JP2017171563A - 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 - Google Patents
酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017171563A JP2017171563A JP2016062542A JP2016062542A JP2017171563A JP 2017171563 A JP2017171563 A JP 2017171563A JP 2016062542 A JP2016062542 A JP 2016062542A JP 2016062542 A JP2016062542 A JP 2016062542A JP 2017171563 A JP2017171563 A JP 2017171563A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- transparent conductive
- conductive film
- sintered body
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 37
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 31
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 101
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 63
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 20
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 18
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 15
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 14
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- 239000002585 base Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 7
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 description 2
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- TZNXTUDMYCRCAP-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);tetranitrate Chemical class [Hf+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O TZNXTUDMYCRCAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N nitrate group Chemical group [N+](=O)([O-])[O-] NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009700 powder processing Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
Description
A=(a+b+c+d+e)/((a/7.18)+(b/6.00)+(c/5.01)+(d/3.88)+(e/9.68))
一方、酸化物焼結体の焼結密度B(g/cm3)は、JIS−R1634−1998に準拠してアルキメデス法で測定する。
相対密度(%)=(B/A)×100。
[実施例1〜5、比較例1〜4]
原料粉末として、純度99.99重量%、平均粒径0.5μmの酸化インジウム粉末、純度99.9重量%、平均粒径0.2μmの酸化ジルコニウム粉末、純度99.9重量%、平均粒径0.2μmの酸化イットリウム粉末、及び純度99.9重量%、平均粒径0.2μmの酸化スカンジウム粉末を準備した。表1に記載された原子比となるように、これらの原料粉末を秤量して乾式ボールミルで混合し、成形用の混合粉末を得た。混合粉末の平均粒径は0.2μmであった。
(焼成条件)
・昇温速度 :50℃/時間
・焼成温度 :1600℃
・保持時間 :5時間
・焼結雰囲気 :昇温開始前(室温)から降温時の100℃に到達するまで
純酸素ガスを炉内に導入
・降温速度 :100℃/時間
・成形体の重量/酸素流量:0.9[kg/(L/min)]。
純度99.99%、平均粒径0.5μmの酸化インジウム粉末及び純度99.99%、平均粒径0.5μmの酸化錫粉末を原料粉末とし、酸化インジウムと酸化錫が95:5の
重量比となるように秤量して乾式ボールミルで混合した。
を1550℃、1時間とした以外は実施例1と同様の条件で焼成した。
純度99.99%、平均粒径0.5μmの酸化インジウム粉末及び純度99.99%、
平均粒径0.5μmの酸化錫粉末を原料粉末とし、酸化インジウムと酸化錫が97:3の
重量比となるように秤量して乾式ボールミルで混合した。
(組成)
各実施例、各比較例及び各参考例の酸化物焼結体の組成を、市販のICP発光分析装置を用いて、ICP発光分析法により定量した。そして、原子比を求めた。その結果を表1に示す。なお、酸化物焼結体の組成は、成形用の混合粉末の組成とほぼ同一であった。
(相対密度)
各実施例、各比較例及び各参考例の酸化物焼結体の相対密度を求めた。相対密度は、酸化物焼結体の理論密度をA、焼結密度をBとしたとき、下記式によって求められる値である。理論密度A及び焼結密度Bの測定方法は上述のとおりである。測定結果を表1に示す。
相対密度(%)=(B/A)×100
(平均粒径)
各実施例及び各比較例の酸化物焼結体を構成する粒子の平均粒径を測定した。平均粒径の測定方法は、上述のとおりである。ただし、酸化物焼結体の研磨面の観察写真(倍率:1000〜5000倍)は、走査電子顕微鏡を用いて撮影した。この観察写真において、粒子500個の長径を求めた。求めた長径の算術平均値を平均粒径とした。測定結果を表1に示す。
各実施例及び各比較例で作製した酸化物焼結体を、円板形状(直径:4インチ=101.6mm)に加工した。スパッタリングターゲットとして用いる際にスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用いて研磨した。研磨の際に砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さ(Ra)を調整した。このようにしてスパッタリングターゲットを作製した。作製したスパッタリングターゲットのスパッタリング面のRaを、市販の表面性状測定装置(装置名 サーフテストSV−3100 ミツトヨ製)を用いて測定した。その結果は表1に示す通りであった。
(成膜条件)
・装置 :DCマグネトロンスパッタ装置
・磁界強度 :1000Gauss(ターゲット直上、水平成分)
・基板温度 :室温(25℃)
・到達真空度 :5×10−4Pa
・製膜時の雰囲気 :アルゴン+酸素
・スパッタリング時のガス圧:0.5Pa
・DCパワー :200W
・膜厚 :20nm
・使用基板 :無アルカリガラス
(コーニング社製EAGLE XGガラス 厚さ0.7mm)(製膜後の後処理条件)
製膜後に、大気中、170℃で60分間加熱する熱処理を行った。このようにして基板上に酸化物透明導電膜が形成された試料を得た。以下に述べる酸化物透明導電膜の評価を行った。
(光透過率)
基板上に酸化物透明導電膜が形成された試料の光透過率は、分光光度計(商品名:U−4100、株式会社 日立製作所製)を用いて、波長240nmから2600nmの範囲を測定し、表示デバイスで重要となる波長400〜800nmにおける光透過率の平均値を示した。測定結果を表1に示す。
(抵抗率)
酸化物透明導電膜の抵抗率は、市販の測定装置(商品名:HL5500、日本バイオ・ラッド ラボラトリーズ社製)を用いて測定した。測定結果を表1に示す。
(耐久性)
薄膜試料を温度60℃、相対湿度90%の環境に連続的に1000時間まで曝し、抵抗率の変化を観察した。このとき、試験前後の抵抗率をそれぞれA、Bとしたときに、B/Aの値を求めて耐久性の指標とした。通常、この値は試験時間とともに増加傾向にあり、値が小さいほど耐久性が優れていることを示している。
[実施例6〜8]
原料粉末として、純度99.99重量%、平均粒径0.5μmの酸化インジウム粉末、純度99.9重量%、平均粒径0.2μmの酸化ジルコニウム粉末、平均粒径0.2μmの酸化イットリウム粉末、純度99.9重量%、平均粒径0.2μmの酸化スカンジウム粉末、及び純度99.99%、平均粒径0.2μmの酸化ハフニウム粉末を準備した。表2に記載された原子比となるように、これらの原料粉末を秤量して乾式ボールミルで混合し、成形用の混合粉末を得た。混合粉末の平均粒径は0.2μmであった。
得られた各実施例の酸化物焼結体を用い、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを作製し、酸化物透明導電膜を得た。そして、実施例1と同様にして、酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜の評価を行った。評価結果を表2に示す。
Claims (13)
- 構成元素として、インジウム、ジルコニウム、イットリウム、スカンジウム及び酸素を有する酸化物焼結体であり、インジウム、ジルコニウム、イットリウム及びスカンジウムをそれぞれIn、Zr、Y及びScとしたときに、原子比でZr/(In+Zr+Y+Sc)が0.1〜3.0at%であり、Y/(In+Zr+Y+Sc)が0.005〜0.3at%であり、Sc/(In+Zr+Y+Sc)が0.001〜0.45at%であることを特徴とする酸化物焼結体。
- インジウム、ジルコニウム、イットリウム及びスカンジウムをそれぞれIn、Zr、Y及びScとしたときに、原子比で(Y+Sc)/(In+Zr+Y+Sc)が0.006〜0.5at%であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物焼結体。
- 構成元素としてさらにハフニウムを有する酸化物焼結体であり、ハフニウムをHfとしたときに、原子比でHf/(In+Zr+Y+Sc+Hf)が0.0001〜0.2at%であることを特徴とする請求項1乃至2に記載の酸化物焼結体。
- 請求項1乃至3に記載の酸化物焼結体を含んでなるスパッタリングターゲット。
- 請求項4に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングする工程を有する、酸化物透明導電膜の製造方法。
- インジウム、ジルコニウム、イットリウム及びスカンジウムをそれぞれIn、Zr、Y及びScとしたときに、原子比でZr/(In+Zr+Y+Sc)が0.1〜3.0at%であり、Y/(In+Zr+Y+Sc)が0.005〜0.3at%であり、Sc/(In+Zr+Y+Sc)が0.001〜0.45at%であることを特徴とする酸化物透明導電膜。
- インジウム、ジルコニウム、イットリウム及びスカンジウムをそれぞれIn、Zr、Y及びScとしたときに、原子比で(Y+Sc)/(In+Zr+Y+Sc)が0.006〜0.5at%であることを特徴とする請求項6に記載の酸化物透明導電膜。
- 構成元素としてさらにハフニウムを有する酸化物透明導電膜であって、ハフニウムをHfとしたときに、原子比でHf/(In+Zr+Y+Sc+Hf)が0.0001〜0.2at%である請求項6乃至7に記載の酸化物透明導電膜。
- 構成元素として、インジウム、ジルコニウム、イットリウム、スカンジウム及び酸素を有する複合酸化物を含有する、請求項6乃至7に記載の酸化物透明導電膜。
- 構成元素として、インジウム、ジルコニウム、イットリウム、スカンジウム、ハフニウム及び酸素を有する複合酸化物を含有する、請求項8に記載の酸化物透明導電膜。
- 請求項6乃至10に記載の酸化物透明導電膜と基材により構成されることを特徴とする酸化物透明導電膜を含む積層基材。
- 請求項11に記載の積層基材を用いることを特徴とする素子。
- 請求項12に記載の素子を用いることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016062542A JP6747003B2 (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016062542A JP6747003B2 (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017171563A true JP2017171563A (ja) | 2017-09-28 |
JP6747003B2 JP6747003B2 (ja) | 2020-08-26 |
Family
ID=59973618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016062542A Active JP6747003B2 (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6747003B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003105532A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 |
JP2013001919A (ja) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | In2O3−ZnO系スパッタリングターゲット及び酸化物導電膜 |
WO2013084795A1 (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-13 | 東ソー株式会社 | 複合酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、並びに酸化物透明導電膜及びその製造方法 |
JP2015025195A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-02-05 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
JP2015187062A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-29 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
-
2016
- 2016-03-25 JP JP2016062542A patent/JP6747003B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003105532A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 |
JP2013001919A (ja) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | In2O3−ZnO系スパッタリングターゲット及び酸化物導電膜 |
WO2013084795A1 (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-13 | 東ソー株式会社 | 複合酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、並びに酸化物透明導電膜及びその製造方法 |
JP2013139380A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-07-18 | Tosoh Corp | 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
JP2015025195A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-02-05 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
JP2015187062A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-29 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6747003B2 (ja) | 2020-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6500446B2 (ja) | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 | |
JP2012092003A (ja) | 複合酸化物焼結体、その製造方法及びそれを用いて得られる酸化物透明導電膜 | |
US11377725B2 (en) | Oxide sintered body and transparent conductive oxide film | |
JP5585046B2 (ja) | 複合酸化物焼結体、ターゲット及び酸化物透明導電膜 | |
JP6229366B2 (ja) | 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 | |
JP5418105B2 (ja) | 複合酸化物焼結体、酸化物透明導電膜、及びその製造方法 | |
JP6287327B2 (ja) | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 | |
JP6724410B2 (ja) | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 | |
JP6079175B2 (ja) | 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 | |
JP6155919B2 (ja) | 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 | |
JP6747003B2 (ja) | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 | |
JP5942414B2 (ja) | 複合酸化物焼結体、ターゲット、酸化物透明導電膜及びその製法 | |
JP2015025195A (ja) | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 | |
WO2017145964A1 (ja) | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 | |
JP2011037679A (ja) | 複合酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、複合酸化物非晶質膜及びその製造方法、並びに、複合酸化物結晶質膜及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200402 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200707 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200720 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6747003 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |