KR20210080391A - 소결체 - Google Patents

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KR20210080391A
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시게카즈 도마이
요시히로 우에오카
사토시 가쓰마타
겐이치 사사키
마사시 오야마
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이데미쓰 고산 가부시키가이샤
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Abstract

아연과 마그네슘과 산소를 구성 원소로서 포함하고, 아연과 마그네슘의 합계에 대한 아연의 원자비[Zn/(Zn+Mg)]가 0.20∼0.75이고, 아연과 마그네슘의 합계에 대한 마그네슘의 원자비[Mg/(Zn+Mg)]가 0.25∼0.80이며, X선 회절 측정의 결과, 단일의 결정 구조로 이루어지는, 소결체.

Description

소결체
본 발명은 소결체, 박막의 형성에 이용하는 성막용 태블릿 및 스퍼터링 타겟에 관한 것이다.
광투과성을 갖는 박막으로서, 산화물 박막이 사용되고 있다. 산화물 박막은, 예를 들면, 발광 다이오드 등의 반도체 장치의 전극에 사용되고 있다.
MgO-ZnO계 산화물에는, 투광성 세라믹스로서 컬러 액정 프로젝터에의 응용예가 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 또한, Mg를 MgO 환산으로 3∼50mol% 함유 하고, MgO상(MgO 풍부 고용상을 포함한다)의 최대 결정 입경이 10μm 이하로, 균일하게 분산된 조직을 갖는 것을 특징으로 하는 ZnO-MgO계 스퍼터링 타겟용 소결체가 개시되어 있다(특허문헌 2 참조). 본 문헌에서는, 얻어지는 박막을 태양 전지의 창재(窓材)로서 사용한다.
그런데, 산화 아연과 산화 마그네슘을 함유하는 성형체를 소성한 경우, 혼합비에 따라서는, 스퍼터링이나 증착을 행한 후의 소결체의 산화가 불균일해져, 주변부와 중앙부 또는 표면과 내부에 색조의 상위가 형성된다는 문제(아연의 석출이나 노듈 등의 색 불균일의 발생)가 생기는 경우가 있다. 색 불균일이 발생한 소결체는, 재질의 균일성이 요구되는 스퍼터링 타겟이나 태블릿 등의 성막용 재료로서는 부적합하다.
색 불균일이 발생한 성막용 재료에 있어서는, 소결체 표면의 색 불균일 부분을 연마에 의해 모두 깎아내는 공정이 필요해진다. 따라서, 깎아낸 재료가 낭비가 되고, 또한 연마를 위한 부가적인 공정이 필요해진다는 문제가 있다.
색 불균일을 삭제하더라도, 스퍼터링에 의해 이로전부와 주변부에서 재차 색 불균일이 생기기 쉬워진다는 과제가 있다.
이와 같이, 색 불균일의 발생에 의해 제조 공정의 번잡화 및 제조 비용이 높아진다는 문제가 있었다.
일본 특허공개 2009-184898호 공보 국제 공개 제2012/014688호 공보
본 발명의 목적은, 성막 시에 색 불균일의 발생을 억제하고 이상 방전을 저감할 수 있는 성막용 재료를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 이하의 소결체 등이 제공된다.
1. 아연과 마그네슘과 산소를 구성 원소로서 포함하고,
상기 아연과 마그네슘의 합계에 대한 상기 아연의 원자비[Zn/(Zn+Mg)]가 0.20∼0.75이고,
상기 아연과 마그네슘의 합계에 대한 상기 마그네슘의 원자비[Mg/(Zn+Mg)]가 0.25∼0.80이며,
X선 회절 측정의 결과, 단일의 결정 구조로 이루어지는, 소결체.
2. 상기 아연의 원자비가 0.20∼0.49이고, 상기 마그네슘의 원자비가 0.51∼0.80인, 1에 기재된 소결체.
3. 상기 단일의 결정 구조가 MgO의 입방정인, 1 또는 2에 기재된 소결체.
4. 1∼3 중 어느 하나에 기재된 소결체를 포함하는, 성막용 태블릿.
5. 1∼3 중 어느 하나에 기재된 소결체를 포함하는, 스퍼터링 타겟.
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 성막 시에 색 불균일의 발생을 억제하고 이상 방전을 저감할 수 있는 성막용 재료를 제공할 수 있다.
도 1은 실시예 1, 비교예 1 및 2에서 제작한 소결체의 EPMA에 의한 원소 매핑이다.
도 2는 실시예 1, 비교예 1 및 2에서 제작한 소결체의 X선 회절 패턴이다.
도 3은 실시예 1, 비교예 1 및 2에서 제작한 스퍼터링 타겟의 성막 후의 표면 사진이다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 소결체는, 아연과 마그네슘과 산소를 구성 원소로서 포함하고, X선 회절 측정의 결과, 단일의 결정 구조로 이루어진다. 여기에서, 「X선 회절 측정의 결과, 단일의 결정 구조로 이루어진다」란, X선 회절 측정의 결과를, WPF(전체 패턴 피팅) 및 리트벨트 해석하여 존재가 확인되는 결정 구조가 주로 1개만으로 이루어지는 경우를 말한다.
한편, 주된 결정 구조 외에, 미량의 결정 구조가 확인되더라도, 주된 결정 구조에서 유래하는 회절 피크 중 최대 피크의 피크 강도(I1)에 대한, 다른 결정 구조에서 유래하는 회절 피크 중 최대 피크의 피크 강도(I0)의 강도비(I0/I1)가 0.01 이하인 경우는, 결정 구조가 주로 1개만으로 이루어진다고 판단한다. 다른 결정 구조에서 유래하는 회절 피크는 관측되지 않는 것이 바람직하다.
예를 들면, 단일의 결정 구조가 MgO의 입방정인 경우, X선 회절 패턴에 있어서, 2θ=37.0±1.0deg, 43.0±1.0deg 및 62.3±1.0deg에 회절 피크가 관측된다. 이들 중, 최대 피크는 2θ=43.0±1.0deg에 관측된다. 본 피크의 피크 강도(I1)와, 다른 결정 구조에서 유래하는 회절 피크 중 최대 피크의 피크 강도(I0)를 비교한다.
본 실시형태에 있어서, 단일의 결정 구조로서는, 예를 들면, MgO의 입방정을 들 수 있다. MgO의 입방정인 것은, 예를 들면, JCPDS 카드: 75-0447로 확인할 수 있다.
한편, 본 실시형태의 소결체는, 결정 구조가 단일이면 되고, 일부에 비정질 성분을 포함하고 있어도 된다.
본 실시형태의 소결체가, 아연과 마그네슘과 산소를 구성 원소로서 포함하는 것은, 전자선 마이크로애널라이저(EPMA)로 확인할 수 있다. 한편, 아연, 마그네슘 및 산소는, 주로 산화 마그네슘의 마그네슘의 일부가, 아연으로 치환된 혼정(산화 마그네슘과 산화 아연의 고용체)을 구성하고 있다고 생각된다.
본 실시형태에 있어서는, 산소가 균질하게 분산되어 있는 것이 바람직하다. 산소가 균질하게 분산되어 있는 것은, 전자선 마이크로애널라이저(EPMA)로, 소결체의 표면을 관측하여 얻어지는 원소 매핑에 있어서, 산소 원소를 분석한 결과를 확인함으로써 판단할 수 있다. 본원에서는, 원소 매핑에 있어서, 3μm×5μm 사방의 영역이, 실시예 1의 원소 매핑(도 1)과 같이, 농(濃)부와 담(淡)부가 균일하게 분산되어 있는 경우, 산소가 균질하게 분산되어 있다고 판단한다. 한편, 비교예 1 및 2와 같이, 농부와 담부가 분명하게 분리되고, 응집되어 있는 경우는, 산소가 균질하게 분산되어 있지 않다고 판단한다.
본 실시형태에 있어서는, 아연과 마그네슘의 합계에 대한 아연의 원자비[Zn/(Zn+Mg)]가 0.20∼0.75이고, 아연과 마그네슘의 합계에 대한 마그네슘의 원자비[Mg/(Zn+Mg)]가 0.25∼0.80이다. 이 범위이면, 소결체에 있어서의 산소가, 더 균질하게 분산되어, 성막 후의 색 불균일의 억제 효과가 더 커진다. 아연이 0.75를 초과하면, MgO의 입방정과 ZnO의 육방정의 혼합물이 되기 쉽고, 산소는 마그네슘측에 편재하는 경향이 있다. 이 때문에, 성막 시에 노듈 등의 색 불균일이 발생하기 쉬워지는 경우가 있다. 또한, 스퍼터링했을 때에 아연이 환원되기 쉬워져, 이상 방전이 발생할 우려가 있다. 아연이 0.20 미만인 경우, MgO의 입방정으로서 관측되는 MgZnO상에 더하여, 성막 시에 아연 금속이 석출되는 등의 색 불균일이 발생하기 쉬워지고, 이상 방전의 원인이 될 우려가 있다.
아연의 원자비는 0.20∼0.49가 바람직하고, 나아가 0.25∼0.45가 보다 바람직하다. 마그네슘의 원자비는 0.51∼0.80이 바람직하고, 나아가 0.55∼0.75가 보다 바람직하다. 아연 및 마그네슘의 원자비는, 출발 원료에 있어서의 원자비를 조정하는 것에 의해 제어할 수 있다. 소결체의 원자비는, 원료에 있어서의 원자비와 비교해서, 아연의 비율이 높아지는 경향이 있다. 마그네슘의 원자비가 0.51∼0.80이 보다 바람직한 이유는, 소결체를 사용하여 제작한 막을 자외선 투과 전극으로서 사용하는 경우에, 도전성과 자외선 투과성의 양립이 가능해지기 때문이다. 마그네슘의 원자비가 0.51 미만이면, 자외선의 투과율이 저하된다. 또한, 마그네슘의 원자비가 0.80을 초과하면, 도전성이 저하된다.
한편, 본원에 있어서, 아연, 마그네슘 등의 원자비는, X선 회절 측정, 형광 X선 분석 또는 유도 결합 플라즈마(ICP) 발광 분광 분석에 의해 측정할 수 있다.
본 실시형태의 소결체는, 추가로 정3가의 금속 산화물을 포함하고 있어도 된다. 정3가란, 금속 산화물 중의 금속 원자의 원자가가 +3인 것을 의미한다. 정3가의 금속 산화물을 포함하는 것에 의해, 박막을 형성했을 때에, 전기 저항을 낮출 수 있다. 정3가로서 바람직한 금속 산화물로서, 예를 들면, Al2O3, Ga2O3을 들 수 있다. 이들 금속 산화물은, ZnO의 도전성을 높이는 재료로서 알려져 있는데, 본 실시형태에 있어서도 마찬가지로 도전성을 높이는 첨가물로서 유효하다.
정3가의 금속 X의 산화물의 바람직한 첨가량은, 금속 원자비[X/(X+Zn+Mg)]로 0.001∼0.1이고, 보다 바람직하게는 0.01∼0.07이며, 더 바람직하게는 0.02∼0.05이다.
본 실시형태의 소결체의 구성 원소는, 본질적으로, Mg, Zn, O, 및 임의로 정3가의 금속 원소로 이루어져도 된다(consisting essentially of). 본 실시형태의 소결체의 구성 원소의, 예를 들면, 70mol% 이상, 80mol% 이상, 또는 90mol% 이상이, Mg, Zn, O, 및 임의로 정3가의 금속 원소여도 된다. 또한, 본 실시형태의 소결체의 구성 원소는, Mg, Zn, O, 및 임의로 정3가의 금속 원소만으로 이루어져도 된다(consisting of). 이 경우, 불가피 불순물을 포함해도 된다.
본 실시형태의 소결체는, 예를 들면, 원료 분말을 혼합하여, 혼합 분말을 조제하는 공정, 혼합 분말을 성형하여 성형체로 하는 공정, 및 성형체를 소성하는 공정에 의해 제조할 수 있다.
출발 원료로서는, Mg를 포함하는 화합물의 분말, Zn을 포함하는 화합물의 분말, 및 임의로 정3가의 금속을 포함하는 화합물의 분말을 사용할 수 있다. 화합물은, 바람직하게는 산화물이다. 예를 들면, MgO, ZnO, Al2O3, Ga2O3을 들 수 있다.
원료 분말의 혼합비는, 예를 들면, 얻고자 하는 소결체의 원자비를 고려하여 조정할 수 있다.
원료 분말의 평균 입경은, 바람직하게는 0.1∼1.2μm이고, 보다 바람직하게는 0.5∼1.0μm이다. 원료 분말의 평균 입경은 레이저 회절식 입도 분포 장치 등으로 측정할 수 있다.
원료의 혼합, 성형 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 또한, 혼합할 때에는 바인더를 첨가해도 된다.
원료의 혼합은, 예를 들면, 볼 밀, 비드 밀, 제트 밀 또는 초음파 장치 등의 공지의 장치를 이용하여 행할 수 있다. 혼합 시간은, 적절히 조정하면 되지만, 6∼100시간 정도가 바람직하다.
성형 방법은, 예를 들면, 혼합 분말을 가압 성형하여 성형체로 할 수 있다. 이 공정에 의해, 제품의 형상(예를 들면, 스퍼터링 타겟으로서 적합한 형상)으로 성형할 수 있다.
혼합 분말을 형에 충전하고, 통상, 금형 프레스 또는 냉간 정수압 프레스(CIP)에 의해, 예를 들면 1000kg/cm2 이상으로 가압하는 것에 의해, 성형체를 얻을 수 있다.
한편, 성형 시에는, 폴리바이닐 알코올이나 폴리에틸렌 글라이콜, 메틸 셀룰로스, 폴리왁스, 올레산, 스테아르산 등의 성형 조제를 이용해도 된다.
얻어진 성형체를, 예를 들면 1200∼1650℃의 온도에서 2시간 이상 가열하여 소결체를 얻을 수 있다.
가열 온도는, 바람직하게는 1350∼1600℃, 보다 바람직하게는 1400∼1600℃, 더 바람직하게는 1450∼1500℃이다. 가열 시간은 바람직하게는 2∼72시간, 보다 바람직하게는 3∼48시간, 더 바람직하게는 4∼24시간이다.
소성은, 통상, 성형체를 대기 분위기, 또는 산소 가스 분위기에서 가열한다. 산소 가스 분위기는, 산소 농도가, 예를 들면 10∼50체적%인 분위기인 것이 바람직하다.
본 실시형태의 소결체는, 소결체의 조성을 갖는 박막을 형성하기 위한 성막용 재료, 예를 들면, 진공 증착법이나 이온 플레이팅법으로 성막할 때에 사용되는 태블릿, 스퍼터링 타겟으로서, 적합하게 사용할 수 있다. 본 실시형태의 성막용 재료로부터 얻어지는 박막은, 자외 발광 다이오드, 자외 발광 레이저 다이오드 등의 전극 기판에 이용되는 투명 도전막으로서 사용할 수 있다.
태블릿은, 예를 들면, 원료를 원하는 형상으로 성형하고 소성하여 얻어진 소결체를 절삭 또는 연마 가공하는 것에 의해 제작할 수 있다. 스퍼터링 타겟은, 예를 들면, 소결체를 절삭 또는 연마 가공하고, 배킹 플레이트에 본딩하는 것에 의해 제작할 수 있다.
절삭 가공함으로써 올록볼록한 면을 제거할 수 있다. 또한, 지정된 크기로 할 수 있다. 표면을 #200번, 또는 #400번, 나아가서는 #800번의 연마를 행해도 된다. 이에 의해, 스퍼터링 중의 이상 방전이나 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
연마한 소결체를, 필요에 따라서 세정한 후, 접합면에 금속 인듐 땜납 등의 접합 재료를 도포하고, 배킹 플레이트와 접합하는 것에 의해, 스퍼터링 타겟을 얻을 수 있다.
실시예
실시예 1∼5, 비교예 1, 2
(A) 소결체의 제작
평균 입경이 1μm 이하인 산화 아연(ZnO) 분말, 및 평균 입경이 1μm 이하인 산화 마그네슘(MgO) 분말을, Mg와 Zn의 원자비가 표 1에 나타내는 값이 되도록 칭량하고, 혼합했다. 혼합 분말을 수지제 포트에 넣고, 추가로 물을 가하고, 분쇄 미디어로서 경질 ZrO2 볼을 이용하여, 습식 볼 밀에서 20시간 혼합했다. 얻어진 혼합 슬러리를 취출하여, 여과, 건조 및 조립(造粒)했다. 얻어진 조립물을 형에 넣고, 냉간 정수압 프레스로 3ton/cm2 가압하여 성형했다.
다음으로, 얻어진 성형체를 소결로 내에 재치했다. 노 내 용적 0.1m3당 5L/분의 비율로 산소를 유입하면서, 성형체를 소성했다.
소결로 내의 온도를, 실온으로부터 1000℃까지는 1℃/분으로 승온하고, 1000℃로부터 1470℃까지는 3℃/분으로 승온하고, 1470℃에서 5시간 소성했다. 그 후, 산소의 유입을 멈추고, 노 내 온도를 1470℃로부터 1300℃까지 10℃/분으로 강온했다. 이어서, 노 내 용적 0.1m3당 10L/분의 비율로 Ar을 유입하면서, 노 내 온도를 1300℃에서 3시간 유지했다. 그 후, 방랭하는 것에 의해 소결체를 얻었다.
(B) 스퍼터링 타겟의 제작
얻어진 소결체에 대하여, 스퍼터면이 되는 면을 컵 숫돌로 연마하여, 직경 100mm, 두께 5mm로 가공했다. In계 합금을 이용하여, 연마한 소결체에 배킹 플레이트를 첩합하여, 스퍼터링 타겟을 제작했다.
얻어진 각 소결체에 대하여, Zn과 Mg의 원자비 및 상대 밀도를 표 1에 나타낸다.
또한, 스퍼터링 타겟의 성막성을 평가했다. 구체적으로는, 성막 시에 있어서의 이상 방전의 유무와, 성막 후의 스퍼터링 타겟에 있어서의 색 불균일(아연의 석출 및 노듈)의 유무를 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00001
평가법은 이하와 같다.
(1) 소결체의 Zn과 Mg의 원자비 및 결정 구조
X선 회절(XRD) 측정의 결과를, WPF(전체 패턴 피팅) 및 리트벨트 해석하는 것에 의해 평가했다. XRD의 측정 조건은 이하와 같이 했다.
· 장치: (주)리가쿠제 Ultima-III
· X선: Cu-Kα선(파장 1.5406Å, 그래파이트 모노크로메이터로 단색화)
· 2θ-θ 반사법, 연속 스캔(1.0°/분)
· 샘플링 간격: 0.02°
· 슬릿 DS, SS: 2/3°, RS: 0.6mm
(2) 상대 밀도
소결체의 상대 밀도를 아르키메데스법에 기초하여 측정했다. 구체적으로는, 소결체의 공중 중량을 체적(=소결체의 수중 중량/계측 온도에 있어서의 물 비중)으로 나누고, 하기 식에 기초하는 이론 밀도 ρ(g/cm3)에 대한 백분율의 값을 상대 밀도(단위: ％)로 했다.
ρ=(C1/100/ρ1+C2/100/ρ2···+Cn/100/ρn)-1
한편, 식 중에서, C1∼Cn은 각각 소결체 또는 소결체의 구성 물질의 함유량(질량%)을 나타내고, ρ1∼ρn은 C1∼Cn에 대응하는 각 구성 물질의 밀도(g/cm3)를 나타낸다.
한편, 각 구성 물질의 밀도에 대해서는, 밀도와 비중은 거의 동등하기 때문에, 화학편람 기초편 I 일본화학편 개정 2판(마루젠 주식회사)에 기재되어 있는 산화물의 비중의 값을 이용했다.
(3) 스퍼터링 타겟의 성막성의 평가
각 예의 소결체로부터 제작한 스퍼터링 타겟을 이용하여, 실제로 박막을 형성하고, 평가했다. 성막 조건은 이하와 같이 했다.
지지 기판인 사파이어 기판(두께 0.5mm)을, 초음파 세정기 중에 넣고, 트라이클로로에틸렌으로 5분간, 아세톤으로 5분간, 메탄올로 5분간, 마지막에 증류수로 5분간 세정했다.
그 후, 지지 기판을 스퍼터링 장치(ULVAC제: ACS-4000)에 세팅하고, 각 스퍼터링 타겟을 이용하여, 지지 기판 상에 100nm 두께의 막을 형성했다.
스퍼터 가스로는 Ar을 이용하고, 온도는 25℃로 했다.
성막 시에 이상 방전이 관측되지 않은 경우를 「무」로 하고, 이상 방전이 관측된 경우를 「유」로 했다.
성막 후의 스퍼터링 타겟의 표면에 있어서의 색 불균일(아연의 석출 및 노듈)의 유무는, 각각 육안으로 평가했다. 관측되지 않는 경우를 「무」로 하고, 관측된 경우를 「유」로 했다.
· 원소 매핑
성막 후의 스퍼터링 타겟의 표면을 전자선 마이크로애널라이저(EPMA)로 관찰했다. 도 1에, 실시예 1, 비교예 1 및 2에서 제작한 스퍼터링 타겟의 EPMA에 의한 원소 매핑을 나타낸다. 도 1로부터 인식할 수 있는 바와 같이, 실시예 1에서는 Mg, Zn 및 O가, 모두 균질하게 분산되어 있는 모습이 확인되었다. 실시예 2∼5도 마찬가지였다. 한편, 비교예 1 및 2에서는, O는 Mg측에 국재하고, Zn이 환원 기미가 되고 있는 것이 확인되었다.
한편, EPMA의 측정 조건은 이하와 같다.
· 장치명: 니혼 덴시 주식회사 JXA-8200
· 측정 조건
가속 전압: 15kV
조사 전류: 50nA
조사 시간(1점당): 50mS
도 1의 각 원소 매핑은, 세로 3μm, 가로 5μm의 영역의 원소 밀도를 나타내고 있고, 농부(검은 개소)는 밀도가 낮은 개소를 나타낸다.
· X선 회절 패턴
실시예 1, 비교예 1 및 2에서 제작한 소결체의 X선 회절 패턴을 도 2에 나타낸다.
실시예 1의 소결체는, 도 1의 EPMA의 화상으로부터, MgO에 ZnO가 고용된 단일의 결정 구조(MgO의 입방정)로 이루어지는 것이라고 생각된다. 실시예 2∼5도 마찬가지였다.
비교예 1에서는, MgO의 입방정 외에, 아연 금속의 육방정이 관측되었다. 2θ=36.3°에 아연 금속 특유의 피크가 있다. MgO의 입방정의 최대 피크의 피크 강도(I1)에 대한, 아연 금속의 육방정의 최대 피크의 피크 강도(I0)의 강도비(I0/I1)는 0.029였다.
비교예 2에서는, MgO의 입방정 외에, ZnO의 육방정(예를 들면, 2θ=36.2deg의 피크)이 관측되었다. MgO의 입방정의 최대 피크의 피크 강도(I1)에 대한, ZnO의 육방정의 최대 피크의 피크 강도(I0)의 강도비(I0/I1)는 3.232였다.
실시예 1, 비교예 1 및 2에서 제작한 스퍼터링 타겟의 성막 후의 표면 사진을 도 3에 나타낸다. 실시예 1의 스퍼터링 타겟은, 산소가 균질하게 분포하고 있기 때문에, 안정된 스퍼터링을 할 수 있었다. 또한, 도 3으로부터 표면 돌기(노듈)는 발생하고 있지 않은 것을 확인할 수 있다. 실시예 2∼5도 실시예 1과 마찬가지였다.
한편, 비교예에서는 스퍼터 시에 이상 방전이 발생했다. 도 3과 같이, 비교예 1에서는 아연의 석출이 관측되고, 비교예 2에서는 노듈이 발생하고 있었다.
상기에 본 발명의 실시형태 및/또는 실시예를 몇 가지 상세하게 설명했지만, 당업자는, 본 발명의 신규한 교시 및 효과로부터 실질적으로 벗어나는 일 없이, 이들 예시인 실시형태 및/또는 실시예에 많은 변경을 가하는 것이 용이하다. 따라서, 이들 많은 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.
이 명세서에 기재된 문헌, 및 본원의 파리 조약에 의한 우선권의 기초가 되는 출원의 내용을 모두 원용한다.

Claims (5)

  1. 아연과 마그네슘과 산소를 구성 원소로서 포함하고,
    상기 아연과 마그네슘의 합계에 대한 상기 아연의 원자비[Zn/(Zn+Mg)]가 0.20∼0.75이고,
    상기 아연과 마그네슘의 합계에 대한 상기 마그네슘의 원자비[Mg/(Zn+Mg)]가 0.25∼0.80이며,
    X선 회절 측정의 결과, 단일의 결정 구조로 이루어지는, 소결체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 아연의 원자비가 0.20∼0.49이고, 상기 마그네슘의 원자비가 0.51∼0.80인, 소결체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 단일의 결정 구조가 MgO의 입방정인, 소결체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 소결체를 포함하는, 성막용 태블릿.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 소결체를 포함하는, 스퍼터링 타겟.
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