KR20200140194A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20200140194A
KR20200140194A KR1020200066201A KR20200066201A KR20200140194A KR 20200140194 A KR20200140194 A KR 20200140194A KR 1020200066201 A KR1020200066201 A KR 1020200066201A KR 20200066201 A KR20200066201 A KR 20200066201A KR 20200140194 A KR20200140194 A KR 20200140194A
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KR
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gas
exhaust
processing apparatus
substrate
substrate processing
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KR1020200066201A
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요시후미 아마노
가즈히로 아이우라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 회전부와, 상기 기판 회전부의 외주를 둘러싸도록 마련되고, 기체와 액적을 분리하는 기액 분리부와, 상기 기액 분리부의 외주를 둘러싸도록 마련되고, 상기 기액 분리부에서 분리된 기체를 배기하는 배기로를 구비하는, 기판 처리 장치.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
개시된 실시 형태는, 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 호칭함) 등의 기판의 주연부를 처리액으로 에칭하는 기술이 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제2009-295803호 공보
본 개시는, 기판의 주연부를 고정밀도로 에칭할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 회전부와, 상기 기판 회전부의 외주를 둘러싸도록 마련되고, 기체와 액적을 분리하는 기액 분리부와, 상기 기액 분리부의 외주를 둘러싸도록 마련되고, 상기 기액 분리부에서 분리된 기체를 배기하는 배기로를 구비한다.
본 개시에 의하면, 기판의 주연부를 고정밀도로 에칭할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 관한 회수부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 관한 회수부에 있어서의 전체 압력의 평가 개소를 나타내는 도면이다.
도 5는 제1 실시 형태에 관한 회수부에 있어서의 전체 압력의 추이를 나타내는 도면이다.
도 6은 제1 실시 형태의 변형예 1에 관한 회수부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 7은 제1 실시 형태의 변형예 2에 관한 회수부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 8은 제2 실시 형태에 관한 회수부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 9는 제2 실시 형태에 관한 회수부에 있어서의 전체 압력의 추이를 나타내는 도면이다.
도 10은 제2 실시 형태에 관한 회수부에 있어서의 전체 압력의 추이를 나타내는 도면이다.
도 11은 제3 실시 형태에 관한 회수부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 12는, 제1 실시 형태에 관한 배기 덕트의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 13은, 제1 실시 형태에 관한 배기 덕트의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 14는, 제1 실시 형태의 변형예 3에 관한 배기 덕트의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 15는, 제1 실시 형태의 변형예 3에 관한 배기 덕트의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 16은, 제1 실시 형태의 변형예 4에 관한 배기 덕트의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 17은, 제1 실시 형태의 변형예 4에 관한 배기 덕트의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 18은, 제1 실시 형태의 변형예 5에 관한 배기 덕트의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 19는, 제1 실시 형태의 변형예 5에 관한 배기 덕트의 구성을 도시하는 사시도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치의 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 각 실시 형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 도면은 모식적인 것이며, 각 요소의 치수 관계, 각 요소의 비율 등은, 현실과 다른 경우가 있음에 유의할 필요가 있다. 또한, 도면의 상호간에 있어서도, 서로의 치수 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 경우가 있다.
또한, 이하의 각 실시 형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 이하 참조하는 각 도면에서는, 설명을 이해하기 쉽게 하기 위해, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 나타내는 경우가 있다. 또한, 연직축을 회전 중심으로 하는 회전 방향을 θ 방향이라고 칭하는 경우가 있다.
종래, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 호칭함) 등의 기판의 주연부를 처리액으로 에칭하는 기술이 알려져 있다. 이러한 주연부의 에칭 처리에서는, 기판을 고속으로 회전시킴으로써, 기판 표면의 내측으로부터 외측으로 흐르는 선회류를 빠르게 할 수 있는 점에서, 에칭액의 액적이 주연부보다 내측으로 비산되는 것을 억제할 수 있다.
즉, 주연부의 에칭 처리에서는, 기판을 고속으로 회전시킴으로써, 주연부의 에칭 정밀도를 향상시킬 수 있다.
또한, 종래의 기판 처리 장치에서는, 기판의 주위에 마련되는 컵 내로부터 기체와 액적이 섞인 혼합 기체를 배기로를 통하여 배출하고, 이와 같은 배기로에 마련되는 기액 분리부에서 기체와 액적으로 분리시킨다. 그 후, 액적으로부터 분리된 기체는, 배기구를 통하여 외부로 배출된다.
한편, 종래의 기판 처리 장치에서는, 컵 내로부터 배기구까지 형성되는 유로의 압력 손실이 크다는 점에서, 기판을 고속으로 회전시키면, 선회류에 의해 흐름이 빨라진 컵 내의 기체를 배기구까지 원활하게 배출하기가 곤란하다. 따라서, 종래 기술에서는, 기판을 고속으로 회전시키기가 곤란하기 때문에, 주연부의 에칭 정밀도를 향상시키기가 곤란하다.
그래서, 상술한 과제를 해결하고, 기판의 주연부를 고정밀도로 에칭할 수 있는 기술이 기대되고 있다.
<기판 처리 장치의 전체 구성>
우선, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)의 구성에 대해 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1 및 도 2는, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 처리 용기(10)와, 기판 회전부(20)와, 상면 공급부(30)와, 하면 공급부(40)와, 회수부(50)와, 가열 기구(60)를 구비한다.
처리 용기(10)는, 기판 회전부(20), 상면 공급부(30), 하면 공급부(40), 회수부(50) 및 가열 기구(60)를 수용한다.
기판 회전부(20)는, 웨이퍼 W를 회전 가능하게 보유 지지한다. 구체적으로는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판 회전부(20)는, 진공 척(21)과, 축부(22)와, 구동부(23)를 구비한다. 진공 척(21)은, 웨이퍼 W를 진공화에 의해 흡착 보유 지지한다. 진공 척(21)은, 웨이퍼 W보다 소경이며, 웨이퍼 W의 하면 중앙부를 흡착 보유 지지한다.
축부(22)는, 선단부에 있어서 진공 척(21)을 수평으로 지지한다. 구동부(23)는, 축부(22)의 기단부에 접속된다. 구동부(23)는, 축부(22)를 연직 축 둘레로 회전시킴과 함께, 축부(22) 및 이와 같은 축부(22)에 지지되는 진공 척(21)을 승강시킨다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 상면 공급부(30)는, 웨이퍼 W의 상면 주연부에 대해 처리액을 공급함으로써, 웨이퍼 W의 상면 주연부를 에칭한다. 이에 의해, 예를 들어 웨이퍼 W의 상면 주연부에 형성된 막을 제거하거나, 웨이퍼 W의 상면 주연부를 세정하거나 할 수 있다.
또한, 웨이퍼 W의 상면 주연부란, 웨이퍼 W의 상면에 있어서, 단부면으로부터 예를 들어 폭 1 내지 5㎜ 정도의 환상 영역을 가리킨다.
상면 공급부(30)는, 노즐 암(31)과, 노즐(32)과, 이동 기구(33)를 구비한다. 노즐 암(31)은, 수평 방향(여기서는, Y축 방향)으로 뻗고, 선단부에 있어서 노즐(32)을 지지한다.
노즐(32)은, 웨이퍼 W보다 상방에 있어서 토출구를 하향으로 한 상태에서 배치되고, 웨이퍼 W의 상면에 약액이나 린스액 등의 처리액을 토출한다. 약액으로서는, 예를 들어 불산(HF), 희불산(DHF), 불질산 등을 사용할 수 있다. 여기서, 불질산이란, 불산(HF)과 질산(HNO3)의 혼합액이다. 또한, 린스액으로서는, 예를 들어 DIW(탈이온수)를 사용할 수 있다.
이동 기구(33)는, 노즐 암(31)의 기단부에 접속된다. 이동 기구(33)는, 노즐 암(31)을 예를 들어 수평 방향(여기서는, X축 방향)을 따라 이동시킨다.
하면 공급부(40)는, 웨이퍼 W의 하면 주연부에 대해 처리액을 공급함으로써, 웨이퍼 W의 하면 주연부를 에칭한다. 이에 의해, 예를 들어 웨이퍼 W의 하면 주연부에 형성된 막을 제거하거나, 웨이퍼 W의 하면 주연부를 세정하거나 할 수 있다.
또한, 웨이퍼 W의 하면 주연부란, 웨이퍼 W의 하면에 있어서, 단부면으로부터 예를 들어 폭 1 내지 5㎜ 정도의 환형 영역을 가리킨다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 하면 공급부(40)는, 하면 노즐(41)과, 배관(42)과, 밸브(43)와, 유량 조정기(44)와, 처리액 공급원(45)을 구비한다. 하면 노즐(41)은, 웨이퍼 W의 하방에 배치되고, 웨이퍼 W의 하면 주연부를 향하여 처리액을 상향으로 토출한다.
배관(42)은, 하면 노즐(41)과 처리액 공급원(45)을 접속한다. 밸브(43)는, 배관(42)의 중도부에 마련되어, 배관(42)을 개폐한다. 유량 조정기(44)는, 배관(42)의 중도부에 마련되고, 배관(42)을 흐르는 처리액의 유량을 조정한다. 처리액 공급원(45)은, 예를 들어 처리액을 저류하는 탱크이다.
또한, 하면 공급부(40)는, 하면 노즐(41)을 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 하면 공급부(40)는, 웨이퍼 W의 하방에 있어서의 처리 위치와 웨이퍼 W의 외측에 있어서의 퇴피 위치 사이에서 하면 노즐(41)을 이동시킬 수 있다.
회수부(50)는, 웨이퍼 W의 외측을 둘러싸도록 마련되어, 웨이퍼 W로부터 비산되는 처리액의 액적을 회수한다. 제1 실시 형태에서는, 웨이퍼 W로부터 비산되는 액적을 빠짐없이 받아들이기 위해, 회수부(50)에는 하방 컵(51)과, 측방 컵(52)과, 상방 컵(53)이 마련된다.
하방 컵(51)은, 웨이퍼 W에 있어서의 주연부의 하방을 덮도록, 가열 기구(60)의 외측에 배치되는 원환형 부위이다. 측방 컵(52)은, 웨이퍼 W의 측방을 둘러싸도록 마련되는 환형 부위이다. 상방 컵(53)은, 웨이퍼 W보다 외측의 상방을 둘러싸도록 마련되는 환형 부위이다.
하방 컵(51), 측방 컵(52) 및 상방 컵(53)은, 예를 들어 PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌)나 PFA(퍼플루오로알콕시알칸) 등의 불소 수지 등의 내약품성 높은 부재로 형성된다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 펌프(70)(도 3 참조)를 사용하여, 회수부(50)로부터 웨이퍼 W 주위의 기체를 흡인함으로써, 웨이퍼 W의 주위로부터 비산되는 액적을 효율적으로 회수한다. 이러한 기체의 흡인 기구의 상세에 대해서는 후술한다.
가열 기구(60)는, 웨이퍼 W의 하방 또한 기판 회전부(20)의 외측에 배치된다. 구체적으로는, 가열 기구(60)는, 기판 회전부(20)와 하방 컵(51) 사이에 배치된다.
가열 기구(60)는, 기판 회전부(20)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 하면에 대해, 가열된 유체를 공급함으로써 웨이퍼 W의 하면 주연부를 가열한다. 구체적으로는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 가열 기구(60)는, 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 배열되어 배치된 복수의 토출구(61)를 구비하고 있고, 이들 복수의 토출구(61)로부터 웨이퍼 W의 하면에 대해 가열된 유체를 공급한다.
또한, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 제어 장치(100)를 구비한다. 제어 장치(100)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 제어부(101)와, 기억부(102)를 구비한다.
기억부(102)는, 예를 들어 RAM, 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는 하드 디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해 실현되고, 기판 처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램을 기억한다.
제어부(101)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 입출력 포트 등을 갖는 마이크로 컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 제어부(101)는, 기억부(102)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 장치(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(100)의 기억부(102)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들어 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네토 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
<회수부의 구성(제1 실시 형태)>
다음에, 회수부(50)의 상세한 구성에 대해, 도 3 내지 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 3은, 제1 실시 형태에 관한 회수부(50)의 구성을 나타내는 단면도이며, 구체적으로는 도 1에 나타내는 A-A선의 화살표 방향으로 본 단면도이다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 회수부(50)는, 하방 컵(51)과, 측방 컵(52)과, 상방 컵(53)과, 기액 분리부(54)와, 배기로(55)와, 접속로(56)와, 배기구(57)를 구비한다. 또한, 배기구(57)에는, 펌프(70)가 접속된다.
그리고, 기판 처리 장치(1)는, 이러한 펌프(70)를 동작시킴으로써, 하방 컵(51), 측방 컵(52) 및 상방 컵(53)으로 구성되는 컵체에 둘러싸이는 영역을, 기액 분리부(54), 배기로(55), 접속로(56) 및 배기구(57)를 통하여 배기한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼 W의 주위를, 컵체를 통하여 배기할 수 있다.
하방 컵(51)은, 웨이퍼 W에 있어서의 주연부의 하방을 덮도록 마련된다. 하방 컵(51)은, 외측이 될수록(즉, 측방 컵(52)에 접근할수록) 낮아지도록 경사진다. 또한, 제1 실시 형태에서는, 하방 컵(51)의 경사면이 모든 영역에서 대략 균등하게 경사져 있다.
측방 컵(52)은, 웨이퍼 W보다 외측의 측방을 둘러싸도록 마련된다. 측방 컵(52)은, 하방 컵(51)에 있어서의 외측의 단부로부터, 웨이퍼 W와 대략 단차가 없는 높이까지 연직으로 상승한다.
상방 컵(53)은, 웨이퍼 W보다 외측의 상방을 둘러싸도록 마련된다. 상방 컵(53)은, 측방 컵(52)의 상단부로부터, 내측이 될수록(즉, 웨이퍼 W에 접근할수록) 높아지도록 경사진다.
기액 분리부(54)는, 회수부(50)의 하방 컵(51), 측방 컵(52) 및 상방 컵(53)으로 받은 처리액의 액적과 기체를 분리시킨다. 기액 분리부(54)는, 하방 컵(51), 측방 컵(52) 및 상방 컵(53)으로 구성되는 컵체에 둘러싸이는 영역에 마련된다. 즉, 기액 분리부(54)는, 기판 회전부(20)(도 2 참조)의 외주를 둘러싸도록, 측방 컵(52)의 내벽보다 기판 회전부(20)에 가까운 측에 마련된다.
기액 분리부(54)는, 기액 분리판(54a)과, 액적 배출부(54b)와, 기체 배출부(54c)와, 테이퍼면(54d)을 갖는다. 기액 분리판(54a)은, 기판 회전부(20)와 배기로(55)의 입구(55a)를 분리하도록, 상방 컵(53)에 있어서의 배기로(55)의 입구(55a) 근방으로부터 하방으로 뻗는다.
제1 실시 형태에서는, 배기로(55)의 상류측에 기액 분리판(54a)을 마련함으로써, 액적이 기체와 함께 배기로(55)로 유입되는 것을 억제할 수 있다.
액적 배출부(54b)는, 하방 컵(51)에 있어서의 외측의 단부와 측방 컵(52)의 하단부가 연결되어 있는, 상부가 오목한 영역이다. 이와 같은 액적 배출부(54b)는, 하방 컵(51), 측방 컵(52) 및 상방 컵(53)으로 구성되는 컵체로 둘러싸이는 영역에 있어서, 가장 아래에 위치한다.
이에 의해, 하방 컵(51), 측방 컵(52), 상방 컵(53) 및 기액 분리판(54a)으로서 받은 액적은, 모두 액적 배출부(54b)에 떨어진다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 도시하지 않은 배출 기구를 사용함으로써, 액적 배출부(54b)에 떨어진 액적을 배출한다.
기체 배출부(54c)는, 기액 분리판(54a)과 측방 컵(52) 사이에 마련되고, 기액 분리판(54a)의 하단부 근방으로부터 배기로(55)의 입구(55a)를 향하여 상방으로 뻗는 영역이다. 이 기체 배출부(54c)는 상방으로 뻗어 있는 점에서, 비중이 작은 기체를 용이하게 배기로(55)로 배출할 수 있음과 함께, 비중이 큰 액적이 배기로(55)로 배출되는 것을 억제할 수 있다.
테이퍼면(54d)은, 기액 분리판(54a)의 선단부에 마련된다. 제1 실시 형태에서는, 테이퍼면(54d)이 기액 분리판(54a)의 기판 회전부(20)측 면에 마련된다. 이와 같은 테이퍼면(54d)을 마련함으로써, 웨이퍼 W의 주위로부터 배기로(55)로 향하는 기체의 흐름을 원활하게 할 수 있다.
배기로(55)는, 기액 분리부(54)의 하류측에 접속되고, 기액 분리부(54)에서 액적으로부터 분리된 기체를 배기한다. 배기로(55)는, 측방 컵(52)의 상방의 내측에 형성되는 입구(55a)로부터, 측방 컵(52)의 내부에서 연직으로 하방으로 뻗는다. 즉, 배기로(55)는, 측방 컵(52)의 내측에 위치하는 기액 분리부(54)의 외주를 둘러싸도록 마련된다.
접속로(56)는, 배기로(55)의 하류측에 접속된다. 접속로(56)는, 예를 들어 배기로(55)의 하단부로부터, 하방 컵(51)의 내부에서 내측으로 뻗는다. 또한, 접속로(56)에는, 하방 컵(51)의 하측에 위치하고, 배기를 일시적으로 유지하는 버퍼(56a)가 마련된다.
배기구(57)는, 접속로(56)의 하류측에 접속된다. 배기구(57)는, 예를 들어 버퍼(56a)의 하방에 있어서의 소정의 위치에 마련된다. 또한, 배기구(57)는, 접속로(56)에 1개소 마련되어도 되고, 복수 개소 마련되어도 된다. 또한, 배기구(57)보다 하류측의 배기 덕트(80)(도 12 참조)의 상세에 대해서는 후술한다.
