KR20210038606A - 유기금속 화합물 - Google Patents
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- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 title 1
- -1 allyl cobalt complex Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 24
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 18
- 150000004700 cobalt complex Chemical class 0.000 claims description 17
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 150000002895 organic esters Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 13
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 11
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910018598 Si-Co Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910008453 Si—Co Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PRAKJMSDJKAYCZ-UHFFFAOYSA-N squalane Chemical compound CC(C)CCCC(C)CCCC(C)CCCCC(C)CCCC(C)CCCC(C)C PRAKJMSDJKAYCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 claims description 3
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N heptanoic acid Chemical group CCCCCCC(O)=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N n-Triacontane Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 229940032094 squalane Drugs 0.000 claims description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- AQRLNPVMDITEJU-UHFFFAOYSA-N triethylsilane Chemical compound CC[SiH](CC)CC AQRLNPVMDITEJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 6
- CVCIUEMIEUYWPU-UHFFFAOYSA-N [Co].CC[Si](CC)CC Chemical compound [Co].CC[Si](CC)CC CVCIUEMIEUYWPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- NDJKXXJCMXVBJW-UHFFFAOYSA-N heptadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC NDJKXXJCMXVBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LQERIDTXQFOHKA-UHFFFAOYSA-N nonadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC LQERIDTXQFOHKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N octadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N pentadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- SJWKGDGUQTWDRV-UHFFFAOYSA-N 2-Propenyl heptanoate Chemical compound CCCCCCC(=O)OCC=C SJWKGDGUQTWDRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M benzyl(triethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC1=CC=CC=C1 HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- UMYVESYOFCWRIW-UHFFFAOYSA-N cobalt;methanone Chemical compound O=C=[Co] UMYVESYOFCWRIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- MQIKJSYMMJWAMP-UHFFFAOYSA-N dicobalt octacarbonyl Chemical group [Co+2].[Co+2].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] MQIKJSYMMJWAMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229940038384 octadecane Drugs 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- BMQOPLQIXUYINH-UHFFFAOYSA-N 10-ethyl-2,6,10,13,17,21-hexamethyldocosane Chemical compound CC(C)CCCC(C)CCCC(C)(CC)CCC(C)CCCC(C)CCCC(C)C BMQOPLQIXUYINH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- BHELZAPQIKSEDF-UHFFFAOYSA-N allyl bromide Chemical compound BrCC=C BHELZAPQIKSEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIOWANYIHSOXQY-UHFFFAOYSA-N cobalt silicon Chemical compound [Si].[Co] AIOWANYIHSOXQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- HVAMZGADVCBITI-UHFFFAOYSA-M pent-4-enoate Chemical compound [O-]C(=O)CCC=C HVAMZGADVCBITI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003444 phase transfer catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000013014 purified material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001577 simple distillation Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- QXTIBZLKQPJVII-UHFFFAOYSA-N triethylsilicon Chemical compound CC[Si](CC)CC QXTIBZLKQPJVII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
본 특허 출원은 신규한 알릴 코발트 착물, 이의 제조 방법 및 기상 증착에 대한 이의 용도에 관한 것이다.
Description
가까운 과거에, 일반식이 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3] 또는 [Co(η3-알릴-R1)(CO)3], 특히 [Co(η3-C3H5)(CO)3]인 알릴-코발트 착물 및 이의 제조 방법에 대한 관심이 증가하였다.
문헌 [Chatani et al, Tetrahedron Letters 24, (1983), 5649-5652]은 용매로서의 벤젠 중에서 코발트 옥타카르보닐(Co2(CO)8)과 트리메틸실란의 반응 및 알릴 아세테이트와의 후속 반응에 의한 (η3-알릴)Co(CO)3의 합성을 보여준다. Chatani는 제1 단계의 수율을 85%로, 제2 단계의 알릴 아세테이트 관련 수율을 52%로 나타낸다. 이러한 합성의 최적화에서, 두 단계에 걸친 이러한 공정의 코발트 관련 전체 수율은 25% 이하인 것으로 밝혀졌다.
KR 101587509는 상 전이 촉매로서의 벤질트리에틸암모늄 클로라이드의 존재 하에 에테르 용액 중의 코발트 옥타카르보닐(Co2(CO)8)과 수성 수산화나트륨의 반응 및 알릴 브로마이드의 후속 첨가에 의한 (η3-알릴)Co(CO)3의 합성을 기술한다. 이어서 유기상을 분리, 건조하고 용매를 제거한 후 반응 생성물을 증류로 정제하며, 두 단계에 걸쳐 반응 생성물은 38%의 코발트 관련 전체 수율로 얻어진다.
본 발명의 목적은 수율이 개선된, 일반식이 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3] 또는 [Co(η3-알릴-R1)(CO)3], 특히 [Co(η3-C3H5)(CO)3]인 알릴-코발트 착물의 제조 방법을 제공하는 것이다.
놀랍게도, 이러한 과제는 하기 단계를 포함하는, 일반식이 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3] 또는 [Co(η3-알릴-R1)(CO)3]인 알릴-코발트 착물의 제조 방법에 의해 해결된다:
a. 코발트 옥타카르보닐(Co2(CO)8)과 화학식 (R2)3Si-H의 트리알킬히드로실란의 일반식 [(R2)3Si-Co(CO)4]의 코발트 착물로의 반응;
b. 일반식이 [(R2)3Si-Co(CO)4]인 형성된 코발트 착물과 일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x(X = 1, 2 또는 3)인 유기 에스테르가 반응하여 코발트 착물 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3] 형성.
선택적인 단계 c에서, 반응 생성물, 즉 일반식이 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3] 또는 [Co(η3-알릴-R1)(CO)3]인 알릴 코발트 착물은 특히 증류에 의해 반응 혼합물로부터 분리될 수 있다. 이러한 경우에, 유리한 점은 분별 증류가 필요하지 않으며 따라서 반응 생성물의 매우 간단한 분리가 가능하다는 것이다.
R1 및 R2는 독립적으로 수소 또는 알킬을 나타낸다.
R1은 특히 수소, C1 내지 C5 알킬 및 C1 내지 C5 시클로알킬을 나타낼 수 있으며, 특히 H, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, tert-부틸, 시클로부틸 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
이러한 경우에 R2는 특히 수소 및 C1 내지 C5 알킬을 나타낼 수 있으며, 특히 H, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
R3은 알킬, 시클로알킬 또는 아릴이며 특히 C1 내지 C8 알킬 또는 시클로알킬로 치환되거나 축합될 수 있는 C3 내지 C10 알킬, 시클로알킬 또는 아릴일 수 있다. 특히, R3은 헥실, 헵틸, 옥틸, 시클로헥실, 시클로옥틸, 페닐, 4-톨루일, 2-시클로헥실에틸 또는 이들의 조합으로부터 선택될 수 있다.
일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x인 유기 에스테르는 x = 1, 2 또는 3인 화합물일 수 있다. 특히, x는 1 또는 2일 수 있다. 특히 R3이 방향족 화합물 또는 시클로알킬인 경우, x는 2 또는 3, 유리하게는 2일 수 있다. R3이 알킬인 경우, x는 유리하게는 1이다. 특정 실시양태에서, 일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x인 유기 에스테르는 C6H13CO2-알릴-R1 유형의 헵타노에이트이고, 여기에서 R1은 상기 정의된 바와 같고, 특히 R1 = H, 메틸, 에틸, 이소프로필 또는 tert-부틸이다.
단계 a에서, 코발트 옥타카르보닐(Co2(CO)8)이 먼저 첨가되고 화학식이 (R2)3Si-H인 트리알킬히드로실란이 서서히 첨가되는 것이 성공적이라고 입증되었으며, 트리에틸히드로실란, 즉 R2가 에틸인 화합물로 우수한 결과를 달성할 수 있다. 이는 발열 반응이기 때문에, 반응 온도는, 반드시 이에 의해서는 아니지만, 트리알킬히드로실란의 첨가 속도에 의해 조절될 수도 있다.
트리알킬히드로실란은 코발트 옥타카르보닐(Co2(CO)8)에 대한 등몰비로 먼저 첨가될 수 있다. 트리알킬히드로실란, 특히 트리에틸히드로실란의 1.01 내지 1.3, 특히 1.02 내지 1.2 또는 1.04 내지 1.1 당량의 약간의 과잉으로 우수한 결과가 얻어진다. 이러한 단계에서 수율은 일반적으로 95 내지 98%이다.
적합한 용매는 일반적으로 분지형 또는 비분지형 알칸, 에테르 또는 방향족 화합물, 특히 5개 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 것이다. 이는 예를 들어 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 벤젠, 톨루엔, 디에틸 에테르, 디이소프로필 에테르, 테트라히드로퓨란, 디옥산 또는 이들의 조합과 같은 용매를 포함한다. 특히 헵탄으로 우수한 결과를 달성할 수 있다.
반응 온도는 일반적으로 실온, 즉 약 15℃ 내지 55℃ 또는 20℃ 내지 40℃, 특히 20 내지 25℃이다. 따라서 첨가 속도 및 이에 따른 반응 시간은 원하는 반응 온도에 따라 다르다. 2 내지 8, 특히 3 내지 5 또는 2.5 내지 4.5시간이 일반적으로 적합하다.
이어서, 반응 혼합물은 반응 온도보다 높거나, 낮거나, 반응 온도와 같을 수 있는 약 15℃ 내지 30℃, 보다 바람직하게는 20 내지 25℃의 온도로 유지될 수 있다. 이러한 온도에서 6 내지 24시간, 특히 8 내지 18시간 또는 6 내지 12시간 동안 교반이 수행될 수 있다. 가스 발생이 더 이상 일어나지 않는다는 사실로 반응 종료를 용이하게 감지할 수 있다.
그 후 용매 및 임의로 과잉 실란은 제거될 수 있다. 이는 예를 들어 증류에 의해 달성될 수 있으며, 경우에 따라, 더 낮은 온도에서 증류할 수 있게 하기 위해 적합한 음압이 가해질 수 있다. 보통, 증류에서는 100 mbar 미만의 압력이 충분하고; 15 내지 70 mbar 또는 25 내지 50 mbar 범위의 압력이 효과적인 것으로 입증되었다. 일반적으로, 30℃ 내지 70℃, 특히 40℃ 내지 50℃의 온도가 효과적인 것으로 입증되었다.
온도 및 압력은 증류될 물질의 비점, 및 물질의 적당한 분리를 달성하기 위한 바람직한 온도로부터 당업자에게 명백하다. 이렇게 얻어진 일반식이 [(R2)3Si-Co(CO)4]인 코발트 착물은 하기 공정 단계에서 추가로 반응할 수 있다.
일반식이 [(R2)3Si-Co(CO)4]인 형성된 코발트 착물과, 일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x(x = 1, 2 또는 3이고 R1 및 R3은 앞서 정의된 바와 같음)인 유기 에스테르의 반응은 단계 b에서 일어난다.
일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x인 유기 에스테르는 바람직하게는 일반식이 [(R2)3Si-Co(CO)4]인 코발트 착물에 대하여 적어도 등몰로 사용되지만, 과잉으로 사용될 수도 있으며, 1.1 내지 2 몰 과잉이 충분하고 훨씬 더 큰 과잉도 해롭지 않다.
반응에서, 대기압에서 비점이 약 200℃보다 큰 용매가 사용될 수 있다. 예를 들어, 장쇄 지방족 탄화수소, 특히 14개 초과의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 비분지형 알칸으로 우수한 결과를 달성할 수 있으며, 주로 19개 이하의 탄소 원자를 갖는 것이 성공적이라고 입증되었다. 예를 들어, 적합한 용매는 테트라데칸, 펜타데칸, 헥사데칸, 헵타데칸, 옥타데칸, 노나데칸이지만, 특히 실온에서 또는 적어도 반응 온도에서 액체인 경우, 보트리오코칸(botryococcane) 및 2,6,10,15,19,23-헥사메틸테트라코산(스쿠알란)과 같은 19개 초과, 예컨대 34개 이하의 탄소 원자를 갖는 알칸을 사용할 수도 있다. 따라서, 예를 들어, 적합한 용매는 테트라데칸, 펜타데칸, 헥사데칸, 헵타데칸, 옥타데칸, 노나데칸, 보트리오코칸, 2,6,10,15,19,23-헥사메틸테트라코산(스쿠알란) 및 이들의 조합이다.
특정 실시양태에서, 일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x인 유기 에스테르를 용매로 사용할 수도 있으며, 단, 이의 비점은 대략 200℃ 초과이다. 특히, C6H13CO2-알릴-R1 유형의 헵타노에이트가 성공적인 것으로 입증되었으며, 특히 R1은 C1 내지 C5 알킬 및 C3 내지 C5 시클로알킬을 나타낼 수 있고, 특히 H, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, tert-부틸, 시클로부틸 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
원칙적으로, 반응물, 일반식이 [(R2)3Si-Co(CO)4]인 코발트 착물 및 일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x인 유기 에스테르의 첨가 순서는 중요하지 않다. 먼저 코발트 착물을 첨가하고, 임의로 용매를 첨가하고, 적절한 교반 시간 후, 코발트 착물이 용해되거나 균질한 현탁액이 형성되면 유기 에스테르를 서서히 첨가하는 것이 성공적이라고 입증되었다. 반응 온도는 약 20℃ 내지 90℃, 특히 40℃ 내지 80℃ 또는 60℃ 내지 80℃이다. 65℃ 내지 75℃에서 우수한 결과를 얻을 수 있다. 상기 반응은 발열 반응이기 때문에, 일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x인 에스테르를 첨가함으로써 가열을 수행할 수 있지만, 반응 온도로 예열함으로써 공정 수행을 가속할 수 있다. 반응 온도를 예를 들어 ±5℃ 이하로 과도하게 변하지 않도록 하거나, 온도를 가열에 의해 실질적으로 일정하게 유지하도록 첨가 속도를 선택할 수 있다. 첨가가 끝나면, 교반으로 반응 온도를 유지하여 반응을 완료할 수 있으며, 일반적으로 1 내지 8시간 이하, 특히 1.5 내지 5시간 또는 2 내지 4시간이면 충분하다. 가스 발생이 더 이상 일어나지 않는다는 사실로 반응 종료를 용이하게 감지할 수 있다. 이러한 단계에서, 원하는 반응 생성물은 가장 가벼운 휘발성 화합물이기 때문에, 이는 간단히 증류된다. 일반적으로, 25 mbar 미만의 압력에서 60℃ 내지 100℃의 증류 온도가 성공적이라고 입증되었다. 60℃ 내지 80℃의 온도 및 10 bar 미만의 압력에서 우수한 결과를 달성할 수 있으며, 경우에 따라, 일정한 온도에서 압력을 연속적으로 낮출 수 있다. 컨덴서는 60℃ 미만, 예컨대 15℃ 내지 50℃, 또는 20℃ 내지 45℃의 온도로 냉각될 수 있다.
일반식이 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3] 또는 [Co(η3-알릴-R1)(CO)3]인 알릴-코발트 착물의 제조 방법은 단일 포트(pot) 반응으로 수행될 수도 있다. 이를 위해, 단계 a를 완료한 후, 용매 및 과잉 트리알킬히드로실란은 증류될 수 있고, 그 후 단계 b의 용매 및 일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x인 유기 에스테르가 첨가될 수 있다.
이러한 실시양태의 단순화된 구성에서, 용매 및 과잉 트리알킬히드로실란의 증류는 생략되고 대신에 일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x인 유기 에스테르 및 임의로 용매를 첨가한다. 이는 일반적으로 유리하지만, 특히 일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x인 유기 에스테르를 용매로 사용하는 공정에서 유리하다. 이러한 공정 변형에서, 단계 b를 수행한 후 단계 1의 과잉 트리알킬히드로실란 및 용매가 반응 혼합물 중에 여전히 존재하기 때문에, 최종 생성물의 비점에 따라 분별 증류가 필요하다. 반면에, 단계 a에서 생성물을 단리시킬 때, 또는 적어도 단계 a의 완료 후 용매 및 트리알킬히드로실란을 제거한 후, 단계 a의 완료 후의 분별 증류는 종종 생략될 수 있고 최종 생성물은 단순 증류에 의해 회수된다.
실시예
실시예 1 - 단계 a: 디코발트 옥타카르보닐과 트리에틸실란의 트리에틸실릴 코발트 테트라카르보닐로의 반응
KPG 교반기, 내부 온도 조절용 온도 센서, 가스 보상이 없는 적하 깔때기 및 압력 릴리프 밸브를 구비한 집중 냉각기가 장착된 4 리터 4구 유리 플라스크에, 638 g의 디코발트 옥타카르보닐(1.86 mol, 1.00 당량)을 넣고 1.00 리터의 헵탄으로 슬러리화한다. 수조로 반응 플라스크를 20±4℃로 유지시킨다. 반응 혼합물을 300 rpm으로 교반한다. 이어서 467 g의 트리에틸실란(4.02 mol, 2.15 당량)을 4시간에 걸쳐 적하 첨가하고, 이 경우 내부 온도가 20±4℃ 범위에 있는지 확인한다. 첨가가 끝난 후, 트리에틸실란 용기를 100 mL의 헵탄으로 린싱하고 헵탄/트리에틸실란 혼합물을 반응 혼합물에 첨가한다. 반응 혼합물을 실온에서 밤새 교반한다. 다음 날, 헵탄 용매 및 과잉 트리에틸실란을 50℃의 내부 온도 및 30 mbar의 압력에서 반응 혼합물로부터 증류한다. 증류액 스트림이 건조되기 시작하면, 압력을 18 mbar의 최종 압력으로 연속적으로 감소시킨다. 생성물은 반응 플라스크에 남아있다. 단리된 양: 1,095 g.
생성물을 정제 단계에 적용할 수 있다:
이러한 목적을 위해, 생성물을 동적 진공에서 응축시킨다. 내부 온도는 50℃이고, 컨덴서는 0℃로 냉각되고, 진공은 1×10-3 mbar 미만이다. 573 g의 미정제 생성물로 534 g의 정제된 물질을 수득한다.
실시예 2 - 단계 b: 트리에틸실릴 코발트 테트라카르보닐과 알릴 헵타노에이트의 [Co(η3-C3H5)(CO)3]으로의 반응
자기 교반 코어, 압력 릴리프 밸브를 구비한 집중 냉각기, 가스 보상이 없는 적하 깔때기, 내부 온도 조절용 온도 센서 및 증류 브릿지와 컨덴서가 결합된 증류 컬럼이 장착된 4 리터 4구 유리 플라스크 내에, 400 g의 정제된 트리에틸실릴 코발트 테트라카르보닐(1.40 mol, 1.00 당량)을 넣는다. 상기 시스템은 불활성화 될 수 있으며 또한 컨덴서를 통해 배출될 수 있다. 집중 냉각기 및 증류 브릿지를 -10℃로 냉각시킨다. 반응의 제1 파트에 대하여, 방출된 가스를 압력 릴리프 밸브를 구비한 집중 냉각기를 통해 배출시킨다. 반응 혼합물을 300 rpm으로 교반하고, 70℃의 내부 온도로 가열하고, 이 온도에서 263 g의 알릴 헵타노에이트(1.54 mol, 1.10 당량)를 적하 첨가한다. 이는 70분 이내에 이루어지며, 이 경우 내부 온도를 70±5℃로 유지하는 방식으로 적하 속도를 조절한다. 첨가가 종료된 후, 추가의 가스 발생이 관찰되지 않을 때까지 반응 혼합물을 70℃에서 추가로 3시간 동안 교반한다. 반응의 제2 파트는 미정제 생성물의 증류로 이루어진다. 컨덴서를 약 -40℃로 냉각시키고, 300 rpm으로 교반하면서, 70℃의 섬프(sump) 온도에서 컨덴서를 통해 장치에 진공을 천천히 적용한다. 29 mbar의 압력에서, 생성물이 증류되기 시작한다. 증류 스트림이 침전되는 경향이 있을 때, 압력을 7 mbar로 연속적으로 감소시킨다. 이로써 99 m%의 순도로 236 g의 미정제 생성물(1.29 mol, 92%)을 수득한다.
미정제 생성물을 미세 증류로 정제할 수 있다:
Vigreux 컬럼을 통한 40℃의 내부 온도 및 10 mbar의 압력에서의 증류로 99 m% 초과의 [Co(η3-C3H5)(CO)3] 순도를 갖는 92%의 생성물을 수득한다.
실시예 3 - 단계 b: 트리에틸실릴 코발트 테트라카르보닐과 디알릴 프탈레이트의 [Co(η3-C3H5)(CO)3]로의 반응.
자기 교반 코어, 압력 릴리프 밸브를 구비한 집중 냉각기, 가스 보상이 없는 적하 깔때기, 내부 온도 조절용 온도 센서 및 리시버를 구비한 증류 브릿지가 장착된 500 ml 4구 유리 플라스크 내에, 100 g의 정제된 트리에틸실릴 코발트 테트라카르보닐(0.35 mol, 1.00 당량)을 넣는다. 상기 시스템은 배출될 수 있고 불활성화될 수 있다. 증류 브릿지를 -25℃로 냉각시킨다. 트리에틸실릴 코발트 테트라카르보닐을 300 rpm으로 교반하고, 70℃의 내부 온도로 가열하고 이 온도에서 47.8 g의 디알릴 프탈레이트(0.19 mol, 0.55 당량)를 적하 첨가한다. 이러한 첨가는 70분 이내에 이루어지며 내부 온도가 70±5℃가 되는 방식으로 적하 속도를 조절한다. 첨가 후, 더 이상의 가스 발생이 관찰되지 않을 때까지 반응 혼합물을 70℃의 내부 온도에서 추가로 3시간 동안 교반한다.
반응의 제2 파트는 미정제 생성물의 증류로 이루어진다. 리시버를 약 -40℃로 냉각시키고, 반응 혼합물을 70℃의 온도에서 300 rpm으로 교반하면서 리시버를 통해 장치를 천천히 비운다. 30 밀리바의 압력에서 생성물이 증류되기 시작한다. 증류액의 흐름이 고갈되려고 할 때, 10 밀리바의 최종 압력으로 압력을 추가로 연속적으로 감소시킨다. 순도가 99% 초과인 60.3 g의 미정제 생성물(0.33 mol, 94%)을 얻는다.
Claims (18)
- 일반식이 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3] 또는 [Co(η3-알릴-R1)(CO)3]인 알릴-코발트 착물의 제조 방법으로서, 상기 방법은
a. 코발트 옥타카르보닐(Co2(CO)8)과 (R2)3Si-H 형태의 트리알킬히드로실란을 일반식이 [(R2)3Si-Co(CO)4]인 코발트 착물로 반응시키는 단계;
b. 일반식이 [(R2)3Si-Co(CO)4]인 형성된 코발트 착물과 일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x인 유기 에스테르를 코발트 착물 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3]로 반응시키는 단계로서, X = 1, 2 또는 3인 단계
를 포함하고, 여기에서 R1 및 R2는 독립적으로 수소 또는 알킬이고 R3은 알킬, 시클로알킬 또는 아릴인 제조 방법. - 제1항에 있어서, R1은 H, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, tert-부틸, 시클로부틸 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, R2는 H, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 제조 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, R3은 C1 내지 C8 알킬 또는 시클로알킬로 치환되거나 축합될 수 있는 C3 내지 C10 알킬, 시클로알킬 또는 아릴인 제조 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, R3은 헥실, 헵틸, 옥틸, 시클로헥실, 시클로옥틸, 페닐, 2-시클로헥실에틸 또는 이들의 조합으로부터 선택되는 것인 제조 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x인 유기 에스테르는 C6H13CO2-알릴-R1 유형의 헵타노에이트인 제조 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 b에서, 대기압에서의 비점이 200℃ 초과인 용매를 사용하는 것인 제조 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 일반식이 R3-(CO2-알릴-R1)x인 유기 에스테르 또는 스쿠알란을, 대기압에서의 비점이 200℃ 초과인 용매로 사용하는 것인 제조 방법.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 a에서의 반응 온도는 20℃ 내지 55℃, 또는 25℃ 내지 30℃인 제조 방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 a에서 5개 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 비분지형 알칸, 에테르 또는 방향족 화합물을 용매로 사용하는 것인 제조 방법.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 a에서 사용하는 용매는 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 벤젠, 톨루엔, 디에틸 에테르, 디이소프로필 에테르, 테트라히드로퓨란, 디옥산 또는 이들의 조합인 제조 방법.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 코발트 착물 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3]을 단일 포트(pot) 방법으로 제조하는 것인 제조 방법.
- 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 코발트 착물 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3]을 단일 포트 방법으로 제조하며, 단계 a에서 용매를 사용하고 단계 b를 수행하기 전 상기 용매를 제거하는 것인 제조 방법.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 c에서 코발트 착물 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3]을 반응 혼합물로부터 분리하는 것인 제조 방법.
- 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 c에서 증류로 코발트 착물 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3]을 반응 혼합물로부터 분리하는 것인 제조 방법.
- - 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른, 일반식이 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3] 또는 [Co(η3-알릴-R1)(CO)3]인 알릴-코발트 착물을 제공하는 단계;
- 코발트 함유 층의 기상 증착 방법에서 일반식이 [Co(η3-C3H4-R1)(CO)3] 또는 [Co(η3-알릴-R1)(CO)3]인 상기 알릴-코발트 착물을 이용하는 단계
를 포함하는 코발트 함유 층의 기상 증착 방법. - 제16항에 있어서, 증착은 열 분해에 의한 것인 방법.
- 제16항 또는 제17항에 있어서, ALD(원자층 증착) 또는 CVD(화학 기상 증착) 방법인 방법.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP18186140.2A EP3599242A1 (de) | 2018-07-27 | 2018-07-27 | Metallorganische verbindungen |
| EP18186140.2 | 2018-07-27 | ||
| DE102018127836.5A DE102018127836A1 (de) | 2018-11-07 | 2018-11-07 | Metallorganische Verbindungen |
| DE102018127836.5 | 2018-11-07 | ||
| PCT/EP2019/070208 WO2020021080A1 (en) | 2018-07-27 | 2019-07-26 | Organometallic compounds |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210038606A true KR20210038606A (ko) | 2021-04-07 |
Family
ID=67383787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020217005441A KR20210038606A (ko) | 2018-07-27 | 2019-07-26 | 유기금속 화합물 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210371442A1 (ko) |
| EP (1) | EP3830098B1 (ko) |
| JP (1) | JP2021531240A (ko) |
| KR (1) | KR20210038606A (ko) |
| CN (1) | CN112292384A (ko) |
| TW (1) | TW202007694A (ko) |
| WO (1) | WO2020021080A1 (ko) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101680085B (zh) * | 2007-05-21 | 2012-12-05 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 用于半导体领域的钴前体 |
| US20090203928A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-08-13 | Thompson David M | Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof |
| EP3150614B1 (en) * | 2009-08-07 | 2017-11-29 | Sigma-Aldrich Co. LLC | High molecular weight alkyl-allyl cobalttricarbonyl complexes and use thereof for preparing dielectric thin films |
| WO2013015947A2 (en) * | 2011-07-22 | 2013-01-31 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Heteroleptic (allyl)(pyrroles-2-aldiminate) metal-containing precursors, their synthesis and vapor deposition thereof to deposit metal-containing films |
| KR101587509B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2016-01-22 | (주)디엔에프 | 코발트 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 코발트 함유 박막 |
-
2019
- 2019-07-26 EP EP19742244.7A patent/EP3830098B1/en active Active
- 2019-07-26 TW TW108126575A patent/TW202007694A/zh unknown
- 2019-07-26 CN CN201980038445.XA patent/CN112292384A/zh active Pending
- 2019-07-26 WO PCT/EP2019/070208 patent/WO2020021080A1/en unknown
- 2019-07-26 KR KR1020217005441A patent/KR20210038606A/ko active Search and Examination
- 2019-07-26 JP JP2020567119A patent/JP2021531240A/ja active Pending
- 2019-07-26 US US17/263,700 patent/US20210371442A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2021531240A (ja) | 2021-11-18 |
| TW202007694A (zh) | 2020-02-16 |
| EP3830098A1 (en) | 2021-06-09 |
| CN112292384A (zh) | 2021-01-29 |
| WO2020021080A1 (en) | 2020-01-30 |
| EP3830098B1 (en) | 2023-06-28 |
| US20210371442A1 (en) | 2021-12-02 |
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| A201 | Request for examination |