KR20200133665A - 성막 방법 - Google Patents

성막 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200133665A
KR20200133665A KR1020200055594A KR20200055594A KR20200133665A KR 20200133665 A KR20200133665 A KR 20200133665A KR 1020200055594 A KR1020200055594 A KR 1020200055594A KR 20200055594 A KR20200055594 A KR 20200055594A KR 20200133665 A KR20200133665 A KR 20200133665A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
silicon oxide
oxide film
film
substrate
Prior art date
Application number
KR1020200055594A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102668678B1 (ko
Inventor
다카시 지바
준 사토
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20200133665A publication Critical patent/KR20200133665A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102668678B1 publication Critical patent/KR102668678B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C23C16/45538—Plasma being used continuously during the ALD cycle
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C23C16/4554—Plasma being used non-continuously in between ALD reactions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C23C16/45542—Plasma being used non-continuously during the ALD reactions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 개시의 일 양태에 의한 성막 방법은, 표면에 오목부가 형성된 기판 상에 아미노실란 가스를 흡착시키는 스텝과, 상기 기판에 산화 가스를 공급하여, 상기 기판 상에 흡착된 상기 아미노실란 가스를 산화시켜 상기 기판 상에 실리콘 산화막을 퇴적시키는 스텝과, 상기 실리콘 산화막에 헬륨 및 산소를 포함하는 혼합 가스를 플라스마에 의해 활성화하여 공급하고, 상기 실리콘 산화막의 개질 처리를 행하는 스텝을 갖는다.

Description

성막 방법{FILM FORMING METHOD}
본 개시는, 성막 방법에 관한 것이다.
기판에 형성되는 오목부에 대해 서로 반응하는 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 교대로 공급함으로써, 제1 반응 가스와 제2 반응 가스의 반응 생성물을 오목부에 성막하는 방법이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 방법에서는, 제1 반응 가스의 공급에 앞서, 기판에 형성되는 오목부의 내면에 원하는 분포로 수산기를 흡착시키는 스텝이 행해진다. 또한, 원하는 분포로 수산기를 흡착시키는 일례로서, 수산기를 흡착시키는 스텝에 있어서, 수소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성되는 산소 플라스마로 기판을 폭로시켜, 부족한 수산기를 보충하도록 한 예가 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2013-135154호 공보
본 개시는, 이후의 에칭 공정에 의해 심이 발생하기 어려운 실리콘 산화막을 오목부에 메울 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 성막 방법은, 표면에 오목부가 형성된 기판 상에 아미노실란 가스를 흡착시키는 스텝과, 상기 기판에 산화 가스를 공급하여, 상기 기판 상에 흡착된 상기 아미노실란 가스를 산화시켜 상기 기판 상에 실리콘 산화막을 퇴적시키는 스텝과, 상기 실리콘 산화막에 헬륨 및 산소를 포함하는 혼합 가스를 플라스마에 의해 활성화하여 공급하고, 상기 실리콘 산화막의 개질 처리를 행하는 스텝을 갖는다.
본 개시에 따르면, 이후의 에칭 공정에 의해 심이 발생하기 어려운 실리콘 산화막을 오목부에 메울 수 있다.
도 1은 일 실시 형태의 성막 장치의 구성예를 도시하는 단면도.
도 2는 도 1의 성막 장치의 진공 용기 내의 구성을 도시하는 사시도.
도 3은 도 1의 성막 장치의 진공 용기 내의 구성을 도시하는 평면도.
도 4는 도 1의 성막 장치의 진공 용기 내에 회전 가능하게 마련되는 회전 테이블의 동심원을 따른 당해 진공 용기의 단면도.
도 5는 도 1의 성막 장치의 다른 단면도.
도 6은 도 1의 성막 장치에 마련되는 플라스마 발생원의 단면도.
도 7은 도 1의 성막 장치에 마련되는 플라스마 발생원의 다른 단면도.
도 8은 도 1의 성막 장치에 마련되는 플라스마 발생원의 상면도.
도 9는 일 실시 형태의 성막 방법을 설명하기 위한 모식도 (1).
도 10은 일 실시 형태의 성막 방법을 설명하기 위한 모식도 (2).
도 11은 실시예에 있어서의 평가 방법을 설명하기 위한 도면.
도 12는 실시예의 실시 결과를 나타내는 도면.
이하, 첨부한 도면을 참조하면서, 본 개시의 한정적이지 않은 예시의 실시 형태에 대해 설명한다. 첨부한 모든 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일 또는 대응하는 참조 부호를 붙여, 중복되는 설명을 생략한다.
(성막 장치)
일 실시 형태의 성막 방법을 실시하는 데 적합한 성막 장치에 대해 설명한다. 도 1부터 도 3까지를 참조하면, 성막 장치는, 대략 원형의 평면 형상을 갖는 편평한 진공 용기(1)와, 진공 용기(1) 내에 마련되고, 진공 용기(1)의 중심에 회전 중심을 갖는 회전 테이블(2)을 구비하고 있다. 진공 용기(1)는, 바닥이 있는 원통 형상을 갖는 용기 본체(12)와, 용기 본체(12)의 상면에 대해, 예를 들어 O링 등의 시일 부재(13)(도 1)를 통해 기밀하게 착탈 가능하게 배치되는 천장판(11)을 갖고 있다.
회전 테이블(2)은, 중심부에서 원통 형상의 코어부(21)에 고정되어 있다. 코어부(21)는, 연직 방향으로 신장되는 회전축(22)의 상단에 고정되어 있다. 회전축(22)은 진공 용기(1)의 저부(14)를 관통하고, 그 하단이 회전축(22)(도 1)을 연직축 주위로 회전시키는 구동부(23)에 설치되어 있다. 회전축(22) 및 구동부(23)는, 상면이 개구된 통 형상의 케이스체(20) 내에 수납되어 있다. 케이스체(20)는 그 상면에 마련된 플랜지 부분이 진공 용기(1)의 저부(14)의 하면에 기밀하게 설치되어 있어, 케이스체(20)의 내부 분위기와 외부 분위기의 기밀 상태가 유지되어 있다.
회전 테이블(2)의 표면에는, 도 2 및 도 3에 도시되는 바와 같이 회전 방향(주위 방향)을 따라 복수(도시한 예에서는 5매)의 기판인 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼(W)」라고 함)를 적재하기 위한 원 형상의 오목부(24)가 마련되어 있다. 또한, 도 3에는 편의상 1개의 오목부(24)에만 웨이퍼(W)를 나타낸다. 오목부(24)는, 웨이퍼(W)의 직경보다 약간, 예를 들어 4㎜ 큰 내경과, 웨이퍼(W)의 두께과 거의 동등한 깊이를 갖고 있다. 따라서, 웨이퍼(W)가 오목부(24)에 수용되면, 웨이퍼(W)의 표면과 회전 테이블(2)의 표면(웨이퍼(W)가 적재되지 않은 영역)이 동일한 높이가 된다. 오목부(24)의 저면에는, 웨이퍼(W)의 이면을 지지하여 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 예를 들어 3개의 승강 핀이 관통하는 관통 구멍(모두 도시하지 않음)이 형성되어 있다.
