KR20200131788A - Mask for forming oled picture element and mask supporting tray - Google Patents

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KR20200131788A
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Abstract

The present invention relates to a mask for forming an OLED pixel and a mask support tray which prevent deformation of the mask when attaching the mask to a frame and improve positional accuracy by reducing the deformation of the mask during welding. According to the present invention, a mask for forming an OLED pixel comprises: a mask cell on which a plurality of mask patterns are formed; and a dummy around the mask cell. A plurality of welding portions are formed at least in part of the dummy at intervals, and an anti-wrinkle pattern is formed around each of the welding portions spaced apart by a predetermined interval.

Description

OLED 화소 형성용 마스크 및 마스크 지지 트레이{MASK FOR FORMING OLED PICTURE ELEMENT AND MASK SUPPORTING TRAY}Mask for forming OLED pixels and mask supporting tray {MASK FOR FORMING OLED PICTURE ELEMENT AND MASK SUPPORTING TRAY}

본 발명은 OLED 화소 형성용 마스크 및 마스크 지지 트레이에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 마스크를 프레임과 일체를 이루도록 할 수 있고, 용접 시 마스크의 변형을 감소시켜 위치정밀도를 향상시킴으로써 각 마스크 간의 얼라인(align)을 명확하게 할 수 있는 OLED 화소 형성용 마스크 및 마스크 지지 트레이에 관한 것이다.The present invention relates to an OLED pixel forming mask and a mask supporting tray. More specifically, masks and masks for forming OLED pixels that can make the mask integral with the frame, and improve the positional accuracy by reducing the deformation of the mask during welding, thereby clarifying the alignment between each mask. It relates to a support tray.

최근에 박판 제조에 있어서 전주 도금(Electroforming) 방법에 대한 연구가 진행되고 있다. 전주 도금 방법은 전해액에 양극체, 음극체를 침지하고, 전원을 인가하여 음극체의 표면상에 금속박판을 전착시키므로, 극박판을 제조할 수 있으며, 대량 생산을 기대할 수 있는 방법이다.In recent years, research on an electroforming method in manufacturing a thin plate is in progress. The electroplating method is a method of immersing an anode body and a cathode body in an electrolyte solution, and applying power to deposit a metal thin plate on the surface of the cathode body, so that an ultra-thin plate can be manufactured and mass production can be expected.

한편, OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.Meanwhile, as a technology for forming pixels in the OLED manufacturing process, a Fine Metal Mask (FMM) method is mainly used in which an organic material is deposited at a desired location by attaching a thin metal mask to a substrate.

기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크를 스틱 형태, 플레이트 형태 등으로 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용한다. 마스크 하나에는 디스플레이 하나에 대응하는 셀이 여러개 구비될 수 있다. 또한, 대면적 OLED 제조를 위해서 여러 개의 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 고정시킬 수 있는데, 프레임에 고정하는 과정에서 각 마스크가 평평하게 되도록 인장을 하게 된다. 마스크의 전체 부분이 평평하게 되도록 인장력을 조절하는 것은 매우 어려운 작업이다. 특히, 각 셀들을 모두 평평하게 하면서, 크기가 수 내지 수십 ㎛에 불과한 마스크 패턴을 정렬하기 위해서는, 마스크의 각 측에 가하는 인장력을 미세하게 조절하면서, 정렬 상태를 실시간으로 확인하는 고도의 작업이 요구된다.In the existing OLED manufacturing process, the mask is manufactured in the form of a stick or plate, and then the mask is welded and fixed to the OLED pixel deposition frame. One mask may include several cells corresponding to one display. In addition, in order to manufacture a large area OLED, several masks can be fixed to the OLED pixel deposition frame. In the process of fixing to the frame, each mask is stretched so that it is flat. It is a very difficult task to adjust the tension so that the entire part of the mask is flat. In particular, in order to align a mask pattern with a size of only a few to tens of μm while making all the cells flat, a high level of work is required to check the alignment in real time while finely adjusting the tension applied to each side of the mask. do.

그럼에도 불구하고, 여러 개의 마스크를 하나의 프레임에 고정시키는 과정에서 마스크 상호간에, 그리고 마스크 셀들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 마스크를 프레임에 용접 고정하는 과정에서 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점, 용접 과정에서 용접 부분에 발생하는 주름, 번짐(burr) 등에 의해 마스크 셀의 정렬이 엇갈리게 되는 문제점 등이 있었다.Nevertheless, in the process of fixing several masks to one frame, there is a problem in that the alignment between the masks and the mask cells is not good. In addition, in the process of welding and fixing the mask to the frame, the thickness of the mask film is too thin and large area, so the mask is struck or distorted by the load, and wrinkles and burrs occur in the welding part during the welding process. There were problems such as misalignment.

초고화질의 OLED의 경우, 현재 QHD 화질은 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질은 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. 이렇듯 초고화질의 OLED의 화소 크기를 고려하여 각 셀들간의 정렬 오차를 수 ㎛ 정도로 감축시켜야 하며, 이를 벗어나는 오차는 제품의 실패로 이어지게 되므로 수율이 매우 낮아지게 될 수 있다. 그러므로, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 기술, 마스크를 프레임에 고정하는 기술 등의 개발이 필요한 실정이다.In the case of ultra-high-definition OLED, the current QHD quality is 500-600 PPI (pixel per inch), and the pixel size reaches about 30-50㎛, and 4K UHD, 8K UHD high-definition is higher than this, ~860 PPI, ~1600 PPI, etc. Will have a resolution of. In this way, in consideration of the pixel size of the ultra-high-definition OLED, the alignment error between cells should be reduced to about several µm, and the error beyond this leads to product failure, so the yield may be very low. Therefore, there is a need to develop a technique for preventing deformation such as a mask being struck or distorted, a technique for clarifying alignment, a technique for fixing a mask to a frame, and the like.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마스크와 프레임이 일체형 구조를 이룰 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, the present invention has been devised to solve the problems of the prior art as described above, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask in which a mask and a frame can be integrated.

또한, 본 발명은 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고 정렬을 명확하게 할 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask capable of preventing deformation such as being struck or distorted and clarifying alignment.

또한, 본 발명은 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킨 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a frame-integrated mask in which the manufacturing time is remarkably reduced and the yield is remarkably increased.

또한, 본 발명은 마스크를 프레임에 부착할 때, 마스크에 변형이 생기는 것을 방지하고 용접 시 마스크의 변형을 감소시켜 위치정밀도를 향상시키는 OLED 화소 형성용 마스크를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, it is an object of the present invention to provide a mask for forming OLED pixels that prevents deformation of the mask when attaching the mask to a frame and improves positional accuracy by reducing the deformation of the mask during welding.

본 발명의 상기의 목적은, OLED 화소 형성용 마스크로서, 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀, 및 마스크 셀 주변의 더미를 포함하고, 더미의 적어도 일부에 복수의 용접부가 간격을 이루어 형성되며, 각각의 용접부에 소정 간격 이격된 주위에 주름 방지 패턴이 형성되는, OLED 화소 형성용 마스크에 의해 달성된다.The above object of the present invention is a mask for forming an OLED pixel, including a mask cell in which a plurality of mask patterns are formed, and a dummy around the mask cell, and a plurality of welding portions are formed at intervals in at least a part of the dummy It is achieved by a mask for forming an OLED pixel, in which an anti-wrinkle pattern is formed around the weld portion spaced apart by a predetermined distance.

주름 방지 패턴은 복수의 단위 주름 방지 패턴을 포함하고, 단위 주름 방지 패턴의 적어도 일 폭은 용접부의 직경보다 작을 수 있다.The anti-wrinkle pattern may include a plurality of unit anti-wrinkle patterns, and at least one width of the unit anti-wrinkle pattern may be smaller than a diameter of the welding portion.

주름 방지 패턴과 마스크 패턴 사이에 상호 간격을 이루도록 형성되며, 마스크 패턴의 폭보다 큰 폭을 가지는 복수의 버퍼 패턴을 더 포함할 수 있다.The anti-wrinkle pattern and the mask pattern may further include a plurality of buffer patterns that are formed to form a gap between the anti-wrinkle pattern and the mask pattern and have a width greater than that of the mask pattern.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, OLED 화소 형성용 마스크를 지지하여 프레임에 대응시키는 트레이(tray)으로서, 트레이; 트레이 상에 접착된 마스크;를 포함하며, 마스크는, 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀, 및 마스크 셀 주변의 더미를 포함하고, 더미의 적어도 일부에 복수의 용접부가 간격을 이루어 형성되며, 각각의 용접부에 소정 간격 이격된 주위에 주름 방지 패턴이 형성되는, 마스크 지지 트레이에 의해 달성된다.In addition, the above object of the present invention is to support a mask for forming an OLED pixel to correspond to a frame, comprising: a tray; A mask bonded on the tray; wherein the mask includes a mask cell on which a plurality of mask patterns are formed, and a dummy around the mask cell, and a plurality of welding portions are formed at intervals on at least a portion of the dummy, and each It is achieved by a mask support tray, in which an anti-wrinkle pattern is formed around the welded portion spaced a predetermined distance.

마스크의 용접부에 대응하는 트레이의 부분에 레이저 통과공이 형성될 수 있다.A laser through hole may be formed in a portion of the tray corresponding to the welding portion of the mask.

트레이는 평판 형상이고, 마스크와 접촉하는 일면의 표면 조도(Ra)가 100nm 이하(0초과)인 재질을 포함할 수 있다.The tray has a flat plate shape and may include a material having a surface roughness Ra of 100 nm or less (greater than 0) on one surface in contact with the mask.

트레이는 웨이퍼(wafer), 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3) 중 어느 하나의 재질을 포함할 수 있다.The tray may include any one of a wafer, glass, silica, heat-resistant glass, quartz, and alumina (Al 2 O 3 ).

트레이와 마스크 사이가 접촉하는 계면에 에어갭(air gap) 형성이 방지될 수 있다.The formation of an air gap at the interface between the tray and the mask may be prevented.

주름 방지 패턴은, 용접부와 동심(同心)이고 용접부보다 큰 직경을 가지는 적어도 원주 상의 영역을 점유할 수 있다.The anti-wrinkle pattern can occupy at least a circumferential region concentric with the welded portion and having a larger diameter than the welded portion.

주름 방지 패턴은 복수의 단위 주름 방지 패턴을 포함하고, 단위 주름 방지 패턴의 적어도 일 폭은 용접부의 직경보다 작을 수 있다.The anti-wrinkle pattern may include a plurality of unit anti-wrinkle patterns, and at least one width of the unit anti-wrinkle pattern may be smaller than a diameter of the welding portion.

주름 방지 패턴과 마스크 패턴 사이에 상호 간격을 이루도록 형성되며, 마스크 패턴의 폭보다 큰 폭을 가지는 복수의 버퍼 패턴을 더 포함할 수 있다.The anti-wrinkle pattern and the mask pattern may further include a plurality of buffer patterns that are formed to form a gap between the anti-wrinkle pattern and the mask pattern and have a width greater than that of the mask pattern.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 마스크와 프레임이 일체형 구조를 이룰 수 있는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, there is an effect that the mask and the frame can form an integral structure.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고 정렬을 명확하게 할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect of preventing deformation, such as being struck or distorted, of the mask, and enabling clear alignment.

또한, 본 발명에 따르면, 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킬 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, there is an effect of remarkably reducing the manufacturing time and increasing the yield remarkably.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크를 프레임에 부착할 때, 마스크에 변형이 생기는 것을 방지하고 용접 시 마스크의 변형을 감소시켜 위치정밀도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, when the mask is attached to the frame, it is possible to prevent deformation of the mask and reduce the deformation of the mask during welding, thereby improving positioning accuracy.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 2는 종래의 마스크를 프레임에 부착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 3은 종래의 마스크를 인장하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 형태 및 마스크를 트레이 상에 접착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 여러 실시예에 따른 마스크의 주름 방지 패턴을 나타내는 개략도이다.
도 13은 비교예에 따른 마스크를 트레이 상에 접착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 14는 비교예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 16은 비교예에 따른 트레이를 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 17은 비교예에 따른 트레이를 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 부착하는 과정 및 마스크와 트레이의 계면 상태를 나타내는 개략도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이를 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 부착하는 과정 및 마스크와 트레이의 계면 상태를 나타내는 개략도이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이를 나타내는 개략도이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이를 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 순차적으로 셀 영역에 부착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 부착한 후 공정 영역의 온도를 하강시키는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
1 is a schematic diagram showing a conventional OLED pixel deposition mask.
2 is a schematic diagram showing a process of attaching a conventional mask to a frame.
3 is a schematic diagram showing that an alignment error between cells occurs in a process of tensioning a conventional mask.
4 is a front view and a side cross-sectional view showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
5 is a front view and a side cross-sectional view showing a frame according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a frame according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a frame according to another embodiment of the present invention.
8 is a schematic diagram showing a shape of a mask and a state in which the mask is adhered onto a tray according to an exemplary embodiment of the present invention.
9 to 12 are schematic diagrams showing anti-wrinkle patterns of a mask according to various embodiments of the present invention.
13 is a schematic diagram showing a state in which a mask according to a comparative example is adhered onto a tray.
14 is a schematic diagram showing a state in which a mask according to a comparative example is attached to a cell region of a frame.
15 is a schematic diagram illustrating a state in which a mask is attached to a cell area of a frame according to an exemplary embodiment of the present invention.
16 is a schematic diagram showing a state in which a tray according to a comparative example is loaded onto a frame and a mask is associated with a cell area of the frame.
17 is a schematic diagram illustrating a process of loading a tray according to a comparative example onto a frame and attaching a mask to a cell region of the frame and an interface state between the mask and the tray.
18 is a schematic diagram illustrating a process of attaching a mask to a cell area of the frame by loading a tray onto a frame according to an embodiment of the present invention, and an interface state between the mask and the tray.
19 is a schematic diagram showing a tray according to an embodiment of the present invention.
20 is a schematic diagram illustrating a state in which a tray according to an embodiment of the present invention is loaded onto a frame and a mask is associated with a cell area of the frame.
21 is a schematic diagram illustrating a process of sequentially attaching a mask to a cell area according to an embodiment of the present invention.
22 is a schematic diagram illustrating a process of lowering a temperature of a process area after attaching a mask to a cell area of a frame according to an embodiment of the present invention.
23 is a schematic diagram showing an OLED pixel deposition apparatus using a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The following description refers to the accompanying drawings, which illustrate specific embodiments in which the present invention may be practiced. These embodiments are described in detail sufficient to enable a person skilled in the art to practice the present invention. It is to be understood that the various embodiments of the present invention are different from each other, but need not be mutually exclusive. For example, specific shapes, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the present invention in relation to one embodiment. In addition, it is to be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the detailed description to be described below is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if properly described, is limited only by the appended claims, along with all scopes equivalent to those claimed by the claims. In the drawings, similar reference numerals refer to the same or similar functions over several aspects, and the length, area, thickness, and the like may be exaggerated and expressed for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to enable those of ordinary skill in the art to easily implement the present invention.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크(10)를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a conventional OLED pixel deposition mask 10.

도 1을 참조하면, 종래의 마스크(10)는 스틱형(Stick-Type) 또는 판형(Plate-Type)으로 제조될 수 있다. 도 1의 (a)에 도시된 마스크(10)는 스틱형 마스크로서, 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 1의 (b)에 도시된 마스크(100)는 판형(Plate-Type) 마스크로서, 넓은 면적의 화소 형성 공정에서 사용될 수 있다.Referring to FIG. 1, a conventional mask 10 may be manufactured in a stick-type or plate-type. The mask 10 shown in (a) of FIG. 1 is a stick-type mask, and both sides of the stick can be welded and fixed to an OLED pixel deposition frame. The mask 100 shown in (b) of FIG. 1 is a plate-type mask and may be used in a process of forming a pixel having a large area.

마스크(10)의 바디(Body)[또는, 마스크 막(11)]에는 복수의 디스플레이 셀(C)이 구비된다. 하나의 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 셀(C)에는 디스플레이의 각 화소에 대응하도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 셀(C)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(P)이 나타난다. 일 예로, 셀(C)에는 70 X 140의 해상도를 가지도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 즉, 수많은 화소 패턴(P)들은 군집을 이루어 셀(C) 하나를 구성하며, 복수의 셀(C)들이 마스크(10)에 형성될 수 있다.A plurality of display cells C are provided on the body of the mask 10 (or the mask layer 11). One cell C corresponds to one display such as a smartphone. A pixel pattern P is formed in the cell C to correspond to each pixel of the display. When the cell C is enlarged, a plurality of pixel patterns P corresponding to R, G, and B appear. For example, a pixel pattern P is formed in the cell C to have a resolution of 70 X 140. That is, a number of pixel patterns P are clustered to form one cell C, and a plurality of cells C may be formed on the mask 10.

도 2는 종래의 마스크(10)를 프레임(20)에 부착하는 과정을 나타내는 개략도이다. 도 3은 종래의 마스크(10)를 인장(F1~F2)하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다. 도 1의 (a)에 도시된 6개의 셀(C: C1~C6)을 구비하는 스틱 마스크(10)를 예로 들어 설명한다.2 is a schematic diagram showing a process of attaching the conventional mask 10 to the frame 20. 3 is a schematic diagram showing that an alignment error occurs between cells in a process of stretching the conventional mask 10 (F1 to F2). A stick mask 10 including six cells C: C1 to C6 shown in FIG. 1A will be described as an example.

도 2의 (a)를 참조하면, 먼저, 스틱 마스크(10)를 평평하게 펴야한다. 스틱 마스크(10)의 장축 방향으로 인장력(F1~F2)을 가하여 당김에 따라 스틱 마스크(10)가 펴지게 된다. 그 상태로 사각틀 형태의 프레임(20) 상에 스틱 마스크(10)를 로딩한다. 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들은 프레임(20)의 틀 내부 빈 영역 부분에 위치하게 된다. 프레임(20)은 하나의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수 있고, 복수의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수도 있다.Referring to FIG. 2A, first, the stick mask 10 must be flattened. The stick mask 10 is unfolded as it is pulled by applying a tensile force F1 to F2 in the long axis direction of the stick mask 10. In that state, the stick mask 10 is loaded on the frame 20 in the form of a square frame. Cells C1 to C6 of the stick mask 10 are located in a blank area inside the frame of the frame 20. The frame 20 may have a size such that cells C1 to C6 of one stick mask 10 are located in an empty area inside the frame, and cells C1 to C6 of a plurality of stick masks 10 are It may be large enough to be located in an internal empty area.

도 2의 (b)를 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절하면서 정렬을 시킨 후, 스틱 마스크(10) 측면의 일부를 용접(W)함에 따라 스틱 마스크(10)와 프레임(20)을 상호 연결한다. 도 2의 (c)는 상호 연결된 스틱 마스크(10)와 프레임의 측단면을 나타낸다.Referring to FIG. 2(b), after aligning while finely adjusting the tensile forces (F1 to F2) applied to each side of the stick mask 10, a part of the side of the stick mask 10 is welded (W). Accordingly, the stick mask 10 and the frame 20 are interconnected. 2C shows a cross-sectional side view of the frame and the stick mask 10 connected to each other.

도 3을 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절함에도 불구하고, 마스크 셀(C1~C3)들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 나타난다. 가령, 셀(C1~C3)들의 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상호 다르게 되거나, 패턴(P)들이 비뚤어지는 것이 그 예이다. 스틱 마스크(10)는 복수(일 예로, 6개)의 셀(C1~C6)을 포함하는 대면적이고, 수십 ㎛ 수준의 매우 얇은 두께를 가지기 때문에, 하중에 의해 쉽게 쳐지거나 뒤틀어지게 된다. 또한, 각 셀(C1~C6)들을 모두 평평하게 하도록 인장력(F1~F2)을 조절하면서, 각 셀(C1~C6)들간의 정렬 상태를 현미경을 통해 실시간으로 확인하는 것은 매우 어려운 작업이다.Referring to FIG. 3, although the tensile forces F1 to F2 applied to each side of the stick mask 10 are finely adjusted, there is a problem in that the mask cells C1 to C3 are not well aligned with each other. For example, the distances D1 to D1" and D2 to D2" between the patterns P of the cells C1 to C3 are different from each other, or the patterns P are skewed. Since the stick mask 10 has a large area including a plurality (for example, 6) of cells C1 to C6 and has a very thin thickness of several tens of µm, it is easily struck or distorted by a load. In addition, it is a very difficult task to check the alignment between each cell (C1 to C6) in real time through a microscope while adjusting the tensile force (F1 to F2) to flatten all of the cells (C1 to C6).

따라서, 인장력(F1~F2)의 미세한 오차는 스틱 마스크(10) 각 셀(C1~C3)들이 늘어나거나, 펴지는 정도에 오차를 발생시킬 수 있고, 그에 따라 마스크 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상이해지게 되는 문제점을 발생시킨다. 물론, 완벽하게 오차가 0이 되도록 정렬하는 것은 어려운 것이지만, 크기가 수 내지 수십 ㎛인 마스크 패턴(P)이 초고화질 OLED의 화소 공정에 악영향을 미치지 않도록 하기 위해서는, 정렬 오차가 3㎛를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 이렇게 인접하는 셀 사이의 정렬 오차를 PPA(pixel position accuracy)라 지칭한다.Therefore, a minute error in the tensile force (F1 to F2) may cause an error in the extent to which each of the cells (C1 to C3) of the stick mask 10 is stretched or unfolded, and accordingly, the distance D1 between the mask patterns (P) ~D1", D2 ~ D2") causes a problem that becomes different. Of course, it is difficult to completely align the error to be 0, but in order to prevent the mask pattern (P) having a size of several to tens of µm from adversely affecting the pixel process of an ultra-high-definition OLED, the alignment error should not exceed 3 µm. It is desirable not to. This alignment error between adjacent cells is referred to as PPA (pixel position accuracy).

이에 더하여, 대략 6~20개 정도의 복수의 스틱 마스크(10)들을 프레임(20) 하나에 각각 연결하면서, 복수의 스틱 마스크(10)들간에, 그리고 스틱 마스크(10)의 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태를 명확히 하는 것도 매우 어려운 작업이고, 정렬에 따른 공정 시간이 증가할 수밖에 없게 되어 생산성을 감축시키는 중대한 이유가 된다.In addition, a plurality of stick masks 10 of about 6 to 20 are connected to one frame 20, respectively, between a plurality of stick masks 10, and a plurality of cells C of the stick mask 10 It is also a very difficult task to clarify the alignment state between ~C6), and the process time according to the alignment is inevitably increased, which is a significant reason for reducing productivity.

한편, 스틱 마스크(10)를 프레임(20)에 연결 고정시킨 후에는, 스틱 마스크(10)에 가해졌던 인장력(F1~F2)이 프레임(20)에 역으로 작용할 수 있다. 즉, 인장력(F1~F2)에 의해 팽팽히 늘어났던 스틱 마스크(10)가 프레임(20)에 연결된 후에 프레임(20)에 장력(tension)을 작용할 수 있다. 보통 이 장력이 크지 않아서 프레임(20)에 큰 영향을 미치지 않을 수 있으나, 프레임(20)의 크기가 소형화되고 강성이 낮아지는 경우에는 이러한 장력이 프레임(20)을 미세하게 변형시킬 수 있다. 그리하면 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태가 틀어지는 문제가 발생할 수 있다.On the other hand, after the stick mask 10 is connected and fixed to the frame 20, the tensile forces F1 to F2 applied to the stick mask 10 may act in reverse to the frame 20. That is, after the stick mask 10, which was stretched by the tensile force F1 to F2, is connected to the frame 20, a tension may be applied to the frame 20. Usually, this tension is not large and may not have a large effect on the frame 20, but when the size of the frame 20 is reduced in size and the rigidity is lowered, this tension may finely deform the frame 20. As a result, there may be a problem of misalignment between the plurality of cells C to C6.

이에, 본 발명은 마스크(100)가 프레임(200)과 일체형 구조를 이룰 수 있게 하는 프레임(200) 및 프레임 일체형 마스크를 제안한다. 프레임(200)에 일체로 형성되는 마스크(100)는 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지되고, 프레임(200)에 명확히 정렬될 수 있다. 마스크(100)가 프레임(200)에 연결될 때 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않으므로, 마스크(100)가 프레임(200)에 연결된 후 프레임(200)이 변형될 정도의 장력을 가하지 않을 수 있다. 그리고, 마스크(100)를 프레임(200)에 일체로 연결하는 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킬 수 있는 이점을 가진다.Accordingly, the present invention proposes a frame 200 and a frame-integrated mask that enables the mask 100 to form an integral structure with the frame 200. The mask 100 integrally formed in the frame 200 is prevented from being struck or warped, and may be clearly aligned with the frame 200. Since no tensile force is applied to the mask 100 when the mask 100 is connected to the frame 200, the frame 200 may not be deformed after the mask 100 is connected to the frame 200. . In addition, the manufacturing time for integrally connecting the mask 100 to the frame 200 can be significantly reduced, and the yield can be remarkably increased.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도[도 4의 (a)] 및 측단면도[도 4의 (b)]이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도[도 5의 (a)] 및 측단면도[도 5의 (b)]이다.Figure 4 is a front view [Fig. 4 (a)] and a side cross-sectional view [Fig. 4 (b)] showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is according to an embodiment of the present invention It is a front view [FIG. 5(a)] and a side cross-sectional view [FIG. 5(b)] showing the frame.

도 4 및 도 5를 참조하면, 프레임 일체형 마스크는, 복수의 마스크(100) 및 하나의 프레임(200)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 복수의 마스크(100)들을 각각 하나씩 프레임(200)에 부착한 형태이다. 이하에서는, 설명의 편의상 사각 형태의 마스크(100)를 예로 들어 설명하나, 마스크(100)들은 프레임(200)에 부착되기 전에는 양측에 클램핑되는 돌출부를 구비한 스틱 마스크 형태일 수 있으며, 프레임(200)에 부착된 후에 돌출부가 제거될 수 있다.4 and 5, the frame-integrated mask may include a plurality of masks 100 and one frame 200. In other words, a plurality of masks 100 are attached to the frame 200, one by one. Hereinafter, for convenience of explanation, a square-shaped mask 100 will be described as an example, but the mask 100 may be in the form of a stick mask having protrusions clamped on both sides before being attached to the frame 200, and the frame 200 ), the protrusion can be removed after being attached.

각각의 마스크(100)에는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성되며, 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있다. 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응할 수 있다. 얇은 두께로 형성할 수 있도록, 마스크(100)는 전주도금(electroforming)으로 형성될 수 있다. 마스크(100)는 열팽창계수가 약 1.0 X 10-6/℃인 인바(invar), 약 1.0 X 10-7/℃ 인 슈퍼 인바(super invar) 재질일 수 있다. 이 재질의 마스크(100)는 열팽창계수가 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용될 수 있다. 이 외에, 최근에 온도 변화값이 크지 않은 범위에서 화소 증착 공정을 수행하는 기술들이 개발되는 것을 고려하면, 마스크(100)는 이보다 열팽창계수가 약간 큰 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co) 등의 재질일 수도 있다. 마스크의 두께는 약 2㎛ 내지 50㎛ 정도로 형성될 수 있다.A plurality of mask patterns P may be formed on each mask 100, and one cell C may be formed on one mask 100. One mask cell C may correspond to one display such as a smartphone. In order to form a thin thickness, the mask 100 may be formed by electroforming. Mask 100 may be a coefficient of thermal expansion of about 1.0 X 10 -6 / ℃ of invar (invar), about 1.0 X 10 -7 / ℃ Super Invar (super invar) material. Since the mask 100 made of this material has a very low coefficient of thermal expansion, it is less likely that the pattern shape of the mask may be deformed by thermal energy, so it can be used as a Fine Metal Mask (FMM) or a shadow mask in high-resolution OLED manufacturing. In addition, considering the recent development of technologies for performing a pixel deposition process in a range where the temperature change value is not large, the mask 100 is made of nickel (Ni) and nickel-cobalt (Ni-Co) having a slightly larger coefficient of thermal expansion than this. ), etc. The mask may have a thickness of about 2 μm to 50 μm.

프레임(200)은 복수의 마스크(100)를 부착시킬 수 있도록 형성된다. 프레임(200)은 최외곽 테두리를 포함해 제1 방향(예를 들어, 가로 방향), 제2 방향(예를 들어, 세로 방향)으로 형성되는 여러 모서리를 포함할 수 있다. 이러한 여러 모서리들은 프레임(200) 상에 마스크(100)가 부착될 구역을 구획할 수 있다.The frame 200 is formed to attach a plurality of masks 100. The frame 200 may include several corners formed in a first direction (eg, horizontal direction) and a second direction (eg, vertical direction) including an outermost edge. These various corners may partition a region on the frame 200 to which the mask 100 is to be attached.

프레임(200)은 대략 사각 형상, 사각틀 형상의 테두리 프레임부(210)를 포함할 수 있다. 테두리 프레임부(210)의 내부는 중공 형태일 수 있다. 즉, 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함할 수 있다. 프레임(200)은 인바, 슈퍼인바, 알루미늄, 티타늄 등의 금속 재질로 구성될 수 있으며, 열변형을 고려하여 마스크와 동일한 열팽창계수를 가지는 인바, 슈퍼 인바, 니켈, 니켈-코발트 등의 재질로 구성되는 것이 바람직하고, 이 재질들은 프레임(200)의 구성요소인 테두리 프레임부(210), 마스크 셀 시트부(220)에 모두 적용될 수 있다.The frame 200 may include a frame portion 210 having a substantially square shape or a square frame shape. The inside of the frame frame 210 may have a hollow shape. That is, the frame frame unit 210 may include a hollow region R. The frame 200 may be made of metal materials such as Invar, Super Invar, aluminum, titanium, etc., and in consideration of thermal deformation, it is composed of materials such as Invar, Super Invar, nickel, nickel-cobalt, etc., which have the same coefficient of thermal expansion as the mask. Preferably, these materials may be applied to both the frame part 210 and the mask cell sheet part 220 which are components of the frame 200.

이에 더하여, 프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하며, 테두리 프레임부(210)에 연결되는 마스크 셀 시트부(220)를 포함할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)는 마스크(100)와 마찬가지로 전주도금으로 형성되거나, 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트(sheet)에 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결할 수 있다. 또는, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 연결한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 마스크 셀 시트부(220)에 먼저 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결한 것을 주로 상정하여 설명한다.In addition, the frame 200 may include a plurality of mask cell regions CR, and may include a mask cell sheet part 220 connected to the frame frame part 210. Like the mask 100, the mask cell sheet part 220 may be formed by electroplating, or may be formed using another film forming process. In addition, the mask cell sheet part 220 may form a plurality of mask cell regions CR on a planar sheet through laser scribing, etching, or the like, and then connect to the frame frame part 210. Alternatively, the mask cell sheet part 220 may form a plurality of mask cell regions CR through laser scribing, etching, or the like after connecting the planar sheet to the frame frame part 210. In the present specification, it is assumed that a plurality of mask cell regions CR are first formed in the mask cell sheet part 220 and then connected to the frame frame part 210.

마스크 셀 시트부(220)는 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225) 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)는 동일한 시트에서 구획된 각 부분을 지칭하며, 이들은 상호간에 일체로 형성된다.The mask cell sheet part 220 may be configured to include at least one of an edge sheet part 221 and first and second grid sheet parts 223 and 225. The frame sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 refer to respective portions partitioned in the same sheet, and they are integrally formed with each other.

테두리 시트부(221)가 실질적으로 테두리 프레임부(210)에 연결될 수 있다. 따라서, 테두리 시트부(221)는 테두리 프레임부(210)와 대응하는 대략 사각 형상, 사각틀 형상을 가질 수 있다.The frame sheet part 221 may be substantially connected to the frame frame part 210. Accordingly, the frame sheet part 221 may have a substantially square shape and a square frame shape corresponding to the frame frame part 210.

또한, 제1 그리드 시트부(223)는 제1 방향(가로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제1 그리드 시트부(223)를 포함하는 경우, 각각의 제1 그리드 시트부(223)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, the first grid sheet portion 223 may be formed to extend in a first direction (horizontal direction). The first grid sheet portion 223 may be formed in a linear shape so that both ends may be connected to the edge sheet portion 221. When the mask cell sheet portion 220 includes a plurality of first grid sheet portions 223, it is preferable that each of the first grid sheet portions 223 form equal intervals.

또한, 이에 더하여, 제2 그리드 시트부(225)가 제2 방향(세로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제2 그리드 시트부(225)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)와 제2 그리드 시트부(225)는 서로 수직 교차될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제2 그리드 시트부(225)를 포함하는 경우, 각각의 제2 그리드 시트부(225)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.Further, in addition to this, the second grid sheet portion 225 may be formed to extend in a second direction (vertical direction). The second grid sheet portion 225 may be formed in a linear shape so that both ends may be connected to the edge sheet portion 221. The first grid sheet portion 223 and the second grid sheet portion 225 may vertically cross each other. When the mask cell sheet portion 220 includes a plurality of second grid sheet portions 225, each of the second grid sheet portions 225 is preferably formed at an equal interval.

한편, 제1 그리드 시트부(223)들 간의 간격과, 제2 그리드 시트부(225)들 간의 간격은 마스크 셀(C)의 크기에 따라서 동일하거나 상이할 수 있다.Meanwhile, the spacing between the first grid sheet parts 223 and the spacing between the second grid sheet parts 225 may be the same or different according to the size of the mask cell C.

제1 그리드 시트부(223) 및 제2 그리드 시트부(225)는 박막 형태의 얇은 두께를 가지지만, 길이 방향에 수직하는 단면의 형상은 직사각형, 사다리꼴과 같은 사각형 형상, 삼각형 형상 등일 수 있고, 변, 모서리 부분이 일부 라운딩 될 수도 있다. 단면 형상은 레이저 스크라이빙, 에칭 등의 과정에서 조절 가능하다.The first grid sheet portion 223 and the second grid sheet portion 225 have a thin thickness in the form of a thin film, but the shape of a cross-section perpendicular to the length direction may be a rectangle, a square shape such as a trapezoid, a triangle shape, etc., Some of the sides and corners may be rounded. The cross-sectional shape can be adjusted in the process of laser scribing and etching.

테두리 프레임부(210)의 두께는 마스크 셀 시트부(220)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 테두리 프레임부(210)는 프레임(200)의 전체 강성을 담당하기 때문에 수mm 내지 수cm의 두께로 형성될 수 있다.The thickness of the frame frame part 210 may be thicker than the thickness of the mask cell sheet part 220. Since the frame frame portion 210 is responsible for the overall rigidity of the frame 200, it may be formed to a thickness of several mm to several cm.

마스크 셀 시트부(220)의 경우는, 실질적으로 두꺼운 시트를 제조하는 공정이 어렵고, 너무 두꺼우면 OLED 화소 증착 공정에서 유기물 소스(600)[도 23 참조]가 마스크(100)를 통과하는 경로를 막는 문제를 발생시킬 수 있다. 반대로, 두께가 너무 얇아지면 마스크(100)를 지지할 정도의 강성 확보가 어려울 수 있다. 이에 따라, 마스크 셀 시트부(220)는 테두리 프레임부(210)의 두께보다는 얇지만, 마스크(100)보다는 두꺼운 것이 바람직하다. 마스크 셀 시트부(220)의 두께는, 약 0.1mm 내지 1mm 정도로 형성될 수 있다. 그리고, 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)의 폭은 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있다.In the case of the mask cell sheet part 220, the process of manufacturing a substantially thick sheet is difficult, and if it is too thick, the organic material source 600 (see FIG. 23) passes through the mask 100 in the OLED pixel deposition process. It can cause clogging problems. Conversely, if the thickness is too thin, it may be difficult to secure enough rigidity to support the mask 100. Accordingly, the mask cell sheet portion 220 is thinner than the thickness of the frame frame portion 210, but is preferably thicker than the mask 100. The thickness of the mask cell sheet part 220 may be about 0.1 mm to 1 mm. In addition, the first and second grid sheet portions 223 and 225 may have a width of about 1 to 5 mm.

평면의 시트에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외하여, 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)이 제공될 수 있다. 다른 관점에서, 마스크 셀 영역(CR)이라 함은, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R)에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외한, 빈 영역을 의미할 수 있다.A plurality of mask cell areas CR (CR11 to CR56) may be provided except for the area occupied by the edge sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 in a flat sheet. In another aspect, the mask cell area CR is an area occupied by the frame sheet part 221 and the first and second grid sheet parts 223 and 225 in the hollow area R of the frame frame part 210. Except for, it may mean an empty area.

이 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)의 셀(C)이 대응됨에 따라, 실질적으로 마스크 패턴(P)을 통해 OLED의 화소가 증착되는 통로로 이용될 수 있게 된다. 전술하였듯이 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)을 구성하는 마스크 패턴(P)들이 형성될 수 있다. 또는, 하나의 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있으나, 마스크(100)의 명확한 정렬을 위해서는 대면적 마스크(100)를 지양할 필요가 있고, 하나의 셀(C)을 구비하는 소면적 마스크(100)가 바람직하다. 또는, 프레임(200)의 하나의 셀 영역(CR)에 복수의 셀(C)을 가지는 하나의 마스크(100)가 대응할 수도 있다. 이 경우, 명확한 정렬을 위해서는 2-3개 정도의 소수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)를 대응하는 것을 고려할 수 있다.As the cell C of the mask 100 corresponds to the mask cell region CR, it can be used as a passage through which the pixel of the OLED is deposited substantially through the mask pattern P. As described above, one mask cell C corresponds to one display such as a smartphone. Mask patterns P constituting one cell C may be formed on one mask 100. Alternatively, one mask 100 may include a plurality of cells C, and each cell C may correspond to each cell area CR of the frame 200, but clear alignment of the mask 100 is achieved. In order to do so, it is necessary to avoid the large-area mask 100, and a small-area mask 100 having one cell C is preferable. Alternatively, one mask 100 having a plurality of cells C may correspond to one cell area CR of the frame 200. In this case, for clear alignment, it may be considered to correspond to the mask 100 having a small number of cells C of about 2-3.

프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하고, 각각의 마스크(100)는 각각 하나의 마스크 셀(C)이 마스크 셀 영역(CR)에 대응되도록 부착될 수 있다. 각각의 마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미[셀(C)을 제외한 마스크 막(110) 부분에 대응]를 포함할 수 있다. 더미는 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 마스크 셀(C)은 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고, 더미의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 부착될 수 있다. 이에 따라, 마스크(100)와 프레임(200)이 일체형 구조를 이룰 수 있게 된다.The frame 200 includes a plurality of mask cell areas CR, and each mask 100 may be attached such that one mask cell C corresponds to the mask cell area CR. Each mask 100 may include a mask cell C having a plurality of mask patterns P formed thereon, and a dummy around the mask cell C (corresponding to a portion of the mask layer 110 excluding the cell C). have. The dummy may include only the mask layer 110 or may include the mask layer 110 in which a predetermined dummy pattern similar to the mask pattern P is formed. The mask cell C corresponds to the mask cell area CR of the frame 200, and a part or all of the dummy may be attached to the frame 200 (mask cell sheet part 220). Accordingly, the mask 100 and the frame 200 can form an integral structure.

한편, 다른 실시예에 따르면, 프레임은 테두리 프레임부(210)에 마스크 셀 시트부(220)를 부착하여 제조하지 않고, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R) 부분에 테두리 프레임부(210)와 일체인 그리드 프레임[그리드 시트부(223, 225)에 대응]을 곧바로 형성한 프레임을 사용할 수도 있다. 이러한 형태의 프레임도 적어도 하나의 마스크 셀 영역(CR)을 포함하며, 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)를 대응시켜 프레임 일체형 마스크를 제조할 수 있게 된다.Meanwhile, according to another embodiment, the frame is not manufactured by attaching the mask cell sheet part 220 to the frame frame part 210, but the frame frame part 210 is formed in the hollow region R part of the frame frame part 210. ) And an integral grid frame (corresponding to the grid seat portions 223 and 225) may be directly formed. This type of frame also includes at least one mask cell area CR, and a frame-integrated mask can be manufactured by matching the mask 100 to the mask cell area CR.

이하에서는, 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정에 대해 설명한다.Hereinafter, a process of manufacturing a frame-integrated mask will be described.

먼저, 도 4 및 도 5에서 상술한 프레임(200)을 제공할 수 있다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임(200)의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.First, the frame 200 described above in FIGS. 4 and 5 may be provided. 6 is a schematic diagram showing a manufacturing process of the frame 200 according to an embodiment of the present invention.

도 6의 (a)를 참조하면, 테두리 프레임부(210)를 제공한다. 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함한 사각 틀 형상일 수 있다.Referring to FIG. 6A, a frame frame part 210 is provided. The frame frame part 210 may have a rectangular frame shape including a hollow region R.

다음으로, 도 6의 (b)를 참조하면, 마스크 셀 시트부(220)를 제조한다. 마스크 셀 시트부(220)는 전주도금 또는 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 평면의 시트를 제조한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분을 제거함에 따라 제조할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)가 존재할 수 있다.Next, referring to FIG. 6B, a mask cell sheet part 220 is manufactured. The mask cell sheet part 220 can be manufactured by manufacturing a flat sheet using electroplating or other film forming processes, and then removing a portion of the mask cell area (CR) through laser scribing or etching. have. In this specification, an example in which a 6 X 5 mask cell region (CR: CR11 to CR56) is formed will be described. Five first grid sheet portions 223 and four second grid sheet portions 225 may be present.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220)의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220)를 평평하게 편 상태로 테두리 시트부(221)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 6의 (b)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220)를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220)를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, the mask cell sheet part 220 may correspond to the frame frame part 210. In the process of correspondence, all sides of the mask cell sheet part 220 are stretched (F1 to F4) to flatten the mask cell sheet part 220 and the frame sheet part 221 is attached to the frame frame part 210. Can respond. In one side, it is possible to hold the mask cell sheet portion 220 at several points (for example, 1 to 3 points in FIG. 6 (b)) and stretch it. On the other hand, the mask cell sheet portion 220 may be stretched (F1, F2) along some side directions instead of all sides.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220)의 테두리 시트부(221)를 용접(W)하여 부착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 부착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220)와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220)를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, when the mask cell sheet part 220 corresponds to the frame frame part 210, the frame sheet part 221 of the mask cell sheet part 220 may be attached by welding (W). It is preferable to weld (W) all sides so that the mask cell sheet part 220 can be firmly attached to the frame part 220. Welding (W) should be performed as close as possible to the edge of the frame frame part 210 to reduce the excitement space between the frame part 210 and the mask cell sheet part 220 and increase adhesion. The welding (W) part may be created in a line or spot shape, and the frame frame part 210 and the mask cell sheet part 220 are integrally made of the same material as the mask cell sheet part 220. It can be a medium to connect with.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다. 도 6의 실시예는 마스크 셀 영역(CR)을 구비한 마스크 셀 시트부(220)를 먼저 제조하고 테두리 프레임부(210)에 부착하였으나, 도 7의 실시예는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 부착한 후에, 마스크 셀 영역(CR) 부분을 형성한다.7 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a frame according to another embodiment of the present invention. In the embodiment of FIG. 6, the mask cell sheet part 220 having the mask cell area CR is first manufactured and attached to the frame frame part 210. However, in the embodiment of FIG. 210), a mask cell region CR is formed.

먼저, 도 6의 (a)처럼, 중공 영역(R)을 포함한 테두리 프레임부(210)를 제공한다.First, as shown in (a) of FIG. 6, a frame part 210 including a hollow region R is provided.

다음으로, 도 7의 (a)를 참조하면, 테두리 프레임부(210)에 평면의 시트[평면의 마스크 셀 시트부(220')]를 대응할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220')는 아직 마스크 셀 영역(CR)이 형성되지 않은 평면 상태이다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220')의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220')를 평평하게 편 상태로 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 7의 (a)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220')를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220')를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, referring to FIG. 7A, a flat sheet (a flat mask cell sheet 220 ′) may correspond to the frame frame 210. The mask cell sheet part 220 ′ is in a planar state in which the mask cell area CR has not yet been formed. In the matching process, all sides of the mask cell sheet part 220 ′ are stretched (F1 to F4) to correspond to the frame frame part 210 with the mask cell sheet part 220 ′ flattened. One side can also hold the mask cell sheet portion 220 ′ at several points (eg, 1 to 3 points in FIG. 7 (a)) and tension. On the other hand, the mask cell sheet portion 220 ′ may be stretched (F1, F2) along some side directions instead of all sides.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220')를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220')의 테두리 부분을 용접(W)하여 부착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220')가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 부착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220') 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220')와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220')를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, when the mask cell sheet part 220 ′ corresponds to the frame frame part 210, the rim part of the mask cell sheet part 220 ′ may be attached by welding (W). It is preferable to weld (W) all sides so that the mask cell sheet part 220 ′ can be firmly attached to the frame frame part 220. Welding (W) should be performed as close as possible to the edge of the frame frame part 210 to reduce the excitement space between the frame part 210 and the mask cell sheet part 220 ′ and increase adhesion. The welding (W) portion may be generated in a line or spot shape, and has the same material as the mask cell sheet portion 220 ′, and the frame frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220 ′ It can be a medium that connects all together.

다음으로, 도 7의 (b)를 참조하면, 평면의 시트[평면의 마스크 셀 시트부(220')]에 마스크 셀 영역(CR)을 형성한다. 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분의 시트를 제거함에 따라 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 마스크 셀 영역(CR)을 형성하게 되면, 테두리 프레임부(210)와 용접(W)된 부분이 테두리 시트부(221)가 되고, 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)를 구비하는 마스크 셀 시트부(220)가 구성될 수 있다.Next, referring to FIG. 7B, a mask cell region CR is formed on a planar sheet (a planar mask cell sheet portion 220'). The mask cell area CR may be formed by removing the sheet in the mask cell area CR through laser scribing or etching. In this specification, an example in which a 6 X 5 mask cell region (CR: CR11 to CR56) is formed will be described. When the mask cell area CR is formed, the edge frame portion 210 and the welded (W) portion become the edge sheet portion 221, and the five first grid sheet portions 223 and the four second grids A mask cell sheet portion 220 having a sheet portion 225 may be configured.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)의 형태 및 마스크(100)를 트레이(50) 상에 접착한 상태를 나타내는 개략도이다.8 is a schematic diagram showing a shape of a mask 100 and a state in which the mask 100 is adhered onto the tray 50 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 8의 (a)를 참조하면, 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크(100)를 제공할 수 있다. 마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미(DM)를 포함할 수 있다. 더미(DM)는 셀(C)을 제외한 마스크 막(110) 부분에 대응하고, 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 더미(DM)는 마스크(100)의 테두리에 대응하여 더미(DM)의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 부착될 수 있다. 전주도금 방식으로 인바, 슈퍼 인바 재질의 마스크(100)를 제조할 수 있다.Referring to FIG. 8A, a mask 100 in which a plurality of mask patterns P is formed may be provided. The mask 100 may include a mask cell C on which a plurality of mask patterns P are formed and a dummy DM surrounding the mask cell C. The dummy DM corresponds to a portion of the mask layer 110 excluding the cell C, and includes only the mask layer 110, or the mask layer 110 in which a predetermined dummy pattern similar to the mask pattern P is formed. It may include. In the dummy DM, part or all of the dummy DM may be attached to the frame 200 (mask cell sheet part 220) corresponding to the edge of the mask 100. The mask 100 made of Invar and Super Invar may be manufactured by electroplating.

전주도금에서 음극체(cathode)로 사용하는 모판(mother plate)은 전도성 재질을 사용한다. 전도성 재질로서, 메탈의 경우에는 표면에 메탈 옥사이드들이 생성되어 있을 수 있고, 메탈 제조 과정에서 불순물이 유입될 수 있으며, 다결정 실리콘 기재의 경우에는 개재물 또는 결정립계(Grain Boundary)가 존재할 수 있으며, 전도성 고분자 기재의 경우에는 불순물이 함유될 가능성이 높고, 강도. 내산성 등이 취약할 수 있다. 메탈 옥사이드, 불순물, 개재물, 결정립계 등과 같이 모판(또는, 음극체)의 표면에 전기장이 균일하게 형성되는 것을 방해하는 요소를 "결함"(Defect)으로 지칭한다. 결함(Defect)에 의해, 상술한 재질의 음극체에는 균일한 전기장이 인가되지 못하여 도금막[마스크(100)]의 일부가 불균일하게 형성될 수 있다.The mother plate used as a cathode in electroplating is made of a conductive material. As a conductive material, in the case of metal, metal oxides may be generated on the surface, impurities may be introduced during the metal manufacturing process, in the case of a polycrystalline silicon substrate, inclusions or grain boundaries may exist, and conductive polymers In the case of the base material, the possibility of containing impurities is high and strength. Acid resistance may be weak. An element that prevents uniform formation of an electric field on the surface of the mother plate (or cathode) such as metal oxide, impurities, inclusions, grain boundaries, etc. is referred to as “defect”. Due to defects, a uniform electric field may not be applied to the cathode body made of the above-described material, so that a part of the plating film (mask 100) may be formed unevenly.

UHD 급 이상의 초고화질 화소를 구현하는데 있어서 도금막 및 도금막 패턴[마스크 패턴(P)]의 불균일은 화소의 형성에 악영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 현재 QHD 화질의 경우는 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질의 경우는 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. VR 기기에 직접 적용되는 마이크로 디스플레이, 또는 VR 기기에 끼워서 사용되는 마이크로 디스플레이는 약 2,000 PPI 이상급의 초고화질을 목표로 하고 있고, 화소의 크기는 약 5~10㎛ 정도에 이르게 된다. 이에 적용되는 FMM, 새도우 마스크의 패턴 폭은 수~수십㎛의 크기, 바람직하게는 30㎛보다 작은 크기로 형성될 수 있으므로, 수㎛ 크기의 결함조차 마스크의 패턴 사이즈에서 큰 비중을 차지할 정도의 크기이다. 또한, 상술한 재질의 음극체에서의 결함을 제거하기 위해서는 메탈 옥사이드, 불순물 등을 제거하기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있으며, 이 과정에서 음극체 재료가 식각되는 등의 또 다른 결함이 유발될 수도 있다.In implementing ultra-high definition pixels of the UHD level or higher, non-uniformity of the plating film and the plating film pattern [mask pattern P] may adversely affect the formation of pixels. For example, in the case of current QHD quality, the size of the pixel reaches about 30-50㎛ at 500~600 PPI (pixel per inch), and in the case of 4K UHD and 8K UHD high quality, ~860 PPI and ~1600 PPI are higher. It has the same resolution. Micro-displays directly applied to VR devices, or micro-displays inserted into VR devices, aim for ultra-high quality of about 2,000 PPI or higher, and the size of the pixels reaches about 5 to 10 μm. The pattern width of the FMM and shadow mask applied to this can be formed in a size of several to several tens of µm, preferably smaller than 30 µm, so that even defects of several µm can occupy a large proportion of the pattern size of the mask to be. In addition, in order to remove defects in the cathode material of the above-described material, an additional process for removing metal oxides and impurities may be performed, and in this process, another defect such as etching of the cathode material may be caused. have.

따라서, 본 발명은 단결정 재질의 모판(또는, 음극체)를 사용할 수 있다. 특히, 단결정 실리콘 재질인 것이 바람직하다. 전도성을 가지도록, 단결정 실리콘 재질의 모판에는 1019/cm3이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 도핑은 모판의 전체에 수행될 수도 있으며, 모판의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.Accordingly, in the present invention, a single crystal base plate (or a cathode body) may be used. In particular, it is preferably made of single crystal silicon. In order to have conductivity, a high concentration doping of 10 19 /cm 3 or more may be performed on the mother plate made of single crystal silicon. Doping may be performed on the entire parent plate, or may be performed only on the surface portion of the parent plate.

한편, 단결정 재질로는, Ti, Cu, Ag 등의 금속, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge 등의 반도체, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 등의 탄소계 재질, CH3NH3PbCl3, CH3NH3PbBr3, CH3NH3PbI3, SrTiO3 등을 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조 등의 초전도체용 단결정 세라믹, 항공기 부품용 단결정 초내열합금 등이 사용될 수 있다. 금속, 탄소계 재질의 경우는 기본적으로 전도성 재질이다. 반도체 재질의 경우에는, 전도성을 가지도록 1019 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 기타 재질의 경우에는 도핑을 수행하거나 산소 공공(oxygen vacancy) 등을 형성하여 전도성을 형성할 수 있다. 도핑은 모판의 전체에 수행될 수도 있으며, 모판의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.Meanwhile, as a single crystal material, metals such as Ti, Cu, and Ag, semiconductors such as GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, and carbon-based materials such as graphite and graphene , such as CH 3 NH 3 PbCl 3, CH 3 NH 3 PbBr 3, CH3NH 3 PbI 3, SrTiO 3 , etc. page containing the perovskite single crystal ceramic, aircraft single crystal second heat-resistant alloy for components for a superconductor, such as (perovskite) structure Can be used. Metal and carbon-based materials are basically conductive materials. In the case of a semiconductor material, doping with a high concentration of 1019 or higher may be performed to have conductivity. In the case of other materials, doping may be performed or oxygen vacancy may be formed to form conductivity. Doping may be performed on the entire parent plate, or may be performed only on the surface portion of the parent plate.

단결정 재질의 경우는 결함이 없기 때문에, 전주 도금 시에 표면 전부에서 균일한 전기장 형성으로 인한 균일한 도금막[마스크(100)]이 생성될 수 있는 이점이 있다. 균일한 도금막을 통해 제조하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)는 OLED 화소의 화질 수준을 더욱 개선할 수 있다. 그리고, 결함을 제거, 해소하는 추가 공정이 수행될 필요가 없으므로, 공정비용이 감축되고, 생산성이 향상되는 이점이 있다.Since there are no defects in the case of a single crystal material, there is an advantage in that a uniform plating film (mask 100) can be generated due to the formation of a uniform electric field on the entire surface during electroplating. The frame-integrated masks 100 and 200 manufactured through a uniform plating film can further improve the quality level of OLED pixels. In addition, since there is no need to perform an additional process for removing and eliminating defects, there is an advantage in that process cost is reduced and productivity is improved.

또한, 실리콘 재질, 또는 산화(Oxidation), 질화(Nitridation)에 의해 표면에 절연막을 형성할 수 있는 단결정 재질이라면, 필요에 따라 모판의 표면을 산화, 질화하는 과정만으로 절연부를 형성할 수 있는 이점이 있다. 절연부는 포토레지스트를 사용하여 형성할 수도 있다. 절연부가 형성된 부분에서는 도금막[마스크(100)]의 전착이 방지되어, 도금막에 패턴[마스크 패턴(P)]을 형성하게 된다.In addition, if a silicon material or a single crystal material capable of forming an insulating film on the surface by oxidation or nitridation, there is an advantage that the insulating part can be formed only by oxidizing and nitriding the surface of the parent plate as needed. have. The insulating portion may also be formed using a photoresist. Electrodeposition of the plated film (mask 100) is prevented in the portion where the insulating portion is formed, and a pattern (mask pattern P) is formed on the plated film.

한편, 본 발명의 모판의 재질은 음극체의 결함을 감축하는 범위 내에서라면 반드시 상술한 단결정 재질에 제한되지는 않음을 밝혀둔다.On the other hand, it should be noted that the material of the base plate of the present invention is not necessarily limited to the single crystal material described above as long as it is within the range of reducing defects in the cathode body.

마스크 패턴(P)의 폭은 40㎛보다 작게 형성될 수 있고, 마스크(100)의 두께는 약 2~50㎛로 형성될 수 있다. 프레임(200)이 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 구비하므로, 각각의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 대응하는 마스크 셀(C: C11~C56)을 가지는 마스크(100)도 복수개 구비할 수 있다.The width of the mask pattern P may be less than 40 μm, and the thickness of the mask 100 may be about 2 to 50 μm. Since the frame 200 includes a plurality of mask cell regions CR: CR11 to CR56, the mask 100 having mask cells C: C11 to C56 corresponding to respective mask cell regions CR: CR11 to CR56 ) May also be provided.

마스크(100)는 프레임(200)에 레이저 용접에 의해 부착될 수 있다. 레이저(L)가 마스크(100)의 용접부(WP)에 조사될 수 있다. 용접부(WP)는 레이저(L0의 조사에 의해 용접 비드(WB)를 형성할 수 있는 타겟 영역을 의미할 수 있다. 용접부(WP)는 마스크(100)의 테두리 또는 더미(DM) 부분에서 적어도 일부 영역에 해당할 수 있다. 이하에서는 복수의 용접부(WP)가 마스크(100)의 더미(DM) 영역에 일정한 간격을 가지고 배치되고, 용접부(WP)의 형태는 대략 원 형상인 것을 상정하여 설명하지만, 반드시 이에 제한되지는 않음을 밝혀둔다.The mask 100 may be attached to the frame 200 by laser welding. The laser L may be irradiated to the welding portion WP of the mask 100. The welding part WP may mean a target area capable of forming the welding bead WB by irradiation of the laser L0. The welding part WP is at least a part of the edge or dummy DM of the mask 100. Hereinafter, it is assumed that a plurality of welding portions WP are arranged at regular intervals in the dummy DM area of the mask 100, and the shape of the welding portion WP is substantially circular. It should be noted that, it is not necessarily limited thereto.

한편, 본 발명의 마스크(100)는 용접부(WP)의 주위에 주름 방지 패턴(150~170)이 형성된 것을 특징으로 한다. 주름 방지 패턴(150~170)은 용접부(WP)에 레이저(L)가 조사되어 용접 비드(WB)가 형성되는 과정에서 용접부(WP)의 주변이 뒤틀리거나, 수축되는 등으로 변형되는 것을 방지하는 것을 특징으로 한다[도 14 및 도 15 참조].On the other hand, the mask 100 of the present invention is characterized in that the anti-wrinkle pattern (150 ~ 170) is formed around the weld (WP). The anti-wrinkle pattern (150 ~ 170) prevents deformation due to distortion or contraction of the periphery of the weld (WP) in the process of forming the weld bead (WB) by irradiating the laser (L) to the weld (WP). It characterized in that [see Figs. 14 and 15].

주름 방지 패턴(150~170)은 마스크 패턴(P)과 유사하게 마스크(100)의 더미(DM)[또는, 테두리부]에 형성된 홀(hole)과 같고, 마스크 패턴(P)의 형성 과정에서 동일하게 형성될 수 있다. 일 예로, 마스크(100)의 전주도금 과정에서 마스크 패턴(P)과 같이 도금막(110)이 형성되지 않는 부분이거나, 마스크(100)의 전주도금 후에 패턴 형성 공정을 거쳐 형성된 부분일 수 있다.Similar to the mask pattern P, the anti-wrinkle patterns 150 to 170 are the same as holes formed in the dummy DM (or the edge portion) of the mask 100, and in the process of forming the mask pattern P It can be formed identically. For example, during the electroplating process of the mask 100, the plating layer 110 may not be formed, such as the mask pattern P, or may be formed through a pattern forming process after electroplating of the mask 100.

주름 방지 패턴(150~170)은 용접부(WP)에 소정 간격 이격된 주위에 형성되되, 전체적으로 용접부(WP)를 둘러싸도록 배치되거나, 용접부(WP)의 양 측에 배치될 수 있다. 설명의 편의상, 도 8의 (a)에는 주름 방지 패턴(150~170)을 단순한 도형으로 도시하였으나, 다양한 실시예에 따른 구체적인 형상은 도 9 내지 도 12를 통해 후술한다.The anti-wrinkle patterns 150 to 170 are formed around the welded portion WP at a predetermined interval, and may be disposed to surround the welded portion WP as a whole, or may be disposed on both sides of the welded portion WP. For convenience of explanation, the anti-wrinkle patterns 150 to 170 are illustrated as simple figures in FIG. 8A, but specific shapes according to various embodiments will be described later with reference to FIGS. 9 to 12.

다음으로, 도 8의 (b) 및 (c)를 참조하면, 준비한 마스크(100)를 트레이(tray; 50') 상에 접착할 수 있다. 모판 상에서 전착된 마스크(100)를 떼어내어 트레이(50') 상에 접착할 수 있다. 트레이(50')의 일면 상에서 마스크(100)가 구김, 주름없이 평평하게 펼쳐져 접착되도록 정전기력, 자기력, 진공 등을 이용할 수 있다. 트레이(50')는 레이저 광(L)이 투과할 수 있는 글라스 재질일 수 있다.Next, referring to FIGS. 8B and 8C, the prepared mask 100 may be adhered onto a tray 50'. The mask 100 electrodeposited on the base plate may be removed and adhered onto the tray 50'. Electrostatic force, magnetic force, vacuum, or the like may be used so that the mask 100 is spread and adhered flatly without wrinkles or wrinkles on one surface of the tray 50 ′. The tray 50 ′ may be made of a glass material through which the laser light L can be transmitted.

도 9 내지 도 12는 본 발명의 여러 실시예에 따른 마스크의 주름 방지 패턴(150~170)을 나타내는 개략도이다. 도 9 내지 도 12는 도 8의 D 부분을 확대한 부분이다. 이해의 편의상 마스크 패턴(P)을 포함하는 마스크 셀(C)을 우측 부분에 도시하였으나, 마스크 패턴(P)과 대비되는 주름 방지 패턴(150~170), 버퍼 패턴(190)의 패턴 크기, 패턴 배치 위치 등은 도 9 내지 도 12의 도시 사항에 한정되는 것이 아님을 밝혀둔다.9 to 12 are schematic diagrams showing anti-wrinkle patterns 150 to 170 of a mask according to various embodiments of the present invention. 9 to 12 are enlarged portions D of FIG. 8. For convenience of understanding, the mask cell C including the mask pattern P is shown on the right side, but the anti-wrinkle pattern 150-170, the pattern size of the buffer pattern 190, and the pattern are compared with the mask pattern P It should be noted that the arrangement position and the like are not limited to the items illustrated in FIGS. 9 to 12.

도 9 내지 도 12를 참조하면, 주름 방지 패턴(150~170)은 용접부(WP)에 소정 간격 이격된 주위에 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 주름 방지 패턴(150~170)은 용접부(WP)와 동심(同心; WPC)이고, 용접부(WP)의 직경(R1)보다 큰 직경(R2, R3)을 가지는 가상의 원(AC)의 원주 상의 영역을 점유할 수 있다. 용접부(WP)의 직경(R1)보다 큰 직경을 가지는 원주(R2, R3) 상의 영역을 점유하는 형태는, 원주 상에 단위 주름 방지 패턴이 배치되는 경우, 원주의 일부를 단위 주름 방지 패턴이 그 자체로 포함하는 경우 등으로 구현될 수 있다.9 to 12, the anti-wrinkle patterns 150 to 170 may be formed around the weld WP at a predetermined interval. According to an embodiment, the anti-wrinkle pattern 150 to 170 is a virtual circle having a diameter (R2, R3) that is concentric with the weld (WP) and has a larger diameter (R2, R3) than the diameter (R1) of the weld (WP). The area on the circumference of (AC) can be occupied. In the form of occupying an area on the circumferences R2 and R3 having a diameter larger than the diameter R1 of the weld WP, when a unit anti-wrinkle pattern is disposed on the circumference, a part of the circumference is It can be implemented by including itself.

도 9를 참조하면, 제1 실시예에 따른 주름 방지 패턴(150)은 복수의 단위 주름 방지 패턴(151)을 포함할 수 있다. 마스크(100) 막에 가해지는 스트레스, 장력 등을 분산시키기 용이하도록, 복수의 단위 주름 방지 패턴(151)은 각진 모서리를 포함하는 형태보다는, 원형, 타원 등의 곡률을 가지는 형태인 것이 바람직하다.Referring to FIG. 9, the anti-wrinkle pattern 150 according to the first embodiment may include a plurality of unit anti-wrinkle patterns 151. In order to facilitate dispersion of stress and tension applied to the mask 100 film, it is preferable that the plurality of unit anti-wrinkle patterns 151 have a curvature such as a circular shape or an ellipse rather than a shape including an angled corner.

복수의 단위 주름 방지 패턴(151)은 상호 간격을 가지고 배치되며, 용접부(WP)와 동심(WPC)이고 용접부(WP)의 직경(R1)보다 큰 직경(R2)을 가지는 가상의 원(AC)의 원주 상에 배치될 수 있다. 단위 주름 방지 패턴(151)은 용접부(WP)의 주위에 1중으로 배치될 수 있지만 2중, 3중으로 배치될 수도 있다.The plurality of unit anti-wrinkle patterns 151 are arranged at mutual intervals, and are concentric with the weld WP (WPC) and have a diameter R2 greater than the diameter R1 of the weld WP (AC) It can be arranged on the circumference of. The unit anti-wrinkle pattern 151 may be disposed around the welding portion WP in a single layer, but may be disposed in a double or triple manner.

주름 방지 패턴(150)에 더하여, 복수의 버퍼 패턴(190)이 더 형성될 수 있다. 버퍼 패턴(190)은 주름 방지 패턴(150)과 마스크 패턴(P) 사이에 상호 간격을 가지고 형성될 수 있다. 버퍼 패턴(190)은 대략 더미(DM) 영역의 내측 테두리를 따라 배치될 수 있다.In addition to the anti-wrinkle pattern 150, a plurality of buffer patterns 190 may be further formed. The buffer pattern 190 may be formed with a mutual spacing between the anti-wrinkle pattern 150 and the mask pattern P. The buffer pattern 190 may be disposed substantially along the inner edge of the dummy DM area.

버퍼 패턴(190)은 용접부(WP)의 주변을 둘러싸는 것은 아니기 때문에, 보다 큰 범위에서 마스크(100) 막에 가해지는 스트레스, 장력 등을 분산시키는 역할을 한다. 이에 따라, 마스크 패턴(P)의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있고, 주름 방지 패턴(150~170)보다도 큰 폭을 가질 수 있다. 버퍼 패턴(190)은 복수의 단위 버퍼 패턴(191, 192)을 포함하며, 단위 버퍼 패턴(191, 192)들도 각진 모서리를 포함하는 형태보다는, 원형, 타원 등의 곡률을 가지는 형태인 것이 바람직하다.Since the buffer pattern 190 does not surround the periphery of the welding portion WP, it serves to distribute stress and tension applied to the mask 100 film in a larger range. Accordingly, it may have a width greater than the width of the mask pattern P, and may have a greater width than the anti-wrinkle patterns 150 to 170. The buffer pattern 190 includes a plurality of unit buffer patterns 191 and 192, and the unit buffer patterns 191 and 192 are preferably in a shape having a curvature such as a circle or an ellipse, rather than a shape including an angled corner. Do.

일 실시예에 따르면, 제1 단위 버퍼 패턴(191)들은 한 쌍의 주름 방지 패턴(150)의 중간을 지나는 수평 축 상에 배치될 수 있다. 그리고 제2 단위 버퍼 패턴(192)들은 제1 단위 버퍼 패턴(191)과 동일한 수평 축 상에 배치되고, 한 쌍의 제1 단위 버퍼 패턴(191)의 중간을 지나는 수평 축 상에 더 배치될 수 있다. 그러나, 배치 형태는 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.According to an embodiment, the first unit buffer patterns 191 may be disposed on a horizontal axis passing through the middle of the pair of anti-wrinkle patterns 150. In addition, the second unit buffer patterns 192 may be disposed on the same horizontal axis as the first unit buffer pattern 191, and may be further disposed on a horizontal axis passing through the middle of the pair of first unit buffer patterns 191. have. However, the arrangement form is not necessarily limited thereto.

도 10을 참조하면, 제2 실시예에 따른 주름 방지 패턴(160)은 복수의 단위 주름 방지 패턴(161)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10, the anti-wrinkle pattern 160 according to the second embodiment may include a plurality of unit anti-wrinkle patterns 161.

복수의 단위 주름 방지 패턴(161)은 상호 간격을 가지고 배치되며, 용접부(WP)와 동심(WPC)이고 용접부(WP)의 직경(R1)보다 큰 직경(R2)을 가지는 가상의 원(AC)의 원주를 적어도 일부(162, 163) 포함하는 형상일 수 있다. 다시 말해, 하나의 단위 주름 방지 패턴(161)은 특정 용접부(WP1)와 동심(WPC)이고 특정 용접부(WP1)보다 큰 직경(R2)을 가지는 원주의 적어도 일부(162)와, 특정 용접부(WP1)에 이웃하는 용접부(WP2)와 동심(WPC)이고 이웃하는 용접부(WP2)보다 큰 직경(R2)을 가지는 원주의 적어도 일부(163)를 포함하는 형상일 수 있다. 단위 주름 방지 패턴(161)은 원주의 적어도 일부(162, 163)에 더하여, 이들을 연결하는 모서리(164, 165)를 더 포함함에 따라 폐쇄 도형 형상을 가질 수 있다. 단위 주름 방지 패턴(161)은 용접부(WP)와 일정 간격을 가지는 곡률 일부(162, 163)를 포함하므로, 용접부(WP)에 가해지는 스트레스, 장력 등을 분산시키기 용이한 이점이 있다.The plurality of unit anti-wrinkle patterns 161 are arranged at mutual intervals, and are concentric with the weld (WP) (WPC) and have a larger diameter (R2) than the diameter (R1) of the weld (WP). It may have a shape including at least some of the circumferences of (162, 163). In other words, one unit anti-wrinkle pattern 161 is concentric with the specific weld WP1 (WPC) and at least a portion 162 of the circumference having a larger diameter R2 than the specific weld WP1, and the specific weld WP1 ) May have a shape including at least a portion 163 of a circumference having a larger diameter R2 than the neighboring weld WP2 and concentric WPC. The unit anti-wrinkle pattern 161 may have a closed figure shape as it further includes edges 164 and 165 connecting them in addition to at least a portion 162 and 163 of the circumference. Since the unit anti-wrinkle pattern 161 includes portions of the curvature 162 and 163 having a predetermined distance from the weld WP, there is an advantage in that it is easy to disperse stress and tension applied to the weld WP.

도 11을 참조하면, 제3 실시예에 따른 주름 방지 패턴(160')은 복수의 단위 주름 방지 패턴(161')을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, the anti-wrinkle pattern 160 ′ according to the third exemplary embodiment may include a plurality of unit anti-wrinkle patterns 161 ′.

제3 실시예에 따른 주름 방지 패턴(160')은 제2 실시예에 따른 주름 방지 패턴(160)과 유사하게, 곡률 일부(162, 163)를 포함할 수 있다. 다만, 곡률 일부(162, 163) 및 이들을 연결하는 모서리(164, 165)에 더하여, 상호 대향하며 평행한 변(166)을 더 포함하는 폐쇄 도형 형상일 수 있다. 단위 주름 방지 패턴(161)은 용접부(WP)와 일정 간격을 가지는 곡률 일부(162, 163)를 포함하므로, 용접부(WP)에 가해지는 스트레스, 장력 등을 분산시키기 용이한 이점이 있다. The anti-wrinkle pattern 160 ′ according to the third exemplary embodiment may include portions of curvatures 162 and 163, similar to the anti-wrinkle pattern 160 according to the second exemplary embodiment. However, in addition to the portions of the curvatures 162 and 163 and the edges 164 and 165 connecting them, the closed figure shape may further include sides 166 that are parallel to each other. Since the unit anti-wrinkle pattern 161 includes portions of the curvature 162 and 163 having a predetermined distance from the weld WP, there is an advantage in that it is easy to disperse stress and tension applied to the weld WP.

도 12를 참조하면, 제4 실시예에 따른 주름 방지 패턴(170)은 복수의 단위 주름 방지 패턴(171)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 12, the anti-wrinkle pattern 170 according to the fourth embodiment may include a plurality of unit anti-wrinkle patterns 171.

단위 주름 방지 패턴(171)은 용접부(WP)와 동심(WPC)이고 용접부(WP)의 직경(R1)보다 큰 제1 직경(R2)을 가지는 가상의 원주의 적어도 일부(172)와, 제1 직경(R1)보다 큰 제2 직경(R3)을 가지는 가상의 원주의 적어도 일부(173)를 포함하는 형상일 수 있다. 단위 주름 방지 패턴(171)은 원주의 적어도 일부(172, 173)에 더하여, 이들을 연결하는 모서리(174, 175)를 더 포함함에 따라 폐쇄 도형 형상을 가질 수 있다.The unit anti-wrinkle pattern 171 is concentric with the weld WP (WPC) and at least a portion 172 of a virtual circumference having a first diameter R2 greater than the diameter R1 of the weld WP, and a first It may have a shape including at least a portion 173 of a virtual circumference having a second diameter R3 greater than the diameter R1. The unit anti-wrinkle pattern 171 may have a closed figure shape as it further includes edges 174 and 175 connecting them in addition to at least a portion 172 and 173 of the circumference.

복수의 단위 주름 방지 패턴(171)은 상호 간격을 가지고, 하나의 용접부(WP)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 단위 주름 방지 패턴(171)은 용접부(WP)의 주위에 1중으로 배치될 수 있지만 2중, 3중으로 배치될 수도 있다. 단위 주름 방지 패턴(171)은 용접부(WP)와 일정 간격을 가지는 곡률 일부(172, 173)를 포함하고, 용접부(WP를 둘러싸도록 배치되므로, 용접부(WP)에 가해지는 스트레스, 장력 등을 분산시키기 용이한 이점이 있다.The plurality of unit anti-wrinkle patterns 171 may have mutual spacing and may be disposed to surround one welding portion WP. The unit anti-wrinkle pattern 171 may be disposed around the welding portion WP in a single layer, but may be disposed in a double or triple manner. The unit anti-wrinkle pattern 171 includes a portion of the curvature 172 and 173 having a predetermined distance from the weld WP, and is disposed to surround the weld WP, thereby distributing stress and tension applied to the weld WP. It has the advantage of being easy to do.

도 13은 비교예에 따른 마스크(100')의 형태[도 13의 (a)] 및 비교예에 따른 마스크(100')를 트레이(50') 상에 부착한 상태의 평면도[도 13의 (b)]와 측단면도[도 13의 (c)]를 나타낸다. 도 14는 비교예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 부착한 상태를 나타내는 측단면도[도 14의 (a)] 및 E의 확대 평면도[도 14의 (b)]이다.13 is a plan view of a shape of a mask 100' according to a comparative example (FIG. 13(a)) and a state in which the mask 100' according to the comparative example is attached on the tray 50' [Fig. b)] and a sectional side view [Fig. 13(c)] are shown. 14 is a side cross-sectional view showing a state in which the mask 100 according to the comparative example is attached to the cell region CR of the frame 200 [Fig. 14A] and an enlarged plan view of E [Fig. 14B] ]to be.

도 13의 (a)를 참조하면, 도 8에서 상술한 본 발명의 일 실시예의 마스크(100)와 대비되는, 비교예에 따른 마스크(100')는 마스크 셀(C)에 복수의 마스크 패턴(P)을 포함하고, 더미(DM)에는 별도의 패턴이 없는 형상이다. 이어서, 도 13의 (b) 및 (c)를 참조하면, 마스크(100')를 트레이(tray; 50') 상에 부착할 수 있다. 모판 상에서 전착된 마스크(100)를 떼어내어 트레이(50') 상에 부착할 수 있다.Referring to FIG. 13A, in contrast to the mask 100 of the exemplary embodiment of the present invention described above in FIG. 8, the mask 100 ′ according to the comparative example includes a plurality of mask patterns ( P) is included, and there is no separate pattern in the dummy DM. Subsequently, referring to FIGS. 13B and 13C, the mask 100 ′ may be attached on a tray 50 ′. The mask 100 electrodeposited on the base plate may be removed and attached to the tray 50'.

도 14 의 (a)를 참조하면, 마스크(100)의 테두리의 일부 또는 전부를 프레임(200)[제1 그리드 시트부(223) 또는 제2 그리드 시트부(225)]에 부착할 수 있다. 부착은 용접으로 수행될 수 있고, 바람직하게는 레이저 용접으로 수행될 수 있다. 레이저 용접은 프레임(200)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 마스크(100)와 프레임(200) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다.Referring to FIG. 14A, some or all of the edges of the mask 100 may be attached to the frame 200 (the first grid sheet part 223 or the second grid sheet part 225). Attachment can be carried out by welding, preferably laser welding. Laser welding should be performed as close as possible to the edge of the frame 200 so as to reduce the excitement space between the mask 100 and the frame 200 as much as possible and increase adhesion.

마스크(100')의 상부에서 레이저(L)를 용접부(WP)에 조사하면 레이저(L)가 용접부(WP) 영역의 마스크(100') 일부를 용융시킬 수 있다. 마스크(100')의 일부가 용융되어 용접 비드(bead; WB)를 형성할 수 있다. 그리고, 용접 비드(WB)가 마스크(100') 및 프레임(200)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다. When the laser L is irradiated onto the welding portion WP from the upper portion of the mask 100 ′, the laser L may melt a portion of the mask 100 ′ in the welding portion WP region. A portion of the mask 100 ′ may be melted to form a welding bead (WB). Further, the welding bead WB may be a medium that integrally connects the mask 100 ′ and the frame 200.

이때, 용접 비드(WB)가 형성된 부분의 마스크(100')가 용융된 후 응고되는 과정에서 용접 비드(WB) 주변이 수축되는 텐션(T)이 가해질 수 있다. 이러한 수축되는 텐션(T)에 의해 용접 비드(WB) 주변에는 주름, 뒤틀림, 번짐 등과 같은 변형(105')이 발생할 수 있다. 또한, 용접 비드(WB)와 마스크 셀(C) 사이 공간에서의 주름, 뒤틀림 등의 변형(106')이 발생할 수 있다. 결국, 텐션(T)에 의해 변형(105', 106')이 발생하고, 이러한 변형(105', 106')에 의해, 결국 마스크 패턴(P) 및 셀(C)들간의 정렬 상태가 틀어지게 되는 문제가 발생할 수 있다.In this case, a tension T that shrinks around the weld bead WB may be applied in the process of solidifying after the mask 100 ′ of the portion where the welding bead WB is formed is melted and then solidified. Deformation 105 ′, such as wrinkles, warps, bleeding, etc., may occur around the weld bead WB due to the shrinking tension T. In addition, deformation 106 ′, such as wrinkles and distortions, may occur in the space between the welding bead WB and the mask cell C. Eventually, deformations 105 ′ and 106 ′ occur due to tension T, and due to these deformations 105 ′ and 106 ′, the alignment state between the mask pattern P and the cells C is changed. Problems may occur.

본 발명의 마스크(100)는 주름 방지 패턴(150~170) 및 버퍼 패턴(190)이 형성됨에 따라 위 문제를 방지할 수 있다.The mask 100 of the present invention may prevent the above problem as the anti-wrinkle patterns 150 to 170 and the buffer pattern 190 are formed.

도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다.15 is a schematic diagram showing a state in which the mask 100 is attached to the cell area CR of the frame 200 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 15의 (a)를 참조하면, 마스크(100)의 상부에서 레이저(L)를 마스크(100)의 더미(DM)[또는, 테두리 영역]의 용접부(WP)에 조사할 수 있다. 마스크(100)의 일부가 용융되어 용접 비드(bead; WB)를 형성할 수 있다. 그리고, 용접 비드(WB)가 마스크(100) 및 프레임(200)[또는, 테두리 시트부(221), 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Referring to FIG. 15A, the laser L may be irradiated on the welding portion WP of the dummy DM (or edge region) of the mask 100 from the top of the mask 100. A portion of the mask 100 may be melted to form a welding bead (WB). In addition, the welding bead (WB) may be a medium that integrally connects the mask 100 and the frame 200 (or, the frame sheet portion 221, and the first and second grid sheet portions 223, 225). have.

이때, 용접 비드(WB)가 형성된 부분의 마스크(100)가 용융된 후 응고되는 과정에서 용접 비드(WB) 주변이 수축되는 텐션(T)이 가해질 수 있다. 용접 비드(WB) 주변에 가해지는 수축되는 텐션(T)은 주름 방지 패턴(150~170)들에 각각 분산될 수 있다. 텐션(T)이 복수의 주름 방지 패턴(150~170)에 분산되기 때문에 용접 비드(WB) 주변의 주름, 뒤틀림, 번짐 등과 같은 변형(105')이 없어질 수 있다.At this time, in the process of solidifying after the mask 100 at the portion where the welding bead WB is formed is melted, a tension T that shrinks around the welding bead WB may be applied. The tension T applied to the periphery of the welding bead WB may be dispersed in the anti-wrinkle patterns 150 to 170, respectively. Since the tension T is dispersed in the plurality of anti-wrinkle patterns 150 to 170, deformation 105 ′, such as wrinkles, distortion, and bleeding around the welding bead WB, may be eliminated.

또한, 용접 비드(WB)와 마스크 셀(C) 사이 공간에서 가해지는 수축되는 텐션(T)은 버퍼 패턴(190)들에 각각 분산될 수 있다. 텐션(T)이 복수의 버퍼 패턴(190)에 분산되기 때문에 용접 비드(WB)와 마스크 셀(C) 사이 공간의 주름, 뒤틀림 등과 같은 변형(106')이 없어질 수 있다.In addition, the contracted tension T applied in the space between the welding bead WB and the mask cell C may be distributed to the buffer patterns 190, respectively. Since the tension T is dispersed in the plurality of buffer patterns 190, the deformation 106 ′ such as wrinkles and distortions in the space between the welding bead WB and the mask cell C may be eliminated.

위와 같이, 복수의 주름 방지 패턴(150~170) 및 버퍼 패턴(190)에 의해 변형(105', 106')이 없어지거나, 마스크 패턴(P)의 정렬에 거의 영향이 없는 수준에서만 변형되므로, 마스크(100)를 프레임(200)에 부착하는 과정에서 마스크 패턴(P) 및 셀(C)들간의 정렬 상태를 유지할 수 있게 된다.As above, since the deformation 105 ′ and 106 ′ disappears due to the plurality of anti-wrinkle patterns 150 to 170 and the buffer pattern 190, or is deformed only at a level that has little effect on the alignment of the mask pattern P, In the process of attaching the mask 100 to the frame 200, it is possible to maintain an alignment state between the mask pattern P and the cells C.

도 16은 비교예에 따른 트레이(50')를 프레임(200) 상에 로딩하여 마스크(100')를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 대응시키는 상태의 평면도[도 16의 (a)] 및 측단면도[도 16의 (b)]를 나타낸다. 도 17은 비교예에 따른 트레이(50')를 프레임(200) 상에 로딩하여 마스크(100')를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 부착하는 과정 및 마스크(100)와 트레이(50')의 계면 상태를 나타내는 측단면도 및 부분 확대 측단면도를 나타낸다.16 is a plan view of a state in which the tray 50 ′ according to the comparative example is loaded onto the frame 200 and the mask 100 ′ corresponds to the cell area CR of the frame 200 (FIG. 16A) ] And a cross-sectional side view [Fig. 16(b)]. 17 illustrates a process of loading the tray 50 ′ according to the comparative example on the frame 200 and attaching the mask 100 ′ to the cell area CR of the frame 200, and the mask 100 and the tray 50. ') shows a side cross-sectional view showing the interface state and a partially enlarged side cross-sectional view.

도 16의 (a) 및 (b)를 참조하면, 마스크(100')를 프레임(200)의 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수 있다. 마스크(100')가 상부에 접착된 트레이(50')를 뒤집고, 트레이(50')를 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩하는 것으로 마스크(100')를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수 있다. 트레이(50')가 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩되면, 마스크(100')는 트레이(50')와 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 사이에 배치되면서, 트레이(50')에 의해 압착될 수 있다Referring to FIGS. 16A and 16B, the mask 100 ′ may correspond to one mask cell area CR of the frame 200. The mask 100' is formed by turning over the tray 50' to which the mask 100' is adhered, and loading the tray 50' onto the frame 200 (or the mask cell sheet part 220). It may correspond to the mask cell area CR. When the tray 50' is loaded on the frame 200 (or the mask cell sheet part 220), the mask 100' is formed with the tray 50' and the frame 200 (or the mask cell sheet part ( 220)], while being disposed between, can be compressed by the tray 50'

도 17을 참조하면, 마스크(100')에 레이저(L)를 조사하여 레이저 용접에 의해 마스크(100')를 프레임(200)에 부착할 수 있다. 레이저 용접된 마스크의 용접부(WP)에는 용접 비드(WB)가 생성되고, 용접 비드(WB)는 마스크(100)/프레임(200)과 동일한 재질을 가지고 일체로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 17, the mask 100 ′ may be attached to the frame 200 by laser welding by irradiating a laser L on the mask 100 ′. A welding bead WB is generated in the welding portion WP of the laser-welded mask, and the welding bead WB may be integrally connected with the mask 100 / frame 200 and having the same material.

한편, 트레이(50')에 의해 마스크(100')를 압착하는 것 외에도, 마스크(100)와 프레임(200)[또는, 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]이 더욱 긴밀하게 맞닿도록, 트레이(50')의 상부에서 압착체(M)에 압착을 더 할 수 있다. 압착체(M)의 무게에 의한 하중 외에도 압착체(M)를 누르는 수단을 더 구비할 수 있다. 압착체(M)에는 레이저(L)가 통과하는 투과공(MH)이 형성될 수 있고, 레이저(L)는 투과공(MH)을 지난 후 투명한 트레이(50')를 통과하여 마스크(100)의 용접부(용접을 수행할 영역)에 조사될 수 있다.On the other hand, in addition to pressing the mask 100 ′ by the tray 50 ′, the mask 100 and the frame 200 (or, the frame sheet portion 221, the first and second grid sheet portions 223, 225 )] to more closely abut, it is possible to further press the compression body (M) at the top of the tray (50'). In addition to the load by the weight of the compact (M), a means for pressing the compact (M) may be further provided. A through hole (MH) through which the laser (L) passes may be formed in the compressed body (M), and the laser (L) passes through the through hole (MH) and then passes through the transparent tray 50 ′ to the mask 100 It can be irradiated to the weld (area to perform welding) of.

하지만, 위와 같은 트레이(50') 및 압착체(M)의 하중에도 불구하고, 트레이(50')와 마스크(100)의 계면 상에는 미세한 에어갭(air gap; AG)이 존재할 수 있다. 글라스 재질의 트레이(50')는 표면 조도(Ra)가 약 20~30㎛이기 때문에 마이크로미터 스케일에서 트레이(50')의 표면을 살펴보면 미세한 굴곡이 있기 마련이다. 이에 따라, 마스크(100')를 압착해도 트레이(50')와 마스크(100')가 긴밀히 맞닿지 않는 부분이 있을 수 있고, 이 부분에서는 압착 하중이 잘 전달되지 않아 마스크(100')와 프레임(200)[또는, 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]도 긴밀히 맞닿지 않게 될 수 있다.However, despite the load of the tray 50 ′ and the presser M as described above, a fine air gap (AG) may exist on the interface between the tray 50 ′ and the mask 100. Since the glass tray 50' has a surface roughness (Ra) of about 20 to 30 μm, there are fine curves when looking at the surface of the tray 50' at the micrometer scale. Accordingly, even if the mask 100 ′ is compressed, there may be a part where the tray 50 ′ and the mask 100 ′ do not come into close contact, and in this part, the crimping load is not well transmitted, so that the mask 100 ′ and the frame 200 (or the frame sheet portion 221, the first and second grid sheet portions 223, 225) may also not be in close contact.

트레이(50')와 마스크(100')가 에어갭(AG)이 없이 긴밀히 맞닿는 부분에서는, 레이저(L1) 조사에 의해 마스크(100')와 프레임(200) 사이에서 용접 비드(WB)가 잘 생성되고, 마스크(100')와 프레임(200)을 일체로 연결하여, 결과적으로 용접이 잘 수행될 수 있다. 하지만, 트레이(50')와 마스크(100) 사이에 에어갭(AG)이 존재하여 긴밀히 맞닿지 않는 부분에서는, 레이저(L2) 조사에 의해 마스크(100)와 프레임(200) 사이에서 용접 비드(WB)가 잘 생성되지 않게 되고, 결과적으로 용접이 잘 수행되지 않는 문제점이 나타난다.In the portion where the tray 50' and the mask 100' are in close contact without the air gap AG, the welding bead WB is well formed between the mask 100' and the frame 200 by irradiation of the laser L1. Is generated, and integrally connects the mask 100 ′ and the frame 200, and as a result, welding can be performed well. However, in a portion where the air gap AG exists between the tray 50 ′ and the mask 100 and does not come into close contact, a welding bead between the mask 100 and the frame 200 by irradiation of the laser L2 WB) is not generated well, and as a result, there is a problem that welding is not performed well.

따라서, 본 발명은 마스크(100)와 에어갭(AG) 없이 긴밀히 맞닿을 수 있는 트레이(50)를 제공하는 것을 특징으로 한다.Accordingly, the present invention is characterized in that it provides a tray 50 that can be in close contact with the mask 100 and without the air gap AG.

도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이(50)를 프레임(200) 상에 로딩하여 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 부착하는 과정 및 마스크(100)와 트레이(50)의 계면 상태의 측단면도 및 부분 확대 측단면도를 나타낸다. 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이(50)를 나타내는 평면도[도 19의 (a)] 및 배면도[도 19의 (b)]이다. 도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이(50)를 프레임(200) 상에 로딩하여 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.18 is a process of loading the tray 50 on the frame 200 and attaching the mask 100 to the cell area CR of the frame 200 according to an embodiment of the present invention, and the mask 100 and the tray (50) shows a side cross-sectional view and a partially enlarged side cross-sectional view of the interface state. 19 is a plan view [FIG. 19A] and a rear view [FIG. 19B] showing a tray 50 according to an embodiment of the present invention. 20 is a schematic diagram showing a state in which the tray 50 according to an embodiment of the present invention is loaded onto the frame 200 and the mask 100 corresponds to the cell area CR of the frame 200.

도 18 및 도 19를 참조하면, 트레이(tray; 50) 상에 마스크(100)가 접착될 수 있다. 모판 상에서 전착된 마스크(100)를 떼어내어 트레이(50) 상에 접착할 수 있다. 트레이(50)는 마스크(100)를 평평하게 접착할 수 있도록, 평판 형상인 것이 바람직하다. 마스크(100)가 전체적으로 평평하게 접착될 수 있도록 트레이(50)의 크기는 마스크(100)보다 큰 평판 형상일 수 있다.18 and 19, the mask 100 may be adhered on a tray 50. The mask 100 electrodeposited on the mother plate may be removed and adhered to the tray 50. The tray 50 is preferably in a flat plate shape so that the mask 100 can be adhered flatly. The size of the tray 50 may be a flat plate shape larger than that of the mask 100 so that the mask 100 may be adhered flatly.

트레이(50)의 일면 상에서 마스크(100)가 구김, 주름없이 평평하게 펼쳐져 접착되도록 정전기력, 자기력, 진공 등을 이용할 수 있다. 정전기력을 이용하는 방법은 대전체를 트레이(50) 일면에 문질러서 정전기를 유도하는 방법이다. 또한, 정전기력을 이용하는 방법은 트레이(50)의 상부면 또는 하부면 상에 배치한 투명전극에 전압을 인가하고, 마스크(100)에도 전압을 인가하면 정전기가 유도되어 마스크(100)가 평평하게 펼쳐지면서 소정의 접착력을 가지고 트레이(50)의 일면에 접착되는 방법이다. 자기력을 이용하는 방법은 마스크(100)가 배치된 트레이(50) 면의 반대면에서 복수의 자석을 이용하여 자기력으로 마스크(100)를 잡아 이동하면서 펼치는 방법이다. 진공을 이용하는 방법은 트레이(50)에 배치된 마스크(100)의 일단에서 타단까지 진공 장치를 이용하여 마스크(100)를 잡아 이동하면서 펼치는 방법이다.Electrostatic force, magnetic force, vacuum, etc. may be used so that the mask 100 is flatly spread and adhered to one surface of the tray 50 without wrinkles or wrinkles. The method of using the electrostatic force is a method of inducing static electricity by rubbing an electric charge onto one surface of the tray 50. In addition, the method of using electrostatic force is to apply a voltage to the transparent electrode disposed on the upper or lower surface of the tray 50, and applying a voltage to the mask 100 also induces static electricity and spreads the mask 100 flat. It is a method of being adhered to one side of the tray 50 while having a predetermined adhesive force. A method of using magnetic force is a method of holding the mask 100 with magnetic force and spreading it while moving by using a plurality of magnets on the opposite surface of the tray 50 on which the mask 100 is disposed. A method of using a vacuum is a method of unfolding while moving the mask 100 by using a vacuum device from one end to the other end of the mask 100 disposed on the tray 50.

특히, 본 발명의 트레이(50)는 마스크(100)와의 계면 사이에서 에어갭(AG)이 발생하지 않도록, 마스크(100)와 접촉하는 일면이 경면인 것을 특징으로 한다. 구체적으로, 트레이(50)의 일면의 표면 조도(Ra)가 100nm 이하일 수 있다. 도 17에서 상술한 일반적인 글라스 재질의 트레이(50')는 표면 조도(Ra)가 약 20~30㎛이기 때문에, 에어갭(AG)의 존재가 ㎛ 스케일인 마스크 패턴(P)의 정렬 오차에 영향을 줄 정도이다. 하지만, 본 발명의 트레이(50)는 표면 조도(Ra)가 nm 스케일이기 때문에 에어갭(AG)이 없거나, 거의 없는 수준으로 마스크 패턴(P)의 정렬 오차에 영향을 주지 않게 된다.In particular, the tray 50 of the present invention is characterized in that one surface in contact with the mask 100 is a mirror surface so that an air gap AG does not occur between the interface with the mask 100. Specifically, the surface roughness Ra of one surface of the tray 50 may be 100 nm or less. Since the general glass tray 50 ′ described above in FIG. 17 has a surface roughness Ra of about 20 to 30 μm, the presence of the air gap AG affects the alignment error of the mask pattern P of the μm scale. Is enough to give. However, since the tray 50 of the present invention has a surface roughness Ra of nm scale, there is no or almost no air gap AG, so that the alignment error of the mask pattern P is not affected.

표면 조도(Ra)가 100nm 이하인 트레이(50)를 구현하기 위해, 트레이(50)는 웨이퍼(wafer)를 사용할 수 있다. 웨이퍼(wafer)는 표면 조도(Ra)가 약 10nm 정도이고, 시중의 제품이 많고 표면처리 공정들이 많이 알려져 있으므로, 트레이(50)로 사용하기 적절하다. 이 외에도, 표면을 미세 경면 가공하여 표면 조도(Ra)가 100nm 이하를 만족할 수 있다면, 트레이(50)는 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3) 등의 재질을 사용할 수도 있다. 이하에서는 웨이퍼를 트레이(50)로 사용하는 것을 상정하여 설명한다.In order to implement the tray 50 having a surface roughness Ra of 100 nm or less, the tray 50 may use a wafer. The wafer (wafer) has a surface roughness (Ra) of about 10 nm, there are many commercially available products, and many surface treatment processes are known, so it is suitable for use as the tray 50. In addition, if the surface is micro-mirrored to satisfy the surface roughness (Ra) of 100 nm or less, the tray 50 is made of glass, silica, heat-resistant glass, quartz, alumina (Al 2 O 3 ) You can also use materials such as. Hereinafter, it is assumed that the wafer is used as the tray 50 and described.

도 18의 확대 부분을 참조하면, 표면 조도(Ra)가 50nm 이하인 트레이(50)와 마스크(100)의 계면 사이에는 에어갭(AG) 없이 긴밀하게 접촉된 것을 확인할 수 있다. 마스크(100)의 용접부(WP)에 레이저(L)를 조사하여 레이저 용접을 수행할 수 있다.Referring to the enlarged portion of FIG. 18, it can be seen that the interface between the tray 50 having a surface roughness Ra of 50 nm or less and the mask 100 is in close contact without an air gap AG. Laser welding may be performed by irradiating the laser L to the welding portion WP of the mask 100.

한편, 웨이퍼 재질의 트레이(50)는 레이저(L) 광에 불투명할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 트레이(50)는, 트레이(50)의 상부에서 조사하는 레이저(L)가 마스크(100)의 용접부(WP)에까지 도달할 수 있도록, 트레이(50)에는 레이저 통과공(51)이 형성되는 것을 특징으로 한다.Meanwhile, the wafer tray 50 may be opaque to the laser (L) light. Accordingly, the tray 50 of the present invention is provided in the tray 50 so that the laser L irradiated from the top of the tray 50 can reach the welding portion WP of the mask 100. 51) is characterized in that it is formed.

도 19의 (a), (b)를 참조하면, 레이저 통과공(51)은 용접부(WP)의 위치 및 개수에 대응하도록 트레이(50)에 형성될 수 있다. 용접부(WP)는 마스크(100)의 테두리 또는 더미(DM) 부분에서 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 이에 대응하도록 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다. 일 예로, 용접부(WP)는 마스크(100)의 양측(좌측/우측) 더미(DM) 부분에 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 트레이(50)이 양측(좌측/우측)에 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다. Referring to FIGS. 19A and 19B, the laser through-hole 51 may be formed in the tray 50 to correspond to the position and number of the welding portions WP. Since a plurality of welding portions WP are disposed along a predetermined interval in the edge or dummy DM portion of the mask 100, a plurality of laser through holes 51 may be formed along a predetermined interval to correspond thereto. As an example, since a plurality of welding portions WP are disposed at predetermined intervals on both sides (left/right) dummy DM portions of the mask 100, the laser through hole 51 also has a tray 50 on both sides (left/right). The right side) may be formed in a plurality along a predetermined interval.

레이저 통과공(51)은 반드시 용접부의 위치 및 개수에 대응될 필요는 없다. 예를 들어, 레이저 통과공(51) 중 일부에 대해서만 레이저(L)를 조사하여 용접을 수행할 수도 있다. 또한, 용접부에 대응되지 않는 레이저 통과공(51) 중 일부는 마스크(100)와 트레이(50)을 정렬할 때 얼라인 마크를 대신하여 사용할 수도 있다. 만약, 트레이(50)의 재질이 레이저(L) 광에 투명하다면 레이저 통과공(51)을 형성하지 않을 수도 있다.The laser through-hole 51 need not necessarily correspond to the position and number of welding parts. For example, it is also possible to perform welding by irradiating the laser (L) to only a part of the laser through hole (51). In addition, some of the laser through-holes 51 that do not correspond to the welding part may be used instead of the alignment mark when aligning the mask 100 and the tray 50. If the material of the tray 50 is transparent to the laser (L) light, the laser through hole 51 may not be formed.

마스크(100)와 프레임(200)[또는, 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]이 더욱 긴밀하게 맞닿도록, 트레이(50) 상에는 압착체(M)가 압착을 더 할 수 있다. 압착체(M)의 무게에 의한 하중 외에도 압착체(M)를 누르는 수단을 더 구비할 수 있다. 압착체(M)에는 레이저(L)가 통과하는 투과공(MH)이 형성될 수 있고, 투과공(MH)의 형성 영역은 트레이(50)의 레이저 통과공(51)의 형성 영역과 중첩될 수 있다. 레이저(L)는 투과공(MH)을 지난 후 트레이(50)의 레이저 통과공(51)을 통과하여 마스크(100)의 용접부(WP)에 조사될 수 있다. 레이저 용접은 프레임(200)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 마스크(100)와 프레임(200) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다.To make the mask 100 and the frame 200 (or the frame sheet portion 221, the first and second grid sheet portions 223, 225) in tighter contact, the presser (M) is placed on the tray 50 You can do more compression. In addition to the load by the weight of the compact (M), a means for pressing the compact (M) may be further provided. A through hole (MH) through which the laser (L) passes may be formed in the compressed body (M), and the area where the through hole (MH) is formed may overlap with the area where the laser through hole 51 of the tray 50 is formed. I can. After passing through the through hole MH, the laser L may pass through the laser through hole 51 of the tray 50 to be irradiated onto the weld WP of the mask 100. Laser welding should be performed as close as possible to the edge of the frame 200 so as to reduce the excitement space between the mask 100 and the frame 200 as much as possible and increase adhesion.

트레이(50)와 마스크(100)가 에어갭(AG)이 없이 긴밀히 맞닿을 수 있고, 상부 압착체(M)와 트레이(50) 자체의 하중에 의한 압착이 더해져서 트레이(50)와 마스크(100), 마스크(100)와 프레임(200)[또는, 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]이 더욱 긴밀히 맞닿을 수 있다. 이에 따라, 레이저(L) 조사에 의해 마스크(100)와 프레임(200) 사이에서 용접 비드(WB)가 잘 생성될 수 있다. 용접 비드(WB)는 마스크(100)의 일부가 용융된 부분으로 볼 수 있고, 스팟(spot) 또는 라인(line)의 형상을 가지며, 마스크(100)와 프레임(200)을 일체로 연결하도록 매개하여, 결과적으로 용접이 잘 수행될 수 있다.The tray 50 and the mask 100 can be in close contact with each other without an air gap AG, and compression by the load of the upper compression body M and the tray 50 itself is added, so that the tray 50 and the mask ( 100), the mask 100 and the frame 200 (or, the edge sheet portion 221, the first and second grid sheet portions 223, 225) may be in close contact with each other. Accordingly, the welding bead WB may be well generated between the mask 100 and the frame 200 by the laser (L) irradiation. The welding bead (WB) can be viewed as a part where a part of the mask 100 is melted, has a shape of a spot or a line, and is mediated to integrally connect the mask 100 and the frame 200 Thus, welding can be performed well as a result.

다음으로, 도 20의 (a) 및 (b)를 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)의 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수 있다. 마스크(100)가 상부에 접착된 트레이(50)를 뒤집고, 트레이(50)를 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩하는 것으로 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수 있다. 트레이(50)의 위치를 제어하면서, 현미경을 통해 마스크(100)가 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는지 살펴볼 수 있다. 트레이(50)가 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩되면, 마스크(100)는 트레이(50)와 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 사이에 배치되면서, 트레이(50)에 의해 압착될 수 있다.Next, referring to FIGS. 20A and 20B, the mask 100 may correspond to one mask cell area CR of the frame 200. By turning over the tray 50 to which the mask 100 is attached to the top, and loading the tray 50 onto the frame 200 (or the mask cell sheet part 220), the mask 100 is transferred to the mask cell area ( CR). While controlling the position of the tray 50, it is possible to check whether the mask 100 corresponds to the mask cell area CR through a microscope. When the tray 50 is loaded onto the frame 200 (or the mask cell sheet part 220), the mask 100 includes the tray 50 and the frame 200 (or the mask cell sheet part 220). While disposed between, it can be pressed by the tray 50.

한편, 하부 지지체(70)를 프레임(200) 하부에 더 배치할 수도 있다. 하부 지지체(70)는 프레임 테두리부(210)의 중공 영역(R) 내에 들어갈 정도의 크기를 가지고 평판 형상일 수 있다. 또한, 하부 지지체(70)의 상부면에는 마스크 셀 시트부(220)의 형상에 대응하는 소정의 지지홈(미도시)이 형성될 수도 있다. 이 경우 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 지지홈에 끼워지게 되어, 마스크 셀 시트부(220)가 더욱 잘 고정될 수 있다.Meanwhile, the lower support 70 may be further disposed under the frame 200. The lower support 70 may have a size enough to fit into the hollow region R of the frame rim 210 and may have a flat plate shape. Further, a predetermined support groove (not shown) corresponding to the shape of the mask cell sheet portion 220 may be formed on the upper surface of the lower support body 70. In this case, the edge sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 are fitted into the support grooves, so that the mask cell sheet portion 220 may be better fixed.

하부 지지체(70)는 마스크(100)가 접촉하는 마스크 셀 영역(CR)의 반대면을 압착할 수 있다. 즉, 하부 지지체(70)는 마스크 셀 시트부(220)를 상부 방향으로 지지하여 마스크(100)의 부착과정에서 마스크 셀 시트부(220)가 하부 방향으로 처지는 것을 방지할 수 있다. 이와 동시에, 하부 지지체(70)와 트레이(50)가 상호 반대되는 방향으로 마스크(100)의 테두리 및 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]를 압착하게 되므로, 마스크(100)의 정렬 상태가 흐트러지지 않고 유지될 수 있게 된다.The lower support 70 may press the opposite surface of the mask cell area CR to which the mask 100 contacts. That is, the lower support 70 may support the mask cell sheet part 220 in an upward direction to prevent the mask cell sheet part 220 from sagging downward during the attaching process of the mask 100. At the same time, since the lower support 70 and the tray 50 press the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) of the mask 100 in opposite directions to each other, the mask 100 Can be maintained without being disturbed.

본 발명은 트레이(50) 상에 마스크(100)를 접착하고, 트레이(50)를 프레임(200) 상에 로딩하는 것만으로 마스크(100)를 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는 과정이 완료되므로, 이 과정에서 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않는 것을 특징으로 한다.In the present invention, the mask 100 corresponds to the mask cell area CR of the frame 200 simply by attaching the mask 100 to the tray 50 and loading the tray 50 onto the frame 200 Since the process is completed, it is characterized in that no tensile force is applied to the mask 100 during this process.

프레임(200)의 마스크 셀 시트부(220)는 얇은 두께를 가지기 때문에, 마스크(100)에 인장력이 가해진 채로 마스크 셀 시트부(220)에 부착이 되면, 마스크(100)에 잔존하는 인장력이 마스크 셀 시트부(220) 및 마스크 셀 영역(CR)에 작용하게 되어 이들을 변형시킬 수도 있다. 따라서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220)에 마스크(100)의 부착을 수행해야 한다. 그리하여, 마스크(100)에 가해진 인장력이 반대로 프레임(200)에 장력(tension)으로 작용하여 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]을 변형시키는 것을 방지할 수 있게 된다.Since the mask cell sheet portion 220 of the frame 200 has a thin thickness, when a tensile force is applied to the mask 100 and attached to the mask cell sheet portion 220, the tensile force remaining in the mask 100 is masked. It acts on the cell sheet part 220 and the mask cell area CR, and thus, they may be deformed. Therefore, it is necessary to attach the mask 100 to the mask cell sheet part 220 without applying a tensile force to the mask 100. Thus, it is possible to prevent deformation of the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) by acting as a tension on the frame 200 as opposed to the tensile force applied to the mask 100.

다만, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않고 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에 부착시켜 프레임 일체형 마스크를 제조하고, 이 프레임 일체형 마스크를 화소 증착 공정에 사용할 때 한가지 문제가 발생할 수 있다. 약 25~45℃ 정도에서 수행되는 화소 증착 공정에서 마스크(100)가 소정 길이만큼 열팽창 하는 것이다. 인바 재질의 마스크(100)라고 하더라도, 화소 증착 공정 분위기를 형성하기 위한 10℃ 정도의 온도 상승에 따라 약 1~3 ppm 만큼의 길이가 변할 수 있다. 예를 들어, 마스크(100)의 총 길이가 500 mm 경우, 약 5~15㎛만큼의 길이가 늘어날 수 있다. 그러면, 마스크(100)가 자중에 의해 쳐지거나, 프레임(200)에서 고정된 상태에서 늘어나 뒤틀리는 등의 변형을 일으키면서 패턴(P)들의 정렬 오차가 커지는 문제점이 발생하게 된다.However, one problem arises when a frame-integrated mask is manufactured by attaching it to the frame 200 (or mask cell sheet part 220) without applying a tensile force to the mask 100, and the frame-integrated mask is used in the pixel deposition process. Can occur. In the pixel deposition process performed at about 25 to 45° C., the mask 100 thermally expands by a predetermined length. Even in the case of the mask 100 made of an Invar material, the length of about 1 to 3 ppm may change according to a temperature increase of about 10° C. to form an atmosphere of the pixel deposition process. For example, when the total length of the mask 100 is 500 mm, the length may increase by about 5 to 15 μm. Then, there is a problem that the alignment error of the patterns P increases while causing deformation such as the mask 100 being struck by its own weight or being stretched and distorted while being fixed in the frame 200.

따라서, 본 발명은 상온이 아닌 이보다 높은 온도 상에서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로, 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고 부착할 수 있다. 본 명세서에서는 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킨 후에 마스크(100)를 프레임(200)에 대응하고 부착한다고 표현한다.Accordingly, the present invention may correspond to and attach to the mask cell area CR of the frame 200 without applying a tensile force to the mask 100 at a temperature higher than that of room temperature. In this specification, after raising (ET) the temperature of the process region to the first temperature, it is expressed that the mask 100 is attached to the frame 200.

"공정 영역"이라 함은 마스크(100), 프레임(200) 등의 구성 요소들이 위치하고, 마스크(100)의 부착 공정 등이 수행되는 공간을 의미할 수 있다. 공정 영역은 폐쇄된 챔버 내에 공간일 수도 있고, 개방된 공간일 수도 있다. 또한, "제1 온도"라 함은 프레임 일체형 마스크를 OLED 화소 증착 공정에 사용할 때, 화소 증착 공정 온도보다는 높거나 같은 온도를 의미할 수 있다. 화소 증착 공정 온도가 약 25~45℃인 것을 고려하면, 제1 온도는 약 25℃ 내지 60℃일 수 있다. 공정 영역의 온도 상승은, 챔버에 가열 수단을 설치하거나, 공정 영역 주변에 가열 수단을 설치하는 방법 등으로 수행할 수 있다.The term "process area" may mean a space in which constituent elements such as the mask 100 and the frame 200 are located, and a process of attaching the mask 100 is performed. The process area may be a space within a closed chamber or an open space. Further, the term “first temperature” may mean a temperature higher than or equal to the pixel deposition process temperature when the frame-integrated mask is used in the OLED pixel deposition process. Considering that the pixel deposition process temperature is about 25 to 45°C, the first temperature may be about 25 to 60°C. The temperature increase in the process area may be performed by installing a heating means in the chamber or by installing a heating means around the process area.

다시, 도 13을 참조하면, 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응한 후에, 프레임(200)이 포함된 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킬 수 있다. 또는, 프레임(200)이 포함된 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킨 후에, 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수도 있다. 도면에는 하나의 마스크(100)만을 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킨 것이 도시되어 있지만, 마스크 셀 영역(CR)마다 마스크(100)들을 대응시킨 후에 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킬 수도 있다.Referring again to FIG. 13, after the mask 100 corresponds to the mask cell region CR, the temperature of the process region including the frame 200 may be raised (ET) to the first temperature. Alternatively, after raising (ET) the temperature of the process region including the frame 200 to the first temperature, the mask 100 may correspond to the mask cell region CR. In the drawing, only one mask 100 is mapped to one mask cell area CR, but after matching the masks 100 for each mask cell area CR, the temperature of the process area is increased to the first temperature. You can also (ET).

종래의 도 1의 마스크(10)는 셀 6개(C1~C6)를 포함하므로 긴 길이를 가지는데 반해, 본 발명의 마스크(100)는 셀 1개(C)를 포함하여 짧은 길이를 가지므로 PPA(pixel position accuracy)가 틀어지는 정도가 작아질 수 있다. 예를 들어, 복수의 셀(C1~C6, ...)들을 포함하는 마스크(10)의 길이가 1m이고, 1m 전체에서 10㎛의 PPA 오차가 발생한다고 가정하면, 본 발명의 마스크(100)는 상대적인 길이의 감축[셀(C) 개수 감축에 대응]에 따라 위 오차 범위를 1/n 할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 마스크(100)의 길이가 100mm라면, 종래 마스크(10)의 1m에서 1/10로 감축된 길이를 가지므로, 100mm 길이의 전체에서 1㎛의 PPA 오차가 발생하게 되며, 정렬 오차가 현저히 감소하게 되는 효과가 있다.The conventional mask 10 of FIG. 1 has a long length because it includes 6 cells (C1 to C6), whereas the mask 100 of the present invention has a short length including one cell (C). The degree of distortion of the pixel position accuracy (PPA) can be reduced. For example, assuming that the length of the mask 10 including a plurality of cells (C1 to C6, ...) is 1 m and a PPA error of 10 μm occurs in the entire 1 m, the mask 100 of the present invention The above error range can be 1/n according to the reduction in the relative length (corresponding to the reduction in the number of cells C). For example, if the length of the mask 100 of the present invention is 100 mm, since it has a length reduced from 1 m to 1/10 of the conventional mask 10, a PPA error of 1 μm occurs in the entire 100 mm length. , There is an effect that the alignment error is significantly reduced.

한편, 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고, 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응하여도 정렬 오차가 최소화되는 범위 내에서라면, 마스크(100)는 프레임(200)의 복수의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 또는, 복수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)가 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 이 경우에도, 정렬에 따른 공정 시간과 생산성을 고려하여, 마스크(100)는 가급적 적은 수의 셀(C)을 구비하는 것이 바람직하다.On the other hand, if the mask 100 includes a plurality of cells C, and each cell C corresponds to each cell area CR of the frame 200 within a range in which the alignment error is minimized, The mask 100 may correspond to a plurality of mask cell regions CR of the frame 200. Alternatively, the mask 100 having a plurality of cells C may correspond to one mask cell area CR. Even in this case, in consideration of the process time and productivity according to the alignment, the mask 100 is preferably provided with as few cells (C) as possible.

본 발명의 경우는, 마스크(100)의 하나의 셀(C)을 대응시키고 정렬 상태를 확인하기만 하면 되므로, 복수의 셀(C: C1~C6)을 동시에 대응시키고 정렬 상태를 모두 확인하여야 하는 종래의 방법[도 2 참조]보다, 제조시간을 현저하게 감축시킬 수 있다.In the case of the present invention, it is only necessary to match one cell (C) of the mask 100 and check the alignment state, so that a plurality of cells (C: C1 to C6) must be matched at the same time and check all alignment states. Compared to the conventional method [see Fig. 2], the manufacturing time can be significantly reduced.

즉, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 6개의 마스크(100)에 포함되는 각각의 셀(C11~C16)을 각각 하나의 셀 영역(CR11~CR16)에 대응시키고 각각 정렬 상태를 확인하는 6번의 과정을 통해, 6개의 셀(C1~C6)을 동시에 대응시키고 6개 셀(C1~C6)의 정렬 상태를 동시에 모두 확인해야 하는 종래의 방법보다 훨씬 시간이 단축될 수 있다.That is, in the method of manufacturing a frame-integrated mask of the present invention, each of the cells C11 to C16 included in the six masks 100 correspond to each of the cell regions CR11 to CR16 and check the alignment state. Through a single process, the time can be much shorter than that of a conventional method in which the six cells C1 to C6 are simultaneously matched and the alignment state of the six cells C1 to C6 is checked at the same time.

또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 30개의 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 30개의 마스크(100)를 각각 대응시키고 정렬하는 30번의 과정에서의 제품 수득률이, 6개의 셀(C1~C6)을 각각 포함하는 5개의 마스크(10)[도 2의 (a) 참조]를 프레임(20)에 대응시키고 정렬하는 5번의 과정에서의 종래의 제품 수득률보다 훨씬 높게 나타날 수 있다. 한번에 6개씩의 셀(C)이 대응하는 영역에 6개의 셀(C1~C6)을 정렬하는 종래의 방법이 훨씬 번거롭고 어려운 작업이므로 제품 수율이 낮게 나타나는 것이다.In addition, in the method of manufacturing a frame-integrated mask of the present invention, the product yield in the process of 30 times of matching and aligning 30 masks 100 to 30 cell regions (CR: CR11 to CR56), respectively, is 6 cells (C1 The five masks 10 each including ~C6) (see Fig. 2 (a)) may appear much higher than the conventional product yield in the five processes of matching and aligning the frame 20. Since the conventional method of arranging six cells (C1 to C6) in a region corresponding to six cells (C) at a time is much cumbersome and difficult operation, the product yield is low.

한편, 마스크(100)를 프레임(200)에 대응한 후, 프레임(200)에 소정의 접착제를 개재하여 마스크(100)를 임시로 고정할 수도 있다. 이후에, 마스크(100)의 부착 단계를 진행할 수 있다.Meanwhile, after attaching the mask 100 to the frame 200, the mask 100 may be temporarily fixed to the frame 200 by interposing a predetermined adhesive. Thereafter, the attaching step of the mask 100 may be performed.

도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 순차적으로 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 부착하는 과정을 나타내는 평면도[도 21의 (a)] 및 측단면도[도 21의 (b)] 이다.FIG. 21 is a plan view (FIG. 21(a)) and a side cross-sectional view (FIG. 21(a)) showing a process of sequentially attaching the mask 100 according to an embodiment of the present invention to the cell regions CR11 to CR56. b)].

도 21을 참조하면, 마스크 셀 영역(CR11)에 마스크(100)를 대응하여 부착한 후, 이에 이웃하는 마스크 셀 영역(CR12)에 마스크(100)를 대응하여 부착할 수 있다. 도 21에는 2개의 마스크(100)만 부착한 것이 도시되어 있으나, 모든 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)를 대응하여 부착할 수 있다.Referring to FIG. 21, after attaching the mask 100 to the mask cell area CR11 correspondingly, the mask 100 may be correspondingly attached to the mask cell area CR12 adjacent thereto. Although only two masks 100 are attached in FIG. 21, the mask 100 may be attached to all mask cell regions CR in correspondence with each other.

제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]의 상면에 두 개의 이웃하는 마스크(100)의 일 테두리가 각각 부착[용접 비드(WB) 형성]된 형태가 나타난다. 제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]의 폭, 두께는 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있고, 제품 생산성 향상을 위해, 제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]와 마스크(100)의 테두리가 겹치는 폭을 약 0.1~2.5mm 정도로 최대한 감축시킬 필요가 있다.The first grid sheet portion 223 (or the second grid sheet portion 225) has a shape in which an edge of two adjacent masks 100 is attached (welded bead (WB) formed), respectively. The width and thickness of the first grid sheet portion 223 (or the second grid sheet portion 225) may be formed to be about 1 to 5 mm, and to improve product productivity, the first grid sheet portion 223 [ Alternatively, it is necessary to reduce the width of the second grid sheet portion 225] and the overlapping edge of the mask 100 to about 0.1 to 2.5 mm as much as possible.

마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220) 상에 용접(LW)을 수행하므로, 마스크 셀 시트부(220)[또는, 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]에는 장력이 가해지지 않는다.Since welding (LW) is performed on the mask cell sheet part 220 without applying a tensile force to the mask 100, the mask cell sheet part 220 (or the frame sheet part 221, the first and second grid sheets) No tension is applied to the parts (223, 225)].

하나의 마스크(100)를 프레임(200)에 부착한 후, 나머지 마스크(100)들을 나머지 마스크 셀(C)에 순차적으로 대응시키고, 프레임(200)에 부착하는 과정을 반복할 수 있다. 이미 프레임(200)에 부착된 마스크(100)가 기준 위치를 제시할 수 있으므로, 나머지 마스크(100)들을 셀 영역(CR)에 순차적으로 대응시키고 정렬 상태를 확인하는 과정에서의 시간이 현저하게 감축될 수 있는 이점이 있다. 그리고, 하나의 마스크 셀 영역에 부착된 마스크(100)와 이에 이웃하는 마스크 셀 영역에 부착된 마스크(100) 사이의 PPA(pixel position accuracy)가 3㎛를 초과하지 않게 되어, 정렬이 명확한 초고화질 OLED 화소 형성용 마스크를 제공할 수 있는 이점이 있다.After attaching one mask 100 to the frame 200, the remaining masks 100 are sequentially corresponded to the remaining mask cells C, and a process of attaching to the frame 200 may be repeated. Since the mask 100 already attached to the frame 200 can present the reference position, the time in the process of sequentially matching the remaining masks 100 to the cell area CR and checking the alignment status is significantly reduced. There is an advantage that can be. In addition, since the PPA (pixel position accuracy) between the mask 100 attached to one mask cell area and the mask 100 attached to the neighboring mask cell area does not exceed 3 μm, the alignment is clear, ultra-high quality. There is an advantage of being able to provide a mask for forming an OLED pixel.

도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 부착한 후 공정 영역의 온도를 하강(LT)시키는 과정을 나타내는 개략도이다.22 is a schematic diagram illustrating a process of lowering (LT) the temperature of the process area after attaching the mask 100 according to an embodiment of the present invention to the cell area CR of the frame 200.

다음으로, 도 22를 참조하면, 공정 영역의 온도를 제2 온도로 하강(LT)시킬 수 있다. "제2 온도"라 함은 제1 온도보다 낮은 온도를 의미할 수 있다. 제1 온도가 약 25℃ 내지 60℃인 것을 고려하면, 제2 온도는 제1 온도보다 낮은 것을 전제로 약 20℃ 내지 30℃일 수 있고, 바람직하게, 제2 온도는 상온일 수 있다. 공정 영역의 온도 하강은, 챔버에 냉각 수단을 설치하거나, 공정 영역 주변에 냉각 수단을 설치하는 방법, 상온으로 자연 냉각하는 방법 등으로 수행할 수 있다.Next, referring to FIG. 22, the temperature of the process region may be lowered (LT) to the second temperature. The term "second temperature" may mean a temperature lower than the first temperature. Considering that the first temperature is about 25° C. to 60° C., the second temperature may be about 20° C. to 30° C. on the assumption that the first temperature is lower than the first temperature, and preferably, the second temperature may be room temperature. Lowering the temperature of the process region may be performed by installing a cooling means in the chamber, a method of installing a cooling means around the process region, and a method of naturally cooling to room temperature.

공정 영역의 온도가 제2 온도로 하강(LT)되면, 마스크(100)는 소정 길이만큼 열수축 할 수 있다. 마스크(100)는 모든 측면 방향을 따라 등방성으로 열수축 할 수 있다. 다만, 마스크(100)는 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에 용접으로 고정 연결되어 있으므로, 마스크(100)의 열수축은 주변의 마스크 셀 시트부(220)에 자체적으로 장력(TS)을 인가하게 된다. 마스크(100)의 자체적인 장력(TS) 인가에 의해 마스크(100)는 더욱 팽팽하게 프레임(200) 상에 부착될 수 있다.When the temperature of the process region is lowered (LT) to the second temperature, the mask 100 may heat-shrink by a predetermined length. The mask 100 may be isotropically heat-shrinkable along all side directions. However, since the mask 100 is fixedly connected to the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) by welding, the heat contraction of the mask 100 is self-tensioned by the surrounding mask cell sheet part 220 (TS) is applied. The mask 100 may be attached on the frame 200 more tightly by the application of the self-tension TS of the mask 100.

또한, 각각의 마스크(100)들이 모두 대응되는 마스크 셀 영역(CR) 상에 부착된 후에 공정 영역의 온도가 제2 온도로 하강(LT)되므로, 모든 마스크(100)들이 동시에 열수축을 일으키게 되어 프레임(200)이 변형되거나 패턴(P)들이 정렬 오차가 커지는 문제가 방지될 수 있다. 더 설명하면, 장력(TS)이 마스크 셀 시트부(220)에 인가된다고 해도, 복수의 마스크(100)들이 상호 반대방향으로 장력(TS)을 인가하기 때문에, 그 힘이 상쇄되어 마스크 셀 시트부(220)에는 변형이 일어나지 않게 된다. 예를 들어, CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)와 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100) 사이의 제1 그리드 시트부(223)는 CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 우측 방향으로 작용하는 장력(TS)과 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 좌측 방향으로 작용하는 장력(TS)이 상쇄될 수 있다. 그리하여, 장력(TS)에 의한 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에는 변형이 최소화되어 마스크(100)[또는, 마스크 패턴(P)]의 정렬 오차가 최소화 될 수 있는 이점이 있다.In addition, since the temperature of the process area is lowered (LT) to the second temperature after each of the masks 100 are attached to the corresponding mask cell area CR, all of the masks 100 simultaneously cause heat contraction and A problem that the 200 is deformed or the alignment error of the patterns P increases may be prevented. More specifically, even if the tension TS is applied to the mask cell sheet part 220, since the plurality of masks 100 apply tension TS in opposite directions to each other, the force is canceled and the mask cell sheet part No deformation occurs in 220. For example, the first grid sheet portion 223 between the mask 100 attached to the CR11 cell area and the mask 100 attached to the CR12 cell area is in the right direction of the mask 100 attached to the CR11 cell area. The applied tension TS and the tension TS acting in the left direction of the mask 100 attached to the CR12 cell region may be canceled. Thus, the deformation of the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) due to the tension TS is minimized so that the alignment error of the mask 100 (or the mask pattern P) can be minimized. There is this.

도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크(100, 200)를 이용한 OLED 화소 증착 장치(1000)를 나타내는 개략도이다.23 is a schematic diagram showing an OLED pixel deposition apparatus 1000 using the frame-integrated masks 100 and 200 according to an embodiment of the present invention.

도 23을 참조하면, OLED 화소 증착 장치(1000)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 23, the OLED pixel deposition apparatus 1000 includes a magnet plate 300 in which a magnet 310 is accommodated and a cooling water line 350 is disposed, and an organic material source 600 from a lower portion of the magnet plate 300. ) And a deposition source supply unit 500 to supply.

마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)[또는, FMM]이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의해 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.A target substrate 900 such as glass on which the organic material source 600 is deposited may be interposed between the magnet plate 300 and the source deposition unit 500. The frame-integrated masks 100 and 200 (or FMM) that allow the organic material source 600 to be deposited for each pixel may be disposed on the target substrate 900 in close contact or very close to each other. The magnet 310 generates a magnetic field and may be in close contact with the target substrate 900 by the magnetic field.

증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 프레임 일체형 마스크(100, 200)에 형성된 패턴(P)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴(P)을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.The deposition source supply unit 500 may reciprocate the left and right path to supply the organic material source 600, and the organic material sources 600 supplied from the deposition source supply unit 500 are pattern P formed on the frame-integrated masks 100 and 200. ) May be deposited on one side of the target substrate 900. The deposited organic material source 600 passing through the pattern P of the frame-integrated masks 100 and 200 may function as the pixel 700 of the OLED.

새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다.In order to prevent non-uniform deposition of the pixel 700 due to a shadow effect, the pattern of the frame-integrated masks 100 and 200 may be formed to be inclined (S) (or formed in a tapered shape (S)) . Since the organic material sources 600 passing through the pattern in a diagonal direction along the inclined surface may also contribute to the formation of the pixel 700, the overall thickness of the pixel 700 may be uniformly deposited.

마스크(100)는 화소 증착 공정 온도보다 높은 제1 온도 상에서 프레임(200)에 부착 고정되므로, 화소 증착을 위한 공정 온도로 상승시킨다고 하더라도, 마스크 패턴(P)의 위치에는 영향이 거의 없게 되며, 마스크(100)와 이에 이웃하는 마스크(100) 사이의 PPA는 3㎛를 초과하지 않도록 유지될 수 있다.Since the mask 100 is attached and fixed to the frame 200 at a first temperature higher than the pixel deposition process temperature, even if it is raised to the process temperature for pixel deposition, the position of the mask pattern P is hardly affected. The PPA between 100 and the mask 100 adjacent thereto may be maintained not to exceed 3 μm.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.Although the present invention has been shown and described with reference to a preferred embodiment as described above, it is not limited to the above embodiment, and within the scope not departing from the spirit of the present invention, various It can be transformed and changed. Such modifications and variations should be viewed as falling within the scope of the present invention and the appended claims.

50: 트레이(tray)
51: 레이저 통과공
70: 하부 지지체
100: 마스크
110: 마스크 막
150, 160, 160', 170: 주름 방지 패턴
151, 161, 161', 171: 단위 주름 방지 패턴
190: 버퍼 패턴
191, 192: 단위 버퍼 패턴
200: 프레임
210: 테두리 프레임부
220: 마스크 셀 시트부
221: 테두리 시트부
223: 제1 그리드 시트부
225: 제2 그리드 시트부
1000: OLED 화소 증착 장치
C: 셀, 마스크 셀
CR: 마스크 셀 영역
DM: 더미, 마스크 더미
ET: 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승
L: 레이저
LT: 공정 영역의 온도를 제2 온도로 하강
M: 상부 압착체
R: 테두리 프레임부의 중공 영역
P: 마스크 패턴
TS: 장력
W: 용접
WB: 용접 비드
WP: 용접부
WPC: 용접부 중심점
50: tray
51: laser through hole
70: lower support
100: mask
110: mask film
150, 160, 160', 170: anti-wrinkle pattern
151, 161, 161', 171: unit anti-wrinkle pattern
190: buffer pattern
191, 192: unit buffer pattern
200: frame
210: frame frame portion
220: mask cell sheet portion
221: border sheet portion
223: first grid seat portion
225: second grid seat portion
1000: OLED pixel deposition device
C: cell, mask cell
CR: Mask cell area
DM: dummy, mask dummy
ET: Raise the temperature of the process area to the first temperature
L: laser
LT: Lower the temperature of the process area to the second temperature
M: upper press
R: hollow area of the frame part
P: mask pattern
TS: tension
W: welding
WB: welding bead
WP: weld
WPC: Welding center point

Claims (11)

OLED 화소 형성용 마스크로서,
복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀, 및 마스크 셀 주변의 더미를 포함하고,
더미의 적어도 일부에 복수의 용접부가 간격을 이루어 형성되며,
각각의 용접부에 소정 간격 이격된 주위에 주름 방지 패턴이 형성되는, OLED 화소 형성용 마스크.
As a mask for forming OLED pixels,
Including a mask cell in which a plurality of mask patterns are formed, and a dummy around the mask cells,
A plurality of welds are formed at intervals on at least part of the pile,
A mask for forming an OLED pixel, wherein an anti-wrinkle pattern is formed around each of the welds spaced apart by a predetermined distance.
제1항에 있어서,
주름 방지 패턴은 복수의 단위 주름 방지 패턴을 포함하고,
단위 주름 방지 패턴의 적어도 일 폭은 용접부의 직경보다 작은, OLED 화소 형성용 마스크.
The method of claim 1,
The anti-wrinkle pattern includes a plurality of unit anti-wrinkle patterns,
At least one width of the unit anti-wrinkle pattern is smaller than the diameter of the welding portion, the OLED pixel forming mask.
제1항에 있어서,
주름 방지 패턴과 마스크 패턴 사이에 상호 간격을 이루도록 형성되며, 마스크 패턴의 폭보다 큰 폭을 가지는 복수의 버퍼 패턴을 더 포함하는, OLED 화소 형성용 마스크.
The method of claim 1,
A mask for forming an OLED pixel, further comprising a plurality of buffer patterns formed to form a mutual gap between the anti-wrinkle pattern and the mask pattern, and having a width greater than that of the mask pattern.
OLED 화소 형성용 마스크를 지지하여 프레임에 대응시키는 트레이(tray)으로서,
트레이;
트레이 상에 접착된 마스크;
를 포함하며,
마스크는, 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀, 및 마스크 셀 주변의 더미를 포함하고, 더미의 적어도 일부에 복수의 용접부가 간격을 이루어 형성되며, 각각의 용접부에 소정 간격 이격된 주위에 주름 방지 패턴이 형성되는, 마스크 지지 트레이.
As a tray that supports an OLED pixel forming mask and corresponds to the frame,
tray;
A mask adhered on the tray;
Including,
The mask includes a mask cell on which a plurality of mask patterns are formed, and a dummy around the mask cell, and a plurality of welding portions are formed at intervals in at least a portion of the dummy, and a wrinkle-preventing pattern around each welding portion spaced apart a predetermined interval Is formed, the mask support tray.
제4항에 있어서,
마스크의 용접부에 대응하는 트레이의 부분에 레이저 통과공이 형성되는, 마스크 지지 트레이.
The method of claim 4,
A mask supporting tray, wherein a laser through hole is formed in a portion of the tray corresponding to the welding portion of the mask.
제4항에 있어서,
트레이는 평판 형상이고, 마스크와 접촉하는 일면의 표면 조도(Ra)가 100nm 이하(0초과)인 재질을 포함하는, 마스크 지지 트레이.
The method of claim 4,
The tray has a flat plate shape, and includes a material having a surface roughness Ra of 100 nm or less (greater than 0) on one surface in contact with the mask.
제4항에 있어서,
트레이는 웨이퍼(wafer), 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3) 중 어느 하나의 재질을 포함하는, 마스크 지지 트레이.
The method of claim 4,
The tray is a wafer (wafer), glass (glass), silica (silica), heat-resistant glass, quartz (quartz), alumina (Al 2 O 3 ) comprising any one of the material, mask support tray.
제6항에 있어서,
트레이와 마스크 사이가 접촉하는 계면에 에어갭(air gap) 형성이 방지되는, 마스크 지지 트레이.
The method of claim 6,
A mask support tray that prevents the formation of an air gap at the interface between the tray and the mask.
제4항에 있어서,
주름 방지 패턴은, 용접부와 동심(同心)이고 용접부보다 큰 직경을 가지는 적어도 원주 상의 영역을 점유하는, 마스크 지지 트레이.
The method of claim 4,
The anti-wrinkle pattern occupies at least a circumferential region concentric with the welded portion and having a larger diameter than the welded portion.
제4항에 있어서,
주름 방지 패턴은 복수의 단위 주름 방지 패턴을 포함하고,
단위 주름 방지 패턴의 적어도 일 폭은 용접부의 직경보다 작은, 마스크 지지 트레이.
The method of claim 4,
The anti-wrinkle pattern includes a plurality of unit anti-wrinkle patterns,
At least one width of the unit anti-wrinkle pattern is smaller than the diameter of the welding portion, the mask support tray.
제4항에 있어서,
주름 방지 패턴과 마스크 패턴 사이에 상호 간격을 이루도록 형성되며, 마스크 패턴의 폭보다 큰 폭을 가지는 복수의 버퍼 패턴을 더 포함하는, 마스크 지지 트레이.
The method of claim 4,
The mask support tray, further comprising a plurality of buffer patterns formed to form a mutual gap between the anti-wrinkle pattern and the mask pattern, and having a width greater than the width of the mask pattern.
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