KR20210022136A - 가변 높이의 경사진 격자 방법 - Google Patents
가변 높이의 경사진 격자 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210022136A KR20210022136A KR1020217004526A KR20217004526A KR20210022136A KR 20210022136 A KR20210022136 A KR 20210022136A KR 1020217004526 A KR1020217004526 A KR 1020217004526A KR 20217004526 A KR20217004526 A KR 20217004526A KR 20210022136 A KR20210022136 A KR 20210022136A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- waveguide
- recess
- grating
- depth
- lattice
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
- G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
- G02B6/0035—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
- G02B6/0045—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it by shaping at least a portion of the light guide
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/01—Head-up displays
- G02B27/017—Head mounted
- G02B27/0172—Head mounted characterised by optical features
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1828—Diffraction gratings having means for producing variable diffraction
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
- G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
- G02B6/0015—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
- G02B6/0016—Grooves, prisms, gratings, scattering particles or rough surfaces
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
- G02B6/0065—Manufacturing aspects; Material aspects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/01—Head-up displays
- G02B27/017—Head mounted
- G02B27/0172—Head mounted characterised by optical features
- G02B2027/0174—Head mounted characterised by optical features holographic
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
- G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
- G02B6/0035—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
- G02B6/0038—Linear indentations or grooves, e.g. arc-shaped grooves or meandering grooves, extending over the full length or width of the light guide
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
격자 구조를 갖는 장치 및 그를 형성하기 위한 방법이 개시된다. 격자 구조는, 격자 층에 리세스를 형성하는 것을 포함한다. 경사진 격자 구조들을 격자 층에 정의하기 위해 복수의 채널들이 격자 층에 형성된다. 리세스 및 경사진 격자 구조들은 선택적 식각 프로세스를 사용하여 형성된다.
Description
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 디스플레이 장치에서 사용하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용은, 도파관에서 사용하기 위한 격자 구조에 관한 것이다.
가상 현실은 일반적으로, 사용자가 명백한 물리적 존재를 갖는 컴퓨터 생성 모의 환경인 것으로 간주된다. 가상 현실 경험은 3D로 생성되어 헤드 장착 디스플레이(HMD), 이를테면, 실제 환경을 대체하는 가상 환경을 표시하기 위한 렌즈들로서 근안(near-eye) 디스플레이 패널들을 갖는 안경 또는 다른 웨어러블 디스플레이 디바이스들을 이용하여 보여질 수 있다.
그러나, 증강 현실은, 사용자가 여전히 실제 주변 환경을 보도록 안경 또는 다른 HMD 디바이스의 디스플레이 렌즈들을 통해 보면서 또한 실제 환경의 일부로서 디스플레이에 생성되어 나타나는 가상 객체들의 이미지들을 볼 수 있는 경험을 가능하게 한다. 증강 현실은, 임의의 유형의 입력, 이를테면, 오디오 및 촉각 입력들뿐만 아니라 사용자가 경험하는 환경을 향상 또는 증강시키는 가상 이미지들 및 비디오를 포함할 수 있다. 첨단 기술로서, 증강 현실에는 많은 난제들 및 설계 제약들이 존재한다.
하나의 그러한 난제는, 다양한 사용자 시점들에서 충분한 선명도를 가지면서 주변 환경 상에 겹쳐진 가상 이미지를 표시하는 것이다. 예컨대, 표시되는 가상 이미지와 사용자의 눈이 정확하게 정렬되지 않은 경우, 사용자는 왜곡되고 불명확한 이미지를 볼 수 있거나 이미지를 완전하게 보지 못할 수 있다. 더욱이, 이미지는 흐릿할 수 있고, 비-최적 시야각에서 바람직한 해상도보다 낮은 해상도를 가질 수 있다.
따라서, 증강 현실 디스플레이 디바이스들을 제조하는 개선된 방법들에 대한 필요성이 존재한다.
본 개시내용은 일반적으로, 디스플레이 장치에서 사용하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용은, 도파관에서 사용하기 위한 격자 구조에 관한 것이다.
일 실시예에서, 도파관에서 사용하기 위한 구조가 제공된다. 구조는, 상부에 격자 층이 있는 기판을 갖는다. 제1 단부 및 제2 단부를 갖는 리세스가 격자 층에 형성된다. 리세스는 제1 단부로부터 제2 단부로 변하는 깊이를 갖는다. 복수의 채널들이 격자 층에 형성된다. 각각의 채널은, 복수의 격자 구조들의 일부분을 부분적으로 정의한다. 복수의 격자 구조들은 또한, 리세스에 의해 정의되는 제1 단부로부터 제2 단부로 깊이 변화들을 갖는다.
다른 실시예에서, 도파관에서 사용하기 위한 구조가 제공된다. 구조는, 상부에 격자 층이 있는 기판을 포함한다. 제1 방향 및 제2 방향으로 격자 층에 리세스가 형성된다. 리세스는, 3차원 형상을 정의하는, 제1 방향 및 제2 방향으로 변하는 깊이를 갖는다. 복수의 채널들이 격자 층에 형성된다. 각각의 채널은, 복수의 격자 구조들의 일부분을 부분적으로 정의한다. 복수의 격자 구조들은 또한, 리세스에 의해 정의되는 바와 같은 제1 방향 및 제2 방향으로 변하는 깊이를 갖는다.
또 다른 실시예에서, 격자 구조를 형성하는 방법이 제공된다. 방법은, 격자 층에 리세스를 형성하는 단계, 격자 층 위에 하드마스크 및 포토레지스트 적층체를 형성하는 단계, 포토레지스트 적층체를 식각하는 단계, 및 격자 층에 복수의 격자 구조들을 형성하는 단계를 포함한다.
