KR20210080833A - 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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KR20210080833A
KR20210080833A KR1020190172826A KR20190172826A KR20210080833A KR 20210080833 A KR20210080833 A KR 20210080833A KR 1020190172826 A KR1020190172826 A KR 1020190172826A KR 20190172826 A KR20190172826 A KR 20190172826A KR 20210080833 A KR20210080833 A KR 20210080833A
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라세웅
유도혁
한정은
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 예에 따른 인쇄회로기판은 복수의 절연층; 상기 복수의 절연층 중 최상측에 위치한 절연층의 상면에 배치된 프라이머층; 상기 프라이머층의 상면에 배치된 회로 패턴; 및 상기 프라이머층의 상면에 배치되고, 상기 회로 패턴의 주위를 둘러싸는 지지층;을 포함하고, 상기 지지층의 상면은, 상기 회로 패턴의 상면보다 높게 위치한다.

Description

인쇄회로기판 및 이의 제조 방법{PRINTED CIRCUIT BOARD AND MEHOD OF MANUFACTURING THEREOF}
실시 예는 인쇄회로기판에 관한 것으로, 특히 최외층에 배치되는 회로 패턴을 지지하는 지지 절연층이 배치된 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
전자부품의 소형화, 경량화, 집적화가 가속되면서 회로의 선폭이 미세화하고 있다. 특히, 반도체 칩의 디자인룰이 나노미터 스케일로 집적화함에 따라, 반도체 칩을 실장하는 패키지기판 또는 인쇄회로기판의 회로 선폭이 수 마이크로미터 이하로 미세화하고 있다.
인쇄회로기판의 회로집적도를 증가시키기 위해서, 즉 회로 선폭을 미세화하기 위하여 다양한 공법들이 제안된 바 있다. 동도금 후 패턴을 형성하기 위해 식각하는 단계에서의 회로 선폭의 손실을 방지하기 위한 목적에서, 에스에이피(SAP; semi-additive process) 공법과 앰셉(MSAP; modified semi-additive process) 등이 제안되었다.
이후, 보다 미세한 회로패턴을 구현하기 위해서 동박을 절연층 속에 묻어서 매립하는 임베디드 트레이스(Embedded Trace Substrate; 이하 'ETS'라 칭함) 공법이 당업계에서 사용되고 있다. ETS 공법은 동박회로를 절연층 표면에 형성하는 대신에, 절연층 속에 매립형식으로 제조하기 때문에 식각으로 인한 회로손실이 없어서 회로 피치를 미세화하는데 유리하다.
한편, 최근 무선 데이터 트래픽 수요를 충족시키기 위해, 개선된 5G(5th generation) 통신 시스템 또는 pre-5G 통신 시스템을 개발하기 위한 노력이 이루어지고 있다. 여기에서, 5G 통신 시스템은 높은 데이터 전송률을 달성하기 위해 초고주파(mmWave) 대역(sub 6기가(6GHz), 28기가 28GHz, 38기가 38GHz 또는 그 이상 주파수)를 사용한다.
그리고, 초고주파 대역에서의 전파의 경로손실 완화 및 전파의 전달 거리를 증가 시키기 위해, 5G 통신 시스템에서는 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO), 어레이 안테나(array antenna) 등의 집척화 기술들이 개발 되고 있다. 이러한 주파수 대역들에서 파장의 수백 개의 활성 안테나로 이루어질 수 있는 점을 고려하면, 안테나 시스템이 상대적으로 커진다.
이러한 안테나 및 AP 모듈은 인쇄회로기판에 패턴닝되거나 실장되기 때문에, 인쇄회로기판의 저손실이 매우 중요하다. 이는, 활성 안테나 시스템을 이루는 여러 개의 기판들 즉, 안테나 기판, 안테나 급전 기판, 송수신기(transceiver) 기판, 그리고 기저대역(baseband) 기판이 하나의 소형장치(one compactunit)로 집적되어야 한다는 것을 의미한다.
그리고, 상기와 같은 5G 통신 시스템에 적용되는 인쇄회로기판은 경박 단소화 트렌드로 제조되며, 이에 따라 회로 패턴은 점점 미세화되어간다.
그러나, 종래의 미세 회로 패턴을 포함하는 인쇄회로기판은 최외곽에 배치된 회로 패턴이 절연층 상부로 돌출되는 구조를 가지며, 이에 따라 상기 최외곽의 회로 패턴이 쉽게 무너지는 문제점을 가진다.
실시 예에서는 새로운 구조의 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법을 제공하도록 한다.
또한, 실시 예에서는 최외곽에 배치된 회로 패턴을 지지할 수 있는 지지 절연층이 배치된 구조를 제공하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법을 제공하도록 한다.
또한, 실시 예에서는 최외곽에 배치된 회로 패턴 중 SR 노출 영역에 배치된 회로 패턴을 지지할 수 있는 지지 절연층이 배치된 구조를 제공할 수 있는 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법을 제공하도록 한다.
또한, 실시 예에서는 최외곽에 배치된 회로 패턴을 지지하는 지지 절연층을 형성함에 있어, 상기 지지 절연층의 상면보다 상기 회로 패턴의 상면이 낮게 위치하는 구조를 가진 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법을 제공하도록 한다.
또한, 실시 예에서는 지지 절연층의 표면을 통해 노출되는 필러를 제거하여 상기 필러에 의해 발생할 수 있는 신뢰성 문제를 해결할 수 있는 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법을 제공하도록 한다.
제안되는 실시 예에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 제안되는 실시 예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
실시 예에 따른 인쇄회로기판은 복수의 절연층; 상기 복수의 절연층 중 최상측에 위치한 절연층의 상면에 배치된 프라이머층; 상기 프라이머층의 상면에 배치된 회로 패턴; 및 상기 프라이머층의 상면에 배치되고, 상기 회로 패턴의 주위를 둘러싸는 지지층;을 포함하고, 상기 지지층의 상면은, 상기 회로 패턴의 상면보다 높게 위치한다.
또한, 상기 지지층은 제1 높이를 가지고, 상기 회로 패턴은 상기 제1 높이의 20% 내지 95% 범위의 제2 높이를 가진다.
또한, 상기 프라이머층의 상부 영역에 부분적으로 배치되는 보호층을 포함한다.
또한, 상기 보호층은 솔더 레지스트를 포함한다.
또한, 상기 프라이머층은, 상기 보호층의 오픈 영역과 중첩되는 제1 영역과, 상기 보호층과 중첩되는 제2 영역을 포함하고, 상기 지지층은, 상기 프라이머층의 상기 제1 영역의 상면에 배치되는 제1 지지 부분과, 상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는 제2 지지 부분을 포함하고, 상기 보호층은, 상기 지지층의 상기 제2 지지 부분 위에 배치된다.
또한, 상기 프라이머층은, 상기 보호층의 오픈 영역과 중첩되는 제1 영역과, 상기 보호층과 중첩되는 제2 영역을 포함하고, 상기 지지층은, 상기 프라이머층의 상기 제1 영역의 상면에 배치되고, 상기 보호층은, 상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치된다.
또한, 상기 프라이머층은, 상기 보호층의 오픈 영역과 중첩되는 제1 영역과, 상기 보호층과 중첩되는 제2 영역과, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 경계 영역에 대응하는 제3 영역을 포함하고, 상기 지지층은, 상기 프라이머층의 상기 제1 영역의 상면에 배치되는 제1 지지 부분과, 상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는 제2 지지 부분을 포함하고, 상기 보호층은, 상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는 제1 보호 부분과, 상기 지지층의 상기 제2 지지 부분 위에 배치되는 제2 보호 부분을 포함한다.
또한, 상기 보호층의 상면은, 상기 지지층의 상면보다 높게 위치한다.
또한, 상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치된 회로 패턴은, 트레이스 및 패드를 포함하고, 상기 트레이스는, 10㎛ 이하의 선폭 및 10㎛ 이하의 간격을 가지며 상기 제2 영역의 상면에 배치된다.
또한, 상기 지지층은 무기 필러를 포함하고, 상기 지지층의 상면에는 상기 무기 필러에 대응하는 리세스가 형성된다.
또한, 상기 지지층의 하면은, 상기 프라이머층의 상면 및 상기 회로 패턴의 하면과 동일 평면 상에 위치한다.
한편, 실시 예에 따른 인쇄회로기판의 제조 방법은 내층 기판을 제조하고, 상기 내층 기판 위에, 상면에 프라이머층이 배치된 최상측 절연층을 형성하고, 상기 최상측 절연층의 상기 프라이머층 위에 회로 패턴을 형성하고, 상기 프라이머층 상에 상기 회로 패턴을 덮는 지지층을 형성하고, 상기 지지층의 상부 영역을 제거하여, 상기 회로 패턴의 상면이 노출되도록 하고, 상기 지지층보다 작은 높이를 가지도록 상기 노출된 회로 패턴의 상면을 애칭하고, 상기 프라이머층의 상부 영역에 부분적으로 보호층을 형성하는 것을 포함하며, 상기 보호층은 오픈 영역을 포함하고, 상기 오픈 영역 내에서의 지지층 및 회로 패턴의 상면은 외부로 노출된다.
또한, 상기 지지층의 상부 영역을 제거하는 것은, 샌드 블러스트를 통해 상기 회로 패턴의 높이와 동일 높이를 가지도록 상기 지지층을 제거하는 것을 포함한다. 상기 회로 패턴의 상면을 애칭하는 것은, 상기 지지층이 가지는 제1 높이의 20% 내지 95% 범위의 제2 높이를 가지도록 상기 회로 패턴의 상면을 애칭하는 것을 포함한다.
또한, 상기 프라이머층은, 상기 보호층의 오픈 영역과 중첩되는 제1 영역과, 상기 보호층과 중첩되는 제2 영역을 포함하고, 상기 지지층은, 상기 프라이머층의 상기 제1 영역의 상면에 배치되는 제1 지지 부분과, 상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는 제2 지지 부분을 포함하고, 상기 보호층은, 상기 지지층의 상기 제2 지지 부분 위에 배치된다.
또한, 상기 프라이머층은, 상기 보호층의 오픈 영역과 중첩되는 제1 영역과, 상기 보호층과 중첩되는 제2 영역을 포함하고, 상기 지지층은, 상기 프라이머층의 상기 제1 영역의 상면에 배치되고, 상기 보호층은, 상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치된다.
또한, 상기 프라이머층은, 상기 보호층의 오픈 영역과 중첩되는 제1 영역과, 상기 보호층과 중첩되는 제2 영역과, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 경계 영역에 대응하는 제3 영역을 포함하고, 상기 지지층은, 상기 프라이머층의 상기 제1 영역의 상면에 배치되는 제1 지지 부분과, 상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는 제2 지지 부분을 포함하고, 상기 보호층은, 상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는 제1 보호 부분과, 상기 지지층의 상기 제2 지지 부분 위에 배치되는 제2 보호 부분을 포함한다.
또한, 상기 보호층의 상면은, 상기 지지층의 상면보다 높게 위치한다.
또한, 상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치된 회로 패턴은, 트레이스 및 패드를 포함하고, 상기 트레이스는, 10㎛ 이하의 선폭 및 10㎛ 이하의 간격을 가지며 상기 제2 영역의 상면에 배치된다.
또한, 상기 지지층은 무기 필러를 포함하고, 상기 지지층의 상부 영역의 제거 후에, 상기 지지층의 표면을 통해 노출된 무기 필러를 제거하여, 상기 지지층의 표면에 상기 무기 필러에 대응하는 리세스를 형성하는 것을 포함한다.
본 실시 예에서의 인쇄회로기판은 8층 이상의 다층 구조를 가지는 인쇄회로기판이고, 상기 다층 중 최상부에 위치한 외측 절연층 위에 배치되어 상기 외측 절연층의 표면 위로 돌출되는 외층 회로 패턴을 포함한다. 이때, 상기 외층 회로 패턴은 상기 외측 절연층의 상부 영역 중 솔더 레지스트(SR:Solder Resist)가 배치되는 SR 배치 영역에 위치한 제2-1 회로 패턴과, 상기 솔더 레지스트가 배치되지 않는 SR 오픈 영역 상에 위치한 제2-2 회로 패턴을 포함한다. 이때, 상기 제2-1 회로 패턴은 상기 솔더 레지스트에 의해 지지될 수 있지만, 상기 제2-2 회로 패턴은 이를 지지할 수 있는 지지층이 없기 때문에, 다양한 요인에 위해 쉽게 무너질 수 있는 문제점을 가진다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 SR 오픈 영역에 해당하는 제1 절연층 위에 상기 제2-2 회로 패턴을 지지할 수 있는 지지층을 형성한다. 이때, 상기 지지층은 상기 외측 절연층의 상면 중 상기 SR 오픈 영역에만 형성될 수 있다. 또한, 이와 다르게 상기 지지층은 상기 SR 오픈 영역의 전체 영역 또는 SR 배치 영역 중 상기 SR 오픈 영역과 인접한 경계 영역 상에도 형성될 수 있다.
이에 따르면, 실시 예에서는 외층 회로 패턴의 미세화에 의해 상기 돌출된 외층 회로 패턴의 무너짐이나 쓸림 등의 문제를 해결할 수 있으며, 이에 따른 제품 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 특히, 실시 예에서는 솔더 레지스트가 배치되지 않는 SR 오픈 영역 상에서의 외층 회로 패턴의 무너짐이나 쓸림 등의 문제를 해결할 수 있으며, 이에 따른 제품 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면 상기 지지층을 형성함에 있어, 상기 지지층의 상면이 상기 외층 회로 패턴의 상면보다 높게 위치하도록 한다. 이에 따르면, 실시 예에서는 회로 패턴의 미세화에 의해 상호 이웃하는 회로 패턴의 접촉에 의한 신뢰성 문제를 해결할 수 있다. 또한, 실시 예에서는 외층 회로 패턴 상에 솔더 볼과 같은 접착 부재가 배치되는 상황에서, 상기 접착 부재가 상기 지지층 내에 갇히도록 하여 상기 접착 부재가 외층 회로 패턴의 측부 방향으로 흘러내리는 문제를 해결할 수 있으며, 이에 따른 이웃하는 접착 부재 사이가 서로 접촉함에 따른 쇼트 문제를 해결할 수 있다.
또한, 실시 예에서는 지지층의 제거 과정에서, 상기 지지층 내에 존재하는 무기 필러가 상기 지지층의 표면으로 노출될 수 있다. 이때, 상기 지지층의 표면으로 노출된 무기 필러는 상기 지지 절연층의 표면 거칠기를 증가시킬 수 있으며, 이에 따라 SR 배치 영역에서 솔더 레지스트와 같은 보호층과의 접착력을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시 예에서는 상기 지지 절연층의 제거 과정에서 노출된 무기 필러를 제거하는 공정을 추가로 진행할 수 있다. 이에 따르면, 실시 예에서는 상기 무기 필러가 지지층 절연층 위에 잔존함에 따라 복수의 외층 회로 패턴 사이의 쇼트가 발생하는 문제를 해결할 수 있으며, 이에 따른 제품 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시 예에서는 상기 지지층을 제거함에 있어 플라즈마와 같은 화학적 방법이 아닌 샌드 블러스트와 같은 물리적 방법을 사용하도록 한다. 이에 따르면, 플라즈마로 지지 절연층을 제거하는 경우, 잔류 레진에 의해 상기 지지층의 상면보다 외층 회로 패턴의 상면이 높게 위치한다. 그리고, 상기 지지층의 상면보다 상기 외층 회로 패턴의 상면이 높게 위치하는 경우, 이후에 진행되는 외층 회로 패턴의 에칭 공정에서 상기 외층 회로 패턴의 형태가 변형되며, 경우에 따라 단면이 삼각형 형상을 가지기도 한다. 그리고, 상기 외층 회로 패턴의 단면이 삼각형을 가지는 경우, 상기 외층 회로 패턴 상에 접착 부재를 안정적으로 배치할 수 없으며, 이에 따른 신뢰성 문제가 발생할 수 있다. 이에 반하여, 실시 예에서는 상기 지지층을 제거함에 있어, 샌드 블러스트이나 샌딩 공법과 같은 물리적 방법을 통해 상기 외층 회로 패턴의 표면을 노출시킨다. 그리고, 상기 샌드 블러스트, 샌딩 공법에 의해 지지층이 제거되는 경우, 상기 지지층의 상면과 상기 외층 회로 패턴의 상면을 실질적으로 동일한 높이로 맞추는게 가능해진다. 그리고, 상기 지지층의 상면과 외층 회로 패턴의 상면이 동일 높이에 있는 경우, 이후에 진행되는 외층 회로 패턴의 애칭 공정에서, 상기 외층 회로 패턴의 단면 형상을 사각 형상을 유지시키면서, 상기 외층 회로 패턴 상에 상기 접착 부재가 안정적으로 배치될 수 있도록 하며, 이에 따른 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시 예에서의 인쇄회로기판은 5G 통신 시스템에 적용 가능하며, 이에 따라 고주파수의 전송 손실을 최소화하여 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 실시 예에서의 인쇄회로기판은 고주파에서 사용 가능하고, 전파 손실을 줄일 수 있다.
도 1은 비교 예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 B 영역을 확대한 확대도이다.
도 4a는 비교 예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면이다.
도 4b는 제1 실시 예에 따른 지지층을 포함한 인쇄회로기판을 나타낸 도면이다.
도 4c는 제1 실시 예에 따른 지지층과 외층 회로 패턴 사이의 높이 차를 보여주는 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 제2 외층 회로 패턴의 높이에 따른 접착 부재의 배치 신뢰성을 보여주는 도면이다.
도 6 내지 도 16은 도 2에 도시된 인쇄회로기판의 제조 방법을 공정 순으로 나타낸 도면이다.
도 17는 샌드 블러스트에 의해 형성되는 인쇄회로기판의 표면을 나타낸 도면이다.
도 18은 실시 예에 따른 지지층 및 제2 외층 회로 패턴의 표면에 노출된 무기 필러를 나타낸 도면이다.
도 19는 실시 예에 따른 무기 필러 제거 공정이 진행된 후의 지지층 및 제2 외층 회로 패턴의 표면을 나타낸 도면이다.
도 20는 실시 예에 따른 공정 시간에 따른 무기 필러의 제거량을 나타낸 도면이다.
도 21은 실시 예에 따른 시간에 따른 반응 가스의 침투 깊이를 나타낸 도면이다.
도 22은 실시 예에 따른 공정 온도에 따른 무기 필러의 제거량을 나타낸 도면이다.
도 23는 무기 필러의 제거 전 및 제거 후의 지지층의 표면 변화를 나타낸 도면이다.
도 24는 무기 필러의 제거 전 및 제거 후의 제2 외층 회로 패턴의 표면 변화를 나타낸 것이다.
도 25는 제2 실시 예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면이다.
도 26은 제3 실시 예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 비교 예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, (a)에서와 같이, 비교 예에 따른 인쇄회로기판은 ETS 공법으로 제조된 회로 패턴을 포함한다.
구체적으로, ETS 공법에 의해 제조된 인쇄회로기판은 절연층(10), 제1 회로 패턴(20), 및 제2 회로 패턴(30)을 포함한다.
제1 회로 패턴(20)은 절연층(10) 내에 매립된다.
바람직하게, 제1 회로 패턴(20)은 절연층(10)의 하부 영역에 매립된다. 이에 따라, 제1 회로 패턴(20)의 하면은 절연층(10)의 하면과 동일 평면 상에 배치된다.
절연층(10)의 상면에는 제2 회로 패턴(30)이 배치된다.
제2 회로 패턴(30)은 상기 절연층(10)의 상면 위로 돌출된 구조를 가진다.
한편, 도면 상에는 1개의 절연층(10)만을 포함하고, 회로패턴층을 기준으로 2층 구조를 가지는 인쇄회로기판에 대해 도시하였으나, 인쇄회로기판의 회로패턴의 층수는 더 증가할 수 있다.
다만, 회로 패턴의 층수가 증가하더라도, 최외곽에 배치된 제2 회로 패턴(30)은 절연층(10)의 표면 위로 돌출되는 구조를 가진다.
한편, 최근에는 회로패턴이 점차 미세화되어 가고 있다. 그리고, 폭/간격이 15㎛/15㎛ 이하인 미세 회로 패턴의 경우, 최외층을 ETS 공법으로 구현해야 한다. 즉, 최외층의 회로 패턴이 15㎛의 폭을 가지면서, 각각의 회로 패턴의 간격이 15㎛ 이하 이격되어 배치되어야 하는 미세 회로 패턴의 경우, 상기 회로 패턴을 ETS 공법으로 형성해야 안정적인 미세회로 패턴의 형성이 가능하다.
비교 예에서와 같이, 최외곽에 배치된 최외층 회로 패턴의 경우, 절연층(10)의 상면 위로 돌출된 구조를 가진다. 이때, 상기 돌출된 제2 회로 패턴(30)은 폭이 15㎛ 이하일 수 있다. 여기에서, 상기 돌출된 제2 회로 패턴(30)이 15㎛를 초과하는 폭을 가지는 경우, 외부 충격에 강할 수 있다.
그러나, 도 1의 (b)에서와 같이, 회로 패턴이 점차 미세화되어 가면서 상기 최외층의 제2 회로 패턴(30)의 폭이 작아지고 있으며, 이에 따라 상기 제2 회로 패턴(30)이 상기 절연층(10)의 상면 위로 돌출된 구조를 가지는 경우, 외부 충격에 상기 제2 회로 패턴(30)이 쉽게 무너지는 문제가 발생한다.
즉, 비교 예에서와 같이 최외층의 제2 회로 패턴(30)이 극도로 미세한 패턴 형태를 가지고 있으며, 이에 따라 외부의 작은 충격에도 쉽게 무너지거나 쓸리는 문제가 발생한다.
또한, 도 1에서와 같은 비교 예에서의 최외층의 회로 패턴 중 제1 회로 패턴(20)을 미세 패턴으로 형성하고, 이에 따라 이를 절연층(10) 내에 매립된 구조를 가지도록 하여 상기와 같은 최외층의 미세 회로 패턴에서 발생할 수 있는 무너짐 문제를 해결할 수도 있다. 이때, 도 1에서와 같은 인쇄회로기판은 ETS 공법을 통해 제조되고 있다. 여기에서, 도 1에서와 같은 2층 구조(회로 패턴의 층 수 기준)의 기판에 대해서는 ETS 공법으로 인쇄회로기판을 제작하는데 큰 문제가 없다. 그러나, ETS 공법으로 8층 이상, 특히 10층 이상을 가지는 인쇄회로기판을 제작하는 경우, 이를 제작하기 위한 리드 타임이 최소 2달 이상 소요하며, 이에 따른 생산성이 낮아지는 문제가 있다.
또한, ETS 공법으로 인쇄회로기판을 제작하는 경우, ETS 코어층이 별도로 필요하다. 이때, 상기 ETS 공법으로 인쇄회로기판을 제작하는 경우, 최종적으로 ETS 코어층을 제거해야 하는 추가적인 공정이 필요로 한다.
또한, ETS 공법으로 인쇄회로기판을 제작하는 경우, 일정 횟수 이상이 층 적층 시에 누적 공차로 인한 수율이 낮아지며, 이에 따른 제품 비용이 증가하는 문제가 있으며, ETS 코어층을 중심으로 양면에 각각 적층 공정이 진행됨에 따라 스트레스로 인한 패턴 데미지가 증가하는 문제가 있다.
또한, 최근에는 5G 기술이 발달되면서, 이를 반영할 수 있는 인쇄회로기판에 관심이 고조되고 있다. 이때, 5G 기술이 적용되기 위해서는 인쇄회로기판이 고다층 구조를 가져야 하며, 이에 따른 회로 패턴이 미세화되어야 한다.그러나, 비교 예에서는 미세 패턴을 형성하는 것은 가능하지만, 이를 안정하게 보호할 수 없는 문제점이 있다.
이에 따라, 실시 예는 최외곽에 배치되는 미세 패턴의 신뢰성 문제를 해결할 수 있는 새로운 구조의 인쇄회로기판 및 이의 제어 방법을 제공하고자 한다.
도 2는 실시 예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2의 B 영역을 확대한 확대도이다.
도 2 및 도 3의 설명에 앞서, 실시 예에 따른 인쇄회로기판은 다층 구조를 가질 수 있다. 바람직하게, 실시 예에 따른 인쇄회로기판은 회로 패턴의 층 수를 기준으로 10층 이상의 구조를 가질 수 있다. 다만, 이는 일 실시 예에 불과할 뿐, 이에 한정되지는 않는다. 즉, 실시 예에서의 인쇄회로기판은 10층 보다 작은 층 수를 가질 수 있으며, 이와 다르게 10층보다 큰 층수를 가질 수도 있을 것이다.
다만, 실시 예에서의 인쇄회로기판은 비교 예의 ETS 공법이 가지는 문제를 해결하기 위한 것이다. 이때, 상기 비교 예에서의 ETS 공법은 8층 이상의 인쇄회로기판을 제작하는데에 많은 문제가 있으며, 이에 따라, 실시 예에서는 이와의 비교를 위해 10층 구조를 가지는 것으로 하여 설명하기로 한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 인쇄회로기판(100)은 절연층(110)을 포함한다.
바람직하게, 인쇄회로기판(100)은 10층 구조를 구현하기 위해, 제1 내지 제9 절연층(111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 절연층(110) 중 제1 절연층(111), 제2 절연층(112), 제3 절연층(113), 제4 절연층(114), 제5 절연층(115), 제6 절연층(116) 및 제7 절연층(117)은 절연층의 적층 구조에서 내측에 배치된 내부 절연층일 수 있으며, 제8 절연층(118)은 내층 절연층의 상부에 배치되는 최상부 절연층(제1 최외층 절연층)일 수 있고, 제9 절연층(119)은 내층 절연층의 하부에 배치되는 최하부 절연층(제2 최외층 절연층)일 수 있다.
제1 절연층(111)은 절연층(110)의 적층 구조에서 중심에 배치되는 코어 절연층일 수 있다. 제2 절연층(112), 제4 절연층(114), 제6 절연층(116) 및 제8 절연층(118)은 제1 절연층(111)의 상부에 순차적으로 배치되는 상부 절연층일 수 있다. 그리고, 제3 절연층(113), 제5 절연층(115), 제7 절연층(117) 및 제9 절연층(119)은 제1 절연층(111)의 하부에 순차적으로 배치되는 하부 절연층일 수 있다.
절연층(110)은 배선을 변경할 수 있는 전기 회로가 편성되어 있는 기판으로, 표면에 회로패턴들을 형성할 수 있는 절연 재료로 만들어진 프린트, 배선판 및 절연기판을 모두 포함할 수 있다.
예를 들어, 절연층(110) 중 적어도 하나는 리지드(rigid)하거나 또는 플렉서블(flexible)할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(110) 중 적어도 하나는 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 절연층(110) 중 적어도 하나는, 소다라임유리(soda lime glass) 또는 알루미노실리케이트유리 등의 화학 강화/반강화유리를 포함하거나, 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 프로필렌 글리콜(propylene glycol, PPG) 폴리 카보네이트(PC) 등의 강화 혹은 연성 플라스틱을 포함하거나 사파이어를 포함할 수 있다.
또한, 상기 절연층(110) 중 적어도 하나는 광등방성 필름을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 절연층(110) 중 적어도 하나는 COC(Cyclic Olefin Copolymer), COP(Cyclic Olefin Polymer), 광등방 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 광등방 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 절연층(110) 중 적어도 하나는 부분적으로 곡면을 가지면서 휘어질 수 있다. 즉, 절연층(110) 중 적어도 하나는 부분적으로는 평면을 가지고, 부분적으로는 곡면을 가지면서 휘어질 수 있다. 자세하게, 상기 절연층(110) 중 적어도 하나는 끝단이 곡면을 가지면서 휘어지거나 랜덤한 곡률을 포함한 표면을 가지며 휘어지거나 구부러질 수 있다.
또한, 상기 절연층(110) 중 적어도 하나는 유연한 특성을 가지는 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 또한, 상기 절연층(110) 중 적어도 하나는 커브드(curved) 또는 벤디드(bended) 기판일 수 있다. 이때, 절연층(110) 중 적어도 하나는 회로 설계를 근거로 회로부품을 접속하는 전기배선을 배선 도형으로 표현하며, 절연물 상에 전기도체를 재현할 수 있다. 또한 절연층(110) 중 적어도 하나는 전기 부품을 탑재하고 이들을 회로적으로 연결하는 배선을 형성할 수 있으며, 부품의 전기적 연결기능 외의 부품들을 기계적으로 고정시켜줄 수 있다.
절연층(110)의 표면에는 회로 패턴이 배치될 수 있다.
즉, 절연층(110)을 구성하는 제1 내지 제9 절연층(111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119)의 각각의 표면에는 회로 패턴이 배치될 수 있다.
여기에서, 회로 패턴은 내층 회로 패턴(120) 및 외층 회로 패턴(130, 140)을 포함할 수 있다. 내층 회로 패턴(120)은 인쇄회로기판의 적층 구조에서, 절연층(110)의 내부에 배치된 회로 패턴이고, 외층 회로 패턴(130, 140)은 인쇄회로기판의 적층 구조에서, 절연층(110)의 최외측에 배치된 회로 패턴일 수 있다.
내층 회로 패턴(120)은 제1 회로 패턴(121), 제2 회로 패턴(122), 제3 회로 패턴(123), 제4 회로 패턴(124), 제5 회로 패턴(125), 제6 회로 패턴(126) 및 제7 회로 패턴(127)을 포함할 수 있다.
제1 회로 패턴(121)은 제1 절연층(111)의 상면에 배치되고, 그에 따라 제2 절연층(112)에 의해 덮일 수 있다. 제2 회로 패턴(122)은 제1 절연층(111)의 하면에 배치될 수 있고, 그에 따라 제3 절연층(113)에 의해 덮일 수 있다. 제3 회로 패턴(123)은 제2 절연층(112)의 상면에 배치될 수 있고, 이에 따라 제4 절연층(114)에 의해 덮일 수 있다. 제4 회로 패턴(124)은 제3 절연층(113)의 하면에 배치될 수 있고, 이에 따라 제5 절연층(115)에 의해 덮일 수 있다. 제5 회로 패턴(125)은 제4 절연층(114)의 상면에 배치될 수 있고, 이에 따라 제6 절연층(116)에 의해 덮일 수 있다. 제6 회로 패턴(126)은 제5 절연층(115)의 하면에 배치될 수 있고, 이에 따라 제7 절연층(117)에 의해 덮일 수 있다. 제7 회로 패턴(127)은 제6 절연층(116)의 상면에 배치될 수 있고, 이에 따라 제8 절연층(118)에 의해 덮일 수 있다. 제8 회로 패턴(128)은 제7 절연층(117)의 하면에 배치될 수 있고, 이에 따라 제9 절연층에 의해 덮일 수 있다.
외층 회로 패턴은 절연층(110) 중 최외측에 배치된 최외층 절연층의 표면에 배치될 수 있다. 바람직하게, 외층 회로 패턴은 절연층(110) 중 최하부에 배치된 제9 절연층(119)의 하면에 배치된 제1 외층 회로 패턴(130)을 포함할 수 있다.
또한, 외층 회로 패턴은 절연층(110) 중 최상부에 배치된 제8 절연층(118)의 상면에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1 외층 회로 패턴(130) 및 제2 외층 회로 패턴(140) 중 적어도 하나는 절연층의 표면 상으로 돌출되어 형성될 수 있다. 바람직하게, 제1 외층 회로 패턴(130)은 제9 절연층(119)의 하면 아래로 돌출되어 형성될 수 있다. 또한, 제2 외층 회로 패턴(140)은 제8 절연층(118)의 상면 위로 돌출되어 형성될 수 있다.
즉, 제1 외층 회로 패턴(130)은 상면이 제9 절연층(119)의 하면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 그리고, 제2 외층 회로 패턴(140)은 하면이 제8 절연층(180)의 상면에 배치되는 프라이머층(150)의 상면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다.
다시 말해서, 제8 절연층(180)의 상면과 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 상에는 프라이머층(150)이 배치될 수 있다.
즉, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 미세 회로 패턴을 포함할 수 있다. 바람직하게, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 패턴의 선폭이 10㎛ 이하이고, 패턴들 사이의 간격이 10㎛이하인 미세 회로 패턴일 수 있다. 이에 따라, 상기 제8 절연층(118) 상에 상기 제2 외층 회로 패턴(140)을 바로 배치하는 경우, 상기 제8 절연층(118)과 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 사이의 접촉 면적이 작음에 따른 상기 제2 외층 회로 패턴(150)이 상기 제8 절연층(118)으로부터 이탈되는 상황이 발생할 수 있다.
따라서, 실시 예에서는 상기 제2 외층 회로 패턴(140)과 상기 제8 절연층(118) 사이에 프라이머층(150)을 배치한다. 상기 프라이머층(150)은 상기 제2 외층 회로 패턴(140)과 상기 제8 절연층(118) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 프라이머층(150)은 상기 제8절연층(118)의 상면을 전체적으로 덮으며 배치될 수 있다. 그리고, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 상기 프라이머층(150) 상에 부분적으로 배치될 수 있다. 따라서, 제1 실시 예에서의 프라이머층(150)의 상면은 상기 제2 외층 회로 패턴(140)과 접촉하는 제1 부분과, 추후 설명할 지지 절연층(160)의 하면과 접촉하는 제2 부분을 포함할 수 있다. 즉, 상기 프라이머층(150)은 SAP 공정에 의해 상기 제2 외층 회로 패턴(140)을 형성할 때, 상기 제8 절연층(118)과 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 사이의 접합력을 강화시키는 역할을 수행할 수 있다. 이와 같은 프라이머층(150)은 폴리우레탄계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
한편, 도 2에서는 상기 제9 절연층(119)과 상기 제1 외층 회로 패턴(130) 사이에는 프라이머층이 배치되지 않는 것으로 도시하였으나, 상기 프라이머층은 상기 제9 절연층(119)과 상기 제1 외층 회로 패턴(130) 사이에도 배치될 수 있을 것이다. 다만, 상기 제1 외층 회로 패턴(130)은 미세 회로 패턴이 아닐 수 있으며, 이에 따라 상기 제9 절연층(119)과 상기 제1 외층 회로 패턴(130) 사이의 프라이머층은 선택적으로 생략될 수 있을 것이다.
결론적으로, 내층에 미세 회로 패턴이 배치되는 경우, 이는 절연층(110) 중 적어도 어느 하나에 의해 덮임에 따라 상기 프라이머층이 생략될 수 있다. 반면, 실시 예에서는 상기 최외층에 미세 회로 패턴이 배치되는 경우, 상기 미세 회로 패턴을 덮는 절연층이 존재하지 않기 때문에, 미세 회로 패턴과 절연층 사이의 접합력을 향상시키기 위해 상기 프라이머층(150)을 배치하도록 한다.
이하에서는, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 미세 회로 패턴으로 형성되는 것으로 설명하기로 한다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 제1 외층 회로 패턴(130)도 미세 회로 패턴으로 형성될 수 있으며, 이에 따라 이하에서 설명하는 제2 외층 회로 패턴(140)의 접합력 강화 및 무너짐 방지 등과 같은 신뢰성 향상을 위한 구조는, 상기 제1 외층 회로 패턴(130)에도 적용할 수 있음은 자명할 것이다.
상기 내층 회로 패턴(120), 제1 외층 회로 패턴(130) 및 제2 외층 회로 패턴(140)은 전기적 신호를 전달하는 배선으로, 전기 전도성이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. 이를 위해, 상기 내층 회로 패턴(120), 제1 외층 회로 패턴(130) 및 제2 외층 회로 패턴(140)은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu) 및 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질로 형성될 수 있다. 또한 내층 회로 패턴(120), 제1 외층 회로 패턴(130) 및 제2 외층 회로 패턴(140)은 본딩력이 우수한 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu), 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 페이스트 또는 솔더 페이스트로 형성될 수 있다. 바람직하게, 내층 회로 패턴(120), 제1 외층 회로 패턴(130) 및 제2 외층 회로 패턴(140)은 전기전도성이 높으면서 가격이 비교적 저렴한 구리(Cu)로 형성될 수 있다.
상기 내층 회로 패턴(120), 제1 외층 회로 패턴(130) 및 제2 외층 회로 패턴(140) 중 적어도 하나는 통상적인 인쇄회로기판의 제조 공정인 어디티브 공법(Additive process), 서브트렉티브 공법(Subtractive Process), MSAP(Modified Semi Additive Process) 및 SAP(Semi Additive Process) 공법 등으로 가능하며 여기에서는 상세한 설명은 생략한다.
바람직하게, 상기 제1 외층 회로 패턴(130) 및 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 인쇄회로기판의 최외측에 배치된 최외층 회로 패턴이며, 이에 따라 이들은 SAP(Semi Additive Process) 공법으로 형성될 수 있을 것이다.
한편, 상기 절연층(110) 내에는 비아(V)가 배치될 수 있다. 상기 비아(V)는 각각의 절연층 내에 배치되고, 그에 따라 서로 다른 층에 배치된 회로 패턴을 서로전기적으로 연결하는 역할을 수행할 수 있다.
제1 절연층(111) 내에는 제1 비아(V1)가 배치될 수 있다. 상기 제1 비아(V1)는 제1 절연층(111)의 상면에 배치된 제1 회로 패턴(121)과 상기 제1 절연층(111)의 하면에 배치된 제2 회로 패턴(122)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제2 절연층(112) 내에는 제2 비아(V2)가 배치될 수 있다. 상기 제2 비아(V2)는 제1 절연층(111)의 상면에 배치된 제1 회로 패턴(121)과 상기 제2 절연층(112)의 상면에 배치된 제3 회로 패턴(123)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제3 절연층(113) 내에는 제3 비아(V3)가 배치될 수 있다. 상기 제3 비아(V3)는 제1 절연층(111)의 하면에 배치된 제2 회로 패턴(122)과 상기 제3 절연층(113)의 하면에 배치된 제4 회로 패턴(124)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제4 절연층(114) 내에는 제4 비아(V4)가 배치될 수 있다. 상기 제4 비아(V4)는 제2 절연층(111)의 상면에 배치된 제3 회로 패턴(123)과 상기 제4 절연층(114)의 상면에 배치된 제5 회로 패턴(125)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제5 절연층(115) 내에는 제5 비아(V5)가 배치될 수 있다. 상기 제5 비아(V5)는 제3 절연층(113)의 하면에 배치된 제4 회로 패턴(124)과 상기 제5 절연층(115)의 하면에 배치된 제6 회로 패턴(126)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제6 절연층(116) 내에는 제6 비아(V6)가 배치될 수 있다. 상기 제6 비아(V6)는 제4 절연층(114)의 상면에 배치된 제5 회로 패턴(125)과 상기 제6 절연층(116)의 상면에 배치된 제7 회로 패턴(127)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제7 절연층(117) 내에는 제7 비아(V7)가 배치될 수 있다. 상기 제7 비아(V7)는 제5 절연층(115)의 하면에 배치된 제6 회로 패턴(126)과 상기 제7 절연층(117)의 하면에 배치된 제8 회로 패턴(128)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제8 절연층(118) 내에는 제8 비아(V1)가 배치될 수 있다. 상기 제8 비아(V8)는 제6 절연층(116)의 상면에 배치된 제7 회로 패턴(127)과 상기 프라이머층(150)의 상면에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제9 절연층(119) 내에는 제9 비아(V9)가 배치될 수 있다. 상기 제9 비아(V9)는 제7 절연층(117)의 하면에 배치된 제8 회로 패턴(128)과 상기 제9 절연층(119)의 하면에 배치된 제1 외층 회로 패턴(130)을 전기적으로 연결할 수 있다.
상기와 같은 비아(V)는 각각의 절연층 내에 형성된 비아 홀 내부를 금속 물질로 충진하는 것에 의해 형성될 수 있다.
상기 비아 홀은 은 기계, 레이저 및 화학 가공 중 어느 하나의 가공 방식에 의해 형성될 수 있다. 상기 비아 홀이 기계 가공에 의해 형성되는 경우에는 밀링(Milling), 드릴(Drill) 및 라우팅(Routing) 등의 방식을 사용할 수 있고, 레이저 가공에 의해 형성되는 경우에는 UV나 CO2 레이저 방식을 사용할 수 있으며, 화학 가공에 의해 형성되는 경우에는 아미노실란, 케톤류 등을 포함하는 약품을 이용하여 상기 절연층(110)을 개방할 수 있다.
한편, 상기 레이저에 의한 가공은 광학 에너지를 표면에 집중시켜 재료의 일부를 녹이고 증발시켜, 원하는 형태를 취하는 절단 방법으로, 컴퓨터 프로그램에 의한 복잡한 형성도 쉽게 가공할 수 있고, 다른 방법으로는 절단하기 어려운 복합 재료도 가공할 수 있다.
또한, 상기 레이저에 의한 가공은 절단 직경이 최소 0.005mm까지 가능하며, 가공 가능한 두께 범위로 넓은 장점이 있다.
상기 레이저 가공 드릴로, YAG(Yttrium Aluminum Garnet)레이저나 CO2 레이저나 자외선(UV) 레이저를 이용하는 것이 바람직하다. YAG 레이저는 동박층 및 절연층 모두를 가공할 수 있는 레이저이고, CO2 레이저는 절연층만 가공할 수 있는 레이저이다.
상기 관통 홀이 형성되면, 상기 관통 홀 내부를 전도성 물질로 충진하여 상기 제1 내지 제9 비아(V1, V2, V3, V4, V5, V6, V7, V8, V9)를 형성할 수 있다. 상기 제1 내지 제9 비아(V1, V2, V3, V4, V5, V6, V7, V8, V9)를 형성하는 금속 물질은 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd) 중에서 선택되는 어느 하나의 물질일 수 있으며, 상기 전도성 물질 충진은 무전해 도금, 전해 도금, 스크린 인쇄(Screen Printing), 스퍼터링(Sputtering), 증발법(Evaporation), 잉크젯팅 및 디스펜싱 중 어느 하나 또는 이들의 조합된 방식을 이용할 수 있다.
한편, 인쇄회로기판(100)의 최외측에는 보호층이 배치될 수 있다. 바람직하게, 상기 제8 절연층(118)의 상부(바람직하게, 프라이머층(150)의 상부)에는 제1 보호층(170)이 배치될 수 있다. 또한, 제9 절연층(119)의 하부에는 제2 보호층(175)이 배치될 수 있다.
상기 제1 보호층(170) 및 제2 보호층(175)은 SR(Solder Resist), 산화물 및 Au 중 어느 하나 이상을 이용하여, 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 보호층(150)은 솔더 레지스트일 수 있다.
한편, 상기 프라이머층(150) 상에는 지지층(160)이 배치된다. 상기 지지층(160)은 상기 프라이머층(150) 상에 배치되는 제2 외층 회로 패턴(140)을 지지하는 역할을 할 수 있다.
즉, 상기 제1 보호층(170)은 상기 프라이머층(150) 상에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)과 부분적으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 보호층(170)의 면적은 상기 제8 절연층(118)의 면적보다 작을 수 있다. 상기 제1 보호층(170)의 면적은 상기 프라이머층(150)의 면적보다 작을 수 있다. 상기 제1 보호층(170)은 상기 프라이머층(150) 및 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 상에 부분적으로 배치되며, 이에 따라 오픈 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 보호층(170)은 홀과 같은 형상의 오픈 영역(R1)을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(R1)은 상기 프라이머층(150) 및 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 상부 영역 중 상기 제1 보호층(170)이 비배치되는 영역일 수 있다.
즉, 상기 오픈 영역(R1)은 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 칩과 같은 부품과 전기적으로 연결되기 위한 상기 제1 보호층(170)의 비배치영역일 수 있다. 이에 따라, 상기 오픈 영역(R1) 상에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)은 이를 보호하는 보호층이 존재하지 않은 상태에서 외부로 노출될 수 있다.
그리고, 상기와 같은 오픈 영역(R1) 내에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)은 다양한 요인에 의해 무너짐이나 쓸림 등의 신뢰성 문제가 발생할 수 있다. 더욱이, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 미세 회로 패턴이며, 이에 따라 10㎛ 이하의 선폭과, 10㎛ 이하의 간격을 가지고, 상기 프라이머층(150) 상에 배치된다. 이에 따라, 상기 오픈 영역(R1) 상에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)은 외부의 다양한 작은 충격에도 쉽게 무너짐이나 쓸림 등의 문제가 발생할 수 있다.
이에 따라, 실시 예에서는 상기 오픈 영역(R1) 상에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)의 신뢰성을 향상시키기 위해, 상기 오픈 영역(R1)에 대응하는 프라이머층(150) 상에 지지층(160)을 배치한다. 즉, 상기 지지층(160)은 상기 프라이머층(150)의 상면 중 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 배치되지 않은 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 지지층(160)은 상기 프라이머층(150)의 상면에 배치되고, 그에 따라 상기 오픈 영역(R1) 상의 제2 외층 회로 패턴(140)들 사이에 배치될 수 있다.
이때, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 상기 제1 보호층(170)이 비배치된 오픈 영역(R1) 상에 형성된 제2-1 외층 회로 패턴과, 상기 제1 보호층(170)이 배치된 보호층 배치 영역(R2) 상에 형성된 제2-2 외층 회로 패턴을 포함한다.
그리고, 상기 프라이머층(150)의 상면은 상기 오픈 영역(R1)에 대응하는 제1 상면과, 상기 보호층 배치 영역(R2)에 대응하는 제2 상면을 포함한다.
이때, 도 2 및 3에 도시된 바와 같이, 상기 지지층(160)은 상기 오픈 영역(R1) 및 보호층 배치 영역(R2)을 구분하지 않고, 상기 프라이머층(150) 상에 전체적으로 배치되어, 상기 제2-1 외층 회로 패턴들의 사이 영역과 상기 2-2 외층 회로 패턴들의 사이 영역에 각각 배치될 수 있다.
즉, 상기 보호층 배치 영역(R2) 내에 배치된 제2-2 외층 회로 패턴들은 상기 제1 보호층(170)에 의해 지지 및 보호됨에 따라 상기와 같은 무너짐이나 쓸림 등의 문제가 발생할 가능성이 낮다. 따라서, 상기 제2-2 외층 회로 패턴들 사이에는 상기 지지층(160)이 생략될 수 있다. 다만, 제1 실시 예에서는 공정 상의 편의를 위해, 상기 제2-1 외층 회로 패턴들과 제2-2 외층 회로 패턴들 사이에 상기 지지층(160)을 배치한다.
이에 따라, 상기 지지층(160)은 상기 오픈 영역(R1) 내에 배치되는 제1 부분가, 상기 보호층 배치 영역(R2) 내에 배치되는 제2 부분을 포함한다.
그리고, 상기 제1 보호층(170)은 상기 보호층 배치 영역(R2)에 대응하는 상기 지지층(160)의 상기 제2 부분과, 상기 제2-2 외층 회로 패턴들 상에 배치될 수 있다.
이하에서는 상기 지지층(160)에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.
상기 지지층(160)은 상기 프라이머층(150) 상에 배치될 수 있다. 바람직하게, 상기 지지층(160)은 상기 프라이머층(150) 상에서 상기 제2 외층 회로 패턴(140)들 사이에 배치될 수 있다. 즉, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 상기 프라이머층(150) 상에 일정 간격 이격되며 배치되고, 그에 따라 상기 지지층(160)은 상기 프라이머층(150)의 상면 중 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 배치되지 않은 영역 상에 배치될 수 있다.
이에 따라, 상기 지지층(160)은 상기 제2 외층 회로 패턴(140)과 직접 접촉하는 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 지지층(160)의 측면은 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 측면과 직접 접촉할 수 있다.
즉, 상기 지지층(160)은 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 주위를 둘러싸며 배치되며, 그에 따라 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 무너짐이나 쓸림 등을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
상기 지지층(160)은 레진 및 필러가 혼합된 형태의 구조를 가질 수 있다. 즉, 지지층(160)은 ABF, RCC나 기타의 Glass Fiber가 없는 절연층일 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 상기 지지층(160)은 감광성 절연 물질인 PID로 구성될 수 있을 것이다.
실시 예에서는 상기와 같이 프라이머층(150) 상에 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 주위를 둘러싸며, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 측면과 직접 접촉하는 지지층(160)을 형성한다. 그리고, 실시 예에서는 상기 지지층(160)에 의해 미세 회로 패턴의 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 지지될 수 있도록 한다. 바람직하게, 실시 예에서는 상기 지지층(160)에 의해 상기 보호층(170)의 오픈 영역(R1)에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)이 지지될 수 있도록 하고, 이에 따라 외부 충격으로부터 상기 제2 외층 회로 패턴(140)을 안정적으로 보호할 수 있도록 한다.
한편, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 기능에 따라 트레이스(141) 및 패드(142)를 포함할 수 있다. 상기 패드(142)는 칩과 같은 전자 부품과의 연결을 위해 접착 부재(미도시)가 배치되는 영역일 수 있다. 그리고, 트레이스(141)는 서로 다른 패드들 사이를 연결하는 배선 라인일 수 있다. 여기에서, 상기 패드(142)는 일반적으로 트레이스보다는 큰 폭을 가지고 있으며, 이에 따라 상기 패드(142)는 외부 충격에 강한 특성을 가질 수 있다. 다만, 상기 트레이스(141)는 상기와 같은 미세 회로 패턴에 대응하는 폭과 간격을 가지고 배치되며, 이에 따라 외부 충격에 약한 특성을 가질 수 있다. 따라서, 상기 지지층(160)은 상기 오픈 영역(R1) 내에 배치되는 제2 외층 회로 패턴(140), 더욱 구체적으로는 상기 오픈 영역(R1) 내의 제2 외층 회로 패턴(140)의 트레이스(141)를 안정적으로 지지하는 역할을 수행할 수 있다.
한편, 도 3에서와 같이, 지지층(160)의 높이(H1)는 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 높이(H2)보다 클 수 있다.
즉, 지지층(160)은 제1 높이(H1)를 가지고 상기 프라이머층(150) 상에 배치될 수 있다. 그리고, 제2 외층 회로 패턴(140)은 상기 제1 높이(H1)보다 작은 제2 높이(H2)를 가지고 상기 프라이머층(150) 상에 배치될 수 있다. 이와 같은 구조는, 추후 설명할 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 제조 공정에서 나타날 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 가지는 제2 높이(H2)는 상기 지지층(160)이 가지는 제1 높이(H1) 대비 20% 내지 95% 수준을 가질 수 있다. 상기 제2 높이(H2)가 상기 제1 높이(H1)의 20%보다 작은 경우, 상기 지지층(160)이 상기 제2 외층 회로 패턴(140)을 지지하는 역할을 제대로 수행하지 못할 수 있다. 또한, 상기 제2 높이(H2)가 상기 제1 높이(H1)의 95%보다 큰 경우, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 표면에 상기 지지층(160)의 레진 일부가 잔존할 수 있고, 이에 따른 신뢰성 문제가 발생할 수 있다.
또한, 제2 높이(H2)가 상기 제1 높이(H1)의 95%보다 큰 경우, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)(더욱 명확하게는, 제2 외층 회로 패턴의 패드(142)) 상에 배치되는 접착 부재의 흘러내림과 같은 문제가 발생할 수 있다. 즉, 실시 예에서는 상기 제2 높이(H2)와 상기 제1 높이(H1)의 차이에 의해 상기 접착 부재가 상기 지지층(160)에 지지될 수 있으며, 이에 따라 상기 접착 부재의 흘러내과 같은 문제를 해결하여 이웃하는 접착 부재 사이의 접촉에 의한 쇼트 발생 문제를 해결할 수 있다.
한편, 상기와 같이 제1 실시 예에서는 보호층 배치 영역(R2)에 대응하는 프라이머층(150) 및 제2 외층 회로 패턴(140) 상에도 상기 지지층(160)이 배치된다. 즉, 상기 지지층(160)은 상기 오픈 영역(R1) 내에만 선택적으로 배치될 수 있으나, 제1 실시 예에서는 신뢰성 향상을 위해 상기와 같이 오픈 영역(R1)뿐 아니라 보호층 배치 영역(R2) 내에도 상기 지지층(160)을 배치한다.
즉, 상기 보호층 배치 영역(R2)에서는 상기 지지층(160)을 생략하고, 바로 상기 제1 보호층(170)과 같은 솔더 레지스트를 배치할 수도 있다. 그러나, 상기 지지층(160)이 배치되지 않은 상태에서 미세 회로 패턴인 제2 외층 회로 패턴(140) 상에 바로 솔더 레지스트를 배치하는 경우, 상기 솔더레지스트의 도포 과정에서 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 무너지는 상황이 발생할 수 있다. 또한, 상기 솔더레지스트가 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 상에 도포된 상태에서 상기 솔더레지스트의 일부를 제거하는 경우, 상기 솔더레지스트의 특성상 크랙이 발생할 가능성이 매우 높으며 이에 따른 인쇄회로기판의 신뢰성에 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 제1 실시 예에서는 오픈 영역(R1)뿐 아니라 보호층 배치 영역(R2)에도 상기 지지층(160)을 배치하여, 상기 미세패턴인 제2 외층 회로 패턴(140)이 안정적으로 지지된 상태에서 솔더레지스트와 같은 제1 보호층(170)이 배치되도록 할 수 있다.
상기 제1 보호층(170)은 상면이 상기 지지층(160)의 상면 및 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 상면보다 높게 위치할 수 있다.
또한, 상기 제1 보호층(170)의 하면은 상기 지지층(160)과 접촉하는 제1 하면과, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)과 접촉하는 제2 하면을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제1 보호층(170)의 제2 하면은 상기 지지층(160)의 상면보다 낮게 위치할 수 있다. 바람직하게, 상기 제1 보호층(170)의 하면은 전체적으로 평면 상에 배치되지 않고, 영역별로 단차를 가질 수 있다.
이하에서는, 상기 지지층(160)이 가지는 특징에 대해서 더욱 구체적으로 설명하기로 한다.
도 4a는 비교 예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면이고, 도 4b는 제1 실시 예에 따른 지지층을 포함한 인쇄회로기판을 나타낸 도면이고, 도 4c는 제1 실시 예에 따른 지지층과 외층 회로 패턴 사이의 높이 차를 보여주는 도면이다.
도 4a에서와 같이 (a) 도면에 따르면, 절연층(10) 상에는 제2 회로 패턴(30)이 배치된다. 이때, 상기 제2 회로 패턴(30)은 상기 절연층(10)의 상면 위에 돌출되는 구조를 가진다. 그리고, 상기 절연층(10) 상에는 상기 제2 회로 패턴(30)을 지지하는 지지층이 존재하지 않는다.
그리고, 도 4a의 (b)에서와 같이, 상기 지지 절연층이 존재하지 않음에 따라 상기 비교 예의 제2 회로 패턴(30) 중 미세 패턴에 해당하는 'A' 영역에서는 회로 패턴의 무너짐이나 쓸림 현상이 발생하게 된다.
이는, SAP 공법으로 제조된 회로 패턴을 포함하는 인쇄회로기판에서, 최외층의 회로 패턴에서 발생할 수 있다.
도 4b의 (a) 및 (b)에서와 같이, 인쇄회로기판(100)은 제8 절연층(118) 상에 프라이머층(150)이 배치되고, 상기 프라이머층(150) 상에 제2 외층 회로 패턴(140)이 배치된다.
그리고, 상기 프라이머층(150) 상에는 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 주위를 둘러싸며 배치되는 지지층(160)이 배치된다.
이때, 상기 지지층(160)은 제1 보호층(170)이 비배치되는 오픈 영역(R1) 및 상기 제1 보호층(170)이 배치되는 보호층 배치 영역(R2)에 각각 형성될 수 있다.
상기 지지층(160)은 상기 인쇄회로기판(100)의 최외층에 배치되는 제2 외층 회로 패턴(140)을 지지할 수 있으며, 특히 오픈 영역(R1) 내에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)의 트레이스(141) 및 패드(142)를 지지하여, 외부 충격으로부터 상기 제2 외층 회로 패턴(140)을 보호할 수 있다.
한편, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 제2 높이(H2)를 가지며, 상기 지지층(160)은 제1 높이(H1)를 가진다. 이때, 상기 제1 높이(H1)는 상기 제2 높이(H2)보다 크다. 바람직하게, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 상면은 상기 지지층(160) 대비 제3 높이(H3)만큼 낮게 위치할 수 있다. 상기 제3 높이(H3)는 상기 제1 높이(H1)의 5% 내지 20% 범위의 수준을 가질 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 제2 외층 회로 패턴의 높이에 따른 접착 부재의 배치 신뢰성을 보여주는 도면이다.
도 5a를 참조하면, 상기에서 설명한 바와 같이 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 제2 높이(H2)를 가지며, 상기 지지층(160)은 제1 높이(H1)를 가진다. 이때, 상기 제1 높이(H1)는 상기 제2 높이(H2)보다 크다. 바람직하게, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 상면은 상기 지지층(160) 대비 제3 높이(H3)만큼 낮게 위치할 수 있다. 상기 제3 높이(H3)는 상기 제1 높이(H1)의 5% 내지 20% 범위의 수준을 가질 수 있다. 이에 따르면, 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 상에는 상기 제3 높이(H3)에 의해 생기는 오목부를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 오목부 내에는 전자 부품의 부착을 위한 솔더 볼과 같은 접착 부재(180)가 배치될 수 있다. 이때, 상기 오목부는 상기 접착 부재(180)가 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 상에 배치된 상태에서 위치 이동이 불가하도록 하는 댐(DAM) 역할을 할 수 있다. 이에 따르면, 실시 예에서는 상기 접착 부재가 배치될 위치를 정확히 얼라인해야 하는 공정을 생략할 수 있으며, 상기 접착 부재가 배치된 상태에서 위치 이동이 불가능하도록 하여 상기 접착 부재의 위치 이동에 따른 신뢰성 문제를 해결할 수 있다.
도 5b를 참조하면, 상기 제2 외층 회로 패턴(140a)은 패드(141a)와 트레이스(142a)를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제2 외층 회로 패턴(140a) 상에는 접착 부재(180)가 배치될 수 있다. 상기 접착 부재(180)는 제2 외층 회로 패턴(140a)의 패드(141a) 상에 배치될 수 있다. 이때, 상기 제2 외층 회로 패턴(140a)의 높이는 상기 지지층(160)의 높이와 동일할 수 있다. 다시 말해서, 제2 외층 회로 패턴(140a)의 상면은 상기 지지층(160)의 상면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 이때, 상기 제2 외층 회로 패턴(140a) 상에 접착 부재(180)가 배치되는 경우, 상기 접착 부재(180)는 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 상에 배치된 상태에서 흘러내림과 같은 현상이 발생할 수 있으며, 이에 따라 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 상에 위치가 고정되지 않고 지지층(160)의 상면 및 이웃한 다른 제2 외층 회로 패턴으로 위치 이동이 이루어질 수 있다. 이와 같은 경우, 상기 접착 부재(180)의 배치 신뢰성이 낮아질 수 있으며, 나아가 이웃하는 제2 외층 회로 패턴(140) 사이의 전기적 접촉에 따른 쇼트 문제가 발생할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 제2 외층 회로 패턴(140b)은 패드(141b)와 트레이스(142b)를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제2 외층 회로 패턴(140b) 상에는 접착 부재(180)가 배치될 수 있다. 상기 접착 부재(180)는 제2 외층 회로 패턴(140b)의 패드(141a) 상에 배치될 수 있다. 이때, 상기 제2 외층 회로 패턴(140b)의 높이는 상기 지지층(160)의 높이보다 클 수 있다. 다시 말해서, 제2 외층 회로 패턴(140b)의 상면은 상기 지지층(160)의 상면과 높게 위치할 수 있다. 이때, 상기 제2 외층 회로 패턴(140b) 상에 접착 부재(180)가 배치되는 경우, 상기 접착 부재(180)는 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 상에 배치된 상태에서 흘러내림과 같은 현상이 발생할 수 있으며, 이에 따라 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 상에 위치가 고정되지 않고 지지층(160)의 상면 및 이웃한 다른 제2 외층 회로 패턴으로 위치 이동이 이루어질 수 있다. 이와 같은 경우, 상기 접착 부재(180)의 배치 신뢰성이 낮아질 수 있으며, 나아가 이웃하는 제2 외층 회로 패턴(140) 사이의 전기적 접촉에 따른 쇼트 문제가 발생할 수 있다.
나아가, 상기 제2 외층 회로 패턴(140b)의 높이가 지지층(160)보다 클 경우, 상기 제2 외층 회로 패턴(140b) 형성 과정에서, 상기 제2 외층 회로 패턴(140b)의 형상에 변형이 발생할 수 있다. 즉, 상기 제2 외층 회로 패턴(140b)은 지지층(160)의 상면으로부터 돌출된 부분을 포함할 수 있고, 상기 돌출된 부분은 하부에서 상부로 갈수록 폭이 점차 감소하는 형상을 가질 수 있다. 이와 같은 경우, 상기 제2 외층 회로 패턴(140b)의 변형에 의해 상기 접착 부재(180)가 배치될 패드(142b)의 상면 면적이 작아질 수 있으며, 이에 따라 상기 접착 부재(180)의 흘러내림 현상이 더욱 심해질 수 있다. 상기 제2 외층 회로 패턴(140b)의 변형에 대해서는 이하에서상세히 설명하기로 한다.
도 6 내지 도 16은 도 2에 도시된 인쇄회로기판의 제조 방법을 공정 순으로 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 실시 예는 우선적으로 인쇄회로기판(100)의 내측 부분을 제조하는 내층 기판(100-1)을 제조하는 공정을 진행할 수 있다.
상기 내층 기판(100-1)을 제조하는 공정에 대해 간략적으로 설명하기로 한다.
상기 내층 기판(100-1)은 1개의 절연층을 포함할 수 있고, 이와 다르게 다수의 절연층을 포함할 수 있다.
도 6에서는, 내층 기판(100-1)이 7층의 절연층 구조를 가지는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 내층 기판(100-1)은 7층보다 적은 절연층을 포함할 수 있으며, 이와 다르게 7층보다 많은 절연층을 포함할 수도 있을 것이다.
상기 내층 기판(100-1)은 인쇄회로기판(100)에서, 최외층에 배치되는 절연층을 제외한 나머지 절연층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 내층 기판(100-1)은 인쇄회로기판(100)에서 최상부에 배치된 절연층과, 최하부에 배치된 절연층을 제외한 나머지 절연층을 포함할 수 있다.
내층 기판(100-1)을 제조하는 공정을 간략히 설명하면, 우선적으로 제1 절연층(111)을 준비한다.
그리고, 상기 제1 절연층(111)이 준비되면, 상기 제1 절연층(111) 내에 제1 비아(V1)를 형성하고, 이와 함께 제1 절연층(111)의 상면 및 하면에 각각 제1 회로 패턴(121) 및 제2 회로 패턴(122)을 형성한다.
이후, 상기 제1 절연층(111) 위에 제2 절연층(112)을 형성하고, 상기 제1 절연층(111) 아래에 제3 절연층(113)을 형성한다.
다음으로, 상기 제2 절연층(112) 내에 제2 비아(V2)를 형성하고, 상기 제2 절연층(112)의 상면 위에 제3 회로 패턴(123)을 형성한다. 또한, 상기 제3 절연층(113) 내에 제3 비아(V3)를 형성하고, 상기 제3 절연층(113)의 하면 아래에 제4 회로 패턴(124)을 형성한다.
이후, 상기 제2 절연층(112) 위에 제4 절연층(114)을 형성하고, 상기 제3 절연층(113) 아래에 제5 절연층(115)을 형성한다.
다음으로, 상기 제4 절연층(114) 내에 제4 비아(V4)를 형성하고, 상기 제4 절연층(114)의 상면 위에 제5 회로 패턴(125)을 형성한다. 또한, 상기 제5 절연층(115) 내에 제5 비아(V5)를 형성하고, 상기 제5 절연층(115)의 하면 아래에 제6 회로 패턴(126)을 형성한다.
이후, 상기 제4 절연층(114) 위에 제6 절연층(116)을 형성하고, 상기 제5 절연층(115) 아래에 제7 절연층(117)을 형성한다.
다음으로, 상기 제6 절연층(116) 내에 제6 비아(V6)를 형성하고, 상기 제6 절연층(116)의 상면 위에 제7 회로 패턴(127)을 형성한다. 또한, 상기 제7 절연층(117) 내에 제7 비아(V7)를 형성하고, 상기 제7 절연층(117)의 하면 아래에 제8 회로 패턴(128)을 형성한다.
상기 내층 기판(100-1)을 제조하는 공정은 본 발명이 속하는 기술분야에서 공지된 기술이므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 상기 내층 기판(100-1)이 제조되면, 상기 내층 기판(100-1)의 상면 위에 제1 최외층 절연층에 대응하는 제8 절연층(118)을 형성한다. 또한, 상기 내층 기판(100-1)의 하면 아래에 제2 최외층 절연층에 대응하는 제9 절연층(119)을 형성한다.
이때, 상기 제8 절연층(118) 및 제9 절연층(119)을 적층할 때, 상기 제8 절연층(118)의 상면 및 제9 절연층(119)의 하면에는 각각 프라이머층(150)이 배치되고, 상기 프라이머층(150) 상에는 금속층(155)이 배치될 수 있다. 상기 금속층(155)은 상기 제8 절연층(118) 및 제9 절연층(119)가 균일한 높이를 가질 수 있도록 평탄화하는 역할을 수행할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(155)은 상기 제8 절연층(118) 및 제9 절연층(119)의 적층 신뢰성을 향상시키기 위해 배치될 수 있다.
상기 프라이머층(150)은 제8 절연층(118) 및 제9 절연층(119) 각각과, 이의 상부 및 하부에 각각 배치될 제1 외층 회로 패턴(130) 및 제2 외층 회로 패턴(140) 사이의 접합력을 높이는 역할을 수행할 수 있다. 즉, 상기 프라이머층(150) 없이 상기 제1 외층 회로 패턴(130) 및 제2 외층 회로 패턴(140)이 배치되는 경우, 상기 제8 절연층(118)과 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 사이의 접합력이 낮아 상호 분리될 수 있다.
한편, 도 11에서는 프라이머층(150)이 제8 절연층(118)의 상면 및 제9 절연층(119)의 하면에 각각 배치되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 프라이머층(150)은 미세 회로 패턴이 배치될 절연층의 표면에 선택적으로 배치될 수 있다. 즉, 제1 외층 회로 패턴(130)만이 미세 회로 패턴인 경우, 상기 프라이머층(150)은 상기 제9 절연층(119)의 하면에만 배치될 수 있다. 또한, 제2 외층 회로 패턴(140)만이 미세 회로 패턴인 경우, 상기 프라이머층(150)은 상기 제8 절연층(118)의 상면에만 배치될 수 있다. 또한, 제1 외층 회로 패턴(130) 및 제2 외층 회로 패턴(140)이 모두 미세 회로 패턴인 경우, 상기 프라이머층(150)은 상기 제8 절연층(118)의 상면 및 상기 제9 절연층(119)의 하면에 모두 배치될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 제8 절연층(118) 및 제9 절연층(119)이 배치되면, 상기 제8 절연층(118) 및 제9 절연층(119) 내에 각각 비아 홀(VH)을 형성한다. 이때, 상기 비아 홀(VH)은 상기 제8 절연층(118) 및 제9 절연층(119) 내에 형성될뿐 아니라, 상기 프라이머층(150) 및 금속층(155)에도 각각 형성될 수 있다.
다음으로, 도 9를 참조하면, 상기 비아 홀(VH)이 형성되면, 상기 프라이머층(150) 상에 배치된 금속층(155)을 제거하는 애칭 공정을 진행할 수 있다. 예를 들어, 상기 비아 홀(VH)이 형성된 이후에는 플래시 애칭 공정을 진행하여 상기 금속층(155)을 제거하고, 그에 따라 프라이머층(150)의 표면이 노출되도록 하는 공정을 진행할 수 있다.
다음으로 도 10을 참조하면, 상기 비아 홀(VH)을 채우는 비아(V) 형성 공정을 진행할 수 있고, 이에 따라 상기 제8 절연층(118)의 상면에 제2 외층 회로 패턴(140)을 형성하고, 제9 절연층(119)의 하면에 제1 외층 회로 패턴(130)을 형성할 수 있다. 이때, 실시 예에서, 제1 외층 회로 패턴(130)은 미세 회로 패턴이 아닌 일반 회로 패턴인 것으로 도시하였다. 다만 이에 한정되지 않으며, 상기 제2 외층 회로 패턴과 함께 상기 제1 외층 회로 패턴(130)도 미세 회로 패턴일 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 외층 회로 패턴(130)이 일반 회로 패턴인 경우, 상기 제9 절연층(119)과 상기 제1 외층 회로 패턴(130) 사이의 프라이머층(150)은 생략될 수 있다.
한편, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 내층 기판(100-1)에 배치된 회로 패턴들 및 상기 제1 외층 회로 패턴(130)들보다 큰 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 내층 기판(100-1)의 상면에 배치된 내층 회로 패턴은 제1 두께(T1)를 가질 수 있다. 그리고, 상기 제1 외층 회로 패턴(130)은 상기 내층 회로 패턴과 동일한 제1 두께(T1)를 가질 수 있다. 반면, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 상기 내층 회로 패턴이 가지는 제1 두께(T1)보다 큰 제2 두께(T2)를 가질 수 있다. 바람직하게, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 추후 진행될 표면 처리 애칭 공정에서 제거될 부분을 고려하여, 상기 제1 두께(T1) 대비 상기 제거될 부분의 두께만큼 큰 제2 두께(T2)를 가질 수 있다.
상기 제8 절연층(118)의 상면에는 제2 외층 회로 패턴(140)이 배치된다. 이때, 상기 제8 절연층(118)의 상면에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)은 제1 보호층(170)의 오픈 영역(R1)에 배치되는 부분과, 상기 제1 보호층(170)의 배치 영역(R2)에 배치되는 부분을 포함할 수 있다. 또한, 상기 각각의 부분에는 신호 전달을 위한 배선 라인인 트레이스(141)와, 상기 트레이스(141)의 끝단에 대응될 수 있으며 부품이 부착될 패드(142)를 포함할 수 있다.
다음으로, 도 11을 참조하면, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)을 덮도록 상기 프라이머층(150) 상에 지지층(160)을 형성한다. 이때, 상기 지지층(160)은 상기 프라이머층(150) 및 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 지지층(160)은 상기 제1 보호층(170)의 오픈 영역(R1) 및 상기 제1 보호층(170)의 배치 영역(R2) 상에 모두 형성될 수 있다. 상기 지지층(160)은 상기 제2 외층 회로 패턴(140)보다 큰 높이를 가지도록 형성될 수 있다.
다음으로, 도 12를 참조하면, 샌드 블러스트(200)를 이용하여 상기 지지층(160)의 상부 영역을 제거하는 공정을 진행하여 상기 프라이머층(150) 상에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)의 상면을 노출시키는 공정을 진행할 수 있다.
이때, 상기 지지층(160)의 상부 영역의 제거 공정은 물리적 공법을 사용하여 진행할 수 있다.
즉, 상기 지지층(160)의 상부 영역을 제거하는 공정으로, 샌드블라스트나 샌딩과 같은 물리적 공법을 사용할 수 있으며, 플라즈마 처리와 같은 화학적 공법을 사용할 수 있다. 그러나, 상기 플라즈마 처리와 같은 화학적 공법을 사용하여 상기 지지층(160)의 상부 영역을 제거하는 경우, 상기 지지층(160)과 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 동일 높이를 가지도록 하는 것이 매우 어렵다. 즉, 상기 플라즈마 처리와 같은 화학적 공법을 사용하여 상기 지지층(160)의 상부 영역을 제거하는 경우, 상기 지지층(160)보다 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 높이가 더 크게 된다. 그리고, 상기와 같이 상기 지지층(160)의 높이보다 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 높이가 큰 경우, 이후 공정에서 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 변형이 발생하게 되며, 이에 따른 신뢰성 문제가 발생한다.
따라서, 실시 예에서는 도 13에 도시된 바와 같이 샌드 블라스트와 같은 물리적 공법을 사용하여 상기 제2 외층 회로 패턴(140)과 동일 높이를 가지는 수준까지 상기 지지층(160)의 상부 영역을 제거한다.
다음으로, 도 14를 참조하면, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 상면의 애칭 공정을 진행한다.
상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 애칭은 상기 제2 두께(T2)를 가지도록 형성된 패턴을 제1 두께(T1) 수준으로 맞추는 공정을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 애칭 공정이 진행된 후의 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 상기 내층 회로 패턴이 가지는 두께와 동일한 제1 두께(T1)를 가지게 된다.
이하에서는 물리적 공법으로 상기 지지층(160)의 상부 영역을 제거하는 경우와, 화학적 공법을 통해 상기 지지층(160)의 상부 영역을 제거하는 경우를 비교하여 설명하기로 한다.
도 15a를 참조하면, (a)도면에서와 같이 화학적 공법을 통해 상기 지지층(160)의 상부 영역을 제거하는 경우, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 높이와 동일한 수준으로 상기 지지층(160)을 제거하기가 어렵다. 이는, 상기 지지층(160)의 상부 영역을 상기 제2 외층 회로 패턴(140)과 동일 높이를 가지도록 제거하는 경우, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 상부에 상기 지지층(160)의 잔류 레진이 남아있게 되며, 이에 따른 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 신뢰성에 큰 문제를 발생시킨다. 이에 따라, 상기 화학적 공법을 통해 상기 지지층(160)의 상부 영역을 제거하는 경우, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)보다 낮은 높이를 가지도록 상기 지지층(160)의 제거 공정을 진행해야만 한다.
반면, 도 15a의 (b) 도면에서와 같이 샌드 블라스터와 같은 물리적 공법을 통해 상기 지지층(160)의 상부 영역을 제거하는 공정을 진행하면, 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 상에 잔류되는 레진도 함께 제거될 수 있으며, 이에 따라 상기 제2 외층 회로 패턴(140)도 동일한 수준의 높이를 가지도록 상기 지지층(160)을 제거할 수 있다.
도 15b를 참조하면, (a) 도면에서와 같이 상기 제2 외층 회로 패턴(140)과 지지층(160)이 동일 높이를 가지도록 제거 공정을 진행한 후 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 애칭 공정을 진행하는 경우, 상기 지지층(160)보다 낮은 높이를 가지는 제2 외층 회로 패턴(140)을 형성할 수 있으며, 이때의 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 형상(사각 단면 형상)도 그대로 유지될 수 있다.
도 15b의 (b) 도면에서와 같이, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)보다 낮은 높이를 가지도록 상기 지지층(160)의 상부 영역의 제거 공정을 진행한 후 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 애칭 공정을 진행하는 경우, 상기 지지층(160)보다 낮은 높이를 가지는 제2 외층 회로 패턴(140)의 형성이 어렵다. 또한, 상기 애칭 공정을 진행하는 경우, 상기 지지층(160)의 상면으로부터 돌출된 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 가장자리 영역부터 애칭이 이루어지며, 이에 따라 삼각형과 같은 형상으로의 변형이 이루어지는 문제를 가진다.
다음으로, 도 16을 참조하면, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 애칭 공정이 완료되면, 보호층 배치 영역(R2) 상에 제1 보호층(170) 및 제2 보호층(175)을 각각 배치하는 공정을 진행할 수 있다.
이와 같은 상기 제1 보호층(170)은 상기 프라이머층(150) 상에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)과 부분적으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 보호층(170)의 면적은 상기 제8 절연층(118)의 면적보다 작을 수 있다. 상기 제1 보호층(170)의 면적은 상기 프라이머층(150)의 면적보다 작을 수 있다. 상기 제1 보호층(170)은 상기 프라이머층(150) 및 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 상에 부분적으로 배치되며, 이에 따라 오픈 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 보호층(170)은 홀과 같은 형상의 오픈 영역(R1)을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(R1)은 상기 프라이머층(150) 및 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 상부 영역 중 상기 제1 보호층(170)이 비배치되는 영역일 수 있다.
즉, 상기 오픈 영역(R1)은 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 칩과 같은 부품과 전기적으로 연결되기 위한 상기 제1 보호층(170)의 비배치영역일 수 있다. 이에 따라, 상기 오픈 영역(R1) 상에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)은 이를 보호하는 보호층이 존재하지 않은 상태에서 외부로 노출될 수 있다.
그리고, 상기와 같은 오픈 영역(R1) 내에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)은 다양한 요인에 의해 무너짐이나 쓸림 등의 신뢰성 문제가 발생할 수 있다. 더욱이, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 미세 회로 패턴이며, 이에 따라 10㎛ 이하의 선폭과, 10㎛ 이하의 간격을 가지고, 상기 프라이머층(150) 상에 배치된다. 이에 따라, 상기 오픈 영역(R1) 상에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)은 외부의 다양한 작은 충격에도 쉽게 무너짐이나 쓸림 등의 문제가 발생할 수 있다.
이에 따라, 실시 예에서는 상기 오픈 영역(R1) 상에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)의 신뢰성을 향상시키기 위해, 상기 오픈 영역(R1)에 대응하는 프라이머층(150) 상에 지지층(160)을 배치한다. 즉, 상기 지지층(160)은 상기 프라이머층(150)의 상면 중 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 배치되지 않은 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 지지층(160)은 상기 프라이머층(150)의 상면에 배치되고, 그에 따라 상기 오픈 영역(R1) 상의 제2 외층 회로 패턴(140)들 사이에 배치될 수 있다.
이때, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 상기 제1 보호층(170)이 비배치된 오픈 영역(R1) 상에 형성된 제2-1 외층 회로 패턴과, 상기 제1 보호층(170)이 배치된 보호층 배치 영역(R2) 상에 형성된 제2-2 외층 회로 패턴을 포함한다.
그리고, 상기 프라이머층(150)의 상면은 상기 오픈 영역(R1)에 대응하는 제1 상면과, 상기 보호층 배치 영역(R2)에 대응하는 제2 상면을 포함한다.
이때, 도 2 및 3에 도시된 바와 같이, 상기 지지층(160)은 상기 오픈 영역(R1) 및 보호층 배치 영역(R2)을 구분하지 않고, 상기 프라이머층(150) 상에 전체적으로 배치되어, 상기 제2-1 외층 회로 패턴들의 사이 영역과 상기 2-2 외층 회로 패턴들의 사이 영역에 각각 배치될 수 있다.
즉, 상기 보호층 배치 영역(R2) 내에 배치된 제2-2 외층 회로 패턴들은 상기 제1 보호층(170)에 의해 지지 및 보호됨에 따라 상기와 같은 무너짐이나 쓸림 등의 문제가 발생할 가능성이 낮다. 따라서, 상기 제2-2 외층 회로 패턴들 사이에는 상기 지지층(160)이 생략될 수 있다. 다만, 제1 실시 예에서는 공정 상의 편의를 위해, 상기 제2-1 외층 회로 패턴들과 제2-2 외층 회로 패턴들 사이에 상기 지지층(160)을 배치한다.
이에 따라, 상기 지지층(160)은 상기 오픈 영역(R1) 내에 배치되는 제1 부분가, 상기 보호층 배치 영역(R2) 내에 배치되는 제2 부분을 포함한다.
그리고, 상기 제1 보호층(170)은 상기 보호층 배치 영역(R2)에 대응하는 상기 지지층(160)의 상기 제2 부분과, 상기 제2-2 외층 회로 패턴들 상에 배치될 수 있다.
그리고, 상기 지지층(160)은 상기 프라이머층(150) 상에 배치될 수 있다. 바람직하게, 상기 지지층(160)은 상기 프라이머층(150) 상에서 상기 제2 외층 회로 패턴(140)들 사이에 배치될 수 있다. 즉, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 상기 프라이머층(150) 상에 일정 간격 이격되며 배치되고, 그에 따라 상기 지지층(160)은 상기 프라이머층(150)의 상면 중 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 배치되지 않은 영역 상에 배치될 수 있다.
이에 따라, 상기 지지층(160)은 상기 제2 외층 회로 패턴(140)과 직접 접촉하는 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 지지층(160)의 측면은 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 측면과 직접 접촉할 수 있다.
즉, 상기 지지층(160)은 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 주위를 둘러싸며 배치되며, 그에 따라 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 무너짐이나 쓸림 등을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
상기 지지층(160)은 레진 및 필러가 혼합된 형태의 구조를 가질 수 있다. 즉, 지지층(160)은 ABF, RCC나 기타의 Glass Fiber가 없는 절연층일 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 상기 지지층(160)은 감광성 절연 물질인 PID로 구성될 수 있을 것이다.
실시 예에서는 상기와 같이 프라이머층(150) 상에 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 주위를 둘러싸며, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 측면과 직접 접촉하는 지지층(160)을 형성한다. 그리고, 실시 예에서는 상기 지지층(160)에 의해 미세 회로 패턴의 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 지지될 수 있도록 한다. 바람직하게, 실시 예에서는 상기 지지층(160)에 의해 상기 보호층(170)의 오픈 영역(R1)에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)이 지지될 수 있도록 하고, 이에 따라 외부 충격으로부터 상기 제2 외층 회로 패턴(140)을 안정적으로 보호할 수 있도록 한다.
한편, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)은 기능에 따라 트레이스(141) 및 패드(142)를 포함할 수 있다. 상기 패드(142)는 칩과 같은 전자 부품과의 연결을 위해 접착 부재(미도시)가 배치되는 영역일 수 있다. 그리고, 트레이스(141)는 서로 다른 패드들 사이를 연결하는 배선 라인일 수 있다. 여기에서, 상기 패드(142)는 일반적으로 트레이스보다는 큰 폭을 가지고 있으며, 이에 따라 상기 패드(142)는 외부 충격에 강한 특성을 가질 수 있다. 다만, 상기 트레이스(141)는 상기와 같은 미세 회로 패턴에 대응하는 폭과 간격을 가지고 배치되며, 이에 따라 외부 충격에 약한 특성을 가질 수 있다. 따라서, 상기 지지층(160)은 상기 오픈 영역(R1) 내에 배치되는 제2 외층 회로 패턴(140), 더욱 구체적으로는 상기 오픈 영역(R1) 내의 제2 외층 회로 패턴(140)의 트레이스(141)를 안정적으로 지지하는 역할을 수행할 수 있다.
그리고, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 애칭 공정에 의해 지지층(160)의 높이(H1)는 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 높이(H2)보다 클 수 있다.
즉, 지지층(160)은 제1 높이(H1)를 가지고 상기 프라이머층(150) 상에 배치될 수 있다. 그리고, 제2 외층 회로 패턴(140)은 상기 제1 높이(H1)보다 작은 제2 높이(H2)를 가지고 상기 프라이머층(150) 상에 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 가지는 제2 높이(H2)는 상기 지지층(160)이 가지는 제1 높이(H1) 대비 20% 내지 95% 수준을 가질 수 있다. 상기 제2 높이(H2)가 상기 제1 높이(H1)의 20%보다 작은 경우, 상기 지지층(160)이 상기 제2 외층 회로 패턴(140)을 지지하는 역할을 제대로 수행하지 못할 수 있다. 또한, 상기 제2 높이(H2)가 상기 제1 높이(H1)의 95%보다 큰 경우, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 표면에 상기 지지층(160)의 레진 일부가 잔존할 수 있고, 이에 따른 신뢰성 문제가 발생할 수 있다.
또한, 제2 높이(H2)가 상기 제1 높이(H1)의 95%보다 큰 경우, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)(더욱 명확하게는, 제2 외층 회로 패턴의 패드(142)) 상에 배치되는 접착 부재의 흘러내림과 같은 문제가 발생할 수 있다. 즉, 실시 예에서는 상기 제2 높이(H2)와 상기 제1 높이(H1)의 차이에 의해 상기 접착 부재가 상기 지지층(160)에 지지될 수 있으며, 이에 따라 상기 접착 부재의 흘러내과 같은 문제를 해결하여 이웃하는 접착 부재 사이의 접촉에 의한 쇼트 발생 문제를 해결할 수 있다.
한편, 상기와 같이 제1 실시 예에서는 보호층 배치 영역(R2)에 대응하는 프라이머층(150) 및 제2 외층 회로 패턴(140) 상에도 상기 지지층(160)이 배치된다. 즉, 상기 지지층(160)은 상기 오픈 영역(R1) 내에만 선택적으로 배치될 수 있으나, 제1 실시 예에서는 신뢰성 향상을 위해 상기와 같이 오픈 영역(R1)뿐 아니라 보호층 배치 영역(R2) 내에도 상기 지지층(160)을 배치한다.
즉, 상기 보호층 배치 영역(R2)에서는 상기 지지층(160)을 생략하고, 바로 상기 제1 보호층(170)과 같은 솔더 레지스트를 배치할 수도 있다. 그러나, 상기 지지층(160)이 배치되지 않은 상태에서 미세 회로 패턴인 제2 외층 회로 패턴(140) 상에 바로 솔더 레지스트를 배치하는 경우, 상기 솔더레지스트의 도포 과정에서 상기 제2 외층 회로 패턴(140)이 무너지는 상황이 발생할 수 있다. 또한, 상기 솔더레지스트가 상기 제2 외층 회로 패턴(140) 상에 도포된 상태에서 상기 솔더레지스트의 일부를 제거하는 경우, 상기 솔더레지스트의 특성상 크랙이 발생할 가능성이 매우 높으며 이에 따른 인쇄회로기판의 신뢰성에 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 제1 실시 예에서는 오픈 영역(R1)뿐 아니라 보호층 배치 영역(R2)에도 상기 지지층(160)을 배치하여, 상기 미세패턴인 제2 외층 회로 패턴(140)이 안정적으로 지지된 상태에서 솔더레지스트와 같은 제1 보호층(170)이 배치되도록 할 수 있다.
상기 제1 보호층(170)은 상면이 상기 지지층(160)의 상면 및 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 상면보다 높게 위치할 수 있다.
또한, 상기 제1 보호층(170)의 하면은 상기 지지층(160)과 접촉하는 제1 하면과, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)과 접촉하는 제2 하면을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제1 보호층(170)의 제2 하면은 상기 지지층(160)의 상면보다 낮게 위치할 수 있다. 바람직하게, 상기 제1 보호층(170)의 하면은 전체적으로 평면 상에 배치되지 않고, 영역별로 단차를 가질 수 있다.
한편, 실시 예에서의 지지층(160)은 상기 물리적 공법에 의한 제거공정이 진행된 후(제2 외층 회로 패턴의 애칭 공정 전)에 상기 제2 외층 회로 패턴(140)과 실질적으로 동일한 높이를 가질 수 있다.
이때, 상기 지지층(160)은 레진 및 무기 필러를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 샌드 블러스트와 같은 물리적 공법을 통해 제거 공정을 진행하는 경우, 지지층(160)의 내부에 배치된 무기 필러가 표면 상으로 노출될 수 있다.
도 17는 샌드 블러스트에 의해 형성되는 인쇄회로기판의 표면을 나타낸 도면이다.
도 17의 (a)는 지지층(160) 및 제2 외층 회로 패턴(140)의 표면을 3000배 확대한 SEM 사진이다. 그리고, 17의 (b)는 제2 외층 회로 패턴(140)의 표면을 10000배 확대한 SEM 사진이다.
도 17의 (a)에서와 같이, 상기 지지층(160) 내에는 무기 필러(160a)가 배치될 수 있으며, 상기 지지층(160)의 샌드 블러스트 공정이 진행됨에 따라 표면 상에로 상기 무기 필러(160a)가 노출될 수 있다.
또한, 도 17의 (b)에서와 같이, 상기 지지층(160)에 포함된 무기 필러(160a)는 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 표면에도 잔류하는 것이 확인될 수 있다.
이때, 제2 외층 회로 패턴(140)표면 분석 결과를 보면 표 1과 같다.
원소 농도 단위
O 1.591 wt.%
Si 0.522 wt.%
Cu 97.887 wt.%
합계 100 wt.%
표 1에서와 같이, 제2 외층 회로 패턴(140)의 표면에는 O가 1.591wt.% 존재하는 것이 확인되었으며, Si가 0.522wt.% 존재하는 것이 확인되었으며, 제2 회로 패턴(130)의 원재료인 Cu가 97.887wt.% 존재하는 것이 확인되었다.
이때, 상기 무기 필러(160a)는 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 쇼트 불량을 야기할 수 있다. 예를 들어, 무기 필러(160a)는 상기 지지층(160)의 표면뿐 아니라, 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 상면에도 잔존하게 된다. 이때, 상기 잔존하는 무기 필러(160a)는 이후의 공정인 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 애칭 공정에서 대부분 제거가 될 것이나, 상기 지지층(160)의 표면으로 노출된 무기 필러(160a)는 제거되지 않을 수 있다. 그리고, 상기 잔존하는 무기 필러(160a)는 오픈 쇼트 등과 같은 전기 불량을 야기시킬 수 있다.
따라서, 실시 예에서는 상기 무기 필러(160a)를 제거하는 공정을 통해 상기 오픈 쇼트 등과 같은 전기 불량 발생을 방지한다.
도 18은 실시 예에 따른 지지층 및 제2 외층 회로 패턴의 표면에 노출된 무기 필러를 나타낸 도면이고, 도 19는 실시 예에 따른 무기 필러 제거 공정이 진행된 후의 지지층 및 제2 외층 회로 패턴의 표면을 나타낸 도면이다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 상기 지지층(160)의 상부 영역의 제거 공정과 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 애칭 공정 상이에 상기 무기 필러(160a)의 제거 공정을 추가로 진행할 수 있다.
그리고, 상기 무기 필러(160a)가 제거됨에 따라, 상기 지지층(160)의 표면에는 상기 무기 필러(160a)가 제거된 흔적의 리세스(160b)가 형성될 수 있다.
구체적으로, 도 19를 참조하면, 상기 지지층(160)의 표면에는 리세스(160b)가 형성된다. 상기 리세스(160b)는 상기 지지층(160)의 표면을 통해 노출된 무기 필러(160a)가 제거됨에 의해 형성될 수 있다. 즉, 상기 리세스(160b)는 상기 무기 필러(160a)가 배치된 영역일 수 있다. 이에 따라, 상기 리세스(160b)는 상기 무기 필러(160a)의 직경과 동일한 직경을 가질 수도 있다.
즉, 상기 무기 필러(160a)는 Si필러일 수 있다.
이에 따라, 상기 무기 필러(160a)는 (NH4)HF2 등과 같은 불화가스를 사용하여 제거할 수 있다. 상기 무기 필러(160a)의 제거를 위한 제거 공정 시 제거 가스로써 (NH4)HF2 를 사용하는 경우의 반응식을 보면 다음과 같다.
(반응식) SiO2 + 4NH4HF2 → SiF4 + 4NH4F + 2H2O
상기 반응식에 따르면, 상기 (NH4)HF2 를 이용하여 상기 지지층(160)의 표면 및 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 표면 상에 잔존하는 무기 필러(160a)를 효율적으로 제거할 수 있다.
이때, 상기 무기 필러(160a)는 딥핑이나 스프레이 등의 공정을 통해 제거될 수 있다.
도 20는 실시 예에 따른 공정 시간에 따른 무기 필러의 제거량을 나타낸 도면이고, 도 21은 실시 예에 따른 시간에 따른 반응 가스의 침투 깊이를 나타낸 도면이고, 도 22은 실시 예에 따른 공정 온도에 따른 무기 필러의 제거량을 나타낸 도면이다.
도 20 및 21을 참조하면, 오랜 시간 동안 반응 가스와 반응하는 경우, 반응 깊이가 깊어지고, 이에 따른 무기 필러(160a)의 제거량이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이를 정리하면 다음의 표 2와 같다.
시간(min) 표면 SiO2 제거량 침투 깊이
10 50% 1㎛
20 80% 2㎛
30 90% 4㎛
40 95% 6㎛
50 100% 8㎛
60 100% 10㎛
70 100% 12㎛
80 100% 15㎛
90 100% 15㎛
100 100% 15㎛
상기와 같이, 50분 이상 제거 공정을 진행하는 경우, 상기 지지층(160)의 표면 및 제2 외층 회로 패턴(140)의 표면 상에 잔존하는 무기 필러(160a)가 100%제거되는 것을 확인할 수 있었다.
다만, 상기 제거 공정 시간이 증가할 수록 상기 지지층(160)의 표면을 중심으로 상기 반응 가스의 침투 깊이가 증가하게 된다.
또한, 도 22에 도시된 바와 같이, 공정 온도가 증가할 수록 상기 지지층(160) 및 제2 외층 회로 패턴(140)의 표면 상에 존재하는 무기 필러(160a)의 제거량이 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 즉, 도 22은 공정 시간을 고정(예를 들어, 10분)시킨 상태에서, 공정 온도에 따라 변화하는 무기 필러(160a)의 제거량을 나타낸 것이다.
도 20 내지 도 22에 따르면, 공정 온도가 높아질 수록 반응이 빨라지는 것을 확인할 수 있었으며, 오랜 시간 반응할 수록 반응 깊이가 깊어지고, 필러 제거량이 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 다만, 상기 반응 깊이가 증가하게 되면, 상기 지지층(160)이나 제2 외층 회로 패턴(140)의 표면에 손상이 발생할 수 있으므로, 지지층(160)의 두께를 중심으로 1/2 이하만큼 상기 반응 가스가 침투할 수 있도록 공정 온도, 공정 시간 등을 조절하도록 한다.
도 23는 무기 필러의 제거 전 및 제거 후의 지지층의 표면 변화를 나타낸 도면이고, 도 24는 무기 필러의 제거 전 및 제거 후의 제2 외층 회로 패턴의 표면 변화를 나타낸 것이다.
도 23의 (a)를 참조하면, 지지층(160) 내에는 무기 필러(160a)가 배치될 수 있으며, 이에 따라 샌드 블러스트 공정이나 플라즈마 공정을 진행함에 따라, 상기 지지층(160)의 표면 위로 상기 무기 필러(160a)가 노출될 수 있다.
그리고, 도 23의 (b)를 참조하면, 상기 무기 필러(160a)의 제거 공정 후의 지지층(160)의 표면을 보면, 상기 도 23의 (a)에서와 같은 무기 필러(160a)가 모두 제거된 것을 확인할 수 있었으며, 이에 따라 지지층(160)의 표면에는 리세스(160b)가 형성되는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 도 24의 (a)를 참조하면, 샌드 블러스트 공정을 진행함에 따라, 제2 외층 회로 패턴(140)의 표면 상에는 무기 필러(160a)가 잔존하는 것을 확인할 수 있었다.
그리고, 도 24의 (b)를 참조하면, 상기 무기 필러(160a)의 제거 공정 후의 상기 제2 외층 회로 패턴(140)의 표면을 보면, 상기 도 24의 (a)에서와 같은 무기 필러(160a)가 모두 제거된 것을 확인할 수 있었다.
본 실시 예에서의 인쇄회로기판은 8층 이상의 다층 구조를 가지는 인쇄회로기판이고, 상기 다층 중 최상부에 위치한 외측 절연층 위에 배치되어 상기 외측 절연층의 표면 위로 돌출되는 외층 회로 패턴을 포함한다. 이때, 상기 외층 회로 패턴은 상기 외측 절연층의 상부 영역 중 솔더 레지스트(SR:Solder Resist)가 배치되는 SR 배치 영역에 위치한 제2-1 회로 패턴과, 상기 솔더 레지스트가 배치되지 않는 SR 오픈 영역 상에 위치한 제2-2 회로 패턴을 포함한다. 이때, 상기 제2-1 회로 패턴은 상기 솔더 레지스트에 의해 지지될 수 있지만, 상기 제2-2 회로 패턴은 이를 지지할 수 있는 지지층이 없기 때문에, 다양한 요인에 위해 쉽게 무너질 수 있는 문제점을 가진다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 SR 오픈 영역에 해당하는 제1 절연층 위에 상기 제2-2 회로 패턴을 지지할 수 있는 지지층을 형성한다. 이때, 상기 지지층은 상기 외측 절연층의 상면 중 상기 SR 오픈 영역에만 형성될 수 있다. 또한, 이와 다르게 상기 지지층은 상기 SR 오픈 영역의 전체 영역 또는 SR 배치 영역 중 상기 SR 오픈 영역과 인접한 경계 영역 상에도 형성될 수 있다.
이에 따르면, 실시 예에서는 외층 회로 패턴의 미세화에 의해 상기 돌출된 외층 회로 패턴의 무너짐이나 쓸림 등의 문제를 해결할 수 있으며, 이에 따른 제품 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 특히, 실시 예에서는 솔더 레지스트가 배치되지 않는 SR 오픈 영역 상에서의 외층 회로 패턴의 무너짐이나 쓸림 등의 문제를 해결할 수 있으며, 이에 따른 제품 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면 상기 지지층을 형성함에 있어, 상기 지지층의 상면이 상기 외층 회로 패턴의 상면보다 높게 위치하도록 한다. 이에 따르면, 실시 예에서는 회로 패턴의 미세화에 의해 상호 이웃하는 회로 패턴의 접촉에 의한 신뢰성 문제를 해결할 수 있다. 또한, 실시 예에서는 외층 회로 패턴 상에 솔더 볼과 같은 접착 부재가 배치되는 상황에서, 상기 접착 부재가 상기 지지층 내에 갇히도록 하여 상기 접착 부재가 외층 회로 패턴의 측부 방향으로 흘러내리는 문제를 해결할 수 있으며, 이에 따른 이웃하는 접착 부재 사이가 서로 접촉함에 따른 쇼트 문제를 해결할 수 있다.
또한, 실시 예에서는 지지층의 제거 과정에서, 상기 지지층 내에 존재하는 무기 필러가 상기 지지층의 표면으로 노출될 수 있다. 이때, 상기 지지층의 표면으로 노출된 무기 필러는 상기 지지 절연층의 표면 거칠기를 증가시킬 수 있으며, 이에 따라 SR 배치 영역에서 솔더 레지스트와 같은 보호층과의 접착력을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시 예에서는 상기 지지 절연층의 제거 과정에서 노출된 무기 필러를 제거하는 공정을 추가로 진행할 수 있다. 이에 따르면, 실시 예에서는 상기 무기 필러가 지지층 절연층 위에 잔존함에 따라 복수의 외층 회로 패턴 사이의 쇼트가 발생하는 문제를 해결할 수 있으며, 이에 따른 제품 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시 예에서는 상기 지지층을 제거함에 있어 플라즈마와 같은 화학적 방법이 아닌 샌드 블러스트와 같은 물리적 방법을 사용하도록 한다. 이에 따르면, 플라즈마로 지지 절연층을 제거하는 경우, 잔류 레진에 의해 상기 지지층의 상면보다 외층 회로 패턴의 상면이 높게 위치한다. 그리고, 상기 지지층의 상면보다 상기 외층 회로 패턴의 상면이 높게 위치하는 경우, 이후에 진행되는 외층 회로 패턴의 에칭 공정에서 상기 외층 회로 패턴의 형태가 변형되며, 경우에 따라 단면이 삼각형 형상을 가지기도 한다. 그리고, 상기 외층 회로 패턴의 단면이 삼각형을 가지는 경우, 상기 외층 회로 패턴 상에 접착 부재를 안정적으로 배치할 수 없으며, 이에 따른 신뢰성 문제가 발생할 수 있다. 이에 반하여, 실시 예에서는 상기 지지층을 제거함에 있어, 샌드 블러스트이나 샌딩 공법과 같은 물리적 방법을 통해 상기 외층 회로 패턴의 표면을 노출시킨다. 그리고, 상기 샌드 블러스트, 샌딩 공법에 의해 지지층이 제거되는 경우, 상기 지지층의 상면과 상기 외층 회로 패턴의 상면을 실질적으로 동일한 높이로 맞추는게 가능해진다. 그리고, 상기 지지층의 상면과 외층 회로 패턴의 상면이 동일 높이에 있는 경우, 이후에 진행되는 외층 회로 패턴의 애칭 공정에서, 상기 외층 회로 패턴의 단면 형상을 사각 형상을 유지시키면서, 상기 외층 회로 패턴 상에 상기 접착 부재가 안정적으로 배치될 수 있도록 하며, 이에 따른 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시 예에서의 인쇄회로기판은 5G 통신 시스템에 적용 가능하며, 이에 따라 고주파수의 전송 손실을 최소화하여 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 실시 예에서의 인쇄회로기판은 고주파에서 사용 가능하고, 전파 손실을 줄일 수 있다.
이하에서는, 도 2에 도시된 인쇄회로기판의 다른 실시 예를 설명한다. 이때, 이하의 다른 실시 예에서의 인쇄회로기판은 도 2의 제1 실시 예의 인쇄회로기판 대비 최외측에 배치된 보호층 및 지지층의 구조만이 상이할 뿐, 이 이외의 부분은 실실적으로 동일하다. 이에 따라, 이하에서는 보호층 및 지지층에 대해서만 설명하기로 한다.
도 25는 제2 실시 예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면이다.
도 25를 참조하면, 제2 실시 예에 따른 인쇄회로기판은 복수의 절연층 중 최외측에 배치된 제8 절연층(118)을 포함한다.
그리고, 상기 제8 절연층(118) 상에는 프라이머층(150)이 배치된다.
또한, 상기 프라이머층(150) 상에는 미세 회로 패턴인 제2 외층 회로 패턴(140)이 배치된다.
이때, 상기 인쇄회로기판은 보호층(270)의 오픈 영역(R1) 및 상기 보호층(270)의 배치 영역(R2)을 포함할 수 있다.
여기에서, 제1 실시 예에서는 상기 오픈 영역(R1) 및 배치 영역(R2)에 모두 상기 지지층(160)을 형성하였다.
이에 반하여, 제2 실시 예에서는 상기 지지층(260)을 상기 오픈 영역(R1) 상에만 배치하도록 한다.
이에 따라, 상기 지지층(260)은 상기 오픈 영역(R1) 내에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140) 사이만을 둘러싸며 배치될 수 있다. 다시 말해서, 상기 지지층(260)은 상기 프라이머층(150)의 상면 중 상기 보호층(270)의 오픈 영역(R1)에 대응하는 상면에만 선택적으로 배치될 수 있다.
그리고, 상기 프라이머층(150)의 상면 중 상기 배치 영역(R2)에 대응하는 상면에는 상기 보호층(270)이 바로 배치될 수 있다. 이때, 상기 보호층(270)의 높이는 상기 지지층(260)의 높이보다 클 수 있다. 즉, 상기 보호층(270)의 상면은 상기 지지층(260)의 상면보다 높게 위치할 수 있다.
도 26은 제3 실시 예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면이다.
도 26을 참조하면, 제3 실시 예에 따른 인쇄회로기판은 복수의 절연층 중 최외측에 배치된 제8 절연층(118)을 포함한다.
그리고, 상기 제8 절연층(118) 상에는 프라이머층(150)이 배치된다.
또한, 상기 프라이머층(150) 상에는 미세 회로 패턴인 제2 외층 회로 패턴(140)이 배치된다.
이때, 상기 인쇄회로기판은 보호층(270)의 오픈 영역(R1) 및 상기 보호층(270)의 배치 영역(R2)을 포함할 수 있다. 또한, 인쇄회로기판(100)은 오픈 영역(R1)과 상기 배치 영역(R2) 사이의 경계 영역(R3)을 더 포함할 수 있다.
여기에서, 제1 실시 예에서는 상기 오픈 영역(R1) 및 배치 영역(R2)에 모두 상기 지지층(160)을 형성하였다. 그리고, 제2 실시 예에서는 상기 오픈 영역(R1)에만 상기 지지층(260)을 형성하였다.
그러나, 실질적으로 상기 오픈 영역(R1)에만 상기 지지층을 형성하는 것은 어려우며, 이에 따라 제3 실시 예에서는 상기 오픈 영역(R1)과 함께 상기 경계 영역(R3)에도 상기 지지층을 형성하도록 한다.
이에 따라, 상기 지지층(360)은 상기 오픈 영역(R1) 내에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)과, 상기 경계 영역(R3) 내에 배치된 제2 외층 회로 패턴(140)의 사이를 둘러싸며 배치될 수 있다. 다시 말해서, 상기 지지층(360)은 상기 프라이머층(150)의 상면 중 상기 보호층(370)의 오픈 영역(R1) 및 경계 영역(R3)에 대응하는 상면에만 선택적으로 배치될 수 있다.
그리고, 상기 프라이머층(150)의 상면 중 상기 배치 영역(R2)에 대응하는 상면에는 상기 보호층(370)이 바로 배치될 수 있다. 이때, 상기 보호층(370)의 높이는 상기 지지층(360)의 높이보다 클 수 있다. 즉, 상기 보호층(370)의 상면은 상기 지지층(360)의 상면보다 높게 위치할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 복수의 절연층;
    상기 복수의 절연층 중 최상측에 위치한 절연층의 상면에 배치된 프라이머층;
    상기 프라이머층의 상면에 배치된 회로 패턴; 및
    상기 프라이머층의 상면에 배치되고, 상기 회로 패턴의 주위를 둘러싸는 지지층;을 포함하고,
    상기 지지층의 상면은,
    상기 회로 패턴의 상면보다 높게 위치하는
    인쇄회로기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지층은 제1 높이를 가지고,
    상기 회로 패턴은 상기 제1 높이의 20% 내지 95% 범위의 제2 높이를 가지는
    인쇄회로기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 프라이머층의 상부 영역에 부분적으로 배치되는 보호층을 포함하는
    인쇄회로기판.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 보호층은 솔더 레지스트를 포함하는
    인쇄회로기판.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 프라이머층은,
    상기 보호층의 오픈 영역과 중첩되는 제1 영역과,
    상기 보호층과 중첩되는 제2 영역을 포함하고,
    상기 지지층은,
    상기 프라이머층의 상기 제1 영역의 상면에 배치되는 제1 지지 부분과,
    상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는 제2 지지 부분을 포함하고,
    상기 보호층은,
    상기 지지층의 상기 제2 지지 부분 위에 배치되는
    인쇄회로기판.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 프라이머층은,
    상기 보호층의 오픈 영역과 중첩되는 제1 영역과,
    상기 보호층과 중첩되는 제2 영역을 포함하고,
    상기 지지층은,
    상기 프라이머층의 상기 제1 영역의 상면에 배치되고,
    상기 보호층은,
    상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는
    인쇄회로기판.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 프라이머층은,
    상기 보호층의 오픈 영역과 중첩되는 제1 영역과,
    상기 보호층과 중첩되는 제2 영역과,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 경계 영역에 대응하는 제3 영역을 포함하고,
    상기 지지층은,
    상기 프라이머층의 상기 제1 영역의 상면에 배치되는 제1 지지 부분과,
    상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는 제2 지지 부분을 포함하고,
    상기 보호층은,
    상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는 제1 보호 부분과,
    상기 지지층의 상기 제2 지지 부분 위에 배치되는 제2 보호 부분을 포함하는
    인쇄회로기판.
  8. 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호층의 상면은,
    상기 지지층의 상면보다 높게 위치하는
    인쇄회로기판.
  9. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치된 회로 패턴은,
    트레이스 및 패드를 포함하고,
    상기 트레이스는, 10㎛ 이하의 선폭 및 10㎛ 이하의 간격을 가지며 상기 제2 영역의 상면에 배치되는
    인쇄회로기판.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 지지층은 무기 필러를 포함하고,
    상기 지지층의 상면에는 상기 무기 필러에 대응하는 리세스가 형성된
    인쇄회로기판.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 지지층의 하면은,
    상기 프라이머층의 상면 및 상기 회로 패턴의 하면과 동일 평면 상에 위치하는
    인쇄회로기판.
  12. 내층 기판을 제조하고,
    상기 내층 기판 위에, 상면에 프라이머층이 배치된 최상측 절연층을 형성하고,
    상기 최상측 절연층의 상기 프라이머층 위에 회로 패턴을 형성하고,
    상기 프라이머층 상에 상기 회로 패턴을 덮는 지지층을 형성하고,
    상기 지지층의 상부 영역을 제거하여, 상기 회로 패턴의 상면이 노출되도록 하고,
    상기 지지층보다 작은 높이를 가지도록 상기 노출된 회로 패턴의 상면을 애칭하고,
    상기 프라이머층의 상부 영역에 부분적으로 보호층을 형성하는 것을 포함하며,
    상기 보호층은 오픈 영역을 포함하고,
    상기 오픈 영역 내에서의 지지층 및 회로 패턴의 상면은 외부로 노출되는
    인쇄회로기판의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 지지층의 상부 영역을 제거하는 것은,
    샌드 블러스트를 통해 상기 회로 패턴의 높이와 동일 높이를 가지도록 상기 지지층을 제거하는 것을 포함하는
    인쇄회로기판의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 회로 패턴의 상면을 애칭하는 것은,
    상기 지지층이 가지는 제1 높이의 20% 내지 95% 범위의 제2 높이를 가지도록 상기 회로 패턴의 상면을 해칭하는 것을 포함하는
    인쇄회로기판의 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 프라이머층은,
    상기 보호층의 오픈 영역과 중첩되는 제1 영역과,
    상기 보호층과 중첩되는 제2 영역을 포함하고,
    상기 지지층은,
    상기 프라이머층의 상기 제1 영역의 상면에 배치되는 제1 지지 부분과,
    상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는 제2 지지 부분을 포함하고,
    상기 보호층은,
    상기 지지층의 상기 제2 지지 부분 위에 배치되는
    인쇄회로기판의 제조 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 프라이머층은,
    상기 보호층의 오픈 영역과 중첩되는 제1 영역과,
    상기 보호층과 중첩되는 제2 영역을 포함하고,
    상기 지지층은,
    상기 프라이머층의 상기 제1 영역의 상면에 배치되고,
    상기 보호층은,
    상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는
    인쇄회로기판의 제조 방법.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 프라이머층은,
    상기 보호층의 오픈 영역과 중첩되는 제1 영역과,
    상기 보호층과 중첩되는 제2 영역과,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 경계 영역에 대응하는 제3 영역을 포함하고,
    상기 지지층은,
    상기 프라이머층의 상기 제1 영역의 상면에 배치되는 제1 지지 부분과,
    상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는 제2 지지 부분을 포함하고,
    상기 보호층은,
    상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치되는 제1 보호 부분과,
    상기 지지층의 상기 제2 지지 부분 위에 배치되는 제2 보호 부분을 포함하는
    인쇄회로기판의 제조 방법.
  18. 제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호층의 상면은,
    상기 지지층의 상면보다 높게 위치하는
    인쇄회로기판의 제조 방법.
  19. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프라이머층의 상기 제2 영역의 상면에 배치된 회로 패턴은,
    트레이스 및 패드를 포함하고,
    상기 트레이스는, 10㎛ 이하의 선폭 및 10㎛ 이하의 간격을 가지며 상기 제2 영역의 상면에 배치되는
    인쇄회로기판의 제조 방법.
  20. 제12항에 있어서,
    상기 지지층은 무기 필러를 포함하고,
    상기 지지층의 상부 영역의 제거 후에, 상기 지지층의 표면을 통해 노출된 무기 필러를 제거하여, 상기 지지층의 표면에 상기 무기 필러에 대응하는 리세스를 형성하는 것을 포함하는
    인쇄회로기판의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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