TWM591102U - 核酸擴增反應機構 - Google Patents

Abstract

一種核酸擴增反應機構，包括：核酸擴增反應槽座、至少兩個加熱元件、熱電致冷晶片以及散熱片；其中，核酸擴增反應槽座係與至少兩個加熱元件之一者連接，至少兩個加熱元件之另一者係與熱電致冷晶片間接連接，熱電致冷晶片係與散熱片連接；至少兩個加熱元件具有不同的功率。

Description

核酸擴增反應機構

本創作是有關於一種核酸擴增反應機構。

在傳統的核酸擴增反應機構的溫度控制，為了加速細胞分裂或是維持試管樣品在一定的溫度下，都常會搭配一組發熱組件來做溫度控制。習知的發熱組件包括單一加熱元件以及致冷器。在溫度控制的過程中，僅透過粗調再搭配致冷器的降溫，來達到溫度控制，但也由於加溫降溫的程度過大，而導致致冷器容易受損，而縮短使用壽命。

本案提出了一種核酸擴增反應機構，包括：核酸擴增反應槽座、至少兩個加熱元件、熱電致冷晶片以及散熱片；其中，核酸擴增反應槽座係與至少兩個加熱元件之一者連接，至少兩個加熱元件之另一者係與熱電致冷晶片間接連接，熱電致冷晶片係與散熱片連接，至少兩個加熱元件具有不同的功率。

在一實施例中，至少兩個加熱元件係陶瓷加熱片。

在一實施例中，至少兩個加熱元件之一者係內嵌於核酸擴增反應槽座中。

在一實施例中，至少兩個加熱元件之間具有一第一傳導片。

在一實施例中，至少兩個加熱元件之另一者與熱電致冷晶片之間具有一第二傳導片。

在一實施例中，第一傳導片及第二傳導片的材質為金屬。

在一實施例中，核酸擴增反應槽座為4至96孔中之一者的槽座。

在一實施例中，核酸擴增反應機構更包括：風扇，風扇係與散熱片連接。

在一實施例中，至少兩個散熱元件以及熱電致冷晶片係與控制器電性連接。

藉由上述的機構設計，藉由不同功率的加熱元件來做精準且微小的溫度控制，進而提升熱電致冷晶片的穩定性及壽命；並透過單一組件組裝方式，除了可以降將低機構尺寸，更可提供簡易的組件置換，降低維修成本。

為讓本案能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

請參照第1圖，第1圖係本案之核酸擴增反應機構之示意圖，在一實施例中，核酸擴增反應機構A係包括：核酸擴增反應槽座1、至少兩個加熱元件2、熱電致冷晶片3以及散熱片5。本案所用之核酸擴增反應槽座1係具備有複數個槽孔12，該等槽孔係使用4孔至96孔中的任一者，該等槽孔可依據試驗需求，收納不同尺寸的提取柱或瓶。核酸擴增反應槽座之材質為金屬、金屬和塑膠或是金屬和陶瓷，其金屬材質的部分係與加熱元件連接，所使用的金屬係金、銀、銅以及鋁中任一者。請參照第2圖，核酸擴增反應槽座1更包括有嵌槽11，其係用於嵌入散熱元件2，在一實施例中，核酸擴增反應槽座1具有兩個嵌槽11，對應內嵌兩個散熱元件2。本案所指嵌槽11之形式及數量並不限於本實例中所指的方式，其係對應散熱元件的形式及數量而設計。

請參照第2圖及第3圖，在一實施例中，至少兩個加熱元件2係包含第一加熱片21以及第二加熱片22，其中，第一加熱片21及第二加熱片22具有不同之功率。在本實施例中，第二加熱片22之功率係大於第一加熱片21之功率。第一加熱片21與第二加熱片22係電性連接至控制器(未圖示)，藉由控制器輸入不同的功率至第一加熱片21及第二加熱片22。進一步說明，控制器先提供較大功率至第二加熱片22進行加熱溫度的粗調後，再提供較小功率至第一加熱片21進行加熱溫度的微調；或者，可同時提供較大功率至第二加熱片22及提供較小功率至第一加熱片21，同時進行粗調及微調，藉此來達到加熱溫度精準的調控。第一加熱片21及第二加熱片22藉由至少一個第一傳導片41連接，第一傳導片41為導熱性佳的金屬材質，例如：金、銀、銅或鋁等。至少兩個加熱元件2係陶瓷加熱片，但亦可為金屬加熱片或是合成形式的加熱片。

熱電致冷晶片(Thermoelectric Cooler，TEC)3係用於主動式致冷，在本實施例中，熱電致冷晶片3之一端係透過第二傳導片42與第二加熱片22連接，即第二加熱片22係與熱電致冷晶片3間接連接。在另一實施例中，第一加熱片21係與熱電致冷晶片3間接連接。第二傳導片42為導熱性佳的金屬材質，例如：金、銀、銅或鋁等。第一加熱片21、第二加熱片22以及熱電致冷晶片3係電性連接至控制器(未圖示)，藉此來控制操作時所需的溫度。在本實施例中，熱電致冷晶片3之另一端與散熱片5連接，以達成散熱的功效。在另一實施例中，散熱片5更與風扇(未圖示)連接，用以強化散熱之效果。

雖然本案已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本案，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本案之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

A‧‧‧核酸擴增反應機構 1‧‧‧核酸擴增反應槽座 2‧‧‧加熱元件 21‧‧‧第一加熱片 22‧‧‧第二加熱片 3‧‧‧熱電致冷晶片 4‧‧‧傳導構件 41‧‧‧第一傳導片 42‧‧‧第二傳導片 5‧‧‧散熱片 11‧‧‧嵌槽 12‧‧‧槽孔

第1圖係本案之核酸擴增反應機構之示意圖。 第2圖係本案之核酸擴增反應機構之分解示意圖。 第3圖係本案之核酸擴增反應機構之正面示意圖。

A‧‧‧核酸擴增反應機構

1‧‧‧核酸擴增反應槽座

2‧‧‧加熱元件

21‧‧‧第一加熱片

22‧‧‧第二加熱片

3‧‧‧熱電致冷晶片

4‧‧‧傳導構件

41‧‧‧第一傳導片

42‧‧‧第二傳導片

5‧‧‧散熱片

11‧‧‧嵌槽

12‧‧‧槽孔

Claims (10)

1. 一種核酸擴增反應機構，包括： 一核酸擴增反應槽座； 至少兩個加熱元件； 一熱電致冷晶片；以及 一散熱片； 其中該核酸擴增反應槽座係與該至少兩個加熱元件之一者連接，該至少兩個加熱元件之一者係與該熱電致冷晶片間接連接，該熱電致冷晶片係與該散熱片連接，該至少兩個加熱元件具有不同的功率。
2. 如申請專利範圍第1項所述的核酸擴增反應機構，其中該至少兩個加熱元件係陶瓷加熱片。
3. 如申請專利範圍第1項所述的核酸擴增反應機構，其中該至少兩個加熱元件之一者係內嵌於該核酸擴增反應槽座中。
4. 如申請專利範圍第1項所述的核酸擴增反應機構，其中該至少兩個加熱元件之間具有一第一傳導片。
5. 如申請專利範圍第4項所述的核酸擴增反應機構，其中該第一傳導片的材質為金屬。
6. 如申請專利範圍第1項所述的核酸擴增反應機構，其中該至少兩個加熱元件之一者與該熱電致冷晶片之間具有一第二傳導片。
7. 如申請專利範圍第6項所述的核酸擴增反應機構，其中該第二傳導片的材質為金屬。
8. 如申請專利範圍第1項所述的核酸擴增反應機構，其中該核酸擴增反應槽座為具有4至96孔中之一者的槽座。
9. 如申請專利範圍第1項所述的核酸擴增反應機構，更包括： 一風扇，該風扇係與該散熱片連接。
10. 如申請專利範圍第1項所述的核酸擴增反應機構，其中該至少兩個散熱元件以及該熱電致冷晶片係與一控制器電性連接。

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