본 개시내용의 상기 언급된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이러한 실시예들 중 일부가 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 그 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 유의되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
도 1은 본원에 설명된 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본원에 설명된 일 실시예에 따른, 내부에 쐐기-형상 리세스된 구조가 형성된 도파관의 일부분의 단면 확대도이다.
도 3은, 상부에 포토레지스트 적층체가 형성된 도 2의 도파관의 단면 확대도이다.
도 4는, 상부에 패터닝된 하드마스크가 형성된 도 3의 도파관의 단면 확대도이다.
도 5는, 내부에 격자 구조들이 형성된 도 4의 도파관의 단면 확대도이다.
도 6은 본원에 설명된 일 실시예에 따른, 도파관을 제조하는 방법의 흐름도이다.
도 7a 내지 도 7c는 본원에 설명된 실시예들에 따른 리세스된 구조의 형상들의 예들의 단면 확대도들이다.
도 8a 내지 도 8c는 본원에 설명된 실시예들에 따른 리세스된 구조의 3차원 형상들의 예들의 사시도들이다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 도면들에 공통된 동일한 요소들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들은 추가적인 언급이 없이도 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
도 1은 본원에 설명된 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본원에 설명된 일 실시예에 따른, 내부에 쐐기-형상 리세스된 구조가 형성된 도파관의 일부분의 단면 확대도이다.
도 3은, 상부에 포토레지스트 적층체가 형성된 도 2의 도파관의 단면 확대도이다.
도 4는, 상부에 패터닝된 하드마스크가 형성된 도 3의 도파관의 단면 확대도이다.
도 5는, 내부에 격자 구조들이 형성된 도 4의 도파관의 단면 확대도이다.
도 6은 본원에 설명된 일 실시예에 따른, 도파관을 제조하는 방법의 흐름도이다.
도 7a 내지 도 7c는 본원에 설명된 실시예들에 따른 리세스된 구조의 형상들의 예들의 단면 확대도들이다.
도 8a 내지 도 8c는 본원에 설명된 실시예들에 따른 리세스된 구조의 3차원 형상들의 예들의 사시도들이다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 도면들에 공통된 동일한 요소들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들은 추가적인 언급이 없이도 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
격자 구조를 갖는 장치 및 그 격자 구조를 형성하기 위한 방법이 개시된다. 격자 구조는, 격자 층 내의 리세스를 포함한다. 경사진 격자 구조들을 격자 층에 정의하기 위해 복수의 채널들이 격자 층에 형성된다. 리세스 및 경사진 격자 구조들은 선택적 식각 프로세스를 사용하여 형성된다.
도 1은, 디스플레이 장치(100)에서 구현되는 도파관(104)의 개략적인 단면도이다. 디스플레이 장치(100)는, 증강, 가상, 및 혼합 또는 병합 현실 응용들뿐만 아니라 다른 디스플레이 응용들, 이를테면 핸드헬드 디스플레이 디바이스들을 위해 구성된다.
디스플레이 장치(100)는, 사용자가 사용자 관점(101)에서 주변 환경(130)을 보는 것과 같이, 도파관(104)을 통한 주변 환경(130)의 시-스루(see-through) 보기를 위해 도파관(104)을 활용한다. 디스플레이 장치(100)에서 구현될 때, 도파관(104)의 제1 표면(122)은 사용자의 눈(111)에 인접하고 그와 대면하게 배치된다. 도파관(104)의 제2 표면(124)은 제1 표면(122)에 대향하게 그리고 주변 환경(130)에 인접하고 그와 대면하게 배치된다. 평탄한 것으로 예시되지만, 도파관(104)은 원하는 응용에 따라 만곡되거나 각질 수 있는 것으로 고려된다.
디스플레이 장치(100)는, 생성된 가상 이미지의 광 빔들(120)을 도파관(104)으로 지향시키기 위한 이미지 마이크로디스플레이(128)를 더 포함한다. 가상 이미지의 광 빔들(120)은 도파관(104)에서 전파된다. 일반적으로, 도파관(104)은, 입력 결합 구역(106), 도파관 구역(108), 및 출력 결합 구역(110)을 포함한다. 입력 결합 구역(106)은 이미지 마이크로디스플레이(128)로부터 광 빔들(120)(가상 이미지)을 수신하고 광 빔들(120)은 도파관 구역(108)을 통해 출력 결합 구역(110)으로 이동하며, 여기서, 사용자의 관점(101) 및 시야는 주변 환경(130) 상에 겹쳐진 가상 이미지의 시각화를 가능하게 한다. 이미지 마이크로디스플레이(128)는, 가상 이미지의 광 빔들(120)을 도파관(104)으로 투사하는 고해상도 디스플레이 생성기, 이를테면, 규소 상 액정(liquid crystal on silicon) 마이크로디스플레이이다.
도파관(104)은, 입력 격자 구조들(112) 및 출력 격자 구조들(114)을 포함한다. 입력 격자 구조들(112)은, 입력 결합 구역(106)에 대응하는 영역에서 도파관(104) 상에 형성된다. 출력 격자 구조들(114)은, 출력 결합 구역(110)에 대응하는 영역에서 도파관(104) 상에 형성된다. 입력 격자 구조들(112) 및 출력 격자 구조들(114)은 도파관(104) 내에서의 광 전파에 영향을 미친다. 예컨대, 입력 격자 구조(112)는 이미지 마이크로디스플레이(128)로부터의 광, 이를테면 광 빔들(120)을 포획(couple in)하고, 출력 격자 구조는 그 광을 사용자의 눈(111)으로 축출(couple out)한다.
예컨대, 입력 격자 구조들(112)은, 사용자의 눈(111)에 표시되는 가상 이미지의 시야에 영향을 미친다. 출력 격자 구조들(114)은, 수집되어 도파관(104)으로부터 축출되는 광 빔들(120)의 양에 영향을 미친다. 게다가, 출력 격자 구조들(114)은 사용자의 관점(101)으로부터의 가상 이미지의 시야를 변조하고, 사용자가 이미지 마이크로디스플레이(128)로부터의 가상 이미지를 볼 수 있는 시야각을 증가시킨다. 다른 예에서, 격자 구조(도시되지 않음)가 또한 입력 결합 구역(106)과 출력 결합 구역(110) 사이에서 도파관 구역(108)에 형성된다. 부가적으로, 각각 내부에 원하는 격자 구조들이 형성된 다수의 도파관들(104)이 사용되어 디스플레이 장치(100)를 형성할 수 있다.
도 2는, 내부에 격자 구조들(280)(도 5)을 형성하기 위한 도파관(200)의 확대된 부분 단면이다. 이러한 예에서, 도파관(200)은, 상부에 식각 정지 층(204)이 형성된 기판(202)을 갖는다. 기판(202)은 광학적으로 투명한 물질, 이를테면 규소로 만들어진다. 식각 정지 층(204)은 기판(202) 위에 형성된다. 식각 정지 층(204)은, 예컨대, 화학 기상 증착(CVD) 프로세스, 물리 기상 증착(PVD) 프로세스, 또는 스핀-온 프로세스에 의해 형성된다. 식각 정지 층(204)은, 식각 프로세스에 대한 내성이 있는 물질, 이를테면, 다른 것들 중에서도, 질화티타늄 또는 질화탄탈럼으로 형성된다.
격자 층(206)이 식각 정지 층(204) 위에 형성된다. 격자 층(206)은 광학적으로 투명한 물질로 형성된다. 일 예에서, 격자 층(206)은 규소 기재 물질, 이를테면, 질화규소 또는 산화규소, 또는 티타늄 기재 물질, 이를테면 산화티타늄으로 형성된다. 격자 층(206)의 물질은, 높은 굴절률, 이를테면 약 1.3 또는 그보다 높은 굴절률, 예컨대 1.5 또는 심지어 더 높은 굴절률을 갖는다. 일반적으로, 격자 층(206)은, 약 1 마이크로미터 미만, 이를테면 약 150 nm 내지 약 700 nm의 두께를 갖는다. 예컨대, 격자 층(206)은, 약 200 nm 내지 약 600 nm, 이를테면 약 300 nm 내지 약 500 nm, 이를테면 약 400 nm의 두께를 갖는다.
격자 층(206)이 형성된 후에, 그 격자 층에 리세스(220)가 형성된다. 리세스(220)는, 쐐기형 형상, 뿔대형 형상, 원뿔형 형상 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는 임의의 적합한 리세스된 구조 및 형상일 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 리세스(220)는, 제1 단부(230)와 제2 단부(232) 사이의 길이(L)를 갖는 평탄한 부등변 쐐기형 구조를 갖는다. 리세스(220)의 깊이(D)는 제1 단부(230)로부터 제2 단부(232)로 증가한다. 즉, 리세스(220)의 깊이(D)는 제1 단부(230)에서 최소이고 제2 단부(232)에서 최대이다. 깊이(D)는, 약 0 nm 내지 약 700 nm, 이를테면 약 100 nm 내지 약 600 nm, 이를테면 약 200 nm 내지 약 500 nm의 범위 내에 있다. 예컨대, 깊이(D)는 약 300 nm 내지 약 400 nm, 이를테면 약 350 nm이다. 도 2의 실시예에서, 길이(L)는 깊이(D)와 비교하여 실질적으로 더 크다. 예컨대, 길이(L)는 약 25 mm인 한편, 제1 단부(230)에서의 깊이(D)는 약 0 nm 내지 약 50 nm이고 제2 단부(232)에서의 깊이(D)는 약 250 nm 내지 약 700 nm이다. 그에 따라서, 리세스(220)는, 리세스(220)의 표면과 격자 층(206)의 표면(206a)에 의해 정의되는 평면 사이에서 측정되는 각도(
)로서 도시되는 실질적으로 얕은 경사를 갖는다. 이러한 예에서, 각도(
)는 1 도 미만, 이를테면, 약 0.0005 도와 같이 0.1 도 미만이다. 리세스(220)의 경사는 명확화를 위해 과장된 각도(
)로 본원에서 예시된다.
일 예에서, 리세스(220)는 격자 층(206)의 영역들을 선택적으로 식각함으로써 형성된다. 예컨대, 리세스(220)의 제1 부분(220a)은 낮은 식각률 및/또는 저전력으로 격자 층(206)을 식각함으로써 형성된다. 제2 부분(220b)은 부분(220a)보다 증가된 식각률 및/또는 전력으로 격자 층(206)을 식각함으로써 형성된다. 유사하게, 제3 부분(220c)은, 부분들(220a, 220b)보다 높은 식각률 및/또는 전력으로 격자 층(206)을 식각함으로써 형성된다. 여기서, 예시의 목적들을 위해 3개의 부분이 사용된다. 그러나, 임의의 바람직한 수의 부분들이 사용되어 리세스(220)를 형성하고, 단일 동작 단계 또는 다수의 단계들로 식각될 수 있다. 부가적으로, 식각은 완만하게 증가하는 간격들(즉, 식각률 및/또는 전력)로 발생할 수 있으며, 이에 따라, 리세스(220)는 평활한 표면을 갖는다. 일 예에서, 격자 구조들(280)에 대한 영역은, 이를테면, 마스크(예컨대, 포토리소그래피 마스크 또는 근접 마스크) 또는 식각 빔을 사용함으로써, 리세스(220)의 형성 전에 정의된다. 평활한 윤곽을 갖는 리세스(220)를 형성하는 것은, 거친(즉, 계단식 등) 구조와 비교하여 광 빔들의 회절 및 투사를 더 양호하게 제어함으로써 이미지 품질을 개선한다. 그에 따라, 격자 구조들(280)에 걸쳐 축출되는 광의 전력이 상당히 더 균일하다.
도 3은, 상부에 포토레지스트 적층체(250)가 형성된 도파관(200)의 단면이다. 형상추종적 하드마스크(208)가 격자 층(206) 위에 형성된다. 하드마스크(208)는, 예컨대, 화학 기상 증착 프로세스를 사용하여 질화티타늄으로 형성된다. 일 예에서, 하드마스크(208)는, 약 30 nm 내지 약 50 nm, 이를테면 약 35 nm 내지 약 45 nm의 두께를 갖는다. 포토레지스트 적층체(250)는, 후방 반사방지 코팅(BARC)(210), 규소 반사방지 코팅(SiARC)(212), 및 포토레지스트(214)를 포함한다. BARC(210)는, BARC(210)의 상부 표면(210a)이 실질적으로 평탄하도록(즉, 기판(202)의 표면(202a)에 평행하도록) 스핀-온 프로세스를 사용하여 형성된다. 스핀-온 프로세스를 사용하여 BARC(210)를 형성함으로써, BARC(210)를 평탄화하기 위한 식각 프로세스 또는 연마 프로세스가 필요하지 않으며, 이는, BARC(210) 및/또는 하부 격자 층(206)을 과식각하거나 손상시킬 잠재성을 제거한다.
다음으로, SiARC(212)가 BARC(210) 위에 형성된다. SiARC(212)는, 예컨대, 화학 기상 증착 프로세스 또는 스핀-온 프로세스를 사용하여 규소 기재 물질로 형성된다. 포토레지스트(214)는 SiARC(212) 위에 형성된다. 포토레지스트(214)는, 예컨대, 리소그래피 프로세스를 사용하여 중합체성 물질로 형성된다. 일 예에서, 포토레지스트(214)는, 스핀-온 코팅을 사용하여, 하나 이상의 격자 라인을 노출시키고, 포토레지스트(214)를 현상함으로써 형성된다. 포토레지스트(214)의 형성 후에, 포토레지스트 적층체(250)가 식각 프로세스를 사용하여 패터닝된다. BARC(210) 및 SiARC(212)가 있는 패터닝은 예시적인 방법이라는 것이 이해된다. 패터닝의 다른 방법들이 본원과 함께 사용될 수 있다. 패터닝 방법은 일반적으로, 패터닝될 구조의 크기 및 형상과 관련하여 선택된다.
도 4는, 도 3의 포토레지스트 적층체(250)의 식각 및 제거 후의 도파관(200)의 단면이다. 포토레지스트 적층체(250)를 식각하는 것은, 도 4에 도시된 바와 같이 하드마스크(208)를 패터닝한다. 하드마스크(208)는, 도 5에 도시된 경사진 격자 구조들(280)의 형성을 위한 패턴 가이드로서 기능한다. 경사진 격자 구조들(280)은 격자 층(206) 내에 형성된 하나 이상의 채널(270) 사이에 정의된다. 채널들(270)을 형성하기 위해, 선택적 식각 프로세스를 사용하여 격자 층(206)이 다시 식각된다. 일 예에서, 경사진 격자 구조들(280)은, 쐐기-형상 리세스(220)를 형성하는 데 활용되는 프로세스와 유사하지만 시퀀스가 반대인 프로세스를 사용하여 형성된다. 예컨대, 제3 부분(220c)에 대응하는 영역이 낮은 식각률 및/또는 저전력으로 식각된다. 제2 부분(220b)에 대응하는 영역은 제3 부분(220c)보다 높은 식각률 및/또는 전력으로 식각된다. 제1 부분(220a)에 대응하는 영역은 부분들(220b, 220c)보다 높은 식각률 및/또는 전력으로 식각된다. 일 예에서, 경사진 격자 구조들(280)의 정의를 개선하기 위해 식각 정지 층(204)이 식각된다. 경사진 격자 구조들(280)이 형성된 후에, 식각 프로세스를 사용하여 하드마스크(208)가 임의적으로 제거된다.
깊이(d)를 갖는 각각의 경사진 격자 구조(280)는 형성된다. 예컨대, 경사진 격자 구조들(280)은, 약 5 nm 내지 약 700 nm, 이를테면 약 100 nm 내지 약 600 nm, 이를테면 약 500 nm의 깊이(d)를 가질 수 있다. 경사진 격자 구조들(280)의 깊이는, 사용자에 대한 이미지의 투사를 위한 원하는 파장들(즉, 색상)에 따라 선택된다. 도 5의 실시예에서, 경사진 격자 구조들의 깊이(d)는 리세스(220)(가상으로 도시됨)의 제1 단부(230)로부터 제2 단부(232)로 감소한다. 각각의 경사진 격자 구조(280)의 상부 표면들(280a)은, 리세스(220)의 경사에 대응하는 각진 평면(290)을 정의한다. 부가적으로, 각각의 경사진 격자 구조(280)는, 식각 정지 층(204)의 표면(204a)에 수직인 평면에 대해 측정된 각도(
)를 가질 수 있다. 각도(
)는, 예컨대, 약 0 도 내지 약 70 도, 이를테면 약 25 도 내지 약 45 도, 이를테면 약 35 도이다. 본원에 설명된 바와 같은 경사진 격자 구조들(280)을 형성함으로써, 원하는 이미지 평면을 향한 개선된 광의 회절 및 투사로 인해, 도파관(200)에 의해 투사된 이미지의 선명도가 실질적으로 개선된다. 경사진 격자 구조들(280)의 형상을 제어함으로써, 상이한 파장들(즉, 상이한 색상들)의 회절들에서의 변화들이 제어되어 이미지 품질이 개선된다. 경사진 격자 구조들(280)에 의해 제공되는 증가된 제어로 인해, 광학 효율(즉, 사용자의 관점에 대한 원하는 파장들의 투사)이 크게 개선된다. 추가로, 원하지 않는 파장들의 투사가 감소되며, 그에 따라, 투사된 이미지의 선명도 및 품질이 증가된다.
도 2 내지 도 5에서, 리세스(220)는 평탄한 부등변 쐐기형 형상을 갖는 것으로 도시된다. 그러나, 본원에 설명된 식각 프로세스는 유리하게, 리세스(220)가 하나 이상의 방향으로의 경사 및/또는 곡률을 갖는 것을 허용한다. 그에 따라, 리세스(220)는 위에 설명된 바와 같이 임의의 적합한 형상을 가질 수 있다. 도 7a 내지 도 7c는, 리세스(220)에 사용될 수 있는 형상들의 다른 예들을 예시한다. 예컨대, 도 7a는, 도파관(700)의 격자 층(706) 내의 실질적으로 이등변 삼각형인 리세스(720)를 예시한다. 리세스(720)는, 개개의 주변 구역들(720a, 720b)로부터 중앙 구역(720c)을 향해 연장되는 2개의 평탄한 경사진 부분들을 갖는다. 도 7b는, 도파관(730)의 격자 층(736) 내의 다른 리세스(750)를 예시한다. 리세스(750)는, 주변 구역들(750a, 750b)에서 얕은 깊이(D)를 갖고 중앙 구역(750c)에서 증가된 깊이를 갖는 만곡된 오목한 구조를 갖는다. 일 예에서, 리세스(750)는 포물선 형상을 갖는다. 예컨대, 깊이(D)는 주변 구역들(750a, 750b)로부터 중앙 구역(750c)으로 비-선형적으로 증가한다. 도 7c는, 도파관(760)의 격자 층(766) 내의 다른 리세스(780)를 예시한다. 리세스(780)는 제1 단부(780a)로부터 제2 단부(780b)로 진동하는 깊이(D)를 가지며, 그에 따라, 리세스(780)에 대한 주기적 깊이들(D)의 패턴이 형성된다. 리세스(780)는 깊이(D)의 선형 톱니 진동들로 도시된다. 그러나, 깊이(D)는, 리세스(220)가 깊이(D)의 파형 진동들을 갖도록 비-선형적으로 변할 수 있는 것으로 고려된다. 리세스, 이를테면 리세스들(720, 750, 및 780)의 깊이(D)는 제1 단부(즉, 720a, 750a, 780a)로부터 제2 단부(즉, 720b, 750b, 780b)로 자신의 길이(L)에 걸쳐 선형적으로 또는 비-선형적으로 변할 수 있다.
다른 예에서, 리세스(220)는 3차원 형상을 갖는다. 즉, 깊이는, 도 8a 내지 도 8c의 예들에 예시된 바와 같이, 하나 초과의 방향, 이를테면 2개의 방향(즉, 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y))으로 변한다. 도 8a는, 안장점 형상 곡률(즉, 쌍곡선 포물면 형상)을 갖는 리세스(820)를 예시한다. 도 8b는, 양의 곡률을 갖는 타원형 포물면 형상을 갖는 리세스(850)를 예시한다. 도 8c는, 음의 곡률을 갖는 타원형 포물면 형상을 갖는 리세스(880)를 예시한다. 리세스의 3차원 형상은 도 8a 내지 도 8c의 예들로 제한되지 않는다. 다른 원하는 형상들, 예컨대, 다른 것들 중에서도, 양의 곡률 또는 음의 곡률을 갖는 정사각형 도메인의 포물면, 타원면, 및 선형 경사진 형상들이 또한 고려되고 본원과 함께 사용될 수 있다. 이러한 경우들에서, 리세스의 깊이는 X 및 Y 둘 모두의 방향들로 변한다. 그에 따라, 경사진 격자 구조들의 상부 표면들, 이를테면, 도 5의 상부 표면들(280a)은, 리세스의 곡률의 형상에 의해 정의되는 바와 같이 만곡된다. 리세스의 형상 및/또는 깊이는 X 및 Y 방향들로의 변화들로 제한되지 않는다. 예컨대, 리세스의 깊이는, 3개의 방향, 4개의 방향, 또는 심지어 더 많은 방향들로 변할 수 있다. 부가적으로, 본원에서 데카르트 좌표계를 사용하여 예시되지만, 쐐기-형상 구조는 다른 좌표계들, 이를테면, 극좌표계, 원통좌표계, 구면좌표계를 사용하여 형성될 수 있다. 본원에서의 실시예들은 유리하게, 리세스에 대해 임의의 원하는 형상을 형성하도록 사용될 수 있다.
도 6은, 격자 구조, 이를테면 경사진 격자 구조들(280)을 도파관에 형성하기 위한 방법(600)을 예시하는 흐름도이다. 도파관은 일반적으로 기판 상에 형성된다. 일 예에서, 기판은, 임의적 식각 정지 층, 및 그 위에 형성된 격자 층을 갖는 규소 기재 유리 기판이다. 다른 예에서, 기판은 식각 정지 층이 없는 유리 기판이다. 그러한 경우들에서, 기판은 격자 층으로서 기능하고, 격자 구조들은 기판에 직접 형성된다. 동작(602)에서, 임의적 식각 정지 층 위의 격자 층에 리세스가 형성된다. 일 예에서, 리세스는, 위에 설명된 바와 같이 기판의 영역들을 선택적으로 처리하는 식각 프로세스를 사용하여 형성된다. 동작(604)에서, 형상추종적 하드마스크가 격자 층 상에 증착된다. 후방 반사방지 코팅(BARC), 규소 반사방지 코팅(SiARC), 및 포토레지스트를 포함하는 포토레지스트 적층체가 하드마스크 위에 형성된다. 후방 반사방지 코팅은, 층의 상부 표면이 실질적으로 평탄하도록 스핀-온 기법을 사용하여 형성된다.
동작(606)에서, 하드마스크 상에 원하는 패턴을 형성하기 위해 포토레지스트 적층체가 식각된다. 동작(608)에서, 위에 설명된 바와 같이 격자 층에 격자 구조들을 형성하기 위해 하드마스크 및 격자 층이 선택적 식각 프로세스를 사용하여 식각된다. 동작(610)에서, 식각 정지 층이, 존재하는 경우, 격자 구조들의 형상의 정의를 개선하기 위해 임의적으로 식각된다. 동작(612)에서, 하드마스크가, 예컨대 식각 프로세스를 사용하여 임의적으로 제거된다.
본원에 설명된 실시예들을 활용함으로써, 경사진 격자 구조들을 갖는 도파관이 형성된다. 경사진 격자 구조들은 더 양호하게 광을 수집하여 도파관을 통과하게 지향시킴으로써 도파관의 기능을 개선하고, 그에 따라, 투사된 이미지의 선명도가 개선된다. 경사진 격자 구조들은, 원하는 이미지 평면에 투사되는 광의 파장들에 대한 증가된 제어를 제공한다. 도파관에 의해 축출되는 광의 전력의 균일성이 상당히 더 균일하다. 본원에 설명된 실시예들은 추가로, 도파관을 형성하는 데 사용되는, 층들을 손상시킬 수 있는 제조 프로세스들, 이를테면, 기계적 연마를 제거함으로써 도파관의 제조를 개선한다. 추가로, 본원에 설명된 실시예들은, 격자가 2차원 또는 3차원 형상을 갖는 것을 허용하며, 이는, 증가된 범위의 응용들에서의 도파관의 사용을 허용한다.
전술한 내용이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.
Claims (15)
- 도파관에서 사용하기 위한 구조로서,
상부에 격자 층을 갖는 기판 ― 상기 격자 층에 리세스된 구조가 형성되고, 상기 리세스된 구조는,
제1 단부,
제2 단부, 및
깊이를 포함하고, 상기 깊이는 상기 제1 단부로부터 상기 제2 단부로 변함 ―; 및
상기 격자 층에 형성되는 복수의 채널들을 포함하며, 각각의 채널은 복수의 격자 구조들의 일부분을 부분적으로 정의하고, 상기 복수의 격자 구조들의 깊이는 상기 리세스된 구조에 의해 정의되는 상기 제1 단부로부터 상기 제2 단부로 변하는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 격자 구조들의 깊이는 상기 제1 단부로부터 상기 제2 단부로 선형적으로 변하는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 격자 구조들의 깊이는 상기 제1 단부로부터 상기 제2 단부로 비-선형적으로 변하는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 격자 구조들의 깊이는 상기 제1 단부로부터 상기 제2 단부로 진동하는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 제1항에 있어서,
각각의 격자 구조는 약 5 nm 내지 약 700 nm의 깊이를 갖는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 제1항에 있어서,
각각의 격자 구조는 약 0 도 내지 약 70 도의 각도로 경사지는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 제1항에 있어서,
상기 격자 층은 약 1.3 또는 더 높은 굴절률을 갖는 광학적으로 투명한 물질로 형성되는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 도파관에서 사용하기 위한 구조로서,
상부에 격자 층을 갖는 기판;
제1 방향 및 제2 방향으로 상기 격자 층에 형성되는 리세스 ― 상기 리세스는, 3차원 형상을 정의하도록 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 변하는 깊이를 가짐 ―; 및
상기 격자 층에 형성되는 복수의 채널들을 포함하며, 각각의 채널은 복수의 격자 구조들의 일부분을 부분적으로 정의하고, 상기 복수의 격자 구조들의 깊이는 상기 리세스에 의해 정의되는 바와 같은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 변하는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 제8항에 있어서,
상기 리세스는 안장점 형상을 갖는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 제8항에 있어서,
상기 리세스는 양의 곡률을 갖는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 제8항에 있어서,
상기 리세스는 음의 곡률을 갖는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 제8항에 있어서,
상기 격자 층은 약 1.3 또는 더 높은 굴절률을 갖는 광학적으로 투명한 물질로 형성되는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 제8항에 있어서,
각각의 격자 구조는 약 5 nm 내지 약 700 nm의 깊이를 갖는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 제8항에 있어서,
각각의 격자 구조는 약 0 도 내지 약 70 도의 각도로 경사지는, 도파관에서 사용하기 위한 구조. - 격자 구조를 형성하는 방법으로서,
격자 층에 리세스를 형성하는 단계 ― 상기 리세스는 상기 리세스의 제1 단부로부터 제2 단부로 깊이가 변함 ―;
상기 격자 층 위에 하드마스크 및 포토레지스트 적층체를 형성하는 단계 ― 상기 포토레지스트 적층체는,
스핀-온 프로세스를 사용하여 형성되는 후방 반사방지 코팅,
규소 반사방지 코팅, 및
포토레지스트를 포함함 ―;
상기 포토레지스트 적층체를 식각하는 단계; 및
상기 격자 층에 복수의 격자 구조들을 형성하는 단계를 포함하는, 격자 구조를 형성하는 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020247008311A KR20240042100A (ko) | 2018-07-19 | 2019-07-01 | 가변 높이의 경사진 격자 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201862700756P | 2018-07-19 | 2018-07-19 | |
| US62/700,756 | 2018-07-19 | ||
| PCT/US2019/040183 WO2020018270A1 (en) | 2018-07-19 | 2019-07-01 | Variable height slanted grating method |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020247008311A Division KR20240042100A (ko) | 2018-07-19 | 2019-07-01 | 가변 높이의 경사진 격자 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210022136A true KR20210022136A (ko) | 2021-03-02 |
| KR102648201B1 KR102648201B1 (ko) | 2024-03-18 |
Family
ID=69164584
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020217004526A KR102648201B1 (ko) | 2018-07-19 | 2019-07-01 | 가변 높이의 경사진 격자 방법 |
| KR1020247008311A KR20240042100A (ko) | 2018-07-19 | 2019-07-01 | 가변 높이의 경사진 격자 방법 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020247008311A KR20240042100A (ko) | 2018-07-19 | 2019-07-01 | 가변 높이의 경사진 격자 방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11480724B2 (ko) |
| EP (1) | EP3824331B1 (ko) |
| JP (2) | JP2021531495A (ko) |
| KR (2) | KR102648201B1 (ko) |
| CN (2) | CN116699745A (ko) |
| TW (2) | TW202208937A (ko) |
| WO (1) | WO2020018270A1 (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020096754A1 (en) * | 2018-11-07 | 2020-05-14 | Applied Materials, Inc. | Formation of angled gratings |
| US10690821B1 (en) | 2018-12-14 | 2020-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods of producing slanted gratings |
| US11662524B2 (en) * | 2020-03-13 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Forming variable depth structures with laser ablation |
| US11456205B2 (en) | 2020-05-11 | 2022-09-27 | Applied Materials, Inc. | Methods for variable etch depths |
| FI20205642A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-18 | Dispelix Oy | A method of manufacturing an optical element, an optical element, and an apparatus for manufacturing an optical element |
| EP4217772A1 (en) * | 2020-09-23 | 2023-08-02 | Applied Materials, Inc. | Fabrication of diffractive optic element having a variable refractive index profile by inkjet printing deposition |
| WO2022240752A1 (en) | 2021-05-10 | 2022-11-17 | Applied Materials, Inc. | Methods of greytone imprint lithography to fabricate optical devices |
| US20230118081A1 (en) * | 2021-10-15 | 2023-04-20 | Applied Materials, Inc. | Multilayer transmission structures for waveguide display |
| WO2023235402A2 (en) * | 2022-06-03 | 2023-12-07 | Google Llc | Waveguide stack architecture with high red efficiency |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008218867A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
| CN102147492A (zh) * | 2011-01-06 | 2011-08-10 | 南京大学 | 微结构准相位匹配实现多维目标波导光栅和体光栅的制备方法 |
| JP2016541125A (ja) * | 2013-10-20 | 2016-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | ラインを正確にカットするためのグラホエピタキシャル誘導自己組織化の使用 |
| US20170003504A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Tuomas Vallius | Diffractive optical elements with graded edges |
| US20170307887A1 (en) * | 2016-04-25 | 2017-10-26 | Petri Antero Stenberg | Diffractive optical elements with analog modulations and switching |
| US20170307886A1 (en) * | 2016-04-25 | 2017-10-26 | Petri Antero Stenberg | Refractive coating for diffractive optical elements |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3160411A (en) | 1962-11-29 | 1964-12-08 | Ibm | Sheet handling apparatus |
| US5907436A (en) * | 1995-09-29 | 1999-05-25 | The Regents Of The University Of California | Multilayer dielectric diffraction gratings |
| CA2197706A1 (en) * | 1997-02-14 | 1998-08-14 | Peter Ehbets | Method of fabricating apodized phase mask |
| JPH11337713A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-12-10 | Fujitsu Ltd | 回折格子の形成方法 |
| JP2002040221A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-06 | Toppan Printing Co Ltd | 光制御板及びそれを用いたディスプレイ装置 |
| US6754412B2 (en) * | 2002-07-31 | 2004-06-22 | Zolo Technologies, Inc. | Apparatus and method for producing a flat-topped filter response for (de)multiplexer having a diffraction grating with variable line spacing |
| JP2004246193A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Toppan Printing Co Ltd | ブレーズド回折格子 |
| US20060056028A1 (en) | 2004-09-13 | 2006-03-16 | Wildnauer Kenneth R | Apodized diffraction grating with improved dynamic range |
| US7643709B2 (en) * | 2006-05-12 | 2010-01-05 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Slanted segmented coupler |
| WO2008081070A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Nokia Corporation | Device for expanding an exit pupil in two dimensions |
| WO2008102049A1 (en) | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Nanocomp Ltd | A method for designing a diffraction grating structure and a diffraction grating structure |
| US7981591B2 (en) | 2008-03-27 | 2011-07-19 | Corning Incorporated | Semiconductor buried grating fabrication method |
| WO2009143320A2 (en) | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Lumella, Inc. | Three-dimensional diffractive structure, method for making, and applications thereof |
| EP2336810A1 (de) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | Boegli-Gravures S.A. | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Farbmustern mittels Beugungsgitter |
| JP5724213B2 (ja) | 2010-05-13 | 2015-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 検出装置 |
| JP2014092730A (ja) * | 2012-11-06 | 2014-05-19 | Canon Inc | 回折格子、それを用いた光学装置 |
| CN103901516B (zh) | 2012-12-26 | 2016-06-15 | 清华大学 | 光栅的制备方法 |
| JP2016034015A (ja) | 2014-02-28 | 2016-03-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置 |
| US9304235B2 (en) * | 2014-07-30 | 2016-04-05 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Microfabrication |
| US20160033784A1 (en) | 2014-07-30 | 2016-02-04 | Tapani Levola | Optical Components |
| US20160035539A1 (en) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | Lauri SAINIEMI | Microfabrication |
| EP3745167A1 (en) * | 2015-04-07 | 2020-12-02 | Magic Leap, Inc. | Diffraction grating and method of manufacture |
| US9864208B2 (en) | 2015-07-30 | 2018-01-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Diffractive optical elements with varying direction for depth modulation |
| US10141156B2 (en) * | 2016-09-27 | 2018-11-27 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of overlay and edge placement errors with an electron beam column array |
| KR102233855B1 (ko) | 2016-10-05 | 2021-03-29 | 매직 립, 인코포레이티드 | 불균일한 회절 격자들의 제조 |
| CN108152875A (zh) | 2017-12-28 | 2018-06-12 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种InP基纳米光栅及其制作方法 |
-
2019
- 2019-07-01 KR KR1020217004526A patent/KR102648201B1/ko active IP Right Grant
- 2019-07-01 CN CN202310529472.5A patent/CN116699745A/zh active Pending
- 2019-07-01 JP JP2021500857A patent/JP2021531495A/ja active Pending
- 2019-07-01 US US17/257,767 patent/US11480724B2/en active Active
- 2019-07-01 CN CN201980047037.0A patent/CN112513688B/zh active Active
- 2019-07-01 WO PCT/US2019/040183 patent/WO2020018270A1/en active Application Filing
- 2019-07-01 KR KR1020247008311A patent/KR20240042100A/ko unknown
- 2019-07-01 EP EP19837506.5A patent/EP3824331B1/en active Active
- 2019-07-10 TW TW110138995A patent/TW202208937A/zh unknown
- 2019-07-10 TW TW108124244A patent/TWI747004B/zh active
-
2022
- 2022-09-19 US US17/948,062 patent/US20230010821A1/en active Pending
-
2023
- 2023-05-31 JP JP2023089554A patent/JP2023123458A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008218867A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
| CN102147492A (zh) * | 2011-01-06 | 2011-08-10 | 南京大学 | 微结构准相位匹配实现多维目标波导光栅和体光栅的制备方法 |
| JP2016541125A (ja) * | 2013-10-20 | 2016-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | ラインを正確にカットするためのグラホエピタキシャル誘導自己組織化の使用 |
| US20170003504A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Tuomas Vallius | Diffractive optical elements with graded edges |
| US20170307887A1 (en) * | 2016-04-25 | 2017-10-26 | Petri Antero Stenberg | Diffractive optical elements with analog modulations and switching |
| US20170307886A1 (en) * | 2016-04-25 | 2017-10-26 | Petri Antero Stenberg | Refractive coating for diffractive optical elements |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2023123458A (ja) | 2023-09-05 |
| TW202018370A (zh) | 2020-05-16 |
| CN112513688A (zh) | 2021-03-16 |
| EP3824331A1 (en) | 2021-05-26 |
| EP3824331A4 (en) | 2022-04-20 |
| EP3824331B1 (en) | 2024-05-22 |
| US20210294014A1 (en) | 2021-09-23 |
| WO2020018270A1 (en) | 2020-01-23 |
| TW202208937A (zh) | 2022-03-01 |
| US11480724B2 (en) | 2022-10-25 |
| CN116699745A (zh) | 2023-09-05 |
| KR102648201B1 (ko) | 2024-03-18 |
| CN112513688B (zh) | 2023-05-26 |
| TWI747004B (zh) | 2021-11-21 |
| KR20240042100A (ko) | 2024-04-01 |
| JP2021531495A (ja) | 2021-11-18 |
| US20230010821A1 (en) | 2023-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102648201B1 (ko) | 가변 높이의 경사진 격자 방법 | |
| TWI721208B (zh) | 奈米光柵方法及設備 | |
| JP7277581B2 (ja) | グレートーンリソグラフィと傾斜エッチングを使用した、深さ調節された傾斜格子 | |
| AU2016349393B2 (en) | Metasurfaces for redirecting light and methods for fabricating | |
| CN113167943A (zh) | 各向异性地形成的衍射光栅设备 | |
| US20230016301A1 (en) | Patterning of high refractive index glasses by plasma etching |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |