KR20210020188A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210020188A KR20210020188A KR1020190098578A KR20190098578A KR20210020188A KR 20210020188 A KR20210020188 A KR 20210020188A KR 1020190098578 A KR1020190098578 A KR 1020190098578A KR 20190098578 A KR20190098578 A KR 20190098578A KR 20210020188 A KR20210020188 A KR 20210020188A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- opening
- area
- display device
- disposed
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 369
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 57
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 40
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 28
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 15
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 20
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H01L27/3225—
-
- H01L27/3244—
-
- H01L51/5256—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역, 상기 표시 영역에 둘러싸인 개구 영역 및 상기 개구 영역과 상기 표시 영역 사이에 고리형태를 갖는 개구 주변 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 상기 개구 주변 영역에 배치되고, 고리형태를 갖는 도전 패턴, 상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역 및 상기 개구 주변 영역의 일부에 배치되고 유기물을 포함하는 발광층을 포함한다. 상기 발광층은 상기 개구 영역과 인접하는 상기 개구 주변 영역에는 형성되지 않는다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시 품질이 향상된 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 표시 장치, 예를 들면 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등이 주목을 받고 있다.
상기 표시 장치의 표시 영역을 확대하기 위한 시도로, 베젤리스 표시 장치, 노치(notch)를 포함하는 형태의 표시 장치 등이 개발되었으며, 최근 표시 영역 내에 홀(hole in active area)이 형성되어 카메라 등이 상기 홀 내에 위치하는 표시 장치 등이 개발되고 있다. 이에 상기 표시 장치의 표시 품질을 향상시키기 위해, 상기 홀의 존재여부를 고려한 패널 설계의 필요성이 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 표시 품질이 향상되고, 비표시 영역이 줄어든 표시 영역 내에 개구 영역이 형성된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역, 상기 표시 영역에 둘러싸인 개구 영역 및 상기 개구 영역과 상기 표시 영역 사이에 고리형태를 갖는 개구 주변 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 상기 개구 주변 영역에 배치되고, 고리형태를 갖는 도전 패턴, 상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역 및 상기 개구 주변 영역의 일부에 배치되고 유기물을 포함하는 발광층을 포함한다. 상기 발광층은 상기 개구 영역과 인접하는 상기 개구 주변 영역에는 형성되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 도전 패턴은 플로팅되고, 금속을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 도전 패턴은 평면상에서 상기 발광층과 이격될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 개구 영역에는 상기 표시 장치를 관통하는 홀이 형성되어, 상기 홀을 정의하는 컷팅면이 형성될 수 있다. 상기 컷팅면과 상기 개구 주변 영역에 형성된 상기 발광층은 서로 이격될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 도전 패턴은 상기 컷팅면과 상기 발광층 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 도전 패턴은 상기 컷팅면에 노출될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역 내에 배치되는 박막 트랜지스터의 액티브 패턴, 상기 액티브 패턴이 배치된 상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되는 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 도전 패턴을 포함하는 게이트 패턴, 상기 게이트 패턴 상에 배치되는 제2 절연층, 상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 액티브 패턴과 전기적으로 연결되는 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 소스드레인 패턴, 상기 표시 영역 내에 상기 소스드레인 패턴 상에 배치되는 비아 절연층, 상기 비아 절연층과 상기 발광층 사이에 상기 표시 영역에 배치되고, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극, 및 상기 발광층 상에 배치되고, 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층 및 상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하는 박막 봉지층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 개구 주변 영역 내에는 상기 박막 봉지층의 상기 유기층이 형성되지 않아, 상기 박막 봉지층의 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층이 서로 접할 수 있다. 상기 개구 주변 영역 내에 배치되는 상기 발광층의 측면을 상기 제1 무기층이 커버할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 개구 영역에 인접하는 상기 개구 주변 영역에서는 상기 제1 및 제2 무기층이 형성되지 않을 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역, 상기 표시 영역에 둘러싸인 개구 영역 및 상기 개구 영역과 상기 표시 영역 사이에 고리형태를 갖는 개구 주변 영역을 포함하는 베이스 기판, 및 상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역 및 상기 개구 주변 영역의 일부에 배치되고 유기물을 포함하는 발광층을 포함한다. 상기 개구 영역에는 상기 표시 장치를 관통하는 홀이 형성되어, 상기 홀을 정의하는 컷팅면이 형성된다. 