００は、液源２０１，２０２と、循環タンク２０３と、ポンプ２０４と、ヒータ２０５と、水素イオン濃度モニタ２０６と、バルブＶ７，Ｖ８とを含む。[Alkaline solution supply part]
The alkaline solution supply unit 200 has a function of generating an alkali adjusting solution and a function of supplying the generated alkali adjusting solution to the wafer W through the nozzle N1. The alkaline solution supply unit 200 includes liquid sources 201 and 202, a circulation tank 203, a pump 204, a heater 205, a hydrogen ion concentration monitor 206, and valves V7 and V8.

液源２０１は、アルカリ性溶液を貯留するように構成されている。アルカリ性溶液は、例えばアンモニア水であってもよい。液源２０１は、配管Ｄ１０を介して循環タンク２０３に接続されており、アルカリ性溶液を循環タンク２０３に供給する。 The liquid source 201 is configured to store an alkaline solution. The alkaline solution may be, for example, aqueous ammonia. The liquid source 201 is connected to the circulation tank 203 via the pipe D10, and supplies the alkaline solution to the circulation tank 203.

液源２０２は、液源１２２と同様に、水（例えば、純水、ＤＩＷ（Deionized Water））を貯留するように構成されている。液源２０２は、配管Ｄ１０，Ｄ１１を介して循環タンク２０３に接続されており、水を循環タンク２０３に供給する。配管Ｄ１１は、配管Ｄ１０の中途に接続されていてもよい。この場合、配管Ｄ１０，Ｄ１１の合流部分においてアルカリ性溶液と水とが混合され、アルカリ調整液が生成される。アルカリ調整液は、所定の水素イオン濃度を示すように調整される。調整液の水素イオン濃度は、例えば、液源２０１から供給されるアルカリ性溶液の流量及び濃度と、液源１２２から供給される水の流量とに基づいて調整されてもよい。アルカリ調整液の水素イオン濃度は、例えば、ｐＨ９～ｐＨ１３程度であってもよい。 Like the liquid source 122, the liquid source 202 is configured to store water (for example, pure water, DIW (Deionized Water)). The liquid source 202 is connected to the circulation tank 203 via pipes D10 and D11 and supplies water to the circulation tank 203 . The pipe D11 may be connected to the middle of the pipe D10. In this case, the alkaline solution and water are mixed at the confluence portion of the pipes D10 and D11 to generate the alkali adjusting solution. The alkali-adjusting liquid is adjusted so as to exhibit a predetermined hydrogen ion concentration. The hydrogen ion concentration of the adjustment liquid may be adjusted, for example, based on the flow rate and concentration of the alkaline solution supplied from the liquid source 201 and the flow rate of water supplied from the liquid source 122 . The hydrogen ion concentration of the alkali adjusting liquid may be, for example, about pH9 to pH13.

循環タンク２０３は、アルカリ調整液を一時的に貯留しつつ、配管Ｄ１２を通じてアルカリ調整液を循環させるように構成されている。アルカリ調整液が循環タンク２０３及び配管Ｄ１２を通じて循環することで、循環の過程で水とアルカリ性溶液とが十分均一に混合されうる。 The circulation tank 203 is configured to temporarily store the alkali adjusting liquid and circulate the alkali adjusting liquid through the pipe D12. By circulating the alkali-adjusting liquid through the circulation tank 203 and the pipe D12, the water and the alkaline solution can be sufficiently uniformly mixed in the process of circulation.

配管Ｄ１２は、循環タンク２０３の下部と上部とをつないでいる。配管Ｄ１２には、ポンプ２０４と、ヒータ２０５と、水素イオン濃度モニタ２０６とが上流側から順に接続されている。ポンプ２０４は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１２を通じて循環タンク２０３内の調整液を下流側に送液するように構成されている。ヒータ２０５は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、アルカリ調整液が所定温度（例えば、２２℃～８５℃程度）となるようにアルカリ調整液を加熱するように構成されている。 A pipe D<b>12 connects the lower part and the upper part of the circulation tank 203 . A pump 204, a heater 205, and a hydrogen ion concentration monitor 206 are connected to the pipe D12 in this order from the upstream side. The pump 204 is configured to operate based on a control signal from the control device 4 and feed the adjustment liquid in the circulation tank 203 downstream through the pipe D12. The heater 205 is configured to operate based on a control signal from the control device 4 and heat the alkali adjusting liquid so that the alkali adjusting liquid reaches a predetermined temperature (for example, about 22° C. to 85° C.).

水素イオン濃度モニタ２０６は、配管Ｄ１２を流れるアルカリ調整液の水素イオン濃度のデータを取得するように構成されている。水素イオン濃度モニタ２０６によって取得されたデータは、制御装置４に送信される。 The hydrogen ion concentration monitor 206 is configured to acquire hydrogen ion concentration data of the alkali adjusting liquid flowing through the pipe D12. Data acquired by the hydrogen ion concentration monitor 206 is transmitted to the control device 4 .

配管Ｄ１２には、その中途からそれぞれ分岐した配管Ｄ１３～Ｄ１５が接続されている。配管Ｄ１２から分岐した配管Ｄ１３は、バルブＶ４に接続されている。配管Ｄ１３の下流側において配管Ｄ１２から分岐した配管Ｄ１４は、バルブＶ５に接続されている。配管Ｄ１４の下流側において配管Ｄ１２から分岐した配管Ｄ１５は、バルブＶ６に接続されている。そのため、アルカリ性溶液供給部２００から供給されるアルカリ調整液は、各バルブＶ４～Ｖ６において、オゾン水供給部１００から供給されるオゾン水と混合される。 The pipe D12 is connected to pipes D13 to D15 branched from the middle thereof. A pipe D13 branched from the pipe D12 is connected to a valve V4. A pipe D14 branched from the pipe D12 on the downstream side of the pipe D13 is connected to the valve V5. A pipe D15 branched from the pipe D12 on the downstream side of the pipe D14 is connected to the valve V6. Therefore, the alkaline adjustment liquid supplied from the alkaline solution supply unit 200 is mixed with the ozonized water supplied from the ozonized water supply unit 100 at the valves V4 to V6.

バルブＶ７，Ｖ８はそれぞれ、配管Ｄ１０，Ｄ１１の中途に設けられている。バルブＶ７は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１０を流れるアルカリ性溶液の流量を制御するように構成されている。バルブＶ８は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１１を流れる水の流量を制御するように構成されている。 Valves V7 and V8 are provided in the middle of pipes D10 and D11, respectively. The valve V7 is configured to operate based on a control signal from the control device 4 and control the flow rate of the alkaline solution flowing through the pipe D10. The valve V8 is configured to operate based on a control signal from the control device 4 and control the flow rate of water flowing through the pipe D11.

［リンス液供給部］
リンス液供給部３００は、リンス液をウエハＷにノズルＮ２を通じて供給する機能を有する。リンス液供給部３００は、液源３０１と、ポンプ３０２と、バルブＶ９～Ｖ１１とを含む。液源３０１は、リンス液を貯留するように構成されている。リンス液は、例えば、薬液、基板に付着している付着物などを洗い流すためのものである。リンス液は、水（例えば、純水、ＤＩＷ（Deionized Water））であってもよい。液源３０１は、配管Ｄ１６～Ｄ１９を介して各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに向けて延びている。配管Ｄ１７～Ｄ１９はそれぞれ、配管Ｄ１６の中途から分岐して、各処理ユニット１６Ａ～１６ＣのノズルＮ２に接続されている。そのため、液源３０１から供給されるリンス液は、各処理ユニット１６Ａ～１６ＣのノズルＮ２に供給される。[Rinse liquid supply part]
The rinse liquid supply unit 300 has a function of supplying the rinse liquid to the wafer W through the nozzle N2. The rinse liquid supply unit 300 includes a liquid source 301, a pump 302, and valves V9 to V11. The liquid source 301 is configured to store the rinse liquid. The rinsing liquid is used to wash away, for example, chemical liquids and substances adhering to the substrate. The rinse liquid may be water (eg, pure water, DIW (Deionized Water)). The liquid source 301 extends toward each of the processing units 16A-16C via pipes D16-D19. The pipes D17 to D19 branch off from the middle of the pipe D16 and are connected to the nozzles N2 of the processing units 16A to 16C. Therefore, the rinse liquid supplied from the liquid source 301 is supplied to the nozzles N2 of the processing units 16A to 16C.

ポンプ３０２は、配管Ｄ１６の中途に設けられている。ポンプ３０２は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１６を通じてリンス液を下流側に送液するように構成されている。バルブＶ９～Ｖ１１はそれぞれ、配管Ｄ１７～Ｄ１９の中途に設けられている。バルブＶ９～Ｖ１１はそれぞれ、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１７～Ｄ１９を流れるリンス液の流通量を制御するように構成されている。 The pump 302 is provided in the middle of the pipe D16. The pump 302 is configured to operate based on a control signal from the control device 4 and feed the rinse liquid downstream through the pipe D16. The valves V9 to V11 are provided midway along the pipes D17 to D19, respectively. The valves V9 to V11 are configured to operate based on control signals from the control device 4, respectively, and control the flow rate of the rinse liquid flowing through the pipes D17 to D19.

［排液部］
排液部４００は、排液処理ユニット４０１と、バルブＶ１２とを含む。排液処理ユニット４０１は、オゾン水に含まれるオゾンを酸素に分解するように構成されている。オゾンの分解には、例えば、オゾン分解触媒、活性炭などを用いてもよい。排液処理ユニット４０１は、配管Ｄ６によって、溶解部１３０と接続されている。そのため、排液処理ユニット４０１には、配管Ｄ６を通じて、オゾン水供給部１００において生成されたがノズルＮ１に供給されなかったオゾン水が流入する。バルブＶ１２は、配管Ｄ６の中途に設けられている。バルブＶ１２は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１６を流れるオゾン水の流量を制御するように構成されている。[Drainage part]
The drainage section 400 includes a drainage treatment unit 401 and a valve V12. The waste liquid treatment unit 401 is configured to decompose ozone contained in ozone water into oxygen. For decomposition of ozone, for example, an ozone decomposition catalyst, activated carbon, or the like may be used. The waste liquid processing unit 401 is connected to the dissolving section 130 via a pipe D6. Therefore, the ozonized water generated in the ozonized water supply unit 100 but not supplied to the nozzle N1 flows into the waste liquid treatment unit 401 through the pipe D6. The valve V12 is provided in the middle of the pipe D6. The valve V12 is configured to operate based on a control signal from the control device 4 and control the flow rate of the ozone water flowing through the pipe D16.

排液処理ユニット４０１は、三つに分岐された配管Ｄ２０によって、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃと接続されている。そのため、排液処理ユニット４０１には、配管Ｄ２０を通じて、各処理ユニット１６Ａ～１６ＣにおいてウエハＷの洗浄処理に供されたオゾン水が流入する。排液処理ユニット４０１による処理済みの液体は、系外に排出される。 The waste liquid processing unit 401 is connected to each of the processing units 16A to 16C by a pipe D20 branched into three. Therefore, the ozone water used for cleaning the wafer W in each of the processing units 16A to 16C flows into the waste liquid processing unit 401 through the pipe D20. The liquid treated by the waste liquid treatment unit 401 is discharged outside the system.

［排気部］
排気部５００は、排気処理ユニット５０１と、ポンプ５０２とを含む。排気処理ユニット５０１は、オゾンガスを酸素に分解するように構成されている。オゾンの分解には、例えば、オゾン分解触媒、活性炭などを用いてもよい。排気処理ユニット５０１は、三つに分岐された配管Ｄ２１によって、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃと接続されている。そのため、排気処理ユニット５０１には、配管Ｄ２１を通じて、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃでの洗浄処理に際して内部に発生したオゾンガスが流入する。排気処理ユニット５０１による処理済みの気体は、系外に排出される。[Exhaust part]
The exhaust section 500 includes an exhaust processing unit 501 and a pump 502 . The exhaust treatment unit 501 is configured to decompose ozone gas into oxygen. For decomposition of ozone, for example, an ozone decomposition catalyst, activated carbon, or the like may be used. The exhaust processing unit 501 is connected to each of the processing units 16A to 16C by three branched pipes D21. Therefore, the ozone gas generated inside during the cleaning process in each of the processing units 16A to 16C flows into the exhaust processing unit 501 through the pipe D21. The gas treated by the exhaust treatment unit 501 is discharged outside the system.

ポンプ５０２は、配管Ｄ２１の中途に設けられている。ポンプ５０２は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ２１を通じてオゾンガスを下流側に送気するように構成されている。 The pump 502 is provided in the middle of the pipe D21. The pump 502 is configured to operate based on a control signal from the control device 4 and feed the ozone gas downstream through the pipe D21.

［制御装置］
制御装置４は、例えば図３に示されるように、基板処理装置１０を制御するための機能的な構成（機能モジュール）として、水素イオン濃度制御部Ｍ１と、送液制御部Ｍ２と、排液制御部Ｍ３と、排気制御部Ｍ４とを含む。これらの機能モジュールは、制御装置４の制御部１８および記憶部１９の協働により構成される。なお、記憶部１９は、例えば、記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、ウエハＷを処理する際の各種データ（いわゆる処理レシピ）、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶していてもよい。[Control device]
As shown in FIG. 3, for example, the control device 4 has a functional configuration (functional modules) for controlling the substrate processing apparatus 10, including a hydrogen ion concentration control section M1, a liquid transfer control section M2, and a liquid discharge control section M2. It includes a controller M3 and an exhaust controller M4. These functional modules are configured by cooperation of the control section 18 and the storage section 19 of the control device 4 . The storage unit 19 stores, for example, programs read from the recording medium RM, various data (so-called processing recipes) for processing the wafer W, and setting data input by an operator via an external input device (not shown). etc. may be stored.

水素イオン濃度制御部Ｍ１は、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度に応じて、調整液供給部１２０において生成される調整液の水素イオン濃度を調節するように、調整液供給部１２０を制御してもよい。ところで、調整液の水素イオン濃度が高いほど（ｐＨが低いほど）、調整液にオゾンガスが溶解しやすいことが知られている。そのため、例えば、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度が所定値よりも低い場合には、水素イオン濃度制御部Ｍ１は、バルブＶ１，Ｖ２に指示して、液源１２１からの酸性溶液の供給量を増やすことと、液源１２２からの水の供給量を減らすこととの少なくとも一方を実行してもよい。例えば、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度が所定値よりも高い場合には、水素イオン濃度制御部Ｍ１は、バルブＶ１，Ｖ２に指示して、液源１２１からの酸性溶液の供給量を減らすことと、液源１２２からの水の供給量を増やすこととの少なくとも一方を実行してもよい。 The hydrogen ion concentration control unit M1 controls the adjustment liquid supply unit 120 so as to adjust the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid generated in the adjustment liquid supply unit 120 according to the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor 143. may Incidentally, it is known that the higher the concentration of hydrogen ions in the adjustment liquid (the lower the pH), the easier it is for ozone gas to dissolve in the adjustment liquid. Therefore, for example, when the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor 143 is lower than a predetermined value, the hydrogen ion concentration control unit M1 instructs the valves V1 and V2 to change the supply amount of the acidic solution from the liquid source 121 to and/or reducing the amount of water supplied from the liquid source 122 . For example, when the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor 143 is higher than a predetermined value, the hydrogen ion concentration control unit M1 instructs the valves V1 and V2 to reduce the supply amount of the acidic solution from the liquid source 121. and/or increasing the supply of water from the liquid source 122 .

水素イオン濃度制御部Ｍ１は、水素イオン濃度モニタ２０６が取得する水素イオン濃度に応じて、アルカリ性溶液供給部２００において生成されるアルカリ調整液の水素イオン濃度を調節するように、アルカリ性溶液供給部２００を制御してもよい。例えば、オゾン濃度モニタ１４３が取得する水素イオン濃度が所定値よりも高い場合には、水素イオン濃度制御部Ｍ１は、バルブＶ７，Ｖ８に指示して、液源２０１からのアルカリ性溶液の供給量を増やすことと、液源２０２からの水の供給量を減らすこととの少なくとも一方を実行してもよい。例えば、水素イオン濃度モニタ２０６が取得する水素イオン濃度が所定値よりも低い場合には、水素イオン濃度制御部Ｍ１は、バルブＶ７，Ｖ８に指示して、液源２０１からのアルカリ性溶液の供給量を減らすことと、液源２０２からの水の供給量を増やすこととの少なくとも一方を実行してもよい。 The hydrogen ion concentration control unit M1 controls the alkaline solution supply unit 200 so as to adjust the hydrogen ion concentration of the alkali adjustment liquid generated in the alkaline solution supply unit 200 according to the hydrogen ion concentration acquired by the hydrogen ion concentration monitor 206. may be controlled. For example, when the hydrogen ion concentration acquired by the ozone concentration monitor 143 is higher than a predetermined value, the hydrogen ion concentration control unit M1 instructs the valves V7 and V8 to reduce the supply amount of the alkaline solution from the liquid source 201. At least one of increasing and decreasing the supply of water from the liquid source 202 may be performed. For example, when the hydrogen ion concentration acquired by the hydrogen ion concentration monitor 206 is lower than a predetermined value, the hydrogen ion concentration control unit M1 instructs the valves V7 and V8 to control the supply amount of the alkaline solution from the liquid source 201. and/or increasing the supply of water from the liquid source 202 may be performed.

送液制御部Ｍ２は、循環タンク１２３及び配管Ｄ４を通じた調整液の循環と、調整液の溶解部１３０への供給とを切り替えるように、ポンプ１２４及びバルブＶ３を制御してもよい。送液制御部Ｍ２は、温度モニタ１４２が取得する温度が所定値以上であり、水素イオン濃度モニタ１２６，２０６が取得する水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度が所定値以上であるときに、溶解部１３０において生成されたオゾン水を処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液するように、ポンプ１２４及びバルブＶ３～Ｖ６を制御してもよい。このとき、送液制御部Ｍ２は、アルカリ性溶液供給部２００において生成されたアルカリ調整液がオゾン水に混合されるように、バルブＶ３～Ｖ６を制御してもよい。送液制御部Ｍ２は、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃのいずれか一つにオゾン水が送液されている場合に、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの残余にオゾン水を送液しないように、バルブＶ３～Ｖ６を制御してもよい。送液制御部Ｍ２は、液源３０１のリンス液を処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液するように、バルブＶ９～Ｖ１１を制御してもよい。 The liquid transfer controller M2 may control the pump 124 and the valve V3 so as to switch between circulation of the adjustment liquid through the circulation tank 123 and the pipe D4 and supply of the adjustment liquid to the dissolving section . The liquid sending control unit M2 determines that the temperature obtained by the temperature monitor 142 is equal to or higher than a predetermined value, the hydrogen ion concentration obtained by the hydrogen ion concentration monitors 126 and 206 is equal to or higher than a predetermined value, and the ozone concentration monitor 143 obtains The pump 124 and the valves V3 to V6 may be controlled so that the ozone water generated in the dissolving section 130 is sent to at least one of the processing units 16A to 16C when the ozone concentration is equal to or higher than a predetermined value. . At this time, the liquid supply controller M2 may control the valves V3 to V6 so that the alkaline adjustment liquid generated in the alkaline solution supply section 200 is mixed with the ozone water. The liquid feed controller M2 controls the valves V3 to V6 so as not to feed the ozonized water to the rest of the processing units 16A to 16C when the ozonized water is fed to any one of the processing units 16A to 16C. may be controlled. The liquid transfer controller M2 may control the valves V9 to V11 so as to transfer the rinse liquid from the liquid source 301 to at least one of the processing units 16A to 16C.

排液制御部Ｍ３は、オゾン水が処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するようにバルブＶ１２を制御してもよい。排液制御部Ｍ３は、温度モニタ１４２が取得する温度が所定値未満であり、水素イオン濃度モニタ１２６，２０６が取得する水素イオン濃度が所定値未満であり、又は、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度が所定値未満であるときに、溶解部１３０において生成されたオゾン水を系外に排出するようにバルブＶ１２を制御してもよい。あるいは、排液制御部Ｍ３は、オゾン水が処理ユニット１６Ａ～１６Ｃのいずれにも送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するようにバルブＶ１２を制御してもよい。 The liquid discharge controller M3 may control the valve V12 so as to discharge the ozone water to the outside of the system when the ozone water is not sent to at least one of the processing units 16A to 16C. The drainage controller M3 determines that the temperature acquired by the temperature monitor 142 is less than a predetermined value, the hydrogen ion concentration acquired by the hydrogen ion concentration monitors 126 and 206 is less than a predetermined value, or the ozone concentration monitor 143 acquires The valve V12 may be controlled to discharge the ozone water generated in the dissolving section 130 to the outside of the system when the ozone concentration is less than a predetermined value. Alternatively, the liquid discharge controller M3 may control the valve V12 so as to discharge the ozone water to the outside of the system when the ozone water is not sent to any of the processing units 16A to 16C.

排気制御部Ｍ４は、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃ内の気体を吸引して系外に排出するようにポンプ５０２を制御してもよい。 The exhaust controller M4 may control the pump 502 so as to suck the gas in the processing units 16A to 16C and exhaust it outside the system.

制御装置４のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。制御装置４は、ハードウェア上の構成として、例えば図４に示される回路４Ａを有する。回路４Ａは、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路４Ａは、具体的には、プロセッサ４Ｂと、メモリ４Ｃ（記憶部）と、ストレージ４Ｄ（記憶部）と、入出力ポート４Ｅとを有する。プロセッサ４Ｂは、メモリ４Ｃ及びストレージ４Ｄの少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート４Ｅを介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート４Ｅは、プロセッサ４Ｂ、メモリ４Ｃ及びストレージ４Ｄと、基板処理装置１０の各部との間で、信号の入出力を行う。 The hardware of the control device 4 is composed of, for example, one or more control computers. The control device 4 has, for example, a circuit 4A shown in FIG. 4 as a hardware configuration. The circuit 4A may be composed of electrical circuitry. Specifically, the circuit 4A has a processor 4B, a memory 4C (storage section), a storage 4D (storage section), and an input/output port 4E. The processor 4B cooperates with at least one of the memory 4C and the storage 4D to execute a program and input/output signals via the input/output port 4E, thereby configuring each functional module described above. The input/output port 4E performs signal input/output between the processor 4B, the memory 4C, the storage 4D, and each part of the substrate processing apparatus 10. FIG.

基板処理装置１０は、例えば、一つの制御装置４を備えていてもよいし、複数の制御装置４で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理装置１０がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つの制御装置４によって実現されていてもよいし、２個以上の制御装置４の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置４が複数のコンピュータ（回路４Ａ）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路４Ａ）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路４Ａ）の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置４は、複数のプロセッサ４Ｂを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つ又は複数のプロセッサ４Ｂによって実現されていてもよい。 The substrate processing apparatus 10 may include, for example, one controller 4 or may include a controller group (control section) composed of a plurality of controllers 4 . When the substrate processing apparatus 10 includes a controller group, each of the above functional modules may be implemented by one control device 4, or may be implemented by a combination of two or more control devices 4. good too. When the control device 4 is composed of a plurality of computers (circuits 4A), each of the above functional modules may be realized by one computer (circuits 4A), or may be realized by two or more computers (circuits 4A). 4A) may be realized by a combination. The controller 4 may have multiple processors 4B. In this case, each of the above functional modules may be implemented by one or more processors 4B.

［基板処理方法］
続いて、図５を参照して、ウエハＷの洗浄処理方法（基板処理方法）について説明する。まず、ウエハＷを洗浄処理するための準備処理を行う（ステップＳ１参照）。準備処理では、送液制御部Ｍ２及び排液制御部Ｍ３が、水素イオン濃度モニタ１２６、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３から入力されるデータに基づいて、ポンプ１２４及びバルブＶ１２を制御する。[Substrate processing method]
Next, a cleaning processing method (substrate processing method) for the wafer W will be described with reference to FIG. First, a preparatory process for cleaning the wafer W is performed (see step S1). In the preparatory process, the liquid transfer control unit M2 and the liquid discharge control unit M3 control the pump 124 and the valve V12 based on data input from the hydrogen ion concentration monitor 126, the temperature monitor 142 and the ozone concentration monitor 143.

例えば、送液制御部Ｍ２及び排液制御部Ｍ３は、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３が取得するデータのいずれもが所定値以上であるか否かを判断する。その結果、水素イオン濃度モニタ１２６、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３が取得するデータのいずれかが所定値未満である場合には、オゾン水を処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに送液せず系外に排出するように、送液制御部Ｍ２がバルブＶ４～Ｖ６を閉鎖すると共に、排液制御部Ｍ３がバルブＶ１２を開放する。 For example, the liquid supply control unit M2 and the liquid discharge control unit M3 determine whether or not the data acquired by the temperature monitor 142 and the ozone concentration monitor 143 are both equal to or greater than a predetermined value. As a result, if any of the data acquired by the hydrogen ion concentration monitor 126, the temperature monitor 142, and the ozone concentration monitor 143 is less than the predetermined value, the ozone water is not sent to the processing units 16A to 16C and is discharged outside the system. To discharge the liquid, the liquid supply control section M2 closes the valves V4 to V6, and the liquid discharge control section M3 opens the valve V12.

水素イオン濃度モニタ１２６のデータが所定値未満である場合には、調整液の水素イオン濃度が所定値以上となるように、水素イオン濃度制御部Ｍ１がバルブＶ１，Ｖ２を制御してもよい。温度モニタ１４２のデータが所定値未満である場合には、調整液の温度が所定値以上となるように、制御装置４がヒータ１２５を制御してもよい。オゾン濃度モニタ１４３のデータが所定値未満である場合には、オゾン水のオゾン濃度が所定値以上となるように、水素イオン濃度制御部Ｍ１がバルブＶ１，Ｖ２を制御してもよい。 When the data of the hydrogen ion concentration monitor 126 is less than the predetermined value, the hydrogen ion concentration control section M1 may control the valves V1 and V2 so that the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid is equal to or higher than the predetermined value. When the data of the temperature monitor 142 is less than the predetermined value, the control device 4 may control the heater 125 so that the temperature of the adjustment liquid becomes equal to or higher than the predetermined value. When the data of the ozone concentration monitor 143 is less than the predetermined value, the hydrogen ion concentration control section M1 may control the valves V1 and V2 so that the ozone concentration of the ozonized water is equal to or higher than the predetermined value.

一方、水素イオン濃度モニタ１２６、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３が取得するデータのいずれもが所定値以上である場合には、送液制御部Ｍ２及び排液制御部Ｍ３は、ウエハＷを洗浄処理するための準備が整ったものと判断する（準備処理完了）。 On the other hand, when all of the data acquired by the hydrogen ion concentration monitor 126, the temperature monitor 142, and the ozone concentration monitor 143 are equal to or greater than the predetermined value, the liquid supply controller M2 and the liquid discharge controller M3 clean the wafer W. It is determined that preparations for processing are completed (preparation processing completed).

準備処理が完了すると、次に、ウエハＷの搬送処理を行う（ステップＳ２参照）。例えば、キャリアＣ内の一つのウエハＷを処理ユニット１６Ａに搬送するように、制御装置４が基板搬送装置１３，１７を制御する。これにより、処理ユニット１６Ａ内において、ウエハＷが回転保持部１６ｂに保持される。 When the preparation process is completed, next, the transfer process of the wafer W is performed (see step S2). For example, the control device 4 controls the substrate transfer devices 13 and 17 so as to transfer one wafer W in the carrier C to the processing unit 16A. As a result, the wafer W is held by the spin holder 16b in the processing unit 16A.

処理ユニット１６ＡへのウエハＷの搬送処理が完了すると、次に、処理ユニット１６Ａへのオゾン水の供給処理を行う（ステップＳ３参照）。例えば、オゾン水を処理ユニット１６Ａに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ４を開放し且つバルブＶ５，Ｖ６を閉鎖すると共に、排液制御部Ｍ３がバルブＶ１２を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ａ内のウエハＷにノズルＮ１からオゾン水が供給され、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理が行われる。 When the transfer process of the wafer W to the processing unit 16A is completed, next, the ozone water supply process to the processing unit 16A is performed (see step S3). For example, the liquid supply controller M2 opens the valve V4 and closes the valves V5 and V6 so as to supply ozone water to the processing unit 16A, and the liquid discharge controller M3 closes the valve V12. As a result, the ozone water is supplied from the nozzle N1 to the wafer W in the processing unit 16A, and the wafer W is cleaned with the ozone water.

処理ユニット１６Ａへのオゾン水の供給処理と並行して、ウエハＷの搬送処理を行う（ステップＳ３参照）。例えば、キャリアＣ内の一つのウエハＷを処理ユニット１６Ｂに搬送するように、制御装置４が基板搬送装置１３，１７を制御する。これにより、処理ユニット１６Ｂ内において、ウエハＷが回転保持部１６ｂに保持される。 In parallel with the process of supplying the ozone water to the processing unit 16A, the transfer process of the wafer W is performed (see step S3). For example, the control device 4 controls the substrate transfer devices 13 and 17 so as to transfer one wafer W in the carrier C to the processing unit 16B. As a result, the wafer W is held by the spin holder 16b in the processing unit 16B.

処理ユニット１６Ａへのオゾン水の供給処理が完了すると、次に、処理ユニット１６Ａへのリンス液の供給処理を行う（ステップＳ４参照）。例えば、リンス液を処理ユニット１６Ａに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ９を開放し且つバルブＶ１０，Ｖ１１を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ａ内のウエハＷにノズルＮ２からリンス液が供給され、リンス液によるウエハＷのリンス処理が行われる。リンス処理されたウエハＷは、例えば、基板搬送装置１３，１７によってキャリアＣ内に戻されてもよい。 When the process of supplying the ozone water to the processing unit 16A is completed, next, the process of supplying the rinse liquid to the processing unit 16A is performed (see step S4). For example, the liquid transfer controller M2 opens the valve V9 and closes the valves V10 and V11 so as to transfer the rinse liquid to the processing unit 16A. As a result, the rinse liquid is supplied from the nozzle N2 to the wafer W in the processing unit 16A, and the wafer W is rinsed with the rinse liquid. The rinsed wafers W may be returned into the carrier C by the substrate transfer devices 13 and 17, for example.

処理ユニット１６Ａへのリンス液の供給処理と並行して、処理ユニット１６Ｂへのオゾン水の供給処理を行う（ステップＳ４参照）。例えば、オゾン水を処理ユニット１６Ｂに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ５を開放し且つバルブＶ４，Ｖ６を閉鎖すると共に、排液制御部Ｍ３がバルブＶ１２を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ｂ内のウエハＷにノズルＮ１からオゾン水が供給され、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理が行われる。なお、処理ユニット１６Ｂへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット１６Ａ内へのオゾン水が停止された後に行われてもよいし、処理ユニット１６Ａへのリンス液の供給処理が開始された以後に行われてもよい。 In parallel with the process of supplying the rinsing liquid to the processing unit 16A, the process of supplying the ozone water to the processing unit 16B is performed (see step S4). For example, the liquid supply controller M2 opens the valve V5 and closes the valves V4 and V6 so as to supply ozone water to the processing unit 16B, and the liquid discharge controller M3 closes the valve V12. As a result, the ozone water is supplied from the nozzle N1 to the wafer W in the processing unit 16B, and the wafer W is cleaned with the ozone water. The process of supplying ozone water to the processing unit 16B may be performed after the supply of ozone water to the processing unit 16A is stopped, or may be performed after the process of supplying the rinse liquid to the processing unit 16A is started. may be done.

処理ユニット１６Ａへのリンス液の供給処理と並行して、ウエハＷの搬送処理を行う（ステップＳ４参照）。例えば、キャリアＣ内の一つのウエハＷを処理ユニット１６Ｃに搬送するように、制御装置４が基板搬送装置１３，１７を制御する。これにより、処理ユニット１６Ｃ内において、ウエハＷが回転保持部１６ｂに保持される。 In parallel with the process of supplying the rinse liquid to the processing unit 16A, the transfer process of the wafer W is performed (see step S4). For example, the control device 4 controls the substrate transfer devices 13 and 17 so as to transfer one wafer W in the carrier C to the processing unit 16C. As a result, the wafer W is held by the spin holder 16b in the processing unit 16C.

処理ユニット１６Ｂへのオゾン水の供給処理が完了すると、次に、処理ユニット１６Ｂへのリンス液の供給処理を行う（ステップＳ５参照）。例えば、リンス液を処理ユニット１６Ｂに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ１０を開放し且つバルブＶ９，Ｖ１１を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ｂ内のウエハＷにノズルＮ２からリンス液が供給され、リンス液によるウエハＷのリンス処理が行われる。リンス処理されたウエハＷは、例えば、基板搬送装置１３，１７によってキャリアＣ内に戻されてもよい。 When the process of supplying the ozone water to the processing unit 16B is completed, the process of supplying the rinsing liquid to the processing unit 16B is next performed (see step S5). For example, the liquid transfer controller M2 opens the valve V10 and closes the valves V9 and V11 so as to transfer the rinse liquid to the processing unit 16B. As a result, the rinse liquid is supplied from the nozzle N2 to the wafer W in the processing unit 16B, and the wafer W is rinsed with the rinse liquid. The rinsed wafers W may be returned into the carrier C by the substrate transfer devices 13 and 17, for example.

処理ユニット１６Ｂへのリンス液の供給処理と並行して、処理ユニット１６Ｃへのオゾン水の供給処理を行う（ステップＳ５参照）。例えば、オゾン水を処理ユニット１６Ｃに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ６を開放し且つバルブＶ４，Ｖ５を閉鎖すると共に、排液制御部Ｍ３がバルブＶ１２を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ｃ内のウエハＷにノズルＮ１からオゾン水が供給され、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理が行われる。なお、処理ユニット１６Ｃへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット１６Ｂ内へのオゾン水が停止された後に行われてもよいし、処理ユニット１６Ｂへのリンス液の供給処理が開始された以後に行われてもよい。 In parallel with the process of supplying the rinsing liquid to the processing unit 16B, the process of supplying the ozone water to the processing unit 16C is performed (see step S5). For example, the liquid supply controller M2 opens the valve V6 and closes the valves V4 and V5 so as to supply ozone water to the processing unit 16C, and the liquid discharge controller M3 closes the valve V12. As a result, the ozone water is supplied from the nozzle N1 to the wafer W in the processing unit 16C, and the wafer W is cleaned with the ozone water. Note that the process of supplying ozone water to the processing unit 16C may be performed after the supply of ozone water to the processing unit 16B is stopped, or may be performed after the process of supplying the rinse liquid to the processing unit 16B is started. may be done.

処理ユニット１６Ｃへのオゾン水の供給処理が完了すると、次に、処理ユニット１６Ｃへのリンス液の供給処理を行う（ステップＳ６参照）。例えば、リンス液を処理ユニット１６Ｃに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ１１を開放し且つバルブＶ９，Ｖ１０を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ｃ内のウエハＷにノズルＮ２からリンス液が供給され、リンス液によるウエハＷのリンス処理が行われる。リンス処理されたウエハＷは、例えば、基板搬送装置１３，１７によってキャリアＣ内に戻されてもよい。 When the process of supplying the ozone water to the processing unit 16C is completed, the process of supplying the rinsing liquid to the processing unit 16C is next performed (see step S6). For example, the liquid transfer controller M2 opens the valve V11 and closes the valves V9 and V10 so as to transfer the rinse liquid to the processing unit 16C. As a result, the rinse liquid is supplied from the nozzle N2 to the wafer W in the processing unit 16C, and the wafer W is rinsed with the rinse liquid. The rinsed wafers W may be returned into the carrier C by the substrate transfer devices 13 and 17, for example.

［作用］
以上の例によれば、オゾン水の処理ユニット１６への供給直前に溶解部１３０においてオゾン水が生成される。そのため、オゾン水のオゾン濃度が大きく減衰してしまう前に、オゾン水が処理ユニット１６に供給される。従って、安定したオゾン濃度のオゾン水をウエハＷに供給することが可能となる。[Action]
According to the above example, the ozonated water is generated in the dissolving section 130 immediately before the ozonized water is supplied to the treatment unit 16 . Therefore, the ozonated water is supplied to the treatment unit 16 before the ozone concentration of the ozonized water is greatly attenuated. Therefore, it is possible to supply the wafer W with ozone water having a stable ozone concentration.

以上の例によれば、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度に応じて、調整液供給部１２０において生成される調整液の水素イオン濃度が調節される。そのため、オゾン水のオゾン濃度を適切な値に保つことが可能となる。 According to the above example, the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid generated in the adjustment liquid supply section 120 is adjusted according to the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor 143 . Therefore, it is possible to keep the ozone concentration of the ozonated water at an appropriate value.

ところで、オゾン水のオゾン濃度は、溶解部１３０においてオゾン水が生成された直後から減衰しはじめる。そこで、以上の例によれば、溶解部１３０からオゾン濃度モニタ１４３までの経路長は、溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃまでの経路長と略同等とされうる。この場合、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに供給されるときのオゾン水のオゾン濃度を、オゾン濃度モニタ１４３によって間接的に取得することができる。従って、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理をより精度よく行うことが可能となる。 By the way, the ozone concentration of the ozonated water begins to attenuate immediately after the ozonated water is produced in the dissolving section 130 . Therefore, according to the above example, the path length from the dissolving section 130 to the ozone concentration monitor 143 can be substantially the same as the path length from the dissolving section 130 to each of the processing units 16A to 16C. In this case, the ozone concentration monitor 143 can indirectly acquire the ozone concentration of the ozone water when it is supplied to each of the processing units 16A to 16C. Therefore, it is possible to perform the cleaning process of the wafer W with the ozone water with higher accuracy.

以上の例によれば、溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃまでの経路長は略同等とされうる。そのため、オゾン水が溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに到達するまでのオゾン濃度の減衰量が略同等となる。したがって、いずれの処理ユニット１６でウエハＷを洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。 According to the above example, the path lengths from the dissolving section 130 to the processing units 16A to 16C can be substantially the same. Therefore, the amount of attenuation of the ozone concentration until the ozone water reaches the processing units 16A to 16C from the dissolving section 130 is approximately the same. Therefore, uniform cleaning results can be obtained regardless of which processing unit 16 is used to clean the wafer W. FIG.

以上の例によれば、調整液供給部は調整液を循環させるように構成されている。そのため、調整液が循環する過程で水と酸性溶液とが十分均一に混合される。したがって、溶解部１３０においてオゾンガスを調整液に安定して溶解させることが可能となる。 According to the above example, the adjustment liquid supply section is configured to circulate the adjustment liquid. Therefore, the water and the acid solution are sufficiently uniformly mixed in the course of circulation of the adjustment liquid. Therefore, it is possible to stably dissolve the ozone gas in the adjustment liquid in the dissolving section 130 .

以上の例によれば、アルカリ性溶液供給部２００が、バルブＶ４～Ｖ６を介してアルカリ調整液を配管Ｄ７～Ｄ９に供給しうる。この場合、オゾンガスの調整液への溶解性を低めるアルカリ性溶液が、オゾン水の生成後にオゾン水に混合される。そのため、オゾン水のオゾン濃度の低下を抑制しつつ、ウエハＷに付着している付着物をアルカリ成分によっても除去することが可能となる。 According to the above example, the alkaline solution supply unit 200 can supply the alkali adjusting solution to the pipes D7 to D9 through the valves V4 to V6. In this case, an alkaline solution that reduces the solubility of ozone gas in the adjustment liquid is mixed with the ozone water after the ozone water is produced. Therefore, it is possible to remove the deposits adhering to the wafer W with the alkaline component while suppressing the decrease in the ozone concentration of the ozone water.

以上の例によれば、水素イオン濃度モニタ１２６、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３が取得するデータのいずれもが所定値以上である場合に、送液制御部Ｍ２及び排液制御部Ｍ３は、溶解部１３０において生成されたオゾン水を処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液するように、ポンプ１２４及びバルブＶ３～Ｖ６を制御しうる。この場合、処理ユニット１６に供給されるオゾン水のオゾン濃度が、安定的に所定値以上に維持される。そのため、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。 According to the above example, when all of the data acquired by the hydrogen ion concentration monitor 126, the temperature monitor 142, and the ozone concentration monitor 143 are equal to or greater than a predetermined value, the liquid supply control unit M2 and the liquid discharge control unit M3 The pump 124 and the valves V3-V6 can be controlled so as to send the ozone water generated in the dissolving section 130 to at least one of the processing units 16A-16C. In this case, the ozone concentration of the ozone water supplied to the processing unit 16 is stably maintained at a predetermined value or more. Therefore, it is possible to obtain a uniform cleaning result.

以上の例によれば、処理ユニット１６Ｂへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット１６Ａ内へのオゾン水が停止された後に行われ、処理ユニット１６Ｃへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット１６Ｂ内へのオゾン水が停止された後に行われうる。すなわち、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃのうちいずれか一つにオゾン水が送液されている場合に、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの残余にはオゾン水が送液されない。この場合、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理が各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃにおいて同時に行われない。そのため、安定したオゾン濃度のオゾン水が各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに供給される。従って、いずれの処理ユニット１６Ａ～１６ＣでウエハＷを洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。 According to the above example, the process of supplying ozone water to the processing unit 16B is performed after the supply of ozone water into the processing unit 16A is stopped, and the process of supplying ozone water to the processing unit 16C is performed after the process of supplying the ozone water to the processing unit 16B. It can be done after the ozonated water in is stopped. That is, when ozonated water is sent to any one of the processing units 16A to 16C, the ozonized water is not sent to the rest of the processing units 16A to 16C. In this case, the cleaning process of the wafer W with ozone water is not performed simultaneously in each of the processing units 16A to 16C. Therefore, ozone water with a stable ozone concentration is supplied to each processing unit 16A to 16C. Therefore, even if the wafer W is cleaned in any one of the processing units 16A to 16C, a uniform cleaning result can be obtained.

以上の例によれば、排液制御部Ｍ３は、オゾン水が処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するようにバルブＶ１２を制御しうる。この場合、オゾン水が配管Ｄ６～Ｄ９（送液ライン）に滞留し難くなるので、オゾン水のオゾン濃度をより安定化させることが可能となる。 According to the above example, the liquid discharge controller M3 can control the valve V12 so as to discharge the ozone water to the outside of the system when the ozone water is not sent to at least one of the processing units 16A to 16C. In this case, it becomes difficult for the ozonated water to stay in the pipes D6 to D9 (liquid feed lines), so that the ozone concentration of the ozonized water can be further stabilized.

［変形例］
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。[Modification]
Although the embodiments according to the present disclosure have been described in detail above, various modifications may be made to the above embodiments without departing from the scope and spirit of the claims.

（１）図６に示されるように、調整液供給部１２０は、循環タンク１２３等を含んでおらず、液源１２１からの酸性溶液と液源１２２からの水とが混合された調整液を循環させることなく直ちに溶解部１３０に供給してもよい。この場合、液源１２１，１２２はそれぞれ、配管Ｄ２，Ｄ３を介してバルブＶ１３に接続されていてもよい。配管Ｄ２にはバルブＶ１が設けられていてもよい。配管Ｄ３にはバルブＶ２とヒータ１２５とが上流側からこの順に設けられていてもよい。バルブＶ１３は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ２を流れる酸性溶液と配管Ｄ３を流れる水とを混合するように構成されていてもよい。バルブＶ１３は、例えば、混合水栓（ミキシングバルブ）であってもよい。 (1) As shown in FIG. 6, the adjustment liquid supply unit 120 does not include the circulation tank 123 and the like, and supplies the adjustment liquid in which the acid solution from the liquid source 121 and the water from the liquid source 122 are mixed. It may be immediately supplied to the dissolving section 130 without being circulated. In this case, the liquid sources 121 and 122 may be connected to the valve V13 via pipes D2 and D3, respectively. A valve V1 may be provided in the pipe D2. The pipe D3 may be provided with a valve V2 and a heater 125 in this order from the upstream side. The valve V13 may be configured to operate based on a control signal from the control device 4 and mix the acidic solution flowing through the pipe D2 and the water flowing through the pipe D3. The valve V13 may be, for example, a mixing faucet (mixing valve).

（２）溶解部１３０は、複数の溶解モジュールが直列に接続されたものであってもよい。この場合、上流側の溶解モジュールにおいて調整液に溶解しなかったオゾンガスを下流側の溶解モジュールに供給して調整液にさらに溶解させることができる。そのため、より高いオゾン濃度のオゾン水を生成することが可能となる。溶解部１３０は、複数の溶解モジュールが並列に接続されたものであってもよい。この場合、溶解モジュールで生成されるオゾン水の流量を増やすことが可能となる。 (2) The dissolving section 130 may be composed of a plurality of dissolving modules connected in series. In this case, the ozone gas that has not been dissolved in the adjustment liquid in the upstream dissolution module can be supplied to the downstream dissolution module and further dissolved in the adjustment liquid. Therefore, it is possible to generate ozone water with a higher ozone concentration. The dissolving section 130 may be formed by connecting a plurality of dissolving modules in parallel. In this case, it is possible to increase the flow rate of the ozonized water generated by the dissolving module.

（３）オゾン水の温度が高いほど、オゾンとウエハＷの表面に付着している付着物との反応性が高まる傾向にある一方で、オゾン水に溶存しているオゾンが気体となって放散してしまいオゾン水のオゾン濃度が低下する傾向にある。そこで、処理ユニット１６は、ノズルＮ１から吐出されたオゾン水をウエハＷの直上において加熱するように構成された加熱源をさらに含んでいてもよい。この場合、ウエハＷへの吐出の直前まではオゾン水の温度が相対的に低いので、高濃度のオゾン水をウエハＷに供給することができる。また、ノズルＮ１から吐出されたオゾン水がウエハＷの直上において加熱されることで、オゾン水からのオゾンガスの放散を最小限に抑えつつ、ウエハＷの付着物に対するオゾンの反応性を高めることができる。従って、ウエハＷに付着している付着物を極めて効果的に除去することが可能となる。 (3) The higher the temperature of the ozonated water, the higher the reactivity between the ozone and the deposits adhering to the surface of the wafer W, while the ozone dissolved in the ozonized water becomes gas and diffuses. As a result, the ozone concentration of the ozonized water tends to decrease. Therefore, the processing unit 16 may further include a heating source configured to heat the ozone water ejected from the nozzle N1 directly above the wafer W. FIG. In this case, since the temperature of the ozonized water is relatively low until just before it is discharged onto the wafer W, the ozonized water of high concentration can be supplied to the wafer W. FIG. In addition, since the ozone water discharged from the nozzle N1 is heated directly above the wafer W, the reactivity of ozone to the deposits on the wafer W can be enhanced while minimizing the diffusion of ozone gas from the ozone water. can. Therefore, it is possible to remove deposits adhering to the wafer W very effectively.

加熱源は、例えば、ウエハＷを裏面側から加熱するヒータであってもよいし、ウエハＷの裏面に高温の温水又は蒸気を吹き付ける加熱流体供給機構であってもよい。これらの場合、処理ユニット１６内において、ウエハＷが回転保持部１６ｂに吸着保持されていてもよいし、ウエハＷの周縁が物理的に保持されてもよい（いわゆる、メカニカルチャックによってウエハＷが保持されてもよい）。 The heating source may be, for example, a heater that heats the wafer W from the back surface side, or a heating fluid supply mechanism that sprays high-temperature hot water or steam onto the back surface of the wafer W. FIG. In these cases, within the processing unit 16, the wafer W may be sucked and held by the rotation holding portion 16b, or the peripheral edge of the wafer W may be physically held (the wafer W may be held by a so-called mechanical chuck). may be used).

加熱源は、例えば、電磁誘導によって加熱される被加熱体であってもよい。この場合、処理ユニット１６内において、ウエハＷは被加熱体に支持される。 The heating source may be, for example, a heated body that is heated by electromagnetic induction. In this case, the wafer W is supported by the object to be heated in the processing unit 16 .

加熱源は、例えば、ノズルＮ１に供給される直前のオゾン水を高速昇温するように構成されたヒータであってもよい。 The heating source may be, for example, a heater configured to rapidly heat the ozone water just before it is supplied to the nozzle N1.

処理ユニット１６は、複数のウエハＷを一つの処理槽において同時に処理するバッチ式のチャンバであってもよい。この場合、加熱源は、処理槽に供給される直前のオゾン水を高速昇温するように構成されたヒータであってもよい。 The processing unit 16 may be a batch-type chamber that simultaneously processes a plurality of wafers W in one processing tank. In this case, the heating source may be a heater configured to rapidly heat up the ozone water just before it is supplied to the processing tank.

（４）処理ユニット１６は、紫外線等のエネルギー線を照射するように構成された照射部をさらに含んでいてもよい。制御装置４はオゾン水によるウエハＷの洗浄処理中にウエハＷに対してエネルギー線を照射するように、照射部を制御するようにしてもよい。この場合、ウエハＷの表面に付着している付着物をより効果的に除去することが可能となる。 (4) The processing unit 16 may further include an irradiation section configured to irradiate energy rays such as ultraviolet rays. The controller 4 may control the irradiator so as to irradiate the wafer W with energy rays during the cleaning process of the wafer W with ozone water. In this case, it is possible to more effectively remove the deposits adhering to the surface of the wafer W. FIG.

（５）全ての処理ユニット１６においてウエハＷの洗浄処理が当面行われないような場合（洗浄処理が終了してから所定時間以上が経過する場合）には、排液部４００を介してオゾン水を系外に排液することに代えて、オゾン水供給部１００におけるオゾン水の生成を停止してもよい。 (5) When the cleaning process of the wafer W is not performed in any of the processing units 16 for the time being (when a predetermined time or more has passed since the cleaning process is completed), the ozone water is discharged through the drain part 400 to the outside of the system, the generation of ozonated water in the ozonized water supply unit 100 may be stopped.

［例示］
例１．基板処理装置の一例は、オゾンガスを供給するように構成されたオゾンガス供給部と、所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、オゾンガスを調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、送液ラインを通じてオゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部とを備える。この場合、オゾン水の処理チャンバへの供給直前に溶解部においてオゾン水が生成される。そのため、オゾン水のオゾン濃度が大きく減衰してしまう前に、オゾン水が処理チャンバに供給される。従って、安定したオゾン濃度のオゾン水を基板に供給することが可能となる。[Example]
Example 1. An example of a substrate processing apparatus includes an ozone gas supply unit configured to supply ozone gas, an adjustment liquid supply unit configured to supply adjustment liquid exhibiting a predetermined hydrogen ion concentration, and an ozone gas dissolved in the adjustment liquid. at least one processing chamber configured to perform a cleaning process on the substrate with the ozone water; and the at least one treatment of the ozone water from the dissolution unit through the liquid feed line. a liquid delivery section configured to deliver liquid to the chamber. In this case, the ozonated water is generated in the dissolving section immediately before the ozonated water is supplied to the processing chamber. Therefore, the ozonated water is supplied to the processing chamber before the ozone concentration of the ozonized water is greatly attenuated. Therefore, it is possible to supply ozone water with a stable ozone concentration to the substrate.

例２．例１の装置は、送液ラインと接続されており、オゾン水を系外に排出するように構成された排液部をさらに備えていてもよい。この場合、溶解部においてオゾン水を継続的に生成しておき、オゾン水による基板の洗浄処理を行わない場合には排液部からオゾン水を排出することができる。そのため、オゾン水が送液ラインに滞留し難くなるので、オゾン水のオゾン濃度をより安定化させることが可能となる。 Example 2. The apparatus of Example 1 may further include a drain section connected to the liquid feed line and configured to drain the ozone water out of the system. In this case, the ozonized water can be continuously generated in the dissolving section, and the ozonized water can be discharged from the draining section when the substrate is not washed with the ozonated water. Therefore, it becomes difficult for the ozonated water to stay in the liquid feeding line, so that the ozone concentration of the ozonized water can be further stabilized.

例３．例１又は例２の装置は、送液ラインに設けられており、溶解部の下流側におけるオゾン水のオゾン濃度を取得するように構成されたオゾン濃度モニタをさらに備えていてもよい。 Example 3. The apparatus of Example 1 or Example 2 may further include an ozone concentration monitor provided in the liquid feed line and configured to acquire the ozone concentration of the ozone water downstream of the dissolving section.

例４．例３の装置は、オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度に応じて、調整液供給部において生成される調整液の水素イオン濃度を調節するように、調整液供給部を制御する処理を実行する制御部をさらに備えていてもよい。ところで、調整液の水素イオン濃度が高いほど（ｐＨが小さいほど）オゾンガスが当該調整液に溶解しやすく、調整液の水素イオン濃度が低いほど（ｐＨが大きいほど）オゾンガスが当該調整液に溶解しにくい傾向にある。そのため、オゾン濃度モニタが取得したオゾン濃度に応じて調整液の水素イオン濃度を調節するようフィードバック制御することで、オゾン水のオゾン濃度を適切な値に保つことが可能となる。 Example 4. The apparatus of Example 3 controls the adjustment liquid supply unit so as to adjust the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid generated in the adjustment liquid supply unit according to the ozone concentration obtained by the ozone concentration monitor. A part may be further provided. By the way, the higher the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid (the lower the pH), the easier the ozone gas dissolves in the adjustment liquid, and the lower the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid (the higher the pH), the more easily the ozone gas dissolves in the adjustment liquid. tends to be difficult. Therefore, it is possible to keep the ozone concentration of the ozone water at an appropriate value by performing feedback control so as to adjust the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid according to the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor.

例５．例３又は例４の装置において、溶解部からオゾン濃度モニタまでの送液ラインの経路長は、溶解部から少なくとも一つの処理チャンバまでの送液ラインの経路長と略同等であってもよい。オゾン水のオゾン濃度は、溶解部においてオゾン水が生成された直後から減衰しはじめる。そのため、溶解部から少なくとも一つの処理チャンバまでの送液ラインの経路長と同等の位置にオゾン濃度モニタを設けておくことにより、少なくとも一つの処理チャンバに供給されるときのオゾン水のオゾン濃度を間接的に取得することができる。従って、オゾン水による基板の洗浄処理をより精度よく行うことが可能となる。 Example 5. In the apparatus of Example 3 or Example 4, the path length of the liquid delivery line from the dissolving section to the ozone concentration monitor may be substantially equal to the path length of the liquid delivery line from the dissolving section to the at least one processing chamber. The ozone concentration of the ozonized water begins to attenuate immediately after the ozonized water is produced in the dissolving section. Therefore, by providing an ozone concentration monitor at a position equivalent to the path length of the liquid feed line from the dissolving part to at least one processing chamber, the ozone concentration of the ozonized water when supplied to at least one processing chamber can be monitored. Can be obtained indirectly. Therefore, it becomes possible to perform the cleaning process of the substrate with the ozone water with higher accuracy.

例６．例１～例５のいずれかの装置において、少なくとも一つの処理チャンバは、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された第１及び第２の処理チャンバを含み、送液ラインは、溶解部から第１の処理チャンバと第２の処理チャンバとのそれぞれに向けて分岐して延びており、送液ラインのうち溶解部から第１の処理チャンバまでの経路長は、送液ラインのうち溶解部から第２の処理チャンバまでの経路長と略同等であってもよい。この場合、オゾン水が溶解部から第１の処理チャンバに到達するまでのオゾン濃度の減衰量と、オゾン水が溶解部から第２の処理チャンバに到達するまでのオゾン濃度の減衰量とが略同等となる。そのため、第１及び第２の処理チャンバのどちらで基板を洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。 Example 6. In the apparatus of any one of Examples 1 to 5, the at least one processing chamber includes first and second processing chambers configured to clean the substrate with ozone water, and the liquid feed line is connected to the dissolving section to the first processing chamber and the second processing chamber. may be approximately equal to the path length from the unit to the second processing chamber. In this case, the attenuation amount of the ozone concentration until the ozone water reaches the first processing chamber from the dissolving section and the attenuation amount of the ozone concentration until the ozone water reaches the second processing chamber from the dissolving section are substantially equal. be equivalent. Therefore, a uniform cleaning result can be obtained regardless of whether the substrate is cleaned in the first or second processing chamber.

例７．例１～例６のいずれかの装置において、調整液供給部は、水と酸性溶液とを混合して調整液を生成するように構成されていてもよい。 Example 7. In the apparatus of any of Examples 1-6, the conditioning liquid supply may be configured to mix water and an acidic solution to produce the conditioning liquid.

例８．例７の装置において、調整液供給部は調整液を循環させるように構成されていてもよい。この場合、調整液が循環する過程で水と酸性溶液とが十分均一に混合される。そのため、溶解部においてオゾンガスを調整液に安定して溶解させることが可能となる。 Example 8. In the apparatus of Example 7, the adjustment liquid supply may be configured to circulate the adjustment liquid. In this case, the water and the acid solution are sufficiently uniformly mixed during the circulation of the adjustment liquid. Therefore, it is possible to stably dissolve the ozone gas in the adjustment liquid in the dissolving section.

例９．例１～例８のいずれかの装置は、アルカリ性溶液を送液ラインに供給するように構成されたアルカリ性溶液供給部をさらに備えていてもよい。この場合、オゾンガスの調整液への溶解性を低めるアルカリ性溶液が、オゾン水の生成後にオゾン水に混合される。そのため、オゾン水のオゾン濃度の低下を抑制しつつ、基板に付着している付着物をアルカリ成分によっても除去することが可能となる。 Example 9. The apparatus of any of Examples 1-8 may further comprise an alkaline solution supply configured to supply an alkaline solution to the liquid feed line. In this case, an alkaline solution that reduces the solubility of ozone gas in the adjustment liquid is mixed with the ozone water after the ozone water is produced. Therefore, it becomes possible to remove the deposits adhering to the substrate with the alkaline component while suppressing the decrease in the ozone concentration of the ozone water.

例１０．例１～例９のいずれかの装置は、調整液又はオゾン水の温度を取得するように構成された温度モニタと、調整液の水素イオン濃度を取得するように構成された水素イオン濃度モニタと、オゾン水のオゾン濃度を取得するように構成されたオゾン濃度モニタと、温度モニタが取得する温度が所定値以上であり、水素イオン濃度が取得する水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度が所定値以上であるときに、オゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液するように送液部を制御する処理を実行する制御部とをさらに備えていてもよい。この場合、少なくとも一つの処理チャンバに供給されるオゾン水のオゾン濃度が、安定的に所定値以上に維持される。そのため、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。 Example 10. The apparatus of any one of Examples 1-9 includes a temperature monitor configured to obtain the temperature of the conditioning liquid or ozone water and a hydrogen ion concentration monitor configured to obtain the hydrogen ion concentration of the conditioning liquid. an ozone concentration monitor configured to acquire the ozone concentration of the ozonated water; a temperature acquired by the temperature monitor is equal to or greater than a predetermined value; and a hydrogen ion concentration acquired by the hydrogen ion concentration is equal to or greater than a predetermined value; a control unit that controls the liquid sending unit to send the ozone water from the dissolving unit to at least one processing chamber when the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor is equal to or higher than a predetermined value. may be In this case, the ozone concentration of the ozone water supplied to at least one processing chamber is stably maintained at a predetermined value or higher. Therefore, it is possible to obtain a uniform cleaning result.

例１１．例１～例１０のいずれかの装置は、制御部をさらに備え、少なくとも一つの処理チャンバは、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された複数の処理チャンバを含み、送液ラインは、溶解部から複数の処理チャンバのそれぞれに向けて分岐して延びており、送液部は、送液ラインを通じてオゾン水を溶解部から複数の処理チャンバのそれぞれに送液するように構成されており、制御部は、複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバにオゾン水が送液されている場合に、複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバにオゾン水を送液しないように送液部を制御する処理を実行してもよい。この場合、オゾン水による基板の洗浄処理が各チャンバにおいて同時に行われない。そのため、安定したオゾン濃度のオゾン水が各チャンバに供給される。従って、いずれの処理チャンバで基板を洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。 Example 11. The apparatus of any one of Examples 1 to 10 further includes a control unit, at least one processing chamber includes a plurality of processing chambers configured to clean the substrate with ozone water, and the liquid feed line comprises: The dissolving section branches toward each of the plurality of processing chambers, and the liquid feeding section is configured to feed the ozone water from the dissolving section to each of the plurality of processing chambers through the liquid feeding line. , the control unit controls the liquid sending unit so that, when the ozone water is being sent to one of the plurality of processing chambers, the ozone water is not sent to the remaining processing chambers of the plurality of processing chambers. You may perform the process to control. In this case, the cleaning process of the substrate with ozone water is not performed simultaneously in each chamber. Therefore, ozone water with a stable ozone concentration is supplied to each chamber. Therefore, a uniform cleaning result can be obtained regardless of which processing chamber the substrate is cleaned.

例１２．例１～例１１のいずれかの装置は、送液ラインに設けられており、オゾン水を系外に排出するように構成された排液部と、オゾン水が少なくとも一つの処理チャンバに送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するように排液部を制御する処理を実行する制御部とをさらに備えていてもよい。この場合、オゾン水が送液ラインに滞留し難くなるので、オゾン水のオゾン濃度をより安定化させることが可能となる。 Example 12. The apparatus according to any one of Examples 1 to 11 is provided in the liquid feeding line, and has a drainage section configured to discharge the ozonized water to the outside of the system, and the ozonated water to be fed to at least one processing chamber. and a control unit that executes a process of controlling the drain unit so as to discharge the ozone water to the outside of the system when the ozone water is not discharged. In this case, it becomes difficult for the ozonized water to stay in the liquid feeding line, so that the ozone concentration of the ozonized water can be further stabilized.

例１３．基板処理方法の一例は、オゾンガスと所定の水素イオン濃度を示す調整液とを溶解部に供給し、オゾンガスを調整液に溶解させることによりオゾン水を生成することと、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバに、送液ラインを通じて溶解部からオゾン水を送液することとを含む。この場合、例１の装置と同様の作用効果を奏する。 Example 13. An example of a substrate processing method includes supplying ozone gas and an adjustment liquid having a predetermined hydrogen ion concentration to a dissolution unit, dissolving the ozone gas in the adjustment liquid to generate ozone water, and cleaning the substrate with the ozone water. feeding the ozonated water from the dissolving section through the liquid feeding line into at least one processing chamber configured to do so. In this case, the same effects as those of the device of Example 1 are obtained.

例１４．例１３の方法は、送液ラインを流れるオゾン水のオゾン濃度に応じて調整液の水素イオン濃度を調節することをさらに含んでいてもよい。この場合、例４の装置と同様の作用効果を奏する。 Example 14. The method of Example 13 may further include adjusting the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid according to the ozone concentration of the ozone water flowing through the liquid feed line. In this case, the same effects as those of the device of Example 4 are obtained.

例１５．例１３又は例１４の方法において、オゾン水を送液することは、調整液又はオゾン水の温度が所定値以上であり、調整液の水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン水のオゾン濃度が所定値以上であるときに、オゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液することを含んでいてもよい。この場合、例１０の装置と同様の作用効果を奏する。 Example 15. In the method of Example 13 or Example 14, when the ozonized water is sent, the temperature of the adjustment liquid or the ozonized water is equal to or higher than a predetermined value, the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid is equal to or higher than the predetermined value, and the ozonized water is The method may include sending ozonated water from the dissolving unit to the at least one processing chamber when the ozone concentration is equal to or greater than a predetermined value. In this case, the same effects as those of the device of Example 10 are obtained.

例１６．例１３～例１５のいずれかの方法において、少なくとも一つの処理チャンバは、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された複数の処理チャンバを含み、オゾン水を送液することは、複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバにオゾン水が送液している場合に、複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバにオゾン水を送液しないことを含んでいてもよい。この場合、例１１の装置と同様の作用効果を奏する。 Example 16. The method of any one of Examples 13-15, wherein the at least one processing chamber includes a plurality of processing chambers configured to clean the substrate with ozonated water, and sending the ozonated water comprises a plurality of It may include not feeding the ozone water to the remaining processing chambers of the plurality of processing chambers when the ozone water is being fed to one of the processing chambers. In this case, the same effects as those of the device of Example 11 are obtained.

例１７．例１３～例１６のいずれかの方法は、オゾン水が少なくとも一つの処理チャンバに送液されていない場合に、オゾン水を系外に排出することをさらに含んでいてもよい。この場合、例１２の装置と同様の作用効果を奏する。 Example 17. The method of any one of Examples 13 to 16 may further include discharging the ozonated water out of the system when the ozonated water is not being sent to the at least one processing chamber. In this case, the same effect as the apparatus of Example 12 is obtained.

例１８．コンピュータ読み取り可能な記録媒体の一例は、例１３～例１７のいずれかの基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録している。この場合、例１３～例１７のいずれかの方法と同様の作用効果を奏する。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）であってもよいし、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）であってもよい。 Example 18. An example of a computer-readable recording medium records a program for causing a substrate processing apparatus to execute any of the substrate processing methods of Examples 13-17. In this case, the same effects as those of any one of Examples 13 to 17 are obtained. In this specification, the computer-readable recording medium may be a non-transitory computer recording medium (for example, various main storage devices or auxiliary storage devices), or a propagated signal ( transitory computer recording medium) (eg, a data signal that can be provided over a network).

１…基板処理システム、３…処理ステーション、４…制御装置、１０…基板処理装置、１６…処理ユニット、１８…制御部、１００…オゾン水供給部、１１０…オゾンガス供給部、１２０…調整液供給部、１２６…水素イオン濃度モニタ、１３０…溶解部、１４０…送液部、１４２…温度モニタ、１４３…オゾン濃度モニタ、２００…アルカリ性溶液供給部、３００…リンス液供給部、４００…排液部、５００…排気部、Ｄ６～Ｄ９…配管（送液ライン）、ＲＭ…記録媒体。

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Substrate processing system 3... Processing station 4... Control apparatus 10... Substrate processing apparatus 16... Processing unit 18... Control part 100... Ozone water supply part 110... Ozone gas supply part 120... Adjustment liquid supply Part 126...Hydrogen ion concentration monitor 130...Dissolving part 140...Liquid sending part 142...Temperature monitor 143...Ozone concentration monitor 200...Alkaline solution supply part 300...Rinse solution supply part 400...Drainage part , 500... Exhaust part, D6 to D9... Piping (liquid feeding line), RM... Recording medium.

Claims (10)

オゾンガスを供給するように構成されたオゾンガス供給部と、
有機酸及び／又は無機酸の溶液である酸性溶液と水とが混合されることで生成された所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、
前記オゾンガスを前記調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、
前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、
送液ラインを通じて前記オゾン水を前記溶解部から前記少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部と、
前記送液ラインに設けられており、前記溶解部の下流側における前記オゾン水のオゾン濃度を取得するように構成されたオゾン濃度モニタと、
前記調整液又は前記オゾン水の温度を取得するように構成された温度モニタと、
前記調整液の水素イオン濃度を取得するように構成された水素イオン濃度モニタと、
制御部とを備え、
前記制御部は、
前記オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度に応じて、前記酸性溶液の供給量及び／又は前記水の供給量を増減することにより、前記調整液供給部において生成される前記調整液の水素イオン濃度を調節して、前記オゾン濃度を適切な値に保つように、前記調整液供給部を制御する処理と、
前記温度モニタが取得する温度が所定値以上であり、前記水素イオン濃度が取得する水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、前記オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度が所定値以上であるときに、前記オゾン水を前記溶解部から前記少なくとも一つの処理チャンバに送液するように前記送液部を制御する処理とを実行するように構成されている、基板処理装置。 an ozone gas supply unit configured to supply ozone gas;
an adjustment liquid supply unit configured to supply an adjustment liquid having a predetermined hydrogen ion concentration generated by mixing an acidic solution, which is a solution of an organic acid and/or an inorganic acid, with water;
a dissolving unit configured to dissolve the ozone gas in the adjustment liquid to generate ozone water;
at least one processing chamber configured to clean a substrate with the ozonated water;
a liquid sending unit configured to send the ozone water from the dissolving unit to the at least one processing chamber through a liquid sending line;
an ozone concentration monitor provided in the liquid sending line and configured to acquire the ozone concentration of the ozone water downstream of the dissolving section;
a temperature monitor configured to acquire the temperature of the adjustment liquid or the ozone water;
a hydrogen ion concentration monitor configured to acquire the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid;
and a control unit,
The control unit
By increasing or decreasing the supply amount of the acidic solution and/or the supply amount of the water according to the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor, the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid generated in the adjustment liquid supply unit is increased. a process of controlling the adjustment liquid supply unit so as to adjust and keep the ozone concentration at an appropriate value;
When the temperature obtained by the temperature monitor is equal to or higher than a predetermined value, the hydrogen ion concentration obtained by the hydrogen ion concentration is equal to or higher than a predetermined value, and the ozone concentration obtained by the ozone concentration monitor is equal to or higher than a predetermined value. , a substrate processing apparatus configured to perform a process of controlling the liquid sending unit so as to send the ozone water from the dissolving unit to the at least one processing chamber. 前記送液ラインと接続されており、前記オゾン水を系外に排出するように構成された排液部をさらに備える、請求項１に記載の装置。 2. The apparatus according to claim 1, further comprising a liquid drain section connected to said liquid feed line and configured to discharge said ozone water to the outside of the system. 前記制御部は、前記オゾン水が前記少なくとも一つの処理チャンバに送液されない場合に、前記オゾン水を系外に排出するように前記排液部を制御する処理をさらに実行するように構成されている、請求項２に記載の装置。 The control unit is configured to further execute a process of controlling the drain unit to discharge the ozonated water out of the system when the ozonated water is not sent to the at least one processing chamber. 3. The device of claim 2, wherein the device is 前記溶解部から前記オゾン濃度モニタまでの前記送液ラインの経路長は、前記溶解部から前記少なくとも一つの処理チャンバまでの前記送液ラインの経路長と略同等である、請求項１～３のいずれか一項に記載の装置。 4. The method of claim 1, wherein the path length of the liquid feed line from the dissolving section to the ozone concentration monitor is substantially equal to the path length of the liquid feed line from the dissolving section to the at least one processing chamber. A device according to any one of the preceding clauses. 前記少なくとも一つの処理チャンバは、前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された第１及び第２の処理チャンバを含み、
前記送液ラインは、前記溶解部から前記第１の処理チャンバと前記第２の処理チャンバとのそれぞれに向けて分岐して延びており、
前記送液ラインのうち前記溶解部から前記第１の処理チャンバまでの経路長は、前記送液ラインのうち前記溶解部から前記第２の処理チャンバまでの経路長と略同等である、請求項１～４のいずれか一項に記載の装置。 the at least one processing chamber includes first and second processing chambers configured to clean the substrate with the ozone water;
the liquid sending line branches and extends from the dissolving section toward each of the first processing chamber and the second processing chamber;
3. A path length of said liquid feeding line from said dissolving section to said first processing chamber is substantially equal to a path length of said liquid feeding line from said dissolving section to said second processing chamber. 5. Apparatus according to any one of claims 1-4. 前記調整液供給部は前記調整液を循環させるように構成されている、請求項１～５のいずれか一項に記載の装置。 The device according to any one of claims 1 to 5 , wherein the adjustment liquid supply is configured to circulate the adjustment liquid. アルカリ性溶液を前記送液ラインに供給するように構成されたアルカリ性溶液供給部をさらに備える、請求項１～６のいずれか一項に記載の装置。 The apparatus according to any one of claims 1 to 6 , further comprising an alkaline solution supply configured to supply an alkaline solution to said liquid feed line. 前記少なくとも一つの処理チャンバは、前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された複数の処理チャンバを含み、
前記送液ラインは、前記溶解部から前記複数の処理チャンバのそれぞれに向けて分岐して延びており、
前記送液部は、前記送液ラインを通じて前記オゾン水を前記溶解部から前記複数の処理チャンバのそれぞれに送液するように構成されており、
前記制御部は、前記複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバに前記オゾン水が送液されている場合に、前記複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバに前記オゾン水を送液しないように前記送液部を制御する処理をさらに実行するように構成されている、請求項１～７のいずれか一項に記載の装置。 the at least one processing chamber includes a plurality of processing chambers configured to clean the substrate with the ozone water;
the liquid sending line branches and extends from the dissolving section toward each of the plurality of processing chambers,
The liquid sending unit is configured to send the ozone water from the dissolving unit to each of the plurality of processing chambers through the liquid sending line,
When the ozonized water is being sent to one of the plurality of processing chambers, the control unit prevents the ozonated water from being sent to the remaining processing chambers of the plurality of processing chambers. The device according to any one of claims 1 to 7 , further configured to perform a process of controlling the liquid delivery section. オゾンガスと、有機酸及び／又は無機酸の溶液である酸性溶液と水とが混合されることで生成された所定の水素イオン濃度を示す調整液とを溶解部に供給し、前記オゾンガスを前記調整液に溶解させることによりオゾン水を生成することと、
前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバに、送液ラインを通じて前記溶解部から前記オゾン水を送液することと、
生成された前記オゾン水のオゾン濃度に応じて、前記酸性溶液の供給量及び／又は前記水の供給量を増減することにより、前記調整液の水素イオン濃度を調節して、前記オゾン濃度を適切な値に保つこととを含み、
前記オゾン水を送液することは、調整液又はオゾン水の温度が所定値以上であり、調整液の水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン水のオゾン濃度が所定値以上であるときに、オゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液することを含む、基板処理方法。 Ozone gas and an adjustment liquid exhibiting a predetermined hydrogen ion concentration generated by mixing an acidic solution, which is a solution of an organic acid and/or an inorganic acid, and water are supplied to the dissolving unit, and the ozone gas is adjusted to the adjustment. generating ozone water by dissolving in a liquid;
sending the ozone water from the dissolving unit through a liquid sending line to at least one processing chamber configured to clean a substrate with the ozone water;
By increasing or decreasing the supply amount of the acidic solution and/or the supply amount of the water according to the ozone concentration of the generated ozone water, the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid is adjusted to appropriately adjust the ozone concentration. and keeping it at a reasonable value;
The ozonated water is sent when the temperature of the adjustment liquid or the ozonized water is equal to or higher than a predetermined value, the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid is equal to or higher than the predetermined value, and the ozone concentration of the ozonized water is equal to or higher than the predetermined value. A method of processing a substrate, sometimes comprising pumping ozonated water from a dissolution section to at least one processing chamber. 請求項９に記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 A computer-readable recording medium recording a program for causing a substrate processing apparatus to execute the substrate processing method according to claim 9 .
JP2020556088A 2018-11-14 2019-11-05 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM Active JP7236461B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022208155A JP7530954B2 (en) 2018-11-14 2022-12-26 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READ

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018213548 2018-11-14
JP2018213548 2018-11-14
PCT/JP2019/043341 WO2020100661A1 (en) 2018-11-14 2019-11-05 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022208155A Division JP7530954B2 (en) 2018-11-14 2022-12-26 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020100661A1 JPWO2020100661A1 (en) 2021-09-30
JP7236461B2 true JP7236461B2 (en) 2023-03-09

Family

ID=70731509

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020556088A Active JP7236461B2 (en) 2018-11-14 2019-11-05 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM
JP2022208155A Active JP7530954B2 (en) 2018-11-14 2022-12-26 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READ

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022208155A Active JP7530954B2 (en) 2018-11-14 2022-12-26 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READ

Country Status (4)

Country Link
JP (2) JP7236461B2 (en)
KR (1) KR102654039B1 (en)
CN (2) CN112997276B (en)
WO (1) WO2020100661A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240307821A1 (en) 2021-07-06 2024-09-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004273838A (en) 2003-03-10 2004-09-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for substrate treatment
JP2004327610A (en) 2003-04-23 2004-11-18 Mitsubishi Electric Corp Method for removing photoresist of semiconductor wafer
JP2005019876A (en) 2003-06-27 2005-01-20 Trecenti Technologies Inc Method of manufacturing semiconductor device, ozone water cleaning system, and ozone water concentration control system
JP2006278644A (en) 2005-03-29 2006-10-12 Kazutoshi Yamazaki Cleaning method and cleaning device
JP2009141332A (en) 2007-12-06 2009-06-25 Semes Co Ltd Device and method for feeding ozone-water mixed liquid, and substrate processing apparatus equipped therewith
JP2010177535A (en) 2009-01-30 2010-08-12 Toyota Motor Corp Semiconductor wafer cleaning system

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11121417A (en) * 1997-10-09 1999-04-30 Mitsubishi Electric Corp Treating system and treating method for semiconductor substrates
JP2000164552A (en) * 1998-11-24 2000-06-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and method for substrate processing
JP2001035827A (en) * 1999-07-16 2001-02-09 Memc Kk High concentration ozone water, preparation method thereof and cleaning method using the same
JP2001137798A (en) * 1999-11-17 2001-05-22 Japan Organo Co Ltd Method and apparatus for supplying cleaning gas- dissolved water
JP4221736B2 (en) * 2000-07-18 2009-02-12 株式会社ササクラ Photoresist film removal method and apparatus
JP2004241726A (en) * 2003-02-07 2004-08-26 Sharp Corp Method and device for treating resist
JP4513122B2 (en) * 2004-03-31 2010-07-28 栗田工業株式会社 Ozone water supply method and ozone water supply device
JP5006111B2 (en) 2007-06-12 2012-08-22 国立大学法人 筑波大学 Photoresist removal device
JP2013045961A (en) * 2011-08-25 2013-03-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate cleaning method, substrate cleaning liquid and substrate processing apparatus
JP6168271B2 (en) * 2012-08-08 2017-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN105336645B (en) * 2014-08-14 2021-04-30 无锡华瑛微电子技术有限公司 Apparatus and method for treating semiconductor wafer surface with ozone-containing fluid

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004273838A (en) 2003-03-10 2004-09-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for substrate treatment
JP2004327610A (en) 2003-04-23 2004-11-18 Mitsubishi Electric Corp Method for removing photoresist of semiconductor wafer
JP2005019876A (en) 2003-06-27 2005-01-20 Trecenti Technologies Inc Method of manufacturing semiconductor device, ozone water cleaning system, and ozone water concentration control system
JP2006278644A (en) 2005-03-29 2006-10-12 Kazutoshi Yamazaki Cleaning method and cleaning device
JP2009141332A (en) 2007-12-06 2009-06-25 Semes Co Ltd Device and method for feeding ozone-water mixed liquid, and substrate processing apparatus equipped therewith
JP2010177535A (en) 2009-01-30 2010-08-12 Toyota Motor Corp Semiconductor wafer cleaning system

Also Published As

Publication number Publication date
KR102654039B1 (en) 2024-04-02
JPWO2020100661A1 (en) 2021-09-30
WO2020100661A1 (en) 2020-05-22
TW202025346A (en) 2020-07-01
CN112997276B (en) 2024-08-09
CN112997276A (en) 2021-06-18
JP2023029455A (en) 2023-03-03
CN118763025A (en) 2024-10-11
KR20210088704A (en) 2021-07-14
JP7530954B2 (en) 2024-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4758846B2 (en) Drying apparatus, drying method, and drying program, and substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate processing program having the same
JP6707412B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and storage medium
CN110828332B (en) Particle removing method for substrate processing apparatus and substrate processing apparatus
JP7058701B2 (en) Board processing equipment and board processing method
US11185896B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium having substrate liquid processing program stored thereon
KR102611293B1 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
JP7530954B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READ
KR102264002B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium
JP2006093334A (en) Substrate processing device
TW200524032A (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus and computer-readable recording medium
JP2022103812A (en) Substrate processing apparatus, cleaning unit, and method for cleaning multiple valve
KR102560934B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium
JP3841641B2 (en) Substrate processing equipment
WO2020235381A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2003142448A (en) Operating method of substrate-washing apparatus
JP2021064748A (en) Substrate processing device and device cleaning method
JP3976088B2 (en) Substrate processing equipment
KR102022954B1 (en) Substrate treating facility and chemical supply apparatus
WO2023282064A1 (en) Substrate treatment system and substrate treatment method
CN106919014B (en) Semiconductor substrate processing apparatus, peeling method, and method for manufacturing semiconductor device
JP2004174485A (en) Ultrapure water washing system
KR20210145673A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101870656B1 (en) Substrate treating facility and chemical supply apparatus
TW202431369A (en) Substrate processing system and cleaning method
KR20240115176A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A527

Effective date: 20210506

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210506

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220705

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220823

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20221004

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221226

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20221226

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20230110

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20230117

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230131

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230227

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7236461

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150