여기까지 설명한 바와 같이, 제1 실시 형태에 관한 회수부(50)에서는, 웨이퍼 W로부터 비산되는 액적을 받는 컵체(하방 컵(51), 측방 컵(52) 및 상방 컵(53))에 둘러싸인 영역에, 웨이퍼 W를 둘러싸도록 기액 분리부(54)가 마련된다. 또한, 제1 실시 형태에 관한 회수부(50)에서는, 기액 분리부(54)의 하류측에, 기액 분리부(54)의 외주를 둘러싸도록 배기로(55)가 마련된다.
이와 같이, 제1 실시 형태에서는, 컵체의 근방에 압력 손실이 큰 기액 분리부(54)를 마련하고, 이러한 기액 분리부(54)의 하류측에 기액 분리부(54)보다 압력 손실이 작은 배기로(55)를 마련한다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 주위 및 컵체에 둘러싸이는 영역을 효율적으로 배기할 수 있다.
따라서, 제1 실시 형태에 의하면, 웨이퍼 W의 고속 회전에 의해 컵체 내부의 기체의 흐름이 빨라진 경우에도, 이와 같은 기체를 원활하게 배기구(57)까지 배출시킬 수 있다.
여기서, 제1 실시 형태에 관한 회수부(50)의 구체적인 배기 효율의 시뮬레이션 결과에 대해, 도 4 및 도 5에 도시한다. 도 4는, 제1 실시 형태에 관한 회수부(50)에 있어서의 전체 압력의 평가 개소를 나타내는 도면이며, 도 5는, 제1 실시 형태에 관한 회수부(50)에 있어서의 전체 압력의 추이를 나타내는 도면이다.
제1 실시 형태에 관한 회수부(50)의 배기 효율은, 도 4에 나타내는 평가 개소 P0 내지 P5에서 각각 평가하였다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 평가 개소 P0이 유로의 가장 상류측이며, 평가 개소 P5가 유로의 가장 하류측이다. 또한, 이하에 나타내는 평가 결과는, 모두 평가 개소 P0을 전체 압력 제로로 한 경우의 상대값이다.
제1 실시 형태에 관한 회수부(50)는, 웨이퍼 W의 주위 및 컵체에 둘러싸이는 영역을 효율적으로 배기할 수 있다. 따라서, 도 5에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 W를 고속 회전(3000rpm) 시키는 쪽이, 웨이퍼 W를 회전시키지 않는 경우(0rpm)보다 압력 손실을 저감(즉, 전체 압력을 증가)할 수 있다.
이에 의해, 제1 실시 형태에서는, 웨이퍼 W의 주연부를 에칭 처리할 때, 웨이퍼 W를 고속 회전시켰다고 해도, 이러한 고속 회전으로 흐름이 빨라진 기체를 문제없이 배기할 수 있다. 즉, 제1 실시 형태에서는, 웨이퍼 W의 주연부를 에칭 처리할 때 웨이퍼 W를 고속으로 회전시킬 수 있다.
따라서, 제1 실시 형태에 의하면, 에칭액의 액적이 주연부보다 내측으로 비산되는 것을 억제할 수 있는 점에서, 웨이퍼 W의 주연부를 고정밀도로 에칭할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 컵체에 둘러싸이는 영역에 기액 분리부(54)가 마련되는 점에서, 액적으로 오염되는 영역을 컵체의 내측으로 한정시킬 수 있다. 따라서, 제1 실시 형태에 의하면, 회수부(50)에 부착된 액적을 세정할 때, 회수부(50)를 용이하게 세정할 수 있다.
또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 제1 실시 형태에서는, 기액 분리부(54)가, 기판 회전부(20)와 배기로(55)의 입구(55a)를 분리하도록 하방으로 뻗는 기액 분리판(54a)을 갖는다. 이에 의해, 상방 컵(53)에 닿은 액적이나 배기로(55)의 입구(55a)로 직접 향한 액적이, 관련되는 입구(55a)에 들어가는 것을 억제할 수 있다.
따라서, 제1 실시 형태에 의하면, 상방 컵(53)에 닿은 액적이나 배기로(55)의 입구(55a)로 직접 향한 액적을 양호하게 분리시킬 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 기액 분리판(54a)의 하단이, 배기로(55)의 입구(55a)의 하단보다 낮은 위치에 마련되면 된다. 이에 의해, 상방 컵(53)에 닿은 액적이나 배기로(55)의 입구(55a)로 직접 향한 액적이, 이러한 입구(55a)에 들어가는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
따라서, 제1 실시 형태에 의하면, 상방 컵(53)에 닿은 액적이나 배기로(55)의 입구(55a)로 직접 향한 액적을 더 양호하게 분리시킬 수 있다.
또한, 기액 분리판(54a)의 배치는, 도 3의 예에 한정되지 않는다. 도 6은, 제1 실시 형태의 변형예 1에 관한 회수부(50)의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 기액 분리판(54a)의 하단은, 배기로(55)의 입구(55a)의 하단보다 약간 낮은 위치에 마련되어도 된다.
도 7은, 제1 실시 형태의 변형예 2에 관한 회수부(50)의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 기액 분리판(54a)의 하단은, 배기로(55)의 입구(55a)의 하단과 단차가 없게 마련되어도 된다.
도 6 및 도 7의 예에 의해서도, 상방 컵(53)에 닿은 액적이나 배기로(55)의 입구(55a)로 직접 향한 액적을 양호하게 분리시킬 수 있다. 또한, 본 개시에 있어서, 「단차가 없는」이란, 실질적으로 단차가 없는 경우를 포함한다. 즉, 본 개시에 있어서, 「단차가 없는」이란, 완전히 동일한 수평면에 위치하지 않는 경우를 포함한다.
또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 제1 실시 형태에서는, 배기로(55)가 입구(55a)로부터 연직으로 뻗으면 된다. 이와 같이 배기로(55)를 연직으로 뻗게 함으로써, 배기로(55)를 경사 방향으로 뻗게 하는 경우에 비하여, 이러한 배기로(55)가 마련되는 측방 컵(52)의 외경을 작게 할 수 있다.
따라서, 제1 실시 형태에 의하면, 회수부(50)를 콤팩트하게 할 수 있다. 또한, 본 개시에 있어서, 「연직」이란 실질적으로 연직인 경우를 포함한다. 즉, 본 개시에 있어서, 「연직」이란 수평면과 완전히 수직이 아닌 경우를 포함한다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 접속로(56)의 단면적이 배기로(55)의 단면적보다 크면 된다. 즉, 제1 실시 형태에서는, 배기로(55)에서 생기는 압력 손실이 접속로(56)에서 생기는 압력 손실보다 크면 된다.
이와 같이, 배기로(55)에서 생기는 압력 손실을 접속로(56)에서 생기는 압력 손실보다 크게 함으로써, 컵체에 둘러싸이는 영역의 기체를 배기로(55)의 전체 둘레에서 균등하게 배기할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 의하면, 웨이퍼 W의 주연부를 흐르는 선회류의 속도를 전체 둘레에서 균등하게 할 수 있는 점에서, 웨이퍼 W의 주연부를 더 고정밀도로 에칭할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 기액 분리부(54)가 측방 컵(52)에 근접하여 마련됨과 함께, 이러한 기액 분리부(54)로부터 배기되는 배기로(55) 및 접속로(56)가 컵체의 내부에 마련된다.
이와 같이, 컵체에 근접하여 기액 분리부(54), 배기로(55) 및 접속로(56)를 마련함으로써, 웨이퍼 W의 주위로부터 펌프(70)까지 연결되는 배기로 전체의 길이를 짧게 할 수 있다. 따라서, 제1 실시 형태에 의하면, 웨이퍼 W의 주위로부터 펌프(70)까지 연결되는 배기로 전체의 유로 저항을 저감시킬 수 있다.
<제2 실시 형태>
다음으로, 제2 실시 형태에 관한 회수부(50)의 상세한 구성에 대해, 도 8 내지 도 10을 참조하면서 설명한다. 도 8은, 제2 실시 형태에 관한 회수부(50)의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 제2 실시 형태에 관한 회수부(50)는, 기액 분리판(54a)에 마련되는 테이퍼면(54d)의 배치가 제1 실시 형태와 다르다.
구체적으로는, 제2 실시 형태에서는, 테이퍼면(54d)이 기액 분리판(54a)의 배기로(55)측 면에 마련된다. 이와 같이, 테이퍼면(54d)을 배기로(55)측 면에 마련함으로써, 기액 분리판(54a)의 선단부 근방으로부터 배기로(55)의 입구(55a)로 향하는 기체의 흐름을 원활하게 할 수 있다.
여기서, 제2 실시 형태에 관한 회수부(50)의 구체적인 배기 효율의 시뮬레이션 결과에 대해, 도 9 및 도 10에 도시한다. 도 9 및 도 10은, 제2 실시 형태에 관한 회수부(50)에 있어서의 전체 압력의 추이를 나타내는 도면이다.
제2 실시 형태에 관한 회수부(50)는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 제1 실시 형태에 관한 회수부(50)보다 압력 손실을 저감시킬 수 있다. 또한, 제2 실시 형태에 관한 회수부(50)는, 웨이퍼 W의 주위 및 컵체에 둘러싸이는 영역을 효율적으로 배기할 수 있는 점에서, 도 10에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W를 고속 회전시킨 쪽이, 웨이퍼 W를 회전시키지 않는 경우보다 압력 손실을 저감시킬 수 있다.
여기까지 설명한 바와 같이, 제2 실시 형태에서는, 웨이퍼 W의 주연부를 에칭 처리할 때 웨이퍼 W를 고속 회전시켰다고 해도, 이러한 고속 회전으로 흐름이 빨라진 기체를 더 원활하게 배기할 수 있다. 즉, 제2 실시 형태에서는, 웨이퍼 W의 주연부를 에칭 처리할 때 웨이퍼 W를 더 고속으로 회전시킬 수 있다.
따라서, 제2 실시 형태에 의하면, 에칭액의 액적이 주연부보다 내측으로 비산되는 것을 더 억제할 수 있는 점에서, 웨이퍼 W의 주연부를 더 고정밀도로 에칭할 수 있다.
또한, 도 8의 예에서는, 테이퍼면(54d)이 기액 분리판(54a)의 배기로(55)측 면에만 마련된 예에 대해 나타내었지만, 테이퍼면(54d)이 기액 분리판(54a)의 배기로(55)측 면과 기판 회전부(20)측 면의 양쪽에 마련되어 있어도 된다.
<제3 실시 형태>
다음에, 제3 실시 형태에 관한 회수부(50)의 상세한 구성에 대해, 도 11을 참조하면서 설명한다. 도 11은, 제3 실시 형태에 관한 회수부(50)의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 11에 도시하는 바와 같이, 제3 실시 형태에 관한 회수부(50)는, 하방 컵(51)의 구성이 제2 실시 형태와 다르다.
구체적으로는, 제3 실시 형태에서는, 하방 컵(51)이 모따기부(51a)를 갖는다. 이 모따기부(51a)는, 하방 컵(51)에 있어서 웨이퍼 W의 주연부와 마주보는 부위가 모따기되어 형성된다.
이와 같이, 하방 컵(51)에 모따기부(51a)를 형성함으로써, 하방 컵(51)의 경사면이 모든 영역에서 대략 균등하게 기울어 있는 경우보다, 웨이퍼 W의 주연부와 하방 컵(51) 사이에 형성되는 간극을 작게 할 수 있다.
이에 의해, 웨이퍼 W로부터 배기로(55)로 향하는 기체의 흐름에 의해, 이와 같은 간극에 생기는 와류 S의 크기를 작게 할 수 있다. 따라서, 제3 실시 형태에 의하면, 웨이퍼 W로부터 배기로(55)로 향하는 기체의 흐름을 원활하게 할 수 있다.
또한, 하방 컵(51)에 모따기부(51a)를 형성함으로써, 하방 컵(51)에 있어서 웨이퍼 W의 주연부와 마주보는 부위가 수평인 경우보다, 하면 주연부를 양호하게 에칭하기 위한 충분한 공간을 확보할 수 있다.
예를 들어, 하면 주연부를 양호하게 에칭하기 위한 충분한 공간을 확보함으로써, 하방 컵(51)으로부터 웨이퍼 W의 하면 주연부로 액체가 튀는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 제3 실시 형태에 의하면, 웨이퍼 W의 하면 주연부를 양호하게 에칭할 수 있다.
<배기 덕트의 구성>
다음에, 제1 실시 형태에 관한 회수부(50)에 접속되는 배기 덕트(80)의 상세한 구성에 대해, 도 12 및 도 13을 참조하면서 설명한다. 도 12 및 도 13은, 제1 실시 형태에 관한 배기 덕트(80)의 구성을 도시하는 사시도이다.
또한, 도 12는, 회수부(50)를 비스듬하게 상방으로부터 본 경우의 사시도이며, 도 13은, 회수부(50)를 비스듬하게 하방에서 본 경우의 사시도이다. 또한, 이후의 도면에서는, 기판 회전부(20), 회수부(50), 가열 기구(60) 및 배기 덕트(80) 이외의 부위에 대해서는 도시를 생략하였다.
도 13에 나타내는 바와 같이, 배기 덕트(80)는, 회수부(50)의 배기구(57)에 접속되어, 버퍼(56a) 내의 배기를 펌프(70)(도 3 참조)로 배출한다. 배기 덕트(80)는, 상류측으로부터 차례로 하강부(81)와, 수평부(82)와, 상승부(83)를 갖는다.
원통형 하강부(81)는, 회수부(50)의 배기구(57)에 접속되고, 하방을 향하여 뻗는 부위이다. 상자형 수평부(82)는, 하강부(81)의 하류측에 접속되고, 수평 방향 또한 회수부(50)로부터 이격되는 방향으로 뻗는 부위이다.
원통형 상승부(83)는, 수평부(82)의 하류측에 접속되고, 상방을 향하여 뻗는 부위이다. 또한, 상승부(83)는, 회수부(50)보다 위까지 뻗어 있다. 또한, 배기 덕트(80)는, 평면으로 보아, 수평부(82)의 하류측이 회수부(50)보다 외측까지 뻗어 있다는 점에서, 상승부(83)가 회수부(50)보다 위까지 뻗어도, 회수부(50)와 간섭하는 일은 없다.
여기까지 설명한 바와 같이, 제1 실시 형태에 관한 배기 덕트(80)는, 회수부(50)의 하측에 접속됨과 함께, 회수부(50)보다 위까지 뻗어 있으면 된다. 이에 의해, 버퍼(56a)까지 도달한 액적이, 배기구(57)로부터 배기 덕트(80)를 통하여 외부로 배출되는 것을 억제할 수 있다.
즉, 제1 실시 형태에서는, 버퍼(56a)까지 도달한 액적을 배기 덕트(80)로 양호하게 분리시킬 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 배기구(57)에 모따기부(57a)가 마련되면 된다. 즉, 제1 실시 형태에서는, 배기구(57)에 접속되는 배기 덕트(80)의 하강부(81)에 있어서, 상류측 단부의 내경이 넓어져 있으(확경부를 가지)면 된다.
이에 의해, 배기구(57)에 있어서, 유로의 단면적이 급격하게 축소됨으로써 생기는 와류의 발생을 억제할 수 있는 점에서, 배기구(57)에서의 압력 손실을 더 저감시킬 수 있다. 따라서, 제1 실시 형태에 의하면, 웨이퍼 W의 주위로부터 펌프(70)까지 연결되는 배기로 전체의 유로 저항을 더 저감시킬 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 배기 덕트(80)의 수평부(82)가 상자형이면 된다. 이에 의해, 상자형의 수평부(82)에 직선형의 배관인 하강부(81) 및 상승부(83)를 연결함으로써 배기 덕트(80)를 구성할 수 있다. 따라서, 제1 실시 형태에 의하면, 배기 덕트(80)의 제조 비용을 저감시킬 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 상자형의 수평부(82)에 있어서, 하강부(81)와 접속되는 부위의 하측에 경사부(82a)가 마련되면 된다. 이에 의해, 하강부(81)와 접속되는 부위에 있어서, 배기의 방향이 하측 방향으로부터 수평 방향으로 변할 때 생기는 와류의 발생을 억제할 수 있다.
따라서, 제1 실시 형태에 의하면, 배기 덕트(80)에서의 압력 손실을 더 저감시킬 수 있는 점에서, 웨이퍼 W의 주위로부터 펌프(70)까지 연결되는 배기로 전체의 유로 저항을 더 저감시킬 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 상자형의 수평부(82)에 있어서, 상승부(83)와 접속되는 부위의 하측에 경사부(82b)가 마련되면 된다. 이에 의해, 상승부(83)와 접속되는 부위에 있어서, 배기의 방향이 수평 방향으로부터 상측 방향으로 변할 때 생기는 와류의 발생을 억제할 수 있다.
따라서, 제1 실시 형태에 의하면, 배기 덕트(80)에서의 압력 손실을 더 저감시킬 수 있는 점에서, 웨이퍼 W의 주위로부터 펌프(70)까지 연결되는 배기로 전체의 유로 저항을 더 저감시킬 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 있어서, 상승부(83)의 내경은, 하강부(81)의 내경과 대략 동등해도 되고, 하강부(81)의 내경보다 커도 된다. 제1 실시 형태에서는, 상승부(83)의 내경을 하강부(81)의 내경보다 크게 함으로써, 배기 덕트(80)에서의 압력 손실을 더 저감시킬 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 있어서, 상자형의 수평부(82)의 내부 치수는, 원통형 하강부(81) 및 상승부(83)의 내경보다 큰 쪽이 좋다. 이에 의해, 하강부(81) 및 상승부(83)를 문제없이 수평부(82)에 접속할 수 있다.
한편, 수평부(82)의 내부 치수가 하강부(81) 및 상승부(83)의 내경보다 너무 큰 경우, 하강부(81)와 수평부(82) 사이의 접속부 및 수평부(82)와 상승부(83) 사이의 접속부에 있어서, 유로의 단면적이 급격하게 확대 축소되는 것에 의한 와류가 많이 발생되어 버린다. 따라서, 제1 실시 형태에서는, 수평부(82)의 단면적이, 하강부(81) 및 상승부(83)의 단면적의 2배 이하이면 된다.
<배기 덕트의 각종 변형예>
다음에, 제1 실시 형태에 관한 배기 덕트(80)의 각종 변형예에 대해, 도 14 내지 도 19를 참조하면서 설명한다. 또한, 이하의 각종 변형예에 있어서, 제1 실시 형태와 동일한 부위에는 동일한 번호를 부여함으로써 중복되는 설명을 생략한다.
상기 제1 실시 형태에서는, 회수부(50)에 배기구(57)가 하나 마련되는 예에 대해 나타내었지만, 배기구(57)가 회수부(50)에 복수 마련되어 있어도 된다.
도 14 및 도 15는, 제1 실시 형태의 변형예 3에 관한 배기 덕트(80)의 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 14는, 회수부(50)를 비스듬하게 상방으로부터 본 경우의 사시도이며, 도 15는, 회수부(50)를 비스듬하게 하방으로부터 본 경우의 사시도이다.
도 14 및 도 15에 나타내는 변형예 3에서는, 두 배기구(57)가, 회수부(50)의 중앙부를 통하여 마주보도록 마련된다. 이와 같이, 복수의 배기구(57)를 버퍼(56a)에 마련함으로써, 버퍼(56a)로부터의 배기 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 변형예 3에서는, 두 배기구(57)에 각각 하강부(81)가 접속되고, 이러한 두 하강부(81)가 하나의 수평부(82)에서 합류된다. 또한, 변형예 3에서는, 수평부(82)가 원통형이며, 회수부(50)의 중심을 피하도록 우회하면서 회수부(50)보다 외측까지 뻗어 있다.
이와 같이, 회수부(50)의 중심을 피하도록 수평부(82)를 배치함으로써, 이와 같은 회수부(50)의 중심에 마련되는 기판 회전부(20)(도 2 참조) 등의 간섭을 피할 수 있다.
도 16 및 도 17은, 제1 실시 형태의 변형예 4에 관한 배기 덕트(80)의 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 16은, 회수부(50)를 비스듬하게 상방으로부터 본 경우의 사시도이며, 도 17은, 회수부(50)를 비스듬하게 하방으로부터 본 경우의 사시도이다.
도 16 및 도 17에 나타내는 바와 같이, 변형예 4의 배기 덕트(80)는, 하강부(81)와, 수평부(82)와, 상승부(83)가 동일한 내경으로 벤드형으로 접속되어 있으면 된다. 즉, 변형예 4에 관한 배기 덕트(80)는, 하강부(81)로부터 상승부(83)까지의 형상이 벤드 형상이면 된다.
이와 같이, 배기 덕트(80)를 벤드 형상으로 구성함으로써, 배기 덕트(80) 내에서 생기는 와류의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 변형예 4에 의하면, 배기 덕트(80)에서의 압력 손실을 더 저감시킬 수 있는 점에서, 웨이퍼 W의 주위로부터 펌프(70)까지 연결되는 배기로 전체의 유로 저항을 더 저감시킬 수 있다.
또한, 변형예 4에서는, 배기 덕트(80)의 단면적이 확대 축소를 반복하지 않도록 함으로써, 유로의 단면적이 확대 축소됨으로써 생기는 와류의 발생을 억제할 수 있다.
따라서, 변형예 4에 의하면, 배기 덕트(80)에서의 압력 손실을 더 저감시킬 수 있는 점에서, 웨이퍼 W의 주위로부터 펌프(70)까지 연결되는 배기로 전체의 유로 저항을 더 저감시킬 수 있다.
또한, 도 17에 나타내는 바와 같이, 변형예 4의 배기 덕트(80)는, 배기구(57)에 모따기부(57a)가 마련되면 된다. 이에 의해, 배기구(57)에 있어서, 유로의 단면적이 급격하게 축소됨으로써 생기는 와류의 발생을 억제할 수 있는 점에서, 배기구(57)에서의 압력 손실을 더 저감시킬 수 있다.
따라서, 변형예 4에 의하면, 웨이퍼 W의 주위로부터 펌프(70)까지 연결되는 배기로 전체의 유로 저항을 더 저감시킬 수 있다.
여기까지 나타낸 제1 실시 형태 및 변형예 3, 4에서는, 회수부(50)의 하측에 배기 덕트(80)를 접속한 예에 대해 나타내었지만, 배기 덕트(80)가 접속되는 부위는 회수부(50)의 하측에 한정되지 않는다.
도 18 및 도 19는, 제1 실시 형태의 변형예 5에 관한 배기 덕트(80)의 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 18은, 회수부(50)를 비스듬하게 상방으로부터 본 경우의 사시도이며, 도 19는, 회수부(50)를 비스듬하게 하방으로부터 본 경우의 사시도이다.
도 18 및 도 19에 나타내는 바와 같이, 변형예 5의 배기 덕트(80)는, 회수부(50)의 측면에 형성되는 배기구(57)에 접속된다. 즉, 변형예 5에서는, 회수부(50)의 측방에 배기 덕트(80)의 수평부(82)가 접속된다.
이와 같은 경우에도, 버퍼(56a)에 인접하여 배기구(57)가 마련됨으로써, 버퍼(56a)로부터 효율적으로 배기할 수 있다.
실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 기판 회전부(20)와, 기액 분리부(54)와, 배기로(55)를 구비한다. 기판 회전부(20)는, 기판(웨이퍼 W)을 보유 지지하여 회전시킨다. 기액 분리부(54)는, 기판 회전부(20)의 외주를 둘러싸도록 마련되고, 기체와 액적을 분리시킨다. 배기로(55)는, 기액 분리부(54)의 외주를 둘러싸도록 마련되고, 기액 분리부(54)에서 분리된 기체를 배기한다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 주연부를 고정밀도로 에칭할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 기액 분리부(54)는, 기판 회전부(20)와 배기로(55)의 입구(55a)를 분리하도록 하방으로 뻗는 기액 분리판(54a)을 갖는다. 이에 의해, 상방 컵(53)에 닿은 액적이나 배기로(55)의 입구(55a)로 직접 향한 액적을 양호하게 분리시킬 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 기액 분리판(54a)은, 선단부에 형성되는 테이퍼면(54d)을 갖는다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 주위로부터 배기로(55)로 향하는 기체의 흐름을 원활하게 할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 테이퍼면(54d)은, 기액 분리판(54a)의 배기로(55)측 면에 마련된다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 주연부를 더 고정밀도로 에칭할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 기액 분리판(54a)의 하단은, 배기로(55)의 입구(55a)의 하단보다 낮은 위치 또는 배기로(55)의 입구(55a)의 하단과 단차가 없게 마련된다. 이에 의해, 상방 컵(53)에 닿은 액적이나 배기로(55)의 입구(55a)로 직접 향한 액적을 더 양호하게 분리시킬 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 기판(웨이퍼 W)의 하방에서 액적을 받는 하방 컵(51)을 더 구비한다. 그리고, 하방 컵(51)은, 기판(웨이퍼 W)의 하방에 모따기부(51a)를 갖는다. 이에 의해, 웨이퍼 W로부터 배기로(55)로 향하는 기체의 흐름을 원활하게 할 수 있음과 함께, 웨이퍼 W의 하면 주연부를 양호하게 에칭할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 배기로(55)의 하류측에 접속되는 접속로(56)를 더 구비한다. 그리고, 접속로(56)의 단면적은, 배기로(55)의 단면적보다 크다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 주연부를 더 고정밀도로 에칭할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 배기로(55)는 입구(55a)로부터 연직으로 뻗는다. 이에 의해, 회수부(50)를 콤팩트하게 할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 기액 분리부(54) 및 배기로(55)를 포함하여 구성되고, 기판(웨이퍼 W)으로부터 비산되는 액적을 회수하는 회수부(50)와, 회수부(50)에 있어서 배기로(55)의 하류측에 형성되는 배기구(57)에 접속되는 배기 덕트(80)를 구비한다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 주연부를 고정밀도로 에칭할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 배기 덕트(80)는, 회수부(50)의 하측에 접속됨과 함께, 회수부(50)보다 위까지 연신된다. 이에 의해, 버퍼(56a)까지 도달한 액적을 배기 덕트(80)로 양호하게 분리시킬 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 배기구(57)는, 모따기부(57a)를 갖는다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 주위로부터 펌프(70)까지 연결되는 배기로 전체의 유로 저항을 더 저감시킬 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 배기 덕트(80)는, 단면적이 확대 축소를 반복하지 않는다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 주위로부터 펌프(70)까지 연결되는 배기로 전체의 유로 저항을 더 저감시킬 수 있다.
이상, 본 개시의 각 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 개시는 상기 각 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 다양한 변경이 가능하다. 예를 들어, 상기 각 실시 형태에서는, 기액 분리판(54a)의 배기로(55)측 면 및 기판 회전부(20)측 면 중 적어도 하나에 테이퍼면(54d)이 마련되는 예에 대해 나타내었지만, 반드시 기액 분리판(54a)에 테이퍼면(54d)을 마련하지 않아도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 배기 덕트(80)를 제1 실시 형태에 관한 회수부(50)에 접속한 예에 대해 나타내었지만, 제2 실시 형태 또는 제3 실시 형태에 관한 회수부(50)에 배기 덕트(80)를 접속해도 된다.
금회 개시된 각 실시 형태는 모든 점에서 예시이지, 제한적인 것은 아니라고 생각해야 한다. 실제로, 상기 각 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기 각 실시 형태는, 첨부의 특허청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.

Claims (12)

  1. 기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 회전부와,
    상기 기판 회전부의 외주를 둘러싸도록 마련되고, 기체와 액적을 분리하는 기액 분리부와,
    상기 기액 분리부의 외주를 둘러싸도록 마련되고, 상기 기액 분리부에서 분리된 기체를 배기하는 배기로
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기액 분리부는, 상기 기판 회전부와 상기 배기로의 입구를 분리하도록 하방으로 뻗는 기액 분리판을 갖는,
    기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기액 분리판은, 선단부에 형성되는 테이퍼면을 갖는,
    기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 테이퍼면은, 상기 기액 분리판의 상기 배기로측 면에 마련되는,
    기판 처리 장치.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기액 분리판의 하단은, 상기 배기로의 입구의 하단보다 낮은 위치 또는 상기 배기로의 입구의 하단과 단차가 없게 마련되는,
    기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판의 하방에서 액적을 받는 하방 컵을 더 구비하고,
    상기 하방 컵은, 상기 기판의 하방에 모따기부를 갖는,
    기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배기로의 하류측에 접속되는 접속로를 더 구비하고,
    상기 접속로의 단면적은, 상기 배기로의 단면적보다 큰
    기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배기로는, 입구로부터 연직으로 뻗는
    기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기액 분리부 및 상기 배기로를 포함하여 구성되고, 상기 기판으로부터 비산되는 액적을 회수하는 회수부와,
    상기 회수부에 있어서 상기 배기로의 하류측에 형성되는 배기구에 접속되는 배기 덕트
    를 구비하는
    기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 배기 덕트는, 상기 회수부의 하측에 접속됨과 함께, 상기 회수부보다 위까지 뻗는
    기판 처리 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 배기구는, 모따기부를 갖는
    기판 처리 장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 배기 덕트는, 단면적이 확대 축소를 반복하지 않는
    기판 처리 장치.
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