KR20210024028A - 회로 모듈 및 통신 장치 - Google Patents

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KR20210024028A
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circuit
circuit module
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키요시 아이카와
타카후미 쿠스야마
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

회로 모듈(100)은 주면(111)을 갖는 배선 기판(110)과, 주면(111)에 실장된 복수의 부품(120)을 구비하고, 복수의 부품(120)은 수지 부재(137a 및 137b)에 의해 몰딩됨으로써 1칩화된 적층 부품(130)을 포함하고, 적층 부품(130)은 서로 대향하는 주면(132 및 133)을 갖는 배선 기판(131)과, 주면(132)에 실장된 부품(134)과, 주면(133)에 실장된 부품(135)을 갖는다.

Description

회로 모듈 및 통신 장치
본 발명은 회로 모듈 및 상기 회로 모듈을 구비하는 통신 장치에 관한 것이다.
휴대전화 등의 이동체 통신 기기에서는 특히 멀티밴드화의 진전에 따라 고주파 프런트엔드 회로를 구성하는 회로 소자가 증가하여 프런트엔드 모듈의 소형화를 곤란하게 하고 있다.
특허문헌 1에는 배선 기판과, 배선 기판의 한쪽 주면에 실장된 제 1 부품층과, 배선 기판의 다른쪽 주면에 실장된 제 2 부품층을 구비하는 모듈이 개시되어 있다. 특허문헌 1의 모듈에서는 배선 기판의 양쪽 주면 각각에 부품이 실장됨으로써 부품 실장 밀도가 향상되고, 모듈의 소형화를 실현하고 있다.
국제공개 제2014/017228호
그러나, 특허문헌 1에 개시된 모듈에서는 부품 실장 밀도의 향상에 한계가 있다. 예를 들면, 배선 기판의 한쪽 주면에만 부품 실장이 제한되는 경우에는 배선 기판의 다른쪽 주면에 부품을 실장할 수 없기 때문에 부품 실장 밀도를 향상시킬 수 없다. 또한, 예를 들면 배선 기판의 한쪽 주면에 실장해야 할 부품의 면적이 다른쪽 주면에 실장해야 할 부품의 면적보다 큰 경우에는 다른쪽 주면에 있어서 부품이 실장되지 않는 여백 영역이 발생하여 부품 실장 밀도를 향상시키는 것이 어려워진다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 부품 실장 밀도를 향상시킬 수 있는 회로 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일양태에 의해 회로 모듈은 제 1 주면을 갖는 제 1 배선 기판과, 상기 제 1 주면에 실장된 복수의 제 1 부품을 구비하고, 상기 복수의 제 1 부품은 수지 부재에 의해 몰딩됨으로써 1칩화된 적층 부품을 포함하고, 상기 적층 부품은 서로 대향하는 제 2 주면 및 제 3 주면을 갖는 제 2 배선 기판과, 상기 제 2 주면에 실장된 하나 이상의 제 2 부품과, 상기 제 3 주면에 실장된 하나 이상의 제 3 부품을 갖는다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 부품 실장 밀도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시형태 1에 의한 회로 모듈의 평면도이다.
도 2는 실시형태 1에 의한 회로 모듈의 단면도이다.
도 3a는 실시형태 1에 의한 적층 부품의 평면도이다.
도 3b는 실시형태 1에 의한 적층 부품의 하면도이다.
도 4는 실시형태 1에 의한 적층 부품의 단면도이다.
도 5는 실시형태 1의 변형예에 의한 회로 모듈의 단면도이다.
도 6은 실시형태 1의 변형예에 의한 적층 부품의 단면도이다.
도 7은 실시형태 2에 의한 고주파 모듈 및 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 8a는 실시형태 2에 있어서의 제 1 주파수 대역의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 8b는 실시형태 2에 있어서의 제 2 주파수 대역의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 9a는 실시형태 2에 의한 고주파 모듈의 평면도이다.
도 9b는 실시형태 2에 의한 고주파 모듈의 하면도이다.
도 10은 실시형태 2에 의한 고주파 모듈의 단면도이다.
도 11a는 실시형태 2에 의한 적층 부품의 평면도이다.
도 11b는 실시형태 2에 의한 적층 부품의 하면도이다.
도 12는 실시형태 2에 의한 적층 부품의 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태 및 그 변형예에 대해서 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하에서 설명하는 실시형태 및 그 변형예는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시형태 및 그 변형예에서 나타내어지는 수치, 형상, 재료, 구성요소, 구성요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정하는 주지가 아니다. 이하의 실시형태 및 그 변형예에 있어서의 구성요소 중 독립 청구항에 기재되어 있지 않은 구성요소에 대해서는 임의의 구성요소로서 설명된다. 또한, 도면에 나타내어지는 구성요소의 크기 또는 크기의 비는 반드시 엄밀하지 않다.
또한, 이하의 도면에 있어서 X축 및 Y축은 배선 기판의 주면과 평행한 평면 상에서 서로 직교하는 축이다. 또한, Z축은 배선 기판의 주면에 수직한 축이며, 그 정방향은 상방향을 나타내고, 그 부방향은 하방향을 나타낸다.
(실시형태 1)
실시형태 1에 대해서 도 1~도 4를 참조하면서 구체적으로 설명한다.
[1.1 회로 모듈(100) 내의 부품의 배치 구성]
우선, 실시형태 1에 의한 회로 모듈(100) 내의 부품의 배치 구성에 대해서 도 1 및 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 1은 실시형태 1에 의한 회로 모듈(100)의 평면도이다. 도 2는 실시형태 1에 의한 회로 모듈(100)의 단면도이다. 구체적으로는 도 2는 도 1의 II-II 절단선에 있어서의 회로 모듈(100)의 단면도이다. 또한, 도 1에서는 수지 부재(140)가 없는 상태로 회로 모듈(100)이 나타내어져 있다.