상기 컷팅면과 상기 개구 주변 영역에 형성된 상기 발광층은 서로 이격된다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역, 상기 표시 영역에 둘러싸인 개구 영역 및 상기 개구 영역과 상기 표시 영역 사이에 고리형태를 갖는 개구 주변 영역을 포함하는 베이스 기판 상에 상기 개구 주변 영역에 도전성있는 가열 패턴을 형성하는 단계, 상기 가열 패턴 상에 제1 열수축율을 갖는 제1 열 수축층 및 상기 제1 열 수축층 상에 상기 제1 열수축율 보다 제2 열수축율을 갖는 제2 열 수축층을 형성하는 단계, 상기 제2 열 수축층 및 상기 베이스 기판 상에 유기물을 포함하는 발광층을 형성하는 단계, 상기 가열 패턴에 자기장을 인가하여 유도 전류를 발생하여, 상기 제1 및 제2 열수축층들을 가열하는 단계, 및 상기 제1 및 제2 열 수축층들 및 상기 제2 열 수축층 상에 형성된 상기 발광층의 일부를 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 수축층을 형성하는 단계에서, 상기 제2 열 수축층의 가장자리가 상기 제1 열 수축층의 가장자리를 커버하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 제거하는 단계 후에, 상기 발광층 상에 제1 무기막, 유기막 및 제2 무기막을 포함하는 박막 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 박막 봉지층의 상기 유기막은 상기 개구 영역에 인접하는 상기 개구 주변 영역에는 형성되지 않아, 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층이 서로 접하고, 상기 개구 주변 영역 내에 배치되는 상기 발광층의 측면을 상기 제1 무기층이 커버할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 박막 봉지층을 형성하는 단계 후에, 상기 개구 영역에 상기 표시 장치를 관통하는 홀을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 홀을 형성하는 단계에서, 상기 가열 패턴의 일부가 함께 제거되어, 상기 홀을 정의하는 컷팅면에 상기 가열 패턴의 측면이 노출될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 홀을 형성하는 단계에서, 상기 홀을 정의하는 컷팅면과 상기 개구 주변 영역에 형성된 상기 발광층은 서로 이격될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 가열하는 단계에서, 상기 자기장은 코일 및 교류 전류 발생기를 포함하는 인덕션 히터에 의해 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 가열 패턴은 상기 개구 주변 영역을 따라 고리형태를 갖도록 형성되며, 상기 제1 및 제2 열 수축층들을 형성하는 단계에서, 상기 제1 및 제2 열 수축층들은 상기 가열 패턴과 중첩하는 원형으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 가열 하는 단계 후에 상기 제거하는 단계 전에, 상기 발광층 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제거하는 단계에서, 상기 제1 및 제2 열 수축층들, 상기 제2 열 수축층 상에 형성된 상기 발광층의 일부 및 상기 발광층 상에 형성된 상기 박막 봉지층의 일부를 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 열 수축층은 에폭시계 수지 또는 폴리이미드를 포함할 수 있다. 상기 제2 열 수축층은 아크릴계 수지, 폴리올레핀(polyolefin), 폴리염화비닐(PVC), 폴리에스테르(PET) 및 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 표시 장치는 개구 주변 영역에 형성된 가열 패턴을 포함하고, 상기 가열 패턴에 자기장을 인가하여 유도 전류를 발생하여, 제1 및 제2 열수축층들을 가열할 수 있다. 이를 통해, 상기 개구 주변 영역에서 유기물을 포함하는 발광층을 단절 시킬 수 있다.
이에 따라, 상기 개구 주변 영역에서, 컷팅면에는 유기물을 포함하는 상기 발광층이 직접 노출되지 않으므로, 개구 영역의 홀을 통해 외부 수분이 표시 영역 내의 유기물을 포함하는 상기 발광층에 침투하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 개구 주변 영역에 외부 수분 침투를 위한 복잡한 구조물이 배치되지 않으므로, 비표시 영역인 상기 개구 주변 영역의 폭을 줄일 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선 및 II-II'선을 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3i는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6a 내지 6c는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 개구 영역(HA)의 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 8a는 도 7의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 8b는 도 7의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 I-I'선 및 II-II'선을 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3i는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6a 내지 6c는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 개구 영역(HA)의 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 8a는 도 7의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 8b는 도 7의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선 및 II-II'선을 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 상기 표시 장치는 표시 영역(DA), 개구 영역(HA) 및 개구 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다.
도시하지 않았으나 상기 표시 장치의 가장자리를 따라서 영상이 표시 되지 않는 비표시 영역인 주변 영역이 형성될 수 있다.
상기 표시 영역(DA)에는 영상을 표시 하기 위한 복수의 화소들이 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 상기 화소는 베이스 기판(100) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(TFT) 및 발광 구조물을 포함할 수 있다.
상기 개구 영역(HA)은 상기 표시 영역(DA)에 둘러싸여 있으며, 상기 개구 주변 영역(PA)은 상기 개구 영역(HA)과 상기 표시 영역(DA) 사이에 배치되는 비표시 영역으로, 상기 개구 영역(HA)을 둘러싸는 고리형태를 가질 수 있다.
상기 개구 영역(HA)은 광을 투과할 수 있으며, 예를들면, 상기 개구 영역(HA)에는 상기 표시 장치를 관통하는 원형의 홀(hole)이 형성되거나, 투명창이 형성될 수 있다.
상기 표시 장치의 상기 개구 영역(HA) 아래에는 광학 모듈(미도시)이 상기 개구 영역(HA) 내에 또는 상기 개구 영역(HA)에 중첩하게 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 광학 모듈은 사물의 이미지를 촬영(또는 인식)할 수 있는 카메라 모듈, 사용자의 얼굴을 감지하기 위한 얼굴 인식 센서 모듈, 사용자의 눈동자를 감지하기 위한 동공 인식 센서 모듈, 상기 표시 장치의 움직임을 판단하는 가속도 센서 모듈 및 지자기 센서 모듈, 상기 표시 장치 앞의 근접 여부를 감지하기 위한 근접 센서 모듈 및 적외선 센서 모듈, 주머니 혹은 가방에 방치될 때 밝기의 정도를 측정하기 위한 조도 센서 모듈 등을 포함할 수 있다.
도 2를 다시 참조하면, 상기 표시 장치는 상기 베이스 기판(100), 버퍼층(110), 액티브 패턴(ACT), 제1 절연층(120), 제1 게이트 패턴, 제2 절연층(130), 제2 게이트 패턴, 제3 절연층(140), 소스드레인 패턴, 비아 절연층(VIA), 화소 정의막(PDL), 발광 구조물, 및 박막 봉지층(190)를 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 투명한 또는 불투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(100)은 석영 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 기판(100)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다. 상기 기판(100)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다.
상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상기 액티브 패턴(ACT)으로 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 상기 액티브 패턴(ACT)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 상기 액티브 패턴(ACT)을 수득하게 할 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT)은 상기 버퍼층(110) 상에 상기 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT)은 비정질 실리콘을 포함하거나, 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 상기 액티브 패턴(ACT)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT)은 불순물이 도핑(doping)된 드레인 영역과 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 상기 소스 영역 사이의 채널 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층(120)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 상기 버퍼층(110) 상에서 상기 액티브 패턴(ACT)을 덮으며, 상기 액티브 패턴(ACT)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.
상기 제1 게이트 패턴이 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 패턴은 상기 표시 영역(DA)에 배치되는 게이트 전극(GE) 및 상기 개구 주변 영역(PA)에 배치되는 가열 패턴(IP)을 포함할 수 있다. 상기 가열 패턴(IP)은 금속을 포함할 수 있다. 상기 가열 패턴(IP)은 상기 주변 영역(PA)을 따라 고리 형태로 형성될 수 있다. 상기 가열 패턴(IP)은 플로팅(floating)된 패턴일 수 있다. 도시하지 않았으나, 상기 가열 패턴(IP)은 동심의 복수개의 고리 형태를 가질 수 도 있다.
상기 제2 절연층(130)은 상기 제1 게이트 패턴이 배치된 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 상기 제1 게이트 패턴 상에서 상기 제1 게이트 패턴을 덮으며, 상기 제1 게이트 패턴의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(120)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 절연층(120)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.
상기 제2 게이트 패턴은 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 패턴은 상기 표시 영역(DA)에 배치되는 캐퍼시터 전극(CE)을 포함할 수 있다. 상기 캐퍼시터 전극(CE)은 상기 게이트 전극(GE) 및 이들 사이의 상기 제2 절연층(120)과 함께 스토리지 캐퍼시터를 형성할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 가열 패턴(IP)이 상기 제1 게이트 패턴에 포함되는 것으로 설명되었으나, 별개 층으로 형성되거나, 상기 제2 게이트 패턴으로 형성될 수도 있을 것이다.
상기 제3 절연층(140)은 상기 제2 게이트 패턴이 배치된 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(140)은 상기 제2 게이트 패턴을 충분히 덮어, 상기 제2 게이트 패턴 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 절연층(140)은 상기 제2 절연층(130) 상에서 상기 제2 게이트 패턴을 덮으며, 상기 제2 게이트 패턴의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수도 있다. 상기 제3 절연층(140)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.
상기 소스드레인 패턴은 상기 제3 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 소스드레인 패턴은 상기 표시 영역(DA)에 배치되는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 제3 절연층(140), 상기 제2 절연층(130) 및 상기 제1 절연층(120)을 통해 형성되는 컨택홀을 통해 상기 액티브 패턴(ACT)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제3 절연층(140), 상기 제2 절연층(130) 및 상기 제1 절연층(120)을 통해 형성되는 컨택홀을 통해 상기 액티브 패턴(ACT)에 전기적으로 연결될 수 있다.
이에 따라, 상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)가 상기 베이스 기판(100) 상에 배치될 수 있다.
상기 비아 절연층(VIA)이 상기 표시 영역(DA)에서, 상기 박막 트랜지스터(TFT) 및 상기 제3 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 비아 절연층(VIA)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 2이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 상기 비아 절연층(VIA)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등의 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 비아 절연층(VIA) 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등의 무기 물질을 사용하여 형성될 수도 있다.
상기 발광 구조물이 상기 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물은 화소 전극(181), 발광층(EL) 및 대향 전극을 포함할 수 있다.
상기 화소 전극(181)은 상기 표시 영역(DA)에 상기 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 전극(181)은 상기 비아 절연층(VIA)을 통해 형성되는 비아홀을 통해 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 화소 전극(181)이 배치된 상기 비아 절연층(VIA) 상에 상기 표시 영역(DA)에 상기 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 화소 정의막(PDL)을 식각하여 상기 제1 전극(181)을 부분적으로 노출시키는 개구(opening)를 형성할 수 있다. 이러한 상기 화소 정의막(PDL)의 개구에 의해 상기 표시 장치의 표시 영역과 비표시 영역이 정의될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)의 개구가 위치하는 부분이 상기 표시 영역에 해당될 수 있으며, 상기 비표시 영역은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구에 인접하는 부분에 해당될 수 있다.
상기 발광층(EL)은 유기 발광층, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 이때, 상기 유기 발광층을 제외하고, 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 등은 복수의 화소들에 대응되도록 공통적으로 형성될 수 있다. (도면 상의 EL 참조) 즉, 상기 발광층(EL)은 유기물을 포함하는 유기물층 일 수 있다.
상기 대향 전극은 상기 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다. 상기 대향 전극은 도면상에 도시되지 않았으나, 상기 발광층(EL)과 실질적으로 동일한 프로파일을 가질 수 있다. 상기 대향 전극은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 한편, 도시하지 않았으나, 상기 대향 전극 상에 상기 발광층(EL)과 동일한 프로파일을 갖는 캡핑(capping) 층이 더 형성될 수 있다.
상기 박막 봉지층(190)은 상기 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 외부의 습기 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층을 구비할 수 있다. 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층은 서로 교번적으로 적층될 수 있다. 예를 들면, 상기 박막 봉지층(TFE)은 제1 무기층(191), 제2 무기층(193) 및 상기 제1 무기층(191)과 상기 제2 무기층(193) 사이의 유기층(192)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
한편, 상기 주변 영역(PA)에는 상기 유기층(192)이 형성되지 않으므로, 상기 개구 주변 영역(PA)에서는 상기 제3 절연층(140) 상에 상기 제1 무기층(191) 및 상기 제3 무기층(193)이 배치될 수 있다.
이에 따라, 상기 박막 봉지층의 상기 제1 무기층(191) 및 상기 제2 무기층(193)이 서로 접하고, 상기 개구 주변 영역(PA) 내에 배치되는 상기 발광층(EL)의 측면을 상기 제1 무기층(191)이 커버할 수 있다.
상기 개구 영역(HA)에서 상기 표시 장치에는 홀이 형성되어, 상기 홀을 정의하는 컷팅면(CS)이 형성되고, 상기 개구 영역(HA)에 인접한 상기 개구 주변 영역(PA)에는 상기 베이스 기판(100), 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120), 상기 제2 절연층(130), 상기 가열 패턴(IP), 상기 제3 절연층(140), 상기 제1 무기막(191) 및 상기 제2 무기막(193)이 차례로 배치될 수 있으며, 상기 발광층(EL)은 상기 컷팅면(CS)과 이격될 수 있다. 또한, 상기 컷팅면(CS)과 상기 가열 패턴(IP)은 서로 이격될 수 있다.
이에 따라, 상기 개구 주변 영역(PA)에서, 상기 컷팅면(CS)에는 유기물을 포함하는 상기 발광층(EL)이 직접 노출되지 않으므로, 상기 개구 영역(HA)의 상기 홀을 통해 외부 수분이 상기 표시 영역(DA) 내의 유기물을 포함하는 상기 발광층(EL)에 침투하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 개구 주변 영역(PA)에 외부 수분 침투를 위한 복잡한 구조물이 배치되지 않으므로, 비표시 영역인 상기 개구 주변 영역(PA)의 폭을 줄일 수 있다.
도 3a 내지 도 3i는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 상기 베이스 기판(100) 상에 버퍼층(110), 액티브 패턴(ACT) 및 제1 절연층(120)을 형성할 수 있다. 상기 제1 절연층(120) 상에 표시 영역(DA)에 게이트 전극(GE) 및 개구 주변 영역(PA)에 가열 패턴(IP)을 형성할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 상기 게이트 전극(GE) 및 상기 가열 패턴(IP)이 형성된 상기 제1 절연층(120) 상에 제2 절연층(130), 캐퍼시터 전극(CE) 및 제3 절연층(140)을 형성할 수 있다. 이후, 상기 제3 절연층(140), 상기 제2 절연층(130) 및 상기 제1 절연층(120)을 관통하는 컨택홀들을 형성할 수 있다. 이후, 상기 컨택홀들이 형성된 상기 제3 절연층(140) 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 형성할 수 있다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 형성된 상기 제3 절연층(140) 상에 비아 절연층(VIA)을 형성할 수 있다. 상기 비아 절연층(VIA)을 관통하여 상기 드레인 전극(DE)을 노출하는 비아홀을 형성할 수 있다. 상기 비아 절연층(VIA) 상에 상기 비아홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(181)을 형성할 수 있다. 상기 화소 전극(181)이 형성된 상기 비아 절연층(VIA) 상에 상기 화소 전극(181)을 노출하는 개구가 형성된 화소 정의막(PDL)을 형성할 수 있다.
이때, 개구 영역(HA)과 인접하는 상기 개구 주변 영역(PA)에는 상기 비아 절연층(VIA) 및 상기 화소 정의막(PDL)등의 유기층이 형성되지 않을 수 있다.
도 3c를 참조하면, 상기 개구 주변 영역(PA)에 상기 가열 패턴(IP) 및 상기 제3 절연층(140) 상에 제1 열 수축층(150) 및 상기 제1 열 수측층(150) 상에 제2 열 수축층(160)을 형성할 수 있다. 상기 제1 열 수축층(150) 및 상기 제2 열 수축층(160)은 열을 가하면 수축하는 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 열 수축층(150)은 제1 열 수축율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 상기 제2 열 수축층(160)은 상기 제1 열 수축율 보다 큰 제2 열 수축율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 및 제2 열 수축층들(150, 160)을 가열하면, 상기 제2 열 수축층(160)이 상기 제1 열 수축층(150)보다 더 수축할 수 있다.
예를 들면, 상기 제1 열 수축층(150)은 에폭시계 수지, 폴리이미드 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 열 수축층(160)은 폴리올레핀(polyolefin), 폴리염화비닐(PVC), 폴리에스테르(PET) 및 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
한편, 이때, 상기 제2 열 수축층(160)의 가장자리는 상기 제1 열 수축층(150)의 가장자리를 커버하여, 상기 제2 열 수축층(160)의 상기 가장자리가 상기 제3 절연층(140) 접촉하도록 형성할 수 있다.
도 3d를 참조하면, 상기 제3 열 수축층(160), 상기 제3 절연층(140), 상기 화소 전극(181) 및 상기 화소 정의막(PDL) 상에 발광층(EL)을 형성할 수 있다. 도시하지 않았으나, 상기 발광층(EL) 상에 대향 전극 및 캡핑층이 함께 형성될 수 있다.
도 3e 및 3f를 참조하면, 상기 가열 패턴(IP)에 자기장을 인가하여 유도 전류를 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 가열 패턴(IP)에 흐르는 유도 전류에 의해, 상기 가열 패턴(IP)의 온도가 상승하고, 상기 제1 열 수축층(150) 및 상기 제2 열 수축층(160)이 가열될 수 있다.
이때, 상기 자기장은 코일 및 교류 전류 발생기를 포함하는 인덕션 히터(200)에 의해 제공될 수 있다. 즉, 자기장에 의해 발생하는 유도전류를 열원으로 이용하여, 상기 제1 열 수축층(150) 및 상기 제2 열 수축층(160)을 가열 할 수 있다.
구체적으로, 상기 인덕션 히터(200)의 코일에 교류전류를 통과시키면 상기 코일에는 시간에 따라 방향이 변하는 교류자기장이 형성되고, 이 때, 금속을 포함하는 도전 패턴인 상기 가열 패턴(IP)에 교류자력이 가해지게 되며, 상기 가열 패턴(IP)에는 전자기유도 현상에 의해 소용돌이 전류(와전류)가 발생한다. 그리고 상기 소용돌이 전류로 인해 발생되는 줄열에 의해 상기 제1 열 수축층(150) 및 상기 제2 열 수축층(160)이 가열될 수 있다.
상기 제1 열 수축층(150) 및 상기 제2 열 수축층(160)이 가열되면, 상기 제2 열 수축층(160)이 상기 제1 열 수축층(150)보다 더 많이 수축하므로, 도 3f와 같이 상기 제1 열 수축층(150) 및 상기 제2 열 수축층(160)의 가장자리 부분이 상기 제3 절연층(140)으로부터 떨어져 나온다. 이때, 상기 발광층(EL)이 함께 분리되어, 상기 제3 절연층(140) 상에 형성된 상기 발광층(EL)의 부분과, 상기 제2 열 수축층(160) 상에 형성된 부분이 서로 분리 될 수 있다.
도 3g를 참조하면, 상기 제1 열 수축층(150), 상기 제2 열 수축층(160) 및 상기 제2 열 수축층(160) 상에 형성된 상기 발광층(EL)을 상기 제3 절연층(140)으로부터 분리(lift off) 할 수 있다. 이에 따라, 상기 발광층(EL)이 상기 개구 주변 영역(PA)에서 단절된 구조를 형성할 수 있다.
도 3h를 참조하면, 상기 발광층(EL) 및 상기 제3 절연층(140) 상에 박막 봉지층(190)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 발광층(EL) 및 상기 제3 절연층(140) 상에 제1 무기층(191), 유기층(192) 및 제2 무기층(193)을 차례로 형성할 수 있다. 상기 유기층(192)은 상기 개구 주변 영역(PA) 및 상기 개구 영역(HA)에는 형성되지 않으며, 상기 박막 봉지층의 상기 제1 무기층(191) 및 상기 제2 무기층(193)이 서로 접하고, 상기 개구 주변 영역(PA) 내에 배치되는 상기 발광층(EL)의 측면을 상기 제1 무기층(191)이 커버할 수 있다.
도 3i를 참조하면, 상기 개구 영역(HA)에 대응하는 부분을 제거하여, 상기 표시 장치를 관통하는 홀을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 홀을 정의하는 컷팅면(CS)이 형성되며, 상기 컷팅면(CS)에는 유기물을 포함하는 상기 발광층(EL)이 직접 노출되지 않으므로, 상기 개구 영역(HA)의 상기 홀을 통해 외부 수분이 상기 표시 영역(DA) 내의 유기물을 포함하는 상기 발광층(EL)에 침투하는 것을 방지할 수 있다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 상기 제조 방법은 박막 봉지층을 형성한 후, 리프트 오프(lift off) 공정을 진행하는 것을 제외하고, 도 3a 내지 3i의 표시 장치의 제조 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서, 반복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
도 4a를 참조하면, 개구 주변영역(PA) 및 개구 영역(HA)에서, 베이스 기판(100) 상에 버퍼층(110), 제1 절연층(120), 가열 패턴(IP), 제2 절연층(130), 제3 절연층(140), 제1 열 수축층(150), 제2 열 수축층(160), 발광층(EL)이 형성될 수 있다. (도 3a 내지 3d 참조)
도 4b를 참조하면, 상기 가열 패턴(IP)에 자기장을 인가하여 유도 전류를 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 가열 패턴(IP)에 흐르는 유도 전류에 의해, 상기 가열 패턴(IP)의 온도가 상승하고, 상기 제1 열 수축층(150) 및 상기 제2 열 수축층(160)이 가열될 수 있다. (도 3e 및 3f 참조)
도 4c를 참조하면, 상기 제1 및 제2 열 수축층들(150, 160) 및 상기 발광층(EL) 상에 박막 봉지층의 제1 무기막(191) 및 제3 무기막(193)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1 및 제2 열 수축층들(150, 160)의 가장자리와 상기 제3 절연층(140) 상에 남아있는 상기 발광층(EL) 사이에는 상기 제1 및 제2 열 수축층들(150, 160)의 열수축에 의한 언더컷이 형성되므로, 상기 제3 절연층(140) 상에 남아있는 상기 발광층(EL)의 측면은 상기 제1 무기막(191)에 의해 커버될 수있다.
도 4d를 참조하면, 상기 제1 및 제2 열 수축층들(150, 160), 상기 제2 열 수축층(160) 상에 형성된 상기 발광층(EL)의 일부, 상기 발광층(EL)의 상기 일부 상에 형성된 상기 제1 및 제2 무기막(191, 193)의 일부를 상기 제3 절연층(140)으로부터 분리(lift off) 할 수 있다. 이때, 상기 개구 영역(HA)에 인접하는 상기 개구 주변 영역(PA)에서는 상기 제1 및 제2 무기층(191, 193)이 형성되지 않아 상기 제3 절연층(140)이 노출되는 영역이 형성될 수 있다.
도 4e를 참조하면, 상기 개구 영역(HA)에 대응하는 부분을 제거하여, 상기 표시 장치를 관통하는 홀을 형성할 수 있다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 상기 제조 방법은 제1 및 제2 열 수축층(150, 160)이 개구 주변 영역(PA)뿐 아니라, 개구 영역(HA)까지 형성되어 고리 형태의 가열 패턴(IP)과 중첩하는 원형으로 형성되는 것을 제외하고, 도 3a 내지 3i이 표시 장치의 제조 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
도 5a를 참조하면, 개구 주변영역(PA) 및 개구 영역(HA)에서, 베이스 기판(100) 상에 버퍼층(110), 제1 절연층(120), 가열 패턴(IP), 제2 절연층(130), 제3 절연층(140)을 형성할 수 있다. (도 3a 및 3b 참조)
도 5b를 참조하면, 상기 제3 절연층(140) 상에 제1 열 수축층(150) 및 제2 열 수축층(160)을 형성할 수 있다. 상기 제1 및 제2 열 수축층들(150, 160)은 상기 가열 패턴(IP)과 중첩하는 원형으로 형성될 수 있다. 상기 제2 열 수축층(160) 상에 발광층(EL)이 형성될 수 있다.
도 5c를 참조하면, 상기 가열 패턴(IP)에 자기장을 인가하여 유도 전류를 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 가열 패턴(IP)에 흐르는 유도 전류에 의해, 상기 가열 패턴(IP)의 온도가 상승하고, 상기 제1 열 수축층(150) 및 상기 제2 열 수축층(160)이 가열될 수 있다. (도 3e 및 3f 참조)
이후, 상기 제1 및 제2 열 수축층들(150, 160) 및 상기 제2 열 수축층(160) 상에 형성된 상기 발광층(EL)의 일부를 상기 제3 절연층(140)으로부터 분리(lift off) 할 수 있다.
이후, 제1 무기막(191) 및 제2 무기막(193)을 포함하는 박막 봉지층을 형성할 수 있다.
도 5e를 참조하면, 상기 개구 영역(HA)에 대응하는 부분을 제거하여, 상기 표시 장치를 관통하는 홀을 형성할 수 있다.
도 6a 내지 6c는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 개구 영역(HA)의 단면도들이다. 상기 표시 장치들은 개구 영역(HA)의 홀을 형성하는 위치를 제외하고, 도 2의 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
도 6a를 참조하면, 상기 표시 장치는 상기 홀을 형성하는데 있어서, 상기 가열 패턴(IP)의 일부가 제거되어, 컷팅면 상에 상기 가열 패턴(IP)의 측면이 노출될 수 있다.
도 6b를 참조하면, 상기 표시 장치는 상기 홀을 형성하는데 있어서, 상기 가열 패턴(IP)의 전부가 제거되어, 상기 가열 패턴(IP)이 상기 표시 장치에 남아있지 않을 수 있다.
도 6c를 참조하면, 상기 표시 장치는 제1 무기막(191) 및 제2 무기막(193)에 의해 커버되지 않는 부분이 형성된 것(도 4e 참조)을 제외하고, 도 6a의 표시 장치와 실질적으로 동일하다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 표시 장치는 개구 주변 영역에 형성된 가열 패턴을 포함하고, 상기 가열 패턴에 자기장을 인가하여 유도 전류를 발생하여, 제1 및 제2 열수축층들을 가열할 수 있다. 이를 통해, 상기 개구 주변 영역에서 유기물을 포함하는 발광층을 단절 시킬 수 있다.
이에 따라, 상기 개구 주변 영역에서, 컷팅면에는 유기물을 포함하는 상기 발광층이 직접 노출되지 않으므로, 개구 영역의 홀을 통해 외부 수분이 표시 영역 내의 유기물을 포함하는 상기 발광층에 침투하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 개구 주변 영역에 외부 수분 침투를 위한 복잡한 구조물이 배치되지 않으므로, 비표시 영역인 상기 개구 주변 영역의 폭을 줄일 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 8a는 도 7의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이며, 도 8b는 도 7의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 7 내지 도 8b를 참조하면, 전자 기기(500)는 프로세서(510), 메모리 장치(520), 스토리지 장치(530), 입출력 장치(540), 파워 서플라이(550) 및 표시 장치(560)를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 표시 장치(560)는 도 1의 표시 장치에 상응할 수 있다. 상기 전자 기기(500)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도 8a에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다른 실시예에서, 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서 상기 전자 기기(500)는 그에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 전자 기기(500)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.
상기 프로세서(510)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛(Central Processing Unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(Application Processor; AP) 등일 수 있다. 상기 프로세서(510)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 주변 구성 요소 상호 연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 상기 메모리 장치(520)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 상기 메모리 장치(520)는 이피롬(Erasable Programmable Read-Only Memory; EPROM) 장치, 이이피롬(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(Phase Change Random Access Memory; PRAM) 장치, 알램(Resistance Random Access Memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(Nano Floating Gate Memory; NFGM) 장치, 폴리머램(Polymer Random Access Memory; PoRAM) 장치, 엠램(Magnetic Random Access Memory; MRAM), 에프램(Ferroelectric Random Access Memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(Dynamic Random Access Memory; DRAM) 장치, 에스램(Static Random Access Memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 상기 스토리지 장치(530)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 상기 입출력 장치(540)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 상기 파워 서플라이(550)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다.
상기 표시 장치(560)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 표시 장치(560)는 상기 입출력 장치(540)에 포함될 수도 있다. 상술한 바와 같이, 상기 표시 장치(560)는 개구 주변 영역에 형성된 가열 패턴을 포함하고, 상기 가열 패턴에 자기장을 인가하여 유도 전류를 발생하여, 제1 및 제2 열수축층들을 가열할 수 있다. 이를 통해, 상기 개구 주변 영역에서 유기물을 포함하는 발광층을 단절 시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 개구 주변 영역에서, 컷팅면에는 유기물을 포함하는 상기 발광층이 직접 노출되지 않으므로, 개구 영역의 홀을 통해 외부 수분이 표시 영역 내의 유기물을 포함하는 상기 발광층에 침투하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 개구 주변 영역에 외부 수분 침투를 위한 복잡한 구조물이 배치되지 않으므로, 비표시 영역인 상기 개구 주변 영역의 폭을 줄일 수 있다. 다만, 이에 대해서는 상술한 바 있으므로, 그에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 다양한 전자 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 휴대폰, 스마트폰, 비디오폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판
110: 버퍼층
120: 제1 절연층 130: 제2 절연층
140: 제3 절연층 150: 제1 열 수축층
160: 제2 열 수축층 181: 화소 전극
190: 박막 봉지층 TFT: 박막 트랜지스터
IP: 가열 패턴
120: 제1 절연층 130: 제2 절연층
140: 제3 절연층 150: 제1 열 수축층
160: 제2 열 수축층 181: 화소 전극
190: 박막 봉지층 TFT: 박막 트랜지스터
IP: 가열 패턴
Claims (20)
- 영상이 표시 되는 표시 영역, 상기 표시 영역에 둘러싸인 개구 영역 및 상기 개구 영역과 상기 표시 영역 사이에 고리형태를 갖는 개구 주변 영역을 포함하는 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 상기 개구 주변 영역에 배치되고, 고리형태를 갖는 도전 패턴;
상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역 및 상기 개구 주변 영역의 일부에 배치되고 유기물을 포함하는 발광층을 포함하고,
상기 발광층은 상기 개구 영역과 인접하는 상기 개구 주변 영역에는 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 도전 패턴은 플로팅되고, 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 도전 패턴은 평면상에서 상기 발광층과 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 개구 영역에는 상기 표시 장치를 관통하는 홀이 형성되어, 상기 홀을 정의하는 컷팅면이 형성되고,
상기 컷팅면과 상기 개구 주변 영역에 형성된 상기 발광층은 서로 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제4 항에 있어서,
상기 도전 패턴은 상기 컷팅면과 상기 발광층 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 도전 패턴은 상기 컷팅면에 노출되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역 내에 배치되는 박막 트랜지스터의 액티브 패턴;
상기 액티브 패턴이 배치된 상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 절연층;
상기 제1 절연층 상에 배치되는 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 도전 패턴을 포함하는 게이트 패턴;
상기 게이트 패턴 상에 배치되는 제2 절연층;
상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 액티브 패턴과 전기적으로 연결되는 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 소스드레인 패턴;
상기 표시 영역 내에 상기 소스드레인 패턴 상에 배치되는 비아 절연층;
상기 비아 절연층과 상기 발광층 사이에 상기 표시 영역에 배치되고, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극; 및
상기 발광층 상에 배치되고, 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층 및 상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하는 박막 봉지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 개구 주변 영역 내에는 상기 박막 봉지층의 상기 유기층이 형성되지 않아, 상기 박막 봉지층의 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층이 서로 접하고, 상기 개구 주변 영역 내에 배치되는 상기 발광층의 측면을 상기 제1 무기층이 커버하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 개구 영역에 인접하는 상기 개구 주변 영역에서는 상기 제1 및 제2 무기층이 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 영상이 표시 되는 표시 영역, 상기 표시 영역에 둘러싸인 개구 영역 및 상기 개구 영역과 상기 표시 영역 사이에 고리형태를 갖는 개구 주변 영역을 포함하는 베이스 기판; 및
상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역 및 상기 개구 주변 영역의 일부에 배치되고 유기물을 포함하는 발광층을 포함하고,
상기 개구 영역에는 상기 표시 장치를 관통하는 홀이 형성되어, 상기 홀을 정의하는 컷팅면이 형성되고,
상기 컷팅면과 상기 개구 주변 영역에 형성된 상기 발광층은 서로 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 표시 영역, 상기 표시 영역에 둘러싸인 개구 영역 및 상기 개구 영역과 상기 표시 영역 사이에 고리형태를 갖는 개구 주변 영역을 포함하는 베이스 기판 상에 상기 개구 주변 영역에 도전성있는 가열 패턴을 형성하는 단계;
상기 가열 패턴 상에 제1 열수축율을 갖는 제1 열 수축층 및 상기 제1 열 수축층 상에 상기 제1 열수축율 보다 제2 열수축율을 갖는 제2 열 수축층을 형성하는 단계;
상기 제2 열 수축층 및 상기 베이스 기판 상에 유기물을 포함하는 발광층을 형성하는 단계;
상기 가열 패턴에 자기장을 인가하여 유도 전류를 발생하여, 상기 제1 및 제2 열수축층들을 가열하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 열 수축층들 및 상기 제2 열 수축층 상에 형성된 상기 발광층의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제11 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 열 수축층을 형성하는 단계에서,
상기 제2 열 수축층의 가장자리가 상기 제1 열 수축층의 가장자리를 커버하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 제거하는 단계 후에,
상기 발광층 상에 제1 무기막, 유기막 및 제2 무기막을 포함하는 박막 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 박막 봉지층의 상기 유기막은 상기 개구 영역에 인접하는 상기 개구 주변 영역에는 형성되지 않아, 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층이 서로 접하고, 상기 개구 주변 영역 내에 배치되는 상기 발광층의 측면을 상기 제1 무기층이 커버하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제13 항에 있어서,
상기 박막 봉지층을 형성하는 단계 후에,
상기 개구 영역에 상기 표시 장치를 관통하는 홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 홀을 형성하는 단계에서,
상기 가열 패턴의 일부가 함께 제거되어, 상기 홀을 정의하는 컷팅면에 상기 가열 패턴의 측면이 노출되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 홀을 형성하는 단계에서,
상기 홀을 정의하는 컷팅면과 상기 개구 주변 영역에 형성된 상기 발광층은 서로 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 가열하는 단계에서,
상기 자기장은 코일 및 교류 전류 발생기를 포함하는 인덕션 히터에 의해 제공되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 가열 패턴은 상기 개구 주변 영역을 따라 고리형태를 갖도록 형성되며,
상기 제1 및 제2 열 수축층들을 형성하는 단계에서,
상기 제1 및 제2 열 수축층들은 상기 가열 패턴과 중첩하는 원형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제11 항에 있어서,
상기 가열 하는 단계 후에 상기 제거하는 단계 전에,
상기 발광층 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하여,
상기 제거하는 단계에서,
상기 제1 및 제2 열 수축층들, 상기 제2 열 수축층 상에 형성된 상기 발광층의 일부 및 상기 발광층 상에 형성된 상기 박막 봉지층의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제11 항에 있어서,
상기 제1 열 수축층은 에폭시계 수지 또는 폴리이미드를 포함하고,
상기 제2 열 수축층은 아크릴계 수지, 폴리올레핀(polyolefin), 폴리염화비닐(PVC), 폴리에스테르(PET) 및 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190098578A KR20210020188A (ko) | 2019-08-13 | 2019-08-13 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US16/991,486 US11489023B2 (en) | 2019-08-13 | 2020-08-12 | Method of manufacturing a display apparatus having a first and a second heat shrink layer on a heating pattern |
US17/954,676 US11793058B1 (en) | 2019-08-13 | 2022-09-28 | Display apparatus having a light emitting layer disposed in a portion of the opening peripheral area |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190098578A KR20210020188A (ko) | 2019-08-13 | 2019-08-13 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210020188A true KR20210020188A (ko) | 2021-02-24 |
Family
ID=74567400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190098578A KR20210020188A (ko) | 2019-08-13 | 2019-08-13 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11489023B2 (ko) |
KR (1) | KR20210020188A (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109560114B (zh) * | 2018-12-06 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置 |
KR20210020188A (ko) | 2019-08-13 | 2021-02-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3566516B2 (ja) | 1997-11-06 | 2004-09-15 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
KR20140043526A (ko) | 2012-09-21 | 2014-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR102326069B1 (ko) | 2015-07-29 | 2021-11-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 |
KR20200024382A (ko) * | 2018-08-27 | 2020-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20210020188A (ko) | 2019-08-13 | 2021-02-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN111834546A (zh) * | 2020-07-07 | 2020-10-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置、显示面板及其制作方法 |
-
2019
- 2019-08-13 KR KR1020190098578A patent/KR20210020188A/ko active Search and Examination
-
2020
- 2020-08-12 US US16/991,486 patent/US11489023B2/en active Active
-
2022
- 2022-09-28 US US17/954,676 patent/US11793058B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210050391A1 (en) | 2021-02-18 |
US11793058B1 (en) | 2023-10-17 |
US11489023B2 (en) | 2022-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20240081108A1 (en) | Flexible display device including bent inactive region | |
TWI722070B (zh) | 顯示裝置 | |
JP6596205B2 (ja) | 情報処理装置 | |
US11793058B1 (en) | Display apparatus having a light emitting layer disposed in a portion of the opening peripheral area | |
US10804337B2 (en) | Touch sensor in-cell type organic electroluminescent device | |
TWI772144B (zh) | 資料處理裝置及資料處理裝置的驅動方法 | |
EP3719846A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
US9853237B2 (en) | Curved display apparatus | |
EP3876282A1 (en) | Display device | |
TW202219720A (zh) | 資料處理裝置 | |
KR20210086869A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR20210142049A (ko) | 표시 장치, 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 | |
KR20200098742A (ko) | 표시 장치 | |
JP2018120592A (ja) | 入力手段、入力方法、入力システム、および入力支援システム | |
KR20200064207A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
JP2015187724A (ja) | 表示装置および情報処理装置 | |
US20210151531A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
KR20210033586A (ko) | 표시 장치 | |
KR20200034876A (ko) | 표시 장치 | |
TWI794812B (zh) | 顯示裝置及控制程式 | |
EP3859810B1 (en) | Display apparatus | |
KR20210054650A (ko) | 윈도우 글라스, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR20200034889A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR20200047832A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR20200116568A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination |