KR20210058973A - 온도 조절 장치 - Google Patents

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Abstract

온도 조절 장치는 기판을 지지하는 천판과, 천판과의 사이에 있어서 내부 공간을 형성하도록 천판에 접속되는 베이스판과, 내부 공간에 배치되는 열전 모듈판과, 내부 공간에 배치되어 열전 모듈판과 열교환하는 열교환판과, 천판 및 베이스판 각각에 접촉하는 실링 부재를 구비한다.

Description

온도 조절 장치
본 발명은 온도 조절 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는 기판을 성막 처리하는 성막 장치, 기판을 노광 처리하는 노광 장치, 및 기판을 에칭 처리하는 에칭 장치와 같은 여러 가지 반도체 처리 장치가 사용된다. 반도체 처리 장치에는 기판의 온도를 조정하는 온도 조절 장치가 설치되어 있는 경우가 많다. 예를 들면, 기판을 드라이 에칭 처리할 경우 에칭 속도는 기판의 온도의 영향을 받기 때문에 온도 조절 장치에 의해 기판의 온도를 조정하면서 드라이 에칭 처리가 실행된다. 특허문헌 1에는 반도체 처리 장치의 진공 체임버에 있어서 기판의 온도를 조정하는 기판 지지 어셈블리가 개시되어 있다. 특허문헌 1에 있어서 기판 지지 어셈블리는 온도 조절 장치로서 기능한다. 기판 지지 어셈블리는 기판을 지지하기 위한 톱판과, 톱판의 하방에 배치되는 베이스판과, 톱판과 베이스판 사이에 배치되는 커버판을 갖는다. 커버판과 베이스판 사이의 내부 공간에 열전 모듈이 배치된다. 열전 모듈이 배치되는 내부 공간은 대기압으로 유지된다.
일본 특허공개 2015-008287호 공보
온도 조절 장치가 고온 환경하에서 사용될 경우 내부 공간을 형성하는 2개의 부재가 접착제에 의해 접합되어 있으면 2개의 부재의 열변형량의 차에 기인하여 접착제가 박리되어 버릴 가능성이 있다. 그 결과, 내부 공간으로부터 외부 공간으로 기체가 유출되거나, 외부 공간으로부터 내부 공간으로 기체가 유입되거나 할 가능성이 있다.
본 발명의 실시형태는 열전 모듈이 배치되는 내부 공간을 갖는 온도 조절 장치에 있어서 내부 공간과 외부 공간의 기체의 유통을 억제하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 실시형태에 따르면 기판을 지지하는 천판과, 상기 천판과의 사이에 있어서 내부 공간을 형성하도록 상기 천판에 접속되는 베이스판과, 상기 내부 공간에 배치되는 열전 모듈판과, 상기 내부 공간에 배치되어 상기 열전 모듈판과 열교환하는 열교환판과, 상기 천판 및 상기 베이스판 각각에 접촉하는 실링 부재를 구비하는 온도 조절 장치가 제공된다.
(발명의 효과)
본 발명의 실시형태에 의하면 열전 모듈이 배치되는 내부 공간을 갖는 온도 조절 장치에 있어서 내부 공간과 외부 공간의 기체의 유통을 억제할 수 있다.
도 1은 제 1 실시형태에 의한 반도체 처리 장치의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 제 1 실시형태에 의한 온도 조절 장치의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 제 1 실시형태에 의한 온도 조절 장치의 일례를 나타내는 분해 사시도이다.
도 4는 제 1 실시형태에 의한 열전 모듈판의 일부를 확대한 단면도이다.
도 5는 제 1 실시형태에 의한 열전 모듈의 일부를 나타내는 사시도이다.
도 6은 제 1 실시형태에 의한 실링 부재의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 7은 제 2 실시형태에 의한 실링 부재의 일례를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명에 의한 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명하지만 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 이하에서 설명하는 실시형태의 구성 요소는 적당히 조합할 수 있다. 또한, 일부의 구성 요소를 사용하지 않을 경우도 있다.
이하의 설명에 있어서는 XYZ 직교 좌표계를 설정하고, 이 XYZ 직교 좌표계를 참조하면서 각 부의 위치 관계에 대해서 설명한다. 소정 면 내의 X축과 평행한 방향을 X축 방향이라고 한다. 소정 면 내에 있어서 X축과 직교하는 Y축과 평행한 방향을 Y축 방향이라고 한다. 소정 면과 직교하는 Z축과 평행한 방향을 Z축 방향이라고 한다. X축 및 Y축을 포함하는 XY 평면은 소정 면과 평행하다. Y축 및 Z축을 포함하는 YZ 평면은 XY 평면과 직교한다. X축 및 Z축을 포함하는 XZ 평면은 XY 평면 및 YZ 평면 각각과 직교한다. 본 실시형태에 있어서 XY 평면은 수평면과 평행하다. Z축 방향은 연직 방향이다. +Z 방향(+Z측)은 상방향(상측)이다. -Z 방향(-Z측)은 하방향(하측)이다. 또한, XY 평면은 수평면에 대해서 경사져도 좋다.
[제 1 실시형태]
<반도체 처리 장치>
제 1 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 의한 반도체 처리 장치(1)의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이 반도체 처리 장치(1)는 체임버 장치(2)와, 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 배치되고, 내부 공간(2S)에 있어서 기판(W)의 온도를 조정하는 온도 조절 장치(3)를 구비한다.
본 실시형태에 있어서 반도체 처리 장치(1)는 기판(W)을 드라이 에칭 처리하는 드라이 에칭 장치를 포함한다. 기판(W)은 반도체 웨이퍼를 포함한다. 드라이 에칭 처리에 있어서 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)의 압력은 대기압보다 낮은 압력이 되도록 조정된다. 내부 공간(2S)의 압력은, 예를 들면 200[㎩]이 되도록 조정된다. 드라이 에칭 처리에 있어서 기판(W)의 온도는 온도 조절 장치(3)에 의해 조정된다. 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)이 감압되고, 기판(W)의 온도가 조정된 상태로 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 에칭 가스가 공급된다. 내부 공간(2S)에 에칭 가스가 공급됨으로써 기판(W)은 드라이 에칭 처리된다.
온도 조절 장치(3)는 기판(W)을 지지한 상태로 기판(W)의 온도를 조정한다. 온도 조절 장치(3)는 기판(W)의 온도를 조정해서 에칭 속도를 조정할 수 있다. 또한, 온도 조절 장치(3)는 기판(W)의 온도 분포를 조정할 수 있다.
체임버 장치(2)는 내부 공간(2S)을 형성하는 체임버 부재(2T)와, 체임버 부재(2T)의 온도를 조정하는 온도 조정 장치(2U)를 갖는다. 온도 조정 장치(2U)에 의해 체임버 부재(2T)가 가열되면 온도 조절 장치(3)에 지지되어 있는 기판(W)의 온도가 목표 온도보다 과도하게 높아지거나, 기판(W)의 온도 분포가 목표 온도 분포가 되지 않거나 할 가능성이 있다. 온도 조절 장치(3)는 체임버 부재(2T)가 가열되어도 기판(W)이 목표 온도가 되도록 기판(W)의 온도를 조정한다. 온도 조절 장치(3)는 체임버 부재(2T)가 가열되어도 기판(W)이 목표 온도 분포가 되도록 기판(W)의 온도 분포를 조정한다.
<온도 조절 장치>
도 2는 본 실시형태에 의한 온도 조절 장치(3)의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 3은 본 실시형태에 의한 온도 조절 장치(3)의 일례를 나타내는 분해 사시도이다.
도 1, 도 2, 및 도 3에 나타내는 바와 같이 온도 조절 장치(3)는 기판(W)을 지지하는 천판(4)과, 천판(4)과의 사이에 있어서 내부 공간(3S)을 형성하도록 천판(4)에 접속되는 베이스판(5)과, 내부 공간(3S)에 배치되는 열전 모듈판(6)과, 내부 공간(3S)에 배치되어 열전 모듈판(6)과 열교환하는 열교환판(7)과, 천판(4)과 베이스판(5)을 결합하는 결합 부재(8)와, 기판(W)의 이면을 지지해서 Z축 방향으로 이동하는 리프트 핀(9)과, 천판(4) 및 베이스판(5) 각각에 접촉하는 실링 부재(10)를 구비한다.
천판(4), 열전 모듈판(6), 열교환판(7), 및 베이스판(5) 각각은 실질적으로 원판형상이다. 천판(4), 열전 모듈판(6), 열교환판(7), 및 베이스판(5)은 Z축 방향으로 적층된다. 이하의 설명에 있어서 XY 평면 내에 있어서 온도 조절 장치(3)의 중심을 통과하고, Z축과 평행한 가상축을 적당히 온도 조절 장치(3)의 중심축(AX)이라고 칭한다.
천판(4)은 기판(W)을 지지하는 지지면(4A)을 갖는다. 천판(4)은, 예를 들면 알루미늄제이다. 천판(4)은 스테인리스강제이어도 좋다. 지지면(4A)은 +Z 방향을 향한다. 천판(4)은 기판(W)의 표면과 XY 평면이 평행하게 되도록 기판(W)을 지지한다. 기판(W)은 지지면(4A)에 재치된다.
천판(4)은 지지면(4A) 및 지지면(4A)의 반대 방향을 향하는 이면(4B)을 갖는 원판형상의 지지부(41)와 지지부(41)의 둘레 가장자리부에 접속되고, 지지부(41)의 둘레 가장자리부로부터 베이스판(5)으로 돌출되는 둘레벽부(42)를 갖는다.
베이스판(5)은 천판(4)을 지지한다. 베이스판(5)은, 예를 들면 알루미늄제이다. 베이스판(5)은 스테인리스강제이어도 좋다. 베이스판(5)은 천판(4), 열전 모듈판(6), 및 열교환판(7)보다 -Z측에 배치된다. 베이스판(5)은 천판(4)의 둘레벽부(42)의 하면(4C)에 대향하는 상면(5A)과, 열교환판(7)의 하면(7B)과 간극을 개재하여 대향하는 대향면(5D)을 갖는다. 상면(5A) 및 대향면(5D) 각각은 +Z 방향을 향한다. 대향면(5D)은 상면(5A)보다 -Z측에 배치된다. 상면(5A)은 원환형상이다. XY 평면 내에 있어서 상면(5A)은 대향면(5D)의 주위에 배치된다. 상면(5A)은 둘레벽부(42)의 하면(4C)에 접촉한다. 둘레벽부(42)의 하면(4C)과 베이스판(5)의 상면(5A)의 적어도 일부가 접촉함으로써 천판(4)과 베이스판(5) 사이에 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)이 형성된다.
베이스판(5)은 대향면(5D)으로부터 지지부(41)로 돌출되는 볼록부(5T)를 갖는다. 볼록부(5T)의 적어도 일부는 열교환판(7)에 형성되어 있는 관통 구멍(7J)에 배치된다. 볼록부(5T)의 적어도 일부는 열전 모듈판(6)에 형성되어 있는 관통 구멍(6J)에 배치된다. 볼록부(5T)의 상단부는 천판(4)의 지지부(41)에 접속된다.
베이스판(5)은 대향면(5D)으로부터 지지부(41)로 돌출되는 볼록부(5U)를 갖는다. 중심축(AX)의 방사 방향에 있어서 볼록부(5U)는 중심축(AX)과 볼록부(5T) 사이에 배치된다. 볼록부(5U)의 적어도 일부는 열교환판(7)에 형성되어 있는 관통 구멍(7K)에 배치된다. 볼록부(5U)의 적어도 일부는 열전 모듈판(6)에 형성되어 있는 관통 구멍(6K)에 배치된다. 볼록부(5U)의 상단부는 천판(4)의 지지부(41)에 접속된다.
열전 모듈판(6)은 천판(4)의 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)의 온도를 조정한다. 열전 모듈판(6)은 전력의 공급에 의해 흡열 또는 발열하는 열전 모듈(20)을 포함한다. 열전 모듈판(6)은 내부 공간(3S)에 배치된다. 열전 모듈판(6)은 천판(4)의 지지부(41)보다 -Z측에 배치된다. 열전 모듈판(6)은 내부 공간(3S)에 있어서 천판(4)에 인접하도록 배치된다. 열전 모듈판(6)의 상면(6A)은 지지부(41)의 이면(4B)에 대향한다.
열전 모듈(20)은 펠티에 효과에 의해 흡열 또는 발열한다. 열전 모듈(20)은 지지부(41)를 개재하여 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)으로부터 열을 빼앗을 수 있다. 열전 모듈(20)은 지지부(41)를 개재하여 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)에 열을 부여할 수 있다. 열전 모듈(20)이 흡열 또는 발열함으로써 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)의 온도가 조정된다.
열전 모듈판(6)은 열전 모듈(20)과, 열전 모듈(20)의 상면에 접속되는 제 1 절연막(21)과, 열전 모듈(20)의 하면에 접속되는 제 2 절연막(22)과, 열전 모듈(20)의 주위에 배치되는 격벽 부재(23)를 갖는다. 열전 모듈(20)은 제 1 절연막(21)과, 제 2 절연막(22)과, 격벽 부재(23)로 규정되는 공간에 배치된다. 제 1 절연막(21) 및 제 2 절연막(22) 각각은, 예를 들면 폴리이미드제의 막을 포함한다. 열전 모듈판(6)의 상면(6A)은 제 1 절연막(21)의 상면을 포함한다. 열전 모듈판(6)의 하면(6B)은 제 2 절연막(22)의 하면을 포함한다.
도 3에 나타내는 바와 같이 열전 모듈판(6)은 제 1 열전 모듈판(61)과, 제 2 열전 모듈판(62)과, 제 3 열전 모듈판(63)과, 제 4 열전 모듈판(64)과, 제 5 열전 모듈판(65)과, 제 6 열전 모듈판(66)과, 제 7 열전 모듈판(67)을 포함한다. 제 1 열전 모듈판(61)은 XY 평면 내에 있어서 중앙부에 배치되는 원형상의 판이다. 중심축(AX)은 제 1 열전 모듈판(61)을 통과한다. 제 2 열전 모듈판(62)은 제 1 열전 모듈판(61)의 주위에 배치되는 원환형상의 판이다. 제 3 열전 모듈판(63)은 제 2 열전 모듈판(62)의 주위에 배치되는 원환형상의 판이다. 제 4 열전 모듈판(64)은 제 3 열전 모듈판(63)의 주위의 일부에 배치되는 원호형상의 판이다. 제 5 열전 모듈판(65)은 제 3 열전 모듈판(63)의 주위의 일부에 있어서 제 4 열전 모듈판(64)의 이웃에 배치되는 원호형상의 판이다. 제 6 열전 모듈판(66)은 제 3 열전 모듈판(63)의 주위의 일부에 있어서 제 5 열전 모듈판(65)의 이웃에 배치되는 원호형상의 판이다. 제 7 열전 모듈판(67)은 제 3 열전 모듈판(63)의 주위의 일부에 있어서 제 4 열전 모듈판(64)과 제 6 열전 모듈판(66) 사이에 배치되는 원호형상의 판이다.
제 1~제 7 열전 모듈판(61~67) 각각이 열전 모듈(20), 제 1 절연막(21), 제 2 절연막(22), 및 격벽 부재(23)를 갖는다. 제 1~제 7 열전 모듈판(61~67) 각각이 상면(6A) 및 하면(6B)을 갖는다.
열교환판(7)은 열전 모듈판(6)과 열교환한다. 열교환판(7)은 내부 공간(3S)에 있어서 열전 모듈판(6)보다 -Z측에 배치된다. Z축 방향에 있어서 열전 모듈판(6)은 지지부(41)와 열교환판(7) 사이에 배치된다. Z축 방향에 있어서 열교환판(7)은 열전 모듈판(6)과 베이스판(5) 사이에 배치된다. 열교환판(7)은 내부 공간(3A)에 있어서 열전 모듈판(6)에 인접하도록 배치된다. 열교환판(7)의 상면(7A)은 열전 모듈(20)의 하면(6B)에 대향한다.
열전 모듈(20)이 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)으로부터 열을 빼앗을 경우 기판(W)의 열은 지지부(41) 및 열전 모듈판(6)을 개재하여 열교환판(7)으로 이동한다. 열교환판(7)은 온도 조절용 유체가 유통하는 내부 유로(도시하지 않음)를 갖는다. 온도 조절용 유체는 냉각수와 같은 냉매를 포함한다. 온도 조절용 유체는 유체 온도 조정 장치(도시하지 않음)에 의해 온도 조정된 후 내부 유로의 입구를 통해 내부 유로에 유입된다. 온도 조절용 유체는 내부 유로를 유통해서 열교환판(7)으로 이동한 열을 빼앗는다. 열을 빼앗은 온도 조절용 유체는 내부 유로의 출구로부터 유출되어 유체 온도 조정 장치로 되돌려진다.
열교환판(7)은 구리제이다. 구리는 열전도율이 높다. 그 때문에 열교환판(7)은 열전 모듈판(6)과 효율 좋게 열교환할 수 있다.
결합 부재(8)는 열전 모듈판(6) 및 열교환판(7)을 개재하여 천판(4)과 베이스판(5)을 결합한다. 결합 부재(8)는 복수 설치된다. 결합 부재(8)는 볼트를 포함한다. 베이스판(5)은 결합 부재(8)의 헤드부가 배치되는 오목부(5C)를 갖는다. 오목부(5C)는 베이스판(5)의 하면(5B)에 형성된다.
베이스판(5)은 결합 부재(8)의 축부의 적어도 일부가 배치되는 관통 구멍(5H)을 갖는다. 열교환판(7)은 결합 부재(8)의 축부의 적어도 일부가 배치되는 관통 구멍(7H)을 갖는다. 열전 모듈판(6)은 결합 부재(8)의 축부의 적어도 일부가 배치되는 관통 구멍(6H)을 갖는다. 천판(4)은 결합 부재(8)의 축부의 선단부가 삽입되는 나사 구멍(4H)을 갖는다. 결합 부재(8)는 열전 모듈판(6)의 관통 구멍(6H) 및 열교환판(7)의 관통 구멍(7H)을 개재하여 천판(4)과 베이스판(5)을 결합한다.
결합 부재(8)는 천판(4)의 제 1 부분(P1)에 결합되는 제 1 결합 부재(81)와, 제 1 부분(P1)의 주위에 복수 규정된 천판(4)의 제 2 부분(P2)에 결합되는 제 2 결합 부재(82)를 포함한다. 제 1 부분(P1)은 XY 평면 내에 있어서 천판(4)의 지지부(41)의 중앙 부분에 규정된다. 제 2 부분(P2)은 XY 평면 내에 있어서 천판(4)의 지지부(41)의 제 1 부분(P1)의 주위에 복수 규정된다. 본 실시형태에 있어서 제 2 부분(P2)은 제 1 부분(P1)의 주위의 6개소에 규정된다. 또한, 제 2 부분(P2)은 제 1 부분(P1)의 주위의 적어도 3개소에 규정되어 있으면 좋다. 제 1 결합 부재(81)는 열전 모듈판(6) 및 열교환판(7)을 개재하여 천판(4)의 제 1 부분(P1)과 베이스판(5)을 결합한다. 제 2 결합 부재(82)는 열전 모듈판(6) 및 열교환판(7)을 개재하여 천판(4)의 제 2 부분(P2)과 베이스판(5)을 결합한다.
복수의 제 2 결합 부재(82) 중 적어도 1개의 제 2 결합 부재(82)는 볼록부(5T)에 형성되어 있는 관통 구멍(5J)에 배치된다.
천판(4)은 이면(4B)으로부터 베이스판(5)으로 돌출되는 볼록부(4T)를 갖는다. 제 1 결합 부재(81)가 삽입되는 나사 구멍(4H)은 볼록부(4T)에 형성된다. 열교환판(7)은 제 1 결합 부재(81) 및 볼록부(4T)가 배치되는 관통 구멍(7H)을 갖는다. 열전 모듈판(6)은 제 1 결합 부재(81) 및 볼록부(4T)가 배치되는 관통 구멍(6H)을 갖는다. 볼록부(4T)의 하단면은 베이스판(5)에 형성되어 있는 볼록부(5S)의 상단면에 단열재(40)를 개재하여 접촉한다.
리프트 핀(9)은 기판(W)이 지지면(4A)에 접근하거나, 지지면(4A)으로부터 떨어지거나 하도록 기판(W)의 이면을 지지해서 Z축 방향으로 이동한다. 리프트 핀(9)의 적어도 일부는 볼록부(5U)에 형성되어 있는 관통 구멍(5W)에 배치된다. 리프트 핀(9)의 적어도 일부는 천판(4)에 형성되어 있는 관통 구멍(4W)에 배치된다. 관통 구멍(5W)의 내측의 공간 및 관통 구멍(4W)의 내측의 공간은 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 접속된다.
내부 공간(3S)은 대기 개방된다. 내부 공간(3S)은 대기압으로 유지된다. 내부 공간(3S)은 통로(11)를 통해 체임버 장치(2)의 외부 공간(대기 공간)에 접속된다. 통로(11)의 적어도 일부는 베이스판(5)에 형성된다. 도 3에 나타내는 바와 같이 베이스판(5)은 환형상의 림부(51)와, 림부(51)의 내측에 배치되는 스포크부(52)를 갖는다. 림부(51)와 스포크부(52) 사이에 통로(11)가 형성된다. 천판(4)의 제 1 부분(P1)에 결합되는 결합 부재(8)가 배치되는 관통 구멍(5H)은 스포크부(52)에 형성된다.
온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)은 대기압으로 유지된다. 온도 조절 장치(3)의 주위의 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)은 대기압보다 낮은 압력으로 유지된다. 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)의 압력이 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)의 압력보다 높으므로 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 공급된 에칭 가스가 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)에 유입되는 것이 억제된다. 이것에 의해 에칭 가스와 열전 모듈(20)의 접촉이 억제된다. 예를 들면, 에칭 가스가 부식성일 경우 에칭 가스와 열전 모듈(20)은 접촉하지 않는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 있어서는 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)의 압력이 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)의 압력보다 높으므로 에칭 가스와 열전 모듈(20)의 접촉이 억제된다.
실링 부재(10)는 천판(4) 및 베이스판(5) 각각에 접촉한다. 실링 부재(10)는 천판(4)의 둘레벽부(42)와 베이스판(5)의 경계를 실링한다. 실링 부재(10)가 설치됨으로써 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 공급된 에칭 가스가 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)에 유입되는 것이 억제된다. 또한, 실링 부재(10)가 설치됨으로써 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)의 기체가 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 유출되는 것이 억제된다. 예를 들면, 열전 모듈판(6) 및 열교환판(7)의 적어도 일방으로부터 발생한 이물이 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)으로 유출되는 것이 억제된다. 이것에 의해 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)에 이물이 부착되는 것이 억제된다. 본 실시형태에 있어서 열교환판(7)은 구리제이다. 구리를 포함하는 이물이 기판(W)에 부착되면 기판(W)으로부터 제조되는 반도체 디바이스의 성능이 저하될 가능성이 있다. 실링 부재(10)가 설치됨으로써 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)에서 발생한 이물이 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)에 부착되는 것이 억제된다.
<열전 모듈>
도 4는 본 실시형태에 의한 열전 모듈판(6)의 일부를 확대한 단면도이다. 도 5는 본 실시형태에 의한 열전 모듈판(6)의 일부를 나타내는 사시도이다. 또한, 도 4는 제 1 열전 모듈판(61)과 제 2 열전 모듈판(62)의 경계를 확대한 단면도이다. 제 2 열전 모듈판(62)으로부터 제 7 열전 모듈판(67) 각각의 경계의 구조는 제 1 열전 모듈판(61)과 제 2 열전 모듈판(62)의 경계의 구조와 마찬가지이다.
도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이 열전 모듈판(6)은 열전 모듈(20)과, 열전 모듈(20)의 상면에 접속되는 제 1 절연막(21)과, 열전 모듈(20)의 하면에 접속되는 제 2 절연막(22)과, 열전 모듈(20)의 주위에 배치되는 격벽 부재(23)를 갖는다. 열전 모듈(20)은 제 1 절연막(21)과, 제 2 절연막(22)과, 격벽 부재(23)로 규정되는 공간에 배치된다. 제 1 절연막(21) 및 제 2 절연막(22) 각각은, 예를 들면 폴리이미드제의 막을 포함한다. 열전 모듈판(6)의 상면(6A)은 제 1 절연막(21)의 상면을 포함한다. 열전 모듈판(6)의 하면(6B)은 제 2 절연막(22)의 하면을 포함한다.
격벽 부재(23)는 제 1 절연막(21)과 제 2 절연막(22) 사이에 배치된다. 격벽 부재(23)는 열전 모듈(20)이 배치되는 공간을 둘러싸도록 설치된 환형상의 부재이다. 격벽 부재(23)는 세라믹스제이다. 격벽 부재(23)는 산화알루미늄제이어도 좋고, 질화알루미늄제이어도 좋다. 격벽 부재(23)는 접착제에 의해 제 1 절연막(21) 및 제 2 절연막(22) 각각에 접합된다.
열전 모듈(20)은 열전 반도체 소자(24)와, 제 1 전극(25)과, 제 2 전극(26)을 갖는다. 열전 반도체 소자(24)는 p형 열전 반도체 소자(24P)와 n형 열전 반도체 소자(24N)를 포함한다. XY 평면 내에 있어서 p형 열전 반도체 소자(24P)와 n형 열전 반도체 소자(24N)는 번갈아 배치된다. 제 1 전극(25)은 p형 열전 반도체 소자(24P) 및 n형 열전 반도체 소자(24N) 각각에 접속된다. 제 2 전극(26)은 p형 열전 반도체 소자(24P) 및 n형 열전 반도체 소자(24N) 각각에 접속된다. p형 열전 반도체 소자(24P)의 상면 및 n형 열전 반도체 소자(24N)의 상면은 제 1 전극(25)에 접속된다. p형 열전 반도체 소자(24P)의 하면 및 n형 열전 반도체 소자(24N)의 하면은 제 2 전극(26)에 접속된다. 제 1 전극(25)은 제 1 절연막(21)에 접속된다. 제 2 전극(26)은 제 2 절연막(22)에 접속된다. 열전 모듈(20)의 상면은 제 1 전극(25)의 상면을 포함한다. 열전 모듈(20)의 하면은 제 2 전극(26)의 하면을 포함한다.
열전 모듈(20)은 펠티에 효과에 의해 흡열 또는 발열한다. 제 1 전극(25)과 제 2 전극(26) 사이에 전위차가 부여되면 열전 반도체 소자(24)에 있어서 전하가 이동한다. 전하의 이동에 의해 열전 반도체 소자(24)에 있어서 열이 이동한다. 이것에 의해 열전 모듈(20)은 흡열 또는 발열한다. 본 실시형태에 있어서는 열전 반도체 소자(24)의 +Z측의 단부에 접속되는 제 1 전극(25)이 흡열하고, 열전 반도체 소자(24)의 -Z측의 단부에 접속되는 제 2 전극(26)이 발열하도록 제 1 전극(25)과 제 2 전극(26) 사이에 전위차가 부여된다. 제 1 전극(25)이 흡열함으로써 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)은 냉각된다. 또한, 제 1 전극(25)이 발열하고, 제 2 전극(26)이 흡열하도록 제 1 전극(25)과 제 2 전극(26) 사이에 전위차가 부여되어도 좋다. 제 1 전극(25)이 발열함으로써 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)은 가열된다.
열전 모듈판(6)의 제 1 절연막(21)은 천판(4)의 지지부(41)에 인접한다. 천판(4)의 지지부(41)와 열전 모듈판(6)의 제 1 절연막(21) 사이에 점탄성막(12)이 형성된다. 점탄성막(12)은 열전도 그리스를 포함한다. 또한, 점탄성막(12)은 겔 시트를 포함해도 좋다. 제 1 전극(25)이 흡열함으로써 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)의 열은 지지부(41), 점탄성막(12), 및 열전 모듈판(6)을 개재하여 열교환판(7)으로 이동한다.
제 2 절연막(22)은 열교환판(7)에 접합된다. 제 2 절연막(22)은, 예를 들면 접착제에 의해 열교환판(7)에 접합된다.
<실링 부재>
도 6은 본 실시형태에 의한 실링 부재(10)의 일례를 나타내는 단면도이다. 실링 부재(10)는, 예를 들면 불소 고무제의 O링이다. 도 6에 나타내는 바와 같이 실링 부재(10)는 천판(4), 베이스판(5), 및 열교환판(7) 각각에 접촉한다. 실링 부재(10)는 천판(4)과, 베이스판(5)과, 열교환판(7)에 의해 규정되는 실링 공간(13)에 배치된다. 실링 부재(10)는 교환 가능하다.
열교환판(7)은 열전 모듈판(6)의 하면(6B)에 대향하는 상면(7A)과, 베이스판(5)의 상면(5A)에 대향하는 하면(7B)과, 천판(4)의 둘레벽부(42)의 내면(4D)에 간극을 개재하여 대향하는 측면(7D)을 갖는다. 하면(7B)은 XY 평면과 실질적으로 평행하다. 측면(7D)은 Z축과 실질적으로 평행하다.
둘레벽부(42)의 내면(4D)은 열교환판(7)의 측면(7D)과 실질적으로 평행하다. 베이스판(5)의 상면(5A)은 XY 평면과 실질적으로 평행하다. Z축과 평행한 단면에 있어서 내면(4D)은 직선형상이다. Z축과 평행한 단면에 있어서 상면(5A)은 직선형상이다.
열교환판(7)은 베이스판(5)의 상면(5A)을 향해 열교환판(7)의 중심축(AX)측으로 경사지는 테이퍼면(7C)을 갖는다. 테이퍼면(7C)은 측면(7D)과 하면(7B)을 잇도록 형성된다. Z축과 평행한 단면에 있어서 테이퍼면(7C)은 직선형상이다. 테이퍼면(7C)은 열교환판(7)의 측면(7D)과 하면(7B)에 의해 규정되는 모서리부를 모서리 모따기(C 모따기)함으로써 형성된다.
실링 부재(10)가 배치되는 실링 공간(13)은 천판(4)의 둘레벽부(42)의 내면(4D)과, 베이스판(5)의 상면(5A)과, 열교환판(7)의 테이퍼면(7C)에 의해 규정된다. 실링 공간(13)에 배치된 실링 부재(10)는 천판(4)의 둘레벽부(42)의 내면(4D), 베이스판(5)의 상면(5A), 및 열교환판(7)의 테이퍼면(7C) 각각에 접촉한다.
실링 부재(10)는 실링 공간(13)에 배치됨으로써 천판(4)의 둘레벽부(42)의 내면(4D), 베이스판(5)의 상면(5A), 및 열교환판(7)의 테이퍼면(7C) 각각에 눌린다. 상술한 바와 같이 Z축과 평행한 단면에 있어서 내면(4D), 상면(5A), 및 테이퍼면(7C) 각각은 직선형상이다. 실링 부재(10)는 실링 공간(13)에 배치됨으로써 Z축과 평행한 단면의 형상이 삼각형이 되도록 천판(4)의 둘레벽부(42), 베이스판(5), 및 열교환판(7) 각각에 의해 뭉개진다. 둘레벽부(42)의 하면(4C)과 베이스판(5)의 상면(5A)의 경계에 있어서 실링 부재(10)의 표면은 내면(4D), 상면(5A), 및 테이퍼면(7C) 각각에 밀착한다. 이것에 의해 둘레벽부(42)의 하면(4C)과 베이스판(5)의 상면(5A)의 경계는 실링 부재(10)에 의해 충분히 실링된다.
실링 부재(10)는 중심축(AX)의 방사 방향에 있어서 둘레벽부(42)와 열교환판(7) 사이에 배치된다. 또한, 테이퍼면(7C)이 형성되어 있으므로 실링 부재(10)의 적어도 일부는 열교환판(7)의 하측으로 파고들어가도록 배치된다. 이것에 의해 둘레벽부(42)의 두께(TH)를 얇게 해도 둘레벽부(42)의 하면(4C)과 베이스판(5)의 상면(5A)의 경계는 실링 부재(10)에 의해 충분히 실링된다. 또한, 둘레벽부(42)의 두께(TH)란 중심축(AX)의 방사 방향에 있어서의 둘레벽부(42)의 치수를 말한다.
둘레벽부(42)의 두께(TH)를 얇게 할 수 있으므로 지지면(4A)의 크기가 유지된 상태로 XY 평면 내에 있어서의 내부 공간(3S)의 크기를 크게 할 수 있다. 즉, XY 평면 내에 있어서의 내부 공간(3S)의 크기를 지지면(4A)의 크기에 가까이할 수 있다.
또한, XY 평면 내에 있어서의 내부 공간(3S)의 크기를 크게 함으로써 XY 평면 내에 있어서의 열전 모듈판(6)의 크기를 크게 할 수 있다. 즉, 둘레벽부(42)의 두께(TH)를 얇게 할 수 있으므로 XY 평면에 있어서의 열전 모듈판(6)의 크기를 지지면(4A)의 크기에 가까이할 수 있다. 열전 모듈판(6)의 크기를 크게 할 수 있으므로 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)의 에지까지 온도 조정을 충분히 행할 수 있다.
<동작>
이어서, 본 실시형태에 의한 온도 조절 장치(3)의 동작에 대해서 설명한다. 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)이 감압된다. 기판(W)이 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 반입된다. 리프트 핀(9)은 리프트 핀(9)의 상단부가 지지면(4A)보다 상방에 배치되도록 상승한다. 리프트 핀(9)은 내부 공간(2S)에 반송된 기판(W)의 이면을 지지한다. 기판(W)의 이면을 지지한 리프트 핀(9)은 하강한다. 리프트 핀(9)이 하강함으로써 기판(W)은 천판(4)의 지지면(4A)에 지지된다.
열전 모듈(20)에 전위차가 부여됨으로써 온도 조절 장치(3)는 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)의 온도의 조정을 개시한다. 본 실시형태에 있어서 열전 모듈판(6)은 제 1~제 7 열전 모듈판(61~67)을 포함한다. 제 1~제 7 열전 모듈판(61~67) 각각은 기판(W)의 온도를 따로따로 조정 가능하다. 제 1~제 7 열전 모듈판(61~67) 각각에 부여되는 전위차가 조정됨으로써 온도 조절 장치(3)는 기판(W)의 온도 분포를 조정할 수 있다.
체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 에칭 가스가 공급된다. 체임버 부재(2T)가 온도 조정 장치(2U)에 의해 가열된다. 체임버 부재(2T)가 가열됨으로써 에칭 처리에 의해 생성된 이물이 체임버 부재(2T)의 내면에 이물이 부착되는 것이 억제된다.
체임버 부재(2T)가 가열되면 온도 조절 장치(3)의 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)의 온도가 목표 온도보다 과도하게 높아지거나, 기판(W)의 온도 분포가 목표 온도 분포가 되지 않거나 할 가능성이 있다. 온도 조절 장치(3)는 체임버 부재(2T)가 가열되어도 기판(W)이 목표 온도가 되도록 기판(W)의 온도를 조정한다. 또한, 온도 조절 장치(3)는 체임버 부재(2T)가 가열되어도 기판(W)이 목표 온도 분포가 되도록 기판(W)의 온도 분포를 조정한다.
지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)의 둘레 가장자리부와 체임버 부재(2T)의 거리는 짧다. 기판(W)의 둘레 가장자리부의 온도는 체임버 부재(2T)의 복사열에 의해 과도하게 높아질 가능성이 높다.
본 실시형태에 있어서는 열교환판(7)에 테이퍼면(7C)이 형성되어 둘레벽부(42)의 두께(TH)가 충분히 얇다. 두께(TH)는 XY 평면 내에 있어서의 둘레벽부(42)의 치수이다. XY 평면 내에 있어서 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)의 크기와 열전 모듈판(6)의 크기의 차는 작다. XY 평면 내에 있어서 열전 모듈(20)의 적어도 일부는 기판(W)의 둘레 가장자리부에 가까운 위치에 배치된다. 이것에 의해 열전 모듈판(6)은 지지부(41)를 개재하여 기판(W)의 중앙부의 온도뿐만 아니라 기판(W)의 둘레 가장자리부의 온도도 충분히 조정할 수 있다.
실링 부재(10)는 둘레벽부(42)의 하면(4C)과 베이스판(5)의 상면(5A)의 경계를 실링한다. 실링 부재(10)에 의해 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 공급된 에칭 가스가 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)에 유입되는 것이 억제된다. 또한, 실링 부재(10)가 설치됨으로써 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)의 기체가 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 유출되는 것이 억제된다.
에칭 처리가 종료된 후 리프트 핀(9)이 상승한다. 리프트 핀(9)은 기판(W)의 이면을 지지한 상태로 상승한다. 이것에 의해 기판(W)의 이면과 천판(4)의 지지면(4A)이 떨어진다. 천판(4)으로부터 떨어진 기판(W)은 언로드 장치(도시하지 않음)에 의해 체임버 장치(2)로부터 반출된다.
<효과>
이상, 설명한 바와 같이 본 실시형태에 의하면 천판(4)과 천판(4)에 접속되는 베이스판(5)에 의해 열전 모듈판(6)이 배치되는 내부 공간(3S)이 규정된다. 열전 모듈판(6)이 배치되는 내부 공간(3S)을 갖는 온도 조절 장치(3)에 있어서 천판(4) 및 베이스판(5) 각각에 접촉하는 실링 부재(10)가 설치된다. 실링 부재(10)가 설치됨으로써 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)과 온도 조절 장치(3)의 외부 공간(체임버 장치(2)의 내부 공간(2S))의 기체의 유통이 억제된다.
체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 온도 조절 장치(3)가 배치될 경우 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 공급된 에칭 가스가 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)에 유입되는 것이 억제되도록 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)의 압력은 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)의 압력보다 높은 압력으로 유지된다. 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)의 압력이 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)의 압력보다 높으므로 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 공급된 에칭 가스가 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)에 유입되는 것이 억제된다. 또한, 천판(4)의 둘레벽부(42)와 베이스판(5)의 경계를 실링하는 실링 부재(10)가 설치됨으로써 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 공급된 에칭 가스가 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)에 유입되는 것이 보다 효과적으로 억제된다. 이것에 의해 에칭 가스와 열전 모듈(20)의 접촉이 억제된다. 예를 들면, 에칭 가스가 부식성일 경우 열전 모듈(20)의 성능 유지의 관점으로부터 에칭 가스와 열전 모듈(20)은 접촉하지 않는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 있어서는 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)의 압력이 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)의 압력보다 높으므로 에칭 가스와 열전 모듈(20)의 접촉이 억제된다.
또한, 실링 부재(10)가 설치됨으로써 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)의 기체가 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)에 유출되는 것이 억제된다. 예를 들면, 열전 모듈판(6) 및 열교환판(7)의 적어도 일방으로부터 발생한 이물이 체임버 장치(2)의 내부 공간(2S)으로 유출되는 것이 억제된다. 이것에 의해 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)에 이물이 부착되는 것이 억제된다. 본 실시형태에 있어서 열교환판(7)이 구리제이다. 구리를 포함하는 이물이 기판(W)에 부착되면 기판(W)으로부터 제조되는 반도체 디바이스의 성능이 저하될 가능성이 있다. 실링 부재(10)가 설치됨으로써 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)에서 발생한 이물이 지지면(4A)에 지지되어 있는 기판(W)에 부착되는 것이 충분히 억제된다.
체임버 부재(2T)가 온도 조정 장치(2U)에 의해 가열된다. 온도 조절 장치(3)는 고온 환경하에서 사용된다. 온도 조절 장치(3)가 고온 환경하에서 사용될 경우 내부 공간(3S)을 형성하는 천판(4)과 베이스판(5)이, 예를 들면 접착제를 개재하여 접합되어 있으면 천판(4)과 베이스판(5)의 열변형량의 차 또는 열팽창 계수의 차에 기인하여 접착제가 박리되어 버릴 가능성이 있다. 접착재가 박리되어 버리면 천판(4)과 베이스판(5)의 경계가 충분히 실링되지 않아 내부 공간(3S)으로부터 외부 공간으로 기체가 유출되거나, 외부 공간으로부터 내부 공간(3S)으로 기체가 유입되거나 할 가능성이 있다.
본 실시형태에 있어서는 실링 부재(10)에 의해 천판(4)과 베이스판(5)의 경계가 실링된다. 따라서, 온도 조절 장치(3)가 고온 환경하에서 사용되어도 온도 조절 장치(3)의 내부 공간(3S)과 온도 조절 장치(3)의 외부 공간의 기체의 유통이 충분히 억제된다.
실링 부재(10)는 용이하게 교환 가능하다. 따라서, 예를 들면 실링 부재(10)가 열화되거나 오염되거나 했을 경우 새로운 실링 부재(10)와 용이하게 교환할 수 있다. 이것에 의해 유지 보수 비용을 삭감할 수 있다. 또한, 에칭 가스의 종류에 의거하여 최적인 재료의 실링 부재(10)로 용이하게 교환할 수 있다.
실링 부재(10)는 천판(4) 및 베이스판(5)뿐만 아니라 열교환판(7)에도 접촉하도록 배치된다. 이것에 의해 실링 부재(10)의 위치가 충분히 고정되어 실링 부재(10)는 실링 기능을 충분히 발휘할 수 있다.
실링 부재(10)는 천판(4)과, 베이스판(5)과, 열교환판(7)에 의해 규정되는 실링 공간(13)에 배치된다. 이것에 의해 실링 부재(10)의 위치가 충분히 고정되어 실링 부재(10)는 실링 기능을 충분히 발휘할 수 있다.
실링 공간(13)은 천판(4)의 둘레벽부(42)의 내면(4D)과, 베이스판(5)의 상면(5A)과, 열교환판(7)의 테이퍼면(7C)에 의해 규정된다. 이것에 의해 둘레벽부(42)의 두께(TH)를 얇게 할 수 있고, 열전 모듈판(6)의 크기와 기판(W)의 크기의 차를 작게 할 수 있다. 따라서, 온도 조절 장치(3)는 기판(W)의 중앙부의 온도뿐만 아니라 기판(W)의 둘레 가장자리부의 온도까지 충분히 조정할 수 있다. 기판(W)의 둘레 가장자리부와 체임버 부재(2T)의 거리는 기판(W)의 중앙부와 체임버 부재(2T)의 거리보다 짧다. 그 때문에 기판(W)의 둘레 가장자리부는 체임버 부재(2T)의 복사열에 의해 과도하게 온도 상승할 가능성이 높다. 본 실시형태에 있어서는 기판(W)의 둘레 가장자리부의 온도까지 충분히 조정할 수 있으므로 체임버 부재(2T)가 가열되어도 체임버 부재(2T)의 복사열에 기인하여 기판(W)의 둘레 가장자리부가 과도하게 온도 상승하는 것이 억제된다. 기판(W)의 둘레 가장자리부가 과도하게 온도 상승하는 것이 억제되므로 기판(W)의 둘레 가장자리부 근방에도 고품질인 반도체 디바이스가 제조된다.
또한, 둘레벽부(42)의 두께(TH)를 얇게 할 수 있으므로 열전 모듈판(6)을 통해 열교환판(7)으로 이동한 기판(W)으로부터의 열이 둘레벽부(42)를 통해 기판(W)으로 되돌아가 버리는 것이 억제된다.
[제 2 실시형태]
제 2 실시형태에 대해서 설명한다. 이하의 설명에 있어서 상술한 실시형태와 동등의 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 간략 또는 생략한다.
도 7은 본 실시형태에 의한 실링 부재(10)의 일례를 나타내는 단면도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 있어서 실링 부재(10)는 천판(4)과 베이스판(5) 사이에 배치된다. 베이스판(5)의 상면(5A)에 오목부(5R)가 형성된다. 오목부(5R)는 천판(4)의 둘레벽부(42)의 하면(4C)에 대향한다. 실링 부재(10)는 오목부(5R)에 배치된다. 오목부(5R)에 배치된 실링 부재(10)는 둘레벽부(42)의 하면(4C)에 접촉한다.
본 실시형태에 있어서도 실링 부재(10)는 내부 공간(3S)을 형성하는 천판(4)과 베이스판(5)의 경계를 충분히 실링할 수 있다.
1: 반도체 처리 장치 2: 체임버 장치
2S: 내부 공간 2T: 체임버 부재
2U: 온도 조정 장치 3: 온도 조절 장치
3S: 내부 공간 4: 천판
4A: 지지면 4B: 이면
4C: 하면 4D: 내면
4H: 나사 구멍 4T: 볼록부
4W: 관통 구멍 5: 베이스판
5A: 상면 5B: 하면
5C: 오목부 5D: 대향면
5H: 관통 구멍 5J: 관통 구멍
5R: 오목부 5S: 볼록부
5T: 볼록부 5U: 볼록부
5W: 관통 구멍 6: 열전 모듈판
6A: 상면 6B: 하면
6H: 관통 구멍 6J: 관통 구멍
6K: 관통 구멍 7: 열교환판
7A: 상면 7B: 하면
7C: 테이퍼면 7D: 측면
7H: 관통 구멍 7J: 관통 구멍
7K: 관통 구멍 8: 결합 부재
9: 리프트 핀 10: 실링 부재
11: 통로 12: 점탄성막
13: 실링 공간 20: 열전 모듈
21: 제 1 절연막 22: 제 2 절연막
23: 격벽 부재 24P: p형 열전 반도체 소자
24N: n형 열전 반도체 소자 25: 제 1 전극
26: 제 2 전극 40: 단열재
41: 지지부 42: 둘레벽부
51: 림부 52: 스포크부
61: 제 1 열전 모듈판 62: 제 2 열전 모듈판
63: 제 3 열전 모듈판 64: 제 4 열전 모듈판
65: 제 5 열전 모듈판 66: 제 6 열전 모듈판
67: 제 7 열전 모듈판 81: 제 1 결합 부재
82: 제 2 결합 부재 AX: 중심축
P1: 제 1 부분 P2: 제 2 부분
W: 기판

Claims (5)

  1. 기판을 지지하는 천판과,
    상기 천판과의 사이에 있어서 내부 공간을 형성하도록 상기 천판에 접속되는 베이스판과,
    상기 내부 공간에 배치되는 열전 모듈판과,
    상기 내부 공간에 배치되어 상기 열전 모듈판과 열교환하는 열교환판과,
    상기 천판 및 상기 베이스판 각각에 접촉하는 실링 부재를 구비하는 온도 조절 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 실링 부재는 상기 열교환판에 접촉하는 온도 조절 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 실링 부재는 상기 천판과, 상기 베이스판과, 상기 열교환판에 의해 규정되는 실링 공간에 배치되는 온도 조절 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 천판은 상기 기판을 지지하는 지지면을 갖는 지지부와, 상기 지지부의 둘레 가장자리부에 접속되어 상기 지지부로부터 상기 베이스판으로 돌출되는 둘레벽부를 갖고,
    상기 베이스판은 상기 둘레벽부의 하면에 대향하는 상면을 갖고,
    상기 열교환판은 상기 베이스판의 상면을 향해 상기 열교환판의 중심축측으로 경사지는 테이퍼면을 갖고,
    상기 실링 공간은 상기 천판의 둘레벽부의 내면과, 상기 베이스판의 상면과, 상기 열교환판의 테이퍼면에 의해 규정되는 온도 조절 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 실링 부재는 상기 천판과 상기 베이스판 사이에 배치되는 온도 조절 장치.
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