회로 모듈(100)은 예를 들면, LTE(Long Term Evolution), Wi-Fi(등록상표), Bluetooth(등록상표), GPS(Global Positioning System) 등의 무선 프런트엔드 회로에 사용되는 각종 기능 부품을 일체화한 프런트엔드 모듈이다. 또한, 예를 들면 회로 모듈(100)은 RFID(Radio Frequency Identifier) 모듈이어도 좋다. 또한, 본 발명에 의한 회로 모듈은 이들에 한정되지 않는다.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 회로 모듈(100)은 배선 기판(110)과, 복수의 부품(120)과, 수지 부재(140)를 구비한다.
배선 기판(110)은 제 1 배선 기판의 일례이며, 친기판이라고도 불린다. 배선 기판(110)으로서는 예를 들면, 복수의 유전체층의 적층 구조를 갖는 저온 동시 소성 세라믹스(Low Temperature Co-fired Ceramics: LTCC) 기판, 또는 프린트 기판 등이 사용된다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 배선 기판(110)은 직사각형상을 갖는다. 또한, 배선 기판(110)의 형상은 직사각형상에 한정되지 않는다. 배선 기판(110)은 직사각형 이외의 다각형상 또는 타원형상을 가져도 좋다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이 배선 기판(110)은 서로 대향하는 주면(111 및 112)을 갖는다. 주면(111)은 제 1 주면의 일례이다. 주면(112)은 제 4 주면의 일례이다.
복수의 부품(120)은 복수의 제 1 부품의 일례이며, 배선 기판(110)의 주면(111)에 실장된 전자 부품이다. 전자 부품은 회로 소자라고 불리는 경우도 있다. 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 복수의 부품(120)은 적층 부품(130)을 포함한다.
적층 부품(130)은 수지 부재에 의해 몰딩됨으로써 복수의 부품이 1칩화된 전자 부품이다. 적층 부품(130)의 상세에 대해서는 도면을 사용하여 후술한다.
수지 부재(140)는 배선 기판(110)의 주면(111) 및 상기 주면(111)에 실장된 복수의 부품(120)을 덮고 있다. 즉, 회로 모듈(100)은 수지 부재(140)에 의해 몰딩되어 있다. 수지 부재(140)는 복수의 부품(120)의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 수지 부재(140)의 재료는 특별히 한정되지 않고, 종래의 전자 부품용의 몰드 수지가 사용되면 좋다. 또한, 수지 부재(140)는 본 발명에 의한 회로 모듈에 필수 구성요소가 아니다.
[1.2 적층 부품(130) 내의 부품의 배치 구성]
여기서, 적층 부품(130) 내의 부품의 배치 구성에 대해서 도 3a, 도 3b 및 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 3a는 실시형태 1에 의한 적층 부품(130)의 평면도이다. 도 3b는 실시형태 1에 의한 적층 부품(130)의 하면도이다. 도 4는 실시형태 1에 의한 적층 부품(130)의 단면도이다. 구체적으로는 도 4는 도 3a 및 도 3b의 IV-IV 절단선에 있어서의 적층 부품(130)의 단면도이다. 또한, 도 3a 및 도 3b에서는 수지 부재(137a 및 137b)가 없는 상태로 적층 부품(130)이 나타내어져 있다.
도 3a, 도 3b 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 적층 부품(130)은 배선 기판(131)과, 부품(134)과, 부품(135)과, 복수의 주상 전극(136)과, 수지 부재(137a 및 137b)를 구비한다.
배선 기판(131)은 제 2 배선 기판의 일례이며, 자기판(子基板)이라고도 불린다. 배선 기판(131)으로서는 예를 들면, 복수의 유전체층의 적층 구조를 갖는 LTCC 기판, 또는 프린트 기판 등이 사용된다.
도 3a 및 도 3b에 나타내는 바와 같이, 배선 기판(131)은 직사각형상을 갖는다. 또한, 배선 기판(131)의 형상은 직사각형상에 한정되지 않는다. 배선 기판(131)은 직사각형 이외의 다각형상 또는 타원형상을 가져도 좋다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 배선 기판(131)은 서로 대향하는 주면(132 및 133)을 갖는다. 주면(132)은 제 2 주면의 일례이다. 또한, 주면(133)은 제 3 주면의 일례이다.
배선 기판(131)의 주면(133)은 배선 기판(110)의 주면(111)과 대향하고 있다. 여기서는 배선 기판(131)은 배선 기판(110)과 평행하게 배치되어 있다. 또한, 배선 기판(131)은 배선 기판(110)과 엄밀하게 평행하게 배치되어 있지 않아도 좋고, 배선 기판(110)에 대하여 약간 경사져 있어도 좋다.
배선 기판(131)은 주면과 평행한 서로 상이한 평면에 형성된 제 1 평면 배선 패턴(131a), 제 2 평면 배선 패턴(131b) 및 평면 그라운드 패턴(131c)을 갖는다. 제 1 평면 배선 패턴(131a)은 주면(132)에 실장된 부품(134)을 위한 배선 패턴이며, 주면(132)측에 배치되어 있다. 제 2 평면 배선 패턴(131b)은 주면(133)에 실장된 부품(135)을 위한 배선 패턴이며, 주면(133)측에 배치되어 있다. 평면 그라운드 패턴(131c)은 그라운드 전위로 설정되어 있고, Z방향에 있어서 제 1 평면 배선 패턴(131a) 및 제 2 평면 배선 패턴(131b) 사이에 배치되어 있다. 또한, 본 개시에 있어서 주면과 평행한 평면은 주면과 엄밀하게 평행한 평면뿐만 아니라 주면과 실질적으로 평행한 평면을 포함한다. 즉, 평행은 대략 평행을 의미한다.
부품(134)은 하나 이상의 제 2 부품의 일례이며, 상부 부품이라고도 불린다. 부품(134)은 배선 기판(131)의 주면(132)에 실장된 전자 부품이다. 여기서는 부품(134)은 주면(132)에 페이스 다운 실장되어 있다.
부품(135)은 하나 이상의 제 3 부품의 일례이며, 하부 부품이라고도 불린다. 부품(135)은 배선 기판(131)의 주면(133)에 실장된 전자 부품이다. 여기서는 부품(135)은 주면(133)에 페이스 다운 실장되어 있다.
배선 기판(131)을 평면으로 보았을 경우에 부품(135)의 영역은 부품(134)의 영역보다 작고, 부품(134)의 영역에 완전히 중복되어 있다. 바꿔 말하면, 부품(134)의 영역은 부품(135)의 영역보다 크고, 부품(135)의 영역을 포함하고 있다.
복수의 주상 전극(136)의 각각은 배선 기판(131)의 주면(133)으로부터 배선 기판(110)의 주면(111)을 향해 연장되어 있다. 복수의 주상 전극(136)의 각각은 수지 부재(137b)를 관통하고 있으며, 그 선단이 수지 부재(137b)로부터 노출되어 있다. 복수의 주상 전극(136)은 부품(135)을 둘러싸도록 배선 기판(131)의 단부 가장자리를 따라 배열되어 있다. 또한, 복수의 주상 전극(136)은 본 발명에 의한 회로 모듈에 필수 구성요소가 아니다.
적층 부품(130)은 복수의 주상 전극(136)을 경유하여 배선 기판(110) 및 상기 배선 기판(110)에 실장된 복수의 부품(120)과 전기 신호의 주고받음을 행한다. 또한, 복수의 주상 전극(136) 중 몇 개는 배선 기판(110)의 그라운드 전위로 설정된다.
수지 부재(137a)는 배선 기판(131)의 주면(132) 및 부품(134)을 덮고 있다. 또한, 수지 부재(137b)는 배선 기판(131)의 주면(133) 및 부품(135)을 덮고 있다. 즉, 적층 부품(130)은 수지 부재(137a 및 137b)로 몰딩되어 있다. 바꿔 말하면, 수지 부재(137a 및 137b)는 주면(132 및 133) 및 부품(134 및 135)을 덮음으로써 적층 부품(130)을 1개의 부품으로서 일체화한다. 수지 부재(137a 및 137b)는 적층 부품(130)의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있으며, 적층 부품(130)의 일체성 및 실장의 용이함을 향상시키고 있다.
또한, 수지 부재(137a 및 137b)의 재료는 특별히 한정되지 않는다. 수지 부재(137a 및 137b)의 재료는 수지 부재(140)의 재료와 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.
[1.3 효과 등]
이상과 같이 본 실시형태에 의한 회로 모듈(100)에 의하면, 배선 기판(110)의 주면(111)에 실장된 복수의 부품(120)은 수지 부재(137a 및 137b)에 의해 몰딩됨으로써 1칩화된 적층 부품(130)을 포함할 수 있다. 그리고, 적층 부품(130)은 서로 대향하는 주면(132 및 133)을 갖는 배선 기판(131)과, 배선 기판(131)의 주면(132)에 실장된 부품(134)과, 배선 기판(131)의 주면(133)에 실장된 부품(135)을 가질 수 있다. 이것에 의해 배선 기판(110)의 주면(111)에 2개의 부품(134 및 135)을 수직방향으로 겹쳐 1개의 적층 부품(130)으로서 실장할 수 있어 배선 기판(110)의 주면(111) 상의 부품 실장 면적을 저감하고, 부품 실장 밀도를 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 배선 기판(110)의 주면(111)에만 부품의 실장이 제한되는 경우이어도 상기 주면(111)에 적층 부품(130)을 실장함으로써 부품 실장 밀도의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 적층 부품(130)에서는 2개의 부품(134 및 135)을 서로 대향하는 주면(132 및 133)에 각각 실장할 수 있다. 따라서, 배선 기판(131)을 사이에 두고 2개의 부품(134 및 135)이 배치되므로 배선 기판(131)을 사이에 두지 않고 2개의 부품(134 및 135)이 배치되는 경우보다 2개의 부품(134 및 135) 사이의 아이솔레이션을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 의한 회로 모듈(100)에 의하면, 적층 부품(130)의 배선 기판(131)은 주면(132)측에 배치된 제 1 평면 배선 패턴(131a)과, 주면(133)측에 배치된 제 2 평면 배선 패턴(131b)과, 제 1 평면 배선 패턴(131a) 및 제 2 평면 배선 패턴(131b) 사이에 배치되고, 그라운드 전위로 설정되는 평면 그라운드 패턴(131c)을 가질 수 있다. 이것에 의해 2개의 부품(134 및 135) 사이에 평면 그라운드 패턴이 배치되므로 2개의 부품(134 및 135) 사이의 아이솔레이션을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 의한 회로 모듈(100)에 의하면, 적층 부품(130)의 배선 기판(131)을 평면으로 보았을 경우에 주면(132)에 실장된 부품(134)의 영역을 주면(133)에 실장된 부품(135)의 영역보다 크게 할 수 있다. 이것에 의해 주면(132)에는 큰 부품(134)을 배치하고, 주면(133)에는 복수의 주상 전극(136)과 작은 부품(135)을 배치할 수 있다. 그 결과, 배선 기판(131)의 주면(132 및 133)에 여백 영역이 발생하는 것을 억제할 수 있어 부품 실장 밀도를 향상시킬 수 있다.
(실시형태 1의 변형예)
실시형태 1의 변형예에서는 친기판(배선 기판(110))의 양쪽 주면에 부품이 실장되는 점과, 자기판(배선 기판(131))의 각 주면에 복수의 부품이 실장되는 점이 주로 실시형태 1과 상이하다. 이하에 상기 실시형태 1과 상이한 점을 중심으로 본 변형예에 대해서 도 5 및 도 6을 참조하면서 설명한다.
도 5는 실시형태 1의 변형예에 의한 회로 모듈(100A)의 단면도이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 회로 모듈(100A)은 배선 기판(110), 복수의 부품(120) 및 수지 부재(140)에 추가하여 부품(150), 수지 부재(160) 및 복수의 주상 전극(170)을 구비한다.
부품(150)은 제 4 부품의 일례이며, 배선 기판(110)의 주면(112)에 실장된 전자 부품이다.
수지 부재(160)는 배선 기판의 주면(112) 및 부품(150)을 덮고 있다. 또한, 수지 부재(160)는 배선 기판의 주면(112) 및 상기 주면(112)에 실장된 부품(150)의 전부를 덮을 필요는 없고, 그 일부를 덮어도 좋다. 예를 들면, 수지 부재(160)는 부품(150)과 주면(112) 사이에 충전되는 것만이어도 좋다. 즉, 수지 부재(160)는 부품(150)의 Z축 부측(負側)의 면을 덮지 않아도 좋다. 또한, 수지 부재(160)는 본 발명에 의한 회로 모듈에 필수 구성요소가 아니다.
복수의 주상 전극(170)의 각각은 배선 기판(110)의 주면(112)으로부터 Z축 부방향으로 연장되어 있다. 복수의 주상 전극(170)의 각각은 수지 부재(160)를 관통하고 있으며, 그 선단이 수지 부재(160)로부터 노출되어 있다. 복수의 주상 전극(170)은 부품(150)을 둘러싸도록 배선 기판(110)의 단부 가장자리를 따라 배열되어 있다. 또한, 복수의 주상 전극(170)은 본 발명에 의한 회로 모듈에 필수 구성요소가 아니다.
회로 모듈(100A)은 회로 모듈(100A)의 Z축 부방향측에 배치되는 실장 기판과, 복수의 주상 전극(170)을 경유하여 전기 신호의 주고받음을 행한다. 또한, 주상 전극(170) 중 몇 개는 실장 기판의 그라운드 전위로 설정된다.
다음으로, 본 변형예에 의한 적층 부품(130A)에 대해서 도 6을 참조하면서 설명한다. 도 6은 실시형태 1의 변형예에 의한 적층 부품(130A)의 단면도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 본 변형예에 의한 적층 부품(130A)은 부품(134a 및 134b)과, 부품(135a 및 135b)을 구비한다.
부품(134a 및 134b)은 복수의 제 2 부품의 일례이며, 배선 기판(131)의 주면(132)에 실장된 복수의 전자 부품이다.
부품(135a 및 135b)은 복수의 제 3 부품의 일례이며, 배선 기판(131)의 주면(133)에 실장된 복수의 전자 부품이다. 배선 기판(131)을 평면으로 보았을 경우에 부품(135a 및 135b)의 영역은 부품(134a 및 134b)의 영역보다 작다. 바꿔 말하면, 부품(134a 및 134b)의 영역은 부품(135a 및 135b)의 영역보다 크다.
이상과 같이 본 변형예에 의한 회로 모듈(100A)에 의하면, 배선 기판(110)의 주면(111)에 대향하는 주면(112)에도 부품(150)을 실장할 수 있다. 이것에 의해 부품 실장 밀도를 더욱 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 배선 기판(110)의 주면(111)에 실장해야 할 부품의 면적이 주면(112)에 실장해야 할 부품의 면적보다 큰 경우이어도 주면(111)에 적층 부품(130A)을 실장함으로써 주면(112)에 있어서 부품이 실장되지 않는 여백 영역을 삭감하여 부품 실장 밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 본 변형예에 의한 회로 모듈(100A)에 의하면, 적층 부품(130A)의 배선 기판(131)의 주면(132 및 133)의 각각에 복수의 부품을 실장할 수 있다. 이것에 의해 부품 실장 밀도를 더욱 향상시킬 수 있다.
(실시형태 2)
다음으로, 실시형태 2에 대해서 도 7~도 12를 참조하면서 구체적으로 설명한다. 본 실시형태에서는 회로 모듈의 일구체예로서 고주파 모듈에 대해서 설명한다.
[2.1 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성]
우선, 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성에 대해서 도 7을 참조하면서 구체적으로 설명한다.
도 7은 실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 통신 장치(5)는 고주파 모듈(1)과, 안테나 소자(2)와, RF 신호 처리 회로(RFIC)(3)와, 베이스밴드 신호 처리 회로(BBIC)(4)를 구비한다.
RFIC(3)는 안테나 소자(2)에 의해 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로이다. 구체적으로는 RFIC(3)는 고주파 모듈(1)의 수신 경로를 통해 입력된 고주파 수신 신호를 다운 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리하여 생성된 수신 신호를 BBIC(4)에 출력한다.
BBIC(4)는 고주파 모듈(1)을 전파하는 고주파 신호보다 저주파의 중간 주파수 대역을 사용하여 신호 처리하는 회로이다. BBIC(4)에서 처리된 신호는 예를 들면, 화상 표시를 위한 화상 신호로서 사용되거나, 또는 스피커를 통한 통화를 위해 음성 신호로서 사용된다.
안테나 소자(2)는 고주파 모듈(1)의 공통 단자(31)에 접속되고, 외부로부터의 고주파 신호를 수신하여 고주파 모듈(1)에 출력한다.
또한, 본 실시형태에 의한 통신 장치(5)에 있어서 안테나 소자(2) 및 BBIC(4)는 필수 구성요소가 아니다.
다음으로, 고주파 모듈(1)의 상세한 구성에 대해서 설명한다.
고주파 모듈(1)은 캐리어 어그리게이션(CA)에 사용되는 수신 회로를 구성한다. CA란, 제 1 주파수 대역 및 제 2 주파수 대역의 고주파 신호를 동시에 송신, 동시에 수신, 또는 동시에 송수신하는 통신 기술이다. 보다 구체적으로는 CA에서는 (1) 제 1 주파수 대역의 고주파 신호를 송신 및/또는 수신과, (2) 제 2 주파수 대역의 고주파 신호를 송신 및/또는 수신을 동시에 행할 수 있다.
예를 들면, 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)을 구비하는 통신 장치는 제 1 주파수 대역의 고주파 신호와, 제 2 주파수 대역의 고주파 신호를 동시에 수신할 수 있다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(1)은 공통 단자(31)와, 수신 출력 단자(81~83)와, 제어 회로(11)와, 수신 저잡음 증폭기(21~23)와, 수신 필터(61~63)와, 정합 회로(41, 42, 43, 71 및 72)와, 스위치(51)를 구비한다.
공통 단자(31)는 안테나 소자(2)에 접속된다.
수신 저잡음 증폭기(21~23)의 각각은 고주파 신호를 저잡음으로 증폭한다. 수신 저잡음 증폭기(21~23)의 각각은 예를 들면, 로우 노이즈 앰프이다. 수신 저잡음 증폭기(21)에 의해 증폭된 고주파 신호는 수신 출력 단자(81)로부터 출력된다. 또한, 수신 저잡음 증폭기(22)에 의해 증폭된 고주파 신호는 수신 출력 단자(82)로부터 출력된다. 수신 저잡음 증폭기(23)에 의해 증폭된 고주파 신호는 수신 출력 단자(83)로부터 출력된다.
수신 필터(61)는 수신 저잡음 증폭기(21)와 공통 단자(31)를 연결하는 수신 경로에 배치되고, 공통 단자(31)로부터 입력된 고주파 신호 중 통신 밴드 A의 수신 대역의 고주파 신호를 통과시킨다.
수신 필터(62 및 63)는 배선(64)에 의해 병렬 접속되어 있다. 수신 필터(62)는 수신 저잡음 증폭기(22)와 공통 단자(31)를 연결하는 수신 경로에 배치되고, 공통 단자(31)로부터 입력된 고주파 신호 중 통신 밴드 B(제 1 주파수 대역)의 수신 대역의 고주파 신호를 통과시킨다. 또한, 수신 필터(63)는 수신 저잡음 증폭기(23)와 공통 단자(31)를 연결하는 수신 경로에 배치되고, 공통 단자(31)로부터 입력된 고주파 신호 중 통신 밴드 C(제 2 주파수 대역)의 수신 대역의 고주파 신호를 통과시킨다. 즉, 수신 필터(62)의 통과 대역은 CA를 위한 제 1 주파수 대역에 대응하고, 수신 필터(63)의 통과 대역은 CA를 위한 제 2 주파수 대역에 대응한다.
제 1 주파수 대역 및 제 2 주파수 대역의 조합으로서는 예를 들면, 통신 밴드 B40(Rx2300-2400Mhz) 및 통신 밴드 B1(2110-2170Mhz)을 사용할 수 있다. 이 때, 통신 밴드 B40은 상측의 수신 필터(62)에 할당되고, 통신 밴드 B1은 하측의 수신 필터(63)에 할당될 수 있다. 이것에 의해 평면으로 보았을 때에 상측의 수신 필터(62)의 면적을 하측의 수신 필터(63)의 면적보다 크게 할 수 있다.
여기서, 통신 밴드 B40의 수신 필터(이하, 수신 필터 B40이라고 함)가 통신 밴드 B1의 수신 필터(이하, 수신 필터 B1이라고 함)보다 큰 이유에 대해서 도 8a 및 도 8b를 참조하여 설명한다.
도 8a는 수신 필터 B40의 주파수 특성을 나타내는 그래프이다. 또한, 도 8b는 수신 필터 B1의 주파수 특성을 나타내는 그래프이다. 또한, 도 8a 및 도 8b에는 수신 필터의 통과 대역 근방에서 사용되는 통신 밴드가 나타내어져 있다.
도 8a에 나타내는 바와 같이, 수신 필터 B40의 통과 대역의 고역측에는 2GWiFi의 통신 밴드가 인접한다. 따라서, 수신 필터 B40의 통과 대역과 2GWiFi의 통신 밴드의 중복을 피하기 위해서 수신 필터 B40의 통과 대역의 고역측에는 급준성이 요구된다. 수신 필터 B40으로서 탄성 표면파 필터가 사용되는 경우에는 래더 회로의 단수가 많아져서 공진자의 수가 늘어나기 때문에 탄성 표면파 필터의 면적이 비교적 커진다.
한편, 도 8b에 나타내는 바와 같이 수신 필터 B1의 통과 대역은 수신 필터 B40의 통과 대역보다 저역측이며, 수신 필터 B40의 통과 대역과 이웃하는 각 통신 밴드(B1Tx 및 2GWiFi) 사이에 여유가 있다. 이 경우, 수신 필터 B1의 래더 회로의 단수는 수신 필터 B40의 래더 회로의 단수보다 적어도 좋고, 수신 필터 B1의 면적을 비교적 작게 할 수 있다.
또한, 수신 필터의 사이즈에 영향을 주는 요인은 수신 필터의 통과 대역과 이웃하는 통신 밴드 사이의 가까움에 한정되지 않는다. 예를 들면, 내전력의 요구 성능이 높은 경우에는 전력 밀도를 낮추기 위해서 수신 필터의 사이즈가 커지는 경우도 있다.
또한, 상기 수신 필터(61~63)는 예를 들면, 탄성 표면파 필터, BAW(Bulk Acoustic Wave)를 사용한 탄성파 필터, 압전 박막 공진자(FBAR: Film Bulk Acoustic Resonator) 필터, LC 공진 필터, 및 유전체 필터 중 어느 것이어도 좋고, 또한 이들에는 한정되지 않는다.
정합 회로(41)는 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 필터(61) 사이의 수신 경로에 배치되고, 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 필터(61)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(42)는 수신 저잡음 증폭기(22)와 수신 필터(62) 사이의 수신 경로에 배치되고, 수신 저잡음 증폭기(22)와 수신 필터(62)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(43)는 수신 저잡음 증폭기(23)와 수신 필터(63) 사이의 수신 경로에 배치되고, 수신 저잡음 증폭기(23)와 수신 필터(63)의 임피던스 정합을 취한다. 이들의 정합 회로(41~43)의 각각은 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽을 포함한다.
스위치(51)는 공통 단자(31)와 수신 필터(61~63)를 연결하는 신호 경로에 배치되고, 공통 단자(31)와 수신 저잡음 증폭기(21~23)의 각각의 도통 및 비도통을 스위칭한다. 보다 구체적으로는 스위치(51)는 (1) 공통 단자(31)와 수신 필터(61)의 접속, (2) 공통 단자(31)와 수신 필터(62 및 63)의 접속, 및 (3) 공통 단자(31)와 다른 수신 필터(도시 생략)의 접속을 스위칭한다. 또한, 스위치(51)는 상기 (1)~(3) 중 어느 하나의 접속만을 행하는 스위치 회로로 구성되어도 좋고, 또한 상기 (1)~(3) 중 둘 이상의 접속을 동시에 행하는 것이 가능한 멀티 접속형의 스위치 회로로 구성되어도 좋다.
정합 회로(71)는 스위치(51)와 수신 필터(61)를 연결하는 경로에 배치되고, 안테나 소자(2) 및 스위치(51)와 수신 필터(61)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(72)는 스위치(51)와 수신 필터(62 및 63)를 연결하는 경로에 배치되고, 안테나 소자(2) 및 스위치(51)와 수신 필터(62 및 63)의 임피던스 정합을 취한다. 이들의 정합 회로(71 및 72)의 각각은 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽을 포함한다.
제어 회로(11)는 사용되는 통신 밴드(주파수 대역)에 의거하여 스위치(51)의 접속을 제어한다. 구체적으로는 제어 회로(11)는 제어 신호(도시 생략)에 의해 스위치(51)의 접속을 스위칭한다. 또한, 제어 회로(11)는 고주파 모듈(1)의 외부에 설치되어 있어도 좋고, 예를 들면 RFIC(3) 또는 BBIC(4)에 설치되어 있어도 좋다.
상기 회로 구성에 의하면, 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)은 통신 밴드 A의 통신 밴드의 고주파 신호의 수신과, 통신 밴드 B 및 통신 밴드 C의 통신 밴드의 고주파 신호의 동시 수신을 스위칭하는 것이 가능하다.
[2.2 고주파 모듈(1) 내의 회로 소자의 배치 구성]
다음으로, 고주파 모듈(1)을 구성하는 회로 소자의 배치 구성에 대해서 도 9a, 도 9b 및 도 10을 참조하면서 설명한다. 도 9a는 실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1)의 평면도이다. 도 9b는 실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1)의 하면도이다. 또한, 도 10은 실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1)의 단면도이다. 구체적으로는 도 10은 도 9a 및 도 9b의 IX-IX 절단선에 있어서의 고주파 모듈(1)의 단면도이다. 또한, 도 9a 및 도 9b에서는 수지 부재(97 및 98)가 없는 상태로 고주파 모듈(1)이 나타내어져 있다.
도 9a, 도 9b 및 도 10에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)은 도 7에 나타내어진 회로 구성에 추가하여 모듈 기판(91)과, 적층 부품(94)과, 반도체 IC(95)와, 복수의 주상 전극(96)과, 수지 부재(97 및 98)와, 다른 회로 소자(부호 없음)를 더 갖고 있다.
모듈 기판(91)은 제 1 배선 기판의 일례이며, 친기판이라고도 불린다. 모듈 기판(91)은 서로 대향하는 주면(92)(제 1 주면의 일례) 및 주면(93)(제 4 주면의 일례)을 갖고, 상기 수신 회로를 실장하는 기판이다. 주면(92 및 93)은 각각 제 1 주면 및 제 4 주면의 일례이다. 모듈 기판(91)으로서는 예를 들면, LTCC 기판, 또는 프린트 기판 등이 사용된다.
적층 부품(94)은 수신 필터(62 및 63)로 구성되어 있다. 적층 부품(94)은 모듈 기판(91)의 주면(92)에 실장되어 있다. 적층 부품(94)의 상세에 대해서는 도면을 이용하여 후술한다.
반도체 IC(95)는 제어 회로(11), 수신 저잡음 증폭기(21~23) 및 스위치(51)로 구성되는 집적 회로이다. 반도체 IC(95)는 모듈 기판(91)의 주면(93)에 실장되어 있다.
복수의 주상 전극(96)의 각각은 모듈 기판(91)의 주면(93)으로부터 연장되어 있다. 복수의 주상 전극(96)의 각각은 수지 부재(98)를 관통하고 있으며, 그 일단이 수지 부재(98)로부터 노출되어 있다. 또한, 복수의 주상 전극(96)은 본 발명에 의한 고주파 모듈에 필수 구성요소가 아니다.
고주파 모듈(1)은 고주파 모듈(1)의 Z축 부방향측에 배치되는 실장 기판과, 복수의 주상 전극(96)을 경유하여 전기 신호의 주고받음을 행한다. 또한, 복수의 주상 전극(96) 중 몇 개는 실장 기판의 그라운드 전위로 설정된다.
수지 부재(97)는 모듈 기판(91)의 주면(92)에 배치되고, 상기 수신 회로의 일부, 및 모듈 기판(91)의 주면(92)을 덮고 있다. 수지 부재(97)는 상기 수신 회로를 구성하는 회로 소자의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 수지 부재(98)는 모듈 기판(91)의 주면(93)에 배치되고, 상기 수신 회로의 일부, 및 모듈 기판(91)의 주면(93)을 덮고 있다. 수지 부재(98)는 상기 수신 회로를 구성하는 회로 소자의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 또한, 수지 부재(97 및 98)는 본 발명에 의한 고주파 모듈에 필수 구성요소가 아니다.
도 9a, 도 9b 및 도 10에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)에서는 수신 필터(61)와, 수신 필터(62 및 63)를 포함하는 적층 부품(94)과, 정합 회로(41, 42, 43, 71 및 72)와, 다른 회로 소자(부호 없음)는 모듈 기판(91)의 주면(92)에 표면 실장되어 있다. 한편, 제어 회로(11), 수신 저잡음 증폭기(21~23) 및 스위치(51)를 포함하는 반도체 IC(95)는 모듈 기판(91)의 주면(93)에 표면 실장되어 있다.
[2.3 적층 부품(94) 내의 회로 소자의 배치 구성]
여기서, 모듈 기판(91)의 주면(92)에 실장된 적층 부품(94)을 구성하는 회로 소자의 배치 구성에 대해서 도 11a, 도 11b 및 도 12를 참조하면서 설명한다. 도 11a는 실시형태 2에 의한 적층 부품(94)의 평면도이다. 도 11b는 실시형태 2에 의한 적층 부품(94)의 하면도이다. 도 12는 실시형태 2에 의한 적층 부품(94)의 단면도이다. 구체적으로는 도 12는 도 11a 및 도 11b의 XI-XI 절단선에 있어서의 적층 부품(94)의 단면도이다. 또한, 도 11a 및 도 11b에서는 수지 부재(946a 및 946b)가 없는 상태로 고주파 모듈(1)이 나타내어져 있다.
도 11a, 도 11b 및 도 12에 나타내는 바와 같이, 적층 부품(94)은 배선 기판(941)과, 수신 필터(62 및 63)와, 복수의 주상 전극(944)과, 수지 부재(946a 및 946b)를 구비한다.
배선 기판(941)은 제 2 배선 기판의 일례이며, 자기판이라고도 불린다. 배선 기판(941)으로서는 예를 들면, LTCC 기판, 또는 프린트 기판 등이 사용된다.
또한, 배선 기판(941)은 주면과 평행한 서로 상이한 평면에 형성된 제 1 평면 배선 패턴(941a), 제 2 평면 배선 패턴(941b) 및 평면 그라운드 패턴(941c)을 갖는다. 제 1 평면 배선 패턴(941a)은 수신 필터(62)를 위한 배선 패턴이며, 주면(942)측에 배치되어 있다. 제 2 평면 배선 패턴(941b)은 수신 필터(63)를 위한 배선 패턴이며, 주면(943)측에 배치되어 있다. 평면 그라운드 패턴(941c)은 그라운드 전위로 설정되어 있고, Z방향에 있어서 제 1 평면 배선 패턴(941a) 및 제 2 평면 배선 패턴(941b) 사이에 배치되어 있다.
수신 필터(62 및 63)는 각각 제 2 부품 및 제 3 부품의 일례이며, 상부 부품 및 하부 부품이라고도 불린다. 수신 필터(62)는 배선 기판(941)의 주면(942)에 실장되어 있고, 수신 필터(63)는 주면(942)에 대향하는 주면(943)에 실장되어 있다. 도 11a 및 도 11b에 나타내는 바와 같이, 배선 기판(941)을 평면으로 보았을 경우에 수신 필터(62)의 영역은 수신 필터(63)의 영역보다 크다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 수신 필터(62 및 63)는 배선 기판(941)을 Z방향으로 관통하는 비아 도체(945)로 접속되어 있다. 이 비아 도체(945)는 도 7의 회로 구성에 있어서 수신 필터(62 및 63)를 묶는 배선(64)에 대응한다.
복수의 주상 전극(944)의 각각은 배선 기판(941)의 주면(943)으로부터 모듈 기판(91)의 주면(92)을 향해 연장되어 있다. 복수의 주상 전극(944)의 각각은 수지 부재(946b)를 관통하고 있으며, 그 선단이 수지 부재(946b)로부터 노출되어 있다. 복수의 주상 전극(944)은 수신 필터(63)를 둘러싸도록 배선 기판(941)의 단부 가장자리를 따라 배열되어 있다. 또한, 복수의 주상 전극(944)은 본 발명에 의한 회로 모듈에 필수 구성요소가 아니다.
적층 부품(94)은 복수의 주상 전극(944)을 경유하여 모듈 기판(91) 및 모듈 기판(91)에 실장된 회로 소자와 전기 신호의 주고받음을 행한다.
수지 부재(946a)는 배선 기판(941)의 주면(942) 및 수신 필터(62)를 덮고 있다. 또한, 수지 부재(946b)는 배선 기판(941)의 주면(943) 및 수신 필터(63)를 덮고 있다. 즉, 적층 부품(94)은 수지 부재(946a 및 946b)로 몰딩되어 있다. 수지 부재(946a 및 946b)는 적층 부품(94)의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 또한, 수지 부재(946a 및 946b)는 적층 부품(94)의 일체성 및 핸들링성을 향상시키고 있다. 또한, 수지 부재(946a 및 946b)의 재료는 수지 부재(97 및 98)의 재료와 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.
[2.4 효과 등]
이상과 같이 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)은 적층 부품(94)의 배선 기판(941)의 주면(942 및 943)의 각각에 탄성파 필터를 실장할 수 있다. 그리고, 제 1 주파수 대역 및 제 2 주파수 대역의 고주파 신호를 동시에 송신 또는 수신하는 CA가 적용되는 경우에, 주면(942)에 실장된 탄성파 필터의 통과 대역은 제 1 주파수 대역에 대응하고, 주면(943)에 실장된 탄성파 필터의 통과 대역은 제 2 주파수 대역에 대응할 수 있다. 이것에 의해 CA에 의한 2개의 탄성파 필터를 배선 기판(941)을 사이에 두고 근접하게 배치할 수 있다. 예를 들면, 2개의 탄성파 필터를 비아 도체(945)로 묶음으로써 2개의 탄성파 필터 사이의 배선을 짧게 할 수 있다. 그 결과, 배선 로스 및 배선에 의한 매칭 오차를 저감할 수 있어 고주파 모듈(1)은 양호한 특성을 얻을 수 있다.
(그 외의 실시형태 등)
이상, 본 발명의 실시형태에 의한 회로 모듈 및 통신 장치에 대해서 실시형태 및 그 변형예를 들어 설명했지만, 본 발명에 의한 회로 모듈 및 통신 장치는 상기 실시형태 및 그 변형예에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태 및 그 변형예에 있어서의 임의의 구성요소를 조합하여 실현되는 다른 실시형태나, 상기 실시형태 및 그 변형예에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해 내는 각종 변형을 실시하여 얻어지는 변형예나, 상기 회로 모듈 및 통신 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
예를 들면, 상기 실시형태 및 그 변형예에 의한 회로 모듈, 고주파 모듈 및 통신 장치에 있어서 도면에 개시된 각 회로 소자 및 신호 경로를 접속하는 경로 사이에 다른 회로 소자 및 배선 등이 삽입되어 있어도 좋다.
또한, 상기 각 실시형태 및 그 변형예에 있어서 적층 부품에 포함되는 배선 기판은 제 1 평면 배선 패턴, 제 2 평면 배선 패턴 및 평면 그라운드 패턴으로 이루어지는 3층 구조의 평면 패턴을 갖고 있었지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 배선 기판은 또한 평면 배선 패턴 및/또는 평면 그라운드 패턴을 더 포함해도 좋고, 평면 그라운드 패턴을 포함하지 않아도 좋다.
또한, 상기 각 실시형태에 있어서 적층 부품의 배선 기판을 평면으로 보았을 경우에 상부 부품의 영역은 하부 부품의 영역보다 크지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 상부 부품의 영역은 하부 부품의 영역보다 작아도 좋다. 또한, 예를 들면 상부 부품의 영역의 사이즈는 하부 부품의 영역의 사이즈와 같아도 좋다.
또한, 상기 실시형태 2에서는 고주파 모듈(회로 모듈)의 일례로서 수신 회로를 설명했지만, 고주파 모듈은 송신 회로이어도 좋다. 또한, 고주파 모듈은 송수신회로이어도 좋다.
(산업상 이용가능성)
본 발명은 멀티밴드 대응의 프런트엔드부에 배치되는 고주파 모듈에 이용할 수 있고, 상기 고주파 모듈을 구비하는 휴대전화 등의 통신 기기에 널리 이용할 수 있다.
1 고주파 모듈
2 안테나 소자
3 RF 신호 처리 회로(RFIC)
4 베이스밴드 신호 처리 회로(BBIC)
5 통신 장치
11 제어 회로
21, 22, 23 수신 저잡음 증폭기
31 공통 단자
41, 42, 43, 71, 72 정합 회로
51 스위치
61, 62, 63 수신 필터
64 배선
81, 82, 83 수신 출력 단자
91 모듈 기판
92, 93, 111, 112, 132, 133, 942, 943 주면
94, 130, 130A 적층 부품
95 반도체 IC
96, 136, 170, 944 주상 전극
97, 98, 137a, 137b, 140, 160, 946a, 946b 수지 부재
100, 100A 회로 모듈
110, 131, 941 배선 기판
120, 134, 134a, 134b, 135, 135a, 135b, 150 부품
131a, 941a 제 1 평면 배선 패턴
131b, 941b 제 2 평면 배선 패턴
131c, 941c 평면 그라운드 패턴
945 비아 도체

Claims (9)

  1. 제 1 주면을 갖는 제 1 배선 기판과,
    상기 제 1 주면에 실장된 복수의 제 1 부품을 구비하고,
    상기 복수의 제 1 부품은, 수지 부재에 의해 몰딩됨으로써 1칩화된 적층 부품을 포함하고,
    상기 적층 부품은,
    서로 대향하는 제 2 주면 및 제 3 주면을 갖는 제 2 배선 기판과,
    상기 제 2 주면에 실장된 하나 이상의 제 2 부품과,
    상기 제 3 주면에 실장된 하나 이상의 제 3 부품을 갖는 회로 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 배선 기판은 상기 제 1 주면에 대향하는 제 4 주면을 갖고,
    상기 회로 모듈은 상기 제 4 주면에 실장된 제 4 부품을 더 구비하는 회로 모듈.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 4 주면 및 상기 제 4 부품의 적어도 일부는 수지 부재에 의해 몰딩되어 있고,
    상기 회로 모듈은 상기 제 4 주면으로부터 상기 수지 부재를 관통하는 주상 전극을 더 구비하는 회로 모듈.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제 2 부품은 제 1 탄성파 필터를 포함하고,
    상기 하나 이상의 제 3 부품은 제 2 탄성파 필터를 포함하는 회로 모듈.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 회로 모듈은 제 1 주파수 대역 및 제 2 주파수 대역의 고주파 신호를 동시에 송신, 동시에 수신, 또는 동시에 송수신하는 캐리어 어그리게이션에 사용되고,
    상기 제 1 탄성파 필터의 통과 대역은 상기 제 1 주파수 대역에 대응하고,
    상기 제 2 탄성파 필터의 통과 대역은 상기 제 2 주파수 대역에 대응하는 회로 모듈.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 배선 기판은 상기 제 2 주면측에 배치된 제 1 평면 배선 패턴과, 상기 제 3 주면측에 배치된 제 2 평면 배선 패턴과, 상기 제 1 평면 배선 패턴 및 상기 제 2 평면 배선 패턴 사이에 배치되고, 그라운드 전위로 설정되는 평면 그라운드 패턴을 갖는 회로 모듈.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 배선 기판의 상기 제 3 주면은 상기 제 1 배선 기판의 상기 제 1 주면에 대향하고 있으며,
    상기 적층 부품은 상기 제 3 주면으로부터 상기 제 1 주면으로 연장되는 주상 전극을 구비하고,
    상기 제 2 배선 기판을 평면으로 보았을 경우에 상기 하나 이상의 제 2 부품의 영역은 상기 하나 이상의 제 3 부품의 영역보다 큰 회로 모듈.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제 2 부품은 복수의 제 2 부품을 포함하고,
    상기 하나 이상의 제 3 부품은 복수의 제 3 부품을 포함하는 회로 모듈.
  9. 안테나 소자에 의해 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로와,
    상기 안테나 소자와 상기 RF 신호 처리 회로 사이에서 상기 고주파 신호를 전달하는 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 회로 모듈을 구비하는 통신 장치.
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