도 2 및 도 3은, 진공 용기(1) 내의 구조를 설명하는 도면이며, 설명의 편의상, 천장판(11)의 도시를 생략하고 있다. 도 2 및 도 3에 도시되는 바와 같이, 회전 테이블(2)의 상방에는, 예를 들어 석영으로 이루어지는 반응 가스 노즐(31, 32, 33) 및 분리 가스 노즐(41, 42)이 진공 용기(1)의 주위 방향(도 3의 화살표 A로 표기되는 회전 테이블(2)의 회전 방향)으로 서로 간격을 두고 배치되어 있다. 도시한 예에서는, 후술하는 반송구(15)로부터 시계 방향(회전 테이블(2)의 회전 방향)으로, 반응 가스 노즐(33), 분리 가스 노즐(41), 반응 가스 노즐(31), 분리 가스 노즐(42) 및 반응 가스 노즐(32)이 이 순서로 배열되어 있다. 이들 반응 가스 노즐(31, 32, 33) 및 분리 가스 노즐(41, 42)의 기단부인 가스 도입 포트(31a, 32a, 33a, 41a, 42a)(도 3)는, 용기 본체(12)의 외주벽에 고정되어 있다. 그리고 반응 가스 노즐(31, 32, 33) 및 분리 가스 노즐(41, 42)은, 진공 용기(1)의 외주벽으로부터 진공 용기(1) 내로 도입되어, 용기 본체(12)의 반경 방향을 따라 회전 테이블(2)에 대해 수평하게 신장되도록 설치된다.
또한, 반응 가스 노즐(33)의 상방에는, 도 3에 있어서, 파선으로 간략화하여 나타나 있는 바와 같이 플라스마 발생원(80)이 마련되어 있다. 플라스마 발생원(80)에 대해서는 후술한다.
반응 가스 노즐(31)은, 배관 및 유량 제어기 등(도시하지 않음)을 통해, 아미노실란 가스의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 아미노실란 가스로서는, 예를 들어 DIPAS[디이소프로필아미노실란], 3DMAS[트리스디메틸아미노실란] 가스, BTBAS[비스터셔리부틸아미노실란]를 이용할 수 있다.
반응 가스 노즐(32)은, 배관 및 유량 제어기 등(도시하지 않음)을 통해, 산화 가스의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 산화 가스로서는, 예를 들어 오존(O3) 가스를 이용할 수 있다.
반응 가스 노즐(33)은, 도시하지 않은 배관 및 유량 제어기 등(도시하지 않음)을 통해, 개질 가스의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 개질 가스로서는, 예를 들어 아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스, 산소(O2) 가스를 이용할 수 있다.
분리 가스 노즐(41, 42)은, 모두 배관 및 유량 제어 밸브 등(도시하지 않음)을 통해, 분리 가스의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 분리 가스로서는, 예를 들어 Ar 가스, 질소(N2) 가스를 이용할 수 있다.
반응 가스 노즐(31, 32)에는, 회전 테이블(2)을 향해 개구되는 복수의 토출 구멍(31h, 32h)(도 4)이 반응 가스 노즐(31, 32)의 길이 방향을 따라, 예를 들어 10㎜의 간격으로 배열되어 있다. 반응 가스 노즐(31)의 하방 영역은, 아미노실란 가스를 웨이퍼(W)에 흡착시키기 위한 아미노실란 가스 흡착 영역(P1)이 된다. 반응 가스 노즐(32)의 하방 영역은, 아미노실란 가스 흡착 영역(P1)에 있어서 웨이퍼(W)에 흡착된 아미노실란 가스를 산화시키는 산화 가스 공급 영역(P2)이 된다. 또한, 도 4에는 도시되어 있지 않은 반응 가스 노즐(33)의 구성에 대해서는 후술한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 진공 용기(1) 내에는 2개의 볼록 형상부(4)가 마련되어 있다. 볼록 형상부(4)는, 분리 가스 노즐(41, 42)과 함께 분리 영역(D)을 구성하기 위해, 후술하는 바와 같이, 회전 테이블(2)을 향해 돌출되도록 천장판(11)의 이면에 설치되어 있다. 또한, 볼록 형상부(4)는, 정상부가 원호 형상으로 절단된 부채형의 평면 형상을 갖고, 일 실시 형태에 있어서는, 내원호가 돌출부(5)(후술)에 연결되고, 외원호가, 진공 용기(1)의 용기 본체(12)의 내주면을 따르도록 배치되어 있다.
도 4는, 반응 가스 노즐(31)로부터 반응 가스 노즐(32)까지 회전 테이블(2)의 동심원을 따른 진공 용기(1)의 단면을 도시하고 있다. 도 4에 도시되는 바와 같이, 천장판(11)의 이면에 볼록 형상부(4)가 설치되어 있다. 이 때문에, 진공 용기(1) 내에는, 볼록 형상부(4)의 하면인 평탄한 낮은 천장면(제1 천장면(44))과, 제1 천장면(44)의 주위 방향 양측에 위치하는, 제1 천장면(44)보다 높은 천장면(제2 천장면(45))이 존재한다. 제1 천장면(44)은, 정상부가 원호 형상으로 절단된 부채형의 평면 형상을 갖고 있다. 또한, 도시하는 바와 같이, 볼록 형상부(4)에는 주위 방향 중앙에 있어서, 반경 방향으로 신장되도록 형성된 홈부(43)가 형성되고, 분리 가스 노즐(42)이 홈부(43) 내에 수용되어 있다. 또 하나의 볼록 형상부(4)에도 마찬가지로 홈부(43)가 형성되고, 홈부(43)에 분리 가스 노즐(41)이 수용되어 있다. 또한, 제2 천장면(45)의 하방의 공간에 반응 가스 노즐(31, 32)이 각각 마련되어 있다. 이들 반응 가스 노즐(31, 32)은, 제2 천장면(45)으로부터 이격되어 웨이퍼(W)의 근방에 마련되어 있다. 도 4에 도시되는 바와 같이, 볼록 형상부(4)의 우측의 제2 천장면(45)의 하방의 공간(481)에 반응 가스 노즐(31)이 마련되고, 좌측의 제2 천장면(45)의 하방의 공간(482)에 반응 가스 노즐(32)이 마련되어 있다.
또한, 볼록 형상부(4)의 홈부(43)에 수용되는 분리 가스 노즐(42)에는, 회전 테이블(2)을 향해 개구되는 복수의 토출 구멍(42h)(도 4 참조)이 분리 가스 노즐(42)의 길이 방향을 따라, 예를 들어 10㎜의 간격으로 배열되어 있다. 또한, 또 하나의 볼록 형상부(4)의 홈부(43)에 수용되는 분리 가스 노즐(41)에도 마찬가지로, 회전 테이블(2)을 향해 개구되는 복수의 토출 구멍(41h)이 분리 가스 노즐(41)의 길이 방향을 따라, 예를 들어 10㎜의 간격으로 배열되어 있다.
제1 천장면(44)은, 좁은 공간인 분리 공간 H를 회전 테이블(2)에 대해 형성한다. 분리 가스 노즐(42)의 토출 구멍(42h)으로부터 Ar 가스가 공급되면, Ar 가스는 분리 공간 H를 통해 공간(481, 482)을 향해 흐른다. 이때, 분리 공간 H의 용적은 공간(481, 482)의 용적보다 작기 때문에, Ar 가스에 의해 분리 공간 H의 압력을 공간(481, 482)의 압력에 비해 높게 할 수 있다. 즉, 공간(481, 482) 사이에 압력이 높은 분리 공간 H가 형성된다. 또한, 분리 공간 H로부터 공간(481, 482)으로 흘러 나오는 Ar 가스가, 아미노실란 가스 흡착 영역(P1)으로부터의 아미노실란 가스와, 산화 가스 공급 영역(P2)으로부터의 산화 가스에 대한 카운터 플로로서 작용한다. 따라서, 아미노실란 가스 흡착 영역(P1)으로부터의 아미노실란 가스와, 산화 가스 공급 영역(P2)으로부터의 산화 가스가 분리 공간 H에 의해 분리된다. 따라서, 진공 용기(1) 내에 있어서 아미노실란 가스와 산화 가스가 혼합하여, 반응하는 것이 억제된다.
회전 테이블(2)의 상면에 대한 제1 천장면(44)의 높이 h1은, 성막 시의 진공 용기(1) 내의 압력, 회전 테이블(2)의 회전 속도, 분리 가스(Ar 가스)의 유량 등을 고려하여, 분리 공간 H의 압력을 공간(481, 482)의 압력에 비해 높게 하는 데 적합한 높이로 설정된다.
한편, 천장판(11)의 하면에는, 회전 테이블(2)을 고정하는 코어부(21)의 외주를 둘러싸는 돌출부(5)(도 2 및 도 3)가 마련되어 있다. 돌출부(5)는, 일 실시 형태에 있어서는, 볼록 형상부(4)에 있어서의 회전 중심측의 부위와 연속되어 있고, 그 하면이 제1 천장면(44)과 동일한 높이로 형성되어 있다.
앞서 참조한 도 1은, 도 3의 I-I'선을 따른 단면도이며, 제2 천장면(45)이 마련되어 있는 영역을 도시하고 있다. 한편, 도 5는, 제1 천장면(44)이 마련되어 있는 영역을 도시하는 단면도다. 도 5에 도시되는 바와 같이, 부채형의 볼록 형상부(4)의 주연(진공 용기(1)의 외연측의 부위)에는, 회전 테이블(2)의 외측 단부면에 대향하도록 L자형으로 굴곡되는 굴곡부(46)가 형성되어 있다. 굴곡부(46)는, 볼록 형상부(4)와 마찬가지로, 분리 영역(D)의 양측으로부터 반응 가스가 침입하는 것을 억제하여, 아미노실란 가스와 산화 가스의 혼합을 억제한다. 부채형의 볼록 형상부(4)는 천장판(11)에 마련되고, 천장판(11)을 용기 본체(12)로부터 떼어낼 수 있도록 되어 있다는 점에서, 굴곡부(46)의 외주면과 용기 본체(12) 사이에는 약간 간극이 있다. 굴곡부(46)의 내주면과 회전 테이블(2)의 외측 단부면의 간극, 및 굴곡부(46)의 외주면과 용기 본체(12)의 간극은, 예를 들어 회전 테이블(2)의 상면에 대한 제1 천장면(44)의 높이와 마찬가지의 치수로 설정되어 있다.
용기 본체(12)의 내주벽은, 분리 영역(D)에 있어서는, 굴곡부(46)의 외주면과 접근하여 수직면으로 형성되어 있지만(도 5), 분리 영역(D) 이외의 부위에 있어서는, 예를 들어 회전 테이블(2)의 외측 단부면과 대향하는 부위로부터 저부(14)에 걸쳐 외측으로 오목하게 들어가 있다(도 1). 이하, 설명의 편의상, 대략 직사각형의 단면 형상을 갖는 오목하게 들어간 부분을 배기 영역 E라고 기재한다. 구체적으로는, 아미노실란 가스 흡착 영역(P1)에 연통되는 배기 영역을 제1 배기 영역(E1)이라고 기재하고, 산화 가스 공급 영역(P2)에 연통되는 영역을 제2 배기 영역(E2)이라고 기재한다. 이들 제1 배기 영역(E1) 및 제2 배기 영역(E2)의 저부에는, 도 1 내지 도 3에 도시되는 바와 같이, 각각, 제1 배기구(61) 및 제2 배기구(62)가 형성되어 있다. 제1 배기구(61) 및 제2 배기구(62)는, 도 1에 도시되는 바와 같이 각각 배기관(63)을 통해 진공 배기부인 예를 들어 진공 펌프(64)에 접속되어 있다. 또한 도 1 중, 압력 제어기(65)가 나타나 있다.
회전 테이블(2)과 진공 용기(1)의 저부(14) 사이의 공간에는, 도 1 및 도 5에 도시되는 바와 같이 가열부인 히터 유닛(7)이 마련되고, 회전 테이블(2)을 통해 회전 테이블(2) 상의 웨이퍼(W)가, 프로세스 레시피로 정해진 온도(예를 들어 400℃)로 가열된다. 회전 테이블(2)의 주연 부근의 하방에는, 원환상의 커버 부재(71)가 마련되어 있다(도 5). 커버 부재(71)는, 회전 테이블(2)의 상방 공간으로부터 제1 배기 영역(E1) 및 제2 배기 영역(E2)에 이를 때까지의 분위기와 히터 유닛(7)이 놓여 있는 분위기를 구획하여 회전 테이블(2)의 하방 영역으로의 가스의 침입을 억제한다. 커버 부재(71)는, 회전 테이블(2)의 외연 및 외연보다 외주측을 하방으로부터 면하도록 마련된 내측 부재(71a)와, 내측 부재(71a)와 진공 용기(1)의 내주면 사이에 마련된 외측 부재(71b)를 구비하고 있다. 외측 부재(71b)는, 분리 영역(D)에 있어서 볼록 형상부(4)의 외연에 형성된 굴곡부(46)의 하방에서, 굴곡부(46)와 근접하여 마련되어 있다. 내측 부재(71a)는, 회전 테이블(2)의 외연 하방(및 외연보다 약간 외측의 부분의 하방)에 있어서, 히터 유닛(7)을 전체 주위에 걸쳐 둘러싸고 있다.
히터 유닛(7)이 배치되어 있는 공간보다 회전 중심측의 부위에 있어서의 저부(14)는, 회전 테이블(2)의 하면의 중심부 부근에 있어서의 코어부(21)에 접근하도록 상방으로 돌출되어 돌출부(12a)를 이루고 있다. 돌출부(12a)와 코어부(21) 사이는 좁은 공간으로 되어 있고, 또한 저부(14)를 관통하는 회전축(22)의 관통 구멍의 내주면과 회전축(22)의 간극이 좁게 되어 있어, 이들 좁은 공간은 케이스체(20)에 연통되어 있다. 그리고 케이스체(20)에는 퍼지 가스인 Ar 가스를 좁은 공간 내에 공급하여 퍼지하기 위한 퍼지 가스 공급관(72)이 마련되어 있다. 또한 진공 용기(1)의 저부(14)에는, 히터 유닛(7)의 하방에 있어서 주위 방향으로 소정의 각도 간격으로, 히터 유닛(7)의 배치 공간을 퍼지하기 위한 복수의 퍼지 가스 공급관(73)이 마련되어 있다(도 5에는 하나의 퍼지 가스 공급관(73)을 나타냄). 또한, 히터 유닛(7)과 회전 테이블(2) 사이에는, 히터 유닛(7)이 마련된 영역으로의 가스의 침입을 억제하기 위해, 외측 부재(71b)의 내주벽(내측 부재(71a)의 상면)으로부터 돌출부(12a)의 상단 사이를 주위 방향에 걸쳐 덮는 덮개 부재(7a)가 마련되어 있다. 덮개 부재(7a)는, 예를 들어 석영에 의해 형성되어 있다.
또한, 진공 용기(1)의 천장판(11)의 중심부에는 분리 가스 공급관(51)이 접속되어 있어, 천장판(11)과 코어부(21) 사이의 공간(52)에 분리 가스인 Ar 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 공간(52)에 공급된 분리 가스는, 돌출부(5)와 회전 테이블(2)의 좁은 간극(50)을 통해 회전 테이블(2)의 웨이퍼 적재 영역측의 표면을 따라 주연을 향해 토출된다. 간극(50)은 분리 가스에 의해 공간(481, 482)보다 높은 압력으로 유지될 수 있다. 따라서, 간극(50)에 의해, 아미노실란 가스 흡착 영역(P1)에 공급되는 아미노실란 가스와 산화 가스 공급 영역(P2)에 공급되는 산화 가스가, 중심 영역 C를 통해 혼합되는 것이 억제된다. 즉, 간극(50)(또는 중심 영역 C)은 분리 공간 H(또는 분리 영역(D))와 마찬가지로 기능한다.
또한, 진공 용기(1)의 측벽에는, 도 2 및 도 3에 도시되는 바와 같이, 외부의 반송 암(10)과 회전 테이블(2) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 반송구(15)가 형성되어 있다. 반송구(15)는, 도시하지 않은 게이트 밸브에 의해 개폐된다. 회전 테이블(2)의 하방에는, 웨이퍼(W)의 전달 위치에 대응하는 부위에, 오목부(24)를 관통하여 웨이퍼(W)를 이면으로부터 들어올리기 위한 전달용 승강 핀 및 그 승강 기구(모두 도시하지 않음)가 마련되어 있다.
다음으로, 도 6부터 도 8까지를 참조하면서, 플라스마 발생원(80)에 대해 설명한다. 도 6은, 도 1의 성막 장치에 마련되는 플라스마 발생원(80)의 단면도이며, 회전 테이블(2)의 반경 방향을 따른 플라스마 발생원(80)의 단면을 도시한다. 도 7은, 도 1의 성막 장치에 마련되는 플라스마 발생원(80)의 다른 단면도이며, 회전 테이블(2)의 반경 방향과 직교하는 방향을 따른 플라스마 발생원(80)의 단면을 도시한다. 도 8은, 도 1의 성막 장치에 마련되는 플라스마 발생원(80)의 상면도다. 도시의 편의상, 이들 도면에 있어서 일부의 부재를 간략화하고 있다.
도 6을 참조하면, 플라스마 발생원(80)은, 프레임 부재(81)와, 패러데이 차폐판(82)과, 절연판(83)과, 안테나(85)를 구비한다. 프레임 부재(81)는, 고주파 투과성 재료로 제작되고, 상면으로부터 오목하게 들어간 오목부를 갖고, 천장판(11)에 형성된 개구부(11a)에 끼움 삽입된다. 패러데이 차폐판(82)은, 프레임 부재(81)의 오목부 내에 수용되고, 상부가 개구된 대략 상자형의 형상을 갖는다. 절연판(83)은, 패러데이 차폐판(82)의 저면 상에 배치된다. 안테나(85)는, 절연판(83)의 상방에 지지되고, 대략 팔각형의 평면 형상을 갖는 코일 형상으로 형성되어 있다.
천장판(11)의 개구부(11a)는 복수의 단차부를 갖고 있고, 그 중 하나의 단차부에는 전체 주위에 걸쳐 홈부가 형성되고, 홈부에 예를 들어 O-링 등의 시일 부재(81a)가 끼움 삽입되어 있다. 한편, 프레임 부재(81)는, 개구부(11a)의 단차부에 대응하는 복수의 단차부를 갖는다. 이에 의해, 프레임 부재(81)를 개구부(11a)에 끼움 삽입하면, 복수의 단차부 중 하나의 단차부의 이면이 개구부(11a)의 홈부에 끼움 삽입된 시일 부재(81a)와 접하여, 천장판(11)과 프레임 부재(81) 사이의 기밀성이 유지된다. 또한, 도 6에 도시되는 바와 같이, 천장판(11)의 개구부(11a)에 끼움 삽입되는 프레임 부재(81)의 외주를 따른 압박 부재(81c)가 마련되고, 이에 의해 프레임 부재(81)이 천장판(11)에 대해 하방으로 압박된다. 이 때문에, 천장판(11)과 프레임 부재(81) 사이의 기밀성이 더 확실하게 유지된다.
프레임 부재(81)의 하면은, 진공 용기(1) 내의 회전 테이블(2)에 대향하고 있고, 그 하면의 외주에는 전체 둘레에 걸쳐 하방으로(회전 테이블(2)을 향해) 돌기하는 돌기부(81b)가 마련되어 있다. 돌기부(81b)의 하면은 회전 테이블(2)의 표면에 근접하고 있고, 돌기부(81b)와, 회전 테이블(2)의 표면과, 프레임 부재(81)의 하면에 의해 회전 테이블(2)의 상방에 플라스마 처리 영역(P3)이 구획 형성되어 있다. 또한, 돌기부(81b)의 하면과 회전 테이블(2)의 표면의 간격은, 분리 공간 H(도 4)에 있어서의 제1 천장면(44)의 회전 테이블(2)의 상면에 대한 높이 h1과 거의 동일해도 된다.
또한, 플라스마 처리 영역(P3)에는, 돌기부(81b)를 관통한 반응 가스 노즐(33)이 연장되어 있다. 반응 가스 노즐(33)에는, 일 실시 형태에 있어서는, 도 6에 도시되는 바와 같이, Ar 가스가 충전되는 아르곤 가스 공급원(90)과, He 가스가 충전되는 헬륨 가스 공급원(91)과, O2 가스가 충전되는 산소 가스 공급원(92)이 접속되어 있다. 아르곤 가스 공급원(90), 헬륨 가스 공급원(91) 및 산소 가스 공급원(92)으로부터, 대응하는 유량 제어기(93, 94, 95)에 의해 유량이 제어된 Ar 가스, He 가스 및 O2 가스가, 소정의 유량비(혼합비)로 플라스마 처리 영역(P3)에 공급된다.
또한, 반응 가스 노즐(33)에는, 그 길이 방향을 따라 소정 간격(예를 들어 10㎜)으로 복수의 토출 구멍(33h)이 형성되어 있고, 토출 구멍(33h)으로부터 전술한 Ar 가스, He 가스 및 O2 가스가 토출된다. 토출 구멍(33h)은, 도 7에 도시되는 바와 같이, 회전 테이블(2)에 대해 수직인 방향으로부터 회전 테이블(2)의 회전 방향의 상류측을 향해 기울어져 있다. 이 때문에, 반응 가스 노즐(33)로부터 공급되는 혼합 가스는, 회전 테이블(2)의 회전 방향과 역의 방향으로, 구체적으로는 돌기부(81b)의 하면과 회전 테이블(2)의 표면 사이의 간극을 향해 토출된다. 이에 의해, 회전 테이블(2)의 회전 방향을 따라 플라스마 발생원(80)보다 상류측에 위치하는 제2 천장면(45)의 하방의 공간으로부터 산화 가스나 분리 가스가, 플라스마 처리 영역(P3) 내로 유입되는 것이 억제된다. 또한, 상술한 바와 같이, 프레임 부재(81)의 하면의 외주를 따라 형성되는 돌기부(81b)가 회전 테이블(2)의 표면에 근접해 있기 때문에, 반응 가스 노즐(33)로부터의 가스에 의해 플라스마 처리 영역(P3) 내의 압력을 용이하게 높게 유지할 수 있다. 이것에 의해서도, 산화 가스나 분리 가스가 플라스마 처리 영역(P3) 내로 유입되는 것이 억제된다.
패러데이 차폐판(82)은, 금속 등의 도전성 재료로 제작되고, 도시는 생략하지만 접지되어 있다. 도 8에 명확하게 도시되어 있는 바와 같이, 패러데이 차폐판(82)의 저부에는, 복수의 슬릿(82s)이 형성되어 있다. 각 슬릿(82s)은, 대략 팔각형의 평면 형상을 갖는 안테나(85)의 대응하는 변과 거의 직교하도록 연장되어 있다.
또한, 패러데이 차폐판(82)은, 도 7 및 도 8에 도시되는 바와 같이, 상단의 2개소에 있어서 외측으로 절곡되는 지지부(82a)를 갖고 있다. 지지부(82a)가 프레임 부재(81)의 상면에 지지됨으로써, 프레임 부재(81) 내의 소정 위치에 패러데이 차폐판(82)이 지지된다.
절연판(83)은, 예를 들어 석영 유리로 제작되고, 패러데이 차폐판(82)의 저면보다 약간 작은 크기를 갖고, 패러데이 차폐판(82)의 저면에 적재된다. 절연판(83)은, 패러데이 차폐판(82)과 안테나(85)를 절연하는 한편, 안테나(85)로부터 방사되는 고주파를 하방으로 투과시킨다.
안테나(85)는, 평면 형상이 대략 팔각형이 되도록 구리제의 중공관(파이프)을 예를 들어 3중으로 권회함으로써 형성된다. 파이프 내에 냉각수를 순환시킬 수 있고, 이에 의해 안테나(85)로 공급되는 고주파에 의해 안테나(85)가 고온으로 가열되는 것이 방지된다. 또한, 안테나(85)에는 기립 설치부(85a)가 마련되어 있고, 기립 설치부(85a)에 지지부(85b)가 설치되어 있다. 지지부(85b)에 의해, 안테나(85)가 패러데이 차폐판(82) 내의 소정 위치에 유지된다. 또한, 지지부(85b)에는, 매칭 박스(86)를 통해 고주파 전원(87)이 접속되어 있다. 고주파 전원(87)은, 예를 들어 13.56㎒의 주파수를 갖는 고주파를 발생한다.
이러한 플라스마 발생원(80)에 의하면, 매칭 박스(86)를 통해 고주파 전원(87)으로부터 안테나(85)에 고주파 전력을 공급하면, 안테나(85)에 의해 전자계가 발생한다. 전자계 중 전계 성분은, 패러데이 차폐판(82)에 의해 차폐되므로, 하방으로 전파할 수는 없다. 한편, 자계 성분은 패러데이 차폐판(82)의 복수의 슬릿(82s)을 통해 플라스마 처리 영역(P3) 내로 전파한다. 자계 성분에 의해, 반응 가스 노즐(33)로부터 소정의 유량비(혼합비)로 플라스마 처리 영역(P3)에 공급되는 개질 가스로부터 플라스마가 발생한다. 이와 같이 하여 발생하는 플라스마에 의하면, 웨이퍼(W) 상에 퇴적되는 박막에 대한 조사 손상이나, 진공 용기(1) 내의 각 부재의 손상 등을 저감할 수 있다.
또한, 성막 장치에는, 도 1에 도시되는 바와 같이, 장치 전체의 동작의 컨트롤을 행하기 위한 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)가 마련되어 있다. 제어부(100)의 메모리 내에는, 제어부(100)의 제어하에, 후술하는 성막 방법을 성막 장치에 실시시키는 프로그램이 저장되어 있다. 프로그램은, 후술하는 성막 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있다. 프로그램은, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 광자기 디스크, 메모리 카드, 플렉시블 디스크 등의 매체(102)에 기억되어 있고, 소정의 판독 장치에 의해 기억부(101)에 읽어들여져, 제어부(100) 내에 인스톨된다.
다음으로, 플라스마 발생원(80)으로 생성되는 플라스마에 의해 활성화되는 개질 가스에 대해 설명한다. 일반적으로, 아미노실란 가스를 원료 가스로 하여 실리콘 산화막(SiO2막)을 성막하는 경우, 수산기(OH기)가 흡착 사이트가 되어, OH기 상에 아미노실란 가스는 흡착된다. 그러나 웨이퍼(W)의 표면에 트렌치, 비아 등의 오목부가 형성되고, 당해 오목부에 메움 성막을 행하는 경우, 오목부의 상부의 개구를 폐색하여 내부에 보이드가 형성되지 않도록 하기 위해, 오목부의 저면으로부터 점점 상방으로 성막이 진행되는 보텀 업 성막이 바람직하다. 이러한 보텀 업 성막을 행하기 위해서는, OH기를 웨이퍼(W)의 표면에 형성시키지 않을 필요가 있다. 예를 들어, 개질 가스로서 수소(H2) 가스와 O2 가스의 혼합 가스(이하 「H2/O2 가스」라고 함)를 플라스마에 의해 활성화시키면, 막질이 양호한 실리콘 산화막을 성막할 수 있다. 그러나 개질 가스로서 H2/O2 가스를 사용하면, H2/O2로부터 OH기가 생성되어, 웨이퍼(W)의 상면에 아미노실란 가스의 흡착 사이트인 OH기가 형성되어 버리므로, 보텀 업 성막이 곤란하다.
또한, 보텀 업 성막을 행하기 위해, H2 가스를 포함하지 않는 개질 가스, 예를 들어 Ar 가스와 O2 가스의 혼합 가스(이하 「Ar/O2 가스」라고 함)가 사용되는 경우가 있다. 그러나 개질 가스로서 Ar/O2 가스를 사용하면, 이후의 에칭 공정, 예를 들어 건식 에칭에 의해 오목부 내에 메워진 실리콘 산화막의 일부를 에칭하여 제거하는 공정에 있어서, 오목부 내에 심(이음매)이 발생하는 경우가 있다.
그래서 일 실시 형태에서는, He 가스와 O2 가스의 혼합 가스(이하 「He/O2 가스」라고 함)를 플라스마에 의해 활성화시켜 공급하는 개질 처리를 포함하는 공정에 의해 실리콘 산화막을 성막하여, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 오목부 내에 충전한다(메우기). 이와 같이, 개질 처리에 있어서 플라스마에 의해 활성화된 He/O2 가스를 사용하면, 이후의 에칭 공정, 예를 들어 건식 에칭에 의해 오목부 내에 메워진 실리콘 산화막의 일부를 에칭하여 제거하는 공정에 있어서 오목부 내에 심이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
He/O2 가스를 플라스마에 의해 활성화시켜 공급함으로써 이후의 에칭 공정에 의해 심이 발생하기 어려운 메커니즘은, 이하와 같이 생각된다. 첫 번째로, He의 이온화 에너지는 Ar의 이온화 에너지의 1.6배이므로, 개질 효과가 강하다. 그 때문에, He/O2 가스를 사용함으로써 Ar/O2 가스를 사용하는 것보다 막질이 양호한(예를 들어 치밀한) 실리콘 산화막을 형성할 수 있다. 그 결과, 에칭 내성이 높아져, 이후의 에칭 공정에 있어서 오목부 내에 심이 발생하는 것이 억제된다. 두 번째로, 400℃에서, He의 평균 자유 공정(MFP: Mean Free Path)이 Ar의 평균 자유 공정의 2.7배이므로, Ar에 비해 He는 오목부의 안쪽까지 도달하기 쉽다. 그 때문에, 실리콘 산화막이 대략 V자 형상으로 오목부에 메워져 가는 과정에 있어서, 실리콘 산화막의 표면끼리가 결합될 때의 결합 표면의 막질이 양호해진다. 그 결과, 이후의 에칭 공정에 있어서 당해 결합 표면의 에칭 내성이 높아져, 오목부 내에 심이 발생하는 것이 억제된다.
(성막 방법)
일 실시 형태의 성막 방법에 대해, 전술한 성막 장치를 사용하여 실리콘 산화막을 성막하는 경우를 예로 들어 설명한다. 도 9 및 도 10은, 일 실시 형태의 성막 방법을 설명하기 위한 모식도다. 일 실시 형태에서는, 도 9의 (a)에 도시되는 바와 같이, 표면에 트렌치(T)가 형성된 웨이퍼(W)의 트렌치(T)에 실리콘 산화막을 메워 성막하는 경우를 예로 들어 설명한다. 또한, 트렌치(T)는, 웨이퍼(W)의 표면(U)에 형성되어 있는 오목부의 일례이며, 트렌치(T) 외에, 비아 홀 등이 형성되어 있어도 된다.
먼저, 게이트 밸브를 개방하고, 외부로부터 반송 암(10)에 의해 반송구(15)를 통해 웨이퍼(W)를 회전 테이블(2)의 오목부(24) 내에 전달한다. 웨이퍼(W)의 전달은, 오목부(24)가 반송구(15)에 면하는 위치에 정지하였을 때에 오목부(24)의 저면의 관통 구멍을 통해 진공 용기(1)의 저부측으로부터 승강 핀이 승강함으로써 행해진다. 이러한 웨이퍼(W)의 전달을, 회전 테이블(2)을 간헐적으로 회전시켜 행하여, 회전 테이블(2)의 5개의 오목부(24) 내에 각각 웨이퍼(W)를 적재한다.
계속해서 게이트 밸브를 폐쇄하고, 진공 펌프(64)에 의해 도달 가능 진공도까지 진공 용기(1) 내를 배기한다. 그 후, 분리 가스 노즐(41, 42)로부터 분리 가스로서 Ar 가스를 소정 유량으로 토출시키고, 분리 가스 공급관(51) 및 퍼지 가스 공급관(72)으로부터 Ar 가스를 소정 유량으로 토출시킨다. 또한, 압력 제어기(65)에 의해 진공 용기(1) 내를 미리 설정한 처리 압력으로 제어한다. 이어서, 회전 테이블(2)을 시계 방향으로 예를 들어 5rpm의 회전 속도로 회전시키면서 히터 유닛(7)에 의해 웨이퍼(W)를 예를 들어 400℃로 가열한다.
이 후, 반응 가스 노즐(31)로부터 아미노실란 가스를 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터 O3 가스를 공급한다. 또한, 반응 가스 노즐(33)로부터 He/O2 가스를 공급하고, 플라스마 발생원(80)의 안테나(85)에 대해 13.56㎒의 주파수를 갖는 고주파를 예를 들어 4000W의 전력으로 공급한다. 이에 의해, 플라스마 발생원(80)과 회전 테이블(2) 사이의 플라스마 처리 영역(P3)에 있어서 산소 플라스마가 생성된다. 산소 플라스마에는, 산소 이온이나 산소 라디칼 등의 활성종이나, 고에너지 입자가 생성되어 있다.
회전 테이블(2)의 회전에 의해, 웨이퍼(W)는, 아미노실란 가스 흡착 영역(P1), 분리 영역(D), 산화 가스 공급 영역(P2), 플라스마 처리 영역(P3) 및 분리 영역(D)을 이 순서로 반복하여 통과한다. 아미노실란 가스 흡착 영역(P1)에 있어서, 도 9의 (b)에 도시되는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면(U)이나 트렌치(T)의 내면에 아미노실란 가스의 분자(Ms)가 흡착되어, 아미노실란의 분자층(110)이 형성된다. 분리 영역(D)을 통과한 후, 산화 가스 공급 영역(P2)에 있어서, 도 9의 (c)에 도시되는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면(U)이나 트렌치(T)의 내면에 흡착된 아미노실란 가스가 O3 가스 분자(Mo)에 의해 산화된다. 이에 의해, 도 9의 (d)에 도시되는 바와 같이, 트렌치(T)의 내면을 따라 실리콘 산화막(111)의 층이 성막된다. 또한, 아미노실란 가스가 산화될 때에는, 부생성물로서 OH기 Hy가 생성되어, 생성된 OH기 Hy는 실리콘 산화막(111)의 표면에 흡착된다.
이어서, 플라스마 발생원(80)의 플라스마 처리 영역(P3)에 웨이퍼(W)가 도달하면, 웨이퍼(W)는, 도 9의 (e)에 도시되는 바와 같이, 산소 플라스마(Po)에 폭로된다. 이때, 실리콘 산화막(111)에 흡착된 OH기 Hy의 일부는, 산소 플라스마(Po) 중의 예를 들어 고에너지 입자의 충돌에 의해 실리콘 산화막(111)의 층으로부터 탈리된다. 산소 플라스마(Po)는, 웨이퍼(W)의 표면(U)이나, 트렌치(T)의 개구 부근에는 도달하지만, 트렌치(T)의 저부 부근까지는 도달하기 어렵다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면(U)과 트렌치(T)의 개구 부근의 측면에 있어서, 비교적 다량의 OH기 Hy가 탈리된다. 그 결과, 도 9의 (e)에 도시되는 바와 같이, 트렌치(T)의 저부 및 저부 부근의 측면에 있어서 OH기 Hy의 밀도가 높고, 트렌치(T)의 개구 및 웨이퍼(W)의 표면(U)을 향해 밀도가 낮아지도록 OH기 Hy가 분포된다. 이때, 개질 가스로서 He/O2 가스를 플라스마에 의해 활성화시켜 공급한다. 이에 의해, 전술한 바와 같이, 이후의 에칭 공정에 의해 심이 발생하기 어려운 실리콘 산화막(111)을 성막할 수 있다.
다음으로, 회전 테이블(2)의 회전에 의해 웨이퍼(W)가 아미노실란 가스 흡착 영역(P1)에 다시 도달하면, 반응 가스 노즐(31)로부터 공급되는 아미노실란 가스의 분자(Ms)가 웨이퍼(W)의 표면(U)이나 트렌치(T)의 내면에 흡착된다. 이때, 아미노실란 가스의 분자(Ms)는, OH기 Hy에 흡착되기 쉬우므로, 도 9의 (f)에 도시되는 바와 같이, OH기 Hy의 분포에 따른 분포로 웨이퍼(W)의 표면(U)이나 트렌치(T)의 내면에 흡착된다. 즉, 트렌치(T)의 내면에, 트렌치(T)의 저부 및 저부 부근의 측면에 있어서 밀도가 높고, 트렌치(T)의 개구를 향해 밀도가 낮아지도록 아미노실란 가스의 분자(Ms)가 흡착된다.
계속해서, 웨이퍼(W)가 산화 가스 공급 영역(P2)을 통과할 때, 웨이퍼(W)의 표면(U)이나 트렌치(T)의 내면에 흡착된 아미노실란 가스가 O3 가스에 의해 산화되어, 도 10의 (a)에 도시되는 바와 같이, 실리콘 산화막(111)이 또한 성막된다. 이때, 실리콘 산화막(111)의 막 두께 분포는, 트렌치(T)의 내면에 흡착된 아미노실란 가스의 밀도가 반영된다. 즉, 실리콘 산화막(111)은, 트렌치(T)의 저부 및 저부 부근의 측면에서 두꺼워지고, 트렌치(T)의 개구를 향해 얇아지고 있다. 그리고 아미노실란 가스의 산화에 의해 생성된 OH기 Hy가 실리콘 산화막(111)의 표면에 흡착된다.
이어서, 웨이퍼(W)가 다시 플라스마 발생원(80)의 플라스마 처리 영역(P3)에 도달하면, 상술한 바와 같이, 트렌치(T)의 저부 및 저부 부근의 측면에 있어서 OH기 Hy의 밀도가 높고, 트렌치(T)의 개구를 향해 밀도가 낮아지도록 OH기 Hy가 분포된다.
이 후, 상술한 프로세스가 반복되면, 도 10의 (b)에 도시되는 바와 같이, 실리콘 산화막(111)은 트렌치(T)의 저부로부터 두꺼워져 간다. 실리콘 산화막(111)이 더욱 두꺼워져 가면, 도 10의 (c)에 도시되는 바와 같이, 보이드가 생기는 일 없이 트렌치(T)가 실리콘 산화막(111)으로 메워지고, 도 10의 (d)에 도시되는 바와 같이, 트렌치(T)의 메워짐이 완료된다.
이상에 설명한 바와 같이, 일 실시 형태의 성막 방법에 의하면, 플라스마 처리 영역(P3)에서 행해지는 실리콘 산화막(111)의 개질 처리에 있어서, 개질 가스로서 He/O2 가스를 플라스마에 의해 활성화시켜 공급한다. 이에 의해, 전술한 바와 같이, 이후의 에칭 공정에 의해 심이 발생하기 어려운 실리콘 산화막을 성막할 수 있다.
또한, 일 실시 형태의 성막 방법에 있어서는, 플라스마에 의해 활성화된 H2/O2 가스를 공급하고 있지 않으므로, 개질 가스에 의해 OH기가 생성되는 일이 없다. 그 때문에, 웨이퍼(W)의 표면(U) 상의 실리콘 산화막의 막 두께는 얇게 형성되는 경향이 있어, 보텀 업 성막이 행해진다.
또한, 상술한 성막 처리를 행하기 전에, 웨이퍼(W)의 표면에 하지막으로서 실리콘 질화막이 미리 형성되어 있고, 하지막 상에 도 9 및 도 10에서 설명한 성막 처리를 행하도록 해도 된다.
또한, 상술한 성막 처리에 앞서, Ar/O2 가스에 의한 개질 처리를 포함하는 ALD 프로세스에 의해 실리콘 산화막을 성막하는 공정을 행하는 것이 바람직하다. 플라스마에 의해 활성화된 Ar/O2 가스는, 플라스마에 의해 활성화된 He/O2 가스보다 웨이퍼(W)의 표면을 산화시키는 작용이 작다. 그 때문에, 웨이퍼(W)의 산화를 억제하면서 실리콘 산화막을 성막할 수 있다. 그 결과, 이후의 에칭 공정에 있어서, 트렌치(T) 내에 메워진 실리콘 산화막(111)의 일부를 에칭하여 제거할 때, 웨이퍼(W)가 에칭되는 것을 억제하여, 트렌치(T)의 코너가 둥그스름해지는 것을 억제할 수 있다. 이에 비해, 웨이퍼(W)의 표면이 산화되어 있으면, 이후의 에칭 공정에 있어서 실리콘 산화막(111)의 일부를 에칭하여 제거할 때, 실리콘 산화막(111)과 함께 웨이퍼(W)의 표면이 에칭되어, 트렌치(T)의 코너가 둥그스름해진다. 또한, Ar/O2 가스에 의한 개질 처리를 포함하는 ALD 프로세스는, 전술한 He/O2 가스에 의한 개질 처리를 포함하는 ALD 프로세스에 있어서의 개질 가스를 He/O2 가스로부터 Ar/O2 가스로 변경함으로써 실행할 수 있다. 또한, Ar/O2 가스에 의한 개질 처리를 포함하는 ALD 프로세스 및 He/O2 가스에 의한 개질 처리를 포함하는 ALD 프로세스는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 대기에 폭로하는 일 없이 연속하여 행해진다.
또한, 상기한 성막 방법에서는, He/O2 가스를 플라스마에 의해 활성화하여 공급하고, 실리콘 산화막의 개질 처리를 행하는 경우를 나타냈지만, 개질 처리에 사용되는 가스는 He 가스 및 O2 가스를 포함하고 있으면 되고, 다른 가스(예를 들어, Ar 가스)를 추가로 포함하고 있어도 된다.
(실시예)
일 실시 형태의 성막 방법을 실시하고, 실시 결과의 평가를 행한 실시예에 대해 설명한다. 도 11은, 실시예에 있어서의 평가 방법을 설명하기 위한 도면이다. 실시예에서는, 웨이퍼(W)로서, 표면에 트렌치(501a)가 형성된 실리콘 웨이퍼(501)를 사용하였다.
먼저, 전술한 성막 장치의 회전 테이블(2)의 오목부(24) 내에 실리콘 웨이퍼(501)를 적재하고, 분리 가스 노즐(41, 42)로부터 분리 가스로서 Ar 가스를 토출시키고, 분리 가스 공급관(51) 및 퍼지 가스 공급관(72)으로부터 Ar 가스를 토출시켰다. 또한, 압력 제어기(65)에 의해 진공 용기(1) 내를 미리 설정한 처리 압력으로 제어하였다. 이어서, 회전 테이블(2)을 시계 방향으로 회전시키면서 히터 유닛(7)에 의해 웨이퍼(W)를 처리 온도로 가열하였다.
이 후, 반응 가스 노즐(31)로부터 아미노실란 가스를 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터 산화 가스를 공급하였다. 또한, 반응 가스 노즐(33)로부터 개질 가스를 공급하고, 플라스마 발생원(80)의 안테나(85)에 대해 13.56㎒의 주파수를 갖는 고주파를 공급하였다.
그리고 회전 테이블(2)의 회전에 의해, 웨이퍼(W)를, 아미노실란 가스 흡착 영역(P1), 분리 영역(D), 산화 가스 공급 영역(P2), 플라스마 처리 영역(P3) 및 분리 영역(D)을 이 순서로 반복하여 통과시켜, 트렌치(501a) 내에 실리콘 산화막(502)을 메워 성막하였다. 도 11의 (a)는, 트렌치(501a) 내에 실리콘 산화막(502)이 메워져 성막된 상태를 도시하고 있다.
처리 조건은 이하이다.
처리 온도: 400℃
처리 압력: 240Pa(1.8Torr)
아미노실란 가스: 디이소프로필아미노실란(DIPAS) 가스
산화 가스: O3 가스
개질 가스: He/O2 가스, Ar/O2 가스
고주파 전력: 4000W
회전 테이블(2)의 회전 속도: 20rpm
계속해서, 도 11의 (b)에 도시되는 바와 같이, 화학 기계 연마(CMP: Chemical Mechanical Polishing)법에 의해, 트렌치(501a)에 메워진 실리콘 산화막(502)의 상면(502u)을 평탄화하였다.
계속해서, 도 11의 (c)에 도시되는 바와 같이, 건식 에칭법에 의해, 트렌치(501a) 내에 메워진 실리콘 산화막(502)을, 트렌치(501a)의 높이의 약 절반에 도달할 때까지 에칭하여 제거하였다.
계속해서, 투과형 전자 현미경(TEM: Transmission Electron Microscope)을 사용하여, 트렌치(501a) 내에 잔존하는 실리콘 산화막(502)에 심이 발생하였는지 여부를 확인하였다.
도 12는 실시예의 실시 결과를 나타내는 도면이며, 트렌치(501a) 내에 메워진 실리콘 산화막(502)의 단면 TEM 화상을 나타낸다. 도 12의 좌측 도면은 개질 가스로서 He/O2 가스를 사용하였을 때의 TEM 화상을 나타내고, 도 12의 우측 도면은 개질 가스로서 Ar/O2 가스를 사용하였을 때의 TEM 화상을 나타낸다.
도 12의 우측 도면에 나타내는 바와 같이, 개질 가스로서 Ar/O2 가스를 사용한 경우, 트렌치(501a) 내에 메워진 실리콘 산화막(502)에는, 큰 심이 발생하였고, 그 높이는 6.0㎜ 정도였다. 한편, 도 12의 좌측 도면에 나타내는 바와 같이, 개질 가스로서 He/O2 가스를 사용한 경우, 트렌치(501a) 내에 메워진 실리콘 산화막(502)에는, 약간의 심이 발생하였고, 그 높이는 2.0㎜ 정도였다.
이와 같이, 실시예의 결과로부터, 개질 가스로서 He/O2 가스를 사용함으로써, 건식 에칭에 의해 심이 발생하기 어려운 실리콘 산화막(502)을 트렌치(501a) 내에 메울 수 있는 것이 나타났다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기한 실시 형태는, 첨부한 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.

Claims (8)

  1. 표면에 오목부가 형성된 기판 상에 아미노실란 가스를 흡착시키는 스텝과,
    상기 기판에 산화 가스를 공급하여, 상기 기판 상에 흡착된 상기 아미노실란 가스를 산화시켜 상기 기판 상에 실리콘 산화막을 퇴적시키는 스텝과,
    상기 실리콘 산화막에 헬륨 및 산소를 포함하는 혼합 가스를 플라스마에 의해 활성화하여 공급하고, 상기 실리콘 산화막의 개질 처리를 행하는 스텝을
    갖는,
    성막 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 아미노실란 가스를 흡착시키는 스텝, 상기 실리콘 산화막을 퇴적시키는 스텝 및 상기 개질 처리를 행하는 스텝은, 주기적으로 반복되는,
    성막 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 아미노실란 가스를 흡착시키는 스텝, 상기 실리콘 산화막을 퇴적시키는 스텝 및 상기 개질 처리를 행하는 스텝은, 상기 오목부에 상기 실리콘 산화막이 충전될 때까지 반복되는,
    성막 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 아미노실란 가스를 흡착시키는 스텝, 상기 실리콘 산화막을 퇴적시키는 스텝 및 상기 개질 처리를 행하는 스텝을 반복함으로써, 상기 오목부에 상기 실리콘 산화막을 충전하는 공정에 앞서,
    상기 기판 상에 아미노실란 가스를 흡착시키는 스텝과,
    상기 기판에 산화 가스를 공급하여, 상기 기판 상에 흡착된 상기 아미노실란 가스를 산화시켜 상기 기판 상에 실리콘 산화막을 퇴적시키는 스텝과,
    상기 실리콘 산화막에 아르곤 및 산소를 포함하는 혼합 가스를 플라스마에 의해 활성화하여 공급하고, 상기 실리콘 산화막의 개질 처리를 행하는 스텝을
    반복함으로써, 상기 오목부의 표면에 상기 실리콘 산화막을 성막하는 공정이 행해지는,
    성막 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 실리콘 산화막을 성막하는 공정 및 상기 실리콘 산화막을 충전하는 공정은, 상기 기판을 대기에 폭로하는 일 없이 연속하여 행해지는,
    성막 방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 아미노실란 가스를 흡착시키는 스텝과 상기 실리콘 산화막을 퇴적시키는 스텝 사이, 및 상기 실리콘 산화막의 개질 처리를 행하는 스텝과 상기 아미노실란 가스를 흡착시키는 공정 사이에는, 상기 기판에 제1 퍼지 가스 및 제2 퍼지 가스를 공급하는 스텝이 각각 마련되어 있는,
    성막 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 기판은, 진공 용기 내에 마련된 회전 테이블 상의 주위 방향을 따라 배치되고,
    상기 진공 용기 내의 상기 회전 테이블의 상방에는, 상기 회전 테이블의 회전 방향을 따라 아미노실란 가스 흡착 영역과, 제1 분리 영역과, 산화 가스 공급 영역과, 플라스마 처리 영역과, 제2 분리 영역이 마련되고, 상기 회전 테이블을 회전시킴으로써 상기 실리콘 산화막을 성막하는 공정 및 상기 실리콘 산화막을 충전하는 공정에 있어서의 상기 아미노실란 가스를 흡착시키는 스텝, 상기 제1 퍼지 가스를 공급하는 스텝, 상기 실리콘 산화막을 퇴적시키는 스텝, 상기 실리콘 산화막의 개질 처리를 행하는 스텝 및 상기 제2 퍼지 가스를 공급하는 스텝이 반복되는,
    성막 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 표면에는, 실리콘 질화막으로 이루어지는 하지막이 미리 형성되어 있는,
    성막 방법.
KR1020200055594A 2019-05-20 2020-05-11 성막 방법 KR102668678B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-094833 2019-05-20
JP2019094833A JP7278146B2 (ja) 2019-05-20 2019-05-20 成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200133665A true KR20200133665A (ko) 2020-11-30
KR102668678B1 KR102668678B1 (ko) 2024-05-24

Family

ID=73357894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200055594A KR102668678B1 (ko) 2019-05-20 2020-05-11 성막 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11718911B2 (ko)
JP (1) JP7278146B2 (ko)
KR (1) KR102668678B1 (ko)
CN (1) CN111962041A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202021105623U1 (de) 2020-10-15 2022-01-24 Hyundai Mobis Co., Ltd. Fahrzeugcockpit-Modulanordnung

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7158337B2 (ja) * 2019-05-20 2022-10-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
CN114724923A (zh) * 2021-01-06 2022-07-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120112116A (ko) * 2011-03-29 2012-10-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치 및 성막 방법
JP2013135154A (ja) 2011-12-27 2013-07-08 Tokyo Electron Ltd 成膜方法
JP2017092265A (ja) * 2015-11-11 2017-05-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR20180109724A (ko) * 2017-03-27 2018-10-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라스마 생성 방법 및 이를 이용한 플라스마 처리 방법, 그리고 플라스마 처리 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5851603A (en) * 1997-07-14 1998-12-22 Vanguard International Semiconductor Corporation Method for making a plasma-enhanced chemical vapor deposited SiO2 Si3 N4 multilayer passivation layer for semiconductor applications
CN1142583C (zh) * 2001-05-22 2004-03-17 华邦电子股份有限公司 薄膜沉积与平坦化工艺
KR100596798B1 (ko) * 2004-12-29 2006-07-04 주식회사 하이닉스반도체 트렌치 갭필방법
US7498273B2 (en) * 2006-05-30 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Formation of high quality dielectric films of silicon dioxide for STI: usage of different siloxane-based precursors for harp II—remote plasma enhanced deposition processes
JP5287592B2 (ja) * 2009-08-11 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US8993459B2 (en) * 2012-08-31 2015-03-31 Globalfoundries Inc. Method of forming a material layer in a semiconductor structure
US20150275355A1 (en) * 2014-03-26 2015-10-01 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films
JP5750190B2 (ja) * 2014-08-11 2015-07-15 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP6817883B2 (ja) 2017-04-25 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 成膜方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120112116A (ko) * 2011-03-29 2012-10-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치 및 성막 방법
JP2013135154A (ja) 2011-12-27 2013-07-08 Tokyo Electron Ltd 成膜方法
JP2017092265A (ja) * 2015-11-11 2017-05-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR20180109724A (ko) * 2017-03-27 2018-10-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라스마 생성 방법 및 이를 이용한 플라스마 처리 방법, 그리고 플라스마 처리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202021105623U1 (de) 2020-10-15 2022-01-24 Hyundai Mobis Co., Ltd. Fahrzeugcockpit-Modulanordnung

Also Published As

Publication number Publication date
JP7278146B2 (ja) 2023-05-19
US11718911B2 (en) 2023-08-08
CN111962041A (zh) 2020-11-20
JP2020191341A (ja) 2020-11-26
KR102668678B1 (ko) 2024-05-24
US20200370178A1 (en) 2020-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5679581B2 (ja) 成膜方法
JP6968011B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
KR102198727B1 (ko) 보호막 형성 방법
KR20140005817A (ko) 성막 방법
KR102668678B1 (ko) 성막 방법
KR102264572B1 (ko) 성막 방법
KR102120528B1 (ko) 성막 방법
KR102119299B1 (ko) 성막 장치
KR102652272B1 (ko) 성막 방법
JP2020126898A (ja) 成膜方法
KR20220103630A (ko) 성막 방법 및 성막 시스템
JP7246284B2 (ja) 成膜方法
JP2024075183A (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP2024057175A (ja) 成膜方法及び成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant