KR20210029218A - 키랄 액정 구조로 인한 밴드-에지 향상된 광 방출을 갖는 발광 전기화학 전지 - Google Patents
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Abstract
키랄 액정 물질을 포함하는 발광 전기화학 전지 디바이스. 상기 디바이스의 키랄 액정 물질 혼합물은 전해질 및 발광 물질 둘 다로서 기능한다. 상기 키랄 액정 물질 혼합물은 또한, 광자 결정 구조를 형성하여 광자 저지 밴드를 생성한다. 상기 광자 저지 밴드의 존재는 상기 발광 전기화학 전지 디바이스가 개선된 에너지 효율로 광을 방출할 수 있게 한다.
Description
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은, 35 U.S.C. § 119(e) 하에, 2018년 6월 29일에 출원된 미국 가특허출원 제62/691,865호의 선출원일에 대한 이익을 주장하며, 상기 가특허출원의 개시 내용은 인용에 의해 본원에 포함된다.
발광 전기화학 전지(LEC)는 유기 물질 또는 유기금속 물질의 전계 발광에 기반하는 발광 디바이스이다. LEC 및 유기 발광 다이오드(OLED)는 둘 다, 2개의 전극들 사이에 샌드위치된(sandwiched) 하나 이상의 유기 물질 층으로 구성된다. LEC 및 유기 발광 다이오드(OLED) 둘 사이의 차이점은, OLED에서는 전자 캐리어 및 홀 전하 캐리어가 디바이스의 외부에서 발생되어 캐소드 또는 애노드를 통해 유기 물질 내로 주입되는 반면, LEC에서는 이온 전하 캐리어가 전자와의 반응에 의해 또는 전자 손실에 의해 전극에서 발생되고, 이때 이들 이온 전하 캐리어가 디바이스를 가로지른다. 최초로 생산된 LEC는 중합체성 발광 물질(일반적으로 OLED에 사용되는 것과 매우 유사함) 및 고체 전해질로 구성된 유기 층을 가지고 있었다(참조: Q.B.Pei, et al., Science 269, 1086-1088 (1995)).
[도면의 간단한 설명]
도 1은 발광 물질 및 전해질 둘 다로서 작용하는 선행 기술의 이온성 전이 금속 착물을 도시한다.
도 2는 본 발명의 발광 전기화학 전지를 도시한다.
도 3은 전해질 및 발광 물질로서 기능하는 루테늄 II 함유 이온성 전이 금속 착물의 일반적인 화학 구조를 도시한다.
도 4는 도 3의 루테늄 II 착물들 중 일부의 보다 구체적인 구조를 도시한다.
본 발명에 따른 양태들은 키랄 네마틱 액정 구조를 갖는 유기 층을 포함하며, 액정 중합체 매트릭스 내의 사용되는 다량의 전해질들의 혼합물은 이러한 목적을 좌절시킬 것처럼 여겨질 것이다. LEC에서는 전극들 사이에 유기 물질의 단일 층 또는 유기 물질들의 혼합물의 단일 층만 있기 때문에, IMTC 단독의 사용은, OLED에 비해 상당히 단순화된 것인, 단일 유기 물질을 포함하는 유기 발광 디바이스에 대한 아이디어를 도입하였다. lMTC-기반 디바이스는 또한, 상기 초기의 중합체-기반 LEC보다 더 큰 에너지 효율에 대한 잠재력도 가지고 있었으며, 이는 IMTC가 일중항 발광 중합체와 대조되는 삼중항 발광체(인광 물질)이었기 때문이다. 현재까지 생산된 LEC는, IMTC의 사용에도 불구하고, 광 출력 및 이의 생성시의 에너지 효율 둘 다에서 제한적이었다. 이는 편향자(polaron) 또는 다른 종(species)과 만나 켄칭되기에 충분한 이동성을 가진 유기 층 센터의 이온들의 상호 작용에 의해 생성되는 여기자(exciton)에 상당 부분 기인한다.
발광 전기화학 전지(LEC)(200)의 구조가 도 2에 도시되어 있다. LEC는 광 투과성 물질 또는 광 반사성 물질로 형성될 수 있는 제1 전극(202)을 포함한다. 제1 전극(202)이 광 투과성인 경우, 이는 인듐-주석 산화물, 주석 산화물, 그래핀 또는 일부 다른 적절한 광 투과성 물질로 형성될 수 있다. 제1 전극(202)이 광 반사성인 경우, 이는 알루미늄, 마그네슘/알루미늄 합금 또는 일부 다른 적절한 광 반사성 물질로 형성될 수 있다.
본 발명의 LEC(200)는 제1 전극(202)의 표면 상에 형성된 전도성 액정 정렬층(204)을 추가로 포함한다. 상기 전도성 액정 정렬층(204)은 전하 캐리어를 제1 전극으로부터 키랄 액정 유기 물질 층(208)으로 전도한다. 상기 전도성 액정 정렬층(204)은, 이의 상부 표면(206) 상에 액정 유체(fluid) 물질 층이 형성되는 때에, 상기 전도성 액정 정렬층(204)의 표면에 인접한 액정 유체 물질의 막대형(rod-shaped) 분자들이 균일하게 정렬되고, 상기 액정 유체 물질의 막대형 분자들의 장축들은 모두 동일한 방향으로 배향되고(액정 상에서의 불규칙 열 진동이 허용하는 만큼), 또한 상기 액정 유체 물질의 막대형 분자들의 장축들은 상기 전도성 액정 정렬층(204)의 표면(206)에 평행한 성질을 추가로 갖는다. 상기 전도성 액정 정렬층(204)은, 미국 특허 제9,508,942호에 기재된 것들과 같은 전도성 액정 광 정렬층인 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 폴리스티렌 설포네이트(PEDOT:RSS)의 러빙된(rubbed) 층, 또는 당업계에 공지된 다른 전기전도성 액정 정렬층일 수 있다.
본 발명의 LEC(200)는 키랄 액정 유기 물질 층(208)을 추가로 포함한다. 상기 층은 키랄 액정 구조를 가지며, 여기서, 상기 층 내의 막대형 분자들은 표면(206)에 대해 평행한 이들의 장축을 따라 배향되고, 이들의 장축들의 방향은 층(208)을 통해 위쪽으로 통과하는 나선형 방식으로 트위스팅된다. 이러한 정렬은 막대형 물체들(212)의 정렬에 의해 도식적으로 (그러나 훨씬 확대된 스케일로) 도시된다. 이러한 정렬이 키랄 네마틱 (콜레스테릭이라고도 함) 액정 규칙성(order)을 갖는 층(208)의 물질로부터 생성되는 것이 바람직하다. 층(208)의 물질은 액정 유체일 수 있지만, 물질이 고체인 것이 바람직하다. 물질이 고체인 경우, 이는 키랄 액정 유리일 수 있지만, 물질이, 키랄 액정 유체 전구체 단량체 물질을 포함하는 층을, 키랄 액정 구조가 분자들의 가교결합에 의해 제위치에 갇힌(locked into place) 중합체로 중합하여 형성된 중합체인 것이 더욱 바람직하다. 전구체 단량체의 중합은 방사선에 대한 노출에 의해 수행되는 것이 바람직하고, 상기 방사선이 자외선인 것이 더욱 바람직하다.
LEC(200)는 제2 전극(210)을 추가로 포함한다. 제2 전극(210)은 광 투과성 물질 또는 광 반사성 물질로 형성될 수 있다. 그러나, 제1 전극(204)이 광 반사성 물질로 형성되는 경우, 제2 전극(210)은 광 투과성 물질로 형성되어야 한다. 제2 전극(210)이 광 투과성인 경우, 이는 인듐-주석 산화물, 주석 산화물, 그래핀 또는 일부 다른 적절한 광 투과성 물질로 형성될 수 있다. 제2 전극(210)이 광 반사성인 경우, 이는 알루미늄, 마그네슘/알루미늄 합금 또는 일부 다른 적절한 광 반사성 물질로 형성될 수 있다.
전압 바이어싱(voltage biasing)에 의해, 전위가 LEC(200)를 가로지르는 때에, 전극들(202 및 210) 중 하나는 애노드로 작용하는 한편, 다른 하나는 캐소드로 작용할 것이다. 제1 전극 또는 제2 전극 중 어느 하나는 애노드 또는 캐소드로 작용할 수 있다(도 2에 도시된 예에서, 전극(202)가 애노드로 취해졌고, 전극(210)이 캐소드로 취해졌다). 키랄 액정 유기 물질 층(208)의 물질은 전해질로서 기능한다. 층(208) 내의 분자 종은 애노드(202)에서 양이온으로 산화될 것이고 캐소드(210)에서 음이온으로 환원될 것이다. 캐소드(210)에 인접한 영역(218)의 물질은 음으로 도핑된 것처럼 작용한다. 애노드에 인접한 영역(214)의 물질은 양으로 도핑된 것처럼 작용한다. 층(208)을 가로지르는 전위차가 증가함에 따라, "도핑된" 층은 전극으로부터 층(208)의 센터를 향해 안쪽으로 성장한다. 도핑된 영역은, OLED의 전극과 유사한 방식으로 작용하여, (캐소드(210) 근처의 "도핑된" 물질 영역(218)으로부터) 홀을, 그리고 (애노드(202) 근처의 "도핑된" 물질 영역(214)으로부터) 전자를, 키랄 액정 유기 물질 층(208)의 센터에 있는 영역(216)의 "도핑되지 않은" 물질 내로 주입한다.
키랄 액정 유기 물질 층(208)의 물질은 전해질로 작용할 뿐만 아니라, 전계 발광 물질로도 작용한다. 전자 및 홀이 각각 영역들(218 및 214)로부터 영역(216) 내로 주입되는 경우, 이들은 재결합되어 영역(216)의 센터에 있는 층(208)에서 키랄 액정 유기 물질의 전계 발광 분자 상에 여기자를 형성한다. 이러한 여기자는 붕괴되어 광을 방출한다.
상기 기재한 바와 같이, 키랄 액정 유기 물질 층(208)은 막대형 분자들을 포함하며, 이들은 액정 규칙성으로 인해 나선형 구조로 자발적으로 스스로 정렬된다. 층(208)의 액정 물질은 광학 이방성이며, 막대형 분자의 장축 방향에서 관련 전기장 벡터(associated electric vector)를 갖는 광에 대한 굴절률(ne)이, 막대형 분자의 장축 방향에 대해 수직인 방향들 중 하나에서 관련 전기장 벡터를 갖는 광에 대한 굴절률(no)보다 값이 더 크다. 영역(216)의 센터에서 방출된 광은 층(208)의 나선형 구조와 만나게 되어, 2개의 원편광(우선성(right-handed) 및 좌선성(left-handed)) 구성 요소들로 분해된다. 예를 들면, 층(208)의 나선형 구조가 우선성 나선인 경우, 층(208)의 평면에 대해 수직으로 발광하고, 광의 파장이 다음 식:
λ = nP
(상기 식에서,
λ는 방출된 광의 파장이고,
n = (no + ne)/2이고,
P는 층(208)의 나선형 구조의 피치이다)
으로 주어지는 우선성 원편광 광의 관련 전기장 벡터는 굴절률이 일정한 값(constant value)인 매질과 만나게 된다. 이는 우선성 원편광 광의 전기장 벡터가, 상기 벡터가 만나는 나선형 구조와 동시에 회전하기 때문이다. 다른 한편으로, 층(208)의 평면에 대해 수직으로 발광되는 동일한 파장의 좌선성 원편광 광은, 굴절률이 ne와 no 사이에서 주기적으로 진동하는 매질을 만날 것이다. 상기 매질은 좌선성 원편광 광에 대한 광자 결정으로서 작용한다. 이러한 광자 결정의 성질은, 광자 결정의 발광 물질이, 스펙트럼 폭 Δλ = λΔn/n(여기서, Δn = no - ne임)인 파장 밴드("저지 밴드(stop band)")에서 광을 방출하지 못하게 하는 것(광 전파에 대한 파동 방정식에 대한 해가 없음)이다. 그러나, 광은 밴드의 에지(edge)에서 진공에서보다 훨씬 더 높은 강도로 방출될 수 있다. 또한, 밴드 에지에서 방출된 광이 광자 결정에 연행(entrained)되거나 포획(trapped)되어 광자 결정의 센터에 광자 밀도가 축적되는 경우도 있다.
디바이스(200)에서의 광자 결정 구조의 효과에 대한 상기 설명으로부터, 영역(216)의 센터의 발광 분자가, 키랄 액정 구조에 의해 형성된 저지 밴드의 밴드 에지에서의 전계 발광을 통해 광을 방출하는 경우, 고밀도의 광자가 영역(216)의 센터에 축적될 것임을 알 수 있다. 광자는 영역(216)에서 형성된 여기자와 상호 작용하여 보다 좌선성으로 원편광된 광의 방출을 유도(stimulate)한다(키랄 액정 유기 물질 층(208)의 나선형 구조가 좌선성 나선을 자발적으로 형성하는 경우, 보다 우선성으로 원편광된 광의 방출을 유도한다). 좌선성 원편광 유도된 광 방출은 모든 광 방출이 좌선성 원편광되고 유도될 때까지 축적된다. 또한 모든 광 방출은 표면(206)의 평면에 대해 대략 수직인 각도의 좁은 원뿔 형태(tight cone)가 될 것이다. 이는 디바이스(200) 내의 층 계면들(예를 들면, 전극(202)와 전극(210)과 층(208)과의 사이의 층 계면들)에서의 내부 반사로 인한 광 손실을 거의 제거한다.
도 1의 도면부호 100과 유사한 유기금속 전해질들의 사용에 관한 한 가지 쟁점(issue)은, 이들이 삼중항 발광체라는 것이다. 거의 모든 전계 발광 물질에서, 광 방출은, 여기 상태 분자 궤도를 점유하는 전자가, 여기되지 않은 상태로 남아있는 짝을 이루지 않은 전자에 의해 이미 점유된 기저 상태 분자 궤도로 복귀할 때 발생한다. 여기 상태 전자가 기저 상태 분자 궤도의 전자의 스핀 상태와 반대인 스핀 상태를 가지면 이러한 여기 상태를 일중항 상태라고 하고, 이때의 광 방출을 일중항 발광이라고 한다. 여기 상태 전자가 짝을 이루지 않은 기저 상태 전자와 동일한 스핀 상태이면 이러한 여기 상태를 삼중항 상태라고 하고, 이때의 모든 광 방출을 삼중항 발광이라고 한다. 삼중항 상태 전자들의 기저 에너지 상태로의 복귀는 양자역학적으로 금지된다. 그 결과, 대부분의 전계 발광 물질에서는 일중항 발광만 발생한다. 이러한 물질에서의 삼중항 여기 상태의 전자들은 광 방출을 수반하지 않는 메커니즘에 의해 서서히 기저 상태로 복귀한다. 일중항 여기자보다 3배 많은 삼중항 상태 여기자가 존재하기 때문에, 발광 분자들이 일중항 발광 및 삼중항 발광 둘 다에 의해 광을 방출하는 것이 매우 유리하다. 도 1의 트리스(2,2'-비피리딜)루테늄(II) 헥사플루오로포스페이트와 같은 중금속 원자를 함유하는 발광 물질은, 조합된 삼중항 및 일중항 발광체들로서 작용할 수 있으며, 이는, 중금속 원자의 존재가 스핀-궤도 상호 작용을 일으켜, 삼중항 여기 상태 분자 궤도를 교란시키고, 보다 더 짧은 시간 기간에 삼중항 여기자로부터의 광 방출을 유도하기 때문이다. 기저 에너지 상태로 복귀하는 여기 상태 전자에 의해 자신의 에너지를 포기하는 여기자를 포함하는 여러 경쟁 메커니즘이 있다. 여기자로부터의 광 방출이 충분히 짧은 시간 기간 동안 발생하지 않으면, 비-발광(non-light emitting)(비-광방출(non-radiative)) 과정들 중 하나가 우세하게 될 것이다. 중금속 원자의 존재가 삼중항 발광에 필요한 시간을 단축하는 한편, 삼중항 여기자가 LEC에서 형성된 이온 전하 캐리어와 비-광방출 상호 작용을 하고 또한 편향자와 비-광방출 상호 작용을 하기에는 여전히 충분한 시간이 있다. 이러한 비-광방출 상호 작용들은 IMTC 유형 LEC에서의 발광 에너지 효율을 심각하게 제한해 왔다.
이러한 OLED의 나선형 키랄 구조에서의 매우 높은 광자 밀도를 고려하면, 광자-여기자 상호 작용에 의해 유도되는 광 방출이 자발적인 일중항 여기자 광 방출보다 훨씬 더 빠르게 발생한다. 따라서, 상기 유도된 광 방출은, 삼중항 여기자의 중금속-유도된 자발적인 광 방출을 신속하게 "단락(short circuits)"시켜, 삼중항 여기자를 수확(harvesting)하고, 비-광방출 메커니즘에 의한 광 손실을 크게 제한한다. 키랄 밴드 에지 효과를 이용하는 LEC는 통상적인 LEC보다 훨씬 더 에너지 효율적이다.
층(208)에 사용하기 위한 키랄 액정 유기 물질의 예로, 루테늄 II 함유 전해질 및 도 3의 화학식의 구조를 갖는 발광 물질(300)을 사용한다. 도 3의 화학식에서, A는 강성의, 막대형 또는 라스형(lath-shaped) 방향족 모이어티(moiety)이고, S는 가요성 스페이서(spacer)이고, C는 가교결합 그룹(바람직하게는 광 가교결합 그룹)이고, X-는 음으로 하전된 카운터 이온이다. 이러한 유형의 이온성 물질은 LEC 디바이스에서 전해질 및 삼중항 발광체 둘 다의 역할을 할 수 있다. 물질(300)의 전체 구조에 막대형 분자 구조(A) 및 가요성 스페이서(S)를 포함하는 것은, 층(208)에 사용하기 위한 키랄 액정 물질의 제형에, 상기 물질 제형의 키랄 액정 상의 안정성을 바람직하지 않게 감소시키지 않으면서, 많은 퍼센티지의 물질(300)을 포함시킬 수 있음을 의미한다.
루테늄 II 함유 이온성 물질의 보다 구체적인 예는 도 4의 화학식의 구조(400)에 의해 도시된다. 상기 화학식에서, n은 화학식의 구조의 각각의 위치에 대해 n 값이 변경될 수 있는 1 내지 12의 일부 정수이고, m은 3 내지 14의 정수이고, Y는 메타크릴산 그룹, 비닐 에테르 그룹, 말레이미드 그룹, 푸마레이트 그룹, 말레에이트 그룹 또는 일부 다른 적절한 광 가교결합 그룹으로부터 선택될 수 있는 광 가교결합 그룹이다.
도 3 및 도 4에 도시된 것과 같은 구조를 갖는 물질은, 키랄 액정 유기 물질 층(208)의 물질을 구성하기 위한 순수한 물질로 사용시 사용 가능한 온도 범위에 걸쳐 안정한 키랄 액정 상을 가질 가능성이 낮다. 또한, 도 3 및 4에 도시된 물질은 층(208)에서 적절한 피치를 갖는 나선형 구조를 유도하기 위한 키랄 첨가제로서 바람직하게 유용하지는 않을 것이다. 이러한 이유로, 층(208)을 위한 물질 조성물은 추가의 액정 물질, 예를 들면 미국 특허 제6,867,243호에 기재된 바와 같은 다음 화학식의 구조를 갖는 분자를 갖는 물질과 배합(compounded)될 수 있다:
상기 화학식에서,
A는 발색단이고,
S는 가요성 스페이서이고,
B는 광중합에 민감한 말단 그룹이다.
본 발명에서 특히 유용한 물질은 미국 특허 제2017/033290호에 기재된 분자 구조 B-S-A-S-B를 갖는 물질이며, 여기서, 발색단 A는 막대형 또는 라스형이고 다음 구조 단위를 포함한다:
상기 구조 단위에서,
n = 2 내지 10이고,
점선 결합선은 상기 구조 단위를 분자의 나머지 구조에 연결한다.
본 발명에서 특히 유용한 다른 물질은 특허출원 제WO2018/065786호에 기재된 분자 구조 B-S-A-S-B를 갖는 물질이며, 여기서, 발색단 A는 막대형 또는 라스형이고, 다음 구조 단위를 함유한다:
상기 구조 단위에서,
n = 2 내지 10이고,
"X 모이어티는, 수소, 선형 또는 분지형 C1-C8 알킬, 선형 또는 분지형 C1-C8 알콕시 및 할로겐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되고",
점선 결합선은 상기 구조 단위를 분자의 나머지 구조에 연결한다.
층(208)에 사용된 물질이, 광 방출하도록 의도되는 여기자들로부터의 에너지를 비어 있는(empty) 분자 궤도 내로 이동시키고 이에 따라 광 방출을 켄칭하도록 하는 에너지 수준을 갖는 비점유 분자 궤도를 포함하는 분자 궤도 구조를 갖는 분자를 함유하지 않도록 주의해야 한다
키랄 액정 유기 물질 층(208)에 사용되는 물질은 키랄 도펀트도 함유할 수 있다. 특히 유용한 키랄 도펀트는, 상기 기재된 바와 같은 그리고 미국 특허 제6,867,243호 또는 미국 특허출원 제2017/033290호 또는 특허출원 제WO2018/065786호에 기재된 바와 같은 화학식 
의 구조를 갖는 것들 또는 가요성 스페이서들 중 하나 또는 둘 다가 광학 활성 센터를 포함하는 상기 특허문헌들 중 하나 이상으로부터의 구조들의 조합이다.
본원에서 달리 언급되지 않는 경우, 본원에서 논의되거나 언급된 임의의 그리고 모든 특허, 특허 공보, 기사 및 기타 인쇄된 간행물은 이들의 전문이 본원에 언급된 것처럼 인용에 의해 본원에 포함된다.
개시된 양태들에 대한 상기 설명은 모든 당업자가 본 발명을 실시 또는 이용할 수 있도록 제공된다. 이들 양태들에 대한 다양한 개질은 당업자는 용이하게 알 수 있을 것이며, 본원에 개시된 일반적인 원리는 본 발명의 사상 또는 범위를 벗어나지 않고 다른 양태들에 적용될 수 있다. 따라서, 본원에 제시된 설명 및 도면은 본 발명의 가장 바람직한 양태를 나타내며, 따라서 본 발명에 의해 광범위하게 고려되는 주제를 대표하는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 발명의 범위는 당업자에게 명백할 수 있는 다른 양태들을 모두 포함하며, 따라서 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위 이외의 것에 의해 제한되지 않는다는 것이 또한 이해된다.
Claims (19)
- 2개의 전극, 및 물질을 포함하는 층을 포함하는 발광 전기화학 전지로서,
상기 층은 상기 2개의 전극 사이에 배치되고,
상기 층의 물질은 키랄 액정 상을 나타내는, 발광 전기화학 전지. - 제1항에 있어서, 상기 물질이 하나 이상의 유기 물질 또는 유기금속 물질을 포함하는, 발광 전기화학 전지.
- 제2항에 있어서, 상기 물질이 본질적으로(in nature) 이온성인 유기금속 물질을 포함하는, 발광 전기화학 전지.
- 제1항에 있어서, 상기 키랄 액정 상이 키랄 네마틱 액정 상인, 발광 전기화학 전지.
- 제1항에 있어서, 상기 물질이 중합체성 물질을 포함하는, 발광 전기화학 전지.
- 제5항에 있어서, 상기 중합체성 물질이 광중합된, 발광 전기화학 전지.
- 제1항에 있어서, 상기 물질이 유리 상(glass phase)을 포함하는, 발광 전기화학 전지.
- 제1항에 있어서, 상기 2개의 전극 중 적어도 하나가 투명한, 발광 전기화학 전지.
- 제8항에 있어서, 상기 전극들 중 하나가 광 반사성인, 발광 전기화학 전지.
- 제1항에 있어서, 상기 물질이 하나 이상의 전계 발광 물질을 포함하는, 발광 전기화학 전지.
- 제1항에 있어서, 상기 물질이 1차원 광자 결정으로서 작용하는, 발광 전기화학 전지.
- 제11항에 있어서, 상기 물질이, 상기 층에 위치하는 모든 발광 물질의 발광 스펙트럼에서 광자 저지 밴드(stop band)를 나타내는, 발광 전기화학 전지.
- 제12항에 있어서, 상기 층의 발광 물질이 상기 광자 저지 밴드의 에지(edge)의 파장의 광을 방출하는, 발광 전기화학 전지.
- 제13항에 있어서, 상기 물질이 유도 발광(stimulated emission)에 의해 광을 방출하는, 발광 전기화학 전지.
- 제1항에 있어서, 상기 물질이 다음 화학식의 구조를 갖는 분자를 포함하는, 발광 전기화학 전지:
상기 화학식에서,
A는 강성의, 막대형(rod-shaped) 또는 라스형(lath-shaped) 방향족 모이어티(moiety)이고,
S는 가요성 스페이서(spacer)이고,
C는 가교결합 그룹이고,
X-는 음으로 하전된 카운터 이온이다. - 제15항에 있어서, 상기 가교결합 그룹이 광 가교결합 그룹인, 발광 전기화학 전지.
- 제1항에 있어서, 상기 물질이 다음 화학식의 구조를 갖는 분자를 포함하는, 발광 전기화학 전지:
상기 화학식에서,
A는 발색단이고,
S는 가요성 스페이서이고,
B는 광중합에 민감한 말단 그룹이다. - 제17항에 있어서, 상기 물질이 액정 구조를 포함하는, 발광 전기화학 전지.
- 제17항에 있어서, 상기 가요성 스페이서들(S) 중 하나 또는 둘 다가 광학 활성 센터를 포함하는, 발광 전기화학 전지.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |