KR20210011871A - Probing Module Adapted for Testing Multi-units Having Inclined Conductive Contacts - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a probe module for simultaneously measuring first and second measurement target units having adjacent side edges. Each of the first and second measurement target units includes a first main edge and first and second boundary contacts adjacent to the adjacent side edge. The probe module includes a probe base and first and second boundary probes having different heights and installed on the probe base. When the probe module detects the first and second measurement target units, the first main edge of each of the measurement target units is closer to the probe base than a second main edge. The cantilever parts of the first and second boundary probes extend to the upper portions of the first and second boundary contacts through the upper portions of the first main edges of the first and second measurement target units to come into point contact with the first and second boundary contacts as point contact parts. In this manner, the first and second boundary probes are capable of avoiding mutual interference.

Description

경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈{Probing Module Adapted for Testing Multi-units Having Inclined Conductive Contacts}Probing Module Adapted for Testing Multi-units Having Inclined Conductive Contacts {Probing Module Adapted for Testing Multi-units Having Inclined Conductive Contacts}

본 발명은 프로브 카드의 프로브 모듈에 관한 것으로, 특히 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛(multi-UUT)에 적용되는 프로브 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a probe module of a probe card, and more particularly, to a probe module applied to a plurality of units under measurement (multi-UUT) having inclined conductive contacts.

도 1을 참조하면, 경사진 전도성 접점을 갖는 피측정 유닛(10)(unit under test; 약칭 UUT)을 나타내고, 상기 피측정 유닛(10)은 패키징되지 않은 다이(die) 또는 패키징된 칩(chip)일 수 있고, 상기 피측정 유닛(10)은, 하나 이상의 행으로 배열된 복수의 신호를 출력하기 위한 제1 전도성 접점(11) 및 하나의 행으로 배열된 복수의 신호를 입력하기 위한 제2 전도성 접점(12)을 가지고, 예를 들어, 도 1에 도시된 피측정 유닛(10)은, 기판(13)의 제1 긴 변(131)으로부터 제2 긴 변(132)을 향해 배열된 3개 행의 제1 전도성 접점(11) 및 상기 기판(13)의 제2 긴 변(132)을 따라 설치된 1개 행의 제2 전도성 접점(12)을 가지고, 상기 복수의 제1 전도성 접접(11), 제2 전도성 접점(12)은 복수의 열로 배열되고, 각 열의 배열방향은 제1 긴 변(131) 및 제2 긴 변(132)에 수직인 가상 경계 축선(L)에 실질적으로 평행하고, 또한 도 1의 중간 영역(14)에 포함된 열과 같이, 상기 가상 경계 축선(L)에 가까운 열의 제1 및 제2 전도성 접점(11, 12)의 긴 변(111, 121)은 상기 가상 경계 축선(L)에 실질적으로 평행하고, 상기 가상 경계 축선(L)으로부터 먼 열의 제1 및 제2 전도성 접점(11, 12)은 경사진 전도성 접점이고, 기판(13)의 제1 긴 변(131)에 가까운 일단은 상기 가상 경계 축선(L)에 가깝고, 기판(13)의 제1 긴 변(131)으로부터 먼 일단은 상기 가상 경계 축선(L)으로부터 멀다. 즉, 도 1의 방향에서 볼 때 경사진 전도성 접점은 위에서 아래로 또한 내부에서 외부로 경사지고, 상기 가상 경계 축선(L)으로부터 더 먼 제1 및 제2 전도성 접점(11, 12)일수록 상기 가상 경계 축선(L)에 대한 각도가 더 크고, 예를 들면, 도 1에서 두 외측 영역(15, 16)에 포함된 제1 및 제2 전도성 접점(11, 12)의 긴 변(111, 121)의 상기 가상 경계 축선(L)에 대한 각도(θ1, θ2)가 가장 크다. Referring to FIG. 1, a unit under test (UUT) having an inclined conductive contact is shown, and the unit under test 10 is an unpackaged die or a packaged chip. ), and the unit under measurement 10 includes a first conductive contact 11 for outputting a plurality of signals arranged in one or more rows and a second conductive contact 11 for inputting a plurality of signals arranged in one row. With the conductive contact 12, for example, the unit under measurement 10 shown in FIG. 1 is 3 arranged from the first long side 131 of the substrate 13 toward the second long side 132 With a first conductive contact 11 in a row and a second conductive contact 12 in a row provided along the second long side 132 of the substrate 13, the plurality of first conductive contacts 11 ), the second conductive contact 12 is arranged in a plurality of rows, and the arrangement direction of each row is substantially parallel to the virtual boundary axis L perpendicular to the first long side 131 and the second long side 132 and , Also, like the row included in the middle region 14 of FIG. 1, the long sides 111 and 121 of the first and second conductive contacts 11 and 12 of the row close to the virtual boundary axis L are the virtual boundary The first and second conductive contacts 11 and 12 in the row substantially parallel to the axis L and far from the virtual boundary axis L are inclined conductive contacts, and the first long side 131 of the substrate 13 One end close to) is close to the virtual boundary axis L, and an end far from the first long side 131 of the substrate 13 is far from the virtual boundary axis L. That is, when viewed in the direction of FIG. 1, the inclined conductive contact is inclined from top to bottom and from inside to outside, and the first and second conductive contacts (11, 12) further away from the virtual boundary axis (L), the more the virtual The angle with respect to the boundary axis L is larger, for example, the long sides 111 and 121 of the first and second conductive contacts 11 and 12 included in the two outer regions 15 and 16 in FIG. 1 The angles (θ1, θ2) with respect to the virtual boundary axis L of are the largest.

상술한 피측정 유닛(10)은 캔틸레버형 프로브를 구비한 프로브 카드를 사용하여 검출될 수 있고, 도면을 단순화하기 위해, 도 1에서는 가장 왼쪽의 제2 전도성 접점(12)에 대응하는 프로브(17)만 개략적으로 도시되었고, 실제로 각각의 전도성 접점(11, 12)은 모두 하나의 프로브에 대응하고, 상기 프로브(17)의 켄틸레버 부분(171)은 상기 피측정 유닛(10)의 제2 긴 변(132) 외측 방향에 위치한 프로브 베이스(18)로부터 전도성 접점(12) 상부로 연장되어, 프로브(17)의 켄틸레버 부분(171)의 끝단으로부터 아래로 연장된 점 접촉 부분(미도시)은 대응하는 전도성 접점(12)과 점 접촉할 수 있다. The above-described unit under measurement 10 may be detected using a probe card having a cantilever-type probe, and in order to simplify the drawing, in FIG. 1, the probe 17 corresponding to the leftmost second conductive contact 12 ) Is shown schematically, and in fact, each of the conductive contacts 11 and 12 all correspond to one probe, and the cantilever portion 171 of the probe 17 is the second length of the unit under measurement 10 The point contact portion (not shown) that extends upward from the probe base 18 located in the outer direction of the side 132 to the top of the conductive contact 12 and extends downward from the end of the cantilever portion 171 of the probe 17 It can make point contact with the corresponding conductive contact 12.

그러나, 상기 피측정 유닛(10)은 경사각이 일치하지 않는 경사진 전도성 접점을 가지므로, 검출에 필요한 프로브가 프로브 베이스 상에 배치되기 어렵고, 특히 복수의 피측정 유닛을 검출할 경우, 즉 2개 이상의 상기 피측정 유닛(10)을 동시에 검출할 경우, 프로브(17)가 상호 간섭할 우려가 있어, 현재로서는 적합한 검출장치가 없다.However, since the unit under measurement 10 has an inclined conductive contact point where the inclination angle does not coincide, it is difficult to arrange a probe required for detection on the probe base. In particular, when detecting a plurality of units under measurement, that is, two When the above-described units under measurement 10 are simultaneously detected, the probes 17 may interfere with each other, and there is currently no suitable detection device.

상기 문제점을 감안하여, 본 발명의 주요 목적은 상기와 유사한 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛의 검출에 적용되어 프로브의 상호 간섭을 방지하는, 프로브 모듈을 제공하는 것이다.In view of the above problems, the main object of the present invention is to provide a probe module that is applied to the detection of a plurality of units to be measured having an inclined conductive contact similar to the above to prevent mutual interference of probes.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의해 제공되는 프로브 모듈은 복수의 피측정 유닛을 동시에 검출하기 위한 것으로, 각각의 상기 피측정 유닛은 제1 메인 에지, 제2 메인 에지, 상기 제1 메인 에지 및 상기 제2 메인 에지를 연결하는 제1 측면 에지 및 제2 측면 에지, 및 복수의 전도성 접점을 구비하고, 상기 복수의 피측정 유닛은 제1 피측정 유닛 및 제2 피측정 유닛을 포함하고, 상기 제1 피측정 유닛의 제2 측면 에지는 상기 제2 피측정 유닛의 제1 측면 에지와 인접하고, 상기 제1 피측정 유닛의 전도성 접점은 상기 제1 피측정 유닛의 제1 메인 에지 및 제2 측면 에지에 인접하는 제1 경계 접점을 포함하고, 상기 제2 피측정 유닛의 전도성 접점은 상기 제2 피측정 유닛의 제1 메인 에지 및 제1 측면 에지에 인접한 제2 경계 접점을 포함한다. In order to achieve the above object, the probe module provided by the present invention is for simultaneously detecting a plurality of units to be measured, and each of the units to be measured is a first main edge, a second main edge, and the first main edge. A first side edge and a second side edge connecting the edge and the second main edge, and a plurality of conductive contacts, the plurality of units under measurement including a first unit under measurement and a second unit under measurement, , A second side edge of the first unit under measurement is adjacent to a first side edge of the second unit under measurement, and a conductive contact point of the first unit under measurement is a first main edge of the first unit under measurement and A first boundary contact adjacent to the second side edge, and the conductive contact of the second unit under measurement includes a first main edge of the second unit under measurement and a second boundary contact adjacent to the first side edge .

상기 프로브 모듈은 하나 이상의 프로브 베이스 및 복수의 프로브를 포함하고, 각 상기 프로브는 켄틸레버 부분 및 점 접촉 부분을 포함하고, 상기 켄틸레버 부분은 상기 프로브 베이스에 고정 결합되는 고정부 및 상기 고정부에 연결되며 상기 프로브 베이스의 내측면으로부터 연장되는 외부 노출부를 구비하고, 상기 점 접촉 부분은 상기 외부 노출부에 연결된다. 상기 하나 이상의 프로브 베이스는 제1 프로브 베이스를 포함하고, 상기 복수의 프로브는 상기 제1 프로브 베이스에 설치되며 상이한 높이에 위치하는 제1 경계 프로브 및 제2 경계 프로브를 포함하고, 상기 프로브 모듈이 상기 복수의 피측정 유닛을 검출 시, 각 상기 피측정 유닛의 제1 메인 에지는 제2 메인 에지 보다 상기 제1 프로브 베이스에 더 가까우며, 상기 제1 경계 프로브 및 상기 제2 경계 프로브는 켄틸레버 부분이 상기 제1 피측정 유닛 및 상기 제2 피측정 유닛의 제1 메인 에지의 상부를 각각 지나 상기 제1 경계 접점 및 상기 제2 경계 접점 상부로 각각 연장되어, 점 접촉 부분으로 상기 제1 경계 접점 및 상기 제2 경계 접점과 각각 점 접촉한다. The probe module includes at least one probe base and a plurality of probes, each of the probes including a cantilever portion and a point contact portion, and the cantilever portion is a fixing portion fixedly coupled to the probe base and the fixing portion It is connected and includes an external exposed portion extending from an inner surface of the probe base, and the point contact portion is connected to the external exposed portion. The at least one probe base includes a first probe base, and the plurality of probes are installed on the first probe base and include a first boundary probe and a second boundary probe positioned at different heights, and the probe module includes the When detecting a plurality of units to be measured, the first main edge of each unit to be measured is closer to the first probe base than to the second main edge, and the first boundary probe and the second boundary probe have a cantilever portion. Each of the first boundary contact points and the second boundary contact points extend through upper portions of the first main edges of the first unit under measurement and the second unit under measurement, respectively, as a point contact portion, and the first boundary contact point and Each point makes contact with the second boundary contact points.

다시 말하면, 본 발명은 주로, 인접한 피측정 유닛의 인접한 측면 에지의 제1 메인 에지 부분에 인접한 전도성 접점, 즉 제1 및 제2 경계 접점에 대한 것이고, 본 발명의 프로브 모듈은 피측정 유닛의 제1 메인 에지에 인접한 제1 프로브 베이스에서 상이한 높이로부터 연장되는 제1 및 제2 경계 프로브에 의해 제1 및 제2 경계 접점과 각각 점 접촉한다. 상기 프로브 모듈의 상기 복수의 피측정 유닛의 다른 전도성 접점과 점 접촉하기 위한 프로브 배치는 제한되지 않는다. In other words, the present invention mainly relates to conductive contacts, that is, first and second boundary contacts, adjacent to the first main edge portion of the adjacent side edge of the adjacent unit under measurement, and the probe module of the present invention In the first probe base adjacent to the first main edge, first and second boundary probes extending from different heights make point contact with the first and second boundary contact points, respectively. Arrangement of probes for point contact with other conductive contacts of the plurality of units to be measured of the probe module is not limited.

제1 및 제2 경계 프로브는 상이한 높이에 위치하므로, 제1 및 제2 경계 접점의 제1 메인 에지를 향한 연장방향이 서로 근접하더라도, 제1 및 제2 경계 프로브의 켄틸레버 부분의 외부 노출부가 제1 프로브 베이스로부터 연장되는 방향은 여전히 제1 및 제2 경계 접점의 연장방향에 맞출 수 있어, 프로브가 검출 시 대응되지 않는 전도성 접점으로 우발적으로 미끄러지는 것을 방지한다. 즉, 제1 및 제2 경계 프로브의 켄틸레버 부분의 외부 노출부가 제1 프로브 베이스로부터 경사지게 연장되어 대응하는 경계 접점에 점차 가까워질 수 있어, 요구되는 경사 각도가 매우 크더라도, 제1 및 제2 경계 프로브의 켄틸레버 부분이 서로 근접하거나 또는 심지어 필수 부분이 동일한 수직면 상에 위치하도록 하므로, 제1 및 제2 경계 프로브가 상이한 높이에 위치하여 상호 간섭을 피할 수 있다.Since the first and second boundary probes are located at different heights, even if the extending directions of the first and second boundary contacts toward the first main edge are close to each other, the external exposed portions of the cantilever portions of the first and second boundary probes The direction extending from the first probe base can still be aligned with the extending direction of the first and second boundary contact points, thereby preventing the probe from accidentally sliding to the non-corresponding conductive contact point upon detection. That is, the external exposed portions of the cantilever portions of the first and second boundary probes obliquely extend from the first probe base and gradually become closer to the corresponding boundary contact, so that even if the required slope angle is very large, the first and second boundary probes Since the cantilever portions of the boundary probes are close to each other or even the essential portions are located on the same vertical plane, the first and second boundary probes can be located at different heights to avoid mutual interference.

실제로, 제1 프로브 베이스의 상이한 높이로부터 연장되는 프로브는, 상술한 바와 같이 제1 메인 에지에 인접한 제1 및 제2 경계 접점에 점 접촉되는 것에 제한되지 않으며, 동일한 높이의 프로브가 너무 가까워지거나 상호 간섭할 수 있는 모든 위치의 전도성 접점에 적용될 수 있어, 상술한 문제를 야기 할 수 있는 전도성 접점에 대응하는 프로브(본 발명에서 모두 제1 및 제2 경계 프로브로 칭함)를 상이한 높이에 설치하는 것에 의해 프로브 간섭을 피하는 효과에 도달한다. In practice, probes extending from different heights of the first probe base are not limited to being in point contact with the first and second boundary contacts adjacent to the first main edge as described above, and probes of the same height are not too close or mutually Since it can be applied to conductive contacts at all positions that can interfere, it is possible to install probes corresponding to conductive contacts (both referred to as first and second boundary probes in the present invention) at different heights, which may cause the above-described problem. Thereby reaching the effect of avoiding probe interference.

본 발명에 의해 제공되는 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛의 프로브 모듈의 상세한 구조, 특징, 조립 또는 사용방식에 관해서는, 후술하는 실시형태에서 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명의 기술분야의 통상적인 지식을 가진 자라면, 본 발명을 상세하게 설명하고 실시하기 위해 열거한 특정 실시예들은 본 발명을 설명하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 청구범위를 한정하기 위한 것이 아님을 이해할 것이다.The detailed structure, characteristics, assembly or use method of the probe module of the plurality of units to be measured having inclined conductive contacts provided by the present invention will be described in detail in the embodiments described later. However, if one of ordinary skill in the technical field of the present invention, the specific embodiments enumerated for describing and carrying out the present invention in detail are only for describing the present invention, and for limiting the claims of the present invention. You will understand that it is not.

도 1은 경사진 전도성 접점을 갖는 피측정 유닛, 프로브 및 프로브 베이스의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 바람직한 실시예에 의해 제공되는 프로브 모듈, 제1 피측정 유닛 및 제2 피측정 유닛의 개략적인 평면도이고, 다만 상기 프로브 모듈의 제3 프로브는 도시되지 않았다.
도 3은 도 2의 우측면도이고, 다만 상기 프로브 모듈의 제3 프로브 및 회로판을 더 도시한다.
도 4는 도 2와 유사하며, 다만 도시된 프로브는 제3 프로브 중 일부일 뿐이다.
도 5는 도 4와 유사하며, 다만 도시된 프로브는 제3 프로브 중 다른 일부일 뿐이다.
도 6은 도 5와 유사하며, 다만 도시된 프로브는 제3 프로브 중 또 다른 일부일 뿐이다.
도 7은 도 2와 유사하며, 다만 도 7에서 프로브의 고정부와 외부 노출부는 직선을 이룬다.
도 8은 본 발명의 제2 바람직한 실시예에 의해 제공되는 프로브 모듈 및 제1 내지 제4 피측정 유닛의 개략적인 평면도이고, 다만 도시된 프로브는 제3 프로브 중 일부일 뿐이다.
도 9는 도 8의 우측면도이고, 다만 상기 프로브 모듈의 다른 프로브를 더 도시한다.
1 is a schematic plan view of a unit under measurement, a probe and a probe base having an inclined conductive contact.
2 is a schematic plan view of a probe module, a first unit to be measured, and a second unit to be measured according to a first preferred embodiment of the present invention, but a third probe of the probe module is not shown.
3 is a right side view of FIG. 2, but further shows a third probe and a circuit board of the probe module.
FIG. 4 is similar to FIG. 2, but the illustrated probes are only some of the third probes.
FIG. 5 is similar to FIG. 4, except that the illustrated probe is only another part of the third probe.
6 is similar to FIG. 5, but the illustrated probe is only another part of the third probe.
FIG. 7 is similar to FIG. 2, except that in FIG. 7, the fixed part and the external exposed part of the probe form a straight line.
8 is a schematic plan view of a probe module and first to fourth units to be measured according to a second preferred embodiment of the present invention, but the illustrated probes are only some of the third probes.
9 is a right side view of FIG. 8, but further shows another probe of the probe module.

하기 실시예 및 도면에서 동일한 부호는 동일하거나 유사한 소자 또는 이들의 구조 특징을 나타낸다. 주의할 것은, 도면에서 각 소자 및 구조는 설명의 편의를 위한 것이며 실제 비율 및 수에 따라 그려진 것은 아니며, 구현 가능할 경우 상이한 실시예의 특징은 서로 응용될 수 있다. In the following examples and drawings, the same reference numerals denote the same or similar elements or structural features thereof. Note that, in the drawings, each element and structure are for convenience of description and are not drawn according to an actual ratio and number, and if possible, features of different embodiments may be applied to each other.

도 2 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 바람직한 실시예에 의해 제공되는 프로브 모듈(20)은 주로 제1 프로브 베이스(21), 제2 프로브 베이스(22) 및 복수의 프로브(30a~30e)를 포함한다. 2 to 6, the probe module 20 provided by the first preferred embodiment of the present invention mainly includes a first probe base 21, a second probe base 22, and a plurality of probes 30a to 30e).

각 상기 프로브(30a~30e)는 전도성 재료(예를 들면 금속)로 제조된 직선 프로브를 기계적 가공에 의해 굽혀서 제조한 것으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 각 상기 프로브(30a~30e)는 켄틸레버 부분(31) 및 점 접촉 부분(32)을 포함하고, 상기 켄틸레버 부분(31)은 상기 제1 프로브 베이스(21) 또는 제2 프로브 베이스(22)에 고정 결합되는 고정부(311) 및 상기 고정부(311)에 연결되며 상기 제1 프로브 베이스(21)의 내측면(211) 또는 제2 프로브 베이스(22)의 내측면(221)으로부터 연장되는 외부 노출부(312)가 구비된다. 도 2 및 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 일부 프로브(30a~30e)의 켄틸레버 부분(31)은 구부러지지 않고 고정부(311)와 외부 노출부(312)가 직선을 이루게 하고, 다른 일부의 프로브(30a~30e)의 켄틸레버 부분(31)은 구부러져 고정부(311)와 외부 노출부(312)가 직선을 이루지 않게 한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 각 상기 프로브(30a~30e)의 점 접촉 부분(32)은 외부 노출부(312)의 끝단으로부터 아래로 연장된다. Each of the probes 30a to 30e is manufactured by bending a straight probe made of a conductive material (for example, metal) by mechanical processing, and as shown in FIG. 3, each of the probes 30a to 30e is Including a lever portion 31 and a point contact portion 32, the cantilever portion 31 is a fixing portion 311 fixedly coupled to the first probe base 21 or the second probe base 22, and An external exposed portion 312 connected to the fixing portion 311 and extending from the inner side 211 of the first probe base 21 or the inner side 221 of the second probe base 22 is provided. 2 and 4 to 6, the cantilever part 31 of some probes 30a to 30e is not bent, and the fixing part 311 and the external exposed part 312 form a straight line, The cantilever part 31 of the other probes 30a to 30e is bent so that the fixing part 311 and the external exposed part 312 do not form a straight line. As shown in FIG. 3, the point contact portions 32 of each of the probes 30a to 30e extend downward from the end of the external exposed portion 312.

상기 제1 프로브 베이스(21) 및 상기 제2 프로브 베이스(22)는 절연 재료(예를 들면 흑색 고무)로 제조되고, 상기 제1 및 제2 프로브 베이스(21, 22)는 내측면(211, 221)이 서로 마주하도록 설치되고, 일반적으로 회로판(40)의 저면(41)에 고정됨으로써(도 3에 도시 됨), 상기 회로판(40), 상기 제1 및 제2 프로브 베이스(21, 22) 및 상기 복수의 프로브(30a~30e)가 프로브 카드로 결합되도록 한다. The first probe base 21 and the second probe base 22 are made of an insulating material (for example, black rubber), and the first and second probe bases 21 and 22 are inner surfaces 211, 221 is installed to face each other and is generally fixed to the bottom surface 41 of the circuit board 40 (shown in FIG. 3), the circuit board 40, the first and second probe bases 21 and 22 And the plurality of probes 30a to 30e are coupled to a probe card.

본 발명의 실시예에서, 각 상기 프로브(30a~30e)의 고정부(311)는 제1 또는 제2 프로브 베이스(21, 22) 내에 위치하고, 고정 방식은 흑색 고무를 사용하여 동일한 프로브층(이하에서 자세히 설명됨)의 프로브를 동시에 프로브 베이스 상의 소정의 위치에 설치한 후, 프로브가 프로브 베이스 상에 고정되도록 흑색 고무를 구워 건조시킨다. 그러나, 각 상기 프로브(30a~30e)의 고정부(311)는 접착제에 의해서 제1 또는 제2 프로브 베이스(21, 22)의 외부 표면에 고정될 수도 있다. 각 상기 프로브(30a~30e)는 상기 제1 프로브 베이스(21)의 외측면(212) 또는 제2 프로브 베이스(22)의 외측면(222)으로부터 연장되는 연결 부분(미도시)을 더 구비하여, 상기 연결 부분에 의해 상기 회로판(40)의 저면(41)의 전도성 접점(미도시)에 전기적으로 연결되게 할 수 있다. In an embodiment of the present invention, the fixing part 311 of each of the probes 30a to 30e is located in the first or second probe bases 21 and 22, and the fixing method is the same probe layer using black rubber (hereinafter The probe of (described in detail in) is simultaneously installed at a predetermined position on the probe base, and then black rubber is baked and dried so that the probe is fixed on the probe base. However, the fixing portions 311 of each of the probes 30a to 30e may be fixed to the outer surfaces of the first or second probe bases 21 and 22 by an adhesive. Each of the probes 30a to 30e further includes a connection portion (not shown) extending from the outer surface 212 of the first probe base 21 or the outer surface 222 of the second probe base 22. , It may be electrically connected to the conductive contact (not shown) of the bottom surface 41 of the circuit board 40 by the connection part.

구체적으로, 본 실시예의 경사진 프로브(30a~30e)(외부 노출부(312)가 경사진 프로브)의 고정부(311)는 외부 노출부(312)와 연결되는 내측 구간(311a) 및 내측 구간(311a)으로부터 프로브 베이스의 외측면으로 연장되어 상술한 연결 부분과 연결되는 외측 구간(311b)을 포함하고, 상기 내측 구간(311a)은 외부 노출부(312)와 직선을 이루어 경사지고, 상기 외측 구간(311b)은 상술한 연결 부분과 직선을 이루어 프로브 베이스의 내측면 및 외측면에 수직된다(즉 경사지지 않은 프로브에 평행이다). 이와 같이 프로브가 경사지게 형성되는 방식은 먼저, 대응하는 전도성 접점의 연장 방향(D2)(이하에서 상세하게 설명됨)을 따라 직선 프로브를 프로브 베이스 상에 배치하고 흑색 고무로 고정부(311)의 내측 구간(311a)을 고정시켜, 프로브의 외부 노출부(312)를 필요한 각도에 고정시킨다(대응하는 전도성 접점의 연장 방향(D2)과 평행한다). 이때 프로브는 프로브 베이스 상에 이미 고정되고, 다음 외측 구간(311b)과 상기 연결부분이 프로브 베이스의 내측면 및 외측면에 수직되도록 고정부(311)를 구부린 다음, 흑색 고무로 외측 구간(311b)을 고정시킨다. 이러한 방식은 굽힘 동작이 용이해질 수 있고, 프로브의 굽힘 각도가 잘 고정되어 쉽게 회복되지 않는다. Specifically, the fixing part 311 of the inclined probes 30a to 30e (the probe in which the external exposed part 312 is inclined) according to the present embodiment is an inner section 311a and an inner section connected to the external exposed part 312 It includes an outer section 311b extending from 311a to an outer surface of the probe base and connected to the above-described connection part, and the inner section 311a is inclined to form a straight line with the external exposed part 312, and The section 311b forms a straight line with the above-described connection portion and is perpendicular to the inner and outer surfaces of the probe base (that is, parallel to the non-inclined probe). In this way, the probe is formed in an inclined manner: first, a straight probe is placed on the probe base along the extension direction D2 (to be described in detail below) of the corresponding conductive contact, and the inside of the fixing part 311 with black rubber The section 311a is fixed to fix the external exposed portion 312 of the probe at a required angle (parallel to the extending direction D2 of the corresponding conductive contact). At this time, the probe is already fixed on the probe base, and the fixing part 311 is bent so that the next outer section 311b and the connection part are perpendicular to the inner and outer surfaces of the probe base, and then the outer section 311b with black rubber. Is fixed. In this way, the bending operation can be facilitated, and the bending angle of the probe is well fixed and thus it is not easily recovered.

본 발명의 프로브 모듈은 복수의 피측정 유닛을 검출하는데 사용된다( 즉 복수의 피측정 유닛을 동시에 검출한다). 예를 들면, 본 실시예의 프로브 모듈(20)은 제1 피측정 유닛(50A) 및 제2 피측정 유닛(50B)을 동시에 검출하기 위해 사용된다. 본 발명의 실시예의 피측정 유닛은 종래 기술에서 설명된 피측정 유닛(10)(도 1에 도시 됨)과 동일하다. 다만 본 발명의 특징을 보다 명확하게 설명하기 위해, 실시예에서는 상이한 설명 방식으로 도 1과 다른 도면 부호를 결합하여 상기 피측정 유닛을 추가로 설명한다. The probe module of the present invention is used to detect a plurality of units to be measured (that is, detect a plurality of units to be measured simultaneously). For example, the probe module 20 of this embodiment is used to simultaneously detect the first unit under measurement 50A and the second unit under measurement 50B. The unit under measurement in the embodiment of the present invention is the same as the unit under measurement 10 (shown in Fig. 1) described in the prior art. However, in order to more clearly describe the features of the present invention, in the embodiment, the unit to be measured is further described by combining FIG. 1 and other reference numerals in a different manner.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 각 상기 피측정 유닛(50A, 50B)의 상부 표면(56)은 반대 방향을 향하는 제1 및 제2 메인 에지(51, 52)(일반적으로 긴 변), 제1 및 제2 메인 에지(51, 52)를 연결하며 반대 방향을 향하는 제1 및 제2 측면 에지(53, 54)(일반적으로 짧은 변) 및 복수의 전도성 접점(55a~55d)을 포함하고, 상기 제1 피측정 유닛(50A)의 제2 측면 에지(54)는 상기 제2 피측정 유닛(50B)의 제1 측면 에지(53)와 인접한다. 상기 프로브 모듈(20)이 상기 복수의 상기 피측정 유닛(50A, 50B)을 검출 시, 상기 제1 및 제2 프로브 베이스(21, 22)는 각각 피측정 유닛(50A, 50B)의 제1 메인 에지(51)의 외측 상부 및 제2 메인 에지(52)의 외측 상부에 위치한다. 다시 말하면, 각 상기 피측정 유닛(50A, 50B)의 제1 메인 에지(51)는 제2 메인 에지(52)보다 상기 제1 프로브 베이스(21)에 더 가깝고, 각 상기 피측정 유닛(50A, 50B)의 제2 메인 에지(52)는 제1 메인 에지(51)보다 상기 제2 프로브 베이스(22)에 더 가까우며, 상기 프로브 모듈(20)은 전체적으로(상술한 회로판(40)과 함께) 아래로 이동하여 상기 복수의 프로브(30a~30e)로 상기 복수의 전도성 접점(55a~55d)과 점 접촉한다. 2 and 3, the upper surface 56 of each of the units to be measured 50A, 50B has first and second main edges 51 and 52 facing opposite directions (generally long sides) , Connecting the first and second main edges 51 and 52 and including first and second side edges 53 and 54 (generally short sides) and a plurality of conductive contacts 55a to 55d facing opposite directions In addition, the second side edge 54 of the first unit under measurement 50A is adjacent to the first side edge 53 of the second unit under measurement 50B. When the probe module 20 detects the plurality of units under measurement (50A, 50B), the first and second probe bases (21, 22) are the first mains of the units under measurement (50A, 50B), respectively. It is located at the outer upper part of the edge 51 and the outer upper part of the second main edge 52. In other words, the first main edge 51 of each of the units under measurement 50A, 50B is closer to the first probe base 21 than the second main edge 52, and each of the units under measurement 50A, The second main edge 52 of 50B) is closer to the second probe base 22 than the first main edge 51, and the probe module 20 as a whole (with the circuit board 40 described above) is lower Move to and make point contact with the plurality of conductive contacts 55a to 55d with the plurality of probes 30a to 30e.

먼저 설명드릴 것은, 본 발명은 프로브(30a~30e)의 점 접촉 방향(D1)(도 3에 도시 됨)을 하향으로 정의하고, 이를 기준으로 기타 특징의 방향성(예를 들면, 상, 하, 상부, 하부 등 용어)을 설명한다. 예를 들면, 상술한 각 상기 피측정 유닛(50A, 50B)의 전도성 접점(55a~55d)이 설치되어 있는 상기 상부 표면(56)은 상기 점 접촉 방향(D1)의 반대 방향을 향하는 표면이고, 상술한 상기 회로판(40)의 제1 및 제2 프로브 베이스(21, 22)가 고정 설치되는 상기 저면(41)은 상기 점 접촉 방향(D1)을 향하는 표면이다. 그러나, 상술한 방향성은 각 특징이 상기 점 접촉 방향(D1)(예를 들면 하향) 또는 상기 점 접촉 방향(D1)의 반대 방향(예를 들면 상향)의 추세를 보이는 것을 설명할 뿐, 상기 점 접촉 방향(D1) 또는 상기 점 접촉 방향(D1)의 반대 방향과 오차 없이 일치하는 것은 아니다. 예를 들면, 상술한 각 상기 프로브(30a~30e)의 점 접촉 부분(32)이 외부 노출부(312)의 끝단으로부터 아래로 연장되는 것은, 상기 점 접촉 부분(32)이 상기 점 접촉 방향(D1)으로 연장되거나, 상기 점 접촉 부분(32)이 도 3에 도시된 상기 점 접촉 방향(D1)의 추세로 상기 점 접촉 방향(D1)에 대해 경사지는 것을 포함함을 의미한다. First of all, the present invention defines the point contact direction D1 (shown in FIG. 3) of the probes 30a to 30e as downward, and based on this, the direction of other features (for example, up, down, Terms such as upper, lower, etc.) will be explained. For example, the upper surface 56 on which the conductive contacts 55a to 55d of each of the above-described units 50A and 50B are installed is a surface facing a direction opposite to the point contact direction D1, The bottom surface 41 on which the first and second probe bases 21 and 22 of the circuit board 40 are fixedly installed is a surface facing the point contact direction D1. However, the above-described directionality only explains that each feature shows a trend in the point contact direction (D1) (for example, downward) or in the opposite direction (for example, upward) to the point contact direction (D1). It does not coincide with the contact direction D1 or the direction opposite to the point contact direction D1 without error. For example, when the point contact portion 32 of each of the probes 30a to 30e described above extends downward from the end of the external exposed portion 312, the point contact portion 32 is in the point contact direction ( It means that it extends to D1) or includes that the point contact portion 32 is inclined with respect to the point contact direction D1 in the trend of the point contact direction D1 shown in FIG. 3.

각 상기 피측정 유닛(50A, 50B)에서, 각 상기 전도성 접점(55a~55d)은 상기 제1 메인 에지(51)를 향한 제1 단부(551) 및 상기 제2 메인 에지(52)를 향한 제2 단부(552)를 구비하고, 도면을 단순화하기 위해, 도 4의 3개의 전도성 접점에만 제1 단부(551) 및 제2 단부(552)를 도시했고, 각 상기 전도성 접점(55a~55d)에 대해 제2 단부(552)로부터 제1 단부(551)로 향하는 연장 방향(D2)을 정의할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 각 상기 피측정 유닛(50A, 50B)에 대해 가상 경계 축선(A1)을 정의할 수 있고, 각 상기 피측정 유닛(50A, 50B)의 가상 경계 축선(A1)과 제1 측면 에지(53) 사이의 전도성 접점(55a~55d)의 연장 방향(D2)은 상기 가상 경계 축선(A1)에 평행하거나(예를 들면 도 4에 표시된 중간 영역(57)에 위치한 전도성 접점) 또는 상기 가상 경계 축선(A1)에 대해 상기 제1 측면 에지(53)에 가까워지게 경사지고(예를 들면 도 4에 표시된 좌측 영역(58)에 위치한 전도성 접점), 각 상기 피측정 유닛(50A, 50B)의 가상 경계 축선(A1)과 제2 측면 에지(54) 사이의 전도성 접점(55a~55d)의 연장 방향(D2)은 상기 가상 경계 축선(A1)에 평행하거나(예를 들면 도 4에 표시된 중간 영역(57)에 위치한 전도성 접점) 또는 상기 가상 경계 축선(A1)에 대해 상기 제2 측면 에지(54)에 가까워지게 경사진다(예를 들면 도 4에 표시된 우측 영역(59)의 전도성 접점). 더욱 명백하게 설명하자면, 상기 가상 경계 축선(A1) 주변의 전도성 접점(55a~55d)(중간 영역(57)에 위치한 전도성 접점)의 연장 방향(D2)은 상기 가상 경계 축선(A1)에 평행하고, 상기 가상 경계 축선(A1)으로부터 더 먼 전도성 접점(55a~55d)일 수록, 상기 가상 경계 축선(A1)에 대해 더 큰 경사도를 갖는다. In each of the units to be measured (50A, 50B), each of the conductive contacts 55a to 55d has a first end 551 toward the first main edge 51 and a first end toward the second main edge 52. It has two ends 552, and in order to simplify the drawing, only the three conductive contacts of FIG. 4 are shown with the first end 551 and the second end 552, and each of the conductive contacts 55a to 55d is In contrast, an extension direction D2 from the second end 552 to the first end 551 may be defined. As shown in Fig. 2, in this embodiment, a virtual boundary axis A1 may be defined for each of the units under measurement 50A, 50B, and a virtual boundary of each of the units 50A and 50B The extension direction D2 of the conductive contacts 55a to 55d between the axis A1 and the first side edge 53 is parallel to the virtual boundary axis A1 (for example, the intermediate region 57 shown in FIG. 4 ). ) Or inclined to be close to the first side edge 53 with respect to the virtual boundary axis A1 (for example, the conductive contact located in the left region 58 shown in FIG. 4), and each of the The extending direction D2 of the conductive contacts 55a to 55d between the virtual boundary axis A1 of the units under measurement 50A and 50B and the second side edge 54 is parallel to the virtual boundary axis A1 ( For example, the conductive contact located in the middle region 57 shown in FIG. 4) or the virtual boundary axis A1 is inclined closer to the second side edge 54 (for example, the right area shown in FIG. 4 ). (59) conductive contacts). To explain more clearly, the extending direction D2 of the conductive contacts 55a to 55d (conductive contacts located in the intermediate region 57) around the virtual boundary axis A1 is parallel to the virtual boundary axis A1, The farther the conductive contacts 55a to 55d from the virtual boundary axis A1 are, the greater the inclination with respect to the virtual boundary axis A1.

도 2 및 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 각 상기 피측정 유닛(50A, 50B)에서, 상기 복수의 전도성 접점(55a~55d)은 제1 메인 에지(51)에 인접한 제1 전도성 접점(55a) 및 제2 메인 에지(52)에 인접한 제2 전도성 접점(55b~55d)으로 분할되고, 그 중, 제2 전도성 접점(55b)은 수평 가상 축선(A2)에 실질적으로 평행하도록 상기 제2 메인 에지(52)를 따라 제1 행(L1)으로 배열되고(도 4에 도시된 바와 같이), 제2 전도성 접점(55c)은 상기 수평 가상 축선(A2)에 실질적으로 평행하도록 상기 제1 행(L1)에 바로 인접한 제2 행(L2)으로 배열되고(도 5에 도시 됨), 제2 전도성 접점(55d)은 상기 수평 가상 축선(A2)에 실질적으로 평행하도록 상기 제2 행(L2)에 바로 인접한 제3 행(L3)으로 배열되고(도 6에 도시 됨), 상기 제1 행 내지 제3 행(L1~L3)은 상기 제2 메인 에지(52)로부터 상기 제1 메인 에지(51)의 방향을 향하여 순차적으로 배열된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 각 상기 피측정 유닛(50A, 50B)의 제1 전도성 접점(55a)은 상기 수평 가상 축선(A2)에 실질적으로 평행하도록 상기 제1 메인 에지(51)를 따라 1행으로 배열되고, 상기 제1 피측정 유닛(50A)의 제1 전도성 접점(55a)은 상기 제1 피측정 유닛(50A)의 제2 측면 에지(54)에 인접한 제1 경계 접점(61)을 포함하고, 상기 제2 피측정 유닛(50B)의 제1 전도성 접점(55a)은 상기 제2 피측정 유닛(50B)의 제1 측면 에지(53)에 인접한 제2 경계 접점(62)을 포함한다. 2 and 4 to 6, in each of the units to be measured 50A and 50B, the plurality of conductive contacts 55a to 55d are a first conductive contact adjacent to the first main edge 51 It is divided into (55a) and second conductive contacts (55b to 55d) adjacent to the second main edge (52), of which the second conductive contact (55b) is substantially parallel to the horizontal virtual axis (A2). 2 arranged in a first row L1 along the main edge 52 (as shown in FIG. 4), and the second conductive contact 55c is substantially parallel to the horizontal virtual axis A2. The second row L2 is arranged in a second row L2 immediately adjacent to the row L1 (shown in FIG. 5), and the second conductive contact 55d is substantially parallel to the horizontal virtual axis A2. ) Is arranged in a third row (L3) immediately adjacent to (shown in FIG. 6), and the first to third rows (L1 to L3) are from the second main edge 52 to the first main edge ( 51) are arranged sequentially. As shown in FIG. 2, the first conductive contact 55a of each of the units under measurement 50A, 50B is 1 along the first main edge 51 so as to be substantially parallel to the horizontal virtual axis A2. Arranged in rows, the first conductive contact 55a of the first unit under measurement 50A has a first boundary contact 61 adjacent to the second side edge 54 of the first unit 50A. And the first conductive contact 55a of the second unit under measurement 50B includes a second boundary contact 62 adjacent to the first side edge 53 of the second unit 50B. .

상기 프로브 모듈(20)의 프로브(30a~30e)는 제1 프로브 베이스(21)의 좌측 절반에 설치된 제1 프로브(30a)(도 2에 도시 됨), 제1 프로브 베이스(21)의 우측 절반에 설치된 제2 프로브(30b)(도 2에 도시 됨) 및 제2 프로브 베이스(22)에 설치된 제3 프로브(30c~30e)(도 4 내지 도 6에 도시 됨)를 포함하고, 상기 복수의 제1 프로브(30a)는 각각 상기 제1 피측정 유닛(50A)의 제1 전도성 접점(55a)과 점 접촉하고, 상기 복수의 제2 프로브(30b)는 각각 상기 제2 피측정 유닛(50B)의 제1 전도성 접점(55a)과 점 접촉하고, 상기 복수의 제3 프로브(30c~30e)는 각각 상기 복수의 제2 전도성 접점(55b~55d)과 점 접촉한다. The probes 30a to 30e of the probe module 20 are the first probe 30a (shown in FIG. 2) installed on the left half of the first probe base 21, and the right half of the first probe base 21 Including a second probe 30b (shown in FIG. 2) installed on the second probe base 22 and third probes 30c to 30e (shown in FIGS. 4 to 6) installed on the second probe base 22, the plurality of Each of the first probes 30a is in point contact with the first conductive contact point 55a of the first unit under measurement 50A, and the plurality of second probes 30b are each of the second unit under measurement 50B. The first conductive contact points 55a and the plurality of third probes 30c to 30e are in point contact with the plurality of second conductive contacts 55b to 55d, respectively.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 제1 프로브(30a)는 상기 제1 피측정 유닛(50A)의 제1 전도성 접점(55a)에 실질적으로 대응하는 배열 방식으로 하나의 행으로 배열되어 상기 제1 프로브 베이스(21)에 제1 프로브층(P1)을 형성하고, 상기 복수의 제2 프로브(30b)는 상기 제2 피측정 유닛(50B)의 제1 전도성 접점(55a)에 실질적으로 대응하는 배열 방식으로 하나의 행으로 배열되어 상기 제1 프로브 베이스(21)에서 상기 제1 프로브층(P1)보다 낮은 높이의 제2 프로브층(P2)을 형성한다. 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 제3 프로브(30c)는 상기 복수의 제2 전도성 접점(55b)에 실질적으로 대응하는 배열 방식으로 하나의 행으로 배열되어 상기 제2 프로브 베이스(22)에서 제3 프로브층(P3)을 형성한다. 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 제3 프로브(30d)는 상기 복수의 제2 전도성 접점(55c)에 실질적으로 대응하는 배열 방식으로 하나의 행으로 배열되어 상기 제2 프로브 베이스(22)에서 상기 제3 프로브층(P3)보다 높은 높이의 제4 프로브층(P4)을 형성한다. 도 3 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 제3 프로브(30e)는 상기 복수의 제2 전도성 접점(55d)에 실질적으로 대응하는 배열 방식으로 하나의 행으로 배열되어 상기 제2 프로브 베이스(22)에서 상기 제4 프로브층(P4)보다 높은 높이의 제5 프로브층(P5)을 형성한다. 2 and 3, the plurality of first probes 30a are arranged in one row in an arrangement manner substantially corresponding to the first conductive contact 55a of the first unit under measurement 50A. Are arranged to form a first probe layer P1 on the first probe base 21, and the plurality of second probes 30b are connected to a first conductive contact 55a of the second unit under measurement 50B. A second probe layer P2 having a height lower than that of the first probe layer P1 is formed in the first probe base 21 by being arranged in a row in a substantially corresponding arrangement manner. 3 and 4, the plurality of third probes 30c are arranged in one row in an arrangement manner substantially corresponding to the plurality of second conductive contacts 55b, and the second probe base In step 22, a third probe layer P3 is formed. 3 and 5, the plurality of third probes 30d are arranged in one row in an arrangement manner substantially corresponding to the plurality of second conductive contacts 55c, and the second probe base In step 22, a fourth probe layer P4 having a height higher than that of the third probe layer P3 is formed. 3 and 6, the plurality of third probes 30e are arranged in one row in an arrangement manner substantially corresponding to the plurality of second conductive contacts 55d, and the second probe base In (22), a fifth probe layer P5 having a height higher than that of the fourth probe layer P4 is formed.

다시 말하면, 상기 복수의 제3 프로브(30c~30e)는 3행으로 배열되고(제2 전도성 접점(55b~55d)과 행수와 동일), 순서는 아래에서 위로 제2 전도성 접점(55b~55d)의 제1 내지 제3 행(L1~L3)에 대응하는 순서이고, 위치가 더 높은 프로브층의 제3 프로브가 상기 제2 프로브 베이스(22)로부터 더 먼 전도성 접점과 점 접촉하고, 위치가 더 높은 프로브층의 제3 프로브의 켄틸레버 부분이 더 길다. 상기 복수의 제1 및 제2 프로브(30a, 30b)는 도 2에 도시된 바와 같은 평면도에서는 하나의 행으로 배열된 것으로 보이지만, 실질적으로 도 3에 도시된 바와 같이 상이한 높이에서 2개의 행으로 배열된다. 다만 해당 2개 행의 제1 및 제2 프로브(30a, 30b)는 동일한 행으로 배열된 제1 전도성 접점(55a)까지 연장되므로, 상기 복수의 제1 및 제2 프로브(30a, 30b)의 점 접촉 부분(32)의 끝단과 상기 제1 프로브 베이스(21)의 내측면(211)의 수직 거리(d)는 실질적으로 동일하다. In other words, the plurality of third probes 30c to 30e are arranged in three rows (same as the second conductive contacts 55b to 55d and the number of rows), and the order is from bottom to top, and the second conductive contacts 55b to 55d In the order corresponding to the first to third rows (L1 to L3) of, the third probe of the probe layer having a higher position is in point contact with the conductive contact farther from the second probe base 22, and the position is further The cantilever portion of the third probe of the higher probe layer is longer. The plurality of first and second probes 30a and 30b appear to be arranged in one row in a plan view as shown in FIG. 2, but substantially arranged in two rows at different heights as shown in FIG. do. However, since the first and second probes 30a and 30b of the two rows extend to the first conductive contacts 55a arranged in the same row, the points of the plurality of first and second probes 30a and 30b The vertical distance d between the end of the contact portion 32 and the inner surface 211 of the first probe base 21 is substantially the same.

상기 프로브 모듈(20)이 상기 복수의 피측정 유닛(50A, 50B)을 검출 시, 상기 복수의 제1 프로브(30a)는 켄틸레버 부분(31)이 제1 피측정 유닛(50A)의 제1 메인 에지(51) 상부를 지나 상기 제1 피측정 유닛(50A)의 제1 전도성 접점(55a)의 상부로 각각 연장되어(도 2에 도시 됨), 점 접촉 부분으로 상기 제1 피측정 유닛(50A)의 제1 전도성 접점(55a)과 각각 점 접촉하고, 상기 복수의 제2 프로브(30b)는 켄틸레버 부분(31)이 제2 피측정 유닛(50B)의 제1 메인 에지(51)의 상부를 지나 상기 제2 피측정 유닛(50B)의 제1 전도성 접점(55a) 상부로 각각 연장되어(도 2에 도시 됨), 점 접촉 부분으로 상기 제1 피측정 유닛(50B)의 제1 전도성 접점(55a)과 각각 점 접촉하고, 상기 복수의 제3 프로브(30c)는 켄틸레버 부분(31)이 상기 복수의 피측정 유닛(50A, 50B)의 제2 메인 에지(52)의 상부를 지나 상기 복수의 제2 전도성 접점(55b) 상부로 연장되어(도 4에 도시 됨), 점 접촉 부분(32)으로 상기 복수의 제2 전도성 접점(55b)과 점 접촉하고, 상기 복수의 제3 프로브(30d)는 켄틸레버 부분(31)이 상기 복수의 피측정 유닛(50A, 50B)의 제2 메인 에지(52)의 상부를 지나 상기 복수의 제2 전도성 접점(55c) 상부로 연장되어(도 5에 도시 됨), 점 접촉 부분(32)으로 상기 복수의 제2 전도성 접점(55c)과 점 접촉하고, 상기 복수의 제3 프로브(30e)는 켄틸레버 부분(31)이 상기 복수의 피측정 유닛(50A, 50B)의 제2 메인 에지(52)의 상부를 지나 상기 복수의 제2 전도성 접점(55d)의 상부로 연장되어(도 6에 도시 됨), 점 접촉 부분(32)으로 상기 복수의 제2 전도성 접점(55d)과 점 접촉한다. When the probe module 20 detects the plurality of units under measurement (50A, 50B), the plurality of first probes (30a), the cantilever portion (31) is the first of the first unit under measurement (50A) Each extends to the top of the first conductive contact 55a of the first unit under measurement 50A (shown in Fig. 2) past the upper part of the main edge 51, and the first unit under measurement ( 50A) of the first conductive contact 55a and each of the plurality of second probes 30b have a cantilever portion 31 of the first main edge 51 of the second unit under measurement 50B. Each of the first conductive contacts 55a of the second unit under measurement 50B extends through the top (shown in FIG. 2), and the first conductivity of the first unit under measurement 50B as a point contact portion Each of the contact points 55a is in point contact, and in the plurality of third probes 30c, the cantilever portions 31 pass through the upper portions of the second main edges 52 of the plurality of units to be measured 50A and 50B. The plurality of second conductive contacts 55b extend upward (shown in FIG. 4), make point contact with the plurality of second conductive contacts 55b by a point contact portion 32, and the plurality of third probes (30d) indicates that the cantilever portion 31 passes over the second main edge 52 of the plurality of units under measurement 50A, 50B and extends above the plurality of second conductive contacts 55c (Fig. 5), a point contact portion 32 makes point contact with the plurality of second conductive contacts 55c, and the plurality of third probes 30e has a cantilever portion 31 of the plurality of measurements It extends to the top of the plurality of second conductive contacts 55d (shown in Fig. 6) past the top of the second main edge 52 of the units 50A, 50B, Point contact with the second conductive contact (55d) of.

본 실시예에서, 각 상기 프로브(30a~30e)의 외부 노출부(312)가 프로브 베이스(21, 22)로부터 연장되는 방향은 해당 프로브(30a~30e)가 점 접촉하는 전도성 접점(55a~55d)의 연장 방향(D2)과 실질적으로 대응되고, 여기서 “실질적으로 대응”이라고 함은 외부 노출부(312)가 프로브 베이스(21, 22)로부터 연장되는 방향이 반드시 대응하는 전도성 접점(55a~55d)의 연장 방향(D2)과 동일하거나 반대일 필요는 없고, 위에서 아래로 볼 때(즉 도 2 및 도 4~6의 방향), 외부 노출부(312)가 대응하는 전도성 접점(55a~55d)의 연장 방향(D2)과 거의 평행하는 것을 의미한다. 이러한 방식으로 프로브(30a~30e)의 점 접촉 부분(32)이 점 접촉할 때, 대응하는 전도성 접점(55a~55d) 밖으로 벗어나 점 접촉이 불확실한 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 다시 말하면, 상기 복수의 프로브(30a~30e)의 외부 노출부(312)의 경사각의 배치는 상기 복수의 전도성 접점(55a~55d)의 경사각 배치와 유사하다. In this embodiment, the direction in which the external exposed portions 312 of each of the probes 30a to 30e extend from the probe bases 21 and 22 is the conductive contacts 55a to 55d where the corresponding probes 30a to 30e are in point contact. ) Substantially corresponds to the extension direction (D2), where “substantially corresponding” means that the direction in which the external exposed portion 312 extends from the probe bases 21 and 22 necessarily corresponds to the conductive contacts 55a to 55d. ) Need not be the same as or opposite to the extension direction D2, and when viewed from top to bottom (that is, the directions in FIGS. 2 and 4 to 6), the conductive contacts 55a to 55d corresponding to the external exposed portions 312 It means that it is almost parallel to the extension direction D2 of. In this way, when the point contact portions 32 of the probes 30a to 30e are in point contact, it is possible to prevent the occurrence of a problem in which the point contact is unclear by moving out of the corresponding conductive contact points 55a to 55d. In other words, the arrangement of the inclination angles of the external exposed portions 312 of the plurality of probes 30a to 30e is similar to the arrangement of the inclination angles of the plurality of conductive contacts 55a to 55d.

구체적으로, 상기 제2 프로브 베이스(22)에 대해 내측면(221)에 수직된 가상 경계 축선(L4) 및 상기 가상 경계 축선(L4)의 제1 측(좌측) 및 제2 측(우측)에 각각 위치한 제1 가상 경계선(L5)(제1 피측정 유닛(50A)의 가상 경계 축선(A1)과 겹침) 및 제2 가상 경계선(L6)(제2 피측정 유닛(50B)의 가상 경계 축선(A1)과 겹침)을 정의할 수 있으며, 제2 프로브 베이스(22)의 좌측 절반에 설치된 프로브의 경우, 외부 노출부(312)가 내측면(221)으로부터 연장되는 방향은 상기 제1 가상 경계선(L5)에 평행하거나(예를 들면 도 4에 표시된 중간 영역(57)에 대응하는 프로브) 또는 상기 제1 가상 경계선(L5)에 대해 상기 제1 가상 경계선(L5)으로부터 멀어지도록 경사지고(예를 들면 도 4에 표시된 좌측, 우측 영역(58, 59)에 대응하는 프로브); 제2 프로브 베이스(22)의 우측 절반에 설치된 프로브의 경우, 외부 노출부(312)가 내측면(221)으로부터 연장되는 방향은 상기 제2 가상 경계선(L6)에 평행하거나(예를 들어 도 4에 표시된 중간 영역(57)에 대응하는 프로브) 또는 상기 제2 가상 경계선(L6)에 대해 상기 제2 가상 경계선(L6)으로부터 멀어지도록 경사진다(예를 들어 도 4에 표시된 좌측, 우측 영역(58, 59)에 대응하는 프로브). 상기 제1 프로브 베이스(21)의 경우, 상기 제1 프로브층(P1)에 대해 상기 제1 프로브 베이스(21)의 내측면(211)에 수직인 제1 가상 경계선(제2 프로브 베이스(22)의 제1 가상 경계선(L5)과 겹침)을 정의할 수 있고, 상기 복수의 제1 프로브(30a)의 외부 노출부(312)가 상기 내측면(211)으로부터 연장되는 방향은 상기 제1 가상 경계선(L5)에 평행하거나(예를 들어 도 4에 표시된 중간 영역(57)에 대응하는 프로브) 또는 상기 제1 가상 경계선(L5)에 대해 상기 제1 가상 경계선(L5)에 가까워지도록 경사지고(예를 들어 도 4에 표시된 좌측, 우측 영역(58, 59)에 대응하는 프로브); 상기 제2 프로브층(P2)에 대해 상기 제1 프로브 베이스(21)의 내측면(211)에 수직인 제2 가상 경계선(제2 프로브 베이스(22)의 제2 가상 경계선(L6)과 겹침)을 정의할 수 있고, 상기 복수의 제2 프로브(30b)의 외부 노출부(312)가 상기 내측면(211)으로부터 연장되는 방향은 상기 제2 가상 경계선(L6)에 평행하거나(예를 들어 도 4에 표시된 중간 영역(57)에 대응하는 프로브) 또는 상기 제2 가상 경계선(L6)에 대해 상기 제2 가상 경계선(L6)에 가끼워지도록 경사진다(예를 들어 도 4에 표시된 좌측, 우측 영역(58, 59)에 대응하는 프로브). Specifically, a virtual boundary axis L4 perpendicular to the inner surface 221 with respect to the second probe base 22 and a first side (left) and a second side (right) of the virtual boundary axis L4 The first virtual boundary line L5 (overlapped with the virtual boundary axis A1 of the first unit under measurement 50A) and the second virtual boundary line L6 (the virtual boundary axis line of the second unit under measurement 50B) respectively located ( A1) and overlapping) can be defined, and in the case of a probe installed on the left half of the second probe base 22, the direction in which the external exposed part 312 extends from the inner surface 221 is the first virtual boundary line ( L5) (for example, a probe corresponding to the intermediate region 57 shown in Fig. 4) or inclined to be away from the first virtual boundary line L5 with respect to the first virtual boundary line L5 (e.g. For example, probes corresponding to the left and right regions 58 and 59 shown in Fig. 4); In the case of the probe installed on the right half of the second probe base 22, the direction in which the external exposed portion 312 extends from the inner surface 221 is parallel to the second virtual boundary line L6 (for example, FIG. 4 The probe corresponding to the middle region 57 shown in) or the second virtual boundary line L6 is inclined to be away from the second virtual boundary line L6 (for example, the left and right regions 58 shown in FIG. 4 ). , Probe corresponding to 59)). In the case of the first probe base 21, a first virtual boundary line (second probe base 22) perpendicular to the inner surface 211 of the first probe base 21 with respect to the first probe layer P1 The first virtual boundary line (overlapping the L5) of can be defined, and the direction in which the external exposed portions 312 of the plurality of first probes 30a extend from the inner surface 211 is the first virtual boundary line It is parallel to (L5) (for example, a probe corresponding to the intermediate region 57 shown in FIG. 4) or is inclined to be close to the first virtual boundary line L5 with respect to the first virtual boundary line L5 (eg For example, probes corresponding to the left and right regions 58 and 59 shown in Fig. 4); A second virtual boundary line perpendicular to the inner surface 211 of the first probe base 21 with respect to the second probe layer P2 (overlaps the second virtual boundary line L6 of the second probe base 22) May be defined, and a direction in which the external exposed portions 312 of the plurality of second probes 30b extend from the inner surface 211 is parallel to the second virtual boundary line L6 (for example, The probe corresponding to the intermediate region 57 shown in 4) or the second virtual boundary line L6 is inclined to fit the second virtual boundary line L6 (for example, the left and right regions shown in FIG. 4 Probes corresponding to (58, 59)).

본 발명의 프로브 모듈의 프로브 배치를 통해, 수많은 프로브가 프로브 베이스에 적절한 간격으로 배치될 수 있는 전제하에, 여전히 프로브의 확실한 점 접촉을 보장하는 상술한 효과에 도달할 수 있다. 또한, 본 실시예에서, 상기 복수의 프로브(30a~30e)의 고정부(311)의 외측 구간(311b)은 실질적으로 서로 평행하고, 이는 프로브 베이스 상에 프로브를 배치하는데 용이하다. 그러나, 본 발명의 프로브 모듈의 프로브 배치에 의하면, 고정부(311)와 외부 노출부(312)가 실질적으로 직선인 프로브(예를 들어 도 7에 도시된 프로브(30a))를 프로브 베이스 상에 배치하는데도 용이하고, 이는 프로브의 굽힘 가공 단계를 간소화할 수 있다. Through the probe arrangement of the probe module of the present invention, it is possible to achieve the above-described effect of still ensuring reliable point contact of the probes, provided that numerous probes can be arranged at appropriate intervals on the probe base. Further, in this embodiment, the outer sections 311b of the fixing portions 311 of the plurality of probes 30a to 30e are substantially parallel to each other, which makes it easy to arrange the probes on the probe base. However, according to the probe arrangement of the probe module of the present invention, a probe in which the fixing part 311 and the external exposed part 312 are substantially straight (for example, the probe 30a shown in FIG. 7) is placed on the probe base. It is also easy to place, which can simplify the step of bending the probe.

더욱 중요하게는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 경계 접점(61)의 연장 방향(D2)은 상기 제1 피측정 유닛(50A)의 제2 측면 에지(54)에 가까워지게 상당한 정도로 경사지지만, 상기 제2 경계 접점(62)의 연장 방향(D2)도 상기 제2 피측정 유닛(50B)의 제1 측면 에지(53)에 가까워지게 상당한 정도로 경사진다. 그러나 본 발명의 프로브 모듈(20)은 제1 프로브층(P1)의 가장 오른쪽의 제1 프로브(30a)에 의해 제1 경계 접점(61)과 점 접촉하고, 또한 제2 프로브층(P2)의 가장 왼쪽의 제2 프로브(30b)에 의해 제2 경계 접점(62)과 점 접촉하고, 제1 프로브층(P1)과 제2 프로브층(P2)은 상이한 높이에 위치하므로, 제1 및 제2 경계 접점(61, 62)과 점 접촉하기 위한 제1 및 제2 프로브(30a, 30b)(제1 및 제2 경계 프로브(63, 64)로 정의됨)의 외부 노출부(312)가 제1 프로브 베이스(21)로부터 연장되는 방향을 제1 및 제2 경계 접점(61, 62)의 연장 방향(D2)에 맞추더라도, 제1 및 제2 경계 프로브(63, 64)는 높이가 상이하므로 상호 간섭을 피할 수 있다. More importantly, as shown in Fig. 2, the extension direction D2 of the first boundary contact 61 is to a considerable extent so as to be close to the second side edge 54 of the first unit under measurement 50A. Although inclined, the extending direction D2 of the second boundary contact 62 is also inclined to a considerable degree so as to be close to the first side edge 53 of the second unit under measurement 50B. However, the probe module 20 of the present invention is in point contact with the first boundary contact 61 by the first probe 30a on the far right of the first probe layer P1, and the second probe layer P2 is Since the second boundary contact 62 is in point contact with the second boundary contact 62 by the leftmost second probe 30b, and the first probe layer P1 and the second probe layer P2 are positioned at different heights, the first and second probes The external exposed portions 312 of the first and second probes 30a and 30b (defined as the first and second boundary probes 63 and 64) for point contact with the boundary contacts 61 and 62 are the first Even if the direction extending from the probe base 21 is aligned with the extension direction D2 of the first and second boundary contact points 61 and 62, the first and second boundary probes 63 and 64 have different heights. Interference can be avoided.

도 2를 통해 알 수 있듯이, 제1 및 제2 경계 프로브(63, 64)가 동일한 높이에 설치될 경우, 고정부(311) 또는 심지어 외부 노출부(312)는 모두 서로 너무 가까워지는 문제가 있게 될 것이고, 더 나아가 제1 및 제2 경계 접점(61, 62)에서의 경사각이 본 실시예에 의해 제공되는 것보다 더 큰 경우에, 제1 및 제2 경계 프로브(63, 64)의 외부 노출부(312)의 경사각이 제1 및 제2 경계 접점(61, 62)의 경사각에 대응되게 하기 위해, 제1 경계 프로브(63)의 고정부(311)를 더 우측으로 설치해야 하고, 제2 경계 프로브(64)의 고정부(311)를 더 좌측으로 설치해야 하며, 이 경우, 제1 및 제2 경계 프로브(63, 64)의 고정부(311) 또는 심지어 외부 노출부(312)는 모두 상호 간섭하는 문제가 있을 수 있고, 본 발명의 제1 및 제2 경계 프로브(63, 64)는 상이한 높이에 위치하므로 상술한 문제점을 피할 수 있다. 이로부터 알 수 있듯이, 상기 제1 피측정 유닛(50A)의 제1 측면 에지(53) 및 제2 피측정 유닛(50B)의 제2 측면 에지(54)도 다른 피측정 유닛과 인접할 경우(즉 나란히 배열된 4개의 피측정 유닛이 있음), 가장 왼쪽의 제1 프로브(30a) 및 가장 오른쪽의 제2 프로브(30b)도 상술한 효과를 발휘할 수 있다. As can be seen from FIG. 2, when the first and second boundary probes 63 and 64 are installed at the same height, there is a problem that the fixing part 311 or even the external exposed part 312 are all too close to each other. And furthermore, when the tilt angle at the first and second boundary contacts 61, 62 is larger than that provided by this embodiment, the external exposure of the first and second boundary probes 63, 64 In order for the inclination angle of the part 312 to correspond to the inclination angles of the first and second boundary contacts 61 and 62, the fixing part 311 of the first boundary probe 63 must be installed to the right, and the second The fixing part 311 of the boundary probe 64 should be installed further to the left, and in this case, the fixing part 311 or even the external exposed part 312 of the first and second boundary probes 63 and 64 are all There may be a problem of mutual interference, and since the first and second boundary probes 63 and 64 of the present invention are located at different heights, the above-described problem can be avoided. As can be seen from this, when the first side edge 53 of the first unit under measurement 50A and the second side edge 54 of the second unit under measurement 50B are also adjacent to other units under measurement ( That is, there are four units to be measured arranged side by side), the leftmost first probe 30a and the rightmost second probe 30b can also exhibit the above-described effects.

본 실시예에서, 제1 프로브(30a)는 모두 제2 프로브(30b)와 상이한 높이에 위치하므로, 제1 전도성 접점(55a)의 경사각의 크기에 상관없이, 제1 및 제2 프로브(30a, 30b)의 경사각은 모두 점 접촉하는 제1 전도성 접점(55a)의 경사각에 대응될 수 있어, 간섭 문제를 일으키지 않는다. 그러나, 본 발명의 프로브 모듈은 상기 복수의 제1 프로브(30a)가 모두 동일한 높이에 위치하도록 제한되지 않으며, 상기 복수의 제2 프로브(30b)도 모두 동일한 높이에 위치하도록 제한되지 않으며, 가장 오른쪽의 하나 이상의 제1 프로브(30a)와 가장 왼쪽의 하나 이상의 제2 프로브(30b)가 상이한 높이에 위치하기만 하면, 프로브의 간섭 문제를 피할 수 있다. 즉, 제1 프로브(30a)는 하나 이상의 제1 경계 프로브(63)를 포함할 수 있고, 제2 프로브(30b)는 하나 이상의 제2 경계 프로브(64)를 포함할 수 있으며, 제1 경계 프로브(63)와 제2 경계 프로브(64)가 상이한 높이(상이한 프로브층)에 위치하기만 하면 상호 간섭을 피할 수 있고, 나머지 제1 프로브(30a) 및 제2 프로브(30b)의 높이는 제한되지 않고, 예를 들어, 상기 복수의 제1 프로브(30a) 및 제2 프로브(30b)에서 제1 경계 프로브(63)만 높은 제1 프로브층(P1)에 위치하면 되고, 나머지 제1 프로브(30a) 및 제2 프로브(30b)는 모두 낮은 제2 프로브층(P2)에 위치할 수 있으며, 제1 및 제2 경계 프로브(63, 64)의 개수는 제1 및 제2 피측정 유닛(50A, 50B)의 인접한 측면 에지에 인접한 제1 전도성 접점(55a)의 경사각에 의해 결정된다. 구체적으로, 본 실시예의 제1 및 제2 피측정 유닛(50A, 50B)에 있어서, 각 피측정 유닛(50A, 50B)의 인접한 측면 에지와 가장 가까운 하나의 제1 전도성 접점(55a)은 대응하는 동일한 높이의 프로브를 너무 가까워지게 하는 문제가 있으므로, 제1 및 제2 경계 접점(61, 62)은 각각 하나만 있고, 제1 및 제2 경계 프로브(63, 64)는 대응하게 각각 하나만 있으며, 해당 2개의 프로브가 상이한 높이에 위치하기만 하면 프로브의 간섭 문제를 피할 수 있다. 피측정 유닛(50A, 50B)의 인접한 측면 에지에 인접한 제1 전도성 접점(55a)의 경사각이 더 큰 경우, 제1 및 제2 경계 접점(61, 62)(즉 동일한 높이의 프로브를 너무 가까워지게 하거나 간섭되게 할 수 있는 전도성 접점)의 개수를 더 많이 설정하고, 제1 및 제2 경계 프로브(63, 64)의 개수도 따라서 증가한다. In this embodiment, since the first probes 30a are all positioned at different heights from the second probes 30b, regardless of the size of the inclination angle of the first conductive contact 55a, the first and second probes 30a, All of the inclination angles of 30b) may correspond to the inclination angles of the first conductive contact 55a in point contact, so that an interference problem does not occur. However, the probe module of the present invention is not limited so that the plurality of first probes 30a are all positioned at the same height, and the plurality of second probes 30b are also not limited to be positioned at the same height. As long as the one or more first probes 30a and one or more second probes 30b on the left side are positioned at different heights, the interference problem of the probes can be avoided. That is, the first probe 30a may include one or more first boundary probes 63, the second probe 30b may include one or more second boundary probes 64, and the first boundary probe Mutual interference can be avoided as long as the 63 and the second boundary probe 64 are positioned at different heights (different probe layers), and the heights of the remaining first and second probes 30a and 30b are not limited. , For example, of the plurality of first probes 30a and second probes 30b, only the first boundary probe 63 may be positioned on the high first probe layer P1, and the remaining first probes 30a And the second probes 30b may all be located in the lower second probe layer P2, and the number of the first and second boundary probes 63 and 64 is the first and second units 50A and 50B. It is determined by the inclination angle of the first conductive contact 55a adjacent to the adjacent side edge of ). Specifically, in the first and second units under measurement 50A and 50B of the present embodiment, one first conductive contact 55a closest to the adjacent side edge of each unit under measurement 50A and 50B corresponds to Since there is a problem of bringing the probe of the same height too close, there is only one of the first and second boundary contacts 61 and 62, respectively, and there is only one of the first and second boundary probes 63 and 64 respectively. As long as the two probes are placed at different heights, the problem of probe interference can be avoided. When the inclination angle of the first conductive contact 55a adjacent to the adjacent side edge of the unit to be measured 50A, 50B is larger, the first and second boundary contacts 61 and 62 (i.e., make the probe of the same height too close) The number of conductive contacts (conductive contact points that can be used or interfered with) is set more, and the number of the first and second boundary probes 63 and 64 is also increased accordingly.

도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 제2 바람직한 실시예에 의해 제공되는 프로브 모듈(20’)은 어레이 방식으로 배열된 제1 내지 제4 피측정 유닛(50A~D)을 동시에 측정하고, 그 중, 도 8의 좌측 하단 및 우측 하단의 제1 및 제2 피측정 유닛(50A, 50B)에 대해, 상기 프로브 모듈(20’)은 제1 바람직한 실시예와 같은 프로브 모듈(20)의 프로브 배치를 사용하며, 도면을 단순화하기 위해, 도 8은 해당 부분의 프로브를 도시하지 않았다. 도 8의 좌측 상단 및 우측 상단의 제3 및 제4 피측정 유닛(50C, 50D)은, 상기 제3 피측정 유닛(50C)의 제1 메인 에지(51)가 상기 제1 피측정 유닛(50A)의 제2 메인 에지(52)와 인접하고, 상기 제4 피측정 유닛(50D)의 제1 메인 에지(51)가 상기 제2 피측정 유닛(50B)의 제2 메인 에지(52)와 인접하여, 제3 및 제4 피측정 유닛(50C, 50D)의 전도성 접점(55a~55d)이 모두 제1 및 제2 피측정 유닛(50A, 50B)의 제1 전도성 접점(55a)보다 제2 프로브 베이스(22)에 더 가까우므로, 제3 및 제4 피측정 유닛(50C, 50D)의 전도성 접점(55a~55d)은 모두 상기 제2 프로브 베이스(22)에 설치된 제3 프로브(30f~i)에 의해 점 접촉될 수 있다. 즉, 제2 프로브 베이스(22)에 4개 행의 제3 프로브(30f~i)를 추가로 설치할 수 있고, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 4개 행의 제3 프로브(30f~i)는 제1 및 제2 피측정 유닛(50A, 50B)과 점 접촉하는 제3 프로브(30c~30e)의 하부에 위치하고, 위에서 아래의 순서로 각각 제3 및 제4 피측정 유닛(50C, 50D)의 제1 전도성 접점(55a) 및 제2 전도성 접점(55b~55d)과 점 접촉하기 위한 제3 행 내지 제1 행(L3~L1)이다. 도면을 단순화하기 위해, 도 8에서 제3 및 제4 피측정 유닛(50C, 50D)의 제1 전도성 접점(55a)과 점 접촉하기 위한 제3 프로브(30f)만을 도시했다. 8 and 9, the probe module 20' provided by the second preferred embodiment of the present invention simultaneously measures the first to fourth units under measurement 50A to D arranged in an array manner, and Among them, for the first and second units 50A and 50B at the lower left and lower right of FIG. 8, the probe module 20 ′ is of the probe module 20 as in the first preferred embodiment. A probe arrangement is used, and in order to simplify the drawing, Fig. 8 does not show the probe of that part. In the third and fourth units 50C and 50D at the upper left and upper right of FIG. 8, the first main edge 51 of the third unit 50C is the first unit 50A. ) Adjacent to the second main edge 52, and the first main edge 51 of the fourth unit under measurement 50D is adjacent to the second main edge 52 of the second unit under measurement 50B Thus, the conductive contacts 55a to 55d of the third and fourth units under measurement 50C and 50D are all the second probes than the first conductive contacts 55a of the first and second units 50A and 50B. Since it is closer to the base 22, the conductive contacts 55a to 55d of the third and fourth units under measurement 50C and 50D are all third probes 30f to i installed on the second probe base 22. Can be point-contacted by That is, four rows of third probes 30f to i may be additionally installed on the second probe base 22, and as shown in FIG. 9, the four rows of third probes 30f to i Is located below the third probes 30c to 30e in point contact with the first and second units to be measured 50A and 50B, and the third and fourth units to be measured 50C and 50D, respectively, in the order of top to bottom. These are the third to first rows L3 to L1 for point contact with the first conductive contact 55a and the second conductive contact 55b to 55d. In order to simplify the drawing, only the third probe 30f for point contact with the first conductive contact 55a of the third and fourth units under measurement 50C and 50D is illustrated in FIG. 8.

마지막으로 설명해야 할 것은, 본 발명의 상술한 실시예에 개시된 구성 소자는, 예를 들어 설명하기 위한 것일 뿐, 본 출원의 범위를 한정하는 것이 아니며, 기타 등가 소자의 대체 또는 변화도 본 출원의 청구범위에 속한다.Lastly, it should be described that the constituent elements disclosed in the above-described embodiments of the present invention are for illustrative purposes only, and are not intended to limit the scope of the present application, and replacement or change of other equivalent elements is also applicable to the present application. It belongs to the claims.

10: 피측정 유닛 11: 제1 전도성 접점
111: 긴 변 12: 제2 전도성 접점
121: 긴 변 13: 기판
131: 제1 긴 변 132: 제2 긴 변
14: 중간 영역 15, 16: 외부 영역
17: 프로브 171: 캔틸레버
18: 프로브 베이스 L: 가상 경계 축선
θ1, θ2: 각도
20, 20': 프로브 모듈 21: 제1 프로브 베이스
211: 내측면 212: 외측면
22: 제2 프로브 베이스 221: 내측면
222: 외측면
30a: 제1 프로브 30b: 제2 프로브
30c~30e: 제3 프로브
31: 켄틸레버 부분 311: 고정부
311a: 내측 구간 311b: 외측 구간
312: 외부 노출부 32: 점 접촉 부분
40: 회로판 41: 저면
50A~50D: 제1 내지 제4 피측정 유닛 51: 제1 메인 에지
52: 제2 메인 에지 53: 제1 측면 에지
54: 제2 측면 에지 55a: 제1 전도성 접점
55b~55d: 제2 전도성 접점
551: 제1 단부 552: 제2 단부
56: 상부 표면 57: 중간 영역
58: 좌측 영역 59: 우측 영역
61: 제1 경계 접점 62: 제2 경계 접점
63: 제1 경계 프로브 64: 제2 경계 프로브
A1: 가상 경계 축선 A2: 수평 가상 축선
D1: 점 접촉 방향 D2: 연장방향
d: 수직 거리
L1~L3: 제1~제3 행 L4: 가상 경계 축선
L5 제1 가상 경계선 L6: 제2 가상 경계선
P1~P5: 제1~제5 프로브층
10: unit to be measured 11: first conductive contact
111: long side 12: second conductive contact
121: long side 13: substrate
131: first long side 132: second long side
14: middle area 15, 16: outer area
17: probe 171: cantilever
18: probe base L: virtual boundary axis
θ1, θ2: angle
20, 20': probe module 21: first probe base
211: inner side 212: outer side
22: second probe base 221: inner surface
222: outer surface
30a: first probe 30b: second probe
30c~30e: 3rd probe
31: cantilever part 311: fixing part
311a: inner section 311b: outer section
312: external exposed portion 32: point contact portion
40: circuit board 41: bottom
50A-50D: first to fourth units to be measured 51: first main edge
52: second main edge 53: first side edge
54: second side edge 55a: first conductive contact
55b~55d: second conductive contact
551: first end 552: second end
56: upper surface 57: middle area
58: left area 59: right area
61: first boundary contact 62: second boundary contact
63: first boundary probe 64: second boundary probe
A1: Virtual boundary axis A2: Horizontal virtual axis
D1: Point contact direction D2: Extension direction
d: vertical distance
L1 to L3: Rows 1 to 3 L4: Virtual boundary axis
L5 first virtual boundary line L6: second virtual boundary line
P1 to P5: first to fifth probe layers

Claims (22)

경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈에 있어서,
복수의 피측정 유닛을 동시에 검출하기 위한 것으로, 각 상기 피측정 유닛은, 제1 메인 에지, 제2 메인 에지, 상기 제1 메인 에지 및 상기 제2 메인 에지를 연결하는 제1 측면 에지 및 제2 측면 에지, 및 복수의 전도성 접점을 구비하고, 상기 복수의 피측정 유닛은 제1 피측정 유닛 및 제2 피측정 유닛을 포함하고, 상기 제1 피측정 유닛의 제2 측면 에지는 상기 제2 피측정 유닛의 제1 측면 에지와 서로 인접하고, 상기 제1 피측정 유닛의 전도성 접점은, 상기 제1 피측정 유닛의 제1 메인 에지 및 제2 측면 에지에 인접하는 제1 경계 접점을 포함하고, 상기 제2 피측정 유닛의 전도성 접점은 상기 제2 피측정 유닛의 제1 메인 에지 및 제1 측면 에지에 인접하는 제2 경계 접점을 포함하고,
상기 프로브 모듈은,
하나 이상의 프로브 베이스; 및
켄틸레버 부분 및 점 접촉 부분을 포함하고, 상기 켄틸레버 부분은 상기 프로브 베이스에 고정 결합되는 고정부 및 상기 고정부에 연결되며 상기 프로브 베이스의 내측면으로부터 연장되는 외부 노출부를 구비하고, 상기 점 접촉 부분은 상기 외부 노출부에 연결되는, 복수의 프로브;를 포함하고,
상기 하나 이상의 프로브 베이스는 제1 프로브 베이스를 포함하고, 상기 복수의 프로브는 상기 제1 프로브 베이스에 설치되며 상이한 높이에 위치하는 제1 경계 프로브 및 제2 경계 프로브를 포함하고, 상기 프로브 모듈이 상기 복수의 피측정 유닛을 검출 시, 각 상기 피측정 유닛의 제1 메인 에지는 제2 메인 에지 보다 상기 제1 프로브 베이스에 더 가깝고, 상기 제1 경계 프로브 및 상기 제2 경계 프로브는 켄틸레버 부분이 상기 제1 피측정 유닛 및 상기 제2 피측정 유닛의 제1 메인 에지의 상부를 각각 지나 상기 제1 경계 접점 및 상기 제2 경계 접점 상부로 각각 연장되어, 점 접촉 부분으로 상기 제1 경계 접점 및 상기 제2 경계 접점과 각각 점 접촉하는,
경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
In the probe module applied to a plurality of units to be measured having an inclined conductive contact,
For simultaneously detecting a plurality of units to be measured, each of the units to be measured includes a first main edge, a second main edge, a first side edge connecting the first main edge and the second main edge, and a second A side edge and a plurality of conductive contacts are provided, the plurality of units to be measured include a first unit to be measured and a second unit to be measured, and a second side edge of the first unit to be measured is the second target unit. A first side edge of the measurement unit and a first boundary contact adjacent to each other, and the conductive contact of the first unit under measurement includes a first boundary contact adjacent to a first main edge and a second side edge of the first unit under measurement, The conductive contact point of the second unit under measurement includes a second boundary contact point adjacent to the first main edge and the first side edge of the second unit under measurement,
The probe module,
One or more probe bases; And
Including a cantilever portion and a point contact portion, the cantilever portion has a fixing portion fixedly coupled to the probe base and an external exposed portion connected to the fixing portion and extending from an inner surface of the probe base, and the point contact The portion includes a plurality of probes connected to the external exposure unit,
The at least one probe base includes a first probe base, and the plurality of probes are installed on the first probe base and include a first boundary probe and a second boundary probe positioned at different heights, and the probe module includes the When detecting a plurality of units to be measured, a first main edge of each unit to be measured is closer to the first probe base than to a second main edge, and the first boundary probe and the second boundary probe have a cantilever portion. Each of the first boundary contact points and the second boundary contact points extend through upper portions of the first main edges of the first unit under measurement and the second unit under measurement, respectively, as a point contact portion, and the first boundary contact point and Each point contact with the second boundary contact,
A probe module applied to a plurality of units to be measured having inclined conductive contacts.
제1항에 있어서,
각 상기 피측정 유닛의 전도성 접점은 해당 피측정 유닛의 제1 메인 에지를 따라 하나의 행으로 배열된 복수의 제1 전도성 접점을 포함하고, 상기 제1 피측정 유닛의 제1 전도성 접점은 상기 제1 경계 접점을 포함하고, 상기 제2 피측정 유닛의 제1 전도성 접점은 상기 제2 경계 접점을 포함하고, 상기 복수의 프로브는 상기 제1 프로브 베이스에 설치된 복수의 제1 프로브 및 복수의 제2 프로브를 포함하고, 상기 복수의 제1 프로브는 상기 제1 프로브 베이스에서 제1 프로브층을 형성하고, 상기 복수의 제2 프로브는 상기 제1 프로브 베이스에서 상기 제1 프로브층과 높이가 상이한 제2 프로브층을 형성하고, 상기 복수의 제1 프로브는 상기 제1 경계 프로브를 포함하고, 상기 복수의 제2 프로브는 상기 제2 경계 프로브를 포함하고, 상기 프로브 모듈이 상기 복수의 피측정 유닛을 검출 시, 상기 복수의 제1 프로브는 점 접촉 부분으로 상기 제1 피측정 유닛의 제1 전도성 접점과 각각 점 접촉하고, 상기 복수의 제2 프로브는 점 접촉 부분으로 상기 제2 피측정 유닛의 제1 전도성 접점과 각각 점 접촉하는, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 1,
The conductive contact points of each unit to be measured include a plurality of first conductive contacts arranged in a row along a first main edge of the unit to be measured, and the first conductive contact point of the first unit to be measured is 1 boundary contact point, the first conductive contact point of the second unit under measurement includes the second boundary contact point, and the plurality of probes includes a plurality of first probes and a plurality of second probes installed on the first probe base. A second probe comprising a probe, wherein the plurality of first probes form a first probe layer in the first probe base, and the plurality of second probes have a height different from that of the first probe layer in the first probe base. A probe layer is formed, wherein the plurality of first probes include the first boundary probe, the plurality of second probes include the second boundary probe, and the probe module detects the plurality of units under measurement. When the plurality of first probes are point contact portions, each of the first conductive contact points of the first unit to be measured are in point contact, and the plurality of second probes are point contact portions and the first of the second unit to be measured. A probe module applied to a plurality of units to be measured having an inclined conductive contact point contacting each conductive contact point.
제1항에 있어서,
각 상기 피측정 유닛의 전도성 접점은 해당 피측정 유닛의 제1 메인 에지를 따라 하나의 행으로 배열된 복수의 제1 전도성 접점을 포함하고, 상기 제1 피측정 유닛의 제1 전도성 접점은 상기 제1 경계 접점을 포함하고, 상기 제2 피측정 유닛의 제1 전도성 접점은 상기 제2 경계 접점을 포함하고, 상기 복수의 프로브는 상기 제1 프로브 베이스에 설치된 복수의 제1 프로브 및 복수의 제2 프로브를 포함하고, 상기 복수의 제1 프로브는 상기 제1 경계 프로브를 포함하고, 상기 복수의 제2 프로브는 상기 제2 경계 프로브를 포함하고, 상기 프로브 모듈이 상기 복수의 피측정 유닛을 검출 시, 상기 복수의 제1 프로브는 점 접촉 부분으로 상기 제1 피측정 유닛의 제1 전도성 접점과 각각 점 접촉하고, 상기 복수의 제2 프로브는 점 접촉 부분으로 상기 제2 피측정 유닛의 제1 전도성 접점과 각각 점 접촉하고, 상기 복수의 제1 프로브 및 제2 프로브는 상기 제1 프로브 베이스 상에 높이가 상이한 복수의 프로브층을 형성하고, 상기 제1 경계 프로브와 상기 제2 경계 프로브는 상이한 프로브층에 위치하는, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 1,
The conductive contact points of each unit to be measured include a plurality of first conductive contacts arranged in a row along a first main edge of the unit to be measured, and the first conductive contact point of the first unit to be measured is 1 boundary contact point, the first conductive contact point of the second unit under measurement includes the second boundary contact point, and the plurality of probes includes a plurality of first probes and a plurality of second probes installed on the first probe base. A probe, the plurality of first probes including the first boundary probe, the plurality of second probes including the second boundary probe, and when the probe module detects the plurality of units under measurement , The plurality of first probes are point contact portions, each of which is in point contact with the first conductive contact points of the first unit under measurement, and the plurality of second probes are point contact portions, and the first conductivity of the second unit under measurement Each point contact with a contact point, the plurality of first probes and the second probe form a plurality of probe layers having different heights on the first probe base, and the first boundary probe and the second boundary probe are different probes A probe module disposed on a layer and applied to a plurality of units under measurement having an inclined conductive contact.
제3항에 있어서,
상기 제1 프로브 베이스의 프로브층은 제1 프로브층 및 상기 제1 프로브층보다 낮은 제2 프로브층을 포함하고, 상기 제1 경계 프로브 및 상기 제2 경계 프로브 중 하나는 상기 제1 프로브층에 위치하고, 나머지 제1 프로브 및 제2 프로브는 상기 제2 프로브층에 위치하는, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 3,
The probe layer of the first probe base includes a first probe layer and a second probe layer lower than the first probe layer, and one of the first boundary probe and the second boundary probe is located on the first probe layer. And a probe module applied to a plurality of units to be measured having an inclined conductive contact, wherein the remaining first probes and the second probes are positioned on the second probe layer.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 제1 프로브에 대해 상기 제1 프로브 베이스의 내측면에 수직인 제1 가상 경계선을 정의할 수 있고, 상기 복수의 제1 프로브의 외부 노출부가 상기 내측면으로부터 연장되는 방향은 상기 제1 가상 경계선에 평행하거나 또는 상기 제1 가상 경계선에 대해 상기 제1 가상 경계선에 가까워지도록 경사지고, 상기 복수의 제2 프로브에 대해 상기 제1 프로브 베이스의 내측면에 수직인 제2 가상 경계선을 정의할 수 있고, 상기 복수의 제2 프로브의 외부 노출부가 상기 내측면으로부터 연장되는 방향은 상기 제2 가상 경계선에 평행하거나 또는 상기 제2 가상 경계선에 대해 상기 제2 가상 경계선에 가까워지도록 경사진, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method according to any one of claims 2 to 4,
A first virtual boundary line perpendicular to the inner surface of the first probe base may be defined for the plurality of first probes, and the direction in which the external exposed portions of the plurality of first probes extend from the inner surface is the first To define a second virtual boundary line that is parallel to the virtual boundary line or is inclined to be close to the first virtual boundary line with respect to the first virtual boundary line, and is perpendicular to the inner surface of the first probe base for the plurality of second probes. And a direction in which the external exposed portions of the plurality of second probes extend from the inner surface is parallel to the second virtual boundary line or inclined to approach the second virtual boundary line with respect to the second virtual boundary line. A probe module applied to a plurality of units to be measured having conductive contacts.
제1항에 있어서,
각 상기 피측정 유닛의 전도성 접점은 해당 피측정 유닛의 제2 메인 에지에 인접한 복수의 제2 전도성 접점을 포함하고, 상기 프로브 모듈의 하나 이상의 프로브 베이스는 제2 프로브 베이스를 더 포함하고, 상기 프로브 모듈의 프로브는 상기 제2 프로브 베이스 상에 설치된 복수의 제3 프로브를 포함하고, 상기 프로브 모듈이 상기 복수의 피측정 유닛을 검출 시, 각 상기 피측정 유닛의 제2 메인 에지는 제1 메인 에지보다 상기 제2 프로브 베이스에 더 가깝고, 제3 프로브 중 적어도 일부는 켄틸레버 부분이 상기 복수의 피측정 유닛의 제2 메인 에지의 상부를 지나 상기 복수의 제2 전도성 접점의 상부로 연장되어, 점 접촉 부분으로 상기 복수의 제2 전도성 접점과 점 접촉하는, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 1,
The conductive contact points of each unit to be measured include a plurality of second conductive contacts adjacent to a second main edge of the unit to be measured, and at least one probe base of the probe module further includes a second probe base, and the probe The probe of the module includes a plurality of third probes installed on the second probe base, and when the probe module detects the plurality of units to be measured, the second main edge of each of the units to be measured is a first main edge. It is closer to the second probe base, and in at least some of the third probes, a cantilever portion extends above the second main edges of the plurality of units to be measured and extends to the top of the plurality of second conductive contacts. A probe module applied to a plurality of units to be measured having an inclined conductive contact point in point contact with the plurality of second conductive contacts as a contact portion.
제6항에 있어서,
각 상기 피측정 유닛의 제2 전도성 접점은 수평 가상 축선에 실질적으로 평행하도록 복수의 행으로 배열되고, 순서는 상기 제2 메인 에지로부터 상기 제1 메인 에지를 향하는 방향으로 배열되고, 상기 복수의 제3 프로브는 상기 복수의 제2 전도성 접점에 실질적으로 대응하는 배열 방식으로 높이가 상이한 복수의 프로브층을 형성하고, 순서는 아래에서 위로 제2 전도성 접점의 상기 복수의 행에 대응하는 순서인, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 6,
The second conductive contacts of each unit under measurement are arranged in a plurality of rows so as to be substantially parallel to a horizontal virtual axis, and the order is arranged in a direction from the second main edge toward the first main edge, and the plurality of second conductive contacts 3 The probes form a plurality of probe layers having different heights in an arrangement manner substantially corresponding to the plurality of second conductive contacts, and the order is the order corresponding to the plurality of rows of second conductive contacts from bottom to top. A probe module applied to a plurality of units under measurement having a photo conductive contact.
제6항에 있어서,
상기 복수의 피측정 유닛은 제3 피측정 유닛 및 제4 피측정 유닛을 더 포함하고, 상기 제3 피측정 유닛의 제1 메인 에지는 상기 제1 피측정 유닛의 제2 메인 에지와 인접하고, 상기 제4 피측정 유닛의 제1 메인 에지는 상기 제2 피측정 유닛의 제2 메인 에지와 인접하고, 상기 프로브 모듈이 상기 복수의 피측정 유닛을 검출 시, 제3 프로브 중 일부는 점 접촉 부분으로 상기 제3 피측정 유닛 및 제4 피측정 유닛의 모든 전도성 접점과 점 접촉하는, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 6,
The plurality of units under measurement further includes a third unit under measurement and a fourth unit under measurement, and a first main edge of the third unit under measurement is adjacent to a second main edge of the first unit under measurement, The first main edge of the fourth unit under measurement is adjacent to the second main edge of the second unit under measurement, and when the probe module detects the plurality of units under measurement, some of the third probes As a probe module applied to a plurality of units to be measured having an inclined conductive contact point contacting all conductive contacts of the third unit to be measured and the fourth unit to be measured.
제6항에 있어서,
상기 복수의 제3 프로브는 높이가 상이한 복수의 프로브층을 형성하고, 위치가 더 높은 프로브층의 제3 프로브가 상기 제2 프로브 베이스로부터 더 먼 전도성 접점과 점 접촉하고, 위치가 더 높은 프로브층의 제3 프로브의 켄틸레버 부분이 더 긴, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 6,
The plurality of third probes form a plurality of probe layers having different heights, and a third probe of a probe layer having a higher position is in point contact with a conductive contact point further from the second probe base, and a probe layer having a higher position A probe module in which the cantilever portion of the third probe of is applied to a plurality of units to be measured having a longer, inclined conductive contact.
제6항에 있어서,
상기 제2 프로브 베이스에 대해 내측면에 수직인 가상 경계 축선, 제1 가상 경계선 및 제2 가상 경계선을 정의할 수 있고, 상기 제1 가상 경계선 및 상기 제2 가상 경계선은 상기 가상 경계 축선의 제1 측 및 제2 측에 각각 위치하고, 상기 가상 경계 축선의 제1 측에 위치한 프로브의 외부 노출부가 상기 내측면으로부터 연장되는 방향은 상기 제1 가상 경계선에 평행하거나 또는 상기 제1 가상 경계선에 대해 상기 제1 가상 경계선으로부터 멀어지도록 경사지고, 상기 가상 경계 축선의 제2 측에 위치한 프로브의 외부 노출부가 상기 내측면으로부터 연장되는 방향은 상기 제2 가상 경계선에 평행하거나 또는 상기 제2 가상 경계선에 대해 상기 제2 가상 경계선으로부터 멀어지도록 경사진, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 6,
A virtual boundary axis perpendicular to an inner surface of the second probe base, a first virtual boundary line, and a second virtual boundary line may be defined, and the first virtual boundary line and the second virtual boundary line are a first of the virtual boundary axis. The outer exposed portion of the probe located on the side and the second side, respectively, located on the first side of the virtual boundary axis extends from the inner surface is parallel to the first virtual boundary line or the first virtual boundary line is 1 The direction in which the external exposed portion of the probe located on the second side of the virtual boundary axis extends from the inner surface is parallel to the second virtual boundary line or the second virtual boundary line is inclined to be away from the virtual boundary line. 2 A probe module applied to a plurality of units to be measured having conductive contacts inclined and inclined away from the virtual boundary line.
제1항에 있어서,
각 상기 프로브의 고정부와 외부 노출부는 실질적으로 직선을 이루는, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 1,
A probe module applied to a plurality of units to be measured having an inclined conductive contact, the fixed portion and the external exposed portion of each of the probes forming a substantially straight line.
제1항에 있어서,
각 상기 프로브의 고정부는 내측 구간 및 외측 구간을 포함하고, 각 상기 프로브의 고정부의 내측 구간은 외부 노출부와 연결되고 또한 외부 노출부와 실질적으로 직선을 이루고, 상기 복수의 프로브의 고정부의 외측 구간은 실질적으로 서로 평행하는, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 1,
The fixing part of each probe includes an inner section and an outside section, and the inner section of the fixing part of each probe is connected to the external exposed part and is substantially straight with the external exposed part, and the fixing part of the plurality of probes The outer section is substantially parallel to each other, a probe module applied to a plurality of units to be measured having inclined conductive contacts.
하나 이상의 프로브 베이스; 및
켄틸레버 부분 및 점 접촉 부분을 포함하고, 상기 켄틸레버 부분은 상기 프로브 베이스에 고정 결합되는 고정부 및 상기 고정부에 연결되며 상기 프로브 베이스의 내측면으로부터 연장되는 외부 노출부를 구비하고, 상기 점 접촉 부분은 상기 외부 노출부에 연결되는 복수의 프로브;
를 포함하고,
상기 하나 이상의 프로브 베이스는 제1 프로브 베이스를 포함하고, 상기 복수의 프로브는 상기 제1 프로브 베이스에 설치되며 상이한 높이에 위치하는 제1 경계 프로브 및 제2 경계 프로브를 포함하고, 상기 제1 경계 프로브 및 상기 제2 경계 프로브의 점 접촉 부분의 끝단과 상기 제1 프로브 베이스의 내측면의 수직 거리는 실질적으로 동일한,
경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
One or more probe bases; And
Including a cantilever portion and a point contact portion, the cantilever portion has a fixing portion fixedly coupled to the probe base and an external exposed portion connected to the fixing portion and extending from an inner surface of the probe base, and the point contact A plurality of probes connected to the external exposed portion;
Including,
The one or more probe bases include a first probe base, and the plurality of probes are installed on the first probe base and include a first boundary probe and a second boundary probe positioned at different heights, and the first boundary probe And a vertical distance between an end of the point contact portion of the second boundary probe and an inner surface of the first probe base is substantially the same.
A probe module applied to a plurality of units to be measured having inclined conductive contacts.
제13항에 있어서,
상기 제1 경계 프로브의 외부 노출부 및 상기 제2 경계 프로브의 외부 노출부는 상기 제1 프로브 베이스의 내측면에 비수직으로 경사지고 경사 방향은 실질적으로 서로 대칭인, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 13,
The external exposed portion of the first boundary probe and the external exposed portion of the second boundary probe are inclined non-vertically to the inner surface of the first probe base, and the inclined directions are substantially symmetrical, having a plurality of inclined conductive contacts. Probe module applied to the unit under measurement.
제13항에 있어서,
상기 복수의 프로브는 상기 제1 프로브 베이스 상에 설치된 복수의 제1 프로브 및 복수의 제2 프로브를 포함하고, 상기 복수의 제1 프로브는 상기 제1 프로브 베이스 상에 제1 프로브층을 형성하고, 상기 복수의 제2 프로브는 상기 제1 프로브 베이스 상에 상기 제1 프로브층과 상이한 높이의 제2 프로브층을 형성하고, 상기 복수의 제1 프로브는 상기 제1 경계 프로브를 포함하고, 상기 복수의 제2 프로브는 상기 제2 경계 프로브를 포함하고, 상기 복수의 제1 프로브 및 제2 프로브의 점 접촉 부분의 끝단과 상기 제1 프로브 베이스의 내측면의 수직 거리는 실질적으로 동일한, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 13,
The plurality of probes includes a plurality of first probes and a plurality of second probes installed on the first probe base, and the plurality of first probes form a first probe layer on the first probe base, The plurality of second probes form a second probe layer having a height different from that of the first probe layer on the first probe base, and the plurality of first probes include the first boundary probe, and the plurality of The second probe includes the second boundary probe, and a vertical distance between the end of the point contact portions of the plurality of first probes and the second probe and the inner surface of the first probe base is substantially the same. A probe module applied to a plurality of units under measurement.
제13항에 있어서,
상기 복수의 프로브는 상기 제1 프로브 베이스에 설치된 복수의 제1 프로브 및 복수의 제2 프로브를 포함하고, 상기 복수의 제1 프로브 및 제2 프로브의 점 접촉 부분의 끝단과 상기 제1 프로브 베이스의 내측면의 수직 거리는 실질적으로 동일하고, 상기 복수의 제1 프로브는 상기 제1 경계 프로브를 포함하고, 상기 복수의 제2 프로브는 상기 제2 경계 프로브를 포함하고, 상기 복수의 제1 프로브 및 제2 프로브는 상기 제1 프로브 베이스 상에 높이가 상이한 복수의 프로브층을 형성하고, 상기 제1 경계 프로브와 상기 제2 경계 프로브는 상이한 프로브층에 위치하는, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 13,
The plurality of probes includes a plurality of first probes and a plurality of second probes installed on the first probe base, and ends of the point contact portions of the plurality of first and second probes and the first probe base The vertical distance of the inner surface is substantially the same, the plurality of first probes include the first boundary probe, the plurality of second probes include the second boundary probe, and the plurality of first probes and the second boundary probe 2 The probe has a plurality of probe layers having different heights on the first probe base, and the first boundary probe and the second boundary probe are located on different probe layers, and have a plurality of inclined conductive contacts. Probe module applied to the unit.
제16항에 있어서,
상기 제1 프로브 베이스의 프로브층은 제1 프로브층 및 상기 제1 프로브층보다 낮은 제2 프로브층을 포함하고, 상기 제1 경계 프로브 및 상기 제2 경계 프로브 중 하나는 상기 제1 프로브층에 위치하고, 나머지 제1 프로브 및 제2 프로브는 상기 제2 프로브층에 위치하는, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 16,
The probe layer of the first probe base includes a first probe layer and a second probe layer lower than the first probe layer, and one of the first boundary probe and the second boundary probe is located on the first probe layer. And a probe module applied to a plurality of units to be measured having an inclined conductive contact, wherein the remaining first probes and the second probes are positioned on the second probe layer.
제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 제1 프로브에 대해 상기 제1 프로브 베이스의 내측면에 수직인 제1 가상 경계선을 정의할 수 있고, 상기 복수의 제1 프로브의 외부 노출부가 상기 내측면으로부터 연장되는 방향은 상기 제1 가상 경계선에 평행하거나 또는 상기 제1 가상 경계선에 대해 상기 제1 가상 경계선에 가까워지도록 경사지고, 상기 복수의 제2 프로브에 대해 상기 제1 프로브 베이스의 내측면에 수직인 제2 가상 경계선을 정의할 수 있고, 상기 복수의 제2 프로브의 외부 노출부가 상기 내측면으로부터 연장되는 방향은 상기 제2 가상 경계선에 평행하거나 또는 상기 제2 가상 경계선에 대해 상기 제2 가상 경계선에 가까워지도록 경사진, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method according to any one of claims 15 to 17,
A first virtual boundary line perpendicular to the inner surface of the first probe base may be defined for the plurality of first probes, and the direction in which the external exposed portions of the plurality of first probes extend from the inner surface is the first To define a second virtual boundary line that is parallel to the virtual boundary line or is inclined to be close to the first virtual boundary line with respect to the first virtual boundary line, and is perpendicular to the inner surface of the first probe base for the plurality of second probes. And a direction in which the external exposed portions of the plurality of second probes extend from the inner surface is parallel to the second virtual boundary line or inclined to approach the second virtual boundary line with respect to the second virtual boundary line. A probe module applied to a plurality of units to be measured having conductive contacts.
제13항에 있어서,
상기 프로브 모듈의 하나 이상의 프로브 베이스는 제2 프로브 베이스를 더 포함하고, 상기 프로브 모듈의 프로브는 상기 제2 프로브 베이스 상에 설치된 복수의 제3 프로브를 포함하고, 상기 복수의 제3 프로브는 상기 제2 프로브 베이스 상에 높이가 상이한 복수의 프로브층을 형성하고, 위치가 더 높은 프로브층의 제3 프로브의 켄틸레버 부분의 외부 노출부가 더 긴, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 13,
At least one probe base of the probe module further includes a second probe base, the probe of the probe module includes a plurality of third probes installed on the second probe base, and the plurality of third probes comprises the second probe base. 2 A plurality of probe layers having different heights are formed on the probe base, and the external exposed portion of the cantilever portion of the third probe of the probe layer having a higher position is applied to a plurality of units to be measured having a longer, inclined conductive contact. Probe module.
제19항에 있어서,
상기 제2 프로브 베이스에 대해 내측면에 수직인 가상 경계 축선, 제1 가상 경계선 및 제2 가상 경계선을 정의할 수 있고, 상기 제1 가상 경계선 및 상기 제2 가상 경계선은 상기 가상 경계 축선의 제1 측 및 제2 측에 각각 위치하고, 상기 가상 경계 축선의 제1 측에 위치한 프로브의 외부 노출부가 상기 내측면으로부터 연장되는 방향은 상기 제1 가상 경계선에 평행하거나 또는 상기 제1 가상 경계선에 대해 상기 제1 가상 경계선으로부터 멀어지도록 경사지고, 상기 가상 경계 축선의 제2 측에 위치한 프로브의 외부 노출부가 상기 내측면으로부터 연장되는 방향은 상기 제2 가상 경계선에 평행하거나 또는 상기 제2 가상 경계선에 대해 상기 제2 가상 경계선으로부터 멀어지도록 경사진, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 19,
A virtual boundary axis perpendicular to an inner surface of the second probe base, a first virtual boundary line, and a second virtual boundary line may be defined, and the first virtual boundary line and the second virtual boundary line are a first of the virtual boundary axis. The outer exposed portion of the probe located on the side and the second side, respectively, located on the first side of the virtual boundary axis extends from the inner surface is parallel to the first virtual boundary line or the first virtual boundary line is 1 The direction in which the external exposed portion of the probe located on the second side of the virtual boundary axis extends from the inner surface is parallel to the second virtual boundary line or the second virtual boundary line is inclined to be away from the virtual boundary line. 2 A probe module applied to a plurality of units to be measured having conductive contacts inclined and inclined away from the virtual boundary line.
제13항에 있어서,
각 상기 프로브의 고정부와 외부 노출부는 실질적으로 직선을 이루는, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 13,
A probe module applied to a plurality of units to be measured having an inclined conductive contact, the fixed portion and the external exposed portion of each of the probes forming a substantially straight line.
제13항에 있어서,
각 상기 프로브의 고정부는 내측 구간 및 외측 구간을 포함하고, 각 상기 프로브의 고정부의 내측 구간은 외부 노출부와 연결되고 또한 외부 노출부와 실질적으로 직선을 이루고, 상기 복수의 프로브의 고정부의 외측 구간은 실질적으로 서로 평행인, 경사진 전도성 접점을 갖는 복수의 피측정 유닛에 적용되는 프로브 모듈.
The method of claim 13,
The fixing part of each probe includes an inner section and an outside section, and the inner section of the fixing part of each probe is connected to the external exposed part and is substantially straight with the external exposed part, and the fixing part of the plurality of probes The outer section is substantially parallel to each other, a probe module applied to a plurality of units to be measured having inclined conductive contacts.
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