KR20210078337A - Alignment system, film-forming apparatus, alignment method, film-forming method, manufacturing method of electronic device and recording medium of computer program - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 얼라인먼트 시스템, 성막장치, 얼라인먼트 방법, 성막방법, 전자 디바이스의 제조방법 및 컴퓨터 프로그램 기록매체에 관한 것이다. The present invention relates to an alignment system, a film forming apparatus, an alignment method, a film forming method, a manufacturing method of an electronic device, and a computer program recording medium.
유기EL 표시장치(유기 EL 디스플레이)의 제조에 있어서는, 유기 EL 표시장치를 구성하는 유기 발광소자(유기 EL 소자; OLED)를 형성할 때에, 성막장치의 증발원으로부터 증발한 증착재료를 화소 패턴이 형성된 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써, 유기물층이나 금속층을 형성한다. In the manufacture of an organic EL display device (organic EL display), when forming an organic light emitting element (organic EL element; OLED) constituting an organic EL display device, a vapor deposition material evaporated from an evaporation source of the film forming apparatus is applied to a pixel pattern formed thereon. By depositing on the substrate through a mask, an organic material layer or a metal layer is formed.
성막장치에 있어서는, 성막정밀도를 높이기 위해, 성막공정 전에, 기판과 마스크의 상대적 위치를 측정하고, 상대적 위치가 어긋나있는 경우에는, 기판 및/또는 마스크를 상대적으로 이동시켜 위치를 조정(얼라인먼트)한다. In the film forming apparatus, in order to increase the film forming precision, the relative position of the substrate and the mask is measured before the film forming process, and if the relative position is out of alignment, the position is adjusted (aligned) by moving the substrate and/or the mask relatively. .
기판과 마스크의 상대적 위치의 측정은, 진공용기의 외측(대기측) 상면에 설치된 얼라인먼트 카메라로, 기판과 마스크에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크를 촬상함으로써, 행해지는데, 진공용기 내부는 어둡기 때문에, 얼라인먼트용 광원으로 기판과 마스크의 얼라인먼트 마크를 비추면서, 촬상이 행해진다. The measurement of the relative position of the substrate and the mask is performed by imaging the alignment marks formed on the substrate and the mask with an alignment camera installed on the upper surface of the outside (atmospheric side) of the vacuum container. Since the inside of the vacuum container is dark, it is used for alignment Imaging is performed while illuminating the alignment mark of the board|substrate and a mask with a light source.
통상적으로, 얼라인먼트용 광원은, 얼라인먼트 카메라와 마찬가지로, 진공용기의 외측 상면에 설치된다. 이 경우에, 얼라인먼트 카메라는, 기판 및 마스크로부터의 반사광을 수신하여, 얼라인먼트 마크를 포함하는 화상을 취득하게 되는데, 기판 중 얼라인먼트 마크가 형성된 부분과 그 주위의 부분에서 반사광량의 차가 작기 때문에 콘트라스트가 낮으며, 고해상도의 화상을 취득하기 어려운 문제가 있다. 얼라인먼트 카메라로 취득하는 화상의 해상도가 충분히 높지 않으면, 얼라인먼트 정밀도가 저하되어 성막 정밀도를 저하시킨다.Usually, the light source for alignment is provided in the outer upper surface of a vacuum container similarly to an alignment camera. In this case, the alignment camera receives the reflected light from the substrate and the mask, and acquires an image including the alignment mark. Since the difference in the amount of reflected light between the portion where the alignment mark is formed and the portion around it is small, the contrast is low. It is low, and there is a problem in that it is difficult to acquire a high-resolution image. If the resolution of the image acquired with an alignment camera is not high enough, alignment precision will fall and film-forming precision will fall.
얼라인먼트 마크를 고해상도로 촬상하기 위하여, 얼라인먼트용 광원을, 진공용기의 내부에 설치하는 방법이 고려되고 있다. 이에 의하면, 얼라인먼트 카메라는, 기판 및 마스크에 대하여 반대쪽에 설치된 얼라인먼트용 광원으로부터 조사되어 기판 및 마스크를 통과한 투과광을 이용하여 화상을 취득하므로, 상대적으로 고해상도의 화상 취득이 가능하다. 하지만, 투과광의 경로 상에 얼라인먼트 마크가 위치하지 않으면, 취득한 화상에는 얼라인먼트 마크가 찍히지 않으므로, 얼라인먼트 마크를 인식할 수 없는 문제가 있다.In order to image an alignment mark with high resolution, the method of providing the light source for alignment in the inside of a vacuum container is considered. According to this, since the alignment camera acquires an image using the transmitted light which is irradiated from the light source for alignment provided on the opposite side with respect to the board|substrate and the mask, and has passed through the board|substrate and mask, relatively high-resolution image acquisition is possible. However, if the alignment mark is not located on the path of the transmitted light, since the alignment mark is not reflected in the acquired image, there is a problem that the alignment mark cannot be recognized.
본 발명은, 얼라인먼트 정밀도를 향상시킬 수 있는 얼라인먼트 시스템, 성막장치, 얼라인먼트 방법, 성막방법, 전자디바이스 제조방법 및 컴퓨터 프로그램 기록매체를 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide an alignment system, a film forming apparatus, an alignment method, a film forming method, an electronic device manufacturing method, and a computer program recording medium capable of improving alignment accuracy.
본 발명의 제1 양태에 따른 얼라인먼트 시스템은, 기판 또는 마스크에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하는 제1 카메라와, 상기 얼라인먼트 마크를 촬영하며, 상기 제1 카메라와 다른 해상도를 가지는 제2 카메라와, 상기 얼라인먼트 마크에 광을 조사하는 반사광취득용 광원과, 상기 얼라인먼트 마크에 광을 조사하는 투과광취득용 광원과, 상기 반사광취득용 광원과 상기 투과광취득용 광원 중에서, 상기 얼라인먼트 마크에 광을 조사하는 광원을 선택하는 광원 선택부와, 상기 광원 선택부에 의하여 선택된 광원에 의해 광이 조사된 상기 얼라인먼트 마크를 상기 제1 카메라 또는 상기 제2 카메라로 촬상한 화상에 기초하여, 상기 기판과 상기 마스크의 상대위치를 조정하는 위치조정기구를 포함하고, 상기 광원 선택부는, 상기 제1 카메라로 상기 얼라인먼트 마크의 화상을 취득하는 경우와 상기 제2 카메라로 상기 얼라인먼트 마크의 화상을 취득하는 경우에, 다른 광원을 선택하는 것을 특징으로 한다. The alignment system according to the first aspect of the present invention includes a first camera for photographing an alignment mark formed on a substrate or a mask, a second camera for photographing the alignment mark and having a resolution different from that of the first camera, and the alignment A light source for irradiating light to the alignment mark is selected from a light source for obtaining reflected light that irradiates light to the mark, a light source for obtaining transmitted light that irradiates light to the alignment mark, and the light source for obtaining reflected light and light source for obtaining transmitted light based on an image captured by the first camera or the second camera of the alignment mark irradiated with light by the light source selected by the light source selector and the light source selector, the relative position of the substrate and the mask is determined and a positioning mechanism for adjusting, wherein the light source selection unit selects a different light source when acquiring an image of the alignment mark with the first camera and when acquiring an image of the alignment mark with the second camera characterized in that
본 발명의 제2 양태에 따른 성막장치는, 마스크를 통하여 기판에 증착재료를 성막하기 위한 성막장치로서, 본 발명의 제1 양태에 따른 얼라인먼트 시스템을 포함하는 것을 특징으로 한다. A film forming apparatus according to a second aspect of the present invention is a film forming apparatus for forming a deposition material on a substrate through a mask, and is characterized by including the alignment system according to the first aspect of the present invention.
본 발명의 제3 양태에 따른 얼라인먼트 방법은, 기판과 마스크의 상대위치를 조정하기 위한 얼라인먼트 방법으로서, 반사광취득용 광원과 투과광취득용 광원 중에서, 어느 하나의 광원에 의해 광이 조사된, 기판 또는 마스크에 형성된 얼라인먼트 마크를 제1 카메라로 촬상하여, 제1 화상을 취득하는, 제1 화상 취득 단계와, 상기 제1 화상에 기초하여, 상기 기판과 상기 마스크의 상대위치를 조정하는 제1 상대위치 조정 단계와, 상기 반사광취득용 광원과 상기 투과광취득용 광원 중에서, 다른 하나의 광원에 의해 광이 조사된 상기 얼라인먼트 마크를 상기 제1 카메라와 다른 해상도를 가지는 제2 카메라로 촬상하여, 제2 화상을 취득하는 제2 화상 취득 단계와, 상기 제2 화상에 기초하여, 상기 기판과 상기 마스크의 상대위치를 조정하는 제2 상대위치 조정 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.An alignment method according to a third aspect of the present invention is an alignment method for adjusting the relative position of a substrate and a mask, and among a light source for obtaining reflected light and a light source for obtaining transmitted light, light is irradiated by any one light source, a substrate or A first relative position of adjusting the relative position of the substrate and the mask based on a first image acquisition step, a first image acquisition step of acquiring a first image by imaging the alignment mark formed on the mask with a first camera, and the first image adjusting step, and capturing the alignment mark irradiated with light by another light source among the reflected light acquisition light source and the transmitted light acquisition light source with a second camera having a resolution different from that of the first camera to obtain a second image and a second relative position adjustment step of adjusting the relative positions of the substrate and the mask based on the second image.
본 발명의 제4 양태에 따른 컴퓨터 판독가능 기록매체는, 컴퓨터에 기판과 마스크의 상대위치를 조정하기 위한 얼라인먼트 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독가능 기록매체로서, 상기 얼라인먼트 방법은, 본 발명의 제3 양태에 따른 얼라인먼트 방법인 것을 특징으로 한다. A computer-readable recording medium according to a fourth aspect of the present invention is a computer-readable recording medium storing a program for causing a computer to execute an alignment method for adjusting the relative positions of a substrate and a mask, the alignment method comprising: It is characterized in that it is an alignment method according to the third aspect.
본 발명의 제5 양태에 따른 컴퓨터 프로그램은, 컴퓨터에 기판과 마스크의 상대위치를 조정하기 위한 얼라인먼트 방법을 실행시키기 위하여 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램으로서, 상기 얼라인먼트 방법은, 본 발명의 제3 양태에 따른 얼라인먼트 방법인 것을 특징으로 한다. A computer program according to a fifth aspect of the present invention is a computer program stored in a medium for executing an alignment method for adjusting a relative position of a substrate and a mask on a computer, the alignment method comprising: It is characterized in that it is an alignment method.
본 발명의 제6 양태에 따른 성막방법은, 마스크를 통하여 기판에 증착재료를 성막하기 위한 성막방법로서, 본 발명의 제3 양태에 따른 얼라인먼트 방법을 포함하는 것을 특징으로 한다. A film forming method according to a sixth aspect of the present invention is a film forming method for forming a vapor deposition material on a substrate through a mask, and is characterized by including the alignment method according to the third aspect of the present invention.
본 발명의 제7 양태에 따른 전자 디바이스의 제조방법은, 본 발명의 제6 양태에 따른 성막방법을 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 한다. A method for manufacturing an electronic device according to a seventh aspect of the present invention is characterized in that the electronic device is manufactured using the film forming method according to the sixth aspect of the present invention.
본 발명에 의하면, 얼라인먼트 정밀도를 향상시킬 수 있다. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, alignment precision can be improved.
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막장치의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 얼라인먼트 시스템의 모식도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 관통공의 형상을 보여주는 마스크의 일부의 단면모식도이다.
도 5a 및 5b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 얼라인먼트 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 6은 전자 디바이스를 나타내는 모식도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram of a part of the manufacturing apparatus of an electronic device.
2 is a schematic diagram of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
It is a schematic diagram of the alignment system which concerns on one Embodiment of this invention.
4A and 4B are schematic cross-sectional views of a part of a mask showing the shape of a through hole according to an embodiment of the present invention.
5A and 5B are flowcharts illustrating an alignment method according to an embodiment of the present invention.
It is a schematic diagram which shows an electronic device.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태 및 실시예를 설명한다. 다만, 이하의 실시형태 및 실시예는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것일 뿐이며, 본 발명의 범위는 이들 구성에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 흐름, 제조조건, 크기, 재질, 형상 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이것으로 한정하려는 취지인 것은 아니다. Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples are merely illustrative of preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these configurations. In addition, in the following description, the hardware configuration and software configuration of the device, processing flow, manufacturing conditions, size, material, shape, etc. are intended to limit the scope of the present invention to these unless specifically stated otherwise. no.
본 발명은, 기판의 표면에 각종 재료를 퇴적시켜 성막을 행하는 장치에 적용할 수 있으며, 진공 증착에 의해 소망하는 패턴의 박막(재료층)을 형성하는 장치에 바람직하게 적용할 수 있다. 기판의 재료로는 유리, 고분자재료의 필름, 금속, 실리콘 등의 임의의 재료를 선택할 수 있고, 예컨대, 기판은 유리기판상에 폴리이미드 등의 필름이 적층된 기판 또는 실리콘 웨이퍼이어도 된다. 또한 증착 재료로서도 유기 재료, 금속성 재료(금속, 금속 산화물 등) 등의 임의의 재료를 선택할 수 있다. 이하의 설명에서 설명하는 진공증착장치 이외에도, 스퍼터 장치나 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치를 포함하는 성막장치에도, 본 발명을 적용할 수 있다. 본 발명의 기술은, 구체적으로는, 유기 전자 디바이스(예를 들면, 유기 EL 소자, 박막 태양 전지), 광학 부재 등의 제조 장치에 적용 가능하다. 그 중에서도, 증착재료를 증발시켜 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써 유기 EL 소자를 형성하는 유기 EL 소자의 제조장치는, 본 발명의 바람직한 적용예의 하나이다.The present invention can be applied to an apparatus for forming a film by depositing various materials on the surface of a substrate, and can be preferably applied to an apparatus for forming a thin film (material layer) of a desired pattern by vacuum deposition. As the material of the substrate, any material such as glass, a polymer film, metal, or silicon can be selected. For example, the substrate may be a substrate in which a film such as polyimide is laminated on a glass substrate or a silicon wafer. Moreover, arbitrary materials, such as an organic material and a metallic material (metal, metal oxide, etc.), can be selected also as a vapor deposition material. In addition to the vacuum deposition apparatus described in the following description, the present invention can also be applied to a film forming apparatus including a sputtering apparatus or a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus. The technique of this invention is specifically applicable to manufacturing apparatuses, such as an organic electronic device (For example, organic electroluminescent element, a thin film solar cell), an optical member. Among them, an apparatus for manufacturing an organic EL element that forms an organic EL element by evaporating a vapor deposition material and depositing it on a substrate through a mask is one of preferred application examples of the present invention.
<전자 디바이스 제조 장치> <Electronic device manufacturing apparatus>
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 구성을 모식적으로 도시한 평면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows typically the structure of a part of the manufacturing apparatus of an electronic device.
도 1의 제조 장치는, 예를 들면, 유기 EL 표시장치의 표시 패널의 제조에 이용된다. VR HMD 용의 표시 패널의 경우, 소정의 크기의 실리콘 웨이퍼에 유기 EL 소자의 형성을 위한 성막을 행한 후, 소자 형성 영역 사이의 영역(스크라이브 영역)을 따라 해당 실리콘 웨이퍼를 잘라 내어 복수의 작은 사이즈의 패널로 제작한다. 스마트폰 용의 표시 패널의 경우에는, 4.5세대의 기판(약 700 ㎜ × 약 900 ㎜)이나 6세대의 풀사이즈(약 1500 ㎜ × 약 1850 ㎜) 또는 하프컷 사이즈(약 1500 ㎜ × 약 925 ㎜)의 기판에 유기 EL 소자의 형성을 위한 성막을 행한 후, 해당 기판을 잘라 내어 복수의 작은 사이즈의 패널로 제작한다.The manufacturing apparatus of FIG. 1 is used for manufacture of the display panel of an organic electroluminescent display apparatus, for example. In the case of a display panel for VR HMD, after forming a film for forming an organic EL element on a silicon wafer of a predetermined size, the silicon wafer is cut out along the region (scribe region) between the element formation regions to form a plurality of small-sized silicon wafers. made from a panel of In the case of display panels for smartphones, the 4.5th generation substrate (approximately 700 mm × approximately 900 mm), the 6th generation full size (approximately 1500 mm × approximately 1850 mm) or half-cut size (approximately 1500 mm × approximately 925 mm) ) is formed on the substrate for forming an organic EL element, and then the substrate is cut out to produce a plurality of small-sized panels.
전자 디바이스의 제조 장치는, 일반적으로 복수의 클러스터 장치(1)와, 클러스터 장치(1) 사이를 연결하는 중계장치를 포함한다.An electronic device manufacturing apparatus generally includes a plurality of
클러스터 장치(1)는, 기판(W)에 대한 처리(예컨대, 성막)를 행하는 복수의 성막장치(11)와, 사용전후의 마스크(M)를 수납하는 복수의 마스크 스톡 장치(12)와, 그 중앙에 배치되는 반송실(13)을 구비한다. 반송실(13)은 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 성막장치(11) 및 마스크 스톡 장치(12) 각각과 접속된다.The
반송실(13) 내에는, 기판 또는 마스크를 반송하는 반송 로봇(14)이 배치된다. 반송로봇(14)은, 상류측에 배치된 중계장치의 패스실(15)로부터 성막장치(11)에 기판(W)을 반송한다. 또한, 반송로봇(14)은 성막장치(11)와 마스크 스톡 장치(12)간에 마스크(M)를 반송한다. 반송 로봇(14)은, 예를 들면, 다관절 아암에, 기판(W) 또는 마스크(M)를 보유지지하는 로봇 핸드가 장착된 구조를 갖는 로봇일 수 있다. In the
성막장치(11)(증착 장치라고도 부름)에서는, 증발원에 수납된 증착재료가 히터에 의해 가열되어 증발하고, 마스크를 통해 기판상에 증착된다. 반송 로봇(14)과의 기판(W)/마스크(M)의 주고받음, 기판(W)과 마스크(M)의 상대 위치의 조정(얼라인먼트), 마스크(M) 상으로의 기판(W)의 고정, 성막(증착) 등의 일련의 성막 프로세스는, 성막 장치(11)에 의해 행해진다. In the film-forming apparatus 11 (also called a vapor deposition apparatus), the vapor deposition material accommodated in an evaporation source is heated by a heater, and evaporates, and is vapor-deposited on the board|substrate through a mask. The transfer of the substrate W/mask M with the transfer robot 14, adjustment (alignment) of the relative position of the substrate W and the mask M, and of the substrate W on the mask M A series of film-forming processes such as fixing and film-forming (evaporation) are performed by the film-forming
마스크 스톡 장치(12)에는 성막장치(11)에서의 성막 공정에 사용될 새로운 마스크 및 사용이 끝난 마스크가 두 개의 카세트에 나뉘어져 수납된다. 반송 로봇(14)은, 사용이 끝난 마스크를 성막장치(11)로부터 마스크 스톡 장치(12)의 카세트로 반송하며, 마스크 스톡 장치(12)의 다른 카세트에 수납된 새로운 마스크를 성막장치(11)로 반송한다.In the
클러스터 장치(1)에는 기판(W)의 흐름방향으로 상류측으로부터의 기판(W)을 해당 클러스터 장치(1)로 전달하는 패스실(15)과, 해당 클러스터 장치(1)에서 성막처리가 완료된 기판(W)을 하류측의 다른 클러스터 장치로 전달하기 위한 버퍼실(16)이 연결된다. 반송실(13)의 반송 로봇(14)은 상류측의 패스실(15)로부터 기판(W)을 받아서, 해당 클러스터 장치(1)내의 성막장치(11)중 하나(예컨대, 성막장치(11a))로 반송한다. 또한, 반송 로봇(14)은 해당 클러스터 장치(1)에서의 성막처리가 완료된 기판(W)을 복수의 성막장치(11) 중 하나(예컨대, 성막장치(11b))로부터 받아서, 하류측에 연결된 버퍼실(16)로 반송한다.The
버퍼실(16)과 패스실(15) 사이에는 기판의 방향을 바꾸어 주는 선회실(17)이 설치되어도 된다. 선회실(17)에는 버퍼실(16)로부터 기판(W)을 받아 기판(W)을 180도 회전시켜 패스실(15)로 반송하기 위한 반송 로봇(18)이 설치된다. 이를 통해, 상류측 클러스터 장치와 하류측 클러스터 장치에서 기판(W)의 방향이 동일하게 되어 기판 처리가 용이해진다. Between the
패스실(15), 버퍼실(16), 선회실(17)은 클러스터 장치 사이를 연결하는 소위 중계장치로서, 클러스터 장치의 상류측 및/또는 하류측에 설치된 중계장치는, 패스실, 버퍼실, 선회실 중 적어도 하나를 포함한다.The
성막장치(11), 마스크 스톡 장치(12), 반송실(13), 버퍼실(16), 선회실(17) 등은 유기발광 소자의 제조과정에서, 고진공상태로 유지된다. 패스실(15)은, 통상 저진공상태로 유지되나, 필요에 따라 고진공상태로 유지될 수도 있다.The
본 실시예에서는, 도 1을 참조하여, 전자 디바이스 제조 장치의 구성에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 종류의 장치나 챔버를 가질 수도 있으며, 이들 장치나 챔버간의 배치가 달라질 수도 있다. 예컨대, 본 발명은, 기판(W)과 마스크(M)를 성막장치(11)에서가 아니라, 별도의 장치 또는 챔버에서 얼라인 및 합착시킨 후 이를 캐리어에 태우고, 일렬로 나열된 성막장치를 통해 반송시키면서 성막공정을 행하는 인라인 타입의 제조장치에도 적용될 수 있다.In the present embodiment, the configuration of the electronic device manufacturing apparatus has been described with reference to FIG. 1 , but the present invention is not limited thereto, and other types of apparatuses or chambers may be provided, and arrangements between these apparatuses or chambers may vary. have. For example, in the present invention, after aligning and bonding the substrate W and the mask M not in the
이하, 성막장치(11)의 구체적인 구성에 대하여 설명한다.Hereinafter, the specific structure of the film-forming
<성막 장치><Film forming device>
도 2는 성막장치(11)의 구성을 나타낸 모식도이다. 이하의 설명에 있어서는, 기판(W)의 성막면에 평행한 면(XY 평면)에서 서로 수직으로 교차하는 방향을 X 방향(제1 방향), Y 방향(제2 방향)으로 하고, 기판(W)의 성막면에 수직인 연직 방향을 Z 방향(제3 방향)으로 하는 XYZ 직교 좌표계를 사용한다. 또한, Z 축 주위의 회전각(회전방향)을 θ로 표시한다.2 is a schematic diagram showing the configuration of the
성막장치(11)는, 진공 분위기 또는 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지되는 진공 용기(21)와, 진공 용기(21)내에 설치되는 기판 지지 유닛(22)과, 마스크 지지 유닛(23)과, 정전척(24)과, 증발원(25)을 포함한다.The
기판 지지 유닛(22)은, 반송실(13)에 설치된 반송 로봇(14)이 반송하여 온 기판(W)을 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 기판 홀더라고도 부른다.The
마스크 지지 유닛(23)은, 반송실(13)에 설치된 반송로봇(14)이 반송하여 온 마스크(M)를 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 마스크 홀더라고도 부른다.The
마스크 지지 유닛(23)에 의해 지지되는 마스크(M)는, 마스크박 및 마스크 프레임을 포함한다. 마스크박에는 기판(W) 상에 형성될 박막 패턴에 대응하는 개구 패턴이 형성되어 있으며, 개구 패턴이 형성되어 있지 않은 외주부에는 소정 형상의 얼라인먼트 마크가 형성되어 있다. 그리고 마스크 프레임은, 마스크박의 외주부가 고정 설치되는 부재이다. 마스크박의 소재는, 실리콘이나 유리 등 가시광이나 근적외광에 대해 투과성을 가지는 것이 좋다. 반면, 마스크 프레임의 재질에는 특별한 제한이 없으며, 광이 투과하지 않는 소재로 형성되어도 된다.The mask M supported by the
기판 지지 유닛(22)의 상방에는 기판(W)을 흡착하여 고정하기 위한 기판흡착수단으로서의 정전척(24)이 설치된다. An
정전척(24)은, 전극과 흡착면 사이에 상대적으로 고저항의 유전체가 개재되어 전극과 피흡착체간의 쿨롱력에 의해 흡착이 이루어지는 쿨롱력 타입의 정전척이어도 되고, 전극과 흡착면 사이에 상대적으로 저항이 낮은 유전체가 개재되어 유전체의 흡착면과 피흡착체간에 발생하는 존슨 라벡력에 의해 흡착이 이루어지는 존슨-라벡력 타입의 정전척이어도 되며, 불균일 전계에 의해 피흡착체를 흡착하는 그래디언트력 타입의 정전척이어도 된다. The
피흡착체가 도체나 반도체(실리콘 웨이퍼)인 경우에는 쿨롱력 타입의 정전척 또는 존슨-라벡력 타입의 정전척을 사용하는 것이 바람직하며, 피흡착체가 유리와 같은 절연체인 경우에는 그래디언트력 타입의 정전척을 사용하는 것이 바람직하다. When the adsorbed body is a conductor or a semiconductor (silicon wafer), it is preferable to use a Coulomb force type electrostatic chuck or a Johnson-Rabeck force type electrostatic chuck, and when the adsorbent is an insulator such as glass, a gradient force type electrostatic chuck It is preferable to use a chuck.
정전척(24)은 하나의 플레이트로 형성되어도 되고, 흡착력을 독립적으로 제어할 수 있는 복수의 서브플레이트를 가지도록 형성되어도 된다. 또한, 하나의 플레이트로 형성되는 경우에도 그 내부에 복수의 전극부를 포함하여, 하나의 플레이트내에서 전극부별로 흡착력을 독립적으로 제어할 수 있도록 하여도 된다.The
기판흡착수단로서 정전 인력에 의한 정전척 이외에 점착력에 의한 점착식의 척을 사용하여도 된다.As the substrate adsorption means, in addition to the electrostatic chuck by electrostatic attraction, an adhesive chuck by adhesive force may be used.
성막장치(11)의 일 실시형태에서는, 정전척(24)의 흡착면과는 반대측에 기판(W)의 온도 상승을 억제하는 냉각판(30)을 설치함으로써, 기판(W)상에 퇴적된 유기재료의 변질이나 열화를 억제하는 구성으로 하여도 된다. In one embodiment of the
증발원(25)은 기판에 성막될 증착 재료가 수납되는 도가니(미도시), 도가니를 가열하기 위한 히터(미도시), 증발원으로부터의 증발 레이트가 일정해질 때까지 증착재료가 기판으로 비산하는 것을 막는 셔터(미도시) 등을 포함한다. 증발원(25)은 점(point) 증발원, 선형(linear) 증발원, 면증발원 등, 용도에 따라 다양한 구성을 가질 수 있다. The
도 2에 도시하지 않았으나, 성막장치(11)는 기판에 증착된 막두께를 측정하기 위한 막두께 모니터(미도시) 및 막두께 산출 유닛(미도시)를 포함한다. Although not shown in FIG. 2, the
진공 용기(21)의 상부 외측(대기측)에는 기판 지지 유닛 액츄에이터(26), 마스크 지지 유닛 액츄에이터(27), 정전척 액츄에이터(28), 위치조정기구(29) 등이 설치된다. 이들 액츄에이터와 위치조정기구는, 예컨대, 모터와 볼나사, 또는 모터와 리니어가이드 등으로 구성된다. 기판 지지 유닛 액츄에이터(26)는, 기판 지지 유닛(22)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 마스크 지지 유닛 액츄에이터(27)는, 마스크 지지 유닛(23)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 정전척 액츄에이터(28)는, 정전척(24)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. A substrate
위치조정기구(29)는, 기판(W)과 마스크(M)의 상대 위치를 조정하기 위한 수단으로서, 얼라인먼트 스테이지 기구이다. 예컨대, 도 2에 도시한 실시형태에서는, 위치조정기구(29)는, 정전척(24) 또는 정전척 액츄에이터(28) 전체를 기판 지지 유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)에 대하여, XYθ방향(X방향, Y방향, 회전방향 중 적어도 하나의 방향)으로 이동 및/또는 회전시킨다. 본 실시형태에서는, 기판(W)을 흡착한 상태에서, 정전척(24)을 XYθ방향으로 위치조정함으로써, 기판(W)과 마스크(M)의 상대 위치를 조정하는 얼라인먼트를 행한다. 다만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않으며, 예컨대, 위치조정기구(29)는, 정전척(24) 또는 정전척 액츄에이터(28)가 아니라, 기판 지지 유닛(22) 또는 기판 지지 유닛 액츄에이터(26) 및 마스크 지지 유닛(23) 또는 마스크 지지 유닛 액츄에이터(27)를 정전척(24)에 대해 XYθ방향 상대적으로 이동시킬 수 있는 구성을 가져도 된다.The
진공용기(21)의 외측상면에는, 전술한 구동기구 및 위치조정기구 이외에, 진공 용기(21)의 상면에 설치된 투명창(21a, 도 3 참조)을 통해 기판(W) 및 마스크(M)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하기 위한 얼라인먼트용 카메라(31)가 설치된다. 얼라인먼트용 카메라(31)는, 기판(W) 및 마스크(M)에 형성된 얼라인먼트 마크에 대응하는 위치에 설치된다. 예컨대, 원형의 기판(W)에서 직사각형을 이루는 네 코너 중 적어도 대각상의 두 코너 또는 네 코너 모두에 얼라인먼트용 카메라(31)를 설치하여도 된다. On the outer upper surface of the
성막장치(11)의 일 실시형태에 의하면, 성막장치(11)에 설치되는 얼라인먼트용 카메라(31)는, 기판(W)과 마스크(M)의 상대적 위치를 고정밀도로 조정하는데 사용되는 파인 얼라인먼트용 카메라이며, 그 시야각은 좁지만 고해상도(렌즈 배율이 높은 광학계를 가진다)를 가지는 카메라이다. 성막장치(11)는 파인 얼라인먼트용 카메라(31) 이외에 상대적으로 시야각이 넓고 저해상도(렌즈 배율이 낮은 광학계를 가진다)인 러프 얼라인먼트용 카메라를 포함하여도 된다. 얼라인먼트용 카메라(31)가 파인 얼라인먼트용 카메라와 러프 얼라인먼트용 카메라를 모두 포함하는 구성에서 있어서, 예컨대, 러프 얼라인먼트용 카메라는 2개의 카메라가, 직사각형의 대각상의 2개의 코너부에 설치되고, 파인 얼라인먼트용 카메라는 나머지 2개의 코너부에 설치된다.According to one embodiment of the
본 발명의 실시형태에 의하면, 도 2에 도시하지는 않았으나, 성막장치(11)는, 얼라인먼트용 카메라(31)에 의해 얼라인먼트 마크를 촬영하는 동안, 얼라인먼트 마크에 광을 조사하는 광원부(102a, 102b, 도 3 참조)을 더 포함한다. 이것은 성막공정이 진행되는 과정에서 밀폐되는 진공 용기(21)의 내부가 어두우므로, 광원으로 얼라인먼트 마크를 조명함으로써, 보다 선명한 화상을 취득하기 위한 것이다. According to the embodiment of the present invention, although not shown in Fig. 2, the
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 광원부는, 진공 용기(21)의 외부 상측에 설치되어서 상방으로부터 얼라인먼트 마크에 광을 조사하는 반사광취득용 광원(102a)과, 하방으로부터 얼라인먼트 마크에 광을 조사하도록 진공 용기(21)의 내부에 설치되는 투과광취득용 광원(102b)을 포함한다. 이 경우에, 얼라인먼트용 카메라(31)는, 반사광취득용 광원(102a)에 의해 광이 조사된 얼라인먼트 마크로부터의 반사광을 받거나 또는 투과광취득용 광원(102b)에 의해 광이 조사된 얼라인먼트 마크의 투과광을 받아서, 얼라인마크가 포함된 화상을 취득한다. 반사광취득용 광원(102a) 또는 투과광취득용 광원(102b)으로 선택적으로 광을 조사하면서, 얼라인먼트용 카메라(31)로 얼라인먼트 마크를 촬상하는 구체적인 과정에 대해서는 뒤에서 상세히 설명한다. According to one embodiment of the present invention, the light source unit is provided on the outer upper side of the
성막장치(11)는 제어부(33)를 구비한다. 제어부는 기판(W)/마스크(M)의 반송 및 얼라인먼트, 증발원(25)의 제어, 성막의 제어 등의 기능을 갖는다. 특히, 본 실시형태에 따른 제어부(33)는, 얼라인먼트 공정시에, 얼라인먼트 마크를 포함한 화상을 취득할 때, 얼라인먼트 마크에 광을 조사하는 광원의 선택 등과 같은 기능을 수행하여도 좋은데, 이에 대해서는 뒤에서 상세히 설명한다.The
제어부(33)는 예를 들면, 프로세서, 메모리, 스토리지, I/O 등을 갖는 컴퓨터에 의해 구성 가능하다. 이 경우, 제어부(33)의 기능은 메모리 또는 스토리지에 기억된 프로그램을 프로세서가 실행함으로써 실현된다. 컴퓨터로서는 범용의 퍼스널 컴퓨터를 사용하여도 되고, 임베디드형의 컴퓨터 또는 PLC(programmable logic controller)를 사용하여도 좋다. 또는, 제어부(33)의 기능의 일부 또는 전부를 ASIC나 FPGA와 같은 회로로 구성하여도 좋다. 또한, 성막 장치별로 제어부(33)가 설치되어도 되고, 하나의 제어부(33)가 복수의 성막 장치를 제어하는 것으로 구성하여도 된다.The
<얼라인먼트 시스템><Alignment system>
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 얼라인먼트 시스템의 구성을 보여주는 모식도이다. 3 is a schematic diagram showing the configuration of an alignment system according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 실시형태의 얼라인먼트 시스템(100)은, 제1 카메라와 제2 카메라를 포함하는 카메라부(101)와, 반사광취득용 광원(102a)와 투과광취득용 광원(102b)을 포함하는 광원부(102a, 102b)와, 위치조정기구(103)를 포함한다. 그리고, 얼라인먼트 시스템(100)은, 반사광취득용 광원(102a)와 투과광취득용 광원(102b) 중에서, 얼라인먼트 마크에 광을 조사하는 광원을 선택하기 위한 광원 선택부(104)를 더 포함한다. Referring to FIG. 3 , the
얼라인먼트 시스템(100)은, 성막장치(11)로 반입되는 기판(W)에, 성막재료를 증착하는 성막공정을 수행하기 이전에, 기판(W)과 마스크(M)의 상대적인 위치 조정을 행하기 위한 장치이다. 기판(W)과 마스크(M)의 상대위치의 조정은, 제1 카메라(러프얼라인먼트용 카메라)로 촬영된 얼라인먼트 마크의 화상에 기초하여, 기판(W)과 마스크(M) 상대 위치를 개략적으로 조정하는 러프 얼라인먼트(제1 얼라인먼트) 공정과, 제2 카메라(파인얼라인먼트용 카메라)로 촬영된 얼라인먼트 마크의 화상에 기초하여, 기판(W)과 마스크(M)의 상대위치를 고정밀도로 조정하는 파인 얼라인먼트(제2 얼라인먼트) 공정을 포함한다. The
본 실시형태의 얼라인먼트 시스템(100)은, 러프 얼라인먼트(제1 얼라인먼트) 공정과 파인 얼라인먼트(제2 얼라인먼트) 공정 각각에서 화상을 취득함에 있어서, 얼라인먼트 마크가 형성된 위치 및 해당 공정에서 요구되는 화상의 특성을 고려하여, 다른 광원을 이용한다. 즉, 반사광취득용 광원(102a)과 투과광취득용 광원(102b) 중에서, 러프 얼라인먼트 공정 시에 이용하는 광원과, 파인 얼라인먼트 공정 시에 이용하는 광원이, 다르다.The
기판(W)과 마스크(M)의 얼라인먼트 공정을 위해 취득하는 화상은, 기판(W)과 마스크(M)의 얼라인먼트 마크 모두가 화상내에 비쳐야 하며, 얼라인먼트의 정밀도를 높이기 위하여, 얼라인먼트 마크의 콘트라스트가 클수록 좋다. 그런데, 광원으로부터의 광(가시광 또는 근적외광)을 투과하는 기판(W)와 마스크(M)(보다 정확하게는 마스크 박(Ma, 도 4a 또는 도 4b 참조))에 얼라인먼트 마크가 형성되어 있어도, 얼라인먼트 마크로부터의 반사광량과 얼라인먼트 마크가 형성되지 않은 기판(W) 부분으로부터의 반사광량의 차가 작기 때문에, 콘트라스트가 낮고, 높은 콘트라스트의 화상을 취득하기가 어려운 문제가 있다.In the image acquired for the alignment process of the substrate W and the mask M, both the alignment marks of the substrate W and the mask M must be reflected in the image, and in order to increase the accuracy of alignment, the contrast of the alignment marks The bigger the better. By the way, even if alignment marks are formed on the substrate W and the mask M (more precisely, the mask foil Ma (refer to FIG. 4A or FIG. 4B)) which transmit the light (visible light or near-infrared light) from the light source, the alignment Since the difference between the amount of reflected light from the mark and the amount of reflected light from the portion of the substrate W where the alignment mark is not formed is small, there is a problem in that it is difficult to obtain an image of low contrast and high contrast.
보다 높은 콘트라스트의 화상을 취득하는 한 가지 방법으로, 얼라인먼트 마크의 투과광을 이용하는 방법이 있다. 기판(W)이나 마스크(M)가 광원으로부터의 광(가시광 또는 근적외광)에 대하여 투과성을 가지는 경우에, 투과광은 얼라인먼트 마크가 없는 영역은 밝고, 얼라인먼트 마크가 있는 영역은 어둡게 되며, 명암이 확실하여 콘트라스트가 높은 화상이 얻어지며, 보다 고해상도의 화상을 취득할 수 있다. 다만, 투과광을 이용하여 화상을 취득하기 위해서는, 투과광취득용 광원(102b)으로부터 카메라부(101)에 이르는 광의 경로(광로)가 확보되어야 하며, 또한 광로 상에 기판(W)과 마스크(M)의 얼라인먼트 마크가 위치하고 있어야 한다.As one method of acquiring a higher contrast image, there is a method of using transmitted light of an alignment mark. When the substrate W or the mask M has transmittance to the light (visible light or near-infrared light) from the light source, the transmitted light becomes bright in the area without the alignment mark and dark in the area with the alignment mark, and the contrast is reliable Thus, an image with high contrast can be obtained, and an image with a higher resolution can be obtained. However, in order to acquire an image using transmitted light, a light path (optical path) from the transmitted light acquisition
그런데, 마스크(M)의 얼라인먼트 마크는, 마스크 프레임에 고정되는, 마스크박의 외주부에 형성되어 있다. 따라서 본 실시형태에서는, 투과광취득용 광원(102b)으로부터의 광이 통과할 수 있는 관통공(H)을 마스크 프레임에 형성한다. 관통공(H)의 위치는, 마스크박(Ma)의 외주부에서, 마스크(M)의 얼라인먼트 마크가 형성되는 위치에 대응하는 위치인 것이 바람직하다.By the way, the alignment mark of the mask M is formed in the outer peripheral part of mask foil fixed to the mask frame. Therefore, in this embodiment, the through hole H through which the light from the
도 4a 및 도 4b는 각각, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 마스크 프레임(Mb)에 형성되는 관통공(H)의 위치 및 형상을 모식적으로 보여 주는 단면도이다. 4A and 4B are cross-sectional views schematically showing the position and shape of the through hole H formed in the mask frame Mb, respectively, according to an embodiment of the present invention.
도 4a를 참조하면, 마스크박(Ma)의 외주부가 마스크 프레임(Mb)의 상면에 고정되어 있다. 그리고 관통공(H)은, 마스크박(Ma)의 법선방향에 대하여 경사지게 형성되어 있다. 이에 의하면, 투과광취득용 광원(102b)에 의하여 관통공(H)을 따라서 경사지게 조사된 광은, 얼라인먼트 마크가 형성되어 있는 마스크박(Ma)의 외주부를 비출 수 있다. 그리고, 성막 공정 중에 증발원(25)으로부터 기판(W)이나 마스크(M)쪽으로 비산하는 증착재료가, 관통공(H)의 내부에 증착되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 기판(W)이나 마스크(M) 측으로 향하는 증착재료의 비산 경로의 바깥쪽에 투과광취득용 광원(102b)이 배치될 수 있으므로, 증착재료가 불필요하게 투과광취득용 광원(102b)에 증착되는 것을 저감할 수 있다. Referring to FIG. 4A , the outer periphery of the mask foil Ma is fixed to the upper surface of the mask frame Mb. And the through hole H is formed inclined with respect to the normal line direction of the mask foil Ma. According to this, the light irradiated obliquely along the through hole H by the
도 4b를 참조하면, 마스크박(Ma)의 외주부가 마스크 프레임(Mb)의 상면에 고정되어 있다. 그리고 관통공(H)은, 마스크박(Ma)의 법선방향에 평행하게 형성되어 있다. 이에 의하면, 투과광취득용 광원(102b)에 의하여 관통공(H)을 따라서 수직 방향으로 조사된 광은, 얼라인먼트 마크가 형성되어 있는 마스크박(Ma)의 외주부를 비출 수 있다. 그리고 도 4a에 도시된 실시 형태에 비하여, 얼라인먼트 마크의 그림자가 생기기 힘드므로, 보다 높은 콘트라스트의 화상을 취득할 수 있다.Referring to Figure 4b, the outer periphery of the mask foil (Ma) is fixed to the upper surface of the mask frame (Mb). And the through hole H is formed in parallel to the normal line direction of the mask foil Ma. According to this, the light irradiated in the perpendicular direction along the through hole H by the
그런데, 보다 높은 콘트라스트를 갖는 화상을 취득하기 위하여 투과광취득용 광원(102b)으로부터의 투과광을 이용하는 구성에서는, 기판(W)의 얼라인먼트 마크를 인식하지 못할 가능성이 있다. 즉, 도 4a 또는 도 4b에 도시된 바와 같이, 마스크 프레임(Mb)에 형성된 관통공(H)이 투과광의 광 경로가 되는데, 만일 관통공(H)의 영역 내에 기판(W)의 얼라인먼트 마크가 위치하지 않은 경우에는, 카메라부(101)로 취득한 화상에는 기판(W)의 얼라인먼트 마크가 찍히지 않아서, 얼라인먼트 마크를 정확하게 인식하지 못할 수가 있다.However, in a configuration in which the transmitted light from the transmitted light acquisition
따라서 본 발명의 실시형태에 의하면, 제1 카메라에 의해 러프 얼라인먼트를 위한 화상을 취득할 때에는, 반사광취득용 광원(102a)으로 얼라인먼트 마크를 비춰, 얼라인먼트 마크로부터의 반사광을 이용하여 얼라인먼트 마크의 화상을 취득한다. Therefore, according to the embodiment of the present invention, when acquiring an image for rough alignment with the first camera, the alignment mark is irradiated with the light source for reflected
이에 의하면, 비록 기판(W)의 얼라인먼트 마크가 관통공(H)의 영역 내에 위치하지 않는 경우에도, 마스크(M)의 얼라인먼트 마크는 물론 기판(W)의 얼라인먼트 마크도 포함된 화상을 취득할 수 있다. According to this, even if the alignment mark of the substrate W is not located in the region of the through hole H, an image including the alignment mark of the mask M as well as the alignment mark of the substrate W can be acquired. have.
반면, 제2 카메라에 의해 파인 얼라인먼트를 위한 화상을 취득할 때에는, 투과광취득용 광원(102b)으로 관통공(H)을 통하여 얼라인먼트 마크를 비추며, 얼라인먼트 마크로부터의 투과광을 이용하여 얼라인먼트 마크의 화상을 취득한다. 이에 의하면, 상대적으로 콘트라스트가 높은 화상을 취득할 수 있으므로, 얼라인먼트의 정밀도를 향상시킬 수 있다.On the other hand, when an image for fine alignment is acquired by the second camera, the alignment mark is illuminated through the through hole H with the light source for transmitted
얼라인먼트 시스템(100)의 카메라부(101)는, 기판(W) 및/또는 마스크(M)의 얼라인먼트 마크를 촬영하여, 이를 포함하는 화상을 취득하기 위한 것으로, 러프얼라인먼트용 카메라인 제1 카메라와, 파인얼라인먼트용 카메라인 제2 카메라를 포함한다. 카메라부(101)는, 진공용기(21)의 벽에 설치되어 있는 투명창(21a)을 통해 얼라인먼트 마크를 포함하는 화상을 촬영한다. 예를 들어, 카메라부(101)는, 진공용기(21)의 외벽에 설치된 소정의 마운트 부재에 의해, 투명창(21a)을 향하도록 설치된다.The
카메라부(101)는, 기판(W) 또는 마스크(M)의 얼라인먼트 마크에 대하여, 이동가능하도록 설치되어도 좋다. 예컨대, 카메라부(101)는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 진공용기(21)의 상측외벽에 설치된, 카메라 위치 이동수단(105)을 가지는 마운트 부재에 의해, 수직(Z) 방향으로 이동가능하게 설치되어도 된다. 카메라 위치 이동수단(105)은, 서보 모터 등으로 구성되며, 카메라부(101)를 수직(Z) 방향으로 이동시키기 위한 수단이다. 카메라부(101)는, 수직(Z)방향 뿐만 아니라, 수평(XYθ) 방향으로도 이동가능하게 설치되어도 된다.The
카메라부(101)가 이동가능하게 설치되면, 얼라인먼트를 위하여 서로 근접된 마스크(M) 및/또는 기판(W)의 위치가, 기판(W)마다 성막장치(11) 내에서 차이가 있는 경우에도, 기판(W)마다 카메라부(101)의 위치를 조정함으로써 얼라인먼트 마크를 보다 선명하게 촬영할 수 있다. 따라서 얼라인먼트 정밀도를 높일 수 있다.When the
광원부(102a, 102b)는, 카메라부(101)로 얼라인먼트 마크를 촬영하여 화상을 취득할 때, 얼라인먼트 마크를 비추는 기능을 수행한다. 광원부(102a, 102b)는, 미도시된 제어 수단의 제어에 따라 설정된 소정의 출력으로, 얼라인먼트 마크에 광을 조사하는, 출력 조정이 가능한 조명수단이어도 되나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 광원부(102a, 102b)은, 파장 350nm~3000nm의 가시광 및 근적외광을 포함하는 광을 방사하는 할로겐 램프 또는 파장 350nm~3000nm의 범위로부터 선택된 소정범위의 파장의 광을 방사하는 LED 광원일 수 있다(바람직하게는, 1000nm~1200nm).The
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 광원부(102a, 102b)는 반사광취득용 광원(102a)과 투과광취득용 광원(102b)을 구비한다. 반사광취득용 광원(102a)에 의하여 광이 조사된 얼라인먼트 마크로부터의 반사광이 카메라부(101), 특히, 제1 카메라에 입사하여, 얼라인먼트 마크의 화상이 취득된다. 반면, 투과광취득용 광원(102b)에 의하여 광이 조사된 얼라인먼트 마크의 투과광이, 카메라부(101), 특히, 제2 카메라로 입사하여, 얼라인먼트 마크의 화상이 취득된다. According to an embodiment of the present invention, the
본 실시형태의 일 측면에 의하면, 반사광취득용 광원(102a)은, 마스크(M)를 보유지지하는 마스크 지지 유닛(23)에 대하여, 카메라부(101)와 같은 방향(도 3의 경우에는 상측 방향)에 설치된다. 예를 들어, 반사광취득용 광원(102a)은, 진공용기(21)의 상측 외부에 설치될 수 있다. 반면, 투과광취득용 광원(102b)은, 마스크 지지 유닛(23)에 대하여, 카메라부(101)와는 반대쪽 방향(도 3의 경우에는 하측 방향)에 설치되어도 된다. 예를 들어, 투과광취득용 광원(102b)은, 진공용기(21)의 내부로서, 마스크 지지 유닛(23)의 아래쪽에 설치될 수 있다. According to one aspect of the present embodiment, the
광원 선택부(104)는, 얼라인먼트 공정을 위한 화상의 취득시에, 얼라인먼트 마크에 광을 조사하는 광원을 선택하는 기능을 수행한다. 이러한 광원 선택부(104)는, 얼라인먼트 동작시에 광원을 선택하는 독립적인 기능 유닛으로 구현되어도 되고, 또한 성막장치(11)의 제어부(33)의 일 기능 유닛으로 구현되어도 된다.The light
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시형태에서는, 러프 얼라인먼트(제1 얼라인먼트) 공정시에는, 반사광취득용 광원(102a)으로 얼라인먼트 마크를 비추면서, 제1 카메라로 촬상하여 화상을 취득하지만, 파인 얼라인먼트(제2 얼라인먼트) 공정시에는, 투과광취득용 광원(102b)으로 얼라인먼트 마크를 비추면서, 제2 카메라로 촬상하여 화상을 취득한다. 이를 위하여, 광원 선택부(104)는, 러프 얼라인먼트 공정시에는 반사광취득용 광원(102a)을 선택하며, 러프 얼라인먼트 후에 수행되는 파인 얼라인먼트 공정시에는, 얼라인먼트 마크를 비추는 광원을 투과광취득용 광원(102b)으로 전환한다.As described above, in the embodiment of the present invention, in the rough alignment (first alignment) step, an image is acquired by imaging with the first camera while illuminating the alignment mark with the reflected light
도 3을 참조하면, 위치조정기구(103)는, 기판(W)과 마스크(M)의 상대 위치를 조정하기 위한, 얼라인먼트 스테이지 기구로서, 도 2의 성막장치(11)의 위치조정기구(29)에 대응한다. 보다 구체적으로, 위치조정기구(103)는, 카메라부(101)로 취득한 화상을 이용하여, 기판(W)과 마스크(M)의 X방향, Y방향 및 Z축을 중심으로 한 회전방향(θ 방향)에 있어서의 상대위치 어긋남량을 산출한 다음, 이에 기초하여 기판(W)과 마스크(M)를 상대적으로 이동시켜서, 기판(W)과 마스크(M)의 상대 위치를 조정한다. 특히, 본 실시형태에 따른 위치조정기구(103)는, 러프 얼라인먼트 공정시에는, 반사광취득용 광원(102a)으로 얼라인먼트 마크에 광을 조사하면서 제1 카메라로 취득한 화상을 이용하지만, 파인 얼라인먼트 공정시에는, 투과광취득용 광원(102b)으로 얼라인먼트 마크에 광을 조사하면서 제2 카메라로 취득한 화상을 이용한다.Referring to FIG. 3 , the
<얼라인먼트 방법><Alignment method>
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 얼라인먼트 방법을 도시한 흐름도이다. 이하 도 5를 참조하여, 기판(W)과 마스크(M)의 상대위치를 조정(얼라인먼트)하는 방법에 대하여 설명한다.5 is a flowchart illustrating an alignment method according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, with reference to FIG. 5, the method of adjusting (aligning) the relative position of the board|substrate W and the mask M is demonstrated.
우선, 기판(W)이 성막장치(11) 내로 반입되어 기판 지지 유닛(22)에 의해 지지된다. 이 때, 마스크(M)는, 이전의 기판(W)에 대한 성막 공정에 사용되었든 것이 마스크 지지 유닛(23)에 의해 지지되고 있거나 또는 기판(W)의 반입에 앞서 성막장치(11) 내로 반입되어 마스크 지지 유닛(23)에 의해 지지된다. First, the substrate W is loaded into the
이어서, 정전척(24)을 기판 지지 유닛(22)에 지지되어 있는 기판(W)을 향해 접근시킨 후(예컨대, 정전척(24)을 기판(W)을 향해 하강시킨 후), 정전척(24)에 소정의 전압을 인가하여, 정전인력에 의해 기판(W)을 정전척(24)에 흡착시킨다. 그리고 정전척 액츄에이터(28) 및/또는 마스크 지지 유닛 액츄에이터(27)를 구동하여, 정전척(24)과 마스크 지지 유닛(23)을 상대적으로 접근시켜 기판(W)과 마스크(M)의 상대위치가 소정의 계측위치가 되도록 한다(S1).Next, after the
그리고, 반사광을 이용하여, 제1 카메라로 얼라인먼트 마크가 포함된 화상을 취득한다(S2). 일례로, 반사광취득용 광원(102a)으로 얼라인먼트 마크에 광을 조사한 상태에서, 제1 카메라로 얼라인먼트 마크를 촬상하여, 화상을 취득할 수 있다. 본 단계에서는, 반사광을 이용하여 화상을 취득하므로, 기판(W)과 마스크(M)의 상대위치가 크게 어긋나 있어도, 기판(W)과 마스크(M)의 얼라인먼트 마크가 화상에 나타난다. 또한, 기판(W)의 얼라인먼트 마크만을 사용하여 기판(W)과 정전척을 위치 맞춤하여, 러프 얼라인먼트를 행하여도 된다.Then, using the reflected light, an image including the alignment mark is acquired by the first camera (S2). For example, in a state in which light is irradiated to the alignment mark with the
그리고 단계 S2에서 취득한 화상에 기초하여, 기판(W)과 마스크(M)의 위치를 1차적으로 조정하는 러프 얼라인먼트를 수행한다(S3). 러프 얼라인먼트 시에는, 기판(W)과 마스크(M)의 얼라인먼트 마크가 모두, 파인 얼라인먼트용 카메라의 시야각 범위 내에 들어오도록, 기판(W)과 마스크(M) 각각의 위치를 대략적으로 조정한다. 그리고 본 실시형태에 의하면, 러프 얼라인먼트 공정에 의해, 기판(W)의 얼라인먼트 마크가 마스크(M)의 마스크 프레임(Mb)에 형성되어 있는 관통공(H)의 영역 내에 놓이도록 할 수 있다.And based on the image acquired in step S2, rough alignment which primarily adjusts the position of the board|substrate W and the mask M is performed (S3). In the case of rough alignment, the position of each of the board|substrate W and the mask M is roughly adjusted so that all the alignment marks of the board|substrate W and the mask M may come in within the viewing angle range of the camera for fine alignment. And according to this embodiment, by a rough alignment process, the alignment mark of the board|substrate W can be made to lie in the area|region of the through hole H formed in the mask frame Mb of the mask M.
계속해서, 러프 얼라인먼트가 완료되면, 투과광을 이용하여, 제2 카메라로 얼라인먼트 마크가 찍힌 화상을 취득한다(S4). 일례로, 투과광취득용 광원(102b)으로 얼라인먼트 마크에 광을 조사한 상태에서, 제1 카메라보다 해상도가 높은 제2 카메라로 얼라인먼트 마크를 촬상하여, 화상을 취득할 수 있다. 본 단계에서는, 러프 얼라인먼트 공정이 완료된 상태에서 투과광을 이용하여 화상을 취득하므로, 마스크(M)의 얼라인먼트 마크는 물론 기판(W)의 얼라인먼트 마크도 취득된 화상내에 찍히며, 보다 높은 콘트라스트를 갖는 화상을 취득하는 것이 가능하다.Then, when rough alignment is completed, the image in which the alignment mark was acquired with the 2nd camera is acquired using transmitted light (S4). For example, in a state in which light is irradiated to the alignment mark by the
그리고 단계 S4에서 취득한 화상에 기초하여, 기판(W)과 마스크(M)의 위치를 2차적으로 조정하는 파인 얼라인먼트를 수행한다(S5). 보다 구체적으로, 제어부(33)는, 단계 S4에서 취득한 화상에 기초하여, XYθ 방향에 있어서의 기판(W)과 마스크(M)의 상대위치를 계측한 다음, 이를 기초로 상대위치의 어긋남량을 산출한다. 그리고 산출된 위치 어긋남량이 소정의 임계치 이상인 경우에는, 산출된 위치어긋남량에 기초하여, XYθ 방향에 있어서의 기판(W)과 마스크(M)의 상대위치를 조정한다. 이 과정은 기판(W)과 마스크(M)의 상대위치의 어긋남량이 소정의 임계치내로 들어올 때까지 반복된다. 본 실시형태에 의하면, 파인 얼라인먼트 공정에서 보다 높은 콘트라스트를 갖는 화상을 이용하므로, 얼라인먼트 정밀도를 향상시킬 수 있다.And based on the image acquired in step S4, the fine alignment which adjusts the position of the board|substrate W and the mask M secondaryly is performed (S5). More specifically, the
<성막프로세스><Film forming process>
이하 본 실시형태에 따른 얼라인먼트 방법을 채용한 성막방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, the film-forming method employ|adopted the alignment method which concerns on this embodiment is demonstrated.
진공 용기(21)내의 마스크 지지 유닛(23)에 마스크(M)가 지지된 상태에서, 반송실(13)의 반송로봇(14)에 의해 성막장치(11)의 진공 용기(21)내로 기판(W)이 반입된다. In a state in which the mask M is supported by the
진공 용기(21)내로 진입한 반송로봇(14)의 핸드가 기판(W)을 기판 지지 유닛(22)의 지지부상에 재치한다. The hand of the transport robot 14 that has entered the
이어서, 정전척(24)이 기판(W)을 향해 하강하여 기판(W)에 충분히 근접하거나 접촉한 후에, 정전척(24)에 소정의 전압을 인가하여 기판(W)을 흡착시킨다. 그리고 정전척(24)에 기판(W)이 흡착된 상태에서, 기판(W)의 마스크(M)에 대한 상대적인 위치어긋남을 계측하기 위해, 기판(W)을 마스크(M)를 접근시킨다. Then, after the
기판(W)과 마스크(M)가 상대위치 계측위치까지 접근하면, 전술한 본 실시형태에 따른 얼라인먼트 방법에 따라, 얼라인먼트 공정을 진행한다. 즉, 기판(W)과 마스크(M)가 상대위치 계측위치까지 접근한 상태에서, 반사광을 이용하여 취득한 화상에 기초하여 러프 얼라인먼트 공정을 수행한 다음, 투과광을 이용하여 취득한 화상에 기초하여 파인 얼라인먼트 공정을 수행한다. When the board|substrate W and the mask M approach to the relative position measurement position, an alignment process advances according to the alignment method which concerns on this embodiment mentioned above. That is, in a state where the substrate W and the mask M approach the relative position measurement position, the rough alignment process is performed based on the image acquired using the reflected light, and then fine alignment is performed based on the image acquired using the transmitted light. carry out the process
본 실시형태의 얼라인먼트 방법에 의해, 기판(W)과 마스크(M) 사이의 상대위치 어긋남량이 소정의 임계치보다 작아지면, 증발원(25)의 셔터를 열고 증착재료를 마스크(M)를 통해 기판(W)에 증착시킨다.According to the alignment method of this embodiment, when the amount of relative positional shift between the substrate W and the mask M becomes smaller than a predetermined threshold, the shutter of the
원하는 두께까지 증착한 후, 마스크(M)를 분리하고, 정전척(24)에 기판만이 흡착된 상태에서, 정전척 액츄에이터(28)에 의해, 기판을 상승시킨다.After deposition to a desired thickness, the mask M is removed, and in a state where only the substrate is adsorbed to the
이어서, 반송로봇(14)의 핸드가 성막장치(11)의 진공용기(21) 내로 들어오고 정전척(24)의 전극부 또는 서브전극부에 제로(0) 또는 역극성의 전압이 인가되어 기판(W)을 정전척(24)으로부터 분리한다. 분리된 기판을 반송로봇(14)에 의해 진공용기(21)로부터 반출한다.Then, the hand of the transport robot 14 enters the
이상의 설명에서는, 성막장치(11)는, 기판(W)의 성막면이 연직방향 하방을 향한 상태에서 성막이 이루어지는, 소위 상향증착방식(Depo-up)의 구성으로 하였으나, 이에 한정되지 않으며, 기판(W)이 진공용기(21)의 측면측에 수직으로 세워진 상태로 배치되고, 기판(W)의 성막면이 중력방향과 평행한 상태에서 성막이 이루어지는 구성이어도 된다.In the above description, the
<전자디바이스의 제조방법><Method of manufacturing electronic device>
다음으로, 본 실시형태의 성막 장치를 이용한 전자 디바이스의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시장치의 구성 및 제조 방법을 예시한다.Next, an example of the manufacturing method of the electronic device using the film-forming apparatus of this embodiment is demonstrated. Hereinafter, the structure and manufacturing method of an organic electroluminescent display are illustrated as an example of an electronic device.
우선, 제조하는 유기 EL 표시장치에 대해 설명한다. 도 6(a)는 유기 EL 표시장치(60)의 전체도, 도 6(b)는 1 화소의 단면 구조를 나타내고 있다. First, an organic EL display device to be manufactured will be described. Fig. 6(a) is an overall view of the organic
도 6(a)에 도시한 바와 같이, 유기 EL 표시장치(60)의 표시 영역(61)에는 발광소자를 복수 구비한 화소(62)가 매트릭스 형태로 복수 개 배치되어 있다. 상세 내용은 후술하지만, 발광소자의 각각은 한 쌍의 전극에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다. 또한, 여기서 말하는 화소란 표시 영역(61)에 있어서 소망의 색 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 본 실시예에 관한 유기 EL 표시장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광소자(62R), 제2 발광소자(62G), 제3 발광소자(62B)의 조합에 의해 화소(62)가 구성되어 있다. 화소(62)는 적색 발광소자, 녹색 발광소자, 청색 발광소자의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 황색 발광소자, 시안 발광소자, 백색 발광소자의 조합이어도 되며, 적어도 1 색 이상이면 특히 제한되는 것은 아니다.As shown in FIG. 6A , in the
도 6(b)는 도 6(a)의 A-B선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(62)는 기판(63) 상에 양극(64), 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67), 음극(68)을 구비한 유기 EL 소자를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67)이 유기층에 해당한다. 또한, 본 실시형태에서는, 발광층(66R)은 적색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66G)는 녹색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66B)는 청색을 발하는 유기 EL 층이다. 발광층(66R, 66G, 66B)은 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광소자(유기 EL 소자라고 부르는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다. 또한, 양극(64)은 발광소자별로 분리되어 형성되어 있다. 정공 수송층(65)과 전자 수송층(67)과 음극(68)은, 복수의 발광소자(62R, 62G, 62B)와 공통으로 형성되어 있어도 좋고, 발광소자별로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 양극(64)과 음극(68)이 이물에 의해 단락되는 것을 방지하기 위하여, 양극(64) 사이에 절연층(69)이 설치되어 있다. 또한, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(70)이 설치되어 있다.Fig. 6(b) is a schematic partial cross-sectional view taken along line AB of Fig. 6(a). The
도 6(b)에서는 정공수송층(65)이나 전자 수송층(67)이 하나의 층으로 도시되었으나, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라서, 정공블록층이나 전자블록층을 포함하는 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 또한, 양극(64)과 정공수송층(65) 사이에는 양극(64)으로부터 정공수송층(65)으로의 정공의 주입이 원활하게 이루어지도록 할 수 있는 에너지밴드 구조를 가지는 정공주입층을 형성할 수도 있다. 마찬가지로, 음극(68)과 전자수송층(67) 사이에도 전자주입층이 형성될 수 있다.Although the
다음으로, 유기 EL 표시장치의 제조 방법의 예에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, an example of a manufacturing method of the organic EL display device will be specifically described.
우선, 유기 EL 표시장치를 구동하기 위한 회로(미도시) 및 양극(64)이 형성된 기판(63)을 준비한다.First, a
양극(64)이 형성된 기판(63) 위에 아크릴 수지를 스핀 코트로 형성하고, 아크릴 수지를 리소그래피 법에 의해 양극(64)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(69)을 형성한다. 이 개구부가 발광소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다.An acrylic resin is formed by spin coating on the
절연층(69)이 패터닝된 기판(63)을 제1 유기재료 성막 장치에 반입하여 정전척으로 기판을 보유 지지하고, 정공 수송층(65)을 표시 영역의 양극(64) 위에 공통층으로서 성막한다. 정공 수송층(65)은 진공 증착에 의해 성막된다. 실제로는 정공 수송층(65)은 표시 영역(61)보다 큰 사이즈로 형성되기 때문에, 고정밀의 마스크는 필요치 않다.The
다음으로, 정공 수송층(65)까지 형성된 기판(63)을 제2 유기재료 성막 장치에 반입하고, 정전척으로 보유 지지한다. 기판과 마스크의 얼라인먼트를 행하고, 마스크를 정전척(24)에 기판을 사이에 두고 흡착한 후, 기판(63)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분에 적색을 발하는 발광층(66R)을 성막한다. Next, the
발광층(66R)의 성막과 마찬가지로, 제3 유기재료 성막 장치에 의해 녹색을 발하는 발광층(66G)을 성막하고, 나아가 제4 유기재료 성막 장치에 의해 청색을 발하는 발광층(66B)을 성막한다. 발광층(66R, 66G, 66B)의 성막이 완료된 후, 제5 유기재료 성막 장치에 의해 표시 영역(61)의 전체에 전자 수송층(67)을 성막한다. 전자 수송층(67)은 3 색의 발광층(66R, 66G, 66B)에 공통의 층으로서 형성된다.Similar to the film formation of the
전자 수송층(67)까지 형성된 기판을 금속성 증착재료 성막 장치로 이동시켜 음극(68)을 성막한다. A
본 발명에 따르면, 러프얼라인먼트 공정에서는 반사광취득용 광원에 의해 얼라인먼트 마크를 비추면서 러프얼라인먼트용 카메라로 얼라인먼트 마크의 화상을 취득하여 기판(W)과 마스크(M)의 상대위치를 조정한다. 그리고, 파인얼라인먼트 공정에서는 투과광취득용 광원에 의해 얼라인먼트 마크를 비추면서, 파인얼라인먼트용 카메라로 얼라인먼트 마크의 화상을 취득하여, 기판(W)과 마스크(M)의 상대위치를 조정한다. 이에 의해 얼라인먼트 공정의 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, in the rough alignment process, an image of the alignment mark is acquired with a camera for rough alignment while the alignment mark is illuminated by a light source for obtaining reflected light, and the relative position of the substrate W and the mask M is adjusted. And in a fine alignment process, the image of the alignment mark is acquired with the camera for fine alignment, illuminating the alignment mark with the light source for transmitted light acquisition, and the relative position of the board|substrate W and the mask M is adjusted. Thereby, the precision of an alignment process can be improved.
그 후 플라스마 CVD 장치로 이동시켜 보호층(70)을 성막하여, 유기 EL 표시장치(60)를 완성한다.After that, it is transferred to a plasma CVD apparatus to form a
절연층(69)이 패터닝 된 기판(63)을 성막 장치로 반입하고 나서부터 보호층(70)의 성막이 완료될 때까지는, 수분이나 산소를 많이 포함하는 분위기에 노출되면, 전극이 산화하거나 유기 EL 재료로 이루어진 발광층이 수분이나 산소에 의해 열화될 우려가 있다. 따라서, 본 예에 있어서, 성막 장치 간의 기판의 반입, 반출은 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 행하여진다.From the time the
상기 실시예는 본 발명의 일 예를 나타낸 것으로, 본 발명은 상기 실시예의 구성에 한정되지 않으며, 그 기술사상의 범위내에서 적절히 변형하여도 된다. The above embodiment shows an example of the present invention, and the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea.
22: 기판 지지 유닛
23: 마스크 지지 유닛
24: 정전척
29: 위치조정기구
31: 얼라인먼트용 카메라
33: 제어부
101: 카메라부
102a: 반사광취득용 광원
102b: 투과광취득용 광원
103: 위치조정기구
104: 광원 선택부22: substrate support unit
23: mask support unit
24: electrostatic chuck
29: positioning mechanism
31: camera for alignment
33: control unit
101: camera unit
102a: light source for acquiring reflected light
102b: light source for acquiring transmitted light
103: positioning mechanism
104: light source selection unit
Claims (12)
상기 얼라인먼트 마크를 촬영하며, 상기 제1 카메라와 다른 해상도를 가지는 제2 카메라와,
상기 얼라인먼트 마크에 광을 조사하는 반사광취득용 광원과,
상기 얼라인먼트 마크에 광을 조사하는 투과광취득용 광원과,
상기 반사광취득용 광원과 상기 투과광취득용 광원 중에서, 상기 얼라인먼트 마크에 광을 조사하는 광원을 선택하는 광원 선택부와,
상기 광원 선택부에 의하여 선택된 광원에 의해 광이 조사된 상기 얼라인먼트 마크를 상기 제1 카메라 또는 상기 제2 카메라로 촬상한 화상에 기초하여, 상기 기판과 상기 마스크의 상대위치를 조정하는 위치조정기구,
를 포함하고,
상기 광원 선택부는, 상기 제1 카메라로 상기 얼라인먼트 마크의 화상을 취득하는 경우와 상기 제2 카메라로 상기 얼라인먼트 마크의 화상을 취득하는 경우에, 다른 광원을 선택하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 시스템.
A first camera for photographing the alignment marks formed on the substrate or mask;
a second camera for photographing the alignment mark and having a resolution different from that of the first camera;
a light source for obtaining reflected light that irradiates light to the alignment mark;
a light source for acquiring transmitted light that irradiates the alignment mark with light;
a light source selection unit for selecting a light source for irradiating light to the alignment mark from among the light source for obtaining reflected light and light source for obtaining transmitted light;
a positioning mechanism for adjusting the relative positions of the substrate and the mask based on an image captured by the first camera or the second camera of the alignment mark irradiated with light by the light source selected by the light source selection unit;
including,
The said light source selection part selects a different light source, when acquiring the image of the said alignment mark with the said 1st camera, and when acquiring the image of the said alignment mark with the said 2nd camera, the alignment system characterized by the above-mentioned.
상기 제2 카메라는 상기 제1 카메라보다 해상도가 높으며,
상기 광원 선택부는, 상기 제1 카메라로 상기 얼라인먼트 마크의 화상을 취득하는 경우에는, 상기 반사광취득용 광원을 선택하고, 상기 제2 카메라로 상기 얼라인먼트 마크의 화상을 취득하는 경우에는, 상기 투과광취득용 광원을 선택하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 시스템.
According to claim 1,
The second camera has a higher resolution than the first camera,
The light source selection unit selects the reflected light acquisition light source when acquiring an image of the alignment mark with the first camera, and when acquiring an image of the alignment mark with the second camera, the transmitted light acquisition An alignment system characterized in that the light source is selected.
상기 마스크를 지지하는 마스크 지지 유닛을 더 포함하고,
상기 반사광취득용 광원은, 상기 마스크 지지 유닛에 대하여, 상기 제1 카메라와 동일한 측에 위치하고, 상기 투과광취득용 광원은, 상기 마스크 지지 유닛에 대하여, 상기 제2 카메라와 반대측에 위치하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 시스템.
3. The method of claim 2,
Further comprising a mask support unit for supporting the mask,
The light source for acquiring reflected light is positioned on the same side as the first camera with respect to the mask support unit, and the light source for acquiring transmitted light is positioned on the opposite side to the second camera with respect to the mask support unit. alignment system.
상기 마스크는, 소정의 개구 패턴이 형성되어 있는 마스크박과, 상기 마스크박의 외주면을 고정하기 위한 마스크 프레임을 포함하고,
상기 투과광취득용 광원은, 상기 마스크 프레임에 형성되어 있는 관통공을 통해 상기 얼라인먼트 마크에 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 시스템.
4. The method of claim 3,
The mask includes a mask foil having a predetermined opening pattern formed thereon, and a mask frame for fixing the outer peripheral surface of the mask foil,
The light source for acquiring the transmitted light is an alignment system, characterized in that for irradiating light to the alignment mark through a through hole formed in the mask frame.
상기 관통공은, 상기 마스크 박막의 법선방향에 대하여 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 시스템.
5. The method of claim 4,
The through hole is an alignment system, characterized in that formed inclined with respect to the normal direction of the mask thin film.
A film forming apparatus for forming a vapor deposition material on a substrate through a mask, comprising the alignment system according to any one of claims 1 to 5.
반사광취득용 광원과 투과광취득용 광원 중에서, 어느 하나의 광원에 의해 광이 조사된, 기판 또는 마스크에 형성된 얼라인먼트 마크를 제1 카메라로 촬상하여, 제1 화상을 취득하는, 제1 화상 취득 단계와,
상기 제1 화상에 기초하여, 상기 기판과 상기 마스크의 상대위치를 조정하는 제1 상대위치 조정 단계와,
상기 반사광취득용 광원과 상기 투과광취득용 광원 중에서, 다른 하나의 광원에 의해 광이 조사된 상기 얼라인먼트 마크를 상기 제1 카메라와 다른 해상도를 가지는 제2 카메라로 촬상하여, 제2 화상을 취득하는 제2 화상 취득 단계와,
상기 제2 화상에 기초하여, 상기 기판과 상기 마스크의 상대위치를 조정하는 제2 상대위치 조정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 방법.
An alignment method for adjusting the relative position of a substrate and a mask, comprising:
A first image acquisition step of acquiring a first image by imaging an alignment mark formed on a substrate or mask, irradiated with light by any one of the light source for reflected light acquisition and the light source for transmitted light acquisition, with a first camera, and ,
a first relative position adjustment step of adjusting the relative positions of the substrate and the mask based on the first image;
A second image is acquired by imaging the alignment mark irradiated with light by another light source among the reflected light acquisition light source and the transmitted light acquisition light source with a second camera having a resolution different from that of the first camera 2 image acquisition step;
and a second relative position adjustment step of adjusting the relative positions of the substrate and the mask based on the second image.
상기 제1 화상 취득 단계에서는, 상기 반사광취득용 광원에 의해 광이 조사된 얼라인먼트 마크를 상기 제1 카메라에 의해 촬상하고,
상기 제2 화상 취득 단계에서는, 상기 투과광취득용 광원에 의해 광이 조사된 얼라인먼크 마크를 상기 제1 카메라보다 높은 해상도를 가진 제2 카메라로 촬상하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 방법.
8. The method of claim 7,
In the first image acquisition step, an alignment mark irradiated with light by the light source for acquiring reflected light is imaged by the first camera,
In the second image acquisition step, the alignment method characterized in that the image of the alignment mark irradiated by the light source for the transmitted light acquisition with a second camera having a higher resolution than the first camera.
상기 얼라인먼트 방법은, 제7항 또는 제8항에 기재된 얼라인먼트 방법인 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능 기록매체.
A computer-readable recording medium storing a program for executing an alignment method for adjusting the relative positions of a substrate and a mask on a computer, comprising:
The alignment method is a computer-readable recording medium, characterized in that the alignment method according to claim 7 or 8.
상기 얼라인먼트 방법은, 제7항 또는 제8항에 기재된 얼라인먼트 방법인 것을 특징으로 하는 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램.
A computer program stored in a medium for executing an alignment method for adjusting a relative position of a substrate and a mask on a computer, comprising:
The alignment method is a computer program stored in a medium, characterized in that the alignment method according to claim 7 or 8.
제7항 또는 제8항에 기재된 얼라인먼트 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
A film forming method for forming a deposition material on a substrate through a mask, comprising:
A film-forming method comprising the alignment method according to claim 7 or 8.
A method of manufacturing an electronic device, comprising manufacturing the electronic device using the film forming method of claim 11 .
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