JP2003115561A - 集積型電子部品、電子部品装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半田ボール電極の径はそのままとし、受動素
子を極力薄くして基板内層部、または集積型電子部品と
マザー基板との間に実装する構造を採って、回路特性が
改善でき、しかも電磁波の不要輻射が極めて少ない薄型
の集積型電子部品、電子部品装置及びその製造方法を得
ること。 【解決手段】 本発明の一実施形態の電子部品装置１０
０は、一面にＩＣチップＳが実装され、他面に複数の半
田ボール電極２１３が形成されいるインターポーザー基
板３００がマザー基板１１０に実装された電子部品装置
において、半田ボール電極２１３の高さ以下の薄型受動
部品Ｐａがインターポーザー基板３００のＩＣチップＳ
が実装されている位置の対向するマザー基板１１０側
に、半田ボール電極２１３が接続されるパッド部３１６
を避けて実装されている構造で構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、小型、軽量化が求
められるモバイル器機に実装して好適な集積型電子部
品、電子部品装置及びその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、モバイル器機は益々小型化、薄型
化、軽量化が求められ、このためモバイル器機に組み込
まれる半導体チップが実装された電子部品装置もチップ
サイズパッケージ（ＣＳＰ）のように小型化されてマザ
ー基板に実装されている。図８乃至図１０に従来技術の
電子部品装置を示した。

【０００３】図８は従来技術の一つの集積型電子部品が
従来技術のマザー基板に搭載された構造の電子部品装置
の断面図、図９は現用のチップ型受動素子の一つである
抵抗器の構造を示していて、同図Ａはその上面図、同図
Ｂは同図ＡのＢ−Ｂ線上における断面図、そして図１０
は現用のチップ型受動素子の一つであるコンデンサの構
造を示していて、同図Ａはその上面図、同図Ｂは同図Ａ
のＢ−Ｂ線上における断面図である。

【０００４】先ず、図８を参照しながら従来技術の電子
部品装置５００について説明する。この電子部品装置５
００は、主要部品の複数の電極Ｄが形成されている半導
体集積回路チップ（以下、「ＩＣチップ」と記す）Ｓが
実装されているインターポーザー基板５１１からなる集
積型電子部品５１０とモバイル器機などの電子器機側に
実装されるマザー基板５２０とから構成されている。

【０００５】インターポーザー基板５１１は織り込んだ
ガラス繊維などの基板材料にエポキシ材料などを染み込
ませて硬化させた基板であって、柔らかいシート状のも
のもある（プリプレグと呼ばれている）。インターポー
ザー基板５１１の一面には所定の配列で複数の電極パッ
ド５１２が形成されており、また、他の面にも所定の間
隔で複数の電極パッド５１３が形成されている。

【０００６】この集積型電子部品５１０は、前記電極パ
ッド５１２のそれぞれにＩＣチップＳの各電極Ｄが金ワ
イヤＷでボンドされてＩＣチップＳが実装され、インタ
ーポーザー基板５１１の他の面の電極パッド５１３にそ
れぞれ突起電極である半田ボール電極５１４が形成され
ている。ＩＣチップＳ、金ワイヤＷ、電極パッド５１２
などは封止樹脂５１５で封止されている。

【０００７】マザー基板５２０は、有機材料またはセラ
ミック材料などを材料とし、その両面に銅の導電層が両
面に形成されているプリント回路基板である。そのマザ
ー基板５２０の両側面には集積型電子部品５１０側の半
田ボール電極５１４が接続されるランド５２１部分を含
めて電子回路の配線５２２、５２３がエッチング、また
はめっき法によりパターンニングされ、導電層間は、複
数箇所でバイアホール５２４によって接続されている。

【０００８】このようなマザー基板５２０の配線５２１
側には集積型電子部品５１０の半田ボール電極５１４が
半田付けにより実装されており、そして同一面の集積型
電子部品５１０が存在しない部分やマザー基板５２０の
他の面側に、チップ型抵抗素子５３０やチップ型コンデ
ンサ５４０のような現用の受動素子Ｐｂが半田または導
電性の接続材により取り付けられている。また、受動素
子Ｐｂは集積型電子部品５１０のＩＣチップＳの周辺部
の封止樹脂５１５の中にも実装されている場合もある。

【０００９】なお、マザー基板５２０の表面には、配線
パターンの保護、はんだ付け、防湿などのためのソルダ
ーレジスト５２５が形成されている。

【００１０】しかし、図８に示した構造から明らかなよ
うに、従来技術の電子部品装置５００においては、抵抗
器５３０やコンデンサ５４０の受動素子Ｐｂが、集積型
電子部品５１０が存在しない外部のマザー基板５２０に
実装されているために、構造的には集積型電子部品５１
０或いは電子部品装置５００の厚みを薄くできず、ま
た、電気的には受動素子ＰｂがＩＣチップＳの入出力端
子（Ｉ／Ｏ）から遠ざかっているために回路特性が劣
り、また、不要輻射の放射の一因にもなっている。

【００１１】もし、受動素子Ｐｂがインターポーザー基
板５１１の内部やインターポーザー基板５１１とマザー
基板５２０との間に実装できれば、前記の課題は、構造
的にも、電気的にも可成り改善することができる。

【００１２】ところが、現用のチップ型抵抗器５３０
は、図９に一例を示したように、アルミナなどの基板５
３１の両端部の表裏両面にわたって一対の一次電極５３
２が形成されており、これら両一次電極５３２にわたっ
て薄膜の抵抗体５３３が形成されている。そして一次電
極５３２の表面には二次電極５３４が、そしてそれらの
表面に更に錫／鉛被膜の外部電極５３５が形成されてお
り、抵抗体５３３は保護膜５３６で被覆されたチップ構
造のものである。

【００１３】また、現用のチップ型積層セラミックコン
デンサ５４０は、図１０に示したように、厚さ数μｍ〜
２０μｍ程度の非常に薄いセラミックス基板５４１の表
裏両面に薄膜の内部電極５４２、５２３が形成された単
位コンデンサを複数枚積層し、その積層本体の外表面に
厚み調整用膜、保護膜、外観維持膜などの外皮膜５４８
を被覆し、その積層体の両端部を層間電極接続材である
Ａｇ、Ｐｄなどにディップして前記各内部電極５４２、
内部電極５２３同士を層間電極５４４、５４５でそれぞ
れ接続し、それら層間電極５４４、５４５の表面をＮ
ｉ、Ｃｕなどでメッキ処理して外部電極５４６、５４７
を形成し、それらの表面に半田付け性を向上させるため
に半田メッキ、錫メッキ処理を施して構成したチップ構
造のものである。

【００１４】前記セラミックス基板５４１の材料として
は、厚さ数μｍ〜２０μｍ程度の非常に薄いアルミナ、
窒化アルミ、窒化珪素、チタン酸バリウムなどが用いら
れ、また、前記電極５４２の導電材料としては、Ａｇ、
Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｎｉなどが用いられる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記の抵抗
器５３０やコンデンサ５４０などの受動素子Ｐｂの厚み
は、１６０８タイプで高さが０．８ｍｍ、１００５タイ
プで０．５ｍｍである。

【００１６】一方、現用の集積型電子部品５１０の半田
ボール電極５１４の直径は０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度であ
る。

【００１７】このサイズのままの受動素子Ｐｂを、例え
ば、インターポーザー基板５１１とマザー基板５２０と
の間に実装しようとすると、その間隔は受動素子Ｐｂの
高さ＋αが必要となる。従って、半田ボール電極５１４
の高さ（直径）は少なくとも０．８ｍｍ以上の高さを必
要とし、部品の寸法公差を吸収するためにはそれ以上の
高さが必要となる。半田ボール電極５１４の径が大きく
なると、その分、インターポーザー基板５１１やマザー
基板５２０上のパッドピッチも広げなくてはならず、集
積型電子部品５１０や電子部品装置５００の大きさも現
用のものより大きくなる。

【００１８】一方、抵抗、キャパシタは薄膜素子で構成
することにより薄型化でき、究極的に最も薄型の実装に
適しているものであるが、インターポーザー基板やマザ
ー基板上に予め設定した抵抗値、キャパシタの容量を薄
膜で形成するには、塗布する膜の材質や形成方法（抵抗
の場合はシート抵抗値、キャパシタの場合は誘電率、面
積、膜厚）を実験により条件出ししておかなければなら
ない。

【００１９】しかし、商品設計の段階においては、回路
設計の変更は常に発生するのが常識であり、前記のよう
な形成方法によっては、これに対応できない。

【００２０】本発明はこのような課題を解決しようとす
るものであって、半田ボール電極の径はそのままとし、
抵抗器やコンデンサの受動素子を極力薄くして基板内層
部、または集積型電子部品とマザー基板との間に実装す
る構造を採って、回路特性が改善でき、しかも電磁波の
不要輻射が極めて少ない薄型の集積型電子部品、電子部
品装置及びその製造方法を得ることを目的とするもので
ある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】それ故、本発明の集積型
電子部品では、インターポーザー基板の一面に半導体チ
ップが実装され、他面に複数の突起電極が形成されいる
集積型電子部品において、前記突起電極の高さ以下の薄
型受動部品を前記インターポーザー基板の前記半導体チ
ップが実装されている位置の前記他面の前記突起電極が
存在しない部分に実装する構造を採って、前記課題を解
決している。

【００２２】そして、本発明の電子部品装置では、複数
の導電層が積層されている基板の前記隣接する導電層間
の少なくとも一層の樹脂層に薄型受動部品を内蔵し、前
記隣接する導電層の何れかに電気的に接続する構造を採
って、前記課題を解決している。

【００２３】また、本発明の電子部品装置では、一面に
半導体チップが実装され、他面に複数の突起電極が形成
されいるインターポーザー基板がマザー基板に実装され
た電子部品装置において、前記突起電極の高さ以下の薄
型受動部品を前記インターポーザー基板の前記半導体チ
ップが実装されている位置の対向する前記マザー基板側
に前記突起電極が接続される電極部分を避けて実装する
構造を採って、前記課題を解決している。

【００２４】更にまた、本発明の電子部品装置の製造方
法では、コア基板の少なくとも一面に薄型受動部品を実
装し、その薄型受動部品が存在する部分を除いて前記一
面に電気絶縁接着材の薄膜層を形成し、その後、樹脂層
を介して薄膜銅層を積層して加熱圧着し、前記薄型受動
部品を前記電気絶縁接着材で封止する方法を採って、前
記課題を解決している。

【００２５】前記絶縁接着材は、実装された前記薄型受
動部品の高さ以上の厚みで形成され、かつ前記樹脂層と
前記薄膜銅層との積層工程における熱に溶融して前記コ
ア基板に密着すると共に、前記薄型受動部品を密封し、
機械的にも保護する樹脂であることが望ましい。

【００２６】従って、本発明の集積型電子部品によれ
ば、インターポーザー基板の面積及び半導体チップの突
起電極の径を変更することなく、受動素子などの薄型受
動部品をコンパクトに実装することができる。

【００２７】そして、本発明の電子部品装置によれば、
その基板の厚みをより一層薄い構造で構成することがで
きる。

【００２８】また、本発明の電子部品装置によれば、半
導体チップの入力／出力端子の近傍に薄型受動部品を配
設することができる。

【００２９】そしてまた、本発明の電子部品装置によれ
ば、薄型受動部品をコア基板の少なくとも一面の突起電
極が接続される電極間に実装することができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、図１乃至図７を用いて、本
発明の実施形態の薄型受動部品、集積型電子部品、電子
部品装置及びその製造方法を説明する。

【００３１】図１は本発明に用いて好適な一実施形態の
薄型受動部品である抵抗器の断面図、図２は本発明に用
いて好適な一実施形態の薄型受動部品であるコンデンサ
の断面図、図３は図１、図２に示した薄型受動部品が実
装された本発明の一実施形態の集積型電子部品がマザー
基板に搭載された構造の本発明の一実施形態の電子部品
装置の断面図、図４は図３に示した電子部品装置の集積
型電子部品のインターポーザー基板のより具体的な構造
の断面図、図５は図４に示したインターポーザー基板の
一部製造工程図、図６は図５に示した製造工程に続く製
造工程図、そして図７は本発明のインターポーザー基板
の内層部に実装され樹脂封止された状態の薄型受動部品
を示している拡大図であって、同図Ａはその上面図、同
図Ｂは同図ＡのＡ−Ａ線上における断面図である。

【００３２】先ず初めに、図１及び図２を用いて本発明
の集積型電子部品或いは電子部品装置に用いる薄型受動
部品について説明する。本発明に用いる薄型受動部品
は、特にその薄型化に注力した部品であって、その部品
の厚みを目標とする厚さＴａ＝１００μｍ以下とした。

【００３３】その抵抗器１０の場合、図１に示したよう
に、例えば、厚さＴｂ＝５０μｍ〜８０μｍのアルミナ
の基板１１を用い、そして薄膜成膜技術を用いて、その
基板１１の片面に、所定の間隔を開けて一対の電極１２
を形成、乾燥し、これら両電極１２にわたって抵抗体１
３を、例えば、印刷してこれを乾燥、焼成し、次に、外
部接続電極１４と抵抗体１３を機械的、化学的に保護す
るための保護ガラス１５を抵抗体１３の表面から両外部
接続電極１４の内端部にわたって成膜して、これらを焼
成したチップ型構造のものである。外部接続電極１４及
び電極１２の外表面には半田メッキ、錫メッキなどが施
されている。

【００３４】このような構造を採ることで抵抗器１０全
体の厚みを１００μｍ以下に抑えることができた。これ
は現用の１００５タイプの抵抗器５３０の総厚み４００
μｍと比較して大幅に削減できており、この抵抗器１０
の表面に保護膜を被覆したとしても十分に薄型のチップ
型抵抗器とすることができる。

【００３５】従って、この抵抗器１０の厚みは前記突起
電極である半田ボール電極５１４の径（０．５ｍｍ〜１
ｍｍ）に比して十分に薄い構造の部品となっている。

【００３６】また、コンデンサ２０の場合は、図１０に
示した現用のコンデンサ（積層型キャパシタ）５４０の
構造を見直し、図２に示したように、余分な外皮膜層５
４８を削除して、容量値を左右する積層本体をほぼ裸の
状態のまま使用する構造としたり、更に、図示していな
いが、外部電極５４６、５４７の一方の面に突出してい
る電極部分を削除して片面とする構造としたりして、例
えば、厚み１００μｍで耐圧６．３Ｖ、容量０．０１μ
Ｆのコンデンサを得ることができた。

【００３７】なお、図２に示したコンデンサ２０の構造
は実質的に現用のコンデンサ５４０の構造と同一である
ので、その同一部分には同一の符号を付して、それら構
成部分の説明は省略する。

【００３８】本発明においては、以上説明したような抵
抗器１０やコンデンサ２０などを用いた。このような薄
型構造の抵抗器１０やコンデンサ２０を既存の抵抗器５
３０やコンデンサ５４０と区別して表現するために、以
下、総称して薄型受動部品Ｐａと記し、現用のそれらを
総称して受動部品Ｐｂと記す。

【００３９】さて、図３を用いて図１、図２に示した薄
型受動部品が実装された本発明の一実施形態の集積型電
子部品及びこれがマザー基板に搭載された構造の本発明
の一実施形態の電子部品装置を説明する。

【００４０】図３において、符号１００は本発明の一実
施形態の電子部品装置を、符号２００は本発明の一実施
形態の集積型電子部品を指す。この電子部品装置１００
は、主要部品のＩＣチップＳが実装されているインター
ポーザー基板３００からなる集積型電子部品２００とモ
バイル器機などの電子器機側に実装されるマザー基板１
１０とから構成されている。

【００４１】インターポーザー基板３００の詳細な内部
構造ついては図４〜図６を用いて後記する。このインタ
ーポーザー基板３００の一面には所定の配列で複数の電
極パッド２１１が形成されており、また、他の面にも所
定の間隔で複数の電極パッド２１２が形成されている。

【００４２】集積型電子部品２００は、従来技術の集積
型電子部品５１０と同様に、前記電極パッド２１１のそ
れぞれにＩＣチップＳの各電極Ｄが金ワイヤＷでボンド
されてＩＣチップＳが実装され、インターポーザー基板
３００の他の面の電極パッド２１２にそれぞれ突起電極
である半田ボール電極２１３が形成されている。ＩＣチ
ップＳ、金ワイヤＷ、電極パッド２１１などは封止樹脂
２１５で封止されている。そして電極パッド２１４に薄
型受動部品Ｐａが実装されている。

【００４３】マザー基板１１０も、従来技術のマザー基
板５２０と同様に、有機材料またはセラミック材料など
を材料とし、その両面に銅の導電層が両面に形成されて
いるプリント回路基板である。そのマザー基板１１０の
両側面には集積型電子部品２００側の半田ボール電極２
１３が接続されるランド１１１部分を含めて電子回路の
配線１１２、１１３がエッチング、またはめっき法によ
りパターンニングされ、導電層間は、複数箇所でバイア
ホール１１４によって接続されている。

【００４４】本発明の集積型電子部品２００において
は、インターポーザー基板３００の半田ボール電極２１
３がマザー基板１１０のランド１１１に半田付けにより
実装されており、そして半田ボール電極２１３が存在し
ない部分のインターポーザー基板３００とマザー基板１
１０との間に、インターポーザー基板３００のマザー基
板１１０に面した側の電極パッド２１４に、或いはマザ
ー基板１１０のインターポーザー基板３００に面した側
のランド１１１や配線１１２に薄型受動部品Ｐａが実装
されており、また、必要に応じてインターポーザー基板
３００中にも薄型受動部品ＰａをＩＣチップＳの周辺部
に隣接して組み込んで構成されている。また、マザー基
板１１０の集積型電子部品２００が実装されている面側
の集積型電子部品２００が存在しない部分には通常の受
動部品Ｐｂが実装されており、また、必要に応じてマザ
ー基板１１０の裏面側にも受動部品Ｐｂを実装すること
ができる。

【００４５】なお、マザー基板１１０の表面には、配線
パターンの保護、はんだ付け、防湿などのためのソルダ
ーレジスト１１５が形成されている。

【００４６】また、本発明の集積型電子部品２００にお
いては、図３及び図４に示したように、必要に応じて、
薄型受動部品Ｐａをインターポーザー基板３００の内部
にも実装することができる。この薄型受動部品Ｐａのイ
ンターポーザー基板３００内部への実装をも併せてイン
ターポーザー基板３００の構造及びその製造方法を、図
４〜図６を用いて、以下、説明する。図４に示したイン
ターポーザー基板３００は、両面基板をコアとして片側
１層毎のビルドアップ基板で示されている。

【００４７】このインターポーザー基板３００として
は、先ず、図５Ａに示したように、絶縁性基板材３１１
の両面に導電層３１２、３１３が形成されているコア基
板３１０を用意する。コア基板３１０としては、銅箔の
導電層が片面、両面、４層などの多層構造のもの、層間
接続構造のものなど製造方法により様々な構造のものが
考えられる。基板材３１１としては、ガラス繊維を織り
込んだ基板材料にエポキシ材料などを染み込ませて硬化
させたもの、或いはその柔軟なものでもよい（この柔軟
なシート状のものをプリプレグと呼ぶ）。コア基板とし
ては、このような基板材３１１の表面に厚み１２、１
８、３５、５０、７５μｍの銅箔を貼り合わせたもので
ある。最近では６μｍ、３μｍ程度の薄い銅箔を貼り合
せたリジット材もある。本発明の試作では、後工程での
バイアホール加工を想定して１８μｍの厚みの銅箔が貼
り合わせられたコア基板３１０を用いた。

【００４８】次の工程では、図５Ｂに示したように、導
電層３１２、３１３間の接続を取るためのバイアホール
３１４の加工を行う。加工孔径は、板厚にもよるが大体
１００〜３００μｍ程度とする。加工にはドリル加工機
を使用した。

【００４９】ドリル加工の終了後、デスミヤ加工工程、
一連のメッキ工程を経て、２層間の導通を取る。この場
合、コア基板３１０は全面メッキされるので最初の導電
層３１２、３１３の厚み１８μｍよりメッキの厚み分だ
け厚みが増える。メッキの厚みは、１０μｍから４０μ
ｍ程度、通常２０μｍ程度が適切である。そして、バイ
アホール３１４の凹を導電性の樹脂などで埋める工程を
通すこともある。そして荒研摩、エッチング、仕上げ研
摩などの工程を組み合せる。その後、図５Ｃに示した工
程で形成される配線パターンの精度にもよるが、導電層
３１２、３１３の銅箔をソフトエッチングして、求める
配線パターン３１５の精度を形成しやすい厚みの銅箔に
する。

【００５０】図５Ｃに示した工程３は配線パターンニン
グ工程である。不要な部分をエッチング液（塩化第２鉄
が一般的）により取り去る。必要な配線パターン３１
５、パッド部３１６はパターンニングの事前工程でマス
クを施してエッチングにより除去されないようにしてお
く。なお、この配線パターニングは銅箔のエッチングに
よる他、絶縁基板３１１に配線パターン３１５やパッド
部３１６をメッキにより形成する方法もある。

【００５１】図５Ｄに示した次の工程では、薄型受動部
品Ｐａをパッド部３１６に接続する。この部品の接続に
は、スクリーンなどを用いて薄型受動部品Ｐａが実装さ
れるパッド部３１６にクリーム半田或いは導電性接着剤
（不図示）を塗布し、それらに薄型受動部品Ｐａを搭載
し、リフロー工程を経て薄型受動部品Ｐａを実装し、そ
して洗浄行う方法をとってもよいが、このリフローによ
る接続はリフロー中にマイクロ半田ボールが発生し、そ
れらが起因となって部品と配線パターンをショートさ
せ、或いは信頼性の低下を招くことがある。また半田を
用いると、当然、半田には、フラックスが含有されてい
るので信頼性を確保する上で洗浄工程が必要となる。

【００５２】従って、本発明においては、この薄型受動
部品Ｐａの接続は、半田を使用しないで、導電性接着剤
を用いる方法を採る。導電性接着剤はなるべく薄く塗布
して部品が確実に接続されるように信頼性を確保してお
く必要がある。

【００５３】図５Ｅの工程では、コア基板３１０に搭載
された薄型受動部品Ｐａ部分が収容できる開口空間部３
２１が開口した、部品高さ（厚み）＋αの厚みのシート
状接着樹脂（プリプレグ）３２０を貼り合せる。このシ
ート状接着樹脂３２０は、後の積層工程において溶融し
て基板面と次の工程で使用される樹脂付銅箔との密着を
図る。また、接着樹脂３２０はその開口空間部３２１の
隙間、薄型受動部品Ｐａの下、その廻りを密封する機能
も果たす。そして基板表面を極力平坦化する必要がある
ので、接着樹脂３２０は、例えば、熱硬化性のエポキシ
樹脂のような流動性のある材料とする。

【００５４】次に、図６Ａの工程では、樹脂付き銅箔３
３０の張り合せである。樹脂付き銅箔３３０の樹脂部分
を符号３３１、銅箔部分を符号３３２で示した。この工
程においても、先の工程の接着樹脂３２０は依然硬化し
ていない。

【００５５】樹脂付き銅箔３３０は銅箔３３１に樹脂３
３２が塗布されたもので、種々のタイプのものが市販さ
れており、銅箔３３２の厚みや樹脂３３１の種類及び構
造も多々ある。樹脂は積層工程においてフローするタイ
プ、フローしないタイプ（ノンフロータイプ）、または
これら双方を兼ね備えたものが存在する。なお、フロー
とは、樹脂が温度によって流動化して流れ出す現象をい
う。近年、この樹脂付き銅箔３３０は有機基板の製造プ
ロセスにおいて、積層構造の最外層を形成する場合に使
用される例が多くなっている。本発明では、ノンフロー
タイプを使用する。

【００５６】図６Ｂの工程は積層工程である。この工程
の重要な点は、接着樹脂３２０と樹脂付き銅箔３３０と
の密封性と、薄型受動部品Ｐａを実装した空間部３２１
の隙間が無くなるように薄型受動部品Ｐａの周りを完全
に封止することと、薄型受動部品Ｐａ及び配線パターン
３１５の影響で外層部に凹凸が発生しないようにしなけ
ればならない。そのためには、接着樹脂３２０の厚みと
開口空間部３２１の寸法、樹脂付き銅箔３３０の材料特
性、温度、圧力などの積層条件を検討しなければならな
い。本工程における薄型受動部品Ｐａの周辺への樹脂に
よる封止については、図７を参照しながら後記する。

【００５７】次に、図６Ｃに示したように、接着樹脂３
２０と樹脂付き銅箔３３０との積層部分にバイアホール
３４０の加工を施すことである。バイアホール３４０
は、図６Ｃの上から１層−２層、３層−４層の接続がで
きるようになっている。これらバイアホール３４０の加
工は、先ず、トップ径と同じか、それより若干大き目の
径で樹脂付き銅箔３３０の銅層３３２をエッチングによ
り除去し、炭酸ガスレーザーなどにより孔加工を行う。
この孔加工が終了したら、樹脂付き銅箔３３０の銅箔と
下部電極（導電層３１２、３１３の配線パターン３１５
及びパッド部３１６）とのメッキまたは導電ペーストに
よる接続を保つために、デスミヤを行って洗浄、メッキ
工程へ進む。

【００５８】図６Ｄには、バイアホール３４０をメッキ
処理した状態、或いは導電ペーストを埋め込んだ状態を
示した。メッキ処理の場合は、図５Ｃの工程と同じよう
に凹凸をなるべく減らすための処理を行う。この後、最
外層（樹脂付き銅箔３３０の銅層３３２）に配線パター
ンなどのパターンニングを行ってレジスト塗布、金メッ
キ処理、耐熱フラックスなどの防錆処理を施す。

【００５９】その後の工程としては、図４に示したＩＣ
チップＳを銀ペーストなどによりインターポーザー基板
３００上に固着して、ワイヤーボンディング装置により
ＩＣチップＳの電極Ｄと基板パット部３３２１との接続
を行う。

【００６０】次に、ワイヤーボンディングしたＩＣチッ
プＳの部分を開口してスクリーン等により保護樹脂２１
４を塗布し、オーブンなどで硬化する。この保護樹脂２
１４は主に熱硬化性の樹脂、例えば、エポキシ系樹脂に
フィラーを混ぜたものが使用される。保護樹脂２１４の
塗布厚みは、樹脂硬化後、金ワイヤーＷの高さより充分
厚くなるように塗布する。

【００６１】この実施形態では、ＩＣチップＳの実装方
法としては、ワイヤーボンディングによる方法を採って
いるが、完成後の厚みを考慮する場合は、ＩＣのダイに
バンプを形成して、異方性導電膜等により基板との接続
を採る方法など種々存在する。

【００６２】次に、図４に示したように、集積型電子部
品２００の半田ボール電極２１３の形成工程になる。半
田ボール電極２１３は、クリーム半田を印刷してリフロ
ー炉などに入れることにより半田が溶融し、その表面張
力により球形になることを利用して形成する方法や予め
半田ボールを個別に用意して、基板上にフラックスまた
は、クリーム半田を塗布しておいてリフロー装置などに
よって固着する方法がある。半田の溶融温度もその含ま
れる材料の配分によって様々な種類があるので基板材の
耐熱性、ＩＣチップＳへの影響、または薄型受動部品Ｐ
ａの取り付け方法により最適な半田を選択する。

【００６３】以上の工程を終えると、検査工程を経てダ
イシング装置などにより個片に切り出してマザー基板１
１０へ搭載する。マザー基板１１０側には、図３に示し
たように、通常の受動部品Ｐｂと搭載される集積型電子
部品２００の下部の位置に薄型受動部品Ｐａを搭載した
後、集積型電子部品２００を搭載してリフロー工程へ送
り、全ての部品を固着、実装する。

【００６４】このようにして、図３に示した本発明の一
実施形態の電子部品装置１００が完成する。

【００６５】図７は図６Ｂに示した積層工程における薄
型受動部品Ｐａの樹脂封止を行うための条件を説明する
ための図である。

【００６６】薄型受動部品Ｐａは、例えば、その厚さが
１００μｍ以下であるとし、長さＬ＝１ｍｍ、幅Ｗ＝
０．５ｍｍとか、長さＬ＝０．６ｍｍ、Ｗ＝０．３ｍｍ
の部品であるとする。

【００６７】接着樹脂３２０の開口空間部３２１の寸法
（Ｘ×Ｙ）は、この薄型受動部品Ｐａの寸法とインター
ポーザー基板３００のパッド部３１６の寸法に余裕を持
たせる。また、接着樹脂３２０の厚みＴは、薄型受動部
品Ｐａの高さ＋接続材ｈの厚み＋パッド部３１６の厚み
＋薄型受動部品Ｐａ上部の保護膜厚を勘案して決定す
る。例えば、薄型受動部品Ｐａの厚みが１００μｍ、接
続材の厚みが３０μｍ、パッド部３１６の厚みが１８μ
ｍ、そして薄型受動部品Ｐａの上部保護膜の厚みが３０
μｍとした場合、計１７８μｍであるので、２００μｍ
前後の厚みのシート状接着樹脂３２０を用いる。接着樹
脂３２０の硬化後の実際の厚みは１５０μｍ程度とな
る。この硬化接着樹脂３２０の表面上にノンフロータイ
プの樹脂付き銅箔３３０を張り合わせる。

【００６８】なお、本発明においては、シート状の接着
樹脂３２０を用いる他、樹脂をスクリーン印刷などによ
り塗布して硬化させた後、樹脂付き銅箔３３０を積層す
るようにしても同様の構造に形成できることは既に実験
済みである。

【００６９】薄型受動部品Ｐａの実装部にエアー溜りな
どが存在したままであると、インターポーザー基板３０
０の完成後、そのインターポーザー基板３００をリフロ
ーなどで熱工処理を施した場合に著しく信頼性を損ねる
場合があるので、この寸法については、最適な条件を選
択しなければならない。

【００７０】なお、基板外層面は、後の工程でのＩＣ及
び一般部品の実装に際して、平坦性が特に求められるこ
とから積層後の仕上がりが重要である。

【００７１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、 １．従来の集積型電子部品のサイズ及び使用する半田ボ
ールなどの径を変えること無く、そして周辺の回路部品
を集積型電子部品内に取り込むことができることから、
小型、軽量化が求められるモバイル機器の実装に適して
いる ２．周辺の回路部品を集積型電子部品内に取り込んだこ
とから、回路部品間は、極めて短い距離で接続すること
ができ、不要輻射の低減や回路特性の向上を図ることが
できる ３．本発明では、受動部品の厚みを１００μｍ程度或い
はこれ以下とすることから基板（インターポーザー基
板）の内層部に実装して封止することも可能となった ４．基板（インターポーザー基板）の外観は言うに及ば
ず、その上に配置したＩＣチップの実装も従来の方法を
用いて行うことができる を継承することが可能である。など、数々の優れた効果
が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に用いて好適な一実施形態の薄型受動
部品である抵抗器の断面図である。

【図２】 本発明に用いて好適な一実施形態の薄型受動
部品であるコンデンサの断面図である。

【図３】 図１、図２に示した薄型受動部品が実装され
た本発明の一実施形態の集積型電子部品がマザー基板に
搭載された構造の本発明の一実施形態の電子部品装置の
断面図である。

【図４】 図３に示した電子部品装置の集積型電子部品
のインターポーザー基板のより具体的な構造の断面図で
ある。

【図５】 図４に示したインターポーザー基板の一部製
造工程図である。

【図６】 図５に示した製造工程に続く製造工程図であ
る。

【図７】 本発明のインターポーザー基板の内層部に実
装され樹脂封止された状態の薄型受動部品を示している
拡大図であって、同図Ａはその上面図、同図Ｂは同図Ａ
のＡ−Ａ線上における断面図である。

【図８】 図８は従来技術の一つの集積型電子部品が従
来技術のマザー基板に搭載された構造の電子部品装置の
断面図である。

【図９】 従来技術のチップ型受動素子の一つである抵
抗器の構造を示していて、同図Ａはその上面図、同図Ｂ
は同図ＡのＢ−Ｂ線上における断面図である。

【図１０】 従来技術のチップ型受動素子の一つである
コンデンサの構造を示していて、同図Ａはその上面図、
同図Ｂは同図ＡのＢ−Ｂ線上における断面図である。

【符号の説明】

１００…本発明の一実施形態の電子部品装置、１１０…
マザー基板、１１１…ランド、１１２，１１３…配線、
１１４，３４０…バイアホール、１１５…ソルダーレジ
スト、２００…集積型電子部品、２１１，２１２…電極
パッド、２１３…半田ボール電極、２１４…封止樹脂、
３１０…コア基板、３１１…基板材、３１２，３１３…
導電層、３２０…接着樹脂、３２１…開口空間部、３３
０…樹脂付き銅箔、３３１…樹脂層、３３２…銅層、Ｓ
…ＩＣチップ、Ｐａ…本発明に用いられる薄型受動部
品、Ｐｂ…現用の受動部品

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 インターポーザー基板の一面に半導体チ
   ップが実装され、他面に複数の突起電極が形成されいる
   集積型電子部品において、 前記突起電極の高さ以下の薄型受動部品が前記インター
   ポーザー基板の前記半導体チップが実装されている位置
   の前記他面の前記突起電極が存在しない部分に実装され
   ていることを特徴とする集積型電子部品。
2. 【請求項２】 複数の導電層が積層されているインター
   ポーザー基板の前記隣接する導電層間の少なくとも一層
   の樹脂層に薄型受動部品が内蔵され、前記隣接する導電
   層の何れかに電気的に接続されていることを特徴とする
   電子部品装置。
3. 【請求項３】 一面に半導体チップが実装され、他面に
   複数の突起電極が形成されいるインターポーザー基板が
   マザー基板に実装された電子部品装置において、 前記突起電極の高さ以下の薄型受動部品が前記インター
   ポーザー基板の前記半導体チップが実装されている位置
   の対向する前記マザー基板側に前記突起電極が接続され
   る電極部分を避けて実装されていることを特徴とする電
   子部品装置。
4. 【請求項４】 コア基板の少なくとも一面に薄型受動部
   品を実装し、該薄型受動部品が存在する部分を除いて前
   記一面に電気絶縁接着材の薄膜層を形成し、その後、樹
   脂層を介して薄膜銅層を積層して加熱圧着し、前記薄型
   受動部品を前記電気絶縁接着材で封止することを特徴と
   する電子部品装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記絶縁接着材は、実装された前記薄型
   受動部品の高さ以上の厚みで形成され、かつ前記樹脂層
   と前記薄膜銅層との積層工程における熱に溶融して前記
   コア基板に密着すると共に、前記薄型受動部品を密封
   し、機械的にも保護する樹脂であることを特徴とする請
   求項３に記載の電子部品装置の製造方法。